Conductividad, resistividad, resistencia intrinseca, movilidad en materiales semiconductores intrnsecos

En un metal conductor se tiene J = n q vd , siendo n : nmero de portadores de carga mvil por unidad de volumen o densidad de portador de carga [electrones / cm3 ] q = 1.602 x 10-19 C, carga del electrn

A cm 2 =

electron cm C electron cm 3 s

vd : velocidad promedio o velocidad de arrastre [m/s] , vd =

q E me

: intervalo de tiempo promedio [s]

E : campo elctrico , [ N /C ] , [V/m] m e = 9.109 1031 kg , masa del electrn

n q2 E obtenemos, J = me

definiendo

n q2 = me

: conductividad elctrica, [1 /

m] [ Siemens / metro , S / m ] , medida de la capacidad de un material de dejar pasar la corriente elctrica Una densidad de corriente J presente y un campo elctrico E que se aplica a un conductor cuando se mantiene una diferencia de potencial constante a travs del conductor. J= E

Un parmetro importante que se relaciona con la conductividad es la movilidad . Representa la facilidad con que se puede mover un electrn en presencia de un campo elctrico, E, en el interior de un material y se define por la relacin:

vd = E

en [ m2 / V s ], de manera que :

vd = E

as la densidad de corriente J para los portadores de carga es:

J = q n vd = q n E = E , siendo = q n

n q2 Igualando = me

=nq ,

obtenemos

q me

Los semiconductores intrnsecos son los cristales semiconductores puros. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos

debidos a la energa trmica. En ellos, el nmero de huecos es igual al nmero de electrones y es funcin de la temperatura del cristal.

La conductividad en ellos a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la cantidad de electrones libres (n) es igual a la cantidad de huecos (p) presente en el cristal debido al fenmeno de recombinacin. A una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares electrnhueco, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y la concentracin de huecos p (cargas positivas), se cumple que:

ni = n = p
Siendo la ni concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Al someter al cristal a una diferencia de voltaje, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro lado, la corriente debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos, originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. [4] Teniendo densidades de corrientes para electrones y para huecos.

Jn = q n n E Jp = q p p E

Puesto que en materiales semiconductores intrnsecos los portadores de carga son de dos tipos, electrones que son negativos, cuya concentracin se expresa por n y huecos que son positivos, cuya concentracin se expresa por p. La movilidad para ambos tipos de portadores son diferentes aunque la carga en valor absoluta es la misma. Por esta razn la conductividad en semiconductores se expresa como:

= q(n n + p p )

qn n = me

p =

qp mh

La movilidad es un parmetro importante en el transporte de portadores, ya que expresa cualitativamente la facilidad del movimiento de los electrones frente a la accin de un campo elctrico.

Tabla de distintos semiconductores y movilidades (cm2 / V s) a 300 K

Representacin del efecto en las bandas de y el movimiento de los electrones al aplicar un campo elctrico.

Una caracterstica importante de los materiales semiconductores es que la conductividad aumenta con la temperatura en lugar de disminuir como ocurre a los conductores. Ello es debido a dos efectos en el que uno de ellos es predominante:

(a) De un lado se producen ms choques debido a la temperatura y por tanto debera disminuir la conduccin a consecuencia de la mayor dispersin de los electrones por parte de los iones de la red debido a las mayores vibraciones trmicas.

(b) De otro lado a consecuencia del aumento de energa trmica se liberan ms electrones hacia la BC aumentando la concentracin de portadores, electrones en la BC y huecos en la BV.

Masa efectiva Es diferente el valor de la masa de un electrn me que se mueve libremente en el espacio y el valor de la masa me* de un electrn que se mueve dentro de un slido, ya que el tipo de estructura del slido modifica la fuerza resultante aplicada a un electrn. Si me* < me, la red cristalina hace ligero al electrn. Si me* > me, la red cristalina hace pesado al electrn

Ejemplos 1) La movilidad de los electrones en un semiconductor puro de Arseniuro de Galio (GaAs) es de 8000 (cm2/ V s) y su masa efectiva es de 0.068 me. Cul es el tiempo libre entre los eventos de dispersin?

n =

me

n me
q

(0.8 m 2 / Vs ) (0.068 ) (9.109 x 10 -31 kg ) = 0.309 x 10-12 s 19 (1.602 x 10 C )

2) La concentracin intrnseca de portadores ni de portadores del silicio a 300 K es de 1.6 x 1016 m-3 Calcular la conductividad intrnseca, usando n = 1350 cm2/ V s y p = 480 cm2/ V s

ni = n = p

= q(nn + pp )

= qni (n + p ) = (1.602 x 10-19 C)(1.6 x 1016 m-3 )(0.135 m2/ V s +0.048 m2/ V s ) = 4.69 x 10-4 (1 / 3)
A una barra de germanio (Ge) de 2 cm2 de seccin y 10 cm de longitud, se aplica una diferencia de potencial de 10 V entre sus extremos. (Nota: El campo elctrico E es constante a lo largo de la barra, V = E L) a) Calcular la resistencia de la barra, b) la velocidad de arrastre de huecos y electrones, c) la densidad de corriente de los electrones y huecos, d) densidad de corriente total. Propiedades del germanio. 13 -3 Concentracin intrnseca a 300 K, n i = 2.36 x 10 cm Movilidades, n = 3600 cm2/ V s y p = 1800 cm2/ V s

m)

a) ni = n = p

= q(nn + pp )

= qni (n + p ) = (1.602 x 10-19 C)(2.36 x 1019 m - 3 )(0.36 m2/ V s +0.18 m2/ V s ) = 2.041 (S/m)

=
R=

1
= 0.489 m

L
A

(0.489 m) (0.1 m) = 244.9 (2 x 10 4 m 2 )

b) vn = n E

vp = p E

V=EL

E = V / L = 10 V / 0.1m = 100 V / m vn = n E = (0.36 m2/ V s ) (100 V / m ) = 36 m/s vn = n E = (0.18 m2/ V s ) (100 V / m ) = 18 m/s

c) ni = n = p = 2.36 x 1013 cm-3 Jn = q n vn = (1.602 x 10-19 C) (2.36 x 1019 m - 3) (36 m/s) = 136.1 A/m Jp = q p vp = (1.602 x 10-19 C) (2.36 x 1019 m - 3) (18 m/s) = 68.05 A/m d) J = Jn - Jp = 68.05 A/m