CONDUCTORES DE LA CORRIENTE ELCTRICA Conductores son todos aquellos materiales o elementos que permiten que los atraviese el flujo

de la corriente o de cargas elctricas en movimiento. Si establecemos la analoga con una tubera que contenga lquido, el conductor sera la tubera y el lquido el medio que permite el movimiento de las cargas.

Caja preparada con conductores elctricos de cobre para colocar. tomas de corriente en una instalacin elctrica domstica.

Cuando se aplica una diferencia de potencial a los extremos de un trozo de metal, se establece de inmediato un flujo de corriente, pues los electrones o cargas elctricas de los tomos que forman las molculas del metal, comienzan a moverse de inmediato empujados por la presin que sobre ellos ejerce la tensin o voltaje. Esa presin procedente de una fuente de fuerza electromotriz (FEM) cualquiera (batera, generador, etc.) es la que hace posible que se establezca un flujo de corriente elctrica a travs del metal.

BUENOS Y MALOS CONDUCTORES DE LA CORRIENTE ELCTRICA Los mejores conductores de la corriente elctrica son los metales, porque ceden ms fcil que otros materiales los electrones que giran en la ltima rbita de sus tomos (la ms alejada del ncleo). Sin embargo, no todos los metales son buenos conductores, pues existen otros que, por el contrario, ofrecen gran resistencia al paso de la corriente y por ello se emplean como resistencia elctrica para producir calor. Un ejemplo de un metal que se comporta de esa forma es el alambre nicromo (NiCr). Resistencia de alambre nicromo utilizada como. elemento calefactor en una secadora de pelo.

El ms utilizado de todos los metales en cualquier tipo de circuito elctrico es el cobre (Cu), por ser relativamente barato y buen conductor de la electricidad, al igual que el aluminio (Al). Sin embargo, los mejores metales conductores son el oro (Au) y la plata (Ag), aunque ambos se utilizan muy limitadamente por su alto costo.

El oro se emplea en forma de hilo muy fino para unir los contactos de los chips de circuitos integrados y microprocesadores a los contactos que los unen con las patillas exteriores de esos elementos electrnicos, mientras que la plata se utiliza para revestir los contactos elctricos de algunos tipos de rels diseados para interrumpir el flujo de grandes cargas de corriente en amper. El aluminio, por su parte, se emplea para fabricar cables gruesos, sin forro. Este tipo de cable se coloca, generalmente, a la intemperie, colgado de grandes aislantes de porcelana situados en la parte ms alta de las torres metlicas destinadas a la distribucin de corriente elctrica de alta tensin.

(A) cable o conductor compuesto por un solo alambre rgido de. cobre. (B) cable o conductor compuesto por varios alambres flexibles de. cobre. Ambos tipos de conductores poseen un forro aislante de PVC.

La mayora de los conductores que emplean los diferentes dispositivos o aparatos elctricos poseen un solo hilo de alambre de cobre slido, o tambin pueden estar formado por varios hilos ms finos, igualmente de cobre. Ambos tipos de conductores se encuentran revestidos con un material aislante, generalmente PVC (cloruro de polivinilo). Mientras mayor sea el rea transversal o grosor que tenga un conductor, mejor soportar el paso de la corriente elctrica, sin llegar a calentarse en exceso o quemarse.

MATERIALES SEMICONDUCTORES Y AISLANTES Existen tambin otros elementos denominados metaloides, que actan como semiconductores de la corriente elctrica. Entre esos elementos o materiales se encuentran el silicio (Si), el galio (Ga) y el germanio (Ge). Los tomos de esos elementos son menos propensos a ceder electrones cuando los atraviesa una corriente elctrica y su caracterstica principal es dejarla pasar en un solo sentido e impedirlo en sentido contrario. El cristal de silicio es el elemento ms utilizado en la actualidad como material semiconductor para fabricar diodos, transistores, circuitos integrados y los microprocesadores que utilizan los ordenadores o computadoras personales, as como otros dispositivos digitales. A la derecha se pueden ver las patillas de conexin situadas en la parte inferior de un microprocesador Pentium 4. Microprocesador Pentium 4

Por ltimo estn los materiales aislantes, cuyos tomos ni ceden ni captan electrones. Entre esos materiales se encuentran el plstico, la mica, el vidrio, la goma, la cermica, etc. Todos esos materiales y otros similares con iguales propiedades, oponen total resistencia al paso de la corriente elctrica.

