Lctronique Des Hautes Frquences

Electronique
haute
frquence
Herv BOEGLEN
I.U.T. de. Colmar
Dpartement G.T.R. 2004

Electronique

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003 2
1. Introduction :

Quest-ce que la HF ?

Lappellation des frquences t dfinie en 1953 par un organisme international de
normalisation appel le CCIR (Comit Consultatif International des Radiocommunications) de
la faon suivante :

TBF : trs basses frquences jusqu' 30 kHz,

BF : basses frquences jusqu' 300 kHz,

MF : moyennes frquences jusqu' 3 MHz,

HF : hautes frquences jusqu' 30 MHz,

VHF : trs hautes frquences jusqu' 300 MHz,

UHF : ultra hautes frquences jusqu' 3 GHz,

SHF : supra hautes frquence ou hyperfrquences jusqu' 30 GHz,

EHF : extra hautes frquence jusqu' 3000 GHz

Position du problme : peut-on toujours appeler un chat un chat ?

Les composants passifs :

Nous avons vu en premire anne quune rsistance de 1 k prsentait une impdance de 1
k, que limpdance dune inductance augmentait linairement avec la frquence et que
limpdance dun condensateur tait inversement proportionnelle la frquence. En HF, ce
nest plus aussi simple : suivant la frquence un condensateur pourra trs bien se comporter
comme une inductance !

Voici par exemple le circuit quivalent HF dune rsistance :

L L R
C

Sil ny avait que les composants pour se comporter ainsi ! Les fils ou les pistes
interconnectant les composants ont un comportement inductif. Leur inductance peut tre
dtermine laide de la formule suivante :

Figure 1
Electronique


L l
l
d
=
|
\
(
0 002 2 3
4
0 75 , , log , avec

Application :

Une rsistance de 10 k couche mtallique est reprsente par son schma quivalent figure
1. Les pattes ont une longueur de 1,27 cm et ont un diamtre de 0,1628 cm. La capacit
parasite C est gale 0,3 pF. Calculer limpdance de lensemble 200 MHz.

Effet de peau :

En basse frquence, un conducteur utilise toute sa section pour permettre le transfert des
lectrons. Lorsque la frquence augmente, le champ magntique au centre du conducteur
augmente, poussant ainsi les porteurs vers la priphrie. Le rsultat est une augmentation
de la rsistance du conducteur. Ainsi pour le cuivre la profondeur de peau est de 8,5 mm
60 Hz et nest plus que de 0,07 mm 1 MHz !

2. Adaptation des impdances :

En HF, les impdances dentre et de sortie des quadriples amplificateurs ne sont plus relles
mais complexes. Sil ny a pas adaptation entre la source et la charge, il y a bien sr perte de
puissance, mais souvent lorsque les puissances sont importantes destruction du quadriple
amplificateur.
2.1 Rappel ( ?) de 1
re
anne :

Adaptation en puissance :

Considrons le dispositif de la figure 2 constitu par un gnrateur sinusodal dimpdance
interne Z
G
et une impdance de charge Z
U
:

E
ZG
ZU
B
A
I
U
L = inductance en H
l = longueur du fil en cm
d = diamtre du fil en cm
Figure 2
Electronique

Posons :
Z R jX
Z R jX
U U U
G G G
= +
= +

et cherchons les conditions pour lesquelles le gnrateur fournit le maximum de puissance la
charge Z
U
:

A partir des quations :
G U G U
U
Z Z
E
I
Z Z
Z E
U
+
=
+
= ,

La puissance complexe fournie la charge scrit :

( )( )
*
*
*
G U G U
U
Z Z Z Z
E E Z
I U S
+ +
= =
soit :
( ) ( )
2 2
2
2
G U G U
U
X X R R
E Z
S
+ + +
=

La puissance active fournie la charge scrit :

( ) ( )
2 2
2
G U G U
U
X X R R
R
E P
+ + +
=

Cherchons, ds lors, les conditions pour lesquelles cette puissance est maximale, sachant que
R
U
et R
G
sont positif et que X
U
et X
G

sont ngatifs si limpdance correspondante est capacitive,

sont positifs si limpdance correspondante est inductive.

