These Lagha Menouer

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU

Facult de Gnie Electrique et dinformatique
Dpartement dElectronique
THESE
Prsente par
Kahina LAGHA-MENOUER
Pour lobtention du diplme de
Doctorat
En Electronique
Thme :
Etude et ralisation dune cellule solaire multicouches
du type Si-SiO
2
-SnO
2
-ZnO par APCVD
Thse soutenue le 27 juin 2011 devant le jury compos de :
BOUMAOUR Messaoud Directeur de Recherche, UDTS Alger Prsident
BELKAID Med Said Professeur Universit M. MAMMERI, Tizi-Ouzou Rapporteur
PASQUINELLI Marcel Professeur Universit P. Cezanne Aix Marseille III Co-Rapporteur
ESCOUBAS Ludovic Professeur Universit P. Cezanne Aix Marseille III Examinateur
LAGHROUCHE Mourad Matre de Confrence Universit M. MAMMERI, Tizi-Ouzou Examinateur
Ddicaces
A tous ceux et celles qui me sont chr(e)s
REMERCIEMENTS
Le prsent travail a t ralis entre le laboratoire des technologies avances du gnie
lectrique (LATAGE) de luniversit Mouloud MAMMERI de Tizi-Ouzou et linstitut
Matriaux Microlectronique et Nanosciences de Provence (IM2NP) de luniversit Paul
CEZANNE d Aix Marseille III. Llaboration des htrostructures a t faite au laboratoire
LATAGE et leurs caractrisations ont t effectues au sein de lquipe OPTO-PV du
laboratoire IM2NP.
Je tiens remercier Monsieur M.S. BELKAID, Professeur luniversit Mouloud
MAMMERI, pour avoir encadr ce projet de thse. Ces orientations et discussions
scientifiques mont t dune aide considrable.
Mes remerciements sadressent aussi Monsieur M. PASQUINELLI, Professeur
luniversit dAix Marseille III et Co-encadreur de ce travail de thse. Il a su morienter et me
tmoigner aide et assistance.
Je voudrais remercier aussi les membres du jury qui mont fait lhonneur dexaminer ce
travail, Monsieur M. BOUMAOUR, Directeur de recherche et Directeur de lunit de
dveloppement de la technologie du silicium (UDTS) en tant que prsident du jury et
Messieurs L. ESCOUBAS, Professeur luniversit dAix Marseille III et M.
LAGHROUCHE Matre de confrence luniversit Mouloud MAMMERI de Tizi-Ouzou
qui ont manifest lamabilit dexaminer ce travail.
Mes remerciements concernent galement les membres du laboratoire LATAGE de mavoir
soutenus, F. GOUDJIL, S. MAIFI, L. CHIBANE, F. BOUMEDINE, N. NEMMAR,
O. OURAHMOUN, O. BOUGHIAS, O. BOUDIA, K. MEDJENOUN, M. MOUSSOUNI
ainsi que Monsieur R. ZIRMI de mavoir ralis les caractrisations de diffraction des Rayons
X.
Je dois remercier par ailleurs les membres de lquipe OPTO-PV du laboratoire IM2NP avec
qui jai travaill, Messieurs D. BARAKEL, W. Vervisch, O. PALAIS, J. LE ROUZO,
J.J. SIMON, P. TORCHIO et F. FLORY. Je tiens remercier par la mme occasion les
doctorants de cette quipe qui mont aid raliser les diffrentes caractrisations,
V. Mong -the Yen, S. Biondo, G. Rivire, J. Ferreira, S. Vedraine, T. Wood et V. Brissoneau.
Sans oublier Monsieur Franois Warchol ingnieur de cette quipe.
SOMMAIRE
INTRODUCTION1
Chapitre 1 : Etat de lart des TCO et cellules solaires htrojonctions
1-1. Les oxydes transparents conducteurs....5
1-1-1. Proprits lectriques des TCO...6
1-1-2. Les proprits optiques des oxydes transparents conducteurs .10
1-1-3. Utilisation des TCO comme couches antireflet.14
1-1-4. Loxyde dtain SnO
2
....19
1-1-5. Loxyde de zinc ZnO ........22
1-2. Techniques de dpt des oxydes transparents conducteurs.....25
1-2. La technique de la dposition chimique en phase vapeur (APCVD)....25
1-3. Les cellules solaires htrojonction .....27
1-3-1. Les cellules solaires du type Mtal -Semiconducteur .......29
1-3-2. Les caractristiques lectriques dun contact mtal-semiconducteur....31
1-3-4.Le fonctionnement dune cellule photovoltaque du type Mtal-Semiconducteur(M-S) ..35
1-3-5. Les cellules photovoltaques du type Si-SnO
2
......35
1-3-6. Les cellules solaires du type MIS......38
1-4. Les courants dans les structure MS et MIS en prsence des tats dinterfaces.....40
1-4-1. Les recombinaisons des porteurs en surface.40
1-4-2. Les cellules solaires du type mtal-semiconducteur..41
1-4-3. Les cellules solaires du type mtal-isolant-semiconducteur..42
1-5. Choix de lempilement .45
1-5-1. Lhetrostructure Si-SiO
2
-SnO
2
46
1-5-2. Lhtrostructure Si-SiO
2
-ZnO49
1-6. Conclusion...51
Chapitre 2 : Simulation et optimisation des cellules solaires SnO
2
-Si et ZnO-Si
2-1. Simulation des cellules solaires htrojonctionsous PC1D.52
2-1-1. Influence du dopage du substrat de silicium sur les cellules solaires
SnO
2
-Si et ZnO-Si....55
2-1-2. Variation du rendement quantique interne en fonction du dopage du silicium
de la cellule solaire SnO
2
-Si ......58
2-1-3. Influence du dopage du substrat de silicium sur le rendement quantique interne de la
cellule solaire ZnO Si ........60
2-1-4. Influence de lpaisseur du silicium sur les cellules SnO
2
-Si(n) et SnO
2
-Si(p)....61
2-1-5. Influence de lpaisseur du substrat de silicium sur le rendement quantique interne
des cellules SnO
2
-Si.......62
2-1-6. Influence de lpaisseur du silicium sur le rendement quantique interne
de la cellule solaire ZnO- Si(n)...64
2-1-7. La caractristique I(V) de la cellule Si-SnO
2
64
2-2. Optimisation de lpaisseur des oxydes dtain et de silicium dans les htrostructures SnO
2
-Si,
ZnO-Si, SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO -SiO
2
-Si...66
2-2-1. Simulation sous le logiciel Concise Macleod........66
2-2-2. Simulation sous le logiciel MATLAB..68
2-3. Conclusion....74
Chapitre 3 : Technique dlaboration APCVD et les mthodes de caractrisation
exprimentales
3-1. Ralisation du bti de dpt chimique en phase vapeur (APCVD) .75
3-2. Techniques de caractrisation.. .77
3-2-1. Mthode des quatre pointes..77
3-2-2. Technique de caractrisation par Effet Hall.79
3-2-3. Les mesures optiques la sphre intgrante ..82
3-2-4. Les mesures mcaniques avec le profilomtre.85
3-2-5. La microscopie lectronique balayage...87
3-2-6. Le Micro FTIR......88
3-2-7. La diffraction des rayons X..90
3-2-8. La caractrisation capacit-tension C(V)..92
3-2-9. Caractrisation courant- tension I(V)...93
3-2-10. Mthode de mesure TLM (Transverse Line Measurement)...93
3-3. Conclusion..95
Chapitre 4 : Rsultats et Interprtations
4-1. Dpt des couches minces des oxydes dtain et de zinc par APCVD...96
- Dpt du SnO
2
par APCVD......96
- Dpt du ZnO par APCVD...97
4-2. Caractristiques des films SnO
2
et ZnO dpos par APCVD.....98
4-2-1. Proprits lectriques et optiques.98
4-2-2. Morphologie de la surfaces des films ZnO et SnO
2
100
4-2-3. Effet des recuits sur les films SnO
2
et ZnO.101
4-2-4. Influence dun recuit thermique sur les films SnO
2
....102
4-2- 5. Structure des films SnO
2
103
4-2-6. Les Spectres FTIR.103
4-2-7. Les diagrammes de diffraction X ...105
4-3. Effet optique et lectrique des couches SnO
2
et ZnO sur le rendement photovoltaque
des cellules solaires homojonction106
4-4. Ralisation des cellules solaires du type Si-SnO
2
...107
4-5. Ralisation de la cellule solaire Si(n)-SnO
2
............................109
4-6. Ralisation de la cellule solaire Si(p)-SnO
2
110
4-7. Ralisation de la cellule solaire Si-SiO
2
-SnO
2
115
4-8. Conclusion.....119
CONCLUSION GENERALE ..120
BIBLIOGRAPHIE...123
RESUME
Ce travail de thse traite de la conception et de la ralisation des cellules solaires htrojonction base
de substrats de silicium moncocristallin sur lequel sont dposs des films des oxydes dtain (SnO
2
) et de
silicium (SiO
2
). Ces dispositifs ont un faible budget de fabrication par rapport ceux des cellules solaires
homojonction PN et un rendement photovoltaque apprciable. Les cellules solaires que nous avons
conues sont du type mtal-semiconducteur M-S ralises entre le silicium et loxyde dtain (SnO
2
-Si) et
mtal-isolant-semiconducteur M-I-S labores entre le silicium, loxyde de silicium et loxyde dtain
(SnO
2
-SiO
2
-Si). La simulation sous PC1D montre que ce type de cellules solaires peuvent avoir un
rendement thorique de 22% condition de bien choisir les bonnes concentrations des impurets dopantes
des substrats de silicium. En effet, lorsque le silicium est dop n, une forte concentration des impurets
pentavalentes de 10
17
cm
-3
permet aux cellules du type SnO
2
-Si(n) datteindre ce rendement optimal, avec
lutilisation de substrat de silicium de type p, ce rendement est obtenu avec un dopage moyen de lordre
10
14
cm
-3
pour les cellules solaires SnO
2
-Si(p). Ce rendement est aussi atteint avec les mmes
concentrations des impurets dopantes lorsquon utilise loxyde de zinc pour raliser partir des substrats
de silicium de type n ou p des cellules solaires du type ZnO-Si.
Le procd de fabrication des films minces constituant les diffrents empilements est la dposition
chimique en phase vapeur APCVD. Les couches minces de SnO
2
dposes par cette technique et utilises
dans la ralisation des cellules htrojonction ont une orientation prfrentielle selon (110), une rsistivit
lectrique de 3,0. 10
-3
.cm, une transparence de lordre de 75% dans le visible et une paisseur de
3.10
-1
m. Quant lpaisseur de la couche de loxyde de silicium, elle est de 21 .
Les cellules solaires du type M-S savoir les cellules SnO
2
-Si(n) de surface 3cm et SnO
2
-Si(p) de surface
1cm ont dlivr respectivement des tensions de circuit ouvert de 0,45 volt et 0,70 volt. La densit du
courant de court circuit de la premire cellule est de 72 mA/cm mais celui de la deuxime est faible. Quant
aux cellules solaires du type M-I-S, elles ont gnr une tension de circuit ouvert suprieur de 0,1 Volt par
rapport aux cellules du type M-S et un faible courant de court circuit. La caractrisation de ces cellules par
la technique C(V) montre que la prsence des tats dinterfaces est le paramtre qui cause les faibles
densits du courant de court circuit dans le cas de lemploi du substrat de type p.
1
INTRODUCTION
Lavenir nergtique mondial est lune des questions majeures et dactualit qui se pose sur la
scne internationale. En effet les problmes lis la gestion de lnergie dans le monde sont
multiples. Il y a en premier lieu le danger de la radioactivit sur la vie humaine que cause les
explosions des centrales nuclaires comme les accidents enregistrs Tchernobyl en Ukraine
en avril 1986 et Fukushima au Japon en mars 2011. A cela sajoutent les effets nfastes lis
lenvironnement engendrs par la difficult de llimination des dchets nuclaires et les
rejets du gaz du dioxyde de carbone CO
2
caus par lutilisation des nergies fossiles comme le
ptrole et le gaz naturel. Par ailleurs, les rserves des nergies fossiles ne sont pas
inpuisables.
Ces multiples raisons donnent un regain dintrt au dveloppement et lutilisation des
nergies renouvelables sous ces diffrentes formes : photovoltaque, olienne et thermique.
LAlgrie entreprend un engagement dans ce sens afin de prserver lenvironnement et les
ressources nergtiques dorigine fossile comme le ptrole et le gaz naturel. Vu le gisement
solaire important dont dispose lAlgrie, le programme national des nergies renouvelables se
concentre essentiellement sur le dveloppement de lnergie photovoltaque. Le tableau 1
montre le potentiel solaire en Algrie.
Rgions Rgions Ctires Hauts plateaux Sahara
Superficie (%) 4 10 86
Dure moyenne densoleillement (heure/an) 2650 3000 3500
Energie moyenne reue (KWh/m/an) 1700 1900 2650
Tableau 1 : Potentiel solaire en Algrie [1].
Lobjectif de la stratgie du dveloppement de lnergie photovoltaque en Algrie est
datteindre 37% de la production nationale dlectricit dici 2030 comme le montre la
figure 1.
2
Fig. 1: Pntration des nergies renouvelables dans la production nationale TWh [2].
Lobstacle que rencontre la production de llectricit solaire est li laugmentation de son
prix de revient en comparaison aux sources des nergies conventionnelles. Le paramtre
important qui maintient le cot lev de llectricit solaire est le prix de revient de la
production des panneaux solaires d au prix de revient de la fabrication des cellules solaires
qui constituent ces panneaux.
En effet, le rapport rendement physique/ rendement conomique des cellules solaires est un
paramtre quil faut augmenter afin de rduire le prix de revient de llectricit solaire. Parmi
les possibilits qui permettent daugmenter ce rapport, la recherche de nouvelles structures et
de nouveaux matriaux dans la conception des cellules solaires demandant un faible budget de
fabrication est lune des voies principales. Les nouvelles connaissances acquises dans le
domaine des matriaux et des nouvelles structures permettent dexploiter lapport de chacun
de ces deux paramtres laugmentation du rendement photovoltaque tout en diminuant le
prix de revient des nouvelles cellules solaires.
Cest dans cette thmatique que rentre ce travail de thse. Notre attention sest porte sur
lutilisation des oxydes transparents conducteurs pour raliser des cellules solaires
htrojonction partir dun substrat de silicium. Ce type de cellules photovoltaques est une
issue pour rduire le prix de llectricit solaire grande chelle. Elles prsentent un cot de
fabrication faible par rapport aux cellules solaires conventionnelles homojonction PN vu le
cot relativement bas et la facilit de mise en uvre des techniques utilises leur
fabrication. Elles prsentent aussi lavantage davoir un rendement photovoltaque
apprciable. Il sagit pour nous de raliser une htrostructure qui sera utilise comme cellule
3
solaire. Cette htrostructure sera fabrique partir dun substrat de silicium monocristallin
massif sur lequel seront dposs des films conducteurs et isolants en couches minces. Le
choix de lempilement des diffrents matriaux dans la ralisation de lhtrostructure est
fait en fonction des valeurs des travaux de sortie des couches minces ainsi que du type et de
la concentration du dopage du silicium.
La dmarche suivie dans notre travail est scinde en quatre phases distinctes. La premire
traite de ltude des proprits optolectroniques et structurales des oxydes transparents
conducteurs et du fonctionnement des cellules solaires htrojonction du type Mtal-
Semiconducteur (M-S) et Mtal-Isolant-Semiconducteur (M-I-S). Cette tude est prsente au
premier chapitre de la thse.
La deuxime phase, reporte dans le deuxime chapitre, est consacre la simulation des
cellules dont les rsultats serviront de base au travail exprimental de ce sujet de recherche;
celles-ci sont faites laide des logiciels PC1D et MATLAB. La premire partie de la
simulation sert dterminer les paramtres thoriques des cellules solaires raliser, la
seconde permet doptimiser les paisseurs des couches des matriaux utiliss dans leur
ralisation.
La troisime phase consiste dtailler le fonctionnement et la description du montage
exprimental de la technique utilise pour dposer les films minces qui est la technique de la
dposition chimique en phase vapeur APCVD (atmospheric pressure chemical vapour
deposition technique). Cette partie laquelle est consacr le troisime chapitre comprend
aussi la prsentation des mthodes et techniques danalyse que nous avons utilises pour la
caractrisation des matriaux et du dispositif labors.
Dans la phase finale de notre travail consacre au quatrime et dernier chapitre, nous
rapportons lobjectif fondamental de cette thse, savoir la ralisation et lapplication des
htrostructures ralises comme cellules solaires.
Les matriaux que nous avons choisis pour raliser les cellules solaires htrojonction
sont loxyde dtain (SnO
2
), loxyde de silicium (SiO
2
) et un substrat de silicium
monocristallin (Si). Nous avons choisi dutiliser loxyde dtain car il possde des proprits
lectriques qui permettent de raliser une barrire Schottky avec le silicium tout en
maintenant sa transparence.
Lutilisation de ces matriaux permet lobtention de deux types de cellules photovoltaques :
des cellules solaires du type mtal-semiconducteur M-S SnO
2
-Si(n) et SnO
2
-Si(p) ainsi que
des cellules solaires du type Mtal-Isolant-Semiconducteur M-I-S SnO
2
-SiO
2
-Si(p)
4
Le but essentiel de cette thse reste bien videmment lapplication photovoltaque de ces
htrostructures comme cellules photovoltaques htrojonction savoir les cellules
SnO
2
-Si(n) et SnO
2
-Si(p) ainsi que les cellules SnO
2
-SiO
2
-Si(p). Les caractristiques courant-
tension de ces cellules solaires que nous avons ralises sont prsentes la fin de ce dernier
chapitre.
Bibliographie :
[1] : A. Khelif, Exprience, Potentiel et march photovoltaque Algrien New Energy
Algeria
NEAL
[2] : SONELGAZ, Programme national des nergies renouvelables, 2011
5
1-1. LES OXYDES TRANSPARENTS CONDUCTEURS
Les oxydes transparents conducteurs (Transparents Conductive Oxides) TCO sont des
semiconducteurs dgnrs large gap. Ils prsentent la double proprit dtre de bons
conducteurs lectriques et transparents dans le domaine du visible.
En raison de lintrt des oxydes transparents conducteurs, beaucoup de travaux de recherche
sont consacres ltude et la synthse de ces matriaux (voir figure 1-1). Le premier TCO
tudi et synthtis est loxyde de cadmium en 1907 par K. Badeaker ; il a remarqu quaprs
exposition lair dun film doxyde de cadmium, celui-ci devient transparent tout en
maintenant son aspect conducteur [1]. Le premier oxyde transparent conducteur qui a t
brevet pour sa dcouverte ltat non dop et ltat dop est loxyde d'tain SnO
2
, ceci,
respectivement en 1931 et 1942 [2,3]. En 1951, il y a eu la synthse de loxyde dindium
dop tain par la technique de pulvrisation "sputtering" par J.M. Mochel [2]. Loxyde de
zinc ZnO a t dcouvert en 1971 par M. Matsuoka [4]. Durant les annes 2000, les
recherches sur les TCO se sont concentres sur ltude et la synthse des oxydes transparents
conducteurs binaires et ternaires tels que : loxyde de zinc tain ZTO [5,6], loxyde de
cadmium indium Cd-In-O et loxyde dindium tain gallium (Ga-In-Sn)-O [6,7].
Les TCO se prsentent comme des semiconducteurs dgnrs de type n. Ces dernires
annes quelques TCO dops p sont tudis [7-11]. Durant les premires annes o ces
matriaux furent dcouverts leurs utilisations taient limites, essentiellement dans les
dgivreurs de pare- brise et dans l'industrie aronautique. Depuis lanne 1975, les domaines
dutilisation des TCO se sont diversifis, ils sont employs dans les cellules solaires [12-15],
les capteurs de gaz [16-19], lisolation des fentres et lisolation thermique, les cellules
lectrochimiques et le revtement des satellites en orbite.
Chapitre1 : Etat de lart des TCO et cellules solaires htrojonctions.
Fig.1-1 : Nombre de publications par anne en relation avec
(base de donnes ISI Knowledge).
1-1-1. Proprits lectriques des TCO
Les proprits lectriques des oxydes transparents conducteurs sont tudies depuis les annes
1970 [20]. Ces proprits lectriques sont dcrites par celles de
- La largeur de la bande interdite des TCO
Les oxydes transparents conducteurs ont un large gap qui varie entre 3,01 et 4,6 eV
(tableau 1-1). Les largeurs des bandes interdites des oxydes transparents varient selon la
mthode utilise pour leurs dpts
Le TCO
SnO
2
[21, 22]
ZnO [23
ITO [26]
ZTO
TiO2
Tableau 1-1 : L
0
1000
2000
3000
1
9
7
4
1
9
7
7
1
9
8
0
1
9
8
3
N
o
m
b
r
e
d
e
p
u
b
l
i
c
a
t
i
o
n
s
Chapitre1 :
: Nombre de publications par anne en relation avec les TCO SnO
(base de donnes ISI Knowledge).
Proprits lectriques des TCO
1970 [20]. Ces proprits lectriques sont dcrites par celles des semiconducteurs large gap.
La largeur de la bande interdite des TCO
1). Les largeurs des bandes interdites des oxydes transparents varient selon la
ode utilise pour leurs dpts :
Le TCO Le gap (eV)
[21, 22] (3,6-4,2)
ZnO [23-25] (3,2-3,3)
ITO [26] 4,2
ZTO [5] > 3
TiO2 [27] (3-3,2)
: Largeurs des bandes interdites de quelques TCO
1
9
8
6
1
9
8
9
1
9
9
2
1
9
9
5
1
9
9
8
2
0
0
1
2
0
0
4
2
0
0
7
2
0
1
0
Anne
Etat de lart des TCO et cellules solaires htrojonction
6
les TCO SnO
2
et ZnO
s semiconducteurs large gap.
1). Les largeurs des bandes interdites des oxydes transparents varient selon la
argeurs des bandes interdites de quelques TCO.
SnO2
ZnO
solaires htrojonctions.
7
- La conductivit lectrique : ( . cm)
-1
Du fait de laspect semiconducteur dgnr de ces matriaux, leur conductivit se rduit
:
= q. n. = 1/ (1- 1)
Linverse de la conductivit est la rsistivit .
- La rsistance surfacique : Rs (.)
Comme les oxydes transparents conducteurs sont utiliss sous forme de couches minces, leur
proprits lectriques sont dfinies par une grandeur importante qui est la rsistance
surfacique Rs (quation 1-2), connue sous le nom de la rsistance par carre. Elle sexprime
par le rapport entre la rsistivit et lpaisseur d de la couche d'oxyde:
Rs= /d (1- 2)
- La mobilit :
La mobilit des porteurs est un paramtre qui influe sur la conductivit lectrique, et
laugmentation de cette grandeur amliorera les proprits lectriques du TCO. La mobilit
dpend essentiellement de la diffusion des porteurs de charge dans le rseau du matriau. En
effet, plus la concentration des porteurs est leve, plus leur diffusion devient importante donc
la mobilit diminue comme l'illustre la figure (1-2) [25].
8
Fig.1-2 : Variation de la mobilit du ZnO en fonction de la concentration des porteurs libres
[25].
Les oxydes transparents conducteurs ltat intrinsque et dops
- Les TCO intrinsques
Les oxydes transparents et conducteurs sont des semiconducteurs dgnrs de type n. La
conductivit lectrique de ces matriaux est due essentiellement la non stchiomtrie de ces
matriaux dposs en couches minces qui fait apparaitre des lacunes doxygne lors de la
synthse de ces films minces. Ces lacunes augmentent la conduction, du fait quelles crent
sous la bande de conduction des niveaux qui sionisent. Loxyde dtain prsente une nergie
dune premire ionisation de 30 meV sous la bande de conduction [28,29]. Les atomes
interstitiels participent aussi la conduction des TCO non dops.
- Le dopage des TCO
Le dopage des oxydes transparents conducteurs se fait gnralement avec des dopants de type
n au regard de laspect dgnr n de ce type de matriaux. Le premier dopage TCO type n
est ralis en 1947 par J.M. Mochel [2], qui a dop loxyde dtain par de lantimoine (Sb).
Ces dernires annes certains travaux de recherche se sont dirigs vers ltude des TCO dops
P. Le tableau (1-2), prsente lhistorique des principaux travaux raliss sur les TCO.
9
les TCO Rfrence
Ag par chemical-bath deposition Unknown Venetian
SnO
2
_Sb par spray pyrolysis
J.M. Mochel (Corning), 1947
SnO
2
_Cl par spray pyrolysis
H.A. McMaster (Libbey-Owens-Ford), 1947
SnO
2
_F par spray pyrolysis
W.O. Lytle and A.E. Junge (PPG), 1951
In
2
O
3
_Sn par spray pyrolysis
J.M. Mochel (Corning), 1951
In
2
O
3
_Sn par sputtering
L. Holland and G. Siddall, 1955
SnO
2
_Sb par CVD
H.F. Dates and J.K. Davis (Corning), 1967
Cd2SnO4 par sputtering
A.J. Nozik (American Cyanamid), 1974
Cd
2
SnO
4
par spray pyrolysis
A.J. Nozik and G. Haacke (American Cyanamid), 1976
SnO
2
_F par CVD
R.G. Gordon (Harvard), 1979
TiN par CVD
S.R. Kurtz and R.G. Gordon (Harvard), 1986
ZnO_In par spray pyrolysis
S. Major et al. (Ind. Inst. Tech.), 1984
ZnO_Al par sputtering
T. Minami et al. (Kanazawa),1984
ZnO_In par sputtering
S.N. Qiu et al. (McGill), 1987
ZnO_B par CVD
P.S. Vijayakumar et al. (Arco Solar), 1988
ZnO_Ga par sputtering
B.H. Choi et al. (KAIST), 199015
ZnO_F par CVD
J. Hu and R.G. Gordon (Harvard), 1991
ZnO_Al par CVD
ZnO_Ga par CVD
ZnO_In par CVD
Zn
2
SnO
4
par sputtering
H. Enoki et al. (Tohoku), 1992
ZnSnO
3
par sputtering
T. Minami et al. (Kanazawa), 1994
Cd
2
SnO
4
par pulsed laser deposition
J.M. McGraw et al. (Colorado School of Mines and NREL),
1995
Tableau 1-2: Historique des diffrents processus de dpts des oxydes transparents
conducteurs [2].
10
Dopage type n
Ce type de dopage se fait par le remplacement des atomes du mtal ou de loxygne. Un tel
dopage dpend de la taille du dopant et de sa solubilit dans le rseau de loxyde transparent
conducteur. Le dopage de loxyde dtain est possible avec les lments comme : le fluor (F)
[30 -34 ], lantimoine (Sb) [28,29,35,36 ], le niobium (Nb) [37] , le Tantale (Ta) [38], ainsi
que par certains mtaux comme : le cuivre (Cu) [39], le fer (Fe) [40, 41], le cobalt (Co) [42]
et le nickel (Ni) [43, 44]. Quant loxyde de zinc il est dop gnralement par laluminium Al
[45- 47] mais aussi par du gallium Ga [48-50] et de lindium In [51, 52].
Dopage type p
Les TCO ltat intrinsque sont de type n alors le dopage des TCO de type p reste ltat de
la recherche. Ces dernires annes le dopage type p [52] fait partie des tudes faites sur
certains oxydes transparents conducteurs. Loxyde de zinc dop p est le TCO le plus tudi
pour ce type de dopage. Il est obtenu par substitution de loxygne [53], par laluminium-
azote Al-N [53, 54] et par lazote N [55].
1-1-2. Les proprits optiques des oxydes transparents conducteurs
Les proprits optiques des matriaux sont rgies par trois phnomnes essentiels qui sont la
transmission, la rflexion et labsorption, ces phnomnes tant caractriss par les
paramtres T (Transmittance ou facteur de transmission), R (Rflectance ou facteur de
rflexion), A (absorbance ou facteur d'absorption ) et o (coefficient d'absorption)
- Le facteur de transmission T :
Cette grandeur optique est dfinie comme tant le rapport entre lintensit de la lumire
transmise (u
T
) travers un matriau par rapport lintensit de la lumire incidente sa
surface (u
0
).
o
T
T
o
o
= et T T . 100
%
=
(1-3)
11
- Le facteur de rflexion R
La rflectance dun matriau est lintensit de la lumire qui est rflchie au niveau de sa
surface (u
R
) par rapport lintensit lumineuse incidente(u
0
).
o
R
R
o
o
= et R R . 100
%
=
(1-4)
- Le facteur d'absorption A:
o
A
A
o
o
= et A A . 100
%
=
(1-5)
La conservation du flux donne les relations (1-6) et (1-7):
o T o A o R o
T A R
o o o o o o o + + = + + =
(1-6)
On obtient alors la relation : 1 = A+R+T (1-7)
- Le coefficient d'absorption o :
La loi de Beer-Lambert permet de relier le flux transmis la distance d au coefficient
d'absorption illustr par lquation (1-8).
( ) 1
d
T R e
o
=
(1- 8)
avec T et R : transmission et rflexion du film TCO
o tant le coefficient dabsorption du film, il est li au coefficient dextinction k par la
relation (1-9)
4
k
o
t
=
(1-9)
Les mesures de la transmission, de la rflexion et de lpaisseur des oxydes transparents
conducteurs permettent de dduire lindice de rfraction n, le coefficient dextinction k et le
gap Eg.
12
La figure (1-3), reprsente les volutions des facteurs de transmission, de rflexion et
dabsorption avec la longueur d'onde dune couche fine de SnO
2
dop Fluor dpaisseur
1,14 m. Ce spectre est ralis aprs les tudes faites par E. Elongovan [56]. Il a limit les
spectres de transmission et de rflexion de loxyde dtain dop fluor par deux longueurs
dondes pour lesquelles la transmission du rayonnement travers la couche SnO
2
est
minimale.
Fig. 1-3 : Facteurs de transmission, rflexion et absorption dun oxyde transparent
conducteur [56].
Cas o <
g
: cest le domaine ultra violet des longueurs dondes, lnergie des photons qui
est suprieure ou gale celle du gap est absorbe et les lectrons de la bande de valence sont
transfrs dans la bande de conduction. Ce sont les transitions bande bande qui dominent
dans ce cas.
Les TCO ont une bande interdite large qui varie entre 3 et 4 eV. Ce gap correspond aux
photons de longueurs dondes comprises entre 300 et 400 nm (gamme UV). Lorsque ces
photons sont absorbs, leur nergie induit la transition des lectrons de la bande de valence
la bande de conduction. Dans cet intervalle de longueur dondes, le gap optique peut tre
estim en utilisant la relation suivante :
13
1
2
( ) h Eg o u
(1-10)
o
: coefficient dabsorption
h : constant de Planck
u : la frquence de londe lumineuse
Eg : largeur du gap
Cas o g<<p : loxyde conducteur est transparent dans toute cette gamme qui englobe les
longueurs dondes visibles et proche infrarouge. Loxyde transparent conducteur joue le rle
dune couche antireflet conductrice.
Cas o p : dans le proche infrarouge (au-del de 1200 nm), le TCO ne transmet plus la
lumire. Dans cet intervalle, le TCO prsente une forte absorption. La diminution de la
transmission peut sexpliquer par le modle de Drude qui illustre la thorie classique des
lectrons libre [24]. Dans ce modle, les lectrons libres sont assimils un plasma oscillant
la frquence u
p
, lie la longueur donde
p
dont lexpression est donne par
lquation (1-11) :
1
2
0
1
p
c

