por Rami Arieli: "The Laser Adventure" Chapter 6.

3 Diode lasers Page 1-18 traduccin de Jos M Iglesias

Todos los lseres de diodo estn construdos con materiales semiconductores , y tienen las propiedades caractersticas de los diodos elctricos. Por esta razn reciben nombres como : > Lseres de semiconductor por los materiales que los componen Lseres de diodo - ya que se componen de uniones p-n como un diodo Lseres de inyeccin - ya que los electrones son inyectados en la unin por el voltaje aplicado La utilizacin tanto en I+D como comercial de los lseres de diodo ha cambiado dramticamente en los ltimos 20 aos. Hoy en da el nmero de lseres de diodo vendidos en un aos se mide en millones , mientras que todos los dems tipos de lser juntos se miden en millares. De hecho , la familia actual de lseres de diodo es utilizada en productos de alto consumo como : CD -Compact Discs, Impresoras Lser , Escners y comunicaciones pticas. El diodo lser fue inventado en tres laboratorios de investigacin en USA de modo independiente . Los investigadores consiguieron radiacin electromagntica coherente de un diodo de unin p-n en base al material semiconductor GaAs - Arsenuro de Galio. Haremos ahora una pequea introduccin bsica : Los Semiconductores En general , los slidos pueden dividirse entres grupos : Aislantes - Materiales que no son conductores de la electricidad como cuarzo , diamante , goma o plstico Conductores- Materiales que son conductores de la electricidad como oro , plata , cobre Semiconductores- Materiales con una conductividad elctrica intermedia entre materiales conductores y no conductores Ejemplos : Ge, Si, GaAs, InP, GaAlAs. La conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura ( explicado ms tarde ) , contrariamente a lo que sucede con los materiales metlicos , cuya conductividad disminuye con la temperatura debido al aumento del nivel vibracional de los tomos. Niveles energticos En un gas , cada tomo molcula est ( bajo el punto de vista energtico ) a gran distancia de sus vecinos , con lo que puede considerarse aislado. Podemos considerar del mismo modo a unos pocos tomos de un material ( que actan como tomos de impurezas ) que son aadidos a un medio homogneo slido de otro material. En contraste con los niveles energticos separados existentes en un gas o en un pequeo nmero de tomos de impurezas en un slido homogneo , los electrones en un semiconductor estn en bandas energticas , que , efectuando una simulacin , se componen de agrupaciones de un gran nmero de niveles energticos por efectos cunticos. Estas bandas de energa corresponden a todo el material , no estando asociadas a un slo tomo. La anchura de la banda aumenta a medida que decrece la distancia entre los tomos y aumenta la interaccin entre ellos. Las bandas energticas en un semiconductor pueden ser de dos tipos : Banda de Valencia - Los electrones en una banda de valencia estn ligados a los tomos del semiconductor. Banda de Conduccin - Los electrones en una banda de conduccin pueden moverse por el semiconductor. La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina la Brecha de Energa , no existiendo ningn nivel energtico posible dentro de sta zona. Si un electrn de la banda de valencia consigue suficiente energa , puede " saltar " la brecha de energa para introducirse en la banda conductora. ( ver figura 6.19a) Las bandas de energa llenas son aquellos niveles energticos de los electrones internos , ligados al tomo , que no participan en los enlaces entre los tomos del slido . Para que un slido conduzca la electricidad , los electrones necesitan moverse en el slido.

En un aislante - la banda de valencia est llena de electrones , con lo que los electrones no pueden moverse dentro de la banda . Para que exista una conduccin de electricidad , los electrones de la banda de valencia deben pasar a la banda de conduccin . En consecuencia , debe suministrarse una energa superior a la brecha de energa a los electrones de la banda de valencia , a fin de conseguir su transferencia a la banda de conduccin . Como la brecha de energa es grande , sta evita el paso , y en consecuencia , los aislantes son poco conductores La estructura de los niveles energticos de un aislante pueden verse en la figura 6.19a.

Figura 6.19a: Niveles energticos de un aislante En un conductor - ( metal ) Las bandas de valencia y de conduccin se sobreponen , por lo que en la prctica la brecha de energa es nula . En consecuencia , los electrones necesitan muy poca energa para pasar a la banda de conduccin y conducir la electricidad . La estructura de los niveles energticos de un conductor pueden verse en la figura 6.19b

Figura 6.19b: Niveles energticos de un conductor En un semiconductor - la brecha de energa es muy pequea , por lo que se requiere muy poca energa para transferir los electrones de la banda de valencia a la de conduccin . Hasta la temperatura ambiente proporciona la energa suficiente . Aumentando la temperatura , ms y ms electrones sern transferidos a la banda de conduccin . En consecuencia aumenta la conductividad con la temperatura . La estructura de los niveles energticos de un semiconductor pueden verse en la figura 6.20.

