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4.3.

Allgemeines

665

Z a p f , T. L. (1961): Calibration of inductance standards in the Maxwell-Wien-Bridge circuit. J. of Res. NBS 65 C, 183-188 Z a p f , T. L.; C h i n b u r g , C . H . ; W o l f , H . K. (1963): Inductive voltage divider with calculable relative corrections. I E E E Trans. IM-12, 80-85 Z i c k n e r , G . (1935a): Absolute Induktivitts-Normale. A T M Z121-1 Z i c k n e r , G . (1935b): Induktivitts-Normale (unvernderbare Modelle). A T M Z121-2 Z i c k n e r , G . (1944): Z u r Berechnung der R a n d k o r r e k t i o n von Kondensatoren. Arch. f. Elektrotech. 38, 1-16 Z i c k n e r , G. (1948a): Der Temperaturkoeffizient von N o r m a l - L u f t k o n d e n s a t o r e n . Elektrotech. 2, 147-152 Z i c k n e r , G. (1948b): Die Eichkurve des Kohlrausch-Kondensators. Elektrotech. 2, 317-320 Z i c k n e r , G. (1955): Ein regelbares N o r m a l der Kapazitt. Arch. f. Elektrotech. 42, 71-93 Z i c k n e r , G. (1956): Neuere D r e h k o n d e n s a t o r e n ohne Anfangskapazitt. Z. angew. Phys. 8, 187-191 Z i c k w o l f f , G . (1962): ber den Einflu der Zuleitung auf die Kapazitt einer Kugel. Abh. Naturw. Ver. Bremen 36, 51-89 Z i n k e , O.; S e i t h e r , H . (1982): Widerstnde, Kondensatoren, Spulen und ihre Werkstoffe. Berlin, Heidelberg, New York: Springer

4.3
4.3.1

Hochfrequenz
Allgemeines (U. Stumper)

Der Gesamtbereich des elektromagnetischen Frequenzspektrums erstreckt sich ber mehr als 20 Dekaden. Die Einordnung des Hochfrequenzbereiches zeigt Fig. 4.157 (Frequenzzuordnungen nach M e i n k e - G u n d l a c h (1986)). Die Abgrenzungen nach tiefen und hohen Frequenzen sind flieend. Schon fr Frequenzen ab 30 kHz entsprechen gewisse Techniken und Verfahren (z. B. die Wellenabstrahlung und die Ausbreitung im freien Raum) mehr der hochfrequenten als der niederfrequenten Betrachtungsweise. Die Fortpflanzung von Lichtwellen, die z. B. in Glasfaser-Leitungen weitergeleitet werden, ist ebenfalls durch hochfrequenztechnische Methoden beschreibbar (s. 6.2.1.2). Die Erzeugung hochfrequenter Schwingungen erfolgt meist in rckgekoppelten Halbleiter- oder Rhrenschaltungen, bei denen ein Bruchteil der verstrkten Ausgangsspannung zum Eingang zurckgefhrt wird, wodurch eine Aufrechterhaltung der entsprechend der Resonanzbedingungen angeregten elektromagnetischen Schwingung erzwungen wird.
Gammastrahlen

10'^
-J L

10'
_l L

10'

10^

10"

10"^ 1^1

10"' I I I

10'

J^

IQ-'^ Q-'^
I

m 10'"

I^r 10-' 10"

1r
Tonfrequenz

n
10"

^
10"

10^

10

10' Mikrowellen Hochfrequenz

10"

10'

Ultraviolett

10^' Hz

Niederfrequenz

Infrarot

Rontgenstrohlen sichtbores Licht

''ig. 4.157 Einordnung des Hochfrequenzbereichs in das Spektrum der elektromagnetischen Wellen (a) Lngstwellen, (b) Langwellen, (c) Mittelwellen, (d) Kurzwellen, (e) Ultrakurzwellen, (f) Dezimeterwellen, (g) Zentimeterwellen, (h) Millimeterwellen, (i) Submillimeterwellen

666

4.3 Hochfrequenz

Die Eigenschwingungen von Quarzkristallen u n d die von angeregten Atomen u n d Moleklen emittierten elektromagnetischen Schwingungen (z. B. von Csium, Rubidium, Wasserstoff, A m m o n i a k , s. 1.3.3 u. 4.3.4.5, K a r t a s c h o f f (1978)) dienen wegen ihrer hohen Konstanz als Frequenz- u n d Zeitnormale (z.B. Csium-Resonator, Schwingungsfrequenz"9,192 G H z , minimale relative Frequenzunsicherheit = 1 10 '"). Im Bereich der cm- bis Sub-mm-Wellen wird die durch Laufzeiteffekte" bedingte Wechselwirkung zwischen dem elektromagnetischen Feld der erzeugten Strahlung und den von der Kathode emittierten Elektronen ausgenutzt, um die Schwingungen aufrecht zu erhalten. Magnetrons, Klystrons, Wanderfeldrhren u n d Rckwrtswellen-Oszillatoren (Carcinotrons) sind Generatoren dieser Art. Anstelle von Rhren werden heute weitgehend Halbleiter-Bauteile wie YIG-Oszillatoren, G u n n - und Impatt-Dioden zur Erzeugung hochfrequenter Schwingungen bis in den mm-Wellenbereich angewandt (s. 4.3.2). Die Hochfrequenz-Energie k a n n sich leitungsgebunden oder im freien R a u m fortpflanzen. W h r e n d die im kHz- und unteren MHz-Bereich angewandte ungeschirmte Doppelleitung (s. 4.3.3.2) am ehesten der bei Gleichstrom und Niederfrequenz blichen Drahtleitung entspricht, wird im hheren M H z - und GHz-Bereich die Verwendung vollstndig abgeschirmter Leitungssysteme zur Vermeidung von Abstrahl-Verlusten u n d zur Verhinderung der Einstreuung elektromagnetischer Strfelder immer zwingender. Bei der Koaxialleitung (s. 4.3.3.3) ist das Zweileitersystem noch erhalten; der den Innenleiter umgebende Auenmantel wird auf Erdpotential gelegt. Im GHz-Bereich, vor allem f r Frequenzen oberhalb 8 G H z , werden neben den mit anwachsender Frequenz immer mehr verlust- und reflexionsbehafteten Koaxialleitungen Hohlleiter verwendet (s. 4.3.3.4), bei den sich das elektromagnetische Feld in einem von metallischen Hohlleiterwandungen umgebenen Kanal fortpflanzt. Der Energietransport erfolgt - wie auch im niederfrequenten Bereich - durch das zwischen den Leitern sich ausbildende elektromagnetische Feld, die hochfrequenten Leitungsstrme werden aber infolge des zur Leitungsmitte hin zunehmenden induktiven Widerstandes mit wachsender Frequenz immer mehr zur Leiteroberflche hin verdrngt (s. 4.3.3.1). Mit A u f k o m m e n der Mikro-Elektronik u n d der integrierten Schaltungstechnik, bei der Leitungen als gedruckte Schaltungen" auf kleinstem R a u m verlegt werden, wurden auch spezielle Leitungsformen dieser Art f r sehr hohe Frequenzen entwickelt (s. 4.3.3.5). Die Verwendung von Glasfasern als quasi-optische Hochfrequenzleitungen hat in der Nachrichtentechnik groe Bedeutung erlangt und die Anwendung von Hochfrequenzverfahren bis in den optischen Bereich erweitert (s. 6.2.1.2). ber Antennen, die je nach Frequenzbereich und Anforderungen an die Richtcharakteristik verschiedenartige Gestalt haben - vom einfachen Dipolstrahler ber VielelementeAntennen bis zu Hornstrahlern und Parabolspiegeln - werden hochfrequente Wellen in den freien R a u m emittiert (s. 4.3.4.4). Die in weiten Frequenzbereichen sehr niedrigen Boden- bzw. atmosphrischen Verluste ermglichen drahtlose Weitverkehrsverbindungen ber Lnder u n d Kontinente. Hierbei dient die hochfrequente Welle als Trger, der durch die zu bermittelnde Nachricht (z. B. Ton oder Bild) moduliert ist. W h r e n d bei Lang- u n d Mittelwellen die F o r t p f l a n z u n g in erster Linie ber die Bodenwelle erfolgt, spielt bei hheren Frequenzen (Kurzwelle, Ultrakurzwelle) die Raumwelle beim F e r n e m p f a n g die dominierende Rolle. Dabei k o m m t im Kurzwellenbereich den Reflexionen an den Schichten der Ionosphre eine besondere Bedeutung zu. Die Bndelung der Wellen gelingt mit wachsender Frequenz leichter, so d a bei

4.3.1 Allgemeines

667

Mikrowellen eine quasi-optische Abstrahlung mittels scharf bndelnder H o r n - oder Parabolspiegel-Antennen erzielt werden kann. Solche Mikrowellenstrahler erlauben daher eine Nachrichtenbertragung nur auf Sichtweite. Mit Hilfe von Nachrichtensatelliten im auerterrestischen R a u m wird aber eine qualifizierte Fernbertragung von Kontinent zu Kontinent ermglicht. E m p f a n g u n d Nachweis hochfrequenter Wellen (s. 4.3.2) k a n n durch Gleichrichtung in Halbleiter-(ggfs. Rhren-)Detektoren erfolgen. Bei schwachen Signalen wird das Uberlagerungsprinzip angewendet. D u r c h Mischen des zu e m p f a n g e n d e n Signals mit einem geringfgig frequenzverschobenen amplitudenkonstanten Signal in einer Mischer-Diode erscheint an deren Ausgang ein Signal in Umgebung der Zwischenfrequenz (Frequenzdifferenz beider Signale). Der Betrag dieses Signals ist demjenigen des zu empfangenden Signals proportional u n d lt sich infolge der gnstigen Frequenzlage (kHz- oder MHz-Bereich) um viele Zehnerpotenzen verstrken. In der Przisionsmetechnik nutzt m a n die Wrmewirkung zum Signalnachweis aus (s. 4.3.2, 4.3.4.1). In temperaturempfindlichen Mewiderstnden (Bolometern) wird die absorbierte H F Leistung in W r m e umgesetzt; die damit verbundene Widerstandsnderung des Bolometer-Elementes ist in einer empfindlichen Wheatstoneschen Brckenschaltung nachweisbar. Die A n w e n d u n g hochfrequenter Schwingungen in Wissenschaft, Technik, Verteidigungsbereich u n d im zivilen Leben ist in den vergangenen Jahrzehnten dieses J a h r h u n derts erheblich ausgeweitet worden, wie Tab. 4.10 zeigt. Die gesamten Erscheinungen der elektromagnetischen Wellenfelder von den tiefsten bis zu den hchsten Frequenzen werden theoretisch durch die Maxwellschen Gleichungen beschrieben. Sind E der elektrische Feldvektor, H der magnetische Feldvektor, D = eE die dielektrische Verschiebung, B = fiH die magnetische Induktion, e die Permittivitt u n d fi die Permeabilitt im F e l d r a u m , j = die Stromdichte, a die spezifische Leitfhigkeit u n d p die Dichte der elektrischen Ladung, so gilt rot +
dt

= 0

(4.293)

miH-

dt

=j

(4.294) (4.295) (4.296)

div Z) = p div 5 = 0

Bildet m a n nach (4.293) rot rot E und setzt das Resultat in (4.294) ein, so ergibt sich die Wellengleichung f r alle elektromagnetischen Schwingungen im verlustfreien R a u m (y = 0) u n d der Abstrahlungsgeschwindigkeit |t)| =(/z) 1 a^F

Fr Vakuum (in guter Nherung auch f r Luft) gilt y = c = (o/Uo) mit der elektrischen Feldkonstante o = 8,854188-10 ' ^ F m der magnetischen Feldkonstante -"0 = 4 7 1 - 1 0 " ' ' H m " ' u n d der Lichtgeschwindigkeit c = 2,99792458 10 m s " ' .

668

4.3 Hochfrequenz Tab. 4.10 bersicht ber die Anwendung hochfrequenter Wellen Anwendungsgebiet Nachrichtentechnik praktische Bedeutung der angewandten HF-technischen Verfahren bermittlung von Ton-, Bild- und Dateninformationen, sowohl kabelgebunden als auch mit gerichteter und ungerichteter Wellenabstrahlung Land-, See- und Luftberwachung; Navigation zur See und zur Luft; berwachung des Straenverkehrs Fernsteuerung beweglicher Objekte zerstrungsfreie Materialprfung; Bestimmung von Komponenten in Mehrkomponentensystemen; Untersuchung von Materialstrukturen Erwrmung und Schmelzen von Werkstoffen in Induktionsfen; Trocknen und Aushrten in der Holz- und Kunststofftechnologie Speisenzubereitung und Auftauen von Tiefkhlkost in Mikrowellenherden Untersuchung der Oberflchengestaltung der Erde sowie der Form und Hhe von Meereswellen Nachweis und Ortung von Bewlkungs- und Niederschlagszonen, Nebel, Regen und Schnee Ausnutzung der Erwrmungs-Tiefenwirkung bei Kurzwellen- und Mikrowellenbestrahlung des Krpers; Krebstheraphie durch lokale Erhitzung des Tumorbereichs durch Messung der abgestrahlten Rauschleistung: Diagnostik von Krankheitsherden und Tumoren; Nachweis des Verschmutzungszustandes von Gewssern und der Luft; Beobachtung von Vegetationszustnden Mikrowellenspektroskopie zur Erforschung von Atomund Moleklstrukturen Feuchtemessung in Werkstoffen; Lokalisierung von Gegenstnden und Werkstcken; Fllstandsanzeige Plasmaerzeugung; Teilchenbeschleunigung Erzeugung dnner metallischer und nichtmetallischer Schichten

Ortungs- und Radartechnik Fernsteuerungstechnik Materialuntersuchungen

Erwrmung

Gastronomie Geophysik Meteorologie Wrmetheraphie

Thermographie

Spektroskopie Sensorik Kernphysik Dnnfilmtechnik

Bei A n w e n d u n g der vorgegebenen A n f a n g s - u n d R a n d b e d i n g u n g e n auf diese Gleichungen lassen sich prinzipiell die F e l d g r e n E u n d ^^sowie L a d u n g s d i c h t e n , S t r o m s t r k e n u n d E i g e n f r e q u e n z e n f r alle rumlichen Systeme berechnen, in denen elektromagnetische Schwingungen existieren. 4.3.2 E r z e u g u n g und N a c h w e i s hochfrequenter elektrischer S c h w i n g u n g e n (J. H . H i n k e n u. A. F. J a c o b )

In diesem Abschnitt werden Einrichtungen zur E r z e u g u n g u n d z u m Nachweis elektrischer Schwingungen zwischen etwa 100 k H z u n d 300 G H z beschrieben. F r tiefere F r e q u e n z e n wird auf 4.2 verwiesen, f r h h e r e F r e q u e n z e n auf Spezialliteratur ( B a t t u.

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

669

H a r r i s (1976)). Die meisten der hier beschriebenen G e r t e sind d e r a r t kompliziert, d a sie im allgemeinen d u r c h einen F r e m d f a c h m a n n nicht selbst hergestellt werden k n n e n ; A u s n a h m e n bilden einfache Oszillatoren bis 100 M H z , einfache Verstrker bis zu 10 M H z mit Ausgangsleistungen bis zu 10 W, sowie der A u f b a u einfacher Nachweisschaltungen. Bezugsquellennachweise f r die beschriebenen Bauelemente, G e r t e u n d G e r t e s y s t e m e sind zu finden in den aktuellen A u s g a b e n v o n E l e k t r o E i n k a u f s - F h r e r , E l e c t r o n i c D e s i g n ' s G o l d B o o k , M i c r o w a v e s P r o d u c t D a t a D i r e c t o r y . Als Spezialliter a t u r sei e r w h n t H o c h f r e q u e n z - I n d u s t r i e - G e n e r a t o r e n (1975), M e i n k e u. Gundlach(1986), Jansen(1980), Henne(1974), Koch(1976), Unger(1994), Unger u . a . (1973/1981), U n g e r u. H a r t h (1972), Z i n k e u. B r u n s w i g (1987), K r a u s u . a . (1980). Schlielich sei d a r a u f hingewiesen, d a f r die E r z e u g u n g u n d den Nachweis h o c h f r e q u e n t e r Schwingungen die einschlgigen gesetzlichen B e s t i m m u n g e n einzuhalten sind ( G e s e t z b e r F e r n m e l d e a n l a g e n , G e s e t z b e r d e n B e t r i e b v o n Hochfrequenzanlagen). 4.3.2.1 Erzeugung

H o c h f r e q u e n t e elektrische Leistung wird in Sendern erzeugt. O b w o h l dieser Begriff aus d e m Bereich der N a c h r i c h t e n b e r t r a g u n g s t e c h n i k s t a m m t , wird er a u c h auf H F G e n e r a t o r e n f r a n d e r e Bereiche angewendet. H F - S e n d e r bestehen im einfachsten Fall nur aus d e m Oszillator zur eigentlichen Schwingungserzeugung; es k n n e n a b e r n o c h F r e q u e n z u m s e t z e r u n d Verstrker h i n z u k o m m e n . Im folgenden sollen diese drei B a u g r u p p e n beschrieben w e r d e n . P r o b l e m e der e l e k t r o m a g n e t i s c h e n Vertrglichkeit, die bei ihrer I n b e t r i e b n a h m e zu bercksichtigen sind, werden in 4.3.4.4. b e h a n d e l t . F r Oszillatoren u n d Sender, die zur D a r s t e l l u n g der Einheit der Zeit, nmlich der S e k u n d e dienen, wird auf 1.3.3.4 bis 1.3.3.6 verwiesen.
Beurteilungskriterien von Oszillatoren

- Eignung der Schwingfrequenz fr die vorgegebene Anwendung - Unempfindlichkeit der Frequenz gegen Alterung, mechanische Erschtterungen und Spannungs- oder Stromschwankungen des Netzteils. Verbesserungen: erschtterungsfreier Aufbau, Gleichspannungsstabilisierung, Thermostat - Unempfindlichkeit der Frequenz gegen Impedanznderungen der ueren Schaltung. Ein Trenn-Verstrker unmittelbar am Oszillatorausgang (Pufferverstrker) vermindert solche Rckwirkungen - Durchstimmbarkeit der Frequenz. Wenn erforderlich auf mechanischem, elektrischem oder magnetischem Wege mglich - Ausreichende Abstimmgeschwindigkeit - bei der Abstimmung gengend kleine Linearittsabweichung. Mitunter wird diese definiert als maximale Abweichung der Frequenz von einer linearen Funktion der Eingangsgre und wird auf die Bandbreite des spezifizierten Durchstimmbereiches bezogen - Gengend kleine Hysterese bei magnetischer Abstimmung - Einstellgenauigkeit der Frequenz - Konstanz der abgegebenen HF-Leistung hinsichtlich der Zeit und der Frequenz (bei durchstimmbaren Oszillatoren) - Hhe der Ausgangsleistung, von besonderem Interesse im GHz-Bereich - Geeigneter Oszillatorausgang: Art der Steckverbindung, Art des Hohlleiteranschlusses

670

4.3 Hochfrequenz

- Aufwand in der Stromversorgung (Hochspannungs- oder Niederspannungsnetzteil) - Aufwand in der Khlung (Strahlungs-, Luft-, Wasserkhlung) Die Qualitt der Schwingung eines Oszillators wird durch die Angabe der Stabilitt (Langzeitstabilitt, Kurzzeitstabilitt, s. 4.3.4.5) charakterisiert. Ein weiteres Qualittskriterium ist der in % oder dB angegebene Klirrfaktor k (s. 4.2.1.1), der den Oberwellengehalt der Schwingung beschreibt. Bei A: = 0 ist die Schwingung sinusfrmig.

-100

I dBIc.IHzl

-120

-m
m 3 to D L C U E

-160

10

10^ kHz 1 0 '

I C ' kHz 10*

Fig. 4.158 Spektrale Einseitenband-(ESB-)Rauschleistungsdichte eines 92 GHz-Gunn-Oszillators im Frequenzabstand / von der Trgerschwingung pro Hertz Bandbreite und bezogen auf die abgegebene Gesamtleistung (dB (c, 1 Hz)), nach G r a n d e l ! u. B e r n u e s (1980) a) AmpUtuden-(AM-)Rauschen, b) Frequenz-(FM-) bzw. Phasen-(PM-)Rauschen Z.(/)

Die Kurzzeitstabilitt der Amplitude und der Frequenz werden im Frequenzbereich durch die Leistungsdichte in den Seitenbndern der Trgerschwingung beschrieben, die durch interne AmpHtuden- bzw. Frequenzmodulation entstehen. Fig. 4.158 a zeigt als Beispiel fr einen 92GHzGunn-Oszillator diese relativen Rauschleistungsdichten. Aus der in Fig. 4.158 b dargestellten Funktion L(f) ergibt sich die spektrale Dichte der Phasenschwankungen zu = oder, gleichwertig, die spektrale Dichte der Frequenzschwankungen zu V(/-") = 2/U(/.). (4.299) (4.298)

Vierpol-Oszillatoren h a b e n eine Prinzipschaltung nach Fig. 4.159, in der ein Verstrker u n d ein R c k k o p p l u n g s v i e r p o l mit d e n k o m p l e x e n b e r t r a g u n g s f a k t o r e n ^ 0 = ^ / 2 / ^ 1 und U2/U2 z u s a m m e n g e s c h a l t e t sind. Z u m Verstehen der Schwingungserzeugung d e n k t m a n sich den E i n g a n g der A n o r d n u n g bei U\ zunchst o f f e n . Es gilt U\ = W e n n Ui =K,U2 ist, wird = 0; d a n n k n n e n die K l e m m e n (1) u n d (2) m i t e i n a n d e r v e r b u n d e n werden, der r c k g e k o p p e l t e Verstrker wird z u m Oszillator. Die Schwingbedingung lautet also U i = K , U 2 o d e r (4.300)

Fig. 4.159 Prinzipschaltbild zur Funktionsweise eines Vierpoloszillators Vot K, komplexe bertragungsfaktoren von Verstrker bzw. Rckkopplungsvierpol

4 . 3 . 2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

671

Betrag u n d Phase dieser G l e i c h u n g b e s t i m m e n O s z i l l a t o r a m p l i t u d e u n d - f r e q u e n z im stationren Betrieb. Die beim A n s c h w i n g e n zunchst g r e r e V e r s t r k u n g facht die Schwingung aus d e m R a u s c h e n h e r a u s a n , bis der Verstrker in seine Sttigung k o m m t u n d der gemittelte b e r t r a g u n g s f a k t o r auf einen Wert g e m Gl. (4.300) reduziert wird. D a b e i entstehen im allgemeinen O b e r s c h w i n g u n g e n . Sie k n n e n vermieden w e r d e n , wenn eine Amplitudenstabilisierung, z. B. mit t e m p e r a t u r a b h n g i g e n W i d e r s t n d e n d u r c h g e f h r t wird, die bei g r e r e r S c h w i n g a m p l i t u d e strker d m p f e n d wirken. Die Oszillationsfrequenz wird h a u p t s c h l i c h d u r c h den P h a s e n g a n g des R c k k o p p l u n g s v i e r poles b e s t i m m t , a b e r a u c h d u r c h p a r a s i t r e Einflsse des Verstrkers. U m eine gute Frequenzstabilitt zu erhalten, sollten diese klein gehalten werden, z. B. d u r c h lose A n k o p p l u n g u n d eine h o h e G t e (s. 4.3.3.8) des Resonanzkreises im R c k k o p p l u n g s netzwerk. Vor allem m u der P h a s e n g a n g des R c k k o p p l u n g s v i e r p o l e s selbst g e n g e n d stabil sein. Gegebenenfalls sind u e r e Einflsse zu k o m p e n s i e r e n ( T e m p e r a t u r k o m p e n sation). Als Verstrkerelement k o m m e n bipolare T r a n s i s t o r e n , F e l d e f f e k t t r a n s i s t o r e n oder a u c h O p e r a t i o n s v e r s t r k e r in F r a g e (s. 10.8.2.7). Nur kurz erwhnt seien hier integrierte Schaltungen (IS), die als betriebsfertige Oszillatoren bis in den MHz-Bereich hinein erhltlich sind; sie erzeugen das HF-Signal zunchst pulsfrmig und formen es dann zu einer Sinusschwingung durch stckweise Hneare Approximation. Z u r u n m i t t e l b a r e n E r z e u g u n g sinusfrmiger Schwingungen bis in den M e g a h e r t z Bereich verwendet m a n vielfach 7 ? C - O s z i l l a t o r e n ; sie besitzen eine h o h e F r e q u e n z s t a bilitt u n d einen g r o e n D u r c h s t i m m b e r e i c h . Die f r e q u e n z b e s t i m m e n d e n Bauelemente sind W i d e r s t n d e u n d K o n d e n s a t o r e n . Die / ? C - P h a s e n s c h i e b e r - G e n e r a t o r e n besitzen als R c k k o p p l u n g s v i e r p o l eine H i n t e r e i n a n d e r s c h a l t u n g v o n m e h r e r e n /?C-Gliedern. Bei / ? C - G e n e r a t o r e n m i t W i e n - B r c k e hingegen ist das R c k k o p p l u n g s n e t z werk etwas komplizierter. Ein Schaltbeispiel d a f r mit einem D i f f e r e n z v e r s t r k e r zeigt Fig.4.160. Die Brckenelemente Ci = C 2 = C u n d R i = R 2 = R b e s t i m m e n in guter 0-2W

Fig. 4.160 Schaltbild eines C-Generators mit WienBrcke, nach Halbleiter-Schaltbeispiele (1967)

672

4.3 Hochfrequenz

N h e r u n g die S c h w i n g f r e q u e n z g e m 1 InRC (4.301)

F r die Schaltung in F i g . 4 . 1 6 0 sollten l O k Q u n d C ^ 1 5 0 p F sein. D i e A m p l i t u d e der A u s g a n g s s p a n n u n g betrgt etwa 6 V; ihr ist eine kleine G l e i c h s p a n n u n g berlagert. D e r K l i r r f a k t o r liegt bis 0,3 M H z u n t e r 1 % ; das wird erreicht d u r c h die A m p l i t u d e n b e g r e n z u n g mit d e m Heileiter RT,. Die relative F r e q u e n z n d e r u n g ist kleiner als 1 0 " bei einer relativen n d e r u n g der B e t r i e b s s p a n n u n g u m 10% o d e r p r o G r a d T e m p e r a t u r n d e r u n g bei geeigneter Wahl der Bauelemente. Gewollt g e n d e r t wird die F r e q u e n z von C - G e n e r a t o r e n d u r c h mechanische V e r n d e r u n g von R bzw. C o d e r auch d u r c h elektrische V e r n d e r u n g v o n C mit Hilfe eines V a r a k t o r s ( K a p a z i t t s v a r i a tionsdiode). Typische Eigenschaften kuflicher R C-Generatoren mit eingebautem Verstrker sind: 5 umschaltbare Frequenzbereiche, Durchstimmbereich jeweils 1 Frequenzdekade, relativer Frequenzanzeigefehler 0,1 %, Klirrfaktor unter 1 %, Ausgangsspannung stetig regelbar von 0 V bis 30 V. Bis in den Gigahertz-Bereich hinein werden L C - O s z i l l a t o r e n verwendet. Bei ihnen sind die f r e q u e n z b e s t i m m e n d e n Bauelemente des R c k k o p p l u n g s n e t z w e r k e s Spulen u n d K o n d e n s a t o r e n . J e nach A u s f h r u n g dieses Netzwerkes unterscheidet m a n u . a . zwischen Meiner-, Hartley- u n d Collpittsschaltung ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). Die letzte ist eine kapazitive D r e i p u n k t s c h a l t u n g . Bei ihr sind die p a r a s i t r e n K a p a z i t t e n des Verstrker sinnvoll in die Schwingkreiskapazitt mit einbezogen. Schwingungserzeug u n g bis zu verhltnismig h o h e n F r e q u e n z e n ist mglich. A u e r d e m entfllt bei dieser Schaltung der Spulenabgriff o d e r b e r t r a g e r . Fig. 4.161 zeigt ein A u s f h r u n g s b e i s p i e l f r etwa 10 M H z , das in Basisschaltung arbeitet u n d eine Ausgangsleistung von 5 m W a n eine 5 0 Q - L a s t (nicht gezeichnet) a b g e b e n k a n n . D a s P h a s e n r a u s c h s p e k t r u m eines LCOszillators ist in Fig. 4.162 gezeigt.
12,5V

1
:l8nF

I T
(9^ 2 N 3 B 6 6

T
5B0n Dr 39fi

Ausgang

_v-JM.

Rckkopplungsnetzwerk

Fig. 4.161 Schaltbild eines 10 MHz-Colpitts-Oszillators, nach K r a u s u. a. (1980)

Ein typischer kuflicher LC-Oszillator bei 1 GHz hat folgende Eigenschaften: Durchstimmbereich eine halbe Oktave, Klirrfaktor 3%. Ausgangsleistung 200 mW, Leistungsnderung im Durchstimmbereich 1,5 dB, relative Frequenznderung A / / / bei Spannungsnderung der 20 VSpannungsversorgung ist 0,25% pro Volt, bei Temperaturnderung von - 2 5 C bis +70C ist IA///I <0,75%, bei nderungen der Lastimpedanz bis zu einem Welligkeitsfaktor (s. 4.3.4.2) von 2,0 ist | A / / / | < 2 , 0 % .

4 . 3 . 2 E r z e u g u n g u n d N a c h w e i s h o c h f r e q u e n t e r elektrischer S c h w i n g u n g e n

673

Fig. 4.162 Einseitenband-(ESB)-FM/PM-Rauschleistungsdichten / , ( / ) im Frequenzabstand / von der Trgerschwingung fr einige Vierpoloszillatoren mit sehr geringem Phasenrauschen, nach S c h e r e r (1979), S c h e r e r (1981) 1 5 MHz-Quarzoszillator 2 10 MHz-Quarzoszillator 3 100 MHz-Quarzoszillator 4 40MHz-Z,C-Oszillator 5 abstimmbarer Oszillator mit Hohlraumresonator bei 500 MHz 6 Bip.-Trans.-Oszillator mit abstimmbarem Koaxialresonator, 6 GHz 1 2GHz-6GHz-YIG-Oszillator bei 6 GHz 8 FET-Oszillator mit abstimmbarem Koaxialresonator, 6 GHz

10Hz 100Hz 1kHz lOkHz lOOkHz 1MHz 10MHz

Die Frequenz eines durchstimmbaren L C-Oszillators wird hufig mechanisch mit einem D r e h k o n d e n s a t o r gendert, gelegentlich auch elektrisch ber einen V a r a k t o r ' ) . Die Frequenzstabilitt eines L C-Oszillators hngt stark von mechanischen Erschtterungen ab, es sei denn, man whlt einen besonderen, schwingungsgedmpften A u f b a u . Wenn man die Frequenz nicht oder nur geringfgig verstimmen mu, verwendet man deshalb gern einen Q u a r z o s z i l l a t o r , der recht einfach im A u f b a u ist und statt der I C Schaltung einen Schwingquarz im Rckkopplungsnetzwerk hat; ein Quarzoszillator ist gegen Erschtterungen relativ unempfindlich und besitzt auch sonst eine bessere Langzeit- und Kurzzeitstabilitt als LC-Oszillatoren. Schwingquarze (s. 10.8.1.4) sind Stbe, Platten oder Ringe aus Quarzkristallen. Sie werden im Bereich ihrer Resonanzfrequenzen zu mechanischen Schwingungen angeregt. A u f g r u n d des piezoelektrischen Effekts ( K i t t e l (1991)) von Quarz knnen Elektroden als Ein- und Auskoppelelemente fr elektrische Signale verwendet werden. Das elektrische Ersatzschaltbild zwischen den Elektroden zeigt Fig. 10.153 und den Verlauf des Blindwiderstandes Fig. 10.154 in 10.8.1.4. Der Blindwiderstand ndert sich stark zwischen den beiden dicht benachbarten Resonanzfrequenzen, was bei Oszillatoren eine gute Frequenzstabilitt bewirkt. Die Temperaturabhngigkeit dieser Resonanzfrequenzen kann durch die Wahl geeigneter Quarzformen, geeigneter Schwingungstypen u n d geeigneter Schnittrichtungen relativ zu den Kristallachsen klein gehalten werden ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). Fig. 4.163 zeigt ein Schaltbeispiel f r einen Collpitts-Oszillator, in dem die Spule durch einen 5-MHzQuarz ersetzt wurde. Durch den zum Quarz in Reihe liegenden Trimmer kann die
') Ein varaktor-abgestimmter Oszillator wird auch VCO (voltage controlled oscillator) genannt; diese Bezeichnung ist aber nicht nur auf LC-Oszillatoren beschrnkt.

674

4.3 Hochfrequenz 22nF


5Vo-

H 39kn

2N9U 4:82pF; InF Ausgong :5MHz

1k5 ::|:330pF^0pF fiOpF

Fig.4.163 Schaltbild eines 5 - M H z - Q u a r z o s z i l l a t o r s , K r a u s u . a . (1980)

nach

S c h w i n g u n g s f r e q u e n z geringfgig u n d reversibel variiert werden. Behelfsmige, nichtreversible F r e q u e n z n d e r u n g e n a m Q u a r z selbst sind bei J a n s e n (1980) beschrieben. Bis etwas b e r 10 M H z k n n e n Schwingquarze in ihrer m e c h a n i s c h e n G r u n d s c h w i n g u n g (Schwingung mit der niedrigsten R e s o n a n z f r e q u e n z ) betrieben werden. F r F r e q u e n z e n d a r b e r werden sie d a n n bis zu einigen h u n d e r t M e g a h e r t z in ihren O b e r s c h w i n g u n g e n erregt. D a die F r e q u e n z e n d a n n nicht g e n a u ganzzahlige Vielfache der F r e q u e n z der G r u n d s c h w i n g u n g sind, werden diese O b e r t o n q u a r z e f r die gewnschte Oberschwing u n g b e n a n n t u n d kalibriert. Weitere G e s i c h t s p u n k t e bei der Q u a r z a u s w a h l sind, o b der Q u a r z in der N h e der Serien- o d e r der Parallelresonanz betrieben wird, die G r e der Serien- bzw. Parallelkapazitt der u e r e n Schaltung u n d die B e t r i e b s t e m p e r a t u r . Wegen der h o h e n G t e (s. 4.3.3.8) der Schwingquarze h a b e n Quarzoszillatoren geringes P h a s e n r a u s c h e n ; die S p e k t r e n dreier wenig r a u s c h e n d e r Q u a r z o s z i l l a t o r e n zeigt Fig. 4.162. Im Bereich von 1 M H z bis 5 M H z ist der Einflu v o n E r s c h t t e r u n g e n auf Przisionsquarze besonders gering. Gute, kufliche Einbau-Quarzoszillatoren bis 5 MHz zeigen folgende Eingenschaften: relative Frequenznderung | A / / / | aufgrund von Alterung geringer als 5 10 '"/Tag oder 1-10 VJahr; bei Temperaturnderung von - 2 0 C bis +70C ist | A / / / | < 1 - 1 0 Phasenrauschen L(10Hz) = -85dB(c, 1 Hz)'), L(100Hz) = - 1 1 5 dB(c, 1 Hz), 1,(1 kHz) = - 1 3 5 dB(c, 1 Hz), L(5kHz) = -135dB(c, 1 Hz); im handlichen Thermostaten wird | A / / / | bis auf weniger als 6 10 ' reduziert fr nderungen der Auentemperatur von - 4 0 C bis +60C. Quarzoszillatoren, deren F r e q u e n z d u r c h eine externe elektrische S p a n n u n g geringfgig regelbar ist ( V C X O s , z. B. u m 0 , 2 % ) , h a b e n eine strkere T e m p e r a t u r a b h n g i g k e i t der F r e q u e n z . Eine e i n f h r e n d e D a r s t e l l u n g ber Oszillatoren findet m a n bei B e c k e r (1957), die B e h a n d l u n g einiger spezieller P r o b l e m e bei A r n o l d t (1980). Die Verwend u n g v o n Quarzoszillatoren als F r e q u e n z n o r m a l e wird in 1.3.3.4 beschrieben. Bis zu hchstens etwa 10 G H z k n n e n R c k k o p p l u n g s n e t z w e r k e von Vierpol-Oszillatoren noch mit konzentrierten I n d u k t i v i t t e n u n d K a p a z i t t e n realisiert werden, a u c h als V C O . Im nichtsynchronisierten Betrieb zeigen solche Oszillatoren j e d o c h h u f i g nicht die geforderte Frequenzstabilitt. D a s wird mitverursacht d u r c h die zu h o h e n F r e q u e n zen hin a b n e h m e n d e G t e der Resonanzkreise (s. 4.3.3.8). O b e r h a l b v o n etwa 0,5 G H z b a u t m a n deshalb h u f i g T r a n s i s t o r o s z i l l a t o r e n m i t a n d e r e n R e s o n a t o r e n , z. B. mit L e i t u n g s r e s o n a t o r e n . D a s sind kurzgeschlossene oder leerlaufende A b s c h n i t t e
' ) D a s S y m b o l d B ( c , 1 H z ) w e i s t d a r a u f h i n , d a es sich bei d e m d a v o r s t e h e n d e n Z a h l e n w e r t u m d e n Z e h n e r l o g a r i t h m u s d e s V e r h l t n i s s e s d e r R a u s c h l e i s t u n g s d i c h t e , g e m e s s e n in o d e r u m g e r e c h n e t f r 1 H z B a n d b r e i t e , z u r G e s a m t l e i s t u n g h a n d e l t (s. 9.1.6).

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

675

von Leitungen (s. 4.3.3), die ein ganzzahliges Vielfaches einer viertel Wellenlnge lang sind. Ihr E i n g a n g s w i d e r s t a n d zeigt R e s o n a n z v e r h a l t e n , hnlich wie der von Serien- o d e r Parallelschwingkreisen. Es k n n e n symmetrische Leitungen verwendet werden o d e r auch u n s y m m e t r i s c h e wie die Koaxialleitung. Ein typischer Transistor-Oszillator mit Koaxialresonator hat etwa folgende Eigenschaften: mechanischer Durchstimmbereich 3,2 GHz bis 3,7 GHz; minimale Ausgangsleistung 20 mW; relative Frequenznderung | A / / / | <0,05% im Temperaturbereich von "30C bis +60C, relative nderung der Ausgangsleistung um +1,5 dB sowohl im Temperatur- wie im Frequenzbereich; zulssiger Welligkeitsfaktor (s. 4.3.4.2) durch Fehlanpassung 1.3; Ausgang koaxial, 50 fi; Stromversorgung 20V 1,5%, 150mA; elektrischer Durchstimmbereich der Frequenz 0,1%. D a s P h a s e n r a u s c h e n zweier r a u s c h a r m e r 6 G H z - O s z i l l a t o r e n mit K o a x i a l r e s o n a t o r u n d bipolarem Transistor bzw. G a A s - F E T ist in Fig. 4.162 dargestellt. Wegen des h o c h gemischten 1//-Rauschens (s. 4.1.1.8 u. 10.7.1.1) sind Oszillatoren mit G a A s - F E T grundstzlich strker v e r r a u s c h t als solche mit b i p o l a r e n T r a n s i s t o r e n , die sich a u c h wegen der h o h e n mglichen Ausgangsleistungen f r A n w e n d u n g e n im u n t e r e n G H z Bereich e m p f e h l e n ( S h i h u. K u n o (1989)). Z u m A u f b a u von L e i t u n g s r e s o n a t o r e n k n n e n nicht n u r Z w e i d r a h t l e i t u n g e n verwendet werden, s o n d e r n a u c h Hohlleiter, s. 4.3.3. Diese R e s o n a t o r e n heien H o h l r a u m r e s o n a t o r e n . Ihre G t e n (s. 4.3.3.8) sind h h e r als die von K o a x i a l r e s o n a t o r e n , sie sind a b e r auch sperriger. Sie werden ebenfalls als f r e q u e n z b e s t i m m e n d e Elemente in T r a n s i s t o r Oszillatoren verwendet. Schaltungen fr Arbeitsfrequenzen etwa zwischen 3 GHz und 18 GHz werden vielfach in Streifenleitungstechnik (z. B mit der Mikrostreifenleitung, s. 4.3.3.5) hergestellt. In diese lassen sich die recht groen Koaxial- und Hohlraumresonatoren nur schlecht einfgen. Statt dessen verwendet man in zunehmendem Mae dielektrische Resonatoren; das sind kleine, z. B. scheibenfrmige Krper aus einem geeigneten Material hoher Dielektrizittszahl und mit kleinem dielektrischen Verlustfaktor. Wenn sie in der Nhe einer Streifenleitung plaziert werden, knnen in ihnen elektromagnetische Eigenschwingungen bei ihren vorwiegend durch die Geometrie und die Dielektrizittszahl bestimmten Resonanzen angeregt werden, die wiederum die Frequenz eines Oszillators bestimmen knnen. Wenn die Eigenschaften des Dielektrikums gengend temperaturunabhngig sind, ist auch die Frequenznderung A / des Oszillators mit der Temperatur entsprechend klein: | A / / / | < 10 VK bei 11 GHz ist erreichbar. Mit Supraleitern (s. 8.6.4.7), insbesondere solchen mit hoher Sprungtemperatur (Kittel (1991)), lassen sich kompakte Leitungsresonatoren hoher Gte (s. 4.3.3.8) realisieren. Erste Labormuster derart stabilisierter FET-Oszillatoren weisen gute Rauscheigenschaften auf (Klieber u. a. (1992)). Bis zu etwa 1 GHz werden Transistor-Oszillatoren auch mit SAW-(surface acoustic waves = akustische Oberflchenwellen) Komponenten im frequenzbestimmenden Rckkopplungsnetzwerk gebaut. hnlich wie Schwingquarze sind dies piezoelektrische Einkristalle mit wohldefinierten Richtungen der Schnitte zu den Kristallachsen. ber einen piezoelektrischen Wandler (Unger u. a. (1973/1981)) wird an einem Ende des Kristalls von einer elektrischen Schwingung eine akustische Welle angeregt, die sich entlang der Grenzflche zwischen Kristall und Umgebung (Luft) ausbreitet. ber einen zweiten piezoelektrischen Wandler am anderen Ende des Kristalls wird die akustische Welle in eine elektrische Schwingung zurckgewandelt, die gegenber der ersten drastisch verzgert ist. Solche Verzgerungsleitungen oder, allerdings seltener, hnlich aufgebaute Resonatoren, vorzugsweise aus Quarz oder Lithiumniobat, knnen als Rckkopplungsnetzwerke von Oszillatoren eingesetzt werden, die dann unempfindlich sind gegen mechanische Erschtterungen (Mikrophonie) und die ein geringes Phasenrauschen besitzen. Mit Varaktoren knnen SAW-Oszillatoren in einem geringen Frequenzbereich abstimmbar gemacht werden. Ein typischer SAW-Oszillator hat folgende Eigenschaften: Durchstimmbereich 454,8 MHz bis 457,3 MHz mit einer Spannung von OV bis 10 V; Ausgangsleistung 35 mW an 50 Q; Abstimm-

676

4.3 Hochfrequenz

Nichtlinearitt +6%; Frequenznderung | A / / / | <0,03% bei Temperaturnderung von -20C bis ^ 70C; Abhngigkeit der Frequenz von Schwankungen in der Spannungsversorgung | A / | / / < 10 pro Volt; Unterdrckung der Harmonischen gegenber der Grundschwingung 13 dB; Spannungsversorgung + 10V; Phasen-Rauschleistungsdichte Z,(l kHz) = 80dB(c, 1 Hz), Z,(5kHz) = -101 dB(c, 1 Hz), Z,(10 kHz) = - 119dB(c, 1 Hz), L(25 kHz) = 1 2 8 dB(c, 1 Hz). Oszillatoren mit Leitungs-, Hohlraum- und SAW-Resonatoren lassen sich durch elektrische Signale nur in kleinen Bereichen durchstimmen. Fr Breitbandanwendungen sind dagegen YIG(yttrium iron garnet, Yttrium-Eisen-Granat-)Oszillatoren geeignet. Bei ihnen wird die ferromagnetische Resonanz (Kittel (1991)) dieses Ferrites ausgenutzt. Kleine Kugeln bilden Resonatoren mit Resonanzfrequenzen, die durch ein vernderliches magnetisches Gleichfeld um einige Oktaven im Mikrowellenbereich durchgestimmt werden knnen. YIG-abgestimmte Oszillatoren besitzen darber hinaus eine sehr gute Abstimmlinearitt, geringes Rauschen und gute Frequenzstabilitt. Mit Transistoren als aktivem Element werden sie fr Frequenzen von 0,5 GHz bis 18 GHz angeboten. Eigenschaften eines typischen YIG-abgestimmten Transistor-Oszillators sind: Abstimmbereich 2 GHz bis 8 GHz, Ausgangsleistung 20 mW and 50 ; Leistungsschwankungen im Abstimmbereich 3,0dB; Frequenznderung 20MHz im Temperaturbereich von 0C bis +65C; AbstimmEmpfindlichkeit 20 MHz/mA; Abstimm-Nichtlinearitt 0,05 %; Abstimmhysterese 8 MHz; Spannungsversorgung + 1 5 V u n d - 5 V j e 8 0 m A ; Versorgung fr Magnetfeldspule 20 V bis 28 V, 3 W. Das Rauschverhalten eines rauscharmen YIG-Oszillators ist in Fig. 4.162 dargestellt. A u s physikalischen u n d technologischen G r n d e n ist der F u n k t i o n s b e r e i c h von konventionellen Bipolar-Transistoren u n d F E T ' s - u n d d a m i t auch ihre V e r w e n d u n g als Verstrker in Vierpol-Oszillatoren - auf F r e q u e n z e n in der G r e n o r d n u n g von 10 bzw. 50 G H z begrenzt. Mit jngst entwickelten T r a n s i s t o r e n , die auf Heterobergngen, d. h. der Schichtung von Halbleitern mit unterschiedlichem B a n d a b s t a n d (z. B. G a A l A s u n d G a A s ) a u f b a u e n , verschieben sich die G r e n z e n auf Werte bis b e r 100 G H z ( S h i h u. K u n o (1989), L i e c h t i (1989), S m i t h u. S w a n s o n (1989), H a r t h (1988), W o r k s h o p Proceedings (1989)). Bipolare (heterojunction bipolar t r a n s i s t o r ( H B T ) ) u n d FeldeffektS t r u k t u r e n (high electron mobility transistor ( H E M T ) ; a n d e r e Bezeichnungen: m o d u l a t i o n d o p e d F E T ( M O D F E T ) , t w o - d i m e n s i o n a l electron gas F E T ( T E G F E T ) , selectively d o p e d heterostructure transistor ( S D H T ) , heterostructure F E T ( H F E T ) ) unterscheiden sich sowohl in der F u n k t i o n s w e i s e als auch in den Eigenschaften. D e r bislang noch nicht voll ausgereifte H B T unterscheidet sich v o m gewhnlichen Bipolar-Transistor d u r c h einen im Vergleich zur Basis g r e r e n B a n d a b s t a n d im Emitter. D a d u r c h wird die Energiebarriere f r die Basislcher vergrert; die D o t i e r u n g in der Basis k a n n somit e r h h t , der B a s i s b a h n w i d e r s t a n d also verringert werden, o h n e d a die Emitterergiebigkeit ( U n g e r u. a. (1973) u. (1981)) beeintrchtigt wird. Dies f h r t zu h h e r e n G r e n z f r e q u e n z e n . Wie a u c h der gewhnliche B i p o l a r - T r a n s i s t o r zeichnet sich der H B T d u r c h h o h e Ausgangsleistung u n d sehr guten W i r k u n g s g r a d aus u n d weist a u f g r u n d seiner V e r t i k a l s t r u k t u r niedriges 1//-Rauschen auf. Bei 10 G H z sind p r o Lngeneinheit des Emitters Dauerstrichleistungen von 4 W / m m erreichbar. Ein mit einem dielektrischen R e s o n a t o r stabilisierter 4 G H z - O s z i l l a t o r weist bei 1 k H z T r g e r a b s t a n d ein P h a s e n r a u s c h e n von - 7 3 d B ( c , l H z ) auf ( L i e c h t i (1989)). H a n d e l s b l i c h e F E T (s. 10.8.2.7) f r hchste F r e q u e n z e n werden aus G a A s hergestellt; die G a t e - E l e k t r o d e wird als S c h o t t k y - K o n t a k t a u s g e f h r t . Die G r e n z f r e q u e n z wird d u r c h die Lnge des G a t e u n d die Geschwindigkeit (Sttigungsdriftgeschwindigkeit Vs), mit der die L a d u n g s t r g e r (hier: E l e k t r o n e n ) d u r c h den K a n a l d r i f t e n , beeinflut. Sie k a n n e r h h t w e r d e n , indem der K a n a l bis z u m Erreichen von technologischen G r e n z e n verkrzt oder Vs vergrert wird. Vs hngt v o m Halbleitermaterial selbst a b u n d ist d u r c h

4 . 3 . 2 Erzeugung und Nachweis h o c h f r e q u e n t e r elektrischer Schwingungen

677

die Dotierung begrenzt: die Elektronen werden an den ionisierten D o n a t o r e n gestreut. Im H E M T (Fig. 4.164), einer besonderen FET-Struktur, trennt man die Elektronen rumlich von den D o n a t o r e n , um diese Streuprozesse zu verringern. Unter dem Gate befindet sich d a f r ein Heterobergang.
S G D

rzi

I
n - AIGaAs i-GaAs

1=
40nm lOnm

semi-isolierendes GaAs-Substrat

0)
Fig. 4.164 a ) Prinzipieller A u f b a u eines H E M T mit t y p i s c h e n S c h i c h t d i c k e n (S: S o u r c e , G : G a t e , D : D r a i n ; n: n - d o t i e r t , i: u n d o t i e r t ) b ) V e r l a u f d e r L e i t u n g s b a n d e n e r g i e PK s e n k r e c h t z u r G a t e - E l e k t r o d e (PTpi F e r m i n i v e a u )

Das Material mit dem greren Bandabstand (z. B. AIGaAs) wird dotiert, whrend das andere (z. B. G a A s ) undotiert bleibt. An der Grenzschicht bildet sich im Leitungsband des undotierten Materials ein sehr schmaler Potentialtopf, in dem sich die Elektronen bevorzugt aufhalten. Hier werden sie nur noch wenig gestreut u n d besitzen ein hheres i^s- Gegenber dem herkmmlichen F E T zeichnet sich der H E M T durch hhere Grenzfrequenzen aus. In Oszillatoranwendungen aber strt wieder das relativ starke hochgemischte 1//-Rauschen. Durch geeignete Wahl der Materialien lassen sich Grenzfrequenz und Leistung weiter steigern (pseudomorphic H E M T ( P H E M T ) mit I n G a A s anstelle von G a A s ; H E M T auf InP-Basis) ( S m i t h u. S w a n s o n (1989)). Auf die Gate-Breite bezogene Leistungen liegen um I W / m m bei 60 G H z und noch um 0,4 W / m m bei 9 4 G H z ( W o r k s h o p P r o c e e d i n g s (1989)). Die Grenzfrequenz von Transistoren wird durch die endliche Laufzeit der Ladungstrger im Bauelement mitbestimmt. Laufzeiteffekte werden aber andererseits auch direkt zur Schwingungserzeugung ausgenutzt, vor allem in den nachstehend beschriebenen Halbleiterbauelementen. Zweipol-Oszillatoren mit Gunn- und IMPATT-Dioden Diese sind Halbleiterdioden mit einem komplexen Eingangswiderstand, dessen Realteil negativ sein kann. Damit lassen sich d a n n der positive Realteil des Widerstandes einer ueren Schaltung kompensieren und somit Verluste in dieser ueren Schaltung aufheben. D a n n ist Schwingungsanfachung mglich ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). Bei G a A s , und auch bei einigen anderen Halbleiterverbindungen, hat die (')-Charakteristik (y = mittlere Elektronendriftgeschwindigkeit, = elektrische Feldstrke) gem Fig. 4.165 einen Bereich negativer Steigung, der in G u n n - E l e m e n t e n ausgenutzt wird ( U n g e r u. H a r t h (1972)). In diesem Feldstrkebereich werden aufgrund der besonderen Struktur des Leitungsbandes Elektronen von einem Energieminimum in ein anderes transferiert". Gunn-Elemente werden daher auch Elektronen-Transfer-Elemente ( T E D = transferred electron device) genannt. - Der in Fig. 4.165 gezeigte Verlauf der i;(jB')-Kennlinie fhrt dazu, d a eine anfngliche Strung in der elektrischen Feldstrkeverteilung im Halbleiter in gewissen Grenzen exponentiell mit der Zeit anwchst. Das soll verdeutlicht werden in Fig. 4.166,

678

4.3 Hochfrequenz

20 k V / c m 30 f

Fig. 4.165 M i t t l e r e E l e k t r o n e n d r i f t g e s c h w i n d i g k e i t v in G a A s als F u n k t i o n d e r e l e k t r i s c h e n F e l d s t r k e E, n a c h K r a m e r u. K a s w e n (1979)

in der die mittlere Feldstrke im Kristall grer als E^ (s. Fig. 4.165) angenommen ist. M a n unterscheidet zwei Arten von Ursachen f r Feldinhomogenitten: - die primre Feldinhomogenitt durch den Feldsprung an der Kathode beim bergang vom hochdotierten Kathodenmaterial ins Halbleiterinnere und - die sekundre Feldinhomogenitt, die z. B. durch Dotierungsschwankungen oder durch Anregung aus dem Rauschen heraus entstehen kann. Die primre Feldinhomogenitt erzeugt stets eine Anreicherungsschicht oder - d o m n e von Elektronen, die sekundre" eine Anreicherungs- u n d eine Verarmungsdomne von geringem Abstand; dieses Paar wird d a n n auch D i p o l d o m n e genannt (Fig. 4.166 c). Solche D i p o l d o m n e n wandern im elektrischen Feld in Fig. 4.166 in x-Richtung. Sie wachsen bis zu einem Grenzwert mit der Zeit rasch an, weil in der Hochfeldzone die Driftgeschwindigkeit f r 0 ^ x ^ / am kleinsten ist: Elektronen rechts der D i p o l d o m n e in Fig. 4.166 c werden schneller zur A n o d e abgezogen u n d Elektronen links der Dipoldom n e rcken schneller nach als die Elektronen in der D o m n e driften. Wenn die D o m n e im A n o d e n k o n t a k t verschwunden ist, entsteht eine neue. So ergibt sich ein pulsfrmiger Strom mit Pulsfolgefrequenzen im Mikrowellenbereich. U m die Frequenz abstimmbar zu machen, schaltet m a n Gunn-Elemente mit durchstimmbaren ResonatoKathodenkontokt

i/b-lfcl'

pnmore ' FeldinhOTogenItot Fig. 4.166 Z u m Auftreten von Feldinhomogenitten, Anreicher u n g s - u n d V e r a r m u n g s d o m n e n in G a A s . D i e gezeigten V e r l u f e stellen sich z. B. u n m i t t e l b a r n a c h A n l e g e n einer S p a n n u n g Ut ein ( n a c h U n g e r u. H a r t h (1972)) a) P o t e n t i a l v e r l a u f , b ) F e l d v e r l a u f : die gestrichelte K u r v e v o r d e r K a thode entspricht der weiterentwickelten primren F e l d s t r u n g zu e i n e m s p t e r e n Z e i t p u n k t , c) V e r l a u f d e r E l e k t r o n e n k o n z e n t r a t i o n / A b s t a n d zwischen K a t h o d e u n d A n o d e X Ortskoordinate

bl

"T"

n\x\

-4I I I I I I Anreicherungs-I domne i

"O K na t o tk " GA Oos

"^Verormungs-I dornone !

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

679

ren z u s a m m e n , die die F r e q u e n z des Wechselspannungsanteils b e r d e m G u n n - E l e m e n t bestimmen. Bei geeigneter A r b e i t s p u n k t e i n s t e l l u n g werden im R h y t h m u s dieser Wechs e l s p a n n u n g D i p o l d o m n e n in K a t h o d e n n h e ausgelst. J e nach der H h e der R e s o n a t o r f r e q u e n z erreichen die D o m n e n die A n o d e o d e r sie werden s c h o n v o r h e r d u r c h die sich u m p o l e n d e W e c h s e l s p a n n u n g ausgelscht. Beide Betriebsarten, D o m n e n v e r z g e r u n g u n d D o m n e n a u s l s c h u n g , k n n e n zur Schwingungserzeugung verwendet werden. In einer dritten Betriebsart wird die Ausbild u n g v o n H o c h f e l d d o m n e n u n d d a m i t v e r b u n d e n e r R a u m l a d u n g e n u n t e r d r c k t ; es wird d a n n u n m i t t e l b a r der sich aus der y(')-Charakteristik ergebende negative differentielle W i d e r s t a n d des G u n n - E l e m e n t e s zur S c h w i n g u n g s e r z e u g u n g verwendet. Dieser L S A - B e t r i e b (limited space-charge a c c u m u l a t i o n ) setzt u. a. ein H a l b l e i t e r m a t e rial mit sehr h o m o g e n e r D o t i e r u n g v o r a u s . G u n n - O s z i l l a t o r e n werden im H a n d e l von etwa 8 G H z bis 140 G H z a n g e b o t e n . Die a b g e b b a r e Leistung ist in Fig. 4.167 dargestellt. G u n n - O s z i l l a t o r e n zeichnen sich d u r c h geringes A M - R a u s c h e n u n d bei e n t s p r e c h e n d e n R e s o n a t o r e n d u r c h gute Langzeitstabilitt der F r e q u e n z aus. Im u n t e r e n Teil des o. g. F r e q u e n z b e r e i c h e s h a b e n sie gegenber Transistor-Oszillatoren die Vorteile kleinerer A b m e s s u n g e n u n d niedrigerer Preise, j e d o c h den Nachteil einer etwas g r e r e n D r i f t nach einer F r e q u e n z n d e r u n g . G e wnschte F r e q u e n z n d e r u n g e n von G u n n - O s z i l l a t o r e n sind magnetisch ( Y I G ) , elektrisch ( V a r a k t o r ) o d e r m e c h a n i s c h d u r c h G e o m e t r i e n d e r u n g e n eines Leitungs- o d e r H o h l r a u m r e s o n a t o r mglich. 5,0
W DOW

1,0

\
DD G*

I 0,2
Fig. 4,167 D a u e r s t r i c h a u s g a n g s l e i s t u n g P v o n D i o d e n mit neg a t i v e m I n n e n w i d e r s t a n d in A b h n g i g k e i t d e r F r e q u e n z / ( n a c h K r a m e r u . K a s w e n (1979)) G GaAs-Gunn N n-Silizium-Impatt D D Doppel-Drift-Silizium-Impatt D D W D o p p e l d r i f t mit D i a m a n t - W r m e s e i t e ^ 0,1

ao5
0,02
0,01 10 20 3 0

\
\

50 J O O G H z

Daten eines typischen Gunn-Oszillators mit Varaktor-Abstimmung sind: elektrischer Abstimmbereich 12 GHz bis 18 GHz mit Abstimmspannung OV bis +50V bei 1mA maximaler Stromstrke; Temperaturabhngigkeit der Frequenz kleiner als 0,04%/K zwischen 0C und 60C; relative Frequenznderungen geringer als 0,05 %/V bei nderungen der Versorgungsspannung; Spannungsversorgung 4 15 V, 850 mA; Ausgangsleistung 10 mW an 50^1; Leistungsschwankungen 4 dB im Abstimmbereich und 2 dB im Temperaturbereich; Unterdrckung von Oberwellen 20 dB. Ein anderer, recht hochfrequenter Gunn-Oszillator hat folgende Daten: Frequenz 94 GHz; mechanischer Abstimmbereich 250 MHz; elektrischer Abstimmbereich + 100 MHz mit einer Abstimmempfindlichkeit von 300 MHz/V; Temperaturabhngigkeit der Frequenz
- 2 M H Z / K ; Temperaturbereich 0 C bis 70C; Spannungsversorgung 4 V bis 6 V , 1,75A; Aus-

gangsleistung 20 mW, Rechteckhohlleiterausgang; Leistungsschwankungen mit der Temperatur 0,03 dB/K. D a s R a u s c h e n von G u n n - O s z i l l a t o r e n ist in Fig. 4.158 u n d Fig. 4.168 dargestellt.

680
-20

4.3 Hochfrequenz

Fig. 4,168 Einseitenband-Phasenrauschleistungsdichte L von Mikrowellenoszillatoren im A b s t a n d von der Trgerfrequenz A lO-GHz-Gunn-VCO, 550mW B, C , D l O - G H z - G u n n - O s z i l l a t o r e n m i t R e s o n a t o r g t e n 500, 1500, 3 5 0 0 E lO-GHz-Impatt-Oszillator F 5-GHz-Reflex-Klystron, 1 W G 5-GHz-Reflex-Klystron, mit externen R e s o n a t o r stabilisiert H lO-GHz-Zweikammer-Klystron, 2 W I 10-GHz-Magnetron, 2 0 0 W Mit G e n e h m i g u n g b e r n o m m e n aus J o h n s o n , S. L . ; S m i t h , B. H . ; C a l d e r , D . A . : N o i s e S p e c t r u m C h a r a c t e r i s t i c s of L o w - N o i s e M i c r o w a v e T u b e s a n d S o l i d S t a t e D e v i c e s . P r o c . I E E E , v o l . 54, n o . 2, S. 2 5 8 - 2 6 5 , F e b r . 1966, 1966 I E E E , u n d a u s C a s t r o , A . A . ; Z i o l o w s k i , F . F . : G e n e r a t i o n of Millim e t e r - W a v e S i g n a l s of H i g h S p e c t r a l P u r i t y . I E E E T r a n s . M i c r o w a v e T h e o r y T h e c h . , M T T - 2 4 , n o . 11, S. 7 8 0 - 7 8 6 , N o v . 1976, 1976 I E E E

Eine gegenber G u n n - O s z i l l a t o r e n deutlich h h e r e Leistung wird v o n I m p a t t Oszillatoren (impact a v a l a n c h e transit time, L a w i n e n - L a u f z e i t - D i o d e n ) a b g e g e b e n (s. Fig. 4.167), bei allerdings s t r k e r e m R a u s c h e n . Es gibt I m p a t t - D i o d e n mit unterschiedlichen D o t i e r u n g s p r o f i l e n . Ein T y p ist in Fig. 4.169a dargestellt ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)): zwischen zwei h o c h dotierten Schichten, p ' u n d n ' , liegt eine niedrig dotierte nSchicht. Bei Anlegen einer G l e i c h s p a n n u n g in Sperrichtung stellt sich der Feldstrkeverlauf in Fig. 4.169 b ein. D e r H c h s t w e r t der F e l d s t r k e liegt in der Sperrschicht. W e n n er einen kritischen Wert i'k berschreitet, setzt L a w i n e n d u r c h b r u c h ein ( U n g e r u. a. (1973) u. (1981)); d a n n n e h m e n L e i t u n g s b a n d - E l e k t r o n e n beim W a n d e r n in x - R i c h t u n g soviel kinetische Energie auf, d a sie wiederholt G i t t e r b a u s t e i n e d u r c h Sto ionisieren u n d in einer K e t t e n r e a k t i o n weitere E l e k t r o n - L o c h - P a a r e erzeugen k n n e n . Dieser V o r g a n g bleibt auf den Bereich der h c h s t e n F e l d s t r k e in Sperrschichtnhe begrenzt. Bei einer geeigneten W a h l der D i o d e n g l e i c h s p a n n u n g k a n n erreicht w e r d e n , d a n u r in den negativen Halbwellen einer berlagerten W e c h s e l s p a n n u n g (Fig. 4.170 a) Lawinend u r c h b r u c h einsetzt; so entstehen S t r o m p u l s e , die in der L a w i n e n z o n e g e m Fig. 4.170b der W e c h s e l s p a n n u n g in der Phase u m etwa n/2 nacheilen. Die e n t s t e h e n d e n Lcher flieen u n m i t t e l b a r d u r c h die p ' - Z o n e zur A n o d e . Die E l e k t r o n e n d r i f t e n j e d o c h erst mit Sttigungsdriftgeschwindigkeit d u r c h die n - Z o n e , bevor sie die n^-Zone u n d die K a t h o d e erreichen. W h r e n d dieser Zeiten influenzieren sie in den D i o d e n k o n t a k t e n S t r o m p u l s e , deren G r u n d s c h w i n g u n g je nach D a u e r T der D r i f t u m m e h r als n/2 der W e c h s e l s p a n n u n g nacheilt (vgl. Fig. 4.170 c); die D i o d e zeigt d a n n einen negativen W e c h s e l s t r o m w i d e r s t a n d , der w i e d e r u m zur E n t d m p f u n g eines angeschlossenen Resonators u n d zur S c h w i n g u n g s a n f a c h u n g verwendet werden k a n n . I m p a t t - D i o d e n werden bis weit b e r 100 G H z verwendet, d a n n a b e r meist als D o p p e l - D r i f t - I m p a t t - D i o d e n (vgl.

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

681

Lawinenzone 1 1 ]

Driftzone " 1
X

Anode

n* Kathode

> /
(
b|

1 ! 1 j 1 j

1 IK

wt

Ol

' -'D
P' b| Fig. 4.169 Impatt-Diode a) p r i n z i p i e l l e r A u f b a u , b ) V e r l a u f des e l e k t r i s c h e n F e l d e s E in Abhngigkeit von der Ortskoordinate x bei a n g e l e g t e r S p e r r s p a n n u n g U^p, n a c h Z i n k e u. B r u n s w i g (1987) f k kritische Feldstrke

n ^

^1 n *

1 1 1 II II f

wl

"f
C|

nl2

1
3/2 Irt

cut

Fig. 4.170 B e t r i e b e i n e r I m p a t t - D i o d e , n a c h Z i n k e u. B r u n s w i g a ) K l e m m e n s p a n n u n g Uu d e r D i o d e in A b h n g i g k e i t v o n d e r Zeit t, b) in d e r S p e r r s c h i c h t injizierter E l e k t r o n e n s t r o m /i, c) K l e m m e n s t r o m ('d d e r D i o d e ( I n f l u enzstrom)

Fig. 4.167), die gegenber Fig. 4.169 noch zustzlich eine D r i f t z o n e f r die L c h e r haben. Daten eines typischen Impatt-Oszillators sind: Frequenz 70 GHz; mechanischer und elektrischer Abstimmbereich 3 GHz; Abstimmreproduzierbarkeit 0,25%; relative nderungen der Frequenz mit der Temperatur - 5 - 1 0 VK; Ausgangsleistung 50 mW, Rechteckholleiterausgang; Unterdrckung unerwnschter HF-Leistung 30 dB; Spannungsversorgung 40 V/50 mA. D a s P h a s e n r a u s c h e n eines Oszillators mit I m p a t t - D i o d e ist in Fig. 4.168 dargestellt. Oszillatoren mit Laufzeitrhren werden vor allem verwendet, wenn im Mikrowellenbereich Leistungen erzeugt werden sollen, die m a n mit den o b e n beschriebenen Halbleiteroszillatoren nicht erreichen k a n n ; d e n n die Alternative, Leistungsverstrker, sind im Mikrowellenbereich a u f w e n d i g e G e r t e , u n d m a n versucht, sie zu u m g e h e n . Bei gewhnlichen E l e k t r o n e n r h r e n wird die Elektronenlaufzeit zwischen den E l e k t r o d e n zu h o h e n F r e q u e n z e n hin i m m e r s t r e n d e r , insbesondere w e n n sie in die G r e n o r d n u n g der Schwingungsperiode k o m m t . Bei den L a u f z e i t r h r e n wird dieser Einflu ausgenutzt in einer gezielten Wechselwirkung zwischen d e m E l e k t r o n e n s t r a h l u n d lokalisierten o d e r fortschreitenden elektrischen o d e r magnetischen Feldern. Diese b r e m s e n den Elektronenstrahl; dabei wird Bewegungsenergie in Schwingungsenergie u m g e w a n d e l t . So k n n e n Signale verstrkt oder Schwingungen a n g e f a c h t werden. Bau- u n d Schaltungsprinzip des R e f l e x - K l y s t r o n s ( G r o l l (1969), Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)) gehen aus Fig. 4.171 hervor. Die gitterartig d u r c h l c h e r t e A n o d e liegt mit den W a n d u n g e n des H o h l r a u m r e s o n a t o r s auf demselben G l e i c h s p a n n u n g s p o t e n t i a l . D o r t , wo der E l e k t r o n e n s t r a h l den H o h l r a u m durchsetzt, bilden dessen W a n d u n g e n

682

4.3 Hochfrequenz

zwei zueinander parallel verlaufende Gitterebenen G j und G2. Die Reflektor-Elektrode (R) erhlt eine hohe negative Vorspannung. D a d u r c h werden die Elektronen abgebremst, sie kehren um und durchflieen die Gitterebenen nach der Zeit T ein zweites Mal. Wenn z in geeigneten Verhltnissen zur Schwingungsdauer T des Resonators steht, werden ber Influenzwirkungen am Gitter Schwingungen angefacht. Im Beispiel der Fig. 4.171 wird die Schwingungsenergie aus dem H o h l r a u m ber die Schleife S in eine Koaxialleitung ausgekoppelt. Die geeigneten Verhltnisse t / T w e r d e n durch zueinander passende Werte von Anoden- u n d Reflektorspannung eingestellt. Variiert man die Reflektorspannung, so werden nacheinander die verschiedenen Schwingungszustnde (Moden") des Klystrons durchlaufen.
Fig. 4.171 Bau- u n d Schaltungsprinzip des Reflexklystrons H Heizfaden K Kathode F Fokussiereinrichtung zur B n d e l u n g des Elektronenstrahls A Anode S Auskoppelschleife HR Hohlraumresonator G l , G2 G i t t e r R Reflektorelektrode C/ft A n o d e n s p a n n u n g C/R R e f l e k t o r s p a n n u n g U; Heizfadenspannung

Die Schwingfrequenz kann innerhalb von etwa 0,1 %o bis l%o bei Konstanthalten der brigen Daten durch Variation der Reflektorspannung gendert werden. Grere Frequenznderungen sind mit einer mechanischen Verstimmung des H o h l r a u m e s und Neueinstellung der Reflektorspannung mglich. Der H o h l r a u m k a n n entweder fest in die Rhre eingebaut oder extern angesetzt sein. Z u m Betrieb von Klystron-Generatoren benutzt man spezielle Netzgerte, die meist auch Einrichtungen zur Modulation des Klystrons haben. Mit stabilisierten Netzgerten ist die Frequenz auf etwa 0,1 %o konstant zu halten. Mit guter W r m e a b f u h r u n d bei Vermeidung von Temperaturschwankungen (Wasserkhlung, lbad) k a n n die Frequenzkonstanz gesteigert werden. Reflexklystrons geben bis zu 10 W Leistung a b und werden zwischen 1 G H z und 180 G H z eingesetzt. Daten eines typischen Reflexklystrons sind: Frequenzbereich 32 GHz bis 37 GHz: Resonatorspannung 1,8 kV bei 25 mA; Reflektorspannung 420 V bei 34 GHz; Ausgangsleistung 200 mW, Rechteckhohlleiteranschlu; elektronischer Abstimmbereich 90 MHz. Das Phasenrauschen eines 5 GHz-Reflexklystrons ist in Fig. 4.168, Kurve F, dargestellt. Ein verbessertes Rauschverhalten ergibt sich bei Verwendung eines weiteren, externen Resonators zur Frequenzstabilisierung des Reflexklystrons oder mit einem Zweikammerklystron als Oszillator. Bei diesem werden die Elektronen nicht reflektiert, sondern fliegen durch zwei hintereinander angebrachte und verkoppelte Resonatoren hindurch. Weit grere elektronische Abstimmbereiche als Klystrons besitzen C a r c i n o t r o n s (Rckwrtswellen-Oszillatoren, backward-wave oscillators, BWO's ( G r o l l (1969), Z i n ke u. B r u n s w i g (1987)) nmlich bis zu mehr als einer Oktave. Das Prinzip eines Carcinotrons zeigt Fig. 4.172. In ihm wirkt der Elektronenstrahl nicht auf das stehende Feld eines Resonators ein wie z. B. beim Klystron, sondern auf eine fortschreitende Leitungswelle, bei der Phasen- und Gruppengeschwindigkeit entgegengesetzt gerichtet

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen


Fig. 4.172 S c h e m a eines C a r c i n o t r o n s H Heizfaden h e Hilfselektrode K Kathode A Anode AG Ausgang V Verzgerungsleitung UH S p a n n u n g d e r H i l f s e l e k t r o d e t^A A n o d e n s p a n n u n g S p a n n u n g der Verzgerungsleitung H >AG

683

m r v u m n n r

i/v

sind. Solche Wellen existieren auf Verzgerungsleitungen, die, wie in Fig. 4.172 gezeigt, eine periodische S t r u k t u r e n t h a l t e n . Im Oszillatorbetrieb wird n u n d u r c h die E l e k t r o n e n die Welle in einer solchen F r e q u e n z angeregt, bei der ihre Phasengeschwindigkeit etwa gleich der Elektronengeschwindigkeit ist. D a die G r u p p e n g e s c h w i n d i g k e i t entgegengesetzt ist, wird die H F - L e i s t u n g s c h o n a m A n f a n g der Verzgerungsleitung (Ausgang" in Fig. 4.172) ausgekoppelt. Einer E l e k t r o n e n s t r a h l v e r b r e i t e r u n g wird mit einem statischen axialen M a g n e t f e l d entgegengewirkt. D e r d a f r erforderliche P e r m a n e n t m a g n e t trgt erheblich zur G r e u n d z u m G e w i c h t des C a r c i n o t r o n s bei. Neben d e m bisher beschriebenen Typ v o n C a r c i n o t r o n gibt es noch einen weiteren, in d e m im L a u f r a u m ein gekreuztes elektrisches u n d magnetisches Gleichfeld senkrecht zur Strahlrichtung auf die E l e k t r o n e n einwirkt. Seine Ausgangsleistung ist mit bis zu 1 k W erheblich grer als die des ersteren mit m a x i m a l einigen W a t t . Die typische minimale Ausgangsleistung von b r e i t b a n d i g e n C a r c i n o t r o n s zeigt Fig. 4.173 in A b h n g i g k e i t von der F r e q u e n z . Daten eines typischen Carcinotrons sind: elektronischer Durchstimmbereich 12 GHz bis 18 GHz mit J/v = 570V bis 1930 V; Linearittsabweichung 3%; Abstimmgeschwindigkeit 40GHz/ns; Unterdrckung von Oberwellen 50 dB; Temperaturabhngigkeit der Frequenz 4-10 VK; Heizspannung bzw. -stromstrke 6,3 V/0,8 A; Anodenspannung 215 V bei 1 mA; Spannung der Hilfselektrode 20 V bis 0,1 mA; Frequenznderung bei nderung dieser Spannungen 5 MHz/V, 2 MHz/V bzw. 10 MHz/V; Ausgangsleistung 50 mW.

100
I J mW 10

/
0,5 1,0

\\
f10

50 G H z 2 0 0 Fig.4.174 Magnetron, nach U n g e r ( 1 9 9 4 ) a) zum Funktionsprinzip, b) Konstruktionsprinzip, HR Hohlraumresonator K Kathode A Anode E Elektronenwolke H Heizung S Auskoppelschleife AK Auskopplung

Fig. 4.173 T y p i s c h e m i n i m a l e Ausgangsleistung von breitbandigen Carcinotrons, nach M i c r o w a v e P o w e r S o u r c e s (1975) / Frequenz /"mii, m i n i m a l e A u s g a n g s l e i s t u n g

684

4.3 Hochfrequenz

Bei vielen Carcinotrons ist zum Betrieb eine Luftkhlung ntig, z. B. mit 8001/min. F r Frequenzen zwischen 0 , 2 G H z u n d 100 G H z bildet das M a g n e t r o n (s. Fig. 4.174) einen robusten Generator ( U n g e r (1994), Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). Eine kreiszylinderfrmige Kathode ist umgeben von einer geschlitzten Anode. hnlich wie beim Carcinotron wird so eine periodische Verzgerungsleitung gebildet, bei der aber A n f a n g u n d Ende miteinander verbunden sind. Zwischen Kathode und Anode befinden sich die Elektronen. Sie bilden Wolken, die sich mit dem Feld der Leitungswelle auf Kreisbahnen bewegen und dabei Energie an dieses Feld abgeben. Bei ihrem Flug von der Kathode zur Anode innerhalb der Wolken werden die Elektronen durch ein magnetisches Gleichfeld verzgert, das senkrecht zur Zeichenebene in Fig. 4.174a angelegt wird. D a n n fliegen die Elektronen innerhalb der Wolken auf zykloidenartigen Bahnen insgesamt langsamer von der Kathode zur A n o d e und fachen whrend jeder Zykloidenperiode durch Abgabe von kinetischer Energie die Leitungswelle weiter an. Praktisch werden die Anodenschlitze, wie in Fig. 4.174b, oft als H o h l r a u m r e s o n a t o r e n ausgebildet. Dauerstrichmagnetrons geben bis zu einigen Kilowatt Leistung ab. Magnetrons werden jedoch hufig auch im Pulsbetrieb eingesetzt, mit Spitzenleistungen bis zu 10 MW. Magnetrons sind sehr rauscharm (vgl. Fig. 4.168, Kurve I); Magnetrons mit kleineren Leistungen sind auch einigermaen gut elektronisch durchstimmbar, siehe Fig. 4.175.

Frequenz

F i g . 4,175 D a u e r s t r i c h l e i s t u n g ( H h e d e r B a l k e n ) u n d elektronischer Abstimmbereich (Lnge der Balken) h a n d e l s b l i c h e r , relativ n i e d e r f r e q u e n t e r M a g n e t r o n s , n a c h M i c r o w a v e P o w e r S o u r c e s (1975)

Frequenzumsetzung Mitunter m u die Frequenz einer Schwingung in eine andere umgewandelt werden. Wenn diese Umsetzung mit einem im zeitlichen Mittel festen rationalen Verhltnis erfolgt und Phasenschwankungen vernachlssigbar sind, wird sie phasenstarr genannt. Eine Frequenzumsetzung kann bei der Erzeugung von Hochfrequenz z. B. d a n n angebracht sein, wenn bei der gewnschten Ausgangsfrequenz nicht gengend langzeitstabile, rauscharme oder temperaturunabhngig Grundschwingungsoszillatoren zur Verfgung stehen. Auch wenn wohldefinierte Ausgangsfrequenzen von Frequenznormalen (s. 1.3.3.4 bis L3.3.6) abgeleitet werden sollen, ist im allgemeinen eine Frequenzumsetzung ntig. Oft werden auch Pufferverstrker (s. o.) als eine Art Frequenzumsetzer, nmlich als Vervielfacher ausgefhrt, um Rckwirkungen auf den Oszillator noch weiter zu vermindern. Und auch die Modulation einer Trgerschwingung mit einem Signal ist im weiteren Sinne eine Frequenzumsetzung.

4 . 3 . 2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

685

Die einfachste Art der Frequenzumsetzung ist die F r e q u e n z v e r v i e l f a c h u n g ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987), K r a u s u. a. (1980)) um ganzzahlige Faktoren. Wenn nmlich ein nichtlineares Bauelement sinusfrmig mit der Frequenz f \ ausgesteuert wird, so entstehen immer Oberschwingungen mit Frequenzen / i ( n = 1,2,3,...). Oft sind diese unerwnscht. In Frequenzvervielfachern dagegen werden sie ausgenutzt. Bis zu Ausgangsfrequenzen von 100 M H z bis 1 G H z werden zur Vervielfachung oft TransistorResonanzverstrker (s.u.) benutzt, bei denen der Ausgangskreis auf das -fache der Eingangsfrequenz abgestimmt ist. An diesem ruft d a n n z. B. der mit f\ pulsierende Kollektorstrom nur eine Sinusspannung mit nf\ hervor, die die Ausgangsspannung bildet. Vervielfachungsfaktoren bis zu etwa = 3 sind blich. Bei greren Faktoren mssen mehrere Vervielfacherstufen in einer Kette hintereinandergeschaltet werden. Neben diesen Transistorvervielfachern werden auch und bei hheren Frequenzen fast nur Halbleiterdioden zur Frequenzvervielfachung eingesetzt, und zwar Dioden mit aussteuerungsabhngigem Widerstand (z. B. Schottky-Dioden) oder auch Dioden mit aussteuerungsabhngiger Kapazitt (Varaktordiode). Der maximale Wirkungsgrad (Ausgangsleistung bei nf\ zur Eingangsleistung bei / i ) ist bei Widerstandsdioden 1/n^ und bei Varaktordioden grer als 1/n. Bei einer Vervielfachung auch mit idealen Bauelementen vergrert sich das Phasenrauschen, wie es Fig. 4.176 am Beispiel einer schwach mit der Signalfrequenz phasenmodulierten Trgerfrequenz f\ mit diskreten Seitenbndern im Abstand /, verdeutlicht: Bei gleichem Frequenzabstand vom Trger nimmt die Einseitenband-Rauschleistungsdichte um den F a k t o r n^ zu. In Fig. 4.177 ist eine Schaltung dargestellt, die schon vorwiegend die Oberwelle mit n = 2 anregt, also ein Frequenzverdoppler. Meist wird jedoch mit einem speziellen Filter, das festabgestimmt (grerer Wirkungsgrad) oder durchstimmbar (kleinerer Wirkungsgrad) sein kann, die

Quarzoszillotor

e)
\

Vervielfccher

BandpaRfiller

f / /nt

Ot'

i'ti'-n-A^^ Ol

% 1
b 1 Seitenbnder

( U

03
10MHz 20mW 51,1 n

20 M H z

f^

f
F i g . 4.177 Schaltung zur Frequenzverdopplung d u r c h D i o d e n mit n i c h t l i n e a r e r W i d e r standscharakteristik, nach Scherer (1981) ( D z. B. S c h o t t k y - D i o d e H P 5082-2810)

Fig. 4 .176 Z u r V e r d e u t l i c h u n g d e r Z u n a h m e des P h a s e n r a u s c h e n s bei idealer Vervielfac h u n g , n a c h S c h e r e r (1981) a) b) P Po allgemeine Beziehungen L e i s t u n g s v e r h l t n i s s e f r n = 10 Leistung Bezugsleistung

686

4.3 Hochfrequenz

gewnschte Oberwelle ausgesondert. I n s b e s o n d e r e zur Bereitstellung eines ganzen K a m m e s " v o n O b e r s c h w i n g u n g e n , z. B. bis zur 34. O b e r s c h w i n g u n g einer 5 0 0 - M H z Schwingung, eignen sich Speicher-Schaltdioden (step-recovery-diode). Kommerziell erhltlich sind einzelne Vervielfacher o d e r a u c h ganze Vervielfacherketten mit bis zu etwa 10% Bandbreite. M i t u n t e r enthalten Vervielfacher-Bausteine einen Verstrker bei der A u s g a n g s f r e q u e n z , m i t u n t e r einen internen Quarzoszillator zur Bereitstellung eines geeigneten Signales bei / i . Eine handelsbliche Serie mit Quarzoszillator, Vervielfacher mit Speicher-Schaltdiode und Festfrequenzfilter hat folgende Eigenschaften: Ausgangsfrequenz spezifizierbar zwischen 10 MHz und 11 GHz, relative Frequenzvernderung 3-10 ^ im Temperaturbereich von 0C bis +60C, Langzeitstabilitt 1 10 VTag, typ. Ausgangsleistung 15 mW an 50 fi koaxial; Unterdrckung unerwnschter Oberwellen 30 dB bis 45 dB, Spannungsversorgung 15 V/100 mA bis 28 V/200 mA. Optionen bezglich hherer Stabilitt, eines weiteren Temperaturbereiches, hherer Ausgangsleistung und hherer Oberwellenunterdrckung sind mglich. Ein passiver Vervielfacher aus einer anderen Serie hat folgende Eigenschaften: Eingangsfrequenz 200 MHz bis 400 MHz; YIG-Ausgangsfilter elektronisch durchstimmbar von 1 GHz bis 18 GHz mit Abstimmempfindlichkeit 22MHz/mA, maximale relative Linearittsabweichung 0,15%, maximale Abstimmhysterese 30 MHz, Widerstand der Abstimmspule 8 fl, Temperaturkoeffizient 200 kHz/K. D a s G e g e n s t c k z u m Frequenzvervielfacher ist der F r e q u e n z t e i l e r (1955)). Es gibt verschiedene F u n k t i o n s p r i n z i p i e n : es k a n n (Thiessen

- eine s u b h a r m o n i s c h e S c h w i n g u n g mit nichtlinearen R e a k t a n z e n angeregt werden ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)), - d u r c h ein Signal bei f\ ein G e n e r a t o r bei der F r e q u e n z fi=f\jn (Mitnahmeteiler: S t a n s e l (1942), K i r s c h s t e i n (1943)), synchronisiert werden

- mit Hilfe eines Mischers ( s . u . ) in einem Rckmischteiler ( T h i e s s e n (1955)) eine F r e q u e n z f 2 = f \ / n erzeugt werden, - mit Hilfe eines Frequenzvervielfachers in einer Phasenregelschleife ( P L L , s. u.) die F r e q u e n z f j eines V C O auf fi=f\ln geregelt werden. Eine Frequenzteilung wird oft auch mit digitalen Bausteinen (s. auch 10.2) vorgenommen; ein kommerziell erhltlicher hat folgende Daten: Eingangsfrequenz / i ^ 1,25 GHz; Eingangsempfindlichkeit bei 800 MHz ist 20 mV fr 1 V Ausgangsspannung; n = 64 oder n = 256 programmierbar; Spannungsversorgung 5 V, Verlustleistung 325 mW, Temperaturbereich 0C bis 85C. D a s P h a s e n r a u s c h e n einiger Frequenzteiler mit T r a n s i s t o r e n ist bei S c h e r e r (1979) dargestellt. Z u r F r e q u e n z u m s e t z u n g dienen a u c h M i s c h e r ( J a n s e n (1980), K r a u s s u . a . (1980), Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). Sie werden zwar vielfach in E m p f a n g s s c h a l t u n g e n f r H o c h f r e q u e n z eingesetzt, j e d o c h gelegentlich a u c h in S e n d e s c h a l t u n g e n . Ein Mischer besteht im Prinzip a u s einem nichtlinearen Bauelement: zwei H F - L e i s t u n g e n , deren F r e q u e n z e n mit / l o (Hilfsoszillator, engl, local oscillator, h o h e r Pegel) u n d f \ (Eingangssignal, niedriger Pegel) bezeichnet werden sollen, werden eingespeist, u n d ein Mischprod u k t der F r e q u e n z f i ist d a s Ausgangssignal. Von der Vielzahl der mglichen M i s c h p r o d u k t e wird im allgemeinen eines der F r e q u e n z e n /2 = / l o / I ; = 1,2,3,... (4.302)

ausgenutzt. Bei diesen ist die A m p l i t u d e des Ausgangssignals p r o p o r t i o n a l zu der des Eingangssignals. W i r d = 2 , 3 , 4 , . . . gewhlt, spricht m a n v o m Oberwellenmischer.

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

687

Meist whlt m a n j e d o c h n = 1. Als nichtlineare Bauelemente werden h u f i g , insbesondere bei F r e q u e n z e n im Mikrowellenbereich, H a l b l e i t e r d i o d e n gewhlt. Fig. 4.178 zeigt eine einfache Mischerschaltung. Sie hat a b e r etliche v e r m e i d b a r e Nachteile ( K r a u s s u . a . (1980)); so k a n n u n t e r a n d e r e m die E n t k o p p l u n g der drei Anschlsse f r die verschiedenen F r e q u e n z e n mit symmetrischen Schaltungen wie G e g e n t a k t - M i s c h e r , R i n g m o d u l a tor u n d D o p p e l g e g e n t a k t - M i s c h e r erheblich verbessert werden. Mischer werden nach folgenden G e s i c h t s p u n k t e n charakterisiert: Konversionsverluste: Eingangs-Signalleis t u n g / A u s g a n g s - S i g n a l l e i s t u n g in Dezibel; 1 d B - K o m p r e s s i o n s p u n k t : die Eingangssignalleistung, bei der der Mischer s c h o n so nichtlinear arbeitet, d a die Konversionsverluste u m 1 d B angewachsen sind; E n t k o p p l u n g (engl, isolation): U n t e r d r c k u n g v o n zwei der drei F r e q u e n z e n /LO, /I u n d f ^ a m A n s c h l u f r die dritte F r e q u e n z , z. B. /LQU n t e r d r c k u n g u n d / ( - U n t e r d r c k u n g a m T o r f r f i , Rauschzahl: Signal-zu-Rauschverhltnis a m E i n g a n g dividiert d u r c h Signal-zu-Rauschverhltnis a m A u s g a n g in Dezibel (s. a. 10.7.1.2); U n t e r d r c k u n g u n e r w n s c h t e r M i s c h p r o d u k t e u. a. b e r den Interceptp u n k t dritter O r d n u n g " . Dieser gibt diejenige fiktive Eingangsleistung a n , bei der die Leistung des Nutz-Ausgangssignals der Leistung gewisser u n e r w n s c h t e r M i s c h p r o d u k te gleich wird, die der dritten Potenz der E i n g a n g s s p a n n u n g p r o p o r t i o n a l sind u n d d u r c h zwei b e n a c h b a r t e Eingangssignale / n u n d f \ 2 verursacht werden, Fig. 4.179. Bei der A u s w a h l eines Mischers ist weiterhin zu p r f e n , o b die spezifizierten F r e q u e n z b e r e i c h e den A n f o r d e r u n g e n entsprechen u n d o b d a s G e h u s e u n d die H F - A n s c h l s s e geeignet sind (meist koaxial, 50 Q , a b e r a u c h Ltstifte o d e r Hohlleiter). Mischer sind erhltlich f r E i n g a n g s f r e q u e n z e n v o n einigen Kilohertz bis zu b e r 100 G H z .

-w-

in dBm Fig. 4.178 Einfache Mischerschaltung, nach K r a u s s u. a . ( 1 9 8 0 ) "lo Uq PR W e c h s e l s p a n n u n g mit F r e q u e n z / l o W e c h s e l s p a n n u n g mit F r e q u e n z / i G l e i c h s p a n n u n g zur Arbeitspunkteinstellung der D i o d e Parallelresonanzkreis abgestimmt auf Frequenz f i Fig. 4.179 Z u r Definition des Interceptpunktes dritter O r d n u n g " N N u t z s i g n a l e bei F r e q u e n z e n / l o / i i

und/Lo/i2
S S t r s i g n a l e bei F r e q u e n z e n

/Lo(2/,2-/M)und bei /lo(2/-/.2)


I Interceptpunkt dritter O r d n u n g " d B m a u f I m W b e z o g e n e u n d in D e z i bel a n g e g e b e n e L e i s t u n g

Ein typischer, breitbandiger Doppel-Gegentakt-Mischer fr relativ hohe Leistungen hat folgende Eigenschaften: maximale Eingangsleistung 100 mW; Frequenzen / l o und / von 50 kHz bis 200 MHz; Frequenzen / von Null bis 200 MHz; Konversionsverluste und Rauschzahl etwa 6,5 dB; 1 dB-Kompressionspunkt 10 mW; Entkopplung des Hilfsoszillators am/-Anschlu 45 dB und am /-Anschlu 40 dB; Interceptpunkt dritter Ordnung" etwa 10 dB ber dem 1 dB-KompressionsPunkt; Temperaturbereich - 5 0 C bis + 100C.

688

4.3 Hochfrequenz

Ein anderer, typischer Oberwellenmischer hat bei /LO = 600MHZ, / , = 30,03 GHZ, /2 = 30MHZ

( = 50) und einer Hilfsoszillator-Leistung von 10 mW etwa 43 dB Konversionsverluste und eine /Lo//i-Entkopplung von mehr als 25 dB; maximale Hilfsoszillator-Leistung ist 100 mW; Anschlsse fr / l o und f i sind koaxial, 50 Q und fr / i in Hohlleitertechnik. Mischer mit Gleichrichterdioden als nichtlinearen Elementen zeigen stets Konversionsverluste. D a g e g e n ist bei A u f w r t s m i s c h e r n ( / 2 > / i ) mit nichtlinearen R e a k t a n z e n (z. B. V a r a k t o r d i o d e n ) sogar eine K o n v e r s i o n s v e r s t r k u n g mglich, u n d zwar bis zu d e m F a k t o r / 2 / / 1 . Solche A u f w r t s m i s c h e r werden f r relativ h o h e Signalleistungen h u f i g in S e n d e r n v o n M i k r o w e l l e n - R i c h t f u n k s t r e c k e n eingesetzt. A u c h mit Transistoren als nichtlinearem E l e m e n t ist eine K o n v e r s i o n s v e r s t r k u n g mglich, mit ihnen sogar bei A u f w r t s - u n d A b w r t s m i s c h u n g ; F e l d e f f e k t t r a n s i s t o r e n sind dabei Bipolar-Transistoren vorzuziehen, weil mit ihnen weniger u n e r w n s c h t e M i s c h p r o d u k t e erzielt werden. T r a n s i s t o r m i s c h e r arbeiten bis etwa 10 G H z ; f r Einzelheiten zu T r a n s i s t o r m i s c h e r n siehe J a n s e n (1980), K r a u s s u. a. (1980), U n g e r (1994), Z i n k e u. B r u n s w i g (1987). Eine besondere A r t der F r e q u e n z u m s e t z u n g ist die M o d u l a t i o n ; eine Trgerschwing u n g / o wird dabei in ihrer F r e q u e n z , Phase o d e r A m p l i t u d e mit einer F r e q u e n z f \ < fo g e n d e r t . hnlich wie bei der M i s c h u n g entstehen dabei neue F r e q u e n z k o m p o n e n t e n . Die M o d u l a t i o n ist b e s o n d e r s bei der N a c h r i c h t e n b e r t r a g u n g v o n B e d e u t u n g . A b e r auch in der H o c h f r e q u e n z m e t e c h n i k wird zur Steigerung der Meempfindlichkeit (s. 4.3.2.2) h u f i g der T r g e r / q mit einer F r e q u e n z f \ = 1 k H z ein- u n d ausgeschaltet (rechteckmoduliert). D a s geschieht z u m Teil d u r c h Schalten der V e r s o r g u n g s s p a n n u n gen a m Oszillator; viele der o b e n beschriebenen, kommerziell erhltlichen Oszillatoren bzw. ihre Netzgerte h a b e n V o r r i c h t u n g e n d a f r . M i t u n t e r wird a b e r auch d a s Signal eines im D a u e r s t r i c h betriebenen Oszillators d u r c h einen H F - S c h a l t e r getastet. D a f r eignen sich z. B. P I N - D i o d e n (s. 4.3.3.10). Frequenzvervielfacher u n d Mischer h a b e n oft weit kleinere Ausgangsleistungen als G r u n d w e l l e n o s z i l l a t o r e n derselben A u s g a n g s f r e q u e n z . I n s b e s o n d e r e im Mikrowellenbereich verwendet m a n deshalb u n t e r U m g e h u n g v o n Verstrkern o f t weiterhin G r u n d w e l l e n o s z i l l a t o r e n , die bei Bedarf aber mit einem weit n i e d e r f r e q u e n t e r e n Signal, z. B. von einem Quarzoszillator s y n c h r o n i s i e r t werden. So k a n n das P h a s e n r a u s c h e n des GrundwellenoszHlators u n d a u c h seine F r e q u e n z n d e r u n g e n a u f g r u n d von Schwank u n g e n der T e m p e r a t u r und der G l e i c h s p a n n u n g s v e r s o r g u n g weitgehend reduziert werden. Eine Mglichkeit zur S y n c h r o n i s a t i o n ist die M i t n a h m e (engl, injection locking). D a b e i wird ein Signal der A u s g a n g s f r e q u e n z / u n d mit relativ kleiner Leistung Pi, das z. B. ber eine Vervielfacherkette von einem Quarzoszillator abgeleitet w u r d e , in den G r u n d wellenoszillator injiziert. W e n n die F r e i l a u f f r e q u e n z des Grundwellenoszillators innerhalb der halben L o c k - B a n d b r e i t e
A / _ /

V W

(4.303)

CiL

(Po = Oszillator-Ausgangsleistung, = w i r k s a m e (belastete) G t e des f r e q u e n z b e s t i m m e n d e n Kreises im Oszillator) v o n / e n t f e r n t liegt, n i m m t er die F r e q u e n z / des synchronisierenden Signales an. Wegen P i < P o u n d Q\ > 1 sind mit dieser Schaltung nur kleine M i t n a h m e - B a n d b r e i t e n mglich ( B a p r a w s k i u . a . (1976)). G r e r e M i t n a h m e - B a n d b r e i t e n werden mit P h a s e n r e g e l s c h l e i f e n (engl, phaselocked l o o p , P L L ) erreicht ( B e s t (1976)). Fig. 4.180 zeigt d a s grundlegende Prinzip: Ein

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

689

kleiner Teil der Ausgangsleistung eines V C O wird neben d e m Referenzsignal / a u f eine Phasenvergleichsschaltung (Multiplizierer) gegeben, deren A u s g a n g s s p a n n u n g z. B. linear von der P h a s e n d i f f e r e n z der H F - S p a n n u n g e n a b h n g t . Verstrkt u n d mit einem T i e f p a gefiltert steuert diese S p a n n u n g die F r e q u e n z des V C O d e r a r t , d a sie g l e i c h / wird. 0
dBlc,1Hzl -1.0 -60

N. N
\

>
T

oc/

-120 VCO

10'

10'

10' Hz 10'

Fig. 4.180 G r u n d p r i n z i p einer Phasenregelschleife A(p Phasenvergleichsschaltung V C O spannungsgesteuerter Oszillator (voltage controlled oscillator)

Fig, 4.181 Einseitenband-Phasenrauschleistungsdichte i(/m) eines 94 G H z - G u n n - O s z i l l a t o r s iin A b s t a n d von der Trgerfrequenz, nach C r a n d e l l u. B e r n u e s (1980) freilaufender Oszillator O s z i l l a t o r mit P h a s e n r e g e l s c h l e i f e

I n n e r h a l b der B a n d b r e i t e des Tiefpasses u m d e n Trger h e r u m werden a u c h die P h a s e n s c h w a n k u n g e n des V C O bis auf den Beitrag des Referenzsignales ausgeregelt (Fig. 4.181). In p r a k t i s c h e n Schaltungen von M i k r o w e l l e n g e n e r a t o r e n wird oft der Phasenvergleich bei einer Z w i s c h e n f r e q u e n z ( G r e n o r d n u n g 100 H z ) d u r c h g e f h r t , auf die ein Teil des Oszillatorsignales mit einem Oberwellenmischer u n d einem aus d e m Referenzsignal abgeleiteten Signal heruntergemischt wird. D a f r v e r w e n d b a r e Synchronisiergerte mit einstellbarem Verstrker u n d Filter, sowie ausgelegt f r verschiedene Typen von V C O ' s sind im H a n d e l erhltlich. Es gibt a b e r a u c h k o m p l e t t e P L L Oszillatoren bis zu etwa 100 G H z , die einschlielich R e f e r e n z g e n e r a t o r ( Q u a r z ) alle z u m Betrieb erforderlichen Bausteine e n t h a l t e n . Ein solcher Oszillator hat beispielsweise folgende Eigenschaften; varaktorabgestimmter Transistoroszillator mit Koaxialresonator: Ausgangsfrequenz von 770 MHz bis 920 MHz je nach Quarzfrequenz; minimale Ausgangsleistung 250 mW, koaxial, 50 ; ESB-AM-Rauschunterdrckung grer als 138 dB bei = 10 kHz; Unterdrckung unerwnschter Oberwellen 40 dB bis 60dB; relative nderung der Frequenz | A / | / / < 2 , 5 - 10 ' und der Ausgangsleistung 0,75dB im Temperaturbereich -30C bis ^ 70C; Spannungsversorgung: - 2 8 V stabilisiert, 400 mA; Funktionsanzeige fr Phasenregelung durch LED und 5-V-Signal; verschiedene Optionen, z. B. relative Frequenzstabilitt 1-10 sind mglich. HF-Leistungsverstrker e r h h e n die Ausgangsleistung, die m a n von Oszillatoren u n d F r e q u e n z u m s e t z e r n erhlt. M a n beurteilt H F - L e i s t u n g s v e r s t r k e r u. a. nach folgenden G e s i c h t s p u n k t e n : F r e q u e n z b e r e i c h , m a x i m a l e Ausgangsleistung, A u s g a n g s i m p e danz, V e r s t r k u n g s f a k t o r , 1 d B - K o m p r e s s i o n s p u n k t , I n t e r c e p t p u n k t e " zweiter u n d h h e r e r O r d n u n g (hnlich wie bei Mischern). F e r n e r k n n e n auch der P h a s e n g a n g eines Verstrkers u n d sein R a u s c h v e r h a l t e n von Interesse sein sowie S c h u t z s c h a l t u n gen gegen Z e r s t r u n g bei falscher Bedienung, etwa F e h l a n p a s s u n g a m Ausgang. Bis

690

4.3 Hochfrequenz

zu einigen h u n d e r t W a t t bei 10 M H z , bis zu maximal 100 W bei 1 G H z sowie bis zu etwa 1 W bei 10 G H z werden meist T r a n s i s t o r v e r s t r k e r b e n u t z t , f r h h e r e Leistungen R h r e n v e r s t r k e r . M a n unterscheidet zwischen B r e i t b a n d - u n d S c h m a l b a n d (Resonanz-)Verstrkern. R e s o n a n z v e r s t r k e r mssen auf die benutzte F r e q u e n z abges t i m m t werden; sie h a b e n oft eine sehr a u s s t e u e r u n g s a b h n g i g e V e r s t r k u n g u n d werden deswegen vorwiegend f r Dauerstrichsignale o d e r getastete Signale eingesetzt. B r e i t b a n d v e r s t r k e r gleicher m a x i m a l e r V e r s t r k u n g sind komplizierter, vers t r k e n j e d o c h linear u n d sind universell einsetzbar. Sie sind oft m e h r s t u f i g aufgeb a u t . Ein Selbstbau von H F - V e r s t r k e r n erscheint f r den F r e m d f a c h m a n n h c h stens bis zu Leistungen von u n g e f h r 10 W u n d F r e q u e n z e n v o n u n g e f h r 10 M H z sinnvoll z . B . nach J a n s e n (1980), K o c h (1976) o d e r K r a u s s u . a . (1980). K o m m e r zielle, transistorisierte H F - L e i s t u n g s v e r s t r k e r bis in den G i g a h e r t z b e r e i c h gibt es in einer Vielzahl von A u s f h r u n g s f o r m e n , etwa als integrierte Schaltung von 100 H z bis 850 M H z bei 15 m W Ausgangsleistung oder als betriebsfertige L a b o r a t o r i u m s g e r t e mit E i n r i c h t u n g e n z u m K o n s t a n t h a l t e n der Ausgangsleistung u n d mit u m s c h a l t b a r e r V e r s t r k u n g . F r sehr h o h e Leistungen sind a u c h r h r e n b e s t c k t e G e r t e erhltlich. I m Mikrowellenbereich werden d a f r vor allem W a n d e r f e l d r h r e n u n d M e h r k a m mer-Klystrons benutzt; ihre F u n k t i o n s p r i n z i p i e n sind hnlich wie die v o n R c k w r t s w e l l e n r h r e n bzw. Reflexklystrons ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987). Eine P r o d u k t bersicht mit M i k r o w e l l e n - H o c h l e i s t u n g s v e r s t r k e r n bis zu 35 k W ist in ( M a r k e t G r o w t h ... 1981) zu finden. HF-Mesender sind betriebsfertige Generatoren, in denen die Hochfrequenzleistung mit den bisher in diesem Unterabschnitt beschriebenen Gerten und Baugruppen erzeugt wird. Sie sind oft mit verschiedenartigen Zusatzfunktionen, z. B. mit Modulationsmglichkeit und variabler Dmpfung ausgerstet, um sie im Laboratorium vielseitig einsetzen zu knnen. Bei einfacheren Mesendern wird die Frequenz analog von Hand eingestellt. Aufwendigere Gerte sind Wobbeigeneratoren und dekadische Mesender. Bei den Wobbeigeneratoren (engl, sweep oscillator) lt sich der Anfang und das Ende eines Frequenzbereiches einstellen, den das Ausgangssignal periodisch durchluft. Wobbeigeneratoren dienen zur Messung des Frequenzganges von Hochfrequenz-Bauelementen und -Schaltungen. Eine vom Wobbeigenerator gelieferte Spannung, die proportional zur Momentanfrequenz ist, wird dabei zur Horizontal-Ablenkung in einem Kathodenstrahl-Oszilloskop oder auf einem x-ySchreiber verwendet. Die Vertikalablenkung erfolgt dann aus dem gleichgerichteten HF-Signal an der zu untersuchenden Stelle der Schaltung. Wobbeigeneratoren gibt es im Frequenzbereich von unter 100 kHz bis zu etwa 300 GHz. Der maximale Wobbeibereich ist unterschiedlich gro, etwa 10 kHz bis 2,6 GHz bei mittleren Frequenzen oder 33 GHz bis 50 GHz mit einer Rckwrtswellenrhre im Millimeterwellenbereich. Moderne Wobbeigeneratoren knnen oft extern gesteuert werden. Eine andere Art der Mesender sind die dekadischen Mesender; (auch Frequenzdekade, englsynthesizer, synthesized signal generator); das sind Generatoren, deren einstellbare Ausgangsfrequenz von einer einzigen konstanten Steuerfrequenz abgeleitet wird. Sie unterscheiden sich von den freischwingenden Generatoren durch die wesentlich hhere Frequenzgenauigkeit. Die Frequenz wird in ihnen durch Mischung, Frequenzteilung, PLL-Technik oder auch Rechnersynthese aufbereitet. Dekadische Mesender knnen grundstzlich digital eingestellt werden. Sie eignen sich damit besonders fr Bedienung ber Tasten mit Mikroprozessorsteuerung sowie fr die Verwendung in automatischen Testsystemen mit zentraler Steuerung. Dekadische Mesender sind erhltlich mit Ausgangsfrequenzen etwa zwischen 10 kHz und 100 GHz.

