MEDULA AMARRADA DEBIDO A REPARACION DE MIELOMENIGOCELE. 1era. Parte - TEORIA DE LA ACUMULACION DE CARGAS. Autor. Dr. Ricardo Alberti Lumaca.

Neurocirujano.

INDICE

1-ANTECEDENTES. 2-INTRODUCCIN. 3-RESISTENCIA DE LA MEMBRANA. 4-CAPACITANCIA DE LA MEMBRANA. 5-CIRCUITO CR. 6-CARACTERSTICAS FSICAS DEL CAPACITOR. 7-FUNCIN DEL CAPACITOR Y MORFOLOGA. 8-FUNCIN DEL CAPACITOR Y FISIOLOGA. 9-REACTANCIA. Xc. RESISTENCIA DEL CAPACITOR. 10-TEORA FINAL. 11-REFERENCIAS.

1-ANTECEDENTES. Durante once aos se trataron 40 pacientes portadores de mdula amarrada. Se documentaron en dos trabajos cientficos, presentados en los congresos de Neurologa y Neurociruga. El primero en el ao 2007 con 30 casos y el segundo en el ao 2008 con 40 pacientes. Analizados del punto de vista clnico se concluye en ambos trabajos, la mejora en tres niveles radiculares, promedio, ya que es diferente la evolucin, dependiendo de la patologa y clnica previa. Estudiados con potenciales evocados intraoperatorios, en siete pacientes, se realiz comunicacin de estos resultados, en trabajo cientfico publicado en el congreso de Neurociruga del 2008. Estudio neurofisiolgico de la medula amarrada por cicatriz de ciruga de mielomeningocele. REGISTRO EN MEDULA SANA, INMEDIATAMENTE POR ENCIMA DE LA MEDULA DISTROFICA. Figura 1.

REGISTRO EN MEDULA DISTROFICA, INMEDIATAMENTE POR DEBAJO DE MEDULA SANA. Figura 2.

REGISTROS DE LOS POTENCIALES EVOCADOS INTRAOPERATORIOS. Figura 3

1-Medula distrfica. Tiempo de latencia al inicio de la diseccin, 15.6ms y 10.8ms, al final de esta. Amplitud 5.25mV y 5.88mV respectivamente. Figura 4.

2-Medula distrfica. Tiempo de latencia, 12.4ms al inicio de la diseccin, 9.8ms, al final de esta. Amplitud, 0.43mV al inicio y 1.72mV al final. (Mejora de un 400%). Figura 5. Durante la diseccin de bridas y procesos cicatrzales de la medula, registrado minuto a minuto, el tiempo que lleva adquirir estos registros y en forma continua y seriada, se obtienen: 1) descensos en los tiempos de latencia acompaando la diseccin, con descenso mximo al terminar esta. 2) aumento de las amplitudes. En todos los registros se observa este fenmeno, siendo en algunos casos, del orden de los 400%. En dicho trabajo clasificamos morfolgicamente a la mdula espinal en dos partes.

1) Mdula normal, cuyos potenciales son normales y no se modifican despus de la

diseccin quirrgica.

2) Mdula distrfica. Esta, desde el punto de vista elctrico, tiene claramente tres
partes. Tercio superior, inmediatamente por debajo de la mdula sana y cuyos potenciales evocados son iguales a la mdula sana y no cambian despus de la diseccin quirrgica. Tercio medio, cuyos potenciales son patolgicos y mejoran con la diseccin quirrgica. Tercio inferior, de donde salen las races inferiores muy distorsionadas, donde no hay registro y despus de la diseccin, aparecen registros, de caractersticas patolgicas.

Esta diferencia en la altura o distancia de abajo a arriba, puede tener su explicacin en el modelo terico que se analizar. Por ltimo, los registros en mdula sana, inmediatamente por encima de la mdula distrfica, no muestran cambios durante la ciruga, siendo sus valores normales. Por lo cual sostener un mecanismo de traccin con repercusin funcional, en dicho nivel, en esta patologa, no es aceptable. Adems, la condicin clnica mejora, con la caracterstica de ser inmediata a la ciruga. Segunda razn, que puede tener explicacin, tambin, por este modelo.

