SEMICONDUCTOR

Sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El elemento semiconductor ms usado es el Silicio, el segundo el Germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el Azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. RESEA HISTORICA La historia de los semiconductores comienza en su utilizacin con fines tcnicos, se utilizaron como pequeos detectores diodos y se emplearon a principios del siglo XX, en los radioreceptores de esa poca. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, realiz un descubrimiento que se basaba en que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. En 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell y Walter Houser Brattain, junto a John Bardeen, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. Algunos semiconductores, como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esta propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en Electrnica Digital, entre otras. La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la [[conductividad] fila 1, celda 2]. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su fila 1, celda 2temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta. Podemos decir que la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando diferentes mtodos como: Elevacin de su temperatura Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminacin. TIPOS DE SEMICONDUCTORES Semiconductores intrnsecos Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica similar a la del Carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la Banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni es igual a n es igual a p Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y es en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una Valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un Enlace con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una Carga elctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IV A de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo IIIA de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los [[portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de Boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. APLICACIONES Actualmente se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos, haciendo uso de sus propiedades de transporte, algunos de estos semiconductores son; Termistores: Su conductividad depende de la temperatura que alcance. Transductores de presin: Cuando aplicamos presin a este tipo de semiconductor, sus tomos se cierran, el gap de energa se estrecha y esto conlleva a que su conductividad aumente considerablemente. Rectificadores (dispositivos de unin del tipo p-n): se producen uniendo los semiconductores del tipo n y p, formando una unin del tipo p-n, cundo ocurre esto los electrones se concentran en la unin del tipo n y los huecos en la unin p, este desequilibrio electrnico crea un voltaje mediante la unin. Transistores de unin bipolar: este transistor se utiliza como interruptor o amplificador, por lo general se utiliza en unidades de procesamiento central de las computadoras por la eficiencia en dar una respuesta rpida a la conmutacin. Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente para almacenar informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de unin bipolar.

SUPERCONDUCTIVIDAD
Capacidad intrnseca que poseen ciertos materiales para conducir corriente elctrica con resistencia y prdida de energa cercanas a cero en determinadas condiciones. La superconductividad es una fase de ciertos materiales que se da normalmente a bajas temperaturas. No obstante no es suficiente con enfriar, tambin es necesario no exceder una corriente crtica ni un campo magntico crtico para mantener el estado superconductor. Esta propiedad fue descubierta en 1911 por el fsico holands Heike Kamerlingh Onnes, cuando observ que la resistencia elctrica del mercurio desapareca cuando se lo enfriaba a 4 Kelvin. RESEA HISTRICA La superconductividad fue descubierta en 1911 por el fsico holands Heike Kamerlingh Onnes, que observ que el mercurio no presentaba resistencia elctrica por debajo de 4,2 K (-269 C). El fenmeno no se empez a entender hasta que, en 1933, los alemanes Karl W. Meissner y R. Ochsenfeld detectaron un acusado diamagnetismo en un superconductor. Sin embargo, los principios fsicos de la superconductividad no se comprendieron hasta 1957, cuando los fsicos estadounidenses John Bardeen, Leon N. Cooper y John R. Schrieffer propusieron una teora que ahora se conoce como teora BCS por las inciales de sus apellidos, y por la que sus autores recibieron el Premio Nobel de Fsica en1972. La teora BCS describe la superconductividad como un fenmeno cuntico, en el que los electrones de conduccin se desplazan en pares, que no muestran resistencia elctrica. Esta teora explicaba satisfactoriamente la superconduccin a altas temperaturas en los metales, pero no en los materiales cermicos. En 1962, el fsico britnico Brian Josephson estudi la naturaleza cuntica de la superconductividad y predijo la existencia de oscilaciones en la corriente elctrica que fluye a travs de dos superconductores separados por una delgada capa aislante en un campo elctrico o magntico. Este fenmeno, conocido como efecto Josephson, fue posteriormente confirmado experimentalmente La superconductividad es un fenmeno que presentan algunos conductores que no ofrecen resistencia al flujo de corriente elctrica Los superconductores tambin presentan un acusado diamagnetismo, es decir, son repelidos por los campos magnticos. La superconductividad slo se manifiesta por debajo de una determinada temperatura crtica Tc y un campo magntico crtico Hc, que dependen del material utilizado. Antes de 1986, el valor ms elevado de Tc que se conoca era de 23,2 K (-249,95 C), en determinados compuestos deniobio-germanio. Para alcanzar temperaturas tan bajas se empleaba helio lquido, un refrigerante caro y poco eficaz. La necesidad de temperaturas tan reducidas limita mucho la eficiencia global de una mquina con elementos superconductores, por lo que no se consideraba prctico el funcionamiento a gran escala de estas mquinas. Sin embargo, en 1986, los descubrimientos llevados a cabo en varias universidades y centros de investigacin comenzaron a cambiar radicalmente la situacin. Se descubri que algunos compuestos cermicos de xidos metlicos que contenan lantnidos eran superconductores a temperaturas suficientemente elevadas como para poder usar nitrgeno lquido como refrigerante. Como el nitrgeno lquido, cuya temperatura es de 77 K (-196 C), enfra con una eficacia 20 veces mayor que el helio lquido y un precio 10 veces menor, muchas aplicaciones potenciales empezaron a parecer econmicamente viables. En 1987 se revel que la frmula de uno de estos compuestos superconductores, con una Tc de 94 K (-179 C), era (Y0,6Ba0,4)2CuO4. Desde entonces se ha demostrado que los lantnidos no son un componente esencial, ya que en 1988 se descubri un xido de cobre y talio-bario-calcio con una Tc de 125 K (-148 C). Comportamiento elctrico. La aparicin del superdiamagnetismo es debida a la capacidad del material de crear supercorrientes. stas son corrientes de electrones que no disipan energa, de manera que se pueden mantener eternamente sin obedecer el Efecto Joule de prdida de energa por generacin de calor. Las corrientes crean el intenso campo magntico necesario para sustentar el efecto Meissner. Estas mismas corrientes permiten transmitir energa sin gasto energtico, lo que representa el efecto ms espectacular de este tipo de materiales. Debido a que la cantidad de electrones superconductores es finita, la cantidad de corriente que puede soportar el material es limitada. Por tanto, existe una corriente crtica a partir de la cual el material deja de ser superconductor y comienza a disipar energa. En los superconductores de tipo II, la aparicin de fluxones provoca que, incluso para corrientes inferiores a la crtica, se detecte una cierta disipacin de energa debida al choque de los vrtices con los tomos de la red. Comportamiento magntico. Aunque la propiedad ms sobresaliente de los superconductores es la ausencia de resistencia, lo cierto es que no podemos decir que se trate de un material de conductividad infinita, ya que este tipo de material por s slo no tiene sentido termodinmico. En realidad un material superconductor es un diamagntico perfecto. Esto hace que no permita que penetre el campo, lo que se conoce como efecto Meissner. Hay dos tipos de superconductores. Los de Tipo I no permiten en absoluto que penetre un campo magntico externo. Esto conlleva un esfuerzo energtico alto, con lo que la mayora de materiales reales se

