ROM

A memria somente de leitura (acrnimo ROM (em ingls) um tipo de memria que permite apenas a leitura, ou seja, as suas informaes so gravadas pelo fabricante uma nica vez e aps isso no podem ser alteradas ou apagadas, somente acessadas. So memrias cujo contedo gravado permanentemente. Uma memria somente de leitura propriamente dita vem com seu contedo gravado durante a fabricao. Atualmente, o termo Memria ROM usado informalmente para indicar uma gama de tipos de memria que so usadas apenas para a leitura na operao principal de dispositivos eletrnicos digitais, mas possivelmente podem ser escritas por meio de mecanismos especiais. Entre esses tipos encontramos as PROM, as EPROM, as EEPROM e as memrias flash. Ainda de forma mais ampla, e de certa forma imprpria, dispositivos de memria terciria, como CD-ROMs, DVD-ROMs, etc., tambm so algumas vezes citados como memria ROM. Apesar do nome memria ROM ser usado algumas vezes em contraposio com o nome memria RAM, deve ficar claro que ambos os tipos de memria so de acesso aleatrio. Arquitetura da ROM

EEPROM da Intel de 1971 Com a evoluo da ROM seu prprio nome perdeu sentido pois os dados so gravados nelas apenas uma vez. Depois disso, essas informaes no podem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador, exceto por meio de procedimentos especiais, mas seu foco no para gravao com freqncia. Vrios aparelhos eletrnicos usam essa tecnologia, como leitores de DVD, placas de computador, taxmetros, celulares. D-se o nome de firmware para o software gravado dentro da ROM para o funcionamento destes aparelhos. O firmware de um aparelho para ele como um sistema operacional, que alm de fazer a comunicao entre o usurio e o aparelho, tem funes pr-programadas para execuo quando solicitadas pelo usurio ou por um outro aparelho nele acoplado. O firmware pode ser atualizado caso seja necessrio por alguma eventualidade ou erro de programao, mas para isto o aparelho deve estar funcional para poder fazer a atualizao. A memria ROM tambm foi bastante usada em cartuchos de videogames. Atualmente emuladores de videogames utilizam "roms", que nada mais so que os softwares extrados de um cartucho. Aplicaes da Memria ROM A memria ROM est presente em qualquer dispositivo digital, como por exemplo um relgio. Sempre que um computador iniciado, ele necessita de informaes existentes em algum lugar para carregar suas funes bsicas e/ou principais de uma forma que elas sempre sejam acessveis e no se apaguem ao interromper a alimentao. Satlites, controles remotos, impressoras, celulares, todos os aparelhos digitais comportam uma ROM para realizarem suas tarefas bsicas. O uso da memria ROM vm aumentando conforme surgem novas tecnologias, alm de serem portadores de firmwares, hoje utilizam-se memrias flash (que tambm so memrias ROM) para o armazenamento de diversos tipos de dados.

Uma grande perspectiva para as Flash Rom a possibilidade de um dia esta memria poder substituir de vez os to usados discos rgidos, mas isto ainda no possvel, pois as memrias flash embora possam comportar diversos dados, ainda possuem capacidade muito menor do que os HDs enquanto o preo bem superior. A memria rom de seu micro responsvel pela a BIOS sistema que responsvel por "acordar" todos seus componentes e tambm pelo auto-teste responsvel por fazer testes na memria e outros componente do hadware e tambm pelo Setup responsvel pela configurao de sua mquina. Ou seja, na memria rom que tudo comea.

PROM
Uma PROM (do ingls programmable read-only memory, ou seja, memria programvel s de leitura) uma forma de memria digital onde o estado de cada bit est trancado por um fusvel ou antifusvel.[1] A memria pode ser programada s uma vez depois do fabrico pelo "rebentamento" dos fusveis (usando um PROM blower), o que um processo irreversvel. O rebentamento de um fusvel abre uma ligao, enquanto que o rebentamento de um antifusvel fecha uma ligao (da o nome). A programao feita pela aplicao de pulsos de alta voltagem, que no so encontrados durante a operao normal (tipicamente, de 12 a 21 volts). Read-only, ou s de leitura, significa que, ao contrrio do que acontece com a memria convencional, a programao no pode ser alterada (pelo menos pelo utilizador final). Uma PROM tpica sai da fbrica com todos os bits no estado 1. A queima de um fusvel durante a programao faz com que o seu bit passe a 0. Estas PROM's so usadas para armazenar permanentemente os programas. So frequentemente encontradas em jogos de computador ou em produtos como dicionrios electrnicos, onde possvel substituir PROMs para diferentes lnguas. Atualmente muitos microcontroladores utilizam PROMs internas, permitindo que sejam adquiridos limpos (sem dados) para que possam ser programados pelo utilizador ou pela fbrica que o esteja utilizando nos seus projetos. Esta tecnologia conhecida como One Time Programmable (programvel uma nica vez)

