Schenk Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Physikalische Grundlagen und Simulation
Privat-Dozent Dr. rer. nat. Andreas Schenk Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich October 23, 2003
Contents
1 Quanten-Transport 1.1 Quanten-Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Quanten-Transportgleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Boltzmann-Gleichung 2.1 Ableitung . . . . . . . . . . . . 2.2 Methoden der direkten L sung . . o 2.2.1 Relaxationszeit-N herung a 2.2.2 Monte-Carlo-Methode . .
2 2 17 22 22 25 25 26 31 31 42 47 47 47 48 49 49 50 51 51 52 53 55 58 59 59 60 61 61 76 80 80 83 84 87
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Momenten-Methode 3.1 Hydrodynamische Transportgleichungen, Drift-Diffusions-Modell . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Thermodynamisches Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Numerische Methoden 4.1 Skalierte Gleichungen und L sungsprozedur . . . . o 4.1.1 Die Physikalischen Gleichungen . . . . . . 4.1.2 Randwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1.3 Die skalierten (station ren) Gleichungen . . a 4.1.4 Wahl der Variablen . . . . . . . . . . . . . 4.1.5 Die L sungsprozedur . . . . . . . . . . . . o 4.2 Diskretisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.1 Allgemeine Diskretisierungsverfahren . . . 4.2.2 Anforderung an Diskretisierung . . . . . . 4.2.3 Diskretisierung der Poissongleichung . . . 4.2.4 Diskretisierung der Kontinuit tsgleichungen a 4.2.5 Die Diskretisierten Gleichungen . . . . . . 4.3 Gitter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.1 Anforderungen an Gitter . . . . . . . . . . 4.3.2 Gitter Adaption . . . . . . . . . . . . . . .
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Silizium 5.1 Bandstruktur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2 Zustandsdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3 Fermi-Dirac-Verteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3.1 System mit konstanter Teilchenzahl (kanonische Verteilung) . . 5.3.2 System mit variabler Teilchenzahl (grosskanonische Verteilung) 5.3.3 Fermi-Dirac-Verteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.4 Ladungstr gerdichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a
Contents
6
Streuprozesse 92 6.1 Skk am Beispiel der Streuung an ionisierten St rstellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 o 6.2 Die wichtigsten Streumechanismen in Silizium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 6.3 Die Matthiessen-Regel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 Beweglichkeit kalter und heisser Ladungstr ger a 7.1 imp und ac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2 Modelle f r die Beweglichkeit kalter Ladungstr ger im bulk u a 7.3 Beweglichkeit im MOSFET-Kanal . . . . . . . . . . . . . . 7.4 Beweglichkeit heisser Ladungstr ger . . . . . . . . . . . . . a 7.4.1 S ttigung der Driftgeschwindigkeit . . . . . . . . . a 7.4.2 Empirische Modelle f r Bauelemente-Simulation . . u
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104 104 105 108 112 112 114 117 117 121 123 125 127
Strahlungslose Rekombination 8.1 Tiefe St rstellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o 8.2 Generations-Rekombinationsraten f r Band-Band- und Band-Trap-Uberg nge u a 8.3 Raten-Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.4 SRH-Lebensdauern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Auger-Rekombination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10 Stossionisation 10.1 Ionisations-Schwellenenergien . . . . . . . . 10.2 Stossionisationsrate und -koefzienten . . . . 10.3 Modelle f r die Stossionisationskoefzienten u 10.4 Avalanche-Durchbruch . . . . . . . . . . . .
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131 131 134 136 137 140 140 141 146 149
11 Metall-Halbleiter (MS)-Kontakt 11.1 Energieniveau-Schema vor Einstellung des thermodynamischen Gleichgewichts 11.2 MS-Kontakt im Gleichgewicht, Schottky- und Bardeen-Modell . . . . . . . . . 11.3 MS-Kontakt im Nichtgleichgewicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.4 Kontakt-Randbedingungen in der Bauelemente-Simulation . . . . . . . . . . .
12 Metall-Isolator-Halbleiter (MIS) Struktur 152 12.1 Isolator-Halbleiter (IS)-Ubergang im Gleichgewicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152 12.2 MIS-Struktur bei angelegter Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154 12.3 Ladungstransport durch d nne Oxide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159 u 13 Hetero-Uberg nge a 13.1 Banddiskontinuit ten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 13.2 Potentialverlauf nach Einstellung des Gleichgewichts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.3 Supergitter und Quantum Wells . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 162 163 165
1 Quanten-Transport
1.1 Quanten-Bauelemente
Denition Transport: Bewegung von Ladungstr agern ( Str ome) in einem Bauelement oder einer Halbleiterstruktur infolge ausserer Felder. dissipativer Transport im bulk: Energieverlust haupts achlich im Innern des Bauelements, mittlere freie Wegl ange klein gegen Abmessungen des Bauelements. ballistischer Transport: Mittlere freie Wegl ange f dissipative und elastische Streuung ist ur von der Gr ossenordnung der Abmessungen des Bauelements. quanten-ballistischer Transport: Zus atzlich Quantisierungseffekte durch connement Interferenz-Effekte infolge verschiedener m oglicher Wege. koh renter ballistischer Transport: a Koh arenzl ange von derselben Gr ossenordnung wie die Struktur, Phase der Elektronenwelle bleibt erhalten. Quanten-Transport kann man auch nach m oglichen Anwendungen in der Nanoelektronik klassizieren, wobei jeweils typische Quanten-Effekte ausgenutzt werden: A) Interferenz-Effekte in niedrig-dimensionalen Strukturen, wie ResonantTunnel-Dioden (resonant tunnel diodes, RTDs) und Resonant-TunnelTransistoren (resonant tunnel transistors, RTTs)
2
und
1.1. QUANTEN-BAUELEMENTE
B) Coulomb-Blockade in Einzel-Elektron-Transistoren (single electron transistors, SETs) und Quanten-Punkten (quantum dots, QD) C) Mesoskopischer Transport in Quanten-Wellenleitern (quantum waveguides) A) Interferenz-Effekte
single barriers resonant double barrier
quantum well
interferencedevices.ID.epsi 99 72 mm
superlattice
chirp superlattice
camel transistor
B) Quanten-Dr ahte und Quanten-Punkte

epitaxial wire modulation-doped deep-etched wire modulation-doped shallow-etched wire
C) Quanten-Wellenleiter
split-gate wire
connementdevices.ID.epsi 107 60 mm
quantum dot
quantum well
n-(Al,Ga)As GaAs
4
interference ring device tapered quantum waveguide
CHAPTER 1. QUANTEN-TRANSPORT
stub device cross-talking
wires
waveguidedevices.ID.epsi 110 26 mm
Quantenmechanik (QM): Ultra-Short Course I In QM werden Observablen ( Messgr ossen) A durch OperatorenA beschrieben E H Hamiltonoperator p x p Impulsoperator x Ortsoperator
und die Zust ande eines Systems (die in der klassischen Mechanik durch Angabe der Koordinaten und Impulse aller Teilchen eindeutig bestimmt sind) durch Wellenfunktionen x (mathematisch: Vektoren im Hilbertraum). p2 V x p i (1.1) 2m x V x ist der Operator der potentiellen Energie. Die fundamentale Gleichung zur odinger-Gleichung: Bestimmung von x ist die Schr 1D : H
in der QM dagegen muss man die Schr odinger-GleichungH E l osen. Einsetzen des Hamiltonoperators (es bleibt nur der Operator der kinetischen Energie in einer Dimension) ergibt die Eigenwertgleichung
E x
2 x 2m x2
const
Beispiel: freies Elektron (V 0) In der klassischen Physik ist wegen F
0 m 2 v 2
zeitabh angig : i
H x t
xt t
station : H x ar
E x
(1.2) (1.3)
(1.4)
Die allgemeine (von Null verschiedene) L osung lautet
und beschreibt eine ebene Welle. Der mathematische Formalismus der QM beschreibt die Wellennatur der Teilchen. Beispiel: Potentialtopf mit unendlich hohen W anden
V(x)
well1.ID.epsi 45 40 mm
Mit diesem Potential erh man alt
da das Elektron in die unendlich hohen Potentialw ande nicht eindringen kann. Das Verschwinden der Wellenfunktion an den R andern des Potentialtopfes f uhrt auf zwei Bestimmungsgleichungen f die unbekannten Koefzienten A und B ur
und damit zur Quantisierungsbedingung f die Wellenzahl k: ur sin(kd) = 0
En
quantisierte Energie
kn
n n 12 d 2 k2 2 2 n n2 2 2m 2md
quantisierter Impuls
A eikd
x 0
A eikx d
Be 0
ikx
Be
V x
0 f x im Innern ur
im Innern
ikd
V x
A eikx
Be
k2 x
2 x2
ikx
f x ur
(1.5) (1.6) 0 x d
oder, mit Einf uhrung der sogenannten Wellenzahl k
2mE
Wegen A B und k kn haben die Wellenfunktionen die Form n x C sin nx d . Die Konstante C wird so speziziert, dass die (gebundenen) Zust ande auf Eins normiert sind, also
0
Die Gr osse x 2 heisst Aufenthaltswahrscheinlichkeitsdichte des Teilchens n im Zustand mit der Quantenzahl n. Die Normierungsbedingung bedeutet damit nichts weiter, als dass sich das Teilchen mit Sicherheit innerhalb des Potentialtopfes bendet. Die Auswertung der Normierungsbedingung ergibt f die ur Wellenfunktionen

E
n=3
n=1
Was passiert im Falle a) endlich hoher und b) endlich hoher und endlich dicker Potentialw ande? a) Es gibt nur noch eine endliche Anzahl von gebundenen Zust anden. Wird der Potentialtopf zu ach, kann u.U. uberhaupt kein Teilchen mehr gebunden werden (im Falle asymmetrischer Potentialt opfe). b) Das Teilchen kann mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit aus dem Potentialtopf heraustunneln, d.h. die Lebensdauer des gebundenen Zustandes wird endlich. Wegen der Heisenbergschen Unscharferelation

werden die (f unendlich dicke Potentialw ur ande) diskreten Energieniveaus En zu Resonanzen mit endlicher Linienbreite verschmiert (LebensdauerVerbreiterung). Die Maxima der Resonanzen verschieben sich gegen uber den En zu niedrigeren Energien.
t E
n x
2 n sin x d d
stehende Wellen!
n=2
diskretes Energiespektrum! 2d Wellenl ange n n
dx n x
(1.7)
a)
b)
Bei den Resonanzenergien wird die Durchdringungswahrscheinlichkeit f die ur Doppel-Barriere gross. Je asymmetrischer die Doppel-Barriere, um so mehr wird die Resonanz ged ampft. osungen der Sind die station aren Zust ande x bekannt, kann man sofort die L n zeitabh angigen Schr odinger-Gleichung angeben:
Die zeitabh angigen Wellenfunktionen oszillieren mit der Frequenz En . n Damit sich eine stehende Welle (bzw. scharfe Resonanz) ausbilden kann, muss die entsprechende Zeitkonstante tn En klein gegen uber einer charakteristischen mittleren Streuzeit n sein. Zahlenbeispiel: E1 66 meV, 6 6 10 16 eVs tn 10 14 s Typisches n bei Raumtemperatur ist n 2 10 14 s (f Streuung von Elektrour nen an Phononen, den Quanten der Gitterschwingungen). Interferenz-Bauelemente funktionieren nur bei gen ugend tiefen Temperaturen! (gen ugend ist dabei nat urlich relativ und h angt von der St arke der erreichbaren Energie-Quantisierung ab) Im folgenden werden die Bauelemente-Gruppen A) und B) an den wichtigsten Beispielen praktisch erl autert.
n x t
i En t
n x
Einsetzen Probe!
A) Resonant-Tunnel-Diode (RTD) and Resonant-Tunnel-Transistor (RTT)
RTDbandscheme.epsi U 124 103 mm
Band-Schema einer RTD. Die Potentialbarrieren werden durch Spr unge der Leitungsbandkante zwischen dem breitl uckigeren Halbleiter AlAs und dem schmall uckigeren Halbleiter GaAs erzeugt. Die Energie der Zust ande im Potentialtopf ist quantisiert. Elektronen aus der hochdotierten Quelle, die alle Energieniveaus zwischen der Leitungsbandkante und dem Fermi-Niveau besetzen, k onnen nur dann durch die Doppel-Barriere tunneln, wenn ihre Energien mit der der Resonanzniveaus ubereinstimmen. Dazu muss an der Quelle eine Spannung angelegt werden. Die notwendige Energie f das Hinzuf ur ugen eines (N+1)-ten Elektrons setzt sich aus zwei Anteilen zusammen: der Additionsenergie A und der Anregungsenergie . A wird gebraucht, um die elektrostatische Abstossung zwischen dem (N+1)-ten und den N Elektronen zu uberwinden, die sich bereits im Quantentopf benden. A ist proportional zum inversen mittleren Abstand 1 r der Elektronen im Quantentopf, wogegen 1 d 2 (siehe Rechnung zum Potentialtopf). Senkrecht zur Quantisierungsrichtung k onnen sich die Elektronen frei ausbreiten, was zu einem relativ grossen r und daher zu einem kleinen A f uhrt. F eine RTD gilt also A ur . (Im Bild ist A ubertrieben gross dargestellt.)
RTDoperation.ps 105 139 mm
a) Schematischer Querschnitt einer RTD. b) Bei zu kleiner Source-Drain-Spannung kann kein resonanter Tunnelstrom in der RTD iessen (off-state). Es iesst lediglich ein Leckstrom, verursacht von thermisch angeregten Elektronen in der Quelle (um so gr osser, je h oher die Betriebstemperatur). c) Resonanz-Situation (on-state) . Es iesst ein resonanter Tunnelstrom, dessen St arke von der Durchdringungswahrscheinlichkeit der Doppelbarriere abh angt, d.h. von der Linienbreite der Resonanz.
10
RTDkennlinie.ps 101 64 mm
a) Band-Schema einer RTD bei steigender Source-Drain-Spannung. b) Strom-Spannungs-Charakteristik. Der Abstand der Peaks entspricht grob der Anregungsenergie . Allerdings ist selbst eine Funktion der Source-Drain-Spannung, da sich die Form des Potentials der Struktur st andig andert. U.U. kann kein zweiter Peak auftreten, wenn der deformierte Potentialtopf keinen zweiten gebundenen Zustand mehr erzeugt.
B) Quanten-Punkt (QD) und Einzel-Elektron-Transistor (SET) Quanten-Punkt: Dimensionalit ist in allen drei Richtungen reduziert. Elekat tronen sind v ollig eingesperrt, d.h. sie haben keinen klassischen Freiheitsgrad mehr. Die elektronischen Zust ande sind in allen drei Dimensionen quantisiert. Die Anregungsenergien x , y und z sind gross, ebenso die Additionsenergie A, da der mittlere Elektronenabstand r im Dot durch das einsperrende Potential klein gehalten wird. Die elektronische Struktur von Quanten-Punkten kann starke Ahnlichkeiten mit der von Atomen aufweisen, daher spricht man auch von k nstlichen Atomen. Insbesondere liefern die Austausch-Wechselwirkung und u die Elektron-Elektron-Korrelation starke Beitr zur Gesamtenergie. Die Anage regungsenergien representieren keine Einteilchen-Zust ande mehr, sondern Vielteilchenzust ande der N Elektronen im Dot. Einzel-Elektron-Transistor: 3-Terminal-Bauelement analog zum gew ohnlichen MOSFET. Dimensionalit ist in keiner Richtung (wesentlich) reduziert. Die at zentrale Insel des SETs enth typischerweise Millionen von Elektronen. Am alt weitesten verbreitet sind SETs mit metallischen Inseln. Da der Quantisierungseffekt schwach ist oder gar nicht existiert, gilt f den SET: A . Diesen Grenur zfall nennt man Coulomb-Blockade, ein rein klassischer Effekt der elektrostatischen Abstossung der Elektronen untereinander, der verhindert, dass bei zu kleiner

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RTToperation.ps 101 141 mm
a) Schematischer Querschnitt eines Resonant-Tunnel-Transistors (lateraler Typ). b) Das Band-Schema ist ahnlich dem der RTD. c) Im Unterschied zur RTD existiert eine dritte Elektrode (Gate), mit der man die Lage der Energie-Niveaus relativ zum Fermi-Niveau in der Quelle ver andern kann. Insbeson dere kann man bei fester Source-Drain-Spannung durch kontinuierliche Anderung der Gate-Spannung die Energie-Niveaus des Quantentopfes in Resonanz mit den besetzten Zust anden in der Quelle bringen. Allerdings werden auch die Potentialbarrieren von der Gate-Spannung beeinusst.
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QDgate.epsi 98 43 mm

GaAs
AlGaAs
QD auf der Basis einer GaAs/AlGaAs Heterostruktur. Das einsperrende Potential wird durch planare metallische Gates erzeugt (Stanford University).
QDox.epsi 90 49 mm
QD auf der Basis einer Silicon-On-Insulator (SOI) Heterostruktur. Das einsperrende Potential wurde durch pattern-dependent oxidation eines Silizium-Quantendrahts erzeugt (Princeton University).
Source-Drain-Spannung ein zus atzliches Elektron auf die Insel tunneln kann (daher der Begriff Blockade). Ein Strom kann erst einsetzen, wenn die SourceDrain-Spannung die Additionsenergie erreicht. Den Spannungsbereich, wo kein Strom iessen kann, nennt man Coulomb gap. Die Tunnel-Barrieren verhindern, dass sich Elektronen gleichzeitig uber Source, Drain und Insel ausbreiten k onnen. Deshalb ist der Tunnelprozess immer sequentiell: Ein Elektron muss aus der Insel ins Drain tunneln, bevor das n achste von der Source auf die Insel tunneln kann. Man spricht von (r aumlich) korreliertem Tunneln. Dieser Vorgang wiederholt sich millionenmal pro Sekunde, so dass ein messbarer Strom durch die Insel iesst. Bleibt die Source-Drain-Spannung kleiner als die Additionsenergie, spricht man vom Coulomb-Blockade-Regime. Durch Anlegen einer Spannung am Gate kann man die Coulomb-Blockade aufheben und die Zahl der Elektronen auf der Insel andern, z.B. von N-1 zu N. Dies geschieht bei bestimmten kritischen Werten
13
Gate
QDash.epsi 99 58 mm
Dot
Channel Drain Source
Oxide
QD ash memory: Das Speicher-Gate besteht aus einer poly-Si-Insel. (a) I

e 2C
PSfrag replacements I (b)
e 2C
a) Coulomb gap und I-V-Kennlinie eines SETs mit symmetrischen Tunnel-Barrieren. F Source-Drain-Spannungen betragsm ur assig kleiner als die halbe Additionsenergie e2 2C kann kein Strom iessen. b) Schematische Coulomb staircase, die I-V-Kennlinie eines SETs mit stark asymmetrischen Tunnel-Barrieren bei T=0 K. Der Abstand der Stufen ist gleich der Additionsenergie e2 C .
der Gate-Spannung, wo sich gleichzeitig N-1 oder N Elektronen auf der Insel benden d urfen (Entartungspunkte) und bewirkt einen pl otzlichen Strom
V
e 2C
V
3e 2C 5e 2C
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von Source nach Drain, der bei weiterer Erh ohung der Gate-Spannung aber sofort wieder verschwindet (wegen der Coulomb-Blockade!). Die Elektronenzahl hat sich dabei auf den Wert N stabilisiert. Der Source-Drain-Strom wird also durch kleinste Anderungen der Gate-Ladung ein- und ausgeschaltet. Die dazu n otige Anderung der Gate-Ladung kann eine einzige, ja selbst nur einen Bruchteil der Elementarladung ausmachen, worauf der Name Einzel-ElektronTransistor zur uckgeht. Da der Strom auf einzelne Gate-Ladungen reagiert, kann der Verst arkungsfaktor (gain) des SETs extrem gross sein!
ivg.epsi 96 48 mm
I-Vg -Kennlinie eines SETs im Coulomb-Blockade-Regime bei T 0 K. Bei den GateN 1 2 e Cg treten Strom-Peaks auf, da die Coulomb-Blockade Spannungen Vg aufgehoben ist. Die Peaks sind umso sch arfer, je tiefer die Temperatur ist. Ihr Abstand ohe angt von der Source-Drain-Spannung und dem Widerstand ist gleich e Cg . Die H h der Tunnel-Barrieren ab.
Physik des SETs: Ultra-Short Course Um die Form der Kennlinien eines SETs besser zu verstehen, betrachten wir die charakteristischen Energien im einfachsten physikalischen Modell (dem sogenannten orthodoxen Modell). In diesem Modell werden sowohl Quantisierungseffekte als auch die Vielteilcheneffekte der Austausch-Wechselwirkung und Korrelation vernachl assigt. Ein System aus N Elektronen hat die Coulomb-Energie
0
wobei Q das elektrostatische Potential der Insel mit der Ladung Q unter dem Einuss externer Gates ist: Q Cg Q Vg (1.9) C C
Ucoul N
dQ Q
eN
(1.8)
15
Im thermodynamischen Sinne ist Ucoul N gleich der freien (Gibbs) Energie F N (im hier betrachteten orthodoxen Modell); der erste Term ist die elektrostatische Energie der Insel, der zweite Term ist die Arbeit, die die Spannungsquelle am Gate verrichtet. Die Differenz
heisst chemisches Potential und ist gleich der Energie, die aufgebracht werden muss, um dem (N-1)-Elektronen-System ein weiteres Elektron zuzuf uhren. Man erh alt
Die Anderung des chemischen Potentials mit der Elektronenzahl haben wir oben als Additionsenergie A bezeichnet
Die Coulomb-Staircase der I-V-Kennlinie und die Strom-Peaks der I-V g Kennlinie kann man nun folgendermassen verstehen: I-V-Kennlinie eines SETs mit stark asymmetrischen Tunnel-Barrieren (EinzelElektron-Box): Generell kann es nur dann zum Strom kommen (Ladungstr ager-Austausch zwischen Insel und Source/Drain), wenn die Wahrscheinlichkeit, dass die Insel N Elektronen enth gleich der Wahrscheinlichkeit ist, dass sie N - 1 Elektronen alt, enth Die Elektronenzahl uktuiert dann zwischen N und N - 1. Die Gleichheit alt. dieser Wahrscheinlichkeiten f auf die Bedingung uhrt
wobei EF das Fermi-Niveau in Source/Drain ist. Sei EF drain 0, dann ist EF source eV . Die Gate-Spannung sei Null. Aus Eq. (1.12) und Eq. (1.14) erh alt man
V N
e N C
1 2
EF
e2 C
e2 N C
1 2
Cg Vg C
F N
F N
(1.11)
(1.12)
(1.13)
(1.14)
(1.15)
Ucoul N
eN 2 2C
eN
Cg Vg C
C ist die Summe aus Gate-Kapazit und Insel-Kapazit C at at Einsetzen erh man alt
Cisland
Cg . Nach
(1.10)
16
als diejenigen Spannungen, bei denen sich die Zahl der nicht-kompensierten Elektronen auf der Insel um 1 andert. N = 1 deniert das Coulomb gap. Die Zeitkonstante des korrelierten Tunnelns wird mit steigender Spannung V V(1) kontinuierlich kleiner, was zu einem kontinuierlichen Anstieg des Stroms in diesem Spannungsbereich f uhrt. Der Anstieg wird vom Widerstand der dicken Tunnel-Barriere bestimmt. I-Vg -Kennlinie eines SETs bei verschwindend kleiner Source-Drain-Spannung: In diesem Fall ist EF drain EF source 0 (wegen der Wahl des EnergieNullpunkts) und Eq. (1.12), Eq. (1.14) ergeben
als diejenigen Spannungen, bei denen ein Strom-Peak auftritt. Prinzipielle und praktische Hindernisse in der Nanoelektronik - Pr zision und Uniformit t der Strukturen (Tunnel-Barrieren, Inseln) auf a a einer Skala von wenigen Nanometern f zuverl ur assiges und gleichartiges Verhalten einer riesigen Zahl von Bauelementen. Besonders kritisch ist die exponentielle Sensivit des Tunnelstroms bzgl. Dickenvariationen der at Tunnel-Barrieren. - Hintergrund-Ladungen akkumulieren sich bevorzugt in der N von QDs ahe und SETs und k onnen ihre Funktion v ollig ausschalten. - Auswahl des Halbleiter-Materials: III-V-Heterostrukturen haben glatte und saubere Grenz achen, aber schwache Potential-Barrieren. Die Ober achen lassen sich nicht passivieren und sind deshalb Tr ager von Ladungen hoher Dichte, die die Stabilit der Bauelemente stark beeintr at achtigen. SiO als 2 nat urlicher Isolator auf Silizium ist eine hervorragende Barriere gegen Leckstr ome, ist jedoch amorph und hat deshalb eine hohe Defektdichte. - Betriebstemperatur: F eine Anwendung von Si SETs bei Raumtemperur atur m ussen die Inseln Abmessungen von h ochstens 10 nm haben. Heutige Quanten-Bauelemente funktionieren deshalb nur bei sehr tiefen Temperaturen. - Betriebsspannungs-Schwankungen k onnen leicht dazu f uhren, dass SETs aus der Resonanz geraten und so unbeabsichtigt vom on-state in den off-state umschalten.
Vg N
e N Cg
1 2
(1.16)
1.2. QUANTEN-TRANSPORTGLEICHUNGEN
1.2 Quanten-Transportgleichungen
Beispiel: Wigner-Boltzmann-Gleichung
Die allgemeinste Beschreibung eines quantenmechanischen Systems erfolgt mit Hilfe der sogenannten Dichtematrix
sei die Wellenfunktion eines abgeschlossenen Systems. (Zust ande eines Systems, die durch Wellenfunktionen beschrieben werden k onnen, heissen reine Zust ande. Die Formulierung mittels Dichtematrix erlaubt auch die Beschreibung von gemischten Zust anden. Hier seien nur reine Zust ande betrachtet.) Die triviale Zeitabh angigkeit der Wellenfunktionen gem Eq. (1.3) wird der K ass urze halber nicht mitgeschrieben. Wendet man die zeitabh angige Schr odinger-Gleichung auf die Dichtematrix an, erh man ihre Bewegungsgleichung alt
Dabei ist a b ab ba der Kommutator. Zur sogenannten Ortsdarstellung gelangt man nach folgender Vorschrift:
Durch Ubergang zu Schwerpunktskoordinaten
und anschliessende Fouriertransformation bzgl. r entsteht die Wigner-Funktion (Wigner, 1932)

3
Eigenschaften:
1) fW ist reell fW fW , aber nicht positiv (eine Konsequenz der Heisenbergschen Unsch arferelation, Wigner 1967).

2)
d 3 p fW p R t sraum (Dichte).
Rt
ist die Aufenthaltswahrscheinlichkeit im Ort-
fW p R t
p r
d3r
1 2
r R 2
r exp 2
r1
r 2
r2
r 2
r2 r1

r2 r1
def
r 2 r1
i (1.17)
17
18
pt pt pt pulsraum. Ableitung der Bewegungsgleichung:
ist die Wahrscheinlichkeitsdichte im Im-
Die Zeitableitungen auf der rechten Seite werden durch die jeweilige zeitabh angige Schr odinger-Gleichung ausgedr uckt, d.h. 2m
2
2m
Nach dem Einsetzen wird die Ableitung bzgl. R auf eine Ableitung bzgl. r umgew alzt, z.B. 4 2 r und eine partielle Integration nach r durchgef uhrt. Dabei verschwinden die Terme im Unendlichen wegen der Annahme, dass die Wellenfunktionen dort Null sind und es bleibt i 1 2i fW p R t r r e p r d3r 3 t 2 m i i 2i i r r e p r V V e pr m Werden nun die Ableitungen bzgl. r ausgef und kehrt man danach wieder zur uhrt Ableitung nach R zur uck, folgt
fW p R t t
p R fW p R t m i 1 d3r V V 2 3
pr
2 R
2 R
V R
r 2
V R
r 2
2 R
t t
1 i 1 i
exp
p r
d3r
1 2
fW p R t t
Wir setzen abk urzend R r 2 und Zeitableitung der Wigner-Funktion ergibt
r1
r2
r 2 . Die explizite i
1 2
d 3 r1 d 3 r2 r2 r1 exp
p r
3)
d 3 R fW p R t 1 d3r d3R R 2 3
r R 2
r exp 2
Um den letzten Term durch die Wigner-Funktion selbst ausdr ucken zu k onnen, wird das Potential V R r 2 in eine Taylor-Reihe bzgl. r entwickelt:
V in der Bewegungsgleichung bleiben nur Glieder Wegen der Differenz V ubrig, f die 1 2 3 ungerade ist. Beschr ur ankt man sich auf die ersten beiden Terme, also auf 1 2 3 1 und 1 2 3 3, folgt
Nach Einsetzen in die Bewegungsgleichung und Generierung der Komponenten von r durch partielle Ableitung nach den Komponenten des Impulses p entsteht die endg ultige Form der Wigner-Boltzmann-Gleichung mit erstem nichtverschwindenden Quanten-Korrekturterm: RV R p fW p R t
2 und verschwindet f Potentiale, die ur Die niedrigste Quantenkorrektur ist h ochstens quadratisch von den Koordinaten abh angen (harmonische Potentiale). In diesem Fall reproduziert sich die klassische, stossfreie Liouville-Gleichung. Symbolisch schreibt man daf ur
Der zweite Term beschreibt Diffusionsprozesse, der dritte Driftprozesse. Die rechte Seite ist Null wegen der Voraussetzung der Stossfreiheit (abgeschlossenes System). Das Auftreten eines Terms mit dritter Ableitung nach den Koordinaten in der Wigner-Boltzmann-Gleichung ist Ausdruck der Nicht-Lokalit der Quantenat mechanik.
1 2 3 1 2 3 3 R1 R2 R3
3V R
1 3 fW p R t 1 !2 !3 ! p1 p2 p3 1 2 3
p R m
2 3 3
RV R r
1 4
R r1 1 r2 2 r3 3 R1 R2 R3 1 !2 !3 ! 2 3 V
V R
r 2
1 2
R r1 1 r2 2 r3 3 R1 R2 R3 1 !2 !3 ! 2 3 V
19
1 2 3
(1.18)
(1.19)
(1.20)
20
PSfrag replacements
Free energy F Charge Q Gate voltage Vg
Vg Vg Vg Vg N N N N N EF
e 1 Cg 3 e 4 Cg 1 e 2 Cg 1 e 4 Cg
1e Ne 0 EF N e
Freie Energie als Funktion der Ladung auf der Insel f vier verschiedene Gateur Spannungen (oben). Bei Vg N 1 2 e Cg existieren zum selben Wert der freien Energie zwei Ladungszust ande (Entartung). Es kann ein Strom iessen. In dieser Situation ist das chemische Potential N gleich dem ausseren Fermi-Niveau (unten).
(a)
vertdotall.epsi 133 111 mm
a) Schematische Darstellung eines vertikalen QDs mit unterschiedlichen Barrieren. b) Energie-Quantisierung und Vielteilcheneffekte bestimmen wesentlich die Kennlinien. Man erkennt an der I-Vg -Kennlinie die Schalenstruktur des Energiespektrums, die Ahnlichkeit mit der eines zweidimensionalen harmonischen Oszillators aufweist. Gef ullte Schalen gibt es zu den Elektronenzahlen N 2 6 12. c) Coulomb staircase (I-V-Kennlinie).

