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COOL SILICON

Spitzencluster

Fortschrittsbericht 2010
Oktober 2010

Inhalt

1 Vorwort Energieeffizienz in der Informations- und Kommunikationstechnologie die Situation verschrft sich 1.1 Die Bedeutung und das Potenzial der Basistechnologie Mikro- und Nanoelektronik 1.2 Der Spitzencluster Cool Silicon in Silicon Saxony 2 Die Cool-Silicon-Projektstruktur 2.1 Area 1 Mikro- und Nanotechnologie 2.2 Area 2 Kommunikationssysteme 2.3 Area 3 Sensornetzwerke 3 Zentrale Manahmen des Clusters 3.1 Bildungsprojekt 3.2 Kunstprojekt 3.3 Ausstellungsprojekt 4 Strukturen und Management des Clusters 5 Internationale Ausstrahlung der Cool-Silicon-Spitzencluster-Aktivitten

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1 Vorwort Energieeffizienz in der Informations- und Kommunikationstechnologie die Situation verschrft sich
Als sich 2008 schsische Unternehmen und Forschungseinrichtungen der Informations- und Kommunikationstechnologie-Branche (IKT) im Forschungsverbund Cool Silicon zusammenschlossen, um gemeinsam an der Verbesserung der Energieeffizienz in der IKT zu arbeiten, lagen die prognostizierten Wachstumsraten fr den internationalen mobilen Datenverkehr bei jhrlich rund 46 Prozent bis 2012. Das amerikanische Telekommunikationsunternehmen Cisco Systems berschrieb dieses enorme Wachstum damals mit der Formel Approaching the Zettabyte Era.1 Zwei Jahre spter korrigierte Cisco die Erwartungen auf Basis des 2009 transferierten Datenvolumens auf ein durchschnittliches jhrliches Wachstum von 111 Prozent bis ins Jahr 2014.2

Abbildung 1: Prognose Entwicklung mobiler Datenvolumina bis 2014

Der globale Mobilfunkverkehr wird sich laut den Prognosen bis 2014 um das 39fache erhhen. Die geographisch hchsten Wachstumsraten haben der Mittlere Osten und Afrika mit jhrlich 133 Prozent, gefolgt von Asien und der Pazifikregion mit 119 Prozent und Nordamerika mit 117 Prozent. Grnde fr diese explodierenden Wachstumsraten liegen vor allem in den groen infrastrukturellen Unterschieden zwischen den Regionen weltweit, die aus

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Cisco Systems Visual Networking Index: Approaching the Zettabyte Era, 2008. Cisco Systems Visual Networking Index: Global Mobile Data Traffic Forecast Update, 2009-2014, 2010. 1/30

Ressourcengrnden nicht mit Kupfer oder Glasfaserkabeln ausgestattet werden knnen. Hier leistet die Mobilfunktechnik der bernchsten Generation (LTE, Long Term Evolution) einen bedeutenden Beitrag dafr, dass Volkswirtschaften binnen kurzer Zeit Jahrzehnte der wirtschaftlichen Rckstndigkeit aufholen, weil sie kostengnstig an das globale Datennetz angeschlossen werden knnen. Gleichzeitig gab es in den letzten zwei Jahren weltweit einen Nachfrageboom nach mobilen Endgerten (Netbooks, Smartphones, Tablet-PCs, E-Reader etc.), dessen Ende nicht absehbar ist. Laut Einschtzung der IT-Marktforschung Gartner wurden im 1. Quartal 2010 weltweit 49,4 Millionen mobile Rechner verkauft, das sind 43,4 Prozent mehr als im Vorjahreszeitraum. Der Notebook-Markt verzeichnet damit das hchste Wachstum seit acht Jahren. Rund um den Globus befinden sich damit laut Schtzungen der Marktforscher rund 500 Millionen Notebooks im Einsatz.3 hnliche Wachstumszahlen prsentierte Gartner 2010 fr den Verkauf von PC-Rechensystemen und Servern. Ein weiterer Trend sind die sogenannten Media Tablets, der vor allem durch Apples iPad gesetzt wird. Hier wurden 2010 weltweit rund 19 Millionen Gerte verkauft. Gartner prognostiziert einen Nachfrageboom nach Media Tablets auf 154 Millionen Gerte bis 2013, was einer Verachtfachung in drei Jahren entspricht.4 Der anhaltende Boom nach mobilen Rechensystemen beschleunigt den Anstieg des transferierten Datenvolumens, der laut Cisco Systems vor allem durch die bertragung von Videodaten verursacht wird. Die Datenbertragung passiert dabei nicht ausschlielich ber die Mobilfunknetze. Gerade in der Geschftswelt ist ein Trend hin zur Virtualisierung von Business-Daten zu beobachten. Bei dem sogenannten Cloud-Computing befinden sich die Geschftsdaten nicht mehr auf unternehmensinternen Rechnern und Servern, sondern werden dezentral in Rechenzentren rund um die Welt gespeichert. Das reduziert zwar die Betriebskosten der Unternehmen, erhht aber die Anforderungen an die Bandbreite der zur Verfgung stehenden Datennetze, denn die Daten mssen fr jede Bearbeitung erst aus der Cloud heruntergeladen werden. Ohne umfassende Energiesparmanahmen wrde der Stromverbrauch beim Betrieb von Server- und Rechenzentren bis 2013 um 50 Prozent weiter steigen.5 Laut dem Marktforschungsunternehmen IDC berstiegen 2010 die Kosten fr Energie und Khlung von Rechenzentren zum ersten Mal die Hardwarekosten. 6 Fr die IKT verschrft sich deshalb das Problem, wie die Wachstumsraten der Energiebedarfe von denen der Datenvolumina entkoppelt werden knnen. Die dringlichste Herausforderung auf dem Gebiet der Mikro- und Nanoelektronik, die die Basistechnologie der IKT darstellt, besteht in einer