2-Capitulo 1. INTRODUCCION.
Este trabajo intenta una explicacin terica a los fenmenos fsicos hallados durante la

La base esta en la mejora de trasmisin de los trenes de potenciales de accin a nivel de los axones de la medula distrfica. Se trata de buscar una explicacin racional a estos fenmenos.
ciruga de mdula amarrada debido a cicatriz por cierre de mielomeningocele. Los potenciales de accin motores y de la sensibilidad discriminativa, corren agrupados en mltiples y diferentes patrones de descarga, conformando unidades diferentes, as como diferente es la informacin a trasmitir. Se trasmiten a travs de los axones mielinizados, de las races nerviosas y la medula espinal.
mV

ms

Potenciales de accin. Figura 6.

Histologa. Nervio. Perineuro. Endoneuro. Figura 7.

Microscopa electrnica. Axones. Axolema. Perilema. Figura 8.

Estos axones que son la unidad bsica constitucional, en este caso mielinizados, tienen la caracterstica de estar segmentados, permitiendo as la conduccin saltatoria. Hendiduras de Ranvier.

Hendidura de Ranvier. Figura 9.

Por tanto, en cada segmento, se repite el mismo fenmeno elctrico. Cada segmento es una unidad bsica funcional. La informacin que llega a cada segmento, se repite en el siguiente. Si se pierde algo de esta informacin, continuar esta falta en los segmentos siguientes. Dos procesos diferentes son responsables de la formacin de esta informacin. Uno, proceso activo, metablicamente activo, responsable de la separacin de cargas iones. Su funcin es la formacin del potencial de membrana y potenciales de accin, regulado por la ecuacin de Nernst E. El otro proceso, pasivo, regido por leyes fsicas del segmento axonal: conduccin cable.

Separadas las caras elctricas por un proceso activo, adquiere un equilibrio por concentracin y por carga elctrica: potencial de equilibrio o potencial de Nernst. Gradiente qumico: Wc=RT in Ko/Ki Gradiente elctrico: We=ZFVm Cuando Wc = We, en equilibrio: Vm=RT/ZF in Ko/Ki Log10 Ko. 5.5mM/Ki. 150Mm E k.= -83mV

Log 10 Na.o 150Mm/Na.i 15Mm E Na.=+58mV Z= carga elctrica del ion F= constante de Faraday R= constante de los gases T= temperatura Ecuacin de Goldman E. Vr=RT/F in Pk(Ko)+Pna(Nao)+Pcl(Cli) Pk(Ki)+Pna(Nai)+Pcl(Clo) La formacin de Vr es proporcional a: -la diferencia de concentracin de los iones dentro y fuera de la membrana. -la permeabilidad pasiva. Pk= 1 PNa= 0.04 PCl= 0.45

Membrana. Canales de Na.-K.- Cl. As, V=RT/ZF .In

Canal de iones. Esquema. Figura 10.

Co/Ci

Sin embargo, las ecuaciones de Nenrst E. y/o Goldman E., relacionan un estado estacionario y no con que rapidez se producen los cambios de voltaje, en respuesta a los cambios de permeabilidad. Al llegar cargas elctricas a la membrana (ndulo de Ranvier) se produce una despolarizacin de esta, hasta un potencial de umbral, donde desencadena el potencial de accin. El canal Na+ es voltaje dependiente, no carga dependiente. Al despolarizarse la membrana alcanza el potencial de umbral, abre el canal de Na+, con la brusca despolarizacin de la membrana. Potencial de Na+ = RT/ZF in Na+0/Na+i La conductancia de Na+ es voltaje dependiente. Se abren los canales de Na+, cuando el voltaje alcanza los -40mV de -70mV, que corresponda al potencial de membrana.