EPROM
Uma EPROM (sigla do ingls "erasable programmable read-only memory", significando "memria programvel apagvel somente de leitura") um tipo de chip de memria de computador que mantm seus dados quando a energia desligada. Em outras palavras, no-voltil. Uma EPROM programada por um dispositivo eletrnico que d voltagens maiores do que os usados normalmente em circuitos eltricos. Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposio a uma forte luz ultravioleta. EPROMs so facilmente reconhecveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silcio pode ser visto, e que admite luz ultravioleta durante o apagamento. Esta janela transparente feita de cristal para permitir a passagem da luz ultravioleta, pois o vidro comum bloqueia grande parte do UV. O corpo de uma EPROM feito em Cermica, pois o Epoxy comumente usado em outros chips no seria apropriado para garantir a fixao da janela de cristal. O processo de apagamento dura de 10 a 30 minutos. Uma EPROM programada mantm seus dados por aproximadamente dez a vinte anos e pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para evitar apagamento acidental pela luz do Sol. Antigos chips de BIOS de PC eram freqentemente EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente coberta com

um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a reviso da BIOS, e um aviso de copyright. Alguns microcontroladores, frequentemente aqueles de antes da era da memria flash, usam EPROM interna para armazenar seus programas. Isto til para desenvolvimentos, pois usar dispositivos programveis apenas uma vez seria terrivelmente difcil para depurar. Tais microcontroladores possuem corpo em cermica e janela de cristal para apagamento, como o exemplo ao lado. A EPROM foi inventada pelo engenheiro Dov Frohman. Para se programar uma EPROM, necessrio utilizar um equipamento conhecido como Programador. O Gravador tipo Willem, o BeeProg da Macsym ou o Epromer da USTR so exemplos desse tipo de equipamento. Tambm possvel se recorrer a empresas epecializadas.

Algumas EPROMS. A pequena janela admite luz ultra-violeta durante o apagamento. Existem EPROMs em vrios tamanhos ambos fsicos e de capacidade de armazenamento: Tamanho Tamanho Tamanho ltimo endereo Tipo de EPROM bits bytes (hex) (hex) 2716, 27C16 16 kbit 2KBytes 800 007FF 2732, 27C32 32 kbit 4KBytes 1000 00FFF 2764, 27C64 64 kbit 8KBytes 2000 01FFF 27128, 27C128 128 kbit 16KBytes 4000 03FFF 27256, 27C256 256 kbit 32KBytes 8000 07FFF 27512, 27C512 512 kbit 64KBytes 10000 0FFFF 27C010, 27C100 1Mbit 128KBytes 20000 1FFFF 27C020 2 Mbit 256 kbytes 40000 3FFFF 27C040 4 Mbit 512 kbyte 80000 7FFFF

EEPROM
Electrically Erasable Programmable Read Only Memory - Memria Somente de Leitura Programvel Apagvel Eletricamente Tipo de circuito de memria ROM. A memria ROM um tipo de circuito integrado contendo um programa em seu interior. Este programa no pode ser modificado durante o seu uso, da o seu nome "somente leitura". Outra caracterstica que o seu contedo no apagado quando a sua alimentao cortada, ao contrrio do que ocorre com as memrias RAM.

A memria EEPROM pode ter o seu contedo apagado eletricamente. Com isto, possvel gravar e apagar o contedo da memria mesmo com a memria instalada no circuito (desde que o circuito seja construdo com estas funes, claro). Torna-se, com isto, muito mais prtico apagar e reprogramar este tipo de memria ROM, pois no necessrio remover a memria do circuito nem exp-la luz ultra-violeta, como ocorre com a EPROM. A diferena da Flash-ROM para a EEPROM que na Flash-ROM no possvel apagar somente um determinado endereo dentro da memria e reprogramar apenas um dado, isto , na Flash-ROM necessrio reprogramar toda a memria, mesmo quando desejamos alterar apenas um nico dado. importante notar que, apesar de determinados tipos de memria ROM poderem ter seus dados apagados e escritos novamente, isto no "transforma" uma memria ROM em RAM, pois, o procedimento de gravao de um novo programa dentro de uma ROM um procedimento relativamente demorado, ao contrrio do que ocorre na RAM, onde um novo dado gravado imediatamente armazenado no interior da memria.