Il apparat ainsi que la premire condition raliser est X
U
= -X
G

soit :
( )
2
2
G U
U
R R
R
E P
+
=

Afin de dterminer le maximum de P, cherchons la valeur de R
U
qui annule dP/dR
U
:

( )
0
3
2
=
+
=
U G
U G
U
R R
R R
E
dR
dP
pour R
G
= R
U

Ce qui donne pour la puissance maximale :

Electronique

G
R
E
P
4
2
max
=

Au total, la puissance fournie la charge est maximale et vaut E
2
/4R
G
lorsque :

=
=
U G
U G
X X
R R

soit :
*
G U
Z Z =

La figure suivante illustre le principe que nous allons dtailler dans la paragraphe suivant et
qui permet ladaptation dun quadriple amplificateur lentre et la sortie :

E
ZG
ZU
Circuit
d'adaptation
d'entre
Circuit
d'adaptation
de sortie
Quadriple
amplificateur

Exemple :

Soit adapter une source de 100 une charge de 1k :

RS
100
RL
1k
L1
j300
C1
-j333
V1
VSIN

Figure 3
Electronique

2.2 Les circuits de couplage :

2.2.1 Mthode gnrale de calcul des rseaux dadaptation :

Quelle que soit la configuration initiale des impdances adapter et du circuit de couplage, le
principe de calcul sera toujours le mme :

ou bien, on transforme le rseau en un circuit qui ne comprend plus que des
lments rsistifs et ractifs en srie, ou bien,

on transforme le rseau en un circuit qui ne comprend plus que des lments
ractifs et rsistifs en parallle.

Pour la configuration en srie (figure 4a) la condition dadaptation scrit :

R1
s
= R2
S

et

jX
S
= j(X1
S
+ X2
S
+ ....) = 0

(les ractances X
S
, X1
S
, X2
S
, etc., tant prises avec leur signe propre : positif pour une
inductance (jL), ngatif pour une ractance capacitive (-j/C)).

Pour la configuration en parallle (figure 4b) la condition dadaptation devient :

R1
P
= R2
p

et

1 1
1
1
2
0
jX jX jX
p p p
= + +
|
\
|
|
= ...

R1S
JX1S
JX2S
R2S R1P JX1P JX2P R2P
(A) (B)

Figure 4
Electronique

2.2.2 Les rseaux en L :

VE
RS L
RL
C
(A) Passe-bas
VE
RS L
RL
C
(B) Passe-bas
VE
RS
L
RL
C
(C) Passe-haut
VE
RS
L
RL
C
(D) Passe-haut

2.2.2.1 Dtermination des formules de calcul :

RS XS
XP RP
V1

on transforme la partie srie (RS et XS) en son quivalent parallle :

RP = XP =

Le circuit devient :

XP RP
V1
X'P R'P

Figure 5
RL > RS
RL > RS
RL < RS
RL < RS
Electronique

Ladaptation a lieu pour :

RP R P
XP X P
=
=
'
'

Soit :

Comme :

QS = XS/RS et QP = RP/XP

On en dduit que :

Exemple :

Calculer un circuit en L qui devra adapter une source de 100 une charge de 1k
100MHz. Le circuit devra permettre le passage de la composante continue de la source vers la
charge.

Electronique

2.2.2.2 Cas des sources et charges complexes (cas le plus courant) :

Deux approches sont possibles :

labsorption : les ractances de la charge et de la source sont absorbes par le circuit
dadaptation.

Exemple :

Soit adapter la charge et la source du circuit suivant :

V1
RS
100
LS
j126
CL
2pF
RL
1k
Rseau
d'adaptation

la rsonance : toutes les ractances de la source et de la charge sont limines par
rsonance (ractances de signe oppos).

Exemple :

Soit adapter la charge et la source du circuit suivant :

V1
RS
50
CL
40pF
RL
600
Rseau
d'adaptation

Electronique


2.2.3 Rseaux trois lments :

Avantage : on peut agir sur le facteur Q (et donc la bande passante) indpendamment de Rs et
Rl.

Voici les rseaux les plus utiliss ainsi que les formules permettant de les utiliser :

V1
RS
C1 C2
L
RL V1
RS
L L
C
RL
V1
RS
L
C1
C2
RL
(A) (B)
(C)

Figure 6
RL > RS
Electronique


Exemple :

On dsire adapter limpdance dentre du transistor bipolaire de puissance de rfrence
2N5642 celle dun gnrateur 50. Ladaptation doit tre ralise la frquence de
175MHz. On utilisera le rseau (C), en fixant Q = 10.