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http://www.gartner.com/it/page.jsp?id=1374913. http://www.gartner.com/it/page.jsp?id=1452614. 5 Borderstep Insititut, 2008, Grundlage ist der Stromverbrauch von rund 50.000 Serverrumen und RZ in Deutschland im Jahr 2008. 6 IDC 2009. 2/30

massiven Steigerung der Energieeffizienz ber die gesamte Wertschpfungskette. Wenn in vielen Rechnern und in der gesamten Infrastruktur eine Vielzahl energieschonender Innovationen zur Anwendung kommen, reduziert sich der globale Gesamtverbrauch in beachtlichen Grenordnungen dies gilt auch dann, wenn der relative Beitrag zur Gesamtersparnis jeder Einzelinnovation gering ist. Da der Einsatz von elektronischen Komponenten auch ber die Kommunikationstechnik hinaus immer weiter zunehmen wird, muss die Steigerung der Energieeffizienz parallel zur Steigerung der Systemkomplexitt knftig hnlich dem Vorgehen bei der Umsetzung der Skalierung (Mooresches Gesetz) erfolgen. Den Gedanken der Energieeffizienz zu einer zentralen Randbedingung des Entwurfs, der Herstellung und der Anwendung elektronischer Systeme auf allen Hierarchieebenen zu machen ist somit das zentrale Ziel des Spitzenclusters Cool Silicon. Die Vorreiterrolle, die Cool Silicon hierbei einnimmt, fhrt zu entscheidendem Wettbewerbsvorteil fr die am Cluster beteiligten Partner.

1.1 Die Bedeutung und das Potenzial der Basistechnologie Mikro- und Nanoelektronik
Die Mikroelektronik ist als Schlsseltechnologie weltweit die Basis fr die wirtschaftliche und gesellschaftliche Entwicklung von Volkswirtschaften. Die Mikroelektronik ist somit eine Key Enabling Technology (KET), die als Gesamtheit von Technologie und Produkt, von Chip gewordenem Know-how und industrieller Anwendung, ihre Schubkraft entfaltet. So ist z. B. die Hlfte der Produktionssteigerungen der europischen Wirtschaft in den vergangenen 15 Jahren auf die Neuerungen in der Informations- und Kommunikationstechnologie (IKT) zurckzufhren. 8 Halbleiter sind heute in fast jedem Elektro- und IT-Produkt zu finden. Mehr als 50 Prozent der gesamten deutschen Industrieproduktion sowie ber 80 Prozent der Exporte hngen von der Elektro- und Informationstechnik ab, ganz nach dem Motto Chips sind nicht alles, aber ohne Chips ist alles nichts.

1.2 Der Spitzencluster Cool Silicon in Silicon Saxony


Silicon Saxony hat sich zu dem fhrenden Standort der Mikroelektronik-Industrie in Europa entwickelt und zhlt technologisch zu den innovativsten IKT-Clustern weltweit. Heute findet sich in der Region Dresden Chemnitz Freiberg eine einzigartige Ballung von Unternehmen mit Know-how in den Bereichen Mikro- und Nanoelektronik, Telekommunikationstechnologie, vernetzte Sensorik und Photovoltaik. Etwa 200 Unternehmen entwickeln, fertigen und vermarkten integrierte Schaltkreise oder sind in der Chipindustrie als Material-