Figura 6.20: Niveles energticos de un semiconductor>

Cuando se transfiere un electrn de la banda de valencia a la de conduccin , se crea un " agujero " en la banda de valencia . Estos " agujeros " se comportan como cargas positivas que se mueven por la banda de valencia como consecuencia de aplicar un voltaje . En el proceso de la conduccin elctrica participan tanto los electrones que estn en la banda de conduccin como los " agujeros positivos " que permanecen en la banda de valencia originados por el " salto " de electrones a la banda de conduuccin . A fin de controlar el tipo y densidad de los " portadores " de carga en un semiconductor , se aaden impurezas con un nmero extra de " portadores " de carga al semiconductor . Los tomos de stas impurezas son elctricamente neutros . Las Impurezas En un material semiconductor " puro " , la estructura de las bandas y la brecha de energa estn determinadas por el propio material. Aadiendo otro material con portadores de carga , aparecen niveles de energa adicionales dentro de la brecha ( ver figura 6.21). Si la impureza contiene ms electrones que el propio material semiconductor puro , los portadores de carga aadidos son negativos ( electrones ) , y el material se denomina " semiconductor de tipo n " . En este tipo de materiales aparecen niveles energticos adicionales muy cercanos a la banda de conduccin , con lo que es suficiente con un aporte pequeo de energa para hacerlos saltar a la banda de conduccin , de modo que tenemos ms portadores de carga libres para conducir la electricidad.

Si la impureza contiene menos electrones que el material semiconductor , los niveles energticos extras aparecen cerca de la banda de valencia . Los electrones de la banda de valencia pueden saltar a estos niveles fcilmente , dejando atrs " agujeros positivos " . Este tipo de material se denomina " semiconductor de tipo p " En la figura 6.21 se describe la influencia de la adicin de impurezas en la anchura de las bandas de energa

Figura 6.21: Niveles energticos de un semiconductor El proceso Laser en un Laser de Semiconductor Cuando unimos un semiconductor tipo "p" a otro tipo "n" , obtenemos una " unin p-n " Esta unin p-n conduce la electricidad en una direccin preferente ( hacia adelante ) . Este aumento direccional de la conductividad es un mecanismo comn en todos los diodos y transistores utilizados en la electrnica. Y es la base del proceso lser que tiene lugar entre las bandas de energa de la unin. La Figura 6.22 muestra las bandas de energa ideales de una unin p-n , sin aplicar un voltaje externo.

Figura 6.22: Niveles de energa de una unin p-n sin voltaje aplicado El nivel mximo de energa ocupado por electrones se denomina Nivel de Fermi . Cuando se conecta el polo positivo de un voltaje a la cara p de la unin p-n , y el negativo a la cara n , se establece un flujo de corriente a travs de la unin p-n . Esta conexin se denomina Voltaje dirigido hacia adelante o positivo . Si se conecta con la polaridad inversa ( polo + a la cara "n" y polo - a la cara "p" ) se denomina Voltaje dirigido hacia atrs o negativo ; ste causa un aumento de la barrera de potencial existente entre las partes p y n , con lo que evita el paso de la corriente a travs de la unin . Aplicando un voltaje en una unin p-n Cuando se aplica un voltaje a travs de una unin p-n , la poblacin de las bandas de energa cambia. El voltaje puede ser aplicado de dos formas o configuraciones posibles : 1.Voltaje positivo o hacia adelante - significa que el polo negativo del voltaje es aplicado a la cara "n" de la unin , y el polo positivo a la cara "p" , como se muestra en la figura 6.23:

Figura 6.23: Bandas de energa de una unin p-n cuando se le aplica un voltaje positivo El voltaje hacia adelante o positivo crea portadores extra en la unin , reduciendo la barrera de potencial , y origina la inyeccin de portadores de carga , a travs de la unin , al otro lado . Cuando un electrn de la banda de conduccin en el lado "n" es inyectado a travs de la unin a un " agujero " vaco en la banda de valencia del lado "p" , tiene lugar un proceso de recombinacin ( electrn + agujero ) , y se libera energa En los diodos lser , nuestro inters se concentra en los casos especficos en que la energa es liberada en forma de radiacin lser . Se produce un fuerte aumento de la conductividad cuando el voltaje positivo es aproximadamente igual a la brecha de energa del semiconductor. .Voltaje negativo o hacia atrs - causa un aumento de la barrera de potencial , disminuyendo la posibilidad de que los electrones salten al otro lado . Aumentando el voltaje negativo a valores altos ( dcimas de voltio ) , se puede obtener un colapso del voltaje de la unin ( avalancha ) La construccin de un Diodo Lser Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en la figura 6.24.

Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin activa en la unin p-n , y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin . Una capa metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al lser . Las caras del semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica resonante.

Figura 6.24: Estructura bsica de un lser de diodo

La Figura 6.25 describe la forma en que la radiacin lser electromagntica es emitida para un lser simple de diodo. La radiacin lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos direcciones.

Figura 6.25: Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser simple Ms tarde describiremos unas estructuras y diseos especiales que permiten confinar la zonas activa en una regin ms pequea , y controlar as el perfil del haz lser conseguido. Sumario de los Lseres de Diodo hasta ste punto: Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones libres en la banda de conduccin, y los agujeros positivos en la banda de valencia. En la unin p-n , los electrones "caen" en los agujeros , que corresponden a niveles de energa ms bajos El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo ocasiona que ambos tipos de portadores (agujeros y electrones ) se recombinen , siendo liberada energa en forma de fotones de luz. La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la brecha de energa. La brecha de energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su estructura cristalina. Curva I-V de un Diodo Lser Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe , los fotones sern emitidos por emisin espontnea. Los fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones , siendo sta la base de los LED - diodo emisor de luz . La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo. Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n , se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin .

En la figura 6.26 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la correspondiente a un led.

Figura 6.26: Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente ( esta es una buena aproximacin ) Cuando el umbral de corriente es bajo , se disipa menos energa en forma de calor , con lo que la eficiencia del lser aumenta. En la prctica , el parmetro importante es la densidad de corriente , medida en A/cm2 , de la seccin transversal de la unin p-n . Dependencia de los parmetros del diodo lser de la temperatura Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura . Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes . A medida que la corriente fluye por el diodo , se genera calor . Si la disipacin no es la adecuada , ta temperatura aumenta , con lo que aumenta tambin el umbral de corriente . Adems , los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo lser . Este cambio se ilustra en la figura 6.27. , y se compone de dos partes : 1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura , hasta que : 2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin

Figura 6.27: cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la temperatura Debido a estas variaciones con la temperatura , se necesitan diseos especiales para poder conseguir una emisin continua de alta potencia. Confinamiento de la luz dentro de la zona activa Un factor importante en la construccin de un diodo lser es el confinamiento de la luz dentro del rea activa . Dicho confinamiento se acompaa por la deposicin de distintos materiales cerca de la zona activa . En consecuencia , la primera clasificacin de los lseres de diodo considera los tipos de estructura cercanos a la zona activa (ver fig. 6.28) El nombre de cada grupo o familia viene dado por el tipo de materiales existentes cerca de la capa activa : Homojunction laser - Lser de unin homognea - Todo el lser est constituido por un mismo material , normalmente GaAs - Arsenuro de Galio . En este tipo de estructura simple , los fotones emitidos no estn confinados en direcciones perpendiculares al eje del lser , con lo que su eficiencia es muy baja .

Single Heterostructure - Estructura heterognea simple - En un lado de la capa activa existe otro material con una brecha de energa diferente . Esta diversidad de brechas de energa motiva un cambio en el ndice de refraccin de los materiales , de modo que se pueden construir estructuras en gua de ondas que confinan a los fotones en un rea determinada . Normalmente , la segunda capa es de un material similar al de la primera , solo que con un ndice de refraccin menor . Ejemplo: El GaAs - Arsenuro de Galio - y el GaAlAs - Arsenuro de Galio Aluminio - son materiales prximos utilizados habitualmente . Double Heterostructure - Estructura heterognea doble - Un material distinto se coloca a ambos lados de la capa activa , con un ndice de refraccin menor (mayor brecha de energa) . Este tipo de estructuras confinan la luz dentro de la capa activa , por lo que son ms eficientes . Ejemplo: Capa activa de GaAs confinada entre dos capas de GaAlAs. Distintas Estructuras de los Diodos Lser Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa ( Stripe Geometry Geometra en tiras ), confinada por todos los lados ( tanto por los lados como por arriba y abajo ) con otro material . Esta familia de lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres orientados al ndice En la figura 6.28 se detallan distintas estructuras de confinamiento

