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Fachhochschule Kln Institut fr Medien- und Phototechnik

Hausarbeit Phototechnik II

BSI CMOS-Bildsensoren im Vergleich mit herkmmlichen CMOS

Vorgelegt von: Matrikelnummer: Datum:

Dominik Scherer 11045533 August 2011 Prof. Dr. rer. nat. Christian Blendl 1

Inhaltsverzeichnis
1 Grundlagen Halbleitertechnik 1.1 Photoelektischer Effekt 1.2 Bndermodell 1.3 PN-bergang 1.4 Photodiode 1.5 Active Pixel Sensor 2 CMOS-Sensor 2.1 Aufbau eines herkmmlichen CMOS-Chips 3 Rckseitig gednnter CMOS-Sensor 3.1 Aufbau 3.2 Konsequenzen fr die Anwendung

Abkrzungsverzeichnis
BSI CMOS FSI Pixel ppb ppm SNR BackSide Illumination (rckseitige Beleuchtung) Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementrer Metall-Oxid-Halbleiter) FrontSide Illumination (vorderseitige Belichtung) Picture Element (Bildpunkt) parts per billion (Teilchen pro Milliarden) parts per million (Teilchen pro Millionen) Signal to Noise Ratio (Signal-Rausch-Verhltnis)

Grundlagen Halbleitertechnik

1.1 Photoelektischer Effekt


Der photoelektrische Effekt, kurz Photoeffekt, beschreibt die Wechselwirkung elektromagnetischer Strahlung mit Materie. Einfallende Photonen werden hierbei von Hllelektronen absorbiert, die sich daraufhin aus den ueren Schalen ihrer Atome lsen. Beim ueren Photoeffekt werden die Elektronen aus der Oberflche des bestrahlten Materials herausgeschlagen. In der Halbleitertechnik kommt der so genannte innere Photoeffekt zum Tragen. Die gelsten Elektronen werden genutzt, um die Leitfhigkeit des Halbleiters zu erhhen. Um ein Elektron von seinem Atom abzulsen und in das Leitungsband zu berfhren, ist mindestens dessen, von der Ordnungszahl abhngige, Bindungsenergie aufzubringen. Dieses Elektron kann beim Anlegen einer Spannung Strom leiten. Die Energie des Photons ist proportional zur Frequenz der Strahlung, respektive des Lichtes. Es gibt also fr jedes Material eine spezifische Grenzfrequenz, ab der der photoelektrische Effekt auftritt. 3

1.2 Bndermodell
Das Bndermodell unterscheidet zwei Bereiche von Energiezustnden, in denen sich Elektronen befinden knnen. Das Valenzband und das Leitungsband. Dazwischen befindet sich die Verbotene Zone, in dem sich das Elektron nicht aufhalten kann.

Abb. 1.1: Bndermodell Bis zur Energie WV ist das Elektron im Atom (Valenzband) gefangen. Ab dem Energieniveau WC befindet es sich im Leitungsband, das heit, es ist losgelst vom Atom und damit zunchst frei beweglich in der Gitterstruktur des Materials. Die Energielcke (Gap) WG muss berwunden werden, damit das Elektron sich frei im Leitungsband bewegen kann. Schafft es das nicht, fllt es sofort wieder ins Valenzband zurck. Nichtleitende Werkstoffe (Isolatoren) haben ein zu groes Gap, als dass es vom Elektron berwunden werden knnte; so bleibt es immer im Valenzband. Bei leitenden Materialien hingegen liegt das Leitungs- direkt auf dem Valenzband, ragt unter Umstnden sogar in dieses hinein. Jede zugefhrte Energiemenge befrdert Elektronen ins Leitungsband; jede angelegte Spannung fhrt zu einem proportionalen Stromfluss.