V1
RS
50
RL
2,6
CL
200p
Rseau
d'adaptation

Rseau (A) :

XC1 = RS/Q On slectionne dabord Q

XC2 =
RL
RS
Q
RSRL
RL
+ ) 1 (
2

XL =
1
) 2 / (
2
+
+
Q
XC RSRL QRS

Rseau (B) :

XL1 = RSQ On slectionne dabord Q

XL2 = RLB A = RS(1+Q
2
)

XC =
A
Q B +
B = 1
RL
A

Rseau (C) :

XL1 = RSQ On slectionne dabord Q

XC2 = RLA A = 1
) 1 (
2
+
RL
Q RS

XC1 =
B
Q A
B = RS(1+Q
2
)
Electronique

Remarque :

Les rseaux dadaptation que nous venons de prsenter sont les plus courants mais il en existe
dautres trois lments ou plus.

2.2.4 Utilisation de l'abaque de Smith :

2.2.4.1 Manipulation des impdances :

Electronique

Exemple :

Soit une impdance : Z = 0.5 + j0,7
on rajoute une ractance capacitive de j1,0

Soit une impdance : Z = 0.8 j1,0
on rajoute une ractance inductive de j1,8

2.2.4.2 Manipulation des admittances :

Electronique

Exemple :
Soit une admittance : Y = 0,2 j0,5

on rajoute une susceptance capacitive de +j0,8

Soit une admittance : Y = 0,7 +j0,5

on rajoute une susceptance inductive de j1,5

Exemple :

A laide labaque de SMITH, donner la valeur de limpdance Z du circuit suivant :

R = 1
jX = 1
-jB = 0,3
-jX = 1,4
+jB = 1,1
jX = 0,9
Z

Exemple :

A laide de labaque de SMITH, concevoir un circuit de couplage deux lments pour
adapter une source de 25 j15 une charge de 100 -j25 60MHz. Le circuit devra
galement se comporter comme un filtre passe-bas.

2.3 Les quadriples amplificateurs en HF :
2.3.1 Le transistor bipolaire en basses frquences Rappels de 1
re
anne :

Revoyons sous la forme de questions-rponses les lments essentiels connatre sur le
transistor bipolaire :

* Constitution ?

Le transistor bipolaire est un assemblage de semiconducteurs de type N et P :

Son symbole lectrique est le suivant :
Electronique

T
IB
IC
IE

Ce symbole montre que le transistor est un nud de courant :

IE = IC + IB

* Utilit ?

Le transistor est un amplificateur. En fonctionnement linaire , on a :

IC =IB

Dans la pratique, 100 < < 300.

* Comment le faire fonctionner ?

Pour pouvoir amplifier, tout amplificateur a besoin dune source dnergie continue. Dans le
cas du transistor, il faut une alimentation continue en entre et en sortie :

T
RC
RB
E2
E1
VCEo
ICo
IBo
VBEo

Electronique

Chaque diple dalimentation (E1,RB) et (E2, RC) peut tre dcrit par sa caractristique
courant-tension. Il suffit de connatre la caractristique courant-tension en entre et en sortie
du transistor pour dterminer un point de fonctionnement :

Les caractristiques courant-tension des diples dalimentation sont appeles droite dattaque
statique (entre) et droite de charge statique (sortie).

En plus dapporter de lnergie au systme amplificateur, les diples dalimentation polarisent
le transistor. En effet, ils permettent de positionner le point de fonctionnement de telle faon
ce que le transistor ne soit jamais bloqu (fonctionnement linaire).

* Quest-ce que le fonctionnement petits signaux ?

Le transistor est un dispositif amplificateur non linaire en forts signaux. Si on se limite de
petites variations autour du point de fonctionnement, on obtient une amplification quasi
linaire. Ce type de fonctionnement, appel petits signaux. Il permet dtablir un schma
lectrique quivalent du transistor :

T
vce
ic
ib
vbe
h12e.vce
h21e.ib
h11e
1/h22e
vbe
ib
vce
ic

On a les relations suivantes :

+ =
+ =
ce e b e c
ce e e be
v h i h i
v h ib h v
22 21
12 11

V
BE

I
C

V
CE
I
B

I
Co

I
Bo

V
CEo

V
BEo

Droite dattaque
statique
Droite de charge
statique
Figure 7
Electronique


Rappelons la signification physique des paramtres hybrides :

h
11e
= v
be
/i
b
pour v
ce
= 0, impdance dentre,
h
12e
= v
be
/v
ce
pour i
b
= 0, raction sortie-entre,
h
21e
= i
c
/i
b
pour v
ce
= 0, gain dynamique en courant,
h
22e
= i
c
/v
ce
pour i
b
= 0, admittance de sortie.

* Existe-t-il plusieurs types de montages amplificateurs transistor ?