Si establecemos de nuevo una analoga con un lquido que circule a travs del circuito hidrulico de una tubera, como se hizo al principio de este tema con los conductores, el aislador sera el equivalente al mismo tubo del circuito hidrulico, pero en este caso conteniendo lquido congelado, lo cual obstruira por completo el movimiento de los tomos del lquido a travs de la tubera. Esto sera algo similar a lo que ocurre con las cargas elctricas cuando tropiezan con un material aislante que le interrumpe el paso en un circuito elctrico. Esa es, precisamente, la funcin de los aisladores que vemos colgando de las torres de distribucin elctrica, para soportar los cables y evitar que la corriente pase a la estructura metlica o de cemento de la torre. Aislador empleado para soportar los cables de aluminio que, colgados de las torres de alta tensin, transmiten la energa. elctrica hasta los lugares que la requieren.

MATERIALES SEMICONDUCTORES Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con. caractersticas de semiconductores, identificados con su correspondiente. nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo. gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de. fondo azul a no metales. Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores. Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Nmero Atmico 48 5 13 31 49 14 32 15 33 51 16 34 52 Nombre del Elemento Cd (Cadmio) B (Boro) Al (Aluminio) Ga (Galio) In (Indio) Si (Silicio) Ge (Germanio) P (Fsforo) As (Arsnico) Sb (Antimonio) S (Azufre) Se (Selenio) Te (Telurio) VIa Va IVa Metaloide No metal Metaloide 6e
-

Grupo en la Tabla Peridica IIa

Categora Metal Metaloide

Electrones en la ltima rbita 2e 3e

-

Nmeros de valencia +2 +3

IIIa

Metal
-

4e

+4

5e

+3, -3, +5

No metal Metaloide

+2, -2 +4, +6

Incremento

de

la

conductividad

en

un

elemento

semiconductor

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores

depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta. En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: Elevacin de su temperatura Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar. En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales semiconductores se comportarn como conductores o como aislantes.

La conductividad elctrica de los cuerpos materiales ( ) constituye la capacidad que. tienen de conducir la corriente elctrica. La frmula matemtica para hallar la. conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad ( ) se obtiene hallando primeramente el resultado de la recproca de la resistencia (o sea, 1/R) multiplicndolo a continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la longitud del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se puede observar tambin que la resistencia (R) es inversamente proporcional a (), por lo que, a menor resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante ser mayor.

SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS"

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrnsecos 2. Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica. Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o

que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge). Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica. Placa individual de 2 x 2 cm de rea, correspondiente a un antiguo diodo de selenio. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto, presentaciones multimedia o msica grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plstico comn. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico. Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

CONVERSIN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P" Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente elctrica si para ello alteramos su estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas". Para realizar ese cambio ser necesario introducir tomos de otros elementos semiconductores apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o ltima rbita (tomos trivalentes) o tambin cinco electrones en esa propia rbita (tomos pentavalentes). A tales efectos se consideran impurezas los siguientes elementos con tomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In). Tambin se consideran impurezas los tomos pentavalentes de arsnico (As), fsforo (P) o de antimonio (Sb). Cuando aadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequea cantidad de tomos de un elemento pentavalente en funcin de impurezas, estos tomos adicionales reciben el nombre de "donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del semiconductor. Si, por el contrario, los tomos que se aaden como impurezas son trivalentes, se denominan entonces "aceptantes, porque cada uno tendr que captar o aceptar un electrn procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del germanio. La conductividad que presente finalmente un semiconductor dopado depender de la cantidad de impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporcin de un tomo de impureza que se aade por cada 100 millones de tomos del elemento semiconductor, la conductividad aumenta en 16 veces.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N" Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) formando una celosa. Como se puede observar, esta estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio (Sb) para crear un material semiconductor extrnseco. Los tomos de silicio (con cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los tomos de antimonio (con cinco en su ltima rbita banda de valencia). En esa unin quedar un electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada tomo de antimonio que se haya aadido. De esa forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura. Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica. No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se puedan mover libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor es mucho ms limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen conductor.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P" Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de silicio quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio, como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los

huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si). que forman, como en el caso anterior, una celosa, dopada. ahora con tomos de galio (Ga) para formar un. semiconductor extrnseco. Como se puede observar en. la. ilustracin, los tomos de silicio (con cuatro electrones en. la. ltima rbita o banda de valencia) se unen formando. enlaces covalente con los tomos de galio (con tres. electrones en su banda de valencia). En esas condiciones. quedar un hueco con defecto de electrones en la. estructura. cristalina de silicio, convirtindolo en un. semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto de. electrones en la estructura.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial a un. elemento semiconductor, se establece una. corriente de electrones en un sentido y otra. corriente de huecos en sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto. Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".

Electricidad esttica
Written by Michele CatanzaroFriday, 15 September 2006 16:22

Vas andando por un pasillo, te acercas a la puerta, te dispones a abrirla y... ZAP! Calambre! O bien llegas a casa un da fro, te sacas el jersey de lana, y... BOING! Todos los pelos se te ponen de punta! Qu demonios est pasando? La respuesta: la electricidad esttica. Todos los objetos que vemos estn formados por partculas minsculas denominadas tomos. An cuando la palabra tomo significa "indivisible", los tomos tambin estn formados por partculas todava ms pequeas. Cuando se bautiz al tomo, obviamente, esto no se saba. Estas partculas que forman los tomos se denominan protones, neutrones y electrones, y son bien diferentes entre ellas. Una caracterstica que las diferencia es su carga elctrica. Los protones tienen carga positiva, los electrones tienen carga negativa y los neutrones no tienen carga elctrica, son neutros. Normalmente los tomos tienen el mismo nmero de protones y electrones, de forma que las cargas positivas y negativas se compensan. As, la carga global del tomo resulta neutra. Pero si frotamos dos objetos el uno contra el otro, algunos electrones pueden pasar de unos tomos a los otros. Los tomos que ganan nuevos electrones adquieren carga negativa. Los que pierden, resultan cargados positivamente. Cuando las cargas se separan de esta manera se denomina electricidad esttica.

Se me ponen los pelos de punta!

Si dos cosas tienen cargas opuestas, se atraen; pero si tienen la misma carga, se repelen. Esto explica por qu el cabello se nos pone de punta cuando nos sacamos un jersey o un sombrero de lana. Dado que al realizar esta accin frotamos nuestros cabellos con la lana, algunos electrones del cabello pasan al tejido y as los pelos nos quedan cargados positivamente. Las cosas con la misma carga se repelen. Por lo tanto, los cabellos intentan alejarse los unos de los otros. Como estn bien enganchados a nuestra cabeza (por suerte), lo ms efectivo que pueden hacer es ponerse de punta, bien lejos del resto.

Rayos
Los rayos son fenmenos debidos a la descarga sobre el suelo de la electricidad esttica que se ha generado en las nubes por el rozamiento de los cristales de agua que contienen.

La carga no se crea ni se destruye...

Cuando cargamos un objeto con electricidad esttica, no creamos ni destruimos electrones, ni tampoco hacemos aparecer o desaparecer protones. Los electrones simplemente pasan de un lugar a otro. La carga global, por lo tanto, se mantiene. Esto es lo que se denomina el principio de conservacin de la carga.

Invierno-verano
Normalmente, slo notamos la electricidad esttica en invierno, cuando el aire es muy seco. Durante el verano, el aire es ms hmedo. El agua que hay en el aire ayuda a los electrones a salir de nuestro cuerpo, porque es conductora de la electricidad; por esto no podemos llegar a cargarnos lo suficiente.