Figura 1: Exemplo de circuitos integrados EEPROM

FLASH
Memria flash uma memria de computador do tipo EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory), desenvolvida na dcada de 1980 pela Toshiba, cujos chips so semelhantes ao da Memria RAM, permitindo que mltiplos endereos sejam apagados ou escritos numa s operao. Em termos leigos, trata-se de um chip reescrevvel que, ao contrrio de uma memria RAM convencional, preserva o seu contedo sem a necessidade de fonte de alimentao.[1][2] Esta memria comumente usada em cartes de memria, flash drives USB (pen drives), MP3 Players, dispositivos como os iPods com suporte a vdeo, PDAs, armazenamento interno de cmeras digitais e celulares. Memria flash do tipo no voltil o que significa que no precisa de energia para manter as informaes armazenadas no chip. Alm disso, a memria flash oferece um tempo de acesso rpido,embora no to rpido como a memria voltil (DRAM utilizadas para a memria principal em PCs) e melhor resistncia do que discos rgidos. Estas caractersticas explicam a popularidade de memria flash em dispositivos portteis. Outra caracterstica da memria flash que quando embalado em um "carto de memria" so extremamente durveis, sendo capaz de resistir a uma presso intensa, variaes extremas de temperatura, e at mesmo imerso em gua.[3] Uma limitao que a memria flash tem um nmero finito de modificaes (escrita/excluso). Porm este efeito parcialmente compensado por alguns chip firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinmica e escreve contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operaes escritas entre os setores.[3]

Vantagens

Carto de memria que utiliza a tecnologia flash As maiores vantagens desse tipo de memria sua ocupao mnima de espao, seu baixo consumo de energia, sua alta resistncia, sua durabilidade e segurana, contando com recursos como ECC (Error Correcting Code), que permite detectar erros na transmisso de dados. A tecnologia faz uso de semicondutores (solid state), sendo assim, no tem peas mveis, evitando problemas de causa mecnica.[1][2] Tambm vem comeando a ser chamado de disco slido pelo grande futuro que tem pela frente, j que alm de ser muito mais resistente que os discos rgidos atuais, apresenta menor consumo de energia eltrica, latncias e peso muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados na alimentao de discos rgidos. Com tantas vantagens, a tendncia futura que os fabricantes de computadores tendem a substituir os disco rgidos por unidades flash. O que poder ser expandida para os desktop nos prximos 5 anos, pois a sua fabricao ainda de alto custo para as empresas.

Flash NAND e NOR

Existem dois tipos de memrias flash, a NAND e a NOR.

Dois chips de memria flash em comparao com uma moeda

Flash NOR
A memria flash NOR (Not OR) permite acessar os dados da memria de maneira aleatria, com alta velocidade. Foi a primeira a se popularizar, chegando ao mercado em