(c)
21
2 Boltzmann-Gleichung
2.1 Ableitung
dz
in
dx x dy x + dx
out
Streuung
streuung.epsi 114 89 mm
dvz dvx dvy
vz v vy vx
Ziel ist die Aufstellung einer Bilanzgleichung im Phasenraum (drei Ortskoordinaten x, y und z, drei Geschwindigkeitskoordinaten vx , vy und vz ) f die Zahl der ur Elektronen (L ocher, allgemein: Teilchen), die sich zur Zeit t im Raumelement d3 r am Ort r und im Geschwindigkeitselement d 3 v zur Geschwindigkeit v benden.
22
2.1. ABLEITUNG
23
Diese Zahl bezeichnen wir mit
f r v t ist die klassische Verteilungsfunktion, d.h. Ort und Impuls sind gleichzeitig scharf messbar. Die Teilchen bewegen sich auf klassischen Trajektorien. Bilanz im Ortsraum: Die Zahl der Elektronen, die in den innitesimalen W urfel mit den Kantenl angen dx, dy, dz in x-Richtung an der Stelle x im Zeitintervall dt hineiniegen (in) und an der Stelle x dx in diesem Zeitintervall wieder herausiegen (out), ist dx y z v t d 3v vx dt dy dz
weil sie in dt die Strecke dx vx dt zur ucklegen. Der Netto-Zuwachs an Elektronen am Ort r ist dann gleich in out, d.h.
In analoger Weise betrachtet man die Bilanz im Geschwindigkeitsraum: Man erh einen Netto-Zuwachs an Elektronen mit der Geschwindigkeit v alt
Die Elektronen werden im Zeitintervall dt unter dem Einuss eines ausseren Feldes beschleunigt und andern ihre Geschwindigkeit von v nach v dv. Nach Newton gilt
wobei F0 die einwirkende Kraft ist, die im Falle eines elektrischen Feldes E den Wert eE hat. Die Zahl der Elektronen mit der Geschwindigkeit v am Ort r kann aber auch auf andere Art ge andert werden. Die Elektronen werden gestreut und
F0 m
eE m
oder in 3D :
vx f r vx dvx vy vz t f 3 3 vx d v d r dt vx v v f d 3 v d 3 r dt
f r v t d 3 r dvy dvz dt
oder in 3D :
vx f x dx y z v t f vx d 3 v d 3 r dt x v r f d 3 v d 3 r dt
f r v t d 3 v dy dz dt
out : f x
in :
f r v t d 3 v vx dt dy dz
f r v t d 3r d 3 v
(2.1)
(2.2)
(2.3)
(2.4)
24
CHAPTER 2. BOLTZMANN-GLEICHUNG
andern dadurch ihre Geschwindigkeit am Ort r von v nach v (wenn sie aus dem Geschwindigkeitsw urfel bei v herausgestreut werden), bzw. von v nach v (wenn sie hineingestreut werden). Man erh alt v
f die Anderung der Elektronenzahl im Zeitintervall dt infolge von St ur ossen. Dabei ist S v v die Streuwahrscheinlichkeit f die Streuung v ur v (Dimension: s 1 ). S ist also ein Mass f die H ur augkeit der Streuung. Alles zusammen, d.h. die Ausdr ucke (2.2), (2.3), (2.5) und (2.6), ergeben die explizite zeitliche Anderung der Elektronenzahl im Phasenraumelement d 3 r d 3 v w ahrend des Zeitintervalls dt, also t f r v t d 3 r d 3 v dt
(Ludwig Boltzmann, 1872). Die Boltzmann-Gleichung (BG) ist eine komplizierte Integro-Differentialgleichung. Die Ableitung zeigt, dass man implizit r aumliche und zeitliche Lokalit at annimmt. Zeitliche Lokalit bedeutet, dass die St at osse instantan sind, r aumliche Lokalit bedeutet, dass die St at osse auf einer Ausdehnung der L ange Null stattnden. In sehr grossen elektrischen Feldern ( 107 V cm) sind diese Annahmen nicht mehr gerechtfertigt (intra-collisional eld effect). In der Bauelemente-Modellierung werden folgende Erweiterungen gemacht:
- E k ist durch die realistische Bandstruktur des Halbleiters gegeben. - F die Streuwahrscheinlichkeiten S v v der einzelnen Streuprozesse werur den die quantenmechanischen Ubergangswahrscheinlichkeiten pro Zeiteinheit verwendet. - Im Stossterm der BG (rechte Seite) wird f r v t 1 f rvt f rv t und f r v t 1 f r v t f r v t ersetzt. Damit wird das PauliPrinzip ber ucksichtigt, d.h. die Endzust ande d urfen beim Stossprozess nicht besetzt sein (Fermi-Statistik).
- Die Geschwindigkeit wird als Gruppengeschwindigkeit v standen.
k E k
S vv f rvt
v r
F0 v f r v t m Sv v f rv t v
out :
S v v
f r v t d 3 r d 3 v dt
in :
S v
v f r v t d 3 r d 3 v dt
(2.5) (2.6)
(2.7)
ver-
2.2. METHODEN DER DIREKTEN LOSUNG
25
2.2 Methoden der direkten Lsung o

2.2.1 Relaxationszeit-N aherung - Die Streuwahrscheinlichkeit S sei gerade in allen GeschwindigkeitsS vv S v v S v v . (Gilt nicht komponenten: S v v f alle Streuprozesse und f bestimmte nur n ur ur aherungsweise.) - Man zerlegt die Verteilungsfunktion f in einen geraden Anteil f ungeraden Anteil f 1
- Einsetzen in den Stossterm der BG ergibt
Der Term mit f 1 r v t verschwindet, weil f gerade Funktion in der Geschwindigkeit v ist.
eine ungerade und S eine
- Im thermodynamischen Gleichgewicht ist f 0 die GleichgewichtsVerteilungsfunktion (Maxwell-Boltzmann-Verteilung). Die eckige Klammer verschwindet dann wegen des Prinzips der detaillierten Balance (Zahl der herausgestreuten gleich Zahl der hineingestreuten Teilchen). - Denition totale (mikroskopische) Relaxationszeit:
- Damit wird der Stossterm symbolisch tot v
coll
Beispiel: Station re, homogene BG, linearisiert im elektrischen Feld E a Ist das elektrische Feld E hinreichend schwach, kann man die BG in E linearisieren, d.h. f 0 ist dann identisch mit der Gleichgewichts-Verteilung und
f 0 t
tot v
1 S v v v
S v v f
rv t
S vv f
rvt
S vv f
mit
und einen
rvt
26
f 1 h angt nur linear von E ab. Beschr ankt man sich weiter auf den r aumlich und zeitlich homogenen Fall, reduziert sich die BG auf
Zur weiteren Vereinfachung ersetzen wir tot v durch eine Konstante tot und f uhren die Gr osse Beweglichkeit e m ein. F die Stromdichte der Elekur tot tronen folgt
Nach partieller Integration erh man alt
2.2.2 Monte-Carlo-Methode - Man verfolgt Trajektorien der einzelnen Elektronen und l sie nach dem asst Zufallsprinzip streuen. - Alle zu betrachtenden Streumechanismen (Phononen, St orstellen, ...) werden durchindiziert. Die Streurate des -ten Mechanismus ist v
- Die Wahrscheinlichkeit, dass ein Elektron bis zur Zeit t + dt nicht gestreut wurde, ist
(dt v S v v dt 1 v ist die Wahrscheinlichkeit, dass das Elektron im Zeitintervall dt gestreut wurde.)
Pt
Pt
dt
P t P dt
dt S v v v
S v v
def
1 v
also das Ohmsche Gesetz. Dazu wurde die Denition der Elektronendichte n ahigkeit e n benutzt. v f 0 v und der Leitf n
jn
e f v
v E
e n E
n E
jn
ev
vv
e f v v v
e f v
e v E v f v
eE v f m
f 1 v tot v
(2.8)
(2.9)

x(t) a) x
27
y t v(t) b)
trajectory.ID.epsi 111 78 mm
c)
trajectory
v t
Schematische Darstellung der stochastischen Bewegung eines Elektrons im Falle reiner Diffusion (kein Feld). a) x t -Diagramm. b) v t -Diagramm: Nach jedem Stoss hat die Geschwindigkeit einen neuen, konstanten Wert. c) Trajektorie in der x-y-Ebene.
- Daraus folgt die Differentialgleichung
mit der L osung (man beachte, dass P(0) = 1)
Die Zeit t ist also gleich der freien Flugzeit t f vom Anfangszeitpunkt t 0 an gerechnet. P nimmt Werte zwischen 0 und 1 an, ist also eine echte Wahrscheinlichkeit. Sie kann durch Zufallszahlen r f zwischen 0 und 1 beschrieben werden. - Auf diese Weise kann die zuf llige freie Flugzeit t f eines Elektrons aus a tot
dt
tf
1 vt
Pt
exp
dt
im Intervall 0 t
ln r f
S v v
dP dt
P S v v v
(2.10)
(2.11)
28
berechnet werden. Die numerische Au osung dieser Gleichung nach der oberen Integrationsgrenze t f verbietet sich jedoch geradezu wegen der komplizierten Gestalt von tot v t . Deshalb f uhrt man eine ktive SelbstStreuung
tot v
ein, die wegen vv offenbar den Zustand des Elektrons nicht ver andert (daher der merkw urdige Name Selbst-Streuung). Das Hinzuf ugen von Sf ict zur BG hat keine Wirkung, da sich in-scattering- und out-scattering-Term kompensieren. Der Sinn der Einf uhrung von Sf ict wird sofort deutlich: Die Gesamt-Streurate ist nun n amlich 1 v S f ict v const und Gletot ichung (2.11) f die freie Flugzeit vereinfacht sich zu ur ln r f d.h. der numerische Aufwand reduziert sich auf die Berechnung des Logarithmus der Zufallszahl. In der Praxis nimmt man f die obere Grenze ur der Streurate aller realen Prozesse. - Nach der Zeit t f wird das Elektron gestreut. Es muss ein bestimmter Streumechanismus ausgew urfelt werden. Der -te Mechanismus (inclusive der Selbst-Streuung) wird mit Hilfe der Zufallszahl rs uber die Ungleichung
1
bestimmt. Veranschaulichung:
Um so st arker ein bestimmter Streumechanismus, um so gr osser 1 und um so gr osser die Wahrscheinlichkeit, dass er ausgew urfelt wird. Die ganze Physik wird also in die Wichtung gesteckt. - Der Endzustand nach der Streuung (v ) muss unter den Restriktionen der Energie- und Impulserhaltung f das Gesamtsystem der Stosspartner ausur gew werden. Wenn eine Hyper ahlt ache existiert, muss der konkrete v Vektor ausgew urfelt werden, z.B. im Falle der elastischen Streuung ( v
2 iv
wenn
zB
rs
1 ac
1 j j 1
rs
j 1
j
1 ac 1 iv
tf
S f ict v
v 1
S f ict v v

(2.12)
S v v
vv

j= Type = Rate = 0 rs 1 ac ac
1
29
3 imp 4 ee ee
1
2 iv iv
1
5 self-scatt. Sfict
streumech.ID.epsi imp 100 33 mm
v ) der Elektronen in Silizium ein bestimmtes Tal und ein bestimmter Winkel:

- Die makroskopischen Gr ossen, wie mittlere Driftgeschwindigkeit, Stromdichte, Elektronentemperatur, ... werden nach gewissen (Beobachtungs-) Zeitintervallen t durch Ensemble-Mittelung bestimmt.
v
endzustand.ID.epsi 61 58 mm
30
mc-ow.epsi 132 162 mm
Fluss-Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation f den Fall eines homogenen Halbleiur ters.
Momenten-Methode
3.1 Hydrodynamische Transportgleichungen, Drift-DiffusionsModell

Ziel ist die Ableitung von kinetischen Gleichungen f Mittelwerte einer Funktion ur v
aus der Boltzmann-Gleichung.1 Dabei geht ein betr achtlicher Teil an Information verloren (n amlich der uber die Geschwindigkeiten der einzelnen Teilchen), aber die Gleichungen werden einfacher und numerisch schneller l osbar. bleibt nat urlich eine Funktion von r und t, was wir nicht explizit mitschreiben. Wir betrachten jetzt das Produkt aus Dichte n r t und dem Mittelwert und leiten dieses Produkt explizit nach der Zeit ab:
F f t setzen wir die Boltzmann-Gleichung (2.7) ein, wobei wir den ur l anglichen Stossterm mit der Bezeichnung f t coll abk urzen:
coll
Um alle Terme auf der rechten Seite wieder durch Mittelwerte ausdr ucken zu k onnen, darf keine Ableitung von f unter dem Integral stehen. Im zweiten Term
1 Diese
Ableitung folgt der von K. Bltekjr (IEEE TED 17, 38 (1970)) vorgeschlagenen Methode.
31
d3v v v f
d 3 v v v f
F0 m
d3v f
d3v v
v r f
n t
F0 v f m
f t t
d3v v f r v t
d3v v
n t
f rvt t
coll
d3v v f r v t
1 nrt
d3v v f r v t d3v f r v t
(3.1)
32
CHAPTER 3. MOMENTEN-METHODE
muss daher eine partielle Integration durchgef werden uhrt
coll
was man in verallgemeinerter Form als
schreiben kann. Diese Gleichung ist eine Bilanzgleichung f die verallgemeinur erte Dichte n . Ihre explizite zeitliche Anderung ist mit der Divergenz einer n v und dem Auftreten einer verallgeverallgemeinerten Stromdichte j meinerten treibenden Kraft F F0 v m verkn upft. m W ahlt man v speziell als Potenz der Geschwindigkeit, d.h. v , erh alt man eine Hierarchie von Erhaltungss atzen f Teilchendichte (m=0), Teilchenur Stromdichte (m=1), Energiedichte (m=2) und Energie-Stromdichte (m=3). ur Man nennt n vm das m-te Moment von v und die entsprechende Gleichung daf das m-te Moment der Boltzmann-Gleichung. Sprechen von jetzt ab wieder von Elektronen (Index n). m=0
Einsetzen in Gleichung (3.3) liefert den Erhaltungssatz f die Elektronendichte ur n (Kontinuit ts-Gleichung): a
coll
(jn ist die elektrische Stromdichte).
n t
1 r jn e
n t
v0
n v
jn e
nF
n t
r j
n t
coll
n t
n v
F0 m
(man beachte, dass f f v ur des Mittelwerts (3.1), folgt
verschwindet). Benutzt man jetzt die Denition
n t
d 3 v v v f
d 3 v v v
(3.2)
(3.3)
(3.4)
3.1. HYDRODYNAMISCHE TRANSPORTGLEICHUNGEN, DRIFT-DIFFUSIONS-MODELL
33
m=1 Betrachten zun achst nur die x-Komponente von v.
Um r j zu berechnen, zerlegen wir die Geschwindigkeit in die Summe aus Mittelwert und Abweichung vom Mittelwert: Offenbar gilt v 0. Der erste Term ist die mittlere Driftgeschwindigkeit, der zweite Term beschreibt die zuf alligen Fluktuationen der ElektronenGeschwindigkeit um diesen Wert herum. Man k onnte auch sagen, v ist ein Mass f die chaotische Bewegung. Die Zerlegung f auf ur uhrt n v vx

Bei der Anwendung der Divergenz muss man beachten, dass s amtliche Mittelwerte Funktionen von r sind. Auf den ersten Term wird die Produktregel bzgl. der Faktoren n v und vx angewendet:
Geht man jetzt zum Vektor v uber, erh man f das 1. Moment der BG alt ur
Wir denieren jetzt die mittlere Elektronen-Temperatur (am Ort r) uber die mittlere kinetische Energie der chaotischen Bewegung:
Tn ist der Temperatur-Tensor, kB die Boltzmann-Konstante. Multipliziert man Gleichung (3.6) noch mit der Ladung des Elektrons (-e), folgt der Erhaltungssatz f die Elektronen-Stromdichte ur
coll
v r jn
j t n
jn r v
e r nkB Tn mn
e2 E n mn
1 k B Tn 2
nv t
coll
mn v 2
jn t
n v
v r

n v r v
nv t F0 n mn
n v
n v
r j
vx r
n v r vx
n v vx
n vvx
n v vx
vx
vx
v1 x
vx
n v vx
F0 x mn
(3.5)
(3.6)
(3.7)
(3.8)
34
m=2 Berechnen zuerst den Mittelwert f diesen Fall. ur

2
wobei Sp die Spur des Tensors bedeutet (Summe der Diagonalelemente der Matrix). Die mittlere Energie der Elektronen wird als Summe aus einem Driftanteil und einem W armeanteil geschrieben:
Wir erhalten also f im Falle m = 2: ur
F die verallgemeinerte Stromdichte ergibt sich ur v v 2 2 v v v v v 2 mn 2 mn v v 2 mn v v n v v 2 2 2 1 1 wn Sp kB Tn Sp kB Tn k B Tn 2 2 kB T n n v v 2

Der letzte Term ist ein Term dritter Ordnung in der Geschwindigkeit, dessen Berechnung nur mit Hilfe des 3. Moments der BG erfolgen kann. Wir wollen die Hierarchie jedoch bei m = 2 abbrechen. Dazu muss der Term dritter Ordnung durch Gr ossen niedrigerer Ordnung ausgedr uckt werden. Physikalisch beschreibt
n v v 2 2 nv wn mn
nv

(3.10)
2 mn 2 nv mn
n v
n v v2
2 v v
v 2
2 wn mn
wn

mn v 2
1 Sp kB Tn 2
v 2

Wegen kB Tn
mn v
v ist der letzte Term 1 Sp kB Tn mn
v 2
v2 v
2 v v
v 2
(3.9)
35
dieser Term offenbar den chaotischen (diffusiven) Transport von W arme. Man macht deshalb den ph anomenologischen Ansatz
und nennt Qn die konduktive W arme-Stromdichte, sowie die thermische n Leitf ahigkeit der Elektronen. Dabei ist T Sp Tn 3. Man darf die thermische n Leitf ahigkeit der Elektronen nicht mit der thermischen Leitf ahigkeit des Halbleiters verwechseln. Letztere tritt in der W armeleitungs-Gleichung f das Gitter ur auf und ist um Gr ossenordnungen gr osser als (d.h., das Elektronengas ist ein n schlechter W armeleiter). Anwendung der Divergenz auf j ergibt dann

v un

Qn
mit der Denition f die Energiedichte u n wn . Das 2. Moment der BG ur n kann man nun hinschreiben. Es liefert den Erhaltungssatz f die Energiedichte ur der Elektronen.
coll
mit der Energie-Stromdichte

Sie setzt sich aus einem konduktiven Anteil (Qn ) und einem konvektiven Anteil zusammen. Letzteren erkennt man daran, dass er proportional zu n v ist, also zur elektrischen Stromdichte jn . Die Elektronen tragen bei ihrer gerichteten Bewegung Energie mit sich, und zwar ihre mittlere Energie wn und W arme-Energie kB Tn . Der dritte Term auf der linken Seite von Gleichung (3.12) ist die bekannte Joulesche W arme. Behandlung der Stossterme Der Stossterm in seiner allgemeinen Form wird geschrieben als

coll
coll
coll
Der erste Anteil beschreibt St osse, bei denen die Elektronen in den Leitungsb andern verbleiben (Intra-Term), der zweite beschreibt St osse, die zu einer expliziten Anderung der Elektronenzahl in den Leitungsb andern f uhren
n t
Sn
v un
nkB Tn v
Qn
n t
jn E
un t
r Sn
un t
r j
n kB T n v
2 r mn
Qn
mn n v v 2 2
n r Tn
(3.11)
(3.12)
(3.13)
(3.14)
36
(Inter-Term oder Generations-Rekombinations-Term). Die explizite zeitliche Anderung von n durch St osse ist gleich der Netto-Generationsrate G R:
coll
F den Intra-Term machen wir die Relaxationszeit-N ur aherung:
Hier bezeichnet eine makroskopische Relaxationszeit, die ein Mass daf ur ist, wie schnell das System der Elektronen in den Gleichgewichts-Zustand eq zur uckkehrt, wenn es im Nichtgleichgewichts-Zustand war. Das Ergebnis f die ersten drei Momente lautet: ur
eq
p n heisst Impuls-Relaxationszeit (der Elektronen), E n heisst EnergieRelaxationszeit (der Elektronen). Die mittlere Energie eines Elektrons im thermodynamischen Gleichgewicht ist nat urlich w eq 3kB TL 2 mit der n Gittertemperatur TL . (Thermische Energie pro Freiheitsgrad kB TL 2.) Im Gleichgewicht sind die Elektronen thermalisiert und haben die Temperatur des Kristallgitters. Hydrodynamisches Modell Die endg ultige Form des hydrodynamischen Transport-Modells folgt unter Benutzung folgender Relationen.
n ist die Beweglichkeit der Elektronen.
Dn
kB Tn n e
e p n mn
wn G
(3.15)
(3.16)
da v
n G R t coll v 1: n v G R n t p n coll wn wn eq mn 2: n n 2 t E n coll 0:
da
coll
eq
n t
37
heisst Einstein-Relation zwischen Diffusions-Koefzient und Beweglichkeit.
ist die Beziehung zwischen elektrischer Feldst arke und elektrostatischem Potential r . Alle Ladungen im Bauelement erzeugen ein D-Feld, das L osung der makroskopischen Maxwell-Gleichung
ist. In dieser Gleichung ist r die lokale Dichte s amtlicher Uberschussladungen, d.h.
mit der L ocherdichte p r , der Dichte ionisierter Donatoren N r , und der D Dichte ionisierter Akzeptoren NA r . Elektrisches Feld und D-Feld sind uber die statische Dielektrizit atskonstante miteinander verkn upft: s
wobei s im allgemeinen Falle ein Tensor ist (wovon wir absehen wollen). Kombination der letzten drei Gleichungen f uhrt auf die Poisson-Gleichung, die zu jedem Transport-Modell dazugeh ort:
Der Temperatur-Tensor Tn wird noch wie folgt vereinfacht:
mit dem Einheits-Tensor I und der skalaren (ortsabh angigen) ElektronenTemperatur Tn . Wir setzen das 1. Moment des Stossterms in das 1. Moment der BG ein, gehen zur skalaren Temperatur Tn uber und benutzen die Denition der Beweglichkeit.
ev G

jn p n
v r jn
jn r v
j t n
Tn
Tn I
n r nkB Tn p n
en
n E p n
e nr
pr
ND r
NA r
r 0 s r r
Dr
s E r
e nr
pr
ND r
NA r
r D r
1 r 0
Er
r r
(3.17)
(3.18)
(3.19)
(3.20)
(3.21)
(3.22)
38
Nun ist

Im letzten Schritt wurde die Kontinuit ats-Gleichung (3.4) f n t eingesetzt. ur Man sieht, dass die beiden letzten Terme zwei identische Terme in (3.22) kompensieren. Es bleibt
Multipliziert man die letzte Gleichung mit p n , wendet die Produktregel bzgl. r nkB Tn an, benutzt die Einstein-Relation im r n-Term, ersetzt die Feldst arke durch den Gradienten des elektrostatischen Potentials und dr uckt v wieder durch jn aus, folgt
(3.23)
Zusammenfassend seien alle Gleichungen des hydrodynamischen TransportModells noch einmal aufgef uhrt:
(3.27) (3.28)
Da wir nur die Elektronen behandelt haben, kommen jetzt noch die entsprechenden Bilanz-Gleichungen f die L ur ocher hinzu. Man bekommt sie einfach durch die Ersetzungen n p, e e und Vertauschung der Indizes n p . Der Term, der
Sn
Qn
1 wn e
kB Tn jn
en nr
jn n
p n j r e n
jn n
kB Tn e
E n
jn E
r Sn
wn G
n wn t jn n p n t

3kB TL 2
n t
1 r jn e wn n
e n
ND
NA
r 0 s r
(3.24) (3.25) R (3.26)
eDn r n
jn
n p n
en nr
jn n
p n j r e n
jn n
kB Tn e
eDn r n
en
jn r v
v t
n r nkB Tn p n
en
n E p n
jn p n
en
v r jn
ev G
v t
e n
j t n
nv t
v t
n t
39
beide Teilchensorten am st arksten koppelt, ist der Generations-RekombinationsTerm G R , aber auch die Beweglichkeiten n , p sind von der ElektronLoch-Streuung beeinusst. Dass man uberhaupt separate Momentengleichungen f Elektronen einerseits und L ur ocher andererseits betrachten darf, setzt voraus, dass beide Ladungstr agersorten nur hinreichend schwach gekoppelt sein d urfen. Dazu muss die Relaxation innerhalb der Subsysteme viel schneller ablaufen als Interband-Prozesse. Unter normalen Betriebsbedingungen ist dies der Fall. Die Variablen des hydrodynamischen Transport-Modells sind , n, p, w n und w p . Alle sind Funktionen von r und t. Die Poisson-Gleichung ist stark nicht-linear, da die Dichten exponentiell vom elektrostatischen Potential abh angen. Die Gleichungen f j p und Sn p nennt man konstituierende Gleichungen. Alle Gleur n ichungen sind untereinander stark gekoppelt. Besondere numerische Probleme bereiten die Terme, die quadratisch in jn p sind. Die Gleichungen sind durch Randbedingungen zu komplettieren. Man unterscheidet k unstliche und nat urliche Randbedingungen. Erstere sind erforderlich, weil das Simulationsgebiet immer nur einen Teil des gesamten Bauelements umfasst. Sie m ussen so formuliert werden, dass sie keinen Einuss auf die berechneten Kennlinien haben. Nat urliche Randbedingungen braucht man an ausseren und inneren Grenz achen, an den Grenzen zu Metall-Kontakten und zu GateOxiden. Diese Randbedingungen werden selbst oft als physikalische Modelle formuliert. In den Gleichungen treten eine Reihe von Transport-Koefzienten auf. F ur diese braucht man physikalische Modelle als Funktion der Betriebsbedingungen (Temperatur, Dotierung, ...). Diese Modelle m ussen die Physik m oglichst gut beschreiben, andererseits aber auch analytisch m oglichst einfach sein, um keine numerischen Probleme zu erzeugen. Konkret ben otigt man Modelle f ur die Abh angigkeit der Dichten n und p vom Potential (Poisson-Gleichung), weil in diese Beziehung (direkt oder indirekt) die Energiel ucke eingeht. Die Energiel ucke h angt von der Gittertemperatur, der Dotierung und den Dichten selbst ab. den Ionisationsgrad der Dotierung NA ND . Nicht alle elektrisch aktivierbaren (d.h. substitutionell eingebauten) Dotieratome sind auch ionisiert. Der Ionisationsgrad h angt von der Dotierungs-Konzentration und der Gittertemperatur ab. Er kann sogar eine explizite Funktion der Zeit sein (dynamische Umladungsprozesse). die Generations-Rekombinations-Raten. Beispiele sind die ShockleyRead-Hall-Rekombination, Stossionisation, Interband-Tunneln, AugerRekombination und defekt-assistiertes Tunneln.

die Beweglichkeiten n , p als die entscheidenden Transport-Parameter
40
f MOSFET-Kennlinien. Sie sind Funktionen der Gittertemperatur, der ur Dotierung, der Feldst arke in Stromrichtung und in MOSFETs auch Funktionen der Feldst arke senkrecht zur Si-SiO -Grenz ache. 2 die Impuls- und Energie-Relaxationszeiten.

die thermischen Leitf ahigkeiten der Elektronen und L ocher.
etemp-hyd.epsi 103 66 mm
T-e K +5.496e+03 +4.196e+03 +2.897e+03 +1.597e+03 +2.971e+02
Verteilung der Elektronen-Temperatur in einem 0.25m-MOSFET bei 2 V SourceDrain-Spannung und 1.5 V Gate-Spannung. Simulation im Energie-Balance-Modell.
Energie-Balance-Modell F praktische Anwendungen wird das hydrodynamische Transport-Modell ur weiter vereinfacht. Man macht folgende N aherungen: j n p n t nn 0
n
mn 3 3 2 wn 2 v 2 kB Tn 2 kB Tn Damit reduziert sich das Transport-Modell zum sogenannten Energie-BalanceModell. Anstelle der Gleichungen (3.26), (3.27) und (3.28) erh man alt 3nkB 3 r Sn jn E Tn TL kB Tn G R (3.29) 2E n 2
n wn

p n e
jn r
jn
41
Die System-Variablen sind , n, p, Tn und Tp . In allen F allen, in denen man Effekte heisser Ladungstr ager vernachl assigen kann, setzt man n Tp TL , und T Gleichung (3.30) reduziert sich auf die sogenannte Drift-Diffusions-Gleichung
Zusammen mit Poisson- und Kontinuit ats-Gleichung ergibt (3.32) das DriftDiffusions-Modell. Der Name weist nat urlich auf die beiden Bestandteile Drift und Diffusion in (3.32) hin. Die N aherungen, die vom hydrodynamischen Transport-Modell zum EnergieBalance-Modell f uhren, bed urfen noch einer physikalischen Interpretation. Die beiden vernachl assigten Terme in der Stromdichte-Gleichung muss man gegen jn selbst absch atzen (erster Term). Betrachtet man nur die Betr und geht zu age Differenzen uber, folgt p n

Die erste Bedingung bedeutet, dass von aussen induzierte zeitliche Anderungen von v klein sein m ussen gegen die totale Streurate. (Die mittlere Driftgeschwindigkeit relaxiert sehr schnell auf einer Zeitskala, die z.B. durch Schaltvorg ange gegeben ist.) Ein typischer Wert von p n ist 10 13 s. Damit w eine Picosekunde etwa die untere Grenze f die Zeitkonstante are ur ausserer St orungen. Die zweite Bedingung bedeutet, dass die ortliche Anderung von v klein sein muss gegen die totale Streurate. Nimmt man f v die S ur attigungsDriftgeschwindigkeit der Elektronen in Silizium bei Raumtemperatur v n sat 107 cm s, ergibt sich als Bedingung r 10 nm. Diese Bedingung ist in KurzKanal-MOSFETs bereits verletzt. Die Vernachl assigung der expliziten Zeitableitung der Energiedichte ist dann gerechtfertigt, wenn
angenommen werden kann, d.h. die Energie-Relaxationszeit muss immer noch klein gegen die Zeitkonstante ausserer St orungen bleiben. Ein typischer Wert f ur
un t
un E n
(3.34)
und
v t
v r
jn
en nr
eDn r n
1 p n
Sn
jn
en nr
kB Tn eDn r n e 5kB Tn jn n r Tn 2e
(3.30) (3.31)
(3.32)
(3.33)
42
E n ist 0.3 Picosekunden. Die Vernachl assigung des Driftanteils der mittleren Energie gegen uber der mittleren thermischen Energie kann ebenfalls uber die S attigungs0 3 m0 ergibt sich Driftgeschwindigkeit begr undet werden. Mit m n 5 7 meV kB Tn , d.h. selbst kalte Elektronen (bei 300 K Gittertemperatur) erf ullen noch knapp die Voraussetzung. (Bei 77 K nicht mehr.)
3.2 Thermodynamisches Modell
Dieses Transport-Modell basiert auf den Prinzipien der irreversiblen Thermodynamik. Man sieht das Bauelement als thermodynamisches System aus Elektronen, L ochern und Gitter an. Die Subsysteme seien durch GleichgewichtsVariablen
charakterisierbar. (c p sind die chemischen Potentiale.) Die Dichte der inneren n Energie utot des Gesamt-Systems ist eine Erhaltungsgr osse, folglich gilt die Kontinuit ats-Gleichung
mit der totalen Energie-Stromdichte ju tot . (Wir benutzen hier nicht das Symbol S, um Verwechslungen mit der Entropie S zu vermeiden.) Zur inneren Energie geh auch das elektrostatische Potential r , das von der Ladungsdichte ort
erzeugt wird. Die Anderung der Energiedichte des elektrischen Feldes ergibt sich wegen
zu
Der Beitrag der Donatoren und Akzeptoren wird im folgenden der Einfachheit halber weggelassen, womit lediglich das System auf die drei oben genannten
E D
e dn
dp
dND
dNA
d 3 r E D
d 3 r r D
d 3 r r D
d 3 r r
e nr
pr
ND r
NA r
utot t
r ju tot
Tn c n
Tp c p
TL
(3.35)
(3.36)
3.2. THERMODYNAMISCHES MODELL
Subsysteme beschr ankt bleibt. Die totaleAnderung der Entropiedichte aller drei Subsysteme ist dstot
Der Grund, warum hier anstelle der chemischen Potentiale die Gr ossen E n und F EF p auftreten, ist, dass wir wegen Gleichung (3.36) die elektrostatische Energie e zu den chemischen Potentialen dazugeschlagen haben. Man nennt E F n p elektro-chemische Potentiale oder auch quasi-Fermi-Energien:
np

Oft werden auch quasi-Fermi-Potentiale verwendet:

np

wobei das intrinsische Energieniveau Ei ni eff des Halbleiters deniert ist: Ei

0
uber die effektive intrinsische Dichte
Im totalen Differential der Entropiedichte (3.37) ist das letzte Vorzeichen , weil System plus Loch aquivalent ist zu System minus Elektron. Aus (3.37) erh man sofort die totale Entropie-Stromdichte alt
die der Kontinuit ats-Gleichung
s tot
r js tot
stot t
js tot
1 j Tn nu
1 j Tp pu
1 j TL Lu
EF n j eTn n
EF p j eTp p
(3.41)
(3.42)
Ec
kB Tn ln
ni eff Nc
n p
EF
Ei
EF
c p r n
e r
(3.38)
(3.39)
(3.40)
dun Tn
du p Tp
43
duL TL
EF n dn Tn
EF p dp Tp
(3.37)
44
gen ugt. Hier bezeichnet tot die Erzeugungsrate der totalen Entropiedichte. s Einsetzen von js tot und stot ergibt jnu j pu
Benutzt man den Erhaltungssatz der totalen Energie und die Kontinuit atsGleichungen f n und p, folgt ur jnu j pu
mit den Energie-Erzeugungsraten n p u der Subsysteme der Elektronen und L ocher. Die letzte Gleichung kann man formal als
X
schreiben, mit treibenden Kr aften, oder Afnit ten FX , und Fl a ussen j . Die X Grundannahme besteht nun darin, dass alle Fl usse j von allen Afnit aten F X X getrieben werden und dass dies mittels des linearen Ansatzes
ausgedr uckt werden kann (linear response). Die Proportionalit atsfaktoren heissen kinetische Koefzienten 1. Ordnung
LXY
jX FY
and XY
IX FY
jX
X FY
FY
IX
s tot
FX
jX
FY
IX
FY
EF n Tn
jp
EF p EF n jn r qTn qTp EF p 1 1 pu Tp TL Tp
1 Tn
s tot
1 Tn
1 Tp
1 jLu TL 1 nu TL
1 r jnu Tn EF n r jn eTn
jn
EF n eTn
EF p jp eTp u p un 1 1 r j pu r jLu t Tp t TL EF p EF n n EF p p r j p eTp Tn t Tn t
s tot
jLu
(3.43) uL t (3.44) (3.45) (3.46) (3.47)
1 Tn
1 Tp
1 TL
3.2. THERMODYNAMISCHES MODELL
Sie sind Tensor-Funktionen der lokalen intensiven Parameter. Das Onsager Theorem (L. Onsager, 1931) besagt, dass LXY LY X , wenn kein Magnetfeld existiert. F die f Stromdichten ergibt sich das Gleichungssystem ur unf
F praktische Zwecke ist es notwendig, die Matrix LXY zu reduzieren, inur dem bestimmte Elemente durch 0 ersetzt werden (minimales Kopplungssche ma). Z.B. vernachl assigt man die KoefzientenL12 (electron-hole drag) und L15 (phonon drag). Um das Prinzip zu demonstrieren, betrachten wir jetzt nur dasjenige minimale Kopplungsschema f j , bei dem die einzigen treibenden Kr ur n afte die Gradienten von elektro-chemischem Potential EF n und inverser ElektronenTemperatur Tn sind.
Vom Tensor-Charakter sei ebenfalls abgesehen, d.h L
worin n die elektrische Leitf ahigkeit und P die absolute thermo-elektrische n Kraft sind, ergibt sich f j : ur n Das entsprechende minimale Kopplungsschema f j f auf die Gleichung ur nu uhrt Nutzt man das Onsager-Theorem aus (L31 L13 ), kann man (3.53) auf die Form
L33
n Tn2
n Tn EF n e
Pn Tn
bringen. Da die eckige Klammer gleich Leitf ahigkeit der Elektronen), folgt
n sein muss (n
jnu
Pn Tn
EF n e j n
n Pn Tn Tn
EF n e
jnu
L31 r EF n eTn
L33 r 1 Tn
jn
n r EF n e
Pn r Tn
L11 L13
n Tn n Tn EF n e
Pn Tn
jn
EF n L11 r eTn
1 L13 r Tn
IL. Mit den Denitionen (3.50) (3.51)
L33 r Tn Tn2 thermische (3.54)
jn jp jnu j pu jLu

