UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR LABORATORIO DE ELECTRNICA I GUA DE LABORATORIO # 6A EL TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR JOS JAIRO PINTO

AEZ (josejairopinto@hotmail.com) ADOLFO DUARTE RUEDA (adolfo_el_angel@hotmail.com) JOHAN M. MESA CASTRO(johanspidey@hotmail.com) Muchas veces podemos observar como dos uniones PN colocados en sentido opuesto estas se denominan transistores bipolares de unin (BJT, bipolar junition transistor). El transistor es un elemento que debido a la ganancia de corriente que presenta funcionando en la regin lineal es mas comn ver su uso como amplificador de seales que en modo de conmutacin. En la practica que desarrollaremos el transistor fue usado en modo de conmutador, para ello fue necesario trabajar en la regin de corte y saturacin, conocida tambin como regin no lineal. RESUMEN En una configuracin normal la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en

OBJETIVOS
Introducir al alumno en el estudio

de los transistores bipolares de unin, y comenzar a conocer el funcionamiento del transistor BJT en una de las aplicaciones mas comunes.

controlar el funcionamiento de un relevo de alta corriente con un transistor en modo de conmutacin.

estudiar las ventajas y desventajas

del transistor usado en modo de conmutacin.

Medir los parmetros Ic y Vce

tanto en la regin de saturacin cono en la regin de corte.

INTRODUCCIN El transistor es un dispositivo que posee tres terminales (base, colector y emisor) a diferencia del diciclo que posee dos.

directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Cuando el transistor esta funcionando en forma de corte el foco estar apagado, debido a que por el colector no fluye corriente. Cuando el transistor este trabajando en forma de saturacin la corriente que fluye por el colector activar el campo magntico de la bobina logrando as que el foco se encienda. Para el montaje # 2 el funcionamiento se da de la siguiente forma: Como el voltaje VB fue cambiado por VB = 5Vp con seal cuadrada no ser necesario el pulsador. Cuando VB est en el ciclo positivo el transistor se satura y la corriente del colector, activar el relevo para que asi el foco se encienda. Cuando VB se encuentra en el ciclo negativo por la base no va a fluir corriente, asi el transistor estar en la regin de corte y el bombillo estar apagado, esto ocurrir hasta cierta frecuencia. VB realiza el papel de fuente y de pulsador.

DESARROLLO DE LA PRCTICA Clculos tericos:

FUNCIONAMIENTO En forma general el principal objetivo de esta prctica es apagar y encender un foco por medio del pulsador. Para el montaje # 1 el funcionamiento se da de la siguiente forma:

1.

MALLA # 2

Informacin 2N2222A.

del

transistor:

Corriente de saturacin: IB(sat) = 15mA. Voltaje CE en VCE(sat)= 300mV. saturacin:

Voltaje base emisor: VBE = 0,7V ZONA DE CORTE

ZONA DE SATURACION MALLA # 1

Como no hay necesidad de hacer la malla # 1, ya que en esta no hay flujo de corriente. Malla # 2

Como

Entonces

Montaje # 2 Para el montaje # 2 los clculos son los mismos del primero, en lo que difieren estos dos es que en este el pulsador se encuentra dentro de la fuente, o sea, que la fuente hace las veces de pulsador, entonces a mayor frecuencia se activar el relevo y se prender y apagar el foco. Cuando se le aplica una frecuencia muy elevada, el campo magntico del rel se trabar el swich en l, dando por resultado el foco totalmente apagado.

ANLISIS DE DATOS DATOS DEL MONTAJE # 1 Y MONTAJE # 2 DATOS PRACTICOS

EN SATURACION EN CORTE

IB Icolect RB RRel VCE VBE

15mA 29,7mA 287 390 0,29V 0,8V DATOS TEORICOS

EN SATURACION

0 0 287 390 11,8V 0

MONTAJE # 1

EN CORTE

IB Icolect RB RRel VCE VBE

15mA 30mA 286,6 390 0,3V 0,7V

0 0 286,6 390 12V 0

CONCLUSIN MONTAJE # 2 Dada por terminada esta prctica de laboratorio podemos concluir que con esta

pudimos comprender muchas cosas acerca del papel que juega el relevo dentro desde un circuito con transistores el cual es un dispositivo que puede operar a altas corrientes sin sufrir ningn tipo de alteracin Al mismo tiempo hemos logrado comprender como al momento de aumentar demasiado la frecuencia a la fuente, los movimientos de los relevos tienden a ser un poco rpidos hasta el punto donde se obstaculiza y por esto dejara de funcionar.

BIBLIOGRAFA DISEO ELECTRNICO (C. J. SAVANT, Jr.) INTERNET: Wikipedia, la enciclopedia libre (www.wikipedia.com). Monografas (www.monografias.com).