PRINCIPIOS DE ELECTRNICA

Introduccin a la teora de bandas

Nuestro objetivo es adquirir unas ideas simples de cmo es la conduccin de la corriente elctrica en un slido cristalino. Los tomos de un slido cristalino estn ordenados en una estructura peridica tridimensional. Imaginemos un experimento ideal en el que se supone que la red de tomos se dilata, esto es, la separacin entre tomos aumenta. Llega un momento en que los tomos estn tan alejados unos de otros que se pueden considerar aislados e independientes. El propsito de este experimento mental es describir cmo se modican los estados energticos de los electrones en los tomos aislados a medida que los tomos se acercan hasta formar la red original. Comenzamos por un tomo aislado. Un electrn en un estado ligado de un tomo posee una energa potencial debida a los protones del ncleo igual a

Ep (x) =

Z|e|2 4 0 |x|

(1)

donde x representa la posicin sobre un eje que pase por el ncleo y cuyo origen est en el ncleo (ver gura 1).
E(x)
E p ( x) Ze 2 4
0

3s 2p 2s 1s

Figura 1: Energa potencial de un electrn debida a la interaccin elctrica con un in de carga q. En una visin clsica los electrones ligados podran tener cualquier energa menor que cero. La Mecnica Cuntica nos dice que los electrones se encuentran en niveles de energa discretos. Los estados energticos se ocupan siguiendo el principio de exclusin de Pauli. Esto es, dos electrones no pueden tener idnticos valores de nmeros cunticos, que en el caso del tomo son los nmeros n, l, ml y ms :

n l ml ms

= = = =

1, 2, 3, . . . 0, 1, . . . , n 1 = s, p, d, f, . . . l, l + 1, . . . , l 1, l 1/2, 1/2
1

Los nmeros cunticos denen un estado cuntico. Los electrones se van colocando en el tomo rellenando los niveles de energa ms bajos. Algunos ejemplos son: H He 3 Li 4 Be 5 B 6 C 7 N 8 O 9 F 10 Ne
1 2

1s1 1s2 1s2 2s1 1s2 2s2 1s2 2s2 2p1 1s2 2s2 2p2 1s2 2s2 2p3 1s2 2s2 2p4 1s2 2s2 2p5 1s2 2s2 2p6

Consideremos ahora dos tomos prximos. Si tenemos un electrn sometido al potencial de dos iones positivos la energa potencial en funcin de x a lo largo de un eje que pase por los dos iones sera como la de la gura 2. Clsicamente el electrn est compartido, movindose entre los dos iones, si su energa potencial es superior a un cierto valor E0 .
E(x)

1er in + E +

2do in

E0 E potencial suma

Figura 2: Energa potencial elctrica de un electrn cuando interacta con dos iones (lneas slidas). Para electrones con energas menores que E0 la situacin sera de connamiento en uno de los dos iones. Cunticamente, un electrn puede pasar de un in al otro incluso para energas E menores que E0 gracias al efecto tunel. La probabilidad de pasar de un in al otro va a depender de lo alta que sea la barrera de potencial, esto es de la diferencia de energa entre E y E0 . Los electrones ms internos, con niveles de energa ms profundos, no van a tener una probabilidad apreciable de pasar de un tomo a otro y, por tanto, no son necesarios a la hora de construir una teora de conduccin en los slidos cristalinos. Para estos electrones ms internos, las funciones de onda correspondientes solapan muy poco. Para hacernos una idea de cmo son los estados cunticos en la red cristalina comenzaremos por ver cmo los estados cunticos monoatmicos se van transformando a medida que acercamos los tomos. Comenzamos por dos tomos de hidrgeno muy separados. Los esquemas de las funciones de onda del nivel 1s son como los de la gura 3. A medida que la distancia entre tomos va disminuyendo las funciones de onda se van solapando. Cul es la autofuncin que 2

