FABRICACION Y CARACTERIZACION DE PELICULAS DELGADAS NANO-ESTRUCTURADAS DE Hg 1-xCdxSe GRUPO : CIMBIOS

OBJETIVO: Fabricar pelculas delgadas de Hg(1-x)Cd(x)Se sobre sustrato semiconductor por medio de crecimiento va electroqumica y el uso de pulsos lser de alta energa y corta duracin para la elaboracin de sistemas nanoestructurados

Objetivos especficos:
Sintetizar electroqumicamente pelculas delgadas de Hg(1-x)Cd(x)Se. sobre un

sustrato semiconductor.
Fabricar sistemas nano-estructurados de Hg(1-x)Cd(x)Se mediante el uso de pulsos lser de alta energa y corta duracin. Caracterizar las pelculas y sistemas nano-estructurados preparados

1. Introduccin 2. Dentro del panorama general del campo de los materiales, el desarrollo de nuevos semiconductores contina siendo un rea de gran actividad y rpido crecimiento. Gracias al perfeccionamiento de sofisticados sistemas de fabricacin de dispositivos, es posible crecer mezclas de semiconductores ternarios y cuaternarios. Con ellas, mediante un control en la composicin estequiomtrica, se pueden obtener materiales con un valor de la energa de banda prohibida de acuerdo con el dispositivo que se quiere desarrollar con base en pelculas semiconductoras o en estructuras de multicapas semiconductoras (Cohen & Chelikowsky, 1989; Peters et.al., 1988; Bouhafs et al., 1997). Todo este desarrollo de nuevos semiconductores conlleva una intensa labor de caracterizacin para la determinacin de sus propiedades estructurales, pticas y elctricas, as como para la optimizacin de los parmetros de crecimiento de dichos materiales semiconductores. La posibilidad de calcular la estructura de bandas de mezclas de semiconductores es prerrequisito importante para analizar los fenmenos relacionados con su comportamiento y el de los dispositivos fabricados. Las mezclas producen cambios en el parmetro de red y en la distribucin de carga electrnica de los slidos, y esto produce cambios significativos en la estructura electrnica de bandas que se manifiesta en las propiedades pticas y elctricas. Partiendo de un mismo compuesto binario es posible obtener un amplio espectro de propiedades al introducir un elemento diferente, propiedades que dependen de factores tales como la forma en que este nuevo elemento entre a formar parte del material, de la proporcin estequiomtrica, de las nuevas interacciones generadas, de las modificaciones que se producen en las estructuras de los compuestos binarios, entre otros. Las aleaciones ternarias pertenecientes a los grupos II-VI, y principalmente a partir del compuesto binario CdTe han sido un campo de estudio de gran inters pero relativamente reciente si se compara con el trabajo desarrollado alrededor de los compuestos III-V, al cual pertenece el Ga As. Como parte del estudio de los semiconductores del grupo II-VI estn los ternarios pertenecientes al subsistema Cd-A-Te, siendo A (Mn, Zn) un elemento determinante en las propiedades de las aleaciones. Es as como se pueden obtener, por ejemplo, semiconductores magnticos diluidos en los que el elemento A es un in magntico.