1988, seus chips possuem uma interface de endereos semelhante da RAM, sendo utilizado para armazenar o BIOS das placas-me e tambm firmwares de vrios dispositivos, que antes eram armazenados em memria ROM ou EPROM. Alguns dos problemas nesse tipo de memria devem-se ao seu alto custo, e ao seu alto tempo de gravao nas clulas. Mas embora esses problemas existam, ela largamente utilizada at hoje em celulares, palmtops e firmware. Chegaram a ser empregadas na fabricao das memrias PCMCIA e CompactFlash, mas com a introduo do tipo NAND, desapareceram deste ramo.[2][4] Flash NAND A memria flash NAND (Not AND) trabalha em alta velocidade, faz acesso sequencial s clulas de memria e trata-as em conjunto, isto , em blocos de clulas, em vez de acess-las de maneira individual.[2] Essa arquitetura foi introduzida pela Toshiba em 1989. Cada bloco consiste em um determinado nmero de pginas. As pginas so tipicamente 512, 2048 ou 4096 bytes em tamanho. A pgina associada a alguns bytes (tipicamente 12-16 bytes). Atualmente so os tipos de memria mais usados em dispositivos portteis.[4] Tamanhos tpicos dos blocos 32 pginas de 512 bytes para cada tamanho de um bloco de 16 kB 64 pginas de 2048 bytes para cada tamanho de um bloco de 128 kB 64 pginas de 4096 bytes para cada tamanho de um bloco de 256 kB 128 pginas de 4096 bytes para cada tamanho de um bloco de 512 kB Embora a programao seja realizada em uma pgina base,a excluso dos dados s pode ser executada em um bloco base. Outra limitao do flash NAND que um bloco de dados s pode ser escrito sequencialmente. Nmero de Operaes (NOPs) o nmero de vezes que os setores podem ser programados. A maior parte dos dispositivos NAND saem da fbrica com alguns blocos defeituosos, que normalmente so identificados e classificados de acordo com uma determinada marcao de bloco defeituoso. Ao permitir que alguns blocos defeituosos saiam os fabricantes alcanam mais rendimentos do que seria possvel, caso todos os blocos fossem bons. Isto reduz significativamente os custos da Memria flash NAND e diminui ligeiramente a capacidade de armazenamento das partes.[3] Principais diferenas entre NOR e NAND As conexes das clulas individuais de memria so diferentes. A densidade de armazenamento chips atualmente mais elevado em memrias NAND. O custo da NOR muito mais elevado. A NOR permite acessos aleatrios, enquanto a NAND permite apenas acesso sequencial memria. A leitura muito mais rpida na NAND. Sistema de Arquivos Flash O conceito bsico dos sistemas de arquivos flash o seguinte: quando os dados armazenados vo ser atualizados, o sistema de arquivos faz uma cpia deles para um novo bloco de memria, remapeia os ponteiros de arquivo e depois apaga o antigo bloco quando tiver tempo. Na prtica, esse sistema de arquivos utilizado em dispositivos com memria flash embutida que no possuem controladores. Os cartes de memria e drives USB flash so incorporados de controladores e devem desempenhar correo de erros, ento o uso de um ou outro sistema de arquivos flash pode no acrescentar nenhum benefcio, ento os dispositivos flash removveis utilizam o sistema de arquivos FAT universal, permitindo assim a compatibilidade com cmeras, computadores, PDAs e outros dispositivos portteis com slots para cartes de memria. Padronizao

Um grupo chamado Open Nand Flash Interface Working Group(ONFI) desenvolveu uma interface padronizada para os chips NAND flash, tornando possvel a interoperabilidade entre dispositivos NAND de diferentes fornecedores. A verso 1.0 da especificao ONFI foi liberada em Dezembro de 2006, com as seguintes especificaes: interface fsica normalizada(pinout) para NAND flash em TSOP-48, LGA-52 e BGA63. um comando padro estabelecido para ler, escrever e apagar dados nos chips NAND. mecanismo de auto-identificao, comparvel ao Serial Presence detection(caractersticas dos SDRAM) O grupo tem apoio dos principais fabricantes de memria NAND - tais como a Intel, Micron Technology e Sony - e dos principais fabricantes de dispositivos que integram chips NAND. Alguns fornecedores, incluindo Intel, Dell e Microsoft, formaram um grupo para proporcionar um padro de software e hardware programando interfaces para subsistemas de memria no-voltil, incluindo a flash cache, dispositivo ligado ao PCI Express. Taxas de Transferncia Geralmente anunciada somente a velocidade mxima de leitura, pois os cartes de memria NAND so mais rpidos lendo do que escrevendo dados. O tempo de acesso influencia no desempenho, mas no tem tanta importncia comparando com o disco rgido. s vezes denotado em MB/s(megabytes por segundo), ou em nmero de X como 60x, 100x ou 150x. O X se refere velocidade com que uma nica unidade de CD entregaria os dados, 1x o mesmo que 150 kilobytes por segundo. Por exemplo, um carto de memria 100x vai a 150 KiB x 100 = 15000 KiB por segundo = 14,65 MiB por segundo (A velocidade exata depende da definio de Megabyte que o comerciante opta por utilizar).[3] Substituto para discos rgidos Uma extenso bvia da memria flash seria um substituto para os discos rgidos, j que ela no possui as limitaes mecnicas e latncia dos mesmos. A ideia de um drive de estado slido, ou SSD, torna-se atraente se considerarmos velocidade, rudo, consumo de energia e confiabilidade. Porm, ainda existem algumas desvantagens que devem ser consideradas. Por exemplo, o custo por gigabyte de memria flash ainda maior do que dos discos rgidos. Algumas tcnicas esto sendo utilizadas na tentativa de combinar as vantagens das duas tecnologias, usando a flash como uma cache de alta velocidade para arquivos do disco que so muito referenciados mas pouco modificados, tais como aplicativos e arquivos executveis do sistema operacional.[3] A Apple, em 20 de outubro de 2010, apresentou sua nova gerao do MacBook Air, que utilizam memria flash em vez de discos rgidos, sendo um dos primeiros laptops a utilizar memria flash em vez de discos rgidos ou SSDs tornando o computador mais veloz e confivel