c
| |
=
|
\ .
(1-11)
: la permittivit lectrique relative mesure dans le visible
0
: longueur donde pour laquelle la rflexion atteint sa valeur minimale
Laugmentation de labsorption la longueur donde
p
dans la couche de loxyde
transparent conducteur est provoque par les lectrons libres.
La frquence plasma u
p
(1-12) sexprime en fonction de la concentration des lectrons libres
n
e
, les permittivits
1
et
0
qui est la permittivit du vide, ainsi que de la masse effective des
lectrons.
14
0 1
*
p
ne
m
u
c c
| |
=
|
\ .
(1-12)
La relation entre la longueur donde p et la frquence plasma up est :
2. .
p
p
c t
u
=
avec c : clrit de la lumire
La permittivit dilectrique est lie lindice de rfraction n et au coefficient dextinction k
comme le montre lquation suivante :
2
( ) n jk c =
(1-14)
Les grandeurs n et k varient selon la gamme du spectre lumineux.
Si u < up ou >> p : la partie imaginaire de devient leve et la partie relle est ngative.
Ceci donne un indice de rfraction lev.
Si u >> up ou <p : la partie imaginaire tend vers zro et labsorption du TCO est faible.
Lindice de rfraction sera dfini par la formule (1-15) :
2
1
p
w
n
w
c c
| |
= = |
|
\ .
c
: prmitivit haute frquence

1-1-3. Utilisation des TCO comme couches antireflet
Le fonctionnement des couches antireflets, repose sur ladaptation de lindice de rfraction de
la couche de faon produire des interfrences destructives une certaine longueur donde en
tenant compte de lpaisseur de la couche. Le matriau utilis comme couche antireflet doit
tre non absorbant dans la gamme du spectre solaire.
(1-13)
( 1-15)
15
On considre une couche fine antireflet dpaisseur d et dindice de rfraction n
2
. Cette
dernire est situe entre lair dindice de rfraction n
1
et un substrat dindice n
3
> n
2
(figure 1-
4). Londe lumineuse frappe la surface de la couche antireflet.
Fig. 1-4 : Rayonnements incidents, rflchis et transmis entre trois milieux dindices de
rfractions diffrents.
Londe incidente est dfinie par lamplitude maximale du champ lectromagntique E
0
La diffrence de marche est gale :
= 2. .
(1-16)
Le dphasage entre les rayons rflchis 1-2, 2-3 et transmis 1-2, 2-3 est :
=

. .
(1-17)
Soient r
ij
et t
ij
les coefficients de rflexion et de transmission du milieu i vers le milieu j. Dans
le cas o le champ lectrique E
0
a une incidence perpendiculaire au plan dincidence,
u
1
u
1 u
1
u
2
u
3
r
12
t
21
t
21
t
12
t
23
t
23
r
23
r
21
r
23
r
21
d
n
1
air
n
2
n
3
E
0
16
alors les coefficients de rflexion et de transmission entre les diffrents milieux sexprimeront
selon les quations (1-18 1-23) suivantes :
Le champ rflchi
Le champ lectrique rflchi sexprime en fonction de E
0
, r
12
, t
12
, r
23
, t
21
et le dphasage entre
les rayons rflchis :
(1-24)
Le champ transmis
Le champ lectrique transmis jusquau milieu dindice de rfraction n
3
est illustr par la
formule :
( )
0 12 23
21 23
1
t
j
E t t
E
r r e
m
=
(1-25)
1 1 2 2
12
1 1 2 2
2 1 1
21 12
1 1 2 2
2 2 3 3
23
2 2 3 3
1 1
12
1 1 2 2
2 2
21
1 1 2 2
1 2
23
3 3 2 2
cos cos
cos cos
2cos cos
cos cos
cos cos
cos cos
2 cos
cos cos
2 cos
cos cos
2 cos
cos cos
n n
r
n n
n n
r r
n n
n n
r
n n
n
t
n n
n
t
n n
n
t
n n
u u
u u
u u
u u
u u
u u
u
u u
u
u u
u
u u
=
+
= =
+
=
+
=
+
=
+
=
+
|
0 1 2 1 2 2 3 2 1
2 1 2 3
[ ( )
(1 )
j
r j
E r t r t e
E
r r e
m
m
+
=
(1-18)
(1-19)
(1-20)
(1-21)
(1-22)
(1-23)
17
Cas dune incidence normale
En incidence normale, les coefficients de rflexion et de transmission sexpriment comme
suit :
Pour annuler les rflexions, la condition dinterfrences destructives c'est--dire, r
ij
= - r
ji
doit
tre assure, c'est le principe des couches antireflets.
Dans le cas o le dphase = , lexpression de lpaisseur de la couche sera :
(1-32)
Le champ rflchi dans ce cas est nul (Er = 0), cela induit crire :
(1-33)
1 2
12
1 2
2 1
21 12
1 2
2 3
23
2 3
1
12
1 2
2
21
1 2
1
23
3 2
2
2
2
n n
r
n n
n n
r r
n n
n n
r
n n
n
t
n n
n
t
n n
n
t
n n
=
+
= =
+
=
+
=
+
=
+
=
+
2
4
d
n
=
(1-26)
(1-27)
(1-28)
(1-29)
(1-30)
(1-31)
18
Le facteur de mrite : ()
-1
Dans les oxydes transparents conducteurs, il existe un compromis entre les proprits optiques
et les proprits lectriques. G. Haacke a suggr en 1976 [57, 58], un facteur de mrite qui
est une corrlation entre les proprits optiques et lectriques des TCO. Il a dfini ce facteur
comme tant le rapport entre la transmission moyenne T dans le domaine du visible (200
800 nm) et la rsistance carre R/ du film TCO :
(1-34)
G.R Gordon [2] a aussi compar les TCO selon le facteur de mrite de chaque matriau
comme le reprsente le tableau (1-3).
Tableau 1-3 : Comparaison des facteurs de mrites de diffrents oxydes transparents
conducteurs.
Le tableau (1-3) montre que le ZnO dop fluor et le cadmium stannate prsentent les meilleurs
facteurs de mrite.
Matriaux Rsistance carre
(/)
Coefficient dabsorption
(cm
-1
)
Facteur de mrite
()
-1
ZnO _F 5 0.03 7
Cd
2
SnO
4
7.2 0.02 7
ZnO _Al 3.8 0.05 5
In
2
O
3
_Sn 6 0.04 4
SnO
2
_F 8 0.04 3
ZnO_Ga 3 0.12 3
ZnO_B 8 0.06 2
SnO
2
_Sb 20 0.12 0.4
ZnO_In 20 0.20 0.2
10
/
T
R
o =

19
1-1-4 Loxyde dtain SnO
2
Loxyde dtain est un oxyde transparent conducteur de type n. Il a t le premier TCO tre
commercialis [59]. Le SnO
2
est un matriau chimiquement inerte et dur mcaniquement ; il
rsiste aux hautes tempratures et est stable vis vis de latmosphre [60].
- Structure cristalline
Loxyde dtain SnO
2
cristallise dans le systme ttragonal rutile (figure 1-5) reprsent avec
les paramtres suivants : a = b = 4.737 et c= 3.186 .
La maille contient six atomes, quatre atomes doxygne et deux atomes dtain. Dans ce
systme chaque atome doxygne est entour de trois atomes dtain et tout atome dtain est
entour de six atomes doxygne.
Fig.1-5 : Maille lmentaire du SnO
2
(structure rutile).
Le gap du SnO
2
Le gap de loxyde dtain en couches minces varie entre 3.6 et 4.2eV, ses variations sont
lies aux techniques utilises pour son laboration. Le gap de loxyde dtain est de type
a
c
b
20
direct. Les extrema de la bande de valence et de la bande de conduction sont sur le mme axe
des vecteurs