utilizadas . Figura 6.28: Ejemplos de distintos tipos de estructura de confinamiento Diodos Lser orientado a Ganancia - Gain Guided Aislando los electrodos metlicos en las partes superior e inferior , se limita la zona por donde pasa la corriente . Como resultado , la inversin de poblacin slo tiene lugar en la zona especfica por donde pasa la corriente . Un ejemplo est en la figura 6-28 (ltima figura) , en donde un electrodo de tira delgada se sobrepone al material lser . La corriente limita el rea en la zona activa en donde puede existir el efecto de amplificacin , y sta slo podr existir en sta zona . Las este tipo de lseres de diodo son : 1.Fciles de producir 2.Es relativamente fcil conseguir una potencia alta , ya que al aumentar la corriente aumenta la zona activa Las 1.La calidad 2.Es ms desventajas del haz obtenido es difcil conseguir una son menor que con los orientados al ndice emisin estable en frecuencia simple : . . ventajas de

Monturas de los Lser de Diodo

Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo , debido a su tamao miniaturizado , para poder ser operativos y cmodos. Existen muchos tipos de monturas , pero quizs el ms estndar es similar a un transistor , e incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el haz (ver figura 6.29)

Figura 6.29a: Montura de un lser de diodo comercial

Figura 6.29b: Seccin perpendicular Para poder obtener ms potencia de los lseres de diodo , se han desarrollado matrices de diodos lser , que emiten sincronizadamente , y que estn pticamente acoplados , de modo que se alcanzan las dcimas de vatio . Ventajas de los diodos lser

Son muy eficientes ( ms del 20% de la energa suministrada se consigue en forma de radiacin lser ) Son muy fiables Tienen vidas medias muy largas ( estimadas en ms de 100 aos de operacin continuada ! ). Son muy baratos ( se construyen con tcnicas de produccin en masa utilizadas en la industria electrnica ) Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida , simplemente controlando la corriente elctrica a travs de la unin p-n . La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente , pudindose modular a dcimas de GHz. Ejemplo : En un sistema experimental , y utilizando fibras pticas de modo simple , se transmite informacin a 4 [GHz], lo que es equivalente a la emisin simultnea de 50,000 llamadas telefnicas en una fibra (cada llamada ocupa una banda de frecuencia de 64 [KB/s]).

Volumen y peso pequeos Umbral de corriente muy bajo Consumo de energa muy bajo

Banda
lser

del espectro estrecha , que puede llegar a ser de unos pocos kilo-Herz en diodos especiales

Cavidades pticas especiales en los diodos lser La cavidad ptica ms simple es la creada al pulir los extremos del cristal de semiconductor del que se compone el lser. El pulido crea un plano perpendicular al plano del medio activo , de modo que es perpendicular al eje del lser. Debido al alto ndice de refraccin (n 3.6) de los materiales utilizados , la reflexin de la cara pulida es de aproximadamente el 30%. Es posible cambiar esta reflexin utilizando tcnicas de metalizado en capas . Un tipo de capa es el 100% reflectante en uno de los lados del diodo lser . En algn tipo de lser , las prdidas que atraviesan la capa trasera son utilizadas para controlar la potencia emitida por la parte delantera , obtenindose una retro-alimentacin en tiempo real . Un tipo distinto y ms complicado puede fabricarse integrando una red de difraccin cerca de la capa activa del lser. Existen dos tipos de estructura que utilizan redes de difraccin en vez de capa espejada en un extremo de la cavidad ( ver figura 6.30 ) : 1.DFB = Distributed FeedBack Laser - - Retroalimentacin distribuida - la red de difraccin se distribuye a lo largo de todo el medio activo . La longitud de onda de la red determina la longitud de onda emitida por el lser , en una lnea muy fina del espectro. 2.DBR = Distributed Bragg Reflector - Reflector de Bragg distribuido - la red de difraccin est fuera de la zona activa , en donde no circula corriente ( parte pasiva de la cavidad )

Figura 6.30: Cavidades pticas especiales utilizadas para obtener lneas de emisin estrechas

Diodos lser Acoplados

Existen tambin estructuras especiales en donde dos lseres se acoplan pticamente . La radiacin emitida por el primer lser es transferida al segundo , que es controlado por otra fuente de alimentacin . Un ejemplo puede verse en la figura 6.31