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen 4.3.2.2 Nachweis

691

F r die M e s s u n g v o n H o c h f r e q u e n z l e i s t u n g e n o b e r h a l b etwa 10 mit B o l o m e t e r n siehe 4.3.4.1. H i e r soll der Nachweis kleinerer Leistungen beschrieben werden. In Fig. 4.182 sind drei A r t e n von S c h a l t u n g e n d a f r gezeigt. Die einfachste ist die direkte Gleichrichtung (Fig. 4.182a), blicherweise mit einer Halbleiterdiode. D a b e i ist f r kleine H F - L e i s t u n g e n die A u s g a n g s s p a n n u n g p r o p o r t i o n a l z u m Q u a d r a t der H F E i n g a n g s s p a n n u n g (sog. q u a d r a t i s c h e r D e t e k t o r o d e r Videodetektor), bei g r e r e n H F Leistungen direkt p r o p o r t i o n a l der H F - E i n g a n g s s p a n n u n g (sog. linearer D e t e k t o r oder D e m o d u l a t o r ) . U m Einflsse d u r c h das 1 / / R a u s c h e n des Gleichrichters zu v e r m i n d e r n ,

Vf. (inn^nnffl
bl

W - 0
SWR-M l.G w NFV 1 1 - H / C D> 1 OX 1 L u ZFV 2.G w 0 1

EM

/OO-

>

ZFG

NFV

NFG 0

OX C

[>

LO

C|
Fig. 4.182 Hochfrequenz-Nachweisschaltungen a) V i d e o d e t e k t o r , b ) n i e d e r f r e q u e n t e T a s t u n g , c) b e r l a g e r u n g s e m p f n g e r , G G l e i c h r i c h t e r , A A n zeige, N F V N i e d e r f r e q u e n z v e r s t r k e r , S W R - M S W R - M e t e r , E M E m p f a n g s m i s c h e r , Z F V Z w i schenfrequenzverstrker, Z F G Zwischenfrequenzgleichrichter, N F G Niederfrequenzgleichrichter, LO H i l f s o s z i l l a t o r , M o d u l a t i o n s f r e q u e n z , / , Zwischenfrequenz

wird das Mesignal o f t getastet, z . B . mit / m = l k H z , u n d d a n n mit einer S c h a l t u n g g e m Fig. 4.182 b angezeigt. G e r t e d a f r sind u n t e r der Bezeichnung S W R - M e t e r " erhltlich. Die kleinste nachweisbare H F - L e i s t u n g liegt mit V i d e o d e t e k t o r e n u n d einer N F - B a n d b r e i t e von 1 M H z bei g r e n o r d n u n g s m i g 10 ' W ; mit b e r l a g e r u n g s e m p fngern nach F i g . 4 . 1 8 2 c lt sie sich drastisch verkleinern (s.u.). Sie wird in beiden Fllen begrenzt d u r c h das interne R a u s c h e n der Nachweisschaltung. Z u r Beschreibung dienen bei V i d e o d e t e k t o r e n u. a. die G r e n NEP u n d TSS. Die r a u s c h q u i v a l e n t e Leistung NEP (noise equivalent power) ist die H F - E i n g a n g s l e i s t u n g , die mit einem 1 HzT i e f p a zwischen Gleichrichter u n d Anzeige in Fig. 4.182 a bei rauschfrei a n g e n o m m e nem Gleichrichter die gleiche Anzeige b e w i r k e n w r d e , wie d a s R a u s c h e n des realen Gleichrichters allein. Die tangentiale Signalempfindlichkeit TSS (tangential signal sensitivity) ist die H F - E i n g a n g s l e i s t u n g , die bei einer Anzeige mit d e m Oszilloskop die untersten Rauschspitzen auf g e n a u den Pegel legt, bei d e m o h n e H F die obersten Rauschspitzen liegen. Es gilt. TSS = NEP + 4 + 5 log {B/Bf,) u n d NEP in d B m , B in H z , q = 1 H z ) ' ) (4.304)

(Z. W. TSS

') d B m - a u f 1 m W b e z o g e n e u n d in D e z i b e l a n g e g e b e n e L e i s t u n g .

692

4.3 Hochfrequenz

mit B als Anzeige-Bandbreite. Bei linearen N a c h w e i s s c h a l t u n g e n , z. B. beim berlager u n g s e m p f n g e r mit linearer Z F - G l e i c h r i c h t u n g wird das interne R a u s c h e n wie auch sonst bei linearen Vierpolen d u r c h die Begriffe Signal-Rausch-Verhltnis, R a u s c h z a h l u n d R a u s c h t e m p e r a t u r beschrieben (s. 10.7.1). Ein b e r l a g e r u n g s e m p f n g e r wird weiterhin gekennzeichnet d u r c h folgende Begriffe: E i n g a n g s f r e q u e n z ; Empfindlichkeit: z. B. die E m p f n g e r e i n g a n g s s p a n n u n g , die ein spezifiziertes Signal-Rauschverhltnis a m A u s g a n g der Z F - S t u f e erzeugt; Selektivitt: U n t e r d r c k u n g u n e r w n s c h t e r Signale, z. B. d u r c h Filter vor d e m Mischer in Fig. 4.182c zur Spiegelfrequenz- u n d Z w i s c h e n f r e q u e n z u n t e r d r c k u n g sowie Z F - F i l t e r zur U n t e r d r c k u n g von Signalen, die d e m Mesignal u n m i t t e l b a r b e n a c h b a r t sind; U n t e r d r c k u n g u n e r w n s c h t e r M i s c h p r o d u k t e : I n t e r m o dulations-, Kreuzmodulationsfestigkeit. Die Empfindlichkeit von HF-Nachweisschaltungen kann gesteigert werden, wenn man phasenselektive Gleichrichter verwendet und diese sowohl mit dem Empfangssignal ansteuert wie auch mit einem Signal, das phasenstarr mit dem Sendesignal gekoppelt ist. Dieses Signal ist bei rtlicher Nachbarschaft von Sender und Empfnger meist leicht verfgbar. Wenn das phasenstarre Signal das HF-Ausgangssignal des Senders ist, nennt man das Nachweisverfahren Synchronmischung"; wenn es ein Modulationssignal des Senders ist, heit das Nachweisgert niederfrequenter Kohrentdetektor" (Groll (1969)). ftv
Eingang

jAusgang

Hl-r-W5on = :
Ol Eingang Ausgang Ausgang

<>^500

H h r ^ 5on

- r

-N-

IH

Fig. 4.183 Zur Gleichrichtung von Hochfrequenz a ) Prinzipielle K e n n l i n i e einer S c h o t t k y - D i o d e , b ) V i d e o d e t e k t o r mit e x t e r n e r A r b e i t s p u n k t einstellung, c) V i d e o d e t e k t o r o h n e e x t e r n e A r b e i t s p u n k t einstellung, d) A m p l i t u d e n - D e m o d u l a t i o n mit Hllkurvendetektor RL L a s t w i d e r s t a n d / e x t e r n e i n z u s t e l l e n d e r G l e i c h s t r o m C Kapazitt

Direkte Gleichrichtung Z u r Gleichrichtung im H o c h f r e q u e n z b e r e i c h werden meist M e t a l l - H a l b l e i t e r - b e r g n g e , n m l i c h P u n k t k o n t a k t d i o d e n u n d vor allem S c h o t t k y D i o d e n verwendet. Die prinzipielle G l e i c h s t r o m - G l e i c h s p a n n u n g s - C h a r a k t e r i s t i k zeigt Fig. 4.183a. Z u r G l e i c h r i c h t u n g s c h w a c h e r H o c h f r e q u e n z s c h w i n g u n g e n wird der Arb e i t s p u n k t der D i o d e oft auf den P u n k t g r t e r K r m m u n g eingestellt, etwa nach Fig. 4.183b mit 5 n A < / < 200 nA. F r D i o d e n , die keine V o r s p a n n u n g b r a u c h e n (zero bias) o d e r wenn eine geringere E m p f i n d l i c h k e i t ausreicht, eignet sich eine Schaltung nach Fig. 4.183c. Mit a u f w e n d i g e r e n Schaltungen sind bei kleinerer H F - B a n d b r e i t e grere E m p f i n d l i c h k e i t e n f r V i d e o d e t e k t o r e n zu erreichen. Als linearer D e t e k t o r ( A M - D e m o d u l a t o r ) bei g r e r e n H F - L e i s t u n g e n eignet sich der H l l k u r v e n d e t e k t o r nach Fig. 4.183d, bei d e m sich der A r b e i t s p u n k t der D i o d e d u r c h den S p a n n u n g s a b f a l l an u n d C in den Sperrbereich legt. N u r die Spitzen des H o c h f r e q u e n z s i g n a l s laden d a n n die K a p a z i t t C i m m e r wieder neu auf ( Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). F r die D e m o d u l a t i o n f r e q u e n z m o d u l i e r t e r Signale wird auf Spezialliteratur, z . B . Z i n k e u. B r u n s w i g (1987), K r a u s s u. a. (1980) verwiesen.

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

693

D e t e k t o r e n werden noch d u r c h ihre S p a n n u n g s e m p f i n d l i c h k e i t (AT-Faktor) u n d S t r o m empfindlichkeit beschrieben. Diese Bezeichnungen geben die Q u o t i e n t e n n d e r u n g der A u s g a n g s s p a n n u n g bzw. A u s g a n g s s t r o m s t r k e d u r c h n d e r u n g der H F - E i n g a n g s l e i stung" an. - Es sind sowohl einzelne D i o d e n f r D e t e k t o r e n erhltlich wie a u c h fertige Detektoren. Daten eines typischen Detektors mit Schottky-Diode sind: Frequenzbereich 0,1 GHz bis 1,0 GHz; TSS = -52dBm in 2MHz-Video-Bandbreite; T-Faktor 2V/mW; Vorstromstrke 100nA (kein Vorstrom bei Detektor mit sog. Zero-Bias-Schottky-Diode); quadratischer Bereich von TSS bis -15dBm; linearer Bereich beginnt bei etwa OdBm; irreversible berlastung (Zerstrung der Diode, (engl, burnout)) bei +20dBm; koaxiale Anschlsse beim HF-Eingang und beim VideoAusgang. Bei hohen Frequenzen sind Detektoren in Hohlleitertechnik ausgefhrt, jedoch mit koaxialem Video-Ausgang. Die Spannungsempfindlichkeit nimmt zu hohen Frequenzen hin ab. So haben Mikrowellen-Breitbanddetektoren etwa K-Faktoren von 200 mV/mW (26,5 GHz bis 40 GHz) bzw. 75 mV/mW (140 GHz bis 220 GHz). Als Optionen werden Detektoren hufig mit angepatem Lastwiderstand zur Verbesserung der quadratischen Kennlinie angeboten oder auch als Prchen Von zwei ausgesuchten Detektoren mit mglichst gleichen Eigenschaften. Neben Schottky-Dioden werden als Detektoren gelegentlich auch Tunneldioden und Rckwrtsdioden verwendet. Das Eigenrauschen von Detektoren kann vermindert werden durch Khlung. Fig. 4.184 zeigt die NEP von experimentellen, gekhlten Mikrowellendetektoren: neben Schottky-Detektoren bei Umgebungstemperatur (300 K) solche, die auf 77 K gekhlt sind. Super-Schottky-Detektoren (bergang Supraleiter-Halbleiter), SIS-Detektoren (Supraleiter-Isolator-Supraleiter) und Detektoren, die den Josephson-Effekt ausnutzen (Pedersen (1980)).
Sch nnnk juur

10"' w

110"" J0-" u
Fig. 4.184 R a u s c h q u i v a l e n t e L e i s t u n g NEP v o n g e k h l t e n M i k r o w e l l e n - V i d e o - D e t e k t o r e n ( 1 - H z - T i e f p a zwischen G l e i c h r i c h t e r u n d A n z e i g e ) Sch S c h o t t k y - D i o d e SuSch Super-Schottky-Diode SIS S I S - E l e m e n t ( S u p r a l e i t e r - I s o l a t o r - S u p r a l e i t e r ) J o s D e t e k t o r mit J o s e p h s o n - E l e m e n t ( S u p r a l e i tung) isch 300K 'Sch77K + SuSch/.K jSuSchlK
+

10'"

Jos Jos, osis

SuSch oSlS

10-" 10

10'

10'

GHz

10^

Frequenz

Empfangsmischer ( J a n s e n (1980), H e n n e (1974), K r a u s s u . a . (1980)) sind meist A b w r t s m i s c h e r . Sie werden d u r c h dieselben Begriffe charakterisiert wie Sendemischer (s. 4.3.2.1); besonders wichtig sind j e d o c h die Konversionsverluste (passive Mischer, D i o d e n ) bzw. die M i s c h v e r s t r k u n g (aktive Mischer, T r a n s i s t o r e n ) u n d die Rauschzahl. Die Rauschzahl k a n n als E i n s e i t e n b a n d - R a u s c h z a h l o d e r Z w e i s e i t e n b a n d r a u s c h z a h l angegeben werden, je nach der A n n a h m e , o b d a s Rauschen n u r bei der Signalfrequenz ( A o / i ) o d e r auch bei der Spiegelfrequenz (/LO + / i ) erzeugt wird. D i o d e n - E m p f a n g s -

694

4.3 Hochfrequenz

mischer gibt es f r d e n g e s a m t e n Bereich der H o c h f r e q u e n z t e c h n i k . Aktive Mischer gibt es als integrierte Schaltungen (IS) f r E i n g a n g s f r e q u e n z e n bis zu einigen h u n d e r t Megahertz. Eigenschaften einer solchen IS sind: Bipolare Schaltung, symmetrischer Aufbau, hchste Eingangsfrequenz 200 MHz, Rauschzahl 7 dB, Mischverstrkung 16,5 dB. Spannungsversorgung 12 V/2,2 mA. Vielfach werden aktive Mischer a u c h mit F e l d e f f e k t t r a n s s i s t o r e n a u f g e b a u t ; bei ihnen h n g t der D r a i n - S t r o m in guter N h e r u n g q u a d r a t i s c h v o n der G a t e - S p a n n u n g ab. D a d u r c h ergeben sich relativ wenige u n e r w n s c h t e M i s c h p r o d u k t e . I n s b e s o n d e r e G a A s F E T - M i s c h e r werden f r E i n g a n g s f r e q u e n z e n bis b e r 10 G H z g e b a u t , z. B. mit einer Z w e i s e i t e n b a n d - R a u s c h z a h l von 5,2 d B u n d einer M i s c h v e r s t r k u n g von 8 d B bei einer E i n g a n g s f r e q u e n z von 10 G H z u n d einer A u s g a n g s f r e q u e n z von 150 M H z . F r h h e r e F r e q u e n z e n werden fast ausschlielich D i o d e n m i s c h e r verwendet, meist mit SchottkyD i o d e n . D i e R a u s c h t e m p e r a t u r , die mit solchen Varistor-Mischern im Mikrowellengebiet im gnstigsten Fall bei geringen B a n d b r e i t e n erreicht werden k a n n , ist in Fig. 4.185 links o b e n zu sehen. G e w h n l i c h liegt sie j e d o c h berall o b e r h a l b etwa 800 K. G e m 10.7.1.2 geht die R a u s c h z a h l des Z w i s c h e n f r e q u e n z v e r s t r k e r s in die G e s a m t r a u s c h z a h l der E m p f a n g s s c h a l t u n g entscheidend mit ein. D e s h a l b werden D i o d e n - E m p f a n g s m i scher h u f i g auch mit p a s s e n d e m Z w i s c h e n f r e q u e n z - V o r v e r s t r k e r a n g e b o t e n . Daten eines solchen recht guten Bausteines sind: Mittenfrequenz 35 GHz; Bandbreite 0,03 GHz bis 1 GHz; maximale Zweiseitenband-Empfngerrauschzahl 3,2dB; Mischverstrkung 25 dB; erforderliche Hilfsoszillator-Leistung 1 mW.

Fig. 4.185 Kleinste erreichte R a u s c h t e m p e r a t u r ^ ( f r MischerEinseitenband-Rauschtemperatur) und Rauschzahl F (s. 1 0 . 7 . 1 ) v o n E i n g a n g s s t u f e n e m p f i n d l i c h e r M i k r o w e l l e n e m p f n g e r als F u n k t i o n d e r F r e q u e n z / : V a r i s t o r - M i s c h e r ( 3 0 0 K , 15 K ) , G a A s - F E T s ( 3 0 0 K ) , gekhlte parametrische Verstrker, Indium-Antimonid-Bolometer (4K), Maser ( 4 K ) sowie Quanteng r e n z e 2hf/k u n d V X * O A A V a r i s t o r - M i s c h e r b e i 20 K b z w . 15 K Josephson-Mischer J o s e p h s o n - M i s c h e r m i t 1,2 d B M i s c h v e r s t r kung SIS-Mischer Super-Schottky-Mischer parametrische Josephson-Verstrker GaAs-HEMT InP-HEMT Verstrker mit G a A s - H E M T

4.3.2 Erzeugung und Nachweis hochfrequenter elektrischer Schwingungen

695

Das Khlen von Dioden-Mischern reduziert die Rauschtemperatur deutlich, sie stehen dann aber in Konkurrenz zu anderen Kryo-Mischern wie Josephson-Mischer (niedriger 1 dB-Kompressionspunkt), SIS-Mischer, Super-Schottky-Mischer (Pedersen (1980), Kollberg (1980)), Fig. 4.185. Die Konversionsverluste guter D i o d e n m i s c h e r liegen etwa zwischen 3 d B u n d 10 dB. Hochfrequenzverstrker werden in Nachweisschaltungen gelegentlich vor d e m D e t e k t o r oder d e m Mischer a n g e o r d n e t , u m das Signal-Rauschverhltnis zu verbessern. Diese Verstrker mssen d a n n eine kleine R a u s c h z a h l besitzen; weiter werden sie wie Sendeverstrker charakterisiert (s. 4.3.2.1). Die R a u s c h z a h l n i m m t mit kleiner werdender B a n d b r e i t e des Verstrkers a b . E x t r e m r a u s c h a r m e Verstrker sind deshalb S c h m a l b a n d v e r s t r k e r . F r bliche A n f o r d e r u n g e n u n d bis etwa 30 M H z k n n e n solche Eingangsverstrker mit bipolaren, in der V e r s t r k u n g eventuell regelbaren, integrierten Schaltungen (IS) aus der U n t e r h a l t u n g s e l e k t r o n i k a u f g e b a u t werden, die auch noch Mischer, Hilfsoszillator u n d D e m o d u l a t o r enthalten k n n e n . Eine derartige kufliche IS ist z. B. ausgelegt fr Eingangsfrequenzen von 0 MHz bis 30 MHz, Zwischenfrequenzen von 0,2 MHz bis 1 MHz und die Frequenzen eines externen Hilfsoszillators von 0,5 MHz bis 31 MHz; der Signal-Rausch-Abstand am Demodulator-Ausgang betrgt 6 dB fr eine Hochfrequenz-Eingangsspannung von 2,5 ^V and 50 Cl. F r h h e r e A n f o r d e r u n g e n u n d f r F r e q u e n z e n bis etwa 1 G H z gibt es bipolare Verstrker wahlweise mit Koaxialanschlssen o d e r mit Ltstiften z u m E i n b a u in gedruckte Schaltungen. Ein fr seine Bandbreite recht rauscharmer mehrstufiger Verstrker hat etwa folgende Eigenschaften: Eingangsfrequenzbereich 100 Hz bis 1 GHz; Verstrkung 37 dB; Rauschzahl 5,3 dB; 1 dBKompressionspunkt 8dBm; Interceptpunkt" 24dBm; Spannungsversorgung 15 V/85 mA. F r etwas kleinere B a n d b r e i t e n , z . B . 5 M H z bis 1 1 0 M H z , werden a u c h B r e i t b a n d Verstrker mit R a u s c h z a h l e n v o n 1,5 d B a n g e b o t e n . I m F r e q u e n z b e r e i c h v o n etwa 1 G H z bis 20 G H z werden E m p f a n g s v e r s t r k e r mit G a A s - F E T s gebaut. Die H F - E i n u n d A u s g n g e sind wieder wahlweise koaxial o d e r als Ltstifte zu h a b e n . Die im L a b o r a t o r i u m z. Z. kleinstmgliche R a u s c h z a h l s c h m a l b a n d i g e r G a A s - F E T - V e r s t r kerstufen ist in Fig. 4.185 eingezeichnet. Ein sehr guter kuflicher Verstrker hat etwa folgende Daten: Frequenzbereich 3,7 GHz bis 4,2 GHz; Rauschzahl 1,1 dB; Verstrkung 50 dB mit max. Schwankungen von 0,5 dB im Frequenzbereich; 1 dB-Kompressionspunkt lOdBm; Interceptpunkt 3. Ordnung" 20dBm; Spannungsversorgung 15 V bei 110 mA; Koaxialanschlsse fr HF. B r e i t b a n d - G a A s - F E T - V e r s t r k e r h a b e n bei diesen F r e q u e n z e n eine R a u s c h z a h l v o n mindestens 4,5 d B ( f r B a n d b r e i t e 4,0 G H z bis 8,0 G H z ^ N o c h bessere Rauscheigenschaften als G a A s - F E T h a b e n H E M T (s. 4.3.2.1); mit ihnen sind bei R a u m t e m p e r a t u r Rauschzahlen von 1,8 d B bei 60 G H z ( G a A s - H E M T ) u n d 0,8 d B bei 63 G H z (InPH E M T ) erreichbar ( L i e c h t i (1989)), (S m i t h u. S w a n s o n (1989)). Bei tiefen T e m p e r a t u ren verringert sich d a s R a u s c h e n . Ein zweistufiger H E M T - V e r s t r k e r weist im F r e q u e n z bereich 26 G H z bis 37 G H z eine R a u s c h z a h l v o n ca. 2 d B bei m e h r als 16 d B V e r s t r k u n g auf. H E M T - V e r s t r k e r v e r d r n g e n , a u c h bei tiefen T e m p e r a t u r e n , die wesentlich komplizierteren p a r a m e t r i s c h e n Verstrker (Fig. 4.185). Eine P r o d u k t b e r s i c h t b e r r a u s c h a r m e Verstrker, bei U m g e b u n g s t e m p e r a t u r betriebene sowie a u c h t h e r m o e l e k trische bzw. bei tiefen T e m p e r a t u r e n gekhlte, f r F r e q u e n z e n zwischen 0,5 G H z u n d 37 G H z ist in ( M a r k e t G r o w t h (1981)) zu finden. In Fig. 4.185 ist schlielich n o c h das Rauschverhalten von M a s e r n u n d experimentellen p a r a m e t r i s c h e n Verstrkern mit J o s e p h s o n - E l e m e n t e n angedeutet.

696

4.3 Hochfrequenz

Meempfnger sind k o m p l e t t e G e r t e z u m frequenzselektiven Nachweis u n d zur M e s s u n g h o c h f r e q u e n t e r elektrischer S p a n n u n g e n . Mit a n g e p a t e n M e a n t e n n e n dienen sie auch zur Messung von elektrischen u n d magnetischen F e l d s t r k e n . M e e m p f n g e r sind stets b e r l a g e r u n g s e m p f n g e r . M o d e r n e G e r t e k n n e n z . T . extern gesteuert werden. Im engeren Sinne sind M e e m p f n g e r G e r t e mit einer a n a l o g e n oder digitalen Pegelanzeige, mit D e m o d u l a t i o n s e i n r i c h t u n g e n u n d N F - o d e r V i d e o - A u s g a n g . Solche G e r t e gibt es f r F r e q u e n z b e r e i c h e von wenigen H e r t z bis n a h e z u 100 G H z . Ein typischer, guter VHF-UHF-Meempfnger hat u. a. folgende Eigenschaften: Frequenzbereich 25 MHz bis 1000 MHz in 11 Teilbereichen; HF-Spannungsmebereich 3-10 ' V bis 1 V mit einer Unsicherheit unter 1 dB; Eingangswiderstand 50 Q, koaxial; Rauschzahl 8 dB bis 400 MHz, 10 dB bis IGHz; ZF-Bandbreite whlbar: 15 kHz, 120 kHz, 300 kHz; Spiegelfrequenzunterdrckung >70 dB; Anzeige analog auf Skala wahlweise linear oder logarithmisch; ZF-, NF-, AM- bzw. FMDemodulator- und Registrierausgnge sowie viele Hilfsfunktionen (z. B. Fernsteuerung) machen das Gert sehr vielseitig einsetzbar. Z u solchen M e e m p f n g e r n sind h u f i g auch s o g e n a n n t e P a n o r a m a - A d a p t e r lieferbar, die es gestatten, auf einer B r a u n s c h e n R h r e b e r einem g r o e n F r e q u e n z b e r e i c h (weit g r e r als die Z F - B a n d b r e i t e ) ein ganzes S p e k t r u m von Eingangssignalen gleichzeitig in den jeweiligen A m p l i t u d e n darzustellen. M e e m p f n g e r , die p r i m r f r eine solche bildliche D a r s t e l l u n g gedacht sind u n d eine Braunsche R h r e d a f r im G e r t enthalten, werden S p e k t r u m - A n a l y s a t o r e n g e n a n n t . Es gibt sie f r F r e q u e n z e n von wenigen H e r t z bis etwa 200 G H z . Bei h h e r e n F r e q u e n z e n im Mikrowellenbereich besteht dabei der v o m G e r t abgesetzte u n d a n der zu u n t e r s u c h e n d e n Schaltung a n g e b r a c h t e M e k o p f aus einem speziellen Oberwellenmischer, mit d e m das Mesignal auf eine erste Z w i s c h e n f r e q u e n z v o n einigen G i g a h e r t z umgesetzt wird. A u f n u r einer Koaxialleitung zwischen H a u p t g e r t u n d M e k o p f k a n n dabei s o w o h l das Hilfsoszillator-Signal ( n u r etwas h h e r in der F r e q u e n z als das Z F Signal) v o m H a u p t g e r t z u m M e k o p f wie auch das ZF-Signal v o m M e k o p f z u m H a u p t g e r t t r a n s p o r t i e r t werden. Ein kuflicher, sehr empfindlicher S p e k t r u m a n a l y s a t o r , hat mit externen Mischern A n s p r e c h w e r t e (quivalente Eingangsrauschleistung bei 1 k H z B a n d b r e i t e ) von etwa - 1 0 5 d B m bei 22 G H z bis etwa - 8 5 d B m bei 220 G H z .

4.3.3 4.3.3.1

L e i t u n g e n und B a u t e i l e (U. S t u m p e r ) Die homogene Hochfrequenzleitung; Allgemeines und Grundgleichungen

Bei der Fortpflanzung hochfrequenter elektrischer Energie mittels metallischer Leitungen bestehen grundlegende Unterschiede gegenber dem Transport von Gleich- und Niederfrequenzstrmen. Da die Wellenlngen der Hochfrequenzschwingungen A=V

=
Vfi/^

\/Er/iroMo

Frequenz in Hz Ausbreitungsgeschwindigkeit in einem unbegrenzten Medium der Permittivitt s und der Permeabilitt e = BrEo, e, Dielektrizittszahl, o = 8,854188- 10 '^Fm ' elektrische Feldkonstante H = //,//o>/^rPernieabilittszahl,//o = 47f 10 'Hm ' magnetische Feldkonstante, fr den evakuierten Raum (in guter Nherung auch fr Luft) gilt X^-c/v, mit c = 2,99792458-10 ms '

V V

4.3.3 Leitungen und Bauteile

697

meist mit der Leitungslnge vergleichbar oder kleiner als diese sein knnen, sind die elektrischen Kenngren wie Spannung, Stromstrke, elektrische und magnetische Feldstrke keine allein zeitabhngigen Gren mehr, sondern hngen auch vom Ort ab. Neben dem rein ohmschen Verlustwiderstand der metallischen Leitung werden mit wachsender Frequenz in zunehmendem Mae die lngs der Leitung kontinuierlich verteilten Induktivitten, Kapazitten und Ableitungen wirksam. Die Verteilung der Selbstinduktion ber den Leitungsquerschnitt bewirkt, da der induktive Widerstand von der Leiteroberflche zum Leiterinneren zunimmt, so da der Strom von innen nach auen verdrngt wird. Mit ansteigender Frequenz wird die Eindringtiefe des Hochfrequenzstromes immer kleiner. Als quivalente Leitschichtdicke (auch Skin-Eindringtiefe) bezeichnet man den Abstand
S =

nv

(4.306)

(p = spezifischer elektrischer Widerstand), an dem die Stromstrke auf 1/e ihres Wertes an der Oberflche abgesunken ist. B e i s p i e l : Bei einer Kupferleitung ( f ) = 1,6-10 ' f l m ) und der Frequenz 10 GHz ergibt sich da 6 umgekehrt proportional zu \ f v verluft, findet man z.B. fr 1 MHz sofort ^=100 nm = 0 , l m m . Zur leitungsgebundenen Fortpflanzung von Hochfrequenz-Energie werden im allgemeinen metallische Doppelleitungen benutzt, bei denen zwei parallele Leitungsstrnge in konstantem Abstand voneinander vom Generator zum Verbraucher laufen. Die hochfrequente Energie wird dabei im elektromagnetischen Feld transportiert, die Leitungen dienen zur Fhrung dieser Felder ( C h a n g (1989); M a r c u v i t z (1948); M e i n k e u. G u n d l a c h (1968, 1986); U n g e r (1966); V i l b i g (I960)). Bei der Doppelleitung unterscheidet man den symmetrischen und den unsymmetrischen Leitungstyp. Im ersten Fall ergibt sich der Verlauf eines Leiters jeweils durch Spiegelung des anderen an einer gedachten Mittelebene. Bei der unsymmetrischen Leitung wird einer der Leiter (Innenleiter) in der Regel vom anderen (dem Auenleiter) umschlossen. Der Auenleiter liegt auf Nullpotential Und dient als Abschirmung des spannungsfhrenden Innenleiters, zu dem er parallel verluft. Ein Beispiel fr den symmetrischen Leitungstyp ist die ungeschirmte Paralleldrahtleitung (Lecherleitung, Fig. 4.187) und fr den unsymmetrischen Leitungstyp die Koaxialleitung mit kreiszylindrischem Innenleiter und konzentrisch ihn umgebenden Auenleiter (Fig. 4.189). Vier kontinuierlich lngs der Leitung verteilte Kenngren charakterisieren das elektrische Verhalten einer Hochfrequenz-Doppelleitung: der Widerstandsbelag R', der Induktivittsbelag L', der Leitwertsbelag G" und der Kapazittsbelag C (diese Gren sind definiert als Widerstand R bzw. Induktivitt L, Leitwert G, Kapazitt C eines Leiters der Lnge /, jeweils geteilt durch diese Lnge /). Fig. 4.186 zeigt das Ersatzschaltbild bei Aufteilung der Leitung in infinitesimale Lngenelemente dz. Aus dem Ersatzschaltbild ergibt sich fr die nderung von Stromstrke i und Spannung u lngs eines Lngenelementes dz: 3 3z dz = - iR' 3/ 3/ ' 3z dz = wG' + C
dz

(4.307)

3/

Fig. 4.186 Ersatzschaltbild der Doppelleitungen. Die Darstell u n g zeigt ein i n f i n i t e s i m a l e s L e i t u n g s e l e m e n t . R', L', G' u n d C s i n d W i d e r s t a n d , I n d u k t i v i t t , L e i t w e r t u n d K a p a z i t t p r o L n g e n e i n h e i t , d z ist d a s Lngenelement, i die S t r o m s t r k e u n d u die Eingangsspannung

698

4 . 3 Hochfrequenz

Hieraus erhlt man durch Differenzieren nach z bzw. t und Zusammenfassen = R'G'u + {R'C + L'G') ^ + L'C ^ ^ 3/ 3/2 (4.308)

3z2

Diese partielle Differentialgleichung, die in allgemeiner Form die elektrischen Vorgnge lngs einer Doppelleitung beschreibt, wird als Telegrafen-Gleichung" bezeichnet. Sieht man von Einschwingungsvorgngen ab, so gilt fr den quasistationren Betriebszustand eine harmonische Zeitabhngigkeit, die Strme und Spannungen ndern sich zeitlich wie sin- oder cos-Funktionen. Fhrt man den Effektivwert der Spannung lngs der Leitung ein U=J ]u^dt, T 0 (4.309)

( T = Periodendauer einer Schwingung), so ergibt sich aus (4.308) mit = C/(z)ei'' die Wellengleichung ^ dz'' mit dem Ausbreitungskoeffizienten y = a+]= + jwL')(G' + j w C ) (4.312) = fUiz) (4.311) (4.310)

a wird als Dmpfungskoeffizient und als Phasenkoeffizient bezeichnet (s. Gl. (4.321) bis (4.323)), C ist die Kreisfrequenz. O Nach (6.292) erhh man die Spannungsverteilung lngs der Doppelleitung U(,z)=Uit (4.313)

Diese beiden Teillsungen stellen eine sich vom Generator zum Leitungsende hin ausbreitende und eine vom Leitungsende reflektierte Welle dar. Sind Eingangsspannung U^ und Eingangsstromstrke / e bzw. Ausgangsspannung U/^ und Ausgangsstromstrke / a bekannt, so wird

C/, = y (i/E + ZL/E) = y (t/A + z j ^ y y ' (4.314) t/2 = y (f/E - ZL/E) = y (^A ZJ^W

und es gelten fr Spannung und Stromstrke die Verteilungen U{z) = J / e cosh yz - Z l / e sinh yz = UA cosh y(l - z) + Z l / a sinh y(l - z) UE /(z) = /e cosh yz Zl sinh yz = cosh y{l - z) + ZL U. sinh y{l - z) (4-315)

/ ist die Leitungslnge vom Generatorausgang bis zum Leitungsende und Z l ist der Wellenwiderstand der Leitung (Leitungswellenwiderstand) gem I R'+icoL' G'+jwC 3jg)

4.3.3 Leitungen und Bauteile

699

Wird eine Leitung mit einem Widerstand abgeschlossen, der nach Betrag und Phase gleich dem Leitungswellenwiderstand ist, so bildet sich ein Wellenfeld wie lngs einer unendlich langen Leitung aus, d. h. es existiert nur eine vom Generator zur Last sich fortpflanzende Welle, die reflektierte rcklufige Welle verschwindet. Ist dagegen die Abschluimpedanz Z ^ t ^ Z l , so entsteht eine am Eingang der Last reflektierte Welle, deren Reflexionsfaktor / durch r= Za-ZL Za + ZL (4.317)

gegeben ist. Lngs der Leitung bildet sich neben der vorlaufenden Welle ein stehendes Wellenfeld aus, wobei das Verhltnis zwischen Spannungs-Maximum und Spannungs-Minimum (Welligkeitsfaktor j) . = = 1-iri (4.318)

ist. Der Dmpfungskoeffizient a und der Phasenkoeffizient fr die Doppelleitung ergeben sich aus (4.312):

R-

C L'

G'

V C

(l-J)

(4.319)

wT'r

(4.320)

mit z) =

R' V

G . Die Nherungsformeln gelten, wenn G' <S(oC' und R' <swL' ist. C I

Der Dmpfungskoeffizient a liefert die Spannungs- bzw. Stromstrkeschwchung pro Lnge lngs der Leitung: |i/2(zj)| = |C/,(z,)|e
1

Z2-Z,

In

(4.321)

( I C/2I < I i/,|,Z2>Zi). Das so definierte Ma fr a hat die Bezeichnung Neper". In der HF-Technik wird statt dessen meist das dekadisch logarithmische Verhltnis Dezibel (dB)" angewandt. Der Zusammenhang zwischen a (in Neper) und a' (in dB) ist gegeben durch a' = (20 log e) a - 8,686a (4.322)

Der Phasenkoeffizient gibt die nderung des Phasenwinkels <1> pro Lnge zu einem beliebigen festen Zeitpunkt an: <Z>(Z2)=)(Z,) + /?(Z2-Z,) = ^(Z2)-<?(Z,) _ 27t Z2-Z1 4 (4.323)

Wenn Aj, die Wellenlnge der elektromagnetischen Schwingungen im Leitersystem darstellt Zwischen der Frequenz v, der Phasengeschwindigkeit v der Wellen und der Wellenlnge A l besteht mit w = lnv die Beziehung 1 C (4.324)

700 4.3.3.2

4.3 Hochfrequenz Paralleldrahtleitungen (symmetrische Doppelleitungen)

Bei der ungeschirmten Paralleldrahtleitung (Fig. 4.187) mu darauf geachtet werden, da sie hinreichend weit vom leitenden Umgebungsbereich verlegt wird, um das Auftreten miteinander kombinierender Strmoden zu verhindern. Die geschirmte Doppelleitung (Fig. 4.188) wird meist so betrieben, da die Eingangsspannung an das innere Leiterpaar gelegt wird und der (z. B. geerdete) Mantel der Abschirmung dient (Gegentakt-Betrieb). Legt man die Spannung zwischen das innere Leiterpaar und den Auenmantel, so wird der Gleichtakt-Modus angeregt. Bei vernachlssigbar kleinen Widerstands- und Leitwertsbelgen gelten fr die ungeschirmte Paralleldrahtleitung die folgenden Formeln C' = arcosh fr d<a (4.325)

\dj

In

2a d fr d 1 ~ U J ^ n In l2a\ d fr d <a (4.327) d<a (4.326)

L' = arcosh K \d 1 Z, = J
7t

arcosh

Fr die geschirmte Paralleldrahtleitung ergibt sich genhert im Gegentakt-Modus (wenn d<a, d<D) I 2a _ D^-a^ (4.328) n \ e d ' D^ + a^ Beispiele: Fr eine nicht abgeschirmte Paralleldrahtleitung und d<a betrgt der Widerstandsbelag;?' = W ^ ^ ^ ^ . Bei v=100MHz, pcu=l,6-10 ^nm, rf=lmm, sind das l , 6 n m '.Bei d \ n

H t^.Ml

Fig. 4.187

Symmetrische ungeschirmte Paralleldrahtleitung (Querschnitt), a Abstand der Leitungen voneinander, d Leitungsd u r c h m e s s e r , , f i P e r m i t t i v i t t u n d P e r meabilitt der U m g e b u n g , p spezifischer elektrischer W i d e r s t a n d des Leitungsmaterials

Fig. 4.188

Geschirmte Paralleldrahtleitung (Quers c h n i t t ) , a A b s t a n d d e r im I n n e n r a u m d e s A b s c h i r m z y l i n d e r s l a u f e n d e n beiden Leit u n g e n , rf A u e n d u r c h m e s s e r d e r i n n e r e n Leitungen, D Innendurchmesser des Abs c h i r m z y l i n d e r s , , P e r m i t t i v i t t u n d Permeabilitt des die Leiter u m g e b e n d e n Raumes innerhalb der Abschirmung, P spezifischer elektrischer W i d e r s t a n d des Leitungsmaterials

4.3.3 Leitungen und Bauteile

701

einem Abstand a = 30 mm und e^ = 2,5 betrgt der induktive Belag im gleichen Fall 1,6 (iHm '. Der Wellenwiderstand dieses Systems ist 311 Q. Soll a so abgendert werden, da der Wellenwiderstand dem deutschen Normwert 240 Q entspricht, so findet man a=12mra. Bei einer geschirmten Paralleldrahtleitung, deren Mantel einen Innendurchmesser von 8,5 mm hat, mu bei gleichem Dielektrikum (, = 2,5) der Abstand der beiden Innenleiter 5 mm gewhlt werden, wenn der Wellenwiderstand dem deutschen Normwert fr geschirmte Paralleldrahtleitungen - 240 Q entsprechen soll.
M e i n k e u. G u n d l a c h ( 1 9 6 8 ) ; M e i n k e u. G u n d l a c h ( 1 9 8 6 ) ; V i l b i g ( 1 9 6 0 ) ; Z i n k e u. B r u n s w i g (1973).

4.3.3.3

Die kreiszylindrische Koaxialleitung

Die koaxiale Leitung mit kreiszylindrischem Querschnitt ist die im MHz- und GHz-Bereich am hufigsten benutzte Leiterform (Fig. 4.189). Ihre wesentlichen Vorteile sind, da der Spannung fhrende Innenleiter durch den in der Regel auf Erdpotential liegenden Auenleiter gut abgeschirmt und die bertragungsbandbreite sehr gro ist. Als einziger Nutzwellentyp existiert die TEM-Welle (Transversal-Elektromagnetische Welle, die Feldvektoren E und H liegen in der Querschnittebene), die von der Frequenz Null bis zu einer Grenzfrequenz V eine eindeutige g Ausbreitungscharakteristik besitzt. Fr Frequenzen v > V knnen zustzliche Hohlleiter-Welleng typen" angeregt werden, wodurch Mehrdeutigkeiten und erhhte Verluste auftreten. Die Grenzfrequenz entspricht einer Grenzwellenlnge, die gleich dem mittleren Umfang der Koaxialleitung ist (4.329) + di) d j /'r (c Lichtgeschwindigkeit, E,, H, Dielektrizittszahl und Permeabilittszahl des den Raum zwischen den beiden Leitern fllenden Mediums; in technischen Anwendungen 1,rfaInnendurchmesser des Auenleiters, d, Auendurchmesser des Innenleiters).
M e i n k e u. G u n d l a c h ( 1 9 6 8 ) ; S a r b a c h e r u. E d s o n ( 1 9 5 0 ) ; U n g e r ( 1 9 6 6 ) .

2c

Fr die Leitungskenngren gelten fm /i=/ig und praktisch verlustfreie Dielektrika: J_


TU

(4.330) (4.331)

Wa ^ rfi

C' = In IdA

In

(4.332) Ui

Fig. 4.189 K r e i s z y l i n d r i s c h e K o a x i a l l e i t u n g ( Q u e r s c h n i t t ) , d, A u e n d u r c h m e s s e r d e s I n n e n l e i t e r s , rf, I n n e n d u r c h m e s s e r d e s A u e n l e i t e r s , E, H P e r m i t t i v i t t u n d Permeabilitt des I n n e n r a u m s zwischen A u e n - u n d Innenleiter, p spezifischer elektrischer Widerstand des I n n e n - u n d A u e n l e i t e r m a t e r i a l s

702

4.3 Hochfrequenz P VE,Eon


1
+

Z, = Z,,

1 +

IZion

rfa

d j

(1-j)

' Zm -

27t

o In u r0 Wi

(4.333)

Z o r z y ( 1 9 6 6 ) , W e i n s c h e l ( 1 9 6 4 , 1990).

Um bei starren Koaxialleitungen Langzeitstabilitt und Korrosionsbestndigkeit bei minimalen Leitungsverlusten zu erzielen, sind die inneren Oberflchen vielfach vergoldet. Bei flexiblen Kabeln besteht der Innenleiter meist aus Kupferdraht oder Kupferlitze mit versilberter Oberflche. Er wird durch dielektrisches Material in Form von Scheiben oder Wendeln, Schaumstoff oder Vollmaterial in seiner Lage gehalten. Der Auenleiter kann aus einem Geflecht aus Kupferdrhten oder Bndern bestehen, der uere Schutzmantel ist aus Kunststoff gefertigt. Eine Mittelstellung zwischen Kabeln und festen Rohrleitungen nehmen halbflexible Rohrleitungen ein, die biegsam sind und die gebogene Leitungsfhrung dann beibehalten. Eine sehr groe Anzahl verschiedener Kabel- und Leitungstypen mit unterschiedlichen technischen Daten ist im Handel (Tabelle 2 in Abschn. K 2.4 in Meinke u. Gundlach (1986); Tabelle 4.6/1 in Zinke u. Brunswig (1973)). Typische Dmpfungswerte fr eine Kabellnge von 100 m liegen fr Hochfrequenzkabel mit Schaum-Polythylen-Isolation je nach Kabeldurchmesser bei 10MHz zwischen 0,5dB und lOdB und bei 10 GHz zwischen 30 dB und 300 dB. Die Dmpfung nimmt etwa proportional \/v zu. Bei einer koaxialen 7-mm-Kupfer-Luftleitung von 1 m Lnge ndert sich die Dmpfung zwischen 100 kHz und 18 GHz von etwa 0,001 dB auf etwa 0,5 dB. Nach hohen Frequenzen hin nehmen bei Koaxialkabeln die dielektrischen Verluste in der Sttzschicht stark zu, so da eine Verwendung zur Energiefortleitung ber weite Entfernungen nicht mehr sinnvoll ist. Fr kurze Verbindungen innerhalb von Gerten und Mepltzen sind spezielle Koaxialleitungen mit optimal verlustarmen sttzendem Dielektrikum bis zu Frequenzen von 100 GHz verfgbar. Beispiel: Ein Koaxialkabel, dessen Auenleiter einen Innendurchmesser von 4mm hat, ist mit einem verlustarmen Dielektrikum ^ = 2,1 homogen ausgefllt. Damit der Wellenwiderstand 50 f2 wird, mu nach Gl. (4.333) der Auendurchmesser des Innenleiters d, = dae W xA, = 1,2 mm sein.

4.3.3.4

Hohlleiter

Hohlleiter sind allseitig nach auen abgeschlossene metallische Leitungen mit einer zusammenhngenden inneren Oberflche. Das von dieser metallischen Innenoberflche umschlossene Hohlkabel ist im allgemeinen mit Luft unter atmosphrischen Bedingungen gefllt. Die in der Praxis benutzten Hohlleiter haben meist einen rechteckigen oder kreiszylindrischen Querschnitt. Charakteristisch fr die Wellenausbreitung im Hohlleiter ist die Existenz verschiedener Wellentypen (Moden), die sich in ihrer Feldkonfiguration und den Ausbreitungseigenschaften {y,a,,v,Xi} voneinander unterscheiden. Jeder Modus hat eine untere Grenzfrequenz Vg, unterhalb der keine Wellenfortpflanzung mehr mglich ist. Diese Grenzfrequenz ist von den Hohlleiterdimensionen abhngig, die so gewhlt werden knnen, da das zu bertragende Frequenzband zwischen der Grenzfrequenz der Grundwelle und der Grenzfrequenz des nchst hheren Wellentyps liegt. In diesem Fall kann die Wellenfortpflanzung durch eindeutige Ausbreitungseigenschaften beschrieben werden. In einem berdimensionierten" Hohlleiter (das ist ein Hohlleiter, in dem zwei oder mehr Wellentypen existieren knnen), kann ebenfalls eine eindeutige Wellenfortpflanzung im Grundmodus erzwungen werden, wenn ein allmhlicher, stetiger und stofreier" bergang vom Normal-Hohlleiter auf den berdimensionierten Hohlleiter geschaffen wird. berdimensionierte Hohlleiter werden vor allem im mm-Wellenbereich hufig benutzt, weil die Normhohlleiter wegen

4.3.3 Leitungen und Bauteile

703

des immer ungnstigeren Verhltnisses Nutzfeldvolumen: Skinvolumen eine sehr hohe Wanddmpfung haben. Die im Hohlleiter existierenden Wellentypen besitzen zustzlich zu den transversalen Feldkomponenten noch eine magnetische {H^) oder elektrische {E^) Feldkomponente in Richtung der Hohlleiterachse (Ausbreitungsrichtung). Demnach werden die Wellen in H- oder TE-Wellen (TE transversale elektrische Wellen) und E- oder TM-Wellen (TM transversale magnetische Wellen) eingeteilt. Die Phasengeschwindigkeit der Hohlrohrwellen ist grer als die Lichtgeschwindigkeit und betrgt =
1 -

(4.334)

(c Lichtgeschwindigkeit im Vakuum, Dielektrizitts- und Permeabilittszahl des den Innenraum des Hohlleiters fllenden Mediums, z. B. Luft, r=" 1, 1, q-c). Fr die Gruppengeschwindigkeit, mit der sich die Energie im Hohlleiter fortpflanzt, gilt do)
=

, 1 -

(4.335)

(co = 2nv; Phasenkoeffizient). Aus (4.334) und (4.335) folgt v v ^ = vl Wegen v>Vo (nach 4.334) ist die Hohlleiterwellenlnge = (4.337) (4.336)

grer als die freie Wellenlnge. Bei einer rein fortschreitenden Welle ist der Quotient aus den in der Querschnittsebene liegenden Komponenten der elektrischen und magnetischen Feldstrke lngs der Leitung konstant und wird als Feld-Wellenwiderstand Zp bezeichnet. Es gilt fr H- bzw. EWellen (fr = /^o > = ^o) AL AL (Zp)H = W M. ^ = z ^ = A k So A A (ZF)E = W ^ - = Z oo = Z Al V o AL o h Zo ist der Wellenwiderstand des unendlich ausgedehnten leeren Raumes. Der Hohlleiter mit Rechteckquerschnitt wird in der Praxis am hufigsten benutzt. Die folgenden Betrachtungen, die bei Annahme idealer Wandleitfhigkeit ((T^and ^ streng gelten, sind auch fr technische Hohlleiter mit Oberflchen aus Kupfer, Messing, Silber, Gold, Aluminium oder anderen gut leitenden Metallen anzuwenden. Im Rechteck-Hohlleiter existieren zwei Reihen voneinander unabhngiger H- und E-Wellentypen, die durch die Indizes m und n charakterisiert werden {H, E). m bezieht sich auf die Feldverteilung lngs der Breitseite (Breite a) und n auf die Verteilung lngs der Schmalseite (Hhe b). Bezieht man die Wellenlnge i auf das den Innenraum des Hohlleiters auffllende Medium (Luft, Dielektrikum), so da Frequenz und Wellenlnge ber A= V V ^ (4.340) (4.338)

(4.339)

704

4.3 Hochfrequenz

zusammenhngen, so ergeben sich fr die Kennwerte des Rechteck-Hohlleiters besonders einfache Ausdrcke 1): (AgU = Grenzwellenlnge (4.341)

u
4 =
1 -

f M

\b] Hohlleiterwellenlnge (4.342)

(Zf)h =

fiofir
1 -

Feldwellenwiderstand (H-Wellen)

(4.343)

{Zf)e =

Feldwellenwiderstand (E-Wellen)

(4.344)

Der Leitungswellenwiderstand, der fr die Lsung von Anpassungsproblemen mageblich ist, betrgt fr den Hjo-Grundmodus Zl = ^ (ZF)H (4.345)

Der Zahlenfaktor x ist n/2, 2 oder nVS, je nachdem, ob Z l aus Spannung und Stromstrke, bertragener Leistung und Stromstrke oder bertragener Leistung und Spannung definiert wurde. Fr praktische Anwendungen benutzt man diejenige Definition, die dem vorliegenden Problem am besten angepat ist. Huxley (1947); Southworth (1950). Bercksichtigt man die endliche Leitfhigkeit der Wandungen, so ergibt sich fr Ho-Wellen im Durchlabereich ein Abschwchungskoeffizient entsprechend
1 27t

a 2b

k 2
-

(4.346) 1

('^g)mO a

1
L

g)r>lO ^

mit ^ nach 01.(4.306).


K o h l e r u . B a y e r ( 1 9 6 4 ) ; C h a n g (1989).

Im Bereich unterhalb der Grenzfrequenz existiert keine Wellenfortpflanzung. Das elektromagnetische Feld wird hier entsprechend E{T) = (0)e exponentiell abgeschwcht. Der Dmpfungskoeffizient ist
27C
1 -

(Ag)

(4.347)

Die Umrechnung in a' in dB pro Lnge erfolgt nach Gl. (4.322). Der Grundwellentyp im Rechteckhohlleiter, der bei technischen Anwendungen nahezu ausschlielich benutzt wird, ist die Hio-Welle. Die Grenzwellenlnge betrgt nach (4.341) X^ = la. Die Hohlleiterabmessungen (s. Tab. T 4.05 in Band 3) werden in der Praxis so gewhlt, da sich nur der Grundwellentyp fortpflanzen kann. Dazu mu AL/2<a<AL und b ^ a / 2 sein.

4.3.3 Leitungen und Bauteile

705

Die Grundwelle Hio (Fig. 4.190) wird ber einen kapazitiven Stift parallel zum elektrischen Feld (im Abstand (2p + 1)'/Il/4) bzw. eine induktive Schleife mit der Schleifenebene senkrecht zu den magnetischen Feldlinien (im Abstand p-X/2 von der Kurzschluebene, /)= 1,2,3...) in den Hohlleiter eingekoppelt; fr Kopplungen zwischen Hohlleitern wendet man meist Schlitzantennen an. -IT'

Fig.4.190

H,o-Grundwellentyp im Rechteckhohlleiter, a), b ) E i n k o p p l u n g , c), d ) , e) Wellenfeld, elektrische Feldlinien, magnetische Feldlinien

Fig. 4.191

Einkopplungs-Antennen zur Anregung des Ell- a) u n d H]2-Wellentyps b)

Die bevorzugte A n r e g u n g eines b e s t i m m t e n Wellentyps m, n k a n n d u r c h eine entsprechende F o r m der A n t e n n e , die der F e l d k o n f i g u r a t i o n des zu erzeugenden W e l l e n m o d u s a n g e p a t ist, erzwungen werden. Fig. (4.191) zeigt solche Spezialantennen. Die U n t e r d r c k u n g u n e r w n s c h t e r mitangeregter Wellentypen wird mittels M o d e n f i l t e r erreicht.
B o m k e u . G e f h r t (1950); G r o l l (1969); H a r v e y (1963); K l a g e s (1956); M a r c u v i t z ( 1 9 4 8 ) , M e i n k e u . G u n d l a c h (1968, 1986); S t r a t t o n (1941); U n g e r (1966, 1967); Z i n k e u. B r u n s w i g ( 1 9 7 3 , 1986).