L11 L21 L31 L41 L51
L12 L22 L32 L42 L52
L13 L23 L33 L43 L53
L14 L24 L34 L44 L54
L15 L25 L35 L45 L55
r r r r r
EF n eTn EF p eTp 1 Tn 1 Tp 1 TL
45
(3.48)
(3.49)
(3.52)
(3.53)
46
Somit ergibt sich f die Energie-Stromdichte der Elektronen ur
bestehend aus einem konduktiven und einem konvektiven Term. Vergleich mit Drift-Diffusions-Modell Wenn ein nichtentarteter Halbleiter mit parabolischer Bandstruktur vorausgesetzt wird, sieht man durch direkte Berechnung von r n EF n Tn , dass jT D jDD n n genau dann gilt, wenn
Die erste Bedingung entspricht einer speziellen Wahl des Energie-Nullpunkts, die zweite kann man als Modell der absoluten thermo-elektrischen Kraft auffassen. Vergleich mit Energie-Balance-Modell 3 Die Energie-Stromdichten werden gleich (jT D Sn ), wenn wn nu 2 kB Tn angenommen wird und im Energie-Balance-Modell die mittlere thermische Energie durch
ersetzt wird. Neben der Verschiebung des Energie-Nullpunkts muss man im Energie-Balance-Modell auch noch die potentielle Energie addieren. Die zu (3.57) aquivalente Ersetzung der Energie-Stromdichte lautet S Sn Ei r jn e. n
wn
wn
Ec r
Ec
Ei
Ei
sowie Pn
kB n ln e Nc
5 2
(3.56)
(3.57)
jnu
n r Tn
EF n e
Pn Tn jn
(3.55)
Numerische Methoden fr die Simulation u von Bauelementen

by Bernhard Schmith sen u
4.1 Skalierte Gleichungen und Lsungsprozedur o

4.1.1 Die Physikalischen Gleichungen Die grundlegenden van Roosbroecks Gleichungen des Ladungstr agertransports in Halbleitern sind die Poisson-Gleichung und die beiden Kontinuit atsgleichungen (im folgenden wird die Netto-Rekombinationsrate R G einfach mit R bezeichnet): e p n C (4.1) n e jn eR (4.2) t p e j p eR (4.3) t vervollst andigt durch die Stromgleichungen (unter Benutzung der Einstein Relation D UT )
F MOS-Bauelemente wird in Isolatoren (z.B. SiO ) die Poissongleichung ur 2 (unter Vernachl assigung mobiler und xer Ladungen) gel ost: Die Metallregionen geh oren nicht zum (elektrischen) Simulationsgebiet, auch wenn einfache Modelle integriert werden k onnten. Die eigentliche Physik besteht
47
jp
jn
en nn en UT n n e p p p e p UT p p
(4.4) (4.5)
(4.6)
48
CHAPTER 4. NUMERISCHE METHODEN
in den Voraussetzungen der G ultigkeit der Gleichungen und steckt in den Parametern Beweglichkeit und Rekombination R:
Mathematisch handelt es sich im station aren Fall um ein gekoppeltes System elliptischer Gleichungen. 4.1.2 Randwerte Versehen mit Anfangswerten und Randbedingungen ist das ein wohl gestelltes Problem. Die Existenz und Eindeutigkeit der L osung ist mathematisch unter restriktiven Anforderungen nachgewiesen. A Artizielle Randwerte Diese treten an k unstlich eingef uhrten Begrenzungen des Simulationsgebietes auf, und sollten so gew werden, dass sie das Modell nicht signikant ahlt st oren:
B Physikalische Randwerte Physikalische Randwerte treten an Materialgrenzen und Kontakten auf. (a) Kontakte (i) Ohmsche Kontakte: Normalerweise werden
f die Dichten, und verschwindender Strom im thermodyur namischen Gleichgewicht gefordert, resultierend in DirichletRandwerten f alle L ur osungsvariablen. (ii) Schottky Kontakte C Halbleiter-Isolator Grenz chen a Im allgemeinen fordert man semi semi ins ins jn j p 0
np n C
n2 i 0
thermodynamisches Gleichgewicht Ladungs-Neutralit at
jn
jp
x 0 R x n p
4.1. SKALIERTE GLEICHUNGEN UND LOSUNGSPROZEDUR
49
4.1.3 Die skalierten (station aren) Gleichungen Um dimensionslose Gr ossen zu erhalten und die Werte in numerisch behandelbare Gr ossenordnungen zu bringen skaliert man die Gleichungen (de Mari Skalierung):
4.1.4 Wahl der Variablen Die Wahl der Variablen bestimmt die Gestalt der Gleichungen und damit das numerische Verhalten: Potential und Dichten n p - n p 0 ist numerisch nicht zu erwarten w ahrend der Iteration - Kontinuit atsgleichungen linear in n p (falls Beweglichkeit unabh angig von den Dichten) Potential und Quasi-Fermi Potentiale n p - Dichten automatisch positiv (n exp n ). ur - Nichtlinear in n p (auch f konstante Dichten).
Dichten n u exp , p v exp nicht automatisch positiv. Konvektiver Term verschwindet. Stark variierende Diffusivit at. Explizite Berechnung von exp erforderlich. mathematisch interessant, da Kontinuit atsgleichungen selbstadjungiert werden (ausgebaute Theorie).
Potential und Slotboom-Variablen u v
jp
jn
n nn n n n p p p p p p
jn j p
p n R R
(4.7) (4.8) (4.9)
(4.10) (4.11)
50
4.1.5 Die L osungsprozedur A. Diskretisierung Das kontinuierliche Problem ist formuliert in (nicht-endlich-dimensionalen) Funktionenr aumen. Diskretisierung heisst, das Problem endlich dimensional zu machen. Wir erhalten eine (nichtlineare) Gleichung in IRn :

B. L osen der nichtlinearen diskreten Gleichung Nichtlineare Gleichungen k onnen nur iterativ gel werden: ost Gummel-Iteration Dies ist das klassische Verfahren (kleine Computer). Iterativ l man ost
Es ist offensichtlich, dass ein solches Verfahren nur bei geringer Kopplung der Gleichungen konvergieren kann. Newton- hnliche Verfahren a Die bekannte Newton-Iteration: Man weiss, dass f hinreichend gute Anfangswerte x die Konvergenz ur 0 quadratisch ist, falls F hinreichend glatt und die Nullstelle isoliert ist. Dies kann man in 1D leicht einsehen:
0
und
1
also
1
In mehrerenen Dimensionen ist das nicht so einfach zu beweisen.
xn
xn
O F xn
O xn
xn
F xn
O xn
xn
O F xn
1
xn
xn
F xn
F xn
F xn
F xn
F xn xn
xn
O xn
F xn xn
xn
F xn
F nk pk Fn k 1 pk Fp k 1 nk 1
F x
F x Fn x Fp x
k nk pk
1 1 1
(4.12)
(4.13)
xn
4.2. DISKRETISIERUNG
51
Multigrid-Verfahren Basiert auf der Idee, niedrig-frequente Anteile der L osung auf groben Gittern und die hoch-frequenten Anteile auf feinen Gittern zu bestimmen. Die ineinander geschachtelten Strukturen werden auf der geometrischen (Gitter) oder algebraischen Ebene (Matrix) benutzt. C. L osen der auftretenden linearen Gleichungen
Ax
(4.14)
Es gibt eine riesige Literatur uber die Numerik der linearen Gleichungen: Direkte Verfahren Basieren auf Gauss-Algorithmus. Iterative Verfahren Approximieren gegebene Matrix A durch einfacher zu invertierende Matrizen:
loweroffdiag A )
Memory-Bedarf klein, schnell, wenig robust, Konvergenz h angt stark von Eigenschaften der Matrizen ab.
4.2 Diskretisierung
4.2.1 Allgemeine Diskretisierungsverfahren Es gibt verschiedene allgemeine Verfahren. Die technisch relevanten erfordern ein Gitter auf dem Denitionsgebiet. - Finite Differenzen (FD): Substitution der Differentialoperatoren durch Differenzen: ui 1 ui 1 Du O h2 h e Einfach zu implementieren, RW technisch, schwierig in der Analyse des Konvergenzverhaltens.
Jacobi-Verfahren ( M diag A ) Gauss-Seidel-Verfahren ( M diag A Successive Overrelaxation (SOR) Krylow-Methoden (GMRES, CG, etc.)
xn
A xn
M M
N (splitting) Nxn b 1 M
52
- Finite Elemente Methode (FEM): Basiert auf schwacher Formulierung des 1 Problems: Sei H0 D , dann ergibt Integration der Poissongleichung:

Vorteile: Ausgedehnte Theorie (Fehleranalyse, etc.) - Box Methode (BM): Basiert auf Divergenz-Form der Gleichungen:
F 4.2.2 Anforderung an Diskretisierung
Um vern unftige Approximationen der kontinuierlichen L osung zu erhalten, sollte das diskretisierte Problem wesentliche Eigenschaften des kontinuierlichen Problems aufweisen: Teilchen-Erhaltung Lokale G ultigkeit des Gausschen Satzes. Die BM erf diese Bedingung ullt automatisch. Strom-Erhaltung Der diskrete Strom durch eine Fl ache sollte nur von der Fl ache abh angen. Maximum-Eigenschaft der elliptischen Operatoren Das diskrete Maximumprinzip (genauer Comparison Theoreme) elliptischer Operatoren ist die M-Matrix Eigenschaft: (i) Ai j 0 f r alle i u (ii) A ist invertierbar (iii) A 1 0 (d.h. A j

Denition 1 Eine reelle n
n Matrix A heisst M-Matrix, falls
ij
0 f r alle i, j ) u
Hinreichende (notwendige?) Bedingung f diskrete Comparison Theoreme ur und Stabilit at. Positivit der lokalen Dissipation at Das kontinuierliche System ist lokal dissipativ (z.B. f Auger und SRH ur Rekombination); die zu diskutierende SG-BM erh diese Eigenschaft und alt zeichnet sich dadurch aus. R log np dx
d n p
n n n
p p p
53
Weitere Anforderungen ergeben sich aus der Praxis: Konvergenz Aussagen uber Diskretisierungsfehler sind w unschenswert (p Ordnung der Approximation)
Anzahl der Gitterpunkte sollte m oglichst gering sein 2d-Gitter 10000 Punkte, 3d-Gitter erheblich gr osser. Zwang zu iterativen Techniken. Verschlechterung der Kondition der Matrizen. dunn besetzte Matrizen (sparse matrices) geringerer L osungsaufwand. Physikaliche Modelle: nur lokale Abh angigkeiten erlaubt (typischerweise nur von n achsten Nachbarn im Gitter). Andererseits dichte Matrizen oder keinen exakten Newton. 4.2.3 Diskretisierung der Poissongleichung Wir diskretisieren die Poissongleichung entsprechend der Box Methode auf dem dualen Voronoi-Gitter (mid-perpendicular box method), welche auf der lokalen Anwendung des Gaussschen Satzes beruht. Das Voronoi-Gitter entsteht durch die Mittelsenkrechten (in 2D eine Linie, in 3D eine Ebene) jeder Kante (edge), deren Schnittpunkte die Voronoi-Zentren bilden; die Voronoi-Boxen B i werden durch die Mittelsenkrechten (Voronoi-Fl achen) begrenzt. Notwendig und hinreichend f eine ur uberlappungsfreie Konstruktion ist die sogenannte Delaunay Eigenschaft Der Umkreis eines jeden Gitter-Elementes enthalt im Inneren keinen Gitter punkt. In 2D kann man Delaunay-Gitter aus Dreiecken und Rechtecken konstruieren. In 3D k onnen zum Beispiel Tetraeder, Quader, Prismen und Pyramiden verwendet werden. Die Poissongleichung ist vom Typ Lokal auf jeder Box Bi integrieren wir und wenden den Gaussschen Satz an: u j ui a x u x dx a x u x x dS x a i j x j x i si j Bi Bi j i
Bi

g x dx
B i gi
a x u x
gx
uh
O hp
54
Bi
E
Bi xi
si,j xj
ei,j
Figure 4.1: Gitter und duales Voronoi-Gitter
In 2D stimmen die Diskretisierungen der Standard-FE und Box-Methode f den ur Laplace-Operator uberein; in 3D sind sie (ausser auf gleichseitigen Tetraedern, die aber den Raum nicht ausf ullen) verschieden.
Stumpfe Winkel
Dreiecke mit stumpfen (obtuse) Winkeln ( 2 ) erfordern eine gewisse Aufmerksamkeit, da das Voronoi Zentrum ausserhalb des entsprechenden Elements liegt. Falls man, wie man das bei FEM tut, jedes Element einzeln betrachtet, erh man alt
Die Delaunay Eigenschaft garantiert eine positive Voronoi ache f jede Kante, ur d.h.
si j
sEj1 i
sEj1 i
, sEj2 i
sEj1 i
sEj2 i
Bi p i

ni
also erhalten wir f die Poissongleichung ur si j F i i j i j x j xi j i
Ci
(4.15)
55
was auf jeden Fall gew unscht ist, da sich andererseits das Vorzeichen umkehrt. Um weiter elementweise assemblieren zu k onnen, setzt man
0 ,
Falls der stumpfe Winkel einer Interface-Kante gegen uberliegt, w urden sich die Volumina der einzelnen Regionen ver andern, folglich verlangt man constrained Delaunay Gitter.
xk Bk
E1
xi
E Bi 1 E Bi 2
Figure 4.2: Box method
4.2.4 Diskretisierung der Kontinuit atsgleichungen Die Kontinuit atsgleichungen sind Konvektions-Diffusions-ReaktionsGleichungen. Man weiss, dass auf nicht hinreichend feinen Gittern die standard FE Diskretisierung unstabil ist. Ausserdem k onnen stumpfe Winkel in Delaunay Gittern die Stabilit bei nicht konstanter Diffusivit st at at oren. Viele Diskretisierungen sind erfunden worden, um dieses Stabilit atsproblem zu reduzieren (Stichworte: upwinding, numerical and articial diffusivity, SUPG, streamline diffusion, etc.). Die Scharfetter-Gummel Box Methoden Diskretisierung ist auf allen DelaunayGittern stabil !
sEj1 i
sEj2 i
sEj2 i
E1
E } s i,j
s i,j1
2
xj
E2
56
Die singul re St rungsanalyse besch a o aftigt sich mit dem Fall, dass der Diffusionsterm g anzlich vernachl assigbar wird. Sie kann das Ph anomen von Layern (starke Variationen der L osungen) erkl aren, indem sie das reduzierte Problem betrachtet, welches sich durch Streichen des Diffusionsterms ergibt.
Ein einfaches Modelproblem
Wir demonstrieren die Instabilit der FD-Methode anhand eines Modellprobat lems, einer Vereinfachung der Kontinuit atsgleichung auf dem Interval 0 1 :
2h
also
In Worten:
Die Gleichung stellt also Anforderungen an das Gitter oder die Diskretisierung! F die standard FEM erhalten wir die gleiche Diskretisierung. Die resultierende ur Matrix ist keine M-Matrix. Die charakteristische Gr osse P 2 heisst mesh peclet number.
Die L osung oszilliert falls h
s s
1 1
h 2 h 2
s 2
und s
ni Seien nun s Dann erhalten wir
ni h
ni
ni
die (approximierten) Dichtegradienten. s 0
ni
2ni h2
ni
ni
ni
Einfache FD-Diskretisierung: Wir legen ein aquidistantes Gitter zugrunde (h
x i
nx
exp x exp
und nehmen an
sei konstant. Die exakte L osung ist 1 1 01
n n0 n1
0 0 1
1 1
xi ) und erhalten 0
2!
4.2. DISKRETISIERUNG 1D Scharfetter-Gummel Diskretisierung
57
die Slotboom-Variable ist. Also ist J u exp Unter der Annahme, dass , J konstant sind und linear ist folgt also
und die L osung des resultierenden diskreten Systems stimmt mit der exakten L osung in den Gitterpunkten uberein. Die Matrix ist eine M-Matrix, also eine stabile Diskretisierung unseres Modellproblems. Der Gewinn an Stabilit at wird mit einem Verlust an Konsistenz bezahlt, der sich in der Approximations-Ordnung auswirkt:
tridiag
x wobei wir die Bernoulli function B x exp x 1 benutzt haben. F unser Modellproblem erhalten wir (mit B ur B h , B Matrix
also haben wir f die konstante Stromdichte J auf dem Interval ur i i 1 exp i u i 1 ui J xi 1 xi exp i i 1 1 i i 1 exp i 1 ni 1 exp i ni xi 1 xi exp i exp i i 1 1 B i 1 i n i 1 B i i 1 n i xi 1 xi
i exp i
J exp
xi i
xi i
h ) die
exp
J exp

xi i
xi i
t xi
xi
xi
xi
J exp
u xi
u xi
i 1 i dt xi 1 xi i 1 i xi xi 1 xi
wobei u
exp
exp u
xi
1
Wir betrachten nun ein Interval xi xi schreiben
mit der Stromdichte J. Wir k onnen
58
Theorem 1 (Miller-Wang, Roos-Stynes-Tobiska)

MW
wobei die diskrete Norm vom Gitter abh ngt. Die Konstante C h ngt von dem a a singul ren Parameter ab, das heisst, die Konvergenz ist nicht gleichm assig. a Neue Diskretisierung von Xu und Zikatanov (1999): FE- ahnliche Diskretisierung mit garantierter Stabilit Delaunay-Eigenschaft wird durch andere Gittereigenat, schaft ersetzt (praktisch meshbar?). 4.2.5 Die Diskretisierten Gleichungen Zusammenfassend erhalten wir also die folgenden diskretisierten Gleichungen si j F i i j di j j i Bi pi ni Ci 0 j i si j Fn i Bi Ri 0 nj di j B i j ni B j i n j i j i p si j Fp i Bi Ri 0 i j d i j B j i p i B i j p j j i Bemerkungen: - Elementweise Assemblierung Zur Optimierung des Codes (Parallelisierung, Cache-Memory) will man elementweise assemblieren. D.h. man muss z.B. schreiben:

Um die sch onen Eigenschaften auch f Delaunay-Gitter zu behalten, ist ur es zwingend erforderlich, dass die Beweglichkeit nj E nicht wirklich vom i Element abh angt, sondern vorher gemittelt wird. Eine andere M oglichkeit ist die Voronoi-Kompensation vorher auszuf uhren (?). - Integration der Ladungen: Die Integration der Ladungen scheint zu ungenau (konstante Ladungsdichte per Box). F die nichtlineare Poissongleur ichung (d.h. Quasi-Fermi-Potentiale konstant und nicht die Ladugstr agererDichten) hat dies allerdings den Vorteil, dass die resultierende Matrix weiterhin M-Matrix bleibt.
E i BE i
j iE RE i
Fn
B i
j ni
B j
i n j
sEj i n i j E di j
uh
uI
Ch 2
4.3. GITTER
59
4.3 Gitter
H aug wird in Praxis der Einuss des Gitters auf das Simulationsergebnis untersch atzt. Die Gittereigenschaften werden nicht nur durch technische und geometrische Anforderungen bestimmt, sondern vor allem durch die darauf zu l osenden Gleichungen und die benutzte Diskretisierung. 4.3.1 Anforderungen an Gitter Approximation des Gebietes Akurate Beschreibung der Geometrie (R ander, Interfaces, etc.) leichter m oglich, wenn Elemente beliebige Formen annehmen k onnen. Element-Formen Tensorproduktgitter f FD, mixed-element meshes f FEM und BM ur ur Punktdichte Sollte m oglichst gering sein (bestimmt n amlich Gr osse der linearen Gleichungen), aber hinreichend in signikanten Teilen des Gebietes. Winkelbedingungen Mythos obtuse angle in 2D. Aus der numerischen Analysis weiss man Theorem 2 F r eine regul re Familie von Simplex-Gittern Th h is der u a Diskretisierungsfehler (in der Energie-Norm) einer hinreichend regul aren L sung von der Ordnung 1 o
Daraus leitet man in 2D ein Winkel-Kriterium ab, da die Stabilit atsKonstante sich verbessert. Die technischen Anforderungen sagen noch nichts uber die Qualit der Gitter. at Erfahrungstatsachen: Langsame Variation der Punktdichte, gute Approximation der Ladungsdichte und Rekombination R, Edges parallel und orthogonal zur Stromdichte. Gittergeneration ist eine schwierige Aufgabe, wenn man sowohl die technischen als auch die qualitativen Anforderungen erf ullen will: OCTREE 1D,2D und 3D. PARALLEL OFFSETTING Variante von Advancing Front. 2D.
uh
Oh
60
Figure 4.3: Octree und Normal-Offsetting Gitter mit Elektronen-Stromdichte
4.3.2 Gitter Adaption Die Gitter sollten im Idealfall von der L osung des diskreten Problems abh angen. Gitter-Adaption ist daher generell w unschenswert, doch muss man sich klar machen, wozu diese dienen soll und was sie leisten kann.
Equations Goal
Discretization
Grid Adaptation
Criteria
Final Mesh
Strategy
Figure 4.4: Komponenten der Gitter-Adaption
Silizium
5.1 Bandstruktur
Entstehung von B andern qualitativ Die Atomr umpfe eines Kristalls kann man sich in erster N aherung als Potentialt opfe vorstellen. Solange Potentialt opfe hinreichend isoliert voneinander sind, hat jeder von ihnen eine Serie von diskreten Energie-Niveaus (sh. a)). Bei Ann aherung w achst die Wahrscheinlichkeit, dass Elektronen von einem Topf in die benachbarten T opfe tunneln k onnen. Die diskreten Energie-Niveaus spalten auf, bei N T opfen in N Niveaus (sh. b)). Bei sehr vielen T opfen und weiterer
a)
b)
bandentstehung.ID.epsi 113 57 mm
c)
Ann aherung wird der Abstand zwischen den aufgespaltenen Niveaus sehr klein es entstehen B ander. Diese k onnen zusammenwachsen (sh. c)), wie es bei Metallen der Fall ist. In Halbleitern, wie Silizium, entstehen jedoch Energiel ucken (gaps), weil es zwei Arten von Zust anden gibt - bindende und antibindende. Die Aufenthaltswahrscheinlichkeit zwischen den Potentialt opfen ist bei bindenden Zust anden besonders gross, w ahrend sie bei antibindenden Zust anden dort
61
62
CHAPTER 5. SILIZIUM
a)
b)
gapentstehung.ID.epsi 110 42 mm
Schematische Darstellung der Wellenfunktion zweier gekoppelter Potentialt opfe. Links: antibindender Zustand, rechts: bindender Zustand.
sehr klein wird (Knoten der Wellenfunktion). Die Aufenthaltswahrscheinlichkeit innerhalb der T opfe ist jedoch in beiden F allen ahnlich gross. Bindende Zust ande sind f das Zusammenhalten der positiven Ionenr ur umpfe in Molek ulen verantwortlich. Quantenmechanik: Ultra-Short Course II Quasiklassische N aherung Wird die de-Broglie-Wellenl ange klein gegen uber den Abmessungen des Problems, kann man die quasiklassische N aherung f die Wellenfunktion benutzen ur (WKB-N herung, Wentzel-Kramers-Brillouin). Sie entspricht in der Optik dem a Ubergang von der Wellenoptik zur geometrischen Optik. Sei x L osung der (hier ein-dimensional betrachteten) Schr odinger-Gleichung 2m
( x bedeutet die zweite Ableitung nach x.) x wird in der Form
geschrieben. Die Reihenentwicklung der Phase nach Potenzen von liefert separate Gleichungen in jeder Ordnung von . Wegen 2 2 i geht die Schr odinger-Gleichung in
2m E
V x
mit
i e x
V x x
(5.1)
(5.2)
5.1. BANDSTRUKTUR
63
uber. In der nullten Ordnung verbleibt nur
mit der L osung
Dabei ist p der klassische Impuls, der mit dem -Zeichen vor der Wurzel deniert wird. Diese N aherung ist dann gut, wenn man den zweiten Term auf der linken Seite von Gleichung (5.2) gegen den ersten vernachl assigen kann, also wenn 2 1 gilt. Da in nullter Ordnung 0 p x ist, bedeutet die Bedingung
wie man durch differenzieren von x x 2 p x sofort sieht. Die deBroglie-Wellenl ange darf sich also uber Abmessungen von der Gr ossenordnung 1 erh man der Wellenl ange selbst nur wenig andern. In der Ordnung alt
Das Auftreten von 1 p bedeutet, dass die Aufenthaltswahrscheinlichkeit x 2 des Teilchens im Intervall x x dx umgekehrt proportional zum Impuls p x ist. Dies spiegelt das klassische Verhalten wieder, denn bei einer klassischen Bewegung ist die Zeit, die ein Teilchen in dx verbringt, umgekehrt proportional zu seiner Geschwindigkeit.
p x dx
C1 i e p
C2 e p
p x dx
Setzt man 0
1 i in den Ansatz (5.1) f die Wellenfunktion ein, folgt ur
1 ln p 2
Au osung nach ergibt 1 1 stante
0 20
p 2p, so dass bis auf eine Kon-
1 2 2m i 0 1
i 2m 0 0 0 1 2
0 0
p p2

d dx
dx
2m E
0 x
V x
dx p x
2m E
V x
(5.3)
64
CHAPTER 5. SILIZIUM
V(x)
klassischer Umkehrpunkt
umkehrpunkt.ID.epsi 0 63 56 mm
Die N aherungsl osung (5.3) kann man auch in Gebieten anwenden, die klassisch verboten sind, d.h. in denen der Impuls rein imagin wird. Der Punkt, ar der klassisch erlaubtes von klassisch verbotenem Gebiet trennt, heisst klassischer ugend weit entfernt Umkehrpunkt. Im klassisch verbotenen Gebiet x x0 (gen vom Umkehrpunkt x0 ) hat die Wellenfunktion die Gestalt 2 p
mit neuer Normierungskonstante C. Die quasiklassische L osung im klassisch ugend weit entfernt von x ) lautet (Kramers, 1926) erlaubten Gebiet x x0 (gen 0
x
Kronig-Penney-Modell (1930) Wir betrachten jetzt ein ein-dimensionales, periodisches Modellpotential, das aus einer unendlichen Folge von Quantent opfen der Breite d besteht, die durch Potential-Barrieren der Dicke b und der H ohe V0 getrennt sind. Wenn b gen ugend gross ist, sind die Wellenfunktionen in einem solchen Topf praktisch gleich denjenigen im Potentialtopf mit endlich hohen aber unendlich dicken W anden (sh. Kapitel 1). Wegen der Periodizit des Potentials mit der Periat ode b d a k onnen wir die gesuchte Wellenfunktion f die Bewegung eines ur Teilchens in diesem Potential als Fourier-Reihe
eikla n x
la
2 p
cos
p x dx
x0
x x0
p x dx
(5.4)
(5.5)
(5.6)
5.1. BANDSTRUKTUR
65
darstellen. Der Index n kennzeichnet den n-ten Zustand des isolierten Quantenn n topfs. Offenbar gilt k x a exp ika k x , d.h. beim Durchgang durch eine Periode sammelt die Welle eine Phase ka auf. Wir schreiben die beiden
V(x) V0
periodpot.ID.epsi (x)88 47 mm
-b
d+b
Schr odinger-Gleichungen En k
2
auf, multiplizieren die erste mit n , die zweite mit k , subtrahieren gliedweise und integrieren uber x in den Grenzen von b 2 bis d b 2
b 2
Nach partieller Integration erh man alt
b 2
2m
En k
En
b 2
dx k n
n k
k n
d b 2
d b 2
En k
dx k
n k
2m
E n k n
d b 2
En
V x n
2m
isolierter Topf
V x k
2m
periodisches Potential
66
CHAPTER 5. SILIZIUM
F das Integral auf der linken Seite folgt nach Einsetzen von (5.6) ur
n dx k
l0
da die Uberlappungsbeitr von den n age achsten Nachbarn verschwindend gering sind und n x normiert ist (die Beitr zur Normierung ausserhalb des age onnen ebenfalls vernachl assigt werden). Die EnIntervalls b 2 d b 2 k ergieb ander E k , zu denen die diskreten Niveaus En verbreitern, nehmen damit n die Form 2mA
an. Bei x d b 2 tragen von der Summe (5.6) nur die Glieder mit l 0 und l 1 bei, d.h. n d b 2 und n b 2 exp ika , alle anderen sind verschwindend klein. Somit
Das -Zeichen steht, wenn n symmetrisch ist, das -Zeichen f antisymur b 2 tragen von der metrische Zust ande des isolierten Potentialtopfes. Bei x Summe (5.6) nur die Glieder mit l 0 und l 1 bei, d.h. n b 2 und n d b 2 exp ika ,
F die ersten Ableitungen erh man ur alt

b 2
b 2 1
A n
e ika
b 2
A n d
b 2 1
b 2 1
A n
e ika
eika
b 2
b 2
A n
n d
b 2 e ika
A n d
b 2 1
eika
b 2
A n d
b 2
b 2 eika
En k
En
b 2
n k
k n
d b 2
b 2
b 2
(5.7)
eikla
dx n x n x
d b 2
d b 2
la
5.1. BANDSTRUKTUR
67
(Statt steht jetzt , da bei Bildung der ersten Ableitung symmetrische Zust ande in antisymmetrische Funktionen ubergehen und umgekehrt.) Nach Einsetzen und Zusammenfassen aller Terme wird En k 2 2 n d b 2 n d b 2 cos ka (5.8) m Um f die oben eingef ur n uhrten quasiklassischen N aherungen (5.4) benutzen p . Wir ben otigen noch einen expliziten Ausdruck f ur zu d urfen, gelte b n die Normierungskonstante C in (5.4). Da C auch in der quasiklassischen L osung im Innern des Potentialtopfes auftritt, kann man diese zur Bestimmung von C verwenden:
0 0
Die Beitr der exponentiell abklingenden Anteile in den Barrieren-Gebieten age sind nach Voraussetzung klein gegen 1 und wurden vernachl assigt. Ausserdem i muss f die quasiklassische N ur aherung im Innern n d p 1 gelten, d.h. die i Wellenfunktion hat dort viele Knoten. Wegen der Konstanz von p n 2mEn folgt dann (cos2 kann durch den Mittelwert 1 2 ersetzt werden)
also C 2pn d. Wir k onnen nun die Werte von und in der Mitte der Barriere berechnen:
2d pn pn
2d pn
En
En k
En
bpn pn exp cos ka dm 2 E1 En Dn cos ka
mit pn
2m V0
En . Einsetzen in (5.8) ergibt

i
a
n d
b 2
n d
b 2
(5.9)
b 2
exp
exp
n d
pn
d b 2 a dx pn d
pn
i pn
2pn
dx cos
C2
pn d
C2
bpn 2
i pn
C2
dx
cos2
pn x dx
dx n x
En k
En
68
CHAPTER 5. SILIZIUM
2 2 2md 2 (sh. Kapitel 1) und der Durchgangskoefzient f eine wobei E1 ur Rechteck-Barriere
benutzt wurde. Die Bandweite ist in dem betrachteten Modell der starken Lokalisation
2a
N von k ahe
0 kann man den cos entwickeln:
Ersetzt man den Faktor vor k 2 durch 2 2m , erh man eine Dispersionsrelaalt tion wie f freie Teilchen, mit dem Unterschied, dass die Masse m durch eine ur 0 effektive Masse m
2 2 Wn a2
ersetzt ist. Dieser Relation kann man auch ablesen, dass die Bandweite umgekehrt proportional zum Quadrat der Periode des Potentials ist. In Halbleiter-Kristallen entspricht a der Gitterkonstanten, und das Intervall 2a 2a ist die (eindimensionale) Brillouin-Zone (BZ). Bandstruktur von Silizium Silizium kristallisiert in der Diamantstruktur. Die Atome benden sich auf den
En k
En
Da nach Voraussetzung Dn
1 sein muss, sind die B ander sehr schmal. In der