(figure 1-6) (
est le vecteur donde dans la zone de Brillouin). Les transitions

des lectrons de la bande de valence vers la bande de conduction se font verticalement.
Fig. 1-6: Prsentation de la bande interdite de loxyde dtain.
- Proprits lectriques
Loxyde dtain prsente une concentration en lectrons libres de lordre de 10
19
10
20
cm
-3
. Celui-ci peut tre dop pour amliorer ses proprits lectriques. Le SnO
2
est dop
principalement avec lantimoine (Sb), le fluor (F), larsenic (As) et le niobium (Nb).
Le fluor augmente la conductivit de loxyde dtain et naffecte pas sa transmission dans la
gamme du visible [61]. Ceci grce aux grandeurs proches des tailles des atomes doxygne
(r=0.132 nm) et du fluor (0.133 nm) ainsi que des nergies de liaisons Sn-F
(466.5 k.J. mol
-1
) et Sn-O (527.6 k.J.mol
-1
).
- Proprits optiques
Le SnO
2
prsente une rflexion importante du rayonnement solaire dans la gamme de
linfrarouge, et une forte absorption dans le domaine ultraviolet, tandis quil a une
transmission de lordre de 85% dans la gamme du visible et il devient opaque au-del de
21
1200 nm. Cette diminution de la transmission optique est due la forte augmentation de
labsorption provoque par la prsence des lectrons libres. La figure (1-7) prsente la
transmission et la rflexion dun film SnO
2
dop fluor.
Fig. 1-7 : Transmission et rflexion dun film doxyde dtain dop fluor [62].
Les diffrentes phases de loxyde dtain
Les films doxyde dtain sont amorphes quand ils sont dposs des tempratures infrieures
350C. Ce nest qu partir de cette temprature que la cristallisation de ces films
commence.
Les films minces doxyde dtain labors par les diffrentes techniques de fabrication sont
gnralement non stchiomtriques, ils prsentent des phases mtastables telles que SnO et
Sn
3
O
4
. La phase SnO apparat la temprature de dpt de 400C et disparat la temprature
de 500C. Cette phase se dcompose en SnO
2
et Sn une temprature de recuit de 450C
[63]. Ceci montre quun recuit des dpts 500C est ncessaire pour avoir une bonne
stchiomtrie SnO
2
.
La phase Sn
3
O
4
apparat lors dun traitement thermique 600C pendant 5 minutes [64, 65] et
se transforme en SnO
2
aprs un recuit 600C pendant une dure dune heure.
22
1-1-5. Loxyde de zinc ZnO
- Structure cristalline
Loxyde de zinc est un oxyde transparent conducteur du groupe II-VI. Il cristallise sous
diffrentes structures comme le sel gemme, le zinc blende et la Wirtzite (figure 1-8). Les
films doxyde de zinc sont principalement connus sous la structure Wirtzite. Cette structure
peut se dfinir comme un empilement hexagonal doxygne (a=3,250 , c=5,205 ). Les
ttradres sont lis entre eux par les atomes doxygnes et leurs centres sont occups par un
cation Zn
2+
.
Les atomes doxygne et de zinc se trouvent respectivement dans les positions : O
2-
(1/3 ;
2/3 ; z), (1/3 ; 2/3 ; 0) avec z= 0,38.
Fig. 1-8 : Structure Wirtzite de loxyde de zinc.
- Proprits lectriques
Loxyde de zinc prsente un gap direct (figure 1-9) ; ceci est d au fait que le maximum de la
bande de valence et le minimum de la bande de conduction se situent sur le mme point de
lespace des k (k tant le vecteur donde dans la zone de Brillouin).
23
Fig. 1-9 : Prsentation du gap de loxyde de zinc.
La conduction lectrique de loxyde de zinc est due la prsence des atomes de zinc dans des
sites interstitiels ainsi quaux lacunes doxygne. Par ailleurs, le ZnO stchiomtrique est un
isolant. Le dopage permet damliorer la conductivit lectrique de ce matriau.
Loxyde de zinc est un TCO qui peut avoir un dopage type p ou type n [66]. Les lments
chimiques qui permettent un dopage type n du ZnO sont laluminium [67], le gallium [68] et
lindium [69 ].
Ces dernires annes, des travaux de recherches se sont orients vers ltude et la synthse de
loxyde de zinc dop p [91, 92]. Parmi les dopants qui permettent d'obtenir ce type de dopage,
il y a lazote, et le co-dopage azote aluminium. Look et al ont ralis des films de ZnO de
type p, laide dun dopage lazote, prsentant une mobilit
up
des trous de lordre de 2
cm/V.s. [67].
24
- Proprits optiques
Loxyde de zinc ZnO est un matriau transparent, son indice de rfraction varie entre 1,9 et
2,2 [70, 71]. Il prsente une absorption aux environs de 360 nm, longueur donde dans
lultraviolet, ce qui explique la valeur du gap des films minces de ce matriau. Par contre, il
est transparent dans le spectre visible et proche infrarouge comme lindique la figure (1-10).
Fig. 1-10 : Transmission dun film doxyde de zinc recuit pour diffrentes tempratures [72].
En plus des proprits de transparence de loxyde de zinc, ce matriau prsente aussi la
proprit de luminescence. Sous leffet dun faisceau lumineux dnergie suprieure au gap
du ZnO, loxyde de zinc met des photons. Ces photons ont gnralement une longueur
donde de lordre de 550 nm correspondant la lumire verte [73-75].
1-2. TECHNIQUES DE DEPOT DES OXYDES TRANSPARENTS CONDUCTEURS
Les oxydes transparents conducteurs sont dposs sous forme de couches minces par
plusieurs techniques de fabrication parmi lesquelles : la dposition chimique en phase vapeur
APCVD ( Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition) [52, 76-82], le spray pyrolyse
25
[52, 65, 83-85], la pulvrisation r.f. magntron [55,86, 87 ], dpt par ablation laser [56], le
sol gel [88 ] et la technique de dposition par pulsation laser [89].
Le dpt des oxydes transparents conducteurs par la technique APCVD prsente plusieurs
avantages, parmi lesquels :
- Dpt rapide basse temprature
- Reproductibilit des dpts des films avec une bonne prcision
- Uniformit des films dposs
- Recouvrement total de la surface du substrat
1-2-1. La technique de la dposition chimique en phase vapeur (APCVD)
Ce travail de thse se concentre sur la ralisation de lempilement silicium, oxyde de silicium,
oxyde dtain, oxyde de zinc par la technique de la dposition chimique en phase vapeur
APCVD (Atmosheric Pressure Chemical Vapour Deposition). Dans cette partie nous allons
dtailler le process APCVD.
Les racteurs CVD ont pour but de dposer une couche solide sur un substrat partir de
ractifs gazeux. Cette technique est caractrise par le dpt de couches fines conductrices,
semiconductrices ou isolantes partir dune raction chimique des ractifs introduits dans la
phase gazeuse.
Les principaux types de racteur CVD :
Il existe plusieurs types de racteurs CVD, ils sont tous utiliss pour le dpt des couches
minces mais chaque type fonctionne sous des conditions de pressions et tempratures
diffrentes. Ce sont principalement :
- Le racteur APCVD : Atmospheric Pressure CVD ou CVD pression atmosphrique
(P = 1bar)
- Le racteur LPCVD : Low Pressure CVD ou CVD basse pression car les dpts
raliss dans ce racteur s'ont raliss une pression P < 1 bar .
- Le racteur HPCVD : High Pressure CVD ou CVD haute pression, les ractions
chimiques se font des pressions P > 1bar.
- Le racteur LECVD : CVD assist par laser
26
Dans un racteur CVD, il se produit des phnomnes physico-chimiques depuis lintroduction
des ractifs gazeux dans le racteur jusqu lextraction des espces produites. Ces
phnomnes se rsument par les tapes suivantes :
- transport des prcurseurs gazeux dans le racteur
- ractions chimiques entre les prcurseurs gazeux aux hautes tempratures lintrieur
du racteur
- dpt au contact avec le substrat des espces chimiques qui participent aux ractions.
- vacuations des espces gazeuses produites par les ractions chimiques
Fig. 1-11 : Phnomnes physico-chimiques se produisant dans un racteur CVD.
Pour obtenir un dpt de bonne qualit par CVD, une optimisation de certains paramtres est
ncessaire. Ces paramtres sont :
- La dure de la raction chimique
- La temprature lintrieur du racteur
- Les dbits des espces gazeuses
- La pression pour les CVD basse pression
Les valeurs de ces paramtres dpendent aussi :
- de la gomtrie du four
- du type du prcurseur utilis
Prcurseur
gazeux
Espce
intermdiaire
Espces
vacues
Couche
dpose
Substrat
Gaz inerte
Racteur
CVD
27
1-3. LES CELLULES SOLAIRES A HETEROJONCTION
Lorsque deux matriaux, Mtal- Semiconducteur, semiconducteur- semiconducteur ou mtal-
isolant-semiconducteur, sont en contact, il stablit un change de charges pour que le
systme trouve un quilibre thermodynamique.
Dans les cellules solaires conventionnelles homojonction PN, lmetteur est constitu par la
zone fortement dope, alors que dans les cellules solaires htrojonction cet metteur est
remplac par le matriau large gap (figure 1-12). Cependant, le problme de recombinaison
en surface rencontr dans la cellule photovoltaque homojonction est remplac par le
problme des recombinaisons au niveau de linterface. Il est signaler que le taux de
recombinaison au niveau de linterface est considrablement infrieur au taux de
recombinaison au niveau de la surface. Cette comparaison est valable dans le cas o, le
matriau large gap est passif, c'est--dire, prsente une faible absorption et une
recombinaison nulle.
Les modles qui traitent des htrojonctions sont :
- Le modle dAnderson, dans ce cas on ne tient pas compte des tats dinterfaces
- Des modles tenant compte des tats dinterfaces et des pertes qui influent sur le
profil des bandes engendrant les recombinaisons.
- Des modles qui prennent en considration les tats dinterfaces et le transport de
charge par effet tunnel
Modle dAnderson
Le modle dAnderson a t dvelopp en 1960 [22]. Il est considr comme le modle de
base dans ltude des htrojonctions. Ce modle prend en compte les proprits
lectroniques des matriaux qui constituent lhtrojonction savoir : laffinit lectronique ,
les largeurs des bandes interdites des matriaux (Eg), les dopages dans les matriaux. Ce
modle ne prend pas en considration les tats dinterfaces.
28
Dans notre cas, nous utiliserons ce modle pour fixer les valeurs du dopage du silicium afin
doptimiser les performances photovoltaques de la cellule SnO
2
-Si que nous allons raliser.
Avantages des cellules solaires htrojonction
- Faible cot de fabrication
- Basse temprature de fabrication
- Adaptation lutilisation des couches minces
Fig. 1-12 : Diagramme des bandes dnergie dune htrojonction sous clairement.
Les diffrentes grandeurs indiques sur cette figure seront dtailles dans le paragraphe
consacr au contact mtal-semiconducteur.
1-3-1. Les cellules solaires du type Mtal -Semiconducteur
Ltude de la premire cellule htrojonction a t prsente en 1974 par Fuhs [90],
lorsqu il a propos de former une htrojonction entre un metteur en silicium amorphe avec
E
s1
eV
d
AE
C
eu
2
E
V
E
C1
E
F
eu
1
e
s2
E
C2
E
V2
E
g
E
g
Niveau du vide
Niveau de Fermi
clairement
29
un substrat en silicium cristallin dans les cellules solaires. Ce type de cellules solaires est
nomm HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) ou htrojonction avec couche
intrinsque. Le plus haut rendement de ce type de cellule est de 22% obtenu par le groupe
Sanyo en 1991 [91].
Les cellules solaires du type Schottky formes laide dune structure compose dun mtal
et dun semiconducteur en contact sont aussi tudies la mme poque que les cellules du
type HIT. Le concept des cellules solaires htrojonction repose sur le contact redresseur
qui stablit entre le mtal et le semiconducteur. Le mtal est gnralement reprsent par un
oxyde transparent conducteur TCO (Transparent Conductive Oxide). Anderson et Kent
[53, 91, 93,95] ont tudi la premire cellule solaire htrojonction du type Schottky
SnO
2
-Si en 1975. Cette tude a montr que la barrire Schottky est de 0.8 V lorsque le
silicium est de type n et elle est de 0.27- 0.37 V si le silicium est de type P [94,96].
Des tudes rcentes ont montres que la hauteur de barrire des diodes du type
SnO
2
-Si(p) atteint 0.87eV [17, 99, 100,111-113].
En 1978 , Singh [98 ] a publi lapport de lintroduction dune fine couche isolante entre le
silicium et le mtal. Il a montr que cette couche isolante augmente la tension de circuit
ouvert.
Les cellules solaires htrojonction prsentent lintrt davoir un rapport entre le rendement
physique et le rendement conomique meilleur que celui des cellules solaires
conventionnelles homojonction PN. Ceci, par le fait que lors de la fabrication de ce type de
cellules, ltape de la diffusion de dopants dans le silicium pour raliser la jonction est
limine. Aussi, elles peuvent tre ralises par des techniques de fabrication faciles mettre
en uvre.
Le graphe ci-dessus montre lintensit des travaux de recherche sur les cellules solaires
htrojonction et lintrt de plus en plus actualis dans ce domaine.
Fig. 1-13 : Progression du nombre de publications traitant des c
htrojonction depuis 1975 2010 (base de donnes ISI Knowledge).
Le contact mtal-semiconducteur
En fonction du dopage du semiconducteur et des valeurs des travaux de sortie des deux
matriaux, le contact mtal-semiconducteur peut tre de type redresseur ou ohmique.
Le contact redresseur (fig 1-
dserte en porteurs majoritaires
- si le semiconducteur est de type n
celui du semiconducteur
- si le semiconducteur est de type p
le contact mtallique : Ce contact est tabli
porteurs majoritaires du ct semiconducteur. Les conditions portes sur le travail de sortie
du mtal et le dopage du semiconducteur sont
- le semiconducteur est de type n
semiconducteur
0
200
400
600
800
1000
1975
1980
1985
N
o
m
b
r
e
d
e
p
u
b
l
i
c
a
t
i
o
n
s
Chapitre1 :
: Progression du nombre de publications traitant des cellules solaires
semiconducteur
semiconducteur peut tre de type redresseur ou ohmique.
-14a et 1-14b): ce type de contact est obtenu lorsquun
dserte en porteurs majoritaires dpaisseur W apparait du cot semiconducteur.
si le semiconducteur est de type n : le travail de sortie du mtal doit tre suprieur
est de type p : le travail de sortie du mtal doit tre
Ce contact est tabli lors de la parution dune zone daccumulation des
mtal et le dopage du semiconducteur sont :
le semiconducteur est de type n : le travail de sortie du mtal est infrieur celui du
1985
1990
1995
2000
2005
2010
Annes
Etat de lart des TCO et cellules solaires htrojonction
30
ellules solaires
semiconducteur peut tre de type redresseur ou ohmique.
e type de contact est obtenu lorsquune zone
apparait du cot semiconducteur.
: le travail de sortie du mtal doit tre suprieur
ortie du mtal doit tre infrieur
lors de la parution dune zone daccumulation des
: le travail de sortie du mtal est infrieur celui du
olaires htrojonctions.
31
- le semiconducteur est de type p : le travail de sortie du mtal est suprieur celui du
semiconducteur
1-3-2. Les caractristiques lectriques dun contact mtal-semiconducteur
Pour caractriser les proprits lectriques dun contact mtal semiconducteur il faut faire
appel aux valeurs de la hauteur de barrire u
B
entre le mtal et le semiconducteur, de la
barrire Schottky (V
d
) entre le semiconducteur et le mtal et du courant lectrique traversant
le contact.
La hauteur de barrire (u
B
) entre le mtal et le semiconducteur
La hauteur de barrire u
B
est la caractristique essentielle dun contact mtal-semiconducteur.
Cette barrire est la diffrence de potentiel entre le travail de sortie du mtal et laffinit
lectronique du semiconducteur, elle est exprime par :
(1-35)
u
M :
travail de sortie du mtal
s
: affinit lectronique du semiconducteur
La barrire (V
d
) entre le semiconducteur et le mtal
La barrire se forme entre le semiconduteur et le mtal. Elle est la barrire des trous et des
lectrons du semiconducteur, sa valeur dpend du travail de sortie du mtal ainsi que du
dopage du semiconducteur.
La barrire dans le cas o le semiconducteur est de type n, note V
d
scrit [97]:
(1-36)
Ec : niveau dnergie de la bande de conduction
E
F,n
: niveau dnergie du niveau de Fermi du semiconducteur type n
B M S
o ; u =
, C F n
d M S M
E E
V
q
o o o ;

= =
32
La barrire Schottky dans le cas o le semiconducteur est de type p est donne par
lexpression :
(1-37)
Ec : niveau dnergie de la bande de conduction
E
F,p
: niveau dnergie du niveau de Fermi du semiconducteur type p
Le courant lectrique l'obscurit traversant le contact mtal-semiconducteur (J
T
)
Le courant lectrique dans lhtrostructure mtal-semiconducteur est d essentiellement aux
porteurs majoritaires. Dans un contact mtal semiconducteur cest le processus
thermolectronique qui domine. Le courant thermolectronique est compos de deux
courants, lun dirig du mtal vers le semiconducteur et lautre du semiconducteur vers le
mtal.
Le courant thermolectronique dans une htrostructure mtal-semiconducteur sexprime en
fonction de la barrire de potentiel existant linterface.
Le courant qui circule du semiconducteur vers le mtal est exprim en fonction des barrires
u
B
et V
d
(1-38), soit :
.
F
.
F
(1-38)
, C F p
d S M M
E E
V
q
o o ; o
= = +
33
T tant la temprature, k la constante de Boltzmann et A* la constante de Richardson.
2
3
4 qm k
A
h
t
-
-
= , m* est la masse effective dun lectron libre et h est la constante de Planck.
Le courant qui est dirig du mtal vers le semiconducteur scrit :
.
F
(1-39)
Le courant thermlectronique J
T
qui est la somme des deux courants circulant du mtal vers le
semiconducteur et du semiconducteur vers le mtal est donn par :.
.
F
.
F
.
F
1 (1-40)
avec
.
F
est le courant de saturation (1-41)

La figure (1-14) prsente les bandes dnergie dune structure mtal-semiconducteur entre
un mtal et un semiconducteur.
34
Fig. 1-14 : Diagramme des bandes dnergie dun contact mtal-semiconducteur redresseur.
(a) cas o le semiconducteur est de type n. (b) cas o le semiconducteur est de type p.
E
FS
E
C
Mtal
eu
s
e
s
eu
M
E
V
~ ~
Semiconducteur N
E
Fm
Niveau du vide
eu
M
> eu
S
eu
M
< eu
S
eu
s
E
C
Mtal
e
s
eu
M
E
V
~ ~
Semiconducteur P
E
Fm
Niveau du vide
E
FS
(a)
(b)
+
+
+
+
e
s
eV
d
= eu
M
- eu
s
W
eu
b
= eu
M
-e
s
eu
M
E
V
E
C
E
F
E
e
s
eV
d
= eu
s
- eu
M
W
-
-
-
-
eu
M
E
V
E
C
E
FS
E
35
1-3-4. Le fonctionnement dune cellule photovoltaque du type Mtal-Semiconducteur
(M-S)
Lorsque lhtrostructure mtal semiconducteur est claire (figure 1-15), deux processus
peuvent se produire selon lnergie du photon.
- si lnergie du photon est suprieure au gap du semiconducteur alors il yaura cration
dune paire lectron-trou. Lorsque cette paire est cre dans la jonction ou proche de
celle-ci, elle sera spare par le champ lectrique interne.
- si lnergie du photon est plus grande que celle de la hauteur de barrire mtal
semiconducteur u
B
, les lectrons du mtal passent du ct semiconducteur.
Fig. 1-15 : La structure mtal semiconducteur sous illumination.
Si le mtal dans lhtrostructure est transparent, ceci permettra de faire passer le
rayonnement solaire dans le substrat actif (semicondcuteur) sans attnuation. La courbure
des bandes dnergie entre les matriaux permet la production du photocourant. En plus de
leffet antireflet du mtal transparent, il peut aussi servir comme un contact mtallique avant
prsentant une faible rsistance de contact.
Toutefois, il est ncessaire que le mtal de lhtrostructure soit suffisamment transparent
pour transmettre le rayonnement solaire dans le substrat actif (semicondcuteur) sans
attnuation. Deux autres avantages potentiels des matriaux semi-conducteurs transparents
E
V
E
C
u
B
E
Fsc
E
FM
e
+
e
-
e
+
e
-
36
seraient alors aussi exploits : leffet antireflet de la couche mtallique transparente, et la
ralisation du contact mtallique en face avant prsentant une faible rsistance de contact.
Les paramtres photovoltaques des cellules solaires du type Mtal-Semiconducteur (M-S)
La densit du courant de court circuit Jsc dune cellule photovoltaque htrojonction du
type mtal semiconducteur est donne par lquation :
= (l)1 (l)
(l)l (1-42)
avec : u() : flux des photons incidents
R() coefficient de rflexion
R
S
: rponse spectrale ou sensibilit spectrale
(l)
(l)((l))
(1-43)
J
ph
: densit du courant pour la longueur donde
Sous clairement, le courant dlivr par la cellule sera donn par :
=
(1-44)
Lexpression de la tension de circuit ouvert Voc (quation I-45) est dduite de lquation
(1-44) en prenant J = 0.
0
ln 1
sc
oc
J nkT
V
q J
| |
= +
|
\ .
(1-45)
En remplaant le courant inverse de saturation par sa formule (quation 1-41), on obtient la
variation de V
OC
en fonction de u
B
, J
sc
et T :
37
(1-46)
La caractristique courant-tension dune cellule htrojonction du type mtal-
semiconducteur (quation 1-46) dpend de la hauteur de barrire mtal semiconducteur u
B
.
Le facteur de forme
Cest le rapport entre la puissance maximale qui peut tre fournie la charge et la puissance
dlivre par la cellule, il scrit :
(1-47)
Le rendement photovoltaque
Le rendement de conversion photovoltaque dune cellule solaire est le rapport entre la
puissance maximale fournie par la cellule et la puissance solaire incidente.
h =

