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Circuitos integrados elementales

CIRCUITOS INTEGRADOS ELEMENTALES


Tecnologías de integración monolítica
Introducción. Procesos planares
Fabricación de un transistor npn
Fases de realización de un N-MOS
Otros dispositivos y componentes integrados

Amplificadores multietapa
Etapas acopladas en alterna y en continua
Esbozo de análisis del acoplo RC
Pares integrados. Darlington. Cascodo

Amplificadores diferenciales
El par acoplado por emisor. Análisis DC
Características de transferencia. Análisis AC
Modos común y diferencial. CMRR
Fuente de corriente de emisores
Diferenciales con FET's

El amplificador operacional
AO's ideales y reales. C. de transferencia
Análisis de circuitos con AO's
Amplificador inversor y no inversor
Aplicaciones elementales
Cálculo analógico con AO's

ELECTRÓNICA BÁSICA I.0


Circuitos Integrados Elementales

Introducción
Circuito integrado: Conjunto de elementos
activos y pasivos interconectados y contenidos
en un único cristal de semiconductor

Aluminio
S C2 E2 B2 B1 E1 C1
SiO2

n+ n+ n+ n+ n+
p p p
n n n

substrato p

Aislante p+

VCC

R
C1
C2

Q1 Q2

E1 E2

¾ Dimensiones del orden de mm2


¾ Integran miles de componentes
¾ Bajo coste
¾ Fiabilidad
¾ Repetitividad
¾ Misma variación con la temperatura
ELECTRÓNICA BÁSICA I.1
Circuitos Integrados Elementales

Procesos planares (I)

ƒ Crecimiento y corte del cristal de Si en obleas.


10 cm

200-300 mic

ƒ Crecimiento epitaxial de una capa de Si con


diferente nivel de impurezas a partir de la reducción
de ciertos gases
5-25 µm SiCl 4 + 2 H 2 ⇒ Si + 4 HCl
SiH 4 ⇒ Si + 2 H 2

Silano

ƒ Oxidación: Crecimiento de una capa superficial


de SiO2 0.02-2 µm
Si + 2 H 2O ⇒ SiO2 + 2 H 2

ƒ Fotolitografía
máscara fotoresina

ELECTRÓNICA BÁSICA I.2


Circuitos Integrados Elementales

Procesos planares (II)


ƒ Difusión. log N (cm-3)

1021

1018

Fósforo: para tipo n 1016 0,7


Boro: para tipo p
x ( m)

ƒ Implantación iónica

30-200 KeV

Mayor capacidad de
integración

ƒ Metalización
+ fotolitografía
+ ataque químico ⇒
Aluminio

ELECTRÓNICA BÁSICA I.3


Circuitos Integrados Elementales

Fabricación de transistores npn


ƒ Crecimiento ƒ Apertura de ventanas
epitaxial y oxidación para difusión de
aislamiento
SiO2

Capa n epitaxial

substrato p aislamiento p+
Capas n+
enterradas

ƒ Difusión de la base ƒ Difusión del emisor

n+ n+
p p

p p

ƒ Metalización
C1
Aluminio C2
C2 E2 B2 C1 B1 E1

E1 B1 B2 E2

ELECTRÓNICA BÁSICA I.4


Circuitos Integrados Elementales

Otros transistores bipolares


Transistor lateral Transistor vertical
B C E E B E C
n+ p p n+ p+
p p
n n
substrato p substrato p

Transistor con multiples emisores


C E1 E2 E3 B
C
B n+ n+ n+ n+
p
n
E1 p
E2 E3

Contactos de Contacto de la
Contacto del los emisores base
colector
E1
C
B
E2
aislamiento

E3
Transistor Schottky
C C
C E1 E2 E3 B

n+ n+ n+ B
B n+
p
n
E1E2
p E1
E3 E2 E3

ELECTRÓNICA BÁSICA I.5


Circuitos Integrados Elementales

Fabricación de transistores N-MOS

ƒ Implantación de capa p+ ƒ Ataque selectivo del Si3N4


y crecimiento de capa de y crecimiento de una capa
óxido grueso. delgada de óxido.
Óxido de campo
SiO2 Si3N4 Oxido de puerta

p p+

ƒ Deposición de la ƒ Vista superior


puerta de polisilicio
Poly

L
ƒ Implantación fuente y ("self-alignment")
drenador + Metalización

B S G D Aislante

n+ n+

ELECTRÓNICA BÁSICA I.6


Circuitos Integrados Elementales

Otros dispositivos integrados


Diodos
1 2 1 2 1 2

n+ n+ n+ n+ n+
p p p
p+ n p+ n p+ n p+
p p p

2 2 1

1 1 2

Diodo Schottky (metal-semiconductor)