La serie triboelctrica
Si andamos por una moqueta, especialmente las sintticas, y la frotamos, sus electrones pasan a nuestro cuerpo. Si entonces tocamos la cerradura de la puerta... ZAP!! Los electrones pasan de nosotros a la cerradura y sentimos un calambre porque nuestros receptores nerviosos se estimulan. Cuando frotamos dos materiales, los electrones de uno de ellos pasan al otro. Qu material liberar electrones y cul los aceptar? Los cientficos han clasificado los materiales en funcin de su capacidad de conservar o ceder electrones. Esta clasificacin se denomina serie triboelctrica. A continuacin puedes encontrar una serie triboelctrica casera.

Tu mano Vidrio Lana Seda Papel Algodn Goma Poliester Plstico PVC

En condiciones ideales, si dos de estos materiales se frotan el uno contra el otro, el que est ms arriba cede los electrones y se carga positivamente. Puedes comprobarlo t mismo experimentando con ellos.

Electricidad esttica [editar]

La electricidad esttica es un fenmeno que se debe a una acumulacin de cargas elctricas en un objeto. Esta acumulacin puede dar lugar a una descarga elctrica cuando dicho objeto se pone en contacto con otro. Antes del ao 1832, que fue cuando Michael Faraday public los resultados de sus experimentos sobre la identidad de la electricidad, los fsicos pensaban que la electricidad esttica era algo diferente de la electricidad obtenida por otros mtodos. Michael Faraday demostr que la electricidad inducida desde un imn, la electricidad producida por una batera, y la electricidad esttica son todas iguales. La electricidad esttica se produce cuando ciertos materiales se frotan uno contra el otro, como lana contra plstico o las suelas de zapatos contra la alfombra, donde el proceso de frotamiento causa que se retiren los electrones de la superficie de un material y se reubiquen en la superficie del otro material que ofrece niveles energticos ms favorables. O cuando partculas ionizadas se depositan en un material, como ocurre en los satlites al recibir el flujo del viento solar y de los cinturones de radiacin de Van Allen. La capacidad de electrificacin de los cuerpos por rozamiento se denomina efecto triboelctrico; existe una clasificacin de los distintos materiales denominada secuencia triboelctrica. La electricidad esttica se utiliza comnmente en la xerografa, en filtros de aire, en algunas pinturas de automvil, en algunos aceleradores de partculas subatmicas, etc. Los pequeos componentes de los circuitos elctrnicos pueden daarse fcilmente con la electricidad esttica. Sus fabricantes usan una serie de dispositivos antiestticos y embalajes especiales para evitar estos daos. Hoy la mayora de los componentes semiconductores de efecto de campo, que son los ms delicados, incluyen circuitos internos de proteccin antiesttica.

Aislantes y conductores [editar]

Los materiales se comportan de forma diferente en el momento de adquirir una carga elctrica. As, una varilla metlica sostenida con la mano y frotada con una piel no resulta cargada. Sin embargo, s es posible cargarla cuando al frotarla se usa para sostenerla un mango de vidrio o de plstico y el metal no se toca con las manos al frotarlo. La explicacin es que las cargas pueden moverse libremente entre el metal y el cuerpo humano, lo que las ira descargando en cuanto se produjeran, mientras que el vidrio y el plstico no permiten la circulacin de cargas porque aislan elctricamente la varilla metlica del cuerpo humano. Esto se debe a que en ciertos materiales, tpicamente en los metales, los electrones ms alejados de los ncleos respectivos adquieren fcilmente libertad de movimiento en el interior del slido. Estos electrones libres son las partculas que transportarn la carga elctrica. Al depositar electrones en ellos, se distribuyen por todo el cuerpo, y viceversa, al perder electrones, los electrones libres se redistribuyen por todo el cuerpo para compensar la prdida de carga. Estas sustancias se denominan conductores. En contrapartida de los conductores elctricos, existen materiales en los que los electrones estn firmemente unidos a sus respectivos tomos. En consecuencia, estas sustancias no poseen electrones libres y no ser posible el desplazamiento de carga a travs de ellos. Al depositar una carga elctrica en ellos, la electrizacin se mantiene localmente. Estas sustancias son denominadas aislantes o dielctricos. El vidrio y los plsticos son ejemplos tpicos.