1.3 PN-bergang
Versieht man ein Halbleitermaterial in sehr geringem Mae (zwischen 0,1 ppb und 100 ppm) mit Fremdatomen anderer Wertigkeit, so spricht man vom Dotieren des Materials. In der Regel wird vierwertiges Silizium als Halbleiter verwendet. Tauscht man einzelne Si-Atome mit Atomen eines fnfwertigen Elements, hat man stellenweise ein Auenelektron brig, das seine Elektronenaufenthaltswahrscheinlichkeit im Leitungsband besitzt. Dadurch ist das Material n-dotiert, weil es einen berschuss an Elektronen beinhaltet. Das eingebrachte Element wird deswegen auch als Elektronendonator, oder kurz als Donator bezeichnet. Ersetzt man einzelne Atome des Trgermaterials mit Atomen geringerer Wertigkeit, handelt es sich um eine p-Dotierung, da in diesem Fall vereinzelt Auenelektronen fehlen. Man spricht von einem berschuss an Defektelektronen oder auch Lchern, die durch fehlende Elektronen im Leitungsband erzeugt werden. 4

Abb. 1.2: Ladungstrgerverarmung

Im thermischen Gleichgewicht fliet ein Strom Jng thermisch generierter Elektronen im p-Bereich nach n. Dieser Strom muss kompensiert werden durch einen Rekombinationsstrom Jnr . Jnr (0) + Jng (0) = 0 (1.1)

Dasselbe gilt fr die Lcherstrme in umgekehrter Richtung. Jpr (0) + Jpg (0) = 0 (1.2)

Legt man eine Spannung an den PN-bergang an, kann das in Flussrichtung oder in Sperrrichtung geschehen. Liegt der Pluspol am p-dotierten und der Minuspol am n-dotierten Bereich an, spricht man vom Betrieb der Diode in Fluss- oder Durchlassrichtung. Die Hhe der Potentialbarriere nimmt ab, die Generationsstrme bleiben unverndert. Die Rekombinationsstrme dagegen werden erhht um den Boltzmannfaktor kB . Nach Umpolung wird die Diode in Sperrrichtung betrieben. Die Hhe der Potentialbarriere nimmt zu, die Generationsstrme bleiben wiederum unverndert. Die Rekombinationsstrme werden um den Boltzmannfaktor vermindert. Es gilt in beiden Fllen I = IS ( e k T 1)
B

eV

(1.3)

(Shockleysche Diodengleichung)

mit

IS (Sttigungsstrom): maximaler Strom, der in Sperrrichtung flieen kann. V>0 bei Betrieb in Durchlassrichtung V<0 in Sperrrichtung

Abb. 1.3: Stromfluss in Sperr- bzw. Flussrichtung

1.4 Photodiode
Bei einer Photodiode wird Licht in elektrische Spannung umgewandelt, die proportional zu Beleuchtungsstrke ist. Dabei wird im pn-bergang der photoelektrische Effekt genutzt. Die durch den Photonenbeschuss befreiten Elektronen hinterlassen Defektelektronen. Es entstehen also ElektronenLoch-Paare, deren Rekombination zu Stromfluss fhrt, der gemessen werden kann.

1.5 Active Pixel Sensor


Eine einzelne Zelle in einem CMOS-Sensor wird als Active Pixel Sensor (APS) bezeichnet. Ein APS besteht aus Photodiode, Kondensator, Verstrker und Verkabelung. Mittels einer vorher definierten Ladung im Kondensator wird ber die Photodiode Spannung gelegt. Whrend der Belichtung der Diode wird diese Ladung proportional zur Beleuchtungsstrke entladen. Die brige Ladespannung im Kondensator wird gespeichert und verstrkt. Im Auslesevorgang gelangt sie als Analogspannung an den verarbeitenden Signalprozessor. Da die verbleibende Ladespannung mit steigender 6

Beleuchtung sinkt, ist das Ladungsbild mit dem Negativ in der Analogfotografie vergleichbar.