E n (k) En
cos-baender.ID.epsi 50 47 mm
2a
1 Wn 2
Wn a2 2 k 4
Wn
4 E1 En D n
Dn
E n-1
2b
2m V0
En
5.1. BANDSTRUKTUR
69
Pl atzen zweier ineinander verschachtelter f.c.c.-Gitter (kubisch- achenzentriert, face-centered cubic). Fasst man das Zentralatom der schwarz hervorgehobenen tetraedrischen Struktur (bestehend aus f Atomen) mit einem der anderen f unf unf Atome zusammen, erh man die sogenannte Basis des Kristalls. Die Basis alt ist auf einem einfachen f.c.c.-Gitter periodisch fortgesetzt. In III-V-Halbleitern, die in derselben Struktur kristallisieren (Zinkblende), besteht die Basis aus
a=5.43
diamond.ID.epsi 107 79 mm
zwei verschiedenartigen Atomen, z.B. in GaAs aus Ga und As. Den W urfel, der die schwarz hervorgehobene tetraedrische Struktur enth nennt man primalt, itive Einheitszelle. Es gibt zwei Atome pro primitive Einheitszelle, da die vier ausseren Atome jeweils von vier Nachbar-Zellen geteilt werden. Jedes SiAtom steuert vier Valenz-Elektronen bei, d.h. es gibt 8 Valenz-Elektronen pro primitive Einheitszelle. Unter Ber ucksichtigung der Spin-Entartung ergeben sich also 4 Valenzb ander, die bei T 0 K vollst andig besetzt sind und die aus bindenden Zust anden aufgebaut sind. Die antibindenden Zust ande bilden 3 die Leitungsb ander. Die untersten vier Leitungsb ander entstehen aus den spHybridorbitalen, die h oher liegenden Leitungsb ander aus h oheren Orbitalen. Der Kristall besteht also ganz allgemein aus einer Basis und dem sogenannten Bravais-Gitter, das im Falle von Silizium ein f.c.c.-Gitter mit der Gitterkonstanten a 5 43 A ist. Das Bravais-Gitter ist eine Menge von Punkten Rl (GitterVektoren), die durch drei nicht-koplanare Translationen a1 , a2 und a3 erzeugt

70
CHAPTER 5. SILIZIUM
werden, welche Vektoren im drei-dimensionalen Raum sind
mit ganzen Zahlen l j . Als a j kann man die primitiven Gittervektoren
w ahlen. Jede Translation R uhrt den Kristall in sich selbst. Deshalb muss l uberf
basisvect.ID.epsi a3 69 72 mm a2
a1
y z
jede physikalische Gr osse f r vor und nach der Translation dieselbe sein
d.h. f r ist eine auf dem Bravais-Gitter periodische Funktion. Wir k onnen sie also in eine Fourier-Reihe entwickeln:
Kh
Als Periodizit atsvolumen nehmen wir das Volumen der primitiven Einheitszelle 0 a1 a2 a3 . Man kann aber auch andere Zellen mit demselben Volumen verwenden. Als besonders g unstig erweist sich die sogenannte Wigner-SeitzZelle, die dadurch erhalten wird, dass man alle n achsten Nachbaratome durch
f r
mit AKh
d 3 r f r e iKh r
AKh eiKh
1 0
f r
Rl
f r
a1
a2
a3
a 011 2
a 101 2
Rl
l1 a 1
l2 a 2
l3 a3
a 110 2
(5.10)
5.1. BANDSTRUKTUR
71
Linien (a1 a1 a2 a2 ) verbindet und diese mittels senkrecht dazu stehender Ebenen halbiert. Die geometrische Figur, die von allen diesen Ebenen begrenzt wird, heisst Wigner-Seitz-Zelle. Unter Benutzung der TranslationsInvarianz (5.10) folgt
Kh
und somit
Dies kann nur erf werden, wenn K Rl 2 (ganze Zahl) gilt. Die Vektoren ullt h Kh , die diese Bedingung erf ullen, heissen reziproke Gittervektoren. Man kann sie in einer Basis b1 b2 b3 des reziproken Gitters darstellen:
wobei der Strich einfach minus bedeutet. Die Menge aller K h erzeugt das sogenannte reziproke Kristall-Gitter, das zum Kristall-Gitter komplement ar ist. Kubische Gitter haben reziproke kubische Gitter. Aber, man beachte, dass das reziproke Gitter eines f.c.c.-Gitters ein kubisch raum-zentriertes Gitter (b.c.c., body-centered cubic) ist. Auch im reziproken Gitter erweist es sich als g unstig, die primitive Zelle als Wigner-Seitz-Zelle zu w ahlen. Die Konstruktionsvorschrift bleibt die gleiche. Man konstruiert also die Wigner-Seitz-Zelle des b.c.c.-Gitters, d.h. des zum f.c.c.-Gitter komplement aren reziproken Gitters mit dem reziproken Gittervektor Kh 0 als Ursprung. Diese Zelle hat den Namen 1. Brillouin Zone (abgek 1. BZ). Ihre geometrische Gestalt ist ein gekappter urzt Oktaeder (sh. Abb.). Die praktische Bedeutung der 1. BZ folgt aus der Tatsache, dass in ihr alle Energieb ander E k stetige Funktionen sind. Nur an den R andern k onnen Unstetigkeiten auftreten. Die R ander sind mit den sogenannten Braggschen Reexionsebenen identisch. Um das einzusehen, betrachten wir das Kristall-Potential V r als St orung zur freien Bewegung der Elektronen. Da V r periodisch ist, kann man es in eine Fourier-Reihe entwickeln:
V r
BKh eiKh
b1
b2
b3
2 111 a
2 111 a
2 111 a
Z.B. kann man reziproke primitive Gittervektoren (ai b j Basis nehmen
Kh
h1 b 1
h 2 b2
h 3 b3
eiKh Rl
2i j ) als eine solche
f r
Rl
Rl
f r
AKh eiKh
72
Kz
CHAPTER 5. SILIZIUM
W K W L U
Kx
X U
brillzone.ID.epsi 93 85 mm
X W K
Ky
1. BZ des f.c.c.-Gitters mit symmetrischen Punkten. Der hervorgehobene Bereich ist der irreduzible Teil der BZ (1/48), der f die Berechnung der Bandstruktur relevant ist. ur
Das Ubergangs-Matrixelement muss man mit ebenen Wellen bilden (die ungest orten Zust ande, freie Elektronen!), so dass
h
Es verschwindet, ausser f ur
Die St osse der leichten Elektronen mit dem schweren Kristall-Gitter sind elastisch: k k . Quadriert man (5.11), erh man alt
Das ist genau die Bedingung f Bragg-Reexion. In den Lehrb ur uchern zur Halbleiter-Theorie wird ublicherweise die (entartete) St orungstheorie explizit durchgef und damit das Aufreissen von Energiel uhrt ucken an den Bragg-Ebenen demonstriert (sh. z.B. Enderlein/Schenk Seite 81 ff.). Wir haben stattdessen an obigem Beispiel die Entstehung von B ndern plausibel gemacht. In diesem a
2 k Kh
Kh
Kh
(5.11) (5.12)
k V r k

B Kh k
k Kh
5.1. BANDSTRUKTUR
73
Beispiel sind die Energiel ucken von vornherein vorhanden, und zwar durch den Abstand der diskreten Energie-Niveaus des isolierten Potentialtopfes. Eine wichtige Folge der Translationssymmetrie des Kristalls ist die Periodizit der Energie at und der Wellenfunktionen
Der Impuls der Elektronen ist im Kristall keine Erhaltungsgr osse, wie man aus (5.11) ersieht. Aber alle Impulse k Kh und damit alle Wellenfunktioaquivalent. Deshalb kann man sich bei nen mit Wellenvektoren k Kh sind der Berechnung physikalischer Gr ossen auf die 1. BZ beschr anken. Liegt k ausserhalb der 1. BZ, ndet man immer einen reziproken Gittervektor Kh , der k in die 1. BZ verschiebt (falten). Man bezeichnet k auch als Quasiwellenvektor. Die Translationssymmetrie ist jedoch nicht die einzige Symmetrie des f.c.c.Gitters. Als Punktgruppe des Kristalls bezeichnet man die Menge aller geometrischen Operationen (Drehungen, Spiegelungen), die das direkte Gitter (und damit auch das reziproke Gitter) in sich selbst uberf uhren. 48 solcher Operationen bilden einen W urfel in sich selbst ab. Die entsprechende Gruppe nennt man Oh . Ohne Inversion verbleiben 24 Operationen, die die Gruppe Td bilden (die Basis ist nur gegen diese Untergruppe invariant). Die k-Vektoren der 1. BZ kann man in Punkte in symmetrischer Lage und Punkte in allgemeiner Lage einteilen. k ist in symmetrischer Lage, wenn es ausser der Translation noch ein Element der Punktgruppe Oh gibt, das k in einen dazu aquivalenten Vektor uberf uhrt. Aquivalenz bedeutet Gleichheit bis ( auf einen additiven reziproken Gittervektor Kh .) Andernfalls ist k in allgemeiner Lage. Wendet man die Elemente der Punktgruppe auf einen Vektor k der 1. BZ an, dann bilden alle k, die nicht aquivalent zu k sind, den sogenannten Stern von k. Ist k in allgemeiner Lage, hat der Stern soviel Zacken, wie die Punktgruppe Elemente hat. Ist k in symmetrischer Lage, so ist die Anzahl der Zacken nur ein Bruchteil der Ordnung der Punktgruppe. (Z.B. hat der Mittelpunkt der 1. BZ, der Punkt mit der h ochsten Symmetrie uberhaupt, nur noch eine Sternzacke.) Alle k-Vektoren, die die gleiche Symmetrie haben, also von den gleichen invariant gelassen werden, bilden ein Symmetrieelement in der 1. BZ. F die ur Diamantstruktur gibt es 4 Symmetriepunkte (; X; L; W), 5 Symmetriegeraden und 2 Symmetrieebenen. Die Punktsymmetrie des Kristalls ubertr sich unmittelbar auf die Bandagt struktur:
E k
E k
Kh
k r
E k
Kh
E k
(5.13) (5.14)
(5.15)
74
CHAPTER 5. SILIZIUM
Diese Form der Entartung nennt man Sternentartung. Wegen der Sternentartung gen die Kenntnis der Energieband-Funktionen E k in einem Ausschnitt der ugt 1. BZ, der den Raum zwischen benachbarten Sternzacken ausf (der in der ullt Abb. hervorgehobene Bereich). Man bezeichnet einen solchen Ausschnitt als irreduziblen Bestandteil der 1. BZ. Alle inneren Punkte und die meisten Randpunkte sind k-Vektoren in allgemeiner Lage, also mit 48 Sternzacken. Deshalb ist dieses Gebiet 1/48 der 1. BZ. Die Energie-Eigenwerte uber dem Rest der 1. BZ erh man durch symmetrische Fortsetzung der Werte alt uber dem irreduziblen Bestandteil mit Hilfe der Gleichung (5.15). Eine weitere Form der Entartung ist die symmetrie-bedingte Bandentartung. Gilt n amlich f bestimmte k-Vektoren, dass k ur aquivalent ist und dass die zugeh origen Eigenfunktionen im Band , k r und k 1 r , linear un abh ngig sind, so laufen an der Stelle k zwei B a ander zusammen. F Punkte ur in allgemeiner Lage kann eine solche symmetrie-bedingte Bandentartung nicht auftreten. Den Grad m oglicher Bandentartungen in Symmetriepunkten und auf Symmetriegeraden kann man mittels gruppentheoretischer Methoden bestimmen (was hier zu weit gehen w urde). Nachstehend sind f die Punkte , X und L die ur m oglichen Entartungen aufgef uhrt. X-Punkt: L-Punkt: -Punkt: 3-, 2-, 1-fache nur 2-fache 2-, 1-fache 15 25 3-fach L3 L3 2-fach 2 1-fach L1 1-fach Eine nicht durch die Symmetrie bedingte, wie man sagt zuf allige Entartung, ist die Band berlappung. Ein Beispiel ist die Uberschneidung der obersten drei u Leitungsb ander auf der -Geraden. Wie man der dargestellten Bandstruktur entnimmt, ist Silizium ein indirekter Halbleiter. Das Minimum des untersten Leitungsbandes in 100 -Richtung ( X) liegt bei 0 85 X . Das Maximum der obersten Valenzb ander liegt bei . Der Wert der indirekten Energiel ucke (das fundamentale gap) betr agt bei Raumtemperatur Eg 1 12 eV . Wegen der Spin-Bahn-Wechselwirkung wird die zweifache Entartung der beiden obersten Valenzb ander bei in Wirklichkeit aufgehoben. Ein Band, das sogenannte split-off band, spaltet nach unten ab. Sein Extremum hat den Wert Eso 0 044 eV . Deshalb wird es oft vernachl assigt und nur die beiden B ander der leichten und schweren L cher, die bei zusamo menlaufen, werden bei Berechnungen mit einbezogen. F viele Anwendungen, ur bei denen nur kleine k in der N der Bandextrema eine Rolle spielen, gen ahe ugt es, Ec k und Elh hh k quadratisch zu entwickeln. Da der lineare Term an den Extrema nat urlich verschwindet, erh man eine Dispersionsrelation wie f freie alt ur Elektronen, mit dem Unterschied, dass man andere Massen, sogenannte effektive Massen einf uhren muss, um die Kr ummung der B ander in der N der Extrema ahe richtig zu reproduzieren. Die Wirkung des komplizierten periodischen Kristall-
5.1. BANDSTRUKTUR
6.0 4.0
75
Energy (eV)
15
15
|
2.0 L1
| | | | |
0.0 -2.0 -4.0
L3 X4 1
| |
Wave Vector k
Bandstruktur von Silizium berechnet mit empirischem nicht-lokalen Pseudopotential (Chelikowsky und Cohen, 1974).
E lh,hh = -
h2 k 2 2m lh,hh
Kz
Ec = Eg +
h2 (k -k )2 + h2 (k -k )2 2m l 0 2m t 0
= =
Kz
effmass.ID.epsi 121 63 mm
Kx
Kx
Ky
Ky
Potentials ist dann nur noch uber diese effektiven Massen parametrisiert. Die Bandstruktur E k kann man auch dadurch graphisch darstellen, dass man Fl achen E k const im k-Raum, bzw. deren Schnittkurven mit bes timmten Ebenen konstruiert. In der Abbildung sind die Isoenergie-Fl achen Ec k const (rechts) und Elh hh k const (links) in Effektivmassen-N aherung
25
Sibandst.ID.epsi 99 71 mm
X1
25
L3
|
76
CHAPTER 5. SILIZIUM
veranschaulicht. F die L ur ocher ergeben sich in Wahrheit keine Kugeln, sondern (wegen der Spin-Bahn-Kopplung) warped surfaces. Die Kugeln sind also Approximationen mit richtungsgemittelten effektiven Massen. Man ndet mhh 0 5 m0 und mlh 0 17 m0 . Die Isoenergie-Fl achen der Elektronen sind Rotationsellipsoide. Man bezeichnet sie auch als Taler. Wegen der Sternentar tung der Symmetriegeraden sind auf allen sechs Zacken dieses Sterns Minima vorhanden, es gibt also sechs aquivalente T aler. Deshalb nennt man Silizium auch einen Vieltal-Halbleiter. Die sogenannte longitudinale effektive Masse (parallel zu den Hauptachsen) hat den Wert ml 0 92 m0 , w ahrend die sogenannte transversale effektive Masse (senkrecht zu den Hauptachsen) den Wert mt 0 19 m0 hat. Dies erscheint verwunderlich, denn Silizium muss als kubischer Kristall eine isotrope (Ohmsche) Leitf ahigkeit haben. Die L osung ist, dass der Mittelwert uber alle sechs T eine isotrope Leitfhigkeitsmasse aler a
ergibt.
5.2 Zustandsdichte
Die station aren Wellenfunktionen der Kristall-Elektronen haben folgende Form (Bloch-Theorem, Beweis in Lehrb uchern): 1 ikr k r e u k r Bloch Funktionen (5.16) Sie sind in einem Grundgebiet normiert und stellen modulierte ebene Wellen dar. Der Modulationsfaktor heisst Bloch-Faktor und ist eine gitterperiodische Funktion: u k r u k r Rl . Wir stellen jetzt periodische Randbedingungen mit als Periodizit atsvolumen (Born-von Karmansche Randbedingungen). Dazu 3 , wobei w ahlen wir G 0 a1 a2 a3 das Volumen der primitiven 0 Einheitszelle und G eine grosse ganze Zahl ist. Periodische Randbedingung bzgl. des Grundgebietes bedeutet nun, dass sich eine Gr osse nicht andert, wenn man vom Punkt r zum Punkt r Ga j geht. Da ein Vektor im k-Raum mittels der reziproken Gittervektoren bm dargestellt werden kann (k m km bm ), wird die periodische Randbedingung von den Bloch-Funktionen genau dann erf wenn ullt, 1 km lm m 1 2 3 lm ganze Zahl (5.17) G Wegen der Gitterperiodizit des Bloch-Faktors ist n at amlich k r k r Ga j genau dann wenn eikGa j 1
1 m
1 3
1 ml
2 mt
5.2. ZUSTANDSDICHTE
77
Dass der Phasenfaktor tats achlich 1 ist, kann man leicht uberpr ufen:

eikGa j
Die neuen Basisvektoren im k-Raum bm G, mit denen jeder k-Vektor als k m lm bm G dargestellt wird (lm ganze Zahl), bilden ein feinmaschiges Gitter (sh. Abbildung). Durch die periodische Randbedingung wird der k-Raum also diskretisiert. Der Vorteil dieser Prozedur wird im folgenden klar werden.
b2
feinmasch.ID.epsi 69 51 mm
1 b G 2 1 b G 1
b1
Die Abz ahlung der erlaubten elektronischen Zust ande kann nun dadurch erfolgen, dass man uber alle B ander und alle Maschen innerhalb der 1. BrillouinZone summiert. Hinzu kommt ein Faktor 2 von der Spin-Entartung (jeder Zustand kann zweifach besetzt werden, mit einem Elektron spin-up und einem .) F die mittlere Elektronenzahl im Grundgebiet ur Elektron spin-down ergibt sich daher
k 1 BZ
Die totale Elektronen-Dichte erh man durch Division mit dem Volumen des alt Grundgebietes. Da das Volumen der 1. BZ gleich 83 0 betr ist das Voluagt, 3 . Die Zahl G ist sehr gross, also darf men einer feinmaschigen Zelle gleich 8
f k
E k EF e kB T
mit der Fermi-Dirac-Verteilung
f k
ei m km bm Ga j ei m lm 2 jm
e i m lm b m a j ei2l j 1
(5.18)
(5.19)
78
CHAPTER 5. SILIZIUM
man die Summation durch eine Integration ersetzen:
(man vergleiche z.B. den Ubergang von der Riemann-Summe zum RiemannIntegral in 1D: dx f x l x l f xl ).
k 1 BZ
Schreibt man stattdessen
dann deniert der Vergleich der letzten beiden Formeln die energetische Zustandsdichte D E :
k 1 BZ
Ein Summand der -Summe heisst partielle Zustandsdichte des -ten Bandes. Beispiel: parabolisches, isotropes Leitungsband
2 k2 2m Die Dispersionsrelation f diesen einfachsten Fall lautet E k ur c c und ist bis auf die effektive Masse mc identisch wie f freie Elektronen. Einsetur zen in (5.23) ergibt
k 1 BZ
Da das Bandmodell nur f kleine Energien sinnvoll ist (zu denen kleine maxiur male k geh oren), kann die -Funktion bereits f kleine k innerhalb der 1. BZ ur erf werden. D E gilt am Ende nat ullt urlich nur f kleine E. Man kann dann ur c die Integration ins Unendliche erstrecken und Dc E sofort ausrechnen: 2mc
2
Dc E
E E
1 22
2mc
3 2
Dc E
dk k E
d E
1 2
2 k2
1 22
2mc
3 2
Dc E
2mc
d3k E
1 43
2 k2
(5.24)
DE
d3k E
1 43
ntotal
dE D E f E
ntotal
d 3 k f k
2 f k k 1 BZ
1 43
d3k
83 k
(5.20)
(5.21)
(5.22)
(5.23)
5.2. ZUSTANDSDICHTE
79
Im Silizium ist folgende Modikation zu machen:
Nimmt man den Faktor 6 f die sechs ur aquivalenten T hinzu, dann aler

Zahlenwerte: mdn 0 32 m0 und mdn 1 06 m0 . Wie gut (bzw. schlecht) das Zustandsdichte-Modell (5.24) die realistische Zustandsdichte (engl.: DOS, density of states) von Silizium beschreibt, kann der Abbildung entnommen werden.
0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0.00 0.0
alpha=0.5
DOS (1/(eV*A ))
DOSnew.eps 91 71 mm
full band
parabolic
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Electron Energy (eV)

Zustandsdichte von Silizium berechnet mit realistischer Bandstruktur (full band), in der parabolischen N aherung (5.24) mit m mdn (parabolic) und in nichtc 2 k2 2m parabolischer N aherung E k 1 Ec k 0 5 eV. c dn mit
mdn
3 2
62 3 mdn
3 2 def
mdn
3 2
f sechs T ur aler
mc
3 2
mt2 ml
1 2 def
mdn
3 2
f ein Tal ur
80
CHAPTER 5. SILIZIUM
5.3 Fermi-Dirac-Verteilung
5.3.1 System mit konstanter Teilchenzahl (kanonische Verteilung)
Krper
E d
Wir betrachten ein abgeschlossenes System mit der Energie E 0 (Gesamtsystem). Das Gesamtsystem sei in zwei Teilsysteme aufgespalten: Korper und Medium (oder Bad). Der K orper muss im Vergleich zum Gesamtsystem sehr klein aber immer noch makroskopisch gross sein. Die gesamte innere Energie orpers E, E 0 ist die Summe aus Energie des Mediums E und Energie des K da die Wechselwirkungs-Energie sehr klein gegen uber E ist. Letzteres folgt daraus, dass nur Teilchen in der N der Ober ahe ache des K orpers mit dem Bad wechselwirken und deren relative Zahl im Vergleich zur Zahl aller Teilchen des K orpers sehr klein ist (K orper ist makroskopisch gross!). Nat urlich ist andererseits die Wechselwirkung die Ursache und Bedingung daf dass K ur, orper und Bad ins statistische Gleichgewicht kommen k onnen. d 0 sei die Zahl der Quantenzust ande des Gesamtsystems, die zu einem bestimmten innitesimalen Energie-Intervall dE 0 geh oren. dw 0 sei die Wahrscheinlichkeit, das Gesamtsystem in irgendeinem der d Zust ande zu nden.
Diese Wahrscheinlichkeit ist proportional zur Zahl aller m oglichen Zust ande des Gesamtsystems const E
d d
dw 0
const E
d 0
Medium E d
bath.ID.epsi 85 53 mm
Gesamtsystem
(0)
E d (0) = d d
5.3. FERMI-DIRAC-VERTEILUNG
(dw 0 heisst mikrokanonische Verteilung). Die -Funktion dr uckt dabei die Energieerhaltung aus (Summe der Energien von K orper und Medium muss gleich der Gesamtenergie sein). Die Zahl der m oglichen Zust ande des Gesamtsystems ist nat urlich gleich dem Produkt von Zahl der m oglichen Zust ande des K orpers und Zahl der m oglichen Zust ande des Bades. Diese statistische Unabh angigkeit folgt wiederum aus der begr undeten Annahme der schwachen Wechselwirkung zwischen K orper und Bad. Man fragt nun nach der Wahrscheinlichkeit dwn f denjenigen Zustand des ur Gesamtsystems, bei dem sich der K rper in einem bestimmten (mikroskopiso chen) Quantenzustand mit der Energie En bendet (also muss d 1 gesetzt werden):
Die totale Wahrscheinlichkeit f die Realisierung des Zustandes, in dem der ur K orper die Energie E hat, erh man durch Integration alt uber alle mikroskopisn chen Zust ande des Bades d, die die Energieerhaltung nicht verletzen:
Der n achste Schritt ist die Berechnung von d dE . Dazu bezeichnen wir mit E die Zahl der Quantenzust ande des Mediums, deren Energie kleiner oder ande des Mediums mit Energien gleich E ist. Dann kann man die Zahl der Zust zwischen E und E dE in der Form
schreiben. Um nun die Wahrscheinlichkeit W E dE daf zu erhalten, dass die ur Energie des Mediums im Intervall E E dE liegt, muss man die Wahrscheinlichkeit w E f die Realisierung eines bestimmten Zustands des Mediums mit ur der Energie E mit der Zahl der Quantenzust ande multiplizieren, deren Energie in diesem Intervall liegt:
W E
d E wE dE
W E dE
w E d
wE
d E dE dE
d E dE dE
const
En
w n En
d dE dE
wn
const
En
dwn
const En
81
(5.25)
(5.26)
82
CHAPTER 5. SILIZIUM
W E hat ein extrem scharfes Maximum beim Mittelwert E wegen der riesengrossen Teilchenzahl im Bad. (Ganz allgemein gilt
f die relative Fluktuation der Energie E . Beispiel: Die Wahrscheinlichkeit f ur ur eine relative Abweichung von 10 6 der Energie eines Hundertstel Mols irgen15 deines Gases betr 10 3 10 .) agt Die Verteilung W E ist normiert. Die Normierungsbedingung lautet
Man ersetzt die Kurve W E durch ein Rechteck mit der Breite E und der 1 W E gelten. H W E . Wegen der Normierungsbedingung muss E ohe Anwendung auf (5.26) ergibt
ist die Zahl der Quantenzust ande des Bades, die dem Energie-Intervall E entspricht. Diese Gr osse charakterisiert den Grad der Verschmierung des makroskopischen Zustandes des Mediums uber seine mikroskopischen Zust ande. Man sagt auch statistisches Gewicht des makroskopischen Zustandes dazu. Seinen Logarithmus nennt man Entropie
Wegen der ungeheuren Sch der Verteilung W E kann man arfe
ersetzen. Nach Einsetzen in Gleichung (5.25) erh man alt
En k B
E 0 En
exp S E 0 const E E
w n En
const
En
dE
exp S E E
kB
d dE
exp S E E
kB
kB ln
(5.27)
W E E
w E
d E E w E dE
W E dE
1 N
Da der K orper nach Voraussetzung klein gegen das Medium ist (also auch En E 0 ), kann man im Nenner En vernachl assigen und im Z ahler die TaylorEntwicklung
anwenden. Somit ergibt sich dS En (5.28) dE 0 kB An dieser Stelle wird die Thermodynamik ins Spiel gebracht. Aus ihr ist bekannt, dass gilt. Im hier vorliegenden Fall ist dV dN 0, also dS dE 1 T im K orper wie im Medium wegen der Voraussetzung des thermodynamischen Gleichgewichts. Damit erh man endg alt ultig die Gibbssche Verteilung (oder kanonische Verteilung) (Gibbs, 1901)
Die Normierungskonstante folgt aus n wn 1. Gleichung (5.30) gibt die Wahrscheinlichkeit daf an, dass ein K ur orper die Energie E hat, wenn er sich n im thermodynamischen Gleichgewicht mit einem Medium bendet, das die Temperatur T hat. 5.3.2 System mit variabler Teilchenzahl (grosskanonische Verteilung) N 0 sei die Zahl der Teilchen im Gesamtsystem, N die Zahl der Teilchen im Medium und N die Zahl der Teilchen im K orper. Zwischen K orper und Medium k onnen Teilchen ausgetauscht werden. Die durch den Teilchen-Austausch bedingten Fluktuationen von N und N sind wegen der grossen Teilchenzahlen (makroskopische Systeme!) im selben Sinne klein wie die Fluktuationen der Energie (sh. (5.3.1)). Was andert sich an der obigen Ableitung? Die Wahrscheinlichkeits-Verteilung wn verallgemeinert sich zu
wnN ist die Wahrscheinlichkeit, dass der K orper N Teilchen enth und alt sich im n-ten Zustand bendet. Die Energien EnN des K orpers h angen jetzt nat urlich von der Teilchenzahl N im K orper ab.
wn
wnN
const exp S E
EnN N
w n En
A exp
En kB T
dE
T dS
P dV
c dN
w n En
A exp
S E0
En
S E0
dS En dE 0
83
(5.29)
(5.30)
84
CHAPTER 5. SILIZIUM
Die Taylor-Entwicklung der Entropie bzgl. der kleinen Gr ossen E und N nN ergibt jetzt
Dabei fallen die chemischen Potentiale (wie die Temperaturen) des K orpers und des Mediums wegen der Gleichgewichtsbedingungen zusammen. Damit erh man die grosskanonische Verteilung alt
nN
5.3.3 Fermi-Dirac-Verteilung Teilchenzahl N und Energie EnN des K orpers werden in der sogenannten Besetzungszahl-Darstellung aufgeschrieben:
nl gibt die Zahl der Teilchen an, die einen Einteilchen-Zustand l mit der Energie l besetzen. Der Wertevorrat der Besetzungszahlen unterscheidet Fermionen von Bosonen
nN
Fermionen haben halbzahligen Spin, Bosonen ganzzahligen. Die VielteilchenWellenfunktion der Fermionen andert ihr Vorzeichen, wenn zwei Teilchen vertauscht werden, die der Bosonen nicht. Unter Verwendung der grosskanonischen Verteilung (5.31) erh man f die mittlere Zahl von Teilchen im K alt ur orper

Der letzte Schritt, d.h. die Einf uhrung der mittleren Besetzungszahl ist nicht, ln trivial, bedeutet er doch, dass jetzt u.U. ein einziges Teilchen die Rolle des K orpers ubernimmt. Bei der Ableitung der Gibbs-Verteilung wurde gefordert,
nN
l 0 nN
l 0
wnN N
wnN nl
Fermionen :
nl
Bosonen :
nl
nN
0123 01
nN
nl
nN
l 0
l 0
nl
nN
EnN
nl
Die Normierungskonstante folgt aus wnN
1.
nN
wnN
A exp
c N En kB T
S E
EnN N
S E
EnN T
c N T
(5.31)
dass der K orper immer noch makroskopisch gross sein muss, um zu garantieren, dass die Wechselwirkung zwischen K orper und Bad vernachl assigbar ist (QuasiAbgeschlossenheit des K rpers). Die Quasi-Abgeschlossenheit eines einzelnen o Teilchens ergibt sich hier aus der Voraussetzung, dass die direkte dynamische Wechselwirkung zwischen den Teilchen vernachl assigbar klein gegen die Einteilchen-Energien l ist. Die Ausnahme ist die Austausch-Wechselwirkung, die bei h oheren Dichten zu einer anderen Statistik (Fermi-Statistik) f uhrt. Sie ist jedoch nur f Teilchen in ein und demselben Zustand wichtig. Nur wenn ur die direkte dynamische Wechselwirkung vernachl assigbar bleibt, ist die Energie EnN die einfache Summe der Einteilchen-Energien. Gase, bei denen die Wechselwirkung zwischen den Molek ulen vernachl assigt werden kann, nennt man ideale Gase. Wir betrachten also hier ideale (Quanten-) Gase. (Wie im Falle makroskopischer K orper darf nat urlich die Wechselwirkung nicht v ollig fehlen, da sich sonst kein Gleichgewicht zwischen den Teilchen einstellen k onnte.) Die mittlere Besetzungszahl wird explizit nl
nN
exp
Den Nenner nennt man grosse Zustandssumme Z , aus der man n l generieren kann:

k l
c

kB T
Z l
kB T
ln Z l
k kB T e kB T l nN k
nN
nk
nN
n l
nN
nl
c l kB T
nl
nN
nN
l 0
nN k
c k kB T
nk
nN
exp
nnN l
c k kB T
nk
c l kB T
nN
l 0
nN
nl
nl
nN
nN
nN
c nnN kB T l l
nN
nl
wnN nl
nN
nN
exp
c N E n kB T
85
nN
exp
c N E n kB T
c k kB T
nk
nN
(5.32)
86
CHAPTER 5. SILIZIUM
F Elektronen und L ur ocher ist
nN
wegen des Pauli-Prinzips. Die grosse Zustandssumme wird dann e
nN k
nN k
k 0
und schliesslich mit (5.32) (Fermi, Dirac, 1926)
nl kann nur Werte zwischen 0 und 1 annehmen, wie es wegen des Pauli-Prinzips sein muss. 1, geht die Fermi-Dirac-Verteilung in die Im Falle der Nichtentartung, nl Boltzmann-Verteilung uber. Dazu muss offenbar c und l c kB T l gelten.

