ARSENIURO DE GALIO

El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas. Acerca del Arseniuro de Galio

El compuesto arseniuro de Galio (GaAs) se emplea como semiconductor (con los elementos de los grupos II, IV o VII de la Tabla Peridica) o como semiaislante. Componentes hechos de arseniuro de galio se encienden diez veces ms rpido que aquellos de silicio, no sufren tan a menudo daos transmitiendo seales analgicas y no necesitan mucha energa. Por estas cualidades el arseniuro de galio tiene una amplia aplicacin en la industria de las telecomunicaciones. Su principal aplicacin es en la construccin de circuitos impresos y dispositivos optoelectrnicos(es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos )en telfonos celulares y mviles para la transmisin de seales. Adems el arseniuro de galio se emplea para transmitir informacin por fibra ptica a travs de lseres para tratamiento superficial (VCSEL) o para suministrar energa mediante los paneles solares con clulas fotovolticas de los satlites. En la industria de semiconductores se utiliza ante todo la composicin de AlGaAs/GaAs (arseniuro de galio y aluminio / arseniuro de galio) para produccin de heteroestructuras semiconductoras. Actualmente surgen muchos problemas por la eliminacin de los txicos del arsenio. UN GRAN DESCUBRIMIENTO

Los investigadores examinaron el movimiento ultrarrpido de los electrones en un cristal , arseniuro de galio ,expuesto por corto tiempo a un campo elctrico de gran intensidad. Este experimento, conceptualmente nuevo, mostro por primera vez un movimiento oscilatorio colectivo, de los electrones con frecuencia muy alta, que adems se aade, al conocido movimiento de deriva de estas partculas. Este efecto descubierto esta desarrollando una importante miniaturizacin en los dispositivos electrnicos . El cual fue informado por los investigadores de Berln (Alemania), Peter Gaal, Wilhelm Kuehn, Klaus Reimann, Michael Woerner,y Thomas Elsaesser del Max-Born Institute y Rudolf Hey del Paul Drude Institute en Nature. COMO FUNCIONA?

El arseniuro de galio (GaAs) es uno de los materiales ms importantes para los semiconductores optoelectrnicos, es un compuesto de galio y arsnico. Se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas. Un cristal de GaAs consta de una red de tomos de galio y arsnico, en la que los tomos de galio portan una pequea carga positiva y los tomos de arsnico una pequea carga elctrica negativa .

Un movimiento lento de electrones a travs del cristal causa en sus alrededores una distorsin en la red cristalina. La carga elctrica negativa de electrones repele a los tomos cargados negativamente y atrae a los tomos cargados positivamente . Esto provoca oscilaciones de los tomos en torno a su posicin de equilibrio: desarrollando vibraciones de red, llamadas fonones. "LO CUAL PARA ENTENDER SERIA COMO UNA BOLA DE PLOMO RODANDO SOBRE UN COLCHON", --Michael Wrner. "Los muelles de metal del colchn se encogen y expanden de nuevo." Mediante la generacin de vibraciones de red, los electrones pierden energa y, por tanto, se ralentizan. Esta desaceleracin no es otra cosa que la resistencia elctrica. La deriva de los electrones se da con velocidad constante a travs de la red. Esta descripcin fsica es la base de la tan conocida ley de la resistencia elctrica, la ley de Ohm. Ahora una situacin completamente nueva se plantea si los electrones experimentan una presalida, es decir, si son acelerados por un campo elctrico muy elevado, ms rpido que el tiempo de respuesta de los tomos en sus alrededores. Los investigadores de Berln usan para esta aceleracin tan fuerte un campo elctrico de 2dos millones de voltios por metro, que se aplica al cristal con una duracin muy corta de 0.3 picosegundos (un picosegundo es una millonsima parte de un millonsimo de segundo). El movimiento de los electrones causado por este elevado campo elctrico se observa con pulsos ultracortos de luz en la regin infrarroja del espectro. En contraste con el movimiento de deriva con velocidad constante observado para los pequeos campos elctricos, para grandes campos, la velocidad de los electrones acelerados cambia en periodos entre valores alto y bajo. La frecuencia de estas oscilaciones de velocidad se corresponde exactamente con la frecuencia ms alta con la que los tomos pueden vibrar, la frecuencia de los denominados fonones longitudinales pticos. . Clculos tericos confirman cuantitativamente este comportamiento experimental. El director de MBI, Profesor Thomas Elsaesser afirmo lo siguiente , "el hecho de que los electrones fuertemente acelerados puedan excitar vibraciones de los tomos, y que a su vez se desaceleren y aceleren por la vibracin de los tomos es de gran importancia para la transferencia de carga en nanoestructuras." En esas nanoestructuras, elctricas Campos de tamao similar puede surgir debido a las pequeas dimensiones. "El profesor Thomas Elsaesser agrega: "Por lo tanto, nuestros resultados son importantes para la optimizacin de caractersticas de transporte de las nanoestructuras de semiconductoras".

ESTRUCTURA:

Arseniuro de galio General Nombre Otros nombres Frmula qumica Masa molar Apariencia Nmero CAS Arseniuro de galio ----GaAs 144.645 g/mol Cristales cbicos grises Plantilla:CASREF Propiedades Densidad y estado 5.3176 g/cm, slido. Solubilidad en agua < 0.1 g/100 ml (20C) Punto de fusin 1238C (1511 K) Punto de ebullicin ?C (? K) Propiedades electrnicas Ancho de banda prohibida a 300 K 1.424 eV Masa efectiva del electrn 0.067 me Masa efectiva Light hole 0.082 me Masa efectiva Heavy hole 0.45 me Movilidad del electrn a 300 K 9200 cm/(Vs) Movilidad del hueco a 300 K 400 cm/(Vs) Estructura Estructura cristalina Cbica (Zinc Blenda)
A no ser que se diga lo contrario, estos datos son para materiales en condiciones normales (a 25C, 100 kPa)

Conclusiones:
Segn lo entendido permitira que se diera lugar mas fcilmente a la nanotecnologa ya que estos semiconductores de arseniuro de galio aceleraran y desaceleraran sus vibraciones facilitando la transferencia de carga. Permite una mayor banda de frecuencias Aunque sea mas caro las necesidades tecnolgicas harn que este, cobre mas fuerza por sus beneficios.

BIBLIOGRAFIA: --http://es.wikipedia.org/wiki/Arseniuro_de_galio --Newly Discovered Properties Of Certain Crystals Could Impact The Miniaturization Of Electronic Devices." ScienceDaily 28 December 2007.