Abb. 1.4: Aufbau eines Active Pixel Sensors

CMOS-Sensor

2.1 Aufbau eines herkmmlichen CMOS-Chips


Die Abkrzung CMOS steht fr Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementrer Metall-Oxid-Halbleiter). Ein CMOS-Sensor ist ein zweidimensionales Array von Active Pixel Sensoren. Da ein APS nur Helligkeitswerte, nicht aber Farbinformationen messen kann, wird jeder mit je einem Farbfilter (rot, grn oder blau) versehen. Beim so genannten Bayer-Pattern werden beispielsweise vier im Quadrat benachbarte Subpixel zu einem effektiven Bildpunkt zusammengefasst. Da das menschliche Sehsystem besonders grnempfindlich ist, steuern beim Bayer-Pattern von vier Subpixeln ein rotes, zwei grne und ein blaues mit Ihrer Farbinformation zum Bildpunkt bei.

Abb. 2.1: Bayer-Pattern Der Nachteil der herkmmlichen Bauweise (FSI) von CMOS-Chips ist, dass aus Kostengrnden die Verkabelung der APS vor der lichtempfindlichen Schicht verbaut ist. Das vermindert den Wert des fill-factors. Der fill-factor ist der Prozentsatz der Sensorflche, der effektiv zur Bildgewinnung genutzt wird. Bei herkmmlichen CMOS-Sensoren liegt dieser bei gut 70%. Wie in Abb. 2.2 zu sehen ist, knnen durch den Einsatz von Mikrolinsen noch die Lcken zwischen den einzelnen Zellen vernachlssigt werden.

Abb. 2.2: Mikrolinse erhht fill-factor 8

3
3.1

Rckseitig gednnter CMOS-Sensor


Aufbau

Da sich die Fertigungskosten fr einzelne Bauschritte mittlerweile verringert haben, lohnt es sich heutzutage auch wirtschaftlich, die Leistung des CMOS-Sensors zu optimieren. So wurden im Aufbau einige logische nderungen vorgenommen. Der komplette Chip wird gedreht, sodass seine Verkabelung auf der dem einfallenden Licht abgewandten Seite liegt. Damit wird also die bisherige Rckseite des Sensors zur Bildgewinnung beleuchtet, der fill-factor betrgt 100%.

Abb. 3.1: Vergleich vorder- und rckseitig beleuchtete Sensoren oben: schematisch unten: Mikroskopaufnahmen

Zustzlich wird das Material des PN-bergang von einigen 100m auf etwa 50m ausgednnt, damit gengend Licht am bergang ankommt. Die Ausdnnung geschieht, indem vor allem die dickste Schicht, die Substratschicht, in einem tzverfahren abgetragen wird und kann verschiedene Formen annehmen: Zurzeit werden durch Auftragen von Masken nur jeweils die Bereiche der pn-bergnge gednnt, sodass ein Gitter aus dickerem Material stehen bleibt, um dem Chip die ntige Stabilitt zu belassen. Eine andere Art der Ausdnnung sieht eine flchenhomogene Verringerung der Materialdicke vor, um neue Anwendungsmglichkeiten im Bereich der Bildsensorik zu erffnen: Dnnt man Silizium nmlich auf unter 30m, verliert es seine Starrheit und kann gebogen werden. Das Spektrum der Einsatzmglichkeiten von flexiblen Bildsensoren lsst sich heute noch kaum erahnen. So knnte beispielsweise in der Messtechnik ein auf die Mantelflche eines Stabes aufgebrachter CMOS-Sensor Informationen ber dessen gesamtes 360-Umfeld einfangen. Ladungstrger, die zu weit entfernt vom pn-bergang erzeugt werden, rekombinieren unter Umstnden auf ihrem Weg dorthin an Strstellen oder Kristallgitterfehlern. Solche Stromverluste knnen vermieden werden, wenn der Photoeffekt mglichst in der Sperrschicht oder in deren Nhe geschieht. Um das zu gewhrleisten, darf Schichttiefe des PN-bergangs nicht viel kleiner als die Eindringtiefe der Photonen sein. Als Eindringtiefe d der Welle im Material bezeichnet man die Tiefe, bei der die Intensitt der Welle auf den
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ten Teil abgefallen ist.