Curva de flujo de iones, relacionadas al voltaje de membrana (Vm). Potencial de accin. c Marcador rojo. Figura 11. Esto desencadena el potencial de accin, +58mV, que se propaga al ndulo de Ranvier siguiente.

3-Captulo 2. RESISTENCIA DE LA MEMBRANA.

Esta propagacin de cargas encontrar una resistencia axoplasmtica Ri y una resistencia de membrana Rm correspondiente a los canales de Na+ y K+, voltaje dependientes. Esta apertura y cierre de los canales inicos, a travs de la membrana, responde a los cambios de potenciales de membrana, provocado por el cambio de potencial, V, correspondiente a la conduccin cable. Esta cada de potencial es producida por la resistencia de membrana, Rm, establecida en los canales de Na+ y K+, voltaje dependiente.

Rm=1/2TTa Rm=p/2TTr Ri=1/TTa2 Ri=p.l/TTa2

p a= resistividad axonal p m= resistividad de pared

Figura 12.

La resistividad, p en el axoplasma es 2.0m, es tanto para axones mielnicos como amielnicos. Si el axn mide 1mm y tiene un radio de 5um, la resistencia interna, Ri, en el axoplasma es igual a 2.5 .10(7). Esta alta resistencia es indicativa de la mala calidad para la conduccin elctrica del axoplasma. Para los axones amielnicos la p. de la membrana es igual a 0.20 m2 y la p de la membrana de los axones mielnicos es igual a 40.0 m2.As para los axones amielnicos de 1mm y 5um de radio, la Rm. es 6.4.10(6), mientras que en los axones mielnicos, la Rm es igual a 1.3.10(7), mayor esta ltima. La diferencia de potencial de membrana se transmite del ndulo de Ranvier 1 al ndulo de Ranvier 2. En los axones mielnicos, la conduccin de cargas se realiza por el espacio de menor resistencia; espacio extraaxonal, conduccin saltatoria y en los amielnicos dada la alta resistencia axoplsmica, por proceso activo de trasporte de iones a travs de la membrana ( Na-K). Esto hace que la conduccin amielnica sea mucho menos rpida, pero se repite indefinidamente. La mielnica es ms rpida pero la seal, V, diferencia de potencial, disminuya con la distancia, hasta que se desencadena nuevo proceso activo que inicia una nueva seal, en los ndulos de Ranvier.

Figura 13.

La distancia constante (), indica cuanta distancia corre la diferencia de potencial (conduccin cable), a lo largo del axn. Para los axones amielnicos, es de 0.05cm, mientras que en los mielnicos es de 0.7cm.

= Rm/Ri.

Figura14. l= long.V As, la diferencia de potencial que llega a Ranvier 2, ser: Vx=Vo.e X/

Cuando =x, Vx = Vo.e, lo que es = 0.368Vo Es decir, es el 37% de Vo.

Figura 15.

Figura 16.

Ahora, cuando Ri es mayor, es menor, por tanto Vx es menor. De la relacin en el valor de Ri y Rm, saldr el valor de . Cuanto mayor es , mayor ser Vx. En esta patologa de los procesos cicatrizales, en que crece el fibroblasto aumentar el dimetro de membrana y no el dimetro del axoplasma. Membrana axonal distorsionada y modificada en su forma, por el crecimiento del axolema. Por lo que si 2TTa es mayor, Rm es menor, as es menor, con lo cual Vx, es menor. As, toda la informacin que llega a Ranvier 1, puede no transmitirse a Ranvier 2. Figura 17.

4-Captulo3. CAPACITANCIA DE LA MEMBRANA.

El otro fenmeno fsico es la capacitancia de la membrana. Cm=C.2TTa.
La membrana es un capacitor. Figura 18.