Otro compuesto de gran inters es el GaAs, el segundo material ms usado en la industria de los semiconductores. Su brecha de energa directa y la alta movilidad de los electrones lleva a muchas aplicaciones diferentes donde estn involucradas tanto la velocidad de los electrones como la luz. Su bajo costo con respecto a la tecnologa del Si lo hace el semiconductor del futuro. La aleacin AlxGa1-xAs ha recibido considerable atencin en los ltimos aos debido a las grandes aplicaciones en dispositivos tales como lseres de pozos cunticos, transistores de heterouniones y diodos tnel, entre otros (Schuppler et al., 1995; Suesawa, M., 1998). En vista de la enorme aplicabilidad del Arsenuro de Galio, se ha llegado a conocer en profundidad su estructura electrnica, y los parmetros fsicos, pticos y elctricos estn bien estudiados. Existe una amplia literatura al respecto, incluyendo compendios y textos tanto para el GaAs como para el AlxGa1-xAs. Pero la alta impurificacin produce en el GaAs dos problemas an no entendidos: la desactivacin electrnica o disminucin de los portadores libres con el aumento de la concentracin y la dispersin en los procesos de generacin-recombinacin de portadores. Igualmente, no se ha podido entender la formacin de defectos, y la literatura es abundante, porque todava no se tiene un modelo de cmo entran las impurezas en el material. Por lo tanto, es de gran inters hacer un estudio amplio de la impurificacin del GaAs y AlGaAs, en particular en capas epitaxiales de buena calidad, en el rango de leve hasta fuerte dopaje. Dos tcnicas muy poderosas como son la fotoluminiscencia y la fotorreflectancia nos permiten hacer este tipo de estudio (Godoy et al., 1997; Schuppler et al., 1995).
Otras aleaciones semiconductoras formadas por ms de dos elementos de los grupos III y V de la tabla peridica, son ampliamente utilizadas en los dispositivos optoelectrnicos, dado que los valores de los parmetros determinantes en la operacin de estos, tales como la brecha de energa prohibida E0 y el parmetro de red a, se pueden fijar de acuerdo con los requerimientos propios de cada aplicacin. Pero en muchos casos se debe poder controlar por separado el valor de la brecha de energa prohibida y del parmetro de red, situacin que no es permitida en los compuestos binarios y ternarios por la correlacin directa existente entre estos dos parmetros. Por el contrario, cuando se tiene una aleacin formada por cuatro elementos, conocida como material cuaternario, se puede tener un control independiente de estos parmetros variando su estequiometra (Shim et al., 2000). Las pelculas semiconductoras de GaInAsSb pueden ser fabricadas por diversas tcnicas, tales como epitaxia por haces moleculares (MBE), epitaxia en fase de vapor por gases metalorgnicos (OMVPE) y epitaxia en fase lquida (EFL) entre otras. Lo que hace interesante fabricar este material por EFL, es que esta tcnica es la ms utilizada en la industria para fabricar dispositivos en masa, dado que ofrece la mejor relacin entre calidad cristalina de la pelcula fabricada y precio de fabricacin de la misma (Zheng et al., 1974; Wang et al., 1998).

Por ltimo, las aleaciones Hg(1- x)Cd(x)Se, tradicionalmente de uso militar, son aleaciones que exhiben propiedades de semiconductor o semimetal dependiendo

de las fracciones molares de cadmio y mercurio, las cuales han despertado un reciente inters para desarrollar dispositivos opto-electrnicos con alta eficiencia [10, 11] que pueden ser utilizado en el desarrollo de nuevas aplicaciones tanto en el mbito militar y civil, en sectores tan variados como salud, alimentacin y energa. En esta propuesta de investigacin, se propone la fabricacin y caracterizacin de pelculas de Hg(1-x)Cd(x)Se . MARCO TEORICO
Una aleaci_on es una soluci_on solida 3, parcial o completa, de dos o m_as elementos qu__micos, de los cuales por lo menos uno es un metal (Pfeiler, 2007). Las aleaciones pueden ser ordenadas o desordenadas, ver _gura 2.7. Una aleaci_on ordenada cumple con la simetr__a traslacional, es decir, puede ser completamente descrita por una celda unidad que se repite en todo el espacio. Por otro lado, en una aleaci_on desordenada los _atomos que la conforman pueden ocupar lugares en una red cristalina, pero la ocupaci_on de las diferentes posiciones dentro de la red es aleatoria, (Ashcroft y Mermin, 1976, pag. 309)(Kittel, 2005, pag. 621).

