INDICE

INTRODUCCION ........................................................................................................................ 1 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT) ............................................................................... 2 Operacin del BJT ............................................................................................................. 3 Zona activa: ................................................................................................................... 4 Zona inversa: ................................................................................................................. 6 Zona de corte: ............................................................................................................... 6 Zona de saturacin:....................................................................................................... 7 Configuracin del BJT como Amplificador de Seales ...................................................... 7 Configuracin Base-Comn........................................................................................... 8 Configuracin Emisor-Comn ....................................................................................... 9 Configuracin Colector Comn ................................................................................... 10 Curvas Caractersticas del BJT ......................................................................................... 11 Lmites de Operacin del BJT .......................................................................................... 12 Especificaciones del Fabricante ...................................................................................... 13 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) ........................................................................ 14 Operacin del BJT ........................................................................................................... 15 Polarizacin para un FET Canal N (Similar al canal P) ................................................. 15 Curvas Caractersticas del FET......................................................................................... 16 Curvas de Salida .......................................................................................................... 16 Curva de Transferencia ............................................................................................... 19 Circuitos de Polarizacin ................................................................................................. 19 Tipos de Circuitos de Polarizacin .............................................................................. 20 CONCLUSION .......................................................................................................................... 22 REFERENCIAS ELECTRONICAS................................................................................................. 23

INTRODUCCION

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos celulares, etc.

Dichos dispositivos electrnicos se construyen principalmente de Silicio o Germanio. Se tienen varios tipos de transistores, los cuales se pueden ubicar en dos grupos: BJT: Transistor Bipolar de Unin FET: Transistor de Efecto de Campo

El transistor de efecto de campo, es controlado por voltaje a diferencia del transistor bipolar de unin que es controlado por corriente.

TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT)

El transistor bipolar de unin (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es tambin conocido como transistor de unin. Como su nombre lo indica, es un dispositivo de tres terminales, dos uniones y doble polaridad.

Est formado por la unin de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando as la clasificacin del BJT en NPN y PNP, tal como se muestra en la siguiente figura.

A cada capa se le asocia un terminal, y reciben los nombres de:

E = Emisor

B = Base

C = Colector

Las capas de los extremos (de mayor espesor) corresponden a los terminales E y C. La capa central, de menor espesor, corresponde al terminal B.

La capa asociada al terminal Emisor posee el mayor nivel de impurezas, lo que indica alta conductividad debida a los portadores mayoritarios. La capa asociada al terminal Colector est menos dopada que la capa Emisor, por lo cual es un poco menos conductiva que esta ltima. La capa asociada al terminal Base posee un ligero nivel de impurezas, lo que indica que esta capa tiene una alta resistencia para los portadores mayoritarios, es decir, es una capa de baja conductividad.
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El smbolo circuital para el BJT NPN y el BJT PNP es similar, diferencindose entre ellos por el sentido de la corriente en cada dispositivo.

BJT NPN

BJT PNP

Operacin del BJT

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados. La operacin del transistor se logra con la polarizacin de cada unin PN o NP del dispositivo. Dependiendo del tipo de polarizacin (directa o inversa) de cada unin, se tendr al transistor operando en una zona de trabajo especfica de acuerdo con la siguiente tabla:

Polarizacin Unin E-B Directo Inverso Directo Inverso Unin B-C Inverso Directo Directo Inverso

Zona Operativa Activa Inversa Saturacin Corte Caractersticas Ie = ( + 1)Ib ; Ic= Ib Ie < 0 ; Ic < 0 Ic Ie = Imax Ic = Ie = 0

Zona activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. La ubicacin del transistor en la zona activa, permite el uso del dispositivo como amplificador de seales, por tal razn se har nfasis en esta zona de operacin.

PNP en la Zona Activa

La unin E-B est polarizada directamente y la barrera de potencial en la unin es estrecha, lo que permite la conductividad debida a los portadores mayoritarios del material tipo P al material tipo N. La unin B-C est polarizada inversamente y no hay conduccin debido al flujo de portadores mayoritarios, pero si se presenta un flujo de portadores minoritarios del material tipo N al material tipo P.

En vista de que la capa asociada al terminal Base tiene muy baja conductividad, muy pocos portadores mayoritarios irn hacia ese terminal. La mayor parte de los portadores mayoritarios que vienen de la unin E-B, al llegar al material tipo N de la unin B-C se convierten en portadores minoritarios que provocan la conductividad en esta unin polarizada inversamente.