El aumento del permetro axonal, distorsionado y modificado por el crecimiento del tejido conjuntivo, aumenta el valor de la capacitancia de membrana. Por lo que el fenmeno de capacitancia de membrana pasa a jugar un papel importante. El proceso cicatrizal, no solo aumenta el permetro axonal, sino tambin, sustituye o disminuye la capa de mielina, reduciendo el aislante dielctrico de membrana. Se constituye as la alteracin morfolgica ms importante.

Figura 19.

Figura 20.

En la transmisin de cargas dos hechos adquieren juntos, capital importancia, en el fenmeno fsico de la capacitancia de membrana: Aumento de la circunferencia por aumento de la membrana axonal. Disminucin del dielctrico de membrana por disminucin del aislante; mielina.

Figura 21.

Las consecuencias de estos cambios se analizaran en el capitulo, circuito CR.

5-Captulo 4. CIRCUITO CR.

La unidad funcional del axn, es el segmento entre nodo de Ranvier a nodo de Ranvier. El fenmeno fsico elctrico se repite en cada uno de ellos. Cada segmento transmite fielmente la informacin que le llega en su inicio. Si por cualquier causa la informacin no se transmite de igual manera, el siguiente segmento reflejar dicho cambio. Es decir, en la continuidad solo se podr disminuir la informacin, nunca aumentarla. Cuando el voltaje V que llega a Ranvier1 es constante, no vara, la corriente I hacia el capacitor es 0. El capacitor adquiere carga Q de acuerdo a: Q=C. V As que solo se carga cuando hay espigas del potencial de accin. El axn entre nodo y nodo, es la unidad independiente, donde se da el proceso cable, porque en cada nodo se genere o no V, la diferencia de potencial por proceso activo (ley de Nernst), voltaje dependiente, que se continua una vez generado en forma pasiva, proceso cable, regido por la Ley de Ohms.

Figura 22.

En este circuito CR, en paralelo, la resistencia y la capacitancia estn regidos por la Ley de Ohms.
CIRCUITO CR EN PARALELO EN EL NODO DE RANVIER

Figura 23. La geometra de esta unidad funcional, ser analizada con el aporte de la prxima parte, pues requiere de otros conceptos que all se aportaran y conteste la siguiente interrogante. Como interactan las cargas elctricas en el conjunto de los axones, agrupados en unidades de transporte de carga, hasta constituir una raz o ases dentro de la medula y sus conexiones con estructuras vecinas?

Figura 24.

Figura 25.

Figura 26. Se analizar este circuito CR.

Cm

Figura 27. Cuando se genera la diferencia de potencial V, las cargas fluyen rpidamente de acuerdo a la menor resistencia R. Si fuese un circuito R puro, la R.I. provoca una cada de potencial.

V= I.Ri

Ri=Rm/4TTa2.

Si el circuito fuera R:

Si el circuito fuera C

Figura 28.

Pero este es un circuito CR, por lo que varia en el tiempo: I= Q/ t

Q / t = Q/RC

El circuito es CR:

Figura 29. Como la carga que ingresa o sale del capacitor es exponencial e : q=qo.e-t/RC Esta carga se distribuye entre el capacitor C y la resistencia de membrana Rm I=Ic+Im Esta regulada por la 2da. Ley de Kirchoff o Ley de los nodos y es una divisin de intensidades en el circuito CR paralelo. La corriente que entra en el nodo es igual a la suma de las corrientes que salen. La carga va al capacitor que esta descargado, y en brevsimo tiempo la acumula, mientras el resistor R recibe mucha menos carga. La carga y la diferencia de potencial del capacitor aumentan. En un tiempo ms largo el capacitor esta totalmente cargado y V alcanza el valor mximo, siendo I, la carga que corre hacia este mnima, hasta 0. En este punto que es equivalente a 0 corriente de carga, el capacitor descarga hacia el resistor R. Al principio descarga rpidamente y luego lentamente. Esto depende de las caractersticas del capacitor que se analizar luego. I=I/r+I/c Ir=V/R Ic=C. derivada V/derivada t V=I.R.(1-exp(-t/RC)) V=I.R.exp(-t/RC)

Circuito CR

Figura 30.