Il existe trois types de montages amplificateurs transistor :

entre B B E
sortie C E C
rfrence E C B

Commun signifie que llectrode est commune la maille dentre et la maille de sortie.
On remarque qualors le transistor peut tre considr comme un quadriple.

Caractristiques de chacun des montages :

Avo Ai Ap Re Rs

E.C.
-50

-500
10

10
3

500

5.10
4

10
3

10
4

10
3

10
5

C.C. 1 10

10
3

10

10
3

10
4

10
6

1

100

B.C.
50

500
1 50

500
1

100
10
4

10
7

I
C

V
CE

V
BE

I
B

I
Co

I
Bo

V
CEo

V
BEo

h
21e
h
22e

h
11e
h
12e

Base commune
Collecteur commun
Emetteur commun
Electronique

Avec Avo = gain en tension vide, Ai = gain en courant, Ap = gain en puissance, Re =
rsistance dentre et Rs = rsistance de sortie.

* Lamplification comment a marche ?

* A quoi servent les capacits de liaison ?

* Synthse : conception dun tage EC :

On utilise un transistor 2N2222 dont le gain en courant est compris entre 100 < h
21e
< 300. Le
montage est aliment par une source de tension E = 9V. On prendra IC
0
= 1mA, VCE
0
= E/2,
RC = 5RE, lentre sera polarise par un pont de base avec Ip = 10IB
0
. Lamplificateur devra
avoir un fonctionnement linaire entre 20Hz < f < 20kHz.
Ic

Ib Vce

Vbe

Electronique

Calculer lensemble des lments ncessaires au fonctionnement du montage. Calculer AV
0
,
Re et Rs.

Electronique

2.3.2 Le transistor bipolaire en HF :
Le modle petits signaux BF nest plus satisfaisant en HF. On utilise alors le schma
quivalent de Giacoletto :
RBB'
RB'E
CB'E
CB'C
gm.vB'E RCE
B'
B
E
C
E

2.3.2.1 Signification physique des lments du modle de Giacoletto :

CBE : cest une capacit de diffusion analogue la capacit de diffusion dune diode
polarise en direct. Elle est proportionnelle au courant qui traverse la jonction base
metteur.

CBC : cest une capacit de transition analogue la capacit de transition dune
diode polarise en inverse. Elle est proportionnelle la tension V
BC
et laire S de la
jonction. Sa valeur est de lordre de quelques picofarad pour les transistors de faible
puissance jusqu' quelques centaines de picofarad pour les transistors de puissance.

RBB : cest la rsistance de llment semi-conducteur entre llectrode B et le point
interne B se trouvant la limite de la jonction de lmetteur.

RBE = h
11e

RCE = 1/h
22e

gm = h
21e
/h
11e

On constate qu cause des capacits, les courants et tensions du transistor deviennent
complexes. Le coefficient damplification en courant h
21e
dpend alors de la frquence.

2.3.2.2 Dtermination de la frquence de coupure du gain en courant en court-
circuit :

Pour la calculer, on court-circuite la sortie : ce qui signifie que lon connecte une charge nulle
entre le collecteur et lmetteur. Le schma de la figure 8 devient alors le suivant :
RBB'
RB'E
CB'E
CB'C
gm.vB'E
B'
B
E

Figure 9
Figure 8
ib
ic
V
BE
Electronique

On a :

i
B
=

i
C
=

Do :

Comme gm = h
21e
/h
11e
, on obtient :

G
C
=

avec :

z
=

=

Mais
z
>>
, parce que h
21e
>> 1 et que CBE >> CBC. On peut alors crire :

Traons maintenant le module de G
C
en fonction de la frquence :

f
= frquence limite de h
21e
.

f
T
= frquence de transition du transistor (|G
C
| =1) h
21e
f

f
|G
C
|
h
21e

1
Figure 10
Electronique

Cette frquence est trs facile mesurer et ce nest pas un hasard si on la retrouve dans tous
les datasheets de transistors.