Se puede resumir entonces que en un BJT PNP la conductividad (corriente) se presenta desde el terminal Emisor hacia el terminal Colector con una muy baja corriente hacia el terminal Base. Todo esto permite establecer una ecuacin para las corrientes en un BJT PNP: IE = IB + IC NPN en la Zona Activa

En el BJT NPN el sentido de las corrientes a travs del dispositivo lleva el sentido contrario al del BJT PNP. La figura siguiente muestra la polarizacin de las uniones, el efecto sobre la barrera de potencial de cada unin, el flujo de portadores, as como tambin el sentido de las corrientes en el dispositivo.

La corriente en un BJT NPN se presenta de Colector a Emisor con muy poca corriente a travs del terminal Base, se puede concluir que en un BJT NPN se sigue cumpliendo la ecuacin de corrientes del BJT PNP, por lo cual la ecuacin se conoce en general como: Ecuacin de corrientes del BJT(IE = IB + IC) Zona inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Zona de corte:

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Zona de saturacin:

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta el saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Configuracin del BJT como Amplificador de Seales

Un amplificador es un dispositivo que eleva o aumenta la magnitud de una seal de entrada sin modificar su forma de onda.

En el amplificador las seales son medidas con respecto a un punto comn y en vista de que el transistor es un dispositivo de tres terminales, su uso en los amplificadores requiere que uno de sus terminales sea comn a los otros dos.

Dependiendo del terminal que se tome comn a los otros dos, se tendr una configuracin especfica del transistor para su uso como

amplificador. Estas configuraciones son:

Configuracin Base-Comn

Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN,

la

terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra.

Existe una relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (IC) y la corriente de entrada (IE) en la configuracin base comn: IE IC. La relacin de proporcionalidad entre estas dos corrientes viene dada por el factor de amplificacin de corriente de base comn (). El valor de se evala en c.c., es decir para voltaje de salida constante como:

Como IE > Ic ; 1 y < 1. Esta configuracin no produce ganancia de corriente, pero si de tensin. En la configuracin base comn, los valores de corriente de salida, amplificacin, o mejor dicho es reduccin siempre son menores a 1 (No quiere decir que tendremos corrientes de 1 A, sino que la corriente de colector base ser menor a la corriente de emisor base ejemplo IE = 7

puede originar una corriente IC = 6.9, siendo la entrada de seal en el emisor y el colector la salida, VCB, la cual est en fase con respecto a la entrada VEB. Configuracin Emisor-Comn

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 10 para los transistores PNP y NPN. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector).

La relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (IC) y la corriente de entrada (IB) en la configuracin emisor comn viene expresada por el factor de amplificacin de corriente de emisor comn (). El valor de se mide en c.c. para un punto de operacin esttico del transistor (salida fija) como:

El valor de puede relacionarse con el valor de a partir de la ecuacin de corrientes del BJT, de las cuales se obtiene:

Adems con el valor de y la ecuacin de corrientes del BJT se puede determinar el valor de IE como:

La configuracin emisor comn puede utilizarse para amplificacin de voltaje, corriente o potencia, adems de poder actuar como interruptores. En esta configuracin por una corriente pequea de entrada se obtiene una corriente enorme de salida ejemplo para 10uA de entrada se obtiene 1 mA de salida, pero no se tiene la estabilidad de la configuracin base comn donde las corrientes son muy similares. Por otro lado, esta configuracin tiene una salida desfasada con respecto a la entrada.

Configuracin Colector Comn

En la configuracin de colector la amplificacin de corrientes es similar a la que realiza la configuracin emisor comn con la diferencia de que en la configuracin colector comn la salida est en fase con la entrada. La ganancia de voltaje es ligeramente menor que la unidad. Se caracteriza por tener una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo que permite el uso de esta configuracin como convertidor de impedancias y como aislador. La figura siguiente muestra una configuracin del BJT NPN en colector comn. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn.

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Curvas Caractersticas del BJT

El comportamiento del BJT se representa grficamente a travs de dos curvas: Curva de entrada y Curvas de Salida. Estas curvas caractersticas del BJT son propias de cada configuracin. La curva de entrada relaciona la corriente de entrada con el voltaje de entrada para mostrar grficamente el voltaje de salida. La siguiente figura muestra una curva de entrada general.

Las curvas de salida, relaciona la corriente de salida con el voltaje de salida para los diferentes valores de corriente de entrada constante. Cada curva de salida

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corresponde a una curva de corriente de entrada constante. La siguiente figura muestra un juego de curvas de salida general de forma ideal.

