Master Gnie des Matriaux, nergtique et Environnement

Diffraction des lectrons lents (DEL)

Plan de lexpos
Historique Introduction Principe Aspect exprimental: 1-source (canon lectrons) 2-dtection 3-conditions de diffraction 4-exemple Applications conclusion

Historique
La possibilit thorique de l'apparition de diffraction de- est apparue en 1924 lorsque Louis de Broglie a introduit la mcanique ondulatoire. la nature ondulatoire des particules. Broglie a postul : =h/p , p la quantit de mouvement, h la constante de Planck. Les Broglie hypothse a t confirme exprimentalement en 1927 lorsque Clinton Davisson et Lester Germer tir des lectrons de faible nergie un cristallin de nickel cible et a observ que les lectrons rtrodiffuss montre des diagrammes de diffraction. Ces observations concident avec la thorie de diffraction pour les rayons X dveloppe par Bragg et Laue plus tt.

Introduction
La diffraction des lectrons lents est une technique dtude des surfaces base sur linteraction dun lectron avec le potentiel priodique dun construction cristallin. En tant que technique de diffraction, elle est essentiellement sensible la priodicit du potentiel, (lordre longue distance), et peu sensible aux dfauts locaux. L' analyse de surface peut tre obtenue en utilisant des lectrons de faible nergie cintique

Principe
Le principe de DEL est la diffraction lastique dlectrons lents par la surface cristalline dun chantillon. Les lectrons lents ont des nergies de 10 eV 300 eV.
Donc la longueur donde de Broglie est de mme ordre de grandeur que les distances interatomiques Par suit, le libre parcours moyen compris entre 5 et 10 le phnomne de diffraction met en jeu les plans atomiques les plus externes de la surface analyse

Aspect exprimental
Systme ultra vide

Pression ~ 1.10-10 mb

diffractomtre standard compose dune part d'un canon, qui envoie un faisceau monocintique sur l'chantillon tudier, d'un systme optique, permettant de visualiser directement le diagramme de diffraction.

1-source des lectrons :(canon lectrons) Le canon lectrons peut tre dcompos en quatre tages de fonctionnalits diffrentes : La cathode missive : le filament. Ltage dextraction. La lentille de focalisation. Le tube de drive.

a) Le filament :
Usuellement, le filament a une forme en pingle pour quil constitue une source quasiponctuelle la partie courbe tant la plus chaude, cest elle qui met le plus d'lectrons l'nergie E des lectrons est fixe par le potentiel Vfil du filament.

o e est la charge de llectron

b) L'tage d'extraction
L'tage d'extraction est compos de deux lectrodes : Le Wehnelt : entoure le filament par rapport auquel il est polaris ngativement. Une ouverture circulaire, pratique dans le Wehnelt, permet aux lectrons de s'chappe. L'anode d'extraction A1: porte un potentiel par rapport au filament, assure lextraction des lectrons travers cette ouverture. Globalement, l'tage d'extraction forme une lentille trs convergente suivie d'une lentille faiblement divergente et donne du relativement large disque d'mission une image quasi ponctuelle

c)

La lentille de focalisation La lentille de focalisation est forme de trois lectrodes (A2, A3, A4). Les deux extrmes (A2, A4) sont ports au mme potentiel . L'lectrode A3 est polarise ngativement par rapport A2 et A4.

d) Le tube de drive Le tube de drive est llectrode constituant le bout du canon. Il est reli la masse, pour ne pas perturber la trajectoire des lectrons diffracts par un champ lectrique. Il contient le dernier diaphragme du canon, dont la fonction est de fixer la taille et l'angle de convergence maximum du faisceau sur la surface.

Cette source dlectrons utilise un filament de tungstne chauff 1700C. Le courant dlectrons est compris entre 0.01 A et 0.1 mA.

lnergie dlectron est cmpris entre 15 eV et 500eV.

Le diamtre du faisceau dlectrons est

0.25 mm 0.5 mm 1mm

500 eV 100 eV 15 eV

2- dtection :

Le systme optique consiste en un cran phosphorescent associ un ensemble de grilles polarises. Celles-ci permettent dliminer la composante inlastique des lectrons rtrodiffuss.