Remarque :

Le schma quivalent de Giacoletto ne dcrit correctement le fonctionnement du transistor
que pour des frquences infrieures 0,5f
T
.
2.3.2.3 Etude dun montage metteur commun en HF :

Cherchons dterminer le gain en tension A
V
= v0/e
G
pour le montage suivant :

Q1
RB RC
CS
RU
CE RG
EG
VCC
vo

Schma quivalent en HF :

RBB'
RB'E
CB'E
CB'C
gm.vB'E
B'
RB'E RB RC RU
RG
EG
vB'E
vo

Le schma peut se simplifier de la manire suivante :

R'G
RB'E
CB'E
CB'C
gm.vB'E
B'
RL
VG
vB'E
vo

Figure 11
Figure 12
Figure 13
R
CE
Electronique

avec :
RG = RG//RB +RBB

VG = EG
RB
RG RB
.
+

RL = RCE//RC//RU

Le problme consiste maintenant trouver le moyen de rompre la liaison directe entre la sortie
et lentre. Pour cela on applique :
2.3.2.4 Le thorme de Miller :

Soit un quadriple actif Q dont on connat le rapport A = Vs/Ve. Une impdance Z est
branche en parallle sur ce quadriple selon la figure 14 :

Z
Q
IE I1
I
I
I2 IS
VE VS

Montrons que ce quadriple est quivalent au quadriple suivant :

Q
IE I1 I2
IS
VE
VS
Z2 Z1
I
I

On a :

IE = I1 + I
IS = I2 - I

et :

VE VS = ZI

Figure 15
Figure 14
Electronique

Exprimons I en fonction de A, VE et Z :

Do :

IE = I1 +

avec :

Z1 = Z/(1-A)

Exprimons I en fonction de A, VS et Z :

Do :

IS = I2 +

avec :

Z2 = ZA/(A-1)

On applique maintenant le thorme de Miller au schma de la figure 13 :

Le schma de la figure 13 devient :
R'G
RB'E
Ce gm.vB'E
B'
RL
VG
vB'E
vo Cs

On a :

Ce = CBE + CBC(1-A
0
)

Cs = CBC(A
0
- 1)/A
0
CBC
Figure 16
Electronique

Dterminons alors le gain en tension de ltage A
V
E
V
G
=
0
:

2.3.3 Le transistor FET :
2.3.3.1 Schma quivalent HF :

CGS
CGD
gm.vgs vgs
G
S S
D
RDS

Les mthodes de calcul utilises pour le transistor bipolaire restent valables pour le FET.
Figure 17
Electronique

2.4 Pratique des amplificateurs HF :

Nous venons de constater que le schma quivalent HF du transistor tait difficilement
utilisable pour un amplificateur un tage. Les calculs deviennent fastidieux lorsque lon
utilise plusieurs transistors. Il est bien vident que les concepteurs de circuits HF utilisent des
mthodes plus rapides et plus efficaces. Nous prsentons donc ci-aprs les aspects principaux
prendre en compte lors de la conception dun amplificateur HF. Nous distinguerons deux
cas :

lamplification petits signaux,

lamplification grands signaux ou de puissance.

2.4.1 Amplificateurs HF petits signaux :

Les constructeurs de transistors HF utilisent soit les paramtres y (matrice admittance) soit les
paramtres s (scattering parameters) pour dcrire le comportement HF du composant, comme
en tmoigne le datasheet du transistor 2N5179 ci-aprs.
Prcisons que du fait de la difficult dobtenir des mesures fiables au dessus de 150 MHz en
ce qui concerne les paramtres y, on trouve plus frquemment les paramtres s dans les
datasheet.

2.4.1.1 Description par les paramtres admittance :

I
1
= y
11e
V
1
+ y
12e
V
2

I
2
= y
21e
V
1
+ y
22e
V
2

Un transistor en HF peut encore tre assimil un quadriple. Cependant comme on la vu
prcdemment, des capacits parasites apparaissent en parallle avec les lments purement
rsistifs du schma en paramtres hybrides. Il est alors plus commode dintroduire les
paramtres admittance bien adapts aux circuits en parallle.

La correspondance avec le modle de Giacoletto est la suivante :

|
|
\
|
+
+ =
+
=
+
=
+
=
E B BB
BB
C B e
E B BB
e
E B BB
C B
e
E B BB
E B
e
y R
gm R
jC y
y R
gm
y
y R
jC
y
y R
y
y
' '
'
' 22
' '
21
' '
'
12
' '
'
11
1
1
1
1
1

Electronique


Electronique

Electronique

Electronique

Electronique


Electronique

Au del de 150 MHz, il devient impossible de mesurer certain de ces paramtres. En effet, on
ne parvient plus raliser V1 ou V2 = 0 car les court-circuits prsentent des composantes
inductives et capacitives. Pour cela on prfre utiliser les paramtres s.

2.4.1.2 Description par les paramtres de distribution :

b
1
= s
11e
a
1
+ s
12e
a
2

b
2
= s
21e
a
1
+ s
22e
a
2

Les paramtres s sont dfinis partir des conditions dinterfrence des ondes dans un
quadriple. Les coefficients a
1
et a
2
reprsentent les ondes incidentes alors que b
1
et b
2

reprsentent les ondes rflchies.

