Unidad 1

ndice
1 Estructuras arreglos y movimiento de los tomos3

1.1 Importancia y Clasificacin de los materiales en ingeniera4-5

1.2 Arreglos atmicos.8-9

1.2.1 Arreglos atmicos Orden de corto y largo alcance.9-10

1.2.2 Redes celdas unitarias bases y estructuras cristalinas10-12

1.2.3 Puntos direcciones y planos de la celda unitaria..12-13

1.3 Defectos e imperfecciones13-14

1.3.1 Defectos puntuales14-15

1.3.2 Dislocaciones..15-16

Bibliografa17

Unidad 1
1 Estructuras, arreglos y movimiento de los tomos
La ciencia e ingeniera de los materiales es un campo que se ocupa de inventar nuevos materiales y mejorar los ya conocidos, mediante el desarrollo de un conocimiento mas profundo de las relaciones entre microestructura, composicin, sntesis y procesamiento.

Tetraedro de la ciencia e ingeniera de los materiales aplicado a los aceros laminados para chasis de automvil. Estructura descripcin del arreglo atmico, visto con distintos grados de detalle. Composicin indica la construccin qumica de un material. Sntesis indica la manera de fabricar los materiales a partir de elementos naturales o hechos por el hombre. Procesamiento indica el modo en que se conforman los materiales en componentes tiles y para causar cambio en las propiedades de destinos materiales.

Unidad 1
1.1 IMPORTANCIA Y CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES EN INGENIERA
Hay varias formas de clasificar los materiales una de ellas consiste en describir 5 grupos: 1) 2) 3) 4) 5) Metales y aleaciones Cermicos, vidrios y vitrocermicos Polmeros (plsticos) Semiconductores Materiales compuestos

Metales y aleaciones Incluyen aceros, aluminio, magnesio, zinc, hierro colado, titanio, cobre y nquel. Estos materiales tienen buena conductividad elctrica, trmica y tienen una resistencia relativamente alta, gran rigidez, ductilidad o formabilidad y buena resistencia a los choques trmicos. La mescla de metales (aleaciones) permiten mejorar determinadas propiedades o mejorar combinaciones de propiedades. Cermicos, vidrios y vitrocermicos Tambin se pueden definir como materiales cristalinos inorgnicos. Se usan en sustratos que albergan chips de computadora, sensores y actuadores, capacitores, comunicaciones inalmbricas, bujas de motores, inductores y aislantes elctricos. Debido a la presencia de porosidad no conducen bien el calor y deben calentarse a temperaturas muy altas para que se fundan. Polmeros (plsticos) Son materiales orgnicos comunes se producen con un proceso llamado polimerizacin. Por ejemplo el caucho y muchas cases de adhesivos. Muchos de ellos tienen resistividad elctrica muy buena, pueden proporcionar un buen aislamiento trmico y buena resistencia a las sustancias corrosivas. Tienen miles de aplicaciones desde chalecos antibalas, discos compactos, cuerdas y pantallas de cristal lquido (LCD) hasta ropa y tazas de caf. Los termoplsticos tienen buena ductilidad y formabilidad y los termofijos son ms resistentes, pero ms frgiles. Porque las cadenas moleculares estn estrechamente enlazadas.

Unidad 1

Semiconductores Los semiconductores base silicio, germanio y arseniuro de galio, como los que se usan en las computadoras y en electrnica su conductividad esta intermedia entre los aisladores cermicos y los conductores metlicos. En algunos de ellos se puede controlar el valor de la conductividad lo que permite usarlos en transistores, diodos y circuitos integrados. Materiales compuestos Se forman a partir de dos o ms materiales y se obtienen propiedades que no se poseen en un solo material, los ejemplos de materiales compuestos ms comunes son como el concreto, la madera terciada y los plsticos reforzados con fibras de vidrio. Con las aleaciones se puede obtener un material ms ligero, resistente, dctil o tambin se pueden fabricar herramientas de corte duras.