Hohlleiter mit kreiszylindrischem Querschnitt werden nur fr spezielle Anwendungen z. B. bei Drehkopplungen zwischen Rechteckhohlleitern, bei Hohlraumresonatoren, Frequenzmessern, Faraday-Einwegleitungen und fr optimal verlustarme bertragungsstrecken benutzt (s. 4.3.3.8). Der Hoi-Wellentyp im kreiszylindrischen Hohlrohr hat besonders niedrige Dmpfung, die im Gegensatz zu den anderen Moden mit zunehmender Frequenz abnimmt. Die Grenzwellenlnge ndi

(Ag) =

(4.348)

und fr E-Wellen durch (Ag) = nd, (4.349)

gegeben, wobei unter w die n. Nullstelle der Bessel-Funktion und unter w', die n. Nullstelle der 1. Ableitung der Bessel-Funktion / zu verstehen sind, d, ist der Innendurchmesser des Hohlleiters. Fr den Grundwellentyp H,I findet man (Ag)n = 1,706RFI, fr den Wellentyp HQI ist
(/lg)o, = 0,820
B o m k e u. G e f h r t (1950); M e i n k e u. G u n d l a c h (1968); S a r b a c h e r u. E d s o n (1950); S c h a f f e l d u. B a y e r (1956); Z i n k e u. B r u n s w i g (1986).

Beispiele: Ein Rechteck-Hohlleiter aus Kupfer ( p = 1,6-10 ' Q - m ) fr das Frequenzband R 100 (8.2GHz bis 12,4GHz) hat die Innenabmessungen a = 22,86mm; 10,16mm. Seine Grenzwellenlnge ist Ag = 2a = 45,72 mm; die Grenzfrequenz mithin V = c/Ag = 6,56 GHz. Die Leiterwelleng

706

4.3 Hochfrequenz

lnge betrgt dann nach (4.342) bei der Frequenz 8,5 GHz: 55,4 mm, bei 10 GHz 39,7 mm und bei 12,4GHz 28,5 mm. Bei 10 GHz ist der Feldwellenwiderstand fr die Hjo-Welle nach (4.338) bzw. (4.343) ( Z F ) H = 120?:-3,97/2,998-499 fi. Der Leitungswellenwiderstand (nach (4.345) mit x = 2) wird ZL = (2b/a)-(Zf)H = 444Q. Um bei 10 GHz den Hohlleiter mglichst gut an eine koaxiale Leitung von 50 n Wellenwiderstand anzupassen, mte die Schmalseite b auf 1,14 mm reduziert werden. Die Leitungsdmpfung des Hohlleiters mit den oben angegebenen Abmessungen betrgt bei lOGHz nach (4.346) und (4.322) 1,04dB auf 10m Lnge (bzw. l,35dB bei 8,2GHz). Weit unterhalb der Grenzfrequenz (A>Ag) ist die Dmpfung fr rechteckige Kanle durch ^=-27,3-//adB und fr kreisfrmige Kanle durch = 32,0 //rfi dB gegeben {a = Breitseite des < Rechteckquerschnitts, di = Durchmesser des Kreisquerschnitts, l = Kanallnge). So besitzt z. B. ein Metallkfig, der mit Lchern von 3 mm Durchmesser und 5 mm Tiefe versehen ist, eine MindestAbschirmung von 32 5/3 - 53 dB.

Fig. 4.192 Steg- u n d D o p p e l s t e g - H o h l l e i t e r , Q u e r s c h n i t t s f o r m e n u n d k r i t i s c h e A b m e s s u n g e n , a A b s t a n d zwischen den beiden Schmalseiten, b A b s t a n d zwischen b e i d e n Breitseiten, d S t e g b r e i t e , g S t e g a b s t a n d b e i m Doppelsteg-Hohlleiter

Eine fr praktische Anwendungen zuweilen ntzliche Version des Rechteckhohlleiters stellen Stegund Doppelsteg-Hohlleiter dar (Fig. 4.192). Vorteilhaft ist, da bei diesen Querschnittsformen die bertragbare Bandbreite, die durch eindeutige Wellenausbreitung im Grundmodus ausgezeichnet ist, auf 5:1 bis 6:1 gegenber 2:1 beim Rechteckhohlleiter erweitert werden kann. Da zugleich aber die Leitungsdmpfung sich entsprechend vergrert (bei einer Bandbreite von 5:1 etwa gleich dem Zehnfachen der Dmpfung des Rechteckhohlleiters), werden kommerzielle Typen meist nur mit Bandbreite 2,4:1, evtl. noch 3,6:1 hergestellt (s.Tab. T4.07 in Band 3).
F i n d a k l y u. H a s k a i (1974); H a r v e y (1963); H o p f e r (1955); M a r c u v i t z (1948); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986); U n g e r ( 1 9 5 5 ) .

4.3.3.5

Planare Mikrowellenleitungen (E. Vollmer)

Fr die Integration von Schaltungen im Mikrowellenbereich werden planare Wellenleiter verwendet. Diese Mikrowellenleitungen bestehen aus flachen leitenden Streifen auf einer verlustarmen dielektrischen Trgerplatte. Diese Trgerplatte wird als Substrat bezeichnet. Der in der Praxis am hufigsten eingesetzte planare Wellenleiter ist die Mikrostreifenleitung (Fig. 4.193). Diese Leitung besteht aus einem Substrat der Dicke h mit einer leitenden Grundplatte auf der Substratunterseite und einem leitenden Streifen der Breite w und der Dicke t auf der Oberseite. Auer der Mikrostreifenleitung (Fig. 4.193) kommen noch andere Streifenleitungsformen zur Anwendung. Die Querschnitte von verschiedenen Formen der Mikrostreifenleitung, von der Koplanarleitung, der Schlitzleitung und der Flossenleitung (fmline) sind in Fig. 4.194 zusammengestellt.
Metallisierung

Substrat

Fig. 4.193 M i k r o s t r e i f e n l e i t u n g a u f e i n e m S u b s t r a t d e r relativen P e r m i t t i v i t t E.

4.3.3 Leitungen und Bauteile

707

Fig.4.194 Querschnitte planarer Mikrowellenleitungen a) Mikrostreifenleitung, b) g e s c h i r m t e M i k r o s t r e i fenleitung, c) T r i p l a t e " - L e i t u n g , d) Suspended-Substrate"Leitung, e) M i k r o s t r e i f e n l e i t u n g mit M a s s e s c h l i t z , f) g e k o p p e l t e M i k r o streifenleitung, g) k o p l a n a r e Streifenleitung, h) K o p l a n a r l e i t u n g , i) S c h l i t z l e i t u n g , j) Flossenleitung

Substrat Metallisierung bzw. G e h u s e oder Hohlleiter

Einfache Mikrowellenkotnponenten werden meistens in einer der Streifenleitungsformen realisiert. Bei komplexeren Komponenten wie z.B. Gegentaktmischer, Filter, PIN-Diodenschalter oder bergngen zwischen verschiedenen Leitungsformen werden mehrere unterschiedliche Streifenleitungsformen verwendet. Dadurch kann bei einem Gegentaktmischer eine einfache Entkopplung der verschiedenen Frequenzkomponenten erzielt werden. Der Einsatz von planaren Mikrowellenleitungen hat im Vergleich zu dem von Koaxialleitungen und Hohlleitern die folgenden Vorteile: - Miniaturisierung des Schaltungsaufbaus - Integrierbarkeit von diskreten Bauelementen (Halbleiter- und SMD-Bauelemente) - Gewichtsreduzierung - einfache, gut reproduzierbare Herstellung. Nachteile sind: - hhere Verluste - Abstrahlung und Strstrahlung bei offenen Strukturen - begrenzte Isolation zwischen verschiedenen auf einem Substrat integrierten Schaltungsteilen. Die fr die Realisierung von Streifenleitungsschaltungen verwendeten Substratmaterialien knnen in zwei groe Gruppen eingeteilt werden ( H o f f m a n n (1983)): - organische Materialien, vor allem Teflon, Polyolefin und Polystyren (, = 2,1 bis 2,6) in reiner Form sowie glasfaserverstrkte Kunststoff (, = 2,2 bis 2,6) oder mit Keramikpulver gefllte Harze (, = 5 bis 20)

708

4 . 3 Hochfrequenz

- anorganische Materialien, dazu zhlen vor allem einkristalline Stoffe wie Saphir (^ = 9,4; 11,6), Keramiken wie AI2O3 (r = 9,8) oder TiOj (, = 85), amorphe Stoffe wie Glas (z. B. mit e, = 5,7), hochohmige Halbleiter wie Si (,= 11,9) oder GaAs (,= 12,9) mit p > lOOOQcm und ferrimagnetische Stoffe wie Ferrite oder Granate (, = 9 bis 16). Die leitenden Schichten und Streifen werden bei der Verwendung von anorganischen Substratmaterialien in Dnnschichttechnik hergestellt, bei der von Keramiken auch in Dickschichttechnik. Die Substrate aus organischen Materialien werden meistens mit Kupferfolien beschichtet, die dann mit einfachen Phototztechniken strukturiert werden knnen. Die Ausbreitungseigenschaften von elektromagnetischen Wellen auf planaren Wellenleitern knnen durch die folgenden drei charakteristischen Leitungskenngren beschrieben werden; den Wellenwiderstand Z l , die effektive relative Permittivitt reff und den Dmpfungskoeffizienten a. Aufgrund der geschichteten dielektrischen Fllung des Feldraums sind auf planaren Wellenleitern hybride Eigenwellen mit longitudinalen E- und H-Feldkomponenten ausbreitungsfhig. Die hybride Eigenwellen-Analyse ( C o l l i n (1960); H a r r i n g t o n (I96I); U n g e r (1981)) zur Bestimmung der Leitungskenngren kann nur mit einem numerischen Berechnungsverfahren wie z. B. der Momentenmethode ( H a r r i n g t o n (1968)), der Methode der Geraden ( S c h u l z u. Pregla (1980)) oder der Methode der finiten Elemente (Arlett u.a. (1968)) durchgefhrt werden. Die resultierenden Leitungskenngren sind frequenzabhngig. Einfache analytische Nherungsausdrcke f r Z L ( / ) und r e r f ( / ) knnen mit Hilfe empirischer, einfach analysierbarer Wellenleitermodelle bestimmt werden. Diese mssen jedoch im allgemeinen mit den Ergebnissen exakter Analysen korregiert werden ( H o f f m a n n (1983)). Fr den Wellenwiderstand Zi_ wird je nach Leitungsform eine der folgenden drei Definitionen verwendet: Zu,= f///, Z,, = 2P/P Z,^ = uy(,2P) (4.350)

mit der Spannung U zwischen den beiden Leitern der Leitung, dem in Ausbreitungsrichtung gerichteten Strom I und der in Ausbreitungsrichtung transportierten Wirkleistung P. Bei planaren Wellenleitern mit geschichtetem Dielektrikum ergeben sich unterschiedliche Werte fr den Wellenwiderstand in Abhngigkeit von der verwendeten Definition. Nur im statischen Grenzfall oder bei reinen TEM-Wellen stimmen die Werte berein. Die effektive relative Permittivitt e^c ergibt sich aus dem Phasenkoeffizienten mit der Wellenzahl ko im freien Raum zu reff = (A/^o)^Die Leitungsdmpfung a einer geradlinigen, unendlich langen Leitung setzt sich hauptschlich aus der Leiterdmpfung a^ und der dielektrischen Dmpfung a^ zusammen, a^ ist proportional zur Frequenz / und dem dielektrischen Verlustfaktor tan S^ und kann bei Verwendung verlustarmer Substrate mit tan tJ^ < 10 ^ gegenber a^ vernachlssigt werden. Bei halbleitenden Substratmaterialien mit einem spezifischen Widerstand im Bereich von 10' bis 10'2cm ist zustzlich die Ableitdmpfung a^ zu bercksichtigen. Abstrahlung tritt vor allem an Leitungsdiskontinuitten, diskreten Bauelementen sowie Resonatoren auf und ist damit abhngig vom jeweiligen Schaltungsaufbau. Mikrostreifenleitung Auf diesem planaren Wellenleiter breitet sich eine Quasi-TEM-Welle mit kleinen longitudinalen Feldkomponenten und geringer Frequenzabhngigkeit des Phasenkoeffizienten (Dispersion) aus. Fr tiefe Frequenzen kann eine statische Analyse unter Vernachlssigung der longitudinalen Feldkomponenten durchgefhrt werden. Die resultierenden Leitungskenngren sind abhngig von den geometrischen Abmessungen w, h und t sowie von der relativen Permittivitt , des Substrats. Whrend Z l und ieff frequenzunabhngig sind, ist a p ~ \ / f p (p-spezifischer Widerstand des Streifenmaterials). Analytische Ausdrcke fr Z l , reff und a werden in der Literatur angegeben ( W o l f f (1978); H o f f m a n n (1983); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986)).

4.3.3 Leitungen und Bauteile

709

Der Wellenwiderstand Z l einer Mikrostreifenleitung auf einem Substrat mit r = 2,5 kann mit dem Parameter w/A zwischen 0,1 und 8 im Bereich von 190 fl bis 23 n variiert werden. Fr Substrate mit hherem e, wird der Variationsbereich fr Z l kleiner. Fr 10 und den oben genannten w/hBereich ergibt sich ein Z l im Bereich von 105 fi bis 14 Q. Diese Mikrostreifenleitungen mit 0,1 <w/h<& und 0,01 < ? / ^ < 0 , l sowie /! = 0,25mm und einer Kupfermetallisierung haben bei 10 GHz fr e, = 2,5 ein a^ von 0,04 bis 0,28 dB/cm und fr = 10 von 0,08 bis 0,56 dB/cm. Dabei nimmt a^ mit zunehmenden w/h oder t/h ab. Fig. 4.195 zeigt die Frequenzabhngigkeit von reff fr die Grundwelle sowie zwei hhere Eigenwellen einer Mikrostreifenleitung. Whrend die Grundwelle ber den gesamten Frequenzbereich ausbreitungsfhig ist, existiert fr die hheren Eigenwellen eine untere Grenzfrequenz. Damit besitzt der Einwelligkeitsbereich der Mikrostreifenleitung eine obere Grenzfrequenz.

Fig. 4.195 Frequenzabhngigkeit von der G r u n d welle u n d d e r b e i d e n h h e r e n E i g e n w e l l e n der Mikrostreifenleitung (Meinke u. Gundlach(1986))

Koplanare Streifenleitung und Koplanarlcitung Bei den koplanaren Leitungen nach Fig. 4.194g und h befinden sich alle Streifenleiter auf derselben Substratseite, von denen mindestens einer eine endliche Querschnittsabmessung hat. Die Grundwelle auf diesen Leitungen ist ebenfalls eine Quasi-TEM-Welle. Die Koplanarlcitung (Fig. 4.194h) entspricht der planaren Form einer Koaxialleitung und die koplanare Streifenleitung (Fig. 4.194g) der einer Zweidrahtleitung. Die aus der statischen Analyse resultierenden Werte fr Z l der koplanaren Streifenleitung auf einem Substrat mit e, = 9,S liegen im Bereich von 50 Q bis 500 Q und die der Koplanarleitung im Bereich von 20 fi bis 2 1 0 n , abhngig von den geometrischen Abmessungen w/h und s/h ( H o f f m a n n (1983)). Die Leiterdmpfung beider koplanarer Leitungen liegt in der gleichen Grenordnung wie bei der Mikrostreifenleitung mit vergleichbaren Abmessungen, ist jedoch bei niederohmigen Leitungen ( Z l < 5 0 f i ) i m Regelfall merklich hher ( Z i n k e u . Brunswig(1986)). So ergibt sich fr koplanare Leitungen auf einem Substrat mit , = 9,8 und /! = 0,25mm und einer 2,5 um Kupfermetallisierung bei lOGHzfrV^bzw. w/Azwischen 0,1 und lOein a^im Bereich von 0,95 bis 0,02 dB/cm. Schlitzleitung Die in Fig. 4.194i dargestellte Schlitzleitung besteht aus einem Substrat mit einseitiger Metallisierung, die mit einem in Ausbreitungsrichtung homogenen Schlitz versehen ist. Die Grundwelle dieser ungeschirmten Schlitzleitung ist eine Quasi-H-Welle mit einer longitudinalen H-Feldkomponente, deren Amplitude mit denen der transversalen H-Feldkomponenten vergleichbar ist. Diese Quasi-H-Welle zeichnet sich durch eine im Vergleich zur Quasi-TEM-Welle der Mikrostreifenleitung ausgeprgten Dispersion von Zpu und fi^cff aus sowie durch eine vergleichsweise groe transversale Feldausdehnung. Fr e, = 9,8 und s/h zwischen 0,05 und 2 liegen

710

4.3 Hochfrequenz

die resultierenden Zpu*Werte im Bereich von 30 Q bis 200 Q (H o ff m a n n (1983)). Eine entsprechende Schlitzieitung auf einem 0,635 mm dicken Substrat mit Kupfermetalhsierung hat bei 10 GHz eine Leiterdmpfung im Bereich von 0,36 bis 0,009 dB/cm. Flossenleitung Eine in einen Hohlleiter integrierte Schhtzleitung nach Fig. 4.194j wird als Flossenleitung (finline) bezeichnet. Sie kann mit einem Steghohlleiter mit dielektrischem Einsatz verglichen werden. Es gibt drei Formen der Flossenleitung: unilateral, bilateral und antipodal (Fig. 4.196). Bei allen Formen werden die Metallisierungen in bzw. symmetrisch zu der Mittelebene der Hohlleiterbreitseite angeordnet. Der Einwelligkeitsbereich der Flossenleitung wird wie beim Hohlleiter durch die untere Grenzfrequenz der Grundwelle und die Grenzfrequenz der nchst hheren Eigenwelle eingeschrnkt. Die Flossenleitung hat jedoch eine grere Bandbreite des Einwelligkeitsbereichs als der vergleichbare Hohlleiter. Der Wellenwiderstand und der Phasenkoeffizient der Flossenleitung haben im unteren Frequenzbereich eine ausgeprgte Dispersion.

a) Substrat ^ ^

b) Metallisierung bzw. Hohlleiter

c)

F i g . 4.196 Q u e r s c h n i t t v e r s c h i e d e n e r B a u f o r m e n d e r F l o s s e n l e i t u n g a) u n i l a t e r i a l , b ) b i l a t e r a l u n d c) a n t i p o d a l

Der Wellenwiderstand Zpu einer unilateralen Flossenleitung liegt in Abhngigkeit von Frequenz und Schhtzgeometrie im Bereich von 100 Q bis ber 600 ^ ( Z i n k e u . Bruns wig (1986)). Die bei der antipodalen Flossenleitung mgliche berlappung der beiden Leiterstreifen ermglicht die Realisierung sehr kleiner Wellenwiderstnde im Bereich von einigen fl. Daher eignet sich die antipodale Flossenleitung fr Hohlleiter-Mikrostreifenleitungs-bergnge mit groen Transformationsverhltnissen des Wellenwiderstandes. Die Flossenleitung hat im Vergleich zum Hohlleiter eine hhere Leiterdmpfung. Messungen im Frequenzbereich zwischen 26 und 90 GHz ergaben minimale Verluste je Leitungswellenlnge im Bereich von 0,05 bis 0,14 dB abhngig von der Schlitzweite. Die Dmpfung nimmt mit abnehmender Schlitzweite zu (Zinke u. Brunswig (1986)).
W o l f f (1978); G u p t a (1979); H o f f m a n n (1983); M e i n k e u . G u n d l a c h (1986); Z i n k e u. B r u n s w i g (1986); Itoh(1989)

Optische Wellenleiter und Faseroptik s. unter 6.2.1.2 4.3.3.6 Vierpole und Zweitore; allgemeine Beziehungen (U. S t u m p e r )

Eine Vielzahl von Bauelementen, die in Hochfrequenzleitungen eingefgt werden, besitzen entsprechend der HF-Doppelleitung - zwei Eingangs- und zwei Ausgangspole, man bezeichnet sie daher als Vierpole. Hohlleiter haben dagegen nur noch eine Eingangs- und eine Ausgangsffnung, solche Bauteile nennt man daher Zweitore. Bei Doppelleitungen und in Frequenzbereichen, in denen Stromstrke und Spannung noch hinreichend genau nach Betrag und Phase bestimmt werden knnen, wird der Zusammenhang zwischen den Spannungen und Stromstrken am Einund Ausgang des Vierpols mit Hilfe einer Impedanz- bzw. Admittanz-Matrix ausgedrckt (s. Fig. 4.197). Der Zusammenhang zwischen den Stromstrken und Spannungen der Ein- und Ausgangsseite linearer Vierpole ist unter Verwendung der Impedanzmatrix bei Anwendung des symmetrischen Bezugspfeilsystems (s. Fig. 4.197) gegeben durch [/, = Z/i + Z n h U2 = Z2,/| + Z22/2 (4.351)

4.3.3 Leitungen und Bauteile


Fig.4.197 Vierpol-Darstellung mittels I m p e d a n z - M a t r i x ( U = ZI), E i n g a n g s s p a n n u n g , Ui A u s g a n g s s p a n n u n g , /i E i n g a n g s s t r o m s t r k e , I2 A u s g a n g s s t r o m s t r k e , Z I m p e d a n z m a t r i x . Die beiderseits zum Vierpol hin gerichteten Strompfeile bezeichnet m a n als symmetrische Bezugspfeile, die (in K l a m m e r n eingefgten) gleichgerichteten Bezugspfeile als Kettenbezugspfeile, die meist in rein technischen Darstellungen benutzt werden

711

Mit

Z =

Z\\
Z2]

Z12 Z22

gilt in Matrix-Schreibweise

V=ZI,

wobei Z d i e fr den Vierpol charakteristische Impedanzmatrix darstellt. Entsprechend ergeben sich Ein- und Ausgangsstromstrken als Funktion der Spannungen

/, = YuU, + YnU2
Y =

h = ^21 f/i + Y22U2


ist die charakteristische Admittanzmatrix / = Yl/. (4.352)

y,2

Der Zusammenhang zwischen den Impedanz- und Admittanzparametern ergibt sich aus y = Z somit wird (4.353)

(4.354) In einer dritten Version werden die Eingangsgren (7,, / , als Funktion der Ausgangsgren t/2, h dargestellt, wobei es in diesem Fall - entgegen der Z- und y-Darstellung - blich ist, Kettenbezugspfeile (s. Fig. 4.197) zu verwenden. Man erhlt dann

t/| = ^ l l f / 2 + ^12/2

h = AisUi + Aiih

(4.355)

Zwischen den Elementen der Z-Matrix und der /l-Matrix bestehen die Beziehungen Zn =

Au A\\A2
1

Au =

Zu
Z2, Z11Z22 Z12Z21

Zn =

-A,

An =

Z =

^21 =

1 Z2, Z22 Z2,

(4.356)

A2,
Z22 =

A22
A 21

Zur weiteren Beschreibung des Vierpols dienen der Eingangswellenwiderstand Z^, und der Ausgangswellenwiderstand Zw2, die so beschaffen sind, da bei ausgangsseitigem Abschlu mit Z2 der Eingangswiderstand Zwi betrgt, beziehungsweise bei eingangsseitigem Abschlu mit Zi der Ausgangswiderstand Z^2 wird. Hieraus erhlt man mit (4.355) und mit der Darstellung von U2 und

712

4.3 Hochfrequenz

h als Funktionen von IJ\ und I\ (A '-Matrix) Zwi = \IZnlZiiZ2 = s j z ^ , ( 4 . 3 5 7 )

Zw = v'Zn-Z22-Z,2-Z2,= 7-4,2/^21 ist der mittlere Wellen widerstand; die Gren = yJZ22/Zn, S2 = yJZn/Zn

(4.358)

(4.359)

bezeichnet man als Symmetrie-Parameter. Damit ergibt sich aus (4.355) (Feldtkeller (1953)) cosh g- 1/2 +Z^ sinh g- /2 ] / wobei cosh Z12Z21 Fr g gilt exp (g) = ii exp(gj)/i2, wobei exp(g,)=f/,/f/2 = der komplexe Dmpfungsfaktor bei Abschlu des Vierpols mit Z^i ist.
gs = a+j-b (4.363)

/i = ^2 ( \ Z

U2 + ij cosh g h (4.360)

(4.361) Y Z12Z21

(4.362)

ist das komplexe Dmpfungsma mit dem Dmpfungsma a = ln|Z)| und dem Dmpfungswinkel (Phasenma) b = arg D. (4.365) (4.364)

Vierpole bezeichnet man als widerstandssymmetrisch (oder torsymmetrisch), wenn ii = 1 ist, d.h. Zn=Z22, sie sind bertragungssymmetrisch, wenn ^2=1 ist, also Zi2 = Z2i. Eine Vielzahl passiver Leitungsvierpole ist lngssymmetrisch, d. h. Widerstands- und bertragungssymmetrisch Die Vierpolparameter Z/^ und bestimmt man experimentell aus Leerlauf- und Kurzschlumessungen. Mit man bei offenem Vierpol-Ausgang (/2 = 0) Eingangsstromstrke I\ und Eingangsspannung Ux nach Betrag und Phase, so folgt daraus Zu = [t/i//i];j=oEntsprechend findet man Z21 = [i72//i]/2 = o- Die Gren Z21 und Z12 bezeichnet man als die eingangs- bzw. ausgangsseitigen Kopplungswiderstnde (auch Kernwiderstnde). Vertauscht man Eingang und Ausgang, d. h. schhet man die Spannungsquelle ausgangsseitig an und lt den Eingang offen, so ergeben sich Zi2 = [f/i//2]/ =o> und Z22 = [C/2/^2]/,=o- In entsprechender Weise - nur mit kurzgeschlossenem Ausgang - findet man Yu = {I\/U\\u^^o und Y2\ = {l2/Ui\u^^o sowie bei ausgangsseitiger Einspeisung und kurzgeschlossenem Eingang 712 = [/i/f/2]y =0 und y22=[/2/f/2]t/,=0. Mit Betrag und Phase anzeigenden Spannungsmessern (Vektorvoltmetern), Netzwerk-Analysatoren und Mehrtorreflektometern erhlt man Ausgangsgren, die mittels der Netzwerkgleichungen so miteinander verknpft werden knnen, da sich die komplexen Vierpolparameter ergeben. Bei Integration eines Mikroprozessors oder Eingabe der Medaten in ein Rechnersystem erhlt man in der Ausgabe direkt die gesuchten Vierpolkenngren nach Betrag und Phase.

4.3.3 Leitungen und Bauteile

713

Wird ein Vierpol am Ausgang mit einer beliebigen Impedanz Z2 abgeschlossen, so betrgt seine Eingangs-Impedanz tanh g U, z S\ Z + ^^ tanh g Bei einem Quellwiderstand Z, am Eingang erhlt man mit jJ = l / i , die Ausgangsimpedanz tanh g Z2 = U2 h s! Die eingangs- und ausgangsseitigen Wellenwiderstnde und Z2, die bei widerstandsunsymmetrischen Vierpolen voneinander verschieden sind und vom mittleren Wellenwiderstand Z^ abweichen, sowie g findet man aus dem geometrischen Mittel bzw. aus dem Quotienten von Kurzschlu- und Leerlaufimpedanz: Z, = v ' Z i k Z i l = Z w A i , Zw2 = VZ2kZ2l= Zw AI > tanhg= V^ik/Zil tanh g = V ^ ^ / Z ^ ^ (4.368) (4.369) z s\ tanh g (4.367) (4.366)

Hierbei sind Z , k = 1 / F i i und Z i l = Z i i die Eingangsimpedanzen bei kurzgeschlossenem bzw. offenem Vierpolausgang, 2.2^=^/^21 und Z 2 l = Z22 die Ausgangsimpedanzen bei kurzgeschlossenem bzw. offenem Vierpoleingang. Fr einen eingangs- und ausgangsseitig angepaten Vierpol (ZI = Z,, = Z\ Quellwiderstand, Z2 Lastwiderstand) ist die Einfgungsdmpfung allein von den Vierpol-Kennwerten abhngig, bei Fehlanpassungen hngt sie zustzlich von den Quell- und Abschluimpedanzen (Zi und Z2) ab.
Bindlingsmaieru.a.(1969);DIN-Taschenbuch22(1978); Feldtke!ler(1953); Kpfmller(1952); Meinke u. G u n d l a c h (1968); M o e l l e r (1964); O b e r d o r f e r (1949); S t e i n b u c h u. R u p p r e c h t (1982).

Die Bestimmung der Vierpol-Parameter durch Stromstrke- und Spannungsmessungen nach Phase und Betrag wird um so schwieriger, je hher die Mefrequenz wird und ist in Hohlleitersystemen nicht mehr mglich. In diesen Fllen fhrt man statt der Stromstrken / und Spannungen U die Amplituden der vorwrts und rckwrts laufenden Wellen am Eingang (ai,6i) und am Ausgang (02, ^>2) des Zweitors ein. Die Koeffizienten die diese Wellengren miteinander verknpfen, bezeichnet man als die Streufaktoren, die zugehrige Matrix S als die Streumatrix. Fr ein beliebiges Zweitor (Fig. 4.198) gilt:
ft, =

5,202

b2 = SixQx + 82202,

(4.370) (4.370a) (4.371)

also mit

b= S a 5 = Sil 'S'12 5'2, S22

Die Elemente der Hauptdiagonale von fr i = k (S/,/,) sind die Betriebsreflexionsfaktoren (kurz: Reflexionsfaktoren), die brigen Elemente Sa, fr iVfc sind die Betriebsbertragungsfaktoren (kurz: Transmissionsfaktoren) von Tor k nach Tor i, wobei der Bezugswiderstand fr jedes Tor gleich dem eingangs- bzw. ausgangsseitigen Wellenwiderstand gewhlt wird.

714

4.3 Hochfrequenz
Fig. 4.198 Zweitordarstellung mittels Streumatrix (A = Sa) a,,b, Wellenamplituden in einer Eingangs-Querschnittsebene Ei "2, b2 Wellenamplituden in einer A u s g a n g s - Q u e r schnittsebene E2 S Streumatrix Die Pfeilrichtungen von a, sind i m m e r z u m Zweitor hin, die von i , v o m Zweitor weg gerichtet

Die Wellengren a, und sind so definiert, da die Quadrate ihrer Betrge die vorlaufende bzw. rcklaufende Leistung ergeben. ~ I vorw (4.372)

In Systemen, in denen sowohl die Anwendung der Strom-Spannung-Darstellung als auch die Wellendarstellung mglich sind (z. B. in Koaxialsystemen), knnen die Gren /, /, a und b durch folgende Gleichungen eindeutig einander zugeordnet werden:

2 L V-Zwi t/2 , r ^ j 02 = + VZw2/2 ^ L \/Zw2 .

2 1 =T ^

VZw, U2 n^. y - VZw2/2 vZw2 (4.373)

Zi und Z2 sind die eingangs- und ausgangsseitigen Wellenwiderstnde. Umgekehrt gilt: C/, = + b,) h = 1 1 (4.374) \ai-bi)

n/^2 Sind die Wellenamplituden am Ort eines bestimmten Leitungsquerschnitts durch a und h gegeben, so sind diese mit den Strom- und Spannungswerten am gleichen Ort durch = ^ (UI* + U*I) = Re (UI) (4.375)

verknpft. P ist die im System hinter dem Bezugsquerschnitt verbrauchte Leistung. Fhrt man die auf die Wellen widerstnde normierten Impedanzen Zi;t = Z,t/Z| ein und definiert die Hilfsgren D, und D^ gem D, = (Z + 1)(Z22 + 1) - Z,2Z2, /). = ( ! - 5 , 0 ( 1 - 522) - S,2S2i

so gelten folgende Zusammenhnge zwischen z,t und


5 =

(Z,,-1)(Z22+1)-Z,2Z21 2Z,2 D, 2Z2, (Z,, + 1)(Z22-1)-Z12Z21

( 1 + 5 ) ( 1 -522) + 5,252, 25,2 252, (1-5I,)(1+522) + 5,252, (4.376)

5,2 =
521 =

522 =

4 . 3 . 3 L e i t u n g e n u n d Bauteile

715

Diese D a r s t e l l u n g lt sich o h n e weiteres auf M e h r t o r s y s t e m e mit beliebig vielen A u s g n g e n erweitern ( K r a u s (1980)). K e r n s u. B e a t t y (1967); K u r o k a w a (1965); Michel (1981); Oliver u. C a g e (1971). 4.3.3.7 T- und Jt-Glieder, F i l t e r k r e i s e

Eine Vielzahl der Bauteile, die sich als l n g s s y m m e t r i s c h e Vierpole darstellen lassen, sind in i h r e m G r u n d a u f b a u s y m m e t r i s c h e T- o d e r Jt-Glieder, Fig. 4.199. Wie mittels d e r K i r c h h o f f s c h e n Regeln leicht n a c h w e i s b a r ist, gelten f o l g e n d e Z u s a m m e n h n g e zwischen d e n E i n g a n g s - u n d A u s g a n g s g r en: Fig. 4.199 Lngssymmetrische Vierpolschaltungen (Grundelemente) a) T-Glied, b) 7t-Glied Lngs-Impedanzen y^ Quer-Admittanzen Ein- und Ausgangsspannung

f/, = (i + z , y ) f / 2 + 2 z , / , = y,c/2 + (i + Z , 7 , ) / 2

1 + (4.377)

n-Glied: t/, = (1 +ZtY^)U2 + Zj2


1 + Zil'a) (4.378) [/2 + ( 1 + 2 , } ' ) / 2

Die wesentlichen V i e r p o l - K e n n g r e n sind in T a b . 4.11 dargestellt. T a b . 4.11 D i e wesentlichen V i e r p o l - K e n n g r e n T-Glied 7t-Glied

Wellenwiderstand Z^

.IlK
V V 2 i ^ r ,

^ ^ l+ZiF,

cosh g

l+Zil-,

sinh g

cosh

sinh-^ 2

716

Tab. 4.12 Grundformeln fr Filterelemente (Z, Lngs-Impedanz, F, Quer-Admittanz, Vg (obere und untere) Grenzfrequenz, Av Bandbreite, a Dmpfungskoeffizient, Neb. Nebenbedingungen, Meyer u. Pottel (1969)) Hochpa (Fig. 4.200b) Bandpa (Fig. 4.200c) Bandsperre (Fig.4.200d) 4.3 Hochfrequenz

Kennwerte

Tiefpa (Fig. 4.200a)

^q j>C JJZ, j (oLi \ l \ C0C2

-L- j L c 2

5 C0L2 I

1 / 2 1 I 1 271 ^ LC 271 V 2IC

1 [" / 1 ^ 1 ^ 1 11 r / 1 ^ 1 1 ^ 1 27: [ v 21,C2 ^ Z.,C, " x/IZ^Q J 27t [V iiQ 8 LjC, ~ 2 \

/ 1 2L2C1

Av

v<v '

V ^ v

I \1 1%\UC2
2 arcosh / ( ) - 1 2 arcosh [wV2^Uo/ (0\

1 I \ 271 V 2L2C,

2 arcosh ( | 2 arcosh \Vg/

! V 2 (^V , \ Wo /

Neb.

L,Q=L2C2 = -^ L , C i = L 2 C 2 =

-^

COo

>0

4.3.3 Leitungen und Bauteile

717

ber den Aufbau von Dmpfungsgliedern mittels T- oder n-Schaltkreisen s. 4.3.3.10. T- und 7t-Glieder sind Grundelemente fr den Aufbau von Tiefpssen, Hochpssen, Bandpssen und Bandsperren. Beispiele fr die Realisierung solcher Schaltelemente sind in Fig. 4.200 und in Tab. 4.12 gegeben.

Fig. 4.200 Grundelemente von Filterschaltungen a) T i e f p a b) H o c h p a c) B a n d p a d) Bandsperre K a m m e r l o h e r ( 1 9 5 7 ) ; M e i n k e u. G u n d l a c h ( 1 9 6 8 ) u . (1986); M e y e r u. P o t t e l ( 1 9 6 9 ) ; M l l e r ( 1 9 6 4 ) ; Vilbig(1960).

In Hchstfrequenzschaltkreisen ist der Aufbau von Filterkreisen aus konzentrierten Schaltelementen nicht mehr mglich. Tiefpafilter knnen dann z.B. aus Leitungsabschnitten aufgebaut werden, in die alternierend kapazitive Belastungen eingesetzt sind ( R e i c h 2 (1947)). Hohlleiter stellen natrliche Hochpsse dar, da unterhalb der Grenzfrequenz V keine Wellenfortpflanzung g erfolgt. Bandpsse sind mittels einer Kette direkt gekoppelter Hohlraum-Resonatoren realisierbar, bei denen die Kopplung ber eine Lochblende der gemeinsamen Querschnitts-Trennwand erfolgt. Auch die Kopplung von Xyjl langen Resonanzhohlrumen ber <lL/4-Leitungsabschnitte wird hufig angewandt. Ein Hohlleiter-Sperrfilter kann mittels einer Reihe im Abstand von A L / 4 , mit der Hauptleitung parallel geschalteter Hohlraumresonatoren realisiert werden ( R a g a n (1948)). B e i s p i e l : Fr einen Bandpa, dessen Mittenfrequenz 10MHz und dessen Bandbreite 2 M H z betragen soll, ist C2=112,5nF vorgegeben. Aus der Bandbreite findet man nach Tab. 4.12 Z.i = l/(27t2(Av)2C2)=112,6nH, und mit V , + (l/(27t VZLi C2))= lOMHz ergibt sich 1/Z,|C| = G 3,908 10"s^ und damit C, = 2,273 n F Aus L, C, =Z,2 Ci, folgt L^ = 2,274 nH. Ausa, = 2 arcosh 3,094 (bei 8 MHz) bzw. 02 = 2 arcosh 2,652 (bei 12 MHz) und arcosh >' = In (j^ + 1) findet man fr die Dmpfung in dB (mit (4.322)) a', = 31,2dB (bei 8 MHz), aJ = 28,3dB (bei 12 MHz).

4.3.3.8

Resonanzkreise

Leitungskreise aus konzentrierten Elementen Resonanzkreise bestehen aus der Zusammenschaltung einer Induktivitt L und einer Kapazitt C, in Verbindung mit einem Wirkwiderstand R, der auch nur der Leitungswiderstand sein kann. Man unterscheidet den Reihenresonanzkreis (Fig. 4.201) und den Parallelresonanzkreis (Fig. 4.202). Im ersten Fall betrgt die Impedanz Z des Kreises coL - (4.379) cC

Sie wird rein reell, Z = R, wenn CO = 0)0 = 1

(4.380)

S/LC

718 R

4.3 Hochfrequenz

Fig. 4.201

Reihen-Resonanzkreis

Fig. 4.202

Parallel-Resonanzkreis

Vo= 1/(271 VzTC) ist die Resonanzfrequenz des (ungedmpften) Kreises (/? = 0). Die Spannung am Resonanzkreis ist gegenber der Stromstrke um den Phasenwinkel coL - <P = arctan R
1

wC

= arctan

wL R

1 -

W o (

2 (4.381)

verschoben. Fr co<jq wird der Gesamtwiderstand kapazitiv, fr co>coo induktiv, fr = cq rein resistiv. = (4.382) R wird als Gtefaktor des Resonanzkreises bezeichnet, er ist ein Ma fr die Dmpfung, die Halbwertsbreite der Resonanzkurve und die Resonanzberhhung der angelegten Spannung. Ein freischwingender Resonanzkreis hat eine Amplitudendmpfung e wobei /I = 5 t die Amplitudenabnahme whrend einer Schwingungsperiode (T) angibt und als logarithmisches Dekrement bezeichnet wird. Es ist Q= (4.383)

Die Frequenzbreite, bei der die Leistung den halben Wert der Spitzenleistung erreicht hat, bzw. Spannungs- oder Stromstrke-Amplitude auf l / \ / 2 ihres Maximalwertes abgefallen sind, bezeichnet man als die Halbwertsbreite (Av)i/2 der Resonanzkurve. In guter Nherung gilt vo =(Av),/2 (4.384)

wenn Vq die Mittenfrequenz der Resonanzlinie ist. Fr die Resonanzberhhung, d. h. den Faktor, um den die Spannung an Spule und Kondensator die ursprnglich angelegte Spannung Uo berschreiten kann, gilt (4.385) Uo Da bei Reihenschaltung von Spule und Kondensator eine betrchtliche Spannungsberhhung eintreten kann, bezeichnet man die Reihenresonanz auch als Spannungsresonanz"; im Gegensatz hierzu tritt Stromresonanz" bei Parallelschaltung (Fig. 4.202) von Kapazitt und Induktivitt ein. In diesem Fall ist die Kreisimpedanz R --J (cocy 1 coC R' (coiy-^ (4.386) coC

Z =

(oL - -

4.3.3 Leitungen und Bauteile Die Resonanzfrequenz ist


1 VQ:

719

(4.387) \ ' " L

2n^/LC

Die Phasenverschiebung der Spannung gegenber dem Strom ist durch coC0 = arctan coL R R^ + (coLY (4.388)

gegeben. In den meisten praktischen Anwendungen ist R<\jL/C, dann stimmt die Resonanzfrequenz mit derjenigen bei Reihenresonanz berein. In diesem Fall gilt 0 = / = ^ A " R V C (4.389)

Bei kleinem Wert von R wird der Kreiswiderstand | Z\ im Resonanzfall sehr hoch, so da | Z| / - O fr wird. Der Parallelresonanzkreis wirkt daher im Resonanzfall als sehr hoher Widerstand (Sperrkreis). Innerhalb des Kreises selbst werden aber die Teilstrme 4 und Ic sehr hoch. Die Stromberhhung betrgt in guter Nherung
(^c)ma /o w o b e i (/z.)max b z w . (/c)max d i e M a x i m a l w e r t e d e r i m R e s o n a n z f a l l d u r c h S p u l e b z w . f l i e e n d e n S t r m e s i n d u n d u n t e r lo d e r G e s a m t s t r o m z u v e r s t e h e n ist. K a m m e r l o h e r (1957); M e i n k e u. G u n d l a c h (1968, 1986); V i l b i g (1960). Kondensator

(4.390)

Topfkreise Resonanzkreise bei hheren MHz-Frequenzen, vor allem im dm-Wellenbereich, werden vielfach als Topfkreise" ausgebildet, das sind allseitig abgeschirmte kurzgeschlossene koaxiale Leiterstcke. Die Resonanzabstimmung erfolgt ber eine variable Kapazitt in Verbindung mit der Leitungs-Induktivitt (Fig. 4.203). Dabei gilt genhert (fr vernachlssigbar kleine Dmpfung und Kopplung)
WQCZL = c o t Wo/), mit C

(4.391)

(coo = 27tVo, V Resonanzfrequenz, C Abstimmkapazitt, ZL Leitungs-Wellenwiderstand, / Leitungso lnge, r Radius des Innenleiters (bzw. der Kondensatorflche), d Abstand der beiden Kondensatorflchen, da Durchmesser des Auenleiters, Permittivitt und Permeabilitt im Innenraum). Die Gtewerte liegen meist zwischen 10' und 10". Die Ankopplung des Topfkreises erfolgt kapazitiv, induktiv oder durch galvanische Verbindung mit dem Mittelleiter.
Fig. 4.203 T o p f k r e i s mit i n d u k t i v e r K o p p l u n g / Lnge der koaxialen Leitung d A b s t a n d zwischen den K o n d e n s a t o r p l a t t e n der Abstimmkapazitt C r R a d i u s d e r K o n d e n s a t o r p l a t t e ( u n d des k o a xialen I n n e n l e i t e r s ) K induktive Koppelschleife P e r m i t t i v i t t u n d P e r m e a b i l i t t des I n n e n -

b<l

720

4.3 Hochfrequenz

Beispiel: Bei einem Topfkreis fr v = 500 MHz (A = 60 cm) ist die Lnge / = 10 cm, der Innendurchmesser des Topfes <4 = 6 cm, der Wellenwiderstand sei 50 Q. Der Innenraum ist mit Luft gefllt. Aus (4.391) findet man C=3,67pF. Mit r = e = 1,30cm ergibt sich d= 1,3mm.
M e g l a ( 1 9 5 4 ) ; M e i n k e u . G u n d l a c h ( 1 9 6 8 , 1986); P h i l i p p o w ( 1 9 6 9 ) ; Z i n k e u. B r u n s w i g ( 1 9 5 9 ) .

Hohlraumresonatoren Im GHz-Frequenzbereich wird gegenber Topfkreis und koaxialem Leitungsresonator der Hohlraumresonator mit ansteigenden Frequenzen bevorzugt. Er entsteht aus einem Hohlleiter, der beiderseitig durch eine Kurzschluplatte mglichst hoher Leitfhigkeit abgeschlossen ist. Resonanz tritt ein, wenn die Lnge / zwischen den transversalen Grenzflchen gleich einem Vielfachen der halben Leiterwellenlnge ist /= =T 2 ^ v v ^ ,
1 -

'

(4.392)

(Zur Berechnung von Resonanzfrequenzen aus den geometrischen Daten kreiszylindrischer Resonatoren s. Tab. T 4.08 in Band 3). Der Gtefaktor Q von Hohlraumresonatoren ergibt sich entweder aus der Halbwertsbreite (4.384) oder gem der Definition Q 2n- (im Resonator gespeicherte Energie) Energieverlust whrend einer Schwingungsperiode ^^ ^^^^

Eine rohe Abschtzung, die fr Resonatoren beliebiger Gestalt gltig ist, lautet _ V Volumen des Resonators Q == 6F Volumen der quivalenten Leitschicht (Skinvolumen) ,. (4.394)

{V Volumen des Hohlraums, F innere Oberflche des Resonators, Skineindringtiefe nach Gl. (4.306). Cross (1977).
G r o l l (1969); M e i n k e u. G u n d l a c h ( 1 9 6 8 u n d 1986); M e y e r u. P o t t e l (1969); K o h l e r u. B a y e r ( 1 9 6 6 ) ; S a r b a c h e r u. E d s o n ( 1 9 5 0 ) .

Durch Anwendung von Hohlraumresonatoren aus supraleitendem Material unterhalb ihrer Sprungtemperaturen (9,24 K bei Niob und 7,19 K bei Blei) lassen sich Gtewerte ber 10'" erzielen, gegenber -Werten zwischen 5 10^ und 10^ bei Zimmertemperatur.
H a l b r i t t e r (1974); M e y e r (1981); P e t l e y (1980); P f i s t e r (1976); S t e i n (1975).

Beispiel: In einem mit Luft gefllten Hohlraumresonator aus Kupfer (p" 1,6-10 ^fim) mit einem kreiszylindrischen Querschnitt (rfi = 5cm), der bei der Frequenz 10 GHz (A = 3cm) in H q h " Resonanz angeregt werden soll, gilt fr die Hoi-Welle Ag = 0,820c/i = 4,l cm, A = 4,40cm, L ^ = 0,64 (xm, /j (innerer Abstand der Endflchen des Hohlraumes) = i L / 2 = 2,20cm. V=dUh/^ = 43,2 c m \ 8F=8din {l, 4 d j l ) = 4,72 10 ^ cm'.

Gtefaktor - 9 0 0 0 . (Bei Hois-Resonanz ist K=216cm^ SF= 1,36-10 ^cm^ also 16000). Zur Vermeidung von Energiekonversion in andere Wellentypen mit hherer Dmpfung als die extrem dmpfungsarme Hoi-Welle (z. B. En-Welle mit gleicher Leiterwellenlnge) wird die Wand des kreiszylindrischen Hohlleiters als einlagige Spule aus dichtgewickeltem isolierten Cu-Draht (Wendelhohlleiter") ausgebildet. Mit bei Frequenzen bis 140 GHz angewandten Wendelhohlleiter-Resonatoren sind Leergten bis 80000 erreicht worden.
C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y ( 1 9 7 3 ) ; S t u m p e r ( 1 9 7 3 ) ; N i u. S t u m p e r (1985).

YIG-Filter Angeregt wird die ferrimagnetische Resonanz einer in einen Wellenleiter eingebauten vormagnetisierten Probe (oft Scheibe oder Kugel mit Durchmesser von einigen 0,1mm) aus Yttrium-Eisen-Granat (YIG), die ber die Komponente des magnetischen HF-Wechselfelds mit

4.3.3 Leitungen und Bauteile

721

R i c h t u n g s e n k r e c h t z u m V o r m a g n e t i s i e r u n g s f e l d H a a n g e k o p p e l t w i r d , z. B. m i t e i n e r L e i t e r s c h l e i f e um die YIG-Kugel. Solche ber H^ abstimmbaren Resonatoren kann man fr kleine HFFilter etwa L e i s t u n g e n (im m W - B e r e i c h ) u n d f r F r e q u e n z e n v o n einigen h u n d e r t M H z bis e t w a 100 G H z als durchstimmbare und (mit Hilfe von D / A - W a n d l e r und Stromtreiber) rechnersteuerbare benutzen. D e r Einfgungsverlust betrgt einige dB. Die mit einer Sweeprate v o n m a x i m a l 1 M H z p r o HS v e r s c h i e b b a r e R e s o n a n z f r e q u e n z ( v o n e i n i g e n l O k H z - m - A Entmagnetisierungsfaktoren. D i e stets v o r h a n d e n e

') b e s t i m m t sich a u s der Resonanzfreworden.

d e m gyromagnetischen Verhltnis, dem Kristallanisotropiefeld, der Sttigungsmagnetisierung und Temperaturabhngigkeit q u e n z minimiert m a n d u r c h geeignete kristallographische Orientierung z u m M a g n e t f e l d H^. A u c h B a r i u m f e r r i t ist als R e s o n a t o r m a t e r i a l i m B e r e i c h d e r M i l l i m e t e r w e l l e n v e r w e n d e t C h a n g ( 1 9 9 0 ) ; M e i n k e u. G u n d l a c h (1986).

4.3.3.9

Anpassung und Anpassungstransformatoren

Um einem Verbraucher die von einem Generator erzeugte Nutzleistung mglichst verlustfrei zuzufhren, mssen Reflexionen innerhalb des Leitungssystems vermieden werden. Sie treten an der Grenzflche zweier unterschiedlicher Leitungsimpedanzen auf, gem r= Z2+Z1 (Zi, Z2 Wellenwiderstnde der aneinandergrenzenden Medien, TReflexionsfaktor). Ist Z, =Zi, so verschwindet die Stostelle, man spricht dann von einem angepaten" Leitungsbergang. Soll die von einem Generator maximal verfgbare Leistung (Generatorimpedanz Zg) vom angeschlossenen Verbraucher (Lastimpedanz Z{) aufgenommen werden, so ist die Bedingung = = = (4.396) (4.395)

zu erfllen. Die im Lastwiderstand verbrauchte (maximale) Leistung ist dann (4.397) Im Tonfrequenzbereich werden zur Widerstandsanpassung um einen Eisenkern gewickelte Spulen (Transformatoren) mit den Primr- und Sekundrwindungszahlen und 2 benutzt (Fig. 4.204), die in guter Nherung als Verlust- und streuungsfrei anzusehen sind. Der komplexe Belastungswiderstand wird damit von der Sekundrseite auf die Primrseite transformiert gem
z; =

(4.398)

Zwischen Z2 und Zg (Generator-Impedanz) ist dann die Bedingung fr maximale Leistungsabgabe Z* = Z2 zu erfllen. Bei hheren Frequenzen im kHz- und MHz-Bereich verwendet man zur Widerstandsanpassung hufig Resonanzschaltungen aus verlustarmen Reaktanzen, die die Anpassungsbedingung in einem meist schmalen Frequenzband erfllen.