La distincin entre conductores y aislantes no es absoluta: la resistividad de los aislantes no es infinita (pero s muy grande), y las cargas elctricas libres, prcticamente ausentes de los buenos aislantes, pueden crearse fcilmente suministrando la cantidad adecuada de energa para separar a un electrn del tomo al que est ligado (por ejemplo, mediante irradiacin o calentamiento). As, a una temperatura de 3000 K, todos los materiales que no se descomponen por la temperatura, son conductores. Entre los buenos conductores y los dielctricos existen mltiples situaciones intermedias. Entre ellas destacan los materiales semiconductores por su importancia en la fabricacin de dispositivos electrnicos que son la base de la actual revolucin tecnolgica. En condiciones ordinarias se comportan como dielctricos, pero sus propiedades conductoras se modifican mediante la adicin de una minscula cantidad de sustancias dopantes. Con esto se consigue que pueda variarse la conductividad del material semiconductor como respuesta a la aplicacin de un potencial elctrico variable en su electrodo de control. Ciertos metales adquieren una conductividad infinita a temperaturas muy bajas, es decir, la resistencia al flujo de cargas se hace cero. Se trata de los superconductores. Una vez que se establece una corriente elctrica de circuito cerrado en un superconductor, los electrones fluyen por tiempo indefinido.

ELECTRICIDAD ESTATICA
La palabra "esttica" se emplea en la industria para referirse a las cargas elctricas retenidas por aisladores. Estas cargas pueden estar repartidas por toda la superficie o el volumen de un elemento aislante, o concentrados en un elemento conductor puesto a tierra. El campo elctrico que causan las cargas en el aire causa molestias y atrae el polvo y la suciedad. Esto ocurre con la mayora de los plsticos, y el campo elctrico puede sentirse en el dorso de la mano ("se eriza el vello"). El peligro fundamental es la descarga elctrica, con el consiguiente riesgo de ignicin por chispa en atmsferas inflamables, por ejemplo, riesgo de explosin en los tanques de los petroleros. Es muy importante estudiar previamente lo mtodos de seguridad para evitar riesgos. ORIGEN DE LA CARGA: - Carga por contacto: por ejemplo, pelculas plsticas pasando por rodillos, personas caminado por alfombras,... - Circulacin de lquidos: por jemplo, a travs de tuberas (riesgo en los productos petrolferos, y es por lo que se insensibilizan los tanques , llenndolos de gases de escape de los motores del petrolero).

- Electrificacin por pulverizacin: neblinas formadas por gotitas cargadas, como es el caso de los pulverizadores de agua para la limpieza de los tanques petrolferos (causa de las explosiones). Incluso un mismo extintor de CO2 puede causar cargas peligrosas. - Carga por corona: se usa intencionalmente en procesos industriales como xerocopia y pintura electrosttica. - Carga por induccin: un conductor aislado chispea por existir una carga en sus inmediaciones. ACUMULACIN DE LA CARGA: Se acumulan los efectos electrostticos en algn lugar, por ejemplo: bobinado de capas de pelcula cargada, amontonar polvo cargado en un recipiente, ... CHISPAS ELECTROSTTICAS: Cuando el campo alcanza en el aire un valor de ruptura (3 MVm-1 ) , puede ocurrir la descarga en el aire, y su peligro depender de la energa almacenada (depende del tiempo y del espacio). Otras veces, la carga se concentra en el borde de una punta aguda, y la descarga llamada "corona" es ms suave. Para la ignicin de las sustancias en el ambiente, los vapores son mucho ms sensibles que los polvos (precisan para una ignicin 0,2 mJ).