1 Al 2

n+ SiO2 2
1
substrato n

substrato p

Resitencias
resistencia p n
p
p+ región de aislamiento n p+ p+ región de aislamiento n p+
substrato p substrato p

Resistencia variable por tensión


(diodo de efecto de campo)

ELECTRÓNICA BÁSICA I.7


Circuitos Integrados Elementales

Otros dispositvos (II)


Capacidad de unión
C2 ≈ 0.2 pF/mil2
B metaliza B A
ción
A SiO
J2 2
J2 R=10-50
p Ohm
n+ (parásita)
J1 n
substra J1
to p C1

substrato
Capacidad MOS
B metaliz
ación C≈4 10-4 pF/mic2
A B A

n+ R=5-10
n SiO2 Ohm
substra
to p
J1 C1
J1

Circuitos integrados

¾Baratos
¾Tamaño reducido
¾Fiables
¾10 Ohm≤R≤50kOhm; C≤200pF
¾No incluyen inductancias
¾Respuesta en frecuencia limitada

ELECTRÓNICA BÁSICA I.8


Circuitos Integrados Elementales

Amplificadores multietapa (I)

¾Permiten aumentar las prestaciones con


respecto a la utilización de una sola etapa

Acoplo RC
VCC

Acoplo continua

¾ Más complejos de analizar


¾ Amplifican a baja frecuencia
¾ Integrables
¾ Bien diseñados son más
estables con la temperatura

ELECTRÓNICA BÁSICA I.9


Circuitos Integrados Elementales

Amplificadores multietapa (II)


vi,1 vO,1=vi,2 vO,N-1=vi,N vO,N
iL
RS i1
iO,1i2 iO,2 iN
Etapa 1

Etapa 2

Etapa n
RL
vs

Equivalente Thèvenin etapa k

Ro,k-1
ATH , k −1

 m = k −1 
Etapa k
Ri , m

∏  ()

Ri,k+1
AVm
 R + R  vs
 m =1 i , m o , m − 1 
(Ro,0 = RS )
AV,m:Ganancia de tensión de la etapa m cuando se
carga con impedancia infinita.

vo, i vo,n RL
AV ,i = AV = = ATH , N
vi , i ii +1 = 0 vS RL + Ro,n

Ri,k+1: Impedancia de entrada a la etapa k+1.


Ro,k-1: Impedancia a la salida de la etapa k-1.

vi , k + 1 vo,k −1 generadores
Ri ,k +1 = Ro,k −1 =
ii ,k +1 io,k −1 independientes = 0
Ri ,k = ∞
ELECTRÓNICA BÁSICA I.10
Circuitos Integrados Elementales

Etapas compuestas
Configuración CC-CC Configuración CC-CE
(Darlington)

C IC VCC C

B
Q1 B Q1
IB
Q2 Q2

E E

¾ IC ≈ β 2IB
¾ ICO,T ≈ β ICO
¾ rO(CC-CE) > rO(CC-CC)
¾CC-CE mejor respuesta en frecuencia que CC-CC
Configuración cascodo (CE-CB)

¾ Igual ganancia en tensión


que la configuración en
emisor común
RS RC
¾ Respuesta en alta
VS frecuencia mejorada

ELECTRÓNICA BÁSICA I.11


Circuitos Integrados Elementales

EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
+VCC
RC RC Amplificador de contínua
2 entradas y 2 salidas
vO1 vO2 Condiciones:
T1 T2
T1, T2 iguales (CI's)
vI1 vI2
circuito simétrico
IEE Req
T1,T2 en activa
-VEE

Análisis
(transistores idénticos, fuente de corriente ideal)

v  α F I EE
iC 1 ≈ α F I ES exp BE 1  iC 1 ≈
 VT   v − vI 2 
1 + exp − I 1 
 VT 
v 
iC 2 ≈ α F I ES exp BE 2 
 VT 
α F I EE
iE 1 + iE 2 + I EE = 0 iC 2 ≈
 v − vI 2 
iI 1 − iBE 1 = v12 − vBE 2 1 + exp − I 1 
 VT 

iC1 , iC2 , vO1 , vO2 y vOD = v O1 - vO2

sólo dependen de la DIFERENCIA vD = vI1 - vI2

ELECTRÓNICA BÁSICA I.12


Circuitos Integrados Elementales

Característica de transferencia
FIEE
iC2 iC1

FIEE Pendiente en la zona lineal:


2
iC α I
= gm = F EE
0 vD 4 kT / e
VCC v01

v02 VCC- FIEERC


0
v0=
v01-v02
-VCC vD=vI1-vI2
0
4kT/e
ZONA LINEAL
v01 α I R
= gm Rc = F EE C ganancia controlable con IEE
vD 4kT / e

Aplicaciones
INTERRUPTOR (circuitos digitales)
Circuitos ECL: muy rápidos
AMPLIFICADOR (circuitos analógicos)
Zona lineal extensa
Buen comportamiento en alta frecuencia
Etapa entrada OPAMPS
ELECTRÓNICA BÁSICA I.13
Circuitos Integrados Elementales

Análisis en pequeña señal


En la región lineal, TRT's en activa

Ib1 Vod
Vo1 Vo2 Ib2

Vi1 hie RC RC hie Vi2


hfeIb1 hfeIb2

Req

CAMBIO DE VARIABLE
Vi1= Vc+Vd/2 Vi2= Vc-Vd/2
Vox= f (Vi1,Vi2 ) = parte parte =
diferencial común
Vd= Vi1-Vi2 V +V
Vc= i1 i2
2

CIRCUITO LINEAL
= f (Vc+Vd / 2,Vc-Vd/2) = =
superposición
modo
común
CIRCUITO LINEAL
= f(Vc ,Vc) + f(Vd/2,-Vd/2) = régimen senoidal permanente =
modo
diferencial
= AcVc + AdVd
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL SI Ad>>Ac
Cifra de mérito: FACTOR DE RECHAZO AL MODO COMÚN
Ad
CMRR(dB) = 20 log
Ac
ELECTRÓNICA BÁSICA I.14
Circuitos Integrados Elementales

Respuesta al modo común

Vod
Ib1 Vo1 Vo2 Ib2

Vc hie RC RC hie Vc
hfeIb1 hfeIb2

2Req 2Req

por simetría, no puede circular corriente


por esa rama (teorema de BARTLETT)
el circuito queda dividido en dos partes IDÉNTICAS

Respuesta al modo diferencial

Ib1 Vod
Vo1 Vo2 Ib2

Vd/2 hie RC RC hie -Vd/2


hfeIb1 hfeIb2

Req

por simetría, el potencial en este punto


es cero (teorema de BARTLETT)
el circuito queda dividido en dos partes IDÉNTICAS
ELECTRÓNICA BÁSICA I.15
Circuitos Integrados Elementales

Respuesta total

común diferencial
-hfeRC -hfeRC
Vo1 = Vc + Vd
hie+(1+hfe)2Req 2hie
-hfeRC hfeRC
Vo2 = Vc + Vd
hie+(1+hfe)2Req 2hie
-hfeRC
Vod = 0 Vc + Vd
hie
Vc Vd
Ib1 = +
hie+(1+hfe)2Req 2hie
Vc -Vd
Ib2 = +
hie+(1+hfe)2Req 2hie

SALIDA: ASIMÉTRICA DIFERENCIAL


hie + 2(h fe + 1)Req
CMRR = ≅ g m Req → ∞
2hie

SE REQUIEREN FUENTES DE CORRIENTE DE


ALTA IMPEDANCIA
ELECTRÓNICA BÁSICA I.16
Circuitos Integrados Elementales

Fuente de corriente en emisor


Resistencia
VEE-VBE
Continua: IEE=
RE RE
acoplados
-VEE Alterna: Req=RE

Fuente con transistor


Continua (T3 en activa):
β»1; R3(1+β )»RB
R1
T3
VB − VBE V − VBE
I EE = β≈ B
R3 R2 RB + R3 (β + 1) R3
VEE R2 R1 R2
VB = RB =
R1 + R2 R1 + R2
-VEE
Alterna

Para un mismo valor de IEE −1  R3 


el transistor proporciona Req = R3 // (hie + RB ) + hoe  1 + h fe 
mejor CMRR  RB + hie 

Diferencial con FET 's +

Para alta impedancia de entrada

ELECTRÓNICA BÁSICA - I.17


Circuitos Integrados Elementales

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Amplificador operacional ideal
Amplificador diferencial de
+VCC continua,
con:
v- - • Ganancia diferencial infinita
vD vO
v+ + • Rechazo al modo común infinito
• Impedancia de entrada infinita
-VCC (corrientes de entrada nulas)
• Impedancia de salida nula