transforman en el segundo tipo. Los de tipo II son superconductores imperfectos, en el sentido en que el campo realmente penetra a travs de pequeas canalizaciones denominadas vrtices de Abrikosov, o fluxones. Estos dos tipos de superconductores son de hecho dos fases diferentes que fueron predichas por Lev Davidovich Landau y Aleksey Aleksyevich Abriksov. Cuando a un superconductor aplicamos un campo magntico externo dbil lo repele perfectamente. Si lo aumentamos, el sistema se vuelve inestable y prefiere introducir vrtices para disminuir su energa. stos van aumentando en nmero colocndose en redes de vrtices que pueden ser observados mediante tcnicas adecuadas. Cuando el campo es suficientemente alto, el nmero de defectos es tan alto que el material deja de ser superconductor. ste es el campo crtico que hace que un material deje de ser superconductor y que depende de la temperatura. APLICACIONES Por su ausencia de resistencia, los superconductores se han utilizado para fabricar electroimanes que generan campos magnticos intensos sin prdidas de energa. Los imanes superconductores se han utilizado en estudios de materiales y en la construccin de potentes aceleradores de partculas. Aprovechando los efectos cunticos de la superconductividad se han desarrollado dispositivos que miden la corriente elctrica, la tensin y el campo magntico con una sensibilidad sin precedentes. El descubrimiento de mejores compuestos semiconductores es un paso significativo hacia una gama mayor de aplicaciones, entre ellas computadoras ms rpidas y con mayor capacidad de memoria, reactores de fusin nuclear en los que el plasma se mantenga confinado por campos magnticos, trenes de levitacin magntica de alta velocidad y, tal vez lo ms importante, una generacin y transmisin ms eficiente de la energa elctrica. El Premio Nobel de Fsica de 1987 se concedi al fsico alemn J. Georg Bednorz y al fsico suizo K. Alex Mueller por su trabajo sobre la superconductividad a altas temperaturas.