Lmites de Operacin del BJT

En las curvas de salida del transistor BJT se pueden identificar las zonas de operacin del transistor: corte, saturacin, activa e invertida; tal como indica la figura siguiente, donde se muestra el juego de curvas de salida para un BJT en configuracin Emisor Comn.

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Especificaciones del Fabricante

VCEO: Mximo voltaje de colector a emisor en la zona lineal. VBEO: Mximo voltaje de base a emisor. ICBO: Mxima corriente en la zona de corte. ICBmax: Mxima corriente de colector a base en la zona lineal. Pdmax: Potencia mxima disipada por el dispositivo. Tjmax: Temperatura mxima permitida en cada unin del BJT. TCO: Mxima temperatura en la carcaza del transistor, por debajo de la cual se tiene Pdmax. hfe: Factor de amplificacin de corriente en emisor comn. : Factor de amplificacin de corriente en base comn.

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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

El transistor FET est formado por un bloque de material tipo n o tipo p junto con dos contactos de un material de tipo opuesto al material del bloque, tal como muestra la siguiente figura.

Cada extremo del bloque corresponde a un terminal, identificados como:

S = Surtidor o Fuente ;

D = Drenador ;

G = Compuerta (Gate)

El espacio entre los dos contactos se llama canal y da la clasificacin del FET en FET canal N y FET canal P. La siguiente figura ilustra la estructura de estos FET.

El smbolo circuital utilizado para estos dispositivos se muestra en la figura

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Operacin del BJT

La operacin del transistor depende de la polarizacin de las uniones PN o NP del dispositivo. Durante la operacin normal del FET no se hace fluir corriente a travs de las uniones. En lugar de esto, la conduccin ocurre nicamente a travs del canal. Por tanto las uniones PN o NP del dispositivo se polarizan inversamente. Mientras no exista polarizacin en el dispositivo no hay conduccin en el mismo.

Polarizacin para un FET Canal N (Similar al canal P)

La polarizacin para un FET canal P es similar a la de canal N, simplemente se invierte la polaridad de las fuentes de polarizacin y por supuesto el sentido de las corrientes.

Para polarizar inversamente las uniones PN, las regiones P deben estar a un potencial menor que las regiones N.

VDS Fuente de polarizacin para el canal N. Drenador positivo con respecto a Surtidor. Se establece una corriente de Drenador a Surtidor ID. VGS Fuente de polarizacin para regiones P. Compuerta negativa con respecto a Surtidor. No hay corriente a travs de las uniones, por tanto IG=0.
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El hecho de que IG=0 indica que el FET presenta una alta impedancia de entrada as como tambin la igualdad entre las corrientes de Drenador y Surtidor, ID=IS.

La polarizacin inversa provoca un aumento en la barrera de potencial, aumentando as la resistencia del canal. La barrera de potencial es mas ancha hacia el Drenador, ya que hacia este terminal se tiene la mayor polarizacin inversa.

El grosor de la barrera de potencial controla la corriente ID y este grosor depende de la polarizacin dada por VGS y VDS, es decir, VGS y VDS controlan a ID. Es por esta razn que se define al FET como un dispositivo controlado por voltaje, porque un voltaje de entrada VGS controla la seal de salida ID.

Curvas Caractersticas del FET

Las curvas del FET que caracterizan al dispositivo son:

Curvas de Salida, iD vs. VDS Curva de Transferencia, iD vs. VGS

No hay curva de entrada como en el caso del BJT, puesto que aqu la corriente de entrada IG=0.

Curvas de Salida

Estas curvas son parecidas a las curvas de salida del BJT. En el FET se tendr una curva de salida para cada valor de VGS.
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En las curvas de salida se pueden observar las diferentes zonas o regiones de operacin del FET. Zona Resistiva o Lineal (Zona Ohmica):

Es la zona cercana al eje iD, delimitada en cuanto a voltaje por: 0<VDS<VPO. La variacin de iD en esta zona es lineal y el dispositivo se comporta como una resistencia controlada por voltaje. A medida que VDS aumenta de cero hasta VP, la corriente iD aumenta linealmente a pesar del aumento de la resistencia del canal, debido a que el aumento de VDS contrarresta el aumento de la resistencia. Zona Saturada o Zona de Corrientes Constantes

Cuando VDS

aumenta por encima de VP, la corriente iD

aumenta mas

lentamente debido al estrangulamiento del canal ocasionado por la unin de las dos barreras de potencial correspondiente a cada unin PN o NP. Sin embargo, el aumento de VDS mantiene la corriente iD en un valor constante.

