Transistores

Tipos de Transistores: TUJ/UJT/Transistor Unijuno - Basicamente o transistor de unijuno feito por um material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Esses terminais no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora interna. Tudo se isso acontece como se a parte do tipo N fosse formado por duas simples resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, sendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2)

B2 B1

Obs.: Tenso entre bases (Vbb) a mxima tenso que pode ser aplicada entre as bases. Tenso entre emissor e base 1 (Vb1e) a mxima tenso que pode ser aplicada entre esses dois terminais. Resistncia entre bases (Rbb) a resistncia existente entre os dois terminais de base. Rbb = Rb1 + Rb2

Co rre nte de

V1

pico de emissor (Ie) a corrente mxima que pode circular entre o emissor e a base 1 quando o transistor disparado. Razo intrnseca de afastamento ()
=
Rb1 Rbb

o fator do divisor de tenso.

Aplicao: Utilizados em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em sistemas temporizados. FET (Transistor de Efeito de Campo) - um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de portadores em seu interior utilizando um canal. O seu controle feito por diferena de potencial, por campo eltrico, como no existe a injeo de portadores, aumenta a impedncia de entrada do dispositivo. Possui trs conexes, o dreno (drain, D), a fonte (source, S) e o "controle do porto" (gate, G). A corrente de eltrons flui da fonte para o dreno atravs de um canal, sendo que a espessura deste canal, e a sua resistncia, depende da regio de depleo formada entre o gate e a source. Esta regio de depleo depende do campo eltrico formado, e consequentemente da tenso aplicada VGS. A curva caracterstica de um FET a medida da corrente no dreno (ID) em funo da tenso aplicada sobre o FET, VDS, quando VGS=0. De forma similar ao transistor de juno, o FET apresenta uma regio inicial de polarizao das junes, seguida de um patamar estvel,ou de saturao e a regio de ruptura. A corrente de saturao observada nestas condies chamada IDSS, sendo um dos parmetros importantes no modelamento do comportamento de um FET. Outros parmetros importantes so a VGS e a tenso de constrio ou de pinch off ( VP) que a tenso associada ao "estreitamento" do canal de conduo, localizada no "joelho" anterior ao plato de corrente de saturao.

A corrente IDS pode ser estimada, na regio ativa do FET, no plato de saturao, pela relao:

Aplicaes: Na rea de amplificadores (operando na rea linear), em chaves (operando fora da rea linear) ou em controle de corrente sobre uma carga

MOSFET (TECI) uma subdiviso dos FET, mas devido a sua grande utilizao estudado separadamente. composto de um canal de material semicondutor de
tipo N ou de tipo P sendo chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET, sendo a corrente produzida somente por um tipo de portador de carga (Eltrons ou Lacunas).

O TECI (MOSFET) pode operar em trs modos diferentes: Regio de Corte: O transistor permanece desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida. Regio de Triodo (ou regio linear): O transistor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tenso na comporta. Regio de Saturao: O transistor fica ligado, e um canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na

comporta, uma parte do canal desligado. A criao dessa regio chamada de pinamento (pinch-off). A corrente de dreno agora relativamente independente da tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tenso da comporta

Aplicao: Interruptores eletrnicos, amplificadores, circuitos analgicos, em circuitos digitais de baixa potncia e alta velocidade, tais como microprocessadores e amplificadores operacionais

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - so interruptores eletrnicos resistentes, eficientes e relativamente rpidos. O IGBT reune a facilidade de acionamento dos MOSFETs, onde sua velocidade de chaveamento determinada pelas caractersticas mais lentas. A velocidade dos IGBTs semelhante dos TBP (Transistores Bipolares de Potncia), no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres. O IGBT um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta corrente em regime de alta velocidade, pois no tem nenhum diodo reverso internamente, sendo assim, este fator torna sua capacidade de bloqueio para tenses inversas muito baixas, podendo suportar uma tenso inversa mxima em menos de 10 volts. Na estrutura do IGBT, importante lembrar que o terminal de porta est conectado duas regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio (SiO2) ao invs de ser apenas uma regio como costumamos ver em MOSFETs. Assim, o IGBT apresenta formao de dois canais ao invs de apenas um.

O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de conduo (On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso de porta, assim como em um MOSFET.

Aplicao: Usados principalmente como comutadores em conversores de freqncia, inversores etc.