Mantenimiento de equipos electrnicos

RESISTENCIAS Propiedad de un objeto o sustancia que hace que se resista u oponga al paso de una corriente elctrica. La resistencia de un circuito elctrico determina segn la llamada ley de Ohm cunta corriente fluye en el circuito cuando se le aplica un voltaje determinado. La unidad de resistencia es el ohmio, que es la resistencia de un conductor si es recorrido por una corriente de un amperio cuando se le aplica una tensin de 1 voltio. La abreviatura habitual para la resistencia elctrica es R, y el smbolo del ohmio es la letra griega omega, . En algunos clculos elctricos se emplea el inverso de la resistencia, 1/R, que se denomina conductancia y se representa por G. La unidad de conductancia es siemens, cuyo smbolo es S. An puede encontrarse en ciertas obras la denominacin antigua de esta unidad, mho. Clasificacin de las resistencias Podemos clasificar las resitencias en tres grandes grupos:
o o o

Resistencias fijas: Son las que presentan un valor hmico que no podemos modificar. Resistencias variables: Son las que presentan un valor hmico que nosotros podemos variar modificando la posicin de un contacto deslizante. Resistencias especiales: Son las que varan su valor hmico en funcin de la estimulacin que reciben de un factor externo (luz, temperatura...)

Nomenclatura de las resistencias En todas las resistencias nos podemos encontrartres caractersticas, el valor nominal expresado en mios ( la tolerancia en % y la potencia en vatios (W). ,

Smbologia
Resistencia smbolo general Resistencia smbolo general

Resistencia no reactiva

Resistencia no reactiva

Resistencia variable

Resistencia variable por pasos o escalones

Resistencia variable

Resistencia ajustable

Resistencia ajustable

Impedancia

Potenciometro

Potenciometro de contacto mvil

Variable de variacin continua

NTC

PTC

VDR

LDR

LDR

Elementos de calefaccin

Resistencia en derivacin corriente y de tensin Resistencia con tomas fijas

Resistencia con toma de corriente

Cdigo de colores Como ya se indic con anterioridad, una dels formas de indicar el valor nominal de una resistencia es mediante un cdigo de colores que consta, como norma general, de 3 bandas de valor y una de tolerancia. El cdigo empleado es el siguiente: 1 y 2 bandas de color 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -

Color Negro Marrn Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco Oro Plata

Factor Tolerancia multiplicador x1 x 10 x 100 x 1000 x 10000 x 100000 x 1000000 x 10000000 x 100000000 x 1000000000 : 10 : 100 1% 2% 0'5 % 5% 10 %

Figura

- Clasificacin de los resistores fijos En principio, las resitencias fijas pueden ser divididas en dos grandes grupos:

Bobinados: Estn fabricados con hilos metlicos bobinados sobre ncleos cermicos. Como regla general, se suelen utilizar aleaciones del Nquel. Podemos distinguir dos subgrupos:

1. Resistores bobinados de potencia: Son robustos y se utilizan en circuitos de alimentacin, como divisores de tensin. Estn formados por un soporte de porcelana o aluminio aglomerado, sobre el que se devana el hilo resistivo. La proteccin la aporta el proceso final de cementado o vitrificado externo. Las tolerancias son inferiores al 10 % y su tensin de ruido es

prcticamente despreciable. Para garantizar su fiabilidad es conveniente que el dimetro no sea excesivo y que no se utilicen a ms del 50 % de su potencia nominal. 2. Resistores bobinados de precisin: La precisin del valor hmico de estos componentes es superior a + 1 por 100. Su estabilidad es muy elevada y presentan una despreciable tensin de ruido. El soporte, cermico o de material plstico (baquelita), presenta gargantas para alojar el hilo resistivo. El conjunto se impregna al vaco con un barniz especial. Son estabilizados mediante un tratamiento trmico y se obtienen tolerancias del + 0,25 %, + 0,1 % y + 0,05 %.

No bobinados: En estas resistencias el material resistivo se integra en el cuerpo del componente. Estn previstos para disipar potencias de hasta 2 vatios. Son ms pequeos y econmicos que los bobinados, y el material resistivo suele ser carbn o pelcula metlica. Dentro de este apartado caben resistores destinados a diversas finalidades, los cuales ofrecen caractersticas bsicas muy dispares. Veamos ahora algunos tipos de resitencias no bobinadas:

Resistencias aglomeradas o de precisin: son pequeos, econmicos y de calidad media. Los valores de tensin de ruido y coeficientes de temperatura y tensin son apreciables. Bien utilizados, tienen buena estabilidad. Se fabrican con una mezcla de carbn, aislante y aglomerante. Dependiendo de la cantidad de carbn, variar el valor hmico de la resistencia. Son sensibles a la humedad y tienen una tolerancia entre el 5 y el 20 %. Se deben usar en circuitos que no necesiten mucha precisin y no usar ms del 50 % de su potencia nominal. Resistencias de capa de carbn por depsitos: estn fabricados en un soporte vidrio sobre el que se deposita una capa de carbn y resina lquida. El valor hmico lo determina el porcentaje de carbn de la mezcla. El soporte se divide en partes, que componen las resistencias. Despus se metalizan los extremos, para soldar los terminales, se moldea con una resina termoendurecible, se comprueba el valor del componente y se litografan los valores. Resistores pirolticos: Sobre un ncleo de material cermico se deposita carbn por pirlisis. El ncleo se introduce en un horno al que se inyecta un hidrocarburo (metano, butano...). Este se descompone y el carbono se deposita en el ncleo; tanto ms cuanto mayor cantidad de hidrocarburo se inyecte en el horno. Despus de un proceso de esmaltado, se realiza el encasquillado de terminales, quedando preparado el resistor para el espiralado de la superficie resistiva. Para que haya un buen encasquillado, la metalizacin de los extremos se realiza con oro, plata o estao. El valor hmico es funcin del espesor de la capa espiralada. Dicho espesor

condiciona el coeficiente de temperatura. De ah que se tienda a espesores ms gruesos y a espiralados de mayor longitud para incrementar la estabilidad del componente. Finalmente se sueldan los terminales, se asla la superficie mediante sucesivas capas de pintura y se inscribe la codificacin de sus valores caractersticos.
o