2.1. Tcnicas de caracterizacin ptica Explicar y predecir las propiedades de los slidos a partir de los tomos constituyentes, es uno de los principales objetivos de la fsica de la materia condensada. La utilizacin de mediciones pticas ha sido una de las formas tradicionales para lograr un entendimiento de las propiedades de los tomos, y posteriormente se ha convertido en una de las herramientas ms poderosas para obtener las propiedades pticas y electrnicas de los semiconductores. A diferencia de los espectros de los tomos (gases) cuyos espectros son lneas angostas que llevan a una interpretacin directa en trminos de transiciones electrnicas, los slidos presentan espectros ms anchos que implican experimentos y teoras ms sofisticadas para su interpretacin. Entre los estudios pticos estn las mediciones de absorcin y transmisin, que presentan dificultades debido a la poca longitud de penetracin de la radiacin ptica en los semiconductores, razn por la cual se requiere de pelculas delgadas sobre sustratos transparentes; las mediciones de emisin de radiacin entre las que est la tcnica de fotoluminiscencia, y las mediciones de reflectividad que no exigen espesores determinados y son relativamente fciles de realizar, pues en principio se necesitara solamente una fuente de luz, un monocromador y un detector. Esta ltima es una tcnica en que la respuesta no es sensible a las perturbaciones intrnsecas de la superficie, pues stas son del orden de decenas de ngstroms mientras que la longitud de onda de la radiacin es del orden de 103 , por lo que la respuesta es del bloque. Pero los espectros de reflectividad no son ricos en estructura; su forma de lnea es ancha y continua, con las estructuras debidas a los puntos crticos traslapadas, por lo que no se obtienen los valores absolutos de las energas de los niveles en estudio sino que obtenemos las diferencias relativas en energa. Para poder definir la posicin energtica de los puntos crticos y su ubicacin en la zona de Brillouin, se han desarrollado las tcnicas de reflectividad modulada. Para la caracterizacin ptica hemos utilizado, adems de estas tcnicas, la tcnica de fotoluminiscencia, las cuales se describen a continuacin

1. Introduccin Dentro del panorama general del campo de los materiales, el desarrollo de nuevos semiconductores contina siendo un rea de gran actividad y rpido crecimiento. Gracias al perfeccionamiento de sofisticados sistemas de fabricacin de dispositivos, es posible crecer mezclas de semiconductores ternarios y cuaternarios. Con ellas, mediante un control en la composicin estequiomtrica, se pueden obtener materiales con un valor de la energa de banda prohibida de acuerdo con el dispositivo que se quiere desarrollar con base en pelculas semiconductoras o en estructuras de multicapas semiconductoras (Cohen & Chelikowsky, 1989; Peters et.al., 1988; Bouhafs et al., 1997). Todo este desarrollo de nuevos semiconductores conlleva una intensa labor de caracterizacin para la determinacin de sus propiedades estructurales, pticas y elctricas, as como para la optimizacin de los parmetros de crecimiento de dichos materiales semiconductores. La posibilidad de calcular la estructura de bandas de mezclas de semiconductores es prerrequisito importante para analizar los fenmenos relacionados con su comportamiento y el de los dispositivos fabricados. Las mezclas producen cambios en el parmetro de red y en la distribucin de carga electrnica de los slidos, y esto produce cambios significativos en la estructura electrnica de bandas que se manifiesta en las propiedades pticas y elctricas. Partiendo de un mismo compuesto binario es posible obtener un amplio espectro de propiedades al introducir un elemento diferente, propiedades que dependen de factores tales como la forma en que este nuevo elemento entre a formar parte del material, de la proporcin estequiomtrica, de las nuevas interacciones generadas, de las modificaciones que se producen en las estructuras de los compuestos binarios, entre otros. Las aleaciones ternarias pertenecientes a los grupos II-VI, y principalmente a partir del compuesto binario CdTe han sido un campo de estudio de gran inters pero relativamente reciente si se compara con el trabajo desarrollado alrededor de los compuestos III-V, al cual pertenece el GaAs. Como parte del estudio de los semiconductores del grupo II-VI estn los ternarios pertenecientes al subsistema Cd-A-Te, siendo A (Mn, Zn) un elemento determinante en las propiedades de las aleaciones. Es as como se pueden obtener, por ejemplo, semiconductores magnticos diluidos en los que el elemento A es un in magntico. Otro compuesto de gran inters es el GaAs, el segundo material ms usado en la industria de los semiconductores. Su brecha de energa directa y la alta movilidad de los electrones lleva a muchas aplicaciones diferentes donde estn involucradas tanto la velocidad de los electrones como la luz. Su bajo costo con respecto a la tecnologa del Si lo hace el semiconductor del futuro. La aleacin AlxGa1-xAs ha recibido considerable atencin en los ltimos aos debido a las grandes aplicaciones en dispositivos tales como lseres de pozos cunticos, transistores de heterouniones y diodos tnel, entre otros (Schuppler et