 Un faisceau lectronique traverse successivement une maille de chaque grille. les valeurs des tensions appliques aux chaque grilles de notre systme optique sont diffrent .

Dimensions en millimtres de loptique trois grilles

Sur les montages commerciaux standards fonctionnant forts courants ~ 1 A, le collecteur d'lectrons est un cran fluorescent hmisphrique polaris positivement plusieurs kV(3 - 6 kV). Sur les montages de type DATALEED o SPALEED (spot profile analysis LEED), le collecteur d'lectrons est une camra video CCD. Ce type de montage donne accs aux profils en nergie des spots de diffraction.
Courbes ILEED = F(Ee-)

Le diagramme de diffraction dpend de la surface tudier

a)Surface de cristal parfait.

On observe un diagramme de raies intenses et fines.

b) Surface de cristal rel.

Ces surfaces prsent des dfauts linaire, surfacique, o de volume (lacune interstitiel .) on observe des diffusions parasites.

c) Agitation thermique.

Les effet dynamique comme exemple de vibration atomique reprsente une diffusion inlastique ce ci traduit par la surface par attnuation de raies de Bragg

Cohrence du faisceau dlectrons : Si la distance entre deux centres diffuseurs est infrieure la longueur de cohrence spatiale, les ondes diffuses sadditionnent en amplitude, et donc donnent lieu des interfrences. La limitation de la longueur de cohrence provient de deux limites techniques : la dispersion en longueur donde et la focalisation du faisceau incident.

3-conditions de diffraction :

Le canon lectronique thermomission : Electrons lents dnergie 10 eV 300 eV. Le libre parcours moyen : 5 10 .

Condition de diffraction de Lae d'un rseau linaire :

et

Dans le systme d'axes cristallographiques un nud hk quelconque du rseau rciproque est repr par un vecteur rhk :

Les positions des points de diffraction DEL sont caractristiques de la symtrie de la surface.

 Cdt de Lae d'une surface cristalline Sphre d'Ewald.

Pour quil y ait diffraction sur une famille de plans (hkl), il faut que le noeud de la range rciproque [hkl]* se trouve sur la sphre dEwald. Les domaines de diffraction 2D sont des droites perpendiculaires la surface relle et passant par les nuds du rseau rciproque 2D : tiges de diffraction

4-exemple :

La premire image donne le rseau rciproque dune couche de fer CC oriente selon la direction (001).La seconde image donne le rseau rciproque de deux plans atomiques de MgO dposs sur cette mme surface de fer. On remarquera que de nouvelles taches apparaissent sur le clich du MgO, montrant un rseau rciproque moiti donc un rseau direct double du fer.

Diffrents diagrammes LEED diffrentes tempratures de recuits et nergies correspondantes.

947-952K / 68,5eV

50 T>952K / 49,7eV 3-12h T>952K/ 68,5eV

Applications
Informations structurales qualitatives dduites de lexamen de diagrammes de diffraction DEL/LEED. Dtermination de reconstructions de surface.
Dtermination de la Qualit cristallographique de la surface. Un bon rapport signal/bruit renseigne sur la qualit cristallographique de la reconstruction sur une chelle spatiale de l'ordre de la longueur de cohrence d'un lectron , soit environ 100 .

 Informations structurales quantitatives dduites de lexamen des intensits des spots de diagrammes de diffraction.
Dtermination de la structure atomique de la surface par modlisation des courbes d'intensit ILEED=F(Ee-(V)).

Dtermination des ractions de surface, transitions de phases via l'acquisition des profils ILEED= F(E, T)

Imagerie directe Low Energy Electron Microscope LEEM : Construction dune image relle de la surface par Transforme de Fourier inverse du diagramme de diffraction DEL/LEED.

Etudes de cintique de croissance, transformations de phase, ractions de surface

Conclusion
Nous avons tudi dans notre expos le principe de diffraction lectrons lents (LEED), son instrumentation ,les conditions ncessaires pour avoir cette diffraction et ses applications. Compte tenu de ces applications, le LEED est devenue un outil indispensable pour lanalyse des surfaces.

Merci pour votre attention