= .
(1-48)
Pi : Puissance dclairement reue par unit de surface.
Puissance crte :Cest la puissance maximale dlivre par la cellule photovoltaque pour un
clairement nergitique incident de 1000 w/m.
P
= h. 1000. S
S : surface de la cellule en m.
ln
*
sc
OC B
J KT
V n
q A T
o
| |
= +
|
\ .
.
.
m m
sc oc
J V
FF
J V
=
38
1-3-5. Les cellules photovoltaques du type SnO
2
-Si
Les cellules solaires htrojonction SnO
2
-Si ont t tudies initialement par Anderson et
Kent en 1975 [91]. Ces cellules solaires prsentent un prix de fabrication bas grce
llimination des tapes hautes tempratures de la fabrication de la jonction et ces dernires ne
ncessitent pas de dpt dune couche antireflet contrairement aux cellules solaires
homojonction PN . A.K. Gosh a report en 1977 [98] que la cellule SnO
2
-Si peut atteindre un
rendement thorique de lordre de 20%. Mais, exprimentalement et lchelle du laboratoire
il na pu avoir quun rendement de 9% [98,101].
Les caractristiques photovoltaques des cellules SnO
2
-Si
Le tableau (1-4) donne les caractristiques photovoltaques des cellules solaires du type
Silicium-Oxyde dtain.
Jsc(mA/cm) Voc(V) FF (%) n(%) Rfrence
SnO
2
-Si(n)
(electron beam)
29 0.521 64 9.9 S. Franz [91]
SnO
2
-Si(n)
(sputtring)
30 0.505 55 8.27 A .K.Gosh [98]
SnO
2
-Si(n)
(CVD)
22.3 0.36 75 6.3 K. Singh [94]
SnO
2
-Si(n)
Spray pyrolyse
33,6 0,49 0,58 9,7 H.Cachet [101]
Tableau 1-4 : Caractristiques photovoltaques des cellules solaires du type SnO
2
-Si.
1-3-6. Les cellules solaires du type MIS
En introduisant une couche fine isolante entre le silicium et loxyde dtain, la structure
devient une htrojonction du type Mtal-Isolant-Semiconducteur MIS [16, 20, 21, 102-110].
Daprs A.K. Gosh [98] la fine couche isolante amliore la tension de circuit ouvert. Cette
amlioration est due au fait que le courant inverse de saturation est rduit. La caractristique
courant-tension de ce type de cellule est exprim en fonction de lpaisseur de la couche
isolante (quation 1-49) [99,111, 112, 114].
39
( )
1
2
ln
*
sc
OC b
J kT kT
V n
q q A T
o ; o
| | | |
= +
| |
\ . \ .
(1-49)
(1-50)
La figure ci-dessous prsente les bandes dnergie dune structure mtal-isolant-
semiconducteur dans les cas o le semiconducteur est de type n et de type p.
Fig. 1-16 : Diagrammes des bandes dnergie dune structure mtal-isolant-semiconducteur.
(a) le semiconducteur est de type n. (b) le semiconducteur est de type p.
1
2
.
0
. 1
oc
qV
nkT
sc
J J e e
; o
| |
|
|
\ .
| |
=
|
\ .
(b)
eus
es
euM > euS
EFS
EC
Mtal
euM
EV
Semiconducteur N
E
Fm
Niveau du vide
I
s
o
l
a
n
t
EFm
Mtal
I
s
o
l
a
n
t
EFS
eus
EC
es
euM
EV
Semiconducteur P
Niveau du vide
(a)
+
+
+
+
es
eVd = euM - eus
W
eub= euM-es
euM
E
V
EC
EFS
E
W
E
V
EC
EFS
E
-
-
-
-
40
Pour obtenir des htrostructures du type Mtal-semiconducteur et mtal-isolant-
semiconducteur des conditions sur lordre de lempilement des diffrents matriaux doivent
tre portes. Parmi les paramtres qui influent sur lefficacit de lhtrostructure, la rsistivit
du substrat de silicium et lpaisseur des couches qui constituent lempilement sont des
paramtres critiques.
1-4. LES COURANTS DANS LES STRUCTURES MS ET MIS EN PRESENCE
DETATS DINTERFACES
Le courant que dlivre une cellule solaire htrojonction dpend fortement des tats
dinterfaces entre les couches des matriaux qui la constituent. Les recombinaisons des
porteurs aux nivaux de ces interfaces implique une augmentation du courant inverse de
saturation J
0
qui provoque une diminution du courant de court circuit J
SC
. Ce courant est
limit par la prsence des tats dinterface et donc du taux de recombinaison des porteurs en
surface (au niveau des contacts).
1.4.1. Les recombinaisons des porteurs en surface
Le substrat de silicium utilis dans les structures htrojonction prsente une rupture brutale
du rseau cristallographique au niveau de la surface. Cette discontinuit fait apparatre des
liaisons pendantes non satures. Ces liaisons introduisent des dfauts qui se manifestent par
lapparition de niveaux nergtiques dans la bande interdite du silicium. Ces dfauts
entrainent des recombinaisons des porteurs libres. Ils sont connus sous la notion des tats
dinterface Dii(E) et leur densit est donne en cm
-2
.eV
-1
.
Le taux de recombinaison des porteurs libres en surface (Us) sexprime en fonction des
concentrations des lectrons (n
s
) et des trous (p
s
) la surface du semiconducteur , de la
densit des tats dinterface (Dii), de la concentration intrinsque du semiconducteur (ni), des
sections efficaces de capture des lectrons (
n
) et des trous (
p
) , des densits des lectrons (n)
et des trous (p) dans le semiconducteur ainsi que de la vitesse thermique (v
th
) des porteurs
comme lindique la relation suivante :
41
()
()
() (1-51)
A partir du taux de recombinaison en surface, nous pouvons dfinir la vitesse de
recombinaison des porteurs en surface (S) qui sexprime en cm. s
-1
. Cette vitesse est le rapport
du taux de recombinaison (Us) la densit des porteurs en excs en surface (n) selon la
relation suivante :
=

(1-52)
1.4.3. Les cellules solaires du type mtal-semiconducteur
Les tats dinterface introduisent deux mcanismes de transport de charges dans la cellule
solaires du type mtal-semiconducteur, un courant provenant du passage des lectrons du
mtal vers les tats dinterface J
MT
et un courant de recombinaison des porteurs photognrs
dans les tats dinterfaces J
rt
et J
re
. Ces deux courants contribuent dune faon ngative au
courant de court circuit J
SC
.
Le courant de recombinaison Jrec est la somme des courants de recombinaisons ds aux
lectrons et aux trous. Il sexprime en fonction des taux de recombinaison de chacun des
porteurs Ucn et Ucp.
= (

+
) (1-53)
42
Fig. 1-17 : Les courants lectriques dans la structure mtal-semiconducteur en prsence des
tats dinterface.
1.4.4. Les cellules solaires du type mtal-isolant-semiconducteur
Dans les cellules solaires du type mtal-isolant-semiconducteur, il existe aussi des tats
dinterface entre le semiconducteur et lisolant et entre le mtal et lisolant. En plus de ces
tats dinterface, lisolant contient aussi des charges. La condition de neutralit des charges
dans ce systme fait intervenir les densits des charges dinterface entre le mtal et lisolant
Q
M
, des charges prsentent dans lisolant Q
S
, des charges entre le semiconducteur et lisolant
Q
SS
et des charges prsentes dans la rgion dserte en porteurs libres Q
SC
. La condition de
neutralit est donne par la relation suivante [115, 116] :
Q
M
+ Q
S
+ Q
SS
+ Q
SC
= 0 (1-54)
La prsence de ces charges dans lhtrostructure provoque la circulation du courant tunnel
entre le semiconducteur et le mtal travers lisolant ainsi quun courant de recombinaison
des porteurs photognrs. Les expressions de ces courants sont les suivantes :
h
W
E
E
E
FS
e
+
e
-
N
E
eV
d
J
re
J
rt
J
M
43
a) Le courant tunnel (J
CT
) et (J
VC
) travers lisolant :
Les expressions des courants tunnels (J
CT
) des lectrons et (J
VC
) qui traversent lisolant sont
les suivantes [127] :
= 4
).
exp ()
(1-55)
= 4
exp ()
(1-56)
Lexpression de est donne par la relation suivante [128]:
=

) 1 +

(1-57)
m
TI
et m
TS
sont respectivement les masses effectives des charges dans lisolant et dans le
semiconducteur, f
m
, f
n
et f
p
sont les probabilits de distribution de Fermi dans le mtal et des
lectrons et des trous dans le semiconducteur. E
T
est lnergie transversale, x
m
et x
sc
sont les
points tunnel classiques.
b) Le courant tunnel total d aux tats dinterfaces :
le courant tunnel d aux tats dinterface (quation 1-58) sexprime en fonction de la densit
des tats dinterfaces (N
SS
), de lnergie transversale (E
T
), de R
T
qui est le taux de leffet
tunnel et fm et ft qui sont respectivement les probabilits quun tat dinterface soit occup
du cot mtal ou du cot semiconducteur.
.
.
. (
(1-58)
44
c) Le courant de recombinaison des lectrons (J
re
) et des trous (J
rt
)
Le courant de recombinaison des lectrons et des trous caus par la prsence des tats
dinterfaces sexprime comme la somme des taux de recombinaison des lectrons U
cn
et des
trous U
cp
.
=

(1-59)
=

(1-60)
Fig. 1-18 : Les courants lectriques dans lhtrostructure mtal-isolant-semiconducteur en
prsence des tats dinterfaces.
Les courants dus aux tats dinterfaces (J
ST
) et aux tats prsents dans lisolant (J
CT
et J
VT
)
ainsi que le courant d aux recombinaisons des porteurs de charges (J
re
et J
rt
) contribuent
laugmentation du courant inverse de saturation. Cet effet, a pour consquence de rduire le
courant de photognration.
h
W
N
V
E
V
E
C
EFS
E
J
re
J
rt
J
CT
J
VT
J
ST
45
La prsence des tats dinterface influe donc sur le rendement photovoltaque des cellules
solaires du type mtal-isolant-semiconducteur. W.W. Wenas [117] a tudi leffet de la
densit des tats dinterface sur le rendement photovoltaque des cellules solaires du type
ZnO -SiO
2
- Si comme le montre la figure (1-19).
Fig. 1-19 : Variation du rendement photovoltaque de la cellule ZnO-SiO
2
- Si en fonction de
lpaisseur de la couche SiO
2
pour des concentrations des tats dinterfaces [117].
1-5. Choix de lempilement
La fabrication dune cellule solaire htrostructure ncessite un empilement des couches
adquat lapplication photovoltaque. Dans notre cas nous utiliserons le silicium comme
substrat et loxyde de zinc ou loxyde dtain pour constituer lempilement. Le choix de
lempilement repose sur le type des contacts entre les diffrents films qui constituent
lhtrostructure. Le type du contact qui peut tre soit ohmique soit redresseur dpend des
valeurs des travaux de sortie des matriaux qui constituent les films minces ainsi que des
valeurs des concentrations en porteurs libres et du type du silicium utilis (figure 1-20).
46
Fig. 1-20 : Diagramme des bandes dnergie des htrostructures SnO
2
-SiO
2
-Si
et ZnO- SiO
2
- Si avant change de porteurs.
En calculant oE, la diffrence dnergie entre le travail de sortie et laffinit lectronique du
silicium nous pourrons dduire selon le type du silicium les valeurs de la rsistivit pouvant
assurer lexistence du contact ohmique ou redresseur entre loxyde transparent conducteur et
le silicium.
1-5-1. Lhetrostructure SnO
2
-SiO
2
-Si
Cas o le silicium est de type n
a) le contact redresseur
Pour obtenir un contact redresseur dans ce cas il faut que ;
Si
+ oE soit infrieur au travail de
sortie du SnO
2
.
o
SnO2
= 4.85 eV
;
Si
= 4.01 eV
oE
E
FSi
E
C
E
V
E
FSnO2
NV
o
SnO2
= 4.85 eV
;
Si
= 4.01 eV
oE
E
FSi
E
C
E
V
E
FSnO2
NV
o
ZnO
= 4.50 eV
;
Si
= 4.01 eV
oE
E
FSi
E
C
E
V
E
FZnO
NV
o
ZnO
= 4.50 eV
;
Si
= 4.01 eV
oE
E
FSi
E
C
E
V
E
FZnO
NV
47
;
Si
+ oE < o
SnO2
alors oE < 0,84 eV
Donc 0 < oE < 0,56 eV
Calculons la concentration des atomes donneurs N
D
(quation 1-61) dans le silicium (n) ainsi
que la rsistivit ncessaire pour raliser le contact redresseur entre le silicium et loxyde
dtain :
.
F C
E E
KT
D V
N N e
| |
|
\ .
= (I-61)
Pour E
F
E
C
= 0 eV
N
Dmax
= N
C
= 2,70. 10
19
/ cm
3
Pour E
F
-E
C
= - 0,56 eV
N
D min
= 5,02. 10
9
/ cm
3
Donc les valeurs de la rsistivit varieront entre une valeur minimale gale
4
max
1
1, 71.10 .
. .
D n
cm
e N u

= O et une valeur maximale gale
5
min
1
9, 22.10 .
. .
D n
cm
e N u
= O
O u
n
= 1350 cm/V.s
-1
et u
p
= 480 cm/V.s
-1
sont respectivement les mobilits des lectrons
et des trous dans le silicium.
b) Le contact ohmique
Pour obtenir un contact ohmique entre le silicium et loxyde dtain ;
Si
+ oE doit tre
suprieur o
SnO2
donc oE > 0.84eV. Il est impossible de raliser un contact ohmique entre le
silicium de type n et le SnO
2
.
48
Cas o le silicium est de type p
a) Le contact redresseur
Le contact redresseur dans ce cas pourrait tre ralis si ;
Si
+ oE > o
SnO2
donc oE > 0,84 eV.
La valeur de oE doit tre comprise entre 0,84 et 1,12eV. De ces valeurs de oE, nous tirerons
les valeurs des concentrations des dopants (N
A
) (quation 1-62).
.
V F
E E
KT
A V
N N e
| |
|
\ .
= (1-62)
La valeur maximale de N
A
correspond une diffrence dnergie nulle entre E
V
et E
F
soit :
E
V
- E
F
= 0 eV.
donc : N
Amax
= 1,10 10
19
/cm
3
La valeur de la rsistivit correspondante du silicium dans ce cas est p =1,10 O .cm
Quant la valeur minimale de N
A
, elle est calcule pour une diffrence dnergie qui vaut :
E
V
- E
F
= -0,28eV.
Ce qui donne :
N
Amin
= 1,43. 10
14
/cm
3
A cette valeur de la concentration des porteurs libres, correspond la valeur de la rsistivit p
=91,00 O .cm.
49
b) contact ohmique
Le contact ohmique peut tre ralis si oE<0.84 eV. Comme le semiconducteur est de type p
alors oE varie entre 0,56 eV et 0,84 eV. Les valeurs des concentrations des dopants qui
correspondent cet intervalle de oE sont N
Amax
= 1,43.10
14
cm
-3
et N
Amin
= 2,40.10
9
cm
-3
.
La rsistivit du silicium qui satisfait le contact ohmique avec loxyde dtain est donc
comprise entre p= 91,00 O.cm et p= 5,42. 10
6
O.cm.
1-5-2. Lhtrostructure ZnO- SiO
2
- Si
Cas o le silicium est de type n
Le contact redresseur entre le silicium type n et loxyde de zinc est tabli si o
Si
< o
ZnO
donc ;
Si
+ oE < o
ZnO
. La diffrence dnergie oE doit tre infrieure 0,50 eV. Le silicium
est de type n alors 0 < oE < 0,50 eV.
De ces valeurs de oE, nous dduisons les concentrations correspondantes des dopants qui
sont N
Amin
= 5,40.10
10
cm
-3
et N
Amax
= 2,70.10
19
cm
-3
. Les valeurs des rsistivits qui
correspondent ces dopages sont respectivemnt p
min
=1,70.10
-4
O.cm
et p
max
= 8,50.10
4
O.cm
b) le contact ohmique
Un contact ohmique pourrait tre obtenu entre le silicium type n et loxyde de zinc si
oE > 0,50 eV. Comme le silicium est de type n, alors oE doit tre compris entre 0,50
et 0,56 eV. Valeurs pour lesquelles correspondent les rsistivits respectives
p
min
= 4,30.10
3
O .cm et p
max
= 1,12.10
3
O .cm.
50
Cas o le silicium est de type p
Pour avoir un contact redresseur entre le silicium type p et loxyde de zinc, la condition qui
suit doit tre satisfaite :
;
Si
+ oE > o
ZnO
, donc oE > 0.50 eV. 0.50<oE<1,12 eV
Les valeurs des rsistivits du silicium type p qui satisfont cette condition sont
p = 2.6510
4
O.cm et p = 7,60.10
-4
O .cm.
b) le contact ohmique
Le contact ohmique peut sobtenir lorsque oE < 0.50 eV. Nous remarquons quil est
impossible davoir un contact ohmique entre loxyde de zinc et le silicium de type p.
Le tableau (1-5) rsume les diffrentes valeurs des rsistivits pour chaque type de contact
dans les htrostructures SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO- SiO
2
- Si
Htrostructure Contact redresseur Contact ohmique
SnO
2
-SiO
2
-Si(n)
Ou SnO
2
-Si(n)
1,71.10
-4
O .cm < p < 9,22.10
5
O .cm Impossible
SnO
2
-SiO
2
- Si(p)
Ou SnO
2
-Si(p)
1,11.10
-3
O .cm < p < 91 O .cm 4,08 10
4
O.cm <p<2,39.10
8
O.cm
ZnO -SiO
2
-Si(n)-
Ou ZnO-Si(n)
1,70.10
-4
O .cm < p < 8,50.10
4
O .cm p = 86.10
4
O .cm
ZnO- SiO
2
- Si(p)
Ou ZnO-Si(p)
p = 6,00.10
-6
O .cm Impossible
Tableau 1-5 : Valeurs des rsistivits du silicium pour avoir les diffrents contacts dans les
htrostructures SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO- SiO
2
-Si.
51
1-6. Conclusion
Il savre travers ltude des proprits lectriques, optiques et structurales des TCO que la
qualit de ces derniers permet ces matriaux, raliss en couches minces dtre utiliss dans
les dispositifs optolectroniques et surtout dans la ralisation de nouvelles structures dans les
cellules solaires photovoltaques. Ils peuvent ainsi contribuer lamlioration des
performances des cellules conventionnelles (couches antireflet, fentres optiques).
Parmi ces TCO, le SnO
2
et le ZnO occupent une place prpondrante. Leur laboration se fait
laide de techniques varies influant souvent sur les proprits des films obtenus. Parmi ces
techniques, lAPCVD que nous avons mise en place et utilise dans notre travail prsente
lavantage dune simplicit de mise en uvre, dtre relativement peu couteuse et permettant
le contrle exprimental de lpaisseur et de luniformit dans llaboration des couches
minces.
Les films des TCO dposs sur des semiconducteurs tel que le silicium massif forment des
htrostructures qui peuvent servir de cellules solaires htrojonction du type
mtal-semiconducteur (M-S) et mtal-isolant-semiconducteur (M-I-S).
52
2-1. SIMULATION DES CELLULES SOLAIRES A HETEROJONCTION SnO
2
-Si ET
ZnO-Si SOUS PC1D
Le logiciel de simulation numrique PC1D (Personnel Computer One Dimensionnel) est trs
utilis dans la simulation des cellules solaires. Ce logiciel a t dvelopp en Australie
luniversit South Wales de Sydney. Il permet de simuler le comportement des structures
photovoltaques base de semiconducteurs en respectant une structure une dimension
(symtrie axiale).
Le PC1D contient des fichiers bibliothques avec les paramtres des semiconducteurs
cristallins utiliss dans la technologie photovoltaque comme le GaAs, a-Si, AlGaAs, Si, InP
et Ge. Les fichiers du spectre solaires sont aussi disponible dans ce logiciel, essentiellement
les spectres (AM
0
, AM
1.5
).
Dans la fentre du logiciel PC1D (figure 2-1), il faut introduire les donnes en relation avec :
le dispositif, les rgions de la cellule solaire et de lexcitation. La dernire partie de la fentre
est consacre aux rsultats.
Les rgions qui constituent la cellule photovoltaque simuler doivent tre constitues de
matriaux pris en charge par le logiciel.
Certains paramtres variables des matriaux sont saisis partir des fichiers externes.
Chapitre2 : Simulation et optimisation des cellules solaires SnO
2
-Si et ZnO-Si.
53
Fig. 2-1 : Fentre PC1D.
2
-Si et ZnO-Si.
54
Nous avons simul sous PC1D les cellules solaires htrojonction du type SnO
2
-Si
et ZnO-Si afin dvaluer les performances photovoltaques de ce type de cellules. Ces
cellules photovoltaques sont du type Schottky. Les rsistances sries utilises dans la
simulation sont faibles et les rsistances shunt infinies pour ngliger les courants de fuite.
Le but de ce travail de thse est de raliser une cellule solaire du type Schottky. Nous avons
utilis le modle dAnderson, il est alors ncessaire de connaitre le travail de sortie du
silicium qui optimise le fonctionnement de la cellule.
Dans cette simulation nous avons fait varier le dopage, le type et lpaisseur du substrat de
silicium. Cette simulation permet de choisir les bonnes valeurs de ces paramtres qui
permettent doptimiser le rendement photovoltaque des cellules solaires que nous allons
raliser.
Les cellules solaires simules
Les paramtres utiliss pour cette cellule solaires sont donns dans le tableau (1-2).
Couche antireflet SnO
2
: 0.3 m
Barrire ngative de surface : 0,6 V
Emetteur , rsistance srie 10
-6

Couche active SnO
2
: 0. 3m
Substrat Silicium : 300m
Couche antireflet ZnO : 0,03 m
Barrire ngative de surface : 0,6 V
Emetteur , rsistance srie 10
-6