E, nl
f E
1
E EF kB T
(5.36)
In der Bauelemente-Physik benutzt man folgende Bezeichnungen: l f E , c EF und nennt EF Fermi-Niveau.
nl
c l kB T
wenn nl
ln Z
ln
c k kB T
Bk
nl
1
l c kB T
nN n1
nN n2
0 k
c k kB T
(5.33)
(5.34)
(5.35)
B1 1
B2
Bl
nN
B nk
c k kB T
nk
nN
B nk
n1
nN
n2
nN
nN
5.4. LADUNGSTRAGERDICHTEN
1.5
T=1K T=77K T=300K T=700K Boltzmann 300K
87
distribution function
1.0
0.0 0.2 0.1 0.0 0.1 energy E EF (eV) 0.2
Die linierten Kurven zeigen die Fermi-Dirac-Verteilung f vier verschiedene Temperaur turen als Funktion von E EF . Zum Vergleich ist die Boltzmann-Verteilung bei 300 K dargestellt. Der Unterschied zur Fermi-Verteilung verschwindet mit wachsender Energie und ist bei E EF 2kB T bereits vernachl assigbar.
5.4 Ladungstr agerdichten

A) Intrinsisches Silizium Wir denieren E k 0 als Energie-Nullpunkt. Eg ist die Energie des indirekten v gaps. Nach den Vorbereitungen der vorangegangenen Abschnitte k onnen wir jetzt die Gleichgewichts-Dichten der Elektronen und L ocher hinschreiben:
Eg 3 2 0
1 dE
F1
dx x e
x1 2 1
(5.39)
mit md p
3 2
md lh
3 2
md hh . Beide Ausdr ucke enthalten ein Fermi-Integral F 1
3 2
1 22
2md p
EF E e kB T
dE
1 22
2mdn
3 2
0.5
fermifunc.eps 86 72 mm
Eg E EF e kB T E
Elektronendichte
(5.37)
L ocherdichte
(5.38)
88
CHAPTER 5. SILIZIUM
schreiben. Die Vorfaktoren nennt man effektive Zustandsdichten des Leitungsund Valenzbandes:
Im Falle der Nichtentartung, d.h. wenn E g EF kB T f Elektronen und ur EF kB T f L ur ocher gilt, wird e Boltzmann N aherung F1 2
Diese Beziehung kann man als Massenwirkungsgesetz einer chemischen Reaktion auffassen. n und p spielen dabei die Rolle der Endprodukte (freie Ladungstr ager), w ahrend N v die Rolle der Ausgangsprodukte spielen (gebundene Elektronen und c L ocher). C T ist die Massenwirkungskonstante (thermodynamisch betrachtet ist Eg die Summe der freien Enthalpien von Elektron und Loch). Man erh also alt als Eigenleitungsdichte n p ni . Au osung nach dem entsprechenden FermiNiveau ergibt, da
1 Eg 2
md p 3 kB T ln 4 mdn
EF
EF i
Eg
kB T ln
ni Nc
1 Eg 2
kB T Nv ln 2 Nc
Nc exp
ni
Nc Nv e
EF Eg kB T
np
C T Nc Nv
np
def 2 ni
Eg
Nc Nv e kB T
Eg 2kB T
an. Im intrinsischen Silizium lautet die Neutralit atsbedingung n Dotierung). Andererseits ist
Nv exp
und die Dichten nehmen die Form EF Eg n Nc exp kB T
EF kB T
Nc v
2 541
1019
mdn p kB T 2 2
3 2
mdn p m0
3 2
T 300
3 2
Deshalb kann man die Dichten auch in der Form EF Eg n Nc F1 2 p Nv F1 kB T
EF kB T
(5.40)
cm
p (keine
(5.41)
89
Die Zustandsdichte-Massen sind allerdings selbst temperaturabh angig (mdn 300 K 1 090 m0 md p 300 K 1 152 m0 ). Wegen des geringen MassenUnterschieds ist EF i 300 K Eg 2 1 meV ! Bei Raumtemperatur liegt das Eigenleitungs-Niveau also praktisch in der Mitte der Energiel ucke (midgap). Die intrinsische Dichte ni ist schwierig zu messen. Der momentan beste Wert ist ni 300 K 9 97 109 cm 3 . B) Dotiertes Silizium Wir betrachten n-dotiertes Silizium und setzen voraus, dass die Donatoren genau einen gebundenen Zustand mit dem Energieniveau ED erzeugen und das dieses Niveau auch nur einfach besetzbar ist. Das Einbringen von Elementen der 5. Hauptgruppe des PSE, wie Phosphor oder Arsen, auf regul Pl des Siliziumare atze Kristallgitters f uhrt dazu, dass das ubersch ussige f unfte Valenzelektron nur noch schwach an den Donator gebunden ist und leicht thermisch ins Leitungsband aktiviert werden kann. Die Bindungsenergie im Grundzustand, d.h. E g ED , ist nur von der Gr ossenordnung 50 meV . Die Statistik f solche an sogenanur nten achen St rstellen gebundene Elektronen unterscheidet sich etwas von der o Statistik der freien Ladungstr ager. Das gebundene Elektron kann sich in zwei Zust anden benden: spin-up oder spin-down, wir bezeichnen diese Zust ande mit D , D . Der einfach besetzte Zustand hat also zwei Realisierungsm oglichkeiten, der unbesetzte nur eine! nD bezeichne die Besetzungszahl (also hier 0 oder 1). Man f Gewichtsuhrt faktoren gnD ein (also hier g0 1, g1 2), so dass die verallgemeinerte Besetzungswahrscheinlichkeit des Niveaus ED :
nD 0 1
Der Unterschied zu den freien Ladungstr agern besteht also im Auftreten eines Faktors g0 g1 vor der e-Funktion. Dieser Faktor ist 1 2 f Donatoren und ur 2 f Akzeptoren. Die physikalische Ursache liegt in der vorausgesetzten ur Beschr ankung der nur einfachen Besetzbarkeit von E . Ein zweites Elektron D kann nicht gebunden werden, da die starke Coulomb-Wechselwirkung in der Umgebung des Donators (Bohr-Radius!) dies verhindert. Im Gegensatz dazu sind die Elektronen in den B andern relativ weit voneinander entfernt, jedes EnergieNiveau kann dort zweifach besetzt werden (Spin-Entartung).
exp
g0 g1
fD
1
E D c kB T
gnD exp

c E D nD kB T
fD
nD 0 1
gnD nD exp
c E D nD kB T
(5.42)
90
CHAPTER 5. SILIZIUM
Die Neutralit atsbedingung f (homogen) dotiertes Silizium lautet ur

Man beachte, dass ND die Dichte der ionisierten Donatoren, also der unbesetzten Niveaus ist.
mit
Setzt man dies in die Neutralit atsbedingung ein, folgt n2 ND n1 i n 0 n n n1 n2 n n 1 n n 1 n2 i
Man hat also bereits eine kubische Gleichung in n erhalten. Die kann man zwar noch l osen, wir betrachten hier aber nur den wichtigen Fall N ni . Unter D dieser Voraussetzung ist auch n ni und der mittlere Term in (5.44) kann vernachl assigt werden. Dann
ND n1 (nicht zu hohe Dotierung, ausreichend hohe Temperaturen, das FermiNiveau liegt noch einige kB T unterhalb von ED ) n ND , vollst ndige Ionisation a

EF
Eg
kB T ln
ND Nc
ND n1 (sehr hohe Dotierung, tiefe Temperaturen) n n1 ND ND , Ausfrieren der freien Ladungstr ager an den
1 n1 2
4ND n1
n2
n n1
n1 ND
n n1 ND
n1
1 Nc exp 2
Eg ED kB T
2 exp
EF ED kB T
ND
ND 1
fD
ND
ND
ND
n2 i n
def
ND
n1 n n1
(5.43)
(5.44)
(5.45)
91
EF T 0 ED , d.h. das Fermi-Niveau kommt genau in der Mitte zwischen Donator-Niveau und Bandkante zu liegen. Alle diese Betrachtungen sind stark vereinfacht. Mit steigender Dichte wird das Coulomb-Potential der ionisierten St orstellen abgeschirmt. Die Bindungsenergie wird eine Funktion der Dichte: ED ED n . Bei etwa n 2 1018 cm 3 k onnen in Si uberhaupt keine Elektronen mehr an den Donatoren gebunden werden und der Ionisationsgrad wird 1. Diese Situation nennt man Mott-Ubergang. Eine Folge der immer h oheren Dotierung ist, dass die diskreten St orstellen-Niveaus ED zu einem schmalen St orstellen-Band verbreitern, das schliesslich mit dem Leitungsband verschmilzt. Ein weiterer wichtiger Effekt h angt mit der Vielteilchen-Wechselwirkung zusammen. Werden die B ander stark besetzt, wie das bei hohen Dotierungen der Fall ist, ver andert sich die Bandstruktur: Die Energiel ucke schrumpft (band gap narrowing) und Eg Eg ND n . Der Grund sind Energie-Beitr der age Austausch- und Korrelations-Wechselwirkung. Die St arke des Effektes kann man der Abbildung entnehmen.
Band Gap Narrowing Eg [eV]
0.15
0.10
del Alamo et al. Ghannam Mertens et al. Neugroschel et al. Possin et al. Slotboom et al. Swirhun et al. Wieder Schenk model (ntype) Schenk model (ptype) CompElKlaassNEW.eps Klaassen (unified)
72
70 mm
0.05
0.00
16
17
18
19
3
20
21
Log( Density [cm ] )
kB T 2 ln 1 2 Eg
ND 2Nc
1 2
St orstellen EF Eg
Eg
ED
6 Streuprozesse
6.1 Ubergangswahrscheinlichkeit am Beispiel der Streuung an ionisierten Strstellen o
Vorbetrachtung Uberlagert man dem Potential des idealen Kristalls ein konstantes elektrisches Feld E, w achst der Elektronen-Impuls linear an:
Dabei wurde die Anfangsbedingung k t 0 k0 angenommen und die Newtonsche Bewegungsgleichung gel ost. F symmetrische Feldrichtungen gibt es ur einen Zeitpunkt t T E , an dem der Vektor kT K T mit dem Vektor kt 0 zum Zeitpunkt 0 erstmalig wieder zusammenf Das bedeutet, dass der Blochallt. Zustand zum Zeitpunkt T in den Bloch-Zustand zum Zeitpunkt 0 zur uckkehrt. F ganzzahlige Vielfache von T gilt das gleiche. Die Bewegung von Blochur Zust anden im elektrischen Feld ist also periodisch. Man nennt diese Bewegung Bloch-Zener-Oszillationen. Die Periode T dieser Oszillationen ergibt sich aus Gleichung (6.1):
4 F E 10 V cm und primitive reziproke Gittervektoren K b j ist T etwa ur 10 10 s. Kehren wir zu den B andern zur uck, wie wir sie im letzten Kapitel f ur das 1D-Modellpotential erhalten hatten: E k E0 cos ka . Berechnet man daraus die Gruppengeschwindigkeit
92
vg
sin ka
1 dE dk
aE0
K e E

kt
k0
Et
(6.1)
6.1. SKK AM BEISPIEL DER STREUUNG AN IONISIERTEN STORSTELLEN
93
und setzt f k die Beziehung (6.1) ein, so ergibt sich ur
Die Gruppengeschwindigkeit oszilliert also in den Grenzen aE0 mit der Frequenz f aeE h, die genau dem Kehrwert von T im eindimensionalen Fall entspricht. Da die Stromdichte j envg ist, sieht man also, dass ein Gleichfeld E einen Wechselstrom j generiert. Das zeitliche Mittel ist Null, d.h. es iesst kein Gleichstrom. Dass man trotzdem einen Gleichstrom misst, liegt an der Streuung. Nach Zeiten von etwa 10 13 s werden die Bloch-Elektronen durch St osse mit Phononen und St orstellen aus der Bahn geworfen, so dass sie niemals einen Impulszuwachs von K w ahrend der periode T schaffen k onnen. Die Streuung sorgt also bei Bloch-Elektronen nicht wie bei v ollig freien Elektronen daf dass ur, ein sonst unendlich grosser station Strom endlich bleibt, sondern daf dass arer ur, ein sonst verschwindender Strom nicht Null wird! Bloch-Zener-Oszillationen wurden vor einigen Jahren erstmals an Supergittern, die eine viel gr ossere Gitterperiode als a haben, anhand der emittierten Terra-Hertz-Strahlung nachgewiesen. Quantenmechanik: Ultra-Short Course III Goldene Fermi-Regel der QM V t
explizit mitgeschrieben wird. Die zeitabh angige Schr odinger-Gleichung
hat keine station aren L osungen im Zeitintervall 0 . Wir entwickeln t nach den station aren Zust anden n von H0 . Die zugeh origen Eigenenergien sind E . n (Eine solche Entwicklung ist m oglich, da die eine orthonormierte Basis im n Hilbert-Raum bilden.) En t
an t
n exp
H0
V t t
t t
Wt.ID.epsi 53 13 mm
wobei die Ortsabh angigkeit von W t nicht
(6.2)
Wir betrachten einen zeitabh angigen St oroperator der Form
W t 0
vg
sin k0 a
aE0
aeEt
0 t sonst
94
CHAPTER 6. STREUPROZESSE
Zu Zeitpunkten t 0 hat sich das System in einem Eigenzustand von H0 befunden, z.B. i (i steht f initial). Daher muss ur
ni f t 0. Nachdem die St ur orung vorbei ist, d.h. f ur sein. Daraus folgt an t t , haben die Koefzienten wieder konstante Werte ani . Sie h angen vom Anfangszustand (deshalb der Index i) und von der Dauer der St orung ab. F ur Zeiten t lautet also die Wellenfunktion
Die Wahrscheinlichkeit, dass sich das System nun in einem bestimmten Zustand f ( f steht f nal) bendet, wird durch das Betragsquadrat ur
gegeben. M f i heisst Ubergangswahrscheinlichkeit (von i nach f ). Ziel ist die Berechnung von M f i . Dazu setzt man die Entwicklung (6.2) in die Schr odingerGleichung ein und erh im Zeitintervall 0 alt
Um eine Gleichung f die Entwicklungskoefzienten a t zu erhalten, multiur n 3 pliziert man diese Gleichung mit f und integriert uber den IR :
fn
mit
fn E f En nennt man Ubergangsfrequenz. Gleichung (6.4) ist eine Differentialgleichung 1. Ordnung in der Zeit mit der Anfangsbedingung a f 0 f i,
fW t n

f W t n
def
d 3 r n r f r W t
af t
f W t n an t ei f nt
1 i
En t
En t
f n exp
f W t n exp
an t t
an t
En t
W t
En t
an t n exp t
an t
n exp
afi

2 Bez
Mfi
En t
ani
n exp
Ei t
i exp
f t ur
(6.3)
(6.4)
95
wie man durch Einsetzen in (6.2) sofort sieht. Wir nehmen nun an, dass W t nur eine kleine St orung ist, bzw. dass die Dauer der St orung nicht zu lang ist. Dann kann man (6.4) iterativ l osen und im ersten Schritt die Anfangsbedingung 0 in die rechte Seite anstelle von an t einsetzen, also an t ni : 1 f W t i ei f i t i Integration im Intervall 0 unter Beachtung, dass die Zust ande f und i verschieden sein sollen, liefert 1 1 afi dt f W t i ei f i t i 0 Damit erh man f die Ubergangswahrscheinlichkeit in 1. alt ur Ordnung St rungstheorie o

Wir betrachten jetzt zwei wichtige F alle f die Zeitabh ur angigkeit des St oroperators W t : 1.)
Der letzte Schritt folgt aus einer der m oglichen Darstellungen der Funktion:
lim
1 sin2 x 0 x 2
fi 2
f W0 i
sin2
fi 2 fi 2 2
f W0 i 2 2 fi
4 sin2
f i 2
Mfi
f W0 i 2 2 fi
W t
W0
W0 r
keine Zeitabh angigkeit

2
ei f i
1 Mfi
1 afi
dt f W t i ei f i t
afi t
(6.5)
(6.6)
96
Wir denieren die Ubergangswahrscheinlichkeit pro Zeiteinheit als
Man nennt sie oft Fermis Goldene Regel der Quantenmechanik. Sie ist die wohl wichtigste Formel f Anwendungen der QM. Man bedenke, dass ur mit ihr die Berechnung von (mikroskopischen) Streuraten auf die Berech nung eines einzigen Ubergangs-Matrixelements, gebildet mit Zust anden des ungest orten Systems, reduziert wird. 2.)

Die Rechnung ist analog. Es treten lediglich Frequenzverschiebungen f i 0 auf und man erh alt
Die erste -Funktion beschreibt die Emission eines Quants der Energie 0 , die zweite die Absorption eines solchen Quants. Wir betrachten jetzt zwei wichtige F alle f die Ortsabh ur angigkeit des St oroperators W . Anfangs- und Endzust ande seien Bloch-Funktionen der 0 Kristall-Elektronen. 1 ik r 1 i f e uk r e ik r uk r Wir fragen also nach der Wahrscheinlichkeit f die Streuung aus einem Zustand ur mit dem Wellenzahlvektor k aus der 1. BZ in einen Zustand mit dem Wellenzahlvektor k aus der 1. BZ. Da in der QM der Zusammenhang p k zwischen Impuls und Wellenzahlvektor gilt, ist die Frage gleichbedeutend mit der Frage nach den zu erwartenden Impuls anderungen p p. 1.)
f W0 i

k u k r uk r
W0 d 3 re ir k W0 kk
W0 r
const
Sfi
f W0 i
Ei
Ei
Ef
Ef
W t
W0 ei0 t
e i0 t
periodische St orung z.B. Phonon, Photon, ...
Sfi
lim
f W0 i
Ef
Mfi
Ei
(6.7)
97
wegen der Orthonormierung der Bloch-Funktionen. Das Matrixelement liefert also nur von Null verschiedene Beitr age, wenn k k gilt, d.h. eine r aumlich konstante St orung andert den Impuls eines Elektrons nicht. 2.)
q
Wenn q klein ist, dann gilt die Orthonormiertheit wenigstens noch n aherungsweise. Im Rahmen der Effektivmassen-N aherung werden die Bloch-Faktoren von vornherein durch 1 ersetzt. Dann erh man alt
q
Die Fouriertransformation des Potentials W0 r f also direkt auf das Mauhrt trixelement. Bemerkung: Die Goldene Regel zeichnet sich durch eine grosse Allgemeing ultigkeit aus. Dies obwohl ein offensichtlicher Widerspruch besteht. Um die -Funktion zu erhalten, musste man den Limes nehmen. Bei bestimmten Wechselwirkungsprozessen wirkt jedoch die St orung nur w ahrend sehr kurzer Zeiten. F ur Stosszeiten von der Gr ossenordnung 10 14 s und kleiner kann der Ausdruck (6.6) typischerweise nicht mehr in eine -Funktion ubergehen, die Energie-Erhaltung wird verletzt. Dies ist eine Konsequenz der Heisenbergschen Unsch arferelation. Zu kurze Wechselwirkungen, d.h. mit zu grosser Zeitsch arfe, sind unweigerlich mit einer gewissen Energie-Unsch verbunden. Die im folgenden betrachteten arfe Streuprozesse der Elektronen in Silizium-Bauelementen sind jedoch derart, dass die Goldene Regel mit grosser Genauigkeit gilt. A) Anwendung auf Streuung an ionisierten St orstellen Die ionisierten Dotieratome erzeugen ein Coulomb-Potential, das dem eines Protons sehr ahnlich ist. Die Einbettung der Ionen-R umpfe im Silizium hat jedoch zwei Konsequenzen: 1.) Wegen des relativ grossen Bohrschen Radius sp urt das gebundene Elektron ein Gebiet des Kristalls vom Volumen mehrerer hundert Wigner-Seitz-Zellen. Die Polarisierbarkeit der Silizium-Atomr umpfe f dazu, uhrt
f W0 i

q k
k q
W0 k
W0
f W0 i

d 3 re ir k
q u k r uk r
1 W0 q q
W0 r beliebig. Fourierzerlegung: W0 r
eiq r
W0 q
98
dass das Orbital nur den s -ten Teil des nackten Coulomb-Potentials sp s urt. ist die statische Dielektrizit atskonstante ( 11 7 in Silizium). 2.) Die frei bes weglichen Ladungstr ager reagieren auf die zus atzliche Ionen-Ladung durch eine gewisse Umordnung. Resultat dieser Umordnung ist ein zus atzliches Potential, das jedes Elektron im System sp also auch das an der St urt, orstelle gebundene. In einfachster N aherung kann man diesen Effekt mittels einer q-abh angigen dielektrischen Funktion der Gestalt
beschreiben (der Index s steht f screening). Die Wellenzahl q s ist ur umgekehrt proportional zur sogenannten Abschirmlange Ls : Ls 2 qs . Man ndet in 1. Ordnung St orungstheorie
0.0 1000
Screening Length (nm)
100
lambda.eps 63 55 mm
Potential (eV)
0.1
yukawa.eps 62 57 mm
10
10 16 10 18 10 20 10
10 15
14
1 14 10
10
15
10
16
10
17
10
3
18
10
19
10
20
0.2
Density (cm )
Distance (nm)
Realistisch berechnete Abschirml ange als Funktion der Elektronendichte in n-Silizium bei 300 K (links). Yukawa-Potential bei verschiedenen Elektronendichten (rechts).
d.h. die Abschirml ange ist 1 n p. Je gr osser die Dichten der frei beweglichen Ladungstr ager, um so st arker wird das Coulomb-Potential abgeschirmt. Dies geht soweit, dass ab einer bestimmten Dichte uberhaupt kein Elektron mehr an der St orstelle gebunden werden kann. Dies ist der bereits im vorangegangenen Kapitel erw ahnte Mott- Ubergang. Er ndet in Silizium bei 18 cm 3 statt. Dar Dichten von etwa 2 10 uber sind alle Dotieratome ionisiert. Das effektive Potential, das von den ionisierten Dotieratomen erzeugt wird, nimmt nach dem oben Diskutierten die Form des sogenannten Yukawa-Potentials
q2 s
4e2 n s kB T
q2 s q2
99
an
an. Um die Ubergangswahrscheinlichkeit f Streuungen an diesem Potential zu ur nden, m ussen wir also nur die Fourier-Transformierte berechnen:
Dies sollte man als Ubung tun (Kugelkoordinaten!), das Ergebnis ist
Damit erh man alsUbergangswahrscheinlichkeit Skk f die Streuung an einer alt ur ionisierten St orstelle
2
Wir betrachten ionisierte Donatoren mit einer mittleren Dichte ND . Nach Prozess-Schritten wie Implantation, Eindiffusion und Ausheilung sind die Donatoren regellos auf dem Kristall-Gitter verteilt. Ist der Abschirmradius kleiner als der halbe mittlere Abstand zwischen den Donatoren, kann man die Streuung an verschiedenen Donatoren als unabh angig voneinander ansehen. Dies ist f Dotierungskonzentrationen (und damit Dichten), die die Beweglichkeit der ur Ladungstr ager tats achlich beeinussen, gut erf Da wir alle Berechnungen auf ullt. das Grundgebiet beziehen wollen, ist der letzte Ausdruck noch mit der Zahl der Donatoren im Grundgebiet ND zu multiplizieren, um zur totalen Streurate zu kommen (wegen der vorausgesetzten Unabh angigkeit der Donatoren)
(Brooks, Herring, 1951). Der Fall geringer Dotierungskonzentrationen, bei dem der Abschirmradius gr osser als der halbe mittlere Abstand zwischen den Donatoren werden kann, erfordert eine gesonderte Behandlung der dabei auftretenden Mehrfach-Streuung (Conwell, Weisskopf).
Ls 2
Skk
Ek
Ek
2 4e2 2 s
ND
Ls 2
Skk
Ek
Ek
4e2
W0 q
4 e2 s q 2 Ls 2
W0 q
d 3 r e iq rW0 r
W0 r
e2 e r Ls s r
(6.8)
(6.9)
(6.10)
100
B) Impuls-Streurate Gem ass Gleichung (3.15) ist die Beweglichkeit direkt proportional zur makroskopischen Impuls-Relaxationszeit: n e p n mn . Das 1. Moment der Boltzmann-Gleichung liefert den Zusammenhang zwischen p n und dem Stossterm der BG v v n n (6.11) t coll p n (sh. Kap.3). Wir schreiben beide Seiten explizit aus, wobei nach (5.20) kSummation durch k-Integration ersetzt wird.
coll
2 k2 2m Dabei wurde ein einfaches, parabolisches Leitungsband Ec k n angenommen, was ausreicht, weil nur kleine k in der Umgebung des Band minimums zur Ubergangswahrscheinlichkeit beitragen. Um (6.11) nach 1 p n au osen zu k onnen, betrachten wir o.B.d.A. die z-Komponente der Geschwindigkeit und erhalten
F die k-Integration wird kz als Polarachse benutzt. Da die St ur osse elastisch sind, haben die Vektoren k und k die gleiche L ange, so das k kz cos mit z dem Streuwinkel . Dies f auf uhrt
mit der Impuls-Streurate
p 1 k n
d 3 k Skk 1
83
p n
cos
d 3 k f k kz p 1 k n 3k f k d k z
p n
d 3 k f k kz
83
d 3 k fk d 3 k Skk kz
kz
(6.12)
p n
k d 3 k d 3 k Skk fk fk 3 8 mn d 3 k fk d 3 k Skk k k mn 83 1 d 3 k f k k mn p n
fk fk
Skk 1
fk
fk v
v t
d 3 k Sk k 1
6.2. DIE WICHTIGSTEN STREUMECHANISMEN IN SILIZIUM
101
Vergleicht man den letzten Ausdruck mit der totalen (mikroskopischen) Streurate aus Kap.2, die dort f symmetrische (randomizing) ur Ubergangswahrscheinlichkeiten Skk S k k Sk k S k k deniert wurde, so tritt hier ein Faktor 1 cos auf, der Streuungen mit 0, die zu keinerlei Impuls anderung f uhren, herausltert. Die Ubergangswahrscheinlichkeit Skk wird f 0 maximal, da ur
in dem Fall verschwindet. Die Streuung an ionisierten St orstellen ist also nicht randomizing, sondern f uhrt bevorzugt zur Vorw arts-Streuung. Setzt man den Ausdruck (6.10) f S in die Impuls-Streurate ein und nutzt die -Funktion ur kk aus, ergibt sich 1 p n als Funktion nur der Energie:
mit
(Brooks, Herring, 1951). Mit wachsender Energie nimmt die Impuls-Streurate sehr schnell ab, was nachtr aglich nochmal die Verwendung der EffektivmassenApproximation rechtfertigt.
6.2 Die wichtigsten Streumechanismen in Silizium

Der wichtigste Streumechanismus ist die Streuung an Phononen, den Quanten der Gitterschwingungen. W ahrend die Streuung an ionisierten St orstellen elastisch ist, liefert die Phononstreuung einen Energieverlust-Mechanismus (Emission von optischen Phononen). Die Beweglichkeit der Ladungstr ager in Silizium (und damit auch die Temperaturabh angigkeit der Beweglichkeit) ist f N ur dop 1016 cm 3 v ollig von der Phononstreuung dominiert. Der St oroperator ist das sogenannte Deformationspotential. Man erh es, wenn man die Energiealt Anderung infolge der Gitterdeformation (Anderung der Gitterkonstanten a) st orungstheoretisch berechnet. Eine relativ einfache Darstellung ndet sich im Buch von Hess (S. 89 ff.). Wir geben hier nur die Impuls-Streuraten der wichtigsten Prozesse als Funktion der Energie an, wobei wieder eine parabolische Dispersion der B ander vorausgesetzt wurde.
ln 1
und
p 1 Ek n
2mn 2 Ek s
3 2
e4 ND
8mn Ek 2L 2 s
k2
k2
2kk cos
2k2 1
cos
4k2 sin2
102 I NNERTAL -S TREUUNG AN

AKUSTISCHEN
CHAPTER 6. STREUPROZESSE P HONONEN ( ELASTISCHE N AHERUNG )
(Dac - Deformationspotential-Konstante, - Massen-Dichte, cl - longitudinale Schall-Geschwindigkeit). Der Ausdruck f die L ur ocher ist ahnlich, Deformationspotential-Konstante und effektive Massen sind anders.
Z WISCHENTAL -S TREUUNG (E LEKTRONEN )
AN AKUSTISCHEN UND NICHT- POLAR OPTISCHEN
( - effektive Phonon-Frequenz, Div - effektive DeformationspotentialKonstante, f E - Fermi-Dirac-Verteilung, f B - Bose-Einstein-Verteilung fB exp kB T 1 1 , - Stufenfunktion).

S TREUUNG
AN NICHT- POLAR OPTISCHEN
P HONONEN (L OCHER )
(Dnop - nicht-polar optische Deformationspotential-Konstante, 0 - effektive Phonon-Frequenz, f B 0 - Bose-Einstein-Verteilung f B 0 exp 0 kB T 1 1 ).

S TREUUNG
AN IONISIERTEN
S T ORSTELLEN (B EISPIEL
EINFACHE
D ONATOREN )
Mit ge anderter effektiver Masse gilt dieser Ausdruck auch f L ur ocher. Allerdings versagt die 1. Ordnung St orungstheorie bei diesem Streumechanismus relativ schnell.
p n E
imp
e4 ND 2mn 2 E 3 2 s
f E
fB 0
p p E
nop
20
3f
f E
0 f B 0
0 E
D2 md p nop
3 2
fB
1 2
1 2
T ler a
iv n E p
2 f E Z mt2 ml Div 1 f E 2 3
acn E p
D2 2 mt2 ml kB T ac 4 c2 l
P HONONEN
6.3. DIE MATTHIESSEN-REGEL
103
Man entnimmt diesen Formeln folgende allgemeine Charakteristika: Die Phonon-Streuraten sind proportional zur Zustandsdichte E und zu den Phonon-Besetzungswahrscheinlichkeiten f B . Sie sind ausserdem monoton wachsende Funktionen der Temperatur T , denn im Fall kB T geht
6.3 Die Matthiessen-Regel

Wenn man voraussetzt, dass die einzelnen Streuprozesse unabh angig voneinander sind, dann ist die totale Streurate die Summe der partiellen Streuraten
wegen der Additivit der quantenmechanischenUbergangswahrscheinlichkeiten. at Die partiellen Beweglichkeiten ergeben sich durch gewisse Mittelwerte uber die mikroskopischen Relaxationszeiten (sh. n achstes Kap.)
N aherungsweise gilt
1 tot
Matthiessen-Regel
(Additivit der Teilwiderst at ande). Diese Regel ist deshalb eine N aherung, weil
Nur wenn alle 1 dieselbe Energieabh angigkeit haben, gilt die MatthiessenRegel exakt, wie man leicht uberpr ufen kann. Andersherum, je unterschiedlicher osser die Energieabh angigkeit 1 E s der einzelnen Impuls-Streuraten, desto gr der Fehler. In der Bauelemente-Simulation verwendet man oft empirische Modelle f die einzelnen partiellen Beweglichkeiten . Dann ist die Matthiessenur Regel die einzige M oglichkeit, daraus eine totale Beweglichkeit zu konstruieren.
1 tot
1 tot
tot k
e kB T
fB
kB T
(6.13)
Beweglichkeit kalter und heisser Ladungstr ager
7.1 Partielle Beweglichkeiten fr Streuung an ionisierten u Strstellen und an akustischen Phononen o

Mit den Impuls-Streuraten aus dem letzten Kapitel kann man die partiellen Beweglichkeiten leicht berechnen:
W urde man hier die Gleichgewichtsverteilung f k einsetzen, so w urde ein Aus0 1 k von Gleichung (2.8) als druck Null/Null entstehen. Deshalb benutzen wir f Abweichung vom Gleichgewicht in niedrigster Ordnung
und erhalten unter Auszeichnung der z-Richtung
Partielle Beweglichkeit f Streuung an ionisierten St ur orstellen Setzt man die Impuls-Relaxationszeit aus dem letzten Kapitel 2mn 2 E 3 2 s 4N e D
104
imp E pn
dE
E f0 E
2 e 3 mn
kz f0 3 2 dE E E p n
3 e d k kz p n Ek kz f0 Ek mn d 3 k k z f 0 Ek
p n Ek
k f0 Ek
eE
e d 3 k f k kz m n d 3 k f k k z p 1 Ek n
7.2. MODELLE FUR DIE BEWEGLICHKEIT KALTER LADUNGSTRAGER IM BULK 105
hier ein, beschr ankt sich auf Maxwell-Boltzmann-Statistik, benutzt
x xn
Partielle Beweglichkeit f Streuung an akustischen Phononen ur Setzt man die Impuls-Relaxationszeit in elastischer N aherung aus dem letzten Kapitel mt2 ml kB T
D2 2 ac
ein, so folgt mit Maxwell-Boltzmann-Statistik
F die effektive Masse m hat man in (7.1) und (7.2) jeweils die Zustandsdichteur n 2 m 1 3 zu benutzen. Masse mdn mt l
7.2 Modelle fr die Beweglichkeit kalter Ladungstr im bulk u ager
Empirisches Grundmodell (Caughey, Thomas, 1967):
L T ist lattice mobility mit empirischer Temperaturabh angigkeit, z.B. f Elektronen n T ur 1417 T 300 2 5 cm2 V s L
Nimp
Nimp T
L T
Nimp T
min
L T
Dotierung bis 1019 cm
Nimp Nre f
min
ac n
2 e 2 4 c2 l 5 2 3 D2 mn kB T 3 ac
acn p
4 c2 l
imp n
8 22 kB T 3 2 s e3 3 2 mn ND
mit
24mn kB T 2L 2 s
und zieht E am Maximum des restlichen Integranden (Emax Integral, folgt
3 kB T ) aus dem (7.1) (7.2) (7.3)
dx e x
3 2
106
CHAPTER 7. BEWEGLICHKEIT KALTER UND HEISSER LADUNGSTRAGER
10
intervalley
Mobility (cm /Vs)
10
10
10
munTfull.eps 72 72 mm Norton et al. Long Rauch et al. Logan et al. power law (Dessis) Schenk model
ac
20 30
50 100 200 Temperature (K)
500
1000
Temperaturabh angigkeit der bulk-Beweglichkeit thermalisierter (kalter) Elektronen in Silizium. Die relativen Anteile von Zwischental-Streuung an nicht-polar optischen und akustischen Phononen (inter-valley) und Innertal-Streuung an akustischen Phononen (ac) sind als gestrichelte Kurven dargestellt.
1.4 1.2 500 400
Mobility (10 cm /Vs)
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0

impn.eps 63 59 mm
Mobility (cm /Vs)
300 200 100 0

impp.eps 64 64 mm
theory (Fermi) theory (Boltzmann) data Masetti et al.
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Log(Nimp (cm ))
Log(Nimp (cm ))
Abh angigkeit der bulk-Beweglichkeit thermalisierter (kalter) Elektronen (links) und L ocher (rechts) von der Dotierungskonzentration. Experimentelle Kurven sind mit offenen Kreisen dargestellt, die theoretischen Ergebnisse in Bornscher N aherung mit durchgezogenen Kurven (Fermi-Dirac-Statistik) und gepunkteten Kurven (MaxwellBoltzmann-Statistik).
7.2. MODELLE FUR DIE BEWEGLICHKEIT KALTER LADUNGSTRAGER IM BULK 107
zwei empirische Parameter, mit denen die Position und die Steilheit der Flanke eingestellt wird, z.B. f Elektronen N f ur 9 7 1016 cm 3 und re 07
Modiziertes Caughey-Thomas-Modell (Masetti, 1983):
Anpassung des second drop mit drei zus atzlichen Parametern
Unterschied zwischen Minorit und Majorit atsatsladungstr ager-Beweglichkeit
Electron Minority Mobility [cm /Vs]
700 600 500 400 300 200 100 0 17 18 19