Resistencias de capa metlica: Estn fabricados con una capa muy fina de metal (oro, plata, nquel, cromo u xidos metlicos) depsitados sobre un soporte aislante (de vidrio, mica, ..). Estas resistencias tienen un valor hmico muy bajo y una estabilidad muy alta. Resistencias de pelcula fotograbada: Puede ser por depsito de metal sobre una placa de vidrio o por fotograbado de hojas metlicas. Este tipo de resistencias tiene un elevado valor de precisin y estabilidad. Resistencias de pelcula gruesa Vermet: El soporte es una placa cermica de reducido espesor, sobre la que se deposita por serigrafa un esmalte pastoso conductor. El esmalte recubre los hilos de salida que ya se encontraban fijados sobre la placa soporte. Al introducir el conjunto en un horno, el esmalte queda vitrificado.

- Clasificacin de los resistores variables Este tipo de resistores presentan la particularidad de que su valor puede modificarse a voluntad. Para variar el valor hmico disponen de un cursor metlico que se desliza sobre el cuerpo del componente, de tal forma que la resistencia elctrica entre el cursor y uno de los extremos del resistor depender de la posicin que ocupe dicho cursor.En esta categora cabe distinguir la siguiente clasificacin:

Resistencias ajustables Resistencia variable (potencimetro):

- Clasificacin de los resistores especiales En el apartado de resistores especiales caben toda una variedad de componentes resistivos no lineales que modifican su valor hmico en funcin de algn factor externo: temperatura, tensin aplicada, luminosidad incidente.... Los principales tipos son:

Termistores: Son de mediana estabilidad y bajo precio. Se suelen fabricar a partir de elemntos o mateirlae semiconductores. Los termistores o resistores variables con la temperatura se encuadran en dos categoras:

NTC (Negative Thermistor Coeficient): Posee un coeficiente de temperatura negativo. La resistencia elctrica del componente disminuye al aumentar la temperatura. PTC (Positive Thermistor Coeficient): En este caso el coeficiente de temperatura es positivo. La resistencia elctrica del componente aumenta al hacerlo la temperatura. Varistores, VDR (Voltage Depended Resitor): Son resistencias cuyo valor hmico depende con la tensin. Mientras mayor es la tensin aplicada en sus extremos, menor es el valor de la resistencia del componente.

Magnetoresistores, MDR (Magnetic Depended Resistor): El valor hmico aumenta en funcin del campo magntico aplicado perpendicularmente a su superficie. Es decir la resistencia vara en funcin de la direccin del campo magntico. Fotoresistores, LDR (Light Depended Resistor): El valor hmico del componente disminuye al aumentar la intensidad de luz que incide sobre el componente.

Ejemplos: Rsistencia
Cdad. 10 100 Precio Unitario 0,019 0,018

Potenciometro
Cdad. 1 25 100 250 500 Precio Unitario 2,56 2,43 2,12 2,06 1,99

LDR
Cdad. 1 25 100 250 500 Precio Unitario 2,04 1,64 1,42 1,25 1,14

Tremistor
Cdad. 10 100 Precio Unitario 0,388 0,356

Resistencia de capa metalica

Cdad. 10 100 Precio Unitario 0,088 0,087

NTC
Cdad. 1 10 Precio Unitario 3,40 2,87

Resistencia de precisin
Cdad. 5 25 Precio Unitario 0,272 0,244

Redes de resisitencias

Cdad. 25 100

Precio Unitario 0,492 0,39

Resistencia de potencia
Cdad. 1 5 10 25 50 Precio Unitario 56,83 52,09 47,58 45,37 42,14

Capacitor

Un condensador o capacitor es un dispositivo utilizado en electricidad y electrnica, capaz de almacenar energa sustentando un campo elctrico. Aunque desde el punto de vista fsico un condensador no almacena carga ni corriente elctrica, sino simplemente energa mecnica latente; al ser introducido en un circuito se comporta en la prctica como capaz de almacenar la energa elctrica que recibe durante la carga, a la vez que la cede de igual forma durante la descarga. Un condensador electroltico es un tipo de condensador que usa un lquido inico conductor como una de sus placas. Tpicamente con ms capacidad por unidad de volumen que otros tipos de condensadores, son valiosos en circuitos elctricos con relativa alta corriente y baja frecuencia. Condensador de alta capacidad Los condensadores electroqumicos de doble capa, tambin conocidos como supercondensadores, supercapacitores, pseudocapacitores, ultracondensadores, ultracapacitores o simplemente EDLC por sus siglas en ingls, son dispositivos electroqumicos capaces de sustentar una densidad de energa inusualmente alta en comparacin con los condensadores normales, presentando una capacitancia miles de veces mayor que la de los electrolticos de alta capacidad. Usos y Aplicaciones del capacitor En el caso de los filtros de alimentadores de corriente se usan para almacenar la carga, y moderar el voltaje de salida y las fluctuaciones de corriente en la salida rectificada. Tambin son muy usados en los circuitos que deben conducir corriente alterna pero no corriente continua. Los condensadores electrolticos pueden tener mucha capacitancia, permitiendo la construccin de filtros de muy baja frecuencia. Circuitos temporizadores. Filtros en circuitos de radio y TV. Fuentes de alimentacin. Arranque de motores. Automviles hbridos Por la eficiencia en el uso de la energa estos dispositivos son un elemento prometedor para el desarrollo de medios de transporte que combinen la energa solar con la proveniente de combustibles fsiles. Su aprovechamiento se debe fundamentalmente a que permiten una mejor descarga de energa durante la aceleracin del vehculo. En la prueba realizada en el 2000 para los nuevos autobuses de transporte de la NASA que con el uso de condensadores se poda acelerar a 157 pies en 10 segundos con el mnimo de prdidas de energa. Un desarrollo importante es el uso de supercondensadores para el desarrollo de la unidad de apoyo auxiliar (APU por sus siglas en ingls). Freightliner y Delphi demostraron su uso en sistemas automotrices de pasajeros, aunque BMW argumenta que hay poca sensibilidad para su regulacin debido a las modificaciones hechas a la