Couche active ZnO : 0,3m
Substrat Silicium : 300m
Tableau 1-2 : Paramtres des cellules solaires SnO
2
-Si et ZnO-Si simules sous PC1D.
SnO
2
Si
ZnO
Si
2
-Si et ZnO-Si.
55
En utilisant ces paramtres, le rsultat de la simulation montre que ces cellules
htrojonction peut atteindre un rendement photovoltaque de 22 %.
2-1-1. Influence du dopage du substrat de silicium sur les cellules solaires
SnO
2
-Si et ZnO-Si
Le dopage du silicium influe sur la hauteur de la barrire en modifiant le travail de sortie du
silicium.
Pour tudier linfluence du dopage du silicium sur les paramtres photovoltaques des cellules
solaires du type Schottky ; SnO
2
-Si et ZnO-Si, nous avons fix lpaisseur du silicium
300 m et avons fait varier les concentrations du dopage de 10
12
10
18
cm
-3
. Ces simulations
sont ralises pour des substrats de silicium de type n et de type p.
Nous allons prsenter les rsultats obtenus pour chaque cellule pour les diffrents dopages du
silicium. .
- Cas o le silicium est de type n
La figure (2-2) montre la variation des paramtres photovoltaques des cellules solaire
SnO
2
-Si et ZnO -Si en fonction du dopage du substrat.
Les meilleures valeurs des paramtres photovoltaques de ces cellules sont obtenues pour des
substrats fort dopage. Un dopage du silicium type n de 2.10
17
cm
-3
donne le meilleur
rendement photovoltaque pour ces cellules. Ceci sexplique par le fait que la barrire
Schottky u
B
est plus leve lorsque le travail de sortie du silicium est faible comme le
montre la formule (2-1).
, C F n
d M S M
E E
V
q
o o o ;

= = (2-1)
2
-Si et ZnO-Si.
56
Fig. 2- 2 : Variation de Voc, Jsc et du rendement en fonction du dopage du silicium type n
des cellules SnO
2
-Si(n) (a) et ZnO-Si(n) (b).
- Cas o le silicium est de type p
Dans le cas o le silicium est de type p, le rendement de conversion de la cellule
htrojonction du type SnO
2
-Si(p) est important pour les cellules ralises partir dun
substrat de silicium moyennement dop (figure 2-3).
2
-Si et ZnO-Si.
57
La simulation de ces cellules photovoltaques avec ces conditions permet davoir les
paramtres photovoltaques suivantes : Voc= 0.73V, Jsc= 38 mA/cm, n = 22 %.
Fig. 2-3 : Variations de Voc, Icc et en fonction du dopage du substrat de silicium p des
cellules solaires SnO
2
-Si(p) (a) et ZnO- Si(p) (b).
Les faibles dopages du silicium type p permettent daugmenter la barrire de potentiel entre le
semiconducteur et loxyde dtain. La relation (2-2) ci-dessus illustre la dpendance de la
barrire de potentiel du dopage du silicium (travail de sortie). Plus le travail de sortie du
silicium est lev, plus la barrire de potentiel est importante.
(2-2)
, C F p
d S M M
E E
V
q
o o ; o
= = +
2
-Si et ZnO-Si.
58
2-1-2. Variation du rendement quantique interne en fonction du dopage du silicium de
la cellule solaire SnO
2
-Si
a) Cellule SnO
2
-Si(n)
Pour tudier la variation du rendement quantique interne en fonction du dopage du silicium
type n de la cellule SnO
2
-Si (n), nous avons calcul lallure de ce rendement en fonction des
longueurs dondes pour diffrentes valeurs du dopage du silicium. Les valeurs du dopage du
silicium prise en considration sont : N
D
= 1. 10
16
cm
-3
, N
D
= 5. 10
16
cm
-3
, N
D
= 1. 10
17
cm
-3
,
N
D
= 5. 10
17
cm
-3
, N
D
= 1. 10
18
cm
-3
.
Le meilleur dopage du silicium qui correspond au rendement quantique interne optimum est
N
D
= 1. 10
16
cm
-3
(figure 2-4).
Fig. 2-4 : Variation du rendement quantique interne de la cellule solaire SnO
2
-Si (n) en
fonction du dopage du silicium type n.
b) Cellule SnO
2
-Si(p)
Les valeurs des concentrations de dopages N
A
, utilises pour simuler la variation du
rendement quantique interne de la cellule SnO
2
-Si(p) sont : N
A
= 5. 10
14
cm
-3
,
N
A
= 1. 10
15
cm
-3
et N
A
= 5. 10
15
cm
-3
.
2
-Si et ZnO-Si.
59
Le rendement quantique interne de la cellule SnO
2
-Si(p) est maximum pour tout les dopages
infrieurs N
A
= 1.10
15
cm
-3
(figure 2-5). Par ailleurs, toutes les cellules solaires dont le
substrat de silicium type p dop avec des concentrations suprieures N
A
= 1.10
15
cm
-3
voient
le rendement interne diminuer de moiti.
Fig. 2-5 : Variation du rendement quantique interne en fonction du dopage du silicium p dans
les cellules SnO
2
-Si(p).
2-1-3. Influence du dopage du substrat de silicium sur le rendement quantique interne
de la cellule solaire ZnO Si
Nous avons tudi ce phnomne en prenant diffrentes valeurs de dopages du silicium type n
(figure 2-6). Les concentrations des impurets donneurs N
D
utilises dans la simulation sont :
N
D
=1.10
14
cm
-3
, N
D
=5.10
14
cm
-3
, N
D
=1.10
15
cm
-3
, N
D
=5.10
15
cm
-3
, N
D
=1.10
16
cm
-3
,
N
D
=5.10
16
cm
-3
et N
D
=1.10
17
cm
-3
.
2
-Si et ZnO-Si.
60
Fig. 2-6 : Variation du rendement quantique interne de la cellule solaire ZnO-Si(n) en
fonction de la concentration des impurets donatrices.
La variation du rendement quantique interne nest pas considrable pour des substrats de
silicium dops avec des concentrations des atomes donneurs infrieurs 5.10
16
cm
-3
. Par
ailleurs une concentration du dopage de lordre de 1.10
17
cm
-3
rduit de moiti le rendement
quantique interne.
2-1-4. Influence de lpaisseur du silicium sur les cellules SnO
2
-Si(n) et SnO
2
-Si(p)
Leffet de lpaisseur du silicium est simul en faisant varier la valeur de lpaisseur du
substrat du silicium type n et p. Les paisseurs du substrat simules varient entre 50 m
350 m (figure 2-7).
(nm)
2
-Si et ZnO-Si.
61
Fig. 2- 7: Variation de Voc, Icc et en fonction de lpaisseur du substrat du silicium dans
les cellules SnO
2
-Si(n) (a) et SnO
2
-Si(p) (b).
La meilleure paisseur du silicium qui donne la plus importante valeur du rendement
photovoltaque des cellules solaires SnO
2
-Si(n) et SnO
2
-Si(p) est de 100 m.
Lpaisseur du substrat influe sur le courant de court circuit de la cellule solaire. Plus le
substrat est mince plus les porteurs photognrs ont une probabilit importante datteindre le
contact arrire.
2-1-5. Influence de lpaisseur du substrat de silicium sur le rendement quantique
interne des cellules SnO
2
-Si
Nous avons simul leffet de lpaisseur du substrat de silicium sur le rendement quantique
interne de la cellule SnO
2
-Si dans les cas o le dopage est p et n. Les diffrentes courbes du
rendement quantique interne (figure 2-8) sont reprsentes pour des paisseurs du substrat de
100 m, 150 m, 200 m, 250 m, 300 m, 350 m.
(a)
(b)
2
-Si et ZnO-Si.
62
Fig. 2-8: Influence de lpaisseur du silicium sur le rendement quantique
de la cellule SnO
2
-Si(p).
Fig. 2-9 : Variation du rendement quantique interne en fonction de lpaisseur du substrat de
silicium type n des cellules solaires SnO
2
-Si(n).
Le rendement quantique interne des cellules solaires SnO
2
-Si(p) (figure 2-9) est plus lev
lorsque lpaisseur du substrat est pais (350m). Un substrat de silicium type n (figure 2-8)
de cette paisseur (350 m) prsente un rendement quantique interne lgrement moins lev
que celui obtenu pour une cellule solaire SnO
2
-Si(n) dont lpaisseur du substrat est de
100 m.
2
-Si et ZnO-Si.
63
2-1-6. Influence de lpaisseur du silicium sur le rendement quantique interne de la
cellule
solaire ZnO- Si(n)
Le rendement quantique interne de la cellule ZnO - Si(n) est simul sous PC1D pour des
diffrentes valeurs de lpaisseur du substrat du silicium qui sont : 100 m, 150m, 200m,
250m, 300m et 350m.
Fig. 2-10 : Variation du rendement quantique interne de la cellule solaire ZnO - Si(n)
en fonction de lpaisseur du substrat du silicium.
Daprs le rsultat de la simulation, nous constatons que le rendement quantique interne de la
cellule htrojonction ZnO-Si(n) nest pas trop influenc par la variation de lpaisseur du
substrat de silicium. La valeur optimale de lpaisseur est de 250 m.
2-1-7. La caractristique I(V) de la cellule Si-SnO
2
Les caractristiques courant tension des cellules photovoltaques SnO
2
-Si(p) et SnO
2
-Si(n)
simules sous PC1D sont reprsentes la figure (2-11). La simulation est ralise en
utilisant les valeurs optimales du dopage et de lpaisseur des substrats de silicium.
Lallure des caractristiques est la mme pour les cellules solaires substrat type p ou type n.
(nm)
2
-Si et ZnO-Si.
64
(a)
(b)
Fig. 2- 11 : Caractristique I(V) des cellules solaires SnO
2
-Si(n) (a) et SnO
2
-Si(p) (b).
-0,05
-0,04
-0,03
-0,02
-0,01
0
0,01
0,02
0,03
0,04
-0,7 -0,6 -0,5 -0,4 -0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Isc (A)
Voc (Volts)
-0,06
-0,04
-0,02
0
0,02
0,04
0,06
-0,4 -0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Isc (A)
Vco (Volt)
2
-Si et ZnO-Si.
65
2-2. OPTIMISATION DE LEPAISSEUR DES OXYDES DETAIN ET DE SILICIUM
DANS LES HETEROSTRUCTURES SnO
2
-Si, ZnO-Si, SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO -SiO
2
-Si
Dans les cellules htrojonction du type SnO
2
-Si, SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO-SiO
2
-Si, les
paisseurs des couches minces influent sur la transmission du rayonnement lumineux. Pour
optimiser lpaisseur de chaque film mince transparent conducteur qui constitue les
empilements, nous calculons les paisseurs des couches des oxydes dtain et de zinc qui
correspondent une rflexion minimale du rayonnement solaire. Ce minimum de rflexion est
pris pour des interfrences destructives au niveau des couches des oxydes dtain et de zinc.
Dans ces calculs nous navons pas pris en considration les contacts mtalliques avant de la
cellule solaire. Afin doptimiser lpaisseur de loxyde de silicium, dans les empilements
SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO-SiO
2
-Si nous avons simul sous MATLAB la caractristique I(V) des
cellules solaire du type mtal-isolant-semiconducteur.
2-2-1. Simulation sous le logiciel Concise Macleod
lempilement SnO
2
-Si
Ce calcul est bas sur la minimisation de la rflexion dans la gamme du spectre solaire allant
de lultraviolet au proche infrarouge. Dune manire gnrale, nous avons cherch optimiser
la transmission du rayonnement en favorisant les interfrences parfaitement destructives une
longueur donde situe au milieu du spectre solaire utilis, c'est--dire 750 nm. Pour pouvoir
exploiter les interfrences de la lumire cohrente lpaisseur de la couche SnO
2
doit tre
limite 1 m.
Comme lindice de rfraction de loxyde dtain est compris entre celui de lair et celui du
silicium alors la condition sur lpaisseur pour avoir des intrfrences dstructives est :
=
().
(2-3)
n : indice de rfraction du SnO
2
(n = 1.72)
: longueur donde
k : entier
d : paisseur de la couche de SnO
2
(valeur recherche)
Pour calculer la valeur d ; paisseur de la couche SnO
2
; On trace les variations de lpaisseur
d en fonction des longueurs dondes lambda pour une succession des valeurs de k. Ensuite on
choisi lpaisseur qui correspond la longueur donde pour laquelle on veut minimiser la
rflexion (dans notre cas il sagit de la longueur donde 750 nm). Le trac est reprsent par la
figure (2-12).
2
-Si et ZnO-Si.
Fig. 2-12 : Variation de lpaisseur de SnO
Daprs le graphe de la figure
est minimale est de 109 nm.
transmises pour une paisseur de la couche SnO
Avec le logiciel Concise Macleod de Thin Films, on modlise la rflexion en fonction de la
longueur donde de la couche SnO
suivant :
Fig. 2-13: Rflexion de la couche doxyde dtain dpaisseur 109 nm
109nm
Chapitre2 :
ariation de lpaisseur de SnO
2
en fonction de la longueur donde pour k=0, k=1
et k=2.
Daprs le graphe de la figure (2-12) lpaisseur de la couche SnO
2
pour laquelle la rflexion
est minimale est de 109 nm. Les flches indiquent les trois premires longueurs dondes
pour une paisseur de la couche SnO
2
de 109 nm.
giciel Concise Macleod de Thin Films, on modlise la rflexion en fonction de la
longueur donde de la couche SnO
2
dpaisseur 109 nm. Le rsultat est illustr par le graphe
flexion de la couche doxyde dtain dpaisseur 109 nm en fonction de la
longueur donde.
Simulation et optimisation des cellules solaires SnO
66
a longueur donde pour k=0, k=1
pour laquelle la rflexion
ires longueurs dondes
giciel Concise Macleod de Thin Films, on modlise la rflexion en fonction de la
dpaisseur 109 nm. Le rsultat est illustr par le graphe
en fonction de la
Simulation et optimisation des cellules solaires SnO
2
-Si et ZnO-Si.
67
Les minimums de rflexion prsents sur le graphe de la figure (2-13) correspondent aux
longueurs dondes qui coupent la droite qui correspond lpaisseur 109 nm de la couche de
loxyde dtain..
Lpaisseur de la couche de loxyde dtain, qui permet de minimiser la rflexion de
lempilement SnO
2
-Si est de 109 nm.
2-2-2. Simulation sous le logiciel MATLAB
a) Influence de lpaisseur du film SnO
2
sur les proprits optiques des htrostructures
SnO
2
-Si et SnO
2
-SiO
2
-Si
Dans les cellules solaires htrojonction du type SnO
2
-Si et SnO
2
-SiO
2
-Si, les paisseurs
des couches minces influent sur la transmission du rayonnement lumineux. Pour optimiser
lpaisseur de chacun des films minces de lhtrostructure, nous simulons sous MATLAB les
rflexions optiques des diffrentes structures en fonction des longueurs dondes optiques ainsi
que des paisseurs de chaque couche mince.
lhtrostructure SnO
2
-Si
La rflectance (R) de lhtrostructure est donne par lquation (2-4) o n
0
, n
Si
et n
SnO2
sont
respectivement les indices de rflexion de lair, du silicium et de la couche doxyde dtain
[118].
(2-4)
Pour pouvoir simuler sous MATLAB leffet de lpaisseur de la couche SnO
2
sur la rflexion
de la structure SnO
2
-Si, nous utilisons lquation quart donde (formule 2-5) qui exprime la
variation de lindice de rflexion en fonction de lpaisseur de la couche transparente.
(2-5)
Le rsultat de la simulation sous MATLAB qui donne la variation de la rflectance de
lhtrostucture SnO
2
-Si en fonction de lpaisseur de la couche doxyde dtain est
reprsente la figure (2-14). Lhtrostructure prsente une rflectance variable entre 10
( )
( )
2
2
2
2
0
2
0
Si SnO
Si SnO
n n n
R
n n n
| |
|
=
|
+
\ .
4.
n
d
=
2
-Si et ZnO-Si.
68
et 35 % lorsque lpaisseur de la couche de loxyde dtain est comprise entre 0,50.10
-1
et 1,00.10
-1
m.
Fig. 2-14 : Rflectance de lhtrostructure SnO
2
-Si
.
lhtrostructure SnO
2
-SiO
2
-Si
Lintroduction dune fine couche de SiO
2
entre le silicium et loxyde dtain rend
lhtrostructure du type mtal-isolant-semiconducteur MIS. La rflectance de cette
htrostructure est en fonction des indices de rflexion des couches Si, SiO
2
, SnO
2
(quation 2-6). En utilisant toujours la couche quart donde, nous avons simul sous
MATLAB la variation de la rflectance (R) en fonction des paisseurs des couches SiO
2
et
SnO
2
ainsi quen fonction des longueurs donde du spectre solaire [118].
(2-6)
La transmittance (T) de cette htrostructure (quation 2-7 ) dpend aussi des paisseurs des
fines couches qui constituent cette dernire. Loptimisation des paisseurs de ces couches
fines amliore le courant de court circuit, paramtre dpendant de la reflectance de
lhtrostructure comme cest indiqu par lquation (2-8), ci-dessus :
( )
( )
2 2
2 2
2
2
2
Si SnO SiO
Si SnO SiO
n n n
R
n n n
| |

|
=
|
+
\ .
2
-Si et ZnO-Si.
69
(2-7)
(2-8)
F() est le flux de photons, [1- R()] est la transmittance et eQE est le rendement quantique
externe.
La rflectance de la cellule solaire du type MIS est influence par les paisseurs des couches
SiO
2
et SnO
2
. La variation de la reflectance de lhtrostructure SnO
2
-SiO
2
-Si
,
obtenue par
MATLAB, en fonction de lpaisseur de SnO
2
et des longueurs donde du spectre solaire est
reprsente la figure (2-15). Lorsque lpaisseur de la couche de loxyde dtain est
comprise entre 0,50.10
-1
et 1, 00. 10
-1
um, la reflectance varie de 0 30% dans le spectre du
visible et atteint la valeur de 40% dans le proche infrarouge.
Fig. 2-15: Rflectance de lhtrostructure SnO
2
-SiO
2
-Si en fonction de lpaisseur de SnO
2
.
lhtrostructure ZnO -SiO
2
-Si
La figure (2-16) prsente le rsultat de la simulation sous MATLAB de la variation de la
rflectance de lhtrostructure ZnO-SiO
2
-Si en fonction de lpaisseur de ZnO. Comme les
proprits optiques de loxyde de zinc sont trs proches de celles de loxyde dtain alors
leffet des variations des paisseurs de ZnO et SnO
2
sur les htrostructures ZnO-SiO
2
-Si et
SnO
2
-SiO
2
-Si est semblable. La rflectance minimale de lhtrostructure ZnO-SiO
2
-Si est
obtenue pour une paisseur de ZnO qui varie entre 2,50 10
-1
et 4,00. 10
-1
m.
1 T R =
| |
2
1
( ). 1 ( ) . ( )
cc
J q F R eQE d