DRAM
Memria DRAM (Dynamic Random Access Memory) um tipo de dinmica de acesso aleatrio que usado principalmente nos mdulos de RAM e outros dispositivos, tais como a memria principal do sistema. Se denomina dinmica, e que para manter armazenado um dado, se requere revisar o mesmo e recarreg-lo, cada certo perodo, em um ciclo de refresco . Sua principal vantagem a possibilidade de construir memrias com uma grande densidade de pocisoes que todavia funcionam a uma velocidade alta: en la actualidad se fabricam integrados com millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en

millones de bit por segundo. Sua principal vantagem a capacidade de construir memrias com uma alta densidade de posies e ainda funcionam a uma taxa elevada, atualmente fabricado na integrados com milhes de posies e velocidades medidas em milhes de bits por segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin. uma memria voltil, ou seja, quando no h energia, a memria armazena informaes. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad. Inventado no final dos anos sessenta, uma das memrias usadas hoje. Reinventing the DRAM Para 1973 Intel y otros fabricantes construan y empacaban sus integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. Em 1973, Intel e outros fabricantes construdo e empacotaram suas DRAM integrada utilizando um esquema no qual um pino aumentada cada vez que dobrando a capacidade. De acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendra 16 pines solo para las direcciones. Segundo este esquema, um sistema integrado de 16 pinos kilobits-64 trataria apenas. Dentro de los costos ms importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores precios. Entre os custos mais importantes para o fabricante e montadora de pin impresso circuito foi a quantidade de embalagens e em um mercado altamente competitivo crucial para ter preos mais baixos. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y Texas Instruments como insumos costosos. Devido a isso, uma capacidade de 16 pinos integrado e capacidade de 4Kb era um produto apreciado por usurios que encontraram o integrado de 22 pinos, oferecido pela Intel e Texas Instruments como insumos caros. El lanzamiento de la memoria MK4096 de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado result del trabajo de Robert Proebsting quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la informacin en una posicin, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: haba que enviar las seales una despus de la otra. O lanamento da memria MK4096 4K com um nico transistor por clula e multiplexados endereo foi o trabalho de Robert Proebsting que observaram que as clulas com um nico transistor, era impossvel acessar informaes em um nico lugar, ao mesmo tempo, o envio de linha e coluna de dados para a matriz: eles tinham que enviar sinais um aps o outro. La solucin a nivel de la celda conduca a un ahorro en el empaque, ya que la direccin podra recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines usados. [ 9 ] Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a solo 8 y dos ms para seales de control extra. A soluo para o nvel celular levou a uma economia na embalagem, j que o endereo pode ser recebido em duas etapas, reduzindo a quantidade de pinos usados. [9] Por exemplo, para um sistema integrado de 64 Kb passou 16 pinos dedicados apenas 8 e dois sinais de controle extra. La multiplexacin en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se convirti en un estndar de la industria que todava se mantiene. O esquema de tempo-de multiplexao de endereamento que traz muitas vantagens custa de algumas mudanas no circuito externo, de modo que se tornou um padro da indstria que ainda est de p. Mucha de la terminologa usada en la hoja de datos del MK4096 todava se usa y muchos de los parmetros de temporizacin como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos. [ 10 ] Grande parte da terminologia utilizada na folha de dados do MK4096 ainda usado e

muitos dos parmetros de tempo, tais como atraso RAS para CAS foram iniciadas com o produto, entre outros Operao

La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. A clula de memria a unidade bsica de qualquer memria capaz de armazenar um bit em sistemas digitais. La construccin de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador . A construo da clula define o funcionamento do mesmo, no caso de DRAM moderna consiste em um transistor de

