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El Transistor Bipolar

Jehan Ramírez Díaz, Nº de


Lista 28
RELACIONES BÁSICAS DE
CORRIENTE-TENSIÓN
NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material


semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material
dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del


emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
RELACIONES BÁSICAS DE
CORRIENTE-TENSIÓN
PNP: El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las
letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en
día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en
la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material


semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación
a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta


en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
CONFIGURACIONES
BASICAS
GANANCIA DE CORRIENTE
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través
de la proporción de electrones capaces de cruzar la
base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
región del emisor y el bajo dopaje de la región de la
base pueden causar que muchos más electrones
sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia
de corriente emisor común está representada por
βo o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente
continua de la base en la región activa directa, y es
típicamente mayor a 100. Otro parámetro
importante es la ganancia de corriente base común,
αo. La ganancia de corriente base común es
aproximadamente la ganancia de corriente desde
emisor a colector en la región activa directa. Esta
tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad;
que oscila entre 0.98 y 0.998.
GANANCIA DE CORRIENTE
GANANCIA DE CORRIENTE
CARACTERÍSTICAS DE
SALIDA
EL MODELO DE EBERS-
MOLL
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
MICROONDAS
El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del
TBJ que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de
hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy común hoy
en día en circuitos ultrarápidos, generalmente en sistemas de
radiofrecuencia y microondas.

Los transistores de heterojuntura tienen diferentes


semiconductores para los elementos del transistor.
Usualmente el emisor está compuesto por una banda de
material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la
inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la
juntura emisor-base está polarizada en directa y esto
aumenta la eficiencia de la inyección del emisor. La inyección
de portadores mejorada en la base permite que ésta pueda
tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor
resistencia. Con un transistor de juntura bipolar convencional,
también conocido como transistor bipolar de homojuntura, la
eficiencia de la inyección de portadores desde el emisor hacia
la base está principalmente determinada por el nivel de
dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe
estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
MICROONDAS
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
MICROONDAS
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
MICROONDAS
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA
COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA
DE ESTABILIZACIÓN DEL EMISOR:
► Al incrementar la potencia en un transistor de
potencia se incrementa la temperatura Tj de la unión.
► El máximo de Tj está imitado por la temperatura para
la cual la región de la Base se hace intrínseca.
► Por encima de Tj cesa la operación del transistor,
debido a que el colector se cortocircuita efectivamente
con el emisor.
► Para mejorar el funcionamiento del transistor se debe
desarrollar encapsulados que proporcionen una
adecuada disipación del calor.
► Una técnica usual para distribuir la corriente
uniformemente en Transistores de tecnología
interdigitated o overlay, es la de agregar una
resistencia de emisor distribuido RE..
► Un incremento indeseado de la corriente a través de un
emisor particular será limitado por el resistor.
► Este tipo de resistores series se describen
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA

FENÓMENO DE RUPTURA SECUNDARIA: Si se


sobrepasa la máxima tensión permitida entre
colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la
tensión máxima permitida entre colector y emisor
con la base abierta (VCEO), la unión colector - base
polarizada en inverso entra en un proceso de
ruptura similar al de cualquier diodo, denominado
avalancha primaria.
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos
trabajando con tensiones por debajo de los límites anteriores debido
a la aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de
base), que se produce cuando tenemos polarizada la unión base -
emisor en directo. En efecto, con dicha polarización se crea un
campo magnético transversal en la zona de base que reduce el paso
de portadores minoritarios a una pequeña zona del dispositivo (anillo
circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es
proporcional al grado de polarización de la base, a la corriente de
colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los
puntos calientes un fenómeno degenerativo con el consiguiente
aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este fenómeno, con
efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le conoce
con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda
ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de


salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la
curva de la situación prevista (ver gráfica anterior).

El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la


avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se
destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas límites en la
zona activa con los tiempos límites de trabajo, conocidas como
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una
serie de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es
para un ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo.


Durante el toff, con polarización inversa de la unión base - emisor se
produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de
Si, en un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. Los
límites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas
RBSOA dadas por el fabricante.
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA
EL TRANSISTOR COMO
CONMUTADOR
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA
EL TRANSISTOR DE
POTENCIA