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MOSFET E IGBT

1 QUE ES UN MOSFET? CARACTERSTICAS GENERALES


Un MOSFET es un tipo de transistor FET. La palabra MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal xido semiconductor . Es un dispositivo controlado por voltaje que requiere solo una pequea corriente de entrada. Los tiempos de conmutacin son muy altos, del orden de nanosegundos. El problema de los MOSFET es el fallo por descargas electrostticas.
Figura 1. Estructura del MOSFET de agotamiento canal n.

Es posible clasificar a este tipo de transistores en 2 debido a su modo de operacin: de tipo incremental o enriquecimiento y de tipo decremental o agotamiento. Para cada uno de estos tipos existen dos categoras adicionales: de canal n y canal p. Los MOSFET poseen tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. CARACTERSTICAS GENERALES A continuacin se enumeran algunas de las caractersticas generales de los MOSFET ms importantes: 1) Impedancia de entrada muy alta, debido a la capa aislante de xido de silicio. 2) Corriente de fuga (en compuerta) muy pequea, del orden de los nanoamperes. 3) Ganancia en corriente (relacin entre la corriente de drenaje y corriente entrada de la compuerta) muy alta, tpicamente de 109. 4) No existe conexin elctrica directa entre la compuerta y el canal (ya sea n o p). TIPOS DE MOSFET Agotamiento Canales n y p. En la figura 1 se muestra la estructura t smbolo de este MOSFET. Est conformado de un substrato (normalmente conectado a la fuente) de silicio tipo p y dos tipo n dopados. La compuerta se asla del canal mediante una pequea capa de xido. El voltaje de compuerta a fuente, denominado VGS, puede ser positivo o negativo. Si es suficientemente negativo, el canal se agotar y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente, denominada IDS. En cambio, si VGS es positivo el canal se ensancha e IDS aumenta.

Para un MOSFET de agotamiento canal p solamente se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS, mostrando su estructura la figura 2.

Figura 2. Estructura del MOSFET de agotamiento canal p.

Enriquecimiento Canales n y p. Un MOSFET de enriquecimiento canal n no posee un canal fsico, mostrado en la figura 3. Si VGS es positivo, existir una acumulacin importante de electrones debajo de la capa de xido y si es mayor o igual a un voltaje de umbral VT, se formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje a la fuente.

Figura 3. Estructura del MOSFET de enriquecimiento canal n.

En un MOSFET de enriquecimiento canal p, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten, mostrando su estructura en la figura 4.

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rpido que un BJT, pero su velocidad de conmutacin es menor a la presentada en los MOSFET.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] M. Rashid. Electrnica de Potencia: Circuitos y Aplicaciones. 2da Edicin. [2] R. Boylestad. Electrnica: Teora y Circuitos. 6ta Edicin.
Figura 4. Estructura del MOSFET de enriquecimiento canal p

DISPOSITIVOS COMERCIALES A continuacin se nombrarn algunos de los MOSFET comerciales: SCH2815 (canal n de propsito general), IRF7750 (canal p dual), IRFY9130C (canal p de potencia), CP357X (canal n de pequea seal), IRF840 (canal n de potencia).

2 QUE ES UN IGBT?
Un IGBT es un dispositivo que combina las ventajas de los BJT y los MOSFET. Posee una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como los BJT. En la figura 5 se muestra la estructura interna de un IGBT. Dicha estructura es idntica a las de los MOSFET, excepto en el substrato p.

Figura 5. Estructura interna de un IGBT.

Su comportamiento es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET, debido a que tal substrato se encarga de colocar los portadores minoritarios en la regin n. Un IGBT est fabricado con cuatro capas alternadas PNPN y se puede enganchar como un tiristor. EL IGBT se controla por voltaje como un MOSFET. Posee menores prdidas de conmutacin y conduccin. Por su parte, comparte varias caractersticas de los MOSFET: facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, capacidad y resistencia. Un IGBT es ms