Figura 31. El capacitor puede descargar en RC segundos: V=Vo.(e-RC)/RC =Vo.e-1=0.37Vo. 37% de Vo. 37% descarga de la carga original. Puede descargar en la mitad del tiempo del capacitor Q=Qo/2 t=t.1/2 Qo/2= Qo.e-(t.1/2)/CR =e-(t.1/2)/CR 2-1=e-(t.1/2)/CR e+t1/2/CR=2 loge.2=t.1/2/RC t01/2=loge.2.RC=0.69 69% de la carga original

SE INCREMENTA EL TIEMPO DE DESCARGA POR: INCREMENTO DE LA RESITENCIA

INCREMENTO DE LA CAPACITANCIA

La velocidad de descarga depende de RC, el producto de la capacitancia y la resistencia. Si RC es pequeo se descarga rpidamente.

6-Captulo 5. CARACTERISTICAS FISICAS DEL CAPACITOR.

Ahora, la diferencia de carga genera un campo elctrico entre las placas del capacitor. El acumulo de electrones libres forma un campo elctrico. As el capacitor almacena energa, por la diferencia de potencial entre las placas. De acuerdo a la ley de Gauss. Carga=q Numero total de lneas del campo elctrico = N Campo elctrico=E Fuerza electrosttica =F E=F.q /q NQ El componente perpendicular del campo elctrico sumado a cualquier superficie cerrada es igual a 4K veces la carga neta encerrada en esa superficie. |

rea, superficie esfera=4r Numero de lneas que cruzan la superficie de la esfera = _N _N=N/4x _N proporcional a1/r El producto del campo E con la superficie de esfera es: 4rE=4rQ/r=4Q-----------------------------------------------------------------------E. A=Q/Eo Q=E. A.Eo C=Q/V=Q/E.d= Eo.A/d Esto demuestra que el capacitor es directamente proporcional al rea e inversamente proporcional a la distancia entre las placas. El capacitor de la membrana, Cm, esta aumentado por: 1) Mayor o igual rea A, por aumento de tamao. Longitud por la circunferencia del axn, si la membrana esta aumentada de espesor. Cm= C.2TT.a. 2) Disminucin del aislante dielctrico, mielina, aislante entre las placas, por proceso cicatrizal. Eo=1/4TTK = permisibilidad del vaco A= rea del capacitor

3) No tenemos elementos racionales para saber la distancia entre las placas. d. Si bien el axolema puede estar aumentado, la membrana axonal no, pero si esta aumenta su espesor, de la relacin de este aumento, que disminuye la capacitancia y el valor Cm= C.2TT.a, que aumenta la capacitancia, saldr el valor final. 4) Como es la geometra de este capacitor? Como se relaciona la capacitancia interna, Ci, entre Ranvier y Ranvier y su asociacin a los dems axones y estos agrupados, a las bridas con conduccin elctrica y que se disecan y se separan de estos? DE LOS RESULTADOS REGISTRADOS EN LOS POTENCIALES EVOCADOS INTRAOPERATORIOS, PUEDE SOSTENERSE ESTE PLANTEO TERICO DE LA POSIBLE GEOMETRIA DEL CAPACITOR. Figura 32.

La capa de mielina envuelve al axn de 20 a 160 veces, con lo cual lo separa de la superficie con 320 membranas. La disminucin del nmero de membranas, cambio morfolgico, tiene una respuesta de leyes fsicas evidentes: 1- Disminucin de Rm. 2- Aumento de Cm. 3- Disminucin de Vm. 4- Aumento de RC. 5- Aumento de la densidad de energa del campo elctrico.

7-Captulo 6. FUNCION DEL CAPACITOR Y MORFOLOGIA.

El capacitor almacena energa entre las placas como un campo elctrico. Esta energa potencial aumenta en la medida que aumenta el voltaje. As, el campo elctrico entre las placas es: E=Q/Eo.A=O/Eo Q/A=O=densidad de carga de superficie.