RIESGOS - Medidores porttiles para analizar cargas estticas (que deben usarse con cuidado en algunas atmsferas por las chispas del propio medidor). - Detectar chispas en la oscuridad, o con un receptor de radio. PREVENCIN - Conexin a tierra de los conductores. - Puesta a tierra en el interior de un conductor aislante. - Puesta a tierra de las personas (zapatos antiestticos, uso de un comprobador personal para medir la resistencia elctrica, ...) - Materiales antiestticos y conductores: por ejemplo de tipo celulsico como papel, algodn, lana, ... que son hidrfilos y absorben agua de la atmsfera, o bien mediante la aplicacin de sustancias antiestticas. - Dispositivos supresores de esttica (exponen el material cargado a una fuente de aire ionizado). El ms sencillo consiste en una fila de puntas metlicas para lograr el efecto "corona" . Otros, emplean radiactividad, pero supone un riesgo aadido por la exposicin a radiaciones.
Cuando se instalan se comprueban previamente con un medidor porttil para ajustar su funcionamiento

ELECTRICIDAD ESTTICA Es la electricidad que se encuentra en reposo o que se mueve lentamente

Electricidad Esttica y Gasolina, combinacin fatal. Ver vdeo. La electricidad esttica es un fenmeno que se debe a una acumulacin de cargas elctricas en un objeto. Esta acumulacin puede dar lugar a una descarga elctrica cuando dicho objeto se pone en contacto con otro. Antes del ao 1832, que fue cuando Michael Faraday public los resultados de sus experimentos sobre la identidad de la electricidad, los fsicos pensaban que la "electricidad esttica" era algo diferente de las otras cargas elctricas. Michael Faraday demostr que la electricidad inducida

desde un imn, la electricidad producida por una batera, y la electricidad esttica son todas iguales. La electricidad esttica se produce cuando ciertos materiales se frotan uno contra el otro, como lana contra plstico o las suelas de zapatos contra la alfombra, donde el proceso de frotamiento causa que se retiren los electrones de la superficie de un material y se reubiquen en la superficie del otro material que ofrece niveles energticos ms favorables, o cuando partculas ionizadas se depositan en un material, como por ejemplo, ocurre en los satlites al recibir el flujo del viento solar y de los cinturones de radiacin de Van Allen. La capacidad de electrificacin de los cuerpos por rozamiento se denomina efecto triboelctrico, existiendo una clasificacin de los distintos materiales denominada secuencia triboelctrica. La electricidad esttica se utiliza comnmente en la xerografa, en filtros de aire, y algunas pinturas de automocin. Los pequeos componentes de los circuitos elctricos pueden daarse fcilmente con la electricidad esttica. Los fabricantes usan una serie de dispositivos antiestticos para evitar los daos. Al frotar dos objetos no conductores se genera una gran cantidad de electricidad esttica. Este efecto no se debe a la friccin pues dos superficies no conductoras pueden cargarse por efecto de posarse una sobre la otra. Se debe a que al frotar dos objetos aumenta el contacto entre las dos superficies. Habitualmente los aislantes son buenos para generar y para conservar cargas superficiales. Algunos ejemplos de estas sustancias son el caucho, el plstico o el vidrio. Los objetos conductores raramente generan desequilibrios de cargas, excepto, por ejemplo, cuando una superficie metlica recibe el impacto de un slido o un lquido no conductor. La carga que se transfiere durante la electrificacin por contacto se almacena a la superficie de cada objeto, a fin de estar lo ms separada posible y as reducir la repulsin entre las cargas.

Carga inducida
La carga inducida se produce cuando un objeto cargado repele o atrae los electrones de la superficie de un segundo objeto. Esto crea una regin en el segundo objeto que est ms cargada positivamente, crendose una fuerza atractiva entre los objetos. Por ejemplo, cuando se frota un globo, el globo se mantendr pegado a la pared debido a la fuerza atractiva ejercida por dos superficies con cargas opuestas (la superficie de la pared gana una carga elctrica inducida pues los electrones libres de la superficie del muro son repelidos por los electrones que ha ganado el globo al frotarse, creando una superficie de carga positiva en la pared, que luego atrae a la superficie del globo). En los efectos elctricos cotidianos, no los de los aceleradores de partculas, solamente se mueven los electrones. La carga positiva del tomo, dada por los protones, permanece inmvil.