Unidad 1
EJEMPLOS REPRESENTATIVOS, APLICACIONES Y PROPIEDADES DE CADA CATEGORA MENCIONADA Tabla 1. 1

Unidad 1
CLASIFICACIN FUNCIONAL DE LOS MATERIALES

Aeroespaciales el transbordador espacial de la NASA usa polvo de aluminio en los cohetes de respaldo. A esta categora pertenecen algunas aleaciones de aluminio, plsticos, slice, para las losetas y muchos otros materiales. Biomdicos Nuestros huesos y dientes estn formados, en parte, de una cermica natural llamada hidroxiapatita. Varios rganos artificiales, remplazo de huesos, injertos cardiovasculares, abrazaderas de ortodoncia y otras partes se fabrican usando distintos plsticos aleaciones de titanio y aceros inoxidables no magnticos. Electrnicos Se usa titanato de bario (BaTio3), oxido de tantalio (Ta2O5) y muchos otros materiales dielctricos para fabricar capacitores cermicos y otros dispositivos. Los superconductores se usan en la fabricacin de poderosos

Unidad 1
electroimanes. El cobre, aluminio y otros metales se usan como conductores en la transmisin de electricidad y en microelectrnica. Tecnologa energtica y ambiental En la industria nuclear se usan materiales como dixido de uranio y plutonio como combustible. En las bateras y celdas de combustible se usan muchos materiales cermicos, como la circonia (ZrO2) y los polmeros. La energa solar se genera usando materiales como silicio amorfo (a:Si:H). Magnticos Los discos duros de las computadoras y las cintas de videocaseteras usan muchos materiales cermicos, metlicos y polimricos que son magnticos, como para lo discos duros de computadora se fabrican con aleaciones a base de cobalto, platino, tantalio y cromo (Co-Pt-Ta-Cr). Los aceros a base de hierro y silicio se usan para fabricar ncleos de transformadores. pticos o fotnicos Se usa mucho la slice para fabricar fibras pticas. Para hacer lseres se usan granates de almina (Al2O3)y de itrio y aluminio (YAG, yttrium aluminum garanet) Inteligentes Un material inteligente puede sentir un estimulo interno, como un cambio de temperatura, la aplicacin de un esfuerzo o un cambio de humedad o de ambiente qumico, y responder a l. Un sistema basado en un material inteligente consiste en sensores y actuadores que detectan cambios e inician una accin. Como los fluidos magnetorreolgicos (o MR). Son pinturas magnticas que responden a campos magnticos. Estructurales Son los que se disean para soportar alguna clase de esfuerzo. Para construir edificios y puentes. Los aceros, vidrios, plsticos y materiales compuestos tambin se usan mucho en la fabricacin de automviles.

1.2 ARREGLOS ATMICOS

Los arreglos de tomos y de iones desempean un papel importante en la determinacin de la microestructura y las propiedades de un material. El uso de la difraccin de rayos x, la microscopia electrnica de transmisin y la difraccin de electrones. Estas tcnicas nos permiten explorar los arreglos de los tomos o de los iones en distintos materiales. En los distintos estados de la materia se pueden encontrar 4 clases de arreglos atmicos o iones.

Unidad 1
a) Los gases monoatmicos inertes no tiene ordenamiento regular de tomos. b) y c) Algunos materiales, que incluyen vapor de agua, nitrgeno gaseoso, silicio amorfo y vidrios de silicato, tienen orden de corto alcance. d) Los metales, aleaciones y muchas cermicas, as como algunos polmeros, tienen ordenamiento regular de tomos o iones que se extiende a travs del material.

Sin orden En los gases monoatmicos como el argn (Ar) o el plasma que se forma en un tubo de luz fluorescente, los tomos o los iones no tienen arreglo ordenado. Estos materiales llenan todo el espacio disponible que tienen.

1.2.1 ARREGLOS ATMICOS ORDEN DE CORTO Y LARGO ALCANCE

Orden de corto alcance (SRO) Un material tiene orden de corto alcance si el arreglo especial de los tomos slo se extiende a su vecindad inmediata. Cada molcula de agua en el vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrogeno y los de oxigeno; esto es, cada tomo de oxigeno esta unido a 2 tomos de hidrogeno formando 104.5 entre los enlaces. Sin embargo las molculas de agua en el vapor no tienen un arreglo especial con respecto a sus posiciones mutuas. Muchos polmeros muestran tambin arreglos atmicos de corto alcance que se parecen mucho a la estructura del vidrio silicato. El polietileno esta formado por cadenas de tomos de carbono con 2 tomos de hidrogeno fijos a cada uno de los carbonos. Como el carbono tiene valencia 4 y los tomos de carbono e hidrogeno estn unidos con enlaces covalentes, de nuevo se produce una estructura tetradrica.