Amplificador operacional real


características tipo LF411
Ad (dB)>88
v- Ro +VCC N
11C 26
LF4 ≈ 89 CMRR(dB)>70
Ri NS
C

v+ vO Rin >1012 ohm


AdvD
-VCC +AcvC Ii < 0.2 nA
Ro< 40 ohm

Característica de transferencia
vO
ideal
+VCC
real PENDIENTE= -Ad

OFFSET
ZONA LINEAL vD

-VCC
ELECTRÓNICA BÁSICA I.18
Circuitos Integrados Elementales

Análisis de circuitos con AO's


i- -
v-
v+
i+ +
Regla 1

La ganancia del operacional es tan grande que una


fracción de mV entre las entradas produce la
saturación de la salida
LA TENSIÓN DIFERENCIAL A LA ENTRADA
ES NULA (CORTOCIRCUITO VIRTUAL)
v+=v-

Regla 2
Las corrientes de entrada al operacional son muy
pequeñas
POR LAS ENTRADAS NO HAY CORRIENTE
(CIRCUITOS ABIERTOS)
i+=i-=0

¿CÓMO FUNCIONA?
La salida actúa sobre la red externa (de
REALIMENTACIÓN) para conseguir tensión
nula a la entrada, pero sólo dispone del margen
entre las tensiones de alimentación

ELECTRÓNICA BÁSICA I.19


Circuitos Integrados Elementales

Amplificador inversor

R2
R1 v- -
vI
vO
v+ +

− R2
v1 − v− v− − vO (no hay corriente por las vO = v
= R1 + R2 I
R1 R2 entradas) R1 +
Ad
vO = Ad (v+ − v− ) = − Ad v− ⇒ v− = − vO / Ad

R2 (cortocircuito o
si Ad → ∞ ⇒ vO = vI y v− → 0
R1 tierra virtual)

Amplificador no inversor
v+
vI +
vO
v- -  R 
vO =  1 + 2 v I
 R1 
R2
R1

Ganancia determinada por elementos de la red


de realimentación

ELECTRÓNICA BÁSICA I.20


Circuitos Integrados Elementales

Aplicaciones elementales (1)


Sumador

R
R1
v1 -
R2 vO
v2 +
RN
vN  R R R 
v O = −  v1 + v 2 + ⋅⋅⋅ +  v N
 R1 R2 RN 

Seguidor
Adaptador ideal en tensión
Zi oo Zo=0
vI +
vO=vI
-

Conversor V-I Conversor I-V

vI + iI R
- vO=-RiI
- ZL
+
R iL=vI/R
Amplificador de Amplificador de
transadmitancia transimpedancia
ELECTRÓNICA BÁSICA I.21
Circuitos Integrados Elementales

Aplicaciones elementales (2)


Diferenciador
R
C
dv I
vI - vO = − RC
dt
vO
+
Integrador
C
+
vC
- ∫ vO = − vC (t =0 ) −
1 t
∫ v I dt
R RC 0
vI -
vO
+

Aplicación a la resolución de ecs. diferenciales

Función de transferencia en alterna


V
20log o
Vi INTEGRADOR

-20 logf 20 logf

DIFERENCIADOR
logf
Aplicación al filtrado de señales analógicas (filtros activos)
ELECTRÓNICA BÁSICA I.22
Circuitos Integrados Elementales

Aplicaciones elementales (3)


Amplificador logarítmico
kT  v I 
vo = − In + 1 
i e  RI 0 
R
vI - ≈−
kT  v I 
In 
vO e RI
 0
+ ( Si vI » RI0 )

Inconveniente: muy sensible a T a través de I0.


MEJOR:

IR

R kT vI
vI - vO= - ln
e RIR
+

Amplificador exponencial
R

RI o  ev I  
vo = −  exp   − 1
e  kT  
vI -  ev 
≈ − RI o exp  I 
vO  kT 
+
( Si vI » kT/e )

ELECTRÓNICA BÁSICA I.23


Circuitos Integrados Elementales

Cálculo analógico
Multiplicador

sumador

x
log + log(xy)
logx exp
- vO=Cte xy

y logy
log

(Hay otras versiones


más prácticas)

Elevador al cuadrado
x
multiplicador
z z2
x×y
y
Extractor de raíz cuadrada
x
x×y multiplicador
x×y
R2 y − vO = −
R2
vI
R1 R1
vI -
+

ELECTRÓNICA BÁSICA I.24


Circuitos Integrados Elementales

Estructura de los operacionales

ETAPAS NIVEL
ENTRADA SALIDA
GANANCIA CONTINUA

Amplif. Etapas en Seguidor Varias


diferencial emisor de emisor configu-
común aciones

Determina: Determina: Determina: Determina:


CMRR Ganancia Tensión de Z salida
de tensión reposo nula
a la salida Margen
Offset
dinámico
Z entrada
(Darlington, Ganancia
FET) de corriente

ELECTRÓNICA BÁSICA I.25