3
500
Hole Minority Mobility [cm /Vs]
200 100 0
20
17
18
Log(NA [cm ])
Log(ND [cm ])
Symbole zeigen gemessene Minorit atsladungstr ager-Beweglichkeiten, Elektronen in pSi (links) und L ocher in n-Si (rechts). Zum Vergleich sind mit den durchgezogenen Kurven die Majorit atsladungstr ager-Beweglichkeiten dargestellt.
Messungen deuten darauf hin, dass Minorit atsladungstr ager-Beweglichkeit gr osser als Majorit atsladungstr ager-Beweglichkeit ab Dotierung von etwa 1017 cm 3
Dziewior and Silber Tang et al. Swirhun et al. 1986 Swirhun et al. 1988 Leu and Neugroschel majority carrier mob. nminority.eps 63 67 mm
400 300
Dziewior and Silber Burk et al. Mertens et al. del Alamo et al. Wang et al. Wang and Neugroschel majority pminority.eps carrier mob. 63 67 mm
Nimp Nre f 1
Nimp T
min
L T
Starke Dotierung 1019 cm
bis 1021 cm
min
Nre f 2 2 Nimp
19
3
Nimp min

Nre f 50 70 cm2 V s
Nimp T
min
const, z.B. f Elektronen ur
(7.4)
20
108
Erkl arung uber Versagen der St orungstheorie 1. Ordnung (Bornsche N aherung) repulsive Streuung schw acher als attraktive
7.3 Beweglichkeit im MOSFET-Kanal

Was andert sich physikalisch f die Ladungstr ur ager im Kanal eines MOSFETs? Streuung an den Mikro-Rauhigkeiten der Si-SiO2 -Grenz ache (surface roughness scattering)
silicon
Mikro-Rauhigkeiten der Si-SiO2 -Grenz ache f uhren zu lateralen Fluktuationen des Ober achenpotentials, an denen die Ladungstr ager gestreut werden. Zwei empirische Parameter dienen zur Modellierung: eine Korrelationsl ange L und eine mittlere Rauhigkeit .
Streuung an geladenen Grenz achen-Zust anden und festen Oxid-Ladungen (xed oxide charges) zus atzlich zur Streuung an den ionisierten St orstellen im Silizium. Im Inversionsfall ist jedoch jede Coulomb-Streuung wegen der grossen Ladungstr agerdichte im Kanal so stark abgeschirmt, dass die Ober achenstreuung uberwiegt.
Modikation der Phonon-Streuung durch Ober achen-Phononen
2D-Quantisierungseffekte
Zustandsdichte und Streuraten andern sich.
Welche Mechanismen dominieren, h angt vor allem von der Feldst arke E senkrecht zur Grenz ache ab.
SiO2 L roughness.ID.epsi 83 39 mm
7.3. BEWEGLICHKEIT IM MOSFET-KANAL

starke Inversion nahe Gleichgewicht
109
NA
besetzte Grenzflchenzustnde
oxidecharges.ID.epsi 84 63 mm
positive Oxidladungen
Coulomb-Streuung und Phonon-Streuung
surface roughness und Phonon-Streuung
Im subthreshold-Bereich des MOSFETs dominiert neben der Phonon-Streuung die Coulomb-Streuung an geladenen Grenz achen-Zust anden, an festen Oxid-Ladungen und an den ionisierten St orstellen im Silizium. Bei starker Inversion sind die CoulombStreuzentren abgeschirmt, und es uberwiegt neben der Phonon-Streuung die Streuung an den Mikro-Rauhigkeiten der Si-SiO2 -Grenz ache.
0.1
E F,Si E F,g
0
energy (eV)
mosgures.ID.epsi 129 51 mm
E 1 E 0 E1 E0 E F,Si
0.002 0.003 0.004 distance (m)
Quantisierung im MOSFET-Kanal senkrecht zur Si-SiO2 -Grenz ache. Links: Bandverbiegung in einer nMOS-Struktur mit 2 nm Oxiddicke (Vg 0 4V ). Die Leitungsbandkante rutscht unter das Si-Ferminiveau. Mitte: Die untersten vier Energieniveaus in Relation zum Si-Ferminiveau. Ungestrichene Energien beziehen sich auf die quantisierten Zust ande mit longitudinaler effektiver Masse (2-fach entartet), die gestrichenen auf Zust ande mit transversaler effektiver Masse (4-fach entartet). Numerische Rechnungen zeigen, dass das Ferminiveau unabh angig von der Gate-Spannung zwischen den untersten beiden Niveaus liegt. Deshalb ist die thermische Besetzung der h oheren Subb ander schwach und die Verwendung der Effektivmassen-Approximation gerechtfertigt. Rechts: z-Komponente der Wellenfunktionen der untersten vier Zust ande.
5 nm
110
Beispiel eines physikalisch motivierten empirischen Modells (Schwarz, Russek, 1983)
Dies ist ein Beispiel f die Verwendung der Matthiessen-Regel: 1 ur tot 1 bulk 1 sur f . Im Kanal-Term bedeutet z die Ausdehnung des Kanals in Richtung senkrecht zur Si-SiO2 -Grenz ache. Der Faktor p ist der sogenannte Fuchs-Streufaktor. Die Herkunft des Kanal-Terms kann folgendermassen motiviert werden: e e l sur f p sur f m m vth Hier ist die Impuls-Relaxationszeit p sur f durch das Verh altnis einer Streul ange l und der mittleren thermischen Geschwindigkeit vth 3kB T m ausgedr uckt worden. Die Streul ange wird mit der Ausdehnung des Kanals in Richtung senkrecht zur Si-SiO2 -Grenz ache identiziert. Damit erh man 1 sur f alt T z. Der Ausdruck f z lautet in diesem Modell ur E
E av ist die mittlere Feldst arke senkrecht zur Si-SiO -Grenz ache gebildet mit 2 der Ladungsdichte n z :
zp 1 dz E z n z av ninv 0 ninv ist die 2D Inversionsladungsdichte und z p der Rand des neutralen Gebietes. Die Form (7.6) f z erkl sich wie folgt. z wird als Summe aus klassischer und ur art quantenmechanischer Kanalweite angesetzt. Klassischer Term: Nach dem Virialtheorem gilt f eine beschr ur ankte Bewegung T V , d.h. der Mittelwert der kinetischen Energie ist gleich dem Mittelwert der potentiellen Energie. Deshalb ist

zkl
3kB T 2eE av
m 2 v 2 th
3 kB T 2
eE
av zkl
1 3 av
0 039 E av
T 300
1 24
10
(7.6)
bulk
Kanal Effekte
1 tot
1 L T
32
10 z
9p
T 300
1 2
(7.5)
7.3. BEWEGLICHKEIT IM MOSFET-KANAL
111
In Abh angigkeit von der Feldst arke E av , d.h. von der angelegten GateSpannung, dominiert entweder der klassische Term (subthreshold-Bereich) oder der quantenmechanische Term (starke Inversion). Der Fuchs-Streufaktor p beschreibt den Anteil an diffuser Streuung, denn der reexive Anteil tr nicht agt zur Impuls-Streurate bei. Ober achenstreuung: Das Potential wird linear in der mittleren Fluktuation entwickelt: V x y z V x y z0 V z z z0 und der letzte Term als St oroperator genommen. Das Quadrat des Ubergangsmatrixelements (Goldene Regel!) wird dann 2 E 2 . Bemerkungen: Zur Anpassung der einzelner Parameter muss MOSFET unter solchen Bedingungen betrieben werden, bei denen ein bestimmter Streumechanismus dominiert.

In Simulatoren oft Modelle als Funktion der lokalen Feldst arke E , z.B.
(Lombardi et al., 1988)
1 3
BT E
C Nimp N0
1 tot
1 L T
E2
Modell als Funktion der mittleren Feldst arke E Simulation.

av
zu aufwendig f BEur
2em
zqm
1 3E 1 3 av
1 2 p 2m

eE
av zqm 3 2
Quantenmechanischer Term: Nach der Heisenbergschen Unsch arferelation ist p z altheorem
und nach dem Viri-
112

10
3
Effective Mobility [cm /Vs]
~ Eav
0.96
theoretical experimental
ohne300K.eps 80 68 mm
10
10
10
Effective field [V/cm]
Effektive Beweglichkeit als Funktion der mittleren Feldst arke im Dotierungsbereich 1015 cm 3 bis 1019 cm 3 und f verschiedene Oxiddicken zwischen 3 nm und 13 nm. ur Man erh eine universelle Kurve, solange Streuung an geladenen St alt orstellen vernachl assigbar ist.
7.4 Beweglichkeit heisser Ladungstr ager

7.4.1 S attigung der Driftgeschwindigkeit Betrachten homogenes n-Si. Vom hydrodynamischen Transportmodell (3.26) erh man, wenn man die r alt aumlichen Gradienten wegl asst E n
Im station aren Zustand ist demnach

Die Elektronentemperatur steigt unter dem Einuss des elektrischen Feldes E an, man spricht von heissen Elektronen. Effekte heisser Elektronen werden
Tn
TL
E n
2 j E 3kB n n
Setzt man wn
3kB Tn 2 wie im Energie-Balance-Modell, folgt Tn t 2 j E 3kB n n Tn TL E n
wn t
1 j E n n
wn
3kB TL 2
(7.7)
7.4. BEWEGLICHKEIT HEISSER LADUNGSTRAGER
113
bei h oheren Feldern merklich, wo man die Diffusion gegen uber der Drift vernachl assigen kann. Deshalb setzen wir j en n E in Gleichung (7.7) ein: n
A) Warme Elektronen F nicht zu grosse Feldst ur arken kann man zeigen, dass die EnergieRelaxationszeit und die Beweglichkeit in folgender Form von der Temperatur der Elektronen abh angen:
Einsetzen in (7.8) ergibt
Die Elektronentemperatur steigt mit dem Quadrat der Feldst arke an. Setzt man andererseits Tn in den Ausdruck f die Beweglichkeit ein, so folgt ur 1 B) Sehr heisse Elektronen F sehr grosse Feldst ur arken kann man annehmen, dass E n n

d.h die Driftgeschwindigkeit der Elektronen vD n E s attigt beim Wert der S attigungs-Driftgeschwindigkeit v n . Einsetzen in (7.8) ergibt dann sat
Tn
TL
const
2e vsat n E 3kB
d.h. Tn
const vsat n E
0 const 3k2eTL 0 E 2 B
Tn
TL
const
2e 0 E 2 3kB
TL Tn
d.h. Tn
E2
E n
10
12
Tn s TL
const
Tn
TL
2e E n n E E 2 3kB
(7.8)
Tn TL
114
4.0 3.8 3.6

4.0
Monte Carlo analytical
3.8 3.6
Monte Carlo analytical
Log(Tn [K])
3.2 3.0 2.8 2.6 2.4 3.0 3.5
Log(Tp [K])
3.4
TnofF1.eps 59 62 mm
3.4 3.2 3.0 2.8 2.6

TpofF.eps 61 62 mm
4.0
4.5
5.0
2.4 3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
Log(E [V/cm])
Log(E [V/cm])
Abh angigkeit der Ladungstr ager-Temperatur von der Feldst arke, Elektronen (links) und L ocher (rechts).
Die Elektronentemperatur steigt linear mit der Feldst arke an. F die Driftur geschwindigkeit der Elektronen ergibt sich const 3k2eTL 0 E 2 B
7.4.2 Empirische Modelle f Bauelemente-Simulation ur
Diese wird zum Fit-Modell verallgemeinert (Caughey, Thomas, 1967)
low E vsat
low
1
low E vsat
2 1 2
Mit A) und Ersetzen der Konstanten durch const eine feldabh angige Beweglichkeit der Form low E
3kB TL 0 2ev2 n erh man alt sat
(7.9)
B)
vD
vsat n
A)
vD
0 E
7.4. BEWEGLICHKEIT HEISSER LADUNGSTRAGER
115
7.6
Log( Electr. Drift Velocity [cm/s] )
7.4 7.2 7.0 6.8 6.6 6.4 6.2 6.0 5.8 5.6 3
vsat.eps 62 59 mm
Log( Hole Drift Velocity [cm/s] )
7.0 6.8 6.6 6.4 6.2 6.0 5.8 5.6 5.4 3 4

vsatpdop.eps 62 60 mm
T=100K T=200K T=300K T=400K T=450K
pure 16 3 10 cm 17 3 10 cm 18 3 10 cm 19 3 10 cm
4 5 Log( Field Strength [V/cm] )
Log( Field Strength [V/cm] )
S attigung der Driftgeschwindigkeit bei verschiedenen Gitter-Temperaturen (Elektronen, links) und bei verschiedenen Dotierungskonzentrationen (L ocher, rechts).
Im Energie-Balance-Modell verwendet man auch Modelle als Funktion der Ladungstr ager-Temperatur. Aus (7.9) erh man sofort ein temperaturabh alt angiges Modell, wenn man die Feldst arke durch T TL ausdr uckt, z.B. f sehr heisse ur n Elektronen:
3kB Tn TL 2e E n vsat n
116
Veranschaulichung velocity overshoot

drift velocity (arb. units)
overshoot.ID.epsi 85 61 mm
time (arb. units)

Veranschaulichung velocity overshoot. Die zuf alligen Geschwindigkeiten der Elektronen sind durch die Pfeile symbolisiert. Zur Zeit t 0 wird ein starkes elektrisches Feld eingeschaltet. Die Elektronen werden beschleunigt und f eine kurze Zeit so gut ur wie nicht gestreut (Tn TL ). Deshalb bleiben die zuf alligen Geschwindigkeiten klein. Da alle Elektronen in dieselbe Richtung iegen, kann jedoch eine grosse mittlere Driftgeschwindigkeit erreicht werden. Nachdem die Streuung einsetzt, werden Impulse und Energien immer mehr zuf allig verteilt und die mittlere Driftgeschwindigkeit nimmt ab. Gleichzeitig wachsen die zuf alligen Geschwindigkeiten immer weiter an, d.h. T TL . n Die Zeitskala ist typischerweise in Picosekunden, die maximale Driftgeschwindigkeit 7 betr einige 10 cm s bis 108 cm s. agt

Strahlungslose Rekombination
8.1 Tiefe Strstellen o
Quantenmechanik: Ultra-Short Course IV Energieniveau einer tiefen St orstelle
Punktf ormige Defekte wie Vakanzen, Si-Atome auf Zwischengitterplatz oder Metallatome auf Gitterplatz bezeichnet man als tiefe Storstellen. Das St orpotential solcher Zentren ist stark lokalisiert (-f ormig) und f uhrt zu gebundenen Zust anden, die ebenfalls in einem Gebiet weniger Elementarzellen lokalisiert sind. Wir bezeichnen den Operator des St orpotentials mit U r . Die L osung der Schr odinger-Gleichung
wobei H0 der Kristall-Hamiltonoperator ist, liefert die Eigenenergien, d.h. die Bindungsenergien der an solchen St orstellen gebundenen Elektronen oder L ocher. Wir stellen die gesuchten Wellenfunktionen in der Basis der Bloch Zust ande dar (den Eigenfunktionen vonH0 ):
k
Einsetzen in die Schr odinger-Gleichung ergibt zun achst

117
E k
U r
mit
d 3 r
r r
(8.1)
U r
H0
E r
118
CHAPTER 8. STRAHLUNGSLOSE REKOMBINATION
Nach Multiplikation mit k r und r aumlicher Integration folgt
Zur Vereinfachung beschr anken wir uns auf ein Band ( 0 , EinbandN aherung) und approximieren das Matrixelement mit U r durch eine Konstante U0 :
Dies ist f sehr stark lokalisierte St ur orpotentiale gerechtfertigt, weil in dem Fall alle k-Vektoren aus der 1. BZ gleichermassen beitragen. Die Eigenwertgleichung vereinfacht sich damit zu
In der letzten Zeile wurde uber alle k summiert. Wenn ein Eigenzustand zur Eigenenergie E ist, dann ist 0 und man darf durch die linke Seite dividieren. Das Ergebnis ist eine S akulargleichung f das Energieniveau E der tiefen ur St orstelle:
Sei 0 v (Valenzband) und der Energie-Nullpunkt Ev 0. Die graphische 0 L osung der Gleichung (8.2) f E E liefert einen Schnittpunkt bei E Et . ur v Das tiefe Niveau liegt um so tiefer im Gap, je gr osser U0 ist (siehe Abb.). Allerdings ist die Einband-N aherung meist nicht gerechtfertigt, da das Potential tiefer St orstellen die B ander koppelt.

1 U0
1 E0 k
k0
U0 E0 k
k 0
k0
U0 E0 k
k 0
k0 U r k 0

U0
E k
E k
k k U r k
kk
E k
k k
k k U r k
(8.2)
8.1. TIEFE STORSTELLEN
119
inverse energy
E k
1 E v (k)
1 U0
deeplev.ID.epsi 65 47 mm
Et
Eg
Graphische L osung der S akulargleichung (8.2).
Vakanz in Silizium
anti-bindende Zustnde
vakanz.ID.epsi 117 82 mm
T2 sp3 bindende Zustnde (bindende Linearkombinationen von sp3 Hybridorbitalen)

0 V+
V0
V2+
+
0 V+
Dehybridisierung (Aufhebung der Linearkombination) vor der Ionisation nach der Ionisation A1
Tiefe St orstellen spielen entscheidende Rolle f die Rekombination in Halur bleitern.
Einfang eines Elektrons und eines Lochs = Rekombination
genrecschema.ID.epsi 40 22 mm
Gitterrelaxation + Elektron-Elektron-WW
Erzeugung eines Elektrons und eines Lochs = Generation
120
Wo bleibt die bei der Rekombination freiwerdende Energie? - Strahlung: Emission eines Photons (im indirekten Halbleiter Silizium jedoch geringe Wahrscheinlichkeit) - Anregung eines zweiten Elektrons oder Lochs (Auger-Rekombination, nur bei grossen Ladungstr agerdichten) - Phononen (W arme) - andere (z.B. Defekt-Reaktionen) Bei Umwandlung in W arme ergibt sich folgendes Problem: E Eg 2 t 0 56 eV aber (!!) ph 0 06 eV . Die Rekombination eines ElektronLoch-Paares kann nur unter gleichzeitiger Emission vieler Phononen erfolgen. Man spricht von Multiphonon-Rekombination.
total energy
Ec
confcoord.ID.epsi 109 72 mm
Et
hph
Ev
|
Qc,p
Qt
Qc,n
configuration coordinate
Multiphonon-Rekombination im Kongurations-Koordinaten-Diagramm. Im linken Teil ist der elektronische Anteil der Gesamtenergie dargestellt, rechts die totale Energie (elektronischer Anteil plus potentielle Energie des harmonischen Oszillators). Die Gitterschwingungen sind durch eine representative Auslenkung Q des Oszillators und eine effektive Phononenergie ph beschrieben. Ein Elektron rekombiniert mit einem Loch durch den Ubergang c t v. Dabei relaxiert das Gitter, was mit einer Verschiebung der Gleichgewichtslage des Oszillators einhergeht: 0 Qt 0. Infolge der starken Elektron-Phonon-Kopplung sind Uberg ange an den Schnittpunkten Q n und c Qc p der Potentialparabeln m oglich. In der N der Schnittpunkte bendet sich das ahe System in einem vibronisch hochangeregten Zustand und relaxiert unter Emission vieler Phononen.

8.2. GENERATIONS-REKOMBINATIONSRATEN FUR BAND-BAND- UND BAND-TRAP-UBERGANGE
121
8.2 Generations-Rekombinationsraten fur Band-Band- und Band Trap-Uberg ange

Die Rate kann mit dem 0. Moment des Stossterms der Boltzmann-Gleichung berechnet werden. Das Nichtgleichgewicht wird durch ortsabh angige QuasiFermi-Niveaus f Elektronen und L ur ocher beschrieben. Dahinter steckt die Annahme, dass sich die Ladungstr ager in ihren jeweiligen B andern untereinander (lokal) im thermodynamischen Gleichgewicht benden. Solange die ImpulsRelaxationszeiten der Intra-Prozesse klein gegen die Zeitkonstanten der Generation/Rekombination bleiben, ist diese Annahme gerechtfertigt. Sie ist im ubrigen die Voraussetzung daf dass man separate Transportgleichungen f Elektronen ur, ur und L ocher aufschreiben darf. Band-Band-Uberg ange Da die Anfangs- und Endzust ande in den B andern liegen, lautet der Stossterm
coll
Unter Benutzung parabolischer B ander kann man von der k-Integration zur Energie-Integration ubergehen. Dabei entstehen Zustandsdichte-Faktoren (vgl. (5.24)), allerdings ohne den Faktor 2 vom Spin, da der Spin erhalten bleibt. Man erh alt dEc dEv S Ec Ev Dc Ec Dv Ev
coll Ec
Wir betrachten im folgenden Maxwell-Boltzmann-Statistik, d.h. f c Ec 1 und 1 fv Ev 1. Dann k urzen sich im Ausdruck f S alle Exponentialur Funktionen, die von den Quasi-Fermienergien EF n und EF p abh angen, heraus. ist deshalb eine dichte-unabh S angige Konstante.
Generationsterm:
const , denn f v Ev 1
f c Ec
1.
dEc dEv S Dc Dv fc 1 fv dEc dEv Dc Dv fc 1 fv
Rekombinationsterm:
np S
mit
f v Ev 1
f c Ec
f c Ec 1
f v Ev
n t
Ev
fc k
Skk fc k 1
fv k
d 3 k Sk k f v k
n t
122
Die Netto-Rate f Band-Band-Rekombination wird damit ur
angt vom jeweiligen Rekombinations-Mechanismus Die konkrete Form von S h ab (strahlende Rekombination, Band-Band-Auger-Rekombination, ...). Band-Trap-Uberg ange Betrachten identische, nicht wechselwirkende tiefe St orstellen mit einem Energieniveau Et . Die Dichte der besetzten Traps ist nt Nt ft , wobei Nt die TrapDichte und ft die Besetzungswahrscheinlichkeit ist. Die Zustandsdichte der Traps hat die Form Dt E Nt E Et . (Es existiert nur ein diskretes Energieniveau, das besetzt werden kann.) Wegen der -Funktion kann ein Energie-Integral ausgewertet werden. F Uberg ur ange zwischen Leitungsband und Trapniveau erh alt man Rekombinationsterm:
3 cn heisst Einfang-Koefzient (f Elektronen), Masseinheit ist cm s. ur Generationsterm:
Nt ft const Et Nt ft en
Ec
f Maxwell-Boltzmann-Statistik ur (8.4)
Nt
f c E c ft
dEc S Et Ec Dc Ec 1
0 Ec
dEc Dc Ec fc Ec
cn
def
Ec
Nt 1
Ec
ft n S mit 0 dEc S Ec Et Dc Ec f c Ec
Nt
dEc S Ec Et Dc Ec fc Ec 1
np
Req
n2 e f f S i
Im Gleichgewicht gilt G
R. Daraus kann man die Konstante bestimmen: da n p n2 e f f im thermodyn. Gleichgewicht. i
n2 e f f i
(8.3)
ft
bzw.
8.3. RATEN-GLEICHUNGEN
123
en heisst Emissionsrate (f Elektronen), Masseinheit ist 1 s. Im Gleichgewicht ur gilt G R. Daraus kann man en bestimmen:
Die Netto-Rate f Trapping (von Elektronen) wird damit ur
Der Ausdruck f das Trapping von L ur ochern ist analog.
8.3 Raten-Gleichungen fr Trapping und Shockley-Read-Hall u (SRH)-Rekombination

Die totale zeitliche Anderung der Dichte besetzter Traps ist nt t
Die ersten beiden Terme beschreiben den Einfang und die Emission von Elektronen (Trapping-Rate f Elektronen), die letzten beiden Terme den Einfang und ur die Emission von L ochern (Trapping-Rate f L ur ocher). Trapping

Sind die Traps Elektronen-Traps, d.h. cn (8.6) auf
c p , en
e p , reduziert sich Gleichung
Diese Gleichung ist zus atzlich zu und selbstkonsistent mit den TransportGleichungen des benutzten Transport-Modells zu l osen. Die neue (zus atzliche) Variable ist nt (oder aquivalent dazu f ). Solange die von aussen induzierten t zeitlichen Anderungen viel langsamer sind als n cn 1 bzw. en 1 , kann man nt t vernachl assigen (station Fall) und t fexplizit angeben: arer 1 ft n 1 necn
nt t
Nt
nt n cn
nt en
Rn
Gn
R p
G p
Nt
nt n cn
nt n1 cn
en
cn n1 mit n1
def
n0
eq
Nt 1
ft0 n0 cn
Nt ft0 en
0 ft0 ft0
(8.5)
(8.6)
124
Die Rekombinationsrate wird damit im station aren Fall
mit der Lebensdauer
Shockley-Read-Hall-Rekombination Handelt es sich bei den tiefen St orstellen um sogenannte Rekombinationszentren, d.h. gilt cn c p und en e p , erh man im station alt aren Fall aus Gleichung (8.6) 1 ft e c p 1 en cp n p n Da im Gleichgewicht auch die Netto-Rate f L ur ocher Null sein muss, hat man zus atzlich eine Beziehung zwischen e und c p p

Die Elektronen-Netto-Rekombinationsrate im station aren Fall wird
uhrung von Minorit atsladungstr agerWegen n1 p1 n0 p0 n2 e f f und mit Einf i 1 wird daraus Lebensdauern n p Nt cn p
(Shockley, Read, Hall, 1952).
stat
p n
n1
n p
Rn
Gn
np
n2 e f f i
p1
cn n
stat
p1
Rn
Gn
Nt cn c p n1 c p p
np
n 1 p1
ep
c p p0
ft0 1 ft0
c p p1 mit p1
1 Nt cn
def
p0
ft0 1 ft0
(8.7)
Rn
Nt 1
ft n c n
Nt en n 1 necn
n n1 n n n 1
8.4. SRH-LEBENSDAUERN
125
Spezialf alle:

A) schwaches Nichtgleichgewicht: n n0 n, p Silizium (n0 p0 ) wird dann (R G R)
p0
Die Lebensdauern der Minorit aten bestimmen die Rekombination-
srate!
8.4 SRH-Lebensdauern
Dotierungsabh angigkeit Die SRH-Lebensdauern n p sind technologie-abh angige Parameter. Sie h angen insbesondere von der Defektdichte Nt ab, die r aumlich variiert. Dies folgt aus der Denition p Nt cn p 1 . F die Bauelemente-Simulation bedeutet dies, ur n dass es eigentlich keine default-Werte der Lebensdauern gibt. Man ndet jedoch empirisch eine Korrelation zwischen Dotierung (ache St orstellen!) und SRH-Lebensdauern (tiefe St orstellen). Grund ist, dass Technologie-Schritte wie Implantation oder Eindiffusion immer auch zu einer Erh ohung der Dichte von Punktdefekten f uhren. Eine einfache empirische Beziehung, die diesen Effekt wiedergibt, lautet n0 n NA N 1 NA A f re
mit z.B. n0
10
5s
und NA re f
1017 cm
n n
f n ur
C) Elektron-Loch-Plasma: n p
n2
n2 i
n (Hoch-Injektion.) 0
3.
n1
n2 i p1
ni falls Et 2
Eg 2
B) gesperrter pn-Ubergang: n p dann (R G G)
n2 in Raumladungszone. Sei n i
n0 n p0 p n0 p0 p n 0 n 1 n p 0 p 1 p0 n n n p 0 p 1 n
n0 p p n0 n1
p. F p-dotiertes ur p0 n n p 0
p1
126
Feldabh angigkeit: trap-assisted tunneling Die SRH-Rekombination ist besonders effektiv in Raumladungszonen, in denen die elektrische Feldst arke gross werden kann. Dann f uhrt der Tunnel effekt zu einer Erh ohung der Ubergangswahrscheinlichkeit. Die Rekombination/Generation ist nicht mehr lokal, sondern kann im Limes sehr hoher Felder sogar zum resonanten Tunneln uber das tiefe Niveau entarten (sh. Abb.). Solange der thermische Einfang (bzw. die thermische Emission) gegen uber dem
electric field
tat.ID.epsi 82 38 mm
E=0
trap-assisted tunneling
resonant tunneling
Tunneleffekt dominiert, ist das Konzept von eld-enhancement-Faktoren sinnvoll, d.h.
wobei E die lokale Feldst arke ist.

Si:Au Electron Lifetime n [s]
10-5 10-6 10-7 10-8 10-9
| | | | | | |
10-4
<111>
10-10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Electric Field [MV/cm]
Links: Abh angigkeit der Lebensdauer von der Feldst arke am Beispiel der GoldSt orstelle in Silizium. Rechts: Simulierte Dioden-Kennlinien. Der Avalanche-Durchbruch bei etwa 9 V setzt nicht abrupt ein, sondern der Sperrstrom steigt wegen des trapassistierten Tunnelns stetig an.
lifetimevseld.epsi 62 50 mm <100>
defect-assisted tunneling break.epsi
<110>
1 E
01 E
n p
|| | | | | | |
65
50 mm
Auger-Rekombination
Elektron-Elektron-St osse (bzw. Loch-Loch-St osse) induzieren Rekombination von Elektron-Loch-Paaren. Die bei der Rekombination freiwerdende Energie wird nicht direkt, wie im Fall der SRH-Rekombination, in W arme umgewandelt, sondern zur Anregung eines Elektrons oder Lochs in einen Zustand hoher Energie verbraucht. Auger-Rekombination ist ein Drei-Teilchen-Prozess, entweder eeh oder hhe.

Die Rate wird vom Produkt aus allen drei Besetzungswahrscheinlichkeiten bestimmt. Die Zahl der m oglichen Uberg ange wird durch die Restriktionen der Energie- und Impulserhaltung stark eingeschr ankt. F eine direkte, ur parabolische Bandstruktur k onnen die Ladungstr ager wegen der Impulserhaltung nicht aus der energetisch tiefsten Lage an der Bandkante heraus rekombinieren. Es ist eine zus atzliche Aktivierungsenergie erforderlich, die f den eeh-Prozess E mc mc mv Eg betr ur agt. a In indirekten Halbleitern, wie Silizium, erh sich die Zahl der m oht oglichen Uberg ange. Infolge des hohen Impulsaustausches sind jedoch die quanten mechanischen Ubergangswahrscheinlichkeiten um ca. 5 Gr ossenordnungen kleiner als in direkten Halbleitern. In Silizium verschwindet die Aktivierungsenergie f den eeh-Prozess wegen der besonderen Leitungsbandur struktur. Auger-Rekombination kann ein reiner Band-Band-Prozess sein, unter Beteiligung von Phononen ablaufen, oder auch uber Zwischenzust ande, die an tiefen St orstellen lokalisiert sind (trap-assisted Auger recombination).
127
128
E E
CHAPTER 9. AUGER-REKOMBINATION
E
2 2 2 augertransitions.ID.epsi 1212 56 mm 1 1
1 1
k
1
eeh (n-type)
hhe (n-type)
hhe (p-type)
Auger-Uberg ange bei direkter, parabolischer Bandstruktur. Links: Stoss zweier Leitungsband-Elektronen (1 und 2), Anregung von 2 nach 2 und gleichzeitige Rekombination von 1 mit dem Loch 1. Mitte: Stoss eines Leitungsband-Elektrons 2 mit einem energetisch tieiegenden Valenzelektron 1, das angeregt wird. Rechts: Loch-LochStoss mit Anregung eines heissen Lochs.
In n-dotiertem Material sind die Rekombinationsraten proportional zum Produkt der Dichten der drei beteiligten Teilchensorten, also
mit Auger-Koefzienten C p . Die Gesamtrate wird damit n
Bei phonon-assistierter Auger-Rekombination starke Aufhebung der Beschr ankungen bzgl. Energie- und Impulserhaltung, aber daf Vierur Teilchen-Prozess (Ubergangswahrscheinlichkeit 2. Ordnung).
Bei ausreichender Dichte von Rekombinationszentren konkurriert die trapassistierte Auger-Rekombination mit der SRH-Rekombination.
Rn
Auger type
Cn p n2
C p p2 n
phonassauger.ID.epsi 74 38 mm
(9.1)
Reeh n
Cn p n2
Rhhe n
C p p2 n
129
Die Auger-Koefzienten C p sind nur solange als unabh angig von den n Ladungstr agerdichten anzusehen, wie die Coulomb-Wechselwirkung zwischen Elektronen und L ochern vernachl assigt werden kann. In ElektronLoch-Plasmen, wie z.B. bei starker Injektion in Bipolar-Transistoren, beobachtet man ein excitonic enhancement der Auger-Rekombination. Die physikalische Ursache ist eine durch die Anziehung von Elektron und Loch bedingte Lokalisation der Wellenfunktionen, die zu einer Erh ohung der quantenmechanischen Ubergangswahrscheinlichkeiten f uhrt.

