En la Figura, el esquema de la muestra (rectngulo rojo-blanco-azul en la parte superior) y el diagrama de bandas estn dados para una polarizacin determinada

que se ajusta utilizando la barra de desplazamiento de la esquina superior izquierda. El diagrama de bandas muestra tanto los portadores mayoritarios como los minoritarios (electrones = rectngulo azul; huecos =rectngulo rojo).Justo en el borde de la zona de deplecin en el lado p (n), la altura de los rectngulos es igual a la altura del logaritmo de la densidad de portadores mayoritarios por encima de la banda de conduccin (valencia) en el lado n(p). la densidad de portadores va disminuyendo entonces es conforme se ve en la muestra, al final se aproximar al logaritmo de la densidad de portadores minoritarios en equilibrio y permanece constante. La longitud para la cual la densidad de portadores alcanza el valor constante es igual a la longitud para la que existe corriente de recombinacin. La variacin de la densidad de portadores en este proceso se produce segn un descenso de tipo exponencial con un parmetro denominado longitud de difusin. La longitud de difusin es la distancia media que recorre un portador minoritario antes de recombinarse con un portador mayoritario .La escala vertical del diagrama de bandas de energa se utiliza tanto para energa como para potencial y la intensidad del color del rectngulo azul en la banda de conduccin y del rectngulo rojo en la banda de valencia es proporcional al logaritmo de la concentracin de portadores a esa energa (escala vertical en el diagrama de bandas. DESCRIPCION A 7.2E-1V CUANDO ES POSITIVO

Representacin de la evolucin de la corriente en un diodo P-N en funcin de la polarizacin, el dopaje, el tipo de semiconductor y la temperatura. En este applet se puede observar el flujo de corriente en un diodo de unin p- n. Bajo polarizacin directa (el lado pes ms positivo que el lado n, o el lado n ms negativo que el lado p), se inyectan huecos desde el lado p (rojo), atravesando la regin de deplexin (alrededor de la unin, regin despoblada de portadores mviles) hasta el lado n (azul).Los huecos inyectados dentro del lado-n son portadores minoritarios. Cerca de la frontera de la zona de deplexin, la concentracin de huecos minoritarios est por encima de la concentracin en equilibrio trmico debido a esos huecos inyectados elctricamente. En la regin neutra hay dos procesos activos para los huecos minoritarios inyectados: (1)DIFUSIN (2) RECOMBINACIN DIFUSIN: Hay ms huecos cerca de la frontera de deplexin que en el interior dela regin n. Por lo tanto se produce una difusin trmica, resultando en un flujo neto de huecos (rojo) alejndose de esa frontera.

Descripcin con recombinacin La concentracin de huecos tender a recuperar su valor en equilibrio trmico, y entonces intentar librarse del exceso de huecos (p(x=0)). Este exceso de huecos sufre una recombinacin con los electrones que son los portadores mayoritarios que aniquilan los huecos y electrones formando pares (flujo vertical de puntos rojos). Algunos electrones perdidos (portadores mayoritarios) son rpidamente repuestos a travs del contacto hmico y el cable metlico del lado ms lejano de la regin tipo n.

Descripcin con recombinacin y corriente.

Descripcin con recombinacin, corriente y parmetros

DESARROLLO DE LA CONMUTACION DEL DIODO Se muestra la conmutacin de un diodo dispone de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Conmutacin del diodo El applet ilustra la conmutacin de un diodo en un circuito donde la polarizacin pueda pasar desde directa a disrupcin pasando por corte. Se representa la evolucin en el tiempo de la corriente, la tensin en el diodo y la carga en las zonas neutras as como la anchura dela zona bipolar Parmetros de circuito

Parmetro del Diodo