gasolina para reducir la emisin de contaminantes, por lo que es viable instalarlos en sistemas basados en hidrgeno. Apoyo energtico Muchos proyectos en ingeniera, como el diseo de elevadores, requieren de ciclos donde en una etapa se requiera una baja descarga de energa y otros de una alta descarga (como cuando el elevador desciende y asciende). Esta demanda requiere de sistemas que permitan una regulacin precisa de la energa suministrada y una alta capacidad de almacenamiento de energa. De esta manera los supercondensadores suministran la energa necesaria para subir el elevador sin necesidad de sobrecargar la red elctrica. Aplicaciones de energa solar En aplicaciones de energa solar es necesario estabilizar la tensin suministrado por las fotoceldas, por lo que se utilizan supercondensadores de 2400 F dispuestos en paralelo para estabilizar el suministro de energa elctrica. De las fotoceldas generalmente se traslada la diferencia de potencial a una vlvula de regulacin de descarga cida. Actualmente se estudia la manera de controlar la tensin a travs de un banco de supercondensadores que permite disminuir los picos de tensin y proveer una corriente constante de 1.37 A por 45 segundos cada hora, gracias al almacenamiento de energa en el condensador y su liberacin estable en un circuito equivalente RLC. Almacenamiento de energa Uno de los usos ms extendidos de supercondensadores es su uso en sistemas microelectrnicos, memorias de computadoras y relojes y cmaras de alta precisin. Su uso permite mantener el funcionamiento de los dispositivos durante horas e incluso das. Sistemas de transferencia de energa Una aplicacin estudiada ampliamente en la actualidad es el uso de supercondensadores en sistemas UPS unido a sistemas de transferencia de energa acoplados por induccin (ICPT). Se utilizan para facilitar la transferencia de energa, hacer ms eficiente la carga de energa elctrica, permitiendo el aislamiento de los sistemas UPS para el funcionamiento de sistemas elctricos. Sistemas de transferencia de potencia En el rea de energa las propiedades de los supercondensadores son de gran importancia para la transferencia de energa. Los sistemas STATCOM (Compensadores Estticos) son dispositivos de la familia de los sistemas de transmisin de corriente flexible alternante (FACTS), y se utiliza para el control de los picos de tensin en sistemas elctricos. Cuando se conectan con sistemas de transferencia de potencia a elementos STATCOM, se produce una gran inductancia que produce un incremento en la corriente y picos de tensin, por lo que es necesario tener condensadores de gran capacitancia para compensar este fenmeno. Su uso permite mantener una corriente constante y menores picos de tensin para facilitar la transmisin de la energa elctrica. Los supercondensadores prometen llenar la brecha entre los condensadores y bateras.

Los EDLCs tienen una variedad de aplicaciones comerciales, especialmente en "suavizacin de energa" y los dispositivos de carga momentnea. Dentro de sus primeros usos cabe destacar como fuente de energa para el arranque de motores en grandes tanques de guerra y submarinos. Debido a que se ha reducido el coste de produccin, han comenzado a aparecer en los camiones diesel y en locomotoras. Ms recientemente se han convertido en un tema de gran inters en la llamada Energa verde, pues su capacidad de absorber energa rpidamente los hace particularmente adecuados para aplicaciones de freno regenerativo. Mientras que las pilas, por otro lado, tienen dificultades en esta tarea debido su lenta velocidad de carga. Por su tamao y peso reducido, los EDLCs, se estn adaptando para almacenar electricidad en vehculos elctricos. Un condensador de alta capacidad tiene un gran rendimiento (el 98% de la carga se devuelve); almacena mucha energa en relacin a su peso (4Wh/kg), aunque no tanto como una batera; no presentan efecto memoria y tienen una gran capacidad de carga y descarga rpida (5kW/kg).
Condensadores

Condensador no polarizado

Condensador no polarizado

Condensador variable

Condensador ajustable

Condensador polarizado sensible a la temperatura

Condensador polarizado sensible a la tensin

Condensador electroltico

Condensador electroltico

Condensador electroltico

Condensador electroltico multiple

Condensador polarizado

Condensador eletrolitico

Cdad. 1 10

Precio Unitario 17,44 15,57

Condensador de aluminio
Cdad. 1 5 Precio Unitario 19,59 19,43

Condensador ceramico
Cdad. 50 250 Precio Unitario 0,03 0,028

Condensador de potencia
Cdad. 25 125 Precio Unitario 0,242 0,202

Condensador supresor de tension

Cdad. 5 50 Precio Unitario 0,688 0,578

Inductancia

Debido a que el campo magntico alrededor de un conductor es muy dbil, para aprovechar la energa de dicho campo magntico se arrolla al alambre conductor y de esta forma se obtiene lo que se conoce como inductancia o bobina.