Fig. 4.204 O p t i m a l e A n p a s s u n g e i n e r L a s t (Z2) a n d e n G e n e r a t o r (Z,) ber einen T r a n s f o r m a t o r I , 2 P r i m r - u n d S e k u n d r w i n d u n g s z a h l Z'i transformierte Last B e d i n g u n g f r o p t i m a l e L e i s t u n g s a u f n a h m e Z l = Z2

722

4.3 Hochfrequenz

Im allgemeinen Fall, in dem ein komplexer Widerstand Z\ an einen komplexen Widerstand Z2 anzupassen ist, werden unsymmetrische T- oder 7t-Schaltungen benutzt, bei denen die ein- und ausgangsseitigen Wellenwiderstnde die Anpassungsbedingungen an Quell- und Lastimpedanz erfllen mssen. Im Mikrowellenbereich sind konzentrierte Schaltelemente meist nicht mehr realisierbar. Man benutzt dann Leitungstransformatoren mit kontinuierlich verteilten Impedanzen. Schliet man z. B. eine beliebige Leitung der Lnge / mit einer Impedanz Z2 ab, so transformiert sich diese Impedanz nach der Leitungstheorie (4.3.3.1) auf den Eingang im Abstand / vom Abschlu gem Z 2 + Z l tanh yl Z l + Z2 tanh yl (4.399)

(Zl Leitungswellenwiderstand, y Fortpflanzungskoeffizient). Nimmt man die Leitung als praktisch verlustfrei an {y=]) und whlt die Lnge l = so findet man bei reellen Leitungswiderstnden Z, =Ri, Z2 = Ri fr den Widerstand des Transformationsstckes; (4.400) Schliet man eine praktisch verlustfreie Leitung mit einem Kurzschlu ab, so gilt fr den Eingangs widerstand Z| = j Z i , t a n / ? / (4.401)

Mit Hilfe zweier derartiger Reaktanzleitungen, die senkrecht von einer Hauptleitung abzweigen und deren Eingnge den Abstand (ln-\)Xi_ ( = 1 , 2 , 3 , . . . ) haben, knnen innerhalb eines begrenzten Transformationsbereiches zwei unterschiedliche Impedanzen aneinander angepat werden. Zur Vergrerung des Transformationsbereiches benutzt man 3 Stichleitungen im gegenseitigen Abstand von 1L/8 (Fig. 4.205). In Hohlleiterschaltungen werden anstelle von Stichleitungen meist Schrauben oder Stifte verwendet, die in der Mitte der Breitseite des Hohlleiters im Abstand AL/8 zueinander eingesetzt werden und als kapazitive oder induktive Blindwiderstnde wirken. Der E-H-Transformator (Fig. 4.206) besteht aus einer doppelten T-Verzweigung, deren einer Zweig in der Ebene der elektrischen Feldlinien (E-Verzweigung) und deren anderer Zweig in der Ebene der magnetischen Feldlinien (H-Verzweigung) des Hauptleiters liegt.

Generator^^

GenerotoTe
Fig. 4.205 Koaxialer A b s t i m m t r a n s f o r m a t o r (Tun e r ) m i t 3 S t i c h l e i t u n g e n im A b s t a n d >li./8 v o n e i n a n d e r Z j anzupassende Last K u Kl, K j verschiebbare Kurzschlukolben Fig. 4.206 E-H-Transformator E Verzweigung parallel z u m elektrischen Feld des Hauptleiters H Verzweigung parallel z u m magnetischen Feld des Hauptleiters K , , K2 b e w e g l i c h e K u r z s c h l u k o l b e n

4.3.3 Leitungen und Bauteile

723

Die verschiebbaren Kurzschlsse der beiden T-Zweige werden so einjustiert, da am Anpassungsort die transformierte Abschluimpedanz gleich dem Wellenwiderstand der Leitung ist. Beim Gleitschraubentransformator knnen Eintauchtiefe und Eintauchort lngs eines Schlitzes in der Hohlleiterbreitseite verndert werden, bis optimale Transformation der anzupassenden Lastimpedanz erreicht ist. Mit den beschriebenen Impedanztransformatoren lassen sich meist Fehlanpassungen mit Welligkeiten von etwa 20:1 bis 30:1 auf besser als 1,02:1 reduzieren.
B a i l e y (1989); G r o l l (1969); K a m m e r l o h e r (1957); M e i n k e u. G u n d l a c h (1968, 1986); T i s c h e r (1958); W e i s s f l o c h (1954); Z i n k e u. B r u n s w i g ( 1 9 8 6 ^

4.3.3.10 Dmpfungsglieder
Ein HF-Dmpfungsglied kann aus reinen Hochfrequenz-Widerstnden (z.B. phasenreinen Schichtwiderstnden) als T- oder n-Glied dargestellt werden. Bei koaxialem Ein- und Ausgang werden die Lngswiderstnde Z, = in den Mittelleiter eingefgt, whrend die Querleitwerte Y^ = G Innen- und Auenleiter verbinden. Dmpfungsma a und Wellenwiderstand Z^ ergeben sich aus folgenden Beziehungen (s. Tab. 4.11): a = 2 arsinh ^ (fr T- und n-Glieder) und Z = J G c o s h - ^ (frT-Glied); 2 =J ^ V 2Cr ' ^ ^ cosh a y (fr7t-Glied) (4.403) (4.402)

Sind Dmpfung und Wellenwiderstand vorgegeben, so findet man fr das T-Glied a = Z-tanh^ '2
und fr tanh

G=^

(4.404)

R =

sinh a

G =

(4.405)

B e i s p i e l : U m ein D m p f u n g s g l i e d zu realisieren, d a s bei e i n e m W e l l e n w i d e r s t a n d v o n 50 Q eine A b s c h w c h u n g v o n 2 0 d B h a t , m u - n a c h o b i g e n F o r m e l n - f r d i e T - S c h a l t u n g /?| = 4 0 , 9 Q ,

q = \/G=
Zur

10,1 n u n d f r d i e n - S c h a l t u n g , = 2 4 7 , 5 fi, q = l / G = 61,1 Q s e i n .


D m p f u n g e n bei v e r h l t n i s m i g niedrigen Wellenwiderstnden ist die

Erzielung hoher

R e i h e n s c h a l t u n g m e h r e r e r T - o d e r n - G l i e d e r gnstiger als ein einzelnes T - o d e r Jt-Glied, d a sich bei d i e s e m u n g n s t i g e W e r t e d e s V e r h l t n i s s e s v o n L n g s w i d e r s t a n d z u Q u e r w i d e r s t a n d e r g e b e n (z. B. sehr kleine Q u e r w i d e r s t n d e f r T - G l i e d e r , sehr g r o e L n g s w i d e r s t n d e f r 7t-Glieder). K o m m e r ziell a n g e b o t e n e Festdmpfungsglieder haben meist Werte um 3dB, 6dB, 10dB, 20dB,..., schaltbare Dmpfungsglieder sind heute rechnersteuerbar. M e i n k e u . G u n d l a c h (1968, 1986); T i s c h e r (1958); V i l b i g (1960).

Bei variablen Dmpfungsgliedern (Abschwchern) erfolgt die Absorption meist in Dnnschichtwiderstnden, die bei koaxialen Dmpfungsgliedern in den Mittelleiter eingefgt sind. Die Dmpfung kann hier z. B. ber eine kapazitive Sonde, die lngs des (rhrenfrmigen) Widerstandselements verschiebbar ist, kontinuierlich verndert werden. Bei Hohlleiter-Dmpfungsgliedern wird im einfachsten Fall ein Widerstandsstreifen parallel zu den elektrischen Feldlinien (d. h. beim Rechteckhohlleiter parallel zur Schmalseite) in Hohlleitermitte eingefgt. Eine Zuspitzung der Folie an beiden Enden sorgt fr einen kontinuierlichen Feldber-

724

4.3 Hochfrequenz

gang und damit fr breitbandige Anpassung. Um die Dmpfung zu verndern, kann z. B. die Eintauchtiefe der durch einen Lngsschlitz in der Hohlleiter-Breitseite eingefhrten Absorptionsschicht kontinuierlich verndert werden. In einer zweiten Bauform kann ein Dmpfungsstreifen, der parallel zur schmalen Wand des Rechteckhohlleiters angebracht ist, von Wandnhe (Ort kleiner elektrischer Feldstrke) zur Mitte hin (Ort maximaler elektrischer Feldstrke) verschoben werden (Groll (1969); Tischer (1958)). Das Rotations-Dmpfungsglied ist ein variabler Przisionsabschwcher, bei dem in einen Hohlleiter kreiszyhndrischen Querschnitts eine um die Mittelachse drehbare dielektrische Folie eingefhrt ist, deren Oberflche mit einer dnnen metallischen Widerstandsschicht (z. B. Chromnickel) bedampft ist. Eingangs- und ausgangsseitig wird der kreiszylindrische Hohlleiterquerschnitt stostellenfrei in einen Rechteck-Normquerschnitt berfhrt. Abgesehen von meist vernachlssigbar kleinen Korrekturgliedern (z. B. durch Mehrfachreflexion) wird die Dmpfungsnderung des Drehfolien-Absorbers allein durch die Winkeleinstellung 6 des Widerstandsstreifens gegenber der Nullstellung (Flche senkrecht zum elektrischen Feld) bedingt. Die Gesamtdmpfung A ist ^ = 40 log ' cos + Ao (4.406)

(Ao Grunddmpfung des Abschwchers in Null-Stellung, 6 Drehwinkel). Rotations-Dmpfungsglieder lassen sich als kalibrierbare HF-Abschwcher bei Frequenzen bis hher 100 GHz und fr Dmpfungen bis zu 50dB bei einer Reproduzierbarkeit von bestenfalls etwa 0,001 dB/lOdB (fr kleine Dmpfungswerte) benutzen. Typische Werte der Unsicherheit liegen zwischen 0,01 dB/10 dB und 0,1 dB/lOdB (Warner (1977)). Weit unterhalb der Grenzfrequenz angeregte Hohlleiter stellen Abschwcher dar, deren einstellbare Dmpfungsdifferenz von der Verschiebung der auskoppelnden gegenber der einkoppelnden Antenne und von der kritischen Dimension (beim kreiszylindrischen Hohlleiter ist das der Innendurchmesser, beim Rechteck-Hohlleiter ist es die innere Breitseite a) abhngt. Die Dmpfung in dB ergibt sich ^ ^ ^ O n l ^ 1 A/ (4.407)

(A freie Wellenlnge bei der Arbeitsfrequenz, Ag Grenzwellenlnge, A>Ag, A/ Antennenverschiebung). Hohlrohr-Dmpfungsglieder eignen sich vor allem zur Erzielung hoher Abschwchungen bis 100dB und darber (Bayer (1980); Warner (1977)). Die PIN-Diode (P = Positive, I = Intrinsic, N = Negative, entsprechend ihrem Dotierungsprofil) ist eine Halbleiterdiode, deren Hochfrequenzimpedanz durch eine elektrische Vorspannung variiert werden kann (Unger u. Harth (1972)). Sie ist als elektrisch einstellbares Dmpfungsglied und als schneller elektronischer Schalter geeignet. Die erreichbaren Sperrdmpfungen berschreiten 50 dB. Ferritmodulatoren sind in 4.3.3.14 erwhnt. 4 . 3 . 3 . 1 1 Phasenschieber der Hchstfrequenztechnik Die zum Bau von Dmpfungsgliedern angewandten Prinzipien beim Einsatz fester, verschiebbarer oder drehbarer Widerstandsstreifen knnen grundstzlich auch bei der Konstruktion von Phasenschiebern angewandt werden, wenn anstelle des Widerstandsmaterials mglichst verlustfreie, dnne dielektrische Schichten benutzt werden (Polystrol, Teflon, Keramikstoffe). Ein fr genau einstellbare Phasendifferenzen geeignetes Gert besteht aus zwei koaxialen Leitungen gleichen Wellenwiderstandes (d. h. mit gleichem Durchmesser-Verhltnis d^/d{), die ineinander verschiebbar sind, also eine Koaxialleitung vernderlicher Lnge darstellen (Fig. 4.207). Um die bei starrem Einbau des Phasenschiebers in das Leitungssystem sich ergebenden Nachteile der vernderlichen Gesamtlnge auszuschalten, wird dem Phasenschieber die Gestalt eines

4.3.3 Leitungen und Bauteile

725

Fig. 4.207

K o a x i a l l e i t u n g v e r n d e r l i c h e r L n g e ( n a c h G r o l l (1969)) {da, d'i) I n n e n d u r c h m e s s e r der Auenleiter rfi, (d\, d'O Auendurchmesser der Innenleiter A/ Abstand zwischen A u e n - u n d Innenleitersprung zur K o m p e n s a t i o n von Reflexionen

U-Rohres (Posaune) gegeben, wodurch sich Eingangs- und Ausgangsebene nicht mehr gegeneinander verschieben. Die Phasennderung bei einem Auszug des U-Rohres um / ist dann gegeben durch A 0 = 47t Ai, ' wobei die Leitungswellenlnge ist (bei koaxialen Luftleitungen praktisch gleich der freien Vakuum-Wellenlnge). E,
Fig.4.208 Hohlleiter-Phasenschieber nach dem RichtkopplerPrinzip Pm NH K D / HF-Eingangsleistung Normhohlleiter beweglicher Kurzschlukolben Kopplungslcher V e r s c h i e b u n g des K u r z s c h l u k o l b e n s NH K [ Generotor

(4.408)

Eine entsprechende Konstruktion fr Hohlleiter besteht aus der Kombination eines Richtkopplers (s. 4.3.3.13) hoher Richtdmpfung ()>40dB) mit einem Kurzschlu (Fig. 4.208). Bei Verschiebung des Kurzschlusses um / wird am Ausgang eines Seitenarmes (bei E^) eine Phasennderung entsprechend Gl. (4.408) erzeugt. Bei Przisionsausfhrungen mit hinreichend genauer LngenEinstellmglichkeit sind Phasendifferenzen zwischen 0,0002 und 0,002 (0,01 und 0,1) realisierbar.
E l l e r b r u c h (1965); G r o l l (1969); M e i n k e u. G u n d l a c h (1968, 1986); M e y e r u. P o t t e l (1969); T i s c h e r (1958).

4.3.3.12 T-Verzweigungen
Die in koaxialen Leitungskreisen eingesetzten T-Verzweigungen bestehen im einfachsten Fall aus einer Parallelschaltung zweier Nebenarme mit dem Haupt-Eingangsarm. Dabei sind Auenleiter mit Auenleiter und Innenleiter mit Innenleiter galvanisch verbunden. Die Eingnge der drei 50 QLeitungszweige sind nicht angepat. Um jeden der 3 Arme einen Eingangs-Wellenwiderstand von 50 n zu geben und dadurch Anpassung zu erzwingen, kann z. B. ein reeller Hochfrequenzwiderstand von WhQ. in den Mittelleiter jedes Zweiges eingesetzt werden. Die Schwchung zwischen zwei Toren betrgt dann 6,02 dB. Als Hohlleiterkonstruktion unterscheidet man das Parallel-T und das Serien-T, entsprechend der Schaltung der Impedanzen im Ersatzschaltbild. Das Parallel-T (Fig. 4.209) wird auch HVerzweigung, das Serien-T (Fig. 4.210) E-Verzweigung genannt, da in einem Fall die Verzweigung in der Ebene des H-Feldes, im anderen Fall in der Ebene des E-Feldes des Eingangsleiters erfolgt. Bei gleichen Querschnitten der Leiterarme sind die Hohlleiter-T-Verzweigungen nicht angepat; eine breitbandige Anpassung kann erzwungen werden, indem die Querschnitte der Verzweigungs-

726

4.3 Hochfrequenz

I T

t
Fig. 4.209 H - V e r z w e i g u n g ( P a r a l l e l - T ) . D i e Verz w e i g u n g e r f o l g t in d e r m a g n e t i s c h e n Feldebene (senkrecht zum elektrischen Feldvektor) T elektrischer Feldvektor

n n V T m

F i g . 4.210

E - V e r z w e i g u n g ( S e r i e n - T ) . D i e Verzweig u n g e r f o l g t in d e r E b e n e des e l e k t r i s c h e n Feldvektors T elektrischer Feldvektor (Phasensprung u m n z w i s c h e n A r m 2 u n d 3)

arme (oder der Eingangsarme) entsprechend modifiziert und dann kontinuierlich wieder in den Normquerschnitt berfhrt werden. Eine spezielle Doppel-T-Schaltung (Kombination eines Serien- und eines Parallel-T's mit angepaten Eingngen) stellt das Magische T" dar (s. 4.3.4.2; Fig. 4.233), dessen Streumatrix im Idealfall durch

0 0 1 1

0 0 1 -1

1 1 0 0

1 -1 0 0

5=n/2

(4.409)

gegeben ist. Die Anpassung 511 = 522 = 533 = 544 = 0 kann durch geeignete Abstimmelemente erreicht werden, so z. B. durch einen in die Symmetrieebene eingefhrten Metallstift und eine induktive Blende in Arm 4. Eine in Arm 3 eingespeiste Welle verteilt sich gleichphasig auf Arm 1 und 2, Arm 4 ist entkoppelt. Bei Einspeisung in Arm 4 erfolgt die Kopplung in die beiden Seitenarme gegenphasig. Arm 3 ist entkoppelt (Anwendungen s. 4.3.4.2).
K l a g e s (1956); M e y e r u. P o t t e l (1969); M o n t g o m e r y u. a. (1947), (1948); R a g a n (1948).

4.3.3.13 Richtkoppler
Im allgemeinen Fall hat jede (verlustlose) Viertor-Anordnung, deren Tore vollstndig angepat sind, d. h. 5i ] = 522 = 533 = 544 = 0, die Eigenschaften eines Richtkopplers, d.h. da die Kopplungen nur zwischen bestimmten Toren mglich sind, whrend die brigen Tore entkoppelt sind (Montgomery u. a. (1948)). Wird in einer geeigneten Anordnung, z.B. fr Hohlleiter nach Fig.4.211, die Hauptleitung mit Eingangstor 1 und Ausgangstor 2 mit einer Nebenleitung, die die Ein- und Ausgangstore 3 und 4

03

V
K

-Generator

Last-

er

Fig. 4.211 P r i n z i p des R i c h t k o p p l e r s , z. B. f r H o h l l e i t e r ( f r Koaxialkoppler Tor 3 und 4 vertauscht) 1 E i n g a n g s t o r des H a u p t a r m s 2 A u s g a n g s t o r des H a u p t a r m s 3, 4 A u s g a n g s t o r e d e r N e b e n l e i t u n g Ol, 02. <33, 04 E i n g a n g s - W e l l e n a m p l i t u d e n a n den T o r e n 1 bis 4 bi,bi,bi,bi, Ausgangs-Wellenamplituden an den T o r e n I bis 4 K Bereich d e r K o p p l u n g ( h i e r f r H o h l l e i t e r ) zwischen H a u p t - und Nebenleitung (fr K o a x i a l k o p p ler K o p p l u n g in R c k w r t s r i c h t u n g " )

240 4.3.3 Leitungen und Bauteile besitzt, gekoppelt, und eine HF-Quelle mit Tor 1 (Eingang) verbunden, so wird ein Teil der Leistung in Arm 4 (Koppelpfad) ausgekoppelt, whrend am Ausgangstor 3 (Isolationspfad) im Idealfall keine HF-Leistung nachweisbar ist. Eine solche Anordnung kann als Reflektometer benutzt werden, weil die im Hauptarm vorwrts und rckwrts laufenden Wellen getrennt ausgekoppelt werden knnen. Bei Richtkopplern in Koaxial- und Planarleitungstechnik mit Rckwrtskopplung" befindet sich das Tor, an welchem die ausgekoppelte Leistung auftritt, auf der gleichen Seite wie das Eingangstor 1 (Vertauschung von Tor 3 und 4). Die Konstruktionsprinzipien sind verschiedenartig und vom Frequenzbereich, dem benutzten Leitungssystem und den gewnschten Spezifikationen abhngig. Vorwiegend im MHz-Bereich benutzt man Brckenschaltungen aus Ohmschen Widerstnden. Bei koaxialen Leitungen im MHzund GHz-Bereich sowie beim Bethe-Hohlleiter-Einlochkoppler wird die Wechselwirkung zwischen elektrischer und magnetischer Kopplung ausgenutzt ( M o n t g o m e r y (1947); K r a u s (1980); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986)). Bei Hohlleiter-Richtkopplern verwendet man z.B. zwei im Abstand von AL/4 angebrachte Lochkopplungen in der gemeinsamen Breitseite, wodurch im Nebenleiter die beiden rcklufigen Wellen um /Il/2 gegeneinander verschoben sind und sich auslschen. Mit Vielloch-Richtkopplern (Lochzahl >2, gegenseitiger Abstand /IL/4) lt sich die Kopplung in Vorwrtsrichtung erhhen und die Frequenzempfindlichkeit der Richtwirkung verbessern. Durch geringfgige Versetzungen im Lochabstand wird die Breitbandigkeit vergrert. Die Koppeldmpfung eines in der Praxis nichtidealen Richtkopplers (Fig. 4.211) ist C = 2 0 l o g - | ^ = - 2 0 log 154,1 IM und die Richtdmpfung |4l Z) = 2 0 l o g ^ = 2 0 l o g ^ I64I \a2\ Mit 10 erhlt man die Streumatrix der idealen Richtkopplung gem 0 sJX-e 5 = 0 jf K 0 0 n/1-C^ Vi-C^ 0 0 0 K 0 (4.412) (4.411) (4.410)

Bei handelsmig verfgbaren Richtkopplern ist meist Arm 3 mit einer nicht-reflektierenden Last abgeschlossen, so da die Anordnung als 3-Tor betrachtet werden kann. Typische Kennwerte fr solche Richtkoppler sind: Koppeldmpfung 3 dB, 6 dB, 10 dB, 20 dB, 40 dB. Die Richtdmpfungen liegen fr Hohlleiter je nach Breitbandigkeit und spezieller Konstruktion zwischen 15 dB und 45 dB. Spezielle Hohlleiter-Richtkoppler mit Richtdmpfungen zwischen 50 dB und 60 dB ber ein Hohlleiter-Normband sind verfgbar. Im Koppelbereich von Richtkopplern in Koaxialtechnik sind die Innenleiter von Haupt- und Nebenleitung parallel in einem gemeinsamen Auenleiter gefhrt. Bei Kopplern aus planaren Leitungen sind Haupt- und Nebenleitungen so weit genhert, da die Randfelder im Koppelbereich in die Nachbarleitung bergreifen. Die Richtdmpfung D betrgt in Frequenzbandbreiten 1:3 etwa 30 dB. Fr extrem breitbandige Koppler wird D klein; bei einem kommerziellen Koppler wird im Frequenzbereich l , 7 G H z bis 26,5GHz angegeben: C - 1 6 d B , 1 2 bis 15dB, SH^0,2.
C h a n g ( 1 9 8 9 ) ; K e r n s u. B e a t t y (1967); K r a u s (1980); M e i n k e u . G u n d l a c h ( 1 9 6 8 , 1986); M o n t g o m e r y (1948).

728

4.3 Hochfrequenz

4 . 3 . 3 . 1 4 Ferrit-Bauteile Ferrite haben einen hohen spezifischen elektrischen Widerstand (etwa 1 bis 10^ m je nach Zusammensetzung und Frequenz), weshalb Mikrowellen praktisch ungehindert in sie eindringen (s. Gl. 4.306)). Der Imaginrteil der komplexen P e r m e a b i l i t t ( G r o l l (1969); Meyer u. Pottel (1969)), von dessen Betrag die Hochfrequenz-Absorption abhngt, kann ber ein ueres magnetisches Gleichfeld beeinflut werden. Daher knnen in HF-Leitungen eingesetzte FerritElemente hnlich wie die FIN-Diode (s. 4.3.3.10) als elektrisch steuerbare Dmpfungsglieder bzw. Modulatoren benutzt werden. Faraday-Effekt, ferromagnetischer Resonanzeffekt und Feldverdrngungseffekt (Groll (1969); Klages (1956); Lax u. Button (1962); Waldron (1961, 1970)) werden zur Herstellung nichtreziproker Leitungsbauteile ausgenutzt, z. B. von Zweitoren, bei denen die Ausbreitungseigenschaften von der Fortpflanzungsrichtung der Welle abhngen (Meinke u. Gundlach (1986); Chang (1989)). Ein Beispiel hierfr ist die Einwegleitung (Isolator), die die Hochfrequenzwelle in Vorwrtsrichtung praktisch ungehindert durchlt und in Rckwrtsrichtung absorbiert. Sie dient der Entkopplung von Leitungsabschnitten, z. B. dem Schutz von Generatoren vor Rckwirkungen durch Fehlanpassung. Einwegleitungen in Hohlleitertechnik (Meyer u. Pottel (1969)) knnen Rckwrts-Dmpfungen von ber 50 dB in einem Hohlleiter-Normband aufweisen, BreitbandEinwegleitungen mit Koaxial-Anschlssen entkoppeln nicht so gut (Rckwrts-Dmpfungen von etwa 20 dB in Frequenzbandbreiten von 1:2). Der Gyrator ist ein reziprokes Phasen-Drehglied. Die Phasenverschiebungen bei Vor- und Rckwrtsdurchlauf unterscheiden sich um n.

Fig. 4.212 Dreiarmiger Zirkulator zur Trennung von u n d E m p f a n g s s i g n a l in e i n e r R a d a r a n l a g e S Sender E Empfnger A gemeinsame Antenne Zi Z i r k u l a t o r m i t 3 T o r e n Sendesignal S-1-2-A Empfangssignal A-2-3-E

Sende-

Beim Zirkulator, der z. B. aus zwei Mikrowellenbrcken (s. 4.3.4.2) und einem Gyrator aufgebaut werden kann (Tischer (1958)), sind in einer bestimmten Umlaufrichtung je 2 benachbarte Leitungsarme miteinander gekoppelt. Zirkulatoren stellen daher von der Fortpflanzungsrichtung abhngige Verzweigungen, bzw. Isolatoren dar (s. Fig. 4.212).

4.3.4
4.3.4.1

Meverfahren fr Hochfrequenzgren
Spannung, Stromstrke, Leistung, Dmpfung ( D . J a n i k )

Spannungsmessung D e f i n i t i o n e n u n d B e s o n d e r h e i t e n . Die elektrische S p a n n u n g wird zwischen zwei R a u m p u n k t e n r \ , r^ i n n e r h a l b eines elektrischen Feldes als Linienintegral der elektrischen F e l d s t r k e g e m ( L a u t z (1969); S t r a t t o n (1941)) C/,,2 = Eds (4.413)

4.3.4 Meverfahren f r Hochfrequenzgren

729

definiert. U m eine eindeutige, v o m Integrationsweg u n a b h n g i g e S p a n n u n g s a u s s a g e m a c h e n zu k n n e n , m u U als eine Potentialdifferenz darstellbar sein u n d E = - g r a d <P (4.414)

gelten. D a n n ist rot = - rot g r a d 0 = 0. In Feldern, in denen eine zeitlich sich n d e r n d e I n d u k t i o n a u f t r i t t , sind diese Voraussetzungen wegen rot=- (4.415)

nicht m e h r erfllt. Im allgemeinen Fall gilt d a n n f r das geschlossene U m l a u f i n t e g r a l f d s = / (rot ' ) d / ? ^ 0 also J fds + j fds ^ 0 'I 'i (4.416) (4.417)

u n d somit U ^ ^ - U i i , die S p a n n u n g zwischen den P u n k t e n ri u n d -2 ist d a n n v o m Verlauf des Weges a b h n g i g u n d nicht m e h r eindeutig definiert. D a Gl. (4.415) f r die Felder in H o c h f r e q u e n z l e i t u n g e n gilt, ist die M e g r e S p a n n u n g n u r in solchen Leitungssystemen definiert, in denen die K o m p o n e n t e B in R i c h t u n g der F l c h e n n o r m a l e der Integrationsflche verschwindet. D a s trifft f r im T E M - M o d u s angeregte D o p p e l l e i t u n g e n (Lecherleitung, Koaxialleit u n g , s. 4.3.3.2, 4.3.3.3) zu, wenn die I n t e g r a t i o n s f l c h e in der Q u e r s c h n i t t s e b e n e des Leiters liegt, nicht a b e r f r Wellenfelder in Hohlleitern. F r H o c h f r e q u e n z - S p a n n u n g s m e s s e r ( H o c k (1982), K r a u s (1980), M u s l (1991), M e i n k e u. G u n d l a c h (1986), sollte - wie auch im Gleichstrom- u n d N i e d e r f r e q u e n z b e reich - vorausgesetzt werden, d a ihr Eingangswiderstand sehr g r o gegenber d e m I n n e n w i d e r s t a n d der Quelle der M e s p a n n u n g u n d die Eigenkapazitt hinreichend klein ist. D a zwischen d e m Eingang des Spannungsmessers und der Mestelle im allgemeinen ein M e k a b e l liegt, entstehen Meunsicherheiten d u r c h die K a p a z i t t u n d den S p a n nungsabfall lngs der Induktivitt der Verbindungsleitung. Die R e i h e n s c h a l t u n g der I n d u k t i v i t t des M e k a b e l s mit der E i n g a n g s k a p a z i t t des S p a n n u n g s m e s s e r s k a n n zu R e s o n a n z e f f e k t e n f h r e n , die den Mebereich des Voltmeters bezglich der F r e q u e n z begrenzen. Eine weitere Quelle der Meunsicherheit sind kapazititve Einstreuungen von S t r s p a n n u n g e n u n d induktive A u f n a h m e n von S t r k o m p o n e n t e n elektromagnetischer Wechselfelder b e r Schleifenbildungen im Verbindungskabel. Z u r V e r m e i d u n g von Einstreuungen sollte das M e k a b e l abgeschirmt sein, a u c h wenn seine Eigenkapazitt hierdurch vergrert wird. Die A b s c h i r m u n g wird a n einer einzigen Stelle zwischen G e n e r a t o r u n d Megerte geerdet. Bei d o p p e l t e n o d e r m e h r f a c h e n Erdanschlssen k n n e n zwischen diesen Anschlustellen Ausgleichsstrme flieen, wenn diese P u n k t e nur auf geringfgig unterschiedlichem Potential liegen. Die L n g e des M e k a b e l s sollte stets klein gegenber der Leitungswellenlnge sein, u m die M e u n s i cherheiten infolge Welligkeit lngs des Leitungsfeldes klein zu halten. Die obere Frequenzgrenze f r genaue S p a n n u n g s m e s s u n g e n mit noch v e r t r e t b a r e m A u f w a n d liegt etwa bei 1 G H z ( K r a u s (1980), M u s l (1991); Z i n k e u. B r u n s w i g (1987). Spannungsmessung durch Gleichrichtung. Bei diesem heute berwiegend angewandten Verfahren wird die zu messende Hochfrequenzspannung in einer Halbleiter-Diode gleichgerichtet und durch Messung der Richtstromstrke, die entsprechend des Kennlinienverlaufs mit der

730

4 . 3 Hochfrequenz

Fig. 4.213 D i o d e n - G l e i c h r i c h t u n g ( n a c h K r a u s (1980)) a ) D i o d e n - K e n n l i n i e i = {(u), b) Gleichzurichtende Dioden-Eingangsspannung = f/osintu/, c) D i o d e n - A u s g a n g s s t r o m i = f ( 0 PA A r b e i t s p u n k t ({/o,/o) 7 Mittelwert des gleichgerichteten Stromes (|idr=
(1)

[ / d / = 1 / d / = J /dO
(2) (3) (4)

/s Sperrstromstrke fr A f = I - l Q Richtstromstrke Infolge des nicht-linearen Verlaufs der Strom-Spann u n g s - K e n n l i n i e ist d i e S t r o m k u r v e g e g e n b e r d e r sinusfrmigen S p a n n u n g s k u r v e verzerrt

Spannung verknpft ist, bestimmt. Fr HF-Spitzenspannungen unter 30 mV ist die Anzeige etwa proportional dem Quadrat des Effektivwertes der zu messenden Hochfrequenzspannung, fr Spitzenspannungen oberhalb I V wird die Anzeige nahezu linear. Die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Halbleiter-Diode ist durch exp \UTI
- I

i = Is

mit

UT =

kT

(4.418)

gegeben. (/, Sperrstromstrke fr u - =, A Boltzmann-Konstante, e Elementarladung. Tthermo: dynamische Temperatur (Fig. 4.213)). Unter dem Richtstrom A / versteht man die Differenz zwischen dem angezeigten Mittelwert / des Diodenstromes und dem zur Festlegung des Arbeitspunktes zugefhrten Gleichstrom /Q. Im quadratischen Anzeigebereich gilt A/- 2 U\ (4.4.19)

ist die Krmmung der Diodenkennlinie im Arbeitspunkt, u die zu messende HF-Spannung und U ihr Effektivwert. Fig. 4.214 zeigt das Prinzip eines Gleichrichter-Voltmeters. Ist die zu messende HF-Spannung klein (C/< C/t), gilt fr die am Kondensator abfallende gleichgerichtete Spannung UQ unter der Voraussetzung mit R s = U i / h die einfache Beziehung ( C h a n g

Fig. 4.214 Gleichrichterschaltung mit V o r w a h l des Arbeitspunktes u(t) H o c h f r e q u e n z - E i n g a n g s s p a n n u n g L Drosselspule z u m Schlieen des Gleichstromkreises bei g l e i c h z e i t i g e r H F - S p e r r e G Gleichrichter U^ G l e i c h s p a n n u n g s q u e l l e , d i e in V e r b i n d u n g m i t dem einstellbaren Widerstand zur V o r w a h l des Arbeitspunktes dient Cp G l t t u n g s k o n d e n s a t o r , z u r U n t e r d r c k u n g v o n S t r o m - u n d S p a n n u n g s p u l s a t i o n e n a n p Vgl M e g e r t z u m N a c h w e i s d e r R i c h t s t r o m s t r k e bzw. der R i c h t s p a n n u n g

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren (1989); Schick (1984): Ur J I L 2Uj

731

(4.420)

Fr praktische Anwendungen ist der Zahlenwert von Ur hher anzusetzen als sich aus der einfachen Theorie ergibt. Die Kalibrierungen des Gleichrichter-Voltmeters erfolgt durch Anschlu an Gleichspannung ber geeignete Transfernormale. Dabei wird die HF-Spannung, die an einem ohmschen Widerstand eine ihrer Wirkleistung entsprechende Erwrmung erzeugt, durch eine Gleichspannung gleicher Wirkleistung substituiert und so der Effektivwert der HF-Spannung mit kleinen Meunsicherheiten ermittelt.
F a n t o m (1990), H e r m a c h u. W i l l i a m s (1966), J a n i k (1978), S e l b y (1953) u. (1968).

Legt man eine Hochfrequenzspannung oberhalb 1 V an den Eingang gem Schaltung Fig. 4.214, so entspricht die Spannung Uc am Kondensator unter der Voraussetzung p Cp > T (T Periodendauer einer HF-Schwingung) nach einigen Perioden etwa dem Spitzenwert der eingangs angelegten Hochfrequenzspannung. Fr sinusfrmige Eingangsspannungen gilt Ur M - y f/7-ln 2n Ur (4.421)

Dann ist die prozentuale Abweichung /)= 1 0 0 - ( t / c - " ) / der Kondensatorspannung von der Amplitude : Ur , I 2n (4.422)

Fr Sinusspannungen ber 3 V wird fr 10 V). Bei Anwendung des Gleichrichterverfahrens ber einen greren Spannungsbereich werden verschiedene Bereiche der Diodenkennlinie durchlaufen (quadratischer Bereich - bergangsbereich - linearer Bereich), so da die Skaleneinteilung sich fortlaufend mit dem Bereich der Mespannung ndern mte. Um dies zu vermeiden, wird die zu messende Spannung mit Hilfe eines variablen Spannungsteilers und einer Regelmeschaltung in einen Bereich verlagert, fr den die Mespannung linear von der Anzeigespannung abhngt (Fig. 4.215) (Kraus (1980)). In neueren Gerten wird durch digitale Signalverarbeitung der Richtspannung die Diodenkennlinie in einem weiten Spannungsbereich korrigiert, ebenso lassen sich Temperatur- und Frequenzeinflsse auf die Spannungsanzeige bercksichtigen. Zur Mebereichserweiterung von Dioden-Voltmetern, deren maximale Eingangsspannungen bei etwa 2V liegen, verwendet man frequenzkompensierte /?C-Spannungsteiler. Fig. 4.216 zeigt den prinzipiellen Schaltungsaufbau eines solchen Tastkopfes" und Fig. 4.217 sein Ersatzschaltbild unter Bercksichtigung der Verluste in den Kondensatoren. G IS. l ^ G z

Fig. 4.215 P r i n z i p s c h a l t u n g eines t e c h n i s c h e n S p a n n u n g s m e s sers ( n a c h K r a u s (1980)) 1 ist die zu m e s s e n d e H o c h f r e q u e n z - S p a n n u n g . b e r d a s Stellglied in V e r b i n d u n g mit d e m D i f f e r e n z v e r s t r k e r D w i r d die v o m G e n e r a t o r G a n g e g e b e n e S p a n n u n g s o g e s t e u e r t , d a 4 = MI w i r d . D e r Teiler T w i r d s o eingestellt, d a die g e m e s s e n e S p a n n u n g w, i m m e r im l i n e a r e n A n z e i g e b e r e i c h liegt

V
Stellglied

I Teiler f 7

732

4.3 Hochfrequenz

X
I

Spannungsmesser

3S
Fig. 4.216 T a s t k o p f mit S p a n n u n g s t e i l e r z u r R e d u z i e r u n g d e r E i n g a n g s s p a n n u n g u, a u f die M e s p a n n u n g 2 a m E i n g a n g des S p a n n u n g s m e s s e r s ( n a c h M u s l (1991)) Fig. 4.217

J
Ri V T RfR,
E r s a t z s c h a l t b i l d des T a s t k o p f e s n a c h Fig. 4.216 i?o, R'\, R'i s i n d die V e r l u s t e in d e n K a p a z i t t e n Q , Cj u n d C2 = Ck + Cp ( n a c h M u s l (1991))

Fr die Spannungsteilung gilt Rx + i?2 U2 Ri C| + C2


(4.423)

wenn die Nebenbedingungen R^ Ci = /?2C'2 und R\R'2 = R2 erfllt sind. Die relativen Meunsicherheiten der kommerziellen Tastkpfe liegen - je nach Frequenzbereich - zwischen 1% und 5% (Musl (1991)). H o c h f r e q u e n z s p a n n u n g e n unter 1 mV werden meist nach dem berlagerungs-Verfahren mit Meempfngern (s. 4.3.2.2) bestimmt. Die Grenzempfindlichkeit dieser Empfnger wird erreicht, wenn die Signalspannung am Empfngereingang so klein wird, da sie gleich der auf den Eingang bezogenen quivalenten Rauschspannung i/, (s. 10.7.1.1) wird. Die Grenzempfindlichkeit U^ eines berlagerungsempfngers ist:
(4.424)

(fc Boltzmannkonstante, To Arbeitstemperatur des Empfngers, B Frequenzbandbreite des Empfngers. F Rauschzahl (s. 10.7.1.2), R^ Eingangswiderstand des Empfngers (Realteil), U^ Rauschspannung. Stromstrkemessung S t r o m s t r k e m e s s u n g e n sind im H o c h f r e q u e n z b e r e i c h v o n geringerer B e d e u t u n g als S p a n n u n g s m e s s u n g e n , sie sind meist unsicher u n d ein hinreichend streuungsfreier M e a u f b a u ist aufwendiger. Die A n w e n d u n g b e s c h r n k t sich auf die M e s s u n g von A n t e n n e n - u n d Schwingkreisstromstrken sowie auf S t r o m s t r k e m e s sungen an Leistungsgeneratoren u n d a n S t r o m z a n g e n . Bei koaxialen Systemen k a n n das M e g e r t in den Innen- o d e r Auenleiter eingefgt werden, zu h o h e Z u s a t z k a p a z i t t e n zwischen M e g e r t u n d Erde sowie ein groer S p a n n u n g s a b f a l l im S t r o m m e s s e r sind zu vermeiden. Kleine S t r o m s t r k e n werden nach B o l o m e t e r - M e t h o d e n in V e r b i n d u n g mit M e b r c k e n ermittelt; auch Gleichrichterverfahren werden vielfach a n g e w a n d t (s. Leistungsmessung). Bei kleinen u n d mittleren S t r o m s t r k e n verwendet m a n T h e r m o u m f o r m e r (s. 4.2.3.2) u n d optische V e r f a h r e n , bei denen die Lichtstrke eines d u r c h den H F - S t r o m auf G l h t e m p e r a t u r erhitzten Heizelementes gemessen wird ( K r a u s (1980); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986); Z i n k e u. B r u n s w i g (1987)). Bei h o h e n S t r o m s t r k e n wird ein kleiner definierter Stromanteil aus der Leitung ausgekoppelt (s. 4.3.3.13) u n d d e m M e g e r t z u g e f h r t . S t r o m w a n d l e r in V e r b i n d u n g mit T h e r m o u m f o r m e r n sind bis zu S t r o m s t r k e n v o n 100 A u n d F r e q u e n z e n bis etwa 150 M H z

4 . 3 . 4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

733

a n w e n d b a r . Eine wirksame A b s c h i r m u n g der Mesysteme u n d der Z u f h r u n g s l e i t u n g e n ist besonders wichtig ( K r a u s ( 1 9 8 0 ) ; M u s l ( 1 9 9 1 ) S c h i e k ( 1 9 8 4 ) ; S e l b y ( 1 9 6 8 ) ; Z i n k e u. B r u n s w i g (1987). Leistungsmessung A l l g e m e i n e s , D e f i n i t i o n e n . Die zu b e s t i m m e n d e M e g r e ist die Wirkleistung P^^, die in einem reflexionsfrei an den Wellenwiderstand Z q der G e n e r a t o r - A u s g a n g s l e i t u n g a n g e p a t e n reellen A b s c h l u widerstand {R = ZQ) a b s o r b i e r t wird. Bei Durchgangsleistungsmessern wird ein kleiner definierter Anteil der zu b e s t i m m e n d e n Leistung aus der H a u p t l e i t u n g a u s g e k o p p e l t u n d d e m M e w i d e r s t a n d z u g e f h r t . Als H o c h f r e q u e n z - A u f n e h m e r f r kleine Leistungen dienen Leitungsteile (koaxial o d e r Hohlleiter), in die das a b s o r b i e r e n d e Element ( W i d e r s t a n d , B o l o m e t e r (Barretter, T h e r m i s t o r ) , D i o d e o d e r T h e r m o e l e m e n t ) als a n g e p a t e r A b s c h l u eingesetzt ist ( M e k p f e ) . Sie stehen kommerziell f r Leistungsbereiche zwischen 100 p W u n d 20 W zur Verfgung. Die genauesten Verfahren b e r u h e n auf der G l e i c h s t r o m - S u b s t i t u t i o n . Hierbei wird die zu messende H o c h f r e q u e n z - W i r k l e i s t u n g d u r c h eine Gleichstromleistung ersetzt, die die gleiche E n d e r w r m u n g im A b s o r b e r erzeugt wie die zu b e s t i m m e n d e H o c h f r e q u e n z Leistung. Ist P'HT die im M e k o p f absorbierte Leistung u n d P^ die substituierte Gleichstromleistung, so definiert m a n den effektiven W i r k u n g s g r a d des M e k o p f e s " '/eff=-^. -THF (4.425)

Mit der d e m M e k o p f z u g e f h r t e n u n d zu b e s t i m m e n d e n H o c h f r e q u e n z l e i s t u n g P h f hngt P h f g e m /'hf = , (4.426)

z u s a m m e n , wobei F^ der Eingangsreflexionsfaktor des M e k o p f e s ist. Somit gilt

'/efKl - l^il )
('/eff(l

- l^il^) bezeichnet m a n als den Kalibrierungsfaktor A des M e k o p f e s " . T F r Leistungsmesser, die a u f g r u n d ihrer B a u a r t keine G l e i c h s t r o m - S u b s t i t u t i o n e r m g lichen, ist der K a l i b r i e r u n g s f a k t o r A'= P ^ / P m entsprechend definiert, dabei ist P a die a m G e r t angezeigte Leistung. Eine unbercksichtigte F e h l a n p a s s u n g zwischen d e m G e n e r a t o r (Ausgangsreflexionsf a k t o r Tg) u n d d e m M e k o p f des Leistungsmessers (Eingangsreflexionsfaktor T,) k a n n zu erheblichen Meunsicherheiten f h r e n . Zwischen der angezeigten Leistung /"a u n d der Leistung P^^, die m a n mit einem ideal a n g e p a t e n G e r t messen w r d e , besteht folgende Beziehung: = K Thermische Leistungsmessung mit Widerstandsmekopf. Fig.4.218 zeigt den inneren Aufbau eines Widerstandsmekopfes fr koaxiale Leitungssysteme. Der HF-Mewiderstand ist ein kleiner zylindrischer Schichtwiderstand, er entspricht im gesamten ausnutzbaren Frequenz(4.428)

734

4 . 3 Hochfrequenz
Fig. 4.218 W i d e r s t a n d s m e k o p f mit T e m p e r a t u r f h l e r u n d Mebrckenkreis 1 koaxialer Eingangskonnektor 2 Mittelleiter 3 Auenleiter 4 Dnnwandbereiche zur thermischen Isolation des Mewiderstandes 5 H o c h f r e q u e n z - M e w i d e r s t a n d Z - Zq = /?o 6 T e m p e r a t u r f h l e r (/?e t e m p e r a t u r e m p f i n d l i cher Widerstand, z.B. Bolometer) 7 Brckenkreis, R^ Brckenwiderstnde. Abgleich bei R e = R^, 8 Anzeige-Instrument im Abgleich-Kreis

i
1 2 3 /

bereich dem Wellenwiderstand der Eingangsleitung. Die Temperaturerhhung des Mewiderstandes durch HF-Absorption wird in einem getrennten Mekreis ermittelt. Ein temperaturempfindlicher Mewiderstand R (z. B. Thermistor) liegt - elektrisch entkoppelt - direkt an dem den Mewiderstand konisch abschlieenden Auenleiter. Rg ist Teil einer Wheatstoneschen Brckenschaltung, deren Abgleich durch die Erwrmung von Rg bei Temperaturerhhung des HF-MeWiderstandes gestrt wird. Die Brckendiagonal-Spannung bzw. die Stromstrke des Brckenfehlstromes ist bei kleinen Erwrmungen etwa der absorbierten HF-Leistung proportional. Widerstandsmekpfe neuester Bauart fr Frequenzen bis 26,5 GHz werden als integrierte planare Schaltung in Dnnfilm- und Halbleitertechnik hergestellt. Die Erwrmung eines Filmwiderstandes auf sehr dnnem Substrat wird mit einem planaren Thermoelement detektiert. Die Empfindlichkeit der Widerstandsmekpfe betrgt etwa 0,5 VW ' bis 0,2 VW '. Die relative Meunsicherheit eines direkt anzeigenden thermischen Leistungsmessers liegt je nach Frequenz- und Leistungsbereich zwischen weniger als 1% und 20%. Der Frequenzbereich der Widerstandsmekpfe reicht bis zur Gleichspannung herab. Systematische nicht frequenzabhngige Meunsicherheiten knnen daher weitgehend eliminiert werden, wenn man Gleichstrom-Substitution anwendet, und die Anzeige der Brckenverstimmung bzw. der Thermospannung lediglich als Indikator dient. Zweckmig ist ein selbstabgleichendes Mesystem mit zwei massen- und temperatursymmetrischen Absorbern. Die frequenzabhngigen Meunsicherheiten werden durch Messen des effektiven Wirkungsgrades bzw. des Kalibrierungsfaktors mit Hilfe eines HF-Leistungsnormals (z. B. kalibrierter Bolometer-Mekopf) erfat. T h e r m i s c h e L e i s t u n g s m e s s e r mit B o l o m e t e r - M e k o p f Bolometer sind temperaturabhngige Widerstnde, deren Temperaturkoeffizienten BR/d9 bei Barrettern (sehr dnne Metalldrhte oder planare Dnnfilme) positiv und bei Thermistoren (Halbleiterelemente) negativ sind. Bolometer werden durch die Widerstandsempfindlichkeit = AR/AP charakterisiert, gibt an, welche Widerstandsnderung A bei Absorption der Leistung AP eintritt. Typische Werte fr sind 4500 QW ' bei Barrettern und 10 k n w ' bis 25 kQW ' bei Thermistoren. Die Mestromstrken sind typisch etwa 10 mA und damit die entsprechenden Spannungsempfindlichkeiten 45 VW ' bei Barrettern und 100 VW ' bis 250 VW ' bei Thermistoren. Das Prinzip des Mekreises zeigt Fig. 4.219. Die Widerstnde R^ und sind Normalwiderstnde. Wird der Brcken-Gleichstrom so eingestellt, da die Brcke abgeglichen ist, (/p = 0), so ist Ri, = RoUm optimale Absorption der HF-Leistung im Bolometerelement zu gewhrleisten, entsprechen die Widerstnde R^ bzw. /?b dem Leitungswellenwiderstand. Die absorbierte Leistung wird durch Gleichstrom-Substitution gemessen. Zu diesem Zweck wird nach Hochfrequenz-Einspeisung der Brckengleichstrom bis zum erneuten Abgleich reduziert, die Spannung am Bolometer verringert sich dadurch von J7| auf U2. In den selbstabgleichenden Bolometerbrcken (Hewlett Packard (1977)) erfolgt diese Einstellung automatisch, wobei der Brckenfehlstrom /p des Nullzweiges in Verbindung mit einem Regelverstrker als Steuerstrom benutzt wird.