empleamos para describir un electrn que puede encontrarse con igual probabilidad tanto en el tomo 1 como en el 2? (Esto es un requerimiento de que los electrones son indistinguibles). Una posibilidad es escribir S = 1 +2 . Otra posibilidad es escribir A = 1 2 . Cuando los tomos estn muy lejos (d >> 1 ) las funciones de probabilidad dadas por ambas autofunciones son muy parecidas |S |2 = |A |2 . Cuando la distancia es del orden de 1 , las funciones 1 y 2 se solapan, y empiezan a ser diferentes las autofunciones simtrica y antisimtrica. Con S hay probabilidad de encontrar al electrn entre los iones, mientras que con A la probabilidad de encontrarlo entre los iones se reduce mucho. Al ser diferentes las probabilidades tambin son diferentes las energas asociadas a los estados. Resulta ser que S presenta una energa ms baja que A . Por cada nivel de energa atmico obtenemos dos niveles cuando acercamos los dos tomos. En cada nivel de energa (el de la funcin S o el de la funcin A ) caben dos electrones: uno con el spin hacia arriba y otro con el spin hacia abajo. La molcula H2 tiene los dos electrones en el estado dado por S .

+ x

Figura 3: Funciones de onda del estado fundamental para dos tomos de hidrgeno aislados.

+
s= 1+ 2

+
a= 12

Figura 4: Combinaciones simtrica y antisimetrica de las autofunciones del nivel fundamental para dos tomos de hidrgeno. Tomemos ahora un nmero N de tomos colocados en una recta con una distancia entre tomos d cada vez menor. Cada uno de los niveles de energa de los tomos aislados se rompe en N niveles de energa muy cercanos y se forma una banda de niveles de energa. Consideremos, por ejemplo, lo que sucede con el nivel 1s de seis tomos de hidrgeno. La funcin de onda 3

+
s

+ |2

+
2 a|

Figura 5: Densidad de probabilidad asociada a las autfunciones de la gura 4 Combinaciones simtrica y antisimetrica de las autofunciones del nivel fundamental para dos tomos de hidrgeno.
E

Ea-Es

1s

d d equilibrio

Figura 6: Desdoblamieto de los niveles de energa en dos estados energticos cuando se aproximan dos tomos. que describe a un electrn con igual probabilidad en cualquiera de los seis tomos para una distancia grande de separacin d ha de ser muy aproximadamente una combinacin lineal de las funciones individuales. Existen seis posibilidades: En el primer nivel tendremos que las seis funciones se suman simtricamente.

primer nivel = 1 + 2 + 3 + 4 + 5 + 6
En el segundo nivel tendremos:

segundo nivel = (1 + 2 + 3 ) (4 + 5 + 6 )
Los dems:

tercer nivel = 1 + 2 3 4 + 5 + 6 cuarto nivel = 1 2 3 + 4 5 6 quinto nivel = 1 2 + 3 + 4 5 + 6 sexto nivel = 1 2 + 3 4 + 5 6

4

La energa es menor cuando los electrones se encuentran con ms probabilidad en las regiones entre tomos. La representacin de E en funcin de la distancia atmica puede verse en la siguiente gura. Se muestra el desdoblamiento del estado 1s en una banda de seis niveles energticos. Notemos que a medida que la distancia entre tomos d disminuye la diferencia de energa entre el mximo y el mnimo de la banda aumenta.
E

banda de energa

1s

d d equilibrio

Figura 7: Desdoblamiento del estado 1s en una banda de seis niveles de energa en funcin de la separacin entre tomos. Cuando el anlisis se extiende a una red de N tomos, los estados idnticos individuales dan lugar a N estados de energas diferentes. No obstante, los dos extremos se parecern al primero y al sexto nivel del ejemplo. La diferencia de energa entre los extremos de la banda no depende apreciablemente de N . Sin embargo, la diferencia de energa entre niveles consecutivos disminuye con N . Cuando N es del orden del nmero de Avogadro, la diferencia de energa es insignicante entre niveles adyacentes ( 1023 eV) y se tiene una banda de energa cuasicontinua. (1 electrn-voltio= 1019 Julios). Hasta aqu hemos visto la situacin para un nivel de energa. Cuando tenemos tomos multielectrnicos donde hay diferentes estados cunticos, cada estado individual mono-atmico se rompe en bandas de energa al formarse el slido. La situacin es como la de la gura 8 donde vemos que los niveles cunticos mono-atmicos 1s, 2s, 2p, 3s,... dan lugar a bandas en el slido: banda 1s, banda 2s, banda 2p, banda 3s,... Para una misma distancia d la anchura de la banda es mayor donde haya ms solapamiento, esto es, la anchura ser mayor para los niveles correspondientes a electrones ms externos. Lo que hemos usado han sido modelos muy simples unidimensionales. Si queremos hacer clculos y comparar con el mundo real tendremos que tener en cuenta las tres dimensiones. Esto hace que las imgenes simples que nos hemos hecho tengan que modicarse un poco.