Al tener el alambre arrollado, se denomina excitacin magntica a la causa que origina el campo magntico y el valor de la excitacin magntica est dada por

donde: N: es la cantidad de espiras l: longitud de la bobina

La bobina ideal es un elemento pasivo, que almacena energa elctrica en forma de campo magntico

Aplicacin Existen bobinas de diversos tipos segn su: Aplicacin (filtros, transformadores,...) Ncleo (aire, ferrite, chapa) tipo de arrollamiento Funcin

Inductor de potencia

Cdad. 5 50

Precio Unitario 0,368 0,332

Inductor ceramico
Cdad. 10 100 Precio Unitario 0,32 0,295

Inductor toroidal diferencial

Cdad. 1 10 100 250 500 Precio Unitario 4,24 3,24 2,67 2,45 2,26

Inductor Chone
Cdad. 5 50 Precio Unitario 2,028 1,86

Inductor vertical
Cdad. 10 100 Precio Unitario 0,394 0,354

Inductor blindado
Cdad. 10 100 Precio Unitario 0,394 0,354

El transformador

El Transformador es un dispositivo que convierte energa elctrica de un cierto nivel de voltaje, en energa elctrica de otro nivel de voltaje, por medio de la accin de un campo magntico. Esta constituido por dos o ms bobinas de alambre, aisladas entre si elctricamente por lo general y arrolladas alrededor de un mismo ncleo de material ferromagntico. El arrollamiento que recibe la energa elctrica se denomina arollamiento de entrada, con independencia si se trata la mayor (alta tensin) o menor tensin (baja tensin). El arrollamiento del que se toma la energa elctrica a la tensin transformada se denomina arrollamiento de salida. En concordancia con ello, los lados del transformador se denominan lado de entrada y lado de salida. El arrollamiento de entrada y el de salida envuelven la misma columna del ncleo de hierro. El ncleo se construye de hierro por que tiene una gran permeabilidad, o sea, conduce muy bien el flujo magntico.

Fig. .1. Transformador monofsico. CLASIFICACIN La clasificacin de los transformadores es grande ya que estos pueden variar en forma fsica, caractersticas elctricas y eficiencia y cada una de estas clasificaciones se pueden adaptar mejor a cierta o varias aplicaciones. POR SU NIVEL DE VOLTAJE Transformadores Elevadores y Reductores Un transformador puede ser "elevador o reductor" dependiendo del nmero de espiras de cada bobinado.

Si se supone que el transformador es ideal. (La potencia que se le entrega es igual a la que se obtiene de l, se desprecian las prdidas por calor y otras), entonces:

Potencia de entrada (Pi) = Potencia de salida (Ps). Pi = Ps

Fig. .1. Transformador monofsico. POR SU NMERO DE FASES Transformadores monofsicos Los transformadores monofsicos, tanto de columnas como acorazados, se usan en distribucin de energa elctrica, por ejemplo para reducir, en lneas de MT de 13,2 kV a BT, 220V. Se los suele encontrar, de pequea potencia en soportes de lneas elctricas rurales. Tambin se los encuentra, en potencias altas, para constituir bancos trifsicos, con tres de ellos, en sistemas de distribucin Ejemplos: 10 kVA; 13200/220 V Transformadores Trifsicos El trifsico de columnas es el ms usado. Se lo encuentra desde pequeas potencias (10 kVA) hasta muy grandes (150 MVA). Como elevadores de tensin en las centrales, reductores en las subestaciones, de distribucin en ciudades, barrios, fbricas, etc. Transformadores Hexafsicos El exafsico (6 fases en el secundario) se diferencia, constructivamente, del trifsico, en que tiene una derivacin a la mitad de los devanados secundarios, y luego por supuesto, en la conexin entre ellos. Se lo usa para la rectificacin industrial y en traccin elctrica: subterrneos, tranvas, etc. Ejemplo: 13200/580 V. POR LA FORMA DEL NCLEO Transformador monofsico de columnas El transformador a columnas posee sus dos bobinados repartidos entre dos columnas del circuito magntico. En la figura se trata de un transformador monofsico dnde el circuito magntico se cierra por las culatas superior e inferior.

Fig. .2. Transformador monofsico a columnas. Transformador monofsico acorazado El transformador acorazado se caracteriza por tener dos columnas exteriores, por las que se cierra el circuito magntico, estas dos columnas no poseen ningn devanado. En los Transformadores monofsicos el devanado primario y secundario se agrupan en la columna central y el transformador tiene tres columnas en total. Transformador trifsico de columnas Transformador trifsico acorazado Transformador Hexafsico Transformador Toroidal Los transformadores toroidales representan, como ningn otro tipo, el diseo ideal sobre cmo debe ser un transformador. De hecho, Fraday dise y bobin el primer transformador sobre un ncleo toroidal. Tiene varias ventajas entre ella alto rendimiento, bajo nivel de ruido, menor calentamiento, peso y tamao reducido, facilidad de montaje.

POR SU NCLEO Por el ncleo sobre el cual van las bobinas a) Ncleo de Aire b) Ncleo de Hierro c) Ncleo Variable POR LA POSICIN DE SUS DEVANADOS La clasificacin ms grande que hay de los transformadores es la de su posicin de los devanados y estos se clasifican en: Transformadores de devanados separados Transformadores de devanados concntricos Transformadores de bobinas alternadas. SIMBOLOGIA:

Transformador toroidal
Cdad. 1 10 25 50 100 Precio Unitario 55,51 52,74 48,92 45,42 42,39

Transformador ncleo de bobina

Cdad. 5 50 Precio Unitario 1,23 1,158

Auto transformadores
Cdad. 1 10 25 50 100 Precio Unitario 57,13 50,80 48,00 37,51 33,76

Transformador electro regulable

Cdad. 1 Precio Unitario 5,75

Transformador de corriente

Cdad. 1 5

Precio Unitario 1,80 1,70

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Definicin : Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.