2
-Si et ZnO-Si.
70
Fig. 2-16: Rflectance de lhtrostructure ZnO-SiO
2
-Si en fonction de lpaisseur de ZnO.
- Influence de lpaisseur de SiO
2
sur la rflectance de lhtrostructure ZnO -SiO
2
-Si
Lpaisseur du film doxyde de silicium influe sur la rflectance et sur la tension de circuit
ouvert de lhtrostructure ZnO-SiO
2
-Si. Les rsultats de la simulation sous MATLAB
(figure 2-17) montre la variation de la rflectance de lhtrostructure en fonction de
lpaisseur de la couche doxyde de silicium. Lempilement silicium- oxyde de silicium -
oxyde de zinc prsente une rflexion qui varie entre 0 et 30% dans la gamme du visible pour
une paisseur du film de loxyde de silicium comprise entre 20 nm et 30 nm.
Fig. 2-17 : Variation de la rflectance en fonction de lpaisseur de la couche de loxyde de
silicium de lhtrostructure ZnO-SiO
2
-Si.
2
-Si et ZnO-Si.
71
- Influence de lpaisseur de SiO
2
sur la tension de circuit ouvert des htrostructures
ZnO-SiO
2
-Si et SnO
2
-SiO
2
-Si
Lpaisseur de la couche SiO
2
dans les empilements SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO-SiO
2
-Si doit tre
fine pour permettre une courbure des bandes dnergie. La caractristique I(V) des cellules
solaires du type mtal-semiconducteur dpend spcialement du courant inverse J
0
. Ce
courant est le paramtre qui influe sur la tension de circuit ouvert des cellules
photovoltaques du type mtal semiconducteur. La valeur de J
0
est leve car la rgion de
dpltion stale dans le semiconducteur. De ce fait, le courant de court circuit est faible parce
que le courant dobscurit est le courant qui domine dans ce type de cellules solaires. La
solution donne pour rduire leffet du courant dobscurit est dintroduire une couche fine
isolante entre le mtal et le semiconducteur. La cellule solaire devient du type
mtal-isolant- semiconducteur MIS.
La tension de circuit ouvert de la cellule photovoltaque du type MIS (quation 1-49) dpend
de lpaisseur o de la couche isolante. La variation de la tension de circuit ouvert des
htrostructures SnO
2
-SiO
2
-Si et ZnO-SiO
2
-Si, simul par MATLAB, sont reprsentes la
figure (2-18).
La tension de circuit ouvert de lhtrostructure SnO
2
-SiO
2
-Si varie en fonction de
lpaisseur de la couche doxyde de silicium SiO
2
. La valeur maximale est atteinte lorsque
lpaisseur de SiO
2
est de 21, rsultat obtenu par Singh en 1978 [98]. Par contre la tension
de circuit ouvert de lhtrostructure ZnO-SiO
2
-Si ne varie pas en fonction de lpaisseur de
la couche isolante dans lintervalle des paisseurs variant entre 10 et 40 .
Fig. 2- 18 : Variation de la tension de circuit ouvert des htrostructures SnO
2
-SiO
2
-Si
et ZnO - SiO
2
-Si en fonction de lpaisseur de la couche SiO
2
.
2
-Si et ZnO-Si.
72
2-3. Conclusion
La simulation laide du logiciel PC1D des cellules solaires SnO
2
-Si et ZnO-Si nous a permis
de dfinir linfluence de la concentration des impurets dopantes dans les substrats de silicium
type n et type p sur les caractristiques photovoltaques de ces cellules solaires. Les rsultats
obtenus montrent que ces cellules solaires peuvent avoir un rendement de conversion
photovoltaque de lordre de 22%. Les simulations ont montr que ce rendement optimum est
atteint lorsque les concentrations des impurets dopantes sont respectes pour chaque type de
dopage. Lorsque le silicium est dop n, une forte concentration des impurets pentavalentes,
de 10
17
cm
-3
, permet aux cellules du type Si(n)-SnO
2
datteindre ce rendement optimal. Dans
le cas dun substrat de silicium de type p, ce rendement est obtenu avec un dopage moyen
de lordre 10
14
cm
-3
pour les cellules solaires Si(p)-SnO
2
. Les mmes concentrations des
impurets dopantes permettent davoir une optimisation dans le cas de lutilisation du ZnO
pour la ralisation de la cellule solaire ZnO-Si.
Les simulations sous MATLAB indiquent que les paisseurs de SnO
2
de 0,1 m permettent
doptimiser la transmission optique des empilements SnO
2
-SiO
2
-SnO
2
et SnO
2
-Si.
2
-Si et ZnO-Si.
73
Lobjectif de ce chapitre est de prsenter le racteur APCVD que nous avons ralis et qui a
servi aux dpts des couches minces des oxydes transparents conducteurs et de loxyde de
silicium ncessaire la ralisation de la cellule multicouches. Les principes de
fonctionnement des diffrentes techniques de caractrisation que nous avons utilis pour
analyser les films que nous avons labor seront aussi prsents dans ce chapitre.
Les techniques danalyses utilises dans notre travail sont : la mthode des quatre pointes
pour la mesures des rsistivits et des rsistances carres des films, leffet Hall pour dduire le
type de conduction des films dposs ainsi que la mobilit des porteurs de charges, la sphre
intgrante qui sert mesurer la rflexion et la transmission optique des oxydes transparents
conducteurs raliss, la microscopie lectronique balayage permettant davoir la
morphologie des films, Le profilomtre mcanique qui mesure les paisseurs des films, la
technique FTIR (micro Fourier Transformed Infrared) et la diffraction des rayons X (DRX)
avec lesquelles nous dduisons la structure chimique des matriaux. Nous prsentons
galement la mthode de mesure des rsistances TLM (Transverse Line Measurement )
utilise pour optimiser le meilleur recuit des contacts arrires des cellules ralises.
3-1. REALISATION DU BATI DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(APCVD)
La ralisation du montage exprimental est base sur ladaptation dun montage en verre sur
un four lectrique. Le montage en verre est constitu dun tube en verre pyrex (figure 3-1-a)
sur lequel arrivent les canalisations de transport des gaz et des vapeurs des prcurseurs
(figure 3-1-b). Ce montage en verre est ralis en tenant en compte de la gomtrie du four.
Fig. 3-1 : Montage de verre utilis dans la technique APCVD.
(a)
(b)
Chapitre 3: Technique dlaboration APCVD et les mthodes de caractrisation exprimentales.
74
Le four lectrique que nous avons utilis pour raliser la technique APCVD est de marque
Nabertherm (figure 3-2) qui constitue la zone de dpt. Il contient des rsistances en graphite
qui permettent datteindre une temprature de 1200C. La temprature du four est stabilise
grce un rgulateur lectrique. Le four est quip dun programme qui permet de dfinir la
rampe de la temprature, son temps de monte et la dure de la temprature de dpt.
Fig. 3-2 : Four lectrique.
Principe de dpt des films minces par APCVD
Les prcurseurs sont ports bullition laide dune rsistance chauffante. Les vapeurs
rsultantes sont transportes dans le tube en verre pyrex par un flux doxygne sec et entrent
en raction pour se dposer sur les substrats dj introduits dans le four (figure 3-3). Pour
viter une oxydation des substrats introduits dans le four et assurer un dpt uniforme des
films minces, un flux dargon est envoy dans le tube en verre.
75
Fig. 3-3 : Dispositif exprimental de la technique APCVD.
3-2. TECHNIQUES DE CARACTERISATION
Dans le but de connatre les proprits physiques des couches minces des TCO dposes par
APCVD, des techniques de caractrisations sont utilises pour analyser ces films. Les
principes de fonctionnement de ces techniques seront dtaills dans cette partie.
3-2-1. Mthode des quatre pointes :
Pour connatre la rsistivit des couches minces que nous avons dpos par APCVD, nous
avons utilis un bti de mesure quatre pointes. Les pointes sont alignes et quidistantes
(figure 3-4). La source de courant fournit un courant lectrique constant I qui circule entre les
deux bornes externes. La tension AV est mesure entre les bornes de deux pointes intrieures.
Four lectrique
Argon
vacuation
des gaz
(vapeur du prcurseur ) + O
2
Rsistance
chauffante
O
2
prcurseur
Substrat
Porte-substrat
Tube en verre pyrex
oxygne
76
Fig. 3-4 : Schma de principe de la mthode des quatre pointes.
La valeur de la rsistivit est lie la mesure du rapport
I
V A
. La rsistance carre est
relie la rsistivit par la relation : R
d
p
= (3-1)
p : rsistivit du film.
d : paisseur du film.
La diffrence de tension AV est donne en fonction de la valeur du courant inject par la
relation suivante :
2 ln
2 d
I
V
t
p
= A (3-2)
La rsistivit est alors donne comme suit :
I
V
d
d
I
V
A
=
A
=
53 . 4
2 ln
2
p
t
p
(3- 3)
de cette relation on peut tirer la valeur de la rsistance carre :
R
I
V A
= 53 . 4 (3-4)
AV
I
d
3-2-2. Technique de caractrisation par Effet Hall
Lappareil utilis pour les mesures par effet Hall est de marque
technique de caractrisation lectrique trs utilise pour analyser les films semiconducteurs.
Cette technique dtermine le type du semiconducteur, sa rsistivit, sa mobilit et sa
concentration en porteurs libres. Le motif utilis
celui de Van Der Paw reprsent la
raliss sur lchantillon. Le courant lectrique est inject entre deux contacts et la tension est
mesure aux priphries des deux autres. Les mesures se rptent sur les quatre contacts. Ces
mesures seront ralises lorsqu'un champ magntique est appliqu l'chantillon.
Principe de leffet Hall
Le principe de leffet Hall (figure 3
rectangulaire. Les grandeurs vectorielles sont orientes suivant les axes x,y et z, le courant
lectrique I est orient suivant laxe x
Les porteurs de charges subissent alors une force magntique appele force de Lorentz
donne par l'quation (3-5).
o q la charge de llectron et v
Chapitre 3: Technique dlaboration APCVD et les mthodes de caractrisation exprimentales
2. Technique de caractrisation par Effet Hall
Lappareil utilis pour les mesures par effet Hall est de marque BIORAD. Leffet Hall est une
concentration en porteurs libres. Le motif utilis sur les chantillons pour nos mesures est
celui de Van Der Paw reprsent la figure (3-5) ; il comporte quatre contacts lectriques
priphries des deux autres. Les mesures se rptent sur les quatre contacts. Ces
Fig. 3-5: Motif de Van Der Paw.
fet Hall (figure 3-6) peut tre dcrit dans un barreau semiconduteur
lectrique I est orient suivant laxe x et le champ magntique est orient
la charge de llectron et v la vitesse des porteurs de charges.
Technique dlaboration APCVD et les mthodes de caractrisation exprimentales
77
. Leffet Hall est une
sur les chantillons pour nos mesures est
; il comporte quatre contacts lectriques
priphries des deux autres. Les mesures se rptent sur les quatre contacts. Ces
6) peut tre dcrit dans un barreau semiconduteur
est orient suivant laxe z.
(3- 5)
Technique dlaboration APCVD et les mthodes de caractrisation exprimentales.
78
d
L
Fig. 3- 6 : Principe de leffet Hall.
Cette force implique une accumulation des charges opposes sur les faces perpendiculaires.
La face de droite se charge ngativement tandis que la face de gauche se charge positivement.
Ces diffrences de charges crent un champ lectrique appel champ de Hall. La force qui
rsulte de ce champ (force de Hall
) compense leffet de la force de Lorentz.

Laccumulation des charges sarrte sur les faces gauche et droite lorsque les deux forces sont
gales ; cest--dire :
= 0. Lexpression du champ de Hall sera alors [119] :
. (3- 6)
A ce champ de Hall correspond une tension de Hall V
H
. (3-7)
o d est lpaisseur du paralllpipde.
Lexpression du courant est lie la vitesse des porteurs et la section S du paralllpipde
( S = d.l),.
o d est lpaisseur du paralllpipde et l sa largeur.
+ + + + + + + + + +
+ +
- - - - - - - - -
F
L
B
V
Z
X
Y
V
I l
F
H
79
I= n.q.V .S = n.q.V.d.l (3-8)
n tant la concentration des porteurs de charge
La tension de Hall peut alors scrire sous la forme qui suit :
(3-9)
o
=1/nq est appel coefficient de Hall

Ce coefficient permet de dterminer la concentration des porteurs de charge comme lillustre
la formule ci-dessous :
=

(3-10)
3-2-3. Les mesures optiques et la sphre intgrante
Les mesures optiques de la rflexion, ou transmission des couches labores ont t ralises
en utilisant une sphre intgrante. Cette technique utilise une source lumineuse associe une
sphre creuse avec une paroie couverte d'un revtement diffusant blanc. La sphre est dote
lintrieur dun capteur qui transmet la quantit de la lumire transmise ou rflchie par
lchantillon (lumire pige par la sphre). Ces donnes sont reprsentes sur un logiciel li
la sphre.
La sphre que nous avons utilise (figure 3-7) pour analyser les films que nous avons raliss
dans le cadre de cette thse est de rfrence Spher-Optics. Elle a un diamtre de 6 cm et celui
de ses ouvertures est de 1cm. La source lumineuse est une lampe de tungstne-halogne de
24 volts. Quant au spectromtre, il peut mesurer la variation des grandeurs optiques
(rflexion, transmission, absorption) pour des longueurs dondes qui varient entre 200
et 1100 nm. L'acquisition et le traitement des mesures sont raliss par le logiciel Avantes.
80
Fig. 3-7: Sphre intgrante de SpherOptics.
La disposition de lchantillon dans la sphre change en fonction de la mesure quon dsire
effectuer. Une mesure du noir (dark) et de la rfrence sont indispensables afin que le logiciel
les soustrait des spectres de mesure de la transmission ou de la rflexion.
Mesure de la rfrence
La mesure de la rfrence se fait en plaant la rfrence sur louverture latrale de la sphre.
Le spectre I
0
sera enregistr par le dtecteur.
Fig. 3-8 : Mesure de la rfrence.
Mesure du noir (dark)
Le spectre qui correspond au noir (dark) se fait en plaant lchantillon sur louverture latrale
de la sphre et la rfrence sur louverture arrire. Le spectre I
0
qui correspond au noir (dark)
sera enregistr par le dtecteur.
Dtecteur
Rfrence
Source lumineuse
I
0
81
Fig. 3-9 : Mesure du noir (dark).
Mesure de la rflexion de lchantillon
Le spectre de la rflexion I
2
est obtenu en plaant la rfrence sur louverture latrale de la
sphre et lchantillon sur la face arrire.
La rflexion de lchantillon se calcule en utilisant le rapport entre les spectres I
0
, I
1
et I
2
R =

(3-11)
Fig. 3-10 : Mesure de la rflexion.
Mesure de la Transmission
Le calcul de la transmission se fait par le ratio des spectres I
0
, I
1
et I
3
.
=