La diferencia de potencial entre las placas es: V=E.d=Q/Eo.A .d

La capacitancia C=Eo.A/d

C=Q/V

La energa del capacitor es: dw=V.dq q W= dw = V.dq = q.dq/C = .Q2/C 0 La energa potencial es: V=1/2.Q2/C V=1/2Q2/C=1/2Q.V=1/2C.V2 Esta energa es almacenada en el campo elctrico entre las placas. Esta energa potencial descarga del capacitor a una resistencia externa. Adems, esta energa almacenada, se establece por unidad de volumen. V/Volumen=1/2C.V2/A.d Q=C.V

C=Eo.A/d V=E.d V=1/2(Eo.A/d).(E.d)2/A.d=1/2Eo.E2 As, la densidad de energa del campo elctrico depende del cuadrado del campo elctrico. Las bridas encontradas, con actividad elctrica, en asociacin con el conjunto de axones, con pequeas ramas nerviosas en su interior, mltiples y sin inervacin demostrable y que disecadas mejoran la conduccin elctrica:

Bridas entre las races y entre estas y la mdula y que en su interior corren ramilletes nerviosos sin funcin especfica evidente. Figura 33.

Ramilletes nerviosos en las paredes laterales del quiste por delante de la mdula, que es pared posterior del quiste y que salen de esta y sin funcin especfica evidente. Figura 34.

1- es la respuesta del rgano a la funcin de almacenamiento de cargas? No lo sabemos.

2- esta es la geometra del capacitor? Tampoco lo sabemos. Pero esta puede ser, en lo hallado, la base terica para su arquitectura. 3- El aumento de la energa potencial lleva a esta conformacin? Tampoco lo sabemos.

8-Captulo7. FUNCION DEL CAPACITOR y FISIOLOGIA.

Como carga y descarga el capacitor? CARGA Y DESCARGA DEL CAPACITOR Al adquirir el capacitor una carga elctrica Qo, tendr una diferencia de potencial, Vo entre las placas. I=dq/dt Rdq/dt+q7c=E dq/dt+I/Rcq=E/R dq/dt=E/R-1/Rc.q dq/dt=1/Rc(CE-q) dq/dt=-1/Rc(q-Ce) dq=1/Rc(q-CE)dt dq/(q-CE)=-1/RC.dt q t dq/q-CE= - 1/RC.Dt 0 q Lm(q-CE) 0 =-t/RC 0 0 q C=q/v

Lm(q-CE)-Lm(-CE)=-t/RC LmQ-CE/-CE=-T/RC Lmq-CE/-CE= T/RC

Lmq-CE/-CE= -t/RC q-CE/-CE=et/RC q-CE=-CEet/RC Q=CE 1-eT/RC Qo (carga total adquirida), Qo=CE

Cuando dq/dt=0 (carga completa) Q=Qo.1-e-t/RC

El tiempo de carga y descarga depende de Tm, (Tm=RC), que es el producto del capacitor de membrana Cm, por la resistencia de membrana, Rm.

Cuando adquiere la carga total Qo, en las terminales el voltaje Vo: V=q/c=(Qo.1-e-T/RC)/C Vo= Qo/ C V= Vo 1-e-T/RC Y la corriente del circuito: I=dq/dt I=d/dtQo.1-e-t/RC= d/dtQo-Qoe-t/RC=-Qoe-t/RC-1/RC= Qo/RCe-t/RC= EC/RCe-t/RC=E/Re-t/RC Entonces I=Io.e-t/RC Este capacitor que se carga como una resistencia estable, por su almacenaje de cargas, se opone a los cambios. Cuanto mas carga tenga en una placa, la carga contraria en la otra placa aumentara, oponindose a los cambios de carga y de descarga, siguiendo la primara ley de Newton: todo objeto en movimiento tiende a estar en movimiento y en reposo, tiende a estar en reposo. El factor t/RC pasa, entonces, a ser bsico en el comportamiento del capacitor. Pero adems, como al voltaje es variable con el tiempo, cambia con respecto al tiempo: I=C.dv/dt Io=E/R

Figura 35.

