PERCOBAAN I KARAKTERISTIK TRANSISTOR

I.

TUJUAN PERCOBAAN 1. Mempelajari grafik daya lesapan maksimum dari suatu transistor 2. Membuat kurva karakteristik transistor 3. Mempelajari garis beban dari suatu arus penguat transistor dengan konfigurasi emitor ditanahkan dan basis ditanahkan 4. Menghitung harga

II. ALAT DAN BAHAN 1. Transistor tipe pnp 2. Amperemeter 2 buah 3. Voltmeter 1 buah 4. Resistor: 1 K 2 buah, 180 , 5 K, 270 5. Potensiometer 6. Kabel penghubung 7. Baterai 12 V 8. Ground

III. DASAR TEORI Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektot (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor. Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaianrangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya. Cara kerja transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang,

untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. Jenis-jenis transistor

PNP

P-channel

NPN

N-channel

BJT

JFET

Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain

Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.

Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel

Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain

Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain

Gambar bentuk fisik transistor Prinsip Transistor sebagai Penguat (amplifier): artinya transistor bekerja pada wilayah antara titik jenuh dan kondisi terbuka (cut off), tetapi tidak pada kondisi keduanya. Prinsip Transistor sebagai penghubung (saklar) : transistor akan mengalami Cutoff apabila arus yang melalaui basis sangat kecil sekali sehinga kolektor dan emitor akan seperti kawat yang terbuka, dan Transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang melalui basis terlalu besar sehingga antara kolektor dan emitor bagaikan kawat terhubung dengan begitu tegangan antara kolektor dan emitor Vce adalah 0 Volt dari cara kerja diataslah kenapa transistor dapat difungsikan sebagai saklar.

IV. PROSEDUR KERJA 1. Menyusun rangkaian seperti gambar berikut, dengan RC = 1 K

2. Mengatur RB agar IB menunjukkan nilai 40 A. Selanjutnya mengukur nilai IC dan VCE serta menghitung nilai IB dan IC. Dan memasukkan hasil pengamatan kedalam tabel pengamatan 3. Mengulangi langkah 2 dengan mengganti nilai IB menjadi 50 A, 75 A, 100 A, 125 A, dan 150 A secara berturut-turut. 4. Mengganti nilai RC menjadi 270 5. Mengulangi langkah 2-4

V. HASIL PENGAMATAN Konfigurasi transistor emitor ditanahkan Rc = 1 K IB (A) 40,09 50,82 75,21 100,80 125,60 150,60 IB 10,73 24,39 25,59 24,80 25,00 IC (A) 52,04 62,76 87,12 112,70 137,40 162,40 Rc = 270 IB (A) 40,68 50,39 75,42 100,60 125,20 150,00 IB 9,71 25,03 25,18 24,60 25,80 IC (A) 52,66 62,37 87,39 112,60 137,20 162,00 IC 9,71 25,02 25,21 24,60 24,80 VCE (V) 11,99 11,98 11,98 11,97 11,96 11,96 IC 10,72 24,36 25,58 24,70 25,00 VCE (V) 11,95 11,94 11,91 11,89 11,86 11,84

VI. ANALISA DATA

|
IB

Tabel 1 (RC = 1 K = 1000 )

= 40,09 A = 40,09.10-6 A 1000 + 11,95 V = 12 V

VCC = 52,04.10-6 A IB

= 0 /0 = 0 db = 50,82 A = 50,82.10-6 A 1000 + 11,94 V = 12 V

VCC = 62,76.10-6 A IB

= 10,72.10-6 /10,73.10-6 = 1 db = 75,21 A = 75,21.10-6 A 1000 + 11,91 V = 12 V

VCC = 87,12.10-6 A IB

= 24,36.10-6 /24,39.10-6 = 1 db = 100,80 A = 100,80.10-6 A 1000 + 11,89 V = 12 V

VCC = 112,70.10-6 A IB

= 25,58.10-6 /25,59.10-6 = 1 db = 125,60 A = 125,60.10-6 A 1000 + 11,86 V = 12 V

VCC = 137,40.10-6 A IB

= 24,70.10-6 /24,80.10-6 = 1 db = 150,60 A = 150,60.10-6 A 1000 + 11,84 V = 12 V

VCC = 162,40.10-6 A

= 25,00.10-6 /25,00.10-6 = 1 db

 Tabel 2 (RC = 270 )