(3-12)
I
2
Echantillon
Dtecteur
Source lumineuse
Rfrence
I
1
Dtecteur
Source lumineuse
Rfrence
Echantillon
82
La mesure de la transmission de lchantillon se fait en plaant ce dernier louverture de
lentre de la sphre et la rfrence louverture arrire, comme le montre le schma de la
figure (3-11).
Fig. 3-11 : Mesure de la transmission.
3-2-4. Les mesures mcaniques avec le profilomtre
Le profilomtre que nous avons utilis est le profilomtre mcanique TENCOR P11
(figure 3- 14). Cet appareil sert mesurer les profils des paisseurs des films minces.
Fig. 3-13 : Principe de mesure de lpaisseur par un profilomtre mcanique.
I
3
Source lumineuse Rfrence
Echantillon
Dtecteur
Echantillon
Bras de levier
Stylet
I
3
83
Fig. 3-14: Profilomtre TENCOR P11.
Pour avoir le profil de lpaisseur de la couche mince, il faut dplacer une pointe appele
stylet sur la surface de lchantillon dont on mesure lpaisseur (figure 3- 13). Ce profil est
trac par les dplacements verticaux de la pointe qui sont enregistrs en fonction de sa
position sur lchantillon. Avec cette technique, il est essentiel de rvler une marche sur
lchantillon afin davoir la bonne paisseur.
3-2-5. La microscopie lectronique balayage
La microscopie lectronique balayage est une technique danalyse qui permet de visualiser
la morphologie de la surface des couches minces.
Le microscope lectronique balayage est constitu de :
-un canon lectrons qui comprend un systme anodecathode dmission et
dacclration des lectrons incidents ainsi que des lentilles objectives de focalisation.
- un systme de balayage du faisceau.
- un porte-objet.
- un scintillateur permettant de dtecter les lectrons secondaires.
Principe de la microscopie lectronique balayage
Le principe de ce microscope est bas sur le balayage de la surface de lchantillon par un
faisceau trs fin dlectrons suivi de la dtection des lectrons secondaires mis par
chantillon
84
lchantillon. Cet effet est transform en un signal lectrique qui permet lobtention de
limage de la surface.
La figure (3-15) prsente les diffrentes particules qui rsultent de limpact dun faisceau
lectrique sur une surface solide.
Fig. 3-15 : Diffrentes particules qui rsultent de limpact dun faisceau lectrique sur une
surface solide.
Les lectrons secondaires (vrais) rsultent de lionisation des atomes de la cible (chantillon).
Ces lectrons sont caractriss par une nergie trs faible (E < 50 KeV). Donc seuls les
lectrons mis au voisinage de la surface sont dtects.
Les dimensions de la zone analyser sont du mme ordre que celles du faisceau incident.
La synchronisation entre le balayage de la surface par le faisceau des lectrons incidents
et la dtection des lectrons secondaires permet de transmettre limage de lchantillon point
par point et ligne par ligne. Cette image devient complte aprs une priode de balayage
entire.
3-2-6. Le Micro FTIR
La microscopie infrarouge transforme de Fourier est couple dun microscope infrarouge et
un spectromtre transforme de Fourier. Le microscope FTIR que nous avons utilis est de
marque Bruker (figure 3-16)
Electrons
secondaires
Electrons incidents
Rayon X
Lumire
Electrons transmis
Echantillon analyser
85
Fig. 3-16: Microscope FTIR.
La spectroscopie Infrarouge Transforme de Fourier FTIR (Fourier Transformed Infrared
Spectroscopy) est une technique danalyse non destructive. Elle dtermine les liaisons
chimiques existantes dans lchantillon analyser par la dtection des longueurs dondes
infrarouge quil absorbe.
La gamme des longueurs dondes infrarouges envoyes sur lchantillon est comprise entre
2.5 et 25 m, soit des frquences qui varient entre 400 4000 cm
-1
m. Cette gamme de
frquences correspond au domaine des vibrations des molcules. Lenregistrement des
longueurs dondes absorbes par lchantillon nous renseigne sur les molcules quil contient,
ceci se fait par lidentification des atomes appartenant lchantillon et ceux des atomes
trangers.
La source dlivre un faisceau infrarouge (figure 3-17) qui se dirige vers linterfromtre de
Michelson qui sert moduler les longueurs donde du faisceau. La sparatrice qui se trouve
lintrieur de cet interfromtre envoie la moiti du faisceau vers le miroir mobile et le reste
vers le miroir fixe. Quand les deux faisceaux se recombinent, des interfrences destructives ou
constructives apparaissent en fonction de la position du miroir mobile. Le faisceau modul est
rflchi par les deux miroirs vers lchantillon qui labsorbe. Par la suite le faisceau arrive sur
le dtecteur pour tre transform en un signal lectrique. Le signal du dtecteur apparat
comme un interfrogramme qui traduit lintensit absorbe en fonction de la position du
miroir mobile. Linterfrogramme est converti en un spectre infrarouge par une opration
mathmatique appele transforme de Fourier. Les pics du spectre obtenu reprsentent les
frquences absorbes par les molcules prsentent dans lchantillon.
86
Fig. 3- 17 : Fonctionnement dun spectroscope infrarouge transforme de Fourier.
3-2-7. La diffraction des rayons X
La diffraction des rayons X sert dterminer la structure cristalline dun matriau (cristallin
ou polycristallin) donn. Le dispositif de caractrisation est constitu dun goniomtre u - 2u
automatis et command par un logiciel. Cette technique est base sur lenregistrement de
lintensit diffracte par lchantillon lors de son dplacement et celui du dtecteur.
Lchantillon et le dtecteur tournent des vitesses uniformes de u et de 2u respectivement.
Le dispositif exprimental (figure 3-18) contient :
- une source de rayons X qui envoie les rayons X sur lchantillon
- un cercle Goniomtrique lintrieur duquel se trouve lchantillon
- un dtecteur
Miroir fixe
Miroir mobile
Interfromtre de Michelson
Sparateur
Source
Echantillon
Dtecteur
87
Fig. 3-18 : Dispositif exprimental de la technique de la diffraction des rayons X.
La diffraction des rayons X rpond la loi de Bragg qui sera satisfaite entre les plans
atomiques du matriau.
2
()
. q = l (3-13)
d
(hkl)
: distance qui spare les plans atomiques dindice (hkl)
u : angle dincidence des rayons X sur lchantillon caractriser
: longueur donde du faisceau des rayons X
n : ordre de la rfraction
Cette relation montre que lorsquil ya diffraction des rayons X par lchantillon analyser, il
est possible de dterminer les distances entre les plans atomiques d
(hkl)
.
Le spectre enregistr lors de lanalyse de lchantillon est liss par le logiciel. Des pics
apparaissent sur le spectre, ils correspondent des familles de plan (hkl). Afin didentifier
chaque famille, il faut se rfrer aux fichiers ASTM ( American Society for Testing
Materials).
Echantillon
Cercle goniomtrique
Fente
Dtecteur
u
u
2u
RX
incident
RX
diffract
e
2e
Ampli
Enregistreur
Pics de diffraction
2u
I
88
3-2- 8. La caractrisation capacit-tension C(V)
La mesure capacit-tension C(V) est une mthode qui permet davoir les caractristiques
lectriques dune structure mtal-isolant-semiconducteur telles que la concentration du
dopage du substrat, la tension de la bande plate, etc..
Dans le cas idal, la capacit dune structure mtal-isolant- semiconducteur (figure 3-19 ) est
reprsente par lassociation de deux capacits en srie, la capacit de loxyde Cox et la
capacit du semiconducteur Csc. Quand il existe des tats dinterfaces, il yaura introduction,
en parallle avec la capacit du semiconducteur, dune capacit Css en srie avec une
rsistance Rss.
Fig. 3-19 : Schmas quivalent des capacits des structures : MIS idale (a) et MIS avec tats
dinterfaces (b) [120].
La mesure de la capacit de loxyde C
ox
, permet de calculer lpaisseur de cet oxyde en
utilisant la relation suivante:
=
e
(3-14)
avec c
ox
: permittivit dilectrique de loxyde.
S : surface de la capacit
d : paisseur de loxyde
La reprsentation de la courbe C(V) en rgime daccumulation permet de dterminer sil y a
existence des tats dinterfaces entre loxyde et le semiconducteur ainsi que dans loxyde, ceci
par le dcalage de la tension des bandes plates sur la courbe [121].
C
ox
C
sc
(a)
(b)
C
ox
C
sc
C
ss
R
ss
89
3-2-9. Caractrisation courant- tension I(V)
La mthode de caractrisation courant-tension I(V) est utilise pour dterminer la
caractristique I(V) des cellules solaires. Le banc de la technique I(V) utilis est de marque
Keithley. Il est li un simulateur solaire fournissant un clairement standard de 1000 W/m.
La caractristique courant- tension sous clairement ou sous obscurit est directement
reprsente sur le banc de mesure.
3-2-10. Mthode de mesure TLM (Transverse Line Measurement)
Cette technique permet davoir la valeur de la rsistance de contact en faisant la mesure de la
rsistance entre les plots et en extrapolant le trac de la courbe R = f(x) o x est la distance
entre les plots.
Les plots (figure 3- 20) sont obtenus par lvaporation dune couche daluminium dpaisseur
2500 nm sur le substrat de silicium utilis pour raliser les cellules solaires. La technique de
photolithographie est ensuite utilise pour raliser le motif avec les bonnes distances entre les
plots (les plots doivent avoir les mmes paisseurs). Cette tape est suivie par des recuits.
Fig. 3-20 : Motif de mesure de la rsistance TLM.
Le schma lectrique quivalent entre les contacts distants de x est illustr la figure (3-21).
Fig. 3-21 : Schma lectrique quivalent entre deux contacts distants de x.
Donc lexpression de la rsistance Rij est la suivante :
= +() + = 2 + r
= 2 + (3-15)
Pour confirmer quun contact est mtallique, le trac de R= f(x) doit tre linaire.
1 2
3
3 4 5
X 2X 3X 4X
j
R
i
R(x) R
90
3-3. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons dcrit le racteur de la technique APCVD que nous avons ralis
et qui permet dlaborer des couches minces des TCO SnO
2
et ZnO dont les rsultats seront
prsents au chapitre 4. Le matriel utilis dans le montage exprimental montre la facilit de
sa mise en uvre et son cot relativement bas.
Les techniques danalyses prsentes dans ce chapitre serviront caractriser les couches
minces des oxydes dtain et de zinc que nous raliserons par APCVD. Les quipements de
ces techniques permettent davoir les proprits lectriques, optiques, morphologiques
structurales des films TCO.
91
Dans ce chapitre, nous prsentons les rsultats obtenus des dpts des films minces de loxyde
dtain et loxyde de zinc raliss par la technique que nous avons mis en uvre savoir la
dposition chimique en phase vapeur APCVD.
Les couches minces des oxydes de zinc et de silicium sont dposes sur des substrats de verre
et de silicium. Nous prsentons en premier lieu les caractristiques de ces films obtenues par
les diffrentes techniques de caractrisation prsentes prcdemment. En second lieu, les
caractristiques I(V) des cellules solaires du type SnO
2
-Si et SnO
2
-SiO
2
-Si qui ont t
ralises sur des substrats de silicium de type n et de type p.
4-1. DEPOT DES COUCHES MINCES DES OXYDES DETAIN ET DE ZINC PAR
APCVD
Nettoyage des substrats :
La propret des substrats est un paramtre essentiel dans la russite des dpts des couches
minces. Les impurets peuvent sinfiltrer dans le film dpos et modifier ses caractristiques
physico- chimiques.
Les substrats sont traits avec de lactone pour enlever toutes les graisses existantes sur leur
surface. Ils sont ensuite rincs dans de leau dsionise puis dans de lacide fluorhydrique HF
dilu puis de nouveau rincs dans de leau dsionise. La dernire tape de la prparation des
substrats consiste les scher laide dun flux de gaz inerte.
- Dpt du SnO
2
par APCVD
Les dpts des couches de SnO
2
sont obtenus en mettant une quantit du chlorure dtain
hydrat (SnCl
2
, 2H
2
O) en bullition contrle par une rsistance chauffante ; les vapeurs
rsultantes sont transportes par un flux doxygne de pression de 0,5 bar lintrieur du tube
et entrent en raction, pour se dposer sur les substrats de silicium et de verre dj introduits
dans le four qui est port la temprature de 490C. La raction chimique qui mne la
dposition de loxyde dtain est la suivante :
SnCl
2
+ O
2
SnO
2
+ Cl
2
Chapitre 4: Rsultats et Interprtations.
92
Un flux dargon est envoy dans le tube, lors de la raction, afin daider luniformit du
transport des vapeurs du prcurseur et donc celle des couches dune part et viter une
oxydation non dsire du substrat silicium dautre part.
Comme le chlorure dtain est hydrat, des molcules deau entrent en raction do
lapparition des vapeurs dacide chlorhydrique HCl la fin de la raction.
- Dpt du ZnO par APCVD
Les films minces de loxyde de zinc sont dposs par APCVD en utilisant lactylactonate
de zinc Zn(C
5
H
7
O
2
)2 comme prcurseur. Aprs avoir chauff ce prcurseur, ses vapeurs sont
transportes lintrieur du four laide dun flux doxygne. A lintrieur du four port la
temprature de 450C, ces deux lments entrent en raction pour former du ZnO. Un flux
dargon est aussi envoy dans le tube pour uniformiser le dpt et viter loxydation des
chantillons.
La raction chimique qui se produit lintrieur du four entre lactylactonate de zinc et
loxygne est :
Zn(C
5
H
7
O
2
)2 + O
2
1/2 Zn
+
+1/2 Zn(OH)
2
+ 2C
5
H
8
O
2(g)
+OH
-
Zn
+
+ 2OH
-
Zn(OH)
+
2
Zn(OH)
+
2
ZnO + H
2
O
93
Fig. 4-1 : Dispositif exprimental de la technique APCVD.
4-2. CARACTERISTIQUES DES FILMS SnO
2
ET ZnO DEPOSES PAR APCVD
4-2-1. Proprits lectriques et optiques
Les films SnO
2
et ZnO dposs par APCVD pendant des dures de ractions gales entre les
prcurseurs et le flux doxygne prsentent des caractristiques lectriques diffrentes. Des
films SnO
2
dpaisseur 0,3 m prsentant une rsistivit lectrique de 5. 10
-4
O.cm et une
mobilit des porteurs de 15 cm/V.s ont t mis au point. Nous avons galement obtenu des
films de ZnO dpaisseur 0,03 m avec une rsistivit de 10
-3
O.cm et une mobilit des
porteurs de 100 cm/V.s.
Le tableau (4-1), rsume les caractristiques lectriques et optiques des films ZnO et SnO
2
que nous avons labors ; ces rsultats sont compars ceux obtenus dans la littrature. Les
paramtres mis en comparaison sont les rsistivits, les mobilits ainsi que les transmissions
dans les domaines du visible (vis) et du proche infrarouge (PIR). Les comparaisons des
rsultats montrent que les couches minces que nous avons dposes prsentent des
caractristiques semblables celles publies dans la littrature.
vacuation
des gaz
Vapeurs du prcurseur
Substrat
Porte-substrat
Tube en verre pyrex
Argon
Oxygne
94
Rsistivit
(O.cm)
Mobilit
(cm/V.S)
Transmission (%)
SnO
2
APCVD 5.10
- 4
15 75% (vis)
SnO
2
Littrature 10
- 5
[122] 50 [39] 80% (vis) [36,123, 139]
ZnO APCVD 10
- 3
100 75% (vis) et 90% (PIR)
ZnO
Littrature
2. 10
4
[124, 130]
200 [124] ~ 80 % (vis) et > 80% (PIR)
[126]
Tableau 4-1: Les proprits optiques et lectriques des TCO dposs par APCVD.
La transmission optique de loxyde dtain dans la gamme des longueurs dondes qui varient
entre 350 et 1200 nm montre que ces films sont transparents dans la gamme du visible et
deviennent opaques au del de 1100 nm. Tandis que les films de ZnO sont transparents dans
le visible et mme dans le proche infrarouge (figure 4-2).
Dans le domaine de lultra violet, les films doxyde dtain et doxyde de zinc sont
absorbants, ceci est d la largeur de leurs bandes interdites. Dans la gamme du visible, les
deux TCO jouent le rle de couches transparentes et conductrices. Le ZnO reste transparent
dans le domaine du proche infrarouge, tandis que le SnO
2
devient opaque cause de la
concentration leve des porteurs de charges qui absorbent lnergie des photons dans cette
gamme.
En effet, les analyses par effet Hall, montrent que la concentration des porteurs de charges
dans loxyde dtain est suprieure celle dans loxyde de zinc. Elles sont respectivement de
10
20
cm
-3
dans les films de SnO
2
et 10
19
cm
-3
dans les films ZnO.
Fig. 4-2 : Transmission des films SnO
4- 2-2. Morphologie de la surfaces des films ZnO et SnO
La figure (4-3) montre les images MEB la mme chelle (500 nm) des fil
et de zinc obtenus par APCVD. Laspect morphologique de ces films est polycristallin. Vu la
taille des grains reprsente sur les images MEB de ces deux TCO, nous pouvons dduire que
le dpt du SnO
2
par APCVD est plus uniforme. Les grains de loxyde dtain ont presque
tous la mme taille. Contrairement aux grains de loxyde de zinc qui prsentent des
diffrences de taille remarquables.
Fig. 4-3: Images MEB des films SnO
Chapitre 4:
: Transmission des films SnO
2
et ZnO dposs par APCVD.
2. Morphologie de la surfaces des films ZnO et SnO
2
montre les images MEB la mme chelle (500 nm) des fil
diffrences de taille remarquables.
: Images MEB des films SnO
2
et ZnO obtenus par APCVD.
Rsultats et Interprtations
95
et ZnO dposs par APCVD.
montre les images MEB la mme chelle (500 nm) des films doxyde dtain
et ZnO obtenus par APCVD.
Rsultats et Interprtations.
4-2-3. Effet des recuits sur les films SnO
Les recuits des films SnO
2
modifications dans la morphologie des surfaces de ces films minces (figure 4
Fig. 4-4 : Images MEB des films SnO
Le recuit des films des oxydes dtain et de zinc aux basses tempratures amliore la qualit
de la surface des films. Contrairement un recuit aux hautes tempratures qui dt
qualit des films.
Ces recuits influent sur les rsistances carres des films qui samliorent pour les traitements
thermiques aux basses tempratures et augmentent lorsque le traitement est ralis aux hautes
tempratures. Le tableau (4-2) prs
temprature de dpt.
Non recuit
450C
800C
Chapitre 4:
Effet des recuits sur les films SnO
2
et ZnO
et ZnO des basses et hautes tempratures engendrent des
modifications dans la morphologie des surfaces de ces films minces (figure 4
Images MEB des films SnO
2
(a) et ZnO (b) recuits diffrentes tempratures.
de la surface des films. Contrairement un recuit aux hautes tempratures qui dt
2) prsente les variations de la rsistance carre en fonction de la
Non recuit Non recuit
450C 450C
800C 800C
(a)
(b)
96
et ZnO des basses et hautes tempratures engendrent des
modifications dans la morphologie des surfaces de ces films minces (figure 4-4).
(a) et ZnO (b) recuits diffrentes tempratures.
de la surface des films. Contrairement un recuit aux hautes tempratures qui dtriore la
ente les variations de la rsistance carre en fonction de la
97
R
(/)
Sans recuit
R
(/)
Recuit 450C
R
(/)
Recuit 800C
SnO
2
70 55 105
ZnO 100 70 200
Tableau 4-2 : Rsistance carre des films SnO
2
et ZnO avant et aprs recuit thermique.
4-2-4. Influence dun recuit thermique sur les films SnO
2
Nous avons effectu des mesures par effet Hall pour analyser la variation de la rsisitivit et
de la mobilit des porteurs en fonction dun recuit thermique. Le traitement thermique est
ralis in situ. Nous avons fait varier la temprature de recuit de 300 500 K et nous avons
enregistr les variations de la rsistivit et de la mobilit. Les volutions de ces deux
grandeurs lectriques sont reprsentes la figure (4-5).
La rsistivit des porteurs diminue lorsque la temprature de recuit augmente. Elle passe
dune valeur de 3,4.10
-3
. cm lorsque la temprature de recuit est 300 K 0,1.10
-3
. cm
pour un recuit 500 K. Quant la mobilit, elle atteint sa valeur maximale lorsque
lchantillon est recuit la temprature de 410 K. Sur dautres chantillons une rsistivit de
5,00.10
-4
. cm a t obtenue.
98
Fig. 4-5 : Evolution de la mobilit des porteurs et de la rsistivit des films doxyde dtain en
fonction de la temprature.
4-2-5. Structure des films SnO
2
Pour tudier la structure des couches SnO
2
que nous avons dposes, des spectres de la
transforme de Fourier infrarouge FTIR et des diagrammes de diffractions des rayons X ont
t raliss.
4-2-6. Les Spectres FTIR
Les spectres FTIR ont t enregistrs sur une gamme de frquences allant de 400 4000 cm
-1
laide dun spectromtre infrarouge TENCOR P11.
Lacquisition des spectres sest droule lair ambiant. Le spectre de latmosphre qui rgne
dans le banc optique est prlev au dbut de lexprience pour tre soustrait par la suite.
99
Les modes de vibrations de loxyde dtain
Le silicium et loxyde dtain prsentent plusieurs modes de vibrations molculaires. Nous
prsentons dans le tableau ci-dessous les principaux modes observs par plusieurs auteurs.
Frquences (cm
-1
)
Description du mode de
vibration
Rfrences
445- 550, 565-722, 737 SnO
2
[127-129]
512 Si monocristallin [130]
470-550 Si-Cl [128]
460-540, 535-600 Si-Cl
2
[128]
535-450, 620-570 Si-Cl
3
[128]
619, 665 Si-H [128]
625 Si-Si [131]
737, 3200-3700 Sn-OH [127]
950- 1250 Si-O-Si [131,133]
1079, 1416,1727 SiO
2
[131,132]
1345-1450 Sn-O-Sn [127]
1640 H
2
O [127,128]
2086 SiH [128,136]
2350 Sn-C [127]
Tableau 4-3 : Modes de vibrations du silicium et de loxyde dtain.
Le spectre FTIR des films SnO
2
dposs 490C par APCVD est reprsent la figure (4-6).
Le dpt prsente une absorption entre 472 cm
-1
, pic caractristique des vibrations des
liaisons SnO
2
. Le pic qui apparat la frquence de 619 cm
-1
correspond la vibration de la
100
molcule Si-H. Dautre part la prsence du pic dabsorption la frquence 2350 cm
-1
est due
au mode de vibration Sn-C.
Fig. 4-6 : Spectre FTIR des films SnO
2
utiliss.
4-2-7. Les diagrammes de diffraction X
Des diagrammes de la diffraction des rayons X sont raliss sur les films doxyde dtain
dposs par APCVD. De ces diagrammes nous dduisons que les films SnO
2
prsentent une
orientation prfrentielle selon (110) (figure 4-7). Il est aussi possible de voir lapparition de
la phase secondaire de loxyde dtain qui est la phase SnO.
Fig. 4-7: Diagramme de la diffraction des rayons X des films doxyde dtain.
0
200
400
600
800
1000
0 10 20 30 40 50 60 70
I
n
t
e
n
s
i
t
(
c
o
u
p
/
s
)
2
(
2
2
0
)
S
n
O
(
1
0
1
)
(
2
0
0
)
S
n
O
(
2
1
1
)
(
3
1
0
)
(
0
0
2
)
(
1
1
0
)
S
n
O
2
S
n
-
C
S
i
101
4-3. EFFET OPTIQUE ET ELECTRIQUE DES COUCHES SnO
2
ET ZnO SUR LE
RENDEMENT PHOTOVOLTAQUE DES CELLULES SOLAIRES A
HOMOJONCTION
Dans cette tude, les couches des oxydes dtain et de zinc ne sont pas utilises comme
metteur de la cellule solaire. Nous avons simul sous PC1D leffet des films SnO
2
et ZnO
que nous avons dpos par APCVD comme couches antireflets sur des cellules solaires au
silicium homojonction n
+
p. Les cellules solaires simules sont Si(n
+
)-Si(p),
SnO
2
-Si(n
+
)-Si(p) et ZnO-Si(n
+
)-Si(p) (Figure 4-8 ). Les films des oxydes dtain et de zinc
prsentent les proprits donnes par le tableau suivant:
Rsistivit (O.cm) paisseur (m) Mobilit (cm/V.S)
Oxyde dtain SnO
2
5. 10
-4
0,3 15
Oxyde de zinc ZnO 1.10
-3
0,03 100
Tableau 4-3 : Proprits des films SnO
2
et ZnO utilises dans la simulation sous PC1D.
Nous avons introduit dans le logiciel PC1D les caractristiques des films ZnO et SnO
2
que
nous avons labor par APCVD. La mobilit des porteurs de charge des films, les rflexions
et les paisseurs sont injects dans le logiciel pour comparer leffet des couches que nous
avons ralises sur le rendement photovoltaque des cellules homojonction PN.
Fig. 4-8: Les cellules solaires homojonction simules sous PC1D.
p-Si
n
+
-Si
SnO
2
p-Si
n
+
-Si
ZnO
102
Le rsultat de la simulation (figure 4-9) montre que lutilisation de loxyde dtain comme
couche antireflet la surface des cellules solaires homojonction augmente le courant de
court-circuit de 4 mA et le rendement photovoltaque de la cellule de 2%. La cellule solaire
avec une couche antireflet de ZnO augmente le courant de court circuit de 2 mA et le
