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MANEJO DE COMPONENTES ELECTRNICOS

Manual del participante Recopilacin realizada en agosto 2012 Por Juan Manuel Campos Navarro
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Principios Bsicos Materiales Semiconductores


Definicin De Semiconductor Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N. El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa CMOS. Cristal De Silicio Puro Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza.

La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.
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Conduccin Del Cristal De Silicio Puro

A la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo. Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste. Cristal Tipo N. Conduccin Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera. El nmero de electrones libres se llama n (electrones libres/m3).

Cristal Tipo P. Conduccin Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito. Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p (huecos/m3).

Unin Pn. Barrera De Potencial. Diodo Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V. En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios). En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir: Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N. Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Diferentes smbolos de los diodos Polarizacin Directa Unin Pn

El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es conductora. Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento. Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin. Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de agotamiento y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente Electrones y huecos se dirigen a la unin. En la unin se recombinan.

En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de agotamiento. La tensin aplicada se emplea en: Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga Polarizacin Inversa Unin Pn. Corriente De Fuga Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, ya que para ellos la unin esta polarizada en directo, creando por lo tanto la corriente Is denominada corriente de saturacin inversa o corriente de fuga.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso. Efecto Zener. Diodo Zener Los diodos zener o diodos de avalancha, se diferencian de los dems diodos semiconductores por el comportamiento de la caracterstica inversa, que presenta una regin en la cul la tensin es casi independiente de la corriente por el diodo. Esto lo hace muy til en las aplicaciones en que se requiere una referencia de voltaje.
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La tensin zener de cualquier diodo est controlada por la cantidad de dopado aplicada en el proceso de fabricacin. Los normales varan entre 2 y 200 V con capacidades de disipacin de potencia de hasta 100 W. En la mayora de las aplicaciones el diodo trabaja en la regin inversa. Una aplicacin tpica es en la regulacin de voltaje. Funcionamiento:

Si la tensin de entrada aumenta, el diodo tiende a mantener una tensin constante entre los terminales de la carga, de modo que la cada de tensin en ri aumenta. El incremento resultante de Ii circula a travs del diodo, mientras que la corriente a travs de la carga se mantiene constante. Ahora supongamos que la tensin de entrada permanece constante, pero que la resistencia de carga disminuye. Esto requiere un incremento de la corriente por la carga. Esta corriente no puede proceder de la fuente ya que la cada en ri y la corriente suministrada, no cambiarn mientras el diodo trabaje dentro de su zona de regulacin. La corriente de carga adicional ser debida a la disminucin de la corriente a travs del zener. En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de ruptura, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de ruptura se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de ruptura. Podemos distinguir: 1. Vz nom, Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). 2. Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de ruptura (Vz min). 3. Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max. Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.
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Curva caracterstica de un diodo zener con Vz= 56v Efecto Avalancha

Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la Ec es tan grande que al chocar cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha. Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a esa IR. Diodos Semiconductores Contenido: Diodo Semiconductor Clasificacin. Diodos Rectificadores. Caractersticas.
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Diodos de Seal. Resumen de funcionamiento. Diodos de Conmutacin. Resumen de funcionamiento Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento. Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras. - Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio.

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Estos suelen estar encapsulados, en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de uso general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales. Diodos rectificadores El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos. Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un radiador. Caractersticas Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. - Potencia total (P/tot).

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Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente. Diodos de seal Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de estos diodos son: - Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW) El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las proximidades de ste. Diodos de conmutacin Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

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Diodos de alta frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo. Diodos zener Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son: - Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot). Diodos especiales Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y TV. Algunos tipos de diodos En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas aplicaciones. Ahora vamos a ver las caractersticas principales de algunos de ellos. Algunos tipos de diodos Diodos PIN
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El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Sin embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en
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pequea seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN. En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula. Diodos Varactores (Varicap) Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin PN y Wd el ancho de la regin de agotamiento. Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin. VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin El diodo tnel En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte ms interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la
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tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra cmo puede aprovecharse este fenmeno en la prctica. Diodo de contacto puntual El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo ms de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar ms bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho ms bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin negativa. El transistor Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor Estructura de un Transistor Estructura de un NPN transistor NPN PNP transistor PNP Veremos ms adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor. 1. FUNCIONAMIENTO BASICO Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

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Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE 2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. Polarizacin de un transistor NPN 3. ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
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La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB
En resumen:

Saturacin VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Mxima Variable ~ 0,8v

Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0,7v

Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO123, TO-213...). El transistor de Efecto de Campo Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