Si Vc aumenta, por mayor capacitancia y Vs o Vo es igual, Vr. alcanza por menos tiempo el valor umbral.

Figura 36.

Im= (Vs-Vc)/Rm

Figura 37. Por tanto, Vr, alcanza por menor tiempo, el valor V de umbral, para permitir la conductancia (g) de Na+, que es como sabemos, voltaje dependiente. RC (tiempo constante) es propiedad del circuito CR en paralelo, no del capacitor solo. Cuanto mas grande es RC, ms tarda en cargar o descargar el capacitor.

As, cuanto ms grande sea el capacitor, la carga y descarga lleva ms tiempo o no. Por lo que se modifica la pendiente de Vc y Vr de membranas, as que durante menor o mas tiempo se alcanzan los valores, Vr membrana; conductancia del Na+. De esta manera, ms o menos espigas del potencial de accin se realizarn.

Figura 38.

As, determina, el capacitor, el tiempo en curso de la seal elctrica.

Por lo que V en el nodo de Ranvier, Vm, depende de Rm y Cm. Esto hace que si C es mayor, CR es mayor y Vm alcanza el umbral por menos tiempo. La consecuencia es el retardo en tiempo (t) de los potenciales de accin o no se desencadenan, por no alcanzar Vm, el umbral de disparo o voltaje de umbral.

Figura 39. La consecuencia de este retardo o disminucin de los potenciales de accin, es: 1- La cada de la frecuencia. 2- Las frecuencias ms separadas en el tiempo. 3- Estas ms separadas en el tiempo y ms juntos en el tiempo siguiente, (depende de qo/Vo).

Figura 40.

La amplitud y la duracin del potencial, t (tiempo), determinan los trenes de potenciales de accin en los axones.

El PA codifica la seal en trminos de la frecuencia de disparo: -Al crecer la amplitud de la seal aumenta la frecuencia de disparo. -Al crecer la duracin de la seal aumenta el tiempo en que se producen las espigas. En este caso, disminuye la duracin de los potenciales de accin en las vas. A nivel neuronal, en la mdula distrfica, pueden producirse los dos fenmenos. Menos amplitud de salida neuronal y menor tiempo.

Estas son las seales elctricas que se pierden al pasar por la mdula o races distrficas.
Ahora, la frmula que relaciona al capacitor con la frecuencia, es la reactancia. Antes de analizarla, veamos que Vm en el segundo nodo de Ranvier depende de: 1) V=Vo1-e-t/RC Depende de RC como analizamos, pero tambin depende de: Im=Ir+Ic Ir=resistencia de las cargas que corren a travs de la membrana. Ic= Intensidad de la capacitancia de membrana.

 Vm(t)=Im.Am(1-e-t/t) T=Rm.Cm

As T define:

1) Inercia elctrica de la membrana (1era ley de Newton). 2) La duracin del evento elctrico en la membrana. 3) Sumacin (Acumulacin) temporal de los eventos elctricos.

2) Pero tambin depende: Vm(t)=Im.Rm Vm(x)=Vm(o).e-x/ Por esto, Im decaer en forma exponencial.

Distancia contante () y tiempo contante (T) regulan Vm en el nodo de Ranvier 2.

Si bien los dos fenmenos participan de la patologa, lo que corrige la ciruga de diseccin microquirrgica es el tiempo constante y no la distancia constante. Rm es un fenmeno esttico y no dinmico, a diferencia de Cm y Ci, sobre todo este ltimo, dependiendo de la arquitectura del capacitor. En distancia constante ( ) acortada, el tiempo constante,(T) alargado, suman efecto, pero el que varia es T, ( fija), para que Vm sea menor y no alcance V de umbral, o solo lo alcance en menores veces. Menor frecuencia.