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

735

Fig. 4.219 Prinzip der H o c h f r e q u e n z Leistungsmessung mit Bolometer G HF-Generator M Mekopf Rb B o l o m e t e r w i d e r s t a n d RN B r c k e n w i d e r s t a n d Ro B e z u g s - N o r m a l w i d e r s t a n d /p B r c k e n f e h l s t r o m

Die substituierte Gleichstromleistung A , die der zu bestimmenden HF-Leistung entspricht, ist u]-ul R, Der genaue Wert der zu bestimmenden HF-Leistung ergibt sich aus (4.427). Der effektive Wirkungsgrad von Bolometer-Mekpfen kann in Mikrokalorimetern sehr genau bestimmt werden (Bayer (1970); E n g e n (1957); F a n t o m (1990); M o n t g o m e r y (1947)). Die relativen Meunsicherheiten liegen dabei etwa zwischen 1 10 ^ und 2 - 1 0 ^ je nach Frequenz und Leistungsbereich. So kalibrierte Bolometer-Mekpfe dienen als HF-Leistungsnormale. Der Leistungsmebereich von Bolometer-Mekpfen liegt zwischen 10 ^W und 10 mW, sie werden in Koaxialleitertechnik bis 18 GHz und in Hohlleitertechnik bis etwa 150 GHz gebaut. Dank der Gleichstrom-Substitution sind Bolometer-Mekpfe sehr lineare HF-Leistungsdetektoren, und Leistungsverhltnisse knnen mit sehr geringen Unsicherheiten gemessen werden. Der effektive Wirkungsgrad braucht hierfr nicht bekannt zu sein, wenn man in einem Leistungsbereich arbeitet (meist ^ 10 mW), in dem //eff praktisch leistungsunabhngig ist. T h e r m i s c h e r L e i s t u n g s m e s s e r mit T h e r m o e l e m e n t . Als thermische Leistungsdetektoren werden hufig auch direkt geheizte Thermoelemente benutzt. Als integrierte Schaltung in Halbleiter- und Dnnfilmtechnologie knnen sie mit sehr kleinen Abmessungen gebaut und so fr Frequenzen bis 100 GHz eingesetzt werden. Zur Entkopplung des Gleichstrom-Mekreises fr die Thermospannung von der Hochfrequenz-Speiseleitung und zur Steigerung der Empfindlichkeit werden zwei gleichartige Thermoelemente mit Kondensatoren fr die Hochfrequenz parallel, fr die Gleichspannung jedoch in Serie geschaltet. In einer hufig verwendeten Bauart ist ein Schenkel eines Metall-Halbleiter Thermoelementes als Metall-Dnnfilmwiderstand zur Leistungsabsorption ausgebildet, whrend der zweite Schenkel aus hochdotiertem Halbleitermaterial als Zuleitung niederohmig ist (Fig. 4.220). Die Empfindlichkeit dieses Leistungsdetektors betrgt etwa 0,2 VW ' und der Mebereich liegt zwischen 1 nW und 100 mW. Da die HF-Meleistung kapazitiv eingekoppelt wird, werden diese HF-Leistungssensoren mit einem im Megert eingebauten HFReferenzoszillator bekannter Leistung kalibriert. L e i s t u n g s m e s s e r mit G l e i c h r i c h t e r . Ohne thermische Umwandlung und daher mit kleinen Zeitkonstanten werden HF-Leistungen durch Gleichrichten des Spannungsabfalls an einem angepaten Leitungs-Abschluwiderstand gemessen. Die Gleichrichterdioden werden im quadratischen Bereich ihrer I-U Kennlinie betrieben (s. 4.3.2.2). Die vom Richtstrom an einem Lastwiderstand erzeugte Gleichspannung ist dann der absorbierten Leistung proportional. Mit Low-Barrier-Schottky-Dioden werden Leistungen bis 100 pW herab detektiert, ber etwa 10 (jW wird der Bereich der leistungsproportionalen Anzeige berschritten. Die Empfindlichkeit ist gegenber den thermischen Detektoren gro. Fr breitbandige Detektordioden in koaxialer (4.429)

736

4 . 3 Hochfrequenz kalt
warm kalt

HM HF
a)

SS3-

Fig.4.220 HF-Leistungssensor mit zwei direkt geheizten Thermoelementen (nach H e w l e t t P a c k a r d (1977)) a) Zusammenschaltung der beiden Thermoelemente b) Schnittzeichnung eines Thermoelementes C|, C2 Kondensatoren C/jh Thermospannung WD Dnnfilmwiderstand n-Si n-Silizium (hochdotiert) SU Siliziumsubstrat ZL Zuleitung (Gold) IS Isolierschicht

Bauform werden bis 40 G H z Werte v o n etwa 400 V W ' und bis 50 G H z v o n 300 V W ' angegeben. In Hohlleitertechnik sind sie bis 100 G H z mit Empfindlichkeiten v o n etwa 500 V W ' erhltlich, und bis etwa 200 G H z fallen die Werte auf 75 V W ' ab. Auch mit Feldeffekttransistoren - als passives Bauelement betrieben - knnen HF-Gleichrichterschaltungen aufgebaut werden ( K r e k e l s , S c h i e k u. M e n z e l (1992)). Bezglich der Anpassung, des Leistungsmebereiches und der Temperaturempfindlichkeit sind mit Feldeffekttransistoren gegenber blichen Detektordioden verbesserte Eigenschaften zu erzielen. M e b e r e i c h s - E r w e i t e r u n g . Mit einer analogen, vor allem aber mit einer in neueren Gerten digitalen Signalverarbeitung der Detektor-Ausgangsspannung kann die Kennlinie im nicht leistungsproportionalen Bereich korrigiert und so der Mebereich fr eine lineare Anzeige erweitert werden. H o h e zu messende Leistungen werden dem Leistungsaufnehmer hufig ber luftoder auch lgekhlte kalibrierte Dmpfungsglieder zugefhrt. Durch Auskopplung definierter kleiner Leistungsanteile mittels Richtkoppler (s. 4.3.3.13), deren Nebenarm mit einem Leistungsmekopf abgeschlossen ist, lassen sich Leistungsmessungen ohne spezielle fr hohe Leistungen ausgelegte Dmpfungsglieder bis in den hohen Wattbereich ausfhren. Betrgt die Koppeldmpfung C d B , so ist die im Nebenarm gemessene Leistung durch 10 c/10 (4.430)

(/"HF Eingangsleistung in dem Hauptarm des Richtkopplers) gegeben. D e r Hauptarm des Richtkopplers ist bei Verwendung als Abschlu-Leistungsmesser mit einer gut angepaten, evtl. luft- oder wassergekhlten Last abgeschlossen. U m breitbandige Messungen ausfhren zu knnen und um die Unsicherheiten hinreichend klein zu halten, sollte die Richtdmpfung des Kopplers nicht kleiner als 40 dB sein, der Reflexionsfaktor des Hauptarms sollte 0,02 nicht berschreiten. Bei Bolometerkopplern (Fig. 4.221) ist ein Barretter- oder Thermistormekopf fest am Ausgang des Nebenarms montiert. D a s Verhltnis bzw.
(^HF)I

K2 =

(4.431)

iPwh

{P, Gleichstrom-Substitutionsleistung im Bolometerelement des Nebenarms, (PHF)I zum Richtkoppler-Eingang laufende HF-Leistung, (/'hf)2 den Richtkoppler-Ausgang verlassende Hochfrequenz-Leistung) wird als Kalibrierungsfaktor K12 bezeichnet: wird bei Verwendung als Abschluleistungsmesser, K2 bei Verwendung als Durchgangsleistungsmesser benutzt. (4.432) K 1,2

{^HF)I,2

Bei hinreichend hoher Richtdmpfung und kleinen Reflexionen ( s . o . ) liegen die relativen Unsicherheiten aufgrund der Kopplungseigenschaften etwa zwischen 1 10 ^ und 1 - 1 0

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren Bolometer-Menbrcke

737

m^m L XlOdB/iiOdBIC/l
f r

E -

(^Hfl, Fig. 4,221 Bolometer-Koppler zur Mebereichs-Erweiterung G Generator, (PHF)! Hochfrequenz-Eingangsleitung in den Hauptarm des Richtkopplers, (/'hf)2 Hochfrequenz-Ausgangsleistung aus dem Hauptarm des Richtkopplers, Ps Gleichstrom-Substitutionsleistung, gemessen im BolometerMekopf im Nebenarm, Fg Reflexionsfaktor vom Generator. T, Reflexionsfaktor vom Eingang des Koppler-Hauptarmes, Fi Reflexionsfaktor vom Ausgang des Koppler-Hauptarmes. F, Reflexionsfaktor von der Abschlulast Ps A'|,2 Kalibrierungsfaktoren nach Gl. (4.431)

D u r c h f l u k a l o r i m e t e r f r h o h e L e i s t u n g e n . H o h e Leistungen (im 100-W- und kW-Bereich) sind mit einem Durchflu-Kalorimeter direkt bestimmbar, bei dem eine mit konstanter Geschwindigkeit strmende Flssigkeit (z. B. l bei MHz-Frequenzen, Wasser bei G H z - F r e q u e n z e n ) als angepate Abschlulast in ein Hohl- oder Koaxialleitersystem eingesetzt ist. D i e absorbierte Hochfrequenzleistung ist dann
D

KT

(4.433)

(Am/At

Flssigkeitsmasse/Zeit, C spezifische Wrme, A T Temperaturerhhung). p

Mit einer zwischen Ein- und Ausflu eingefgten Heizwicklung wird eine Gleichstrom-Kalibrierung mglich, mit der die kalorimetrischen Verluste hinreichend genau erfabar sind. Je nach konstruktivem und metechnischem A u f w a n d liegen die relativen Meunsicherheiten zwischen I % und 10%. Bayer (1967); M o n t g o m e r y (1947); Reich u. a, (1947); Schiek (1984); T i s c h e r (1958) A b s c h w c h u n g s m e s s u n g e n B e g r i f f e u n d D e f i n i t i o n e n . W i r d ein beliebiges passives o d e r a k t i v e s Z w e i t o r in eine H o c h f r e q u e n z l e i t u n g eingesetzt, so sind E i n g a n g s - u n d A u s g a n g s s p a n n u n g e n (bzw. Eingangs- u n d Ausgangsleistung) unterschiedlich, d a jedes r e a l e B a u t e i l V e r l u s t - u n d r e f l e x i o n s b e h a f t e t ist o d e r - i m F a l l e e i n g e b a u t e r a k t i v e r E l e m e n t e ( V e r s t r k e r ) - einen S p a n n u n g s - o d e r L e i s t u n g s g e w i n n e r z e u g e n k a n n . Ist f/, die Eingangs- u n d Ui die A u s g a n g s s p a n n u n g (bzw. P , die E i n g a n g s - u n d P j die A u s g a n g s l e i s t u n g ) , s o d e f i n i e r t m a n d i e S p a n n u n g s a b s c h w c h u n g (s. G l . ( 4 . 3 2 1 ) , (4.322)). A(U)) 20 l o g

Ui

(4.434)

738

4.3 Hochfrequenz

bzw. die Leistungsabschwchung lOlog^. Pi (4.435)

Negative Werte {U2>U\ bzw. P 2 > P i ) weisen auf eine Verstrkung hin. Die folgenden Betrachtungen beschrnken sich auf Abschwchungen durch passive Bauteile ( K e r n s u. B e a t t y ( 1 9 6 7 ) , W a r n e r (1977)). Als S u b s t i t u t i o n s v e r l u s t (substitution loss) bezeichnet man den Unterschied in der Abschwchung eines Zweitors (Streumatrix s. 4.3.3.6) gegenber einem anderen (Streumatrix ^.'k). Alle Formeln drcken das Abschwchungsverhltnis in dB aus. Ls = 10 log J
- 5 r ) (1 - 522/-,) -

(4.436)

/"g und sind die generator- und lastseitigen Reflexionsfaktoren, vom Einfgungspunkt aus gesehen. Ist das Bezugs-Zweitor (^fk) so beschaffen, da es ein idealer bertrager ist und die gesamte verfgbare Generatorleistung auf die Last bertrgt, so ist der b e r t r a g u n g s - V e r l u s t (transducer loss) beim Ersatz durch einen beliebigen Abschwcher (5ii() Lr = 10 log , (4-437)

Ist das Bezugs-Zweitor eine ideale Verlust-, reflexions- und phasennderungsfreie Verbindung (5'ii = ^22 = 0, 5;2 = 'S'2i = 1), so spricht man vom E i n f g u n g s v e r l u s t (insertion loss) L, = 10 log ~ ^^ ~ ~ ^12^21/^gril^

Wird der Einfgungsverlust in einem idealen Mesystem 7"g = 0 , = 0 bestimmt, so hngt der gemessene Abschwchungswert nur noch von dem Streuparameter ^21 des Meobjektes ( n i c h t mehr von System-Eigenschaften) ab und wird als D m p f u n g bezeichnet LA = ^ = 10 log . 152,1^ (4.439)

Die der Eingangs-Reflexion des Meobjektes zurckzuschreibende D m p f u n g s k o m p o nente ist AR = 10 log 1 - I-Jiil und die durch Absorption bedingte K o m p o n e n t e lOlog 1-1^11 ' ," I ^21!
|2

(4.440)

(4.441)

Die maximalen Meunsicherheiten die bei der Bestimmung der D m p f u n g durch Vernachlssigung der Fehlanpassung ([Tgl^O, | r i | # 0 ) auftreten knnen, sind in Tab. T. 4.09 in Band 3 angegeben.

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

739

W e r d e n n a c h e i n a n d e r zwei Leitungssysteme mit den E i n g a n g s r e f l e x i o n s f a k t o r e n r \ u n d r , mit einem G e n e r a t o r , dessen R e f l e x i o n s f a k t o r a m A u s g a n g Tg ist, v e r b u n d e n , so ist das Verhltnis der v o m ersten System (7"I) a u f g e n o m m e n e n Leistung zu der v o m zweiten System (/"i) a u f g e n o m m e n e n Leistung gegeben d u r c h
2
1 -

LM M= 1 0 1 o g 4 r = 1 0 ' o g 1-1/-,IM"

(4.442)

Ist d a s System 1 ideal a n den Wellenwiderstand der Leitung a n g e p a t (r'i = 0), so bezeichnet m a n den e n t s p r e c h e n d e n A u s d r u c k als Zo-Fehlanpassungsverlust (LM) (ZQ m i s m a t c h loss) Lm = 10 log Bei a n g e p a t e m G e n e r a t o r wird hieraus
Z.MO=101og(4.444)

(4.443)

1 - l-/ il G e n g t das Bezugssystem der Bedingung /"',*= Tg, so wird die maximal v e r f g b a r e G e n e r a t o r l e i s t u n g v o n diesem a u f g e n o m m e n . D e r hierauf bezogene V e r l u s t a u s d r u c k heit konjugierter Fehlanpassungsverlust {Lc) (conjugate m i s m a t c h loss)

A b s c h w c h u n g e n werden meist d u r c h Vergleich der u n b e k a n n t e n D m p f u n g s s t r e c k e mit derjenigen eines kalibrierten variablen A b s c h w c h e r s b e s t i m m t (z. B. Eichleitung, R o t a t i o n s - D m p f u n g s g l i e d , Hohlleiter u n t e r h a l b der G r e n z f r e q u e n z ) . Die Substitution k a n n in Reihen- o d e r Parallelschaltung erfolgen (s. Technische Schaltung f r D m p fungs-Substitutionsmessungen). Bei V e r w e n d u n g eines S p a n n u n g s - oder Leistungsmessers k a n n die D m p f u n g direkt aus d e m Verhltnis der gemessenen S p a n n u n g e n bzw. Leistungen nach (4.434) bzw. (4.435) b e s t i m m t werden.
Mit dieser S p a n n u n g s - bzw. L e i s t u n g s v e r h l t n i s - M e t h o d e lassen sich mit gut angepaten geeigneten Generatoren und Leistungsmegerten Meunsicherheiten von wenigen 0,001 d B / 10 dB in einem Dynamikbereich von etwa 30 dB erreichen (Bayer (1974 u. 1975); Warner (1977)). B e i s p i e l : Ein Zweipol mit der Streumatrix 5 = / 0 02 ' 0,91 Ol ' 0,05 wird in ein Leitungssystem ein-

gefgt, dessen Reflexionsfaktoren generatorseitig Tg = 0,35 und abschluseitig ri = 0,15 sind. Aus 6i=Siiai+51202; b2 = S2]ax + S22a2 findet man mit rx = bjax und ri = a2/b2: ^^ = S^^+SnS2\/ (1 S22r{) = 0,1117. Mit (4.443) wird der Zo-Fehlanpassungsverlust LM = -0,29 dB (Gewinn!, d. h. bei Fehlanpassung wird mehr Leistung aufgenommen als bei Anpassung). Nach (4.445) wird Z,c = 0,28dB. Nach (4.437) erhlt man fr den bertragungsverlust Lj= l,32dB, nach (4.438) fr den Einfgungsverlust Li= l,12dB und nach (4.439) fr die Vorwrtsdmpfung ^ = 0,82dB und die Rckwrtsdmpfung y4r = 20 dB. E i c h l e i t u n g e n . Zur Dmpfungsmessung in koaxialen Leitungssystemen sind Eichleitungen als Bezugsdmpfungsglieder besonders geeignet. Konstruktiv bestehen diese aus Dmpfungsvierpolen, die aus ohmschen Widerstnden in n- oder T-Schaltung (s. 4.3.3.10) zusammengesetzt sind.

740

4.3 Hochfrequenz

Ein- und Ausgang der Dmpfungskette sind an den Wellenwiderstand des Leitungssystems gut angepat (z. B. 50 n , 75 Q, ^ ^ 1,1). Die stufenweise schaltbaren Einzelelemente sind bezglich ihrer Abschwchung in dB dekadisch aneinander gereiht, z . B . in Stufen 1 0 x 0 , 1 dB, 1 0 x 1 dB und 1 0 x 1 0 d B , was insgesamt eine Maximalabschwchung v o n i l l dB ergibt. Hinzu k o m m t die unvermeidliche Grunddmpfung (bei Schalterstellung OdB), die je nach Frequenz etwa zwischen 0,1 dB und 1 dB liegt. Der gewnschte Dmpfungswert wird dadurch eingestellt, da die nicht benutzten Glieder durch Schalter aus der Reihenschaltung herausgenommen werden (im Gegensatz zu den Kettenleitern, die auch als Bezugsabschwcher benutzbar sind. Hier bleibt die Kette immer als Ganzes zusammen, an den Verbindungsstellen der Einzeldmpfungsglieder kann die Bezugsspannung abgegriffen werden). Handelsbliche Typen sind heute - vor allem fr Frequenzen im kHz-, M H z - und unteren GHz-Bereich - bis etwa 140 dB G e s a m t d m p f u n g auch als rechnersteuerbare Gerte erhltlich. D i e Unsicherheiten liegen - je nach Gteklasse des Gertes - meist zwischen 0,01 d B / l O d B und 0 , 5 d B / 1 0 d B . D i e Reproduzierbarkeit der Einstellung ist von den Kontakten der Umschalter abhngig. Bei Frequenzen im kHz- und MHz-Bereich lassen sich die Werte bei Spitzengerten auf etwa 0,005 d B / 1 0 dB reproduzieren ( K r a u s (1980)). Koaxiale schaltbare Stufen-Abschwcher sind handelsmig bis zur oberen Frequenz von 60 G H z erhltlich; mit wachsender Frequenz erhht sich die Fehlanpassung (Welligkeitsfaktor i): z. B. bis 8 G H z ist i ^ 1,5, bis 26,5 G H z ist i ^ 2,0 und bis 6 0 G H z ist (s.4.3.4.2). Als Bezugsdmpfungsglieder in Hohlleiterschaltungen sind Rotationsdmpfungsglieder (s. 4.3.3.10) besonders geeignet. T e c h n i s c h e S c h a l t u n g e n f r D m p f u n g s - S u b s t i t u t i o n s m e s s u n g e n . Mittels Substitutionsverfahren sind hohe Dmpfungsmebereiche bis 120 dB erreichbar und Linearittsabweichungen des Detektors bei der Leistungsverhltnis-Methode werden vermieden. Man unterscheidet Je nach Art der Dmpfungssubstitution im wesentlichen folgende Verfahren: Hochfrequenz ( H F ) - , Zwischenfrequenz (ZF) - und Niederfreuquenz (NF)-Substitution. ( C h a n g (1989); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986); W a r n e r (1977)). Bei H F - S u b s t i t u t i o n s v e r f a h r e n wird die auszumessende Dmpfungsstrecke mit einem kalibrierten Abschwcher (z. B. Eichleitung, Rotationsdmpfungsglied) verglichen, und zwar entweder in Reihen- oder in Parallelsubstitution (Fig. 4.222). Wesentlich dabei ist, da die Leitungsabschnitte, in die das zu messende und das Bezugs-Dmpfungsglied eingesetzt sind, last- und generatorseitig gut angepat sind ( / " g - r i - O ) , damit gem (4.438) und (4.439) der v o m Mesystera unabhngige Dmpfungswert des Meobjektes ermittelt wird. Variable Abschwcher sollten am Eingang und Ausgang mit einer Einwegleitung zur Vermeidung v o n Rckwirkungen versehen sein (s. 4.3.3.14). Bei Parallelsubstitution kann z. B. durch Einbau zweier synchron betriebener elektronischer Schalter zwischen beiden Kanlen eine schnelle Umschaltung zwischen Me- und Vergleichskanal erfolgen (Schaltfrequenz z. B. 100 H z oder 1 kHz). Ist ein selektiver Empfnger auf die Schaltfrequenz abgestimmt, so verschwindet das Empfangssignal bei Abgleich beider Ausgangssignale auf gleiche Amplitude. Der Mebereich richtet sich nach dem Bereich des kalibrierten Bezugsdmpfungsgliedes.

Q
u
Fig. 4.222 Prinzipielle Meschaltungen fr Dmpfungsmepltze a) Reihen-Substitution, b) Parallel-Substitution, Ax auszumessendes Dmpfungsglied, An variables kalibriertes Normaldmpfungsglied

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

741

Fig. 4.223 Zweikanal-Dmpfungsmeplatz fr Niederfrequenz-Substitution Kl Mekanal, K2 Vergleichskanal Ein Schaltbeispiel fr N F - S u b s t i t u t i o n in Zweikanaltechnik zeigt Fig. 4.223. Der HochfrequenzGenerator wird mit Niederfrequenz (z. B. 1 kHz) amplitudenmoduliert; die Folgeschaltung ist in einen Me- und Vergleichskreis aufgespalten, die mit einem demodulierbaren Detektor (z. B. Barretter-MekopO abgeschlossen sind. D i e hier a b g e n o m m e n e Niederfrequenzspannung wird ber ein kalibriertes Niederfrequenz-Dmpfungsnormal (z. B. einem Widerstandsteiler oder induktiven Spannungsteiler) einem Nulldetektor zugefhrt; die Niederfrequenzspannung der beiden Kanle wird nach Amplitude und Phase abgeglichen. Abweichungen der DetektorKennlinie v o m leistungsproportionalen Verlauf verursachen Meunsicherheiten, die bei hinreichend kleiner HF-Eingangsleistung (PUF^ 1 m W ) 0,02 d B / 1 0 dB nicht berschreiten. D a s Verfahren ist fr Messungen von D m p f u n g e n bis etwa 35 dB in einem Schritt geeignet. D m p f u n g s m e s s u n g e n mittels Z F - S u b s t i t u t i o n (Fig. 4.224) werden vor allem zur Messung hoher Dmpfungsdifferenzen bis etwa 120 dB angewandt. Hierbei wird die v o m Generator kommende HF-Leistung der Frequenz v nach Durchgang durch den zu vermessenden Abschwcher einem Mischer zugefhrt, in dem v o n einem berlagerungsoszillator ein Signal der Frequenz v + Av eingespeist wird.

IvXl
Einfgungsorf-

variables ZF- Ic

Fig. 4.224 Dmpfungsmeplatz nach dem Verfahren der Zwischenfrequenz-Parallel-Substitution. Das Ausgangssignal vom Meobjekt (Schaltweg ABCDEF) wird mit dem Ausgangssignal von ZFDmpfungsnormal (Schaltweg G H D E F ) verglichen. Dem Mischdetektor wird vom berlagerungsGenerator (Weg LB) ein Signal der Frequenz v 4 At, zugefhrt. Bei Schalterstellung HD wird zustzlich ber IJKEF ein Rauschsignal eingespeist, das dem Rauschbeitrag vom Mischdetektor entspricht und diesen eliminiert

742

4.3 Hochfrequenz

D e m Mischer ist ein auf die Zwischenfrequenz Av (oft 30 M H z oder 60 M H z ) abgestimmter Filterkreis mit ZF-Verstrker nachgeordnet. Bei Zwischenfrequenz wird auch das kalibrierte Bezugsdmpfungsglied betrieben ( z . B . ein unterhalb seiner Grenzfrequenz im H n - M o d u s angeregter Hohlleiter kreiszylindrischen Querschnitts, s. 4.3.3.4, 4.3.3.10; bei kHz-Frequenzen auch ein induktiver Spannungsteiler, s. 4.2.7). D i e Meunsicherheiten liegen meist zwischen 0,005 d B / 1 0 dB und 0 , 0 5 d B / 1 0 d B . B a y e r , W a r n e r , Yell (1986); C h a n g (1989); M e i n e c k e u. G u n d l a c h (1986); W a r n e r (1977); W e i n e r t (1980).

4.3.4.2

Impedanz, Reflexion (U. Stumper)

Deflnition und Besonderheiten F r den komplexen Widerstand Z, die Impedanz, gelten die folgenden Gleichungen Z = |Z|eJ'* = / ? + j Z = y = ( | 7 | e j*) ' = ( G + j 5 ) ' (4.446)

ber die Definition und Bedeutung von Impedanz Z und Admittanz Y sowie deren reelle und imaginre Komponenten wird auf 4.2.1.3 verwiesen. Die Komponenten von Z u n d Y sind durch folgende Relation miteinander verknpft: R Konduktanz G = ^ R^ + X^ -X Suszeptanz B = - R'^ + X^ G Resistanz R = ; G^ + B^ Reaktanz X = -B G^ + B^

Nach Gl. (4.83) gilt fr den Phasenwinkel (p = arctan {X/R). Der Winkel S = {n/2) - 0 hat als Verlustwinkel" in der Hochfrequenztechnik besondere Bedeutung; er ist ein Ma fr die in einem Bauteil bei einer vorgegebenen Frequenz auftretenden ohmschen Verluste tan = cot0 = X (4.448)

Im kHz- und unteren MHz-Bereich lassen sich Resistanzen sowie positive und negative Reaktanzen als konzentrierte Elemente darstellen. Nahezu reine Wirkwiderstnde sind bis zu hchsten Frequenzen durch Schichtwiderstnde herstellbar, wobei die Schichtdicke des Widerstandsbelags kleiner als die quivalente Leitschichtdicke ist. Es ist allerdings unvermeidlich, da bei hheren Frequenzen Parallelkapazitten zwischen den Anschlustellen aufteten. Der Tragekrper ist meist Keramik oder Glas, wobei die Widerstandsschicht z. B. durch Metall- oder Kohlenstoffzerstubung (Aufdampfverfahren) aufgebracht werden kann. Reine Kapazitten werden am besten durch Luftkondensatoren aus Metallen hchster Oberflchenleitfhigkeit realisiert; Induktivitten durch Spulen mit mglichst vernachlssigbarem ohmschen Widerstand der Drahtwicklungen. In diesen Fllen gilt X = ! (Kapazitive Reaktanz) (4.449) bzw. X = cL (Induktive Reaktanz)

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

743

Die unvermeidlichen ohmschen Verluste werden durch die Verlustwinkel tan c = CORcC bzw. tan < ^ = ^ 5, coL (4.450)

ausgedrckt, wobei R c bzw. Ri, die dem Kondensator bzw. der Spule anhaftenden ohmschen Verluste sind. Im hheren M H z - und GHz-Bereich wird die Darstellung reiner konzentrierter Induktivitten oder Kapazitten immer schwieriger. Die hier auftretenden Impedanzen sind meist aus kontinuierlich verteilten induktiven und kapazitiven Anteilen zusammengesetzt, wobei die berwiegend vorhandenen Anteile das Gesamtverhalten (induktiv oder kapazitiv) des Bauteils bestimmen ( D I N - T a s c h e n b u c h 22 (1978); M e i n k e (1965); Rint(1978)). Mebrcken fr komplexe Widerstnde und Leitwerte Die in der Niederfrequenzmetechnik blichen Schaltungen (s. 4.2.4.4, 4.2.5.4 und 4.2.6.4) f r Brcken zur Messung komplexer Widerstnde oder Leitwerte lassen sich zum Teil auch im Hochfrequenzbereich anwenden. Dabei werden Widerstandsmebrcken vorzugsweise f r kleinere Werte (bis etwa 30 Q), Leitwertsmebrcken f r grere Werte des Widerstandes, und zwar bei Frequenzen bis einige hundert M H z benutzt. Eine Voraussetzung f r mglichst geringe Meunsicherheiten ist die eindeutige Erdung sowie die Schirmung von Einzelk o m p o n e n t e n der Brcke. Bei letzteren sowie bei Verbindungsleitungen machen sich zudem die hochfrequenzwirksamen residuellen Wirk- und Blindwiderstnde bemerkbar, so da im Einzelfall eine grndliche Analyse des Brckenabgleichs u n d der Auswertung der Messungen ntig ist. Beim A u f b a u aus Widerstnden, Kondensatoren und Induktoren wird die Koaxialtechnik angewandt. Zur Brckenabstimmung werden variable Kondensatoren bevorzugt. D a gewendelte oder gar Drahtwiderstnde wegen hoher Induktivitt ausscheiden, mssen Dnnfilmwiderstnde (Kohle-, Nickel-Chrom-, Zinnoxid-Schicht auf Keramikrohr ohne Drahtanschlsse) verwendet werden.
D a s Ersatzschaltbild (Fig. 4.225) umfat die Kapazitt C der Enden, die Lngsinduktivitt L und den Wirkwiderstand R, welcher um so frequenzunabhngiger wird, je kleiner die Schichtdicke im Vergleich zur Skin-Eindringtiefe (s. 4.3.3.1) ist. Der frequenzabhngige komplexe Widerstand ist dann (Kreisfrequenz cu):

Fr als Innenleiter in koaxiale Gehuse eingebaute Widerstnde in Zweipolschaltung im Bereich von etwa 20 Q bis etwa 200 Q und bei Frequenzen, fr welche cu^ L C < 1 und w^R'^C^-^l gilt, kann durch geeignete Wahl von L als Funktion des Auenleiterdurchmessers der Blindwiderstandsanteil in Gl. (4.451) zum Verschwinden gebracht werden ( W o o d s (1962) u. (1976)).

W h r e n d im unteren Frequenzbereich bis etwa 30 M H z hufig Drehkondensatoren als variable Kondensatoren benutzt werden (s. 4.2.4.4), wird bei hheren Frequenzen die

Fig. 4.225 Ersatzschaltbild eines Widerstandes bei Hochfrequenz

Fig. 4.226 Ersatzschaltbild eines variablen Kondensators bei Hochfrequenz

744

4.3 Hochfrequenz

K o a x i a l b a u w e i s e ( K a p a z i t t s b e r e i c h m a x i m a l e t w a 300 p F ) e m p f o h l e n . D a s E r s a t z schaltbild eines K o n d e n s a t o r s (Fig. 4.226) u m f a t neben der K a p a z i t t C a u c h eine Lngsinduktivitt L u n d einen im allgemeinen sehr kleinen Widerstand R mit R^<L/C u n d R < c o L . F r die f r e q u e n z a b h n g i g e A d m i t t a n z F g i l t d a n n genhert Y" T + Jt ; (l-co'LC) (4.452)

Bei der Abstimmung v o n Brcken (und Resonanzkreisen, s. 4.2.4.4) ist zu beachten, da eine nderung von C auch eine nderung AG des Wirkleitwerts (Konduktanz) gem \AG\^\w^R{C\-C]}\ (4.453)

hervorruft (L und R hier konstant), wobei C2 und Cj die zur Abstimmung fhrenden Kapazittswerte mit und ohne Prfling sind. A G tritt dann als Fehler bei der Bestimmung insbesondere sehr kleiner Wirkleitwerte (z. B. bei der Messung sehr kleiner dielektrischer Verluste) und gleichzeitig vorhandenen groen Blindleitwerten (a-(Ci - C2) strend hervor ( W o o d s (1976)). I m R e a l f a l l ist m i t d e r V a r i a t i o n v o n C a u c h e i n e V a r i a t i o n v o n L v e r k n p f t . F r e i n variables K a p a z i t t s n o r m a l m u d e s h a l b die a n d e n A n s c h l u k l e m m e n w i r k s a m e K a p a z i t t C^=C/{\ -co^LC) durch Kalibrierung bestimmt werden (Koaxialkondensat o r s. W o o d s ( 1 9 5 7 ) ) . K o a x i a l l e i t u n g s s t c k e fester L n g e ( o h n e dielektrische Sttzen: air lines") k n n e n als b e r e c h e n b a r e K a p a z i t t s - o d e r I n d u k t i v i t t s - N o r m a l e d i e n e n , w e n n sie a n e i n e m E n d e mit einer b e k a n n t e n Streukapazitt ( L e e r l a u f ) , beziehungsweise mit einem Kurzschlu, abgeschlossen w e r d e n ( W e i n s c h e l (1964,1990); W o o d s (1960); Z o r z y (1966)). Spulen benutzt m a n wegen ihres Serienwiderstandes u n d ihrer E i g e n k a p a z i t t im H o c h f r e q u e n z b e r e i c h nicht als N o r m a l e . LJ2 L^n ,=5nH - J - r .2(,c ' ' ^ Fig. 4.227 Ersatzvierpol eines 3 cm langen 50-2-Koaxialkonnektors (nach W o o d s (1976)) a Prtlingsanschlu b Meebene

Zum Anschlu v o n Prflingen an Brcken werden koaxiale Konnektoren (fr Przisionsmessungen mglichst mit definierter Anschluebene) bevorzugt. Serienkapazitt C, und Lngsinduktivitt L, ihres Ersatzvierpols (Fig. 4.227) fhren zu im wesentlichen frequenzunabhngigen systematischen Fehlern bei der Bestimmung der Blindkomponente in Gegenwart einer wesentlich von Null verschiedenen Wirkkomponente des Widerstands oder Leitwerts des in der Ebene a angeschlossenen Prflings, wenn die Brckenmessung sich auf die Ebene b bezieht. Wird bei einer Widerstandsmebrcke der Erstabgleich fr einen Kurzschlu in a und der zweite Abgleich fr den Prfling mit Impedanz Zx = Rx + ']ioLx durchgefhrt, so tritt als Fehlergre eine Induktivitt - C , / ? ^ ( - 0 , 1 2 5 n H fr /?x = 2 5 0 n und fr die in F i g . 4 . 2 2 7 dargestellte 5 0 n - L e i t u n g von 3 c m Lnge) auf. Wird bei einer Leitwertsmebrcke zuerst gegen einen Leerlauf in a und dann bei angeschlossenem Prfling mit Admittanz Yx = G x + ] c o C x abgeglichen, so tritt eine Kapazitt -L,G\ ( - 5 0 p F fr Gx = 0,l S und fr die in Fig. 4.227 dargestellte Leitung) als Fehlergre auf ( W o o d s (1976)). Prinzipiell ist deshalb fr den ersten Fall ein mglichst hochohmiger (C, klein), fr den zweiten Fall ein mglichst niederohmiger (L, klein) Konnektoranschlu vorteilhaft. C, und L, mssen durch Kalibrierung oder durch Berechnung aus den geometrischen Daten des Konnektors bestimmt werden ( W o o d s (1957)).

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

745

Zur Messung der Impedanz Rx + j w ^ x be' Frequenzen bis etwa 30 M H z wird die einen variablen Normalwiderstand zum Abgleich der W i r k k o m p o n e n t e enthaltende M a x w e l l - W i e n - B r c k e herangezogen (s. 4.2.6.4). Die relative Meunsicherheit wird mit etwa 3 % ( J o n e s u. A n s o n (1974)) angegeben. Eine weitere Widerstandsmebrcke, die S c h e r i n g - B r c k e , wird bis etwa 60 M H z mit relativen Meunsicherheiten von maximal 2% ( J o n e s u. A n s o n (1974)) zur Bestimmung des komplexen Widerstandes x + jA'x induktiver und kapazitiver Prflinge (Anschlu an K K ' , Fig. 4.228) verwendet. Sie wird zunchst f r einen Kurzschlu (Werte der Brckennormale Ci = CjRh/R2, CBI = C3i?i/7?2 und d a n n erneut f r den Prfling (Werte C2, CB2) abgeglichen. Im Idealfall ist (ohne Bercksichtigung des Einflusses von Residuen)
= XX = ( 1 / ) ( 1 / C b 2 1/CB,).

(4.454)

Prinzipschaltbild der Schering-Widerstandsbrcke (ohne Abschirmung und Detektorbertrager) KK' Anschlukonnektor, 0 Nulldetektor, Cw, CB variable Kapazittsnormale, H Hilfswiderstand, G Hochfrequenzgenerator

Fig. 4,229 Prinzipschaltbild der Schering-Leitwertbrcke (ohne Abschirmung und Detektorbertrager) KK' Anschlukonnektor, 0 Nulldetektor, Cw, CB variable Kapazittsnormale, G Hochfrequenzgenerator

Als Mebrcke zur Bestimmung des komplexen Leitwerts Gx+}CoCx steht fr Frequenzen bis ber 2 5 0 M H z die S c h e r i n g - L e i t w e r t - B r c k e (und f r Przisionsmessungen die D o p p e l - T - B r c k e " , W o o d s (1957)) zur Verfgung. Im Idealfall der residuenfreien Brcke (Fig. 4.229) ist Gx = R7 wobei Ci = C3/?4//?2. C\ = CjRi/R2 die Werte der Brckennormale bei offenem Anschlukonnektor (Leerlauf, fr Przisionsmessungen sind Abstrahlung und Streukapazitt am offenen Konnektor zu beachten) und CB2 die Werte der Brckennormale bei angeschlossenem Prfling bedeuten. Die relative Meunsicherheit betrgt auch etwa 2 % ( J o n e s u. A n s o n (1974)).
(1/Cw2 1/Cwi), C x = CB, C, B2.

(4.455)

746

4.3 Hochfrequenz

Bei Frequenzen bis etwa 10 M H z stehen kommerzielle LCR-Meter" zur Verfgung. D e m Prfling wird ein Strom eingeprgt und die Impedanz des Prflings als Verhltnis v o n (komplex gemessenem) Spannungsabfall und Stromstrke bestimmt. Resonanzverfahren Resonanzverfahren werden in der Hochfrequenzmetechnik (auer bei der Messung v o n Stoffkenndaten, s. 4.3.4.3) im Frequenzbereich bis etwa 250 M H z zur Bestimmung des Gtefaktors Q (s. 4.3.3.8) v o n Spulen (Eigenkapazitt C j ) angewendet, die mit einem festen oder variablen Kondensator C zu einem Parallel- oder Serienresonanzkreis zusammengeschaltet werden. Im ersten Fall wird der Gtefaktor durch Messung der Halbwertsbreite und der Resonanzfrequenz der Spannungs-Resonanzkurve bestimmt (s. 4.2.6.4). Im Falle des in kommerziellen -Metern" enthaltenen Serienresonanzkreises (Fig. 4.230) dient ein verlustarmer variabler Kondensator zur A b s t i m m u n g auf Resonanz. Liegt am Resonanzkreis eine Hochfrequenzspannung konstanter Frequenz und bekannter Amplitude | U\ an {R\ einige m Q , R 2 > R \ ) , und wird mit dem (hochohmigen) Spannungsmesser Vbei Resonanz eine Spannungsamplitude | C/R| gemessen, so ergibt sich

e=

C + Cp u

(4.456)

Fig. 4.230 Gtemessung aus Spannungsberhhung KK' Anschlukonnektor V Hochfrequenz-Spannungsmesser C variabler Kondensator G Hochfrequenzgenerator P Prfling (Spule) CE Streukapazitt

CE mu fr genauere Messungen gesondert ermittelt werden. V o n Nachteil ist, da der Prfling auf einer Seite ber einen endlich groen Widerstand geerdet ist. Fehler treten infolge der Belastung der Resonanzkreise durch die Verluste der Kondensatoren C und den endlichen Eingangswiderstand der Spannungsmesser auf ( T h u r l e y (1971)). Als Transfernormale fr - M e t e r dienen Stze abgeschirmter Spulen, deren Gtefaktoren beispielsweise mit Hilfe hochauflsender Admittanzmebrcken bestimmt werden ( S t u m p e r (1989 a)). I m p e d a n z b e s t i m m u n g mit der M e l e i t u n g W i r d e i n e h o m o g e n e L e i t u n g m i t d e m W e l l e n w i d e r s t a n d ZQ d u r c h e i n e k o m p l e x e L a s t a b g e s c h l o s s e n , d e r e n I m p e d a n z Z i s t , s o wird die e i n f a l l e n d e Welle z u m Teil reflektiert, m i t d e m k o m p l e x e n R e f l e x i o n s f a k t o r

r=

Z-ZQ Z + Zo

(4.457)

D i e hin- u n d r c k l a u f e n d e n Wellen b e r l a g e r n sich zu einer s t e h e n d e n Teilwelle, w o d u r c h S p a n n u n g s m a x i m a (C/max) u n d - m i n i m a (/,!) l n g s d e r L e i t u n g e n t s t e h e n . Tastet m a n dieses stehende Wellenfeld mit einer D e t e k t o r - S o n d e a b , deren A n t e n n e d u r c h e i n e n L n g s - S c h l i t z in die L e i t u n g e i n g e f h r t ist, so k a n n m a n a u s d e m W e l l i g k e i t s f a k t o r j = C/max/t^min u n d d e r E n t f e r n u n g 4 d e s 1. M i n i m u m s v o n d e r Anschlu-Bezugsebene der Last (bzw. aus der Verschiebung der M i n i m a gegenber ihrer

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

747

Lage bei Leitungsabschlu mit einem idealen Kurzschlu | r | = 1) Real- und Imaginrteil bzw. Betrag und Phase des Reflexionsfaktors bestimmen ( B e s t i m m u n g g r e r e s . G r o l l (1969)): s - \ 1^1 = 0 = s+ 1 lon, 0 < /o ^
AL

(4.458) A , A,
7t

47t
AL

7t,

(4.459)

Fig. 4.231 Impedanzmessung mit der Meleitung, Spannungsverlauf lngs der Mestrecke l M Meebene Zx auszumessende Impedanz K Kurzschlu M ' Knotenebenen (/=0) bei Kurzschluabschlu der Leitung (im Abstand n A.L/2 von der Kurzschluebene) /o, Abstand eines Spannungsminimums von der nchsten Knotenebene in Last-(Generator-)Richtung

Generator

A ist die Leitungswellenlnge und gleich dem doppelten Abstand zweier SpannungsmiL nima oder -maxima (Fig. 4.231). Die auf den Leitungswellenwiderstand ZQ bezogene komplexe Abschlulast z = Z/Zo findet m a n aus dem Reflexionsfaktor F, gem z = r + ]x = 1 +r
1

- r

(4.460)

wobei

1 1 -f | r | 2 - 2 | r | c o s ^

(4.461)

X=

2 | r | s i n (P 1 + |r|2-2|r|cos 0

(4.462)

Mit (4.460) und r= = r' + ]r" (4.463)

ergeben sich in der T-Ebene zwei Kreisscharen fr konstante Werte von r und x: 2 2 / 1 -V (r'-i)2 + (4.464) r \+r l l+w Ihre Darstellung bezeichnet man als Smith-Diagramm (Tab. T 4.11 in Band 3).
B e i s p i e l : Eine koaxiale Meleitung wird bei der Mefrequenz 1 G H z mit einer komplexen L a s t Z abgeschlossen. Durch Abtastung mit einer Detektorsonde erhlt man j = 1,52. D i e Verschiebung des Minimums ist 4 = 4,11 cm. Man erhlt \r\ = 0 , 5 2 / 2 , 5 2 = 0,206. Mit der Leitungswellenlnge /LL=30cm wird 0 = - ^ - 4 , l l + 7t = 4,863 ( 0 = 278,6),/O//IL = 0,137 bzw. /J/AL = 0,363). In der

748

4.3 Hochfrequenz

/"-Ebene wird um das Zentrum der Kreis mit | r\ = 0,206 {s = 1,52) geschlagen und die Winkelgerade entsprechend 4> = 4,863 (Verbindung des Peripheriepunktes /O/AL = 0,137 bzw. /J/IL = 0,363 mit dem Nullpunkt). Im Schnitt der Winkelgeraden mit dem T-Kreis schneiden sich auch ein r-Kreis und ein;c-Kreis. Man liest ab r = 0,976, * = - 0 , 4 1 6 . Bei Bezug auf einen Leitungswellenwiderstand von 5 0 n lautet das Endergebnis Z = ( 4 8 , 8 - j 2 0 , 8 ) n . D i e A n k o p p l u n g der Sonde an das Leitungswellenfeld sollte grundstzlich so schwach wie mglich erfolgen, um die Strung hinreichend klein zu halten. Hauptfehlerquellen sind: Abweichung der Detektor-Kennlinie vom idealen quadratischen (leistungsproportionalen) Verlauf, Reflexionen an der Sonde und den Anschlu-Konnektoren (innere Reflexionen), Feldstrungen durch den Lngsschlitz, Leitungsdmpfung lngs des Wellenfeldes innerhalb der Mestrecke, Abweichung des Wellenwiderstandes vom Sollwert (z. B. 50 Cl). Die Fehlereinflsse knnen reduziert werden, wenn die Anzeige entsprechend dem wahren Verlauf der Detektor-Kennlinie korrigiert und die auf geringste Eintauchtiefe eingestellte Sonde so abgestimmt wird, da ihr Blindleitwert verschwindet. Bei Hohlleiter-Meleitungen ist auf gute Symmetrie des Schlitzes bezglich der Mittellinie der Hohlleiter-Breitseite zu achten. D i e mechanische Przision der Sondenfhrung und des Leiterquerschnitts sollte so gut sein, da eine konstante Eintauchtiefe und eine exakte Parallelfhrung zur Leiterachse auf der ganzen Lnge gewhrleistet sind. Zur guten generatorseitigen Anpassung sollte zwischen Generatorausgang und Meleitung eine Einwegleitung (s. 4.3.3.14) geschaltet werden. Groll (1969); Klages (1956); Kraus (1980); S o m i o u. Hunter (1985); Tischer (1958), Mit Hilfe AL/4 langer koaxialer Luftleitungen als Wellenwiderstandsnormale, die zwischen Meobjekt und Meleitung eingefgt werden, lassen sich Mefehler aufgrund innerer Reflexionen und Abweichungen des Wellenwiderstandes der Meleitung v o m Sollwert weitgehend eliminieren ( E l l e r b r u c h u. E n g e n (1967)). Die Meunsicherheit handelsblicher Meleitungen liegt fr den Betrag der Reflexionsfaktoren - je nach Me- und Frequenzbereich - zwischen 0,001 und 0,1. Phasenbestimmungen sind (je nach Gre von s) auf etwa +0,05 bis 1 0 mglich. M e b r c k e n v e r f a h r e n zur B e s t i m m u n g von R e f l e x i o n s f a k t o r und I m p e d a n z Z u r B e s t i m m u n g des Betrages des Reflexionsfaktors bzw. des Welligkeitsfaktors sind Welligkeitsm e b r c k e n , die n a c h A r t einer W h e a t s t o n e s c h e n B r c k e a u f g e b a u t sind, g u t geeignet ( M e i n k e u. G u n d l a c h (1986); V S W R (1970); V S W R (1979)). D i e a u s w e i t g e h e n d r e a k t a n z f r e i e n H o c h f r e q u e n z w i d e r s t n d e n a u f g e b a u t e B r c k e n s c h a l t u n g ist v o n e i n e m abgeschirmten G e h u s e u m g e b e n ; drei K o a x i a l k o n n e k t o r e n bilden die B r c k e n t o r e (Fig. 4.232). D e r N e n n w e r t der e i n g e b a u t e n W i d e r s t n d e m u mglichst gut mit d e m Wellenwiderstand der Ein- u n d Ausgangsleitung (Zi) bereinstimmen. Im BrckenE i n g a n g s k r e i s m u e i n e b e n f a l l s g u t a n g e p a t e r W i d e r s t a n d No l i e g e n ( d i e s e r k a n n d e r G e n e r a t o r - I n n e n w i d e r s t a n d s e i n , w e n n e r g l e i c h d e m W e l l e n w i d e r s t a n d Z i ist u n d d i e Q u e l l e n s p a n n u n g Uo (s. F i g . 4 . 2 3 2 ) k o n s t a n t b l e i b t ) . W i r d e i n e u n b e k a n n t e I m p e d a n z Z , a n d a s T e s t - T o r C D g e l e g t , s o gilt f r d i e S p a n n u n g a m Metor (BC) = ^ ^ = r,. (4.465)

ZX + Z L

Fig. 4,232 Prinzip der Widerstands-Reflexionsmebrcke = ZL eingebaute reelle Hochfrequenzwiderstnde O (gleich dem Wellenwiderstand des Bezugsleitungssystems) t/o Quellenspannung Zx unbekannte Impedanz der Last, deren Reflexionsfaktor zu bestimmen ist {/b Mespannung

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

749

Der Betrag der Brckenspannung am Metor ist proportional zum Betrag des Reflexionsfaktors des mit dem Test-Tor verbundenen Meobjekts (Impedanz Z , ) . Whlt man als Bezugsimpedanz einen Kurzschlu (Z, = 0) oder eine offene Leitung (Zx->o), so wird nach Gl. (4.465) \Ut{x)\ =|/"x|. (4.466)

Durch Bestimmung dieses Spannungsverhltnisses, z . B . mittels eines in die Eingangsleitung eingefgten kalibrierten Abschwchers, ergibt sich
10 A.4/20_ A ^ = 20 1og

U,(x)

t/b(0,

(4.467)

Meunsicherheiten sind bedingt durch die Unsicherheit der Abschwchungsmessung, durch Unzulnglichkeiten der eingebauten Hochfrequenzwiderstnde und durch Reflexionen am TestTor. Auch bei ideal angepater Abschlu-Last ( r , = 0) bleibt am Metor eine Restspannung, die einer Richtdmpfung" AAo entspricht. Damit bleibt eine Restunsicherheit des Reflexionsfaktors (A/^i = 10 -^V^o D i e Fehlanpassung des Testtores (Reflexionsfaktor r j ) gibt Anla zu einer Unsicherheit (A/)2= (4.469) 1 - [/-xZ-jI (4.468)

B e i s p i e l : Zur Messung eines Reflexionsfaktors v o n | r | = 0,5 wird eine Mebrcke mit Richtdmpfung 35 dB und Test-Tor-Rckfludmpfung Tj (s. Tab. T 4.10 in Band 3) v o n 20 dB benutzt. Man findet ( A F ) , = 10 = 0,018 und ( A r ) 2 = 0,026). D a Gl. (4.465) das Spannungsverhltnis nach Betrag und Phase liefert, ist prinzipiell durch Integration einer phasenvergleichenden Schaltung (z. B. mittels eines Vektor-Voltmeters) auch die Ermittlung der Phase des Reflexionsfaktors und damit nach Gl. (4.461) und (4.462) die Impedanzbestimmung nach Betrag und Phase mglich. Vor allem bei GHz-Frequenzen in Hohlleiter-Schaltungen eignet sich das Magische T" (Fig. 4.233, s. 4.3.3.12) als Impedanzmebrcke, sofern die mechanische Konstruktion so przise ausgefhrt ist, da die Symmetrieabweichungen hinreichend klein bleiben. D a s Brckenverhalten ergibt sich aus den Wellenausbreitungseigenschaften in den 4 Zweigen. Speist man die Wellen in Arm 3 (H-Arm) ein und schliet die beiden parallelen Arme 1 und 2 mit

Fig. 4.233 Magisches T" als Mikrowellen-Impedanzmebrcke Zx zu bestimmende unbekannte Impedanz ZN bekannte einstellbare Vergleichsimpedanz G Generator Ii, I2 Ferrit-Isolatoren (Einwegleitungen) Ej berlagerungs-Empfnger Die (nicht-materielle) Symmetrie-Ebene S ist als Hilfsebene eingezeichnet

750

4.3 Hochfrequenz

gleicher Impedanz ab, so sind die reflektierten Wellen, die auf die Symmetrie-Ebene zulaufen, in Betrag und Phase gleich. D a die Einkopplung in Arm 4 (E-Arm) gegenphasig erfolgt, lschen sich beide Anteile aus. Brckenarm 4 ist abgeglichen. D i e nach Arm 3 gleichphasig eingekoppelten reflektierten Teilwellen laufen gegen den Generator zurck und werden zweckmigerweise in einer vorgeschalteten angepaten Einwegleitung gedmpft. Zur praktischen Ausfhrung einer Impedanzmessung wird der Ausgang des Brckenarms 4 mit einem empfindlichen Meempfnger (berlagerungsempfnger) und die Eingangsebene der zu bestimmenden Impedanz mit der Ausgangsebene einer der beiden Arme 1 oder 2 verbunden, whrend an den Ausgang des gegenberliegenden freien Armes (2 oder 1) die Vergleichsimpedanz angeschlossen wird (Fig. 4.233). Wichtig ist dabei, da die Leitungswellenwiderstnde der Brckenarme und der Eingangsleitungen der angeschlossenen Impedanzen gleich sind. Als Vergleichsimpedanz eignet sich z. B. ein verschiebbarer Kurzschlu in Verbindung mit einem mglichst phasenreinen Absorberwiderstand mit quantitativ bekanntem Dmpfungsverhalten. Als berechenbare koaxiale Reflexionsnormale eignen sich z. B. Luftleitungen, bei denen der Durchmesser des A u e n - oder Innenleiters lngs einer Xi^jA langen Strecke gegenber dem Werte bei der Normalleitung vergrert oder verkleinert ist ( B a y e r {\91iy, S o m i o (1967)). Zur Einstellung definierter komplexer Reflexionsfaktoren bei Hohlleitern kann auch ein Magisches T" dienen, dessen E-Arm (4) mit einer angepaten Last abgeschlossen ist, whrend in den beiden ParallelArmen 1 und 2 Kurzschlukolben verschoben werden, deren Abstnde von der Symmetrie-Ebene nach Einstellung A/j und A/2 betragen. Bei Einspeisung einer HF-Leistung in Arm 3 ist der Reflexionsfaktor der in Arm 3 zurcklaufenden Welle, bezogen auf die Einkopplungs-Ebene durch Tj = cos |yff(A/, (4.470)

gegeben. D i e Meunsicherheit ist bedingt durch Unsymmetrie in der T-Verzweigung, innere Reflexionen, die Unsicherheit des Vergleichsnormals, Unsicherheiten bei der Abstandsbestimmung und die Unsicherheit der Wellenausbreitungsgeschwindigkeit in den (meist luftgefllten) Leitern. G r o l l (1969); Klages (1956); M e y e r u. P o t t e l (1969); M o n t g o m e r y u. a. (1947). B e s t i m m u n g d e s B e t r a g e s d e s R e f l e x i o n s f a k t o r s mit d e m R e f l e k t o m e t e r H i e r b e i w e r d e n d i e E i g e n s c h a f t e n v o n R i c h t k o p p l e r n a u s g e n u t z t (s. 4 . 3 . 3 . 1 3 ) . U m e i n e s c h n e l l e u n d h i n r e i c h e n d g e n a u e R e f l e x i o n s m e s s u n g a u s f h r e n zu k n n e n , sollte der b e n u t z t e R i c h t k o p p l e r e i n e m g l i c h s t h o h e R i c h t d m p f u n g {D ^ 4 0 d B ) u n d e i n e n h i n r e i c h e n d kleinen Reflexionsfaktor F j a m A u s g a n g s t o r h a b e n ( | r 2 l < 0 , 0 2 ) . Die prinzipielle M e s c h a l t u n g zeigt Fig. 4.234). A n d a s A u s g a n g s t o r des R i c h t k o p p l e r - H a u p t a r m e s w i r d e i n m a l e i n e K u r z s c h l u e b e n e (|7"s| = 1) u n d e i n m a l d i e u n b e k a n n t e L a s t ( l / ^ x l ) a n g e schlossen. D i e beiden M e s i g n a l e im N e b e n a r m w e r d e n mittels eines przisen M e e m p -

j C

X
i' X

y
C.D

i n s 0,01 HZZI

H:

Fig. 4.234 Bestimmung des Betrages des Reflexionsfaktors (bzw. des Welligkeitsfaktors) mit dem Reflektometer G Generator Zx zu bestimmende unbekannte Impedanz Fx Reflexionsfaktor K Kurzschlu (Bezugs-Impedanz) HN Norm-Hohlleiter C, D Koppel- und Richtdmpfung des Reflektometers h ^ h , h Ferrit-Isolatoren (Einwegleitungen) Kalibriertes Bezugsdmpfungsglied E Meempfnger (Ein Koaxial-Reflektometer entspricht im Aufbau dem hier dargestellten Hohlleiter-Reflektometer)

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

751

fngers miteinander verglichen, wobei der Bezug auch d u r c h einen d e m M e e m p f n g e r v o r g e s c h a l t e t e n , p r z i s e n k a l i b r i e r t e n v a r i a b l e n A b s c h w c h e r (z. B. R o t a t i o n s - D m p fungsglied) hergestellt w e r d e n k a n n . Betrgt der Unterschied der beiden SignalA m p l i t u d e n A d B , s o ist d e r z u b e s t i m m e n d e B e t r a g d e s R e f l e x i o n s f a k t o r s (^indB) Die Unsicherheit infolge unvollstndiger Richtdmpfung ist gegeben durch (4.471)

(4.472) b mit 6 = V(1 - x 2 ) ( l - rf^)- 1, x=10"^/2o

(Richtdmpfung D und Koppeldmpfung C in dB). Die Unsicherheit infolge der Reflexion am Ausgang des Hauptarms ist

Durch Einfgen zweier Abstimmtransformatoren (s. 4.3.3J) vor dem Eingang und hinter dem Ausgang des Hauptarmes lassen sich die Optimalbedingungen / ) oo und T j - O bei einer festen Frequenz gut annhern ( A n s o n (1961)). Mit solchen abgestimmten Reflektometern sind die Meunsicherheiten auf 0,0001 001 reduzierbar. Will man den Reflexionsfaktor nach Betrag und Phase ermitteln, so kann die Reflektometerschaltung durch zustzlichen Einbau eines kalibrierten Phasenschiebers erweitert werden, wobei unter Voraussetzung einer hinreichend reinen Sinusschwingung (Filter einsetzen!) der Abgleich gegen eine Referenzschwingung nach Betrag und Phase auszufhren ist ( G l e d h i l l u. W a l k e r (1963)). Abgestimmte Reflektometer erlauben zwar Messungen kleinster Unsicherheit, die fr jeden Frequenzpunkt ntige Einjustierung der beiden Abstimmtransformatoren ist aber zeitraubend. Um sich einen schnellen berblick ber das Reflexionsverhalten von Bauteilen zu verschaffen, sind ber grere Bandbreiten wobbelbare Reflektometer-Mepltze besonders vorteilhaft. Dabei kann eine fast dem abgestimmten Reflektometer entsprechende Megenauigkeit beibehalten werden, wenn ein Verfahren angewandt wird, bei dem ein langer, sehr genauer Normhohlleiter (oder eine koaxiale Luftleitung) als Bezugsnormal verwandt wird, wodurch sich die Eigenfehler des Reflektometers weitgehend eliminieren lassen. Das Verfahren ist prinzipiell auch auf wobbelbare Reflexionsmebrcken anwendbar ( H o l l w a y u. S o m l o (1960) u. (1973); H o l l way (1967); Lacy u. 0 1 d f i e l d ( 1 9 7 3 ) ) . Vier- und S e c h s t o r s c h a l t u n g e n , N e t z w e r k a n a l y s a t o r e n Z u r B e s t i m m u n g k o m p l e x e r R e f l e x i o n s f a k t o r e n r ( s . 4 . 3 . 3 . 1 ) als F u n k t i o n d e r F r e q u e n z w e r d e n n e b e n W h e a t s t o n e s c h e n B r c k e n s c h a l t u n g e n (bei F r e q u e n z e n bis b e r 20 G H z , s. F i g . 4 . 2 3 2 ) h u f i g V i e r t o r - R i c h t k o p p l e r - S c h a l t u n g e n b e n u t z t (s. F i g . 4.235). M i t s o l c h e n S c h a l t u n g e n a u s g e r s t e t e , a u c h k o m m e r z i e l l a n g e b o t e n e N e t z w e r k a n a l y s a t o r e n " g e s t a t t e n die B e s t i m m u n g aller S t r e u k o e f f i z i e n t e n ( S n , S|2, S21, S22) eines Z w e i t o r s ( s . 4 . 3 . 3 . 6 ) bei F r e q u e n z e n bis b e r 100 G H z . N i c h t - i d e a l e B r c k e b z w . R e f l e k t o m e t e r w e r d e n wie f o l g t b e s c h r i e b e n : D i e B e z i e h u n g z w i s c h e n r = 02/^2 u n d d e r k o m p l e x e n S p a n n u n g d e r B r c k e bzw. d e m k o m p l e x e n V e r h l t n i s w = b i / b ^ d e r W e l l e n g r e n a n den Metoren der Richtkopplerschaltung wird durch

r={w-B)/(A-C-w)

(4.474)

752

4.3 Hochfrequenz

h r= "
Ott '03 Oj

1 ^M 1
1

X K

1 ^ 1 >1 02 2

1 P J1
bj

Fig. 4.235 Viertor-Richtkoppler-Schaltung mit zwei Metoren Qi.fei Wellengren G Mikrowellengenerator am Tor 1 P Prfling am Ausgangstor 2 M Meebene K Richtkoppler 3 , 4 Metore

mit drei komplexen, aus den Brckeneigenschaften bzw. der Fehlanpassung, Kopplungsund R i c h t d m p f u n g der Richtkoppler resultierenden frequenzabhngigen Error-Box"Parametern A, B und C vollstndig beschrieben (fr ideale Schaltungen gilt 5 = C = 0 ) . Zur Messung der Rohwerte" w nach Betrag und Phase dienen komplex messende Vektorvoltmeter"; insbesondere bei sehr hohen Frequenzen mssen aufwendige berlagerungsverfahren angewendet werden (Verfahren ohne Hilfsoszillator s. K i n g (1978)).
Die Parameter A, B und C (insgesamt 6 skalare Gren) bestimmt man nach Messung von W], W2 und WT, bei Abschlu durch drei Meobjekte an Punkten C und D (Fig. 4.232) der Brcke bzw. an der Meebene M der Reflektometerschaltung, mit bekannten komplexen Reflexionsfaktoren T,, r2 und r^, z . B . Ti-^O (reflexionsarmer Abschlu), F j ^ ' - l (Kurzschlu) und T j ' ^ l (Leerlauf, realisierbar in Koaxialtechnik), durch Lsung des linearen Gleichungssystems A - r ^ + B - C - W i , - r i , = Wi, (fr k = 1 , 2 , 3) (4.475)

Zur Kalibrierung eines Netzwerkanalysators mit je einer Brcke oder Viertor-RichtkopplerSchaltung an Ein- und Ausgang eines Zweitors als Prfling mu die Bestimmung der 3 Error-BoxParameter auf jeder Seite, d. h. eine 12-Term-Korrektion ausgefhrt werden. Kommerzielle Netzwerkanalysatoren enthalten stets Mikroprozessoren oder Kleinrechner zur Steuerung, Kalibrierung und Meauswertung; mit Hilfe von Zusatzeinrichtungen (Adapter, rechnergesteuerte Taster) ist die Streukoeffizienten-Messung in planaren Schaltungen mglich. Bailey (1989); B e a t t y (1976); G r o l l (1969); K s a (1974); K r a u s (1980); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986); R y t t i n g (1981); S o m l o u. H u n t e r (1985); W a r n e r (1976) u. (1977).