IB = 40,68 A = 40,68.10-6 A 270 + 11,99 V = 12 V

VCC = 52,66.10-6 A IB

= 0 /0 = 0 db = 50,39 A = 50,39.10-6 A 270 + 11,98 V = 12 V

VCC = 62,76.10-6 A IB

= 9,71.10-6 /9,71.10-6 = 1 db = 75,42 A = 75,42.10-6 A 270 + 11,98 V = 12 V

VCC = 87,39.10-6 A IB

= 25,02.10-6 /25,03.10-6 = 1 db = 100,60 A = 100,60.10-6 A 270 + 11,97 V = 12 V

VCC = 112,600.10-6 A IB

= 25,21.10-6 /25,18.10-6 = 1 db = 125,20 A = 125,20.10-6 A 270 + 11,96 V = 12 V

VCC = 137,20.10-6 A IB

= 24,60.10-6 /24,60.10-6 = 1 db = 150,00 A = 150,00.10-6 A 270 + 11,96 V = 12 V

VCC = 162,00.10-6 A

= 25,00.10-6 /25,00.10-6 = 1 db

VII. PEMBAHASAN
Kita kenal dua jenis transistor yaitu npn dan pnp. Pada percobaan ini kita menggunakan transistor pnp yang bersifat memperlemah isyarat keluaran, sedangkan transistor npn bersifat memperkuat isyarat keluaran. Pada percobaan ini dilakukan dengan dua perlakuan yaitu dengan menggunakan RC = 1 K dan RC = 270 . Pada percobaan ini nilai IB (arus basis) yaitu 40 A, 50 A, 75 A, 100 A, 125 A dan 150 A. Nilai IB tersebut dapat diperoleh dengan mengatur potensiometer, semakin besar hambatan potensiometer maka arus yang mengalir akan semakin kecil, sebaliknya semakin kecil hambatan potensiometer maka arus yang mengalir semakin besar. Dari hasil pengamatan diketahui bahwa tegangan pada VCE lebih kecil daripada VCC, hal ini sebabkan karena isyarat masukan tadi sudah diperlemah oleh transistor. Sesuai dengan sifat transistor yang digunakan yaitu memperlemah isyarat keluarannya. Dari hasil pengamatan juga diketahui bahwa arus collector (IC) lebih besar daripada IB (arus basis) karena sebelum arus menuju basis, arus tersebut terlebih dahulu dikumpulkan di collector sesuai dengan fungsinya yaitu sebagai pengumpul. Setelah arus dikumpulkan di collector barulah arus tersbut menuju basis kemudian menuju emitor. Berdasarkan hasil perhitungan diperoleh nilai = 0 db dan = 1 db. Penguatan arus akan berubah dengan frekuensi seperti gambar berikut;

(db) o

0 f f f (log)

Frekuensi patah f disebut frekuensi potong dan f adalah nilai dimana = 0 db atau = 1 db; f disebut frekuensi transisi. Pada konfigurasi emitor ditanahkan di mana pada penguat emiter ditanahkan isyarat masuk melalui basis dan emiter dihubungkan dengan tanah, sedangkan keluaran diambil dari kolektor. Penguat emiter ditanahkan mempunyai impedansi masukan kali lebih besar daripada penguat basis ) lebih kecil daripada

ditanahkan, dan impedansi keluaran transistor (

penguat basis ditanahkan. Impedansi masukan yang tak terlalu kecil membuat penguat emiter ditanahkan sangat baik digandengkan dalam beberapa tahap tanpa banyak ketaksesuaian impedansi pada alih tegangan dari satu tahap ke tahap berikutnya.

VIII. KESIMPULAN 1. - Untuk nilai Ic tertentu akan diperoleh Ic tertentu pula. Jadi nilai Ic dan Vcc dapat diperoleh dari nilai Ib dan Rc. - Suatu transistor jika belum diberikan suatu isyarat masukan, maka arus Ie dan Ic adalah arus searah dimana keadaan ini disebut keadaan Q atau keadaan tenang 2. Kurva karakteristik transistor

3. Pada keadaan IC(q1) dan VCE (q1) dikatakan transistor dalam keadaan jenuh, sedangkan pada keadaan IC(q2) dan VCE (q2) dikatakan transistor dalam keadaan terputus (cut off). Nisbah arus keluaran Ic dan arus masukan Ib atau penguatan arus untuk konfigurasi transistor emitor ditanahkan disebut hfe = . Sedangkan untuk penguatan arus pada konfigurasi transistor basis ditanahkan disebut hfb = . Hubungan antara kedua besaran tersebut adalah = (1-). 4. - Konfigurasi transistor emitor ditanahkan

IX. SARAN Untuk praktikan diharapkan ketertibannya saat melakukan paktikum di laboratorium dan menjaga kebersihan lab.

DAFTAR PUSTAKA

Sutrisno.1987. Elektronika Teori Dasar dan Penerapannya.ITB. Bandung. Tim Penyusun.2012.Penuntun Praktikum Elektronika Dasar 2.Universitas Tadulako.Palu.