Unidad 1
Las unidades tetradricas se pueden unir en forma aleatoria para producir las cadenas del polmero. Orden a largo alcance (LRO) La mayora de los metales y aleaciones, los semiconductores, los cermicos y algunos polmeros tienen una estructura cristalina donde los tomos o iones muestran orden de largo alcance; el arreglo atmico especial abarca escalas de longitud mucho mayores de >100nm. Los tomos o los iones en esos materiales forman un patrn regular y repetitivo, semejante a una red en 3 dimensiones. A esos materiales se les llama materiales cristalinos. Si un material cristalino esta formado por un solo cristal grande, se le llama material monocristalino o monocristal. Los monocristales se usan en muchas aplicaciones electrnicas y pticas. Por ejemplo los chips de computadora se fabrican con monocristales grandes de Si (hasta 30cm de dimetro) Un material policristalino est formado por muchos cristales pequeos con diversas orientaciones en el espacio. Estos cristales ms pequeos se llaman granos.

1.2.2 REDES CELDAS UNITARIAS BASES Y ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Una red es una coleccin de puntos, llamados puntos de red ordenados en un patrn peridico de tal modo que los alrededores de cada punto de la red son idnticos. Una red puede ser uni, bi o tridimensional. En ciencia e ingeniera de los materiales red es la que describe los arreglos de tomos o de iones un grupo de uno o mas tomos ubicados en forma determinada entre si, y asociados con cada punto de red, se llama motivo, motif o base. Se obtiene una estructura cristalina sumando la red y la base es decir estructura cristalina = red + base. La celda unitaria es la subdivisin de una red que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red. Hay 7 arreglos nicos, llamados sistemas cristalinos que llenan el espacio tridimensional.

10

Unidad 1
Los catorce tipos de redes de Bravias, agrupados en siete sistemas cristalinos.

Los puntos de red estn en las esquinas de las celdas unitarias y en algunos casos, en las caras o en el centro de la celda unitaria. Solo cuando se toma una red de Bravias y se comienza a definir la base es decir, uno o mas tomos asociados con cada punto de red -, se puede describir una estructura cristalina. Por ejemplo, si se toma la red cubica centrada en las caras y se supone que cada punto de red tiene un tomo se obtiene la estructura cristalina cubica centrada en las caras. Aunque solo hay 14 redes Bravias, se pueden tener muchas bases ms. Como la estructura cristalina se obtiene sumando red y base, se tienen cientos de estructuras cristalinas distintas.

11

Unidad 1
Parmetros de red Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la celda unitaria incluyen las dimensiones de las aristas de la celda unitaria y de los ngulos entre estas. Se requieren varios parmetros de red para definir el tamao y la forma de celdas unitarias complicadas. Para una celda unitaria ortorrombica se deben especificar las dimensiones de sus tres lados: a0, b0 y c0. Las celdas unitarias hexagonales requieren dos dimensiones a0 y c0, y el ngulo de 120entre los ejes a0. La celda mas complicada es la triclnica que se describe con tres longitudes y tres ngulos. Cantidad de tomos por celda unitaria Cada una de las celdas unitarias se define con una cantidad especfica de puntos de red.

1.2.3 PUNTOS DIRECCIONES Y PLANOS DE LA CELDA UNITARIA

Coordenadas de puntos Se pueden localizar ciertos puntos en la red o celda unitaria, como por ejemplo las posiciones de los tomos, definiendo el sistema de coordenadas de mano derecha de la figura 13-18. La distancia se mide en trminos de la cantidad de parmetros de red que hay que recorrer en cada una de las direcciones x, y, y z para ir del origen del punto en cuestin. Las coordenadas se describen como las tres distancias, y los nmeros se separan con comas. Direcciones en la celda unitaria Hay ciertas direcciones en la celda unitaria que tienen inters especial los ndices de Miller de las direcciones es la siguiente: 1) Usar un sistema coordenado de mano derecha y determinar las coordenadas de dos puntos que estn en direccin. 2) Restar las coordenadas del punto cola de las coordenadas del punto cabeza para obtener la cantidad de parmetros de red recorridos en la direccin de cada eje del sistema de coordenadas.

12

Unidad 1
3) Eliminar las fracciones y/o reducir los resultados obtenidos de la resta, hasta los enteros mnimos. 4) Encerrar los nmeros entre corchetes [ ]. Si se produce un signo negativo representarlo con una barra o raya sobre el numero. Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria. El nmero indica la distancia al origen, en trminos de parmetros de red.

Figura 3-18

Importancia de las direcciones cristalogrficas. Se usan para indicar determinada orientacin de un solo cristal o de un material policristalino. En muchas aplicaciones, es til describirlas. Por ejemplo, los metales se deforman con ms facilidad en direcciones a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto ms estrecho. La densidad lineal es la cantidad de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de la direccin. En el cobre hay dos distancias de repeticin a lo largo de la direccin [110] en cada celda unitaria; como esa distancia es 0= 0.51125 nm.