Les dfinitions des paramtres s sont les suivantes :

0
2
1
12
0
1
2
21
0
2
2
22
0
1
1
11
1
2
1
2
=
=
=
=
=
=
=
=
a
a
a
a
a
b
s
a
b
s
a
b
s
a
b
s

La mesure de ces paramtres est plus aise que celle des paramtres y. Toutefois, il faut
disposer dun analyseur de rseau qui est un instrument de mesure coteux.

La reprsentation des coefficients de rflexion est trs aise sur labaque de Smith. Cest
pourquoi lutilisation des paramtres s ne saurait se concevoir sans cet outil graphique.
Coefficient de rflexion en entre
pour la sortie adapte (ZL = Z0)

Coefficient de rflexion en sortie
pour lentre adapte (ZS = Z0)

Coefficient de transmission directe
pour la sortie adapte (ZL = Z0)

Coefficient de transmission inverse
pour lentre adapte (ZS = Z0)

Figure 18
Electronique


2.4.1.3 Correspondance entre les paramtres s et y :

2.4.1.4 Mthode de conception dun amplificateur HF petits signaux :

Paramtres y :

- stabilit :
Nous venons de voir que la fonction de transfert dun metteur commun HF tait du
2
me
ordre. Ceci signifie pratiquement que le montage amplificateur peut se mettre
Electronique

osciller. En fait le paramtre qui explique ce phnomne est le paramtre y
12
d
physiquement la capacit CBC qui rinjecte une fraction de la tension de sortie
lentre du transistor crant ainsi une raction. En conception, il est donc
ncessaire de sassurer de la stabilit du montage. Pour cela on calcule le facteur de
stabilit de Linvill donn par :

C
y y
g g e y y
=

12 21
11 22 12 21
2 ( )

Si C < 1 le transistor est dit inconditionnellement stable. Si C > 1, on devra utiliser
des mthodes qui, soit annulent linfluence de y
12
(neutrodynage, de moins en moins
utilis), soit diminuent le gain du dispositif (dsadaptation entre et/ou sortie).

- Gain maximum disponible (Maximum Available Gain ou MAG) :

Le MAG du transistor est donn par la formule suivante :

MAG
y
g g
=

21
2
11 22
4

Ce gain est le maximum que lon peut obtenir du transistor en supposant que y
12
= 0
et que les impdances dentre et de sortie sont parfaitement adaptes respectivement
la source et la charge dutilisation. Ceci nest jamais parfaitement le cas en
pratique et le gain rel devra tre lgrement minor.

- Adaptation :

Pour obtenir un gain optimum il est ncessaire que y
11
et y
22
soient les complexes
conjugus respectivement de Y
S
et Y
L
. Les quations suivantes donnent les valeurs
des admittances de source et de charge ralisant ladaptation en fonction des
paramtres y du transistor :

[ ]
G
g g e y y y y
g
S
=

2
2
11 22 21 12
2
21 12
2
22
. ( . ) .

B jb
m y y
g
S
= +
11
21 12
22
2
( . )

[ ]
G
g g e y y y y
g
G g
g
L
S
=

=
2
2
11 22 21 12
2
21 12
2
11
22
11
. ( . ) .
.

B jb
m y y
g
L
= +
22
21 12
11
2
( . )

Avec :

G
S
= conductance de source,

B
S
= susceptance de source,

G
L
= conductance de charge,

B
L
= susceptance de charge.

Electronique

Voyons sur un exemple comment utiliser ces quations :

Exemple :

Un transistor possde les paramtres y suivants 100 MHz :

y
11
= 8 + j5,7 y
22
= 0,4 + j1,5

y
21
= 52 - j20 y
12
= 0,01 - j0,1

Concevoir un amplificateur fournissant un gain maximum entre une source de 50 et une
charge de 50. On utilisera labaque de Smith.

Paramtres s :

- stabilit :

avec D = s
11
s
22
s
12
s
21
.

- Gain maximum disponible (Maximum Available Gain ou MAG) :

Le MAG du transistor est donn par la formule suivante :

Electronique

- Adaptation :

avec :

Exemple :

Un transistor possde les paramtres s suivants 200 MHz avec V
CE
= 10V et I
C
= 10mA :

s
11
= 162 4 , 0 s
22
= 39 35 , 0

s
21
= 60 04 , 0 s
12
= 63 2 , 5

Concevoir un amplificateur fournissant un gain maximum entre une source de 50 et une
charge de 50. On utilisera labaque de Smith.

