Esse estudo tem como finalidade a determinao do ponto de trabalho de transistores bipolares e a medio do fator hfe, alm disso,

tambm a anlise de diferentes circuitos p olarizadores de transistores e a avaliao de suas estabilidades. Adicionado a isto, a operao do transistor como chave tambm ser levado em conta assim como a polarizao do transistor em algumas configuraes e por fim, a avaliao do ponto quiescente de tais configuraes. Palavras chaves: fator hfe, polarizao de transistores, estabilidade, tr ansistor como chave This study aims at determining the point of work of bipolar transistors and meas uring the factor hfe, in addition, also the analysis of various polarized circui ts of transistors and evaluation of its stability. Added to this, the operation of the transistor as a key will also be taken into account as well as the polari zation of the transistor in some settings and finally, evaluation of the quiesce nt point of those settings. Key words: factor hfe, biasing of transistors, stability, transistor as a key 1.0 OBJETIVOS O objetivo desta anlise a compreenso do funcionamento das diferentes configuraes dos circuitos com transistor, este funcionando como chave. E tambm como se d o compor tamento deste importante dispositivo diante dos fatores como temperatura, resistn cias e tenses. 2.0 REVISO BIBLIOGRFICA H dois tipos principais de dispositivos de trs terminais: o transistor bipolar de juno (TBJ) e o transistor de efeito de campo (FET). Os dois tipos de transistores so igualmente importantes, e cada um oferece vantagens distintas e tm reas especifi cas de aplicao. Neste experimento o transistor utilizado o TBJ. Este consiste em duas junes pn con strudas de um modo especial e conectadas em srie e em oposio. A conduo de corrente se d tanto por eltrons quanto por lacunas, da o termo bipolar. O TBJ, sempre referido simplesmente como o transistor, amplamente usado em circuit os discretos, assim como no projeto de CIs, tanto analgicos quanto digitais. As c aractersticas do dispositivo so to bem compreendidas que possvel projetar circuitos com transistores cujo funcionamento consideravelmente previsvel s variaes nos parmetr os do dispositivo.[1] 2.1 Estrutura Fsica e Modos de Funcionamento A figura 1.0 mostra a estrutura simplificada de um TBJ. O transistor constitudo p or trs regies com diferentes semicondutores: a regio do emissor (tipo a), a regio da base (tipo p) e a regio do coletor (tipo n). Um transistor assim constitudo chama do npn.[2] Figura 1.0-configurao npn Um outro transistor em que o emissor do tipo p, a base do tipo n e o coletor do tipo p so chamados de pnp. Mostrado na figura 2.0[2] Figura 2.0- configurao pnp Em cada semicondutor que constitui o transistor ligado um terminal para o exteri or, designados de E (emissor), B (base) e C (Coletor).[2]

O transistor consiste de duas junes emissor-base (JEB) e a juno coletor-base

(JCB), habitualmente designados simplesmente juno de emissor e juno de coletor. Depe ndendo da condio de polarizao (direta ou inversa) de cada uma das junes, obtm-se difer ntes modos de funcionamento do transistor, como verificado na tabela a seguir: Modo de Funcionamento Polarizao JEB Polarizao JCB Corte Inversa Inversa Ativo Direta Inversa Saturao Direta Direta Figura 3.0 - Tabela 1.0- modo de funcionamento O modo ativo aquele em que o transistor usado para funcionar como amplificador. Em aplicaes de comutao (por exemplo, circuitos lgicos) utilizam-se os modos de corte e de saturao.[2] 4.0 METODOLOGIA 4.1 Material e Mtodos

Fonte de Alimentao Multmetro Transistor BC337

Resistores: 100, 1k, 470k, 10k,, 20, 2,2k, 3,9k, 56k, 2, 27k, 560, 6,8k. (todos d Ferro de soldar LED Vermelho Com estes materiais foram fixados os circuitos no protoboard de acordo com a ord em estabelecida no roteiro do experimento. Ligou-se a fonte de alimentao rede externa, ajustou-se a mesma tenso pedida (+20V) e conectou-se os componentes no protoboard, assim, balizado com o roteiro, foram recolhidas as informaes desejadas. 5.0 RESULTADOS Os resultados a seguir so mostrados a partir da trajetria seguida no roteiro desta experincia, desta forma: 123k 220k 15V 5.1-2) Para a medio do hfe, utilizou-se duas formas. Primeiramente, com medidas fe itas pelo multmetro, descobriu-se o valor de Ic e IB, pois considerando hfe aprox imadamente igual a e sabendo que este igual a diviso entre Ic =1,28mA sobre IB =1 ,44mA, a diviso entre os mesmos apresentou o valor aproximado de = 0,8. No entant o, medindo diretamente no multmetro, utilizando a funo especifica de medio do hfe, ob teve-se 026. Tais discrepncias no foram analisadas, porm, acredita-se que as consid eraes feitas na medida direta no aparelho no leva em conta toda a configurao do circu ito e suas perdas quando feita atravs da anlise matemtica das correntes. Esses valo res foram coletados a partir da montagem da configurao com transistores em corte e saturao. Tambm foi possvel perceber o valor nulo de Vce e isto foi detectado devido