S e c h s t o r v e r f a h r e n . Komplexe Reflexionsfaktoren F lassen sich auch ohne teure Phasenmeverfahren mit Hilfe von als Koaxial-, Hohlleiter- oder Freifeld-Interferometer aufgebauten einfachen linearen passiven Mikrowellennetzwerken bestimmen. Diese Sechstorreflektometer" besitzen ein Eingangstor 1 f r den Hochfrequenzgenerator, ein Ausgangstor 2 zum Anschlu des Prflings u n d insgesamt vier Metore 3 bis 6, an letzteren befinden sich Leistungsdetektoren (Dioden, Bolometer), deren reelle Ausgangsgren Pi;{k = 3,...,6) proportional zum Quadrat der Amplitude der in sie eintretenden Wellengren bi, sind. Die aus Richtkopplern und Verzweigungen bestehenden Schaltungen sind meist so ausgefhrt, d a ein P^ (z. B. f r k = 6) im wesentlichen proportional zur Generatorleistung ist, man rechnet dann mit den drei (auf P^ normierten) Leistungsverhltnissen Pk = Pk/P(, (^ = 3 , . . . , 5 ) . Analytisch kann m a n das Sechstorreflektometer zerlegen in ein ideales Reflektometer mit p^, p^ und p^ als Eingangsgren und dem Rohwert" w als Ausgangsgre und eine Error-Box" mit der in Gl. (4.474) angegebenen Verknpfung von w und gesuchtem /"(wobei die Error-BoxParameter A, B und C wie oben gezeigt bestimmt werden knnen). F r die V e r k n p f u n g von pk(k = 3,...,5) u n d w gilt:
/>3= | w | ^

Z - / 7 4 = | w - Wl|^

R-PS=\W-W2\^.

(4.476)

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

753

Das komplexe W2 und die Skalare Wj, Z und erhlt man mit geeigneten Selbstkalibrierverfahren. Zur Bestimmung und Speicherung der frequenzabhngigen Parameter sowie zur Mewerterfassung und Steuerung ist ein Kleinrechner erforderlich. Ein Netzwerkanalysator mit zwei Sechstorreflektometern ist von H o er (1977) entwickelt worden.
Bailey (1989); Gullen u. a. (1980); E n g e n (1977) u. (1978); H u n t e r u. Somlo(l985); G r o l l u. K o h l (1980); M e i n k e u. G u n d l a c h (1986); N e u m e y e r (1990); S t u m p e r (1982), (1983), (1989b), (1990) u. (1991).

4.3.4.3

Messung der Stoffkenndaten (F. Kremer)

Allgemeines Hier wird nur eine kurze bersicht ber die wichtigsten Memethoden zur Bestimmung der Stoffkenndaten homogener und isotroper Stoffe im Hochfrequenzbereich gegeben: Komplexe Permittivittszahl (Dielektrizittszahl, DZ), s. 8.6.3 r = e; - j = e; (1 - j tan 4 ) , (4.477)

komplexe Permeabilittszahl (PZ) Mr = M ' r - j - M r = / ^ T - G - r tan S^) (4.478)

(tan 4 dielektrischer, tan S^ magnetischer Verlustfaktor). F r Gase (e', wenig grer als Eins), fr verlustarme Flssigkeiten und Kunststoffe (ej = 2 bis 3), sowie fr lonenkristalle (j=-5 bis 20) mit tan ^ bis 1 0 ^ kommen vornehmlich Memethoden mit Resonator, aber auch interferometrische Methoden in Betracht. Fr die zweite G r u p p e dielektrischer Stoffe mit mittleren und hheren Verlusten, beispielsweise polare Flssigkeiten (ej bis etwa 100, tan 4 bis etwa 1) und Ferroelektrika (ej bis etwa 10"* und tan bis etwa 1), sowie fr alle magnetischen Hochfrequenzmaterialien, deren D Z wesentlich von Eins verschieden sein kann, sind Impedanz- bzw. Admittanzmemethoden sowie Methoden zur Bestimmung von Vierpolparametern als primre Megren vorteilhaft. Kleine Proben verlustbehafteter Stoffe knnen auch in Resonatoranordnungen untersucht werden. Ein weiteres Unterscheidungsmerkmal ist die Mefrequenz: Impedanz- oder AdmittanzMessungen mit Hochfrequenzmebrcken fr Frequenzen bis etwa 300 MHz; klassische Mikrowellenmemethoden im Koaxial- und Hohlleiterbereich (Meleitung, Mikrowellenbrcke) - fr Vierpolmessungen - bei hheren Frequenzen; Resonatormethoden im gesamten Hochfrequenzgebiet bis zu Frequenzen von etwa 150 G H z . Im oberen Hochfrequenzgebiet hneln die Meprinzipien denen der Optik (Interferometrie mit kohrenten, Fouriertransformations-Spektrometrie mit inkohrenten Strahlungsquellen). Die obere Grenzfrequenz fr die Z e i t b e r e i c h s - S p e k t r o m e t r i e betrgt etwa 12 G H z . Dabei wird das zu untersuchende Material einem elektrischen Feldsprung ausgesetzt, und der zeitliche Verlauf der sich einstellenden elektrischen Polarisation bestimmt ( C o l e (1977); K a a t z e u. G i e s e (1980); D a w k i n s u . a . (1979), (1981a) u. (1981b); V o s s u. Happ(1984)).
A f s a r u.a. (1986); Bussey (1967); C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973); C l a r k e u. R o s e n b e r g (1982); Hill u.a. (1969); v. H i p p e l (1961); K a a t z e u. Giese (1980); Lynch (1974); M e i n k e u. G u n d l a c h (1968); M o n t g o m e r y (1947); S t u c h l y u . Stuchly(1980); S u c h e r u. Fox (1963); Vij u. H u f n a g e l (1985); W a l d r o n (1970)

Admittanz-, Impedanz- und Resonatormemethoden im unteren Hochfrequenzbereich M a g n e t i s c h e S t o f f e . Gemessen wird die Impedanz Z (etwa mit einer Maxwellbrcke,

754

4.3 Hochfrequenz

s. 4.3.4.2) einer u m einen geschlossenen (z. B. torusfrmigen) Kern des zu untersuchenden Materials gleichmig gewickelten Spule. Ist LQ die Selbstinduktivitt der Spule ohne Kern und R o der Wirkwiderstand des Drahtes, so gilt mit der Kreisfrequenz to Z-Ru = iM"+i CO-Lq. (4.479)

Brckenverfahren sowie Resonanzkreisverfahren sind fr Frequenzen bis ber 100 MHz angegeben (v. H i p p e l (1961); M e i n e k e u. G u n d l a c h (1968)).

D i e l e k t r i s c h e S t o f f e . Die komplexe D Z einer Probe k a n n aus der A d m i t t a n z Y (s. 4.3.4.2) eines mit dem Dielektrikum gefllten Plattenkondensators (s. V D E 0303 (1969); D I N 53483 (1969)) bestimmt werden. Ist Q die Kapazitt des leeren Kondensators, so gilt Y={E"+] e',)-CO - CO. (4.480)

Fig. 4.236 Mekondensator fr verlustarme Festkrper zur Anwendung im Resonanzkreis bei Frequenzen bis etwa 30 MHz (nach B e r g m a n n (1969)) 1 Mikrometerschraube 2 Gleitfhrung 3 Feder 4 Metallbalgen 5 bewegliche Elektrode 6 dielektrische Probe (etwa 60 mm Durchmesser) 7 feste Elektrode 8 Isolator 9 Abschirmgehuse 10 Konnektoren

Nach B e r g m a n n (1969) ermittelt m a n zur Eliminierung der durch einen Luftspalt zwischen F e s t k r p e r p r o b e u n d K o n d e n s a t o r e l e k t r o d e n verursachten Mefehler (Reihenschaltung eines luft- u n d eines probegefllten Kondensators!) zunchst Kapazitt und Verlustfaktor tan 6 ' eines mit der Probe der Dicke d^ gefllten K o n d e n s a t o r s (Fig. 4.236) mit E l e k t r o d e n a b s t a n d d^ (Mikrometerschraube). N a c h Entfernen der Probe wird zur Einstellung der ursprnglichen Kapazitt der Elektrodenabstand u m Ac^ auf d\ verringert. D a n n gilt E[ = d,/id, Ad), Ad). (4.481) (4.482)

tan (5j = tan S' - {d -

Bei A n o r d n u n g e n wie in Fig. 4.236 ohne Schutzringelektrode liegt der N u t z k a p a z i t t eine parasitre Kapazitt parallel, die m a n jedoch aus der als F u n k t i o n der Probendicke gemessenen D Z bestimmen k a n n . D e r Verlustfaktor wird aus dem G t e f a k t o r Q eines aus einer Hilfsspule u n d dem M e k o n d e n s a t o r gebildeten Schwingkreises u n d zwar mit (p) u n d ohne (i) Probe, bei konstantgehaltener Kapazitt gem tan ' = 1 / p - 1 / , bestimmt. Es k n n e n noch nderungen des Verlustfaktors von 10 ( R e d d i s h u. a. (1971); K r e m e r u. a. (1989)). (4.483) beobachtet werden

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

755

Methoden zur Bestimmung der Kenndaten aus Wellenparametern Primre Megren sind die Parameter der sich im probegefllten Wellenleiter ausbreitenden Welle (Wellenwiderstand und Ausbreitungskoeffizient, s. 4.3.3.1).
Im Frequenzbereich v o n etwa 300 M H z bis etwa 10 G H z dienen mit der TEM-Weiie (s. 4.3.3.3) betriebene Koaxialleitungen, bei Frequenzen bis etwa 40 G H z zumeist mit der H-Grundwellenform betriebene Hohlleiter (s. 4.3.3.4) zur A u f n a h m e der den Wellenleiter im allgemeinen ganz ausfllenden Probe. Im Bereich der Millimeterwellen sind Freifeldmeverfahren mit TEM-Wellen entwickelt worden.

Fr die komplexen Kenndaten

und e, gilt (fr H - und TEM-Wellen), (4.484) (4.485)

/^r = - j Zh yh/(Zho o ) r = (l - yl)/(l ^r)

(fr H-Wellen, ,, = 0 f r TEM-Wellen).

Dabei ist Zh der komplexe Feldwellenwiderstand und }'h = a h + j A der komplexe Ausbreitungskoeffizient im probeerflltenWellenleiter bzw. im (unendlich) ausgedehnten Medium f r TEM-Wellen. Zho ist der Feldwellenwiderstand, y9ho der Phasenkoeffizient ohne Probe, ^, ist die Grenzwellenzahl der Hohlleiter-H-Welle im V a k u u m , ^ der Phasenkoeffizient der TEM-Welle im Vakuum.

Fig.4.237 Probenanordnung im Hohlleiter bei der Vierpolmemethode zur Bestimmung von DZ und PZ einer Probe der Lnge d. Oben: Abschlu mit Kurzschlu, unten: mit Leerlauf (Aho Wellenlnge im leeren Wellenleiter)

MeRebene

V i e r p o l m e m e t h o d e . Sie wird zur Bestimmung von Zh = Zh/Zho und yn angewandt. Dabei befindet sich im Wellenleiter eine Meprobe der Lnge d mit senkrecht zur Wellenleiterachse angeordneten ebenen Endflchen (Fig. 4.237), welche auf der Rckseite einmal mit einem Kurzschlu u n d einmal mit einem Leerlauf (Kurzschlu im Abstand einer Viertelwellenlnge im leeren Wellenleiter) abgeschlossen ist. Mit Hilfe einer vorgeschalteten Meleitung oder Mikrowellenbrcke (s. 4.3.4.2) wird die auf den Wellenwiderstand des leeren Wellenleiters bezogene Eingangsimpedanz z in der Meebene in beiden Fllen bestimmt. Ist Z die Impedanz bei Abschlu mit Kurzschlu, R ZL die Impedanz bei Abschlu mit Leerlauf, so gilt (4.486) yh = a artanh { z j z ^ y ^ . (4.487)

756

4.3 Hochfrequenz

Fr Hohlleiterwellen lt sich einer der drei in Gl. (4.484) und (4.485) auftretenden Phasenkoeffizienten ySo. w und /?g, durch die zwei anderen gem

lo = l - l

(4.488)

ersetzen (Bestimmung durch Messung der Frequenz und Hohlleiter-Wellenlnge bzw. -Querabmessungen, s. 4.3.3.4). Im Falle unmagnetischer Dielektrika 1) gengt die Bestimmung der Eingangsimpedanz Z der mit Kurzschlu abgeschlossenen Probe. Fr diese gilt K = (tanh (4.489)

woraus y^^d mit einer Iterationsmethode oder mit Hilfe von Tabellen (v. H i p p e l (1961)) und s^ dann nach Gl. (4.485) berechnet werden kann. Fr hinreichend dnne Proben lassen sich , und getrennt bestimmen, und zwar durch Messung von Z bei Kurzschlubelastung (elektrisches Feld am Probenort annhernd Null) bzw. durch K Messung von ZL bei Leerlaufbelastung (magnetisches Feld am Probenort annhernd Null, E i c h a c k e r (1958) u. (1961)). Fr stark gedmpfte oder hinreichend lange, unmagnetische dielektrische Proben kann E, aus der Vorderflchenreflexion allein erhalten werden (Anwendung fr DZ-Messungen von Flssigkeiten unter hohem Druck s. P o t t e l u. A s s e l b o r n (1979)). Bei der Bestimmung kleiner Verlustfaktoren mu die durch endliche Leitfhigkeit der Wandungen des Wellenleiters hervorgerufene D m p f u n g (auch die Eigendmpfung der Meleitung; Berechnung s. 4.3.3.1, 4.3.3.3 u. 4.3.3.4) bercksichtigt werden. Bei Festkrperproben verursachen Luftspalte zwischen Probe und Wellenleiterwnden systematische Mefehler (Berechnung fr Koaxialleitungen s. E i c h a c k e r (1958)), welche sich bei Verwendung berdimensionierter Hohlleiter zur Probenaufnahme bei vorgegebener Spaltbreite verkleinern lassen (S t u m p e r (1968)). Sind die Probengrenzflchen nicht plan oder nicht senkrecht zur Wellenleiterachse angeordnet, so knnen strende ausbreitungsfhige hhere Wellenformen angeregt werden.

A n d e r e M e t h o d e n . Zur Bestimmung der D Z flssiger Dielektrika mittlerer Verluste kann yn direkt durch Abtastung des Stehwellenfeldes in einer an einem Ende mit einem Kurzschlu abgeschlossenen Meleitung bestimmt werden, welche vollstndig mit dem Dielektrikum ausgefllt ist ( E i c h a c k e r (1961); H o n i j k (1977)). Ein anderer bis 150 G H z benutzter M e a u f b a u besteht aus einer flssigkeitsgefllten NormhohlleiterReflexionsmezelle (strahlungsdurchlssiges Fenster am vorderen und verschiebbarer Kurzschlu am hinteren Ende), welcher ein Reflektometer (s. 4.3.4.2) vorgeschaltet ist. Aus der von der Mezelle reflektierten Hochfrequenzleistung, die als F u n k t i o n der Schichtdicke aufgetragen ist, wird y^ mit Hilfe einer Anpassungsrechnung gewonnen ( V a n L o o n u. F i n s y (1974); mit freien Raumwellen um 1 4 0 G H z s. K l i p (1970)). Mit Hilfe von aus berdimensionierten Hohlleitern zusammengesetzten Michelson-Interferometern wurde die D Z verlustbehafteter Flssigkeiten ebenfalls bis 140 G H z gemessen ( G o u l o n u . a . (1973)). yh kann auch aus der nderung von Amplitude und Phase einer durch die Meprobe hindurchtretenden fortschreitenden Welle, beispielsweise durch Vergleich mit einer Referenzwelle in einem Zweistrahlinterferometer bestimmt werden ( H u f n a g e l u. K l a g e s (1960); K a a t z e (1980); bis in den Bereich der Submillimeterwellen s. C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973); K i l p (1977)). In einer f r Flssigkeiten hherer Verluste geeigneten A n o r d n u n g (Fig. 4.238) befindet sich das Dielektrikum in einem senkrecht angeordneten Wellenleiter (Koaxial- oder Hohlleiter mit transparentem Fenster und Wellenleitbergang), in welchem sich von oben in Richtung der Wellenleiterachse eine Mesonde (Anordnungen bei K a a t z e

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

757

(1980)) verschieben lt. F r eine Ausgangsstellung der Sonde wird mit Hilfe von Dmpfungsglied (s. 4.3.3.1) u n d Phasendrehglied (s. 4.3.3.10) im Vergleichszweig die Referenzwelle am Ort des Detektors nach Betrag und Phase so eingestellt, da sie mit der aus dem Mezweig k o m m e n d e n Welle zu Null interferiert. Vergrert man nun den Abstand der Sonde vom Fenster um eine Wellenlnge Ah = 2 nj^, sowie die D m p f u n g des phasenreinen kalibrierten Dmpfungsgliedes im Vergleichszweig um h'Ah, so tritt wieder Nullinterferenz auf.

Fig. 4.238 Zweistrahlinterferometer fr Flssigkeiten mittlerer und hoher Verluste (nach K a a t z e (1980)) 1 Mezweig 2 Vergleichszweig 3 Nulldetektor 4 flexibler Hohlleiter 5 koaxiale Mesonde 6 Meflssigkeit 7 Rundhohlleiter-Megef 8 Fenster 9 Hohlleiterbergang 10 Mesender 11 Hilfsdmpfungsglied 12 kalibriertes Dmpfungsglied 13 Hilfs-Phasendrehglied

U m kleine dielektrische Verluste zu messen, mu zur Vermeidung v o n Strreflexionen der probegefllte an den leeren Wellenleiter gut angepat sein. Bei einer Anordnung ohne Mesonde ( L y n c h u. A y e r s (1972); S t u m p e r u. F r e n t r u p (1976)) befindet sich im Mezweig des Interferometers ein gegen die Vertikale geneigter, am unteren Ende durch einen transparenten, reflexionsarmen Doppelkeil abgedichteter Normhohlleiter, welcher durch eine Dosiereinrichtung mit der Meflssigkeit gefllt werden kann. Zum Phasenabgleich wird die Lnge der Flssigkeitssule geeignet gewhlt. Der Dmpfungskoeffizient kann auch direkt aus der Leistung der durch die Probe hindurchgetretenen fortschreitenden Welle, die als Funktion der Sulenlnge aufgetragen wird, bestimmt werden ( K i l p (1977); K r a m e r (1959)). Eine Immersionsmethode zur Bestimmung dielektrischer Verluste in Festkrpern wurde von L y n c h u. A y e r s (1972) angegeben.

Memethoden mit Leitungsresonatoren Hauptschlich werden Resonatoren verwendet, die aus einem beiderseits mit einem Kurschlu abgeschlossenen Wellenleiter (einschlielich Freifeld) bestehen (s. 4.3.3.8) und mit Hilfe von Koppelelementen (Koppellchern, Antennen) einerseits an einen Hochfrequenzgenerator und andererseits an einen Detektor angeschlossen werden (Fig. 4.239). Sie werden auf Resonanz abgestimmt entweder, bei konstantgehaltenen Resonatorabmessungen, unter Variation der Frequenz (Leistungskonstanz des Generators erforderlich!) oder, bei konstanter Frequenz, unter Variation der Abmessungen (meist der Lnge mit Hilfe eines verschiebbaren Kurzschlusses).

758

4.3 Hochfrequenz

Zur Bestimmung der Stoffkonstanten verlustarmer Materialien wird der Resonator ganz (bei Gasen) oder teilweise mit dem zu untersuchenden Material gefllt, und die nderung der Resonanzeigenschaften - Resonanzfrequenz u n d Resonatorgtefaktor (Bestimmung s. 4.3.3.8) - beobachtet; bei Materialien (auch magnetischen) mit hheren Verlusten werden eine oder alle Probendimensionen klein gegen die Resonatorabmessungen gewhlt (Probenform: Scheibe, Stab, Kugel), um den p r o Schwingungsperiode auftretenden Energieverlust nicht zu hoch werden zu lassen (Beispiel fr Messungen an Ferriten in Topfkreisen (s. 4.3.3.8) mit Probe im Kondensator s. K a a t z e u. P l a s c h k e (1980); B a u h o f e r (1981)).
Fig.4.239 Hohlleiterresonator mit Koppellchern in Transmissionsschaltung 1 Mesender 2 Kurzschluplatten mit Koppellchern 3 Hohlleiter-Resonator 4 Detektor 5 Anzeigegert

j. 1 r . 2

Zur Bestimmung der D Z von Festkrpern und Flssigkeiten wird im Frequenzbereich von einigen G H z bis etwa 150 G H z vorzugsweise der mit der Hoi-Wellenform kleiner Leitungsdmpfung (s. 4.3.3.4) betriebene zylinderfrmige Rundhohlleiterresonator herangezogen, mit dem m a n bei vergrertem Radius (berdimensionierung") - bei kleinen Koppelverlusten - sehr hohe Gtewerte (10^ ohne Probe) erzielen kann. Zur Vermeidung von Energiekonversion in andere Wellenformen wird entweder - bei Stoffen hherer Verluste - eine Probe in F o r m eines Stabes oder einer sehr dnnen, mit der Meflssigkeit gefllten Glasrhre ( K a a t z e (1973)) mit kreisfrmigem Querschnitt in der Resonatorachse angeordnet, oder es wird eine einen Teil des Resonators ganz ausfllende scheibenfrmige Probe mit zueinander parallelen u n d rechtwinklig zur Resonatorachse angeordneten Endflchen verwendet ( C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973)). D a das elektrische Feld der Hoi-Wellenform an der Hohlleiterwand verschwindet, braucht letztere nicht optimal in den Hohlleiter eingepat zu werden. In einer (kontaktlosen) Kurzschluplatte befindet sich eine die Hoi-Welle optimal anregende und auskoppelnde A n o r d n u n g von Lochblenden zur A n k o p p l u n g des Resonators an Generator und Empfnger. Zur Vermeidung von Strungen durch mitangeregte andere Wellenformen mit Lngsstromkomponenten (zum Beispiel En-Welle mit gleicher Wellenlnge) werden entweder diskrete Wendelhohlleiterfilter in den Hohlleiter eingesetzt oder dieser ganz als Wendelhohlleiter ausgebildet ( C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973)). Real- u n d Imaginrteil der D Z knnen bei verlustarmen Proben gesondert bestimmt werden. Aus der Stetigkeitsbedingung (bereinstimmung der Scheinwiderstnde des leeren und des gefllten Resonatorteils (Fig. 4.240) an der Probenflche folgt die Resonanzbedingung f r den als verlustfrei angenommenen Resonator (tan + (tan = 0, (4.490)

aus welcher bei bekanntem Phasenkoeffizienten j^o, der Lnge / des leeren Resonatorteils sowie der Probendicke d (Fig. 4.240) mit Hilfe einer Iterationsmethode der Phasenkoeffizient ^ des probegefllten Hohlleiters gewonnen und mit Hilfe von Gl. (4.485) (ah = 0, der Realteil ej der D Z berechnet werden kann.

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

759

Fr Flssigkeiten wird der Probenraum im Resonator durch eine dnne dielektrische Folie oder ein Quarzfenster abgeteilt, e.', kann dann direkt durch Messung der Wellenlngen = und /iho = 27i//Si,o im gefllten beziehungsweise im leeren Probenraum mit Hilfe eines verschiebbaren Kurzschlusses bestimmt werden ( S t u m p e r (1981)).

Fig. 4.240 Schema eines Hohlleiterresonators der Lnge l i d mit Probe der Lnge d und der DZ

ii il
W / '

D e r V e r l u s t f a k t o r t a n 4 berechnet sich wieder (s. Gl. (4.483)) als D i f f e r e n z zweier reziproker G t e w e r t e , mit einem aus den geometrischen A b m e s s u n g e n des R e s o n a t o r s u n d den Hohlleiterwellenlngen b e r e c h e n b a r e n F l l f a k t o r " F: tan4 = ^-(l/p-1/v). (4.491)

D a b e i ist g p der gemessene G t e w e r t des mit der P r o b e belasteten, 2v die G t e des mit einer (hypothetischen) verlustlosen gleichgroen P r o b e mit gleichem ej gefllten R e s o n a t o r s . Letztere wird aus d e m gemessenen G t e f a k t o r g , des leeren R e s o n a t o r s sowie aus den R e s o n a t o r d i m e n s i o n e n u n d Wellenlngen ermittelt ( C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973); a n d e r e Berechnung s. S t u m p e r (1981)). Z u r B e s t i m m u n g der D Z von G a s e n werden die R e s o n a n z f r e q u e n z e n VL, V des G evakuierten u n d des vollstndig mit d e m G a s gefllten R e s o n a t o r s gemessen. F r den Realteil gilt d a n n e[ = { v i ^ / v q Y , f r den V e r l u s t f a k t o r Gl. (4.491) mit F = \ { Q ^ ist die G t e bei F l l u n g mit einem G a s mit gleichem u n d vernachlssigbarem V e r l u s t f a k t o r ) (s. B i r n b a u m u. a. (1951); Messungen a n k o m p r i m i e r t e n G a s e n s. B u s s e y u. B i r n b a u m (1959); bis 140 G H z s. D a g g u. a. (1978)).
Zur Bestimmung des Gtefaktors auf der Halbwertsbreite (s. 4.3.3.8) wird ein in den Mekreis eingefgtes, kalibriertes Dmpfungsglied benutzt; bei groen Gtewerten m u die Frequenz des Generators bei gleichzeitiger hoher zeitlicher Konstanz sehr fein verstimmbar sein. Die Verwendimg prziser Frequenzzhler lt sich durch den Einsatz v o n frequenzwobbelbaren Generatoren und durch die Erzeugung von Frequenzmarken umgehen ( K l a g e s (1956); G s e w e l l (1967)). Fr Frequenzen oberhalb von etwa 30 G H z werden hufig offene" Resonatoren mit Raumwellen nach dem Prinzip des Fabry-Perot-Interferometers verwendet ( C u l s h a w u. A n d e r s o n (1962); G s e w e l l (1967)). Bei einer mit dem TEMoo-Wellenform (Gaussian-beam-mode") betriebenen Resonatorform ist einer der Reflektoren als ebene Platte, der andere als sphrischer Konkavspiegel ausgebildet. D a Hohlleiterseitenwnde fehlen, sind hohe Leergtewerte ( 2 - 1 0 ' ) erreichbar ( C l a r k e u. R o s e n b e r g (1982)).

Die M e s s u n g dielektrischer Verluste im Millimeterwellen- u n d F e r n i n f r a r o t g e b i e t k a n n auch in einem M u l t i m o d e n r e s o n a t o r h o h e r G t e ( u n t u n e d cavity") d u r c h g e f h r t werden ( L a m b (1946); L l e w e l l y n - J o n e s u . a . (1980); I z a t t u. K r e m e r (1981); K r e m e r u. I z a t t (1981); B i r c h u . a . (1983); K r e m e r u . a . (1984); V i j u. H u f n a g e l (1985)). D a b e i wird mittels rotierender Phasenschieber ( m o d e stirrer") in einem bermodigen R e s o n a t o r (Leergte-Wert: 10') im zeitlichen Mittel ein rtlich h o m o g e n e s u n d isotropes Strahlungsfeld hergestellt. Einbringen einer a b s o r b i e r e n d e n P r o b e in den R e s o n a t o r vermindert die G t e u n d d a r a u s k a n n der dielektrische Verlust des P r o b e n m a t e r i a l s b e s t i m m t werden. D e r groe Vorteil dieser M e t h o d e besteht in der spektralen Breitbandigkeit (30 G H z bis 1000 G H z ) des M u l t i m o d e n r e s o n a t o r s u n d der

760

4.3 Hochfrequenz

Mglichkeit, vergleichsweise einfach temperaturabhngige Messungen ( 4 K bis 400 K) durchfhren zu knnen. Weiterhin ist das Prinzip des Multimodenresonators besonders geeignet, um streuende und inhomogene Proben dielektrisch zu untersuchen. Ein Nachteil resultiert aus dem Verlust der Phaseninformation durch die rotierenden Phasenschieber. F r strker absorbierende Proben kann jedoch durch Ausnutzung von Schichtdickeninterferenzen in der Probe trotzdem die D Z bestimmt werden ( I z a t t u. K r e m e r (1981); K r e m e r u . a . (1984)). F r vernachlssigbar streuende homogene Proben kann auch ein polarisierendes Zweistrahlinterferometer benutzt werden, das in quasioptischen A u f b a u ebenfalls eine hohe spektrale Breitbandigkeit hat ( K o z l o v u. a. (1984); G e n z e l u . a . (1985)). Zur Bestimmung der D Z sowie der PZ magnetischer Dielektrika im GHz-Bereich wird eine in F o r m einer im Vergleich zur Wellenlnge dnnen Platte oder kleinen Kugel vorliegende Meprobe in einen Hohlleiterresonator so eingebracht, da sie sich einmal im Bereich maximaler elektrischer und einmal im Bereich maximaler magnetischer Feldstrke befindet. D a n n kann man aus den jeweils gemessenen Verschiebungen A v der Resonanzfrequenz V bei konstanten Resonatorabmessungen sowie aus den jeweils L gemessenen nderungen des Leergtewertes Qi auf Werte Qp beide komplexen Stoffkonstanten mit Hilfe der Strungsrechnung gewinnen. Die Strungsrechnung wird ebenfalls bei der Bestimmung tensorieller magnetischer Stoffkenndaten sowie bei der Bestimmung der D Z von dnnen Folien mit Hilfe von Resonatoren angewendet ( C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973); H e l b e r g u. W a r t e n b e r g (1966); W a l d r o n (1970)). Fouriertransformations-Spektrometrie (FTS) wird im Submillimeterwellengebiet angewendet, besonders im bergangsgebiet zum Bereich der Millimeterwellen, in welchem kohrente Strahlungsquellen entweder zu teuer oder noch nicht in gengend kleinen Frequenzabstnden vorhanden sind. Die Meprobe befindet sich dabei entweder vor dem rauscharmen heliumgekhlten Strahlungsdetektor (nichtdispersive FTS) oder vor dem festen Spiegel (dispersive FTS) eines mit einer breitbandigen inkohrenten Strahlungsquelle (Hg-Lampe) betriebenen optischen Michelson-Interferometers. Das Detektorsignal wird als Funktion der Position des verschiebbaren Spiegels des Interferometers gemessen. Aus den so fr verschiedene Schichtdicken gewonnenen Interferogrammen wird durch eine mit Hilfe eines Kleinrechners vorgenommene Fouriertransformation der dazugehrige, im allgemeinen komplexwertige spektrale Verlauf der Strahldichte gewonnen. Daraus lt sich im ersten Falle der Absorptionskoeffizient, im zweiten Falle die komplexe Brechzahl berechnen, deren Quadrat die komplexe D Z darstellt ( C h a m b e r l a i n u. C h a n t r y (1973); C h a m b e r l a i n u. a. (1969)). 4,3.4.4 Elektrische und magnetische Feldstrke, Energiestromdichte (K. Mnter)

Elektromagnetische Hochfrequenzfelder Eine wichtige Klasse von Lsungen der Maxwell-Gleichungen beschreibt zeitlich und rumlich schnell vernderliche elektromagnetische Felder, die sich als Wellen ohne F h r u n g durch eine Leitung mit Lichtgeschwindigkeit frei im R a u m ausbreiten und dabei Energie transportieren. Die folgenden Betrachtungen betreffen den materie- und ladungstrgerfreien Raum; sie gelten in sehr guter Nherung auch fr Luft und beziehen sich insbesondere auf Felder mit Frequenzen im Bereich 1 0 k H z < / < 3 0 0 0 G H z ( E d e r (1967); K r a u s u. C a r v e r (1973); L a u t z (1969); U n g e r ( 1 9 8 1 ) ) .

4.3.4 Meverfahren f r H o c h f r e q u e n z g r e n

761

F e r n f e l d . In groem Abstand von einem Strahler (Abstand gro gegen die Wellenlnge) oszillieren elektrisches und magnetisches Feld in Phase, und die Feldvektoren sowie die Ausbreitungsrichtung stehen aufeinander senkrecht (Transversal-Elektromagnetische-(TEM-)Welle). Bei der linear polarisierten TEM-Welle wird als Polarisationsrichtung die Richtung des elektrischen Feldvektors angegeben. Die Definition des Umlaufsinns bei elliptischer oder zirkularer Polarisation ist nicht einheitlich. Verfahren zur Messung des Polarisationsgrades findet man in S t i r n e r (1985). Der Quotient der Feldamplituden wird als Feldwellenwiderstand bezeichnet und ist ortsunabhngig:

Im Vakuum (und nherungsweise in Luft) gilt Zo - 120 7t


n

- 377 Q

Die Messung einer Feldgre ermglicht daher die Berechnung der anderen sowie der zeitgemittelten Energiestromdichte S (Poynting-Vektor): E-H E^ Z f H ^

N a h f e l d . Sind die Fernfeld-Bedingungen nicht erfllt, so sind die Verhltnisse erheblich komplizierter ( A d a m s u. M e n d e l o v i c z (1973); B o o k e r (1982)). Es treten Feldkomponenten in Ausbreitungsrichtung sowie Phasendifferenzen zwischen elektrischem und magnetischem Feld auf. Diese Situation erschwert Feldmessungen in der Nhe von Strahlern und groen Streukrpern. Im Nahfeld mssen elektrisches u n d magnetisches Feld mit kleinen Sonden unabhngig voneinander gemessen werden. Die Darstellung der zeitgemittelten Energiestrmungslinien ermglicht auch fr komplizierte elektromagnetische Felder eine anschauliche Vorstellung des Energietransports. Erzeugung von Hochfrequenzfeldern HF-Sendeleistung lt sich mit elektronischen Oszillatoren und Verstrkern erzeugen (s. 4.3.2.1) und als Leitungswelle ber Koaxialbzw. Hohlleiter einer Antenne zufhren, die die Leistung in den freien R a u m abstrahlt. Zu diesem Zweck bietet die Industrie eine groe Auswahl von Gerten u n d K o m p o n e n ten an. Wird nur ein kleines Volumen fr Versuche bentigt, lassen sich gut definierte HF-Felder auch im Inneren spezieller Leistungsstrukturen darstellen. Diese sog. T E M Zellen sind aufgeweitete Koaxialleitungen mit rechteckigem Querschnitt ( C r a w f o r d (1974) u. (1979); K a n d a u. O r r (1988)), in denen sich bei Durchlauf von HF-Leistung eine TEM-Welle ausbreitet, wie sie im Fernfeld einer Strahlungsquelle vorliegt. Fig. 4.241 zeigt die Einfhrung einer TEM-Zelle in einen typischen Versuchsaufbau. Um das Auftreten von Hohlleiter-Wellentypen zu verhindern, mu die grte Querabmessung einer TEM-Zelle kleiner als die halbe Wellenlnge bleiben, was einen K o m p r o m i zwischen dem verfgbaren Volumen in der Zelle und der oberen Grenzfrequenz erfordert und den Einsatzbereich von TEM-Zellen auf einige 100 M H z begrenzt. Um diese Einschrnkung zu berwinden, wurden sich allmhlich aufweitende Koaxialleitungen mit kombiniertem Widerstands- und Absorber-Abschlu (sog. GTEM"-Zellen) entwickelt, in denen sich Felder bis zu einigen G H z darstellen lassen ( K n i g s t e i n u. H a n s e n (1987); M n t e r u . a . (1992)). T E M - und GTEM-Zellen sind kommerziell erhltlich.

762

4.3 Hochfrequenz

X
Fig. 4.241 Feld-Darstellung mit TEM-Zelle 1 Signalgenerator 2 Verstrker 3 TEM-Zelle 4 Dmpfungsglied 5 Leistungsmesser

Zur Beachtung Hochfrequenzfelder breiten sich ber groe Entfernungen aus. Zur Sicherung eines strungsfreien Funkverkehrs bestehen daher nationale Vorschriften und internationale Vertrge, f r deren Einhaltung meist die Postverwaltungen verantwortlich sind. In Deutschland ist der B e s i t z v o n S e n d e a n l a g e n g e n e r e l l g e n e h m i g u n g s p f l i c h t i g . Ausnahmen gelten lediglich f r Mesender sehr kleiner Leistung, die nicht mit Antennen verbunden werden drfen. Einige Frequenzen sind f r industrielle, wissenschaftliche u n d medizinische Zwecke freigegeben (ISM-Frequenzen). Sofern keine Sondergenehmigung vorliegt, mu die Abstrahlung von H F Leistung verhindert werden, z. B. durch Betrieb der Versuchsapparatur innerhalb einer Abschirmkabine. Wird mit Verstrkerleistungen von mehr als einigen Watt gearbeitet, m u die S i c h e r h e i t v o n P e r s o n e n g e g e n F e l d e i n w i r k u n g gewhrleistet sein. Me- und Berechnungsverfahren beschreibt Teil 1 der N o r m D I N / V D E 0848: Sicherheit in elektromagnetischen Feldern, Grenzwerte sind aus Teil 2 dieser N o r m ersichtlich. Eine ausfhrliche Beschreibung der biologischen Wirkungen von Hochfrequenzfeldern findet man z. B. bei G a n d h i (1990). Messung von Hochfrequenz-Feldgren Die Feldgren in einem elektromagnetischen Freiraum-Strahlungsfeld sind nicht direkt mebar. Zur Feldstrkemessung ist daher im allgemeinen eine Antenne erforderlich, die als Wellentypwandler einen Teil der Feldenergie a u f n i m m t und diese als leitungsgefhrte Welle einem HF-Spannungs- oder Leistungsmesser zufhrt. Kennt m a n das Wandlungsma des Wellentypwandlers (Antennenfaktor"), lt sich aus einer Spannungs- oder Leistungsmessung (s. 4.3.4.1) die Freiraum-Feldstrke berechnen. Hieraus ist ersichtlich, da eine Feldstrkemessung grundstzlich mit einem Energieentzug u n d daher mit einer Verzerrung des ohne die Antenne vorhandenen Feldes verbunden ist. Je nach Aufgabenstellung (z. B. Nachrichtentechnik, Personenschutz, Versuche zur elektromagnetischen Vertrglichkeit) whlt man sehr unterschiedliche Gertekombinationen zur Messung im Frequenz- oder Zeitbereich. Die Nachrichtentechnik erfordert z. B. die frequenzselektive und empfindliche Messung von Feldstrken mit einem groen Dynamikbereich, wofr blicherweise Meantennen in Verbindung mit M e e m p f n gern oder Spektrumanalysatoren eingesetzt werden. Im Personenschutz und bei EMVVersuchen sind hufig relativ starke Felder zu untersuchen, wofr man z. B. kleine, tragbare Spezialgerte (Strahlungsmonitoren") einsetzt, die breitbandig messen und keine rumliche Ausrichtung zu den Feldvektoren erfordern. F r die Erfassung einzelner Feldimpulse mit Anstiegszeiten im (Sub-)Nanosekundenbereich stehen heute

4 . 3 . 4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

763

spezielle breitbandige Feldsensoren und digitale Speicheroszilloskope bzw. Transientenrecorder (s. 4.2.2.6) mit Abtastfrequenzen im GHz-Bereich zur Verfgung. Antennnen bliche passive Antennen sind Wellentyp-Wandler, die eine FreiraumWelle in eine Leitung fhren und umgekehrt. Bei Empfangsbetrieb liefert die Antenne eine der Feldstrke proportionale Spannung, die mit Verfahren nach 4.3.4.1 gemessen werden kann. F r verschiedene Verwendungszwecke wurde eine sehr groe Vielfalt von A n t e n n e n f o r m e n entwickelt, von denen hier lediglich die einfachsten F o r m e n genannt werden knnen, die sich f r Feldstrkemessungen eignen. Allgemeine G r u n d lagen, eine Beschreibung der Wirkungsweise der wichtigsten A n t e n n e n f o r m e n sowie Berechnungsverfahren findet m a n z . B . bei ( K r a u s (1989); S t i r n e r (1984), (1985) u. (1986)). Eine Antenne stellt zwischen ihren Anschluklemmen einen Verbraucher bzw. Generator mit frequenzabhngiger, komplexer Impedanz dar. Diese Impedanz ist bei Sendeu n d Empfangsbetrieb gleich (das Nahfeld um die Antenne jedoch nicht). Die bei Sendebetrieb an die Antenne gelieferte Wirkleistung wird teils abgestrahlt, teils durch ohmsche Verluste in W r m e umgesetzt. Dementsprechend setzt sich der Realteil der Antennenimpedanz aus Strahlungs- und Verlustwiderstand zusammen. F r reflexionsfreien Energiebergang mu der an die Antenne angeschlossene Sender bzw. Empfnger eine zur Antennenimpedanz konjugiert komplexe Impedanz aufweisen. Beim bergang z. B. von einer erdunsymmetrischen Anschluleitung auf ein erdsymmetrisches Antennengebilde ist zustzlich noch ein Symmetrierglied (Balun") zu verwenden. Schaltungen f r eine derartige reflexionsfreie Antennenanpassung findet m a n z . B . in ( M e i n k e u. Gundlach(1986)). Wichtige Antennen-Kenngren: - Richtdiagramm: Das wichtigste D i a g r a m m zeigt die Antennenspannung (oder -leistung) als F u n k t i o n des horizontalen oder vertikalen Einfallswinkels f r ein ebenes Wellenfeld mit definierter Feldstrke und Polarisation (Maximum des Richtdiagramms = Hauptempfangsrichtung). - Antennengewinn (gain") einer Meantenne: G = ^ (4.494)

dabei sind P u Empfangsleistung der Meantenne, P^ Empfangsleistung der Bezugsantenne, beide Antennen mit Leistungsanpassung in demselben ebenen Wellenfeld, bezglich Hauptempfangsrichtung und Polarisation optimal orientiert. Z u s a m m e n mit dem Antennengewinn m u die verwendete Bezugsantenne (z.B. Isotroper Strahler, Dipol) genannt werden. Hufig eingesetzte Antennenformen: - Rahmenantenne: Bis ca. 30 M H z , mit magnetische Feldstrke, - Halbwellen-Dipol: Relativ schmalbandig, falls nicht konstruktive Kunstgriffe angewandt werden, obere Grenzfrequenz einige 100 M H z , hufig verwendete Bezugsantenne f r Vergleichsmessungen, - Logarithmisch-periodische Antenne: Einsatzbereich ca. 50 M H z bis ber 1000 M H z , Bandbreite bis ca. 1 Dekade, gegenber Dipol strkere Richtwirkung und 6 dB bis 10 dB Gewinn,

764

4.3 Hochfrequenz

- H e l i x a n t e n n e : F r Z i r k u l a r p o l a r i s a t i o n , a u c h hier logarithmisch-periodische Breitb a n d - K o n s t r u k t i o n e n mglich, - H o r n s t r a h l e r : F r Mikrowellenbereich (ab ca. 1000 M H z ) , g e n a u b e s t i m m b a r e r G e w i n n f a k t o r ( s t a n d a r d gain h o r n " ) , d a h e r als Bezugsantenne einsetzbar. Zahlreiche S o n d e r f o r m e n , z. B. aktive B r e i t b a n d - A n t e n n e n (mit e i n g e b a u t e m elektronischem Verstrker) stehen als Z u b e h r zu M e e m p f n g e r n zur V e r f g u n g . Beim Einsatz von M e a n t e n n e n ist zu beachten: - V e r w e n d u n g n u r im spezifizierten F r e q u e n z b e r e i c h mit p a s s e n d e r (einwandfreie elektrische V e r b i n d u n g e n sind wichtig), Lastimpedanz

- A u s r i c h t u n g der A n t e n n e in H a u p t e m p f a n g s r i c h t u n g u n d e n t s p r e c h e n d der Polarisation, hinreichenden A b s t a n d zu S t r e u k r p e r n (Personen, W n d e , B o d e n , Mast etc.) halten, - bevorzugt Befestigungsteile aus Isolierstoff verwenden, - die A n s c h l u l e i t u n g mglichst senkrecht z u m elektrischen F e l d v e k t o r u n d nicht im Bereich der H a u p t e m p f a n g s r i c h t u n g f h r e n , - gut geschirmte A n s c h l u l e i t u n g (z. B. mit zweilagigem Schirmgeflecht) u n d Steckverbinder verwenden, u m F e h l m e s s u n g e n d u r c h direkte F e l d e i n k o p p l u n g zu vermeiden. U n t e r gnstigen Bedingungen lt sich der Beitrag einer guten M e a n t e n n e zur gesamten Meunsicherheit u n t e r ca. 10% (1 dB) halten. Breitband-Sensoren Die im f o l g e n d e n beschriebenen zwei S e n s o r f o r m e n sind n u r f r E m p f a n g s b e t r i e b einsetzbar u n d stellen metechnisch wichtige Sonderflle d a r . Die Sensoren sind klein, mit der geeigneten A b s c h l u i m p e d a n z b r e i t b a n d i g u n d f r Messungen im F r e q u e n z - o d e r Zeitbereich geeignet. K u r z e r e l e k t r i s c h e r D i p o l s e n s o r (Fig.4.242), geeignet als breitbandige, kleine M e s o n d e f r das elektrische Feld, a n w e n d b a r im F r e q u e n z b e r e i c h von einigen k H z bis zu einigen 100 M H z , Bedingungen: Dipollnge / < Wellenlnge A , D < 1 . Fig. 4.243 zeigt d a s Ersatzschaltbild. Die v o m elektrischen Feld h e r v o r g e r u f e n e S p a n n u n g U-, ist gegeben durch Erl (4.495) t/i = (; = Betrag der K o m p o n e n t e von E in R i c h t u n g der D i p o l a c h s e ) D e r S t r a h l u n g s w i d e r s t a n d R^ berechnet sich g e m
i?, = 80 n^

i l W

(4.496)

U j
-X
_r
Fig. 4.242 Kurzer elektrischer Dipol Fig. 4.243 Ersatzschaltung des kurzen elektrischen Dipols Ci I bis lOpF, je nach Lnge Rs Strahlungswiderstand ZM Meverstrker-Eingangsimpedanz

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

765

D a Cj ( G r e n o r d n u n g p F ) und R^. klein sind, ist die Generatorimpedanz (Zj) sehr hoch und nahezu rein kapazitiv. Mit ZL als Eingangsimpedanz der nachgeschalteten Elektronik sind zwei grundstzliche Betriebsarten des Dipolsensors zu unterscheiden: - Bei einer Elektronik mit kleiner Eingangsimpedanz (Zj > ZL) ist die Mespannung Ui_ (an ZL) proportional der zeitlichen Ableitung der elektrischen Feldstrke (QE/dt), d. h. proportional zur Frequenz (E-Dot-Sensor"). Beim Betrieb als Breitbandsensor z. B. ber drei Frequenzdekaden ndert sich das Wandlungsma des Sensors daher um 60 dB, was ein Pegelmegert mit sehr groer Medynamik erfordert. Dies ist besonders bei Messungen im Zeitbereich mit Digitalspeicher-Oszilloskopen und numerischer Integration zu beachten. Als Alternative lt sich zwischen Sensor und Pegelmegert ein Verstrker mit Integrator-Verhalten einsetzen, um den Frequenzgang des Sensors zu kompensieren. - Wird unmittelbar am Dipol ein Verstrker mit groem Eingangswiderstand und kleiner Eingangskapazitt (z. B. mit G a A s - M E S F E T ) angeschlossen, ist dessen Ausgangssignal (ohne Integration) direkt proportional zur elektrischen Feldstrke. Zweckmig setzt man am Verstrkereingang ein Hochpafilter ein, damit Strfelder aus dem 50-Hz-Wechselstromnetz den Verstrker nicht bersteuern knnen. Die obere Grenzfrequenz ist f r einen kurzen Dipol (/-^ A) durch den nachgeschalteten Verstrker bestimmt (einige 100 MHz).