Distancia constante, , y tiempo constante,T , regulan Vm, voltaje de membrana, en el nodo de Ranvier siguiente. Figura 41. d= distancia t= tiempo

Veamos ahora, la relacin de la frecuencia de los potenciales de accin con el capacitor de membrana, en esta patologa.

9-Captulo 8. REACTANCIA, Xc. RESISTENCIA DEL CAPACITOR.

Relacin de la capacitancia, con la frecuencia de los potenciales de accin. En el circuito DC, el capacitor bloquea el pasaje de cargas. Pero este circuito tiene dos caractersticas: 1- Circuito en paralelo, con lo cual no bloquea en si el pasaje. 2- Corriente contina reiterada, de alta frecuencia. Veremos a continuacin como interactan estos fenmenos.

Xc= 1 2fc

f=frecuencia c=capacitancia

El voltaje a travs del capacitor es: Vc=I.Xc

El voltaje en el resistor, Rm. (Resistencia de membrana). V=I.R

Si se incrementa la frecuencia, la reactancia disminuye, por lo que el Vc tambin disminuye. Is=IR+Ic As el voltaje es el resistor Vm, aumenta.

Figura 42. Cuando cae, baja la frecuencia, Xc, la reactancia aumenta Xc=1/2fc, por lo que Vc aumenta. As el voltaje en el resistor, Rm, disminuye.
logVr

Figura 43.

As, la reactancia del capacitor, es la razn del voltaje en la Rm, resistencia de membrana.

Si se relacionan la reactancia y la frecuencia:

Figura 44.

As, Vm aumento o disminuye con el aumento o la disminucin de la frecuencia.

Figura 45.

10-Captulo 9. TEORIA FINAL.

En este circuito CR en paralelo, al bajar la frecuencia o modificada en el tiempo, aumenta la reactancia por lo que Vc (Vc=I.xc) aumenta, provocando el retardo en el tiempo de Vm o el voltaje del resistor (V=I.R), para alcanzar el valor umbral. Como este proceso se reproduce en cada segmento del axn, nodo de Ranvier a nodo de Ranvier, la frecuencia tiende a bajar, ms cuando mayor es la distancia a recorrer, hasta que Xc= 1 f=0. 2fc

Por lo que Xc, tiende a infinito y se BLOQUEO EL PASAJE DE POTENCIALES DE ACCION O ESPIGAS. Aqu Vc (Vc=I.Xc) es MXIMA y Vm, voltaje del resistor queda permanentemente por debajo del potencial de umbral. As C, el capacitor, adquiere su carga mxima en el tiempo.

Por eso, la explicacin terica a esta patologa esta definida como: la teora de la

acumulacin de cargas y cuya expresin fsica es:

(1)

Vm=Vo.e-x/ + Vo.e-t/Ri.C . R R a Xc 2a

11-REFERENCIA.

.Hodgkin, A. y Huxley F. 1952. A quantitative description of membrane current and its

application to conduction and exitation in nerve. J. PHYSIOL. 117: 500-544.

. Cole, K. 1968. Membranes, ions and impulse. University of California. .Eisenberg, B. Biophysics Texbook on line, Channels, Receptors and Transporters. .Gardner, C. Electrodiffusion Model Simulation of Ionic Channels. State University of
Arizona.

.Teorema de Gauss y flujo elctrico. .Ley de Gauss y lneas de carga.

. Leyes de Newton.

.Ley de Ohms. .Leyes de Kirchoff. .Ley de Faraday. .Ley de Ampere. .Ley de Ampere-Maxwell. .Ecuaciones de Maxwell. .Ecuacin de Nernst, E. .Ecuacin de Goldman, E. .Alberti, R. Mdula amarrada. Estudio de 30 pacientes tratados. .Alberti, R. Mdula amarrada. Anlisis de 40 pacientes tratados. .Alberti, R. Estudio neurofisiolgico de la mdula amarrada.

Correspondencias al Dr. Ricardo Alberti:

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