Conductores, semiconductores y aislantes

Para que un electrn contribuya a la corriente elctrica, ha de poder acelerarse en la presencia de un campo elctrico. Para que esto suceda, debe poder moverse a un nivel de energa superior desocupado y, esto implica, que la banda de energa ha de estar medio llena. Si la banda est llena no hay niveles de energa prximos a los que el electrn pueda acceder y, por tanto, no puede ser acelerado por el campo elctrico. 5

3s 2p 2s 1s E

banda 3s banda 2p banda 2s banda 1s

Figura 8: Desdoblamiento esperado de los cuatro primeros niveles del sodio en cuatro bandas de energa en el cristal de sodio. Vamos a considerar algunos ejemplos hipotticos. Si consideramos el sodio 11 Na (1s2 2s2 2p6 3s1 ), la forma esperada de la estrucura de bandas es como en la gura 9. Como los electrones siguen la estadstica de Fermi-Dirac, para T = 0 K todos ocupan los niveles ms bajos de energa y el nivel ms alto forma el nivel de Fermi. Para T > 0 algunos pocos electrones pueden ocupar niveles ms altos. Al tener la banda 3s a medio llenar el sodio es un conductor. Lo mismo le sucede a los elementos de su misma columna en la tabla peridica, como el Li, K, Rb, Cs.

sodio

magnesio 3p

1N 6N 2N 2N n e-

3s 2p 2s 1s E

2N 6N 2N 2N n e-

3s 2p 2s 1s banda E

banda

Figura 9: Esquema de la ocupacin de las bandas por los electrones en un cristal de N tomos de: (a) sodio, teniendo, por tanto, 11N electrones; (b) magnesio, con 12N electrones. El solapamiento de las bandas 3s y 3p hacen del magnesio un metal. La banda de energas ms alta conteniendo electrones es la banda de valencia (BV), la siguiente banda es la de conduccin (BC). Si la banda de valencia est parcialmente llena, entonces es tambin la banda de conduccin. Siguiendo el razonamiento, el magnesio 12 Mg (1s2 2s2 2p6 3s2 ) debera ser un aislante, al tener la banda 3s completamente llena. Sin embargo, un nuevo fenmeno, el solapamiento de la banda 3s con la 3p, hace que sea un conductor. Esto mismo sucede para el Berilio, Calcio, Bario. Para estos elementos la BV y la BC estn solapadas. 6

Consideremos ahora el 6 C en la estructura de diamante. En el esquema esperado para el diamante, la banda 2p estara parcialmente llena y podra conducir. Habra 2N electrones para 6N posiciones posibles. Sin embargo, se produce el solapamiento de la banda 2s con la 2p dando lugar a 8N niveles. Esta banda hbrida 2s2p se rompe para la distancia de separacin entre tomos, dando lugar a dos bandas de 4N posiciones separadas por un gap de energa Eg . De este modo aparece una banda de valencia completamente llena separada de una banda de conduccin. El diamante es un aislante. Lo mismo sucede con el Si y el Ge. La hibridacin se da entre las bandas 3s y 3p para el Si y entre las bandas 4s y 4p para el Ge. Los valores de las energas del gap son: Eg (C) = 6 eV, Eg (Si) = 1,1 eV y Eg (C) = 0,7 eV. A la temperatura T = 0 K los tres slidos se comportan de forma idntica y son aislantes. A temperatura ambiente para el Si y el Ge, sin embargo, un nmero apreciable de electrones adquieren energa trmica suciente para saltar a la banda de conduccin. Cuanto mayor sea T o menor sea Eg mayor ser el nmero de electrones que contribuyen a la corriente. La ley de probabilidad para que se d el salto de un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin es proporcional al factor exp(Eg /2kB T ). Para el Si el nmero de electrones en la banda de conduccin a temperatura ambiente (T 300 K) es Ne (Si) = 2,6 1015 m3 . Para el diamante este nmero ser:
6 exp( 2keV ) 3 Ne (C) 15 BT Ne (C) = Ne (Si) = 2,6 10 1028 m3 1,1 eV m Ne (Si) exp( 2k T )
B