Electronique

2.4.2 Amplification de puissance :
2.4.2.1 Position du problme : les paramtres petits signaux ne dcrivent pas
correctement le fonctionnement des transistors de puissance HF :

Exemple : Transistor HF 2N3948 :

Le tableau montre que limpdance dentre en petits signaux est inductive alors quen forts
signaux elle devient capacitive.

Conclusion :

Les transistors de puissance HF sont caractriss non plus par leurs paramtres y mais par leur
impdance dentre forts signaux (large-signal input impedance) et leur impdance de sortie
forts signaux (large-signal output impedance).

Exemple : Transistor de puissance HF MRF 321 MOTOROLA :

CLASSE A
Amplificateur petits
signaux
VCE = 15V ; IC = 80mA ;
f = 300 MHz
CLASSE C
Amplificateur de
puissance
VCE = 13,6V ;
Po = 1W ; f = 300 MHz
Rsistance dentre 9 38
Capacitance ou
inductance dentre
0,012H 21pF
Rsistance de sortie 199 92
Capacitance de
sortie
4,6pF 5,0pF
Gp 12,4dB 8,2dB

Electronique

Mais au fait, quest-ce que la classe C ? Cest une classe de fonctionnement du transistor qui
permet un meilleur rendement en puissance que les classes A et B tudies en 1
re
anne et qui
est trs utilise dans les amplificateurs HF. Voyons maintenant ses principales
caractristiques :

2.4.2.2 La classe C : tude thorique :
2.4.2.2.1 Fonctionnement :

Le transistor ne conduit que pour la partie suprieure de lalternance positive (figure 19). Le
point de repos du transistor est I
B0
= 0 et V
BE0
< 0,6V. La figure 20 situe la droite de charge
dans le rseau I
C
(V
CE
) et la figure 21 reprsente lvolution temporelle ( = t) de v
BE
et de
v
CE
. On dfini langle douverture
du dispositif comme tant langle (modulo ) pendant

lequel le transistor est conducteur. Pour la classe C :

0 2 < <
o

V
E

Figure 20
V
CE

I
C

i
C

t
t
V
S

V
BE

I
B

t
t
i
B

Figure 19
Point de
repos
Point de
repos
Electronique


Inconvnient de la classe C :

Le signal de sortie est une arche de sinusode dcomposable en srie de Fourier. Si lon
souhaite rcuprer le fondamental en sortie, il faut utiliser un filtre slectif accord sur celui-
ci. Le taux de distorsion du montage est videmment moins bon quen classe A ou B.

Avantage de la classe C :

Le rendement est trs bon puisquil varie entre 0,78 et 1 lorsque langle douverture 2
est
compris entre et 0.

Remarque :

Le filtre slectif peut aussi tre accord sur des harmoniques du signal dentre, on ralise
alors un multiplicateur de frquence.

2.4.2.2.2 Montage de base :

RC
Q1
LC
VP ve
CC
VCC

Le montage est un metteur commun polaris par une tension V
P
< 0,6V. On applique une
tension :

ve = Ve.cos = Ve.cost

La tension base-metteur vaut alors :

v
BE
= ve + V
P
= Ve.cos + V
P

La conduction du transistor seffectue pour un angle
tel que :

0,6 = Ve.cos
+ V
P

soit :
cos
= (0,6 -V
P
)/Ve
Figure 22

V
CE
= V
S

+V
2
o
<
Figure 21
Electronique

La forme des tensions et courants est reprsente sur les figures suivantes :

La tension v
BE
est dfinie par :

v
BE
= 0,6 + h
11
.i
B
= Ve.cos + V
P

On en dduit lexpression de i
B
pour -
:

i
v
h
Ve V
h
Ve V Ve V
h
B
BE P P P
=
=
+
=
+ + 0 6 0 6
11 11
0
11
, ( .cos ) , ( .cos ) (( .cos )

soit :
i
Ve
h
B o
=
11
(cos cos )

Le courant collecteur i
C
est de mme forme que i
B
:
V
BE

I
B

i
B

Figure 23
-

ve = cos
ve
V
P

V
E
+V
P
= v
BE

i
B

Figure 24
Electronique


i
h Ve
h
C o
=
21
11
.
(cos cos )