al., 1995; Suesawa, M., 1998). En vista de la enorme aplicabilidad del Arsenuro de Galio, se ha llegado a conocer en profundidad su estructura electrnica, y los parmetros fsicos, pticos y elctricos estn bien estudiados. Existe una amplia literatura al respecto, incluyendo compendios y textos tanto para el GaAs como para el AlxGa1-xAs. Pero la alta impurificacin produce en el GaAs dos problemas an no entendidos: la desactivacin electrnica o disminucin de los portadores libres con el aumento de la concentracin y la dispersin en los procesos de generacin-recombinacin de portadores. Igualmente, no se ha podido entender la formacin de defectos, y la literatura es abundante, porque todava no se tiene un modelo de cmo entran las impurezas en el material. Por lo tanto, es de gran inters hacer un estudio amplio de la impurificacin del GaAs y AlGaAs, en particular en capas epitaxiales de buena calidad, en el rango de leve hasta fuerte dopaje. Dos tcnicas muy poderosas como son la fotoluminiscencia y la fotorreflectancia nos permiten hacer este tipo de estudio (Godoy et al., 1997; Schuppler et al., 1995).


Enlace metlico Los tomos de los elementos metlicos forman empaquetamientos muy compactos. Los electrones externos de cada tomo forman una especie de nube electrnica que envuelve a los tomos y penetra a travs de los huecos que quedan libres en la estructura. Esta movilidad de los electrones explica la capacidad de los metales para conducir el calor y la electricidad, ser maleables, dctiles, blandos y presentar brillo metlico. Cobre, plata, oro ... metales. Muchos de los sulfuros tienen enlaces inicos y covalentes, pero otros (los que poseen la mayora de las propiedades de los metales) tienen enlaces metlicos, al menos parcialmente.

Imperfecciones relativas a su extensin. La teora cristalina considera el medio cristalino peridico e indefinido en las tres direcciones del espacio, pero en realidad, un cristal est limitado por caras planas, que son planos reticulares materializados y que nunca estn proporcionalmente desarrolladas, dando un cristal geomtricamente perfecto, aunque siempre se cumpla la ley de la constancia de los ngulos diedros. Adems en la mayora de los casos, la forma y la extensin de un cristal, queda condicionada por la presencia de otros adyacentes, que forman un agregado cristalino, denominndose a las partes que lo forman granos cristalinos, que no tienen por qu estar limitados por caras planas. Las caras de un cristal son planos reticulares en los que los tomos no estn saturados, lo cual se traduce en la tendencia a absorber determinadas sustancias (especialmente agua) e imprimir un cierto orden a los materiales extraos depositados sobre la cara, es decir, a la formacin de eptaxias (crecimiento orientado de dos especies cristalinas distintas) (aristas paralelas y caras comunes). Los bordes de los granos que forman un agregado cristalino, son zonas de gran inestabilidad, por su alto contenido energtico, y presentan una gran facilidad para reaccionar, bien sea para disolverse o para dar lugar a procesos de recristalizacin. Imperfecciones relativas a su composicin. Como la estructura cristalina viene determinada fundamentalmente, por el tamao de las partculas que la forman, se comprende que en una cierta sustancia, tomo e iones del mismo tamao pueden sustituirse en la estructura sin que se altere la geometra de la red pero alterndose en cambio la periodicidad. Este fenmeno de sustitucin tiene un papel importante en el isomorfismo (albita anortita). Defectos puntuales: Pueden deberse a huecos que aparecen en la estructura del cristal o bien a la presencia de tomos intersticiales. En la figura se ven estos defectos puntuales con dos posibilidades: 1) la presencia de dos huecos, uno catinico y otro aninico para conservar la carga; 2) o bien un hueco y un tomo intersticial de la misma carga, con lo que quedara compensada. 1) Puede ocurrir que los tomos o iones sustituidos tengan valencia distinta (aunque sigan siendo del mismo tamao), y entonces, para que no se altere el estado neutro del cristal, quedan sin ocupar algunos de los lugares ocupados por los iones de carga menor, resultando lugares vacan

METODOLOGA En esta investigacin se utilizar un diseo metodolgico de adaptacin/desarrollo de tecnologas para la sintesis de nano-estructuras