Figura 6.31: Lser de diodo con acoplamiento ptico

EL LSER Caractersticas de la emisin lser De entre todas las propiedades esenciales de la emisin lser, es su gran intensidad la que otorga su nombre a este tipo de radiacin. En efecto, la intensidad de la emisin lser es inusitadamente elevada, convirtindose as la radiacin en una poderosa herramienta de trabajo. En los lseres el rango de potencia (magnitud relacionada directamente con la intensidad) es amplsimo, empezando desde las fracciones de watio que se emplean en algunas tecnologas (lectores de CD), hasta el orden los gigawatios que se alcanzan en el lser NOVA, del laboratorio Lawrence Livermoore, que es el ms potente que existe en el mundo. Otra de las caractersticas esenciales de los lseres es la emisin de luz altamente monocromtica (es decir, se emite luz con una longitud de onda nica, o en su caso dos valores siempre bien definidos, lo que equivale a que la anchura de banda es prcticamente despreciable), lo que por un lado resulta beneficioso en algunas aplicaciones y por otro impone serias limitaciones a su uso. Actualmente existen lseres que son capaces de barrer todo el rango de longitud de onda del visible (lseres de colorante), aunque su precio es elevadsimo. Otra de las caractersticas fundamentales de la radiacin lser es su elevada coherencia (la fase de la radiacin permanece constante con el tiempo). Por ltimo, destacaremos la elevada direccionabilidad de la radiacin lser (la radiacin se propaga en una nica direccin), lo que permite su uso a largas distancias (control remoto) y con enorme precisin. Componentes de un lser Medio lser, que es el material capaz de producir la radiacin; fuente externa de energa, que puede ser elctrica u ptica; caja o cavidad de resonancia, que contiene el medio lser y los espejos para reflejar la luz, uno de los cuales la transmite parcialmente. La luz se amplifica sucesivamente al reflejarse en los espejos y atraviesa repetidamente el material lser. Una fraccin de la intensidad del haz resultante se atraviesa el espejo que transmite parcialmente. Esta fraccin constituye el haz lser operante.

Fases en el funcionamiento: Bombeo y Emisin Espontnea En primer lugar, se produce un proceso de bombeo, en el cual las partculas (tomos, molculas o iones) del medio lser se excitan, promovindose sus electrones a niveles de energa superiores y con tiempos de vida ms cortos. Este proceso se produce mediante un aporte de energa. A continuacin, suele tener lugar un proceso de relajacinparcial de las partculas excitadas mediante emisin de calor. Como paso previo a la emisin lser, los electrones de algunas de estas partculas excitadas vuelven al estado fundamental mediante un fenmeno de emisin espontnea. Este fenmeno se traduce en la emisin ordinaria de fotones cuya energa equivale a la diferencia de energa entre los niveles implicados en el fenmeno lser. Emisin Estimulada Confinados dentro de la cavidad resonante, los fotones emitidos espontneamente se reflejan en los espejos y atraviesan repetidamente el medio lser. Cuando uno de estos fotones choca con una partcula excitada se produce de forma instantnea una desexcitacin de esta partcula, mediante un trnsito radiactivo en el que se emite un nuevo fotn, en fase con el primero y con su misma energa. As, se produce una interferencia constructiva que da lugar a una radiacin ms intensa y coherente (fotones en fase). Este proceso se puede repetir sucesivamente, dando lugar a una radiacin de alta intensidad. Este fenmeno recibe el nombre de emisin estimulada y es el que da lugar a la radiacin lser.

El inconveniente de la Absorcin Estos procesos parecen bastante lgicos en un medio en el que hay un gran nmero de partculas excitadas, pero no hay que olvidar que tambin pueden existir otras muchas que permanezcan en estado fundamental. As, tambin es muy probable que la radiacin, espontnea o ya amplificada incida sobre una partcula que se encuentra en el estado fundamental y la excite. Esto provoca una disminucin de la intensidad de la radiacin que, de repetirse continuamente, se puede llegar a extinguir. Este fenmeno de absorcin compite claramente con el de emisin estimulada y es desfavorable para la emisin lser. Para evitarlo, se trata de conseguir que el nmero de partculas en estado excitado supere al nmero de partculas en estado fundamental, minimizando as la posibilidad de que ocurra la absorcin y favorecindose la emisin estimulada. Este fenmeno se conoce como inversin de poblacin y es caracterstico de la radiacin lser. La inversin de la poblacin viene determinada por la efectividad de la etapa de bombeo y de la caja de resonancia, as como por la naturaleza del medio lser.