 saturao do transistor. 5.3)Utilizando uma tenso de +15V e energizando o circuito referente figura 3.0, o s valores iniciais medidos foram: IB: 0,34mA Ic: 90mA Vce: 0,24V Aps 30 segundos as variaes desses mesmos valores qua se no foram detectveis, no entanto, os valore apresentados aps essa mnima passagem d o tempo foram: IB: 0,35mA Ic: 90,3mA Vce: 0,24V Figura 4.0-Circuito polarizador de base Ic (mA) 68k 220k 20V O ponto de operao ou de trabalho deste transistor se localiza na regio de saturao. tenso Vce de apenas 0,34V Aps esses procedimentos, foi utilizado um ferro de soldar para avaliar o comporta mento das variaes das tenses e das correntes no circuito analisado: Antes de aproxi mar o ferro: Vce: 4,51 V Ic: 48,3 mA Aps aproximar o ferro: Vce: 3,80 V Ic: 53,1 mA Para que houvesse uma leitura mais detalhada dos valores com variaes mais sensve is no multmetro foi necessrio trocar o resistor de base de 56k por um de 123k. 5.4-a )Aps tais medidas, foi montado no protoboard um circuito polarizador com resistor de emissor, inserindo no mesmo um valor de +20V, a corrente de base coerentemen te encontrada foi um valor pequeno: 257A. A corrente do coletor obtida foi de 82. 4 mA. E a Figura 6.0-Circuito polarizador com resistor de emissor Ponto deTrabalho - Q Regio de Saturao Regio de Corte Figura 5.0 ponto de trabalho Vce 27k 220k 560 2 5.4-b)Modificando o circuito para o polarizador com realimentao de coletor e avali ando o mesmo, os valores encontrados foram: BI: 159A Ic: 68,3mA e Vce: 4,88V 5.4-c)Finalmente, montado o circuito polarizador com divisor de tenso e obedecend o aos critrios na montagem, os valores encontrados foram: Ic: 39,5mA IB:78,1A e Vc e: 10.61V Neste circuito, a leitura da corrente foi feita assim que o circuito foi energiz ado e passado um determinado tempo, 1 (um) minuto, foi feito outra leitura. Tal ao foi necessria pra que se percebesse a influencia da temperatura na leitura dos d ados. 6.0 DISCUSSO DOS RESULTADOS Alguns critrios para a realizao desta experincia foram remodelados para que os valor es se aproximassem dos mais coerentes possveis, ocasionando algumas problemticas: Figura 7.0-Circuito polarizador com realimentao de coletor Figura 8.0-circuito pol

arizador com divisor de tenso O LED disposio no funcionou, o problema detectado que o mesmo estava disfuncional, a soluo ento foi trocar o dispositivo. Com isto, o LED substitudo trabalhou eficazme nte. Mesmo no exigido na experincia foi medido a tenso sobre o LED. Antes de troc-lo , o valor visualizado no voltmetro foi de 13,48mV. Aps a mudana do dispositivo, a t enso medida foi aproximadamente 1,72V. Este problema ocorreu quando houve a avali ao do primeiro circuito analisado (aplicao com transistores de corte e saturao). A tem peratura tambm foi um fator bastante considerado para o recolhimento das informaes referentes s correntes e tenses nos circuitos estudados. Essa constatao efetiva se d eu a partir da anlise do circuito polarizador de base, figura 3.0.A tenso introduz ida no mesmo teve de ser reduzida a +15V, invs de +20V, como pedido no roteiro. A diminuio foi necessria para que no houvesse a queima de dispositivos sensveis temper atura, o transistor, por exemplo, ou mesmo para que no influenciasse na leitura d os valores. No entanto, mesmo com este procedimento, a sensibilidade do disposit ivo principalo transistor-apresentou suas variaes bem perceptveis, como mostrado nos valores apresentados. A temperatura dos dispositivos tambm foi motivo para anlise s rpidas nas leituras. Pois no estudo de todos os circuitos avaliados e principal mente os trs ltimos, a avaliao era feita rapidamente, pois o resistor do coletor aum entava sua temperatura fortemente. Isto, reforando, influenciou em diferenciaes dos valores apresentados imediatos e aps algum tempo de exposio ao calor provocado pel a temperatura no resistor do coletor. Para uma breve comparao entre os valores prti cos e tericos, a diferena se deu a partir das perdas naturalmente encontradas no c ircuito prtico. As aproximaes feitas teoricamente foram ao encontro de aproximar-se dos valores obtidos na prtica. Para um transistor operar em corte ou saturao, prec iso utiliz-lo como chave ou modificar as tenses que o faa trabalhar nestas de regies de trabalho. Se utilizado na regio ativa, o transistor ter como funo a amplificao de sinais, portanto, trabalhando fora desta funo de amplificao, o transistor funcionar n as regies de corte ou saturao. Sendo assim, com essa funo de chave, ele poderia ser a coplado a um dispositivo com interfaceamento de computadores como controle, por exemplo, de entrada e sada de dados de um perifrico. A importncia do ponto quiescente a determinao exata do ponto de trabalho do disposi tivo e o deslocamento do mesmo se d atravs das variaes da tenso de entrada. As result antes de tal deslocamento a variao das correntes e uma possvel transio do ponto de tr abalho para regies no desejveis para o dispositivo em questo. 7.0 CONCLUSES A partir das avaliaes obtidas nessa experincia, a constatao mais relevante tange ao f ator temperatura para estas configuraes. Pois em todas as medidas houve variaes, ora significativas, ora pouco visveis, dos valores das correntes e tenses, e estas ac onteceram inclusive com a temperatura ambiente, tambm por aproximao de uma fonte de calor pequena como a mo humana e finalmente pela fonte maior de calor ferro de s oldar conectado rede externa de tenso. 8.0 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[2] Estrutura Fsica e Modos de Funcionamento disponvel em URL> http://docentes.fam .ulusiada.pt/~d1095/Cap3_Elec_0607.pdf acessado em 17/04/09

[1] SEDRA, ADEL S.; SMITH, KENETH C. Microeletrnica, 4

Edio, 2000, p. 200- 209