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Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERSTICA Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N Parmetros de un FET de canal P La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes: Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula. Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificacin de seales dbiles. CARACTERSTICAS DE SALIDA

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Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima. CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso. TRANSISTOR FET 1) Introduccin Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
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2) Explicacin de la combinacin de portadores. Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. 3) Explicacin de sus elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N


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Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla. Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta). Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
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ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico). La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS Aislador o separador Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida, (buffer) y de salida baja receptores Sintonizadores de FM, equipo para Amplificador de RF Bajo ruido comunicaciones Baja distorsin de Receptores de FM y TV, equipos Mezclador intermodulacin para comunicaciones Facilidad para controlar Receptores, generadores de Amplificador con CAG ganancia seales Instrumentos de medicin, equipos Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada de prueba Amplificadores de cc, sistemas de Troceador Ausencia de deriva control de direccin Resistor variable por Se controla por voltaje Amplificadores operacionales,
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voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de puerta. Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1VGS/Vp)2 Donde: Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol.

PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. 4) TCNICAS DE MANUFACTURA. Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes
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contaminaciones, que permite regular la circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor. El primer transistor se cre en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel. En el ao 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabric el primer transistor de silicio, lo cual baj los costos y permiti, gracias a nuevas tcnicas de fabricacin, su comercializacin a gran escala. Han reemplazado en la mayora de las aplicaciones a los tubos vlvulas electrnicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricacin de equipos porttiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energa (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado slido" o "frios"). Como se indic con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante, con prrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conduccin a travs de la regin.

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Transistor de unin de efecto de campo (JFET). Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.

Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET. VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
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JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V. Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la regin superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V. Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto mayor sea la polarizacin inversa aplicada, mayor ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la regin de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A es una importante caracterstica del JFET.

Variacin de los potenciales de polarizacin inversa a travs de la unin p-n de un JFET de canal n. 5) Explicacin de su encapsulado e identificacin de sus terminales.
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La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio, permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrnicos modernos. Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc. Segn sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente. En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control acta por medio de campo elctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de xido metlico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc. Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta potencia, bajo ruido elctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de conmutacin, etc. FUENTES DE ALIMENTACIN Componentes de una fuente de alimentacin: La funcin de una fuente de alimentacin es convertir la tensin alterna en una tensin continua y lo ms estable posible, para ello se usan los siguientes componentes: 1.Transformador de entrada; 2.- Rectificador a diodos; 3.- Filtro para el rizado; 4.- Regulador (o estabilizador) lineal. Este ltimo no es imprescindible.

Transformador de entrada: El trasformador de entrada reduce la tensin de red (generalmente 220 o 120 V) a otra tensin ms adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar con corrientes alternas. esto quiere decir que la tensin de entrada ser alterna y la de salida tambin. Consta de dos arrollamientos sobre un mismo ncleo de hierro, ambos arrollamientos, primario y secundario, son completamente independientes y la energa elctrica se transmite del primario al secundario en forma de energa magntica a travs del ncleo. el esquema de un transformador simplificado es el siguiente:

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La corriente que circula por el arrollamiento primario (el cual est conectado a la red) genera una circulacin de corriente magntica por el ncleo del transformador. Esta corriente magntica ser ms fuerte cuantas ms espiras (vueltas) tenga el arroyamiento primario. Si acercas un imn a un transformador en funcionamiento notars que el imn vibra, esto es debido a que la corriente magntica del ncleo es alterna, igual que la corriente por los arrollamientos del transformador. En el arroyamiento secundario ocurre el proceso inverso, la corriente magntica que circula por el ncleo genera una tensin que ser tanto mayor cuanto mayor sea el nmero de espiras del secundario y cuanto mayor sea la corriente magntica que circula por el ncleo (la cual depende del nmero de espiras del primario). Por lo tanto, la tensin de salida depende de la tensin de entrada y del nmero de espiras de primario y secundario. Como frmula general se dice que: V1 = V2 * (N1/N2) Donde N1 y N2 son el nmero de espiras del primario y el del secundario respectivamente. As por ejemplo podemos tener un transformador con una relacin de transformacin de 220V a 12V, no podemos saber cuntas espiras tiene el primario y cuantas el secundario pero si podemos conocer su relacin de espiras: N1/N2 = V1/V2 N1/N2 = 220/12 = 18,33 Este dato es til si queremos saber que tensin nos dar este mismo transformador si lo conectamos a 120V en lugar de 220V, la tensin V2 que dar a 120V ser: 120 = V2 * 18,33 V2 = 120/18,33 = 6,5 V Por el primario y el secundario pasan corrientes distintas, la relacin de corrientes tambin depende de la relacin de espiras pero al revs, de la siguiente forma: I2 = I1 * (N1/N2) Donde I1 e I2 son las corrientes de primario y secundario respectivamente. Esto nos sirve para saber que corriente tiene que soportar el fusible que pongamos a la entrada del transformador, por ejemplo, supongamos que el transformador anterior es de 0.4 Amperios. Esta corriente es la corriente mxima del secundario I2, pero nosotros queremos saber que corriente habr en el primario (I1) para poner all el fusible. Entonces aplicamos la frmula: I2 = I1 * (N1/N2) 0.4 = I1 * 18.33
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I1 = 0.4 / 18.33 = 21,8 mA Para asegurarnos de que el fusible no saltar cuando no debe se tomar un valor mayor que este, por lo menos un 30% mayor. Como ejercicio puedes calcular la tensin que tendramos s, con el transformador anterior, nos equivocamos y conectamos a la red el lado que no es, cualquiera mete la mano ah... (por si acaso no pruebe a hacerlo en la realidad ya que el aislamiento del secundario de los transformadores no suelen estar preparados para tensiones tan altas) Rectificador a diodos El rectificador es el que se encarga de convertir la tensin alterna que sale del transformador en tensin continua. Para ello se utilizan diodos. Un diodo conduce cuando la tensin de su nodo es mayor que la de su ctodo. Es como un interruptor que se abre y se cierra segn la tensin de sus terminales:

El rectificador se conecta despus del transformador, por lo tanto le entra tensin alterna y tendr que sacar tensin continua, es decir, un polo positivo y otro negativo:

La tensin Vi es alterna y senoidal, esto quiere decir que a veces es positiva y otras negativa. En un osciloscopio veramos esto:

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La tensin mxima a la que llega Vi se le llama tensin de pico y en la grfica figura como Vmax. la tensin de pico no es lo mismo que la tensin eficaz pero estan relacionadas, Por ejemplo, si compramos un transformador de 6 voltios son 6 voltios eficaces, estamos hablando de Vi. Pero la tensin de pico Vmax vendr dada por la ecuacin: Vmax = Vi * 1,4142 Vmax = 6 * 1,4142 = 8,48 V Rectificador a un diodo El rectificador ms sencillo es el que utiliza solamente un diodo, su esquema es este:

Cuando Vi sea positiva la tensin del nodo ser mayor que la del ctodo, por lo que el diodo conducir: en Vo veremos lo mismo que en Vi Mientras que cuando Vi sea negativa la tensin del nodo ser menor que la del ctodo y el diodo no podr conducir, la tensin Vo ser cero. Segn lo que acabamos de decir la tensin Vo tendr esta forma:

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Como puedes comprobar la tensin que obtenemos con este rectificador no se parece mucho a la de una batera, pero una cosa es cierta, hemos conseguido rectificar la tensin de entrada ya que Vo es siempre positiva. Aunque posteriormente podamos filtrar esta seal y conseguir mejor calidad este esquema no se suele usar demasiado. Rectificador en puente El rectificador ms usado es el llamado rectificador en puente, su esquema es el siguiente:

Cuando Vi es positiva los diodos D2 y D3 conducen, siendo la salida Vo igual que la entrada Vi Cuando Vi es negativa los diodos D1 y D4 conducen, de tal forma que se invierte la tensin de entrada Vi haciendo que la salida vuelva a ser positiva. El resultado es el siguiente:

Vemos en la figura que todava no hemos conseguido una tensin de salida demasiado estable, por ello, ser necesario filtrarla despus. Es tan comn usar este tipo de rectificadores que se venden ya preparados los cuatro diodos en un solo componente. Suele ser recomendable usar estos puentes rectificadores, ocupan menos que poner los cuatro diodos y para corrientes grandes vienen ya preparados para ser montados en un radiador. Este es el aspecto de la mayora de ellos:

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Tienen cuatro terminales, dos para la entrada en alterna del transformador, uno la salida positiva y otro la negativa o masa. Las marcas en el encapsulado suelen ser: ~ Para las entradas en alterna + Para la salida positiva - Para la salida negativa o masa. Rectificador a dos diodos La forma de la onda de salida es idntica a la del rectificador en puente, sin embargo este rectificador precisa de un transformador con toma media en el secundario. Un transformador de este tipo tiene una conexin suplementaria en la mitad del arrollamiento secundario:

Normalmente se suele tomar como referencia o masa la toma intermedia, de esta forma se obtienen dos seales senoidales en oposicin de fase. Dos seales de este tipo tienen la siguiente forma:

El esquema del rectificador con dos diodos es el siguiente:

Tal y como son las tensiones en A y en B nunca podrn conducir ambos diodos a la vez. Cuando A sea positiva (B negativa) el nodo de D1 estar a mayor tensin que su ctodo, provocando que D1 conduzca. Cuando B sea positiva (A negativa) el nodo de D2 estar a mayor tensin que su ctodo, provocando que D2 conduzca. Obtenindose la misma forma de Vo que con el puente rectificador:
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La ventaja de este montaje es que solo utiliza dos diodos y solo conduce uno cada vez. Cada de tensin en los diodos: Cuando hablbamos de los diodos decamos que eran como interruptores que se abren y se cierran segn la tensin de sus terminales. Esto no es del todo correcto, cuando un diodo est cerrado tiene una cada de tensin de entre 0,7 voltios y 1 voltio, dependiendo de la corriente que este conduciendo esta cada puede ser mayor. Esto quiere decir que por cada diodo que este conduciendo en un momento determinado se "pierde" un voltio aproximadamente. En el rectificador de un diodo conduce solamente un diodo a la vez, por lo tanto la tensin de pico Vmax de la salida ser un voltio inferior a la de la Vmax de entrada. Por ejemplo: supn que tienes un transformador de 6 V y quieres saber la tensin de pico que te queda cuando le pones un rectificador de un diodo, la tensin de salida de pico Vmax ser la siguiente: Vmax = 6 * 1.4142 - 1 = 7,5 V En el rectificador en puente conducen siempre dos diodos a la vez, se dice que conducen dos a dos, por lo tanto la tensin de pico de la salida Vmax ser dos voltios inferior a la Vmax de entrada. Por ejemplo: supn el mismo transformador de 6 voltios y quieres saber la tensin de pico que te queda al ponerle un rectificador en puente, la tensin de salida de pico Vmax ser la siguiente: Vmax = 6 * 1.4142 - 2 = 6,5 V Quizs te extrae que el rectificador en puente sea el ms usado pese a que "pierde" mas voltios. Pero ten en cuenta que la forma de onda del rectificador con un diodo y el rectificador en puente no son iguales y al final acaba rindiendo mucho mejor el puente de diodos. El filtro: La tensin en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de pulsos. En un ciclo de salida completo, la tensin en la carga aumenta de cero a un valor de pico, para caer despus de nuevo a cero. Esta no es la clase de tensin continua que precisan la mayor parte de circuitos electrnicos. Lo que se necesita es una tensin constante, similar a la que produce una batera. Para obtener este tipo de tensin rectificada en la carga es necesario emplear un filtro.
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El tipo ms comn de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayora de los casos perfectamente vlido. Sin embargo en algunos casos puede no ser suficiente y tendremos que echar mano de algunos componentes adicionales. Filtro con condensador a la entrada: Este es el filtro ms comn y seguro que lo conocers, basta con aadir un condensador en paralelo con la carga (RL), de esta forma:

Todo lo que digamos en este apartado ser aplicable tambin en el caso de usar el filtro en un rectificador en puente. Cuando el diodo conduce el condensador se carga a la tensin de pico Vmax. Una vez rebasado el pico positivo el condensador se abre. Por qu? debido a que el condensador tiene una tensin Vmax entre sus extremos, como la tensin en el secundario del transformador es un poco menor que Vmax el ctodo del diodo esta a mas tensin que el nodo. Con el diodo ahora abierto el condensador se descarga a travs de la carga. Durante este tiempo que el diodo no conduce el condensador tiene que "mantener el tipo" y hacer que la tensin en la carga no baje de Vmax. Esto es prcticamente imposible ya que al descargarse un condensador se reduce la tensin en sus extremos. Cuando la tensin de la fuente alcanza de nuevo su pico el diodo conduce brevemente recargando el condensador a la tensin de pico. En otras palabras, la tensin del condensador es aproximadamente igual a la tensin de pico del secundario del transformador (hay que tener en cuenta la cada en el diodo). La tensin Vo quedar de la siguiente forma:

La tensin en la carga es ahora casi una tensin ideal. Solo nos queda un pequeo rizado originado por la carga y descarga del condensador. Para reducir este rizado podemos optar por construir un rectificador en puente: el condensador se cargara el doble de veces en el mismo intervalo teniendo as menos tiempo para descargarse, en consecuencia el rizado es menor y la tensin de salida es ms cercana a Vmax. Otra forma de reducir el rizado es poner un condensador mayor, pero siempre tenemos que tener cuidado en no pasarnos ya que un condensador demasiado grande origina
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problemas de conduccin de corriente por el diodo y, por lo tanto, en el secundario del transformador (la corriente que conduce el diodo es la misma que conduce el transformador). Efecto del condensador en la conduccin del diodo: Como venimos diciendo hasta ahora, el diodo solo conduce cuando el condensador se carga. Cuando el condensador se carga aumenta la tensin en la salida, y cuando se descarga disminuye, por ello podemos distinguir perfectamente en el grfico cuando el diodo conduce y cuando no. En la siguiente figura se ha representado la corriente que circula por el diodo, que es la misma que circula por el transformador:

La corriente por el diodo es a pulsos, aqu mostrados como rectngulos para simplificar. Los pulsos tienen que aportar suficiente carga al condensador para que pueda mantener la corriente de salida constante durante la no conduccin del diodo. Esto quiere decir que el diodo tiene que conducir "de vez" todo lo que no puede conducir durante el resto del ciclo. Es muy normal, entonces, que tengamos una fuente de 1 Amperio y esos pulsos lleguen hasta 10 Amperios o ms. Esto no quiere decir que tengamos que poner un diodo de 10 amperios, Un 1N4001 aguanta 1 amperio de corriente media y pulsos de hasta 30 amperios. Si ponemos un condensador mayor reducimos el rizado, pero al hacer esto tambin reducimos el tiempo de conduccin del diodo, Como la corriente media que pasa por los diodos ser la misma (e igual a la corriente de carga) los pulsos de corriente se hacen mayores:

Y esto no solo afecta al diodo, al transformador tambin, ya que a medida que los pulsos de corriente se hacen ms estrechos (y ms altos a su vez) la corriente eficaz aumenta. Si nos pasamos con el condensador podramos encontrarnos con que tenemos un transformador de 0.5 A y no podemos suministrar ms de 0.2 A a la carga (por poner un ejemplo). Valores recomendables para el condensador en un RECTIFICADOR EN PUENTE:
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Si quieres ajustar el valor del condensador al menor posible esta frmula te dar el valor del condensador para que el rizado sea de un 10% de Vo (regla del 10%): C = (5 * I) / (f * Vmax) donde: C: Capacidad del condensador del filtro en faradios I: Corriente que suministrar la fuente f: frecuencia de la red Vmax: tensin de pico de salida del puente (aproximadamente Vo) Si se quiere conseguir un rizado del 7% puedes multiplicar el resultado anterior por 1.4, y si quieres un rizado menor resulta ms recomendable que uses otro tipo de filtro o pongas un estabilizador. Ejemplo prctico: Se desea disear una fuente de alimentacin para un circuito que consume 150 mA a 12V. El rizado deber ser inferior al 10%. Para ello se dispone de un transformador de 10 V y 2.5 VA y de un rectificador en puente. Elegir el valor del Condensador: 1.- Calculamos la corriente que es capaz de suministrar el transformador para determinar si ser suficiente, esta corriente tendr que ser superior a la corriente que consume el circuito que vamos a alimentar It = 2.5 / 10 = 250 mA Parece que sirve, como calcularlo resulta bastante ms complicado nos fiaremos de nuestra intuicin. Ten en cuenta siempre que el transformador tiene que ser de ms corriente de la que quieras obtener en la carga. 2.- Calculamos la Vmax de salida del puente rectificador teniendo en cuenta la cada de tensin en los diodos (conducen dos a dos). Vmax = 10 * 1.4142 - 2 = 12.14 V Esta ser aproximadamente la tensin de salida de la fuente. 3.- Calculamos el valor del condensador segn la frmula del 10%, la I es de 150 mA la f es 50 Hz en Europa y la Vmax es 12.14 V: C = (5 * 0.15) / (50 * 12.14) = 0.0012355 F C = 1235.5 F tomaremos el valor ms aproximado por encima. Filtros Pasivos RC y LC: Con la regla del 10 por 100 se obtiene una tensin continua en la carga de aproximadamente el 10%. Antes de los aos setenta se conectaban filtros pasivos entre el condensador del filtro y la carga para reducir el rizado a menos del 1%. La intencin era obtener una tensin continua casi perfecta, similar a la que proporciona una pila. En la actualidad es muy raro ver filtros pasivos en diseos de circuitos nuevos, es mas comn usar circuitos estabilizadores de tensin. Sin embargo estos estabilizadores tienen sus limitaciones y es posible que no te quede mas remedio que usar un filtro pasivo. Filtro RC:

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La figura muestra dos filtros RC entre el condensador de entrada y la resistencia de carga. El rizado aparece en las resistencias en serie en lugar de hacerlo en la carga. Unos buenos valores para las resistencias y los condensadores seran: R = 6,8 O C = 1000 F Con estos valores cada seccin atena el rizado en un factor de 10, puedes poner una, dos, tres secciones. No creo que necesites mas. La desventaja principal del filtro RC es la prdida de tensin en cada resistencia. Esto quiere decir que el filtro RC es adecuado solamente para cargas pequeas. Es muy til cuando tienes un circuito digital controlando rels, en ocasiones estos rels crean ruidos en la alimentacin provocando el mal funcionamiento del circuito digital, con una seccin de este filtro para la alimentacin digital queda solucionado el problema. La cada de tensin en cada resistencia viene dada por la ley de Ohm: V=I*R donde I es la corriente de salida de la fuente y R la resistencia en serie con la carga. Filtro LC:

Cuando la corriente por la carga es grande, los filtros LC de la figura presentan una mejora con respecto a los filtros RC. De nuevo, la idea es hacer que el rizado aparezca en los componentes en serie, las bobinas en este caso. Adems, la cada de tensin continua en las bobinas es mucho menos porque solo intervienen la resistencia de los arrollamientos. Los condensadores pueden ser de 1000 F y las bobinas cuanto ms grandes mejor. Normalmente estas ltimas suelen ocupar casi tanto como el transformador y, de hecho, parecen transformadores, menos mal que con una sola seccin ya podemos reducir el rizado hasta niveles bajsimos. El regulador: Un regulador o estabilizador es un circuito que se encarga de reducir el rizado y de proporcionar una tensin de salida de la tensin exacta que queramos. En esta seccin nos centraremos en los reguladores integrados de tres terminales que son los ms sencillos y baratos que hay, en la mayora de los casos son la mejor opcin.
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Este es el esquema de una fuente de alimentacin regulada con uno de estos reguladores:

Si has seguido las explicaciones hasta ahora no te costar trabajo distinguir el transformador, el puente rectificador y el filtro con condensador a la entrada. Suele ser muy normal ajustar el condensador segn la regla del 10% Es muy corriente encontrarse con reguladores que reducen el rizado en 10000 veces (80 dB), esto significa que si usas la regla del 10% el rizado de salida ser del 0.001%, es decir, inapreciable. Las ideas bsicas de funcionamiento de un regulador de este tipo son: . La tensin entre los terminales Vout y GND es de un valor fijo, no variable, que depender del modelo de regulador que se utilice. . La corriente que entra o sale por el terminal GND es prcticamente nula y no se tiene en cuenta para analizar el circuito de forma aproximada. Funciona simplemente como referencia para el regulador. . La tensin de entrada Vin deber ser siempre unos 2 o 3 V superior a la de Vout para asegurarnos el correcto funcionamiento. Reguladores de la serie 78XX:

Este es el aspecto de un regulador de la serie 78XX. Su caracterstica principal es que la tensin entre los terminales Vout y GND es de XX voltios y una corriente mxima de 1A. Por ejemplo: el 7805 es de 5V, el 7812 es de 12V... y todos con una corriente mxima de 1 Amperio. Se suelen usar como reguladores fijos. Existen reguladores de esta serie para las siguientes tensiones: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18 y 24 voltios. Se ponen siguiendo las indicaciones de la pgina anterior y ya est, obtenemos una Vout de XX Voltios y sin rizado. Es posible que tengas que montar el regulador sobre un radiador para que disipe bien el calor, pero de eso ya nos ocuparemos ms adelante. Reguladores de la serie 79XX:

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El aspecto es como el anterior, sin embargo este se suele usar en combinacin con el 78XX para suministrar tensiones simtricas. la tensin entre Vout y GND es de - XX voltios, por eso se dice que este es un regulador de tensin negativa. La forma de llamarlos es la misma: el 7905 es de 5V, el 7912 es de 12... pero para tensiones negativas. Una fuente simtrica es aquella que suministra una tensin de + XX voltios y otra de - XX voltios respecto a masa. Para ello hay que usar un transformador con doble secundario, ms conocido como "transformador de toma media" o "transformador con doble devanado". En el siguiente ejemplo se ha empleado un transformador de 12v + 12v para obtener una salida simtrica de 12v:

El valor de C puedes ajustarlo mediante la regla del 10%. Regulador ajustable LM317: Este regulador de tensin proporciona una tensin de salida variable sin ms que aadir una resistencia y un potencimetro. Se puede usar el mismo esquema para un regulador de la serie 78XX pero el LM317 tiene mejores caractersticas elctricas. El aspecto es el mismo que los anteriores, pero este soporta 1,5A. el esquema a seguir es el siguiente:

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En este regulador, como es ajustable, al terminal GND se le llama ADJ, es lo mismo. La tensin entre los terminales Vout y ADJ es de 1.25 voltios, por lo tanto podemos calcular inmediatamente la corriente I1 que pasa por R1: I1 = 1.25 / R1 Por otra parte podemos calcular I2 como: I2 = (Vout 1.25) / R2 Como la corriente que entra por el terminal ADJ la consideramos despreciable toda la corriente I1 pasar por el potencimetro R2. es decir: I1 = I2 1.25 / R1 = (Vout 1.25) / R2 que despejando Vout queda: Vout = 1.25 * (1 + R2/R1) Si consultas la hoja de caractersticas del LM317 vers que la frmula obtenida no es exactamente esta. Ello es debido a que tiene en cuenta la corriente del terminal ADJ. El error cometido con esta aproximacin no es muy grande pero si quieres puedes usar la frmula exacta. Observando la frmula obtenida se pueden sacar algunas conclusiones: cuando ajustes el potencimetro al valor mnimo (R2 = 0O) la tensin de salida ser de 1.25 V. Cuando vayas aumentando el valor del potencimetro la tensin en la salida ir aumentando hasta que llegue al valor mximo del potencimetro. Por lo tanto ya sabemos que podemos ajustar la salida desde 1,25 en adelante. En realidad el fabricante nos avisa que no pasemos de 30V. Clculo de R1 y R2: Los valores de R1 y R2 dependern de la tensin de salida mxima que queramos obtener. Como solo disponemos de una ecuacin para calcular las 2 resistencias tendremos que dar un valor a una de ellas y calcularemos la otra. Lo ms recomendable es dar un valor de 240O a R1 y despejar de la ltima ecuacin el valor de R2 (el potencimetro). La ecuacin queda de la siguiente manera: R2 = (Vout - 1,25) * (R1/1,25) Por ejemplo: Queremos disear una fuente de alimentacin variable de 1,25 a 12v. Ponemos que R1 = 240O. Solo tenemos que aplicar la ltima frmula con Vout = 12 y obtenemos R2: R2 = (12 - 1,25) * (240 / 1,25) = 2064 O El valor ms prximo es el de 2 KO, ya tendramos diseada la fuente de alimentacin con un potencimetro R2 de 2 KO y una resistencia R1 de 240 O.
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En teora podemos dar cualquier valor a R1 pero son preferibles valores entre 100O y 330O. Regulador Ajustable de potencia LM350:

El LM317 es muy til para conseguir tensiones variables, sin embargo no es capaz de suministrar ms de 1,5A a la carga. El LM350 es otro regulador variable que funciona exactamente igual que el LM317, con la diferencia de que este es capaz por si solo de suministrar 3A. Para conseguir ms de 3 A podemos acudir al siguiente esquema que utiliza un transistor de paso para ampliar la corriente:

En este circuito, la resistencia de 0.6 se usa para detectar la mxima corriente que pasar por el regulador. Cuando la corriente es menor de 1 A, la tensin en bornes de los 0.6 es menor que 0,6 V y el transistor est cortado. En este caso el regulador de tensin trabaja solo. Cuando la corriente de carga es mayor de 1 A, la tensin en bornes de los 0.6 es mayor de 0.6 V y el transistor entra en conduccin. Este transistor exterior suministra la corriente de carga extra superior a 1 A. En definitiva, el regulador solamente conducir una corriente poco superior a 1 A mientras que el transistor conducir el resto, por ello podramos cambiar tranquilamente en este circuito el LM350 por un LM317. La resistencia de 0.6 ser de 3 o 4 W dependiendo del transistor empleado. Si montamos el circuito con un transistor TIP32 podremos obtener 4 A, ya que el TIP32 soporta una corriente mxima de 3A. Y si lo montamos con un MJ15016 podemos llegar hasta 16A. Puedes usar cualquier otro transistor de potencia PNP. Disipacin de potencia en los reguladores:
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Cuando un regulador est funcionando se calienta. Esto es debido a que parte de la potencia tomada del rectificador es disipada en el regulador. La potencia disipada depende de la corriente que se est entregando a la carga y de la cada de tensin que haya en el regulador.