Auger-Lebensdauern Minorit atsladungstr ager-Lebensdauern:

type
Ambipolare Lebensdauern:
da im Plasma nat urlich die Hoch-Injektions-Bedingung gilt. Gemessene Werte f die Auger-Koefzienten C p kann man der Tabelle entnehmen. Die Abur n
Table 9.1: Auger-Koefzienten bei verschiedenen Temperaturen (Dziewior und Schmid, 1977). T Cn cm6 s C p cm6 s

bildung zeigt gemessene ambipolare Auger-Koefzienten Ca als Funktion der Dichte der freien Ladungstr ager. Die Kurve deutet das erwartete Verhalten aufgrund des excitonic enhancement an.
32
32
23 78
77 K 10 10
1 Ca n2
31
300 K 2 8 10 9 9 10
31
400 K 2 8 10 1 2 10
p im Plasma
RAu
Cn
C p n3
Ca n3
31 31
type
p RAu n RAu
p Cn p n2 n C p p2 n
1 bei Hoch-Injektion Cn n2 1 bei Hoch-Injektion C p p2
130
CHAPTER 9. AUGER-REKOMBINATION
Ambipolar Auger coefficient [ cm 6 s -1 ]
1x10-29
2 17 16 15 19 14 8 18
auger-mess.epsi 89 79 mm
13 4 3 1
1x10
-30
10
11
12 6
room temperature
1x10-31
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
Injection density [ cm- 3 ]

Messungen des ambipolaren Auger-Koefzienten als Funktion der Plasma-Dichte.
Stossionisation
10.1 Ionisations-Schwellenenergien
E E i (k i )
impact.ID.epsi E (k ) c 3 102 53 mm
10
E c(k2 ) E v(k1 ) k
vor dem Stoss
Stossionisation initiiert durch ein heisses Elektron der Energie E i ki . Beim Stoss wird ein Valenzelektron herausgeschlagen und ins Leitungsband gehoben, wodurch ein Loch im Valenzband zur uckbleibt. Das initiierende Elektron verliert dabei die Ionisations-Schwellenenergie. Nach dem Stoss verbleiben zwei kalte Elektronen und ein kaltes Loch.
Die Ionisations-Schwellenenergie ergibt sich durch Minimierung von E i ki . Dabei gen es, Phonon-Absorption zu betrachten, d.h. aj 0 f alle j. ugt ur
131
k2
k1
Impuls-Bilanz: ki k3
aj qj
j
a j ganze Zahlen, auch Null
E c k3
E c k2
E v k1
ph q j
Energie-Bilanz: E i ki
aj
nach dem Stoss
132
CHAPTER 10. STOSSIONISATION
Setzt man hier f dk die Gleichung (10.1) ein, so erh man ur 1 alt
j
Wegen der linearen Unabh angigkeit von dk , dk3 und dq j folgt 2

v1
v2
v3
w j f alle j. ur
Alle resultierenden Teilchen m ussen dieselbe Gruppengeschwindigkeit haben! Prozesse mit Phononen-Beteiligung sind stark erschwert, da die w j klein sind und die Elektronen bzw. L ocher daher auf eine kleine Umgebung der Bandextrema eingeschr ankt werden. Wir betrachten im folgenden nur Stossionisation ohne Phononen-Beteiligung. Die Bedingung (10.3), die dann v1 v2 v3 lautet, ist jedoch noch nicht hinreichend. Sie sichert die Existenz einer minimalen Energie Emin ki , die aber nicht automatisch eine erlaubte Energie in irgendeinem Leitungsband zu sein braucht! Beispiel: Zwei direkte, parabolische B ander mit effektiven Massen m und mv c
Bez
oder
kv
kc
mit
mv mc
da v1
k Ev k
kv mv
kc2 mc
kc3 mc
kc mc
kv mv
dk3 v3
v1
dk2 v2
v1
a j dq j
wj
dk1 v1
dk3 v3
dk2 v2
a j dq j
wj
v1
Benutzt man die Denition der Gruppengeschwindigkeit vg w j q ph q j , wird aus der letzten Gleichung
kE
dEi
a j dq j
q j ph q j
dk1 k1 Ev k1
dk3 k3 Ec k3
dk2 k2 Ec k2
dki
dk1
dk3
dk2
a j dq j
(10.1)
(10.2)
k und
(10.3)
10.1. IONISATIONS-SCHWELLENENERGIEN
133
An der Ionisationsschwelle ist dann wegen des Energie- und Impulserhaltungssatzes (mit dem Energie-Nullpunkt Ec k 0 0)
Emin ki muss ein erlaubter Energiewert im Leitungsband sein

2mc
ur Einsetzen in (10.4) ergibt die Schwellenenergie Eth n f den elektroneninduzierten Prozess:
ur ocher-induzierten Bei gleichen Massen ( 1) ergibt sich Eth n 3Eg 2. F den l Prozess hat man durch 1 zu ersetzen und erh E p Eg 1 2 1 . alt th Unabh angig von ist E n Eth p 3Eg . th
Table 10.1: Schwellenenergien (in eV) in Silizium f Stossionisation ohne Phononenur Beteiligung, berechnet f verschiedene kristallographische Richtungen auf der Basis einer reur alistischen Bandstruktur (Anderson, Crowell, 1972). N - Normal-Prozess, U - Umklapp-Prozess, - initialisierendes Teilchen kommt aus einem h oheren Band. electrons holes
100 11U 15N 16U 18N 21N
111 31U 33U 35U 29N 44N 47N
110 21U 40N 42U 18N 40N 41N
Eth n

Eg
2 1
2 k2 c
Aus der Bedingung Emin ki
Ec ki erh man k : alt c Eg 1
E c ki
2mc
2mc
2 k2 i
2 k2 c
Emin ki
ki
2 kc
kv Eg

kc 2 2 k2 c 2 2mc
(10.4)
(10.5)
134
10.2 Stossionisationsrate und -koefzienten

F die Stossionisationsrate macht man folgenden heuristischen Ansatz: ur n n v n
(II steht dabei f Impact Ionization.) Die Koefzienten n p heisur sen Stossionisations-Koefzienten (Masseinheit: 1 cm). Anschaulich interpretiert man sie als reziproke mittlere freie Wegl angen zwischen zwei St ossen, die zur Generation eines Elektron-Loch-Paars f uhren. Die mikroskopische Denition der Streurate (1 s) lautet f den elektronenur induzierten Prozess II n

Eth n
womit man n gem 1 II n vn berechnen kann. Dazu braucht man ass n angigkeit der Streurate neben der Schwellenenergie Eth n die Energie-Abh 1 II n E und die korrekte Nichtgleichgewichts-Verteilungsfunktion f c E . Dabei ist die Vorgeschichte der Elektronen, bevor sie die Schwellenenergie Eth n erreichen, entscheidend, denn diese bestimmt den hochenergetischen Ausl aufer der Verteilungsfunktion. Modelle f die Energie-Abh ur angigkeit von II 1 E :
i 1
Eth
mit folgenden Parametern f Silizium: E ur 1 2 eV 1 8 eV 3 45 eV ; P th 10 s 1 3 0 1012 s 1 6 8 1014 s 1 . 6 25 10
II 1 E
i Eth
Pi
Eth
i
II 1 E
II 1 E
II 1 Eth E Eth E Eth B II 1 Eth Eth
Stufenfunktion
p
(Keldysh, 1960)
i 2
(Cartier et al., 1993)

i
II n E
dE
Dc E f c E
1 n
GII
p p vp
(10.6)
10.2. STOSSIONISATIONSRATE UND -KOEFFIZIENTEN
135
10
IONIZATION RATE (s -1)
15
10 10 10 10 10 10
14 13 12
rate.ID.epsi///PS 53 51 mm
quyield.epsi 65 71 mm
11 10 9
KINETIC ENERGY (eV)
Links: Stossionisationsrate nach dem Modell von Cartier. Rechts: Mit der Technik der Ladungstr ager-Separation gemessener quantum yield f Elektronen ( = Zahl der ur generierten Elektronen pro Zahl der Initial-Elektronen).
Ans f die Verteilungsfunktion cf E : atze ur
F x ist die auf das Elektron einwirkende elektrische Kraft. Im konstanten elektrischen Feld ist dann LI Eth F. Die tats achliche freie Wegl ange LI ist gr osser, da Elektron-Phonon-St osse die Ladungstr ager st andig wieder zur uckwerfen: L LI P, wobei P die Wahrscheinlichkeit ist, dass auf der I
Eth
dx F x
(Shockley, 1961) Lucky Electron-Modell. Gegenteilige Annahme, d.h. zu f c E tragen nur const exp solche Elektronen wesentlich bei, die nicht mit E Phononen gestossen haben (lucky), die also E th ballistisch erreichen. Physikalische Erl auterung des Lucky Electron-Modells Die Beschleunigungsstrecke LI , die gebraucht wird, um Eth ballistisch zu erreichen, ergibt sich aus
LI
exp
const
E2
(Wolff, 1954) Heated Maxwellian f f E , aber ur c Annahme, dass Energie-Relaxation nur durch Stossionisation erfolgt (II ph ).
136
Strecke LI kein Stoss passiert. P ist in Gleichung (2.10) (Monte-CarloMethode) schon einmal angegeben worden:
ph tot
Eth
E0
Shockley benutzte E0 0 und eine konstante mittlere freie Wegl ange f ur ph St osse mit optischen Phononen l p vg tot , so dass o
Zur Startzeit des ballistischen Fluges t 0 ist jedoch k k0 , da k t k0 F t . Daher nimmt man besser an, dass die Teilchen mit einer mittleren thermischen Energie E0 3kB Tc 2 starten. Setzt man weiterhin das elektrische Feld als r aumlich konstant voraus, erh man f den alt ur Stossionisations-Koefzienten 1 P F Eth 3kB Tc 2 (10.7) exp LI LI Eth F lop
10.3 Modelle fr die Stossionisationskoefzienten u

Lokal-Feld-Modell Das am meisten benutzte Modell (Chynoweth-Modell) ist die aus Gleichung (10.7) abgeleitete Fitformel
b
(Chynoweth, 1958). Parameter f den elektronen-induzierten Prozess: n ur 5 cm 1 , b 6 V cm. 7 10 1 23 10 n
(10.8)
exp
Eth F lop
exp
dE
1 1 ph F vg tot E
dE F k vg vg F dk da nach Newtonschem Grundgesetz k F und ausserdem dE dk gilt, folgt
Mit der Transformation dE dt dE ; dt dE dt

vg
Pt
exp
dt
10.4. AVALANCHE-DURCHBRUCH
137
Lokal-Temperatur-Modell Ersetzt man das lokale elektrische Feld durch die lokale Temperatur der Ladungstr ager, erh man mit (7.8) f sehr heisse Elektronen alt ur
Die Modellierung der Stossionisationsrate mit der ph anomenologischen Relation (10.6) und lokalen Modellen f ist nur bedingt tauglich. Literatur-Parameter ur stammen meist von Dioden mit weiten Raumladungszonen. In KurzkanalMOSFETs sind die Feldst arke-Peaks beim Drain so scharf, dass trotz des grossen Wertes der Feldst arke die Beschleunigungsstrecke zu kurz sein kann (der sogenannte dark space-Effekt). Dann wird die Rate in der Simulation ubersch atzt und der Substratstrom kann u.U. um Gr ossenordnungen zu gross herauskommen.
10.4 Avalanche-Durchbruch
Betrachten 1D Kontinuit atsgleichungen f Elektronen und L ur ocher mit Stossionisationsrate als einziger Generationsrate:
Die formale L osung lautet (Beweis durch Differentiation)
In der N des Durchbruchs kann man in der 1. Gleichung den (thermisch generahe ierten) Sperrstrom J p0 gegen den (stark vervielfachten) Elektronenstrom Jn0 vernachl assigen, in der 2. Gleichung den (thermisch generierten) Sperrstrom J n0
JW
J p0
Jn0 e
dx p e
W 0
dx n
W x
dx n
J 0
Jn0
J p0 e
dx n e
0 W
dx n
0 x dx
mit den Randbedingungen Jn 0 Jn0 und J p W Raumladungszone wird der Gesamtstrom
Jp x
J p0 e
J p0 . An den R andern der n p
dx n e
x W
dx n
x x dx
Jn x
Jn0 e
dx p e
x 0 dx
x x dx
p Jp
dJn n p Jn p J ; dx J Jn J p const
dJ p dx
n e
Tcrit Tn TL
n J
138
RLZ
avalanche.ID.epsi 91 52 mm
gegen uber dem (stark vervielfachten) L ocherstrom p0 . Man deniert MultipJ likationsfaktoren
so dass
Der Avalanche-Durchbruch ist durch den Limes Mn p deniert. Aus den Gleichungen (10.9) und (10.10) folgt die Durchbruch-Bedingung ln n p
Diese Bedingung bedeutet im wesentlichen, dass 1 W , d.h. die mittlere freie Wegl ange zwischen zwei ionisierenden St ossen muss kleiner sein als die Weite der Raumladungszone.
Falls n
p mit
const, wird daraus 1 ln

W
dx p
dx n
dx p e
W x
dx n
dx n e
1 Mn 1 Mp
x 0
dx n
p (10.9) (10.10)
Mn
J Jn0
Mp
J J p0
10.4. AVALANCHE-DURCHBRUCH
139
1e02 1e04 1e06
x 4
x 3
current (A)
1e08 1e10 1e12 1e14 1e16 1e18 1e20 20 15 10 5

x 2 1 x
durchbr.eps 74 67 mm
voltage (V)
Strom-Spannungs-Kennlinie einer pn-Diode mit Avalanche-Durchbruch.
1e+20
4 3
12 10
4
band edge energy (eV)
1e+15
8 6 4 2 0 2 4
1 2 3
density (cm )
electrons holes
1e+10
densities.eps 62 56 mm
1e+00
1e05 0.1
0.2
0.3
6 0.1
position (m)
position (m)
Links: Elektronen- und L ocherverteilung f die in obigem Bild markierten Spannunur gen. Rechts: Verlauf der Bandkanten bei diesen Spannungen.
1e+05
bandedges.eps 57 57 mm
0.2
0.3
11 Metall-Halbleiter (MS)-Kontakt
11.1 Energieniveau-Schema vor Einstellung des thermodynamischen Gleichgewichts
a) E FM Ev Ev 0 c) M HL E0 Ec E FM B E FS Ev 0 x E FS Ev
E FM
HL E0 Ec E FS
b) E FM
HL E0
Ec E FS
MSequ.ID.epsi 124 88 mm
0 M HL
d)
E0 Ec
R aumlicher Verlauf der Fermi-Niveaus von Metall und Halbleiter sowie der Bandkanten des Halbleiters in einem Metall-Halbleiter-Ubergang unmittelbar nach seiner Herstellung, also vor der Einstellung des Gleichgewichts. Fall a): n-Halbleiter mit E FS EFM , Fall b): n-Halbleiter mit EFS EFM , Fall c): p-Halbleiter mit EFS EFM , Fall d): p-Halbleiter mit EFS EFM . ist die Elektronen-Afnit die Austrittsarbeit der at, Elektronen im Metall. 140

11.2. MS-KONTAKT IM GLEICHGEWICHT, SCHOTTKY- UND BARDEEN-MODELL 141
EFM B

EFS ist der typische Fall f Metall-n-HL- ur Ubergang (Fall a))
11.2 MS-Kontakt im Gleichgewicht, Schottky- und BardeenModell

Energieniveau-Schema (Potentialverlauf) Zur Einstellung des thermodynamischen Gleichgewichts m ussen Elektronen (L ocher) aus dem Halbleiter ins Metall (und umgekehrt) diffundieren.
An der Grenz ache entsteht eine Raumladung und damit ein ver anderliches elektrostatisches Potential x .
(x) M HL x
rhox.ID.epsi 79 50 mm
Wie gross ist die Ausdehnung der Raumladungsschicht im Metall? Eine Absch atzung liefert die Abschirml ange L, die in Kap. 6 im Zusammenhang s mit der Abschirmung des Coulomb-Potentials acher St orstellen diskutiert wurde. Man erh alt
mit dem effektiven Bohrradius aB e f f und dem Fermi-Impuls kF im Metall. (Dazu muss man den Thomas-Fermi-Ausdruck
Ls 2
4e2 d n s d EFM
Ls
EFM
EFS ist der typische Fall f Metall-p-HL- ur Ubergang (Fall c)) heisst Schottky-Barriere
aB e f f kF
0 5A
142
CHAPTER 11. METALL-HALBLEITER (MS)-KONTAKT
f die Abschirmung und die Dichteformel im Grenzfall vollst ur andiger Entartung der Elektronen
EFM
benutzen.) Die Eindringtiefe der Raumladung ins Metall ist also extrem klein, so dass man das Potential x im Metall praktisch als konstant ansehen kann. Wenn sich an der Grenz ache eine Dipolschicht ausbildet, dann erleidet das Potential dort einen Sprung 0 0 . Wir nehmen zun achst an, dass keine Dipolschicht existiert. In diesem Fall bleibt die H der Schottkyohe andert, weil E und Ec um denselben EnergiebeBarriere B unver FM trag e 0 angehoben werden. Die Konsequenz daraus, dass bei x 0 der energetische Abstand E FM Ec festgepinnt bleibt, ist die Ausbildung einer Potentialbarriere im Halbleiter. EFS EFM e. Es entsteht eine Kontaktspannung UK Wie gross ist die Ausdehnung der Raumladungsschicht im Halbleiter? Der Potentialverlauf kann leicht berechnet werden, wenn die Schottky-N aherung eUK kB T (depletion approximation) gilt, was wir hier annehmen wollen. F einen n-Halbleiter lautet die zu l ur osende Poisson-Gleichung (n p 0 in der Verarmungsschicht, d.h. im Intervall x 0 xB mit xB als Rand der Barriere) eND
mit der L osung
Die Randbedingungen im Unendlichen lauten 0 und 0 ist, folgt 0 C2 UK . d x dx x 0. Weil UK Das Verschwinden der ersten Ableitung von am Rand der Barriere ergibt die zweite Integrationskonstante: C1 eND xB 0 s . F uhrt man noch eine quadratische Erg anzung durch, folgt f das Potential im Intervall ur x 0 xB :
UK
xB
e N x 20 s D
e N x2 20 s D B
C1 x
e N x2 20 s D
0 s
d2 dx2
C2
1 32
2m
3 2

E 0 - e (x) a) EF E v - e (x) 0 x
MSnonequ.ID.epsi 115 98 mm
HL E 0 - e (x)
b) EF
E c - e (x) HL E v - e (x)
E c - e (x)
E 0 - e (x) c) M E c - e (x) HL EF B E v - e (x)
d)
HL E 0 - e (x) E c - e (x)
EF
E v - e (x) 0 x
R aumlicher Verlauf der Bandkanten des Halbleiters und des Vakuum-Niveaus in einem Metall-Halbleiter-Ubergang nach Einstellung des thermodynamischen Gleichgewichts. Die F a) und c) bezeichnet man als Schottky-Kontakt, die F b) und d) als Ohmalle alle schen Kontakt.
Das Verschwinden des Potentials am Rand der Barriere ergibt den Zusammenhang zwischen Kontaktpotential und Barrierenweite:

Die charakteristische L angenskale des Problems ist die sogenannte DebyeL nge a LD
Mit ihrer Hilfe kann man den Ausdruck f das elektrostatische Potential ur
0 sUT eND
UK
e N x2 20 s D B
144
kompakt in der Form
Schottky- und Bardeen-Modell des MS-Kontakts

1.0
Pt
0.8
Pb
barrier height (eV)
Pd Ag Au Al W Mo Ni
0.6
Cu
Mg
0.2
0.0
metal work function (eV)
Barrierenh als Funktion der Austrittsarbeit f verschiedene Metall-n-Si-Kontakte. ohe ur Die Gerade entspricht der Mottschen Beziehung B mit dem Wert der Elektronen-Afnit in Si ( 4 05 eV ). at
In der Abbildung ist die Barrierenh als Funktion der Austrittsarbeit im ohe B Metall f verschiedene Metall-n-Si-Kontakte dargestellt. Die Gerade entspricht ur der Mottschen Beziehung B mit dem Wert der Elektronen-Afnit at in Si ( 4 05 eV ). Das Schottky-Modell des MS-Kontaktes ist also so gut wie nicht erf eher ist noch unabh ullt, angig von (etwa gleich 0.6 - 0.8 eV f die ur B meisten Metalle). Um dieses Verhalten zu verstehen, lassen wir jetzt einen Potentialsprung and der Grenz ache zu, dann andert sich die Barrierenh um diesen Sprung, ohe d.h. B e 0 0 . Ursache daf ist eine Dipolschicht, ur die von geladenen Grenz achen-Zust anden herr uhrt. Wir nehmen an, dass die Dichte dieser Grenz achen-Zust anden so gross ist, dass praktisch alle Elektronen
0.4
phiBvsPhi.eps 69 68 mm
schreiben. Weil die Schottky-Approximation muss auch xB LD sein.
xB
xB
UT x 2L2 D
2LD
UK UT
(11.1) 1 gelten muss,
UK UT
aufgenommen werden k onnen. Als Modell benutzen wir eine -Funktion, wie sie auch schon bei den tiefen St orstellen verwendet wurde, die Zust ande sind also bei der Energie E E in der Energiel ucke des Halbleiters s konzentriert. F die Elektronendichte in diesen Zust ur anden folgt dann
In Wirklichkeit ist die -Funktion zu einer Glockenkurve verbreitert. Die Einstellung des thermodynamischen Gleichgewichts im MS-Kontakt zerlegen wir in Gedanken in zwei Teilschritte, erstens die Einstellung des Gleichgewichts im Halbleiter, nachdem die glockenf ormige Grenz achen-Zustandsdichte eingeschaltet wurde, zweitens die Einstellung des Gleichgewichts uber die Grenz ache
M HL
E FM
hinweg zwischen Metall und Halbleiter, nachdem beide in Kontakt gebracht wurden. Im ersten Teilschritt gehen Elektronen aus dem Innern des Halbleiters in die Grenz achen-Niveaus uber, wobei diese von unten her bis zu einer gewissen Energiegrenze aufgef werden. Diese Grenze ist per denitionem gleich ullt dem Fermi-Niveau im Halbleiter (bei T 0). Nach obiger Voraussetzung (weil praktisch alle Elektronen aufgenommen werden k onnen), f diese Grenze letzallt tendlich mit dem Niveau Es zusammen. Eine Vergr osserung oder Verkleinerung der Elektronenkonzentration im Halbleiter durch Anderung der Dotierung erh oht oder verkleinert zwar die Zahl der Elektronen in den Grenz achen-Niveaus, wegen der grossen Zustandsdichte bleibt aber die Lage des Fermi-Niveaus praktisch unver andert (pinning des Fermi-Niveaus). Im zweiten Teilschritt werden Elektronen uber die Grenz ache hinweg, zwischen den Grenz achen-Zust anden des Halbleiters und einer d unnen Randschicht des Metalls, ausgetauscht. Dadurch entsteht an der Grenz ache eine
E S
bardeen.ID.epsi 72 57 mm
E S E FS
dE Dit E f E
D 0 f Es it
Dit E
D0 E it
Es
146
Dipolschicht, die einen Potentialsprung 0 0 zwischen Metall und Halbleiter erzeugt, der im Gleichgewicht gerade so gross ist, dass das FermiNiveau des Metalls auf das des Halbleiters angehoben oder abgesenkt wird. Es gilt also
Damit wird die Barrierenh ohe
Wir beziehen jetzt alle Energien auf die Valenzbandkante des Halbleiters. Wegen E0 Eg Ev und Es Ev Es (sh. Abb.) ist (man eliminiere Ev )
was nach Einsetzen in Gl. (11.2) auf den Zusammenhang
(Bardeensches Modell). B ist im Bardeenschen Modell unabh angig von der Austrittsarbeit im Metall! Dieses Modell trifft f Silizium besser zu als das ur Schottky-Modell. Man kann nun beide Modelle zu einem verallgemeinerten Modell kombinieren. Mit zwei Parametern, S und 0 , schreibt man Der Grenzfall des Schottky-Modells ergibt sich mit S 1 und 0 0, da E0 Ec EFS f einen n-Halbleiter. Der Grenzfall des Bardeen-Modells ur ergibt sich mit S 0 und 0 Eg Es . Der Abbildung kann man entnehmen, dass S mit steigender Elektronegativit atsdifferenz des Halbleiters w achst. Bei den kovalenten Halbleitern dominieren die Grenz achen-Eigenschaften (S sehr klein).
11.3 MS-Kontakt im Nichtgleichgewicht

Betrachten Schottky-Ubergang im n-Halbleiter. Legt man eine Spannung U an, so ver andert sich das Kontaktpotential gem U UK U , und damit z.B. die ass K
EFS
E0
f uhrt, weil ja
E FM
E0 ist. Also B
Eg
Es
EFM
Eg
E0
Es
Eg
Es
Eg
E0
Es
EFM
Es
EFM
Es
(11.2)
Es
(11.3)
11.3. MS-KONTAKT IM NICHTGLEICHGEWICHT
147
1.1 AlN ZnO SrTiO 3 1.0 ZnS SiO2 Al2O3 0.9 GaS KTaO 3 0.8 0.7 CdS 0.6 GaSe SvsAff.ID.epsi ZnSe 0.5 77 67 mm 0.4 SiC GaTe CdSe 0.3 CdTe GaP 0.2 Ge GaAs 0.1 InP Si InSb 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 electronegativity difference (eV)
Weite der Barriere: xB 2LD UK U UT . Der Strom im Bahngebiet des Halbleiters wird durch die Majorit atsladungstr ager getragen (hier Elektronen). Die Netto-Stromdichte uber die Schottky-Barriere hinweg ist
mit der Konvention MS = Metall HL, SM = HL Metall. Es gilt jMS U jMS 0 , weil f alle Spannungen U die Schottky-Barriere thermisch ur uberwunden werden muss. Also
Berechnen zuerst jMS 0 . Nach der Denition des 1. Moments der BoltzmannGleichung kann man schreiben:
1 BZ
In dieser Gleichung ber ucksichtigt der Faktor 2 die Spin-Entartung und die Theta-Funktion den Umstand, dass nur Elektronen, die vom Metall in den Halbleiter iessen, gez werden d ahlt urfen. Die restlichen Faktoren sind die Gruppengeschwindigkeit und die Fermi-Dirac-Verteilung der Elektronen im Metall. Letztere bestimmt die Zahl der vorhandenen Elektronen, die uber die Barriere hinweg in den Halbleiter ubertreten k onnen. Die Integrationsgrenzen kann man ins Unendliche verschieben. Als Energie-Nullpunkt w ahlen wir die Energie des Vakuum-Niveaus: E0 0. Dann ist EFM . Wegen Ec k kB T kann
jMS 0
d 3 k kx
2e 2 3
1 Ec k f M Ec k kx
jn U
jMS 0
jSM U
jn U
jMS U
jSM U
(11.4)
148

a) U = 0 M n-HL
B E FM
Ec E FS
xB
MSvsU.ID.epsi 123 93 mm
b) U > 0 M n-HL
c) U < 0 M n-HL
B E FM
x x x x x x
Ec E FS E FM
B
x x
x x x
Ec E FS xB x
xB
Veranschaulichung des Stromusses in einem Schottky-Ubergang. a) ohne Spannung, b) Durchlassrichtung, c) Sperrrichtung. Die Kreuze in b) und c) deuten an, dass das Fermi-Niveau im Raumladungsgebiet nicht deniert ist.
man Boltzmann-Statistik benutzen,
In Effektivmassen-N aherung f E k erh man dann ur c alt
Aufgrund der Wahl des Energie-Nullpunkts ist Ec , also ist Ec B gleich der Schottky-Barriere. Die Berechnung der Integrale ist trivial, man erh endg alt ultig
jMS 0
e vth n Nc e 4
B kB T
(11.5)
jMS 0
dky
dkz
dkx
e e 43
Ec kB T
f M Ec k
kB T
Ec k kB T

kx e mc
2 k2 2mc kB T
11.4. KONTAKT-RANDBEDINGUNGEN IN DER BAUELEMENTE-SIMULATION
149
mit der mittleren thermischen Geschwindigkeit vth n 8kB T mc der Elektronen und der Leitungsbandkanten-Zustandsdichte Nc . Die berechnete Stromdichte jMS 0 kann benutzt werden, um auf jSM U zu schliessen. Im Gle0 ichgewicht gilt jMS 0 jSM 0 . Legt man eine Spannung U an, geht Ec in die 0 eU uber, also j M U jSM 0 exp U UT . Damit ergibt sich neue Lage Ec S f die Netto-Stromdichte ur
Der Schottky-Kontakt wirkt demnach, genau wie die Diode, als Gleichrichter. Wegen des Faktors exp B kB T kann die Sperrwirkung jedoch gr osser sein, n amlich dann, wenn die Barrierenh gr ohe B osser ist als die built-in-Spannung der Diode. Noch zwei abschliessende Bemerkungen: Da in der Raumladungszone praktisch keine Elektronen vorhanden sind, m ussen sie aus dem Bahngebiet (bulk) kommen. Ungehinderte Emission kann nur stattnden, wenn sie beim Durchiegen der Raumladungszone keine St osse erleiden. Deshalb muss die mittlere freie Wegl ange l gr osser als die Barrierenweite B sein. l xB bedeutet aber, das x sich in der Raumladungszone kein auch nur angen ahertes thermodynamisches Gleichgewicht ausbilden kann. Deshalb ist ein Fermi-Niveau auch nicht mehr im lokalen Sinne deniert. Der Fall l xB kann mit der sogenannten Diffusionsthe orie behandelt werden (sh. Ubungen zu den Bipolar-Bauelementen) und liefert qualitativ dasselbe. Wird die Potential-Barriere sehr schmal, kann sie durchtunnelt werden. Dann hat man einen Ohmschen Kontakt. In der Mikroelektronik werden Ohmsche Kontakte durch eine hohe Dotierung des Siliziums im Kontaktgebiet erreicht.
11.4 Kontakt-Randbedingungen in der Bauelemente-Simulation

Idealer Ohmscher Kontakt

thermodynamisches Gleichgewicht: n p
Die erste Bedingung entspricht einer unendlich grossen Ober achenRekombinationsgeschwindigkeit. Setzt man beide Bedingungen ineinander
Ladungsneutralit n at:
N A
ND
Zwei Annahmen:
jn U
jMS 0
e UT
n2 e f f i C.
150
ein, ergeben sich Dirichlet-Randbedingungen f die Dichten: ur

C2 C2
4 n2 e f f i 4 n2 e f f i

Schottky-Kontakt Die Formel (11.5) f die Netto-Stromdichte wird umgeschrieben. Es ist ur
wegen der Voraussetzung der Emissionstheorie (keine St osse in der RLZ). Als Strom-Randbedingung bei x 0 erh man also alt
Das Auftreten der mittleren thermischen Geschwindigkeit ist das Ergebnis der Emissionstheorie. In der Diffusionstheorie erh man stattdessen alt
oder allgemein in der Bauelemente-Simulation
wobei vrec n die Ober achen-Rekombinationsgeschwindigkeit ist. Nicht-idealer MS-Kontakt Das Argument, dass d unne Potentialbarrieren durchtunnelt werden und Ohmsche Kontakte liefern, kann benutzt werden, um ein Modell des nichtidealen MS-Kontakts aufzustellen.