efeito de campo e um condensador . El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. O princpio de funcionamento bsico simples: a carga armazenada no capacitor significado sem carga 1 e 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. O transistor atua como um interruptor que liga e desliga o capacitor. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador. Este mecanismo pode ser implementado com dispositivos discretos e de fato muitos relatrios anteriores, no momento do semicondutor, os arranjos foram baseadas em clulas-transistor capacitor. Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. As clulas de qualquer sistema de memria, so organizados na forma de matrizes de duas dimenses, que so acessadas atravs das linhas e colunas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista. Na DRAM estas estruturas contm milhes de clulas e so produzidos na superfcie do chip de silcio formando reas que so visveis a olho nu. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las lneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las lneas verticales conectadas a los canales de los FET son las columnas . No exemplo temos uma matriz 4x4 de clulas, em que as linhas horizontais ligadas s portas dos transistores so chamados de linhas e as linhas verticais conectado ao canal FET so as colunas. Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se envan por mitades. Para acessar um local da memria requer um endereo de 4 bits, mas os endereos de DRAM so multiplexados no tempo, isto , enviada por metades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la direccin de la fila y despus la de la columna. Entradas marcadas como a0 e a1 so o barramento de endereos eo mesmo se passa na direo da linha e coluna. Las direcciones se diferencian por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingls Row Address Strobe ) y CAS ( Column Address Strobe ) que indican la entrada de cada parte de la direccin. Endereos diferentes por sinais de temporizao chamado RAS (Row Endereo Strobe Ingls) e CAS (Column Address Strobe), que indicam a entrada de cada parte do endereo. Los pasos principales para una lectura son: As principais etapas so de leitura: Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lgico. As colunas so preenchidos com uma tenso igual metade da tenso da lgica 1. Esto es posible ya que las lneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor ms alto que la de los condensadores en las celdas. Isso possvel desde que as linhas se comportam como capacitores de grande porte, atendendo ao seu comprimento tem um valor maior do que o de capacitores nas clulas. Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la direccin y la seal de RAS. A linha energizada pelo decodificador linha que recebe o endereo eo sinal RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexin electrica entre las lneas de columna y una fila de condensadores. Isso faz com que os transistores conectados a uma linha de chumbo e permitindo que a conexo eltrica entre as linhas de coluna e uma linha de capacitores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las

cargas. O mesmo efeito produzido, ligando dois capacitores, um carregado e carregar outro desconhecido: existe um equilbrio que deixa os dois com um muito semelhante compartilhamento de carga de tenso,. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. O resultado depende do valor da carga no capacitor celular conectado a cada coluna. El cambio es pequeo, ya que la lnea de columna es un condensador ms grande que el de la celda. A mudana pequena, j que a linha da coluna um capacitor maior do que a clula. El cambio es medido y amplificado por una seccin que contiene circuitos de realimentacin positiva : si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lgico, la salida ser un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. A mudana medido e amplificado por uma seo que contm circuito de feedback positivo : se o valor medido inferior a metade da lgica uma tenso, a sada um 0, se for maior, a sada regenerado a 1 . Funciona como un redondeo. Funciona como um arredondamento. La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la direccin, se decide cual es la celda deseada. A leitura feita em todas as posies em uma linha de modo que ao chegar segunda parte do endereo, voc decide que a clula desejada. Esto sucede con la seal CAS. Isso acontece com o sinal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo DO y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva. Os dados so entregues linha de barramento de dados atravs de JO e as clulas envolvidas no processo so reescritas, como a leitura da DRAM destrutivo. La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada a un valor indicado por la lnea DI y el condensador es cargado o descargado. Escrevendo em um local de memria tem um processo semelhante ao citado acima, mas em vez de ler o valor, a linha da coluna realizada em um valor indicado pela ID linha eo capacitor carregada ou descarregada. El flujo del dato es mostrado con una lnea gruesa en el grfico. O fluxo de dados mostrada com uma linha grossa no grfico.

SRAM
Static Random Access Memory uma memria na qual as "clulas" que armazenam os bits so compostas de arranjos de 4 a 6 transistores, numa estrutura chamada "flip-flop". Esse tipo de arranjo extremamente rpido e mantm a informao armazenada enquanto houver energia alimentando a memria. A desvantagem desse tipo de memria que ela consome de 4 a 6 transistores, ou seja, demanda uma rea de silcio considervel; por isso, a capacidade de armazenamento comparativamente menor em relao s memrias DRAM (Dynamic Random Access Memory). As DRAMs usam apenas um transistor para armazenar os bits, permitindo um aproveitamento excelente do silcio. No entanto, sua estrutura simples requer o uso de complicados procedimentos de "refresh", destinados a no deixar que as clulas percam a informao, que de outra forma, em poucos milissegundos se perderia. As memrias SRAM so geralmente usadas na funo de memria cache, para armazenar as informaes mais frequentemente utilizadas de forma a poderem ser "chamadas" mais rapidamente. Tambm por no precisarem de sistemas de refresh, as SRAMs consomem muito pouca energia, sendo especialmente viveis em aparelhos portteis alimentados a bateria.