rendement de conversion de 1% compar une cellule solaire homojonction sans couche
antireflet.
Ce rsultat peut sexpliquer par le fait que les films doxyde dtain dpos par APCVD sont
moins rsistifs que les films de ZnO obtenus par la mme technique.
Fig. 4-9: Caractristiques I(V) de la cellule solaire sans et avec des couches antireflet
SnO
2
et ZnO.
4-4. Ralisation des cellules solaires du type SnO
2
-Si
Nous avons ralis trois types de cellules solaires htrojonction en utilisant des
empilements entre le silicium, loxyde dtain et loxyde de silicium. Des cellules ralises
sur un substrat de silicium de type n : SnO
2
-Si(n), dautres sur un substrat de silicium de type
p : SnO
2
-Si(p) et des cellules solaires du type mtal-isolant-semiconducteur SnO
2
-SiO
2
-Si.
103
Choix de la rsistivit des substrats de silicium
En se rfrant aux rsultats obtenus par la simulation sous le logiciel PC1D des cellules
solaires htrojonction du type SnO
2
-Si, nous avons ralis ce type de cellules par le dpt
dun film mince de loxyde dtain sur des substrats de silicium par la technique APCVD.
Lors de la ralisation de ces types de cellules solaires nous avons choisi des rsistivits du
silicium pouvant optimiser les caractristiques photovoltaques des cellules solaires en
fonction des rsultats de la simulation par PC1D. Les substrats de silicium de type n utiliss
pour la ralisation des cellules photovoltaques SnO
2
-Si(n) ont une rsistivit de 1 .cm et
ceux utiliss pour raliser les cellules solaires du type SnO
2
-Si (p) une rsistivit de 13 .cm.
Choix des caractristiques des films de loxyde dtain
Les rsultats des simulations sous MATLAB qui optimisent lpaisseur de la couche de
loxyde dtain dans les empilements SnO
2
-Si et SnO
2
-SiO
2
-Si ont montr que lpaisseur
optimale pour chaque empilement varie entre 0,05 m et 0,1 m.
Ces paisseurs rendent loxyde dtain SnO
2
transparent. Comme les oxydes transparents
conducteurs prsentent un compromis entre la transparence vis--vis du rayonnement solaire
et la conduction lectrique, nous avons ralis des films minces de SnO
2
avec des paisseurs
infrieures et suprieures celles proposes par la simulation sous MATLAB. Nous avons
effectu des caractrisations optiques et lectriques sur ces films afin de choisir lpaisseur de
ceux qui satisfont le meilleur compromis entre la conduction lectrique et la transparence. Le
tableau suivant donne les rsultats des proprits lectriques et optiques des films SnO
2
en
fonction des diffrentes paisseurs :
Epaisseur (m) Rsistivit (.cm) Transparence (%)
0.15 3,4.10
-2
> 75 % (vis)
0.20 1,5.10
-2
> 75 % (vis)
0.30 3,0.10
-3
~75 % (vis)
0.40 5,0.10
-4
<70 % (vis)
0.50 1,0.10
-3
<70 % (vis)
Tableau 4-4 : Les proprits optiques et lectriques des films SnO
2
.
104
Daprs les rsultats des mesures de la transmission et de la rsistivit lectrique du SnO
2
prsents au tableau (4-4), nous avons choisi de dposer une couche doxyde dtain
dpaisseur 0,3m sur les substrats de silicium pour raliser les cellules htrojonction
reprsentes par les figures suivantes :
Fig. 4-10 : Schma des cellules solaires raliser partir du silicium et des oxydes dtain et
de silicium.
4-5. REALISATION DE LA CELLULE SOLAIRE Si(n)-SnO
2
La cellule solaire SnO
2
-Si(n) est ralise partir dun substrat de silicium de type n de
rsistivit 1 .cm sur lequel est dpos un film mince de SnO
2
par la technique APCVD.
Daprs les simulations obtenues laide du logiciel PC1D, cette rsistivit du silicium est
parmi celles qui permettent davoir un bon rendement photovoltaque des cellules solaires
htrojonction du type SnO
2
-Si(n).
Ltape de dpt de loxyde dtain sur le silicium est suivie par une mtallisation de la face
arrire de lhtrostructure silicium- oxyde dtain. Une couche fine daluminium de 250 nm
est dpose sur la face arrire du silicium par vaporation sous vide une pression de
10
-6
mbar. La cellule obtenue subit un recuit thermique 450C pendant 15 minutes.
La caractristique courant-tension de la cellule SnO
2
-Si(n) (figure 4-11) de surface 3 cm
montre que cette cellule dlivre un courant de court circuit de 74 mA et une tension de circuit
ouvert de 0.45 Volt.
SnO
2
Si
SiO
2
SnO
2
Si(P)
SnO
2
Si(N)
105
Fig. 4- 11: Caractristiques I(V) de la cellule solaire SnO
2
-Si(n) sous AM
1.5
.
4-6. REALISATION DE LA CELLULE SOLAIRE SnO
2
-Si(p)
Choix du substrat
La majorit des tudes des cellules solaires htrojonction formes entre le silicium et
loxyde dtain sont de type SnO
2
-Si(n), le substrat du silicium est de dopage type n. Aprs
avoir simule la cellule photovoltaque SnO
2
-Si(p) base du substrat de silicium type p sous
SnO
2
Si (n)
p = 1 . cm
Al
106
PC1D, nous avons utilis les valeurs du dopage et du type du silicium ainsi que lpaisseur de
la couche SnO
2
afin doptimiser le rendement photovoltaque de cette cellule. Le substrat de
silicium partir duquel nous avons ralis la cellule solaire SnO
2
-Si(p) par APCVD a une
rsistivit 13 .cm
-1
et dpaisseur 300 m.
La mtallisation des faces avant et arrire
En thorie, un matriau possdant un travail de sortie suprieur 4.89 eV (travail de sortie du
du silicium que nous avons utilis de dopage 10
15
cm
-3
) est ncessaire pour raliser un bon
contact ohmique arrire. En effet, avec les mtaux ayant des travaux de sortie de valeurs
infrieures 4.89 eV, le contact ohmique ne pourra pas tre obtenu. Le matriau qui permet
davoir un contact ohmique avec le silicium utilis doit prsenter un travail de sortie de
5.1 eV.
La cellule solaire htrojonction que nous voulons raliser doit avoir un rapport entre le
rendement photovoltaque et le rendement conomique apprciable. Cependant, lutilisation
de lor comme contact arrire rendra le prix de revient de cette cellule lev.
Par ailleurs, laluminium tant un matriau propre et peu couteux, nous avons opt pour
celui-ci pour raliser un contact ohmique avec le silicium de type p de travail de sortie 4.89
eV qui est le substrat de la cellule que nous raliserons. Ce contact peut tre ralis
condition de faire un recuit une temprature suprieure celle de leutectic de laluminium.
En effet, leutectic de laluminium tant obtenu la temprature de 575C [134,135]. Pour
raliser ce contact ohmique nous avons dpos une couche fine daluminium dpaisseur
250 nm sur les substrats de silicium p par vaporation sous vide sous une pression de
10
-6
mbar. Pour vrifier lhomicit du contact nous avons ralis des plots par la technique de
photolithographie qui servent davoir le motif permettant de faire des mesures des rsistances
de contact par la mthode TLM. Les espacements entre les plots sont de 100, 200, 300
et 400 m. Cette technique nous permet de vrifier la linarit du trac de la rsistance du
contact en fonction des paisseurs quil ya entre les plots.
Par la suite nous avons ralis des recuits de laluminium dpos sur silicium la
temprature de 600C des temps qui varient entre 5 et 30 minutes. Une dure adquate du
recuit permet dobtenir une correspondance linaire entre la rsistance de c
distance entre les plots.
La figure (4-9) montre les mesures TLM effectus sur les diffrents contacts entre le silicium
de rsistivit 13 .cm obtenus
meilleur recuit permettant davoir
dop au phosphore avec une concentration de
minutes.
La valeur de la rsistance de contact entre le silicium de rsistivit 13
recuit 600 C pendant 20 minutes est de lordre de 45
Fig. 4-9 : Mesures TLM des contacts silicium
0
200
400
600
800
-500 0
R
(
O
h
m
)
X (m)
0
50
100
150
200
250
300
350
-500 0
R
(
O
h
m
)
X (m)
T= 15 min
T= 5 min
Chapitre 4:
recuit permet dobtenir une correspondance linaire entre la rsistance de c
) montre les mesures TLM effectus sur les diffrents contacts entre le silicium
.cm obtenus des temps de recuits diffrents. Daprs ces mesures le
permettant davoir un contact ohmique adquat entre le silicium de type
dop au phosphore avec une concentration de 10
15
cm
-3
est celui ralis 600C pendant 20
La valeur de la rsistance de contact entre le silicium de rsistivit 13 . c
recuit 600 C pendant 20 minutes est de lordre de 45 . cm.
: Mesures TLM des contacts silicium-aluminium recuits 600C avec des
diffrentes.
500
0
50
100
150
200
250
300
350
-1000 0 1000 2000
R
(
O
h
m
)
X ( m)
500
-50
0
50
100
150
200
250
300
350
-1000 0 1000
R
(
O
h
m
)
x (m)
T= 20
T= 5 min
T= 10 min
107
recuit permet dobtenir une correspondance linaire entre la rsistance de contact et la
) montre les mesures TLM effectus sur les diffrents contacts entre le silicium
Daprs ces mesures le
entre le silicium de type
est celui ralis 600C pendant 20
. cm et laluminium
aluminium recuits 600C avec des dures
2000 3000
2000
T= 20 min
min
108
Comportement de loxyde dtain 600C
Afin de vrifier que les films doxyde dtain dposs sur les substrats de silicium ne sont pas
influencs par le recuit 600C du contact arrire en aluminium, nous avons ralis des
traitements thermiques de loxyde dtain cette temprature pendant la mme dure. Nous
avons vrifi les caractristiques lectriques de ces films par la technique de leffet Hall. Le
tableau (4-5), rsume les rsultats obtenus.
Rsistivit (. cm) Mobilit (cm/V.S) Concentration des
porteurs (cm
-3
)
SnO
2
non recuit 1.08 15.1 2.70.10
20
SnO
2
recuit 580C 1.05 15.3 2.71.10
20
SnO
2
recuit 600C 1.05 15.4 2.53.10
20
Tableau 4-5 : Caractristiques lectriques de loxyde dtain recuit et non recuit.
Les caractristiques lectriques de loxyde dtain restent inchanges. Il est donc possible de
faire le recuit du contact arrire en aluminium sans endommager les proprits du TCO SnO
2
.
La mtallisation de la face avant de la cellule solaire SnO
2
-Si(p)
Nous avons ralis un contact mtallique sur la face avant de la cellule photovoltaque
SnO
2
-Si(p). Le film de loxyde dtain prsente une paisseur trs fine, do la ncessit de
dposer une fine couche daluminium en face avant. Le recuit de ce contact nest pas
indispensable. Nous avons dpos une couche de 200 nm par vaporation sous vide une
pression de 10
-6
mbar.
Afin de vrifier que le contact ohmique est assur entre laluminium et loxyde dtain SnO
2
,
nous avons mesur la rsistance de contact entre ces deux matriaux. La figure (4-10) illustre
la variation de la rsistance de contact en fonction de la distance entre les plots. En effet, vu la
linarit du trac de la rsistance de contact, nous concluons que le contact est ohmique.
109
Fig. 4-10 : Rsistance de contact dun dpt daluminium sur un film doxyde dtain.
La caractristique I(V) de la cellule photovoltaque SnO
2
-Si(p)
La caractristique I(V) de la cellule solaire SnO
2
-Si(p) (figure 4-11) montre que la cellule
dlivre une tension de circuit ouvert de lordre de 0,70 Volts. Le courant de court circuit est
faible sa valeur est de 6,3 10
-7
A.
Fig. 4-11 : Caractristique I(V) de la cellule solaire SnO
2
-Si(p).
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-400 -200 0 200 400 600
R
(
O
h
m
)
X(m)
0,0E+00
1,0E-07
2,0E-07
3,0E-07
4,0E-07
5,0E-07
6,0E-07
7,0E-07
0 0,2 0,4 0,6 0,8
I
S
C
(
A
)
V
OC
(Volts)
SnO
2
Si(P)
110
Afin de dterminer le phnomne qui rduit le courant de court circuit de la cellule
photovoltaque SnO
2
-Si(p), nous avons analys lempilement par la technique
capacit-tension. La figure (4-12) illustre la caractristique C(V) de lhtrostructure
SnO
2
-Si(p).
Fig. 4-12 : Caractristique C(V) de lhtrostructure SnO
2
-Si(p).
Le dcalage de la caractristique C(V) de la tension des bandes plates qui est de 0,09 Volt
confirme la prsence des tats dinterface entre le silicium de type p et la couche mince de
loxyde dtain. La faible valeur de ce courant est due la prsence dtats dinterface dans
lhtrostructure.
4-7. Ralisation de la cellule solaire SnO
2
-SiO
2
-Si
Le courant inverse lobscurit est un paramtre qui limite la tension de circuit ouvert des
cellules solaires du type mtal-seminconducteur. La solution qui a t porte par Singh [89]
est dintroduire une fine couche de loxyde de silicium SiO
2
dpaisseur 21 entre le substrat
de silicium et la couche doxyde dtain.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 1 2 3 4 5 6
C
(
p
F
)
V (Volts)
Nous avons ralis avec la technique APCVD une htrostructure mtal
semiconducteur (MIS) par loxydation du substrat de silicium avant le dpt de la couche
SnO
2
. Nous avons envoy un flux doxygne sur le substrat de silicium port une
temprature de 500C pendant 6 minutes. Nous avons observ lempilement
silicium-oxyde de silicium-oxyde dtain laide du microscope lectronique transmission
TEM (Transmission Electron Microscopy).
Limage de cette htrostructure, reprsente la figure (4
lpaisseur de la couche de loxyde de silicium est de 21
Fig. 4-13 : Im
A partir de cet empilement des deux couches doxyde dtain et doxyde de
sur un substrat de silicium, nous avons ralis
caractristique courant-tension de cette cellule photovoltaque est reprsente
la figure (4-14).
Chapitre 4:
Nous avons ralis avec la technique APCVD une htrostructure mtal
loxydation du substrat de silicium avant le dpt de la couche
oxyde dtain laide du microscope lectronique transmission
TEM (Transmission Electron Microscopy).
Limage de cette htrostructure, reprsente la figure (4-13) permet de dduire que
lpaisseur de la couche de loxyde de silicium est de 21.
: Image TEM de lhtrostructure SnO
2
-SiO
2
-Si
rtir de cet empilement des deux couches doxyde dtain et doxyde de
sur un substrat de silicium, nous avons ralis la cellule solaire du type SnO
tension de cette cellule photovoltaque est reprsente
111
Nous avons ralis avec la technique APCVD une htrostructure mtal-isolant-
loxydation du substrat de silicium avant le dpt de la couche
oxyde dtain laide du microscope lectronique transmission
13) permet de dduire que
Si.
rtir de cet empilement des deux couches doxyde dtain et doxyde de silicium dposes
SnO
2
-SiO
2
-Si(p). La
tension de cette cellule photovoltaque est reprsente
112
Fig. 4-14: Caractristique I(V) de la cellule photovoltaque SnO
2
-SiO
2
-Si(p).
Sur le graphe de cette caractristique I(V) de la cellule SnO
2
-SiO
2
-Si(p), nous remarquons que
la tension de circuit ouvert a augment de 0,1 V par rapport la cellule SnO
2
-Si(p). Cette
augmentation confirme les simulations faites par Singh [98] qui indiquent que la tension de
circuit ouvert augmente lorsque lpaisseur de la couche doxyde de silicium a une paisseur
de 21.
Le courant de court circuit reste faible dans ce type de cellules solaires. La prsence des tats
dinterfaces est responsable de cette faible valeur du courant de court-circuit. La
caractristique capacit-tension de cette cellule de type mtal-isolant-semiconducteur indique
que la tension des bandes plates est dcale par rapport 0,09 volt (tension des bandes plates
de lhtrostructure) sur le trac C(V). La tension est dplac de 1,71 V (figure 4-15).
0,0E+00
5,0E-07
1,0E-06
1,5E-06
2,0E-06
2,5E-06
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
I
S
C
(
A
)
V
OC
(V)
113
Fig. 4-15 : Caractristique C(V) de la cellule SnO
2
-SiO
2
-Si(p).
0
50
100
150
200
250
0 2 4 6 8 10 12 14
C
(
p
F
)
V (Volts)
114
4-8. Conclusion
Nous avons prsent dans ce chapitre les rsultats des travaux exprimentaux. Les
caractrisations des films des oxydes dtain et de zinc dposs par APCVD montrent la
qualit des proprits lectriques et optiques de ces derniers. Ils prsentent respectivement
des rsistivits lectriques de 5.10
-4
O.cm et 1. 10
-3
O.cm. Le SnO
2
aussi bien que le ZnO
prsentent des transmissions optiques de lordre de 75% dans le visible.
Les cellules photovoltaques du type mtal-isolant-semiconducteur que nous avons ralises
fournissent des tensions de circuit ouvert suprieures de 0,1 Volt par rapport aux cellules
solaires du type mtal-semiconducteur.
Les cellules solaires ralises partir du substrat p, soit SnO
2
-Si(p) et SnO
2
-SiO
2
-Si(p) ont
permis de dlivrer une tension de court circuit de 0,71 Volt et 0,80 Volt respectivement,
rsultat atteint pour la premire fois exprimentalement. Ces valeurs sont trs proches des
valeurs obtenues par simulation. Cependant, il reste amliorer le courant de court circuit qui
reste du fait des tats dinterface encore faible. Lamlioration de la valeur du courant de
court circuit fera de ces cellules des dispositifs photovoltaques trs prometteurs.
115
CONCLUSION GENERALE
Les objectifs tracs dans le cadre de notre travail consistant en la conception
dhtrostructures utiliser en tant que cellules solaires htrojonction par llaboration de
couches minces doxydes semiconducteurs transparents par la technique de la dposition
chimique en phase vapeur la pression atmosphrique ont t atteints. Nous avons
effectivement mis au point et raliser partir de substrats de silicium des cellules solaires de
type mtal-semiconducteur (M-S) et mtal-isolant-semiconducteur (M-I-S) par le dpt de
couches minces de SnO
2
dune part, puis de SiO
2
et SnO
2
dautre part.
Partie Simulation
Dans le but de dterminer les proprits les plus adquates des cellules solaires objet de notre
travail, nous avons simul ces dernires laide du logiciel PC1D. Dans le cas des cellules
solaires de type Schottky, la formation de la barrire de potentiel entre le silicium et loxyde
dtain ncessite un choix adquat de la rsistivit du silicium (concentration des impurets
dopantes).
Ainsi les cellules solaires htrojonction SnO
2
-Si- et ZnO-Si simules sous PC1D montrent
quelles peuvent atteindre un rendement photovoltaque de 22%. Ce rendement est atteint
pour les deux types de dopage du silicium n et p pour des valeurs optimales de la
concentration des impurets dopantes. En effet, les cellules solaires SnO
2
-Si(n) et ZnO-Si(n)
atteignent un rendement thorique de 22% lorsque le silicium est dop avec des impurets
pentavalentes de concentration 10
17
cm
-3
. Quant aux cellules ZnO-Si(p) et SnO
2
-Si(p), elles
atteignent ce rendement pour un dopage du silicium avec des impurets trivalentes de
concentration 10
14
cm
-3
.
Pour complter ce travail de simulation, nous avons utilis le logiciel MATLAB pour
dterminer les valeurs des paisseurs des diffrents films qui constituent les htrostructures
SnO
2
-SiO
2
-Si, SnO
2
-Si et ZnO-SiO
2
-Si, ceci dans le but doptimiser la transmittance du
rayonnement solaire travers ces htrostuctures et permettre aux photons datteindre le
substrat de silicium. Les rsultats de la simulation montrent quune paisseur de loxyde
dtain de 0,1 m permet de rduire la rflexion au niveau de la surface des empilements
SnO
2
-Si et SnO
2
-SiO
2
-Si. Dans les htrostructures ZnO-SiO
2
-Si, lpaisseur du film de
loxyde de zinc qui permet doptimiser la transmission du rayonnement travers cette
dernire est comprise entre 0,25 et 0,4 m.
116
Partie Exprimentale
En nous basant sur les rsultats des deux simulations, nous avons procd la ralisation
exprimentale des films de loxyde dtain par la technique APCVD ainsi que des cellules
solaires htrojonction du type Mtal-Semiconducteur (M-S) et les cellules solaires du type
Mtal-Isolant-Semiconducteur (M-I-S), soit SnO
2
-SiO
2
-Si(p).
Caractristiques des films doxyde dtain utiliss pour raliser les cellules htrojonction
Les caractrisations faites par la mthode de la diffraction des rayons X montrent que les
films doxyde dtain que nous avons dpos par APCVD prsentent une orientation
prfrentielle selon (110).
Nous avons utilis la mthode des quatre pointes pour mesurer la rsistivit des couches SnO
2
que nous avons labores. Nous avons constat que les films SnO
2
dpaisseur 0,1 m
prsentent une rsistivit leve par rapport ceux ayant une paisseur plus leve. Pour
satisfaire le compromis transparence/conduction lectrique de cet oxyde transparent
conducteur, nous avons fait des dpts avec diffrentes paisseurs. Nous avons remarqu que
les films SnO
2
qui ont une paisseur de 0,3 m ont des proprits lectriques et optiques qui
permettent de les utiliser dans les htrostructures.
Ainsi les films doxyde dtain utiliss pour laborer les cellules ont une paisseur de 0,3 m,
une rsistivit lectrique de 3,0. 10
-3
.cm et une transparence de lordre de 75% dans le
visible.
Caractristiques des cellules solaires ralises
Les cellules solaires SnO
2
-Si(n), SnO
2
-Si(p) et SnO
2
-SiO
2
- Si(p) sont ralises par le procd
APCVD et en dposant un contact arrire en aluminium par vaporation thermique sous vide.
Nous avons ralis des cellules solaires SnO
2
-Si(n) partir de substrat de silicium type n de
3 cm de surface ; dlivrant une tension de circuit ouvert de 0,45 volts et un courant de court
circuit de 72 mA/cm. Quant aux cellules SnO
2
-Si(p), labores sur des substrats de type p de
1cm de surface, elles dlivrent une tension de circuit ouvert trs intressante de 0,70 V avec
un courant de court circuit faible par rapport celui des cellules base de substrat de type n.
Dans le cas de la cellule solaire du type M-I-S, lpaisseur de la couche de loxyde isolant
SiO
2
influe sur les paramtres photovoltaques de cette dernire. Nous avons optimis la
valeur de cette paisseur sous MATLAB. Cette simulation indique que lpaisseur du film
SiO
2
qui permet doptimiser la valeur de la tension de circuit ouvert de la cellule solaire
117
SnO
2
-SiO
2
-Si est de 21 . Nous avons approch exprimentalement cette valeur par la
technique APCVD ; nous avons effectivement obtenu une paisseur de 20 . La
caractristique I(V) de cette cellule nous a permis de constater que la tension de circuit ouvert
a augment de 0,1 Volt par rapport la cellule SnO
2
-Si(p). Cependant, le courant de court
circuit reste faible.
Afin de comprendre le phnomne lectrique qui cause la diminution du courant de court
circuit des cellules solaires SnO
2
-Si(p) et SnO
2
-SiO
2
-Si(p), nous avons ralis des mesures
capacit-tension. Les mesures indiquent que la tension des bandes plates est dcale par
rapport zro. Ce dcalage est caus par la prsence des tats dinterfaces dans
lhtrostructure.
Ces tats dinterfaces augmentent la recombinaison des porteurs photognrs , raison pour
laquelle le photocourant mesur dans ces cellules solaires est faible.
Vu leffet de la prsence des tats dinterfaces sur le courant de court circuit des cellules
solaires ralises, il est important dtudier la qualit de linterface entre le silicium
et loxyde dtain ainsi que les interfaces silicium-oxyde de silicium
et oxyde de silicium- oxyde dtain. Des travaux futurs consacrs ltude et lamlioration
de la qualit des interfaces dans les empilements raliss par APCVD permettront dapporter
une amlioration du courant photognr dans les cellules.
Une extension des travaux de simulation ltude dautres paramtres : lectriques, optiques,
et structuraux des films minces des diffrents TCO utiliss dans lhtrostructure peut
contribuer loptimisation des paramtres photovoltaques des cellules solaires
htrojonction lors de leur laboration.
118
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MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU

: prmitivit haute frquence

Chapitre1 : Etat de lart des TCO et cellules solaires htrojonctions.

est le vecteur donde dans la zone de Brillouin). Les transitions

est le courant de saturation (1-41)

Chapitre2 : Simulation et optimisation des cellules solaires SnO

) compense leffet de la force de Lorentz.

= 0. Lexpression du champ de Hall sera alors [119] :

=1/nq est appel coefficient de Hall

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