Electrnica de Potencia Aplicada

Unidad I 1.-Semiconductores de potencia. 1.1. Diodos de potencia. 1.1.1 Caractersticas y parmetros. 1.1.2 Rectificadores monofsicos y polifsicos. 1.1.3 Aplicaciones industriales. 1.1.4 Alimentacin de motores de c.c. 1.2. Transistores de potencia. 1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT). 1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS). 1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). 1.2.4 Caractersticas y parmetros. 1.3. Aplicaciones en mquinas elctricas. 1.4. Circuitos de control hbridos (Electrnicoselectromecnicos).

Que es un semiconductor?

Semiconductor Intrnseco Extrnseco.

I.E.S.MIGUEL HERNNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Semiconductor extrnseco: TIPO N

Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb +

Sb: antimonio

Si

Si

Si

Impurezas grupo V

Impurezas del grupo V de la tabla peridica Es necesaria muy poca energa para ionizar el tomo de Sb
Sb +

300K

Si

Sb Si +

Si

Electrones libres

tomos de impurezas ionizados

Si

Si

Si

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son Electrones libres

Semiconductor extrnseco: TIPO P

Al Al Al Al Al Al Al Al Al Al Al Al Al -

Al -

Al: aluminio

Si

Si

Si

Impurezas del grupo III de la tabla peridica

Al -

Al -

300K

Si +

Al Si

Si

Es necesaria muy poca energa para ionizar el tomo de Al Huecos

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

libres

tomos de impurezas ionizados

Si

Si

Si

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actan como portadores de carga positiva.

Semiconductores. La unin PN: el DIODO.

I.E.S.MIGUEL HERNNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

+ +

+ +

+ + + +

+ + + + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N
Zona de transicin
+ + + + + + + + + + + + + + + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada zona de transicin, que acta como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

Semiconductores. La unin PN: el DIODO.

I.E.S.MIGUEL HERNNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

La unin P-N polarizada inversamente

+ +

+ +

+ + + +

+ + + + +

N
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay circulacin de corriente.

La unin P-N polarizada en directa La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensin directa. P N

+ +

+ +

+ + + +

+ + + + +

DIODO SEMICONDUCTOR

Conclusiones: Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente. Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de corriente elctrica

Semiconductor

Diodos de potencia
Caractersticas estticas Parmetros en bloqueo. Parmetros en conduccin. Modelos estticos de diodo. Caractersticas dinmicas Tiempo de recuperacin inverso. Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo. Disipacin de potencia Potencia mxima disipable (Pmx). Potencia media disipada (PAV). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM). Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM). Caractersticas trmicas Temperatura de la unin (Tjmx). Temperatura de almacenamiento (Tstg). Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc). Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd).

Diodos de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

Caractersticas Estticas
Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Caractersticas Estticas
Parmetros en conduccin Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Modelos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa.

Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin Inverso El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin Inverso ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Caractersticas Dinmicas

Tiempo de recuperacin Inverso Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. Irr: es el pico negativo de la intensidad.

Caractersticas Dinmicas

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

Caractersticas Trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx) Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Caractersticas Trmicas
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).

Caractersticas fundamentales Tensin de ruptura

Cada de tensin en conduccin

Corriente mxima Velocidad de conmutacin

Tensin de ruptura

DIODOS DE POTENCIA

Baja tensin 15 V 30 V 45 V

Media tensin 100 V 150 V 200 V

Alta tensin 500 V 600 V 800 V

55 V
60 V 80 V

400 V

1000 V
1200 V

Tensin de codo

i
Curva caracterstica real

pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal VRuptura VCodo < 100 V 0,7 V Potencia 200 1000 V <2V Alta tensin 10 20 kV >8V

Datos del diodo en corte

Tensin inversa VRRM

Repetitive Peak Voltage

DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica

Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo

Datos del diodo en conduccin Corriente directa IF Corriente directa de pico repetitivo IFRM
Forward Current Repetitive Peak Forward Current