Los smbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo de los materiales tipo N y P en la fabricacin de estos dispositivos. El TEC tiene tres elementos. El terminal nodo se conoce como el drenaje y el terminal ctodo se conoce como fuente. El drenaje equivale al colector. La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a la base. Tipos : Se consideran tres tipos principales de FET: El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinacin tan sencilla entre los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P. Ahora la forma de obtenerlos es algo ms rebuscada. Sin embargo, sus propiedades hacen que merezca la pena su construccin, ya que son utilizados en gran medida por los fabricantes de circuitos electrnicos. A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razn es sencilla, si tomamos uno de ellos y cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde hay semiconductores de tipo P ponemos semiconductores de tipo N y viceversa, obtenemos otro transistor JFET pero de caractersticas distintas. As pues, para distingirlos, llamamos FET de canal p al primero y FET de canal n al segundo. Veremos cmo las propiedades de ambos no slo son distintas sino que son ms bien opuestas. Para aplicar su funcionamiento hay que tener en cuenta que tenemos dos tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de tres semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unin entre ellos. As pues, vamos a

considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la que llamaremos Vds, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual estar representada por Vgs. Estudiar las caractersticas de un transistor consta en jugar con las dos tensiones de que disponemos, aumentndolas, disminuyndolas y observando qu pasa con la corriente que lo atraviesa. Para estudiar su comportamiento, vamos a dejar fija la tensin entre la puerta y la fuente, Vgs, y vamos a suponer que variamos la tensin entre el drenador y la fuente, Vds. Se pueden distinguir tres zonas segn vamos aumentando el potencial Vds, estas son: zona hmica, zona de saturacin y zona de ruptura. En la zona hmica, el transistor se comporta como una resistencia (hmica), es decir, si aumentamos el potencial, Vds, crece la corriente (y) en la misma proporcin, esta situacin se mantiene as hasta que el potencial alcanza un valor aproximadamente de unos cinco voltios. A partir de este valor, si seguimos aumentando esa diferencia de potencial entre drenador y fuente, es decir, si seguimos aumentando Vds, el transistor entra en la zona de saturacin. Aqu su comportamiento es totalmente distinto al anterior, ya que, aunque se siga aumentando Vds, la corriente permanece constante. Si seguimos aumentando el potencial Vds de nuevo, llagamos a un valor de ste a partir del cual el comportamiento del transistor vuelve a cambiar. Este valor tiene que ser del orden de 40 voltios. Decimos entonces que hemos entrado en la zona de ruptura. A partir de este punto la corriente i puede circular libremente, independientemente de que sigamos aumentando el valor de Vgs. Es esta la razn por la cual los JFET se pueden utilizar como interruptores de encendido y apagado, propiedad esta fundamental en la computacin. Un JFET se encuentra en estado OFF (interruptor cerrado) cuando Vds es cero, ya que no pasa corriente alguna, y en estado ON (interruptor abierto) cuando Vds pasa de los 40 voltios. Evidentemente, estos valores reales dependern del tipo de transistor del que hablemos, ya existen FET para circuitos integrados y FET de potencia, estos ltimos con valores algo mayores que los primeros. Otro de los tipos de FET es el conocido como MOSFET Por ltimo, vamos a hablar del transistor ms utilizado en la actualidad, esto es el del MOSFET. La estructura de este transistor es la ms complicada de entre todos los vistos hasta ahora. Consta de los ya conocidos semiconductores P-N, colocados ahora de una nueva forma, y de un original material aislante, como es el dixido de silicio; esta pequea adicin de la capa del xido va a cambiar considerablemente las propiedades del transistor respecto a las que tenia el JFET.

Existen dos tipos de MOSFET: cuando tengamos una zona tipo P y dos tos N lo llamaremos MOSFET de canal n (o NMOS) y, por el contrario, si hay una sola zona tipo N y otras dos tipo P se llamar MOSFET de canal P (o PMOS). MOSFET de Empobrecimiento: El MOSFET de empobrecimiento de canal n El MOSFET de canal n se establece en un sustrato p, que es el silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n u los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa se SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal. Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar la terminal de compuerta (G). El desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al JFET. El JFET se controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo del drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSET de enriquesimiento, y capa de SiO2 acta como aislante. Para el MOSFET de canal n, una vGS negativa saca los elementos de la regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza Vp, el canal se estrangula. Los valores positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje. El MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos de vGS. Como la compuerta est aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequea (10-12 A) y vGS puede ser de cualquier polaridad. El MOSFET de empobrecimiento de canal p MOSFET de Enriquesimiento: El MOSFET de eriquesimiento de canal n El MOSFET de enriquesimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae a los electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin de los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT.