La valeur maximale est obtenue pour = 0 :

i
h Ve
h
I
C o M max
.
( cos ) = =
21
11
1

Lexpression de i
C
peut alors scrire :

i I
C M
o
o
=
cos cos
cos

1

2.4.2.2.3 Analyse spectrale du courant collecteur :

La fonction i
C
() est paire, la dcomposition en srie de Fourier ne comprendra donc pas de
termes en sinus :

i
C
= I
C0
+ I n
n
n
.cos
=
1

La valeur moyenne I
C0
scrit :

I I d
C M 0
0 0 0
0
1
2 1 0
0
=
cos .cos
cos

I
I
I F
C
M
M 0
0 0 0
0
0 0
1
=
sin .cos
cos
( )

et lamplitude des harmoniques I
n
scrit :

I I n d
n M
=
1
1
0 0 0
0
0
0
cos .cos
cos
cos .

I
I
n
n
n
n
I F
n
M
M n
=
+
+
sin( ) sin( )
cos
( )
1
1
1
1
1
0 0
0
0

Remarque :

Lexpression ci-dessus reste valable pour n = 1. La valeur du fondamental est obtenue en
recherchant la limite de I
n
lorsque n tend vers 1 et en saidant du DL de sin x. On obtient :
pour -
= arccos
, 0 6 V
Ve
P

Electronique

I
I
I F
M
M 1
0 0 0
0
1 0
1
=
sin .cos
cos
( )

Le graphe ci-dessous reprsente la valeur des diffrentes composantes spectrales en fonction
de
0
:

2.4.2.2.4 Amplificateur slectif :

Il est ralis laide dun circuit bouchon :

C
L
Q1
VP
VE
LC
CC
VCC

Le circuit LC peut tre accord soit sur le fondamental soit sur lune des harmoniques du
signal, on peut ainsi raliser une multiplication de frquence.

F
n
(
0
)
F
1

F
0

F
2

F
3

F
4

0

Figure 25
Figure 26
Electronique

2.4.2.2.5 Puissances et rendement :

Puissance de sortie maximale pour le fondamental :

P
S
= V
S
eff.I
1
eff =
V I V I
F
CC CC M
2 2 2
1
1 0
=
.
( )

Puissance fournie par lalimentation :

P
f
= V
CC
.I
moy
= V
CC
.I
C0
= V
CC
.I
M
.F
0
(
0
)

Rendement maximum :

= = =
P
P
F
F
S
f
1
2
1
2
1 0
0 0
0 0 0
0 0 0
( )
( )
sin .cos
sin .cos

Cette expression est maximale pour
0
0 :

max
lim
=
=
0
0
1

Un calcul identique pour les harmoniques de rang n donne :

max( )
.
. .
rangn
CC n
CC C
n
C
V I
V I
I
I
= =
1
2 2
0 0

2.4.2.3 Calcul dun amplificateur de puissance HF classe C :

On dsire raliser un amplificateur HF 145 MHz dlivrant 35 W dans une charge de 50
depuis une source de 50 . Le transistor utilis est le MRF240 de MOTOROLA. Le gain en
puissance typique de ce transistor est de 11dB. On donne ci-dessous les impdances dentre
et de sortie du transistor :

Calculer les circuits dadaptation en entre et en sortie pour obtenir un rendement maximal.
On utilisera le circuit (B) de la page 9 en sachant que lon dsire une bande passante BP =
15MHz.
Electronique

Donner le schma complet du montage en ayant pris soin de rajouter les lments de
polarisation du transistor.

Electronique

2.5 Bibliographie :

Livres :

RF Circuit Design Chris BOWICK SAMS La bible !
Amplificateurs de puissance Michel GIRARD EDISCIENCE

Notes dapplication, articles :

HP : AN95-1 : S-Parameters Techniques
http://www.hp.com/

MOTOROLA : AN215A, AN267, AN282A, AN548A, AN721, AN791
http://motserv.indirect.com/

ELECTRONIQUE APPLICATIONS n7 et 8

Cours :

Haute Frquence G. PRIEUR Universit de Nancy

Lctronique Des Hautes Frquences

Hochgeladen von

Dokumentinformationen

Originaltitel

Copyright

Verfügbare Formate

Dieses Dokument teilen

Dokument teilen oder einbetten

Freigabeoptionen

Stufen Sie dieses Dokument als nützlich ein?

Sind diese Inhalte unangemessen?

Copyright:

Verfügbare Formate

Lctronique Des Hautes Frquences

Hochgeladen von

Copyright:

Verfügbare Formate

Electronique

du dispositif comme tant langle (modulo ) pendant

Das könnte Ihnen auch gefallen