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La zona en la cual iD es constante se conoce como zona de saturacin y la zona til para el uso del dispositivo como amplificador de seales.

La zona de saturacin est limitada en cuanto a voltaje por: VP<VDS<VDSO, donde VDSO es el mximo voltaje entre Drenador y Surtidor indicado por el fabricante. Zona de Ruptura

Es la zona para la cual iD aumenta drsticamente para pequeos aumentos de tensin VDS por encima de VDSO, es decir, VDS>VDSO. Zona de Corte

Es la zona para la cual iD = 0 sea cual sea el valor de VDS y se debe a que VGS se hace tan negativo que el canal se obstruye totalmente por la unin de las dos barreras de potencial. El valor de VGS para el cual iD = 0 es suministrado por el fabricante del transistor como: VGSO Mximo voltaje entre Compuerta y Surtidor. La relacin |VGSO|=|VPO| indica que para iD = 0 se debe tener VGSO= -VPO en magnitud. Zona Limitada por Potencia Disipada

Al igual que en el BJT, sobre las curvas de salida del FET tambin se indica la limitacin de la zona lineal del FET, a travs de curvas de potencia tipo hiprbola, dadas por la relacin: PD=VDS*iD, hacia el lado superior derecho de las curvas.
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Curva de Transferencia

La curva de transferencia se obtiene a partir de las variaciones de ID con respecto a VGS, en la zona de saturacin. Esta variacin de ID con respecto a VGS para un VDS constante no es lineal y se expresa matemticamente como: ( ) |

Esta expresin se conoce como Ecuacin de Transferencia y permite obtener ID en la zona de saturacin para cualquier valor de VGS, conociendo previamente IDSS y VPO los cuales son generalmente dados por el fabricante.

Circuitos de Polarizacin

El circuito de polarizacin se utiliza para ubicar al FET dentro de la zona de saturacin de la curva de salida. Para lograr esta ubicacin es necesario polarizar las uniones PN inversamente y as tambin lograr IG = 0, manteniendo elevada la impedancia de entrada del FET. Un circuito de polarizacin es un circuito de c.c. formado por: fuentes de c.c., resistencias y el transistor.

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Tipos de Circuitos de Polarizacin

El anlisis de este tipo de circuitos involucra la Identificacin de la entrada y la salida, as como tambin la obtencin de las ecuaciones tanto para la entrada como para la salida del circuito.

Al igual que para el BJT, existen tres configuraciones del FET para su uso como amplificador, las cuales por analoga con el BJT se muestran en la siguiente tabla.

BJT Surtidor Comn Drenador Comn Compuerta Comn

FET Emisor Comn Colector Comn Base Comn

En base a un FET canal N en configuracin Surtidor Comn, se analizan aqu los circuitos de polarizacin, aunque cada configuracin tiene su propio circuito de polarizacin. Entre los circuitos de polarizacin para el FET se tienen: Circuito de Polarizacin Fija

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CONCLUSION

Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.

No se puede decir que una configuracin es mejor que la otra, dependa del uso que se le quiera dar, aprovechando sus particulares caractersticas

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REFERENCIAS ELECTRONICAS

WIKIPEDIA Enciclopedia libre [En lnea], Transistor, Articulo HTML disponible en: <http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor> Consultado el 03 de febrero 2012. WIKIPEDIA Enciclopedia libre [En lnea], Transistor de unin bipolar, Articulo HTML disponible en: <http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_union_bipolar> Consultado el 04 de febrero 2012.

UNIVERSIDAD DE ORIENTE,[En lnea],El transistor BJT, PDF disponible en: <http://www.av.anz.udo.edu.ve/file.php/633/Tema5_El_Transistor_BJT.pdf> Consultado el 05 de febrero 2012. WIKIPEDIA Enciclopedia libre [En lnea], Transistor de efecto campo, Articulo HTML disponible en: <http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo> Consultado el 04 de febrero 2012. UNIVERSIDAD DE ORIENTE, [En lnea],El transistor FET, PDF disponible en: <http://www.av.anz.udo.edu.ve/file.php/633/Tema9_El_Transistor_FET.pdf> Consultado el 06 de febrero 2012.

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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA DE LA FUERZA ARMADA BOLIVARIANA UNEFA SEDE MARACAY

TRANSISTOR BJT Y FET

Profesor: Ing. Leonard Caridad Integrantes: Fulvio Silva C.I.: 19.174.157 Julian Mayobre C.I.: 19.245.680 Roneld Rivas C.I.: 19.655.387 EID-501

Maracay, Febrero de 2012

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