EU-Kommission, MEMO/10/199, 2010: Digitale Agenda fr Europa: Was bringt sie fr mich?, S. 4. 3/30

und Equipmentlieferanten ttig. Zusammen beschftigt die technologisch orientierte Mikround Nanoelektronik-Industrie in Sachsen rund 20.000 Menschen, die einen Umsatz von rund 6 Milliarden Euro pro Jahr erwirtschaften. Rechnet man die Firmen dazu, die elektronische Produkte und Systeme auf der Basis integrierter Schaltungen herstellen bzw. vertreiben, Software entwickeln und vermarkten oder Computernetzwerke aufbauen und betreuen, so zhlt die IKT-Branche in Sachsen sogar ber 1.200 Unternehmen mit mehr als 43.000 Beschftigten.9 Das macht Silicon Saxony zum fhrenden Forschungs-, Entwicklungs- und Fertigungsstandort in Europa, der durch eine enge Vernetzung von kleinen und groen Unternehmen, F&E-Einrichtungen, Zulieferern und Dienstleistern gekennzeichnet ist, die ihrerseits im Branchenverband Silicon Saxony e.V. verbunden sind. Kein anderer europischer Standort verfgt ber vergleichbare Kapazitten bei Forschungseinrichtungen und in der Produktion von mikroelektronischen Bauteilen. Mit Globalfoundries und X-Fab sind am Standort Silicon Saxony zwei Foundries vertreten. Die besondere Bedeutung des Foundry-Konzepts liegt darin, dass diese Mikroelektronik-Halbleiterwerke keine eigenen Produkte herstellen, sondern sie im Auftrag von Kunden fertigen. Dieses Geschftsmodell wird aufgrund der fr die Fertigung bentigten Investitionen immer wichtiger. Bisher gab es in Europa ausschlielich Foundries, die sich auf Nischenanwendungen unter Verwendung lterer Technologiegenerationen konzentrierten. Dass mit Globalfoundries nun auch ein Unternehmen, das das ganze Spektrum anbietet, weltweit agiert und unter den ersten drei im Gesamt-Foundry-Markt platziert ist, einen wichtigen Standort in Dresden hat, ist eine besonders erfreuliche und unerwartete Entwicklung. Mit Infineon besetzt der Standort einen weiteren Zukunftstrend: Experten erwarten durch More than Moore einen der grten Innovationsschbe der nchsten Jahre in der Halbleiterbranche. Neben immer kleineren und leistungsfhigeren Chip-Strukturen (More Moore) werden mikroelektronische Systeme durch sensorische und aktorische Funktionalitten erweitert.10 Den sogenannten Smart Systems gehrt die Zukunft, und Infineon Dresden ist hier im Bereich Automotive und Sicherheit ein weltweit fhrendes Unternehmen. In diesem Bereich gibt es zudem produktnahe Forschung der Fraunhofer Institute IPMS und ENAS, die eine weltweite Spitzenstellung einnimmt und ebenfalls viele Potenziale fr knftige Produkte in sich birgt. Bezogen auf die Ballung im Bereich seiner Zukunftstechnologien kann Silicon Saxony als ein Cluster-Cluster bezeichnet werden, denn nebeneinander haben sich unterschiedliche Cluster entwickelt fr die Mikro- und Nanoelektronik ebenso wie fr das Zukunftsthema Energieeffizienz, fr

TrendsConsult: Entwicklungsstand und Handlungserfordernisse zum weiteren Ausbau des Mikroelektronik IKT Clusters in der Region Dresden, 2008. 10 http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/2009Chapters_2009Tables/2009_ExecSum.pdf, 2009, S. 20. 4/30

die Photovoltaik, fr die Organische Elektronik und fr LTE, den Mobilfunk der bernchsten Generation.

2 Die Cool-Silicon-Projektstruktur
Der Cool-Silicon-Spitzencluster ist aktuell in drei Fach-Areas gegliedert. Die drei Areas sind ber die Technologie und/oder die Wertschpfungskette miteinander vernetzt. Der thematische Schwerpunkt jedes Area ist durch ein Leitprojekt bestimmt und wird durch Satellitenprojekte inhaltlich ergnzt. Zustzlich ergnzen landesfinanzierte Projekte die Forschungsarbeit in den Areas.

Abbildung 2: Die Areas des Spitzenclusters Cool Silicon

Area 1 Mikro- und Nanotechnologie beschftigt sich mit den Basistechnologien fr energieeffiziente IKT-Produkte und deren Anwendung in Rechnern. In Area 2 Kommunikationssysteme wird an der Definition und Optimierung von Kommunikationssystemen, hier von der Systemanalyse und -Verbesserung ber Software- und Hardwareentwicklungen bis zum Endgert, gearbeitet. In Area 3 Sensornetzwerke wird an Systemen geforscht, die energieautarke und vernetzte Sensoren ermglichen. Der Frderzeitraum ist in zwei Phasen unterteilt. In der Phase 1 liegt der Schwerpunkt auf der Entwicklung von Grundlagen wie Basistechnologien, Systemanalysen, Spezifikationen, Kommunikationsschnittstellen, Software, Hardware-Komponenten und deren effizienter Produktion als Gesamtsystem. In der Phase 2 erweitert sich der Fokus in Richtung Anwendungen ber die gesamte
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Wertschpfungskette hinweg. Dies fhrt zu einer erhhten Gesamtkomplexitt der Projekte und deren Vernetzung, was sich in einem Anstieg der Anzahl der Einzelprojekte und der Projektpartner widerspiegelt.

