Lista 28 RELACIONES BÁSICAS DE CORRIENTE-TENSIÓN NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. RELACIONES BÁSICAS DE CORRIENTE-TENSIÓN PNP: El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta
en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. CONFIGURACIONES BASICAS GANANCIA DE CORRIENTE Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor común está representada por βo o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa, y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la ganancia de corriente base común, αo. La ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. GANANCIA DE CORRIENTE GANANCIA DE CORRIENTE CARACTERÍSTICAS DE SALIDA EL MODELO DE EBERS- MOLL EL TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarápidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia y microondas.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes
semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor está compuesto por una banda de material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la juntura emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyección del emisor. La inyección de portadores mejorada en la base permite que ésta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de juntura bipolar convencional, también conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyección de portadores desde el emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de EL TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS EL TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS EL TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS EL TRANSISTOR DE POTENCIA COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA DE ESTABILIZACIÓN DEL EMISOR: ► Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa la temperatura Tj de la unión. ► El máximo de Tj está imitado por la temperatura para la cual la región de la Base se hace intrínseca. ► Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el colector se cortocircuita efectivamente con el emisor. ► Para mejorar el funcionamiento del transistor se debe desarrollar encapsulados que proporcionen una adecuada disipación del calor. ► Una técnica usual para distribuir la corriente uniformemente en Transistores de tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar una resistencia de emisor distribuido RE.. ► Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor particular será limitado por el resistor. ► Este tipo de resistores series se describen EL TRANSISTOR DE POTENCIA
FENÓMENO DE RUPTURA SECUNDARIA: Si se
sobrepasa la máxima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unión colector - base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado avalancha primaria. EL TRANSISTOR DE POTENCIA Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los límites anteriores debido a la aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unión base - emisor en directo. En efecto, con dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña zona del dispositivo (anillo circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarización de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este fenómeno, con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de
salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la curva de la situación prevista (ver gráfica anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la
avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas límites en la zona activa con los tiempos límites de trabajo, conocidas como EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo.
Durante el toff, con polarización inversa de la unión base - emisor se produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. Los límites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante. EL TRANSISTOR DE POTENCIA EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR EL TRANSISTOR DE POTENCIA EL TRANSISTOR DE POTENCIA EL TRANSISTOR DE POTENCIA