DIODOS DE POTENCIA

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est atornillado a un radiador

Caractersticas dinmicas Indican capacidad de conmutacin del diodo

R a V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2 i
V1/R

i + V t

Transicin de a a b

Comportamiento dinmicamente ideal

V
-V2

Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R a
V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2

i +
V

V1/R

trr
ts -V2/R

t
tf (i= -0,1V2/R)

V
-V2

ts = tiempo de almacenamiento (storage time )

tf = tiempo de cada (fall time ) trr = tiempo de recuperacin inversa (reverse recovery time )

Caractersticas dinmicas

Transicin de b a a (encendido) El proceso de encendido es ms rpido que el apagado.

R a

V1
DIODOS DE POTENCIA 0,9V1/R 0,1V1/R

b V2 i

i +
V -

td

tr

td = tiempo de retraso (delay time ) tr = tiempo de subida (rise time ) tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )

tfr

Caractersticas dinmicas

DIODOS DE POTENCIA

Caractersticas Principales

Corriente directa Tensin inversa Tiempo de recuperacin Cada de tensin en conduccin

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado

Tiempo de recuperacin en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del estado de corte al estado de conduccin. El tiempo que tarda en conmutar se llama : TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA Los diodos se pueden clasificar en funcin de su tiempo de recuperacin:

DIODOS DE POTENCIA

Tipos de diodos Se clasifican en funcin de la rapidez (trr) VRRM Standard Fast Ultra Fast Schottky 100 V - 600 V 100 V - 1000 V 200 V - 800 V 15 V - 150 V IF 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 150 A trr > 1 s 100 ns 500 ns 20 ns 100 ns < 2 ns

DIODOS DE POTENCIA

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com

Aplicaciones:
DIODOS DE GAMA MEDIA: Fuentes de alimentacin Soldadores

DIODOS RPIDOS

Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica

Convertidores CD CA

DIODOS DE POTENCIA

DIODOS SCHOTTKY Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes

Calculo de parmetros en los diodos

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo : Tambin

DIODOS DE POTENCIA

Se puede apreciar que en a ecuacin 2.10 y 2.11 que el tiempo de recuperacin inversa trr y la corriente pico de recuperacin inversa IRR dependen de la carga de almacenamiento QRR y de la di/dt inversa (o reaplicada). La carga de almacenamiento depende de la corriente de diodo en sentido directo IF. La corriente de pico de recuperacin inversa IRR, la carga en sentido inverso QRR y el FS (factor de suavidad) tienen interes para el diseador del circuito

Calculo de corriente de recuperacin inversa

Ejemplo: El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es Trr=3 s y la velocidad de cada de la corriente por el diodo es de di/dt =30 A/s. Determinar: a) La carga QRR de almacenamiento b).- La corriente pico en sentido inverso IRR. c).- Realiza nuevamente los clculos si Trr=1.5s

Diodos conectados en serie

En ocasiones se tienen dos diodos con voltajes inversos diferentes con los cuales se necesitan conectar en serie debido a que uno solo no ofrece la capacidad de voltaje inverso al cual ser conectado.

Diodos conectados en serie

Para igualar las caractersticas de los diodos se debe de realizar la siguiente configuracin, la cual nos permitir acoplar sus caractersticas
De la cual se cumple la siguiente ecuacin

Ejemplo
Se conectan dos diodos en serie, como se ve en la figura, para compartir un voltaje total de cd en sentido inverso de 5KV. La corriente de fuga inversa de los diodos son 1 = 30 e 2 = 35. Determinar: a).- Los voltajes de diodo, si las resistencias de voltaje compartido son iguales a 1 = 2 = 100 . b).- Determinar las resistencias de voltaje compartido 1 2 para que los voltajes en los diodos sean iguales 1 = 2 = 2 . c).- Usar Pspice para comprobar los resultados de la parte a). Los parmetros del modelo Pspice de los diodos son BV = 3kV a IS = 30mA para el diodo 1 , e IS=35 mA para el diodo 2 .