No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquesimiento, ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero para vGS = 0. Para valores de vGS > VT, la corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la ecuacin iD = k (vGS - VT)2. El valor de k depende la construccin de MOSFET y, en principio, es funcin del ancho y el largo del canal. Un valor tpico para k es 0.3 mA/V2; la tensin de umbral, VT, es especificada por el fabricante. Se puede encontrar un valor para gm derivando la ecuacin, como se hizo con los JFET. El MOSFET de enriquesimiento de canal p exhibe caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquesimiento de canal n. Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquesimiento es til en aplicaciones de CI debido a su tamao pequeo y su construccin simple. La compuerta para los MOSFET de canal n y de canal p es un depsito de metal en una capa de xido de silicio. La construccin comienza con un material de sustrato (de tipo p para canal n; de tipo n para canal p) sobre el cual se difunde material del tipo opuesto para formar la fuente y el drenaje. El MOSFET de eriquesimiento de canal p VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FET Las ventajas del FET se pueden resumir como sigue: 1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta independencia. Como esta independencia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador multietapa. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son , en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado ( es decir, se puede obtener una densidad de empaque mayor ). 5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje a fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones: 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. 3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica. CURVAS CARACTERSTICAS Aqu consideraremos las caractersticas iD-vDS completa para varios valores del parmetro vGS. En la siguiente figura se muestran las curvas caractersticas iDvDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p. antes de analizar estas curvas, tmese nota de los siguientes smbolos para los JFET de canal n y de canal p, que tambin se muestran en dicha figura. Estos smbolos son iguales excepto por la direccin de la flecha. Curvas caractersticas iD-VDS para un JFET Conforme se incrementa vGS (ms negativo para un canal n y ms positivo para un canal p) se transforma la regin desrtica y se cierra para un valor menor que iD. Por tanto, para el JFET de canal n la iD mxima se reduce desde IDSS con forme vGS se hace se hace ms negativo. Si vGS disminuyen an ms se alcanza un valor de vGS, despus del cual iD ser cero sin importar el valor de vDS. Este valor de vGS se denomina VGSOFF, tensin de estrangulamiento (Vp). El valor de Vp es negativo para un JFET de canal n y positivo para un JFET de canal p. CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA Caractersticas del JFET Es una grfica de la corriente de drenaje como funcin de la tensin compuerta a fuente por encima del estrangulamiento. Se grfica con vDS igual a una constante, aunque la caracterstica de transferencia es esencial independiente de vDS pues, luego de que el FET llega al estrangulamiento, iD permanece constante para valores mayores de vDS. Esto se puede ver a partir de las curvas iD-vDS , donde cada curva se vuelve plana para valores de vDS > Vp. Cada curva tiene un punto de saturacin diferente. En la anterior figura se muestran las caractersticas de transferencia y las caractersticas iD-vGD para un JFET de canal n. Las caractersticas de transferencia se pueden obtener de una extensin de las curvas iD-vDS. Un mtodo til de determinar la caracterstica de transferencia es con ayuda de la siguiente relacin: iD / iDSS = (1 - vGS / Vp )2

Por tanto, slo se necesita conocer iDSS y Vp, y toda la caracterstica queda determinada, Las hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parmetros, por lo que se puede construir la caracterstica de transferencia o utilizar la ecuacin directamente. Ntese que iD se satura ( es decir, se vuelve constante )con forme vDS excede la tensin necesaria para que el se estrangule. Esto se puede expresar como una ecuacin para vDS(sal) para cada curva, como sigue: vDS(sal) = vGS) + Vp DIFERENCIAS ENTRE FET Y LOS BJT Las diferencias ms resaltantes entre estos dos dispositivos son: 1. La independencia de entrada de los FET es considerablemente mayor que la de los BJT. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son , en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. 5. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento, a contrario de los BJT.

Transistores mosfet:
Cdad. 5 125 Precio Unitario 0,996 0,872

Cdad. 5 25

Precio Unitario 1,22 0,862

BJT Transistor de potencia

Cdad. 1 10 50 100 250 Precio Unitario 5,04 4,46 3,88 3,30 2,72

Cdad. 1 10 50 100

Precio Unitario 1,68 1,37 1,13 0,97

Cdad. 200 400

Precio Unitario 0,034 0,033

Cdad. 25 125

Precio Unitario 6,144 4,874

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Clases de Diodos Pondremos las diferentes clases de diodos que son ms comunes dentro de los circuitos electrnicos que podamos usar. - Diodos de unin. - Diodos de punta de contacto. - Diodo emisores de luz. - Diodo capacitivo (varicap). - Diodo Zener. - Diodo tnel. - Diodo Gunn. Diodos de unin: Los diodos de unin son los que hemos venido describiendo en esta seccin de diodos, es decir, el que consta de un cristal de germanio o de silicio, debidamente dopado, y tiene una forma cilndrica. Son diodos para baja potencia que se usan mucho como rectificadores de pequeos aparatos. A esta clase de diodo tambin se le conoce con el nombre de diodos de juntura. Es muy conveniente aprenderse de memoria cada uno de los smbolos electrnicos de los diodos, ello nos facilitar la comprensin de los esquemas, no slo los de de Areaelectronica.com, sino tambin cualquier esquema que necesiten entender. Diodos de punta de contacto: Poseen unas propiedades similiares a los diodos de unin y la nica diferencia es, en todo caso, el sistema de construccin que se ha aplicado. En la imagen se muestra un esquema de uno de estos elementos que consta de una punta de contacto en forma de muelle (1) que se hay conectada con un cristal de tipo P (2), el cual se haya a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). En la parte baja, una base metlica hace de soporte y asegura la rigidez del conjunto.

Exactamente igual que ocurre con los diodos de unin, el diodo de punta de contacto se comporta dejando pasar la corriente en un solo sentido. Diodos emisores de luz: Los diodos emisores tambin son conocidos con el nombre de LED (iniciales de su denominacin inglesa Light Emitter Diode) que tienen la particularidad de emitir luz cuando son atravesados por la corriente elctrica. Como quiera que consiguen una luz bastante viva y, adems, con una mnima cantidad de corriente (del orden a algunas decenas de miliamperios). Los diodos emisores de luz funcionan por un complicado proceso fsico en el que desprenden fotones al volver a su rbita de valencia. La energa luminosa radiada puede ser de color verde si el elemento a sido tratado con galio-fsforo, o roja si lo sido con galio-arsenio. De hecho los galios son muy conocidos por la gran variedad de aplicaciones que se les a encontrado en todo orden de aparatos electrnicos. Diodo capacitivo (varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Diodo Zener: El diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dipositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin. Diodo Tunel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin. Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo

una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Simbologa de diodos

Diodo rectificador

Diodo rectificador

Diodo zener

Diodo zener

Diodo varicap

Diodo varicap

Diodo varicap

Diodo Gunn Impatt

Diodo supresor de tensin

Diodo supresor de tensin

Diodo tnel

Diodo tnel

Diodo rectificador tnel

Diodo Schottky

Diodo Pin

Diodo Pin

Fotodiodo

Diodo LED

Fotodiodo bidireccional NPN

Fotodiodo de dos segmentos ctodo comn PNP

Diodo
Cdad. 50 250 Precio Unitario 0,076 0,065

ZENER Cdad. 100 200 Precio Unitario 0,03 0,026

Diodo de alta tension Cdad. Precio Unitario 20 100 400 0,525 0,394 0,316

Diodo laser
Cdad. 1 10 50 Precio Unitario 58,87 47,55 43,02

Cdad. 1 5 10

Precio Unitario 76,63 67,88 59,12

Los tiristores Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y

saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin.Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac. 1 EL DIODO SHOCKLEY El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico (IH).