La figura muestra un regulador funcionando. La corriente que lo atraviesa es la corriente de la carga IL. Recordemos tambin que para que un regulador funcione correctamente la tensin de entrada Vin tena que ser mayor que la tensin de salida Vout. Por lo tanto la cada de tensin en el regulador Vr ser: Vr = Vin - Vout Y la potencia disipada vendr dada por la la siguiente ecuacin: PD = Vr * IL Los reguladores que hemos visto son capaces de disipar una potencia de 2 o 3 W como mucho por si solos. Si se llega a esta potencia es necesario montarlos sobre unos radiadores adecuados, que sern ms grandes cuanta ms potencia queramos disipar. Para evitar que la potencia disipada sea lo menor posible tendrs que procurar que Vin no sea mucho mayor que Vout. Ejemplo 1: Tenemos una fuente de alimentacin variable desde 1,25v a 15v y 0,5A con un LM317. Como la tensin mxima de salida son 15v, la tensin de entrada al regulador tendr que ser de 18v mas o menos. Vamos a calcular la potencia que disipa el regulador cuando ajustamos la fuente a 15v, 4v y 2v En todos los casos la corriente de salida ser 0,5A. a 15v la cada de tensin en el regulador ser de 18 - 15 = 3V, la corriente es 0,5 A luego: PD = 3 * 0,5 = 1,5 W a 4v la cada de tensin en el regulador ser de 18 - 4 = 14v, la corriente es 0,5A luego: PD = 14 * 0,5 = 7 W a 2v la cada de tensin en el regulador ser de 18 - 2 = 16v, la corriente es 0,5A luego: PD = 16 * 0,5 = 8 W Fjate que hemos hecho los clculos para el mejor de los casos en el que nos hemos preocupado de que la tensin de entrada al regulador no sea ms de la necesaria, aun as tenemos que poner un radiador que pueda disipar poco mas de 8W. Es un radiador bastante grande para una fuente de medio amperio nada ms. Este es un problema que surge cuando queremos disear una fuente con un alto rango de tensiones de salida. Prueba a hacer el clculo para una fuente variable hasta 30V y 1A, salen ms de 30 W. Ejemplo 2: Queremos una fuente fija con una salida de 5V y 0.5A, vamos a calcular la potencia que se disipa en el regulador usando un transformador de 7 voltios y otro de 12 voltios.
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para el transformador de 7 voltios: La Vmax de salida del transformador ser 7 * 1.4142 = 9,9v descontando la cada en los diodos del puente sern 7,9V a la entrada del regulador. Como la salida es de 5v la potencia disipada PD ser: PD = (7,9 - 5) * 0,5 = 1,45 W para el transformador de 12 voltios: La Vmax de salida del transformador ser 12 * 1.4142 = 16.9v descontando la cada en los diodos del puente sern 14,9v a la entrada del regulador. Como la salida es de 5v la potencia disipada PD ser: PD = (14.9 - 5) * 0.5 = 4.95 W Con los dos transformadores estaramos consiguiendo una salida de 5v y 0.5 A, sin embargo, con el de 12V nos hara falta poner un radiador en el regulador que nos podramos haber ahorrado comprando un transformador de 7V.

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Representacin general

Antena de cuadro
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Representacin general Representacin general Antena Transmisora Antena receptora Antena transmisora receptora para emisin recepcin no simultanea Antena transmisora receptora para emisin recepcin no simultanea Antena de orientacin Dipolo Guaondas rectangular

Antena de cuadro Antena equilibrada Antena de cuadro equilibrada Antena rmbica Reflector parablico o cilndrico Reflector forma de queso Dipolo doblado Guaondas cilndrica Antena parablica con Guaondas rectangular Elemento reflector

con

Antena de ranura con alimentador rectangular Antena de ferrita Dipolo doblado con tres directores y un reflector Estacin radioelctrica

Contraantena Satlite de telecomunicacin Estacin espacial activa

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Estacin pasiva

espacial

Bibliografa Pginas web consultadas en Agosto de 2011. http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Principios-Basicos-MaterialesSemiconductores.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/tipos-de-diodos.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-alimentacion.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/simbologia-electronica.php

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