1.3 DEFECTOS E IMPERFECCIONES.

El arreglo de los tomos o de los iones en los materiales diseados tiene imperfecciones o defectos. Con frecuencia estos defectos tienen un efecto profundo sobre las propiedades de los materiales. El material no se considera defectuoso desde un punto de vista de la aplicacin. En muchas aplicaciones es til la presencia de esos defectos. Sin embargo, hay unas pocas aplicaciones en donde se trata de minimizar determinada clase de defecto. Por ejemplo, los defectos llamados dislocaciones son tiles para aumentar la resistencia de los metales y las aleaciones.

13

Unidad 1
Con frecuencia se pueden crear en forma intencional los defectos para obtener determinado conjunto de propiedades electrnicas, pticas y mecnicas.

1.3.1 DEFECTOS PUNTUALES.

Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos que, si no fuera por ellos, seran perfectos en una estructura cristalina. Aun cuando se les llama defectos puntuales, la alteracin afecta una regin donde intervienen varios tomos o iones. Estas imperfecciones se muestran en la figura 4-1 y se puede introducir por el movimiento de los tomos o iones al aumentar la energa por calentamiento durante el procesamiento del material, por introduccin de impurezas o por dopaje. a) b) c) d) e) f) Vacancia tomo intersticial tomo de sustitucin pequeo tomo de sustitucin grande Defecto de Frenkel Defecto de schottky

Un defecto puntual implica en general a uno o un par de tomos o iones y en consecuencia, es distinto de los defectos extendidos, como dislocaciones, limites de grano, etc. Vacancias se produce cuando falta un tomo o un ion en su sitio normal de la estructura cristalina como en la figura 4-1 a). Cuando faltan tomos o iones, es decir, cuando hay vacancias, aumenta el desorden normal o entropa del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Las vacancias se introducen a los metales y aleaciones durante la solidificacin, a temperaturas elevadas o como consecuencia de daos por radiacin. Las vacancias desempean un papel importante en la determinacin de la rapidez con que se puede mover los tomos o los iones, es decir, difundirse, en un material slido, en especial en los metales puros. Defectos intersticiales. Se forman cuando se inserta un tomo o ion adicional en estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada.

14

Unidad 1
Defecto sustitucional. Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo o ion es situado con un tipo distinto de tomo o ion. Los tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Los semiconductores que no contienen concentraciones apreciables de dopantes o impurezas se llaman semiconductores intrnsecos. Los semiconductores extrnsecos son los que contienen dopantes o impurezas. Defecto puntual autointerstical. Se crea cuando un tomo idntico a los puntos de red esta en una posicin intersticial. Es ms probable encontrar estos defectos en estructuras cristalinas que tienen bajo factor de empaquetamiento. Un defecto o par de Frenkel es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y deja atrs una vacancia. Un defecto Schottky es exclusivo de los materiales inicos y suele encontrarse en muchos materiales cermicos.

1.3.2. DISLOCACIONES
Son imperfecciones lineales en un cristal, se suelen introducir en el cristal durante la solidificacin del material o cuando el material se deforma permanentemente. Aunque en todos los materiales incluyendo cermicos y polmeros, hay dislocaciones, son especialmente tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento de los materiales metlicos. Se pueden identificar 3 clases de dislocaciones: de tornillo, de borde y mixta. Dislocaciones de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto y a continuacin, torcindose el cristal una distancia atmica. Si se sigue un plano cristalogrfico durante una revolucin respecto al eje de torcimiento del cristal, comenzando en el punto x y recorriendo distancias interatmicas iguales en cada direccin, se termina una distancia atmica debajo del punto de partida (el punto y).

15

Unidad 1

a) Se corta y se ranura una distancia atmica (b) y (c). la lnea a lo largo de la cual se hace el corte es una dislocacin de tornillo. Se requiere un vector de Burgers b para cerrar un ciclo de distancias atmicas iguales en torno a la dislocacin de un tornillo. Dislocaciones de borde o arista se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de tomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocacin de borde.

El cristal perfecto en (a) se corta se intercala un plano adicional de tomos (b). El borde inferior del plano adicional es una dislocacin de borde (c). Dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y de tornillo, con una reaccin de transicin entre ellas. Dislocacin mixta. La dislocacin de tornillo en la cara frontal del cristal cambia de forma gradual a dislocacin de borde en el lado del cristal.

16

Unidad 1
Bibliografa Ciencia e Ingeniera de Los Materiales Donald R. Askeland / Pradeep P. Phul Cuarta edicin. Cengage Learning

17