Aplicaciones
La electricidad esttica se usa habitualmente en xerografa donde un pigmento de polvo (tinta seca o toner) se fija en las reas cargadas previamente haciendo visible la imagen impresa. En electrnica, la electricidad esttica causa numerosos daos a los componentes por lo que los operarios han de tomar medidas para descargar la electricidad esttica que pudieran haber adquirido. Esto puede ocurrir a una persona por frotamiento de las suelas de los zapatos (de materiales como la goma) contra suelos de tela o alfombras. En aviacin, al aterrizar un avin por seguridad se debe proceder a su descarga. En los automviles tambin puede ocurrir la electrificacin al circular a gran velocidad en aire seco (el aire

hmedo conduce mejor las cargas), por lo que tambin necesitan medidas de seguridad para evitar las chispas elctricas. Se piensa que la explosin de un cohete en el 2003 en Brasil se debi a chispas originadas por electricidad esttica

Electricidad esttica
Artculo de la Enciclopedia Libre Universal en Espaol.

Saltar a navegacin, buscar Se denomina as al exceso de carga elctrica que acumulan determinados materiales, normalmente por rozamiento (por ejemplo al frotar un bolgrafo con el cabello humano), y que no puede escapar de ellos. La electricidad esttica recibe este nombre porque se refiere a electrones que se mueven de un lugar a otro, ms que a los que fluyen en una corriente. En un objeto sin carga esttica, todos los tomos tienen un nmero normal de electrones. Si alguno de los electrones se transfiere a otro objeto, por ejemplo, al frotar o cepillar con fuerza, el otro objeto se carga negativamente en tanto que el objeto que pierde sus electrones se carga positivamente. Entonces se crea un campo elctrico alrededor de cada objeto

FORMAS DE PRODUCIR ELECTRICIDAD POR FRICCIN Una carga elctrica se produce cuando se frotan uno con otro dos pedazos de ciertos materiales; por ejemplo, se da y una varilla de vidrio, o cuando se peina el cabello. Estas cargas reciben el nombre de electricidad esttica, la cual se produce cuando un material transfiere sus electrones a otro. Esto es algo que aun no se entiende perfectamente. Pero una teora dice que en la superficie se un material existen muchos tomos que no pueden combinarse con otros en la misma forma en que lo hacen, cuando estn dentro del material; por lo tanto, los tomos superficiales contienen algunos electrones libres, esta es la razn por la cual os aisladores, por ejemplo vidrio, caucho, pueden producir cargas de electricidad esttica. La energa calorfica producida por la friccin del frotamiento se imparte a los tomos superficiales que entonces liberan los electrones, a esto se le conoce como efecto triboelctrico. POR REACCIONES QUMICAS Las substancias qumicas pueden combinarse con ciertos metales para iniciar una actividad qumica en la cual habr transferencia de electrones producindose cargas elctricas.

