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6.3 Semiconductores extrnsecos Aquel semiconductor sin defectos cristalinos pero con impurezas aadidas (semiconductor dopado)
Tipos de impurezas: Dadoras: Aquellas impurezas con 1 electrn de ms en la ltima capa. Ejemplo: Si (3s2, 3p2) dopado con As (4s2, 4p3)
Aceptoras: Aquellas impurezas con 1 electrn de menos en la ltima capa. Ejemplo: Si (3s2, 3p2) dopado con Ga (4s2, 4p1)
Fundamentos Fsicos de la Informtica Carmen Martnez Toms y Nuria Garro Curs 2009-2010
TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos Tipos de semiconductores extrnsecos: Tipo n:
Estn dopados con impurezas dadoras Llamaremos a la concentracin de impurezas Nd Hay ms electrones que huecos, luego n >> p Los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos minoritarios Estn dopados con impurezas aceptoras Llamaremos a la concentracin de impurezas Na Hay ms huecos que electrones, luego n << p Los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones minoritarios
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Tipo p:
TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos Tipos de semiconductores extrnsecos:
Tipo compensado:
Estn dopados con impurezas dadoras y aceptoras Si Nd > Na entonces n > p Si Nd < Na entonces n < p
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
EF NO ESTA EN EL CENTRO DE Eg! 6.3 Semiconductores extrnsecos Concentracin de portadores:
Mismas expresiones:
Semic.tipo N:
Semic.tipo P:
ED EF
EF
EV
EV nh BV
EA
nh BV
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza dadora: As(4s2, 4p3) CON POCA ENERGIA SE GENERAN e- MOVILES Punto de vista enlaces: sin necesidad de romper enlace
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza dadora: As(4s2, 4p3)
CON POCA ENERGIA SE GENERAN e- MOVILES Punto de vista enlaces: sin necesidad de romper enlace Punto de vista bandas: nivel extra ED cerca de la banda de conduccin:
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza aceptora: Ga (4s2, 4p1) Enlaces: enlace libre (hueco) sin necesidad de generar e
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza aceptora: Ga (4s2, 4p1) Enlaces: enlace libre (hueco) sin necesidad de generar e
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.4 Ionizacin de impurezas (= semic. intrnsecos) Agitacin trmica: rompe enlaces ioniza impurezas (NUEVO, extrnsecos!) Semic.tipo N: Semic.tipo P:
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.4 Ionizacin de impurezas Aproximacin a T 300 K:
depende fuertemente de T
Semiconductores tipo N: casi todas las impurezas se han ionizado (electrn extra) muy pocos enlaces se han roto (pocas parejas e- / h+) los electrones provienen casi todos de las impurezas Semiconductores tipo P: casi todas las impurezas se han ionizado (hueco extra) muy pocos enlaces se han roto (pocas parejas e- / h+)
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.4 Ionizacin de impurezas Aproximacin a T >> 300 K:
Semiconductores tipo N:
todas las impurezas se han ionizado muchos enlaces se han roto (muchas parejas e- / h+) de las impurezas de los enlaces rotos
Semiconductores tipo P:
todas las impurezas se han ionizado muchos enlaces se han roto (muchas parejas e- / h+) de las impurezas de los enlaces rotos
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.4 Ionizacin de impurezas Silicio dopado con fsforo:
p = ni2/n
e- de impurezas ionizadas
e- enlaces
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TEMA 6: SEMICONDUCTORES
APPLETS DE SEMICONDUCTORES
http://cpi.ing.uc.edu.ve/Electronica/capitulo1/default.htm
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