Fig. 4.244 Kurzer elektrischer Dipol mit Gleichrichter (Diodensonde) D HF-Gleichrichter, z. B. Schottky-Diode R. C Tiefpafilter als HF-Sperre

Eine weitere Mglichkeit ist der Anschlu eines Diodengleichrichters anstelle eines Verstrkers (Fig. 4.244). Der Z u s a m m e n h a n g zwischen Gleichspannung UQ und elektrischer Feldstrke ist hierbei nicht linear sowie frequenz- und temperaturabhngig, so da diese Diodensonde" in einem bekannten elektrischen Feld kalibriert werden mu. Solche Diodensonden lassen sich extrem klein a u f b a u e n u n d bis zu sehr hohen Frequenzen (einige G H z ) einsetzen ( H o p f e r u. A d l e r (1980); K a n d a (1977)). Bei A n n h e r u n g eines kurzen elektrischen Dipols an feldverzerrende Krper ndert sich die Umgebungskapazitt Q (Handeffekt"), was zu Mefehlern fhren kann und daher zu vermeiden ist. Weiterhin sollte die Zuleitung zum Dipol mglichst rechtwinklig zur Richtung des elektrischen Feldvektors verlaufen, damit Feldstrungen durch die Leitung gering bleiben. Um diese Fehlerquelle auszuschalten, sind Feldsonden mit Lichtleitfaser-Mewertbertragung beschrieben worden ( D r i v e r u. K a n d a (1988)). K l e i n e R a h m e n a n t e n n e (Fig.4.245 und 4.246). Sie kann als Mesonde f r das magnetische Feld verwendet werden, wobei die Bedingung I n r N - ^ A einzuhalten ist. In einem homogenen magnetischen Feld (harmonische Schwingung) mit der Frequenz / liefert sie die induzierte Spannung
U-, = 2 K - f - A - N - B (4.497)

(A'^ Windungszahl, B Feldkomponente senkrecht zur umfaten Flche Bei Abschlu der kleinen Rahmenantenne mit einem hochohmigen Megert {R^ gro) ist die gemessene Spannung proportional zur Frequenz. Die Mefrequenz mu

766

4.3 Hochfrequenz

ffs

7,
_J
Fig. 4.245 Kleine Rahmenantenne Fig. 4.246 Ersatzschaltung fr die kleine Rahmenantenne Lj innere Induktivitt R^/ ohmscher (Verlust-)Widerstand Rs Strahlungswiderstand Cj Wicklungskapazitt RM Meverstrker-Eingangswiderstand

gengend weit unterhalb der durch L, u n d Q gegebenen Serienresonanz bleiben, bei in der Praxis einsetzbaren Antennengren unterhalb ca. 100 M H z . Eine grere Bandbreite (2 bis 3 D e k a d e n ) erreicht m a n durch Messung des Kurzschlustroms der Rahmenantenne, z. B. mit einem HF-Stromwandler. Ein niederohmiger Abschlu (i?M sehr klein) der Antenne lt sich auch mit speziellen Verstrkerschaltungen realisieren. In dieser Betriebsart ist die Wirkung von C, weitgehend aufgehoben, u n d die gemessene Stromstrke bleibt ber einen weiten Bereich frequenzunabhngig, da U-, und die Impedanz von L\ sich beide proportional zur Frequenz ndern. Fr diese Betriebsart m u gelten: + + (4.498)

Durch Zusammenschaltung von drei gleichartigen orthogonalen Dipolen oder Rahmenantennen mit Diodendetektoren lassen sich breitbandige, isotrope Feldsensoren a u f b a u en, deren Mesignal im Idealfall unabhngig von Einfallsrichtung u n d Polarisation der Welle ist ( L a r s e n u. R i e s (1981)). Diese Sensoren werden bevorzugt fr sog. Strahlungsmonitoren" eingesetzt. Derartige Gerte sind kommerziell erhltlich und dienen z. B. dem Personenschutz in starken HF-Feldern. Elektromagnetische Vertrglichkeit (EMV) In der N a t u r fhren elektrodynamische Vorgnge im Kosmos, z. B. in Radiosternen" u n d Pulsaren, zur Abstrahlung groer HF-Leistung, die wegen der sehr groen Entfernung auf der Erde jedoch nur geringe Feldstrken ergeben. Dies gilt auch f r die von der Sonne emittierte thermische Radiostrahlung. Als terrestrische Quellen fhren lediglich Blitzentladungen in Gewitternhe kurzzeitig zu nennenswerten Feldstrken. Diese i. a. ruhige natrliche elektromagnetische Umwelt" ist die Voraussetzung f r menschliche technische Aktivitten wie Nachrichtenbertragung u n d Radar, da sie im HF-Bereich den E m p f a n g auch sehr schwacher Signale ermglicht. Als Strquellen sind daher bei der Planung u n d Zusammenstellung von empfindlichen Versuchseinrichtungen insbesondere technische HF-Sender u n d Hochspannungsanlagen zu beachten, in deren Nhe z. B. Sensoren, Me- und Regeleinrichtungen oder elektronische Rechner (Strsenken") durch elektromagnetische Felder gestrt werden knnen. In solchen Fllen mu man Strquelle(n) und Strsenke(n) entkoppeln, z. B. durch gengenden Abstand, Abschirmungen, Einbau von Filtern in Stromversorgungsund Signalleitungen. Die komplexe Problematik der E M V k a n n hier nur angedeutet

4.3.4 Meverfahren f r H o c h f r e q u e n z g r e n

767

werden, fr eine ausfhrliche Darstellung der Grundlagen und Abhilfemanahmen bei Strungen sei z. B. auf ( G o n s c h o r e k u. S i n g e r (1992)) verwiesen. A b s c h i r m - u n d A b s o r b e r k a b i n e n . Um Abstrahlung von HF-Leistung in die Umwelt oder Strungen von auen zu vermeiden, mssen viele Versuche mit Hochfrequenzfeldern in Abschirmkabinen durchgefhrt werden. Mit Kabinen aus dicht verschraubten oder verschweiten Metallblechen sind Schirmdmpfungen ber 100 dB leicht erreichbar. Die Industrie bietet derartige Kabinen sowie das ntige Zubehr als Komplettsysteme an. Die meisten Abschirmkabinen werden im Inneren zustzlich mit Absorbermaterial ausgekleidet, um Hohlraumresonanzen und Reflexionen zu dmpfen und in der Kabine wie auf einem Freifeld arbeiten zu knnen. Als Absorber werden Pyramiden aus leitfhigem Schaumstoff oder Ferrit-Platten sowie Kombinationen dieser Materialien eingesetzt. Die Kosten fr eine derartige Absorberkabine sind sehr hoch. Bei geringeren Anforderungen an die Schirmdmpfung mag es gengen, wenn z. B. ein Mikrowellen-Versuchsraum unter die Erde verlegt wird oder wenn man einen Kfig aus Maschendraht installiert, dessen Vermaschungsstellen gut verltet sind. Ein solcher Drahtkfig setzt jedoch voraus, da die Maschen weite wesentlich kleiner als die krzeste auftretende Wellenlnge ist. 4.3.4.5 Frequenz (H. de Boer)

Frequenzmessung Bei einer Frequenzmessung bezieht man die Frequenz eines periodischen Vorgangs auf die Einheit der Frequenz (s. 9.1.4.2). Die zur Messung notwendige Vergleichsfrequenz ist nach Gesichtspunkten der anzustrebenden Meunsicherheit auszuwhlen. Dabei kann je nach Anforderung der Einsatz von Quarznormalen, von Normalen, die durch Normalfrequenzaussendungen nachgesteuert werden, oder der Einsatz von Atomfrequenznormalen notwendig sein. (ber Unsicherheiten von Zeitund Frequenznormalen s. 1.3.3.3 bis 1.3.3.7). Bei geringen Ansprchen an die Meunsicherheit kann es gengen, die zu messende Frequenz mit Hilfe von Resonanzoder Brckenverfahren oder mit Hilfe von Oszilloskopen zu bestimmen. Bei niedrigen Frequenzen kann die Zeit fr eine bestimmte Anzahl von Schwingungen mit Gebrauchsuhren (z. B. Stoppuhren) gemessen werden, oder man zeichnet die Schwingungen mit einem Registriergert auf, dessen Vorschub das Zeitma einbringt. Als allgemeine Regel bei der Auswahl der Meeinrichtung mu gelten, da ihre Gesamtunsicherheit whrend der Messung mindestens um eine G r e n o r d n u n g geringer ist, als die beim Prfling erwartete Unsicherheit. Gebrauchsnormale sind regelmig auf eine Abweichung ihrer Frequenz von ihrem Nennwert zu berprfen. Der Anschlu kann z. B. bei staatlich anerkannten Kalibrierlaboratorien der Industrie oder Forschung erfolgen - deren Gebrauchsnormale werden regelmig an die Normale des zustndigen Staatsinstituts angeschlossen - oder bei besonders hohen Anforderungen an die Genauigkeit direkt mit Hilfe des Staatsinstituts. Die Hufigkeit des Anschlusses ist abhngig von der Gte des Normals und von der Anforderung an das Normal bei der Messung. Bei dem Gebrauch von hherwertigen Normalen sollten Informationen ber ihre Frequenzinstabilitt vorhanden sein. In der Regel werden bei Frequenzmessungen Mittelwerte der momentanen Frequenz v{t) ber eine bestimmte Mezeit r bestimmt. V = N/t N Anzahl der Perioden whrend der Mezeit T. (4.499)

768

4.3 Hochfrequenz

Frequenzinstabilitt Die Ausgangsspannungen von F r e q u e n z g e n e r a t o r e n zeigen Frequenzschwankungen. Bei diesen als Frequenzinstabilitt bezeichneten Frequenznderungen innerhalb eines gegebenen Zeitintervalls unterscheidet m a n zwischen einer Frequenzdrift (hufig einseitig fortschreitende F r e q u e n z n d e r u n g ) und zuflligen Frequenzschwankungen. Eine Frequenzdrift kann meist gengend gut durch die Koeffizienten einer Ausgleichsgeraden beschrieben werden. Die zuflligen Frequenzschwankungen werden blicherweise entweder durch ihr Leistungsspektrum mit Bezug auf die Fourierfrequenz / oder durch Varianzen (oder Standardabweichungen) der Einzelmessungen, die von der jeweiligen Mezeitdauer T a b h n g e n , angegeben. Die Ausgansspannung eines Frequenzgenerators hat die F o r m ( 0 = cos (27iv(/) t) = cos (27tVo/ - ^(0) (4.500)

u{t) M o m e n t a n w e r t der elektrischen S p a n n u n g , Amplitude der elektrischen Spannung, v{t) M o m e n t a n w e r t der Frequenz, V Nennwert der Frequenz, (p{t) M o m e n t a n wert des Q Null-Phasenwinkels. Abhngig vom benutzten Meverfahren werden folgende Kenngren auf ihre Schwankungen hin untersucht: - Der M o m e n t a n w e r t des Null-Phasenwinkels (p{t), - Der M o m e n t a n w e r t der relativen Frequenzabweichung

Vo

2nvo

dt

- Der M o m e n t a n w e r t der Null-Phasenzeit x{t) = ^ ^ <p{t) (4.502)

Die Schwankungen der G r e n <p{t), y{t) und x{t) knnen beispielsweise durch ihre Leistungsspektren S y { f ) und S^{f) im jeweiligen Fourierfrequenzbereich angegeben werden. H u f i g werden zufllige Frequenzschwankungen durch eine Aufzeichnung des Verlaufs der Zwei-Proben-Standardabweichung beschrieben:
1/2

Sy(z,n) =

2 ( - 1) ''V f yit)dt
!

iyi.M^yMV

(4.503)

mit

yk{r) =
T

=-

1
INVNT

{(p{tk + T) -

(Pih))

=T

(X(4 + T) - X(h))

(4.504)

n Anzahl der Mewerte. Unter bestimmten Voraussetzungen u n d fr eine groe Anzahl n geht die Zwei-Proben-Standardabweichung s in die Zwei-Proben-Standardabweichung der Grundgesamtheit c ber. SyiT,n)^Syiz)^ay(T) (4.505)

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

769

Die verschiedenen S c h w a n k u n g s g r e n sind mit b e s t i m m t e n E i n s c h r n k u n g e n ineinander u m r e c h e n b a r .


B a r n e s (1971), CCIR (1978), F i s c h e r (1969), Chi (1977), K a r t a s c h o f f (1978), K r a m e r (1977), Mller (1979), R u t m a n (1977) u. (1978)

Bei der Frequenzinstabilitt von F r e q u e n z g e n e r a t o r e n unterscheidet m a n zwischen einer KurzzeitinstabiHtt, wenn F r e q u e n z n d e r u n g e n auf Zeiten u n t e r etwa 1000 s bezogen werden u n d eine Langzeitinstabilitt, wenn diese Zeiten g r e r als 1 T a g sind. Methoden zur Frequenzmessung R e s o n a n z m e t h o d e . Resonanzwellenmesser enthalten stabil a u f g e b a u t e , a b s t i m m b a r e u n d mit Kalibrierung versehene Schwingkreise o d e r Leitungskreise (s. 4.3.3.7). Mittels einer a n g e k o p p e l t e n D i o d e wird eine G l e i c h s p a n n u n g g e w o n n e n , die b e r ein M e i n s t r u m e n t zur Anzeige g e b r a c h t wird. J e n a c h A u s f h r u n g (evtl. T h e r m o s t a t i s i e r u n g ) ist die relative Meunsicherheit 10 ^ o d e r kleiner.

Fig. 4.247 Prinzip der Frequenzuntersetzung durch Mischen zweier el. Schwingungen

Tiefpafilter

1/DI/I

F r e q u e n z m e s s u n g d u r c h M i s c h e n . N a c h F i g . 4 . 2 4 7 werden die elektrischen S p a n n u n g e n Uiit) = i c o s { 2 n v 2 t + <P2{t)), deren F r e q u e n z V b e s t i m m t werden soll, u n d die 2 b e k a n n t e Vergleichsschwingung (r) = i cos (2t V| ? + (jo, (?)) mit der F r e q u e n z Vj auf den E i n g a n g einer multiplizierenden Mischschaltung gegeben. D a s M i s c h p r o d u k t (fr den vorliegenden Zweck ist n u r dessen F r e q u e n z a b h n g i g k e i t wesentlich)
M ( 0 ~ " I ( 0 "2(0

= J l i ^ (cos (27t(v, + V2)t + <p,{t) + <p2{t)) + cos (27t(v, - V2)t + <Pi(t) - <P2(0) (4.506)

wird mit einem T i e f p a gefiltert, so d a a m A u s g a n g der Schaltung die S p a n n u n g D(0 ~ ^ ^ ^ ^ cos (27t(v, - V2)t + <p,(t) - <p2{t))
= MD c o s (271VD? (PVIT))

(4.507)

a b g e n o m m e n werden k a n n . Die D i f f e r e n z f r e q u e n z V k a n n bei geringen A n s p r c h e n a n D die Meunsicherheit z. B. mit einer S t o p p u h r o d e r mit einem elektronischen Zhler bestimmt werden. Die gesuchte F r e q u e n z V2 ist Vi + Vp oder V|-VD. U m zu entscheiden, o b V von v, Q abgezogen o d e r hinzugefgt werden m u , wird V| v e r n d e r t u n d die W i r k u n g auf v^ b e o b a c h t e t (Gl. (4.507)). Die S c h w a n k u n g e n der Null-Phasenwinkel (p\{t) u n d (P2{t), die sich in <Pu{t) wiederfinden, zeigen sich bei dieser A r t der Messung p a u s c h a l als S c h w a n k u n g e n der D i f f e r e n z f r e q u e n z VD. Als relative Meunsicherheit dieser M e t h o d e

770

4.3

Hochfrequenz

ergibt sich: Av; ^ ^ Avp _


V2
VD Vp VI

(4.508)

Whlt m a n VD/VJ gengend klein, so b e k o m m t m a n selbst bei verhltnismig hoher Meunsicherheit f r A v o / v p , eine geringe Meunsicherheit f r die zu bestimmende Frequenz V2. Die Mischfrequenz Vi wird zweckmigerweise einem kalibrierten durchstimmbaren Frequenz-Generator (z. B. Frequenzdekade mit Interpolations-Generator f r die feinste Frequenzstufe) entnommen. Wird zur Mischung eine phasenstabile Vergleichsschwingung benutzt ((jOi (?) = const), d a n n zeigt die Schwingung u^{t) nach Gl. (4.509) dieselben Schwankungen des NullPhasenwinkels wie die Schwingung 2(0- Dieselben Schwankungen des Null-Phasenwinkels bedeuten f r die Schwingung Mp(?) ein u m den F a k t o r v2/vp greres Schwanken der Phasenzeit.
xd(0 =

^
27t Vp

(P2{t) = x^{t)VD

(4.509)

Regelverstrker
*

Oszillator 1 Tiefpafilter Oszillator 2 SpektrumanalysDtor Fig.4.248 Prinzip zur Untersuchung der Frequenzinstabilitt eines Oszillators in einer Phasendiskriminatorschaltung

Soll neben der Frequenz eines Frequenzgenerators (Oszillators) seine Instabilitt bestimmt werden, kann nach dem Prinzip nach Fig. 4.248 verfahren werden. Die Frequenz des Referenzoszillators 1 wird ber einen Regelkreis in bezug auf die Frequenz des zu untersuchenden Oszillators 2 so geregelt, da der Phasenverschiebungswinkel zwischen beiden Schwingungen im Mittel TC/2 betrgt. (Die Schaltung arbeitet in diesem Fall als Phasendiskriminator.) Bei gengend stabilem Referenzoszillator ist die hinter dem Tiefpafilter auftretende Spannung u^ proportional zu den Schwankungen des Null-Phasenwinkels des Oszillators 2. Beispielsweise kann mit Hilfe eines Spektrumanalysators das Leistungsspektrum des Null-Phasenwinkels S ^ { f ) a u f g e n o m m e n werden. Dieses Verfahren ist geeignet f r Schwankungsmessungen im Frequenzbereich unterhalb 1 Hz. Das Verfahren nach Fig. 4.249 gestattet eine Messung des <7^(T)-Verhaltens eines Oszillators. Die Schwingungen des frequenzstabilen, in der Frequenz einstellbaren

Fig. 4.249 Prinzip zur Messung der Frequenzinstabilitt eines Oszillators durch Bestimmen der Periodendauerschwankungen (Messen des (T)-Verhaltens des Oszillators)

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

771

Referenzoszillators 1 wird mit der Schwingung des zu untersuchenden Oszillators 2 gemischt. Nach Filterung erfolgen Messungen der Periodendauer TQ mit Hilfe eines elektronischen Zhlers. Man erhlt auf diese Weise Stze von Mewerten der F o r m 1-D.k =
1
VD +

(Pijtk + T p ) - (Pijtk) _
;; ZTTVD

+ ^k

^ ^

(4.510)

VD

ist die interessierende Schwankungsgre u n d steht mit j^(-r) (Gl. (4.504)) in folgendem Zusammenhang: h{Tu) =
VD TU V2

(4.511)

5^(t) ergibt sich durch Auswerten der Ergebnisse nach Gl. (4.503). Dieses Verfahren ist geeignet f r Mezeiten T > 1 s.
S c h r d e r (1979)

F r e q u e n z d i f f e r e n z - V e r v i e l f a c h e r . Beim Vergleich von Schwingungen von nahezu gleicher Frequenz (relative Frequenzdifferenz kleiner als 10^^) k a n n die Verwendung eines Frequenzdifferenz-Vervielfachers ntzlich sein. Nach Fig. 4.250 wird 10(v + Av) gebildet und davon durch Mischung 9 v abgezogen. D a s Ergebnis nach der ersten Mischstufe ist v+ 10-Av. Nach n Mischstufen b e k o m m t m a n entsprechend v+ 10"-Av.
V+V

v+10-iv

v+100-Av

v+10"-Av

OsziUotorl

Fig.4.250 Frequenzdifferenz-Vervielfacher nach Parzen

Oszillator 2

g-v

F r e q u e n z m e s s u n g d u r c h B e s t i m m e n d e r P h a s e n z e i t n d e r u n g . Bei einem Frequenzvergleich (Frequenzmessung) von zwei periodischen Signalen deren Frequenzen Vi u n d V nahezu gleich sind, k a n n die Phasenzeitnderung ber eine Mezeit r 2 bestimmt und hieraus z. B. die relative Frequenzdifferenz whrend des Mezeitintervalls berechnet werden. Zur Messung werden die zu vergleichenden Signale auf die Eingnge eines ZeitintervallZhlers geschaltet und die Signalformer so eingestellt, da jeweils zur selben Phase des jeweiligen Signals eine Messung ausgelst wird (beispielsweise beim Nulldurchgang der Signale). Signal 1 erffnet und Signal 2 beschliet eine Messung. Eine zweite derartige Messung erfolgt nach der Mezeit T. Die Ergebnisse bei der PhasenzeitdifferenzMessungen seien h t \ und iS-h- D a n n ist im zeitlichen Mittel ber T die relative Frequenzdifferenz Vj-Vi
VI

^ (Ati
T

-Ati)

(4.512)

Diese Art der Messung ist besonders gut einsetzbar, wenn gleichwertige Normalfrequenzen ber lngere Zeitrume miteinander verglichen werden sollen. Hier gengen manchmal Messungen in 24stndigen Abstnden, um verllich Aussagen ber das Frequenzverhalten zu bekommen.

I l l

4.3

Hochfrequenz

F r e q u e n z m e s s u n g m i t H i l f e v o n L i s s a j o u s - F i g u r e n . Mit Hilfe eines Oszilloskops, an dessen X- und K-Eingngen die zu vergleichenden Schwingungen gegeben werden, lassen sich durch Beobachten der Lissajous-Figuren empfindliche Frequenzvergleiche durchfhren. Dabei mssen die Frequenzen der beiden Schwingungen in einem a n n h e r n d rationalen Verhltnis zueinander stehen. Vergleicht m a n zwei Schwingungen von 1 M H z , die voneinander eine relative Frequenzabweichung von 10 ^ haben, so wiederholt sich ein Bild auf dem Oszilloskop alle 100 s. (Beispielsweise artet die abgebildete Ellipse in eine gerade Linie aus, wenn die Schwingungen eine Phasenwinkeldifferenz von 0 oder n haben.) Mit einer Stoppuhr kann man die lOO-Sekunden-Periode mit einer Unsicherheit von 0,1 s messen. Hieraus resultiert eine Meunsicherheit f r die Frequenzabweichung von 1 10 Messungen mit elektronischen Zhlern Kufliche Zhler fr Mezwecke erfllen meist mehrere Mefunktionen: Frequenzmessung, Messung des Frequenzverhltnisses zweier Schwingungen, Periodendauermessung, Zeitintervallmessung.
Signql Signolformer

Tor

J u
Steuereinheit

Zeit Bosis

Ztilreg ister

Anzeige Ausgabe

Fig. 4,251 Schaltungsprinzip zum Messen der Frequenz einer periodischen Schwingung

F r e q u e n z . Nach Fig. 4.251 wird das Eingangssignal in einer Signalformerstufe so aufbereitet, da f r je eine Schwingung des zu messenden periodischen Signals ein Impuls an die Torschaltung weitergegeben wird. Die Torschaltung wird fr eine Mezeit T geffnet, die als dekadisches Bruchteil oder Vielfaches der von der Zeitbasis (meist 10 MHz-Quarz) weitergegebenen Zeiteinheit whlbar ist. W h r e n d der ffnungszeit werden die eingehenden Impulse in einer Zhlstufe gezhlt u n d nach der Messung zur Anzeige gebracht bzw. in elektrisch kodierter F o r m zur Weiterverarbeitung bereitgestellt. Erfahrungsgem werden hufig Fehler beim Anpassen der Einstellmglichkeiten der Signalformerstufe auf die Eingangssignale gemacht, die zu Mefehlern fhren. Die gebruchlichsten Einstellmglichkeiten sind: Eingangssignalabschwcher, GleichWechsel-Spannungskopplung des Eingangssignals, Gleichspannungspegel, Triggerung der Signalformerstufe an einer positiven oder negativen Flanke des Signals. Weiter ist bei der Einstellung zu beachten, da die Signalformerstufe beim Durchschalten Hystereseverhalten ( A f / ) zeigt. Die Teilbilder von Fig. 4.252 zeigen verschiedene Einstellungen und Fehlermglichkeiten. Bei Messungen an Signalen, deren Eigenschaften vorerst u n b e k a n n t sind, sollte m a n beim Einstellen von Signalformerstufen stets die Signalform mit einem Oszilloskop kontrollieren. Die hier aufgezhlten Fehlermglichkeiten knnen sinngem auf alle Messungen mit elektrischen Zhlern bertragen werden. Bei der Beurteilung der Gesamtunsicherheit der Frequenzmessung sind zwei Anteile zu beachten: - Die 1-Zhlschritt-Unsicherheit bei Messungen mit Zhlern, die eine relative Frequenzunsicherheit von AV/V = 1 / V T ergibt (v Frequenz des Mesignals, T Mezeit). - Eine Abweichung der Frequenz der Zeitbasis von ihrem Sollwert.

4 . 3 . 4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

773

AU.

j " L _ r L . . Fig. 4.252 Beispiele fr verschiedene Einstellungen des Eingangs einer Signalformerstufe in bezug auf das Eingangssignal a) links: Hystereseverhalten der Eingangsstufe rechts: Infolge einer zu kleinen Signalspannung bzw. Fehlanpassung erfolgt keine Triggerung des Signalformers b) links: Richtige Pegelanpassung rechts: Gleichspannungspegel zu hoch angesetzt, c) und d): Dem Nutzsignal berlagerte Strspannungen knnen, je nach Pegeleinstellung, bei gleichem Signal unterschiedliche Triggerungen des Signalformers auslsen fs Eingangssignalspannung ^A Ausgangsspannung des Signalformers A U Hysteresebereich des Signalformers

I II I II L iuLJUL
C|

JT-TLn

Kommerzielle Frequenzzhler ohne vorgeschalteten Frequenzuntersetzer haben zur Zeit eine obere Grenzfrequenz von 500 M H z . Mit Frequenzumsetzer werden obere Grenzfrequenzen bis 40 G H z erreicht. F r e q u e n z v e r h l t n i s . Die oben beschriebenen Frequenzmessung kann als Verhltnismessung der Signalfrequenz v zur Frequenz der Zeitbasis V angesehen werden. Q Vielfach sind die Gerte so eingerichtet da sie unter Abschaltung der internen Zeitbasis das Verhltnis der Frequenzen zweier von auen zugefhrter, periodischer Signale messen knnen. Insbesondere ist es mglich zur Verringerung der Meunsicherheit die zhlerinterne Zeitbasis durch eine eventuell vorhandenen genauere zu ersetzen. P e r i o d e n d a u e r . Bei der Periodendauermessung (Periodendauer Tp= 1/v) wird die Zeit T gemessen in der sich N Perioden (Teilung blicherweise dekadisch) des zu messenden Signals ereignen (Fig. 4.253). Die Signalformerstufe bereitet das Signal auf. In der folgenden Teilerstufe wird durch Vorwahl der Teilerzahl festgelegt, ber wie viele Perioden A^ des Signals die Messung durchgefhrt wird. Der Ausgang der Teilerstufe legt die ffnungszeit der Torstufe fest. Whrend der ffnungszeit der Torstufe erfolgt die Zeitmessung durch Abzhlen der Schwingungen V der Zeitbasis. Bei der Beurteilung der Q Meunsicherheit sind drei Anteile zu beachten:

774 Signol

4.3 Signalformer

Hochfrequenz

Teiler N Tor Zeitbasis Zhlregister Anzeige Ausgabe

IT

Fig. 4.253 Schaltungsprinzip zum Messen der Periodendauer einer Schwingung

- die 1-Zhlschrittunsicherheit der Frequenz der Zeibasis V fhrt zu einer relativen Q Unsicherheit der gemessenen Periodendauer Jp bzw. der Frequenz v von
1
VQT

(4.513)

- Eine Abweichung der Frequenz der Zeitbasis von ihrem Sollwert. - Die Triggerunsicherheit des Eingangssignals, die sich nherungsweise aus dem Effektivwert von Rausch- u n d Strungsspannungen Us, die dem Eingangssignal berlagert sind, aus der Anstiegsflanke dU^/dt des Eingangssignals am Triggerpunkt u n d aus der Mezeit T abschtzen lassen: AT, ^ Av U. dUs dt Eine Periodendauermessung anstelle einer Frequenzmessung empfiehlt sich, wenn die Frequenz des zu messenden Signals v kleiner als die Frequenz V der Zeitbasis ist. Q Beispielsweise ergibt die Frequenzmessung eines 10 Hz-Signals, mit einem Sstelligen Zhler, mit einer 10 MHz-Zeitbasis u n d bei einer Medauer von 1 s, die Anzeige 00.000010 M H z . Eine Periodendauermessung an demselben Signal ergibt die Anzeige 0100000.0 |xs. In diesem Fall ist die Auflsung lO^fach grer. K o m f o r t a b l e Zhler sind intern so geschaltet, da jeweils diejenige Memethode gewhlt wird, die die beste Auflsung gibt. Die notwendige Umrechnung erfolgt dabei durch einen eingebauten Mikroprozessor. Z e i t i n t e r v a l l . Die D a u e r eines durch zwei elektrische Signale vorgegebenen Zeitintervalls lt sich mit einem Zeitintervall-Zhler bestimmen (Fig. 4.254). Nach Signalumform u n g ffnet das Signal 1 die Torstufe. W h r e n d der ffnungszeit erfolgt die Zeitmessung durch Abzhlen der Schwingungen V der Zeitbasis. Das Signal 2 schliet die Q Torstufe und beendet die Zeitintervallmessung. Bei Beurteilung der Gesamtunsicherheit ist zustzlich zu den drei bei der Periodendauermessung angegebenen Anteilen ein systematischer Anteil zu bercksichtigen, der z. B. durch unterschiedliche Laufzeiten der Signale auf den Signalleitungen zum ZhlereinSignal 1 Signalformer Zhlregister Anzeige Ausgabe
- -T

(4.514)

J
f

Tor

Signal 2

Signolformer

Zeitbasis

Fig. 4.254 Schaltungsprinzip zum Messen der D a u e r eines Zeitintervalls, das durch zwei el. Signale markiert wird

4 . 3 . 4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

775

gang oder durch unterschiedliche Triggerpegel in den Signalformen 1 und 2 entstehen kann. Die Signalverzgerung durch einen Kabellngenunterschied von 10 cm betrgt ca. 0,5 ns. Der systematische Anteil wird bei kurzen zu messenden Zeitintervallen (Nanosekundenbereich) merklich. Normalerweise ist die Auflsung der Zeitmessung durch die Frequenz v der Zeitbasis vorgegeben. Es gibt Zhler, die durch lineare analoge oder durch digitale Interpolation zu einer greren Auflsung kommen. Gegenwrtig gibt es Zeitintervallmesser mit einer Auflsung bis zu 20ps. 4.3.4.6 Rauschen (W. Kessel)

Thermische Rauschquellen Die im Hochfrequenzbereich bedeutsamen Rauschquellen sind das thermischen Rauschen, das Schrotrauschen und das 1//-Rauschen (s. 10.7.1). Im Unterschied zum niederfrequenten Rauschen treten z .T. Laufzeit- und Quanteneffekte in Erscheinung. Auerdem werden Rauschquellen in Hochfrequenz-bertragungssystemen durch ihre Rauschleistung charakterisiert. Die Rauschleistung, die ein auf der Temperatur T befindlicher HF-Absorber bei der Frequenz / in einem Frequenzband der Breite A / abgibt, betrgt nach N y q u i s t (1938) = exp
1

A/ kT

(4.515)

(h Planck-Konstante, k Boltzmann-Konstante). F r hohe Temperaturen (oberhalb Zimmertemperatur 70 = 290 K) und niedrige Frequenzen (unterhalb 100 G H z ) geht Gl. (4.515) in die klassische Formel P''^ = k T ^ f (4.516)

ber. Tab. 4.13 zeigt die Abweichungen der klassischen Formel von der quantenmechanischen Gleichung fr Zimmertemperatur und die Temperaturen des siedenden Stickstoffs und Heliums bei drei Frequenzen.
Tab.4.13 Verhltnis der nach der quantenmechanischen Formel (4.515) berechneten Rauschleistung zum klassischen Grenzfall der Gl. (4.516)
PKL "R

PT/PK

bei

in K 290 77 4

inj 4 , 0 - 10 1,1 10 5,5 10 "

IGHz 1,0 1,0 0,994

10 G H z 0,999 0,997 0,941

100 G H z 0,992 0,969 0,516

Bestimmung der Rauschtemperatur In einem Hochfrequenzempfnger oder Verstrker wirken neben den thermischen Rauschquellen in den Bauteilen weitere Rauschquellen (s. 10.7.1), die sich am Ausgang zu einer Gesamtrauschleistung berlagern. Die G r e der Gesamtrauschleistung wird durch die spektrale Rauschzahl F oder die ihr quiva-

776

4.3 Hochfrequenz

lente R a u s c h t e m p e r a t u r TR angegeben, die beide d u r c h die Gleichung T^ = { F - \ ) T o (4.517)

v e r k n p f t sind. D a b e i ist die R a u s c h t e m p e r a t u r diejenige T e m p e r a t u r , die eine vor einem quivalenten rauschfreien E m p f n g e r oder Verstrker geschaltete thermische Rauschquelle nach Gl. (4.516) h a b e n m t e , damit sich am A u s g a n g die beobachtete Eigenrauschleistung einstellt. Z u r Bestimmung der R a u s c h t e m p e r a t u r TR werden zwei verschiedene M e t h o d e n , die S i g n a l g e n e r a t o r m e t h o d e u n d die 7 - F a k t o r m e t h o d e a n g e w a n d t . Beide vergleichen die von d e m Zweitor erzeugte Rauschleistung mit einer b e k a n n t e n Hochfrequenzleistung.
Fig. 4.255 Anordnung zur Messung der Rauschtemperatur eines Zweitores X nach der Signalgenerator-Methode G Hochfrequenzgenerator L einstellbarer Abschwcher D Detektor A Anzeigeinstrument

2 ^ - 0 - ^ ^ -oD A

^ ^

Bei der in Fig. 4.255 dargestellten S i g n a l g e n e r a t o r m e t h o d e wird die b e k a n n t e H F Leistung von einem Sinuswellengenerator geliefert, dessen Ausgangsleistung d u r c h ein nachgeschaltetes, einstellbares D m p f u n g s g l i e d verndert werden k a n n . Voraussetzung f r die Richtigkeit der Messung ist u . a . , d a der am A u s g a n g des M e o b j e k t s angeschlossene Leistungsmesser gleiche Empfindlichkeit f r den Nachweis einer Rauschleistung wie f r den Nachweis einer Mischleistung aus Rausch- u n d Sinuswellenanteil aufweist. A u s dem Verhltnis Y der bei eingeschaltetem Sinuswellengenerator gemessenen Ausgangsleistung P j zur Ausgangsleistung P\ bei abgeschaltetem G e n e r a t o r berechnet sich die R a u s c h t e m p e r a t u r TR aus der Signalleistung P^ nach der Gleichung 7'R = /c(F-1)5R Die R a u s c h b a n d b r e i t e des Zweitores 00 1 iv(/)d/ +Ta (4.518)

wird aus der Frequenzabhngigkeit der v e r f g b a r e n Leistungsverstrkung L y { f ) d u r c h grafische oder numerische Integration ermittelt (/o F r e q u e n z der Bandmitte). Bei der Rauschmessung ist wegen der im allgemeinen h o h e n D m p f u n g zwischen Signalgenerator u n d M e o b j e k t auf gute Schirmung des Nachweisgertes zu achten. Die A u s w e r t u n g der Gl. (4.518) wird besonders einfach, wenn die Signalleistung so eingestellt wird, da das Verhltnis 7 der Leistungen am A u s g a n g des Meobjektes mit u n d ohne Zusatzsignal den Wert 2 a n n i m m t (3-dB-Methode). D e r Einflu der Eigenschaften des Leistungsmessers k a n n a u e r acht gelassen werden, wenn mit Hilfe eines weiteren zwischen dem A u s g a n g des M e o b j e k t s u n d dem Leistungsmesser eingesetzten Abschwchers, etwa eines zuschaltbaren 3 - d B - D m p fungsgliedes, mit u n d ohne Signal jeweils auf gleiche Leistungsanzeige abgeglichen wird.

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

777

D i e V e r w e n d u n g e i n e s R a u s c h g e n e r a t o r s a n s t e l l e d e s S i g n a l g e n e r a t o r s b i e t e t bei d e r B e s t i m m u n g der Rauschtemperatur eines Zweitores den Vorteil, da im g e s a m t e n F r e q u e n z g e b i e t eine h o c h f r e q u e n t e Vergleichsleistung zur V e r f g u n g steht u n d die z e i t a u f w e n d i g e M e s s u n g der Bandbreite des Zweitores entfllt. Bei der 7 - F a k t o r m e t h o d e w e r d e n n a c h e i n a n d e r zwei R a u s c h g e n e r a t o r e n mit den Rauschtemperaturen Trh und Trk (^RH>rRK) an den Eingang des Meobjektes angeschlossen. A u s d e m Verhltnis 7 d e r Ausgangsleistungen ergibt sich die u n b e k a n n t e R a u s c h t e m p e r a t u r TR n a c h
T-RH
-

RK YT,

(4.520)

Y - 1 M i t e i n e m R a u s c h g e n e r a t o r , d e s s e n R a u s c h l e i s t u n g k o n t i n u i e r l i c h e i n s t e l l b a r ist, k a n n die R a u s c h t e m p e r a t u r eines Z w e i t o r e s n a c h e i n e m der S i g n a l g e n e r a t o r m e t h o d e a n a l o gen Verfahren bestimmt werden. Als einstellbare Rauschquelle dienen R a u s c h d i o d e n , deren Rauschleistung durch Variation des A n o d e n s t r o m e s verndert werden kann, oder R a u s c h q u e l l e n m i t k o n s t a n t e r R a u s c h t e m p e r a t u r (s. P l a s m a - R a u s c h g e n e r a t o r e n o d e r F e s t k r p e r - R a u s c h q u e l l e n ) , d e n e n ein kalibrierter, einstellbarer A b s c h w c h e r n a c h g e s c h a l t e t ist. D a d u r c h e n t s t e h t e i n e R a u s c h q u e l l e , d e r e n R a u s c h t e m p e r a t u r TR d u r c h Vernderung des D m p f u n g s f a k t o r s a entsprechend der Relation (4.521) in w e i t e n B e r e i c h e n e i n s t e l l b a r ist. E i n A r - P l a s m a - R a u s c h g e n e r a t o r , d e m e i n e i n s t e l l b a rer 1 0 - d B - A b s c h w c h e r n a c h g e s c h a l t e t ist, liefert e i n e s t a b i l e R a u s c h q u e l l e , d e r e n R a u s c h t e m p e r a t u r zwischen 11300 K u n d 1400 K eingestellt w e r d e n kann. Bei der Bestimmung der Rauschtemperatur von berlagerungsempfngern mit breitbandigen Rauschquellen mu der Einflu des Spiegelbandes bercksichtigt werden, sofern vor die Mischstufe kein vorselektierendes Filter geschaltet ist. Mit einem Mesender ist das Verhltnis 5 der verfgbaren Leistungsverstrkung L, bei der Spiegelfrequenz zur verfgbaren Leistungsverstrkung Lo bei der Sollfrequenz (jeweils in Bandmitte) zu bestimmen und die Gl. (4.520) durch TR = (1 + S) zu ersetzen. Rauschgeneratoren Fr den A u f b a u von Rauschgeneratoren werden verschiedene R a u s c h p r o z e s s e ausgenutzt. Bei den R a u s c h d i o d e n entsteht durch d a s statistische Austreten der Elektronen aus der K a t h o d e im A n o d e n s t r o m ein Rauschanteil (Schrotr a u s c h e n ) , d e r in d a s H o c h f r e q u e n z - L e i t u n g s s y s t e m e i n g e k o p p e l t w i r d . F i g . 4 . 2 5 6 z e i g t e i n e R a u s c h d i o d e in K o a x i a l a u s f h r u n g ( K o l b ( 1 9 5 5 ) ) , bei d e r d i e A n o d e d e n Innenleiter bildet. D i e L e i t u n g s a b s c h l u widerstnde sind gleichzeitig die Arbeitswiders t n d e d e r D i o d e , a n d e n e n d i e R a u s c h l e i s t u n g e n t s t e h t u n d in d a s k o a x i a l e L e i t u n g s TRH ~

(4.522)

y ' I

Fig.4.256 Rauschdiode in Koaxialausfhrung AN Anode KA Kathode HE Heizung Widerstnde AU Ausgang (Kolb (1955))

778

4.3 Hochfrequenz

system eingekoppelt wird. Die am Ausgang verfgbare Rauschleistung wird ber den A n o d e n s t r o m / der im Sttigungsgebiet betriebenen Diode mit Hilfe der Kathodentemperatur eingestellt P^ = elZoX^ + AtTo A / (4.523)

(e Elementarladung). Der frequenzabhngige F a k t o r / ^ bercksichtigt den Einflu der Laufzeit der Elektronen und den Fehler in der Anpassung der Diode an das Leitungssystem. Er m u i. allg. oberhalb von 500 M H z durch eine Vergleichsmessung mit einem Sinuswellengenerator oder einer anderen Rauschquelle ermittelt werden. Unterhalb von 100 k H z sind Rauschdioden nicht verwendbar, da hier das weie Spektrum der Gl. (4.523) durch zustzliche Anteile von 1//-Rauschen verflscht wird. F r hhere Frequenzen (1 G H z bis 120 G H z ) werden vorwiegend P l a s m a - R a u s c h g e n e ratoren eingesetzt. Sie nutzen die zuflligen Schwankungen des elektromagnetischen Feldes, die bei der in einem Gasentladungsrohr ablaufenden Ionisation von Edelgasen (Argon, Xenon) entstehen. Die positive Sule der Gasentladung gibt bei guter Stabilisierung des Anodenstromes ein Rauschspektrum hoher Leistung ab, das ohne Verluste in einen Hohlleiter eingekoppelt wird, sofern das Entladungsrohr im flachen Winkel schrg durch den Hohlleiter parallel zu den elektrischen Feldlinien (Fig. 4.257) gefhrt ist. Die verfgbare Rauschleistung ist durch die Elektronentemperatur des Plasmas bestimmt. D a letztere in komplizierter Weise von der Gassorte, dem Gasdruck und den Abmessungen des Entladungsraumes abhngt, mssen Plasma-Rauschgeneratoren mit Hilfe anderer Rauschquellen kalibriert werden. Wegen ihrer hohen Stabilitt und ihrer einfachen H a n d h a b u n g werden sie als sekundre Rauschleistungsnormale eingesetzt.

Fig. 4.257 Hohlleiter-Plasma-Rauschgenerator GR Gasentladungsrohr AN Anode KA Kathode KE Hochfrequenz-Absorptionskeil AU Ausgang ( H a r t (1961))

Ihre Rauschleistung ist nicht einstellbar, so da sie i. allg. in Verbindung mit variablen Dmpfungsgliedern verwendet werden. F r die F-Faktormethode werden spezielle Plasma-Rauschgeneratoren gefertigt, die den Betrieb bei zwei Rauschtemperaturen gestatten. Dazu wird der Hohlleiter an einer Seite mit einem H F - A b s o r b e r abgeschlossen, der nach Abschalten der Gasentladung als thermische Rauschquelle bei Zimmertemperatur wirkt. In modernen F e s t k r p e r - R a u s c h q u e l l e n werden Halbleiterdioden eingesetzt, die im Lawinenbereich betrieben werden. Sie ntzen zur Erzeugung der Rauschleistung das Schrotrauschen, das im Mikroplasma der Halbleiterdiode auftritt. D a gleichzeitig weitere Rauschprozesse wirksam sind, knnen sie ebenfalls nur als sekundre Rauschleistungsnormale dienen. Die in den p-n-bergngen erzeugten Rauschleistungen entsprechen Rauschtemperaturen von 10^ K bis 10' K. Die A n k o p p l u n g der Dioden an das H F Leitungssystem ist stark frequenzabhngig, so da die hohen Rauschleistungen nicht

4.3.4 Meverfahren fr Hochfrequenzgren

779

voll genutzt werden knnen. Vielmehr wird durch geeignete frequenzabhngige Dmpfungsglieder ein weitgehend gleichmiger Frequenzgang erzeugt. Die Temperaturabhngigkeit der Eigenschaften des p-n-berganges der Diode und Alterungseffekte im Festkrper begrenzen die Langzeitstabilitt von Festkrper-Rauschquellen, die an jene der Plasma-Rauschquellen nicht heranreicht.
HE Fig. 4.258 Thermisches Hohileiter-Rauschnormal zum Betrieb bei r = 6 7 3 K KE Hochfrequenz-Absorptionskeil aus Sihziumkarbid Ho Hohlleiterkrper aus Molybdn HE Heizer IS thermische Isolation TH Platin-Widerstandsthermometer ED dnnwandiger Edelstahl-Hohlleiter WK wassergekhlter Ausgangshohlleiter KE \ HO \

Fr die Kalibrierung von Rauschgeneratoren sind t h e r m i s c h e R a u s c h l e i s t u n g s n o r m a l e im Gebrauch. Sie nutzen die von einem temperierten Hochfrequenzabsorber erzeugte Rauschleistung, deren Wert sich aus Gl. (4.515) oder Gl. (4.516) ergibt. Fig. 4.258 zeigt den A u f b a u einer heien thermischen Rauschquelle, die fr die Kalibrierung v o n sekundren Plasma-Rauschleistungsnormalen im Hohlleiter-Frequenzband 8,2 G H z bis 12,4 G H z konzipiert wurde. Mit thermischen Rauschgeneratoren dieser Bauform knnen Rauschleistungen in Hohlleitersystemen ( K e s s e l u. B u c h h o l z (1983), B u c h h o l z u. K e s s e l (1993)) oder in koaxialen Leitungssystemen ( B u c h h o l z u. K e s s e l (1987)) mit einer relativen Standard-Unsicherheit von 2,5 10 " dargestellt werden. Gekhlte Hochfrequenz-Absorber, die bei den Temperaturen des siedenden Stickstoffs (77 K) oder des siedenden Heliums (4,2 K) betrieben werden, liefern Rauschleistungen, wie sie bei der Vermessung von parametrischen Verstrkern bentigt werden.

Kalibrierung von Rauschgeneratoren Beim G e s a m t l e i s t u n g s e m p f n g e r der Fig. 4.259 wird die verfgbare Rauschleistung des u n b e k a n n t e n Rauschgenerators mit einer bekannten HF-Leistung verglichen, hnlich wie bei der Messung der R a u s c h t e m p e r a t u r von Zweitoren. Der aus Vorverstrker, Mischer mit Hilfsoszillator, Zwischenfrequenzverstrker und Detektor aufgebaute E m p f n g e r mit nachgeschaltetem T i e f p a und Anzeigeinstrument wirkt als HF-Effektivwertmesser. Als G e n e r a t o r definierter H o c h frequenzleistung wird entweder ein geeigneter Signalgenerator oder ein Rauschleistungsnormal eingesetzt. Zur Messung kleiner Rauschleistungen, wie z. B. beim Vermessen thermischer Rauschleistungsnormale oder in der Radioastronomie, die erheblich unter dem Eigenrauschen der E m p f n g e r liegen, hat der R a d i o a s t r o n o m D i c k e (1946) den in Fig. 4.260 dargestellten g e s c h a l t e t e n E m p f n g e r vorgeschlagen. Mit einem Pin-Dioden-Schalter oder einem elektromagnetisch gesteuerten Ferrit-Isolator (s. 4.3.3) wird mit einem periodischen Wechsel von 400 Hz bis 1000 H z eine der beiden zu vergleichenden Rauschquellen an den Eingang eines berlagerungsempfngers gelegt. Sein Ausgangssignal wird synchron mit dem Eingangsschalter mit + 1 oder - 1 bewertet, so da am Ausgang des nachfolgenden Tiefpasses ein Gleichsignal zur Verfgung steht, dessen Wert der Differenz der Rauschleistungen der beiden Rauschquellen proportional ist. D u r c h A b s c h w c h u n g der Rauschquelle der hheren Rauschtemperatur mit einem kalibrierten Dmpfungsglied wird auf Leistungsgleichheit abgeglichen. Die theoretische Auflsung ergibt sich aus der

780

4.3 Hochfrequenz
GH,

K
/ ^

^H^J-KS)
0 TP

PD

TP

Fig. 4.259 Gesamtleistungsempfnger zur Messung der Rauschtemperatur Tx E berlagerungsempfnger G Hilfsoszillator D Detektor TP Tiefpa mit Integrationszeit T, A Anzeigeinstrument (Tiuri (1964))

Fig. 4.260 Geschalteter Rauschleistungsempfnger zum Vergleich der Rauschtemperatur Tx eines unbekannten Meobjektes mit der Rauschtemperatur T^ eines Rauschleistungsnormals Lx und LN einstellbare Abschwcher S elektronisch gesteuerter Hochfrequenzschalter G Hilfsoszillator PD phasenempfindlicher Detektor GNF niederfrequenter Rechteckoszillator TP Tiefpa mit der Integrationszeit T] A Anzeigeinstrument (J a n i k (1980))

Empfnger handbreite

\ 0

(4.524) L A f f d f

( L v ( / ) verfgbare Leistungsverstrkung bei der F r e q u e n z / ) und der Integrationszeit TI des Ausgangstiefpasses zu


ArR 1 +

(4.525)

(T^E Rauschtemperatur des Empfngers). Ein Empfnger mit 5 M H z Bandbreite u n d 3000 K Rauschtemperatur, dem ein Tiefpa mit einer Integrationszeit von 30 s nachgeschaltet ist, besitzt f r Rauschquellen von 1000 K eine Auflsung von 6,5 X 10 Fr Koaxialleitungssysteme, f r die keine breitbandigen Dmpfungsglieder zur Verfgung stehen, wird die Abschwchung der Rauschquelle mit der hheren Rauschleistung nach der Mischstufe vor dem Zwischenfrequenzverstrker vorgenommen ( J a n i k (1980)). Die Auflsung nach Gl. (4.525) wird um den F a k t o r 2 verbessert, wenn die beiden zu vergleichenden Quellen nicht nur whrend einer halben Schaltperiode am Eingang des Empfngers liegen. Dies wird erreicht, wenn die Rauschleistungen wechselseitig in zwei identische Empfnger eingespeist und ihre Ausgangssignale voneinander subtrahiert werden ( G r a h a m (1958)). F r die Messung extrem kleiner Rauschleistungen konzipiert ist der K o r r e l a t i o n s e m p f n g e r der Fig. 4.261 ( G o l d s t e i n (1955)). Die Rauschleistung wird am Eingang durch Leistungsteiler in zwei gleiche Anteile aufgespalten, die ber zwei identisch aufgebaute Empfnger einem Multiplizierer zugefhrt werden. Am Ausgang steht ein

L i t e r a t u r zu 4 . 3 Fig. 4.261 Korrelationsempfnger zur Messung der Rauschtemperatur Tx LT Leistungsteiler E| und E2 identisch aufgebaute berlagerungsempfnger G Hilfsoszillator D| und D2 Detektoren M Multiplizierer TP Tiefpa A Anzeigeinstrument (Tiuri (1964))

781

DI

X
TP

HO
A

02

Signal an, das der zu messenden Eingangsrauschleistung proportional ist. Die Auflsung ist durch
AT-,R m i n
1

1+2

TK

1 + 'R //

(4.526)

gegeben. F r einen Empfnger mit den o . a . Eigenschaften (E = 5 M H Z , RE = 3000K) ergibt sich der Wert 4 X 10 " . Literatur zu 4 . 3
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