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley 1.2 EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de conduccin de 10 V. Por tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto, no circula corriente por l y la lmpara estar apagada. Pero si la tensin de la fuente supera, por una falla en su funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara se enciende. Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La nica forma de apagar la lmpara sera desconectar la alimentacin.

Figura 3: Detector de sobretensin 2 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER) El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR

Figura 7: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada 2.3 APLICACIONES DEL SCR Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.

En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 8.

Figura 8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90 Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga. Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

Figura 9: Disparos cclicos para control de potencia 3 GCS (GATE CONTROLLED SWITCH) Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el paso de corriente con una seal en el terminal de gate. Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede

pasar al estado de corte mediante un pulso negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para entrar en conduccin.

Figura 10: Smbolo del GCS Los GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden soportar slo unas pocas decenas de amperios. 4 SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH) Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

Figura 11: Smbolo del SCS El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.

5 EL DIAC Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Figura 13: Caracterstica V-I del diac

6 EL TRIAC Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como el diac.

Figura 14: Construccin bsica y smbolo del TRIAC. En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Figura 15: Caracterstica V-I del triac Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

RESUMEN Como resumen final del tema se reflejan en una tabla las caractersticas ms importantes de los tiristores que se han presentado.
TIRISTOR UNIDIRECCIONAL BIDIRECCIONAL SHOCKLEY SCR GCS SCS DIAC TRIAC X X X X X X X X X X X X X 1 2 0 ON/OFF GATE GATE GATE X

Simbologa

Tristor SCR Silicon controlled rectifier

Tristor SCS Silicon controlled switch

Diac

Diac

Triac

Tristor Schottky PNPN de 4 capas

Diac
Cdad. 25 125 Precio Unitario 0,13 0,112

Cdad. 20 100

Precio Unitario 0,358 0,188

Cdad. 20 100

Precio Unitario 0,416 0,359

Triac
Cdad. 10 50 Precio Unitario 0,29 0,25

Cdad. 5 25 100

Precio Unitario 0,906 0,792 0,704

Cdad. 20 100

Precio Unitario 0,191 0,153

Circuitos Integrados Los circuitos integrados son unidades funcionales completas. Esto no quiere decir que por si mismos son capaces de cumplir la funcin para los que estn diseados. Para ello sern necesarios unos componentes pasivos y activos para completar dicha funcionalidad. Si los circuitos integrados no existieran las placas de circuito impreso para los aparatos seran muy grandes y adems estaran llenos de componentes. Este tipo de dispositivos, por su diseo, son capaces de albergar en su interior y de forma casi microscpica gran cantidad de componentes, sobre todo, semiconductores. No todos los componentes electrnicos se pueden integrar con la misma facilidad: Como antes se indic los semiconductores, bsicamente, los transistores y diodos, presentan menos problemas y menor costo en la integracin. Igualmente tanto resistencias como condensadores se pueden integrar pero aumenta el coste. Por ltimo las bobinas no se integran por la dificultad fsica que entraan, as mismo ocurre con rels, cristales de cuarzo, displays, transformadores y componentes tanto pasivos como activos que disipan una potencia considerable respecto de la que podran soportar una vez integrados. El proceso de fabricacin de un circuito integrado es como se observa en la figura de un modo esquemtico:

a) Diseo del circuito que se quiere integrar. b) Mscara integrada con los semiconductores necesarios segn el diseo del circuito. c) Oblea de silicio donde se fabrican en serie los chips. Circuitos Integrados http://www.portaltecnicofp.com Autor: Alfonso Vicente Sacn d) Corte del microchip. e) Ensamblado del microchip en su encapsulado y a los pines correspondientes. f) Terminacin del encapsulado. VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS Bajo coste. Debido a su integracin, es ms fcil almacenarlos por el espacio que ocupan. Tienen un consumo energtico inferior al de los circuitos anteriores. Permiten que las placas de circuitos impresos de las distintas aplicaciones existentes tengan un tamao bastante ms pequeo. Son ms fiables. Reducida potencia de salida. Limitacin en los voltajes de funcionamiento. Dificultad en la integracin de determinados componentes (bobinas, resistencia y condensadores de valores considerables...).

TIPOS DE TECNOLOGA EN LA FABRICACIN DE CIRCUITOS INTEGRADOS Los diseadores de circuitos integrados solucionan los problemas que se plantean en la integracin, esencialmente, con el uso de transistores. Esto determina las tecnologas de integracin que, actualmente, existen y se deben a dos tipos de transistores que toleran dicha integracin: los bipolares y los CMOS y sus variantes. ESCALAS DE INTEGRACION Las escalas de integracin hacen referencia a la complejidad de los circuitos integrados, dichas escalas estn normalizadas por los fabricantes.

CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS POR SU APLICACIN Circuitos de aplicacin especifica: circuitos diseados para una funcin concreta (tarjeta de sonido, de video, amplificadores, temporizadores, reguladores..) Circuitos de propsito general: aquellos circuitos que pueden realizar diferentes funciones (microcontroladores, familia 74XX y 40XX). Circuitos programables: presentan caractersticas intermedias a los anteriores (Dispositivos Lgicos Programables (PLD), Arrays de Puertas Programables (FPGA). ENCAPSULADOS

ENCAPSULADO DIP o DIL.- Este es el encapsulado ms empleado en montaje por taladro pasante en placa. Este puede ser cermico (marrn) o de plstico (negro). Un dato importante en todos los componentes es la distancia entre patillas que poseen, en los circuitos integrados es de vital importancia este dato, as en este tipo el estndar se establece en 0,1 pulgadas (2,54mm). Se suelen fabricar a partir de 4, 6, 8, 14, 16, 22, 24, 28, 32, 40, 48, 64 patillas, estos son los que ms se utilizan. Otra norma que tambin suele cumplirse se refiere a la identificacin de la numeracin de las patillas o pines: la patilla nmero uno se encuentra en un extremo sealada por un punto o una muesca en el encapsulado y se continua la numeracin en sentido antihorario (sentido contrario a las agujas del reloj), mirando al integrada desde arriba. Por regla general, en todos los encapsulados aparece la denominacin del integrado, as como, los cdigos particulares de cada fabricante. ENCAPSULADO FLAT-PACK.- se disean para ser soldados en mquinas automticas o semiautomticas, ya que por la disposicin de sus patillas se pueden soldar por puntos. El material con el que se fabrican es cermico. La numeracin de sus patillas es exactamente igual al anterior. Sus terminales tienen forma de ala de gaviota. La distancia entre patillas es de 1,27mm, la mitad que en los DIP. ENCAPSULADO SOIC.- Circuito integrado de pequeo contorno. Son los ms populares en los circuitos de lgica combinacional, tanto en TTL como en CMOS. Tambin la terminacin Circuitos Integrados http://www.portaltecnicofp.com Autor: Alfonso Vicente Sacn de las patillas es en forma de ala de gaviota. Se sueldan directamente sobre las pistas de la placa de circuito impreso, en un rea denominada footprint. La distancia entre patillas es de 1,27mm (0,05"). La numeracin de los pines es exactamente igual a los casos anteriores. ENCAPSULADO PLCC.- Se emplea en tcnicas de montaje superficial pero, generalmente, montados en zcalos, esto es debido a que por la forma en J que tienen sus terminales la soldadura es difcil de verificar con garantas. Esto permite su uso en tcnicas de montaje convencional. Se fabrican en material plstico. En este caso la numeracin de sus patillas vara respecto de los anteriores. El punto de inicio se encuentra en uno de los lados del encapsulado, que coincide con el lado de la cpsula que acaba en chafln, y siguiendo en sentido antihorario. La distancia entre terminales es de 1,27mm. ENCAPSULADO LCC.- Al igual que el anterior se monta en zcalo y puede utilizarse tanto en montaje superficial como en montaje de taladro pasante. Se fabrica en material cermico y la distancia entre terminales es cermico. Los encapsulados que aparecen en este tema son los ms importantes y los ms utilizados. Como es lgico esta es una pequea seleccin de la infinidad de tipos de cpsulas que existen. Si pulsas en el siguiente botn vers una clasificacin de circuitos integrados bajo dos criterios que se refieren a la forma fsica y disposicin de patillaje, as como, al montaje en placa de circuito impreso (Montaje convencional y SMD).

MONTAJE CONVENCIONAL:

El rele Es un dispositivo que consta de dos circuitos diferentes: un circuito electromagntico (electroimn) y un circuito de contactos, al cual aplicaremos el circuito que queremos controlar. En la siguiente figura se puede ver su simbologa as como su constitucin (rele de armadura).

Smbolo del rel Smbolo del rel de Partes de un rel de armaduras de un circuito dos circuitos

Su funcionamiento se basa en el fenmeno electromagntico. Cuando la corriente atraviesa la bobina, produce un campo magntico que magnetiza un ncleo de hierro dulce (ferrita). Este atrae al inducido que fuerza a los contactos a tocarse. Cuando la corriente se desconecta vuelven a separarse. Los smbolos que aparecen en las figuras poseen solo 1 y dos circuitos, pero existen rels con un mayor nmero de ellos. CARACTERSTICAS TCNICAS Parte electromagntica Corriente de excitacin.- Intensidad, que circula por la bobina, necesaria para activar el rel. Tensin nominal.- Tensin de trabajo para la cual el rel se activa. Tensin de trabajo.- Margen entre la tensin mnima y mxima, garantizando el funcionamiento correcto del dispositivo. Consumo nominal de la bobina.- Potencia que consume la bobina cuando el rel est excitado con la tensin nominal a 20C.

Contactos Parte mecnica Tensin de conexin.- Tensin entre contactos antes de cerrar o despus de abrir. Intensidad de conexin.- Intensidad mxima que un rel puede conectar o desconectarlo. Intensidad mxima de trabajo.- Intensidad mxima que puede circular por los contactos cuando se han cerrado.

Los materiales con los que se fabrican los contactos son: plata y aleaciones de plata que pueden ser con cobre, nquel u xido de cadmio. El uso del material que se elija en su fabricacin depender de su aplicacin y vida til necesaria de los mismos. RELES MAS UTILIZADOS DE ARMADURA El electroimn hace vascular la armadura al ser excitada, cerrando los contactos dependiendo de si es normalmente abierto o normalmente cerrado. DE NCLEO MVIL Tienen un mbolo en lugar de la armadura. Se utiliza un solenoide para cerrar los contactos. Se suele aplicar cuando hay que manejar grandes intensidades.

Rel de armaduras

Rel de armaduras

Rel Reed

Rel en encapsulado tipo DIP

Rel en encapsulado tipo DIP

Aplicacin de los reles como mdulos de interface

Las aplicaciones de este tipo de componentes son mltiples: en electricidad, en automatismos elctricos, control de motores industriales; en electrnica: sirven bsicamente para manejar tensiones y corrientes superiores a los del circuito propiamente dicho, se utilizan como interfaces para PC, en interruptores crepusculares, en alarmas, en amplificadores...

INDICE

Resistencias1 Condensadores.10 Inductancias.14 Transformador.17 Transistores..22 Diondos29 Tiristores. 34 Ciruitos integrados...42 Relee46