Abbildung 3: Die Cool-Silicon-Projektstruktur

2.1 Area 1 Mikro- und Nanotechnologie


In Area 1 wird das Leitprojekt CoolComputing durch die Satellitenprojekte CoolFab, CoolFlow, CoolMaskMetro, CoolDrivers und die begleitenden Landesprojekte CoolTrans, CooliBit, CoolAnalytics, CoolE3NVM und CoolProjector ergnzt. Die Inhalte des Leitprojektes werden in Phase 2 durch das Projekt CoolComputing 2 weitergefhrt.

Abbildung 4: Area 1 Mikro- und Nanotechnologie


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Abkrzungsverzeichnis 4G A/D AMD CFK CMOS DAB DRM DVB-T EC F&E FhG ENAS FhG IPMS FhG IZFP GaAs HF HTW HV IC Idle-Perioden IKT IP IT ITG KET LER LTE LTE MOSFET MPSoC OLED PA POF PRP RFID SAW SHM Si CMOS SIMS SMWK SONOS SRAM TEM UHV UMTS Vierte Generation im Mobilfunk Analog-Digital Advanced Micro Devices Carbon Fiber Komposit Complementary Metal Oxide Semiconductor Digital Audio Broadcast Digital Radio Mondiale Digital Video Broadcasting Terrestrial Electronically Commutated (Gleichstrom) Forschung und Entwicklung Fraunhofer-Institut fr Elektronische Nanosysteme Fraunhofer-Institut fr Photonische Mikrosysteme Fraunhofer-Institut fr Zerstrungsfreie Prfverfahren Galliumarsenid Hochfrequenz Hochschule fr Technik und Wirtschaft Dresden High Voltage Integrated Circuit Verbleibende Zeit bis zum Beginn des nchsten Zyklus Informations- und Kommunikationstechnologie Internet Protocol Internet Technologies Informationstechnische Gesellschaft Key Enabling Technology Line Edge Roughness Long Term Evolution Long Term Evolution (Mobilfunk der bernchsten Generation) Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Multiprocessor on Chip Organic Light Emitting Diode Power Amplifier Polymere optische Fasern Product Ressource Planning Radio-Frequency Identification Surface Acoustic Wave Structural Health Monitoring Silicon Complementary Metal-Oxide Semiconductor Sekundrionen-Massenspektrometrie Schsisches Staatsministerium fr Wissenschaft und Kunst Silicon Oxide Nitrate Oxide Silicon Static Random Access Memory Thermische Entgraten Ultra-Hoch-Volt Universal Mobile Telecommunications System

Abbildungsverzeichnis

Abbildung 1: Prognose Entwicklung mobiler Datenvolumina bis 2014 ..................................1 Abbildung 2: Die Areas des Spitzenclusters Cool Silicon......................................................5 Abbildung 3: Die Cool-Silicon-Projektstruktur ......................................................................6 Abbildung 4: Area 1 Mikro- und Nanotechnologie .............................................................6 Abbildung 5: Leistungskurven vor und nach Softwareoptimierung ........................................8 Abbildung 6: Testkurve zur Sperrfhigkeit ............................................................................9 Abbildung 7: Durchlufe vor (links) und nach (rechts) der Fertigungsoptimierung...............10 Abbildung 8: Area 2 Kommunikationssysteme.................................................................13 Abbildung 9: Vereinfachte Darstellung des Kontrollsystems (links), Photo eines Chips in kostengnstiger 180-nm-CMOS-Technologie (Mitte), Effizienzverbesserung unter UMTS-Randbedingungen (rechts) ........................................................15 Abbildung 10: Area 3 - Sensornetzwerke............................................................................20 Abbildung 11: Auswahl der optimalen Piezomaterialien hinsichtlich Polarisationseigenschaften ..........................................................................21 Abbildung 12: Sensorknoten fr das Verfahren Acousto Ultrasonics ..................................22 Abbildung 13: Innere Organisation des Clusters.................................................................28 Abbildung 14: Internationale Ausstrahlung des Clusters bei Konferenzen und Fachtagungen.......................................................................................30

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