Die Eindringtiefe der Photonen des sichtbaren Lichtes steigt mit zunehmender Wellenlnge zwischen 380nm und 780nm in etwa exponentiell von 0,01m auf etwa 10m an. Die Dnnung des CMOSSensors darf also nicht beliebig weit getrieben werden.

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Abb. 3.2: Eindringtiefe von Photonen in Silizium ber der Wellenlnge

3.2 Konsequenzen fr die Anwendung


Der maximierte fill-factor beim BSI-Sensor fhrt natrlich zu einer Erhhung der Quanteneffizienz. Die Quanteneffizienz ist die Wahrscheinlichkeit, mit der der Photorezeptor nach Absorption eines Photons in einen angeregten Zustand bergeht. Dieser Vorteil kann auf verschiedene Wege genutzt werden: Bei unvernderter Pixelgre erhlt man einen empfindlicheren Sensor; die Dynamik des Bildes sowie die SNR werden erhht. Andererseits kann bei gleich bleibender Empfindlichkeit des Sensors, unter Beachtung des Auflsungsvermgens der Optik, die Pixelgre verringert werden. Auerdem ermglicht diese Bauweise die Herstellung auerordentlich schneller Sensoren. Sie wird genutzt von Kompaktkameras, die in der Lage sind, Videos mit bis zu 1200fps, 30 Vollformatbilder pro Sekunde oder HrBilder mit nur einem Druck auf den Auslser aufzuzeichnen. Um Panoramabilder aufzunehmen, gengt ein Schwenk mit der Kamera.

Abb. 3.3: Schwenkpanorama Das Originalbild hat eine Auflsung von 4912x1080 Pixel. 11

Neueste Technologie ist hufig Resultat militrischer Forschung und Entwicklung des Militrs oder wird zumindest zeitnah von Streitkrften oder Geheimdiensten genutzt. Die hohe Quanteneffektivitt wird natrlich fr Nachtsichtgerte und Zieloptiken verwendet und erzielt in diesen Bereichen erstaunliche Ergebnisse. Im zivilen Bereich bestechen hochwertige Spiegelreflexkameras durch uerst dynamische Bilder, selbst bei lichtarmen Szenen.

Abb. 3.4: Vergleich Aufnahme herkmmlicher mit BSI-CMOS Sensor

Die hohe Empfindlichkeit des Sensors lsst uerst schnelle Belichtungsfolgen zu. Abb. 3.5 zeigt zwlf 6-Megapixel-Aufnahmen, belichtet in 0,2 Sekunden:

Abb. 3.5: 60fps Sequenz 12

Quellenverzeichnis
Vorlesung Lumineszierende Materialien II (FH- Kln, Prof. Dr. Welker) www.wikipedia.de www.itwissen.info www.suss-microoptics.com

Abbildungsverzeichnis
111 Bndermodell [www.iwenzo.de]

1.2 Ladungstrgerverarmung
[www.solidstate.physik.uni-bremen.de]

1.3 Stromfluss in Sperr- bzw. Flussrichtung


[Screenshot Funktionsplotter kmplot (modifiziert)]

1.4 Aufbau eines Active Pixel Sensor


[http://digitalcontentproducer.com]

2.1 Bayer-Pattern
[http://scien.stanford.edu (modifiziert)]

2.2 Einsatz von Mikrolinsen


[www.suss-microoptics.com]

3.1 Vergleich vorder- und rckseitig beleuchteter Sensoren


[www.i-micronews.com]

3.2 Eindringtiefe von Photonen in Silizium ber der Wellenlnge


[http://mikro.ee.tu-berlin.de]

3.2 Schwenkpanorama
[www.cnet.de]

3.4 Vergleich Aufnahme herkmmlicher mit BSI-CMOS Sensor


[http://4.bp.blogspot.com]

3.5 60fps Sequenz


[www.cnet.de] 13