Der Bereich 0 xT wird in der BE-Simualtion zu Null geschrumpft.
Bei xT gilt: jDD
jtunnel
j n en
e vrec n n
C2
4 n2 e f f i
1 2
jn U
e vrec n n
neq
x 0
jn U
e vth n n 4
neq
x 0
Nc exp
neq xB
neq x
Nc exp
n xB
nx
B kB T
U UT B kB T
1 2 1 2
C C
11.4. KONTAKT-RANDBEDINGUNGEN IN DER BAUELEMENTE-SIMULATION
151
Die Wahl von xT erfolgt nach einem Tunnel-Kriterium.
Die Grenzf alle des Ohmschen und Schottky-Kontakts werden uber die dotierungsabh angige Barrierenweite reproduziert. Hohe Dotierung 1018 cm 3 schmale Barriere = Ohmscher Kontakt. Schwache Dotierung 1016 cm 3 breite Barriere = Schottky-Kontakt.
Anschluss-Punkt zwischen diffusivem und ballistischem Transport
-q n(x T) xT xB
E F,M
xT.ID.epsi 97 46 mm
qUappl Ec
Die Gleichung jDD jtunnel quasi-Fermi-Niveau bei xT .
x xT
wird iteriert und liefert den Wert f das ur
12 Metall-Isolator-Halbleiter (MIS) Struktur

12.1 Isolator-Halbleiter (IS)-Ubergang im Gleichgewicht
a) E cI Isolator HL b) Isolator HL
E FI
E cS ISequ.ID.epsi E FS 65 mm 120 EF E vS
E cS E vS
E vI
R aumlicher Verlauf der Bandkanten und der Fermi-Niveaus an einem Isolator Halbleiter-Ubergang vor (a) und nach (b) Einstellung des Gleichgewichts.
Der in der Abbildung dargestellte IS-Ubergang entspricht einem pn-Ubergang aus zwei unterschiedlichen Materialien mit einer sehr kleinen AkzeptorKonzentration NAI im Isolator. Da EFS EFI ist, gehen Elektronen vom Halbleiter in den Isolator uber, der sich dadurch negativ au adt. Wegen des grossen Dotierungsunterschieds reichen bereits wenige Elektronen aus, um die Fermi-Niveaus anzugleichen. Die Raumladungszonenweite im Isolator wird sehr gross, w ahrend im Halbleiter die Raumladung vernachl assigbar bleibt. Ist der Isolator nicht dick genug, kann der Sprung des chemischen Potentials nicht vollst andig elektrisch abgeschirmt werden (man erh andere Randbedinalt
152
12.1. ISOLATOR-HALBLEITER (IS)-UBERGANG IM GLEICHGEWICHT
153
gungen). Aufgrund der geringen Raumladung im Halbleiter ist die Feldst arke dort praktisch Null und EF EFS . Dies bedeutet, dass der Halbleiter vom Isolator praktisch uberhaupt nicht beeinusst wird. Auch das Feld im (hinreichend dicken) Isolator ist klein und kann vernachl assigt werden. Somit erh man im alt Schottky-Modell des IS-Ubergangs einen horizontalen Bandkanten-Verlauf. In Wirklichkeit existieren jedoch Grenz achenzust ande. Ist die Grenz achenLadungsdichte negativ (eingefangene Elektronen), entsteht im Halbleiter unter der Grenz ache ein Verarmungsgebiet (positive Raumladung). In SchottkyN aherung ist wegen der Erhaltung der Elektronenzahl
ns
NDS xB
(ns Grenz achen-Zustandsdichte cm 2 , xB Barrierendicke). Die Grens z achen-Zustandsdichte n ist mit einem Sprung der Feldst arke verbunden: e s s E 0 I E 0 n 0 Da man E 0 vernachl assigen kann, ergibt sich auf der Halbleiterseite der Grenz ache e s Es n 0 s Der Wert des Potentials an der Grenz ache ist 0 Us . In v olliger Analogie zum MS-Kontakt erh man als L alt osung der Poisson-Gleichung in SchottkyIsolator E cI HL
EF
ISinterface.ID.epsi 58 64 mm
E cS E vS
E vI
R aumlicher Verlauf der Bandkanten an einem Isolator-Halbleiter- Ubergang im Gleichgewicht bei Vorhandensein von Grenz achen-Zust anden.
154
CHAPTER 12. METALL-ISOLATOR-HALBLEITER (MIS) STRUKTUR
N aherung
x mit
s und die Grenz achen-Feldst arke E wird
F eine Absch ur atzung der Gr ossen betrachten wir folgendes Zahlenbeispiel: s 16 cm 3 , 1 eV , NDS 10 10. Dann wird eU s
Damit es zum Fermi level pinning kommen kann, muss die Grenz achens Zustandsdichte gr osser sein als das berechnete n (etwa 1012 cm 2 ), was an der Si-SiO2 -Grenz ache aber gerade nicht der Fall ist! Dies macht die Funktionsweise von MOSFETs m oglich, denn w dem nicht so, k are onnte man durch Variation der Gate-Spannung die Lage des Fermi-Niveaus unter der Grenz ache nicht andern und damit auch nicht die Leitf ahigkeit im Kanal. Die heutige Mikroelektronik basiert also im wesentlichen auf den guten Eigenschaften der Si-SiO 2 Grenz ache.
12.2 MIS-Struktur bei angelegter Spannung

d U U = angelegte Spannung.
Der Isolator sei bei x
d kontaktiert, der Halbleiter bei x
ns Es xB
3 1011 cm 2 6 104 V cm 0 3 m
Es
e N xB 0 s DS
2e N Us 0 s DS
ns
Setzt man xB
ns NDS ein, folgt f die Grenz ur achen-Zustandsdichte 20 s NDS U s e (12.1)
xB
2LD
Us UT
LD
xB
in 0 xB sonst
0 sUT eNDS

(12.2)
UT 2L2 D
12.2. MIS-STRUKTUR BEI ANGELEGTER SPANNUNG

U<0 n p
155
ISnonequ.ID.epsi 75 88 mm
U>0
Bildung von Verarmungs- bzw. Anreicherungsschichten an einem Isolator-Halbleiter Ubergang bei angelegter Spannung.
Die Randbedingungen lauten: 0 und d dx x 0. Im Halbleiter wird Ladung inuenziert. Diesen Effekt nennt man Feldeffekt, der dem Transistor seinen Namen gibt (FET). Die inuenzierte Ladungsmenge ist der I s -te Teil der Ladungsmenge, die auf den Isolator aufgebracht werden muss ( I ist die Dielektrizit atskonstante des Isolators). Voraussetzung f das Funktionieren ur des Feldeffekt-Transistors ist die Kleinheit der Grenz achen-Zustandsdichte. Wir vernachl assigen sie im folgenden v ollig und betrachten einen p-Halbleiter bei 0 U 0. Die Leitungsbandkante an der Grenz ache zum Isolator E e 0 wird c heruntergezogen, bis sie bei einer bestimmten Spannung U0 das Fermi-Niveau trifft 1 0 U0 Ec EF e Erh man die Spannung U weiter (U U ), so ergibt sich ein Punkt xi , an dem oht 0 gilt
(xi ist die Breite der Inversionsschicht). Die Elektronenkonzentration ist hier von
Ec
e xi
EF
156

E
eU0
inversion.ID.epsi eUs
EF
105
71 mm
-d
0 xi
xp
der Gr ossenordnung der effektiven Zustandsdichte N (1019 cm 3 ). Wir wollen c annehmen, dass die Dotierung des p-Halbleiters nicht zu gross ist, so dass noch NAS Nc gilt. Im Inversionsgebiet wird die Verteilungsfunktion der Elektronen als Stufenfunktion gen ahert:
F das Gebiet zwischen x und der Raumladungszonen-Grenze x p nehmen wir ur i s an, dass die Schottky-N aherung m oglich ist, also eU kB T gilt. Damit erh alt man ein einfaches Modell f die Elektronendichte im Halbleiter. ur e x E 0 x xi 0 dE Dc E EF Ec nx 0 xi x Die L ocher werden in Schottky-N aherung behandelt:
Eine analytische L osung der Poisson-Gleichung wird nur dann m oglich, wenn man den Ausdruck f n x noch weiter vereinfacht. Dazu wird die Zusur tandsdichte Dc E durch einen Mittelwert Dc ersetzt, der im Energie-Intervall 0 Ec eU s EF gebildet wird:
2 0
0
EF
Ec
eU s
Ec
eU s
Dc
1 22
2mc
EF
dE
Ec
3 2
px
0 NAS
0 x xp x p x (vollst andige Ionisation) .
f E
EF
xi
eU s
12.2. MIS-STRUKTUR BEI ANGELEGTER SPANNUNG

de f
157
Der Korrekturfaktor 1 ber ucksichtigt, dass das bei x 0 berechnete D zu c einer Ubersch atzung der mittleren Elektronenkonzentration in der gesamten Inversionsschicht f uhrt. Benutzt man Gleichung (12.3) in n x , so folgt
Die Elektronenkonzentration nimmt also im Inversionsgebiet vom Wert N c auf den Wert 0 ab (da xi U0 ). Das Modell (12.3) f zur Untersch uhrt atzung von n im linken Teil und zur Ubersch atzung von n im rechten Teil der Inversionsschicht. Die Poisson-Gleichung vereinfacht sich zu
Die Randbedingungen lauten d U und 0. Wegen der Wahl des Energie-Nullpunkts in der Form 0 folgt auch x p 0 und 0. Im Isolator ist die Feldst arke konstant E d . Also hat man xp I folgende Randbedingungen: d
Man erh als L alt osung der Poisson-Gleichung x

x Lu
mit
L2 u
0 s U s U0 eN c
L2 D
0 sUT eNAS
UT 2L2 D
xp
xi
Us
U0 cosh
x Lu
U EI x d U0 Lu E s sinh
U EI
xp xp
0 0
U0
U0
e 0 s
d2 dx2
0 x xi xi x x p xp x .
0 Nc U s NAS 0
0 xi xp
nx
U0
mit
Nc
eU0
Nc x U s U0
2mc eU s 2 32
Dc
32
2mc
(Mittlung bei x
0). Da eU0
Ec
EF ist, erh man alt

3 2
eU s
eU0
(12.3)
3 2
158
Es bleiben drei Gr ossen zu bestimmen: x, x p und E s . i
1.) Aus der Stetigkeit von x bei x Lu sinh
xi folgt
xi folgt
1) und 2) sind implizite Gleichungen zur Bestimmung von xi und E s . Setzt man 2) in 1) ein, so folgt
Unter der Voraussetzung L2 L2 , d.h. NAS N c kann man die rechte Seite der u D letzten Gleichung n aherungsweise Null setzen und erh mit alt
Die in der Inversionsschicht gespeicherte Ladung wird wegen
nx
U0
N c cosh
Nc x s U U 0
x Lu
Lu E s sinh U s U0
Es
Lu
Us
U0
eine implizite Gleichung f Es ur
x Lu
cosh
U0
Lu E
s 2
UT E
xi Lu
Lu LD
xi
xp
U0
xp
xp
xi
UT xi 2L2 D
3.) Aus dem Wert von x bei x
tanh
U s U0 Lu E s
2.) Aus dem Wert von x bei x
xi ( xi
U0 !) folgt xi Lu
LD
2U0 UT
E s cosh
Us
U0
xi Lu
xi Lu
Us
s s E d I
Wegen 0 U s folgt U s Funktion von E s :
EI d. Weil E s
I EI s ist, wird U s folgende
UT xi L2 D
xp
(12.4)
12.3. LADUNGSTRANSPORT DURCH DUNNE OXIDE
159
gleich
Einsetzen der expliziten Ausdr ucke ergibt
also
Damit wird die gespeicherte Ladung als Funktion der ausseren Spannung U :
Um die gespeicherte Ladung uber U m oglichst wirksam steuern zu k onnen, muss (f Us U0 1V ), also muss ossenordnung 500A ur d Lu sein. Lu ist von der Gr gelten: d 50 nm!
12.3 Ladungstransport durch dunne Oxide

Die Stromdichte f den Mechanismus des direkten Tunnelns durch d ur unne Oxide wird auf ahnliche Weise berechnet wie beim Metall-Halbleiter- Ubergang. Bei d unnen Oxiden (d 3 nm), die durchtunnelt werden, kann kein lokales quasiFermi-Niveau innerhalb der Oxidbarriere deniert werden. Im Falle extrem
n U
U0
s d I Lu
5 4
U0
I Lu s
Us
Setzt man Gleichung (12.4) in U s E s
s E s d I ein, so folgt U U0 s d I Lu
ns
Us
U0
5 4
eU0
2mc eU s 2 32
N c Lu
3 2
sinh
xi Lu
1 2
N c Lu
cosh
xi Lu
0 s e
Us
U0
dx n x
N c Lu sinh
tanh
xi
x Lu
xi cosh Lu
x Lu
xi 0
(12.5)
160

Tunneling mechanisms
direct
Fowler-Nordheim
resonant
(multi)phonon-assisted
"cavity" defects
E (x )
t
Typical characteristics
single oxide, tox= 2.5 nm direct Fowler-Nordheim
tunnelmech.ID.epsi 121 94 mm -10

-15
single oxide, tox = 10 nm

multiphonon-assisted resonant direct
Log [J (Acm )]
Log [J (Acm )]
-20 -25 -30 -35
-2
10
-40 0 2 4 6 8 gate voltage (V) 10
2 3 E (MV/cm)
E FM
x x x dirtun.ID.epsi x 48 74 x xmm
E FS x = -d x=0
d unner Oxide (d 1 nm, native oxides) stellt sich zwischen Metall und Halbleiter ein n aherungsweises thermodynamisches Gleichgewicht ein. Der MIS Ubergang wird dann quasi-Ohmsch. Die Elektronen-Stromdichte kann nach der Formel
exp
EFM 0
Ec 0 kB T
jn
dE T E ln
emc kB T 22 3
exp
1 1
EFS 0
Ec 0 kB T
12.3. LADUNGSTRANSPORT DURCH DUNNE OXIDE
161
berechnet werden. Dabei ist T E die Transmissionswahrscheinlichkeit (auch Durchgangskoefzient genannt, sh. Kap.5) f die Oxidbarriere. Die Abbildung ur zeigt gemessene und simulierte Tunnelstrom-Kennlinien von MOS-Kapazit aten bzw. 30 A. mit SiO2 -Dicken von 15 A
1E0
Gate Currents of MOS capacitor
1E-5
Cu r r en t (A )
1E -10
iv15-30-comp.ID.epsi 80 77 mm
1E -15
ex p 15A ex p 30A sim 30A sim 15A
1E -20 -4 -2 0 2 4
Vo l t ag e (V)
13 Hetero-Ubergnge a
13.1 Banddiskontinuit aten
Material 1 E c E g1
hetero1.ID.epsi 81 55 mm
Material 2 E c2 E g2
E c1 E F1 E v1
E F2 E v2 x
E v
Die Abbildung zeigt die Situation vor Einstellung des Gleichgewichts. Auch wenn keine freien Ladungstr ager vorhanden sind, iesst Valenzladung aus dem Material 1 mit der h oher liegenden Valenzbandkante ins Material 2. Es bildet sich eine Dipolschicht aus. Wegen des damit verbundenen Potentialsprungs ergibt sich f die tats ur achliche Lage der Valenzbandkanten am HeteroUbergang:
Damit folgt f die Valenzband-Diskontinuit ur at:

Volumenbeitrag
162
Dipolbeitrag
Ev
Ev1
Ev2
Ev1
Ev2
Ev1
Ev1
e ;
Ev2
Ev2
13.2. POTENTIALVERLAUF NACH EINSTELLUNG DES GLEICHGEWICHTS
163
Der Dipolbeitrag h angt allerdings auch von den Eigenschaften der Grenz ache ab. F die Leitungsband-Diskontinuit erh man: ur at alt
Eg kann experimentell leicht bestimmt werden, Ev ist dagegen schwierig zu messen.
13.2 Potentialverlauf nach Einstellung des Gleichgewichts

E c2 E F2 E c1 E F1 b)
hetero2.ID.epsi 84 72 mm
a)
-e (x)
c)
Ec -e (x) EF 0 x
Verlauf der Leitungsbandkante an einem Hetero-Ubergang vom n-Typ vor Einstellung des Gleichgewichts a) und danach c). Der Verlauf des Potentials ist in b) dargestellt.
Wir beziehen jetzt auch die freien Ladungstr ager mit in die Betrachtung ein. Durch Umverteilung an der Hetero-Grenze bildet sich eine Raumladungszone aus. Zum Zwecke einer vereinfachten Analyse beschr anken wir uns auf das System GaAs-AlAs, f das E ur Ec1 gilt, und machen folgende Annahmen: c2 Nc1 Nc2 , n-Dotierung mit p NA 0, gleiche Dielektrizit atskonstanten 2 . 1 Dann lautet die Poisson-Gleichung nx
Nimmt man noch an, dass die n-Dotierung in beiden Materialien identisch ist, so gilt EF2 EF1 Ec2 Ec1 . Aufgrund der Voraussetzung Ec2 Ec1 muss
d2 dx2
e ND x 0 s
Ec
Ec2
Ec1
Ev2
Eg2
Ev1
Eg1
Ev
Eg
164
CHAPTER 13. HETERO-UBERGANGE
auch EF2 EF1 sein. Deshalb diffundieren Elektronen aus dem Material 2 in das Material 1. Es entsteht eine Anreicherungsschicht in Material 1 und eine Verarmungsschicht in Material 2. In Material 2 kann man die Schottky-N aherung anwenden, in Material 1 dagegen nicht. Nach dem Schottky-Modell des Kontakts muss die Differenz der FermiNiveaus gerade durch die Bandverbiegung kompensiert werden, d.h. 1 EF2 EF1 e In Material 1 kann man folgendermassen vorgehen: Die Elektronendichte ist
wenn man Boltzmann-Statistik voraussetzt. F uhrt man die GleichgewichtsKonzentration n01 im unendlichen Volumen des Materials 1 ein, folgt UT Die Poisson-Gleichung im Gebiet von Material 1 lautet dann
Das erste Integral kann mit der Randbedingung d dx x 0 und f konur ND const exakt angegeben werden: stante Dotierung ND x
Im Sinne einer qualitativen Diskussion setzen wir ND 0 (bzw. machen die Annahme ND n in der Anreicherungsschicht). Der Potentialsprung ist von der Gr ossenordnung der Banddiskontinuit und wird durch E ersetzt. Mit at c e d dx Ec wA , wobei wA die Dicke der Anreicherungsschicht bezeichnet, erh man alt Ec LD Ec 1 k T wA e 2 B 2 kB T LD ist die Debye-L ange in Material 1: L 0 sUT e n01 . Hier ist also D wA LD ! Mit Ec 0 4 eV ist wA 0 14 LD . Die Debye-L ange betr f agt ur n01 1018 cm 3 und s 12 etwa 0.2 m, somit wird wA etwa 20 nm. Dieser Wert wird durch numerische Rechnungen best atigt. Im Potentialtrichter bildet sich ein 2D-Elektronengas aus.
ND x
UT n01 e
d dx
2e 0 s
UT
n01 exp
d2 dx2
e ND x 0 s
UT
nx
n01 exp
nx
Nc exp
EF
Ec e x kB T
13.3. SUPERGITTER UND QUANTUM WELLS
165
13.3 Supergitter und Quantum Wells

In Kap. 5 hatten wir zur Veranschaulichung der Entstehung von B andern ein eindimensionales Modell aus einer unendlichen Abfolge von Quantent opfen und Barrieren betrachtet (Kronig-Penney-Modell). In der Realit werden solche at Systeme als Supergitter realisiert. Auf ein Substrat werden dazu epitaktisch Halbleiterschichten aus abwechselndem Material aufgewachsen. Mittels MBE oder MOCVD gelingt die Herstellung von nahezu idealen Hetero-Grenz achen. Liegen die Schichtdicken im Nanometer-Bereich, ergeben sich neuartige elektronische Eigenschaften, die denen ahnlich sind, die durch die nat urliche Kristallstruktur verursacht werden (Energie-L ucken, negative effektive Massen, etc.). Im folgenden wird die elektronische Struktur von Supergittern noch einmal
a)
d1 Substrat
d2 92
superlatt1.ID.epsi 64 mm
y x z
Supergitter
b)
E c (z)
Halbleiter-Supergitter (a) und zugeh origer Verlauf der Leitungsbandkante (b).
genauer betrachtet, wobei eine etwas andere Methode als in Kap. 5 benutzt wird (hier jetzt das eigentliche Kronig-Penney-Modell ohne WKB-N aherung). Wir beschr anken uns wieder auf die Elektronen im Leitungsband, die L ocher k onnen analog behandelt werden. Die Schichtdicke von Material 1 (z.B. GaAs) sei d1 , die von Material 2 (z.B. Ga1 x Alx As sei d2 und die Gitterkonstante des Supergitters in z-Richtung (Wachstumsrichtung) sei d d1 d2 . Parallel zu den Schichten in x- und y-Richtung liegt die nat urliche Gitterperiodizit vor. Die at elektronische Struktur von Supergittern kann bereits mittels der EffektivmassenMethode recht gut beschrieben werden. Voraussetzung daf ist insbesondere, ur dass die Leitungsband-Minima der beiden Materialien im selben Punkt des k-Raumes liegen. Bei der Kombination GaAs/Ga1 x Alx As ist das im direkten Bereich der Legierung (x 0 42) der Fall, beide Bandkanten liegen im Punkt . Die Gesamt-Wellenfunktion eines Elektrons im Supergitter wird in
166
der Effektivmassen-N aherung als Produkt aus einem Blochfaktor u r und c0 einer Enveloppen-Funktion Fc r dargestellt. Wir schreiben die EffektivmassenGleichung f F r in den beiden Materialien einzeln auf: ur c 2mc1
2
Der Einfachheit halber seien die effektiven Massen gleich (mc1 mc2 mc ), was f das System GaAs/Ga x Alx As n ur aherungsweise erf ist. Durch Einf ullt uhrung 1 einer ortsabh angigen Leitungsbandkante E z lassen sich beide Gleichungen zu c einer zusammenfassen: 2mc
mit
und n als Nummer der Supergitter-Einheitszelle ( n ). Die Funktion Ec z l asst sich als ausseres Potential interpretieren und Gleichung (13.1) als at Schr odinger-Gleichung in diesem Potential. E z besitzt die Periodizit des Suc pergitters, d.h.
Da das Potential Ec z nur von z, aber nicht von x y abh angt, kann die L osung der Schr odinger-Gleichung als Produkt aus einer parallel zu den Schichten laufenden ebenen Welle mit einem gewissen Wellenvektor k , und einer nur von z abh angigen Funktion z geschrieben werden: c
F z ergibt sich die Schr ur c odinger-Gleichung
Diese Gleichung gilt f alle z mit Ausnahme der Sprungstellen n d und n d ur d1 zwischen den beiden Materialien. Um die Grenz achen zu uberbr ucken,
Ec z
c z
E c z
mit E
Ec1
2mc
d2 2mc dz2
Fc r
Fck r
1 ik x c z e 1 3
Ec z
Ec z
Ec2
Ec1
Ec z
0 Ec
f n d ur f n d ur
z d 1
nd d 1 z n 1 d
Ec z
Fc r
Ec1 Fc r
k2
2mc2
Ec2 Fc r
E Fc r
r in Material 2
Ec1 Fc r
E Fc r
r in Material 1
(13.1)
(13.2)
167
ben otigt man Anschlussbedingungen f z und dc z dz. Normalerweise ur c sind Wellenfunktionen und deren erste Ableitung uberall im Raum stetig. Bei c z handelt es sich aber nicht um eine vollst andige Wellenfunktion, sondern nur um deren langsam ver anderliche Enveloppe, die noch mit dem Blochfaktor uc0 r multipliziert werden muss. Der Blochfaktor h angt vom Material ab und hat i.a. links und rechts von der Grenz ache unterschiedliche Werte. Das gleiche gilt f die Ableitungen. Wir nehmen diese Gr ur ossen im Sinne einer N aherung als gleich an (gilt f GaAs/AlAs-Supergitter tats ur achlich n aherungsweise). Dann ist also

Als weitere Bedingung fordern wir die Periodizit und Normierung von z at c 1 3 bez uglich des 1-dimensionalen Grundgebietes M d (M bezeichnet die Anzahl der Supergitter-Einheitszellen pro Grundgebiet). Gem Bloch-Theorem ass kann dann c z als gitterperiodische modulierte ebene Welle
geschrieben werden mit k als Komponente des Gesamtwellenvektors des Fck k r in z-Richtung und Uck z als SupergitterBloch-Zustandes Fck r Blochfaktor. Letzterer ist von den Blochfaktoren uc0 r der beiden Volumenkristalle zu unterscheiden. Das Auftreten von zwei verschiedenen BlochFaktoren spiegelt den Umstand wieder, dass bei einem Supergitter zwei verschiedene periodische Potentiale vorliegen, n amlich das der nat urlichen Kristall struktur und das der k unstlichen Uberstruktur. Die Gesamtwellenfunktion ck r enth das Produkt der beiden Bloch-Faktoren. Sie lautet alt c r
Die z-Komponente k des Wellenvektors k muss von der Form 2 M d 0 1 2 sein, damit die geforderte Grundgebietsperiodizit vorliegt. Der at Variationsbereich von k ist die (1-dimensionale) erste BZ des Supergitters zwischen d und d. Zur L osung der Schr odinger-Gleichung (13.2) beschr anken wir uns auf Energien 0 E Ec , d.h. auf Energien, die unterhalb der niedrigsten erlaubten Energie eines Elektrons in Material 2 liegen. Der Blochfaktor Uck z der Wellenfunktion ck z wird in den beiden Materialschichten durch unterschiedliche Ausdr ucke beschrieben. F die Quantum Wells folgt aus der ur
ck r
1 uc0 r Uck z ei k r
c z
ck z
1 ikz e Uck z 1 6
c z
c z
f z ur
n d und z
nd
c z
c z
d 1
(13.3)
168
Schr odinger-Gleichung
mit K als reeller Zahl, die mit der Energie E durch die Beziehung
2
2mc
K2
verkn ist, und a , b1 als noch zu bestimmenden Koefzienten. In den Barriupft 1 eren gilt dagegen
wobei
gesetzt wurde. F die vier Koefzienten a, b1 , a2 , b2 ergibt sich aus den vier ur 1 Anschlussbedingungen (13.3) das homogene Gleichungssystem
Damit dieses Gleichungssystem eine nichttriviale L osung besitzt, muss seine Determinante verschwinden. Die Bedingung daf lautet ur 2 K 2 sin Kd1 sinh d2 cos kd (13.6) 2K Nur solche K und sind erlaubt, die dieser Beziehung gen ugen. Dabei sind K und aber nicht unabh angig voneinander, sondern durch die Energie E uber Gleichungen (13.4) und (13.5) miteinander verkn upft. Die Gleichung (13.6) stellt also letztlich eine Bedingung f die Energie E dar. Sie ist identisch mit der ur des Kronig-Penney-Problems. Man erh eine bestimmte Anzahl diskreter Enalt ergieeigenwerte En , die, wenn k variiert, zu B andern E k auff achern, die durch n Energiel ucken voneinander getrennt sind. Um die Energieeigenwerte E des Su2 2m k2 adpergitters zu erhalten, muss gem (13.2) zu E k noch Ec1 ass c n diert werden:
2
En k
En k
Ec1
2mc
k2
cos Kd1 cosh d2
e e e e
a1 b1 a2 b2
0 0 0 0
eiKd1 eikd iK eiKd1 iK eikd

e iKd1 e ikd iK e iKd1 iK e ikd
ed1 ed ed1 ed
d1 d d1 d
Ec
2mc
Uck z
b2 e
a2 e
ik z
ik z
d1
Uck z
a 1 ei K
k z
b1 e i K
k z
d1
(13.4)
(13.5)
169
Im Unterschied zum Kronig-Penney-Problem besitzen die Energieb ander des Supergitters also eine zus atzliche Dispersion bzgl. der Wellenvektor-Komponente k parallel zu den Schichten. Die B ander und L ucken, die sich bei festem k und Variation von k ergeben, bezeichnet man als Minibander und Minil cken. Die bei u festem k und variablem k entstehenden B ander bezeichnet man als Subb nder. a Die Subband-Dispersion resultiert aus der nat urlichen Kristallstruktur, w ahrend die Miniband-Dispersion die Folge der k unstlichen periodischenUberstruktur ist. In der Abbildung sind auch die Grenzf sehr dicker Barrieren (links) und alle sehr d unner Barrieren (rechts) dargestellt. Im ersten Fall dominieren die hyperbolischen Terme in (13.6) und der die Dispersion verursachende Term cos kd auf der rechten Seite kann vernachl assigt werden. Die Minib ander entarten zu den diskreten Niveaus des isolierten Quantentopfes. Das Supergitter zerf allt in einzelne Quantum Wells, die untereinander nicht gekoppelt sind (MultiQuantum-Well-Struktur). Im zweiten Fall liefert die S akulargleichung (13.6) in nullter N aherung k K. Damit verschwinden die Minil ucken uberhaupt, und die Uberstruktur ist unwirksam.
k || d d
superlatt2.ID.epsi 95 82 mm
Mini- und Subb ander eines Supergitters. Dargestellt sind auch die beiden Grenzf alle sehr d unner und sehr dicker Barrieren. Der untere Bildteil veranschaulicht die Wellenfunktionen.
Die bisherigen Betrachtungen gelten mit gewissen Modikationen auch f ur L ocher. Die L ocher-Wells k onnen sich im selben Material benden wie die Elektronen-Wells, aber auch im andern Material. Im ersten Fall spricht man
170
von Typ-I-Supergittern, im zweiten Fall von Typ-II-Supergittern. In TypII-Supergittern halten sich Elektronen und L ocher in verschiedenen Materialschichten auf, sind also r aumlich separiert, was zu ungew ohnlichen Eigenschaften f uhrt. Es kommt sogar vor, dass die L ocher-Niveaus in dem einen Material h oher liegen als die Elektronen-Niveaus in dem andern. Sie sind dann nicht mehr durch eine Energiel ucke voneinander getrennt, und das Supergitter ist ein Metall.
Typ I
Ec Ec
superlattTyp.ID.epsi 123 41 mm
Typ II
E g1 Ev
E g2 Ev
Supergitter vom Typ I und Typ II.

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Halbleiterbauelemente Physikalische Grundlagen und Simulation

B) Quanten-Dr ahte und Quanten-Punkte

Beispiel: freies Elektron (V 0) In der klassischen Physik ist wegen F

Die allgemeine (von Null verschiedene) L osung lautet

Mit diesem Potential erh man alt

und damit zur Quantisierungsbedingung f die Wellenzahl k: ur sin(kd) = 0

oder, mit Einf uhrung der sogenannten Wellenzahl k

diskretes Energiespektrum! 2d Wellenl ange n n

A) Resonant-Tunnel-Diode (RTD) and Resonant-Tunnel-Transistor (RTT)

RTDbandscheme.epsi U 124 103 mm

RTDoperation.ps 105 139 mm

RTToperation.ps 101 141 mm

Channel Drain Source

QD ash memory: Das Speicher-Gate besteht aus einer poly-Si-Insel. (a) I

PSfrag replacements I (b)

Durch Ubergang zu Schwerpunktskoordinaten

und anschliessende Fouriertransformation bzgl. r entsteht die Wigner-Funktion (Wigner, 1932)

ist die Aufenthaltswahrscheinlichkeit im Ort-

pt pt pt pulsraum. Ableitung der Bewegungsgleichung:

ist die Wahrscheinlichkeitsdichte im Im-

Wir setzen abk urzend R r 2 und Zeitableitung der Wigner-Funktion ergibt

vertdotall.epsi 133 111 mm

dvz dvx dvy

Diese Zahl bezeichnen wir mit

- Die Geschwindigkeit wird als Gruppengeschwindigkeit v standen.

2.2. METHODEN DER DIREKTEN LOSUNG

2.2 Methoden der direkten Lsung o

- Einsetzen in den Stossterm der BG ergibt

eine ungerade und S eine

- Damit wird der Stossterm symbolisch tot v

Nach partieller Integration erh man alt

2.2. METHODEN DER DIREKTEN LOSUNG

- Daraus folgt die Differentialgleichung

mit der L osung (man beachte, dass P(0) = 1)

2.2. METHODEN DER DIREKTEN LOSUNG

streumech.ID.epsi imp 100 33 mm

mc-ow.epsi 132 162 mm

Fluss-Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation f den Fall eines homogenen Halbleiur ters.

3.1 Hydrodynamische Transportgleichungen, Drift-DiffusionsModell

muss daher eine partielle Integration durchgef werden uhrt

was man in verallgemeinerter Form als

(jn ist die elektrische Stromdichte).

(man beachte, dass f f v ur des Mittelwerts (3.1), folgt

verschwindet). Benutzt man jetzt die Denition

3.1. HYDRODYNAMISCHE TRANSPORTGLEICHUNGEN, DRIFT-DIFFUSIONS-MODELL

m=1 Betrachten zun achst nur die x-Komponente von v.

m=2 Berechnen zuerst den Mittelwert f diesen Fall. ur

Wir erhalten also f im Falle m = 2: ur

F die verallgemeinerte Stromdichte ergibt sich ur v v 2 2 v v v v v 2 mn 2 mn v v 2 mn v v n v v 2 2 2 1 1 wn Sp kB Tn Sp kB Tn k B Tn 2 2 kB T n n v v 2

v ist der letzte Term 1 Sp kB Tn mn

3.1. HYDRODYNAMISCHE TRANSPORTGLEICHUNGEN, DRIFT-DIFFUSIONS-MODELL

mit der Energie-Stromdichte

F den Intra-Term machen wir die Relaxationszeit-N ur aherung:

n ist die Beweglichkeit der Elektronen.

n G R t coll v 1: n v G R n t p n coll wn wn eq mn 2: n n 2 t E n coll 0:

3.1. HYDRODYNAMISCHE TRANSPORTGLEICHUNGEN, DRIFT-DIFFUSIONS-MODELL

heisst Einstein-Relation zwischen Diffusions-Koefzient und Beweglichkeit.

Der Temperatur-Tensor Tn wird noch wie folgt vereinfacht:

(3.24) (3.25) R (3.26)

3.1. HYDRODYNAMISCHE TRANSPORTGLEICHUNGEN, DRIFT-DIFFUSIONS-MODELL

die Beweglichkeiten n , p als die entscheidenden Transport-Parameter

die thermischen Leitf ahigkeiten der Elektronen und L ocher.

T-e K +5.496e+03 +4.196e+03 +2.897e+03 +1.597e+03 +2.971e+02