El proceso se basa en el principio de la electroqumica. Un ejemplo es la pila hmeda bsica. Cuando en un recipiente de cristal se mezcla acido sulfrico con agua (para formar un electrolito) el acido sulfrico se separa en componentes qumicos de hidrogeno (H) y sulfato (SO4), pero debido a la naturaleza de la accin qumica, los tomos de hidrgeno son iones positivos (H+) y (SO4-2). El nmero de cargas positivas y negativas son iguales, de manera que toda la solucin tiene una carga neta nula. Luego, cuando se introducen en la solucin barras de cobre y zinc, estas reaccionan con ella. El zinc se combina con los tomos de sulfato; y puesto que esos tomos son negativos, la barra de zinc transmite iones de zinc positivos (Zn+); los electrones procedentes de los iones de zinc quedan en la masa de zinc, de manera que la barra de zinc tiene un exceso de electrones, o sea una carga negativa. Los iones de zinc se combina con los iones de sulfato y los neutralizan, de manera que ahora la solucin tiene mas cargas positivas. Los iones positivos de hidrogeno atraen a electrones libres de la barra de cobre para neutralizar nuevamente la solucin. Pero ahora la barra de cobre tiene una deficiencia de electrones por lo que presenta una carga positiva. POR PRESIN Cuando se aplica presin a algunos materiales, la fuerza de la presin pasa a travs del material a sus tomos, desalojando los electrones de sus orbitas y empujndolos en la misma direccin que tiene la fuerza. Estos huyen de un lado del material y se acumulan en el lado opuesto. As cesa la presin, los electrones regresan a sus rbitas. Los materiales se cortan en determinad formas para facilitar el control de las superficies que habrn de cargarse; algunos materiales reaccionaran a una presin de flexin en tanto que otros respondern a una presin de torsin. Piezoelectricidad es el nombre que se da a las cargas elctricas producidas por el efecto de la presin. El efecto es ms notable en los cristales, por ejemplo sales de Rochelle y ciertas cermicas como el titanato de bario. POR CALOR Debido a que algunos materiales liberan fcilmente sus electrones y otros materiales los acepta, puede haber transferencia de electrones, cuando se ponen en contacto dos metales distintos, por ejemplo: Con metales particularmente activos, la energa calorfica del ambiente a temperatura normal es suficiente para que estos metales liberen electrones. Los electrones saldrn de los tomos de cobre y pasaran al tomo de cinc. As pues, el cinc adquiere un exceso de electrones por lo que se carga negativamente. El cobre, despus de perder electrones tiene una carga positiva. Sin embargo, las cargas originadas a la temperatura ambiente son pequeas, debido a que no hay suficiente energa calorfica para liberar ms que unos cuantos electrones. Pero si se aplica calor a la unin de los dos metales para suministrar ms energa, liberaran mas electrones. Este mtodo es llamado termoelectricidad. Mientras mayor sea el calor que se aplique, mayor ser la carga que se forme. Cuando se retira la fuente de calor, los metales se enfran y las cargas se disparan. POR LUZ La luz en s misma es una forma de energa y muchos cientficos la consideran formada por pequeos paquetes de energa llamados fotones. Cuando los fotones de un rayo luminoso inciden sobre un material, liberan energa. En algunos materiales la energa procedente de los fotones puede ocasionar la liberacin de algunos electrones de los tomos. Materiales tales como potasio, sodio, cesio, litio, selenio, germanio, cadmio y sulfuro de plomo, reaccionan a la luz en esta forma. El efecto fotoelctrico se puede usar de tres maneras: 1.-Fotoemisin: La energa fotnica de un rayo de la luz puede causar la liberacin de electrones de la superficie de un cuerpo que se encuentran en un tubo al vaci. Entonces una placa recoge estos electrones. 2.-Fotovoltaica: La energa luminosa que se aplica sobre una de dos placas unidas, produce la transmisin de electrones de una placa a otra. Entonces las placas adquieren cargas opuestas en la misma forma que una batera.

3.-Fotoconduccin.- La energa luminosa aplicada a algunos materiales que normalmente son malos conductores, causa la liberacin de electrones en los metales, de manera que estos se vuelven mejores conductores. POR MAGNETISMO Todos conocemos los imanes, y los han manejado alguna que otra vez. Por lo tanto, podr haber observado que, en algunos casos, los imanes se atraen y en otro caso se repelen. La razn es que los imanes tienen campos de fuerza que actan uno sobre el otro recprocamente. La fuerza de un campo magntico tambin se puede usar para desplazar electrones. Este fenmeno recibe el nombre de magnetoelectricidad; a base de este un generador produce electricidad. Cuando un buen conductor, por ejemplo, el cobre se hace pasar a travs de un campo magntico, la fuerza del campo suministrara la energa necesaria para que los tomos de cobre liberen sus electrones de valencia. Todos los electrones se movern en cierta direccin, dependiendo de la forma en que el conductor cruce el campo magntico, el mismo efecto, se obtendr si se hace pasar el campo a lo largo del conductor. El nico requisito es que haya un movimiento relativo entre cualquier conductor y un campo magntico.