que es un nmero insignicante y, por eso, el diamante es un aislante a temperatura ambiente. La cantidad de electrones de conduccin en el Si es pequea comparada con la de aquellos en un metal, que es del orden de 1028 m3 . An as la conduccin es apreciable y el Si y Ge slidos son semiconductores.
diamante 4N
Eg=6eV

diamante 2s2p 2s2p 1s banda E

2N 2N 2N n e-

2p 2s 1s banda E

4N 2N n eocupacin real

ocupacin esperada

Figura 10: Al desdoblamiento de los niveles atmicos de energa del carbono en sus respectivas bandas de energa le sigue el solapamiento de las bandas 2s y 2p. Posteriormente, esta banda hbrida '2s2p' se desdobla a medida que la separacin interatmica decrece. En el equilibrio, un gap de energa Eg separa las dos bandas hbridas en el cristal de diamante.

Corriente en semiconductores
Los electrones que alcanzan la banda de conduccin pueden ser acelerados, pasando a niveles de energa mayores accesibles, y producir corriente elctrica. Al mismo tiempo se produce un 7

fenmeno nuevo, los huecos dejados por los electrones en la banda de valencia se comportan como portadores de carga positiva. En efecto, el hueco de la BV puede ser ocupado por un electrn de dicha banda, dejando un hueco detrs. Si pensamos en un hueco en un tomo en presencia de un campo elctrico aplicado, este hueco puede ser ocupado por un electrn de la BV de un tomo vecino que es atrado por el campo. Al saltar este electrn dejar un hueco en el tomo que podr ser a su vez ocupado por otro electrn de un tomo cercano. El hueco se mover en direccin contraria al movimiento de los electrones, o sea, en direccin del campo aplicado. Por ello, se comporta como una carga positiva. De este modo, a la corriente elctrica contribuyen tanto los electrones de la BC como los huecos de la BV:

j = |e|Ne ve + |e|Nh vh

(2)

(Desde luego, ante la aplicacin de un campo contribuyen a la corriente en el mismo sentido). El paso de un electrn de la BV a la BC requiere un aporte energtico y el salto de la BC a la BV produce energa. Existe un equilibrio dinmico donde se producen pares electrn-hueco a la vez que se aniquilan. Esto puede tratarse como una reaccin qumica:

Red
Esta reaccin sigue una ley de accin de masas:

e+h

[e] [h] = Ke

Eg BT

(3)

En un semiconductor puro (intrnseco) el nmero de electrones en la BC es igual al nmero de huecos en la BV, luego [e]=[h] y tenemos

[e] = [h] = K 1/2 e

2k

Eg BT

(4)

La conductividad vara con la temperatura absoluta como vara la concentracin de portadores.

Dopado
Si en una red de tomos de silicio (14 Si) cambiamos algunos pocos tomos por tomos de aluminio (13 Al) es de esperar que la estructura global de bandas no se altere. Estos tomos de 13 Al aportan un electrn menos a la banda de valencia (3 e de valencia en vez de 4). Aparece un hueco por cada tomo de aluminio. Estos huecos se presentan como portadores de carga incluso a temperaturas muy bajas. Se requiere muy poca energa para que el aluminio acepte un electrn quedando cargado negativamente. A temperatura ambiente esto se produce y el hueco es libre de moverse por la red en la BV. Vese el esquema de enlaces y de las bandas de energa (g. 11). Este semiconductor dopado se llama de tipo p porque la mayora de los portadores de carga son huecos en la BV. Si por el contrario suministramos unos pocos tomos de fsforo (15 P) a la red de silicio, por cada tomo de fsforo tendremos un electrn de ms, 5 e de valencia en vez de 4. Con muy poca energa ese electrn de ms rompe su enlace y se va a la red en la BC. Vase el esquema de los enlaces y de las bandas de energa (g. 11). Este semiconductor dopado se llama de tipo n porque los portadores mayoritarios son electrones en BC. Notemos que esto puede analizarse mediante el equilibrio de la reaccin entre electrones y huecos (ec. 3). 8

Al+eAl Si

Al -

P hueco

P ++ee- sobrante

Al -+h+ Si Si Si Si

Si

Si

Al

Si

Si

Si semiconductor tipo p

Si

Si

Si semiconductor tipo n

Si

Figura 11: Esquema de enlaces en semiconductor tipo p y tipo n.