Estructura Cristalina

La primera clasificacin que se puede hacer de materiales en estado slido, es en funcin de cmo es la disposicin de los tomos o iones que lo forman. Si estos tomos o iones se colocan ordenadamente siguiendo un modelo que se repite en las tres direcciones del espacio, se dice que el material es cristalino. Si los tomos o iones se disponen de un modo totalmente aleatorio, sin seguir ningn tipo de secuencia de ordenamiento, estaramos ante un material no cristalino amorfo.

Estructura cristalina de los materiales

Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con que los tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro. Un material cristalino es aquel en que los tomos se encuentran situados en un arreglo repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal como las estructuras solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera repetitiva tridimensional en el cual cada tomo est enlazado al tomo vecino ms cercano. Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros forman estructuras cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.

Celda Unitaria

Es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la geometra de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas forma un cristal con dicha estructura.

La estructura cristalina de un slido depende del tipo de enlace atmico, del tamao de los tomos (o iones), y la carga elctrica de los iones en su caso).

Existen siete sistemas cristalinos los cuales se distinguen entre s por la longitud de sus aristas de la celda (llamados constantes o parmetros de la celda) y los ngulos entre los bordes de sta. Estos sistemas son: cbico, tetragonal, ortorrmbico, rombodrica (o trigonal), hexagonal, monoclnico y triclnico.

Celdas cbicas

Celdas tetragonales

Celdas ortorrmbicas

Rombodrica

Monociclico

Tricclico

Hexgonal

Imperfecciones

Nada en nuestro mundo no es tan perfecto, no existe un material real en ingeniera que no tenga por lo menos unos pocos defectos estructurales, incluso en la perfeccin cristalina estos defectos estructurales estn presentes, algunos en mayor cantidad que otros. Los defectos primordiales en los materiales de ingeniera son: la imperfeccin qumica, defectos puntuales, defectos lineales y defectos planares.

Imperfeccin quimica.

No existe un material solido que sea preparado sin contener contaminacion, es decir ningun material puede ser preparado sin tener algun grado de impurezas, los atomos o iones que componen a las impurezas alteran la regularidad estructural del material puro ideal. La contaminacion normal de una sustancia solida (como el caso de un cristal) con impurezas se le conoce como imperfeccion quimica.

Defectos puntuales. (Imperfeccion cerodimencional) estructuralmente a Son defectos que se presentan

nivel atomico en sistemas cristalinos reales. Existen dos tipos de defectos puntuales: vacante y intersticial. La vacante es un sitio desocupado por atomo dentro de la estructura del cristal. El intersticial es un atomo extra insertado en la estructura ideal del cristal haciendo que dos atomos ocupen un lugar cercano al de uno solo en la estructura perfecta del cristal. Los defectos puntuales ocurren ocurren como resultado de la vibracion termica de toda la estructura atomica del cristal. Al aumentar la temperatura aumenta la intensidad de esta vibraciony se incrementa la probabilidad de desorganizacion estructural.

Defectos Lineales o dislocaciones. (imperfeccion unidimimencional).

La red cristalina se distorsiona alrededor de una linea. Las imperfecciones unidimensionales estan asociadas con deformaciones mecanicas. El defecto lineal generalmente es designado con una T invertida. Las dislocaciones pueden ser de tipo helicoidal (de tornillo) o de borde, asi como combinaciones mixtas de ambas. Se cuantifican por medio del vector de burgers b que indica la presencia de una dislocacion en el cristal.

Dislocacion de Borde: Se genera por la insercion de un semiplano adicional de atomos. La distancia de desplazamiento de los atomos alrededor de una dislocacion se denomina vector b de deslizamiento o de Burgers y es perpendicular a la linea de dislocacion.
Dislocacin de tornillo: Se genera en un plano que se somete a un esfuerzo de corte. Se provoca un desplazamiento que genera una superficie de un plano en forma de espiral semejante al movimiento de un tornillo. Dato: Las dislocaciones en algunos materiales hacen que el material se ablande y mientras ms se vaya usando el material se hace mas blando.

Defectos planares
Tambin se les conoce como bordes de grano. son imperfecciones en la superficie que separan los granos (cristales) de diferentes orientaciones en materiales policristalinos. Es una regin de tomos mal distribuidos entre granos adyacentes. En los metales los lmites de grano se crean durante la solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con otros. El borde de grano es una regin estrecha. El empaquetamiento atmico de los bordes de grano es algo menor que dentro de los granos.

DIFUSIN EN SLIDOS

La difusin puede ser definida como el mecanismo por el cual la materia es transportada por la materia.

MECANISMOS DE DIFUSIN

Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura cristalina: mecanismo de vacantes o sustitucional, y el mecanismo intersticial.

Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional

Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay presente suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar la difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de difusin es mayor a temperaturas ms altas. La energa de activacin para la difusin propia es igual a la suma de la energa de activacin necesaria para formar la vacante y la energa de activacin necesaria para moverla.

Mecanismo de difusin intersticial

La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a ninguno de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo comparado con el de los tomos de la matriz. Los tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno, pueden difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas.