2004 UDC TD GonzalezGerardo

UNIVERSIDADE DA CORUA
DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA Y SISTEMAS

TESIS DOCTORAL

OPTIMIZACIN DE AISLADORES
DE ALTA TENSIN EN EL SENO DE
DISTRIBUCIONES
TRIDIMENSIONALES DE CAMPO
ELCTRICO

GERARDO GONZLEZ FILGUEIRA
DICIEMBRE 2003

UNIVERSIDADE DA CORUA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA Y SISTEMAS

TESIS DOCTORAL:

OPTIMIZACIN DE AISLADORES
DE ALTA TENSIN EN EL SENO DE
DISTRIBUCIONES
TRIDIMENSIONALES DE CAMPO
ELCTRICO
REALIZADA POR
GERARDO GONZLEZ FILGUEIRA
INGENIERO DE TELECOMUNICACIN

PARA LA OBTENCIN DEL TTULO DE DOCTOR EN INFORMTICA
DIRECTOR DE TESIS: JESS . GOMOLLN GARCA
DOCTOR INGENIERO INDUSTRIAL

FERROL, DICIEMBRE 2003
AGRADECIMIENTOS

Sin lugar a dudas uno de los apartados ms difciles de escribir para m es el de
agradecimientos. No pretendo caer en una hipocresa barata, pues para eso no escribira
nada, pero aun a sabiendas de que no voy a ser capaz de incluir a todos los que han
contribuido a la aparicin de esta tesis, pido que el que lea estas lneas y crea que ha
tenido que ver en algo en la presentacin de este trabajo se sienta incluido pues seguro
que por error y no por omisin voluntaria no ha aparecido referenciado.
Mi primera mencin es para mi director de tesis el profesor Dr. Jess . Gomolln
Garca. El sentimiento me impide expresar con palabras lo que l hizo por mi no slo en
el aspecto profesional sino tambin en el personal. Sirva decir simplemente que sin su
decidido apoyo y ayuda estoy completamente convencido de que esta tesis nunca
hubiese visto la luz, lo cual como se comprender no tiene nada de simple.
Mi siguiente recuerdo es para Emilio Santom, compaero donde los haya en todo el
sentido de la palabra, que me sirvi de inestimable ayuda en mis horas ms bajas.
A Miguel Menacho por sus buenos consejos personales y profesionales. Dicen por ah
que nadie aprende por cabeza ajena y yo no iba a ser una excepcin.
A mis compaeros de rea, especialmente a Roberto Prez, Javier Prez y Francisco
Oliver por haberme apoyado econmicamente en un momento de la investigacin.
A mi compaero de asignatura Csar Vidal. Las personas como Csar son un rara avis
en peligro de extincin, pero a mi entender merecen la pena conservarlas ms all del
trabajo.
Al departamento de Ingeniera Industrial por haberme dado la suficiente tranquilidad
durante estos ltimos 4 aos para poder finalizar la tesis.
Al departamento de Electrnica y Sistemas, especialmente al Dr. Jorge Garca Vidal por
facilitarme la labor de convalidacin de los cursos de Doctorado y a mi tutor en el
programa de doctorado Dr. Luis Castedo Ribas por las facilidades brindadas para la
consecucin de la suficiencia investigadora y lectura de esta tesis.
A mis amigos que han seguido las peripecias de esta Historia Interminable y que hoy
parece ms cerca de su final.
A mis padres que actuaron como autnticos sufridores de este trajn.
Y por ltimo a mi hermana, que siempre est ah aunque no se lo pidas y que en
definitiva lo es todo para m. Tampoco podra entenderse la finalizacin de esta obra sin
su decidido apoyo.

La victoria, por mucho que crezca,
no logra recobrar a los muertos.
Jules Romains

"Prefiero permanecer callado y parecer estpido
que abrir la boca y despejar todas las dudas".
Groucho Marx

TRIBUNAL:
Presidente tribunal: Antonio Pastor Gutirrez. Catedrtico de Universidad. rea:
Ingeniera Elctrica (535). Departamento: Ingeniera Elctrica de E.T.S.I.I. U.P.M. e-
mail: apastor@inel.etsii.upm.es

Vocal 1: Fernando Garnacho Vecino. Catedrtico de Escuela Universitaria. rea:
Ingeniera Elctrica (535). Departamento: Ingeniera Elctrica de E.U.I.T.I. U.P.M. e-
mail: fgarnacho@lcoe.etsii.upm.es

Vocal 2: Juan Bautista Arroyo Garca. Titular de Universidad. rea: Ingeniera
Elctrica (535). Departamento: Ingeniera Elctrica. Universidad de Zaragoza. e-mail:
jbarroyo@unizar.es

Vocal 3: Sergio Martnez Gonzlez. Titular de Universidad. rea: Ingeniera Elctrica
(535). Departamento: Ingeniera Elctrica de E.T.S.I.I. U.P.M. e-mail:
smartinez@inel.etsii.upm.es

Secretario tribunal: Luis Castedo Ribas. Catedrtico de Universidad. rea: Teora de la
Seal y Comunicaciones (800). Departamento: Electrnica y Sistemas. Universidad de
A Corua. e-mail: luis@udc.es.

Fecha de Lectura: 13-2-2004.
Centro: Facultad de Informtica. Campus de Elvia s/n. 15071. A Corua.
Calificacin: Sobresaliente Cum Laude.

I
NDICE
Captulo 1 Objetivos y Antecedentes ______________________________________ 1
1.1 Introduccin _________________________________________________________ 1
1.2 Objetivos ____________________________________________________________ 3
1.3 Antecedentes _________________________________________________________ 4
1.3.1 Mtodos de clculo de campos ______________________________________________4
1.3.2 Mtodos de optimizacin___________________________________________________7
1.4 Conclusiones preliminares _____________________________________________ 11
Captulo 2 Mtodos Numricos de Clculo de Campos Elctricos _____________ 13
2.1 Introduccin ________________________________________________________ 13
2.1.1 Consideraciones generales_________________________________________________14
2.1.1.1 Conductores _________________________________________________________15
2.1.1.2 Aisladores ___________________________________________________________15
2.1.1.3 Planteamiento del problema _____________________________________________15
2.1.2 Mtodos numricos de clculo de campos_____________________________________17
2.2 Mtodo de simulacin de cargas (CSM: Charge Simulation Method)__________ 20
2.2.1 Principio bsico _________________________________________________________20
2.2.2 Formulacin de las condiciones de contorno___________________________________22
2.2.2.1 Coeficientes de potencial y de campo elctrico ______________________________22
2.2.2.2 Formulacin numrica de las condiciones de contorno ________________________23
2.2.2.2.1 Electrodos a potencial fijo__________________________________________24
2.2.2.2.2 Electrodos a potencial indeterminado dentro de un nico medio dielctrico ___24
2.2.2.2.3 Superficies dielctricas ____________________________________________25
2.2.3 Construccin del sistema de ecuaciones ______________________________________28
2.2.4 Consideracin del plano de tierra ___________________________________________29
2.2.5 Clculo de potencial y campo ______________________________________________30
2.2.6 Tipos de configuraciones__________________________________________________31
2.2.7 Campos elctricos en sistemas bidimensionales ________________________________31
2.2.8 Campos elctricos en sistemas tridimensionales de revolucin_____________________33
2.2.9 Campos elctricos en sistemas tridimensionales sin simetra axial __________________37
2.2.9.1 Simulacin con varias distribuciones uniformes______________________________39
2.2.9.2 Simulacin con una sola estructura y varios valores discretos de cargas ___________40
2.2.9.3 Simulacin con una sola estructura y una variacin continua de la densidad de carga_41
2.2.10 Criterios para la modelizacin______________________________________________44
2.2.10.1 Tratamiento de zonas de variacin______________________________________44
2.2.10.2 Matriz de cuasibanda ________________________________________________44
2.2.10.3 Decisiones en las modelizaciones ______________________________________45
2.2.10.4 Aspectos de aplicacin_______________________________________________46
2.3 Mtodo de cargas superficiales (SCSM: Surface Charge Simulation Method)___ 48
2.3.1 Introduccin____________________________________________________________48
2.3.2 Principio bsico _________________________________________________________49

II
2.3.3 Coeficientes de potencial y campo __________________________________________50
2.3.4 Formulacin de las condiciones de contorno___________________________________52
2.3.4.1 Electrodos a potencial fijo ______________________________________________52
2.3.4.2 Electrodos a potencial flotante ___________________________________________52
2.3.4.3 Superficies de separacin dielctricas______________________________________53
2.3.5 Construccin del sistema de ecuaciones ______________________________________54
2.3.6 Clculo de la distribucin de potencial _______________________________________54
2.3.6.1 Campo rotacionalmente simtrico ________________________________________55
2.3.6.2 Campo sin simetra rotacional ___________________________________________58
2.3.7 Clculo de la intensidad de campo __________________________________________60
2.3.7.1 Clculo de la intensidad de campo mediante el clculo de diferencias_____________60
2.3.7.2 Clculo de la intensidad de campo mediante diferenciacin analtica _____________61
2.3.7.2.1 Campo rotacionalmente simtrico____________________________________61
2.3.7.2.2 Campo sin simetra rotacional _______________________________________62
2.4 Mtodo de los elementos de contorno (BEM: Boundary Element Method) _____ 63
2.4.1 Introduccin____________________________________________________________63
2.4.2 Principio bsico. Modelo matemtico ________________________________________64
2.4.3 Modelo matemtico discreto _______________________________________________67
2.5 Mtodo de elementos finitos (FEM)______________________________________ 70
2.5.1 Introduccin____________________________________________________________70
2.5.2 Principio del Mtodo _____________________________________________________70
2.5.3 Funcional asociado a la ecuacin diferencial de Poisson _________________________70
2.5.4 Discretizacin del dominio ________________________________________________71
2.5.5 Funcin de interpolacin __________________________________________________72
2.5.6 Funcional de un elemento. Globalizacin _____________________________________73
Captulo 3 Mtodos de Optimizacin de Aparamenta de Alta Tensin__________ 75
3.1 Introduccin ________________________________________________________ 75
3.1.1 Fundamentos de la optimizacin ____________________________________________75
3.2 Mtodos de optimizacin de electrodos de revolucin basados en la variacin de la
curvatura superficial ______________________________________________________ 77
3.2.1 Introduccin____________________________________________________________77
3.2.1.1 Optimizacin para obtener una intensidad de campo constante __________________78
3.2.1.2 Optimizacin para obtener una tensin de ruptura constante ____________________78
3.2.2 Mtodo de Singer y Grafoner ______________________________________________79
3.2.2.1 Introduccin _________________________________________________________79
3.2.2.2 Descripcin del mtodo ________________________________________________81
1.1.1.1.1 Reduccin del tiempo de clculo_____________________________________84
1.1.3 Mtodo de Grnewald ____________________________________________________85
1.1.3.1 Introduccin _________________________________________________________85
1.1.3.2.1 Convergencia____________________________________________________90
1.1.4 Optimizacin respecto a la tensin de inicio de la descarga disruptiva_______________92
1.1.4.1 Medio dielctrico de aire _______________________________________________94
1.1.4.2 Medio dielctrico de hexafluoruro de azufre ________________________________94

III
1.3 Mtodos de optimizacin de electrodos con simetra rotacional basados en la
seleccin de cargas equivalentes _____________________________________________ 95
1.3.1 Mtodos de Metz y Okubo ________________________________________________95
1.3.1.1 Introduccin _________________________________________________________95
1.3.1.3 Mtodo de Metz ______________________________________________________99
1.3.1.3.1 Clculos interactivos con la ayuda de un terminal grfico _________________99
1.3.1.3.2 Clculos automticos_____________________________________________100
1.3.1.4 Mtodo de H. Okubo, T. Amemiya y M. Honda ____________________________101
1.3.2 Mtodo de Zeng-Yao____________________________________________________104
1.3.2.1 Introduccin ________________________________________________________104
1.3.2.2 Teora bsica y formulacin del contorno de diseo__________________________104
1.3.2.3 Simulacin de la superficie equipotencial__________________________________107
1.3.3 Mtodo de Liu _________________________________________________________109
1.3.3.1 Introduccin ________________________________________________________109
1.3.3.2 Descripcin del mtodo _______________________________________________110
1.3.3.2.1 Clculo del incremento de las variables ______________________________111
1.3.3.2.2 Eleccin de condiciones de restriccin _______________________________112
1.3.3.2.3 Determinacin de las magnitudes iniciales de las cargas de optimizacin ____113
1.3.4 Mtodo de Kato ________________________________________________________113
1.3.4.1 Introduccin ________________________________________________________113
1.3.4.2 Principio de optimizacin ______________________________________________114
1.3.4.2.1 Proceso de reasignacin de carga ___________________________________117
1.4 Mtodo de Garnacho_________________________________________________ 119
1.4.1 Introduccin___________________________________________________________119
1.4.2 Descripcin del mtodo__________________________________________________120
1.5 Mtodo de Girdinio__________________________________________________ 124
1.5.1 Introduccin___________________________________________________________124
1.5.2 Optimizacin de un perfil sobre la base de una condicin impuesta en el mismo perfil _124
1.5.3 Optimizacin de un perfil sobre la base de una condicin impuesta sobre otro perfil___128
1.6 Mtodo de optimizacin de contornos de electrodos tridimensionales basado en el
mtodo de cargas superficiales. Mtodo de Misaki y Tsuboi _____________________ 130
1.6.1 Introduccin___________________________________________________________130
1.6.2 Principio de optimizacin ________________________________________________130
1.7 Optimizacin de contornos de electrodos utilizando elementos de contorno.
Mtodo de Welly ________________________________________________________ 140
1.7.1 Introduccin___________________________________________________________140
1.7.2 Descripcin del mtodo__________________________________________________140
1.8 Modificacin del contorno de electrodos basada en los efectos de rea/volumen
sobre la intensidad de campo de ruptura. Mtodo de Kato______________________ 143
1.8.1 Introduccin___________________________________________________________143
1.8.2 Caractersticas del aislamiento elctrico _____________________________________144
1.8.2.1 Condiciones que afectan a las caractersticas de ruptura del dielctrico___________144
1.8.2.2 Efectos de rea y volumen de los electrodos _______________________________144

IV
1.8.3 Algoritmo de optimizacin para los efectos de rea y volumen ___________________146
1.9 Optimizacin de aisladores en funcin de la componente tangencial de la
intensidad de campo _____________________________________________________ 149
1.9.1 Determinacin de las geometras de contorno con ayuda del mtodo de las diferencias
finitas. Mtodo de Antolic _______________________________________________________149
1.9.1.1 Introduccin ________________________________________________________149
1.9.1.2 Clculo de control y clculo de diseo en construcciones de alta tensin _________149
1.9.1.3 Planteamiento del problema ____________________________________________151
1.9.1.3.1 Datos _________________________________________________________151
1.9.1.3.2 Anlisis del problema ____________________________________________151
1.9.2 Mtodo de Singer y Grafoner _____________________________________________154
1.9.2.1 Introduccin ________________________________________________________154
1.9.3 Mtodo de Grnewald ___________________________________________________156
1.9.3.1 Introduccin ________________________________________________________156
1.9.3.2 Principio de correccin de los contornos __________________________________156
1.9.4 Mtodo de Abdel-Salam _________________________________________________159
1.9.4.1 Introduccin ________________________________________________________159
1.9.5 Mtodo de Stih para optimizacin de electrodos y aisladores _____________________160
1.9.5.1 Introduccin ________________________________________________________160
1.9.5.2 Optimizacin del contorno del electrodo y del aislador _______________________161
1.9.5.2.1 Descripcin del mtodo___________________________________________161
1.9.5.2.2 Tcnica de optimizacin __________________________________________162
1.9.5.2.3 Suavizado de un contorno mediante arcos circulares ____________________163
1.9.5.3 Aplicacin al diseo del sistema aislador __________________________________165
1.9.6 Optimizacin del contorno de aislador mediante una red neuronal. Mtodo de
Bhattacharya _________________________________________________________________166
1.10 Optimizacin de aisladores en funcin de la intensidad de campo total en la
superficie del aislador ____________________________________________________ 168
1.10.1 Diseo ptimo y comprobacin de laboratorio de separadores de tipo poste para tres fases
en cables aislados de SF
6
. Mtodo de Mashikian______________________________________168
1.10.1.1 Introduccin ______________________________________________________168
1.10.1.2 Suposiciones de la filosofa de optimizacin _____________________________168
1.10.1.3 Restricciones estructurales ___________________________________________169
1.10.1.4 Consideraciones elctricas ___________________________________________170
1.10.1.5 Algoritmo de optimizacin __________________________________________172
1.10.2 Mtodo de T. Misaki y H. Tsuboi __________________________________________174
1.10.2.1 Introduccin ______________________________________________________174
1.10.2.1.1 Descripcin del mtodo___________________________________________174
1.10.2.1.2 Aplicaciones de tcnicas de optimizacin de funciones no lineales _________176
1.10.3 Estructura mejorada para evitar intensificacin de campo local en separadores de gas SF
6
.
Mtodo de Itaka _______________________________________________________________177
1.10.4 Mtodo de Tokumasu ___________________________________________________179
1.10.4.1 Introduccin ______________________________________________________179
1.10.4.2 Mtodo de optimizacin_____________________________________________179

V
1.10.4.2.1 Reduccin de la intensidad de campo por debajo de un valor mximo_______180
1.10.4.2.2 Obtencin de una distribucin uniforme de intensidad de campo___________182
1.10.5 Mtodo de Andjelic _____________________________________________________183
1.10.5.1 Introduccin ______________________________________________________183
1.10.5.2 Utilizacin de las superficies virtuales__________________________________183
1.10.5.3 Optimizacin de los contornos________________________________________185
1.10.6 Mtodo de Dumling____________________________________________________188
1.10.6.1 Introduccin ______________________________________________________188
1.10.6.2 Descripcin del Mtodo_____________________________________________189
1.10.6.2.1 Optimizacin respecto de la intensidad de campo tangencial ______________190
1.10.6.2.2 Optimizacin respecto a la intensidad de campo total____________________192
1.10.6.2.3 Optimizacin respecto a la presin electrosttica _______________________192
1.10.6.3 Estudios experimentales_____________________________________________192
1.10.7 Optimizacin mediante B-Splines. Mtodo de Lee _____________________________193
Captulo 4 Optimizacin de Aisladores mediante Splines Cbicos de Ajuste ____ 195
4.1 Introduccin _______________________________________________________ 195
4.2 Objetivo de la optimizacin ___________________________________________ 195
4.3 Formulacin matemtica del problema de optimizacin ___________________ 196
1.4 Relaciones entre campo elctrico y magnitudes geomtricas ________________ 198
1.5 Derivada global de la intensidad de campo ______________________________ 200
1.6 Mtodo de Gomolln_________________________________________________ 205
1.6.1 Introduccin___________________________________________________________205
1.6.2 Clculo de los desplazamientos. ___________________________________________207
1.6.3 Uso de suavizado de splines cbicos de ajuste para optimizacin dentro de distribuciones
de campo axialmente simtricas __________________________________________________208
Captulo 5 Ampliacin a Campos Tridimensionales del Mtodo de Gomolln __ 209
5.1 Introduccin _______________________________________________________ 209
5.2 Calculo de distribuciones de campo tridimensionales con cargas superficiales _ 209
1.3 Posibilidades y lmites de control de distribuciones de campo electrosttico dentro
de superficies aisladoras __________________________________________________ 210
1.1.1 Introduccin___________________________________________________________210
1.1.2 Influencia en la distribucin de campo de la posicin de las superficies del aislador con
respecto a las lneas de campo y equipotenciales______________________________________210
1.1.1.1 Aislador paralelo a las lneas de campo ___________________________________211
1.1.1.2 Aislador paralelo a las lneas equipotenciales_______________________________211
1.1.1.2.1 Estudio terico del caso general ____________________________________211
1.1.1.1.2 Comprobacin de los resultados para configuraciones simples ____________220
1.4 Ampliacin del mtodo de optimizacin campos tridimensionales ___________ 234
1.5 Criterios de evaluacin _______________________________________________ 236
1.6 Descripcin detallada del proceso de optimizacin para cada curva generatriz_ 237

VI
1.6.1 Consideraciones globales ________________________________________________237
1.6.2 La optimizacin como proceso iterativo _____________________________________238
1.1.1.1 El conjunto de parmetros de un contorno _________________________________241
1.1.1.2 La funcin de caracterizacin de las iteraciones_____________________________242
1.1.1.3 El clculo de un contorno modificado ____________________________________243
1.1.1.3.1 El clculo de los contornos desplazados ______________________________244
1.1.1.1.2 Clculo de los contornos corregidos _________________________________247
1.1.1.1.3 Clculo del contorno modificado ___________________________________249
Captulo 6 Clculo de Ejemplos de Aplicacin____________________________ 251
6.1 Introduccin _______________________________________________________ 251
6.2 Configuracin asimtrica con un electrodo paralelo al aislador de apoyo _____ 251
6.3 Configuracin asimtrica con un cable perpendicular al plano xz____________ 255
6.4 Influencia de la distancia del electrodo perturbador en la optimizacin_______ 257
6.5 Influencia en la optimizacin de fijar los extremos del aislador______________ 263
6.6 Anlisis de resultados ________________________________________________ 265
Captulo 7 Consideraciones Finales ____________________________________ 267
7.1 Resumen___________________________________________________________ 267
7.2 Conclusiones _______________________________________________________ 268
7.3 Posibilidades para futuras investigaciones _______________________________ 269
7.3.1 Ampliacin del mtodo de optimizacin que permita superficies tridimensionales ____269
7.3.2 Desarrollo de un mtodo global de optimizacin ______________________________270
7.3.3 Optimizacin de aisladores mediante el uso de procesamiento paralelo en el mtodo de
clculo de campos _____________________________________________________________270
Bibliografa. ________________________________________________________ 275
Lista de Smbolos. ___________________________________________________ 287
Apndice A Coeficientes de Potencial y de Campo para configuraciones de Cargas
Discretas y Superficiales
Apndice B Clculo de la Curvatura Total en Superficies de Revolucin
Apndice C Procedimientos Numricos en el Mtodo BEM
Apndice D Clculo del mnimo de la Suma de los Cuadrados de las Diferencias en
Forma Matricial

Captulo 1 Objetivos y Antecedentes
1.1 Introduccin
La presente obra trata de lo que dentro de la literatura tcnica se conoce comnmente
con el nombre de "optimizacin de aisladores". Ahora bien, el trmino "optimizacin"
posee, incluso para iniciados en el tema, un significado poco preciso. Uno aparece
confrontado siempre que se utiliza la palabra "optimizacin" con interrogantes como:
qu es lo que se est optimizando? de acuerdo con qu criterios se est
optimizando? Estas preguntas y otras similares estn perfectamente justificadas, pues la
palabra optimizacin puede emplearse sin grandes remordimientos de conciencia para
denominar cualquier tipo de innovacin tecnolgica.
Genricamente, una optimizacin debe entenderse, en cualquier caso, como un proceso
de aproximacin a una meta determinada, la cual no tiene por que ser alcanzada de
modo necesario. Incluso la meta a alcanzar, lo ptimo, que parece un concepto absoluto,
no puede ser considerado como tal. Esto es as, pues los criterios que sirven para
definirlo como ptimo, tienen siempre una naturaleza relativa. En consecuencia, es
menester considerar que incluso los ptimos tericos son ptimos relativos. Relativos a
los criterios que han servido de base para definirlos como tales ptimos.
En nuestro caso concreto, una optimizacin es la modificacin de la forma de un
aislador para reducir la intensidad de campo en su superficie. A lo largo de esta obra
ste ser el significado que se aplicar a la palabra optimizacin.
Cuando se habla, en cualquier proceso, del concepto optimizacin de un sistema
parece quererse darnos a entender que se trata de la mejora de la calidad de
funcionamiento de ese sistema, donde por sistema se entiende cualquier dispositivo
cuya calidad de funcionamiento es susceptible de ser mejorada. Para el caso concreto
que nos atae la palabra optimizacin debe pensarse como asociada a nuestro
sistema, que no es otro que una instalacin de alta tensin.
Para poder emitir un juicio sobre la calidad de una instalacin de alta tensin pueden
entrar en consideracin distintos tipos de criterios, a saber:
- Satisfaccin de los requisitos tcnicos exigidos (funcionalidad).
- Seguridad y ausencia de peligros contaminantes.
- Rentabilidad econmica.
Estos criterios no deben considerarse como algo esttico, pues estn sujetos a evolucin
en la medida en que la ciencia y los conocimientos tecnolgicos progresan, la exigencia
2 Optimizacin de Aisladores de Alta Tensin..

de niveles de seguridad y ausencia de peligros contaminantes aumenta y la coyuntura
econmica se modifica. A la hora de disear y construir nuevas instalaciones es preciso
adaptarse a los cambios mencionados.
El aumento de la capacidad de soportar las solicitaciones elctricas por parte de las
instalaciones de alta tensin lleva consigo un funcionamiento ms seguro y contribuye,
en tanto que gracias a ella dejan de producirse faltas o accidentes, a reducir los niveles
de contaminacin del medio ambiente. Tambin se posibilita la construccin de nuevas
instalaciones en las que pueden satisfacerse en mayor medida las exigencias de ahorro
de espacio.
Gracias al desarrollo de los mtodos numricos de clculo de campos elctricos, fue
posible por primera vez un empleo sistemtico del clculo de campos para el diseo de
instalaciones de alta tensin. El clculo de campos puede usarse a distintos niveles
como medio de ayuda para el diseo.
En un primer nivel resulta posible, mediante el anlisis de la distribucin del campo en
una configuracin dada, localizar los puntos dbiles y tratar de eliminarlos con medidas
constructivas.
En un segundo nivel se pueden realizar clculos de campos para una serie de
configuraciones, que se obtienen mediante la variacin de un nmero determinado de
parmetros de construccin, para determinar los mejores valores posibles de esos
parmetros.
Las dos posibilidades entran dentro de lo que puede llamarse optimizacin de sistemas.
En ambos casos los clculos de campos se limitan a la resolucin de problemas con
geometras prefijadas.
En un nivel adicional, se parte de una configuracin, para la que se supone que ya ha
sido llevada a cabo una optimizacin del sistema, y se trata de variar la forma de los
elementos constructivos de tal manera que se consigan distribuciones de campo ms
favorables. Esta manera de proceder se denomina optimizacin de formas o de
contornos.
Dentro de la optimizacin de contornos de elementos constructivos de instalaciones de
alta tensin es preciso distinguir esencialmente entre la optimizacin de electrodos y
optimizacin de aisladores. Ello es as ya que, debido al comportamiento elctrico de
los electrodos, se presentan relaciones especiales entre su forma geomtrica y las
magnitudes elctricas, relaciones que en modo alguno aparecen en el caso de materiales
dielctricos.
En este trabajo se presenta un mtodo, con el cual es posible llevar a cabo una
optimizacin del contorno de aisladores en configuraciones de alta tensin en el seno de
Capitulo 1: Objetivos y Antecedentes. 3

campos tridimensionales. El punto de partida del mtodo desarrollado lo constituyen las
investigaciones realizadas por Gomolln [45] para la optimizacin de aisladores de alta
tensin.
En el mtodo desarrollado se han tenido en cuenta nicamente criterios de tipo elctrico.
Ahora bien los aisladores estn sometidos a solicitaciones no slo elctricas sino
tambin mecnicas y trmicas, independientemente de la funcin principal para la que
fueron concebidos. Esto quiere decir, que los aisladores que se diseen de acuerdo con
los criterios presentados en esta obra, todava deben ser sometidos a criterios
adicionales de diseo como los comentados, antes de poder ser considerados como
aptos para su aplicacin en la prctica.
En el captulo 2 se trata de los diferentes mtodos de clculo de campos elctricos
susceptibles de ser utilizados.
En el captulo 3 se estudian desde el punto de vista terico los diferentes mtodos de
optimizacin de contornos que han sido propuestos, hasta la fecha.
En el captulo 4 se describe el mtodo de optimizacin de aisladores de Gomolln [45].
Se discute sobre el objetivo, de la optimizacin y los posibles mtodos a seguir. En este
mismo captulo se fijan una serie de puntos importantes que es preciso considerar a la
hora de aplicar este mtodo de optimizacin.
En el captulo 5 se da paso al estudio sobre la ampliacin de mtodo presentado en el
captulo anterior para su aplicacin al caso de campos elctricos tridimensionales.
En el captulo 6 muestran distintos ejemplos de aplicacin del programa de clculo
elaborado.
El captulo 7 cierra el trabajo con un resumen y una discusin sobre posibilidades de
desarrollo posterior en el campo de la optimizacin de aisladores.
1.2 Objetivos
La presente obra persigue dos objetivos fundamentalmente:
1. Desarrollar un mtodo para la optimizacin de aisladores con simetra
rotacional en el seno de campos elctricos con distribucin espacial tridimensional, e
implementarlo en un programa de ordenador.
2. Aplicar el programa realizado para el diseo de configuraciones prcticas
seleccionadas.
El desarrollo de estos objetivos ser expuesto en los captulos 4, 5, 6 y 7.
El punto de partida para la realizacin de este trabajo es un mtodo de optimizacin [45]
de aisladores de alta tensin con simetra rotacional en el seno de campos

rotacionalmente simtricos realizado por el Director de esta Tesis Doctoral. En la
prctica, si bien los aisladores en s presentan simetra rotacional, lo ms frecuente es
que el campo elctrico en el que se encuentran no cumpla esta condicin. Basndose en
este mtodo se procede a ampliarlo para su utilizacin en campos tridimensionales. Para
su aplicacin prctica se procede a realizar un programa de ordenador para el mtodo
ampliado. La realizacin de este programa se basa en un programa previo de clculo de
campos que trabaja con los mtodos siguientes:
Mtodo de Simulacin de Cargas [121] (CSM: Charge Simulation Method).
Mtodo de Cargas Superficiales [125][118][87][88] (SCSM: Surface Charge
Simulation Method).
1.3 Antecedentes
El tema de la optimizacin de aparamenta de alta tensin se ha venido abordando
despus del desarrollo de mtodos numricos para el clculo de campos electrostticos
durante las tres ltimas dcadas.
La dificultad terica y numrica del problema hace que en raras ocasiones se aborde el
problema de la optimizacin de aisladores. Uno de los ltimos trabajos en este sentido
es el realizado en su Tesis Doctoral por el Director de esta Tesis cuyo ttulo es
Modificacin del contorno de aisladores como medio de control de la intensidad de
campo superficial en los mismos [45].
Puesto que, dado el enfoque que se ha utilizado para realizar el presente trabajo, a la
hora de disear sistemas con aisladores es necesario conocer la distribucin de campo
elctrico en el sistema objeto de estudio, se har una breve resea del estado actual de
los mtodos ms importantes de clculo de campo elctrico. Dicha introduccin
pretende seguir un cierto orden histrico para posteriormente desarrollar en el captulo 2
slo aquellos mtodos de clculo de campos que actualmente estn ms en vigor. A
continuacin, una vez que se hayan introducido los diferentes mtodos de clculo de
campos, se har una resea de los diferentes mtodos de optimizacin publicados hasta
la fecha.
1.3.1 Mtodos de clculo de campos
Atendiendo a un cierto inters histrico y segn la tcnica utilizada para la
determinacin del campo elctrico, es posible clasificar los mtodos de clculo de
campo elctrico en tres tipos:
1.- Mtodos analticos.

2.- Mtodos experimentales.
3.- Mtodos numricos.
En los mtodos analticos, cabe destacar el mtodo basado en la representacin
conforme [101] cuyo campo de aplicacin se limita a sistemas bidimensionales, y el
mtodo por transformacin de coordenadas [90][91][102] que resulta til nicamente
para ciertos tipos de electrodos. A pesar del inters que ofrecen los mtodos analticos
por la exactitud en la determinacin del campo elctrico, no es posible generalizarlos
para la aplicacin a cualquier sistema tridimensional.
De los mtodos experimentales, se pueden citar, por orden cronolgico, el que emplea
papel conductor [143] con resistividad homognea, lo que permite calcular, en base a la
analoga existente entre la electrosttica y la conduccin elctrica, la distribucin del
campo en sistemas bidimensionales y, con dificultad, en sistemas tridimensionales de
revolucin.
Basado en el mismo principio se tiene el mtodo de cuba electroltica [143], donde el
medio conductor es un lquido. Puede aplicarse a sistemas bidimensionales y
tridimensionales, sean o no de revolucin, pero su principal inconveniente consiste en la
laboriosa construccin del modelo a escala reducida del sistema a estudiar.
Otro mtodo experimental es el mtodo reticular [143], basado en los mismos principios
que los dos anteriores, con la diferencia fundamental de que el medio conductor de
resistividad homognea se sustituye por una malla compuesta por resistencias discretas.
Es un mtodo econmico que puede aplicarse a sistemas bidimensionales y
tridimensionales para realizar los primeros tanteos en el diseo del equipo.
Debido a la cada vez mayor disponibilidad de potencia de computacin, los mtodos
basados en anlisis numrico son los ms utilizados en la actualidad. De estos, el
Mtodo de las Diferencias Finitas [36][114] (FDM: Finite Difference Method), consiste
en desarrollar la ecuacin de Laplace en serie de Taylor, y despreciar los trminos a
partir de un cierto orden, en funcin de la exactitud requerida. Es aplicable nicamente a
sistemas cerrados.
El Mtodo de los Elementos Finitos [57][54][151][61] (FEM: Finite Element Method)
de aplicacin comn en otras reas de la tcnica (clculo de estructuras, transmisin de
calor, difusin de gases, magnetosttica, torsin, etc...), consiste en discretizar el
dominio en elementos, en los que la funcin incgnita, potencial elctrico, se aproxima
por una funcin de interpolacin, que depende del valor del potencial en los nudos del
elemento. Siguiendo la formulacin clsica variacional se establece el sistema de
ecuaciones lineales que hacen mnimo el funcional asociado a la ecuacin diferencial de
Poisson. De la resolucin de dicho sistema de ecuaciones se obtienen los potenciales en

los nudos de los elementos, que, junto con la funcin de interpolacin, definen el
potencial en cualquier punto del dominio. Es aplicable nicamente a sistemas cerrados.
El Mtodo de Cargas Equivalentes o Mtodo de Simulacin de Cargas [121][141]
consiste en sustituir las cargas reales por otro conjunto de cargas equivalentes
(puntuales, lineales, cargas en anillo) colocadas en el interior del electrodo que
satisfacen las condiciones impuestas a la configuracin en estudio. Los valores de estas
cargas se determinan de tal modo que se satisfagan las condiciones de contorno. La
posicin de estas cargas se selecciona para evitar la singularidad del operador integral, y
de modo que los coeficientes de la ecuacin matricial algebraica puedan ser
determinados analticamente. El mtodo es aplicable tanto a sistemas cerrados como a
sistemas abiertos. Este mtodo ha encontrado su aplicacin en el anlisis de campos
electrostticos en ingeniera de alta tensin. El mtodo se ampli con la introduccin de
las cargas superficiales equivalentes colocadas directamente en la superficie de los
electrodos y contornos dielctricos dando origen al mtodo de las cargas superficiales.
El Mtodo Mixto de Elementos Finitos y Cargas Equivalentes [132][98][99], que
permite aprovechar las ventajas y obviar los inconvenientes de cada uno de los dos
anteriores, consiste en dividir el sistema en dos zonas, una, cerrada, en la que se aplica
el mtodo de los elementos finitos y, otra, abierta, en la que se aplica el mtodo de
cargas equivalentes.
El Mtodo de Cargas Superficiales [125][88][87][118] es utilizado para calcular las
distribuciones de campo elctrico utilizando elementos de superficies curvados y
elementos de lnea curvados para problemas tridimensionales y problemas
bidimensionales, respectivamente. En dicho mtodo las superficies del electrodo y del
aislador se dividen en elementos de superficie, que son elementos triangulares de
superficie curvados en problemas tridimensionales o elementos de lneas curvadas en
problemas bidimensionales. A cada superficie se le asigna una distribucin de carga
superficial y una condicin de contorno. Dicha condicin de contorno se impone en un
nmero suficiente de nodos (puntos de apoyo) que son definidos sobre los elementos de
superficie. Por ejemplo, los nodos sobre los elementos triangulares de superficie
curvados se definen en los vrtices y los nodos sobre los elementos lineales curvados se
definen en los puntos extremos. Se establece en cada nodo una ecuacin integral que
representa la relacin de las magnitudes elctricas correspondientes a la condicin de
contorno correspondiente al punto elegido. En estas ecuaciones se formulan las
magnitudes elctricas como funcin de integrales de superficie de las funciones de
densidad de carga superficial. Si se efecta la aproximacin de considerar la densidad
de carga superficial como una funcin lineal por tramos en las distintas superficies,
resulta posible reformular el problema global como un sistema lineal de ecuaciones en
el que las incgnitas son los valores de la densidad de carga superficial en los puntos

escogidos para formular las condiciones de contorno, que por lo general coinciden con
los puntos usados para discretizar las superficies para su tratamiento por el ordenador.
Tras resolver este sistema de ecuaciones resulta posible calcular cualquier magnitud
elctrica en cualquier punto del espacio evaluando las integrales de campo directamente
como funcin de las densidades de carga superficiales.
El Mtodo de los Elementos de Contorno [10][13] (Boundary Element Method: BEM)
se basa, al igual que el Mtodo de Simulacin de Cargas, en la formulacin integral de
las ecuaciones de Laplace o Poisson. Ambos mtodos se basan en una discretizacin
espacial que se limita slo a la superficie de electrodos o contornos dielctricos. Esto
significa que esta clase de discretizacin se puede realizar con un nmero
considerablemente ms pequeo de elementos en comparacin con el Mtodo de
Elementos Finitos. Por otro lado, esto conlleva guardar los resultados de los elementos
en una matriz llena del sistema de ecuaciones, frente a las matrices esparcidas en el caso
del Mtodo de Elementos Finitos. En este caso, la limitacin de la discretizacin al
dominio de la superficie no permite incluir posibles no linealidades en el espacio. Pero,
con todo, estos mtodos demuestran ser un modo econmico de clculo numrico de
campos en ingeniera de alta tensin, particularmente en el caso de campos 3D sin
simetras, pues permiten en muchos casos alcanzar un grado ms alto de exactitud con
menor tiempo de computacin y menores requerimientos de almacenamiento. El defecto
mencionado de BEM y CSM con respecto a las consideraciones de no linealidades no
desempea un papel importante en el clculo de distribuciones de intensidad de campo
elctrico sin cargas espaciales.
Frecuentemente la aparamenta de alta tensin est formada por cuerpos de revolucin,
lo que simplifica notablemente la programacin de los mtodos numricos descritos.
1.3.2 Mtodos de optimizacin
Las principales caractersticas de la forma geomtrica de un aislador de alta tensin y su
posicin relativa respecto a las dems partes de la configuracin de alta tensin estn
determinadas fundamentalmente por su funcin dentro de la configuracin. An as,
resulta posible, siempre que se respeten estas limitaciones, buscar distintas formas para
el aislador tratando de mejorar su funcionalidad segn una serie de criterios
preestablecidos. Por medio de una definicin exacta de la forma exterior de los
componentes de la configuracin de alta tensin es evidentemente posible afectar a su
comportamiento elctrico. Este hecho era ya conocido por los cientficos al comienzo de
este siglo, cuando el anlisis vectorial comenz a ser usado en la resolucin de
cuestiones de geometra diferencial. Por su inters histrico, se deben citar trabajos muy
interesantes en los que se estudian exhaustivamente las relaciones entre campos de
potenciales y las propiedades intrnsecas de las superficies equipotenciales y las lneas

de campo. Sirvan de ejemplo, los trabajos de Rothe (1913) [109], Spielrein (1915, 1917)
[128][129], Rogowski (1923, 1926) [107][108], Andronescu (1924) [14]. A estos se
puede aadir el trabajo de Felici (1950) [34] basado en la representacin conforme, y
que conduce a contornos de velocidad constante llamados contornos de borda.
Puesto que estas relaciones analticas eran extremadamente complicadas, no
encontraron aplicacin en la prctica hasta la aparicin de ordenadores poderosos y el
desarrollo de mtodos numricos para el clculo de campo. De este modo, los primeros
trabajos que tratan de la forma ptima de los componentes de alta tensin fueron
escritos en los aos 70.
Como se ha comentado previamente, en la optimizacin de componentes de alta tensin
se debe distinguir bsicamente entre la optimizacin de electrodos y de aisladores. En el
caso de electrodos tanto el objetivo de la optimizacin como las propiedades
geomtricas de la superficie a optimizar son bien conocidas (Singer, 1979) [122]. Para
aisladores, como ya se ha indicado, ambas preguntas plantean an interrogantes. En el
captulo 4 se intenta hacer una aproximacin terica a las respuestas a ambas
cuestiones; primero, se define un objetivo significativo para la optimizacin de
aisladores y segundo, se expone cuales son las relaciones entre las cantidades escogidas
y las propiedades geomtricas de las superficies para ser optimizadas.
El primer mtodo numrico para la optimizacin de sistemas tridimensionales de
revolucin fue el trabajo de Antolic en 1972 [15]. Antolic present la tarea como un
problema de valor de contorno generalizado en el que se trata de obtener una
distribucin predefinida de la componente tangencial del campo elctrico a lo largo de
un contorno que ha de ser determinado en el transcurso de los clculos. Singer, y
Grafoner en 1975 [119] publicaron su mtodo de optimizacin con un inters prctico
para el diseo de aparamenta de alta tensin. Este mtodo permite la generacin de
contornos electrdicos con intensidad de campo constante a base de desplazar,
sucesivamente, los centros de curvatura del contorno en estudio, de acuerdo con la
expresin que relaciona la variacin de la curvatura con la variacin del campo elctrico
en cada punto de dicho contorno. Esta expresin se deduce de la relacin hallada por
Spielrein [129], entre la curvatura y la intensidad del campo elctrico en el electrodo.
Adems, para aisladores, desarrollaron un algoritmo que realiza la optimizacin en
funcin de la componente tangencial del campo, mediante el desplazamiento de los
puntos del contorno a lo largo de las lneas equipotenciales. Para la determinacin del
campo elctrico utiliza el mtodo de cargas equivalentes. Mashikian et al . (1978) [79]
investigaron qu forma debe tener un aislador con volumen mnimo para resistir las
fuerzas electrodinmicas, bajo la condicin de que no se excediera una intensidad de
campo total dada.

Otro algoritmo de optimizacin de electrodos, ste basado en el mtodo de clculo de
campos mediante cargas equivalentes discretas fue presentado por Metz en 1976 [84].
Ms que un proceso de optimizacin del contorno es un proceso de optimizacin de las
cargas. La configuracin se divide en dos partes una fija, que no se va a optimizar, y
otra variable, cuya modificacin producir el campo elctrico deseado. El contorno fijo
se simula por un conjunto de cargas de las cuales conocemos su posicin pero no su
magnitud. El contorno variable se simula por otro conjunto de cargas de optimizacin
de las que se fijan a priori posicin y magnitud. Se impone la condicin de potencial
elctrico conocido en los puntos del contorno de la zona fija y se determinan la
magnitud de las cargas equivalentes de esta zona. Se pueden variar la posicin y
magnitud de las cargas de optimizacin hasta lograr en la superficie equipotencial
correspondiente al electrodo el campo elctrico deseado. La principal ventaja de este
mtodo es que nicamente es preciso invertir la matriz de coeficientes de potencial una
sola vez para resolver el sistema de ecuaciones con el que se determinan las cargas
equivalentes, ya que en las siguientes iteraciones las modificaciones realizadas solo
afectan a los trminos independientes de dicho sistema. Sin embargo tiene el
inconveniente de necesitar cierta experiencia a la hora de elegir el nmero, tipo, valor y
posicin del sistema de cargas equivalente inicial (cargas de optimizacin) en la zona
de optimizacin.
En 1982-83 Misaki (1982,1983) [88] y Tokumasu et al.

(1984) [137] propusieron
reducir la intensidad de campo total mxima en la superficie del aislador, pero no
establecieron qu ventajas se podan lograr a partir de tal procedimiento frente a la
aparicin de descargas superficiales en los aisladores. Tokumasu emplea el mtodo de
los elementos de contorno para el clculo de campos elctricos. Misaki, Tsuboi, Itaka y
Hara (1982) [87] presentaron un algoritmo de optimizacin de contornos electrdicos
tridimensionales. El algoritmo utiliza el mtodo de cargas equivalentes superficiales
para la determinacin del campo elctrico; se divide la superficie del electrodo en
elementos triangulares curvos cuya forma se representa por una funcin cuadrtica y en
los que la densidad de carga superficial se aproxima por una funcin lineal. La
modificacin del contorno se realiza en cada elemento en funcin de la fuerza
electrosttica a la que est sometido. En 1988 H. Tsuboi y T. Misaki [138] proponen un
mtodo para modificar los contornos de los electrodos y aisladores por mtodos de
iteracin usados en programacin no lineal, de modo que se obtenga el campo elctrico
deseado. Los mtodos de iteracin utilizados son el mtodo de Gauss-Newton, el
mtodo de cuasi-Newton, el mtodo del gradiente conjugado, y el mtodo de la mxima
pendiente. El mtodo de Gauss-Newton es el que proporciona una ms rpida
convergencia. Para el clculo de campos elctricos es utilizado el mtodo de cargas
superficiales.

En 1982 Grnewald [50] present una modificacin del mtodo de optimizacin de
electrodos desarrollado por Singer y Grafoner, donde se eliminan las hiptesis
simplificativas realizadas por stos en la expresin de la variacin de la curvatura
superficial. As mismo, desarroll para los aisladores un algoritmo consistente en
desplazar los puntos del contorno manteniendo constante la distancia entre estos, con la
finalidad de obtener contornos con una distribucin uniforme de la componente
tangencial de la intensidad de campo. El mismo objetivo fue seguido por Abdel-Salam
(1986) [2] y Stih (1986) [133]. Andjelic (1992) [13] desarroll un mtodo general para
electrodos y aisladores en el que la tensin elctrica en la superficie llega a ser el factor
determinante para la optimizacin.
Girdinio, Molfino, Molinari y Viviani [41] presentaron en 1983 varios algoritmos de
optimizacin basados en el mtodo de los elementos finitos, con los que es posible
optimizar los electrodos en funcin de la componente normal del campo elctrico en su
contorno y los dielctricos, en funcin de la componente tangencial del campo elctrico.
Adems, es posible optimizar una zona determinada en funcin de la intensidad de
campo en otros contornos predefinidos. El hecho de utilizar el mtodo de los elementos
finitos para resolver la ecuacin de Laplace tropieza con la dificultad de su aplicacin a
sistemas abiertos.
En 1987 Dumling [30] mostr que una optimizacin con respecto a la intensidad total
de campo mejora el comportamiento frente a la aparicin de las descargas superficiales
en el aislador. Para estas investigaciones Dumling usaba contornos de aisladores con
una distribucin uniforme de la intensidad de campo elctrico. Sin embargo el punto
crucial no es la uniformidad de la intensidad de campo en s misma, sino el hecho de
que los contornos, que han sido optimizados con respecto a la intensidad de campo
total, muestran simultneamente el valor ms bajo de la intensidad de campo mxima a
lo largo de la superficie.
Gomolln [44][45][43] present en 1994 las relaciones tericas entre las propiedades
geomtricas de la superficie del aislador y las magnitudes elctricas. De este modo,
establece la relacin existente entre la derivada global de la intensidad de campo con
respecto al desplazamiento de un punto de una de las superficies de contorno en un
problema de valores de contorno (BVP: Boundary Value Problem) a la vez que se
investigan las consideraciones tericas necesarias si se pretende desarrollar un proceso
de optimizacin con respecto a la intensidad de campo total. Basndose en estos
resultados y en las investigaciones de Dumling presenta un mtodo para optimizacin
de contornos de aisladores de alta tensin con respecto a la intensidad de campo total.
En este mtodo los puntos utilizados para la discretizacin del contorno dielctrico son
desplazados en la direccin normal para obtener un nuevo contorno modificado.

Basndose en el trabajo de L. Piegl [100], del uso de splines-B racionales como
herramienta para modificar formas de modo iterativo, B.Y. Lee (1997) [74] presenta un
mtodo para el control de la forma de aisladores tridimensionales. Su algoritmo muestra
analogas con el trabajo de Gomolln. El trabajo de Lee se basa en la introduccin de
los splines-B racionales para mejorar la forma de controlar el diseo del aislador.
ltimamente han aparecido nuevas aportaciones en el campo del diseo de aisladores.
Uno de ellos es presentado por Bhattacharya [17] en el 2001. Consiste en optimizar
contornos de aisladores con simetra axial en disposiciones con mltiples dielctricos
mediante el uso de redes neuronales (NN: Neural Network). Esta optimizacin se
realiz con el objetivo de obtener no slo una distribucin uniforme sino adems una
distribucin de esfuerzo elctrico compleja a lo largo de la superficie del aislador.
Un enfoque distinto en cuanto al diseo de aislamiento de aparatos de potencia
elctricos lo proporciona Kato en el 2001 [65] considerando las caractersticas de
ruptura del dielctrico ms que la distribucin de campo elctrico. El trabajo muestra
como determinar el contorno del electrodo con el mejor aislamiento sobre la base del
efecto de rea y del efecto de volumen en la intensidad de campo de ruptura.
1.4 Conclusiones preliminares
En el presente trabajo se pretende modificar el contorno inicial dado de un aislador en
una configuracin de alta tensin para mejorar su comportamiento frente a la aparicin
de descargas superficiales. Para la consecucin de dicho objetivo existen distintas
formas posibles de proceder. Los procedimientos propuestos por los distintos autores en
la bibliografa tcnica se clasifican en dos grupos:
a.- Modificacin del contorno de los aisladores en funcin de la componente tangencial
o normal de la intensidad de campo o del esfuerzo elctrico. Pertenecientes a este grupo
se encuentran los trabajos de Antolic [15], Singer y Grafoner [119], Breilman [23],
Grnewald [50][52], Girdinio [41], Abdel-Salam [2], Stih [133], Garnacho [39],
Bhattacharya [17].
b.- Modificacin del contorno de aisladores en funcin de la intensidad de campo total
en la superficie del aislador. Este criterio es utilizado por Mashikian [79], Misaki
[87][88] y Tokumasu et al. [137], Dumling [30][31], Gomolln [44][45][43], Lee [74],
Kato [65].
Gomolln [45], en su tesis doctoral, analiza las ventajas y los inconvenientes de cada
uno de los citados criterios de optimizacin exponiendo y justificando las decisiones
adoptadas, en cuanto al objetivo de la optimizacin y al mtodo de modificacin de los
contornos se refiere. En el trabajo que aqu se presenta se ha adoptado el mismo
objetivo de optimizacin, a saber, reducir la intensidad de campo total en la superficie

del aislador. Para ello basndose en el mismo algoritmo se trata de proceder a
generalizarlo para su aplicacin en el seno de campos electrostticos tridimensionales.
Conviene, no obstante, dar cuenta de las restricciones a la generalidad, introducidas a
priori dentro de los objetivos del proyecto impuestas en parte por las limitaciones de los
programas de clculo empleados y por el grado de dificultad de los clculos a realizar.
Estas restricciones son:
- Las superficies de los aisladores por optimizar se suponen ausentes de
contaminacin y de conductibilidad elctrica.
- La configuracin donde se encuentra el aislador por optimizar no tiene por qu
presentar en su conjunto simetra de revolucin, aunque s sus partes individuales.
El mtodo de optimizacin es implementado con un programa de ordenador. Para evitar
dificultades en la convergencia del proceso de optimizacin es preciso tener en cuenta
las siguientes consideraciones:
- En cada ejecucin del programa de optimizacin resulta posible definir como
superficie por optimizar nicamente un tramo continuo del contorno de un aislador.
- La intensidad de campo en los puntos de contacto de los aisladores con los
electrodos limtrofes debe ser calculada con especial cuidado. A este respecto resulta de
gran relevancia la consideracin de la posibilidad de aparicin de un "efecto de
incrustacin [145] y de la forma en que el programa de clculo de campos puede
abordarlo.
- Para garantizar la generalidad del mtodo a desarrollar resulta imprescindible
que el programa sea capaz de determinar de forma completamente autnoma las
modificaciones del contorno necesarias para alcanzar la distribucin de campo
pretendida, sin que el usuario o el programador tengan que proporcionarle dato alguno
acerca de determinadas formas.
- Los contornos intermedios, que se van obteniendo durante el proceso de
optimizacin, no deben mostrar ningn saliente, canto o esquina, que no se hubiese
pretendido de antemano, pues en estos puntos el campo elctrico calculado no resulta
fiable y si se usan tales contornos para obtener otros nuevos se desestabiliza en gran
medida la convergencia del proceso de optimizacin.
- Igualmente negativa para la convergencia del proceso de optimizacin resulta
la permisin de contornos intermedios con distribuciones de campo ms desfavorables
que las de sus predecesores. La experiencia muestra que, si bien en casos muy aislados
resulta posible acelerar de esta manera la convergencia del proceso, por lo general el
efecto resultante es la imposibilidad de conducir el proceso a una convergencia final.

Captulo 2 Mtodos Numricos de Clculo de Campos
Elctricos
2.1 Introduccin
El conocimiento de la forma del campo electrosttico es esencial para la construccin de
aparatos destinados a soportar altas tensiones. La intensidad de campo elctrico es la
magnitud fsica determinante en la aparicin de descargas elctricas. De modo
particular, en el caso de subestaciones con gas aislante, la predeterminacin de las
tensiones de ruptura, basada en el conocimiento de la distribucin de campo elctrico,
es una etapa esencial durante el proceso de diseo.
El clculo del campo elctrico requiere la solucin de la ecuacin de Laplace o la
ecuacin de Poisson con las correspondientes condiciones de contorno. En general, dada
una superficie de un electrodo, no interesa tanto el aspecto total del campo elctrico
como los valores de la intensidad de dicho campo en las zonas de mayor solicitacin a
lo largo de la superficie. Con este planteamiento se puede estudiar la forma geomtrica
ms conveniente de la superficie del electrodo para poder evitar intensidades de campo
que puedan dar lugar a la aparicin de descargas. Otra posibilidad sera optimizar el
contorno de la superficie del electrodo bajo estudio, de modo que pueda realizar la
funcin para la que estaba diseado, es decir, soportar altas tensiones, con el mnimo
volumen posible.
En el pasado, se utilizaron mtodos experimentales para determinar el campo elctrico,
por ejemplo el tanque electroltico [143] o el papel semiconductor. Ahora, estos
mtodos han sido satisfactoriamente reemplazados en la mayora de los casos por el
clculo numrico del campo. Los recientes desarrollos en tecnologa de computacin
abren nuevas e interesantes posibilidades para el futuro. El clculo de campos elctricos
se puede realizar bien por mtodos analticos o bien por mtodos numricos [13]. La
mayora de los sistemas fsicos son tan complejos que las soluciones analticas son
difciles o imposibles de obtener y de aqu que se usen los mtodos de aproximacin
numricos para muchas de las aplicaciones de la ingeniera. Los mtodos numricos
disponibles se basan en conceptos de diferencias o integrales. Se encuentran disponibles
una variedad de mtodos y cdigos de ordenador para clculo de campos elctricos en
dos dimensiones (2D) y en tres dimensiones (3D). Mientras en el pasado el clculo de
campos electrostticos 3D sin simetra estaba limitado slamente a ordenadores "main
frame", existen ahora posibilidades para calcular estos campos en estaciones de trabajo
grficas o incluso en ordenadores personales.

Muchos cdigos de ordenador estn disponibles para el clculo de campos elctricos
basados en el Mtodo de Elementos Finitos [57][151][61]. La aplicacin de este mtodo
consiste en que la totalidad del espacio de inters se subdivide en elementos. Una
ventaja de este procedimiento de discretizacin es la posibilidad de tomar en
consideracin las propiedades no lineales del espacio. Por otra parte esta clase de
discretizacin puede dar origen a un nmero de elementos muy grande, especialmente
en el caso de campos 3D sin ningn tipo simetra.
Una alternativa al ampliamente usado Mtodo de Elementos Finitos son los
denominados Mtodos Integrales como el Mtodo de Simulacin de Cargas [121][141],
el Mtodo de Cargas Superficiales [125][87][88] o el Mtodo de los Elementos de
Contorno [10][13]. La base para estos mtodos es la formulacin integral de las
ecuaciones de Laplace o Poisson. En estos mtodos la discretizacin espacial
generalmente se limita slo al dominio de la superficie de electrodos o contornos
dielctricos. Esto significa que esta clase de discretizacin se puede realizar con un
nmero considerablemente ms pequeo de elementos en comparacin con el Mtodo
de Elementos Finitos. Por otro lado, esto conlleva guardar los resultados de los
elementos en una matriz llena del sistema de ecuaciones, en comparacin con las
matrices esparcidas en el caso del Mtodo de Elementos Finitos. Adems, la limitacin
de la discretizacin al dominio de la superficie no permite incluir posibles no
linealidades en el espacio. Pero, con todo, estos mtodos demuestran ser un modo
econmico de clculo numrico de campos en ingeniera de alta tensin,
particularmente en el caso de campos 3D sin simetras, pues permiten en muchos casos
alcanzar un grado ms alto de exactitud con menor tiempo de computacin y menores
requerimientos de almacenamiento. El defecto mencionado de BEM y CSM con
respecto a las consideraciones de no linealidades no desempea un papel importante en
el clculo de distribuciones de intensidad de campo elctrico sin cargas espaciales.
En este captulo se va a realizar un repaso de los mtodos de clculo numrico de
campos elctricos haciendo hincapi en los mtodos integrales. Para ello previamente se
presentan unas consideraciones generales sobre los posibles elementos que intervienen
en configuraciones as como sobre el planteamiento de los problemas de campo y
potencial electrostticos.
2.1.1 Consideraciones generales
Previamente a la realizacin de cualquier clculo sobre una configuracin dada, es
necesario identificar y clasificar los distintos elementos fsicos que la constituyen.
A efectos prcticos, se puede diferenciar en las configuraciones tcnicas usuales entre
conductores y aisladores. A la hora de realizar el clculo de campos es preciso asociar a
Capitulo 2: Mtodos Numricos de Calculo de Campos Elctricos 15

cada elemento una condicin de contorno para la resolucin del problema matemtico.
Estas condiciones de contorno son diferentes para los conductores y aisladores.
2.1.1.1 Conductores
En una configuracin electrdica en la que aparezcan conductores como parte de la
configuracin, dependiendo de los datos que nos proporciona la configuracin
electrdica se pueden dar los siguientes casos:
- Conductor a potencial constante, , dado. Se trata de la condicin que ms
frecuentemente aparece vinculada a un electrodo
- Conductor no conectado, con potencial, , flotante o indeterminado. Se trata
de un conductor que permanece aislado por lo que el potencial se establece en
funcin de la distribucin de campo presente, su potencial es el mismo en toda la
superficie pero est indeterminado a priori.
- Conductor por el que circula corriente. En esta situacin debido a la
resistividad del conductor habr una cada de potencial a lo largo del conductor.
2.1.1.2 Aisladores
A continuacin se muestran las diferentes situaciones que se pueden presentar
dependiendo de la disposicin geomtrica de los aislantes.
- Un nico medio aislante: =
0
. En este caso es el medio en el que est
sumergida la configuracin electrdica.
- Ms de un medio aislante. Se tendrn distintas fronteras de separacin entre
estos medios y es en esas fronteras donde se aplican las condiciones de contorno,
es decir la condicin de continuidad del vector desplazamiento elctrico:
2 2 1 1
2 1
n n
n n
E E
D D
=
=

(2.1)
2.1.1.3 Planteamiento del problema
En el presente caso, para el clculo del campo elctrico se requiere la solucin de la
ecuacin de Laplace con las condiciones de contorno establecidas en la configuracin
objeto de estudio.
En general, la descripcin del campo elctrico viene dada por la ecuacin de Poisson
cuando existen cargas libres:

0
2
= =
(2.2)
Si no hay cargas libres, la ecuacin de Laplace es la que describe la distribucin del
campo elctrico en la configuracin:
0
2
= =
(2.3)
En coordenadas cilndricas esta ecuacin adopta la siguiente forma:
0
1 1
2
2
2
2
2 2
2
=
z r r r r

(2.4)
donde es el valor del potencial en un punto cualquiera del espacio de coordenadas r,
, y z. La solucin de esta ecuacin se ha podido hallar analticamente en
configuraciones sencillas de electrodos, pero en la mayora de los casos de alta tensin
se recurre a mtodos numricos para hallar la solucin.
Se considera una configuracin arbitraria como la mostrada en la Fig. 2.1 y se establece
un sistema de ejes coordenados. En ella se dispone de un conjunto de superficies
electrdicas S
E1
, S
E2
, S
E3
, S
E4
,..y un conjunto de superficies de separacin entre
dielctricos S
D1
, S
D2
, S
D3
, ... El problema a resolver es la determinacin del potencial
( ) z r , , y el campo elctrico ( ) z r , ,
r
en cualquier punto del espacio.
S
E1
0
S
E3
S
E4
1
S
E2
2
z
r
(r, , z)
S
D1
S
D2
S
D3

Fig. 2.1. Configuracin arbitraria.
Para solucionar el problema se debern tener en cuenta las condiciones de contorno
asociadas a las superficies del modo siguiente:

A.- En algunas de las superficies estas condiciones quedan definidas por el valor
del potencial. Se trata de las superficies electrdicas ya mencionadas: S
E1
, S
E2
, S
E3
,
S
E4
,..
B.- En otras superficies las condiciones de contorno son las correspondientes a
una superficie separadora de medios dielctricos: S
D1
, S
D2
, S
D3
, ...
C.- Se pueden definir otros tipos de condiciones de contorno, pero las
principales son las arriba mencionadas.
2.1.2 Mtodos numricos de clculo de campos
La estimacin de cmo se desarrolla el proceso electromagntico es una de las etapas
ms importantes y difciles en el proceso de diseo de los dispositivos
electromagnticos. Como se ha visto en el planteamiento del problema, el modelo
terico del proceso electromagntico se basa en las leyes fundamentales de la
electrodinmica establecidas por las ecuaciones de Maxwell [82] con las condiciones
apropiadas de contorno. De este modo desde el punto de vista matemtico, el clculo del
proceso electromagntico viene dado como un problema de valores de contorno descrito
por un sistema de ecuaciones en derivadas parciales. Si al modelo terico se aade la
informacin de las caractersticas geomtricas del sistema, las caractersticas de los
medios donde discurre el proceso, y las caractersticas de las fuentes de campo, se
obtiene toda la informacin necesaria sobre el proceso electromagntico en los
alrededores del dispositivo electromagntico examinado (es decir, lneas de campo,
lneas equipotenciales, localizacin de intensidades elctricas mximas, fuerzas
electromagnticas, etc.).
Mediante la introduccin de ciertas suposiciones y simplificaciones, se puede obtener el
modelo matemtico del proceso electromagntico para un dispositivo electromagntico
especfico.
Atendiendo al tipo de ecuaciones que se deben resolver, los modelos matemticos se
pueden dividir del siguiente modo:
Diferenciales (el modelo matemtico se describe por un sistema de ecuaciones en
derivadas parciales con condiciones de contorno apropiadas).
Integrales (el modelo matemtico se basa en una ecuacin integral).
Diferencial Integral (la combinacin de los modelos dados previamente, por lo
cual el proceso electromagntico en algunas partes se describe por ecuaciones
diferenciales, y en otro por ecuaciones integrales).
Cuando se resuelven los modelos matemticos diferenciales, se utiliza la aproximacin
llamada:

Mtodo de Diferencias Finitas.
El Mtodo de Diferencias Finitas [36][142][38][101] ha sido utilizado durante un largo
tiempo en la prctica para el clculo de campos electrostticos y magnetostticos con
simetra axial y de dos dimensiones (2D). El fundamento de este mtodo consiste en
trasladar un conjunto de ecuaciones diferenciales parciales a un conjunto de ecuaciones
en diferencias, usando una red ortogonal apropiada. Una vez que los puntos de la red
dentro del rea de inters estn numerados, el sistema de las ecuaciones en diferencias
se reduce a un sistema de ecuaciones algebraicas lineales de muy alto orden. Una de las
caractersticas de este sistema es una matriz de coeficientes muy esparcida. Este mtodo
proporciona relativamente buenos resultados en el clculo de los modelos 2D de
aparatos de alta tensin y mquinas elctricas cuando se toman en consideracin curvas
de magnetizacin no lineales. Las dificultades de este mtodo estn en la construccin
de la malla que mejor aproxima las lneas de contorno entre medios diferentes, el gran
nmero de datos de entrada requeridos, y una necesidad para la diferenciacin
numrica.
Para la solucin numrica de los modelos integrales, se utilizan:
El Mtodo de Elementos Finitos,
El Mtodo de Simulacin de Cargas,
y el Mtodo de Elementos de Contorno.
El Mtodo de Elementos Finitos se utiliza satisfactoriamente para resolver campos
electromagnticos 2D y 3D, y para otras aplicaciones tcnicas. Este mtodo se basa en
el clculo variacional, donde la solucin de los problemas de campo se reduce a la
determinacin del estado estacionario de la funcin de energa apropiada. Empezando
con este hecho, teniendo en consideracin que entre las necesarias partes pequeas del
rea observada (elementos finitos), la funcin de campo se puede expresar como una
funcin analtica de la posicin dentro de los elementos finitos, puede llegar a
formularse un sistema de ecuaciones algebraico. Resolvindolo, es posible colegir la
informacin sobre la funcin de campo en el rea de inters. Esta ecuacin matricial es
de un orden relativamente alto, con una matriz de coeficientes esparcida, que puede ser
resuelta usando mtodos iterativos o algunos mtodos directos especiales. El principal
inconveniente de este mtodo es generalmente el gran nmero de datos de entrada que
son necesarios cuando se define la geometra y los parmetros materiales de los
elementos finitos del rea seleccionados y el tamao de los sistemas en configuraciones
3D.
En el Mtodo de Simulacin de Cargas [121][141][78][26][1][5][112][5], se usan las
llamadas cargas equivalentes (puntuales, lineales, cargas en anillo) colocadas en el
interior del electrodo. Los valores de estas cargas se determinan de tal modo que se

satisfacen las condiciones de contorno. La posicin de estas cargas se selecciona para
evitar la singularidad del operador integral, y de este modo los coeficientes de la
ecuacin matricial algebraica puedan ser determinados analticamente. Este mtodo ha
encontrado su aplicacin en el anlisis de campos electrostticos en ingeniera de alta
tensin. Este mtodo extendido mediante la introduccin de las cargas de rea
equivalentes da lugar al Mtodo de Simulacin con Cargas Superficiales colocadas
directamente en la superficie de los electrodos y contornos dielctricos.
En el Mtodo de Elementos de Contorno [10][13][22], se divide la superficie del
electrodo y del aislador en superficies ms pequeas. En cada una de estas superficies se
aproxima el integrando de la ecuacin integral por una funcin polinmica de
coeficientes indeterminados. Estos coeficientes se determinan obligando a que la
ecuacin integral se cumpla en tantos puntos de contorno como coeficientes
indeterminados existan. El nmero de estos coeficientes viene dado por la exactitud
requerida. De este modo se obtiene un sistema de ecuaciones algebraicas. Las
caractersticas de los medios son tomadas habitualmente como valores constantes para
un cierto elemento. La matriz de los coeficientes de las ecuaciones algebraicas, obtenida
de este modo, es de relativamente bajo orden. Sin embargo es llena y con valores de
coeficientes no constantes en el caso de medios no lineales. En este ltimo caso para la
solucin de la ecuacin algebraica matricial, se usa una combinacin de inversin
matricial directa y un proceso iterativo para ajuste de parmetros no lineales a lo largo
de los elementos de contorno [33][24][22]. El punto dbil de este mtodo es la aparicin
de una matriz llena de elementos y el relativo gran consumo de tiempo de computacin
para el clculo de los coeficientes matriciales. Las ventajas de este mtodo son el
relativo pequeo nmero de datos de entrada necesarios para la exacta descripcin de
las caractersticas del sistema, y la colocacin de los elementos de contorno slo sobre
las fronteras entre los diferentes medios. Este mtodo hace posible la solucin de los
denominados campos sin fronteras donde la aplicacin del FDM y el FEM es ms
difcil.
La utilizacin de uno u otro de los mtodos presentados vendr en funcin de las
caractersticas geomtricas y elctricas de la configuracin en estudio como de las
disponibilidades de medios de clculo. En los siguientes apartados se realiza una
presentacin ms detallada de los principales mtodos numricos para el clculo del
campo elctrico.

2.2 Mtodo de simulacin de cargas (CSM: Charge
Simulation Method)
2.2.1 Principio bsico
Como se comentaba en el apartado 2.1.1.3 el campo electrosttico en el espacio libre de
cargas viene dado por la solucin de la ecuacin de Laplace del potencial.
El mtodo de las cargas ficticias o de simulacin de cargas [131][124][145] se basa en
la linealidad de la ecuacin del potencial de Laplace de la que se deduce una posibilidad
para la obtencin de soluciones aproximadas. Una solucin aproximada puede obtenerse
mediante la superposicin de un nmero finito de soluciones particulares de la ecuacin
homognea. Las soluciones particulares que se utilizan para construir la solucin
aproximada del problema en el mtodo de las cargas ficticias son las funciones de
potencial correspondientes a determinadas distribuciones de carga, de formas y
posiciones conocidas pero cuyas magnitudes quedan an por determinar. Para calcular
las magnitudes de estas cargas se formulan ecuaciones que obligan al cumplimiento de
las condiciones de contorno en tantos puntos como cargas se pretende calcular. El grado
de exactitud de la solucin as construida depender del nmero de puntos en que se
fuerce el cumplimiento de las condiciones de contorno.
Para un sistema electrdico definido aparecen distribuciones de carga en la superficie de
los electrodos (cargas libres) y en las interfaces de separacin de medios dielctricos
(cargas de polarizacin). En este mtodo estas cargas fsicamente presentes se
sustituyen por cargas discretas situadas fuera del dominio donde se pretende calcular el
campo (p. ej. para calcular el campo en el exterior de un electrodo se sitan cargas
discretas en su interior). La posicin y el tipo de cargas ficticias se fijan de antemano en
funcin de la geometra del problema. All donde se siten las cargas deja de cumplirse
la ecuacin de Laplace. Para calcular el campo elctrico en una configuracin con un
nico medio dielctrico las cargas ficticias se sitan en el interior de los electrodos
como se indica en las figuras 2.2 y 2.3. En problemas con dos medios dielctricos
distintos, para conseguir que se satisfagan las condiciones de contorno correspondientes
a la superficie de separacin entre dielctricos sera necesario situar cargas ficticias en
el espacio donde se pretende calcular el campo. Para que las soluciones obtenidas sean
vlidas se descompone el problema en dos. En uno de ellos se colocan cargas en el seno
de uno de los dielctricos mientras se calcula el campo en el espacio ocupado por el otro
medio dielctrico. En el segundo se procede de forma inversa, como se muestra en la
Fig. 2.4.
Para el clculo de configuraciones complicadas se requiere la seleccin y
emplazamiento de un gran nmero de cargas para conseguir una solucin satisfactoria.

El mtodo as obtenido resulta simple y es aplicable a cualquier sistema que incluya uno
o ms medios homogneos. Una ventaja de este mtodo es su idoneidad para ser
aplicado en problemas tridimensionales de campo con simetra axial y a problemas de
carga espacial.
Medio Dielctrico
Electrodos
Cargas Ficticias

Fig. 2.2. Situacin de las cargas ficticias con un nico medio dielctrico en un problema de campo
abierto.
Medio
Dielctrico
Electrodo
Electrodo Cargas
Ficticias

Fig. 2.3. Situacin de las cargas ficticias con un nico medio dielctrico en un problema de campo
interno.

Medio dielctrico I
Electrodo
Medio Dielctrico II
Zona de clculo de campo
a)
Medio Dielctrico II
Electrodo
Medio dielctrico I
Zona de clculo de campo
b)

Fig. 2.4. Situacin de las cargas ficticias con dos medios dielctricos en un problema de campo abierto.
2.2.2 Formulacin de las condiciones de contorno
Como ya se coment en el apartado 2.1.1 para el clculo del campo elctrico se precisa
asociar a cada elemento de una configuracin electrdica una condicin de contorno. Se
consideran los siguientes tipos de condiciones de contorno:
- Potencial
0
= conocido.
- Potencial = indeterminado.
- Continuidad de la componente normal del vector desplazamiento elctrico
0
2 2 1 1
=
n n
.
2.2.2.1 Coeficientes de potencial y de campo elctrico
Las condiciones de contorno han de formularse en un nmero finito de puntos. Sean P
i

(con i=1,..n) los puntos en los que se van a formular las condiciones de contorno (a
estos puntos se les denomina puntos de contorno). Sea Q
j
(con j=1,..n) la magnitud de
una carga o densidad de una distribucin de carga. Las magnitudes de estas cargas
tienen que ser calculadas para que su efecto integrado satisfaga exactamente las
condiciones de contorno en los puntos de contorno seleccionados. Puesto que los
potenciales debidos a estas cargas satisfacen las ecuaciones de Laplace dentro del
espacio bajo consideracin, la solucin es nica dentro de ese espacio.
Se define el coeficiente de potencial p
ij
de una carga o distribucin de carga Q
j
de
densidad constante en un punto P
i
como el potencial que creara esa carga en este punto

si la carga tuviese magnitud unidad. Si se dispone de n cargas la contribucin de todas
ellas al potencial
i
en cada punto de contorno P
i
se escribir como:
=
=
n
j
j ij i
Q p
1

(2.5)
donde:
Q
j
es la carga discreta o la densidad de carga de una distribucin de densidad
constante situada en la posicin j.
p
ij
es el coeficiente de potencial asociado que indica el potencial creado en el
punto P
i
por la unidad de carga situada en la posicin j. En el caso de haber ms de un
medio dielctrico el coeficiente de potencial de las cargas situadas en la regin donde se
calcula el campo se toma igual a cero.
n es el nmero total de cargas que contribuyen al potencial
i
en el punto P
i
.
El coeficiente de potencial p
ij
es funcin de la geometra de la carga, de la posicin
relativa del punto y de la constante dielctrica.
Se define el coeficiente de campo f
ij
de una carga o distribucin de carga Q
j
en un
punto P
i
como la componente de la intensidad de campo elctrico en la direccin que
creara en este punto i si la carga situada en la posicin j tuviese magnitud unidad. Si se
dispone de n cargas la contribucin de todas estas cargas a la componente en la
direccin de la intensidad de campo elctrico, E
i
, en cada punto de contorno P
i
ser:
=
=
n
j
j ij i
Q f
1

(2.6)
La direccin depender del sistema de coordenadas que se escoja para el clculo del
campo elctrico. De este modo en sistemas bidimensionales cartesianos se tendrn dos
coeficientes de campo elctrico, f
xij
y f
yij
en la direccin x e y respectivamente. En
sistemas tridimensionales aparecern tres coeficientes f
rij
, f
ij,
f
zij
correspondientes a la
direccin radial, acimutal y axial respectivamente si se utiliza un sistema de
coordenadas cilndricas. En el caso de haber ms de un medio dielctrico el coeficiente
de campo de las cargas situadas en la regin donde se calcula el campo se toma igual a
cero.
2.2.2.2 Formulacin numrica de las condiciones de contorno
Segn el planteamiento del problema explicado en el apartado 2.1.1.3 se dispone de un
conjunto de superficies electrdicas y un conjunto de superficies separadoras de medios
dielctricos. Sobre cada una de estas superficies se sitan puntos de contorno suficientes

como para garantizar la exactitud requerida a la solucin del problema. En estos puntos
de contorno se formulan las condiciones de contorno correspondientes de acuerdo con
los procedimientos que se explican a continuacin.
2.2.2.2.1 Electrodos a potencial fijo
Se considera un electrodo a un potencial fijo dado
Ek
. Sean P
Ek1
,...,P
EkNk
los puntos de
contorno asignados a este electrodo. Entonces para cada uno de estos puntos de
contorno P
Ekl
se formula la ecuacin:
=
=
n
j
j ij Ek
Q p
1

(2.7)
donde:
- i es el subndice correspondiente al punto P
Ekl
dentro del conjunto de todos
los puntos de contorno de la configuracin.
- k indica el nmero del electrodo dentro de la configuracin (con los
electrodos numerados de 1..M
F
).
- l indica el punto de contorno dentro del electrodo k (l = 1,..,N
k
).
2.2.2.2.2 Electrodos a potencial indeterminado dentro de un nico medio
dielctrico
En la tcnica de alta tensin es frecuente encontrarse con electrodos que controlan la
distribucin de potencial entre un electrodo con potencial conocido
Ek
y el plano de
tierra. El potencial de estos electrodos de control no es conocido, es decir, no viene
determinado externamente por ninguna fuente de excitacin y depende de su situacin
geomtrica. Estos electrodos se denominan electrodos a potencial indeterminado o
flotante.
De este modo la presencia en una configuracin de un electrodo a potencial
indeterminado aumenta en una incgnita ms el problema que se planteaba en el caso de
un electrodo a potencial fijo, pues se desconoce el potencial de aquel electrodo. As, es
preciso formular una ecuacin adicional a las N
k
ecuaciones que se formulaban para el
caso de un electrodo a potencial conocido. Si el electrodo carece de carga inicial (que es
el caso ms frecuente) entonces esta ecuacin adicional puede derivarse de la condicin
de conservacin de la carga y sera:
=
=
k
N
l
l
Q
1
0
(2.8)
donde N
k
es el nmero de cargas situadas en el interior del electrodo.

Esta ecuacin es equivalente a formular la integral de la densidad del flujo elctrico para
la superficie del electrodo en consideracin:
0
0
=
S d E
(2.9)
En el caso de que el electrodo est rodeado de ms de un medio dielctrico, sera
preciso dividir la integral en tantas zonas como medios dielctricos rodeen al electrodo:
=
=
d
i
i i
S d E
i
1
0
(2.10)
Siendo d el nmero de medios dilectricos que rodean al electrodo.
Como las cargas ficticias no corresponden fsicamente con la carga situada en la
superficie del electrodo, la formulacin numrica de esta condicin requerira la
evaluacin de la integral en funcin de los coeficientes de campo de las cargas.
2.2.2.2.3 Superficies dielctricas
Cuando una configuracin electrdica est inmersa en un nico medio dielctrico (por
ejemplo sistemas electrdicos en aire o SF
6
), no resulta necesario plantear ms
ecuaciones que las correspondientes a los electrodos para obtener la solucin del
problema.
Sin embargo cuando existe ms de un dielctrico, se necesita tener en cuenta la carga de
polarizacin que aparece en la superficie de separacin entre ellos. En este caso ya se
vio que la condicin de contorno asociada a la superficie de separacin entre ellos es:
2 2 1 1 n n
= (2.11)

Tal y como se indic en el apartado 2.2.1 es preciso utilizar dos conjuntos de cargas. Un
primer conjunto formado por las cargas interiores de los electrodos y las situadas en el
seno del dielctrico 1, cuando se trata de calcular el campo del dielctrico 2. Y otro
formado por las cargas internas de los electrodos y las situadas dentro del dielctrico 2
cuando se calcula el campo en el dielctrico 1.
Sea r el nmero total de cargas correspondientes a los electrodos y sean m las cargas
situadas a cada lado de la superficie de separacin de los dielctricos. El primer
conjunto de cargas estar formado por las cargas de ndices I
1
= {1,...., r, r+1....r+m} y
el segundo por las cargas de ndices I
2
= {1,..., r, r+m+1,..., r+2m}. El nmero total de
cargas de la configuracin ser n=r+2m.
Considrese un sistema electrdico con dos medios dielctricos, como se muestra en la
Fig. 2.5.

Dielctrico 2
2
Electrodo
Dielctrico 1
1
En1
En2

Fig. 2.5. Condicin de contorno de un sistema electrdico en dos medios dielctricos.
La componente normal de campo en el medio dielctrico 1, debido a las cargas discretas
del segundo conjunto de cargas considerado, en un punto P
i
ser:
i
i
i
i
i
i i n
E E E

2 2 2
1
+ + =
(2.12)

donde
i
,
i
, y
i
representan los cosenos directores de la normal de la superficie
dielctrica en el punto P
i
sobre el sistema de coordenadas en el que se est trabajando,
es decir, , , , y el superndice 2 representa el conjunto de cargas I
2
.
Lo mismo se puede decir de la componente normal de campo en el medio dielctrico 2
debido a las cargas discretas del primer conjunto de cargas considerado:
i
i
i
i
i
i i n
E E E

1 1 1
2
+ + =
(2.13)

Y utilizando la expresin (2.6) se obtienen:

+
+ + =
+
+ + =
+
+ + =
= = =
+ + +
+ + + =
m r
m r j
j ij i
m r
m r j
j ij i
m r
m r j
j ij i
r
j
j ij i
r
j
j ij i
r
j
j ij i i n
Q f Q f Q f
Q f Q f Q f
2
1
2
1
2
1
1 1 1
1

(2.14)
con 0 =
ij
f
para m r r j + + = ,..., 1 .

+
+ =
+
+ =
+
+ =
= = =
+ + +
+ + + =
m r
r j
j ij i
m r
r j
j ij i
m r
r j
j ij i
r
j
j ij i
r
j
j ij i
r
j
j ij i i n
Q f Q f Q f
Q f Q f Q f
1 1 1
1 1 1
2

(2.15)
con 0 =
ij
f
para m r m r j 2 ,..., 1 + + + = .
Si se define el coeficiente de la componente normal de campo debido a la carga Q
j
en el
punto P
i
como:
ij i ij i ij i nij
f f f f

+ + =
(2.16)
las expresiones (2.14) y (2.15) se pueden formular entonces:

+
+ + = =
+ =
m r
m r j
j nij
r
j
j nij i n
Q f Q f
2
1 1
1

(2.17)
con 0 =
nij
f para m r r j + + = ,..., 1 y

+
+ = =
+ =
m r
r j
j nij
r
j
j nij i n
Q f Q f
1 1
2

(2.18)
con 0 =
nij
f para m r m r j 2 ,..., 1 + + + = .
Si se escribe la expresin (2.11) como:
0
1 2
1
2
=
n n

(2.19)
Y si en esta ecuacin se sustituyen las expresiones (2.17) y (2.18) se obtiene:

+
+ + = =
+
+ = =
+ =
|
|
.
|
\
|
+
m r
m r j
j nij
r
j
j nij
m r
r j
j nij
r
j
j nij
Q f Q f Q f Q f
2
1 1 1 1
1
2

(2.20)
o bien:
0 1
2
1 1
1
2
1
1
2
= +
|
|
.
|
\
|

+
+ + =
+
+ = =
m r
m r j
j nij
m r
r j
j nij
r
j
j nij
Q f Q f Q f

(2.21)
Si en la superficie dielctrica se sitan m puntos de contorno la condicin (2.11) se debe
formular para estos m puntos. Como hay que determinar el valor de 2m cargas es
preciso formular m ecuaciones adicionales para que el sistema de ecuaciones sea
determinado. Estas ecuaciones se obtienen de imponer la continuidad del potencial en la
superficie dielctrica, calculado con uno u otro conjunto de cargas para los m puntos de
contorno:

i i 2 1
= (2.22)

es decir:
m r r i para Q p Q p Q p Q p
m r
r j
j ij
r
j
j ij
m r
m r j
j ij
r
j
j ij
+ + = + = +

+
+ = =
+
+ + = =
,..., 1
1 1
2
1 1

(2.23)

o bien:
m r r i para Q p Q p
m r
m r j
j ij
m r
r j
j ij
+ + = = +

+
+ + =
+
+ =
,..., 1 0
2
1 1

(2.24)
2.2.3 Construccin del sistema de ecuaciones
Con las consideraciones realizadas en los apartados anteriores se est en disposicin de
construir el sistema de ecuaciones de cualquier configuracin electrdica que se pueda
plantear.
Sean M
F
electrodos a potencial fijo, M
I
electrodos a potencial indeterminado y una
superficie dielctrica. Sea r el nmero de cargas correspondientes a los electrodos (ya
sean a potencial fijo o indeterminado), y 2m el nmero de cargas correspondientes a la
superficie dielctrica. Se dispone por tanto de n = r+2m incgnitas correspondientes a
las cargas y M
I
incgnitas correspondientes a los potenciales de los electrodos a
potencial indeterminado.
Para calcular el valor de estas incgnitas se construye un sistema de ecuaciones de la
siguiente manera:
- Para los puntos de contorno de un electrodo a potencial fijo E
k
se escribe la
ecuacin:
=
=
n
j
j ij Ek
Q p
1

(2.25)
- Para los puntos de contorno P
i
situados en un electrodo a potencial
indeterminado E
l
se escriben las ecuaciones siguientes:
0
1
=
=
El
n
j
j ij
Q p
(2.26)
El conjunto de ecuaciones (2.25) y (2.26) formuladas para todos los puntos de contorno
de todos los electrodos resultan en un total de r ecuaciones.
- Para cada electrodo a potencial indeterminado se escribe la ecuacin
correspondiente a la suma de cargas:

=
l
l
Q 0
(2.27)
donde l recorre los ndices de las cargas del electrodo a potencial
indeterminado. De aqu resultan M
I
ecuaciones en consideracin.
- En el caso de estar presente una superficie dielctrica se formulan m
ecuaciones dadas para las frmulas (2.21) y m ecuaciones dadas para las
frmulas (2.24).
El sistema as considerado posee n+M
I
ecuaciones, y n+M
I
incgnitas.
Supongamos una configuracin formada por M
F
electrodos a potencial fijo, un electrodo
a potencial indeterminado y una superficie dielctrica. El sistema de ecuaciones
resultante se puede expresar en forma matricial de la siguiente manera:
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|

+
+ +
+
+
+
+ + + + + +
+
+ +
+
+
+
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0
0 0 0
0 . 0
0 0 0
0
0 1 1
0
1
1
1
0
0
0
1
.
1
.
1
.
1
.
1
1 .. 1 ... ... 1 .... .. .......... .......... 1 .......... .......... .......... 1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
2
1
2
EMF
E
EMF
n
m r
m r
r
r
s
s
ij ij
ij ij
ij ij
nj nj nj nj
ij ij ij ij
ij ij ij ij
ij ij ij ij
ij ij ij ij
ij ij ij ij
ij ij ij ij
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
p p
p p
p p
f f f f
p p p p
p p p p
p p p p
p p p p
p p p p
p p p p
n
n
m r
m r
r
r
s
s
n n m r m r r r s s

(2.28)
donde s es el ndice que indica el nmero de cargas de los electrodos a potencial fijo,
siendo por tanto r-s el nmero de cargas de los electrodos a potencial indeterminado.
Los coeficientes de potencial de los electrodos situados en el seno del medio dielctrico
1 2 con las cargas correspondientes en la frontera dielctrica situadas en el mismo
medio se toman como cero.
2.2.4 Consideracin del plano de tierra
En muchas configuraciones electrdicas reales es de inters el campo electrosttico
entre un sistema de conductores y un plano infinito con potencial a tierra. Este plano se
tiene en cuenta si se incorpora al sistema de cargas equivalentes otro con cargas del
mismo valor pero de signo contrario situado simtricamente con respecto al plano de
tierra. Se dice que el plano de tierra se modela con cargas imgenes como se puede
observar en la Fig. 2.6.

-
1
-
2
-
3
-
n
1
2
3
n
U=0
1
2
3
n
h
2h

Fig. 2.6. Modelizacin de una configuracin electrdica con plano de tierra.
Para estos sistemas los coeficientes de potencial p
ij
y de campo f
ij
de una carga Q
j
(x,y,z)
calculados en un punto P
i
estn compuestos por dos sumandos el primero debido a la
propia carga Q
j
(x,y,z) y el segundo a su simtrica o imagen -Q
j
=Q
j
(x,y-z), es decir:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) z y x Q p z y x Q p Q Q p
j ij j ij j j ij
= , , , , , (2.29)
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) z y x Q f z y x Q f Q Q f
j ij j ij j j ij
= , , , , ,

(2.30)
2.2.5 Clculo de potencial y campo
El sistema de ecuaciones planteado en (2.28) se puede escribir de forma simplificada
como:
| |
(
=
(
0
B Q
A
(2.31)
La solucin del sistema de ecuaciones lineal proporciona el valor de las cargas ficticias
as como de los potenciales indeterminados presentes en la configuracin:
| | | | B A
Q
=
(
1

(2.32)
Ahora resulta posible calcular el potencial y campo elctricos en cualquier punto del
espacio utilizando las frmulas (2.5) y (2.6).

2.2.6 Tipos de configuraciones
Atendiendo a las diferentes caractersticas geomtricas de una configuracin electrdica
objeto de estudio se puede clasificar el clculo de campos elctricos en tres tipos de
sistemas:
- Campos elctricos bidimensionales. La configuracin presenta una dimensin
mucho mayor en una direccin espacial determinada y las secciones de la
configuracin perpendiculares a esa direccin son idnticas, sea cual sea la
altura a la que se produce el corte. Slo resultan necesarios dos coeficientes de
campo, p. ej. f
xij
y f
yij
en la direccin x e y respectivamente en el caso de
coordenadas cartesianas.
- Campos elctricos tridimensionales con simetra de revolucin. La disposicin
de la configuracin electrdica objeto de estudio es tal que presenta simetra
respecto a un eje de revolucin. Slo resulta necesario el clculo de dos
coeficientes de campo f
rij
, y

f
zij
correspondientes a la direccin radial y axial
respectivamente si se utiliza un sistema de coordenadas cilndricas.
- Campos elctricos tridimensionales. Corresponden a una configuracin general
en la que no puede aplicarse ninguna de las simplificaciones de los sistemas
comentados anteriormente. Para este tipo de sistemas es necesario el clculo de
tres coeficientes de campo, f
rij
, f
ij,
f
zij
, correspondientes a la direccin radial,
acimutal y axial respectivamente si se utiliza un sistema de coordenadas
cilndricas.
Para el anlisis de cada uno de los sistemas anteriores se puede modelar el clculo de
campo elctrico con diferentes tipos de cargas discretas.
2.2.7 Campos elctricos en sistemas bidimensionales
Para el clculo del campo elctrico en sistemas bidimensionales se utilizan como cargas
discretas cargas lineales de longitud infinita.
En la Fig. 2.7 se muestra la seccin de un conductor elptico con la situacin de las
cargas lineales infinitas con sus cargas imgenes y los correspondientes puntos de
contorno, frente a un plano de tierra.

x
y
Pi(xi ,yi)
j(xj ,yj)
-
j(xj ,-yj)

Fig. 2.7. Cargas lineales de longitud infinita.
Los coeficientes de potencial de lneas de carga infinitas vienen definidos por la
siguiente expresin [13]:
2 2
2 2
) ( ) (
) ( ) (
ln
2
1
j i j i
j i j i
ij
x x y y
x x y y
p
+
+ +
=

(2.33)
con la notacin de la Fig. 2.7. Esta expresin incluye tambin las partes de las cargas
imagen para la representacin del plano de tierra [121]. Puesto que las cargas lineales
son de longitud infinita, las cantidades que deben ser determinadas son densidades
lineales de carga
j
. Los coeficientes de campo presentan las siguientes expresiones:
- Coeficiente en la direccin x:
(
(
+ +

+

=
2 2 2 2
) ( ) (
) (
) ( ) (
) (
2
1
j i j i
j i
j i j i
j i
xij
x x y y
x x
x x y y
x x
f

(2.34)
- Coeficiente en la direccin y:
(
(
+ +
+
+

=
2 2 2 2
) ( ) (
) (
) ( ) (
) (
2
1
j i j i
j i
j i j i
j i
yij
x x y y
y y
x x y y
y y
f

(2.35)

donde:
j
es la carga perpendicular al plano XY de longitud infinita y de coordenadas
(x
j
,y
j
).
P
i
es el punto del espacio de coordenadas (x
i
,y
i
).
-
j
es la carga imagen de
j
de coordenadas (x
j
,-y
j
).
En el Apndice A se deducen las expresiones de los coeficientes de potencial y de
campo elctrico.
2.2.8 Campos elctricos en sistemas tridimensionales de revolucin
Las configuraciones tridimensionales simtricas en torno a un eje son frecuentes en la
ingeniera elctrica de alta tensin. Se trata de las configuraciones electrdicas que
presentan simetra axial respecto a un eje de rotacin. Se utilizan los siguientes tipos de
cargas:
a.- Cargas anulares. Se trata de anillos de carga con densidad lineal de carga
constante centrados en el eje de simetra y situados perpendicularmente al mismo
(Fig. 2.8 a).
b.- Cargas rectilneas (de longitud finita). Se trata de un segmento de carga con
densidad lineal de carga constante situado sobre el eje de simetra (Fig. 2.8 b).
c.- Cargas puntuales. Se emplean en lugar de las cargas anulares cuando es
preciso situar las cargas en el eje de simetra. (ver Fig. 2.8 c).
zj
P(ri,zi)
Qj
z
Qj Qj
r
z
P(ri,zi)
c) Carga puntual.
zj2
r
z
zj1
b) Carga lineal recta.
P(ri,zi)
r
a) Carga anular.
rj

Fig. 2.8. Tipos de cargas.
En la siguiente figura se puede ver el empleo de todos estos tipos de cargas en una
esfera conductora con su entronque cilndrico.

Carga anular.
r
Q
j
z
r
j
z
j
z
j2
z
j1
r
z
r
z
Carga puntual.
Carga rectilnea.
P(r
i
,z
i
)

Fig. 2.9. Disposicin de cargas para el clculo de una esfera conductora con su entronque cilndrico.
A continuacin se indican las expresiones analticas [121][13] de los coeficientes de
potencial y de campo elctrico en direccin radial y axial de dichas cargas en presencia
de un plano de tierra, usando la notacin de la Fig. 2.9.
a) Carga puntual
- Coeficiente de potencial.
( ) ( ) ( ) ( )
(
(
(
+ +
+
=
2 2 2 2
1 1
4
1
j i j i j i j i
ij
z z r r z z r r
p

(2.36)
- Coeficiente de campo elctrico.
En direccin radial.
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
(
(
+ +

+

=
2 / 3
2 2
2 / 3
2 2
) ( ) (
4
1
j i j i
j i
j i j i
j i
rij
z z r r
r r
z z r r
r r
f

(2.37)
Direccin axial.

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
(
(
+ +
+
=
2 / 3
2 2
2 / 3
2 2
) ( ) (
4
1
j i j i
j i
j i j i
j i
zij
z z r r
z z
z z r r
z z
f

(2.38)
b) Carga anular. (Fig. 2.10)
( )
(
=
2
2
1
1
) ( 2
4
1

k K k K
p
ij

(2.39)
En direccin radial.
( ) ( )
( ) ( )
(
(
+ +
+
=
2
2 2
2
2
2 2
2 2 2
2
1 1
1
2
1 1
2 2 2
) ( ) (
) ( ) (
1
4
1

k K k E z z r r
k K k E z z r r
r
f
j i i j
j i i j
i
rij

(2.40)
En direccin axial
( ) ( ) ( ) ( )
(
(
+
+

=
2
2 2
2
2
1 1
1 2
4
1

k E z z k E z z
f
i j i j
zij

(2.41)
donde:
2
2
1
1
2 2
2
2 2
1
2 2
2
2 2
1
2 2
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) ( ) (

i j i j
j i j i j i j i
j i j i j i j i
r r
k
r r
k
z z r r z z r r
z z r r z z r r
= =
+ + = + =
+ + + = + + =

(2.42)
K(m) = Integral elptica de primera especie de parmetro m.
E(m) = Integral elptica completa de segunda especie de parmetro m.
Estas integrales se pueden evaluar por medio de aproximaciones polinmicas [6].

Pi(ri,zi)
rj
zj
-zj

Fig. 2.10. Clculo de campos elctricos mediante cargas anulares.
c) Carga rectilnea. (Fig. 2.11)
) )( (
) )( (
ln
) ( 4
1
2 2 1 1
2 1 1 2
1 2

+ +
+ + +
=
i j i j
i j i j
j j
ij
z z z z
z z z z
z z
p
(2.43)
Direccin radial.
(
+
+
=
2
1 2
2
1 1
1
1 1
1
1 2
1 2
) ( ) ( ) ( ) (
) ( 4
1

i
j
i
j
i
j
i
j
j j
rij
r
z z
r
z z
r
z z
r
z z
z z
f
(2.44)
Direccin axial.
(
=
2 2 1 1 1 2
1 1 1 1
) ( 4
1

j j
zij
z z
f
(2.45)
donde:

2
2
2
2
2
1
2
1
2
1
2
2
2
2
2
1
) ( ) (
) ( ) (
i j i i j i
i j i i j i
z z r z z r
z z r z z r
+ + = + =
+ + = + =

(2.46)
P
i
(r
i
,z
i
)
z
j1
z
j2
-z
j1
-z
j2

Fig. 2.11. Clculo de campos elctricos mediante cargas de segmentos verticales.
En el Apndice A se deducen las expresiones de los coeficientes de potencial y de
campo elctrico para sistemas tridimensionales con simetra axial.
2.2.9 Campos elctricos en sistemas tridimensionales sin simetra
axial
Habitualmente los problemas de configuraciones electrdicas que se plantean se
restringen al estudio de aqullos que poseen simetra rotacional (por ejemplo,
transformadores para ensayos, divisores de tensin, condensadores), y de este modo se
pueden simular con cargas puntuales, anulares y rectilneas.

Sin embargo, puede plantearse el problema de una configuracin electrdica en el que
aparezcan varios electrodos con simetra rotacional que juntos establezcan una
configuracin de campo sin simetra rotacional. Un ejemplo simple de esto ltimo sera
una configuracin de 2 varillas cargadas que se sitan muy prximas entre s. Las
varillas poseen por sus propiedades geomtricas simetra rotacional, pero el campo
elctrico que surge en sus proximidades no lo es y las superficies equipotenciales que se
originan tampoco, como se esquematiza en la siguiente figura.

Fig. 2.12. Corte transversal de varillas.
Este tipo de configuraciones no se puede simular nicamente con las distribuciones de
carga hasta aqu comentadas. Para el clculo de los campos elctricos tridimensionales
de estos sistemas se puede extender el Mtodo de Simulacin de Cargas. Del mismo
modo que en el caso de simetra axial se pueden aplicar un conjunto de cargas
puntuales, lineales, y anulares para la discretizacin de cargas superficiales reales. Pero
en este caso la densidad de carga de las cargas anulares se escoge o bien de variacin
continua [121][123], o parcialmente constante [140] (ver Fig. 2.13), alternativamente
pueden usarse cargas anulares excntricas ( Fig. 2.14).
Si se utiliza una discretizacin de cargas con segmentos de anillo como en la
Fig. 2.13 a, se asigna a cada segmento del anillo un punto de contorno. El coeficiente de
potencial p
ij
y las componentes de intensidad de campo de un segmento Q
j
en el punto
P
i
(r
i
,
i
,z
i
) utilizando el sistema de coordenadas cilndricas viene dado por las siguientes
expresiones [13]:
( )
( )
=
j
j
i j i ij
j j
ij
r r D
d
p
1
0
cos 2
4
1
2
0 1

(2.47)

( )
( )
=

=

=
j
j
j
j
j
j
d
F
z z
K
Q
E
d
F
sin r
K
Q
E
d
F
r r
K
Q
E
ij
j i
j
j
zij
ij
i j
j
j
ij
ij
i j i
j
j
rij
1
0
1
0
1
0
;
;
;
cos

(2.48)
donde :
( )
( )
( ) ( ) , cos 2
; 4
;
3
2 2 2
0 1
2 2 2 2
(
+ + =
=
+ + =

i j i i j j i ij
j j j
i j j i ij
r r r r z z F
K
r r z z D

(2.49)
Y los ngulos
0j
,
1j
y son los representados en la figura Fig. 2.13. Los smbolos r
j
y
z
j
son los mismos que en el caso de las cargas con densidad de carga constante (ver
Fig. 2.8 a). Las integrales precedentes pueden evaluarse utilizando tcnicas de anlisis
numrico, por medio por ejemplo de la regla de Simpson. Se pueden tambin utilizar
otras tcnicas de integracin numrica como la cuadratura gaussiana.
j 0
j 1
Longitud indica
mdulo de carga
a)
x
y
rj
b)
x
y
rj

Fig. 2.13. Cargas anulares. a) Densidad de carga parcialmente constante. b.) Densidad de carga variable
continuamente.
A continuacin se presentan varios mtodos para simular los electrodos con
distribuciones de carga no uniformes.
2.2.9.1 Simulacin con varias distribuciones uniformes
Este mtodo consiste en simular las partes de los electrodos que producen asimetra en
los campos elctricos por varias distribuciones de carga uniformes.

En el siguiente ejemplo se observan 2 varillas conductoras acabadas en semiesfera en
presencia de un plano de tierra. En las secciones transversales de cada varilla se fijan 4
puntos de contorno equidistantes. Cada uno de dichos puntos se asocia con una
distribucin anular uniforme excntrica del modo que se puede observar en el ejemplo
de la figura:
- La distribucin anular uniforme
1
est asociada con el punto de contorno A.
2
est asociada con el punto de contorno B.
3
est asociada con el punto de contorno C.
4
est asociada con el punto de contorno D.
U=0
C
A G E
A
B
C
D
1
2
3
4
E
F
G
H
5
6
7
8

Fig. 2.14. Clculo de distribucin de campo sin simetra axial mediante cargas anulares excntricas.
2.2.9.2 Simulacin con una sola estructura y varios valores discretos
de cargas
Otro mtodo [121] para simular los electrodos con distribucin de cargas no uniforme
es tomar una estructura anular dividida en segmentos con densidades de carga
constantes pero distintas en cada segmento. La estructura anular no puede ser continua,

pues implicara cuatro puntos con 2 valores diferentes de densidad de carga. Esto se
soluciona estableciendo una pequea ruptura en cada uno de los 4 puntos de contacto de
las distribuciones.
2
1
3
4
P1
P2
P4
P3

Fig. 2.15. Anillo con carga no constante.
2.2.9.3 Simulacin con una sola estructura y una variacin continua
de la densidad de carga
En este mtodo las partes de los electrodos que producen asimetra se simulan por una
sola estructura, por ejemplo una estructura anular (Fig. 2.16 a), con una variacin
continua de la densidad de carga (Fig. 2.16 b). La distribucin de carga en los anillos al
principio es desconocida (incgnita). Por esta razn la distribucin se divide en una
parte constante y varios armnicos cosinusoidales (slo se admiten armnicos impares
segn la distribucin) con valores de pico
desconocidos, similares a los que aparecen

en el anlisis de Fourier. La distribucin de carga es una funcin del ngulo de rotacin
(Fig. 2.17) y viene dada para cada carga j por:
=
=
H
n
j j
0
) cos( ) (

(2.50)
donde n
H
indica el nmero de armnicos.
Para implementar este mtodo se toman para cada carga j, n
H
+1 puntos de contorno a
lo largo del permetro del conductor y se asigna a cada punto una incgnita
. La
asignacin de cada armnico al punto de contorno se hace por numeracin.

Carga anular
Electrodo
r
i
r
i
a) b)
()
()
()

Fig. 2.16. Simulacin mediante una sla estructura con una variacin continua de . a) Situacin del
electrodo y la carga anular. b) Distribucin de carga sobre la carga anular.

Fig. 2.17. Variacin de la distribucin lineal de carga con el ngulo .
El principio de este mtodo puede explicarse mediante un ejemplo. Considrense las
dos varillas, junto con un electrodo disparador como se muestra en la Fig. 2.18. La
simetra axial original del campo de las 2 varillas desaparece debido a la presencia del
electrodo disparador. Las cargas de tipo anular se colocan dentro de la mitad de las
esferas de las varillas y la parte cnica del electrodo disparador, de un modo similar al
que se usa para geometras con simetra rotacional. Para las partes cilndricas de las
varillas y el electrodo disparador, las cargas lineales rectas estn situadas paralelas al eje
de simetra de los electrodos en un crculo alrededor del eje. Para considerar la asimetra
con razonable exactitud es suficiente colocar 3 o 4 cargas rectilneas alrededor de la
circunferencia en la seccin transversal de cada electrodo. Sin embargo los anillos
presentan una densidad de carga variable [121][123].

Seccin transversal
de la varilla superior

Fig. 2.18. Varillas vacas con electrodo disparador.
El valor de
no se calcula por cumplimiento de una condicin de ortogonalidad como

en el caso de un anlisis de Fourier, sino dando varios puntos de contorno con valores
de potencial conocidos alrededor de los electrodos.
El coeficiente de potencial de una carga anular variable peridicamente debido al -
simo armnico en cualquier punto (r, , z) de un sistema de coordenadas cilndrico es
(sin las cargas imgenes) [124][123].
( ) cos
2 2
1
2
2
1

|
|
.
|
\
|
=
j
j
j
j
rr
D
Q
r
r
p
(2.51)
con ( )
2 2 2 2
r r z z D
j j j
+ + = y Q
m-1/2
como las funciones de Legendre de 2 clase de orden
-1/2, tambin llamada funcin toro. Los smbolos r
j
y z
j
son los mismos que en el caso
de cargas constantes.
Se establece un sistema de ecuaciones lineales y se resuelve para
en un modo similar
a como se describi anteriormente.
Las componentes de intensidad de campo, obtenidas por la diferenciacin de la funcin
potencial con respecto a r, , y z son:

(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
+
+
+
|
|
.
|
\
|
=
=
+
j
j
j
j
j
j
j j
j j
j
j j
rr
D
Q
rr
D
rr
D
Q D r r
r r D
rr
D
Q
r r
r
r
2 2 2
) 2 ( 2
4
2
1
2 2
1
) cos(
2
2
2
1
2 2
2
1
2 2
2 2 4
2
2
1 r

(2.52)
) (
2
1
2
1
2
2
1

sin
rr
D
Q
r r
r
r
j
j j
|
|
.
|
\
|
=

(2.53)
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

+
=
=
+
j
j
j
j
j
j
j j
j j
j
rr
D
Q
rr
D
rr
D
Q z z r r
r r D
r
r
z
2 2 2
) ( 4
4
2
1
) cos(
2
2
2
1
2 2
2
1
2 2 4
z

(2.54)
La intensidad de campo en cualquier direccin se calcula por superposicin de la que
crea, por un lado la carga constante y por otro lado las cargas variables peridicas. Por
ejemplo tomando una carga anular,
=
=
H
n
r r
E
0

(2.55)
2.2.10 Criterios para la modelizacin
2.2.10.1 Tratamiento de zonas de variacin
En las configuraciones electrdicas siempre aparecen zonas de escasa variacin en su
geometra que se siguen con otras de mayor variacin (por ejemplo de, mayor curvatura
que las anteriores). Para analizar estas zonas de mayor variacin geomtrica se disponen
ms cargas de lo habitual que en otras zonas de menor variacin. Esto se hace as pues
las zonas de mayor variacin geomtrica son las que soportan mayor variacin en su
densidad de carga y por lo tanto se necesita un nmero mayor de puntos de contorno y
de cargas para que la simulacin sea lo ms exacta posible.
2.2.10.2 Matriz de cuasibanda
Para obtener un sistema de ecuaciones que modele lo ms fielmente posible el potencial
creado en el espacio exterior por una determinada configuracin electrdica, se debe de
garantizar una cierta disposicin que se considera ms correcta de los elementos de la
matriz del sistema, es decir, de los coeficientes de potencial. Para ello, se considera una

disposicin correcta de los coeficientes de potencial dentro de la matriz del sistema
cuando los coeficientes de mximo valor ocupan la posicin de la diagonal principal en
la matriz del sistema. De este modo los coeficientes que ocupan las subdiagonales
adyacentes a la diagonal principal van disminuyendo de valor a medida que se alejan de
la diagonal principal. Los coeficientes de potencial que ocupan posiciones en las
subdiagonales ms alejadas de la diagonal principal sern de un valor muy pequeo y en
algunos casos prximo a cero. Esta disposicin de los coeficientes en la matriz es lo que
le proporciona a sta un carcter de matriz cuasi-banda, con valores de coeficientes
significativos situados en una banda alrededor de la diagonal principal de la matriz.
Para garantizar esta disposicin de los coeficientes de mximo valor en la diagonal
principal se debe observar que cada carga contribuye al potencial de todos los puntos de
contorno, es decir aporta coeficientes para todos los puntos de contorno P
i
. Pero la carga
Q
j
que contribuye con mayor potencial, es decir la de mayor coeficiente, es la que se
sita ms prxima al punto de contorno P
i
. Este coeficiente de potencial se debe de
situar en la diagonal principal de la matriz para garantizar una resolucin del sistema de
ecuaciones de modo ptimo.
2.2.10.3 Decisiones en las modelizaciones
Habitualmente el tipo de cargas ficticias a emplear en las modelizaciones depende de la
posicin que ocupa cada punto de contorno en la configuracin electrdica. As para
puntos de contorno situados en el eje de simetra de una configuracin electrdica se
emplearn cargas puntuales. Los puntos de contorno situados en partes curvas de
configuraciones se vern simulados por cargas anulares, y finalmente los puntos de
contorno situados en partes rectas de las configuraciones se ven simulados por
distribuciones lineales de carga. Esto se esquematiza en la siguiente figura.

q
A
B
C
D
E
1
3
r
a
2

Fig. 2.19. Disposicin de Puntos de contorno y cargas asociadas. El punto A situado en el eje de simetra
se le asocia la carga puntual 1. Los puntos B,C, y D se les asocia las cargas anulares 2. El punto E se le
asocia la carga lineal 3.
2.2.10.4 Aspectos de aplicacin
Para la aplicacin ms efectiva del mtodo CSM es de importancia la disposicin
adecuada de las cargas y puntos de contorno. Un criterio prctico se obtiene por la
definicin de un factor de asignacin [121] f
a
= a
2
/a
1
siendo a
1
la distancia entre dos
puntos consecutivos, y a
2
la distancia entre un punto de contorno y la correspondiente
carga segn se muestra en la siguiente figura.
a1
a2
0
r
a1
i
a) b)
Puntos de Contorno Cargas
a2

Fig. 2.20. Disposicin de simulacin de cargas.

Para contornos curvados, la distancia entre las cargas no debera ser demasiado
pequea, y esto precisa la formulacin de un criterio de curvatura (radio ) para tales
cargas. Se puede derivar la siguiente expresin empleando la notacin de la figura
anterior basndose en el significado geomtrico de a
1
y a
2
.
(
(
(
|
.
|
\
|
+ =
r
a
f
r
a
f r
a a i
1
2
1
0
1 m
(2.56)
i
es vlido para curvatura convexa (signo negativo),
0
para curvatura cncava (signo
positivo).
La experiencia demuestra que el factor de asignacin de f
a
debe estar entre 1.0 y 2.0. Si
f
a
se mantiene dentro de estos lmites la exactitud del clculo no est muy influida por la
posicin de las cargas de simulacin. Otra posibilidad para determinar la posicin de las
cargas es mediante introduccin de procedimientos de optimizacin, por ejemplo el
algoritmo de Fletcher [149] o la aplicacin de sistemas expertos [115]. La exactitud del
clculo depende de la eleccin del factor de asignacin y la densidad de los puntos de
contorno. En las reas de inters, la exactitud se puede mejorar por un incremento de la
densidad de los puntos de contorno. Los siguientes criterios se pueden usar para
comprobar la exactitud de la simulacin:
1.- Una medida para la exactitud del clculo es el "error de potencial" en varios
puntos de comprobacin en la superficie del electrodo entre 2 puntos de
contorno. Este "error de potencial" se define como la diferencia entre el
potencial conocido del electrodo y el potencial calculado:
icalculado ireal i
= (2.57)
2.- La continuidad del potencial en una frontera dielctrica.
3.- La continuidad de la componente tangencial de la intensidad de campo en
una frontera dielctrica.
4.- La relacin de las componentes normales de la intensidad de campo a ambos
lados de la superficie de un dielctrico
5.- La evolucin de la direccin del vector intensidad de campo (ver Fig. 2.21).

Superficie electrodo.
Lnea equipotencial correspondiente
Simulacin inaceptable
Simulacin aceptable

Fig. 2.21. Comprobacin de la exactitud de la direccin del vector intensidad de campo .
6.- La derivada del logaritmo neperiano del mdulo de la intensidad de campo
debe de ser igual a la curvatura total de la superficie en este punto, cambiada de
signo [129] o lo que es lo mismo: (frmula de Spielrein):
|
|
.
|
\
|
+ =
2 1
1 1 1
E n
E

(2.58)
con los radios de curvatura
1
y
2
perpendiculares a la seccin de corte.
La experiencia muestra que el error del gradiente se eleva a diez veces ms que el
correspondiente error de potencial. De este modo el error de potencial debera ser menor
que 1 por mil en un rea del electrodo si se desea una exactitud de intensidad de campo
del 1% en esta rea. El lmite prctico para la exactitud de la simulacin de electrodos
viene dada por la tolerancia de fabricacin de los conductores. Del mismo modo la
exactitud de la simulacin de los dielctricos tiene su lmite prctico en la exactitud de
la determinacin de las constantes dielctricas.
2.3 Mtodo de cargas superficiales (SCSM: Surface
Charge Simulation Method)
2.3.1 Introduccin
El mtodo de simulacin de cargas superficiales corresponde al enfoque del clculo de
campo elctrico y potencial mediante el cual, stos se pueden calcular en cualquier
punto del espacio una vez que se conozca la distribucin de carga. Mientras el Mtodo
de Simulacin de Cargas (CSM) con cargas discretas opera con distribuciones de cargas
dispuestas fuera del dominio en consideracin, el Mtodo de Cargas Superficiales
(SCSM) usa distribuciones que estn localizadas directamente sobre las fronteras. Las
cargas de los electrodos, o en su caso, las cargas de polarizacin de dielctricos de

materiales diversos, se representan mediante funciones de densidad de carga superficial
de tipos determinados (lineales, cuadrticas,..). En el caso de campos elctricos
"mixtos" de variacin lenta (con una componente resistiva del campo elctrico
"fluyente" y una componente capacitiva), que desempean un papel importante en el
caso de aislamientos con un ngulo de prdidas alto, las cargas se sustituyen por
corrientes [117][135]. Tambin en el caso de campos electromagnticos de variacin
rpida, se calcula con corrientes, bien lineales [53][46] bien superficiales [81][80]. Para
aplicaciones de ingeniera de alta tensin el SCSM con cargas superficiales fue
desarrollado por Singer [125][117][118].
El clculo con una distribucin superficial de las fuentes, (ya sea de carga o de
corriente) puede utilizarse en cualquier tipo de configuracin. Requiere eso s, un mayor
aparato matemtico, pues para el clculo del campo se hace necesaria una integracin
superficial, que por razones de precisin y de velocidad de clculo, debe llevarse a cabo
de forma analtica hasta el punto en que sea posible.
2.3.2 Principio bsico
El mtodo de las cargas superficiales puede entenderse como una extensin del mtodo
de las cargas discretas. Se aplica a configuraciones de electrodos y aisladores en donde
las superficies portadoras de carga presentan simetra rotacional.
Considrese una seccin de un cuerpo de revolucin como la representada en la figura
Fig. 2.22:
P
1
P
2
q
1
q
2
q
4
q
3

Fig. 2.22. Rodaja de seccin de un cuerpo de revolucin y discretizacin con cargas anulares.
En el mtodo de las cargas ficticias, si la superficie representase parte de un electrodo,
su carga superficial se reemplazara por dos cargas discretas interiores, q
1
y q
2
, la
condicin de contorno se escribira para los puntos P
1
y P
2
. Si se tratara de una

superficie dielctrica las dos condiciones de contorno comentadas en 2.2.2.2.3 (salto de
la componente normal de campo y continuidad de potencial) se escribiran para estos
dos puntos mientras que las incgnitas seran las cargas q
1
, q
2
, q
3
y q
4
situadas a ambos
lados de la frontera. Las cargas q
1
y q
2
se utilizaran para calcular potencial y campo en
la zona de q
3
-q
4
y viceversa.
En lugar de esto en el mtodo de simulacin de cargas, se supone la carga situada sobre
la propia superficie, tal y como ocurre fsicamente. La simplificacin que se realiza es
admitir que la densidad superficial de carga vara de forma lineal con la longitud de arco
entre P
1
y P
2
entre dos valores desconocidos
1
y
2
como se representa en la Fig. 2.23:
( )
( )
L
l
L
l L
l
2 1
+
=
(2.59)
P1
P2
1
2
L
l

Fig. 2.23. Aproximacin lineal de la variacin de la densidad superficial en cada tramo.
De esta forma se simplifica el tratamiento de las superficies al no ser necesario
diferenciar entre superficies de electrodos y superficies dielctricas, y no se limita al
nmero mximo de superficies dielctricas que puede haber presentes en una
configuracin.
2.3.3 Coeficientes de potencial y campo
Considrense dos rodajas de carga como las que se muestran en la Fig. 2.24:

P
j-1
P
j+1
j-1
j+1
dl

j
P
j
P
i
(r
i
,z
i
)
r
r
r
r

Fig. 2.24. Discretizacin con cargas superficiales.
Al calcular el potencial y campo elctricos correspondiente a la distribucin de carga
linealizada mostrada, las contribuciones de los segmentos (j-1, j) y (j, j+1) al potencial y
a la componente de campo vienen dadas por las frmulas:
( )

)

+

=

+
+
1
1
0
1 , 1
4
1
j
j
j
j
i j j
r r
S d
r r
S d
P
r r r r

(2.60)
( )

=

+
+
1
2
1
2
0
1 , 1
4
1
j
j
j
j
i j j
S d
r r
r r
S d
r r
r r
P E
r r
r r
r r
r r

(2.61)
Al tratarse de superficies de revolucin puede escribirse:
l d r S d = 2 (2.62)
Y utilizando:
1
1 ,
1
1 ,
1 ,
1
, 1 , 1
, 1
1
,
,
+
+
+
+
+
+

=
+

=
j j
j j
j
j j
j j
j
j j
j j
j
j j
j j
j
P P entre
L
l
L
l L
P P entre
L
l
L
l L

(2.63)
se obtienen como coeficientes de potencial y campo para la carga
j
:

+

=

+
+
+
1
1 ,
1
1
, 1 0
2 1 2 2 1
4
1
j
j
j j
j
j
j
j
j j
ij
l d
r r
r l
L
l d
r r
r
l d
r r
r l
L
p
r r r r r r

(2.64)

+
+
+
1
2
1 ,
1
2
1
2
, 1 0
2 1
2 2 1
4
1
j
j
j j
j
j
j
j
j j
ij
l d
r r
r r
r l
L
l d
r r
r r
r
l d
r r
r r
r l
L
f
r r
r r
r r
r r
r r
r r

(2.65)
Expresiones vlidas para todos los tramos excepto el primer tramo y el ltimo en cuyo
caso las ecuaciones anteriores quedan reducidas a:

=

+
+
+ 1
1 ,
1
0
2 1 2
4
1
j
j
j j
j
j
ij
l d
r r
r l
L
l d
r r
r
p
r r r r

(2.66)

=

+
+
+ 1
2
1 ,
1
2
0
2 1 2
4
1
j
j
j j
j
j
ij
l d
r r
r r
r l
L
l d
r r
r r
r
f
r r
r r
r r
r r

(2.67)
expresin vlida para el primer tramo, y:

+

=

+
1
1
, 1 0
2 2 1
4
1
j
j
j
j
j j
ij
l d
r r
r
l d
r r
r l
L
p
r r r r

(2.68)

=

+
1
2
1
2
, 1 0
2 2 1
4
1
j
j
j
j
j j
ij
l d
r r
r r
r
l d
r r
r r
r l
L
f
r r
r r
r r
r r

(2.69)
expresin vlida para el ltimo tramo.
2.3.4 Formulacin de las condiciones de contorno
2.3.4.1 Electrodos a potencial fijo
La formulacin es completamente anloga al mtodo de las cargas ficticias, para cada
punto de contorno de un electrodo se escribe:
( )

=
=
n
j
j ij i
p P
1

(2.70)
2.3.4.2 Electrodos a potencial flotante
Al igual que en el mtodo de las cargas ficticias es necesaria una ecuacin adicional. En
este caso habra que escribir para un nico medio dielctrico en torno al electrodo de
forma anloga a (2.8):
( ) 0 =
Electrodo
S d S
(2.71)

Ecuacin que se puede escribir como

=
Electrodo i
j ij
g 0 donde g
ij
son unos coeficientes
definidos como sigue:

+
+
+
+ =
1
1 ,
1
1
, 1
2
1
2 2
1
j
j
j j
j
j
j
j
j j
ij
l d r l
L
l d r l d r l
L
g
(2.72)
Expresin vlida para todos los tramos excepto el primer tramo y el ltimo en cuyo caso
la ecuacin anterior queda reducida a:

+
+
+
=
1
1 ,
1
2
1
2
j
j
j j
j
j
ij
l d r l
L
l d r g
(2.73)
vlido para el primer tramo, y

+
+ =
1
1
, 1
2 2
1
j
j
j
j
j j
ij
l d r l d r l
L
g
(2.74)
expresin vlida para el ltimo tramo.
2.3.4.3 Superficies de separacin dielctricas
En los integrandos de (2.64) y (2.65) el punto en el que se calculan los coeficientes
pertenece a la propia superficie de integracin, por lo que para la evaluacin de las
integrales en esos puntos es preciso recurrir a tcnicas especiales [113][118][125].
Cuando lo que se calcula es la intensidad de campo, que es una magnitud discontinua en
las superficies donde existe una densidad de carga, el resultado de la evaluacin de las
integrales proporciona el valor medio de la intensidad de campo a ambos lados de la
superficie.
A la hora de aplicar la condicin de contorno de las superficies dielctricas, es preciso
tener esto en cuenta. Si E
n
es el valor de la componente normal de la intensidad de
campo calculada a partir de los coeficientes de campo en un punto de una frontera
dielctrica, es decir, su valor medio, entonces se puede escribir:
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
0
1
0
2
2
2
i
i n i n
i
i n i n
P
P P
P
P P
=
+ =
r r
r r

(2.75)
Por lo que la condicin de contorno (2.11) puede escribirse:
0
2 2
0
1
0
2
=
(
n n
r r

(2.76)
o bien:

( )
( )
0
2
0
1 2
1 2
=
+
+

n
r

(2.77)
Quedando finalmente:
( )
( )
0
2
0 1 2
1 2
=
+
+

i
n
r

(2.78)
Y la ecuacin del sistema de ecuaciones correspondiente al punto P
i
se escribir:
( )
( )
0
2
0 1 2
1 2
1
=
+
+
i
n
j
ij nij
f
(2.79)
2.3.5 Construccin del sistema de ecuaciones
De forma anloga al caso de las cargas discretas se puede formular el sistema de
ecuaciones completo de una configuracin con M
F
electrodos a potencial fijo y
aisladores y por ejemplo un electrodo a potencial indeterminado del siguiente modo:
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+
+
+

+
+
+
+ + +
+
+
+
0
0
0
0
0
0
0
0
0
. .
0 0 0 0 0 0 0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
1
.
1
.
1
1 .. .......... ... .......... .... ....... .......... .......... 1 ....... .......... 1 ... .......... .......... 1
1
1
1
1
1
0 1 2
2 1
0 1 2
2 1
0 1 2
2 1
EMF
E
EMF
n
r
r
s
s
ij ij ij
i
nii nij nij nij nij
nij
i
nii nij nij nij
nij nij
i
nii nij nij
ij ij ij
ij ij ij
ij ij ij
ij ij ij
ij ij ij
ij ij ij
g g g
f f f f f
f f f f f
f f f f f
p p p
p p p
p p p
p p p
p p p
p p p
n
n
r
r
s
s
n n r r s s

(2.80)
donde s es el ndice que indica el nmero de cargas de los electrodos a potencial fijo,
siendo por tanto r-s el nmero de cargas de los electrodos a potencial indeterminado.
2.3.6 Clculo de la distribucin de potencial
Como por ejemplo se muestra en [121][126], la mayora de los problemas de campo
pueden tratarse mediante partes constructivas rotacionalmente simtricas, que se
encuentran bien dentro de un campo igualmente rotacionalmente simtrico, bien dentro
de un campo tridimensional general. La distribucin de carga alrededor de la direccin
de rotacin es constante en el caso del campo con simetra rotacional y variable en el
caso general de un campo tridimensional.

2.3.6.1 Campo rotacionalmente simtrico
En un campo rotacionalmente simtrico, se genera por la carga superficial de densidad
en un punto de clculo P(r,z) un potencial (P) segn:
( ) ( )
=
Q
A
Q
Q
s
dA
A P
0
4
1

(2.81)
siendo s la distancia entre el elemento de fuente dA
Q
y el punto de clculo, en donde la
integracin se realiza a lo largo de la superficie A
Q
(Fig. 2.25). El clculo debe
realizarse en coordenadas cilndricas circulares r,,z. En este caso la integracin sobre
la variable
Q
puede realizarse analticamente, la consiguiente integracin sobre el
contorno C
Q
=f(r
Q
,z
Q
) slo puede llevarse a cabo numricamente, si se prescinde de
casos especiales (p. ej. contorno rectilneo).
Con ello el potencial resulta:
( ) ( )
( )

=
Q
C
Q
Q
Q
dC
a
r k
C P
0
1

(2.82)
Donde K(k) es la integral elptica completa de 1 especie y parmetro k, siendo:
( ) ( )
2 2
4
Q Q
Q
z z r r
rr
k
+ +
=
(2.83)
y
( ) ( )
2 2
Q Q
z z r r a + + =
(2.84)
ra, za
Z
CQ
dCQ
a
r

Fig. 2.25. Integracin sobre un contorno C
Q
(Elemento de carga dC
Q
con las coordenadas r
Q
y z
Q
)

Para conseguir una reproduccin lo ms fiel posible a la realidad de la distribucin de
carga, se divide el contorno C
Q
en superficies parciales [125] y para cada una de estas
superficies parciales j se supone una funcin de distribucin distinta para
j
(C
Q
). En
muchos ejemplos de aplicacin se ha mostrado como la ms efectiva una distribucin
lineal de la distribucin de carga en la direccin C
Q
, que en forma de funciones
triangulares conduce a una transicin continua desde una superficie parcial a la
contigua, (Fig. 2.26), formndose para cada punto de apoyo C
Qj
un vrtice de carga
j
q .
CQ1 CQ2 CQ3 CQ4 CQ5
j=1 j=2 j=3
j=4
1
q
2
q
3
q
4
q
5
q
0(j=1)
0(j=2)
0(j=3)
0(j=4)
CQ(rQ,zQ)

Fig. 2.26. Distribucin de carga con funciones triangulares para las superficies parciales individuales
j=1,2,3....
La superposicin de
j
q y
1
+ j
q produce en la superficie parcial j una densidad de carga:
( )
( ) ( )
Q
Qj Qj
Qj Q j Q Qj j
Q
C
C C
C C q C C q
C + =
+
=
+
+ +
10 00
1
1 1
0

(2.85)
con la constante:
Qj Qj
Qj j Qj j
C C
C q C q

=
+
+ +
1
1 1
00

y el valor dependiente linealmente de C
Q
:
Q
Qj Qj
j j
Q
C
C C
q q
C
=
+
+
1
1
10

La evaluacin numrica de la integracin puede realizarse por medio de mtodos
diferentes, p. ej., con ayuda de una sencilla regla de trapecios. Una variante rpida la
constituye la integracin mediante una regla trapezoidal de exponencial doble [113],

que con ayuda de una funcin exponencial doble apropiada, es capaz de eliminar la
singularidad del integrando en el caso de que el punto de clculo se encuentre sobre la
propia superficie de integracin. Relacionada con esta tcnica se puede utilizar un
desarrollo de la distribucin de carga en forma de polinomios de Tschebyscheff
prescindiendo de la divisin en superficies parciales [113]. En este caso, por razones
numricas, el nmero mximo de puntos de apoyo (puntos de contorno) en un elemento
constitutivo de la configuracin debe fijarse alrededor de 15.
Otra posibilidad de integracin es la cuadratura de Gauss. Resulta precisa, pero tiene
una distribucin de puntos de apoyo fija y por ello no est pensada para el problema que
aqu se trata. Un tratamiento ms flexible se consigue mediante las reglas de los
trapecios y de Simpson, pues en ellas los pasos de integracin correspondientes h
pueden adaptarse a la distancia s entre el punto de fuente y el punto de clculo.
(Fig. 2.27).
h3
CQj CQj+1
h1 h1 h2 h2 h3
P(r,z)
I3 I2 I1
L
s

Fig. 2.27. Integracin de las componentes de potencial de una superficie parcial C
Qj
-C
Qj+1.

Este mtodo de proceder es recomendable, pues las componentes de potencial de los
intervalos individuales I
i
, para la misma longitud de intervalos, se hacen mayores cuanto
ms prximos se encuentran al punto de clculo P. Se obtienen buenos resultados con
s s h = 5 , 0 ... 2 , 0 [125]. La integracin numrica debe interrumpirse, cuando el punto
de clculo est situado sobre la superficie y la distancia s a un intervalo de integracin
se hace muy pequea (p.ej.
Qj Qj min
C C s s
1
5
10
+
< < ). Esta singularidad puede removerse

por medio de la doble funcin exponencial citada [113]. Tambin puede evitarse si se
integra numricamente slo hasta una distancia s
min
del punto de clculo. Las
componentes de potencial para los distintos intervalos pueden determinarse
aproximadamente de forma rpida por medio de una serie geomtrica [125], pues para s
h las contribuciones de potencial para una aproximacin cada vez mayor al punto de
clculo disminuyen como los trminos de una progresin geomtrica. Una tercera
posibilidad de tratar la singularidad es la integracin analtica de los elementos de
fuente en la proximidad del punto de clculo. Para ello el pequeo intervalo L<=2 s
min

en la proximidad del punto de clculo se sustituye por un contorno rectilneo, para el
cual es posible llevar a cabo la integracin analticamente. Para la contribucin al
potencial de este intervalo L se cumple entonces (Fig. 2.28):

( ) ( )
( )
du
a
r k K
u
L
P
Q
L

=
1
0
0

(2.86)
en donde la integracin se lleva a cabo sobre la constante adimensional
L
C
u
Q
= . Cuando
el punto de clculo est situado en el centro del intervalo, su coordenada r # 0 (p. ej. L <
10
-3
r) y, al ser
1 +
<<
Qj Qj
C C L se puede considerar
0
como constante en ese pequeo
intervalo, la integracin lleva a la expresin:
( )
( ) ( )
(
(
|
|
.
|
\
|

+ |
.
|
\
|
+
+ +
2
2
1 2
2
2
0
2 1
3
1 16
1
192
1
16
ln
2
L
r r
L
r
n
r
L
L
r P L
P
L

(2.87)
Para el desarrollo de esta frmula se han utilizado los desarrollos en serie reproducidos
en el Apndice A para a y para K(k) para k 1.
Para puntos de clculo con r 0 se cumple:
( )
( )
( )
1 2
0
2
r r
P
P
L

(2.88)
r2,z2;u2 = 1
P(r,z);u = 0.5
r1, z1;u1 = 0
L
U, CQ

Fig. 2.28. Integracin analtica sobre el intervalo parcial L.
2.3.6.2 Campo sin simetra rotacional
Las partes constructivas con simetra rotacional pueden desplazarse o inclinarse unas
respecto de otras de tal forma que el campo resultante pierde su simetra rotacional. La
distribucin de carga en funcin del ngulo de rotacin
Q
deja entonces de ser
constante. Como esta distribucin no es conocida, puede descomponerse de forma
anloga a como se realiza en el anlisis de Fourier en una componente constante y
varios armnicos sinusoidales o cosinusoidales [126][125]:

( ) ( )
=
+ =
N
n
Q Q n n Q
n C C
0
1 0 0
cos
(2.89)
La contribucin al potencial del armnico de orden n se escribe:
( ) ( ) ( )
Q n
C
Q
Q n
dC Q
r
r
C
n
P
Q
=

2
1
0
2
cos

(2.90)
El potencial creado por esta distribucin en un punto de clculo P(r,,z) reza:
( ) ( ) ( )

=

|
|
|
.
|
\
|
=
N
n
Q n
C
Q
Q
dC Q
r
r
C
n
P
Q
0
0
2
1
2
cos

(2.91)
con:
( ) ( )
Q
Q Q
Q
rr
r r z z
rr
d
2
1
2
2 2
2
+
+ = =
y:
( )
2 2 2
Q Q
r z z d + =
En la Frmula (2.90) ya se ha llevado a cabo la integracin analtica sobre la variable
L
, que conduce a la funcin toroidal ( )
2
1
n
Q . La consecuente integracin sobre un
contorno de forma arbitraria C
Q
se lleva a cabo de nuevo numricamente. La expresin:
( )
2
1
n
Q
Q
r
r

resulta para n = 0 idntica con el trmino que aparece en el caso de una distribucin de
carga constante (2.3.6.1)
( )
a
r k K
Q
2

En puntos con r = 0 resulta
n
= 0.
La distribucin de carga
n
(C
Q
) se convierte para las superficies parciales individuales
mediante linealizacin con funciones triangulares a la forma:
( )
Q n n Q n
C C + =
1 0

Al igual que en el caso de la distribucin de carga simtrica, la integracin numrica
puede realizarse a lo largo de toda la superficie de la fuente si el punto de clculo no
est situado sobre ella. En caso contrario, se omite en la integracin numrica de nuevo
un intervalo de longitud L en un entorno del punto de clculo y para l se realiza la

integracin analticamente; la correspondiente componente del potencial se escribe
anlogamente a la ecuacin (2.87):
( ) ( ) ( )
( )
( )
|
|
.
|
\
|

(
(
+
|
.
|
\
|
+ +
(
(

+ |
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+
1
0
2
2
1 2
1
0
2 2
2
2
2
2
1 2 2
2
2
1
0
1 2
1
2
96
1
1 2
1
2
4
1
4
1
48 8
4
1
4
3
1 16
ln
12
1
1
16
ln
2
cos
2
cos
2
1
n
k
n
k
n
Q
Q n Ln
k
r
r r
k
n n
r
L
r
r r
n
r
L
L
r
L
r n L
dU Q
r
r
C
n L
P

(2.92)
Los desarrollos en serie necesarios para ella con 1 se presentan en el Apndice A.
Para n = 0 la ecuacin (2.92) se transforma en la ecuacin (2.87).
Los coeficientes de carga
00
,
10
,
0n
,
1n
se obtienen como es usual en los mtodos de
ecuaciones integrales forzando el cumplimiento de las condiciones de contorno del
campo en el nmero necesario de puntos de contorno [126][125].
2.3.7 Clculo de la intensidad de campo
A partir de las frmulas del potencial
i
(P) pueden obtenerse las intensidades de campo
E
i
(P) mediante el clculo de diferencias o mediante diferenciacin.
2.3.7.1 Clculo de la intensidad de campo mediante el clculo de
diferencias
Dado que no existen frmulas separadas para el potencial a cada uno de los lados de una
carga superficial, se nos ofrece la posibilidad de determinar la intensidad de campo
mediante la formacin de diferencias de potenciales en dos puntos vecinos muy
prximos (distancia ); de esta forma se obtienen automticamente a ambos lados de
una carga valores de intensidad de campo distintos entre s. La desventaja de este
mtodo es que, para calcular la intensidad de campo se hace necesario realizar como
mnimo tres clculos de potencial. Otro problema adicional puede ser en
configuraciones de amplia extensin espacial con un campo fuertemente inhomogneo,
la exactitud del clculo de la intensidad de campo. Una distancia de p. ej. 10
-3
mm,
difcilmente puede ser tenida en cuenta por el ordenador debido al lmite de cifras
significativas de trabajo en el caso de que la configuracin se extienda ampliamente en
una direccin (p.ej. z = 20 m). Adems una distancia mayor (p. ej. 1mm) puede entrar
ya en el orden de magnitud de la curvatura del electrodo. De estas razones se deduce la
necesidad de buscar una diferenciacin analtica.

2.3.7.2 Clculo de la intensidad de campo mediante diferenciacin
analtica
Al igual que con el clculo del potencial se distinguir aqu entre una distribucin de
carga constante y una distribucin de carga con variacin peridica a lo largo del
permetro de rotacin.
2.3.7.2.1 Campo rotacionalmente simtrico
En un campo rotacionalmente simtrico con distribucin de carga constante a lo largo
del permetro de rotacin se obtienen mediante diferenciacin analtica de la ecuacin
(2.84) en coordenadas cilndricas las componentes de campo
( )
( ) ( ) | | ( )
Q
Q Q
Q
C
Q o r
dC
b a
k E z z r r k K b
r C
r r
E
Q
2
2 2 2 2
2
1
+
=

(2.93)
Caso especial r=0; E
r
=0,
( )
( ) ( )
Q
Q
Q
C
Q o z
dC
b a
k E z z
r C
r z
E
Q
2
1

(2.94)
con ( ) ( ) .
2 2 2
Q Q
z z r r b + =
Tambin los integrandos de estas integrales presentan una singularidad en el caso de
que el punto de fuente y el punto de clculo coincidan (r
Q
,z
Q
r,z). Esta singularidad no
puede resolverse por una transformacin en una funcin exponencial doble. Por esta
razn, para un contorno de forma general se integra numricamente (como se describi
en el punto 2.3.6.1). En el caso de que el punto de clculo est situado sobre la
superficie fuente, el intervalo parcial de longitud L en un entorno del punto de clculo se
integra analticamente, considerndolo como un contorno rectilneo. Para este intervalo
se obtiene de forma anloga a la ecuacin (2.86):
( ) ( )
( )
( )
( ) ( ) du k E
b a
z z
r u
L
E
du k E
b
r r r b
k K
a
r
u
r
L
E
Q
Q o zL
Q Q
o rL
=
(
(
+
=
2
1
0
2
2 1
0
;
2
2

(2.95)
Con las condiciones citadas para la frmula (2.87), las frmulas anteriores llevan a:

( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )( )
( )
( )
(
(
+
|
.
|
\
|
+

(
(
(
|
.
|
\
|
+

+
|
|
.
|
\
|

+
1
192
2 5
3
1 16
ln
96
4
3
1 16
ln
2
3
2
2
1
96
1 16
ln
4
2
2
1 2
2
2
2
0
1 2 1 2
2
2
2
2
1 2
2
1 2
2
2
1 2
2
2
1 2
2
2
1 2 0
r
r r L
L
r
r
L
P
rL
z z r r
E
L
r
r
L
r
r r z z
L
r r
r
z z
L
r r
L
r
r
P L
E
zL
rL
(2.96)
Los desarrollos en serie necesarios para la sustitucin de E(k) en el paso de la frmula
(2.95) a la frmula (2.96) se muestran en el Apndice A.
Para puntos de clculo con r = 0 se obtiene:
R
L
E
E
zL
rL
4
0
0
=
=

(2.97)
En donde R es el radio de curvatura de la superficie fuente en el punto de clculo (R>0
para el polo "inferior" de una esfera y R<0 para el polo "superior" de una esfera. Para
parbolas con ecuacin
2
Q P Q P p
r C r B A z + + = el radio de curvatura correspondiente es
P
C
R
2
1
= ).
Dado el caso, las componentes E
r
y E
z
calculadas con la ecuacin (2.96), es preciso
recalcularlas en componente normal E
n
y componente tangencial E
t
. Cuando el punto de
clculo est situado sobre la propia superficie fuente, el valor as calculado para E
n

representa nicamente el valor medio de las componentes normales E
n1
y E
n2
a ambos
lados de la superficie de fuente. Ambos valores se determinan a partir de E
n
mediante
las relaciones:
( )
( )
0
2
0
1
2
2
P
E E
P
E E
n n
n n
=
+ =

(2.98)
En la superficie de fuente la componente normal de la intensidad de campo efecta en el
punto P un salto de (P)/
0
.
2.3.7.2.2 Campo sin simetra rotacional
Para componentes constructivas rotacionalmente simtricas en el seno de un campo sin
simetra rotacional se obtienen por diferenciacin de los potenciales, de acuerdo con la
ecuacin (2.90):

( ) ( ) ( )
( ) ( ) | |}
( )
( ) ( )
( )
( )
( ) ( ) | |
Q n n
Q Q
C
Q
Q n
n
zn
Q n
C
Q
Q n
n
n
Q n n
Q n
C
Q
Q n
n
rn
dC Q Q
b a
z z rr
r
r
C n
n
z
E
dC Q
r
r
C
r
n sin n
r r
E
dC Q Q
r d r
b a
n
Q
r r
r
C
n
r
E
Q
Q
Q

|
.
|
\
|
=
+
+ =
=
+
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2 2
2 2
2 2
4
2
1
2
cos
2
1
2
2
1
4
1 cos

(2.99)
La integracin analtica de estas frmulas sobre un intervalo parcial de longitud L en un
entorno del punto de clculo lleva de forma anloga a las ecuaciones (2.96) a las
siguientes ecuaciones:
( )
( )
( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )
( )
( )
( ) ( ) ( )
( )
( )
+

(
(
(
|
.
|
\
|
+

|
.
|
\
|

(
(
|
.
|
\
|
+

(
(
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+ + |
.
|
\
|
+
+
(
(
+ |
.
|
\
|
+
+
(
(

+
+
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|

+

+
+ |
.
|
\
|
+

=
2
2
1 2
2 1
0
2
2
2 1 2 1 2
,
1
0
2
2
2
2
2
1 2
1
0
2
2
2
,
1
0
2
2
1 2
2
2
1 2
2
2
2
2
1 2
2
2
1 2
2
1 2
2
2
1 2 2
2
2
1 2
2
1
0
2
2
1 2
,
96
2
1
1 2
1
2
6
1 16
ln
24
4
1
4
cos
3
1 16
ln
1 2
1
2
4
1
2
48
1
4
1
96
1 2
1
2 1
16
ln
2
1 2
1
2
3
1 16
ln
2
2
4
1
48
1
2
2 4
2
48
1
1 2
1
2
16
ln
4
cos
r
r r L
k
L
r
r
L
n P
rL
n z z r r
E
L
r
k
n
r
L
r
r r
n
r
L
k L
r
P L
r
n sin n
E
k L
r
r
r r
r
z z L
n
L
r r
r
r r z z
r
r r
n
r
r r L
k
L
r r
L
r
P L
r
n
E
n
k
n n zL
n
k
n
k
n n zL
n
k
n
k
u n rL

(2.100)
Los desarrollos en serie de la funcin Q
n+1/2
()-.Q
n-1/2
() se encuentran igualmente en
el Apndice A. Para puntos de clculo con r = 0 se cumple E
rn
= E
n
= E
zn
= 0. Para n =
0 las ecuaciones (2.100) se convierten en las ecuaciones (2.96).
2.4 Mtodo de los elementos de contorno (BEM: Boundary
Element Method)
2.4.1 Introduccin
El mtodo de los elementos de contorno trabaja al igual que el mtodo de las cargas
superficiales con distribuciones de carga distribuidas sobre las superficies de electrodos

y aisladores. El hecho de utilizar dos denominaciones distintas para ambos mtodos
obedece a razones histricas. La denominacin del mtodo de cargas superficiales se
restringe para el caso explicado en que las superficies elementales portadoras de carga
presentan simetra de revolucin, mientras que la denominacin del Mtodo de
Elementos de Contorno se emplea para el caso en que las superficies elementales
portadoras de carga tienen una forma general, cada una de estas superficies recibe la
denominacin de Elemento de Contorno
2.4.2 Principio bsico. Modelo matemtico
El campo electrosttico derivado de una funcin puede describirse usando ecuaciones
integrales de Fredholm de primera y segunda especie en las que el ncleo es una
funcin de Green [13].
Para formular el sistema de ecuaciones integrales se representa el sistema fsico
mediante cargas superficiales equivalentes distribuidas sobre:
Las interfaces entre dos dielctricos, teniendo en cuenta la carga ligada sobre la
superficie de la frontera.
Las interfaces de frontera conductor-dielctrico en las que el conductor tiene un
potencial conocido.
Las interfaces de frontera conductor-dielctrico en las que se conoce la cantidad
total de carga del conductor (posiblemente nula).
La funcin de distribucin de las cargas de superficie equivalentes introducidas, sobre
las interfaces de contorno marcadas, se determina de modo que se satisfagan las
siguientes condiciones:
Condiciones de contorno sobre las fronteras entre dos dielctricos.
Se mantienen los valores prescritos para la funcin de potencial sobre la superficie
de los conductores con potencial conocido.
Se imponen los valores prescritos para la cantidad total de carga en los conductores
con potenciales desconocidos (potencial flotante).
El campo elctrico en el espacio de inters se puede considerar como el resultado de la
presencia de las cargas superficiales equivalentes. Estas cargas se consideran las fuentes
de campo elctrico.
Para el estudio de este modelo matemtico se considera la siguiente notacin:
S
p
: Superficie de separacin conductor - dielctrico, p = 1, ..., P;
S
d
: Superficie de separacin dielctrico - dielctrico. d = 1,..., D;

M: ndice del punto de la fuente de campo que se encuentra sobre la superficie del
conductor;
N: ndice del punto de la fuente de campo que se encuentra sobre la superficie frontera
entre dos dielctricos;
I: ndice de un punto arbitrario que se encuentra sobre la superficie del conductor;
J: ndice de un punto arbitrario que se encuentra sobre la superficie de frontera entre dos
dielctricos;
: la funcin de distribucin de las cargas superficiales equivalentes.
Si las funciones de cargas superficiales equivalentes son conocidas, entonces, para un
punto arbitrario I sobre la superficie del conductor, el potencial se calcula de acuerdo a
la siguiente relacin:
( )
( )
p
D
d
S
NI
d
P
p
S
MI
p
I
S I
r
dS N
r
dS M
p p
= = 1
0
1
0
4
1
4
1

(2.101)
La ecuacin (2.101) representa una ecuacin Integral de Fredholm de primera especie.
En el caso de que el potencial de algunos conductores no sea conocido, pero la cantidad
total de carga Q sobre el conductor es conocida, entonces la ecuacin que representa la
cantidad total de cargas se usa junto con la ecuacin anterior:
=
=
p
p
D
j
S
pj np rpj p
dS Q
1
0

(2.102)
donde se supone la superficie del conductor P dividida en D
p
superficies rodeada cada
una por un medio dielctrico de permitividad relativa
rpj
.
La componente normal de la intensidad de campo elctrico de un punto arbitrario J
sobre la frontera de una interfaz dielctrico - dielctrico se puede calcular del siguiente
modo:
( ) ( ) ( ) ( ) J
nJ nJ
D
d
d
nJ
P
p
p
nJ nJ
E E E E E + = + =

= =
0
1 1

(2.103)
donde:
( ) 0
nJ
E : componente normal de la intensidad del campo elctrico debido a todas las
fuentes, excepto las fuentes de la superficie frontera donde se encuentra el punto J,
( ) J
nJ
E : componente normal de la intensidad de campo elctrico debido a todas las fuentes
a lo largo de la superficie frontera donde se encuentra el punto J.

( )
( ) ( )
( ) ( )
=
=
+ =
D
dJ d
d
S
d J NJ
P
p
S
p J MJ
nJ
d
NI
p
MJ
r
dS n r N
r
dS n r M
1
2
0
1
2
0
0
, cos
4
1
, cos
4
1
r r
r r

(2.104)
La componente normal de la intensidad del campo elctrico en el punto J, causada por
las fuentes a lo largo de la superficie donde se encuentra J, dJ, se calcula del siguiente
modo:
( )
( ) ( )
=
dJ
S
NJ
dJ J NJ J
nJ
r
dS n r N
2
0
, cos
4
1
r r

(2.105)
Se observa que cuando N J la integral (2.105) presenta una singularidad.
Para evitar la singularidad, se excluye un rea pequea alrededor del punto J, rea S
AB
,
de la integral anterior (Fig. 2.29), y el campo originado por las fuentes sobre esa rea
S
AB
se calcula aparte.
( ) ( ) ( ) ABJ
nJ
J
nJ
J
nJ
+ =

(2.106)
donde:
( )
( ) ( )
AB dJ dJ
S
NJ
dJ J NJ J
nJ
S S S donde
r
dS n r N
dJ
\
, cos
4
1
2
0
= =

r r

(2.107)
( ) ABJ
J
E
2 ,
( ) ABJ
J
E
1 ,
S
AB
J
j
J
B
(
1

Fig. 2.29. rea S
AB
alrededor de un punto singular J
El rea S
AB
puede considerarse como un pequeo disco circular plano, de modo que la
intensidad de campo a que da lugar en su centro es normal a la superficie del disco.
Las superficies de separacin entre dielctricos se modelan mediante la densidad
superficial de carga ligada sobre la superficie, estableciendo como condicin de

contorno la continuidad del flujo a travs de la superficie en los puntos de contorno. Por
lo que a la parte de la intensidad de campo debida a la carga sobre el disco S
AB
se
cumple:
( ) ( )
0
1 , 2 ,
2
J ABJ
J
ABJ
J
E = =
(2.108)
y las componentes normales totales de la intensidad de campo en el punto J a ambos
lados de la superficie, calculadas con la direccin de la normal hacia el lado "2", son:
( ) ( )
( ) ( )
0
0
2 ,
0
0
1 ,
2
2
J J
nJ nJ nJ
J J
nJ nJ nJ
E E
E E
+ + =
+ =

(2.109)
Si se supone que no hay densidad de carga libre en la superficie del dielctrico, entonces
sobre la base de las condiciones de contorno en la interfaz de los dielctricos la
condicin de salto de la ley de Gauss se puede escribir como:
( ) ( ) ( ) ( )
0
2 2
0
0
0
1
0
0
2
1 , 1 2 , 2
=
(
+
(
+ +
=

J J
nJ nJ
J J
nJ nJ
nJ J n
E E E E

(2.110)
As se obtiene:
( )
( ) ( )
( ) ( ) 0
2
0
1 2
0
1 2
=
|
|
.
|
\
|
+ + +

J J
nJ nJ
E E
(2.111)
Y despejando:
( ) ( )
| |
D d S J
E E
d
J
nJ nJ J
,.., 1 ,
2
0
2 1
2 1
0
=
+
+
=

(2.112)
La ecuacin anterior representa una ecuacin integral de Fredholm de segunda especie.
Para hallar su solucin se necesitan las relaciones anteriores (2.104) y (2.107) junto con
la condicin S
AB
0.
2.4.3 Modelo matemtico discreto
En la solucin numrica de las ecuaciones de Fredholm mediante el Mtodo de los
elementos de Contorno (BEM), las superficies frontera se aproximan usando un nmero
finito de subreas - elementos de superficie de contorno- a menudo en la forma de un
tringulo curvilneo o cuadrngulo curvilneo. El elemento de contorno en s mismo se
describe usando funciones de forma de rdenes adecuados a la precisin con la que se

quiere definir el elemento de contorno. En un gran nmero de casos, las superficies de
contorno son superficies regulares de segundo orden, que pueden ser completa y
simplemente descritas de forma analtica, como un total o en partes, en un sistema de
coordenadas apropiado local dentro de un sistema de coordenadas arbitrario absoluto.
Este caso especfico del Mtodo de Elementos de Contorno se denomina Mtodo de los
Elementos Parciales (PEM) [72].
La resolucin de las ecuaciones integrales se reduce a un problema de determinar un
conjunto de funciones para las cargas de superficie equivalentes definidas sobre cada
elemento de contorno:
E e S G P p S I
r
dS
e p
E
e
S GI
e e
I
e
,..., 1 , ; ,..., 1 ,
4
1
1
0
= =
=

(2.113)
( )
( ) = =
+
=
,.. 1 , ; ,.., 1 ,
, cos
4
1
2
1
2
0 2 1
2 1
0
e J G S G D d S J
r
dS n r
e d
E
e
S
GJ
e J GJ e
J
e
r r

(2.114)
donde E es el nmero total de elementos de contorno.
La solucin numrica de las ecuaciones anteriores (2.113) y (2.114), exige la
introduccin de funciones apropiadas para la aproximacin de la funcin (S). Para ese
propsito, es mejor utilizar las denominadas funciones base (similares a las del Mtodo
de Elementos Finitos para aproximacin de la funcin escalar del potencial) de un orden
diferente.
Si los valores de la funcin son conocidos en m de los puntos del elemento de contorno
seleccionados apropiadamente, entonces el valor de la funcin en un punto arbitrario del
elemento se puede calcular usando una funcin base apropiada:
=
=
m
j
j j
f N f
1

(2.115)
La forma de la funcin base N
j
depende del orden del polinomio. En la mayora de los
casos, es suficiente usar polinomios de primer y segundo orden. En estos casos, es muy
recomendable definir funciones base en un sistema de coordenadas local, denominado
sistema de coordenadas L. Por ejemplo, para un elemento de contorno de forma
triangular curvilnea, una aproximacin lineal se define como sigue:
3 3 2 2 1 1
f L f L f L f + + = (2.116)

donde L
1
+ L
2
+L
3
= 1, y (f
1
, f
2
,
f
3
)

son los valores de la funcin en los vrtices

del
tringulo. La relacin anterior se puede expresar en forma matricial de la siguiente
forma:
| |
( )
| |
( )
| |.
1 1
3
2
1
3 2 1
f N
f
f
f
L L L f =
(
(
(
+ + =
(2.117)
Este mtodo de expresar los valores de las funciones de un elemento puede ser
considerado como general, cualquiera que sea el orden de la aproximacin. Adems, las
dimensiones de la matriz introducida y la forma de las funciones base dependern del
orden de la aproximacin. De este modo:
( )
| |
( )
| |.
e e
f N f = (2.118)
donde se introducen los smbolos siguientes:
[N
(e)
]: matriz de transformacin, donde la matriz fila contiene las funciones base de
elementos.
[f
(e)
]: matriz columna de los valores de la funcin en los puntos especialmente
seleccionados.
(e): orden de la aproximacin de los polinomios.
El uso de aproximacin lineal para las funciones desconocidas de la carga superficial
equivalente, resulta suficientemente preciso:
1
3 2 1 3 3 2 2 1 1
= + + + + = L L L L L L
(2.119)
Los mismos elementos de contorno son aproximados por funciones de 2 orden, o se
representan por elementos parciales.
Por sustitucin de la ecuac. (2.119) en (2.113) y (2.114), y asumiendo que los puntos
(I, J) coinciden con los vrtices de los elementos de contorno, el conjunto de las
ecuaciones integrales se traduce en un sistema de ecuaciones algebraicas lineales:
| || | | | B A =
(2.120)
Los elementos de las matrices [A] y [B] se calculan usando las relaciones (2.113),
(2.114), (2.119)), teniendo en cuenta el modo en que estn definidas las superficies de
contorno.
En el Apndice C se describen los procedimientos numricos empleados para campos
3D y Campos 3D con simetra axial.

2.5 Mtodo de elementos finitos (FEM)
2.5.1 Introduccin
En este apartado se pretende describir de forma simplificada el desarrollo matemtico
del mtodo en cuestin hasta la obtencin del sistema de ecuaciones lineales que
resuelven el problema de la determinacin de la distribucin de potenciales en un
sistema bidimensional genrico [39]. El mtodo de elementos finitos se ha aplicado en
electrosttica para sistemas bidimensionales y tridimensionales de revolucin
[143][57][56][73][61][54][96].
2.5.2 Principio del Mtodo
Para el clculo de la funcin potencial que satisface la ecuacin de Poisson es posible
utilizar la formulacin variacional. Para ello el dominio se divide en elementos en los
que la funcin incgnita (potencial elctrico) se aproxima por una funcin de
interpolacin que depende del potencial en los nudos del elemento. A continuacin se
establece el sistema de ecuaciones lineales que hacen mnimo el funcional asociado a la
ecuacin diferencial de Poisson. De la resolucin de dicho sistema de ecuaciones se
obtienen los potenciales en los nudos de los elementos, que, conjuntamente con la
funcin de interpolacin definen el potencial en cualquier punto del dominio.
2.5.3 Funcional asociado a la ecuacin diferencial de Poisson
Bajo el punto de vista del clculo diferencial la determinacin del potencial elctrico
consiste en resolver la ecuacin de Poisson:
( ) = grad div (2.121)
Y si = cte:

=
(2.122)
Adems, esta ecuacin diferencial debera satisfacer las condiciones de contorno del
problema.
Ahora bien, dado que es posible encontrar el funcional asociado a la ecuacin (2.122),
el problema se reduce al clculo de la funcin que minimiza dicho funcional.
El funcional en el dominio A, donde debe calcularse el potencial, est expresado por la
ecuacin siguiente:

( )

+
(
=
S A
E
dS q dA du u F
0

(2.123)
Donde:
: es la constante dielctrica, que, en general, depende de z y x , , ,
r
.
E
r
: es el campo elctrico en el punto ( ) z y x P , , .
: es la densidad volumtrica de carga elctrica.
: es el potencial elctrico en el punto ( ) z y x P , , .
q : es la densidad de carga superficial.
: es el dominio en estudio.
S : es el contorno del dominio en estudio.
u: variable de integracin.
2.5.4 Discretizacin del dominio
Para aplicar el mtodo de elementos finitos el dominio a estudiar debe dividirse en
elementos; para sistemas bidimensionales los elementos pueden ser tringulos
(Fig. 2.30) cuadrilteros, etc..., para sistemas tridimensionales sern tetraedros, cubos,
etc, y para sistemas tridimensionales de revolucin, toros de secciones poligonales
(tringulos, cuadrilteros, etc...) [75][105][9].

Fig. 2.30. Divisin del dominio en elementos Finitos en sistemas bidimensionales.

2.5.5 Funcin de interpolacin
Para cada elemento del dominio en estudio se define una funcin de interpolacin que
depende de las coordenadas del elemento y de los potenciales de sus nudos.
Para sistemas bidimensionales, supuesta una dependencia lineal, la funcin de
interpolacin ( ) y x
e
, en un elemento e tiene la forma siguiente:
( ) c by ax y x
e
+ + = , (2.124)
donde a, b y c son constantes de la funcin de interpolacin del elemento genrico (e).
Conocidos los potenciales de los nudos de cada elemento se determinan las constantes
a, b, y c al particularizar la ecuacin (2.124) para cada uno de los tres nudos o vrtices
que definen el tringulo elemental (Fig. 2.30) se obtiene:
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
+ +
=

+ +
=

+ +
=
l m n n l m m n l
m l n l n m n m l
l m m l n n l l n m m n m m l
x x x x x x
b
y y y y y y
a
y x y x y x y x y x y x
c

(2.125)
Donde:
( ) n m l vrtices de tringulo del rea
y x
y x
y x
n n
m m
l l
, , 2
1
1
1
= =
(2.126)
Sustituyendo las ecuaciones (2.125) y (2.126) en la ecuacin (2.124) se obtiene la
siguiente expresin para el potencial en cualquier punto del elemento e:
( ) ( ) { } n m l i y x y x
i
i i i i
e
, ,
1
, + +
=

(2.127)
Donde:
m n l
n m l
m n n m l
x x
y y
y x y x
=
=
=

(2.128)
Anlogamente, por permutacin circular, se obtienen las expresiones de
m
,
m
,
m
y
n
,
n
y
n
en funcin de las coordenadas de los vrtices del tringulo en consideracin.

2.5.6 Funcional de un elemento. Globalizacin
Con el fin de simplificar los desarrollos, se supone que el sistema objeto de estudio est
sometido nicamente a las condiciones de contorno de Dirichlet ( =
p
) y no a las de
Cauchy, es decir q = 0. Con ello la ecuacin (2.123) se transforma en la siguiente:
( ) dA du u F
A
E
=

0

(2.129)
Dado que el dominio est dividido en N elementos se puede expresar la ecuacin
(2.129) en la forma siguiente:
( ) ( )

= =
=
(
=
N
J
N
J
J j
A
E
F dA du u F
j
1 1
0

(2.130)
donde F
J
es el funcional asociado a un elemento genrico del dominio.
Supuesto que, = cte en el elemento triangular j en estudio se cumple la igualdad:
=
E
y x du u
0
2
) , (
2

(2.131)
que integrada en el dominio A
j
resulta:
2
) , (
2
) , (
2
2 2

=
y x dA y x
j
A
j

(2.132)
Por otro lado, si se tiene en cuenta la ecuacin (2.127) el campo elctrico puede
expresarse por la siguiente igualdad:
( ) ( ) | | j i
n n m m l l n n m m l l
r r r
+ + + + +
=
1

(2.133)
que sustituida en la ecuacin (2.132), permite escribir finalmente:
( )
n m l j n m l i
dA du u
i j
j i j i j i j
A
E
j
, , ; , ,
4 0
= =
+

(2.134)
Asmismo si se tiene en cuenta la ecuacin (2.127), supuesto constante, se cumple la
igualdad:
( )
n m l i
Q dA y x dA
i i
i i
A
j i i i i
A
j
j j
, , =
= + +

(2.135)
donde Q
i
es:
( )
+ +
=
j
A
j i i i i
dA y x Q
1

(2.136)

Si se sustituyen las ecuaciones (2.134) y (2.135) en un sumando genrico de la ecuacin
(2.130) se obtiene como funcional de un elemento "e" la expresin matricial:
( ) | | | | | | | | | |
e
T
e e e
T
e e
Q K F =
2
1

(2.137)
donde [K]
e
es la submatriz de rigidez correspondiente al elemento "e cuyos trminos
K
ije
vienen expresados por la ecuacin siguiente:
+
=
j i j i
ije
K

2

(2.138)
Procediendo de igual forma con todos los elementos se puede extender para todo el
dominio la ecuacin (2.137) con lo que se obtiene:
( ) | | | | | | | | | | =
T T
Q K F
2
1

(2.139)
donde cada trmino K
ij
es la suma de los trminos K
ije
de los elementos que tienen como
nudos el i y el j.
Al imponer la condicin de que el funcional F() sea mnimo debe verificarse la
ecuacin:
( )
n K
F F
N
J
K
J
K
,.. 1 0
1
= =

(2.140)
donde: N es el nmero de elementos.
n es el nmero de nudos.
El desarrollo de la ecuacin (2.140) conduce al sistema de ecuaciones lineales:
| | | | | | Q K =
(2.141)
donde las incgnitas son los potenciales en los n nudos. Debe destacarse que la matriz
de rigidez [K] es una matriz en banda, siendo la banda tanto ms estrecha cuanto menor
sea la diferencia entre un nudo cualquiera y sus adyacentes que pertenecen al mismo
elemento [104].
Una vez resuelto el sistema de ecuaciones (2.141) se conoce el potencial de los vrtices
de los elementos en que se ha discretizado el dominio y, a partir de ellos, se puede
calcular el potencial en cualquier punto interior a un elemento dado mediante la funcin
de interpolacin elegida, es decir, un elemento de contorno curvilneo o un elemento de
contorno.

Captulo 3 Mtodos de Optimizacin de Aparamenta
de Alta Tensin
3.1 Introduccin
El objetivo de este captulo es mostrar los diferentes mtodos de optimizacin en lo que
respecta a la geometra de los electrodos y aisladores. Previamente se van a realizar
unas consideraciones generales sobre optimizacin.
3.1.1 Fundamentos de la optimizacin
Cuando se habla de optimizacin de aparamenta de alta tensin se deben de tener en
consideracin tres cuestiones fundamentales:
1. Qu se va a optimizar? En qu condiciones?
2. Mtodos de clculo de campo.
3. Tcnica empleada en la optimizacin.
Por lo que a la primera cuestin se refiere resulta indispensable diferenciar entre la
optimizacin de electrodos y la optimizacin de aisladores. Los objetivos de
optimizacin de electrodos, as como las propiedades geomtricas de la superficie a
optimizar fueron establecidos de modo claro por Singer [122], a saber:
Optimizacin para obtener una intensidad de campo mnima.
Optimizacin para obtener una tensin de ruptura mxima.
El mnimo terico del mximo de las intensidades de campo en una regin de un
electrodo, en la que se admite que la densidad de carga no se anula en ningn punto
(ninguna lnea equipotencial corta al electrodo), bajo la suposicin de que el flujo
elctrico en esa regin permanece constante (toda la regin est rodeada a su vez por un
nico medio dielctrico), es el correspondiente a una distribucin de campo homognea
en esa regin. Debido a ello, muchas veces se utiliza como objetivo de la optimizacin
de electrodos la obtencin de una intensidad de campo uniforme.
En el caso de los aisladores tanto el objetivo de la optimizacin como las propiedades
geomtricas de la superficie a optimizar son cuestiones para las cuales existen todava
interrogantes en las que los investigadores no se ponen de acuerdo. Dumling [30][31]
realiz un estudio comparativo entre distintas posibilidades de optimizacin y, de
acuerdo con sus resultados la magnitud que determina de forma primordial el
comportamiento de los aisladores, en cuanto a la aparicin de descargas superficiales se
76 Optimizacin de Aisladores de Alta Tensin...

refiere, es el mdulo de la intensidad de campo (o intensidad de campo total) en la
superficie del aislador. Por otra parte, Gomolln [44][45][43] realiz un estudio sobre
las relaciones tericas entre las propiedades geomtricas de la superficie del aislador a
optimizar y las magnitudes elctricas:
Relaciones entre los parmetros geomtricos de las superficies y las
magnitudes de campo de un problema de valores de contorno del tipo de
Laplace.
Relacin existente entre la derivada global de la intensidad de campo con
respecto al desplazamiento de un punto de una de las superficies de contorno
en un problema de valores de contorno (BVP: Boundary Value Problem).
Estas relaciones se abordarn con profundidad en el captulo 4.
La segunda cuestin ha sido estudiada con profundidad en el captulo segundo.
La tercera cuestin es el objeto de este captulo. Dentro de lo que representan las
tcnicas de optimizacin se deben observar los requerimientos que toda optimizacin
precisa, y que se pueden resumir del siguiente modo:
Las geometras resultantes del proceso de optimizacin deben ser simples y
realistas para poder hacer uso prctico de ellas.
Las geometras optimizadas deben ser capaces de cumplir con las
condiciones elctricas y mecnicas exigidas.
El grado de exactitud de la optimizacin debera de permanecer dentro del
mismo rango que las tolerancias de produccin de los equipos de aparamenta
de alta tensin.
El contorno debe de armonizar con el sistema total.
Pueden emplearse tcnicas analticas para obtener un perfil ptimo en formas explcitas.
Sin embargo el clculo se limita a sistemas muy simples en problemas bidimensionales.
El clculo numrico no puede dar un perfil ptimo directamente. Los mtodos basados
en anlisis numrico se basan en un procedimiento iterativo de modificacin de un
perfil dado evaluando la distribucin de campo en cada iteracin. Al hilo de lo
comentado ms arriba la diferencia entre los distintos mtodos de optimizacin
desarrollados hasta la fecha consiste, por una parte, en la meta definida como objetivo
de optimizacin, y por otra, en la forma en que se modifica la geometra de los
contornos iniciales para la obtencin de nuevos contornos. El factor decisivo en las
etapas de iteracin es el algoritmo de modificacin empleado, es decir, la relacin entre
la distribucin de campo elctrico calculada y el correspondiente valor de la
modificacin. A continuacin se exponen los diferentes mtodos de optimizacin de
Capitulo 3: Mtodos de Optimizacin de Aparamenta de Alta Tensin 77

aparamenta de alta tensin. En primer lugar se hace referencia a los diferentes mtodos
de optimizacin de electrodos basados en diferentes tcnicas para obtener el criterio de
optimizacin. En segundo lugar se realiza la exposicin de los mtodos de optimizacin
de aisladores, clasificados segn que el criterio de optimizacin utilizado sea respecto a
la componente tangencial del campo o respecto a la intensidad total del campo. La
nomenclatura empleada en la descripcin de los mtodos aqu presentados se realiza de
acuerdo a la empleada por los diferentes autores, para de este modo respetar lo ms
fielmente posible los criterios empleados por stos en las pruebas realizadas en sus
correspondientes respectivas validaciones.
3.2 Mtodos de optimizacin de electrodos de revolucin
basados en la variacin de la curvatura superficial
3.2.1 Introduccin
Como ya se ha comentado existe una relacin directa entre la geometra de un contorno
electrdico y el campo elctrico que aparece en la superficie del electrodo.
Basndose en esta relacin pueden desarrollarse algoritmos de optimizacin segn
diferentes criterios.
Todos estos criterios se ajustan al siguiente esquema. Se define una magnitud base para
la optimizacin, que en este caso es el mdulo del campo elctrico, del cual se conoce
una relacin incremental con la curvatura. Se calcula la diferencia entre la magnitud E
objetivo y la que realmente se tiene en el contorno para cada punto de la zona a
optimizar del mismo.
ireal iobjetivo i
E E E = (3.1)
A partir de la relacin conocida de
i
E con C (C es la curvatura total) se calcula el
incremento de curvatura necesario en cada uno de los puntos del contorno a optimizar.
( )
i ireal iobjetivo i
E f C C C = =
(3.2)
Posteriormente se calculan los desplazamientos que hay que dar a los distintos puntos
del contorno para obtener en cada uno de ellos la curvatura deseada.
Este proceso se repite hasta que las diferencias entre los valores reales y los valores
objetivos fijados para la magnitud a optimizar son, en cada punto, menores que una
cantidad prescrita para poder aceptar como vlidos los resultados de la optimizacin.

3.2.1.1 Optimizacin para obtener una intensidad de campo
constante
Uno de los objetivos que pueden perseguirse en la optimizacin de electrodos es que, en
cada punto de una zona determinada del contorno de un electrodo se tenga una
intensidad de campo elctrico constante e igual a un valor fijado de antemano.
El proceso a seguir en este caso para la optimizacin es el descrito anteriormente. La
relacin incremental entre
y C (campo elctrico y curvatura superficial) es

conocida y no es sino la dada por la igualdad deducida de la frmula de Spielrein
[128][129].
El problema se reduce, en definitiva, a determinar la variacin de los centros de
curvatura en funcin de la diferencia entre el campo elctrico existente y el deseado.
Con el fin de resolver de forma ms cmoda el problema Singer y Grafoner adoptaron
la hiptesis simplificativa de considerar que la variacin de la curvatura superficial
nicamente est afectada por la variacin del radio de curvatura de la seccin normal
que contiene al eje de revolucin.
Basndose en este algoritmo, Grnewald desarroll uno nuevo [50][52], que tiene en
cuenta las variaciones de los radios de curvatura de las dos secciones normales del
contorno. El mtodo linealiza la variacin de la curvatura con respecto a los
desplazamientos de los puntos del contorno y los determina mediante la resolucin de
un sistema de ecuaciones lineales.
3.2.1.2 Optimizacin para obtener una tensin de ruptura constante
Paralelamente al mtodo de diseo basado en el criterio de obtener una distribucin de
campo elctrico homogneo en una zona determinada, aparece el basado en una
optimizacin con respecto a la tensin de iniciacin de la descarga disruptiva (se
denominara en lo sucesivo y por comodidad tensin de inicio). Conocidas las relaciones
empricas existentes, para distintos medios dielctricos, entre el campo elctrico y la
tensin de inicio correspondiente, es posible establecer una frmula que defina la
variacin de la curvatura con respecto a la desviacin de la tensin del electrodo,
respecto a la de inicio [122].

3.2.2 Mtodo de Singer y Grafoner
3.2.2.1 Introduccin
Uno de los primeros mtodos desarrollados para disear electrodos y aisladores de
revolucin fue publicado por Singer y Grafoner [119]. Mediante un proceso iterativo, se
varan las posiciones de los centros de curvatura de un contorno electrdico dado con el
fin de obtener uno nuevo en el que el campo elctrico en una zona prefijada se
encuentre uniformemente distribuido. Los contornos de los electrodos se optimizan de
acuerdo a la componente normal de la intensidad de campo, que en la superficie de un
electrodo coincide con la intensidad total de campo. Se utiliza el mtodo de simulacin
de cargas para el clculo del campo elctrico.
Conocida la forma geomtrica del electrodo y el valor de la tensin aplicada al mismo,
se determina el campo elctrico en los puntos del contorno, especialmente en la zona
que se desea optimizar. Si el campo elctrico difiere del deseado en una magnitud
superior a un valor prefijado, se modifica la curvatura del contorno de la superficie
comprendida entre cada dos puntos, en funcin de la desviacin del campo elctrico
respecto al valor prefijado. Para variar un contorno es preciso desplazar los distintos
puntos que lo conforman, estos desplazamientos se calculan a partir de los valores
obtenidos para los incrementos de curvatura en cada punto. El procedimiento
constructivo de modificacin del contorno se detalla en el apartado 3.2.2.2.
Despus de la correccin del contorno se debe calcular de nuevo el campo. Para ello,
hay que volver a determinar nicamente los trminos de las filas y las columnas de la
matriz de coeficientes de potencial correspondientes a las zonas modificadas del
electrodo. Por ejemplo si la configuracin en estudio est compuesta de tres electrodos y
se va a optimizar el tercero debern recalcularse nicamente los trminos
correspondientes a las filas que definen los puntos de contorno de dicho electrodo. Si,
adems, se ha modificado la posicin de las cargas del electrodo a optimizar se debern
de recalcular tambin los trminos de las columnas correspondientes a las citadas cargas
(Fig. 3.1).

VIEJO
VIEJO VIEJO
VIEJO NUEVO
NUEVO NUEVO
NUEVO
NUEVO
Cargas modificadas
Puntos de contorno
modificados

Fig. 3.1. Estructura de la matriz del sistema tras la modificacin de un electrodo.
Se resuelve de nuevo el sistema de ecuaciones y se determina el campo elctrico en la
zona de optimizacin. Si este difiere del deseado en un valor superior al prefijado se
realiza nuevamente el mismo clculo, con lo que se tiene el proceso iterativo indicado
en el diagrama de flujo de la Fig. 3.2.
Correccin de las cargas.
Comienzo
Entrada de datos geomtricos
y elctricos
Clculo de coordenadas de
cargas.
Clculo de la matriz (P)
Solucin del sistema de
ecuaciones
( ) ( ) ( ) =
1
P Q
Clculo del Campo E en la zona a
optimizar
|E-Edeseado|<
Correccin del contorno.
Resultado Contorno Calculado.
Fin
S
NO

Fig. 3.2. Diagrama de flujo del proceso iterativo de optimizacin.

3.2.2.2 Descripcin del mtodo
La correccin del contorno se deduce de la relacin de Spielrein [128] segn la cual
para cada punto P
i
de un electrodo se cumple la igualdad:
i
i
i
E
n
E
C
|
.
|
\
|
=

(3.3)
donde:

C
i
es la curvatura total de la superficie en un punto P
i

E
i
es el mdulo del campo elctrico en el punto P
i

n
r
es la normal al contorno en el punto P
i

o bien
( )
i
i
n
E
C |
.
|
\
|
=
ln

(3.4)
Si se deriva la curvatura con respecto al campo elctrico, resulta:
i
i
E n E
C
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
= |
.
|
\
| 1

(3.5)
que de forma incremental puede aproximarse por:
2
i
i
i i
E
n
E
E C
|
.
|
\
|

(3.6)
con lo cual, conocido el campo elctrico E
i
en cada punto del contorno, y, prefijado el
valor del campo deseado, E
d
, la variacin de la curvatura C
i
queda numricamente
determinada por la expresin (3.6).
Como se indica en el apndice B la curvatura total C de la superficie, en el punto P es la
suma algebraica de las correspondientes a las dos secciones normales:
C
R
i
axi i
=
1 1

(3.7)
De acuerdo con la Fig. 3.3,
i
es el radio de curvatura de una seccin normal que
contiene al eje de simetra, p.e: la definida por el plano del papel. El radio de curvatura
de la seccin normal perpendicular al plano del papel que pasa por el punto P
i
es R
axi

cuyo valor est definido por la distancia entre el punto del contorno P
i
y la interseccin
con el eje de rotacin de la recta normal a la superficie en dicho punto.

r
z
M
Pi
Raxi
i

Fig. 3.3. Radio de curvatura.
Es evidente que si se modifica
i
tambin vara R
axi
, pero, en general, la variacin de
R
axi
puede despreciarse respecto a la de
i
[119], con lo que se obtiene para el
incremento de la curvatura la expresin:
i i
i
C

1 1

(3.8)
donde:
-
i
representa el nuevo radio de curvatura que debe de tener el perfil del
contorno.
-
i
es el radio de curvatura que tiene realmente en la iteracin en curso.
Conocido numricamente el valor de C
i
, a partir de la expresin (3.6), y definido
geomtricamente el electrodo, se puede determinar el nuevo radio de curvatura
i
a
partir de la ecuacin (3.8) sin mas que despejar en ella, es decir,
i
i
i
C
1
1
+

(3.9)
Para explicar cmo se realiza la construccin del nuevo contorno se utiliza el perfil de
una varilla frente a un plano de tierra representado en la Fig. 3.4. En dicha figura se
representa el proceso de construccin entre dos pasos de iteracin. Se trata de construir
un nuevo perfil formado por una sucesin de arcos de circunferencia tangentes en los
puntos de contorno. Se comienza con el punto P
1
de mnima intensidad de campo. El
procedimiento es el siguiente. Cada punto del contorno, salvo el primero que enlaza con

la parte no optimizada y permanece fijo, se va a desplazar en direccin normal, para lo
cual se trazan todas las normales que pasan por los puntos de contorno del contorno
original. Para cada punto P
i
se conoce el radio de curvatura
i,i+1
del arco P
i
, P
i+1
en el
contorno original, y sobre las normales trazadas se tienen los centros M
i,i+1
de cada uno
de estos arcos. A partir de los incrementos de curvatura necesarios para obtener las
intensidades de campo prefijadas se han determinado los nuevos valores que debern
tener los radios de curvatura despus de modificar el contorno. Para el punto inicial P
1

se impone la condicin de que el contorno mantenga su tangencia con el resto del
electrodo por lo que la normal del contorno original y la del contorno desplazado
coinciden. A la vez, al ser un punto fijo, el punto P
1
y su desplazado P
1
coinciden.
Empezando en P
1
, a partir de cada punto desplazado P
i
se traza la nueva normal al arco
P
i
, P
i+1
en P
i
. Sobre esta normal se lleva el nuevo radio calculado
i,i+1
, obtenindose
el centro M
i,i+1
. Con centro en M
i,i+1
y radio
i,i+1
se traza una nueva circunferencia
que determina el nuevo P
i+1
en el punto donde corta a la antigua normal al punto P
i+1
.
El nuevo punto P
i+1

junto con el centro de la circunferencia trazada, M
i,i+1
, determinan
la nueva normal en P
i+1
que permite continuar el trazado.
1,2
Pn
P5
P5
M2,3
Pn
Pn-1
P6
P6
P5
P4
P3
P2
P1=P1
Mn-1,n
Mn-2,n-1
Mn-1,n
Mn-2,n-1
M5,6
M4,5
M3,4
M2,3
M1,2
M4,5
M3,4
4,5
3,4
M1,2
5,6
2,3
4,5
3,4
2,3
1,2
P4
P4
Corregido
Mn-1,n
P6
Pn-1
P2
P3
Pn-2
Pn-2

Fig. 3.4. Construccin de un nuevo contorno entre dos pasos de iteracin.

Conviene destacar que la recta
n n n
M P
, 1
para el caso representado en la Fig. 3.4, es el
propio eje de rotacin ya que este es un extremo de la zona a optimizar.
Por otro lado, debe establecerse la condicin de que en el ltimo punto P
n
la tangente
sea horizontal, es decir, que el centro de curvatura M
n-1,n
tenga abscisa nula. Esta
condicin no se ha considerado en el proceso de correccin del contorno descrito
anteriormente aunque debe quedar satisfecha de forma obligada. Por lo tanto, el radio
del arco de la ltima circunferencia no ser el que resulta del clculo sino que debe
modificarse ligeramente y situarse sobre el eje de simetra (ver centro corregido en la
figura).
Adems, debido a las hiptesis simplificativas realizadas en las expresiones (3.6) y (3.9)
el contorno calculado se sustituye, a veces, por uno intermedio en el que cada nuevo
punto
i
P se coloca en una posicin intermedia entre
i
P y
i
P (Fig. 3.4), las
coordenadas de este punto vienen dadas por:
( )
( )
i i i
i i i
z f z f z
r f r f r
+ =
+ =
1
1

(3.10)
donde f es un factor de relajacin (f<1).
En otras ocasiones es ms adecuado elegir valores de f >1, con lo que se logra una
convergencia ms rpida, aunque, si el factor f es demasiado grande, puede producirse
una iteracin oscilante no convergente.
El valor que debe tomar f depende principalmente de la distancia entre electrodos
prximos [119]. En el transcurso de las iteraciones se puede modificar el factor de
relajacin para obtener lo mas rpidamente posible la solucin.
3.2.2.2.1 Reduccin del tiempo de clculo
Se consigue una reduccin del tiempo de clculo si se desprecia la influencia de la zona
del contorno donde se ha hecho la modificacin, sobre las cargas de simulacin
correspondientes a las zonas del contorno suficientemente alejadas de ella. Estas cargas
no se calculan y se consideran conocidas siempre que no varen en dos iteraciones
consecutivas ms de un cierto lmite prefijado, con ello el sistema de ecuaciones a
resolver se simplifica notablemente. Para explicarlo supngase una disposicin de
cuatro cargas desconocidas a las que les corresponde el sistema de ecuaciones siguiente:
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
4
3
2
1
4
3
2
1
44 43 42 41
34 33 32 31
24 23 22 21
14 13 12 11
Q
Q
Q
Q
P P P P
P P P P
P P P P
P P P P

(3.11)

Si las cargas Q
2
y Q
3
han variado muy poco durante dos iteraciones consecutivas, el
sistema de ecuaciones se reduce al siguiente:
(
=
(
3
2
43 42
13 12
4
1
4
1
44 41
14 11
Q
Q
P P
P P
Q
Q
P P
P P

(3.12)
con lo que el tiempo de calculo necesario para resolver el sistema de ecuaciones es,
ahora, notablemente inferior.
3.2.3 Mtodo de Grnewald
3.2.3.1 Introduccin
Este mtodo de optimizacin, lo mismo que el descrito anteriormente, se basa en la
variacin del contorno en funcin de la desviacin del campo elctrico en la zona a
optimizar con respecto al valor deseado. El mtodo de Grnewald tiene dos pasos muy
diferenciados:
1.- El clculo del campo elctrico y
2.- La modificacin de la geometra a partir de este clculo.
Como se describe seguidamente, la diferencia con el mtodo anterior estriba
fundamentalmente en dos puntos:
1.- Se tiene en cuenta la influencia de la variacin de curvatura de las dos secciones
normales a la superficie en cada punto y
2.- Se desarrolla un algoritmo de correccin del contorno mediante la linealizacin de
las curvaturas principales.
Se consideran unos vectores de desplazamiento perpendiculares al contorno de partida.
Una vez calculada la diferencia entre el campo elctrico existente en la zona a optimizar
con respecto al deseado se determina la longitud de los desplazamientos y sus sentidos.
A continuacin se procede a analizar detenidamente cmo se lleva esto a cabo en la
prctica. En cada punto la curvatura se determina considerando los dos puntos
inmediatos adyacentes del contorno, de manera que, con las coordenadas de estos
puntos se encuentra el centro de la circunferencia que pasa por los tres puntos, cuyo
radio define el radio de curvatura del punto intermedio, y cuyo centro junto con el punto
antedicho definen la direccin de la normal en este punto.

Para ver la relacin entre los cambios de curvatura y los desplazamientos de los puntos
del contorno se discretiza la zona de contorno a optimizar mediante n puntos que se
denominan puntos de contorno. El perfil del electrodo entre estos puntos se sustituye
por arcos de circunferencia definidos por cada punto genrico P
i
y sus adyacentes
anterior y posterior, P
i-1
y P
i+1
respectivamente.
Se dibujan tambin los desplazamientos, supuestos conocidos, de los puntos de
contorno, para pasar de un contorno al siguiente. Estos desplazamientos se van a
considerar en direccin normal al contorno ficticio definido por el arco de
circunferencia mencionado.
Si se desplazan los puntos del contorno a lo largo de los vectores t segn indica la
Fig. 3.5 se obtiene para el nuevo punto P
i
la curvatura C
i
dada por la expresin:
Pi-1
i
i
Raxi
Raxi
Pi+1 Pi+1
Pi
Pi-1
Pi
1 + i
t
i
t
1 i
t

Fig. 3.5. Desplazamiento de los puntos del contorno a lo largo de los vectores t .
( ) ( ) t R R t
C
axi axi i
i
+
+
=
1 1
'

(3.13)
donde por t se ha denotado el vector de desplazamientos ( )
1 1
, ,
+ i i i
t t t . Segn esta
expresin los nuevos radios de curvatura,
i
y R
axi
, se pueden representar como la
suma de los anteriores
i
y R
axi
ms unas funciones (t) e R
axi
(t) dependientes de los
desplazamientos t. Con esto, la nueva curvatura total C
i
en el punto P
i
se puede
calcular mediante la ecuacin:
( ) t f C C
i i
+ =
'

(3.14)

Ahora bien, para llevar a cabo los clculos en la prctica, se hace necesario linealizar la
la funcin f(t) de la expresin de C
i
. Para esto se usa el desarrollo en serie de Taylor de
C
i
entorno al origen( ) 0 , 0 , 0
1 1
= = =
+ i i i
t t t :
( )
1
1
1
1
0
+
+
+ =
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i i
t
t
C
t
t
C
t
t
C
C C

(3.15)
pero C
i
(0) no es sino C
i
, por lo que queda:
1
1
1
1
+
+
+ =
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i i
t
t
C
t
t
C
t
t
C
C C

(3.16)
y llamando:
j
i
ij
t
C
f
=
(3.17)
Al linealizar la funcin f(t), la ecuacin (3.14) se convierte en:
+
=
+ =
1
1
'
i
i j
j ij i i
t f C C
(3.18)
El trmino de la derecha del segundo miembro de esta ecuacin representa la variacin
de la curvatura para un desplazamiento dado del contorno. Los coeficientes f
ij
utilizados
se encuentran desarrollados en [50].
La ecuacin (3.18), planteada para los n puntos del contorno, se puede expresar
matricialmente en la forma:
(
(
(
(
(
(
(
(
(
+
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
n n nn nn nn
n
C
C
t
t
f f f
f f f
f f f
f f f
C
C
.
.
.
.
. . .
. . . 0 0 0
. . . . 0 0
0 . . 0
0 0 . .
0 0 0 .
.
.
1 1
1 2
33 32 31
23 22 21
13 12 11
'
'
1

(3.19)
que llamando
i i i
C C C = puede reescribirse como:

(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
n n nn n
n
C
C
t
t
f f
f f
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . .
1 1
1
1 11

(3.20)
lo cual escrito de manera simplificada resulta:
| | | | | | T F C =
(3.21)
o bien:
| | | | | | | | T F C C + =
(3.22)
Es decir, la curvatura deseada [C] en los puntos del contorno es igual a la suma de la
curvatura existente [C] y a la variacin de la curvatura | | | | T F producida por los
desplazamientos [T]. Si se tiene en cuenta la ecuacin (3.18) se puede ver fcilmente
que la matriz [F] es una matriz tridiagonal cuyos elementos son todos nulos salvo los de
la diagonal principal y los de las dos diagonales adyacentes a la principal.
Los C pueden determinarse a partir de los valores determinados para E o
in
U
mediante la frmula (3.6) o la frmula (3.36) respectivamente, y una vez conocidos
aquellos, la solucin del sistema (3.21) nos proporcionara los valores de los
desplazamientos que se debe dar a los distintos puntos de contorno para pasar de un
contorno al siguiente.
Segn lo dicho el vector de desplazamiento [T] se determina mediante la resolucin del
sistema de ecuaciones siguientes:
| | | | | | 0 = C T F
(3.23)
Ahora bien, al sistema (3.21) hay que aadirle algunas restricciones. Estos es as pues
deben de ser satisfechas ciertas condiciones adicionales para que la parte optimizada del
electrodo se ajuste al resto. Para empezar, se debe obligar, como mnimo, a que uno de
los desplazamientos en el borde del contorno sea nulo, es decir, que algn punto sea
fijo. Por lo tanto, el sistema de ecuaciones (3.23) esta sobredeterminado; ya que deben
calcularse (n-1) desplazamientos a partir de n incrementos de curvatura. Adems, para
que las geometras que se obtengan como resultado no presenten singularidades
geomtricas, debe exigirse muchas veces la condicin de que la tangente se conserve en

algn punto del contorno (normalmente el primero o el ltimo) a lo largo de las distintas
iteraciones.
Como se ha sealado, estas condiciones suelen aplicarse a los puntos inicial y/o final de
los contornos a optimizar. Consideradas todas ellas forman un conjunto de restricciones
(linealizables al igual que el sistema principal) que deben aadirse al sistema de
ecuaciones inicial. De manera que el problema queda planteado como la resolucin del
sistema de ecuaciones:
| | | | | | | | V C T F =
(3.24)
donde el vector | | V es un vector de errores admisibles sujeto a las restricciones:
| | | | | | | | 0 = + B T G
T

(3.25)
donde [G]
T
es una matriz (m x n) en la que m representa el nmero de restricciones
lineales que deben satisfacer los desplazamientos
i
t (representados por la matriz [T]).
Para resolver este sistema se usa el mtodo de Gauss de los mnimos cuadrados con
multiplicadores de Lagrange que se expone en el Apndice D.
Las expresiones para los coeficientes de las matrices [F] y [G]
T
, as como su deduccin
pueden consultarse en [50].
El vector de desplazamientos | | T as calculado define el nuevo contorno de la zona a
optimizar.
A continuacin, se determinan los valores del campo elctrico en los puntos del nuevo
contorno. En caso de que difieran respecto de los deseados ms de un limite admisible
es preciso realizar un nuevo desplazamiento del contorno.
Lo mismo que en el mtodo anterior, no es preciso calcular nuevamente todos los
trminos de la matriz de coeficientes de potencial sino nicamente los que hayan
variado por la modificacin del contorno y de la posicin de las cargas.
En la Fig. 3.6 se representa un diagrama de flujo simplificado en el cual se indica el
proceso iterativo de este mtodo.

Comienzo
Entrada de datos geomtricos
y elctricos
Clculo del Campo E
|E-Edeseado|<
Correccin del contorno.
Fin.

Fig. 3.6. Diagrama de flujo del proceso iterativo.
3.2.3.2.1 Convergencia
Conviene hacer notar que, en la zona de paso entre el contorno fijo y el variable, la
geometra est fsicamente sobrecondicionada ya que el contorno no puede desplazarse.
Por este motivo, es necesario considerar una zona de cambio entre el ltimo punto del
contorno fijo y el primero variable, en la que se asegure que el campo elctrico no es
mayor que en el resto de la zona de optimizacin. Esto se evita mediante la
subrelajacin de las curvaturas. Es decir, la geometra no se desplaza de acuerdo con el
incremento de curvatura dado por la ecuacin (3.6) sino que solamente se considera una
pequea parte de esta.
1 , << = C C
relaj

(3.26)
El inconveniente de esta subrelajacin, si se mantiene para el resto del contorno, es la
lentitud en la modificacin del contorno, lo que obliga a aumentar el nmero de pasos
de iteracin para obtener la solucin final.
Esta subrelajacin no es necesaria si se introduce la condicin de que en el punto de
contacto de ambas zonas, fija y a optimizar, la normal a la superficie sea comn, segn
indica la Fig. 3.7.

Mn
Mn
Pn
Pn
Pn-1
Pn-1
Pn-2
Pn-2
1 n
t
2 n
t
n
t

Fig. 3.7. Condicin normal a la superficie comn para zonas fija y a optimizar.
Geomtricamente, esto significa que el centro M
n
del arco de circunferencia del
contorno desplazado debe de estar sobre la normal del antiguo contorno. Esta condicin
puede incluirse en el conjunto de restricciones (3.25).
Otra forma de mejorar la convergencia consiste en introducir unos factores de
aceleracin, controlados en el transcurso de las iteraciones, que ponderan los
incrementos de la curvatura tal como se hace en la ecuacin (3.26); sin embargo, no
se mantiene constante en todas las iteraciones sino que se determina en cada una de
ellas.
Como ya se ha indicado en las expresiones (3.6), (3.22) y (3.25) el algoritmo de
correccin se basa en relaciones linealizadas, por lo que los desplazamientos no deben
de abandonar la zona de trabajo admisible.
Se puede usar un factor que mantiene constante su producto por la relacin del
incremento medio de la curvatura respecto del valor medio de la curvatura total a lo
largo de la zona del contorno considerado, segn se indica en la ecuacin siguiente:
w cte
C
n
C
n
i
i
i
i
= =
2
2
1
1

(3.27)
Al principio del clculo el valor de es pequeo puesto que las desviaciones del campo
son demasiado grandes con respecto al deseado. Al aumentar el nmero de iteraciones y
disminuir, por tanto, los valores de C, aumenta el valor de . Debe cuidarse que al

final de las iteraciones el factor no conduzca a desplazamientos superiores a los
necesarios lo que provocara una oscilacin del contorno alrededor de un valor medio.
A partir de los casos estudiados por Grnewald se estima que el valor ptimo de w es de
0,1.
Al igual que en el mtodo de Singer y Grafoner [119], segn lo explicado en el prrafo
3.2.2.2.1, es posible despreciar la influencia de la zona del contorno modificado sobre
las cargas de simulacin correspondientes a las zonas del contorno suficientemente
alejadas de ella.
3.2.4 Optimizacin respecto a la tensin de inicio de la descarga
disruptiva
Para un electrodo que esta sometido a una tensin elevada no solamente es importante
que el campo elctrico sea homogneo sino que se debe tener en cuenta la tensin U
in

correspondiente al valor del campo E
in
para el cual se produce el inicio de las descargas
disruptivas [122][50][51]. En un electrodo que tenga una distribucin homognea de
campo en la superficie, comenzarn a producirse las descargas en la zona donde el
contorno sea menos curvado, pues para la mayora de los dielctricos el campo E
in
de
inicio es funcin de la curvatura del electrodo.
( ) C f E
in
= (3.28)
La optimizacin del contorno debe realizarse de tal forma que:
1.- En cualquier punto del contorno, el campo sea igual al campo de inicio de las
descargas disruptivas, con lo cual la tensin terica de inicio en cualquier punto y la
probabilidad de producirse en cada instante una descarga ser la misma.
2.- Por aadidura se trata de conseguir que esto ocurra con la mxima tensin posible,
U
in
.
Para deducir la expresin de la variacin de la curvatura respecto al valor de la
desviacin de la tensin de inicio, se parte de la relacin existente entre la tensin de
inicio U
in
con respecto a una tensin arbitraria U
0
y entre los valores de los campos
elctricos correspondientes. Se admite que el campo elctrico en un punto del contorno
de un electrodo, vara proporcionalmente con la tensin a que ste se ve sometido. Esto
nos permite definir la tensin de inicio en cada punto como:
( )
0
0
U
U E
E
U
in
in
=
(3.29)

Para fijar el valor de referencia de la tensin U
in
, en cada iteracin de la optimizacin se
selecciona el punto del contorno con U
in
mnimo, pues es en dicho punto en el que antes
aparecera la descarga si se fuese aumentando la tensin del electrodo. De esta manera
se est trabajando en todo momento con la mayor seguridad posible y por otra parte se
facilita la convergencia del proceso.
Queda por establecer una relacin incremental entre
in
U y C . Derivando la
expresin (3.29) respecto de la curvatura C, resulta para cada punto:
( )
( )
( )
0
0
2
0
0
U
U E
C
U E
E
C
E
U E
C
U
in
in
in

(3.30)
o bien:
( )
( )
( )
|
|
.
|
\
|
C
U E
U E
E
C
E
U E
U
C
U
in in in 0
0
2
0
0
1

(3.31)
y como:
n
E
E
E
C
2
1

(3.32)
se puede poner:
n
E
E
C
E
1
2
=

(3.33)
de donde:
( )
( )
0
1
0
0
0
U
in
in in
n
E
E U
C
E
U E
U
C
U
=
(3.34)
o en forma incremental:
( )
( )
(
(
(
=
0
1 1
0
0
U
in
in
in
n
E
E
C
E
U E
U C U

(3.35)
o bien:
( )
( )
(
(
(

=
0
0
0
1
1 1
U
in in
in
n
E
E
C
E
U E
U
U C

(3.36)
Que tambin puede escribirse como:

( )
( )
( )
|
|
.
|
\
|

C
U E
U E
E
C
E
U E
U
U
C
in in
in
0
0
2
0
0
1

(3.37)
3.2.4.1 Medio dielctrico de aire
La relacin entre la curvatura y el campo elctrico de inicio para el aire esta definida por
la ecuacin emprica [131]:
|
.
|
\
|
+ =
3
2
1 8 , 22
C
E
in

(3.38)
cuya derivada respecto de la curvatura C es:
3 2
1
03 , 6
2 3
8 , 22
3
2
3
1
C
C
C
E
in
=

(3.39)
donde E
in
est expresada en kV/cm y C en cm
-1
.
Por otro lado la derivada del campo elctrico respecto de la curvatura se puede expresar
mediante con la ecuacin:
( ) ( )
( )
|
.
|
\
|
n
U E
U E
C
U E
0
0
2
0

(3.40)
Al sustituir las expresiones (3.38), (3.39) y (3.40) en la ecuacin (3.37) resulta
finalmente:
( )
( )
|
|
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+

n
U E
C
C U E
U
U
C
in
0
3
3 2
0
0
2
1 8 , 22
03 , 6

(3.41)
3.2.4.2 Medio dielctrico de hexafluoruro de azufre
La relacin entre la curvatura y el campo elctrico de inicio para el hexafluoruro de
azufre est definida por la ecuacin emprica [28].
( ) ( ) P C P E
in
2 17 , 0 1 0 , 89 + =
(3.42)
donde: E
in
est expresado en kV/cm, C en cm
-1
y P es la presin del gas en bares.
Derivando la expresin anterior

( )
2
7825 , 3
2
2 , 2
1 17 , 0
0 , 89
2
1
C
P
C
P
P
C
E
in
= =

(3.43)
y, por ltimo,
( )
( ) ( )
( )
|
|
|
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|

n
U E
P C P
C U E
P
U
U
C
in
0
0
0
2 17 , 0 1 0 , 89
2
7825 , 3

(3.44)
Estas expresiones sirven para variar el contorno con el fin de que la tensin de inicio sea
homognea en las zonas prefijadas del electrodo en estudio.
Los mtodos descritos anteriormente son aplicables bajo este criterio, sin ms que
sustituir la ecuacin (3.6) por la (3.41) (3.44) segn que el medio dielctrico sea aire o
hexafluoruro de azufre respectivamente.
3.3 Mtodos de optimizacin de electrodos con simetra
rotacional basados en la seleccin de cargas equivalentes
3.3.1 Mtodos de Metz y Okubo
3.3.1.1 Introduccin
Un mtodo alternativo a los descritos en los prrafos anteriores fue desarrollado por
Metz en 1976 [84][85][83] y complementado por H. Okubo, T. Amemiya y M. Honda
en 1979 [97].
En este mtodo la zona de optimizacin no se simula por puntos del contorno del
electrodo sino por cargas cuya posicin y magnitud se han estimado inicialmente. La
superficie del electrodo en la zona a optimizar est definida por la superficie
equipotencial correspondiente al valor de la tensin del electrodo.
La optimizacin consiste en un cambio iterativo de la posicin y magnitud de las cargas
de la zona de optimizacin, por lo que es ms adecuado hablar de optimizacin de las
cargas en vez de optimizacin del contorno. El proceso iterativo finaliza cuando el valor
y la posicin de las cargas es tal que en la superficie equipotencial correspondiente a la
tensin del electrodo, el campo elctrico es el deseado.
El sistema electrdico se divide en dos zonas, una fija, que corresponde a la zona cuya
geometra no se va a modificar y otra variable, en la que el contorno se modifica para
que el campo elctrico sea el deseado.

El contorno en la zona fija se simula por un nmero n de puntos contorno y un conjunto
de n cargas equivalentes Q cuya posicin se estima inicialmente aunque la magnitud se
deja indeterminada. La zona variable no se simula por puntos de contorno sino por un
conjunto de n cargas Q cuyas posiciones y magnitudes estn predefinidas. Estas cargas
se denominan Cargas de Optimizacin y representan una solucin parcial del
problema matemtico, ya que el valor de las restantes cargas equivalentes de la zona fija
es desconocido a priori.
Al imponer la condicin de potencial elctrico conocido en los puntos del contorno de
la zona fija se puede determinar el valor de las cargas de esta zona. Para ello se aplica la
condicin de que la superposicin de los potenciales producidos por estas n cargas Q y
los producidos por las n cargas de optimizacin
j
Q en cada punto del contorno de la
zona fija, debe ser igual al valor de la tensin del electrodo. Matemticamente, esto
lleva a la expresin siguiente:
n k Q P Q P
k j
n
j
kj
i
n
i
ki
.... 1
1 1
= = +

= =

(3.45)
o bien de forma matricial por la siguiente:
| | | | | | | | | |
k j
kj
i ki
Q P Q P = + (3.46)
Las nicas incgnitas de este sistema de n ecuaciones lineales son las n cargas Q
i
por lo
que la ecuacin (3.46) se puede escribir en la forma siguiente:
| | | | | | | | | |
j
kj
k i ki
Q P Q P = (3.47)
En esta expresin la solucin parcial estimada de las cargas
j
Q puede contemplarse
como una modificacin de las condiciones de contorno del potencial en la zona fija. Por
ello, una variacin de las cargas de optimizacin produce una variacin del segundo
miembro de la ecuacin (3.22), pero no una modificacin de la matriz (P
ki
) y, en
definitiva nicamente ser preciso invertir una sola vez dicha matriz para todo el
proceso de optimizacin.
En cada iteracin, a partir del conjunto de n cargas
j
Q de optimizacin, se determinan
las n cargas Q
i
del contorno fijo. Ambos conjuntos de cargas producen una distribucin
de campo y una superficie equipotencial en las regiones de optimizacin que sirven de
base para modificar nuevamente el valor y posicin de las n cargas de optimizacin.

4.-Clculo del vector [RSk].
| | | | | | | |
j
kj
k k
Q P RS =
Comienzo
1.- Entrada de datos geomtricos
y elctricos
2.- Clculo de coeficientes de
potencial producido por las cargas
equivalentes del contorno fijo [Pki]
de cargas.
3.- Inversin de la matriz [Pki]:
[Pki]
-1
6.- Determinacin de la superficie
equipotencial y del campo elctrico.
5.- Clculo del vector [Qi]
[Qi]=[Pki]
-1
.[RSk]
8.- Variacin del conjunto
de
n
cargas j
Q
7.- |E-Edeseado|<
Fin
SI
NO

Fig. 3.8. Diagrama de flujo del Mtodo de Metz.
En la Fig. 3.8 se representa el diagrama de flujo del proceso iterativo que debe seguirse
para determinar el contorno que tiene la distribucin de campo elctrico deseado.
a) Bloques 1 - 2 3:
En la entrada de datos se debe indicar, para la zona fija, las coordenadas de los puntos
del contorno y la posicin de las cargas equivalentes, y para la zona a optimizar, las
coordenadas y el valor de las cargas de optimizacin. Con los datos correspondientes a
la zona del contorno fijo es posible determinar la matriz de coeficientes de potencial
(P
ki
) expresada en la ecuacin (3.47) que ser necesario invertir una sola vez en todo el
proceso de optimizacin.

b) Bloque 4:
Con los datos de la zona a optimizar se determina la matriz de coeficientes de potencial
| | kj P con lo que se puede calcular el segundo miembro de la ecuacin (3.47). El vector
resultante se expresa por | |
k
RS :
| | | | | | | |
j
kj
k k
Q P RS = (3.48)
En este vector, como ya se ha indicado, se tiene en cuenta la influencia de las n cargas
de optimizacin
j
Q . Por lo que, para un punto P
k
de la zona fija, se considera como
condicin de contorno el valor del potencial en dicho punto, menos el producido por las
cargas de optimizacin en el mismo.
| | | | ( ) ( )
=
=
n
j
j
kj
k k
Q P RS
1

(3.49)
Este trmino toma una forma ms complicada cuando existen dos medios dielctricos
como se explica a continuacin

ds
ds
k
1
k
2
k
a
b

Fig. 3.9. Frontera de dos medios dielctricos.
En los puntos de la frontera de dos medios dielctricos distintos se debe cumplir la
condicin de que la componente normal del vector de desplazamiento elctrico
permanezca constante a uno y otro lado de la frontera
nb na
D D = (3.50)
o lo que es lo mismo
b nb a na
E E = (3.51)

Para dos puntos situados en la direccin normal al contorno del dielctrico a uno y otro
lado de la frontera y a una distancia infinitesimal ds de esta, la ecuacin (3.51) puede
expresarse por la siguiente igualdad:
b
k k
a
k k
ds ds

2 1

=

(3.52)
Esta expresin se puede poner de la forma siguiente:
0 1
2 2 1 1
=
|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+

i j
j j k i i k
i j
j kj i ki
b
a
i j
j j k i i k
b
a
Q P Q P Q P Q P Q P Q P

(3.53)
donde al agrupar los trminos que dependen de
j
Q se tiene:
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+ =

j
j j k
j
j kj
b
a
j
j j k
b
a
k
Q P Q P Q P RS
2 1
1

(3.54)
c) Bloque 5:
El vector de las cargas equivalentes en la zona fija se determina a partir de la ecuacin
(3.47):
| | | | | |
k ki i
RS P Q =
1

(3.55)
d) Bloque 6:
Conocido el conjunto de cargas que simulan el sistema en estudio es posible calcular la
superficie equipotencial y el campo elctrico en la misma.
e) Bloques 7 y 8.
Si la distribucin de campo elctrico calculada coincide con la deseada, dentro de un
cierto margen admisible, el problema est resuelto y el contorno optimizado es la propia
superficie equipotencial. En caso contrario, debe modificarse el conjunto de cargas de
optimizacin con lo que se obtiene un nuevo vector [RS
k
] y, con l , un nuevo conjunto
de cargas
j
Q , que definir una nueva superficie equipotencial con otra distribucin de
campo elctrico. Este proceso se repite hasta lograr la distribucin de campo deseada.
Para el desarrollo del presente mtodo pueden usarse diversas estrategias de
optimizacin que dan lugar a distintas variantes.
3.3.1.3 Mtodo de Metz
Metz establece dos tipos de clculos distintos para conseguir el contorno deseado.
3.3.1.3.1 Clculos interactivos con la ayuda de un terminal grfico

Despus de calcular los coeficientes de potencial de las cargas de la zona fija e invertir
la matriz, hay que seleccionar el nmero de cargas de optimizacin, as como la
magnitud y la posicin de las mismas.
Para obtener la forma bsica de la zona de optimizacin se escogen inicialmente pocas
cargas de optimizacin (una o dos) a las que se modifica, en los pasos siguientes, de
posicin y de magnitud. Los criterios para variar estos parmetros resultan de la
observacin directa de los efectos que producen sobre la curvatura superficial y el
sentido del campo. Las cargas se modifican con el fin de que la curvatura en las
regiones de mayor campo se reduzca (el radio de curvatura aumente) y as resulte un
campo tan pequeo y uniforme como sea posible.
Una vez conocida la forma bsica de la zona de optimizacin se aumenta el nmero de
las cargas de optimizacin, para suavizar los picos que existan. Para ello se disponen
cargas de pequeo valor, dentro de la superficie equipotencial, en las zonas afectadas.
3.3.1.3.2 Clculos automticos
Para los clculos automticos es preciso definir en la superficie equipotencial de la
regin de optimizacin algunos puntos que se denominan puntos de optimizacin.
k
Q
Pk
z
ki
ki E
r
i
Q
k
n

Fig. 3.10. Disposicin de las cargas de optimizacin en el mtodo de Metz.
Cada una de las cargas de optimizacin correspondientes a estos puntos estn colocadas
en las rectas perpendiculares a la superficie que pasa por cada punto de optimizacin,
conforme se representa en la Fig. 3.10, de forma que cada carga afecta,
fundamentalmente a una pequea zona de la superficie equipotencial.

A partir de las desviaciones E d del campo existente respecto al deseado, en los puntos
de optimizacin, se determina la variacin de las cargas de optimizacin Q d . La
variacin de las cargas de optimizacin con respecto al cambio del campo en los puntos
de optimizacin viene definida por la ecuacin:
| || | | | E d Q d f = (3.56)
en la que
| | | | | | E E E d = (3.57)
y los elementos de la matriz | | f son la proyeccin de coeficientes de campo elctrico
correspondientes a cada carga en direccin a la normal a cada punto de optimizacin.
El coeficiente f
ki
correspondiente al campo producido en el punto k-simo por la carga
i-sima, viene expresado por:
( )
ki rki zki ki
f f f cos
2 2
+ =
(3.58)
3.3.1.4 Mtodo de H. Okubo, T. Amemiya y M. Honda
Este mtodo aade al desarrollado por Metz una tcnica de determinacin de las nuevas
cargas de optimizacin para cada iteracin.
Para mostrar el clculo de las cargas de optimizacin Q se dibuja con trazo continuo,
en la forma indicada por la Fig. 3.11, una superficie equipotencial definida por un
conjunto inicial de cargas de optimizacin representadas por el smbolo . Para dicho
sistema de cargas se tiene una distribucin de campo elctrico, indicada en la Fig. 3.11
con trazo continuo, en la que los mximos se obtienen en los puntos de la superficie
equipotencial enfrentados a las cargas.
Para corregir la distribucin del campo elctrico se colocan, en la proximidad del
contorno donde el campo es mnimo, unas nuevas cargas de optimizacin que se
representan en la Fig. 3.11 por el smbolo .

Cargas de Optimizacin
Cargas iniciales
Puntos de Optimizacin
G
z
r
F
E D
C
B
A
V 100%
l A B C D F E G
E
Perfil inicial.
Perfil optimizado.
Distribucin inicial
Distribucin optimizada
E
max inicial
E
max optimizada

Fig. 3.11. Disposicin de cargas de optimizacin en el mtodo de Okubo y campo elctrico resultante.
Se sitan, las nuevas cargas, de acuerdo con la Fig. 3.12, en rectas, perpendiculares a la
superficie de contorno, que pasan por cada punto de la superficie equipotencial donde el
campo presenta un mnimo y a una distancia de dicho punto dada por la ecuacin:
( )
CD BC a CS
l l Min f l , = (3.59)
donde f
a
es el factor de asignacin que, de acuerdo con la experiencia, debe estar
comprendido entre 1 y 2 [121].

l
CS
l
BC
l
CD
D

B

C

Fig. 3.12. Disposicin de las cargas de optimizacin perpendiculares a la superficie equipotencial.
El valor de las nuevas cargas de optimizacin se determina por la siguiente ecuacin
[97]:
( ) D B j V P Q
j
cj cj c
,
1
= =

(3.60)
donde:
P
cj
es el coeficiente de potencial en el punto C producido por la carga j.
es un factor de relajacin que se introduce para obtener una convergencia ms
rpida. Para cada perfil debe elegirse un distinto.
V
cj
es un valor que est definido en funcin del campo elctrico en los puntos P
c

y P
j
, donde j = B, D; es decir:
( ) ( ) D B j E E f V
c j cj
, = =
(3.61)
Las ecuaciones (3.60) y (3.61) permiten obtener el valor que debe tener la carga
correspondiente al punto donde el campo elctrico es mnimo para que la diferencia de
potencial entre l y sus puntos prximos sea tal que la variacin del campo entre ellos
tienda a hacerse nula.
En la Fig. 3.11 se representan con lneas punteadas la superficie equipotencial y de
distribucin de campo elctrico resultante, obtenidas al incorporar estas nuevas cargas a
dicha superficie de optimizacin.
El proceso descrito se repite automticamente hasta que se obtiene la distribucin
uniforme de campo elctrico deseada.

3.3.2 Mtodo de Zeng-Yao
3.3.2.1 Introduccin
En 1987 Fei Zeng-Yao [150] presento un mtodo de optimizacin basado en el mtodo
de simulacin de cargas en el que se trata a la vez de optimizar la posicin de las cargas
de simulacin para minimizar los errores del clculo de potencial.
3.3.2.2 Teora bsica y formulacin del contorno de diseo
Conceptos bsicos del CSM.
Se recuerda que en el mtodo CSM se tiene para problemas Laplacianos la relacin
entre las cargas y la condicin de contorno de Dirichlet que es:
| || | | | = Q P
(3.62)
La matriz columna [Q] de cargas de simulacin se obtiene resolviendo la ecuacin
(3.62), y se puede calcular la intensidad de campo a lo largo del contorno por:
| || | | | E Q F =
(3.63)
Donde [F] es la matriz de coeficientes de intensidad de campo.
En un sistema de coordenadas polares bidimensionales, la ecuacin anterior se puede
expresar del siguiente modo:
| || | | |
| || | | |
z z
r r
E Q F
E Q F
=
=

(3.64)
Ecuacin incremental.
Se tiene una funcin objetivo ( ) r f E
g
= , que es la distribucin de campo deseada, y una
distribucin de campo ( )
c c
r f E = que se calcula a partir de la forma inicial del electrodo.
La diferencia entre [E
g
] y [E
c
] es:
| | | | | |
c g
E E E =
(3.65)
De forma anloga a la ecuacin (3.63), puede formularse la ecuacin:
| | | || | Q C E =
(3.66)

que se denomina ecuacin incremental, donde [C] es la matriz de coeficientes de
correccin (CCM), [Q] es una matriz columna de cargas incrementales. Si se puede
hallar la CCM [C], entonces las cargas incrementales [Q] se obtienen de la ecuacin
(3.66). Los valores de las nuevas cargas nuevas resultan entonces:
| | | | | | Q Q Q + =
(3.67)
Cuando el electrodo se simula por las nuevas cargas [Q], el contorno original deja de
ser una superficie equipotencial. La nueva superficie equipotencial se toma como un
nuevo contorno. Mediante un proceso iterativo, se obtiene un nuevo contorno del modo
deseado.
Formulacin del clculo.
En sistemas de coordenadas polares bidimensionales, se tiene:
2 2
zl rl zi ri i
E E z E r E E + = + =
(3.68)
donde r , z son vectores unitarios de los ejes r y z. Diferenciando ambos miembros de
la ecuacin (3.68) y considerando la ecuacin (3.64), se obtiene:
( )
i
N
j
j j zi zi
N
j
j j ri ri i zi zi ri ri i
E Q F d E Q F d E E dE E dE E dE
(
(
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
= + =

= = 1
,
1
,

(3.69)
donde el subndice i es el ndice de cualquier punto del contorno del electrodo, N es
el nmero de las cargas de simulacin, y los coeficientes F
ri, j
, F
zi, j
son los coeficientes
de la intensidad de campo entre carga de simulacin y un punto de contorno. Cuando se
escoge el tipo de carga de simulacin, el trmino
|
|
.
|
\
|
=
N
j
j j ri
Q F d
1
,
o el trmino
|
|
.
|
\
|
=
N
j
j j zi
Q F d
1
,
presenta cinco variables: r
i
, z
i
(las coordenadas de los puntos de contorno);
r
j
, z
j
(las coordenadas de las cargas de simulacin) y Q
j
. Si se escogen los valores de las
cargas de simulacin como variables de optimizacin, la ecuacin (3.69) se expresa
como:
j
N
j
j zi
i
zi
j ri
i
ri
i
Q d F
E
E
F
E
E
dE

=
|
|
.
|
\
|
+ =
1
, ,

(3.70)
Y simplificada queda:

j ij i
Q C E =
(3.71)
Donde:
=
|
|
.
|
\
|
+ =
N
j
zij
i
zi
rij
i
ri
ij
F
E
E
F
E
E
C
1

(3.72)
Y para la totalidad del sistema se tiene:
| | | || | Q C E =
(3.73)
La ecuacin (3.73) es la ecuacin incremental en la que se basa la optimizacin de los
valores de las cargas de simulacin. Segn la ecuacin (3.73), la modificacin de los
valores de [Q] viene determinado por el valor de [E].
Si las coordenadas de las cargas de simulacin o los puntos de contorno se escogen
como variables de optimizacin, las frmulas resultantes son ms complicadas que la
que presenta la ecuacin (3.72).
Segn los nuevos valores de las cargas de simulacin, se obtiene una superficie
equipotencial nueva y una distribucin de campo. Comparando la distribucin de campo
nueva con la funcin objetivo, se repite el procedimiento como se muestra en la
Fig. 3.13, hasta que se alcanza el objetivo.

Entrada de las coordenadas del
electrodo y la funcin objetivo de E
Clculo de la distribucin de campo por
medio del CSM y valor medio E
av
a lo
largo de la superficie del electrodo.
Compara la diferencia entre E
g
y E
c
.
Si 0 >
ci gi
E E
Clculo de la matriz de coeficientes de
modificacin [C] y la de las cargas
incrementales [C].
Dibujar el contorno del nuevo electrodo
Las coordenadas del nuevo contorno.
Si
No

Fig. 3.13. Diagrama de flujo del programa de optimizacin.
3.3.2.3 Simulacin de la superficie equipotencial
De acuerdo con el CSM original, las posiciones de las cargas de simulacin se
distribuyen arbitrariamente y los valores de las cargas de simulacin los fijan las
condiciones de contorno segn la ecuacin (3.62). Para sistemas de electrodos simples,
es fcil obtener resultados exactos. Si la configuracin del electrodo es ms complicada,
no es tan fcil obtener resultados ideales, especialmente para el clculo de la intensidad
de campo. En el procedimiento del diseo ptimo del electrodo, el valor de la intensidad
de campo es el parmetro ms importante. Consecuentemente la disposicin ptima de
las cargas de simulacin llega a ser el problema clave para los resultados ideales.
Se asume que
i
(i =1,2,..M) son los potenciales calculados por medio de las cargas de
simulacin, los
i
son los valores dados del contorno. Si la ecuacin:
( ) min h F
M
i
i
M
i
i i
= = =

= =
1
2
1
2

(3.74)
se satisface, entonces los valores de son los resultados exactos del problema. La
funcin F se denomina la funcin objetivo, depende de las posiciones y valores de las

cargas de simulacin, y estos son los parmetros de diseo del proceso de optimizacin.
Se escoge la frmula de Fletcher [35] como un mtodo de optimizacin para encontrar
las cargas de simulacin. La experiencia ha mostrado que tratar con las posiciones y
valores de las cargas de simulacin como los parmetros de diseo de modo alternativo
es ms eficiente que tratarlos como variables al mismo tiempo. Si se escogen cargas
anulares de simulacin las formulaciones del clculo son como siguen:
( )
( ) ( )
( ) | | ( ) ( )

=
=
=
+
=
M
i
j i j i
i
j
j
M
i
j i
i
j
M
i
i
j
k K k E z z r r
h
r
r
F
k E z z
h
z
F
k K
h
q
F
1
2
2 2 2 2
2
1
2 2
1
2
2
1
1
1

(3.75)
Donde j=1,2,...,N, y N es el nmero total de cargas anulares. r
i
, z
i
, r
j
, z
j
son las
posiciones de los puntos de contorno y las cargas anulares respectivamente.
( ) ( )
( ) ( )
j i
j i j i
j i j i
r r
k
z z r r
z z r r
2
2 2
2 2
=
+ + =
+ + =

(3.76)
En la resolucin del problema de optimizacin (3.74) las coordenadas de las cargas no
pueden tomar valores cualesquiera, sino que se mueven dentro de una distancia dada dr
0

respecto de las coordenadas de las posiciones de las cargas iniciales. Esto implicara la
solucin de un problema con restricciones. Este problema puede simplificarse
convirtindolo en un problema de optimizacin sin restricciones si se utiliza el siguiente
cambio de variables:
N j
sinx
sinx dr dr
sin dr z z
dr r r
j
j j j
j j j j
j j j j
,..., 1
1 1
cos
0
0
0
=
< <
=
+ =
+ =

(3.77)

j
z
r 0
j
r
v
Qj(rj, zj)
(r0j, z0j)
drj

Fig. 3.14. Transformacin de variable.
El significado de las variables se denota en la Fig. 3.14, donde r
0j
, z
0j
,
j
, dr
0j
, son
constantes dadas, y las variables de r
j
, z
j
, se determinan a travs de las x
j
que pasan a ser
las nuevas variables de optimizacin.
j j j
j
j j
j j
j
j j
j
j j
x dr
r
F
sin dr
z
F
x
r
r
F
x
z
z
F
x
F
cos cos
0 0
|
|
.
|
\
|

(3.78)
Este mtodo presentado es vlido para problemas con simetra axial o para otros
problemas tridimensionales pero con un solo dielctrico.
3.3.3 Mtodo de Liu
3.3.3.1 Introduccin
Como se ha visto en el captulo anterior, para el clculo de distribucin de campo en
aparamenta de alta tensin se pueden emplear diversos mtodos. Destaca en su empleo
el mtodo de simulacin de cargas por su sencillez y exactitud. Como se ha visto hasta
ahora a lo largo de este captulo dependiendo del objetivo que se pretenda lograr se
pueden dividir en dos ramas los diferentes algoritmos que hacen uso del citado mtodo.
A la primera rama pertenecen los algoritmos que varan los radios de curvatura del
contorno de los electrodos. A la segunda rama pertenecen los algoritmos que varan las
cargas de optimizacin. Los algoritmos que pertenecen al segundo mtodo presentan la
ventaja de que no necesitan resolver las ecuaciones lineales en cada iteracin, y de este
modo se puede reducir una gran cantidad de clculo.
El principio bsico del mtodo de optimizacin de cargas es que las cargas elctricas se
dividen en dos partes: cargas de simulacin y cargas de optimizacin, y al mismo

tiempo el electrodo tambin se divide en dos partes: una parte fija y una parte que va a
ser optimizada. La primera parte se simula por las cargas de simulacin y la segunda por
las cargas de optimizacin, en la que se asignan primero las magnitudes y las
coordenadas. Habitualmente se toman las magnitudes de las cargas de optimizacin
como variables de optimizacin.
Liu, en 1988 [76], present un mtodo basado en el uso de cargas de optimizacin.
Toma las coordenadas en lugar de las magnitudes de las cargas de optimizacin como
las variables de optimizacin. Segn Liu su mtodo presenta mejores resultados que el
mtodo original y que la tasa de convergencia del primero es ms rpida. Algunos casos
que no se pueden resolver por el mtodo original se pueden resolver por este mtodo.
De acuerdo al mtodo de simulacin de cargas, se tiene:
| || | | | = Q P
(3.79)
donde la matriz de coeficientes de potencial [P] y la matriz de potencial sobre los
puntos de contorno [] son conocidas, de este modo la matriz de cargas de simulacin
[Q] se obtiene resolviendo la ecuacin (3.79). Si existe un electrodo en el sistema que
va a ser optimizado, en lugar de por puntos de contornos, se simula por cargas de
optimizacin [q] cuyas magnitudes y coordenadas vienen dadas. En este caso, la
ecuacin sobre los puntos de contorno es:
| || | | || | | | = + q P Q P
(3.80)
Debido a que [P][q] es conocido, se puede trasladar al segundo miembro de la
ecuacin:
| | | | | | | | | | q P Q P =
(3.81)
La matriz de cargas de simulacin [Q] se puede obtener resolviendo esta ecuacin, y
entonces se puede obtener el perfil del electrodo que va a ser optimizado como un lugar
de lneas equipotenciales del potencial del electrodo.
La distribucin de la intensidad de campo elctrico en el contorno que va a ser
optimizado se puede obtener de la siguiente ecuacin:
| | | || | | || | q e Q e E + =
v v
r
(3.82)

Donde | | e
v
y | | e
v
son los coeficientes de la intensidad de campo con respecto a | | Q y
| | q , respectivamente.
Si no se satisfacen las condiciones deseadas de intensidad de campo, se necesita
cambiar las magnitudes y posiciones de las cargas de optimizacin. Entonces se
resuelve la ecuacin (3.81) y se repite el procedimiento otra vez hasta que se satisfacen
las condiciones del campo elctrico. En el curso de la optimizacin no se cambia [P].
3.3.3.2.1 Clculo del incremento de las variables
En un campo con simetra axial, el campo E de cualquier punto l sobre el contorno del
electrodo se puede escribir como:
( ) z q e E r q e E z E r E E
M
j
j j zl zl
M
j
j j rl rl zl rl l

|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
+ = + =

= =
r r r r
r
1
, 0
1
, 0

(3.83)
Donde
rlj
e y
zlj
e son las componentes de
ij
e
r
en las direcciones r
r
y z
r
respectivamente;
0 rl
E y
0 zl
E son las componentes de la intensidad de campo producidas por las cargas de
simulacin [Q] y M es el nmero de cargas de optimizacin. El mdulo de E
l
es:
2 2
zl rl l
E E E + =
(3.84)
Diferenciando E
l
con respecto a r
j
, z
j
y q
j
y expresando la ecuacin en forma
incremental:
( )
=
+ + =
M
j
j lj j lj j lj l
q C z B r A E
1

(3.85)
Donde:
j
j
j zl
l
zl
j
j rl
l
rl
lj
q
r
e
E
E
r
e
E
E
A
|
|
.
|
\
|

=
, ,

(3.86)
j
j
j zl
l
zl
j
j rl
l
rl
lj
q
z
e
E
E
z
e
E
E
B
|
|
.
|
\
|

=
, ,

(3.87)
|
|
.
|
\
|
+ =
j zl
l
zl
j rl
l
rl
lj
e
E
E
e
E
E
C
, ,

(3.88)
En la ecuacin (3.85), se ha despreciado la derivada de E
rl0
, y E
zl0
con respecto a r
j
, z
j
y
q
j
, debido a que son muy pequeas en comparacin con el resto de los trminos.
La ecuacin (3.85) expresa la relacin entre el incremento de la intensidad de campo
elctrico y las variables de optimizacin. Si se conoce E
l
, entonces r
j
z
j
y q
j
se

pueden calcular mediante estas ecuaciones, pero el nmero de variables es ms grande
que el nmero de ecuaciones, luego se deben aadir condiciones de restriccin. Dado un
valor deseado E
cl
para la intensidad de campo en un punto l del contorno del electrodo,
E
l
se calcula como:
l cl l
E E E =
(3.89)
Si no se conoce, entonces:
( ) ( ) ( )
M i M i
E E Min E Max E
l i i l

+ =
1 1
2

(3.90)
3.3.3.2.2 Eleccin de condiciones de restriccin
Para conseguir una solucin nica de la ecuacin (3.85), se tienen que aadir algunas
condiciones de restriccin. Las condiciones de restriccin se pueden escoger del
siguiente modo:
1.- Tomando r
j
= z
j
= 0, que significa que se usan las magnitudes de las
cargas de optimizacin como las variables de optimizacin, se tiene:
( ) M l
q C E
M
j
j lj l
... 3 , 2 , 1
1
=
=

=

(3.91)
2.- Tomando q
j
= 0, que significa que se usan las coordenadas de las cargas de
optimizacin como las variables de optimizacin, se tiene:
( )
( ) M l
z B r A E
M
j
j lj j lj l
... 3 , 2 , 1
1
=
+ =

=

(3.92)
Pero la ecuacin (3.92) no se puede resolver todava, debido a que el nmero de
variables es ms grande que el nmero de ecuaciones, de este modo se deben de aadir
otras condiciones de restriccin. La condicin de que r
j
es proporcional a z
j
se puede
utilizar para que la carga q
j
se mueva en una cierta direccin:
j j j
z r tg =
(3.93)
De este modo la ecuacin se puede escribir como:
( )
j
M
j
lj j lj l
z B A E + =

=1
tg
(3.94)
o:

( )
j
M
j
j lj lj l
r B A E + =

=1
cot
(3.95)
La ecuacin (3.93) limita la direccin de desplazamiento de la carga q
j
, y se debe
escoger apropiadamente.
3.3.3.2.3 Determinacin de las magnitudes iniciales de las cargas de
optimizacin
Cuando se empieza la optimizacin, se deben dar las magnitudes iniciales de las cargas
de optimizacin. Diferentes elecciones de estas cargas conducen a diferentes resultados.
Se propone un mtodo para obtener las magnitudes iniciales: al principio de la
optimizacin se asume un contorno inicial que va a ser optimizado. Su solucin se
obtiene por el mtodo de simulacin de cargas, en el que aquellas cargas que simulan la
parte optimizada del contorno del electrodo se toman como valores iniciales de las
cargas de optimizacin. Obviamente cuanto ms prximo es el contorno inicial al
contorno optimizado, mejor resultar la optimizacin.
Para una configuracin electrdica dada, tomando las magnitudes de las cargas de
optimizacin como variables de optimizacin, se producen diferentes resultados para las
diferentes posiciones iniciales de las cargas de optimizacin, debido a que el resultado
puede no ser un valor mnimo global sino un valor mnimo local. En este mtodo las
posiciones iniciales de las cargas de optimizacin se espera que sean dadas. Pero resulta
difcil hacer esto debido a que las cargas de optimizacin que son apropiadas para el
contorno de electrodo inicial puede que no lo sean despus de varias iteraciones. Por
otra parte el resultado de la optimizacin depende principalmente de las magnitudes
iniciales de las cargas de optimizacin. En este caso, es ms fcil dar las magnitudes
iniciales adecuadas de las cargas de optimizacin que se pueden obtener por eleccin de
un contorno electrdico inicial razonable, y resolver entonces las ecuaciones
correspondientes. Obviamente es ms fcil especificar un contorno inicial razonable que
especificar las posiciones iniciales adecuadas de las cargas de optimizacin.
3.3.4 Mtodo de Kato
3.3.4.1 Introduccin
En 1995 K. Kato et al. presenta un mtodo de optimizacin basado en el mtodo de
Metz (3.3.1.3). Este mtodo presenta ciertos lmites en la posibilidad de la variacin de
la forma del electrodo durante el proceso de clculo iterativo. Kato propuso un
algoritmo que permite disponer de ms flexibilidad en la variacin del electrodo.

3.3.4.2 Principio de optimizacin
En el Mtodo Metz, el contorno del electrodo se divida en dos partes: una parte fija y
una parte variable. La parte fija se simulaba por un nmero fijo de puntos de contorno y
las correspondientes cargas ficticias, con una posicin fija pero de magnitudes
desconocidas Q. La parte variable, que iba a ser optimizada, se simulaba por un nmero
de cargas de optimizacin con una posicin dada y magnitud Q por determinar. La
ecuacin lineal que debe resolverse es:
U Q P PQ = +
(3.96)
Donde P y P son las matrices de coeficientes de potencial en las partes fija y de
optimizacin, respectivamente. U es el vector de potencial del electrodo dado como la
condicin de contorno, a satisfacer de momento nicamente en los puntos de contorno.
En la ecuac. (3.96), el primer y segundo trminos en el lado izquierdo estn asociados
con las partes del electrodo fijas y de optimizacin, respectivamente. Entonces el valor
de carga desconocida Q se calcula por la ecuacin siguiente:
{ } Q P U P Q =
1
(3.97)
Las matrices P y P dependen nicamente de las coordenadas de las cargas y puntos de
contorno. Q y U vienen dadas. En cada iteracin, se determina una nueva Q y entonces
vara el trmino PQ, mientras que P permanece constante, por lo que se debe de
invertir slo una vez en todo el proceso.
Para ampliar las posibilidades de optimizacin del mtodo de Metz se presentan dos
opciones:
1.- Se pueden cambiar las localizaciones, no slo valores de las cargas de
optimizacin dispuestas [76].
2.- En cada iteracin se pueden disponer cargas adicionales en la regin donde
se optimiza el contorno del electrodo.
El primero presenta la ventaja de un menor consumo de tiempo en el clculo iterativo
para el CSM debido al nmero limitado de cargas de optimizacin. Por otra parte, el
ltimo presenta una buena caracterstica de convergencia debido a la modificacin ms
fina del contorno del electrodo mediante cargas adicionales.
Kato propone este segundo mtodo. La diferencia de este mtodo respecto a los
mtodos comentados anteriormente basados en el mtodo de seleccin de cargas
equivalentes radica en que aqu se introduce un algoritmo en el que se disponen cargas
de optimizacin no slo en las regiones valle de la intensidad de campo del contorno

original sino tambin en las regiones donde se alcanzan picos de intensidad de campo
(ver Fig. 3.15). Entonces los valores de cargas de optimizacin que resultan son cargas
positivas en las regiones valle de intensidad de campo y cargas negativas en las regiones
de valores de pico de la intensidad de campo. De este modo se aade en cada iteracin
un nmero de cargas igual a la suma del nmero de puntos mximo y mnimo. Esto se
hace debido a que las distribuciones de intensidad de campo que van apareciendo en
cada interaccin resultan cada vez ms oscilantes, siendo entonces necesario aadir
nuevas cargas para reducir la intensidad de campo total. Para mejorar la uniformidad de
la intensidad del campo elctrica resultante se agrupan las cargas aadidas que se
encuentran en posiciones de vecindad geomtrica cada dos o tres iteraciones. Este
proceso provoca que la curvatura del electrodo sea ms suave de modo que la
distribucin de campo elctrico llega a ser ms uniforme. Segn Kato el mtodo de
carga bipolar introducido aumenta la velocidad de convergencia y amplia las
posibilidades de modificacin de contorno de electrodo, comparado con la carga
unipolar convencional del Mtodo Metz.

Segundo perfil
Cargas de Optimizacin Positivas
Cargas iniciales
Puntos de Optimizacin
G
z
r
F
E D
C
B
A
V 100%
l A B C D F E G
E
Perfil inicial.
Perfil optimizado.
Distribucin inicial
Distribucin optimizada
E
max inicial
E
max optimizada
Primer perfil
Cargas de Optimizacin Negativas

Fig. 3.15. Disposicin de cargas de optimizacin en el mtodo de Kato y campo elctrico resultante.

Las cargas de optimizacin adicionales deben tomar valores de carga adecuados. Para
determinar el valor de cada carga individual, se define un campo objetivo E
a
en funcin
de la distribucin de campo.
J
Q
P
Electrodo de Alta Tensin.
Electrodo fijo.
Puntos de
Optimizacin.
Cargas de
Optimizacin.
dEIJcosXIJ
dEIJ
XIJ
EI
Cargas Positivas
Cargas Negativas
I

Fig. 3.16. Campo elctrico inducido por las cargas de optimizacin.
Los valores de las cargas dispuestas nuevamente se determinan para que se obtenga este
campo objetivo. En la Fig. 3.16, E
I
es el campo creado en el punto de optimizacin I por
las cargas anteriormente definidas (cargas correspondientes a puntos de contorno y
cargas de optimizacin de iteraciones anteriores), y es por lo tanto normal al electrodo,
pues este viene determinado por la lnea equipotencial de la distribucin de campo que
crean esas cargas. La componente de la intensidad de campo creada por la carga
adicional
J
Q en el punto I en la direccin de E
I
viene dada por la ecuacin (3.98):
IJ J IJ IJ IJ
X Q F X dE cos cos =
(3.98)
donde F
IJ
es el coeficiente de campo elctrico. Esto permite plantear el siguiente
sistema de ecuaciones para determinar los valores de las nuevas cargas de optimizacin
J
Q imponiendo la condicin de que el campo elctrico en los puntos de optimizacin
sea el deseado:
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(

n a
a
n nn n
n
E E
E E
Q
Q
F F
F F
... .
..
. .. .
..
1 1
1
1 11

(3.99)

IJ IJ IJ
X F F cos =
(3.100)
donde n es el nmero de cargas adicionales.
3.3.4.2.1 Proceso de reasignacin de carga
Como se coment anteriormente para mejorar la exactitud y eficiencia del clculo, se
lleva a cabo una reagrupacin de cargas, que es necesaria principalmente debido a la
introduccin de carga ficticia con polaridad negativa en el proceso de optimizacin del
electrodo de alta tensin. Existen dos propsitos para la reagrupacin de cargas.
El primero es mantener una cierta distancia entre las cargas dispuestas nuevamente y el
contorno del electrodo durante el proceso de optimizacin iterativo, esto es necesario
para prevenir la degradacin de la exactitud del clculo.
El segundo propsito es reducir el nmero de nuevas cargas de optimizacin dispuestas
en el proceso de iteracin desde el punto de vista de ahorro de tiempo de clculo.
Generalmente, el proceso de reagrupacin se aplica cada dos o tres iteraciones. En el
proceso de redisposicin de carga, se tienen que desplazar posiciones de carga y reducir
el nmero de cargas de forma que se mantenga el contorno del electrodo como se
muestra en la Fig. 3.17. Para calcular el valor de las cargas reasignadas se plantea la
siguiente ecuacin sobre los puntos de optimizacin reasignados:
PQ U Q P
rJ IJ
=
(3.101)
Donde P
IJ
es el coeficiente de potencial entre el punto de optimizacin I y la carga
reasignada
rJ
Q , y PQ es la contribucin al potencial en el punto de optimizacin I de las
cargas fijas.

I
rJ
Q
Cargas redispuestas
Puntos de
Contorno.
Cargas de
Optimizacin.
Contorno de electrodo
Puntos de
Contorno.

Fig. 3.17. Proceso de redisposicin de carga.
El proceso de redisposicin permite reducir el tiempo de clculo drsticamente.

La Fig. 3.18 muestra el diagrama de flujo del proceso de optimizacin total.
Datos de entrada para el clculo
Inicio
Clculo de los valores de carga
para la forma del electrodo inicial.
Clculo de la lnea equipotencial y
campo elctrico.
Estn las cargas de
optimizacin cerca de la
lnea equipotencial?
Satisface la distribucin
de campo elctrico la
condicin requerida?
Redisposicin de carga.
Clculo de las coordenadas y
magnitudes de las cargas de
optimizacin nuevas aadidas.
Clculo de los valores de carga para
cargas fijas.
Salida.
Parada
Si
No
No
Si

Fig. 3.18. Diagrama de flujo del proceso de optimizacin.

3.4 Mtodo de Garnacho
3.4.1 Introduccin
En el diseo de electrodos de alta tensin es frecuente buscar formas geomtricas tales
que el campo elctrico sea uniforme e inferior a un valor prefijado. Con este fin,
Fernando Garnacho [39] desarroll un algoritmo para el diseo de electrodos, que
utiliza el mtodo de cargas equivalentes discretas para el clculo del campo elctrico.
Aunque se haya utilizado este mtodo, el algoritmo es tanto ms adecuado cuanto mejor
es el mtodo numrico de clculo de campos que permita imponer por separado las
condiciones de contorno de Dirichlet y de Neumann a distintas regiones del sistema a la
vez.
El electrodo se simula con cargas discretas puntuales, anulares y/o segmentos rectilneos
verticales, cuyos valores se calculan al imponer la condicin de Neumann en la zona
donde inicialmente el campo elctrico es superior al prefijado y de Dirichlet en las
zonas restantes.
El contorno se modifica con el criterio de que el vector de campo elctrico sea
perpendicular a la superficie de la zona donde se aplica la condicin de Neumann.
El contorno del electrodo a disear se divide en dos zonas, una en la que el campo
elctrico es inferior al valor mximo admisible, E
max
, y otra en la cual es superior. A la
primera se la denominara en lo sucesivo zona de Dirichlet y a la segunda zona de
Neumann.
En los puntos del contorno correspondientes a la zona de Dirichlet la condicin a
satisfacer es la de equipotencialidad (a la tensin del electrodo al que pertenezca) y en
los puntos de la zona de Neumann se obliga a que el campo elctrico perpendicular a la
superficie sea el prefijado. Con estas condiciones el potencial en la zona de Neumann
ser distinto del que el electrodo tiene realmente.
Si no se pudiera modificar la configuracin geomtrica del electrodo, la nica forma
para lograr que el campo elctrico en un punto cualquiera de la zona de Neumann fuese
el prefijado consistira en reducir la tensin del electrodo a un determinado nivel. Por lo
tanto sera posible establecer para cada punto de esta zona un valor de tensin para el
cual el campo elctrico es el deseado.
Al imponer simultneamente a todos los puntos del contorno de la zona de Neumann, la
condicin de que el campo normal a la superficie sea el prefijado, se obtendr una
distribucin de potencial a lo largo del contorno. Esta distribucin de potencial no
constante indica que existe una distribucin de campo tangencial no nulo en la

superficie, o lo que es lo mismo, que el campo elctrico global para dichos puntos no es
perpendicular al contorno.
Para que el potencial sea el mismo en todo el electrodo la componente tangencial del
campo debe ser nula. Con tal fin el contorno se modifica conforme al criterio de que su
superficie sea perpendicular al vector de campo elctrico global. De esta forma en pocas
iteraciones se consigue el contorno con las caractersticas buscadas.
3.4.2 Descripcin del mtodo
La condicin a satisfacer en los n
d
puntos de la zona de Dirichlet puede expresarse por
la ecuacin:
d di
n n
n j
nj ij
n
j
dj ij
n i Q p Q p
n d
d
d
... 1
1 1
= = +

+
+ = =

(3.102)
donde Q
dj
y Q
nj
son los valores de las cargas j correspondientes a la zona de Dirichlet y
de Neumann respectivamente y n
d
y n
n
el nmero de puntos contorno o de cargas de las
zonas respectivas.
La condicin a satisfacer en los n
n
puntos de la zona de Neumann se puede expresar
mediante la ecuacin:
n d d n
n n
n j
nj nij
n
j
dj nij
n n n i E Q f Q f
n d
d
d
+ + = = +

+
+ = =
..... 1
1 1

(3.103)
f
nij
es el coeficiente de campo elctrico en direccin a la normal a la superficie en el
punto i-simo producido por la carga j-sima.
El sistema de ecuaciones definido por (3.102) y (3.103) puede expresarse
matricialmente por la ecuacion:
(
=
(
n
d
n
d
n
E Q
Q
f
P

(3.104)
Con los valores de las cargas obtenidos al resolver el sistema de ecuaciones lineales
(3.104), se determina la direccin del campo elctrico en cada punto de la zona de
Neumann. Para ello, se calcula la componente de campo elctrico tangencial a la
superficie en cada punto del contorno de la citada zona.
El ngulo
i
que define la nueva direccin i n del campo elctrico en un punto
genrico P
i
puede expresarse segn se indica en la Fig. 3.19 por la suma algebraica del
ngulo
i
de la direccin normal al contorno en el punto P
i
ms el incremento del
ngulo
producido por la componente tangencial E

tgi
, lo que matemticamente se
expresa por las ecuaciones:

i i i
+ =
(3.105)
dnde
ni
i
i
E
E
tg
arctg =
(3.106)

i
i n
i
n
i
P
i
E
tg

max n
E E =
i

Fig. 3.19. ngulo
i
que define la nueva direccin i n del campo elctrico.
En la prctica se deben reducir los incrementos de ngulo , para lo cual se multiplica
el valor de la componente tangencial del campo por un factor < 1.
ni
i
i
E
E

=
tg
arctg
(3.107)
En los casos estudiados result satisfactorio un valor est comprendido entre 0.5 y
0.8.
Las intersecciones entre cada dos nuevas direcciones consecutivas 1
i n , y i n
correspondientes a los puntos
1 i
P y
i
P de la zona de Neumann determinan los nuevos
centros de curvatura
'
, 1 i i
M

(Fig. 3.20) de los arcos de circunferencia que definirn el
nuevo contorno entre los puntos
'
1 i
P y
'
i
P .
Para determinar los radios de cada arco de circunferencia del nuevo contorno es
suficiente con imponer la condicin de continuidad del contorno en el punto de
interseccin, en el punto P
0
de la zona de Neumann con la de Dirichlet (Fig. 3.21).

1 i
n
1
i
n
'
i
P
1 i
P
1 + i
P
'
1 i
P
'
i
P
'
1 + i
P
i i
M
, 1
1 , + i i
M
'
1 , + i i
M
'
, 1 i i
M

1 + i
n
i
n
i
n
1 +
i
n
'

Fig. 3.20. Centros de curvatura de los arcos de circunferencia del nuevo contorno de la zona de Neumann.
2 , 1
M
1 , 0
M
'
2 , 1
M
'
1 , 0
M
'
0 0
P P =
1
P
2
P
'
1
P
'
2
P
0
n
1
n
2
n
0
n
1
n
2
n

Fig. 3.21. Punto P
0
de la zona de Neumann con la de Dirichlet.

Para ello, con centro en
01
M se traza un arco de circunferencia de radio
01 0
M P cuya
interseccin con
'
1
n proporciona el nuevo punto
'
1
P . Anlogamente con centro en
'
2 , 1
M
se traza otro arco de circunferencia de radio
'
2 , 1
'
1
M P cuya interseccin con
'
2
n da lugar
al nuevo punto
'
2
P y as sucesivamente hasta determinar el ltimo punto
'
n
P .
La unin entre el nuevo contorno de la zona de Neumann y el contorno de la zona de
Dirichlet del electrodo se debe modificar en cada iteracin, con el fin de que no se
produzcan bordes con cambios bruscos de curvatura que podran dar lugar a un campo
elctrico elevado en la zona de unin.
En la Fig. 3.22 se representa el diagrama de bloques del proceso iterativo de correccin
del contorno. Este se dar por finalizado cuando en la iteracin en curso los potenciales
en los puntos de la zona de Neumann,
n
, difieran del valor del potencial del electrodo,
, en una cantidad inferior a un valor prefijado (), lo que implica a su vez que el campo
elctrico en dicha zona este comprendido en un margen suficientemente pequeo
alrededor de E
max
.
CALCULO DE
COEFICIENTES DE
POTENCIAL Y DE
CAMPO
DATOS:
GEOMTRICOS.
ELCTRICOS.
COMIENZO
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|

n
n
n n
d
E f
P
Q
Q
1
CALCULO DEL POTENCIAL
EN LOS PUNTOS DEL
CONTORNO DE LA ZONA
DE NEUMANN
COEFICIENTES DE
POTENCIAL Y DE CAMPO
<
n
VARIACIN DEL
CONTORNO
SALIDA DE
RESULTADOS
FIN

Fig. 3.22. Diagrama de flujo del proceso de correccin de contorno.

3.5 Mtodo de Girdinio
3.5.1 Introduccin
En 1983 Girdinio [41] present un procedimiento para optimizacin de perfiles usando
elementos finitos o diferencias finitas. El procedimiento se dise para permitir que la
optimizacin del perfil desconocido sobre la base de un objetivo de optimizacin dado,
pueda ser definida por el usuario a travs de los datos de entrada. El objetivo se puede
expresar como una distribucin espacial de una funcin determinada (campo, potencial)
sobre el perfil desconocido o bien sobre otro perfil.
La optimizacin se puede realizar de dos formas. En una, la forma de un perfil se
determina para conseguir una distribucin dada de campo a lo largo del mismo perfil.
Esto es comn en diseo de electrodos, por ejemplo cuando se fija una distribucin dada
de la componente normal del campo elctrico sobre la superficie del electrodo. Los
perfiles dielctricos pueden tambin ser sometidos a optimizacin, sin embargo, en este
caso la distribucin de campo puede ser ms difcil de encontrar, puesto que a menudo
involucra una frmula de la componente tangencial del campo elctrico o la intensidad
total de ste, que conduce a dificultades en la elaboracin de criterios para realizar la
optimizacin.
En la segunda forma de optimizacin, el contorno de un perfil se determina para obtener
una distribucin dada de campo a lo largo de otro perfil. Esto implica mayores
dificultades, la primera de ellas sera no obtener el resultado deseado lo cual puede
ocurrir ms frecuentemente que en el caso anterior. Esto es debido a la falta de criterio
para decidir a priori sobre la posibilidad de la optimizacin en s misma para los dos
perfiles escogidos. En general la forma del perfil que va a ser modificado requiere un
nmero suficiente de grados de libertad y debe estar suficientemente cercana al perfil en
el que las condiciones de formulacin son dadas, para asegurar que el campo sobre ese
perfil recibe la influencia de la forma del otro perfil. No se puede establecer ninguna
condicin a priori ms que las condiciones ya mencionadas.
3.5.2 Optimizacin de un perfil sobre la base de una condicin
impuesta en el mismo perfil
La distribucin de campo objetivo se expresa como una funcin F de un conjunto de
escalares que representan las incgnitas del problema de campo que va a ser
optimizado. Generalmente la funcin objetivo depende bien de una incgnita escalar
simplemente o bien de dos incgnitas en casos de rgimen permanente sinusoidal.

El usuario puede especificar el objetivo de optimizacin por medio de la entrada de
datos indicando el perfil involucrado y la expresin analtica de la distribucin de
campo requerido.
Generalmente el objetivo est relacionado con la componente normal de campo
elctrico, pero se pueden especificar muchos otros objetivos. El procedimiento de
optimizacin funciona mejor cuando se especifica una derivada normal de la cantidad F
dada, puesto que se puede usar una tcnica muy eficiente. Sin embargo, incluso si la
eficiencia es ms pequea, se puede hacer frente a otros objetivos sin problemas
particulares segn Girdinio. Los peores problemas se presentan con la condicin
relacionada con la minimizacin de la componente tangencial sobre un perfil de
dielctrico, para una longitud mxima especificada del perfil. De hecho en este caso se
requieren ms especificaciones para generar el perfil, tales como radio de curvatura
mnimo del perfil en s mismo, condiciones de periodicidad en la forma del perfil, etc.
No es difcil desarrollar condiciones tales como la distribucin prescrita de la
componente tangencial a lo largo del perfil. En este caso, sin embargo la componente
tangencial resultante ser proporcional y distinta a la especificada. De hecho, se debe de
satisfacer la condicin de que la integral de lnea del campo elctrico a lo largo del
perfil deba coincidir con la tensin aplicada.
El proceso realizado en el paquete que implementa este mtodo de optimizacin es un
proceso iterativo que comienza a partir de un perfil inicial dado (ver Fig. 3.23).
Converge si el perfil inicial se da de modo apropiado, pero, a menos que se de un perfil
inicial muy extrao, se obtiene el resultado sin problemas particulares. El mtodo
resuelve el problema de campo con el perfil inicial especificado, entonces modifica el
perfil en base al error con respecto al objetivo, resuelve otra vez el problema,
comprueba la convergencia y modifica otra vez el perfil, iterando el proceso hasta que
se obtiene la convergencia. Se alcanza la convergencia cuando el desplazamiento
normal mximo en la ltima iteracin decrece por debajo de un lmite dado y la
diferencia entre los valores obtenidos y los requeridos decrecen por debajo de un lmite
prefijado.

SI
NO
CALCULO DE
COEFICIENTES DE
POTENCIAL Y DE CAMPO.
INTRODUCCIN DATOS:
GEOMTRICOS.
ELCTRICOS CONTORNO
INICIAL
COMIENZO
CALCULO DEL POTENCIAL
EN LOS PUNTOS DEL
CONTORNO DE LA ZONA
DE NEUMANN E n
VARIACIN DEL
CONTORNO
SALIDA DE
RESULTADOS
FIN
( ) < n
RESOLUCIN DEL
PROBLEMA DE CAMPO CON
LA CONDICIN DE
NEUMANN EN LOS PUNTOS
DE OPTIMIZACIN

Fig. 3.23. Diagrama de flujo del algoritmo del mtodo de Girdinio.
En el proceso de optimizacin del mtodo de Girdinio se pueden contemplar dos casos,
o criterios. La superficie a optimizar se divide en dos zonas, una parte fija y una parte
variable o zona de optimizacin.
CASO 1.
El objetivo es una distribucin de componente normal de campo dada en la zona de
optimizacin. La condicin que debe de verificarse es la condicin de Neumann:
( ) h
n
V
=

(3.108)
Donde V es el potencial elctrico, es la coordenada tangencial, n es la coordenada
normal al electrodo y h() es una funcin que especifica el patrn objetivo de campo
requerido de n V , (puede modificarse en cada iteracin).
El problema de campo para un electrodo tendra la siguiente formulacin:
( )
(
=
(
h
U
Q
Q
f
P
n
d
n

(3.109)

Donde h() = E
n
es el campo objetivo y Q
d
y Q
n
son los valores de las cargas
correspondientes a las zona fija (condicin de Dirichlet) y variable o de optimizacin
(condicin de Neumann) respectivamente.
Como consecuencia, una vez resuelto el sistema, el potencial en la zona de optimizacin
no es el potencial del electrodo U, sino que se tiene una distribucin V() distinta de la
distribucin de potencial objetivo g() (que en el caso de un electrodo es una funcin
constante g() = U). Para conseguir que el potencial en la zona de optimizacin sea el
deseado, g(), los puntos del contorno se desplazan en direccin normal en una
magnitud n que se calcula segn:
( )
( ) ( )
( )

h
V g
n
V
V
n

=
=
(3.110)
donde es un factor de subrelajacin. Se ha encontrado que los valores de ms
adecuados que permiten una rpida convergencia son muy pequeos, por ejemplo de 0.2
a 0.02.
CASO 2:
El objetivo es una magnitud elctrica F (componente tangencial de campo, cuadrado de
la intensidad de campo elctrico, etc) diferente del potencial elctrico.
En este segundo caso se pueden utilizar dos procedimientos alternativos:
A.- Supuesta una relacin entre F() y V/n dada por:
( ) ( ) ( ) G h G
n
V
n
F
=

(3.111)
Entonces se parte de un G() dado, que en la primera iteracin es cero, con lo cual se
obtiene una funcin objetivo ( )
n
V
h
= y se aplica el mismo procedimiento que en el

primer caso (condicin de Neumann). En sucesivas iteraciones se puede determinar
G() en funcin de las diferencias entre
n
F
y
n
V
en la iteracin anterior.
B.- No existe relacin entre F() y V/n.
Entonces se plantea el problema de campo con la condicin de Dirichlet en la zona de
optimizacin. Ahora el potencial es el fijado pero no se satisface la condicin F() =
f (). Entonces se determina n en funcin del error de F() como:
( ) ( ) ( ) | | F f n =
(3.112)

En este caso, es un coeficiente de subrelajacin que presenta dimensiones fsicas, para
que el problema a escala sea realizable. Generalmente esto se realiza mediante fijacin
del desplazamiento mximo n en la primera iteracin como una fraccin dada del
tamao lineal del problema.
Procedimientos anlogos mantienen bajo control los perfiles de dielctrico. Sin embargo
la condicin de Dirichlet V = g() se debe de reemplazar por las condiciones de interfaz:
( ) ( )
2 1
V V =
(3.113)
( ) ( )
( )
s
n
V
n
V
=
2
2
2
1
1
1

(3.114)
( ) ( )
( )
s
S
J div
n
V
n
V
=
2
2
2
1
1
1

(3.115)
Dnde es la permitividad y la conductividad de los materiales existentes,
s
es
densidad de carga superficial, s J es densidad de corriente superficial, n
1
y n
2
son las
coordenadas normales orientadas hacia la regin 1 y 2, respectivamente.
En el caso de perfiles de dielctricos el procedimiento ms habitual es el adoptado por
la definicin de la ecuacin (3.112).
3.5.3 Optimizacin de un perfil sobre la base de una condicin
impuesta sobre otro perfil
El procedimiento se disea para permitir la optimizacin del perfil desconocido sobre la
base del objetivo de optimizacin dado definido sobre otro perfil. Tambin es este caso
la funcin objetivo depende de un escalar desconocido o de dos incgnitas que
representan la parte real e imaginaria de un escalar desconocido complejo.
El usuario puede especificar el objetivo de optimizacin como en el procedimiento
anterior. Tambin en este caso el objetivo est generalmente relacionado con la
componente normal del campo elctrico, pero se permite una variedad de objetivos. El
procedimiento de optimizacin iterativa desarrollado en el paquete es completamente
similar al procedimiento previo: empezando a partir de un perfil inicial, se obtiene un
nuevo perfil sobre la base del error con respecto al objetivo calculado en la iteracin
previa, hasta que se alcanza la convergencia.
En todos los casos, el criterio que se adopta es similar al descrito en la ecuacin (3.112).
Sea
t
la coordenada tangencial sobre el perfil en el que el objetivo escogido se va a
desarrollar y
o
la coordenada tangencial sobre el perfil cuya forma va a ser optimizada.
Sobre el primer perfil se impone una condicin de Dirichlet:

( ) ( )
t t t
g V =
(3.116)
Una condicin de Neumann:
( )
t t
t
h
n
V
=

(3.117)
O una condicin de interfaz:
( ) ( )
t t
V V
2 1
=
(3.118)
( ) ( )
( )
t s
n
V
n
V

2
2
2
1
1
1

(3.119)
( ) ( )
( )
t
s
S
J div
n
V
n
V
2
2
2
1
1
1

(3.120)
Sea el objetivo expresado como:
( ) ( )
t t
f F =
(3.121)
El desplazamiento normal n se expresa como una funcin de error sobre:
( ) ( ) ( ) | |
t t o
F f n =
(3.122)
Donde F(
t
) es el valor de F obtenido en la ltima iteracin.
La aplicacin de la ecuacin (3.122) requiere establecer una correspondencia entre las
dos coordenadas curvilneas
t
y
o
. Generalmente, esta correspondencia es lineal, pero
son posibles diferentes elecciones. Prcticamente, la solucin habitual es normalizar a
uno las longitudes de los dos arcos t y o, para que la correspondencia llegue a ser
sencilla.
Tambin en este caso el coeficiente de subrelajacin se calcula fijando el
desplazamiento mximo aceptable durante la primera iteracin.
La necesidad de establecer una correspondencia entre las dos coordenadas es el
principal inconveniente del mtodo. De hecho, una correspondencia lineal es la solucin
ms simple, pero puede no ser muy adecuada en algn problema.

3.6 Mtodo de optimizacin de contornos de electrodos
tridimensionales basado en el mtodo de cargas
superficiales. Mtodo de Misaki y Tsuboi
3.6.1 Introduccin
En 1983 T. Misaki, H. Tsuboi K. Itaka y T. Hara, publicaron un mtodo para la
optimizacin de contornos electrdicos tridimensionales con geometra arbitraria
[88][139]. En este mtodo, primero se calcula la intensidad de campo elctrico y el
esfuerzo sobre la superficie del electrodo; la forma del electrodo se modifica en
proporcin a la magnitud del esfuerzo en la direccin contraria al esfuerzo [86]. Esto se
lleva a cabo iterativamente para que la intensidad de campo mxima se reduzca. El
mtodo propuesto utiliza el SCSM junto con un mtodo de correccin de curvatura
superficial.
Mientras que en el mtodo explicado en 3.2.2 la forma del electrodo se modifica
conforme a la diferencia entre el campo calculado y el campo uniforme y, en el mtodo
explicado en 3.3.1.4, de acuerdo a la diferencia entre las intensidades de campo mximo
y mnimo, en este caso la forma del electrodo se modifica conforme al esfuerzo ejercido
por el campo elctrico, lo que en esencia equivale a modificarla en funcin del cuadrado
de la intensidad de campo elctrico. Esto supone una mejora considerable de la
velocidad de clculo [37]. Adems, en el mtodo propuesto, la forma del electrodo
escogida minimiza la intensidad de campo mximo mientras en los mtodos
comentados lo que se pretende es determinar la forma del electrodo que produzca un
campo elctrico uniforme.
3.6.2 Principio de optimizacin
El mtodo consiste en dividir la superficie electrdica en elementos triangulares curvos
cuya forma se sustituye por elementos de superficie de ecuacin cuadrtica y en los que
la densidad de carga superficial se aproxima por una ecuacin lineal. La correccin del
contorno se realiza mediante el desplazamiento de cada elemento en direccin opuesta a
la fuerza electrosttica a la que est sometido.
Para minimizar la mxima intensidad de campo sobre la superficie del electrodo, se
establecen puntos discretos sobre la superficie del electrodo. Se denomina a esos puntos
nodos discretos.

Si las coordenadas de los nodos 1 a n se varan en pequeas cantidades x
1
, y
1
, z
1
, ...,
x
n
, y
n
, z
n
, entonces las intensidades de campo en estos nodos varan del siguiente
modo:
| |
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
n
n
n
n
n
n n
n
n
z
y
z
y
x
G
z
y
z
y
x
z
E
x
E
z
E
y
E
x
E
E
E
E
.
.
.
.
...
. .
. .
. .
. .
. .
...
.
.
.
.
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1

(3.123)
Donde E
i
, i = 1..n es la diferencia entre el campo existente y el mximo admitido y
[G
0
] es una matriz de sensibilidad que muestra cmo vara la intensidad de campo con
el movimiento de cada nodo [63].
La ecuacin (3.123) presenta 3n variables incgnitas y la matriz de sensibilidad resulta
difcil de calcular directamente. Adems vara de modo no lineal con las coordenadas de
cada nodo.
Para determinar cunto y en que direccin se debera de mover cada nodo, se pone
atencin al esfuerzo ejercido sobre la superficie del electrodo de acuerdo al siguiente
principio:
a. La direccin de referencia para el desplazamiento de los nodos es la contraria a
la del vector normal sobre la superficie del electrodo.
b. Cada nodo se mueve una pequea distancia en proporcin al esfuerzo ejercido
sobre la unidad de rea de la superficie del electrodo alrededor del nodo bajo
consideracin.
Para un elemento genrico i de un electrodo (Fig. 3.24) el desplazamiento o factor de
correccin
0 i
C viene dado por la ecuacin:
i i
f k C =
0

(3.124)
donde
i
f es el esfuerzo fuerza electrosttica ejercida sobre el nodo i y k es un
parmetro de correccin.

P
3
V
2
V
1
P
1
P
2
Electrodo-1-
Electrodo-2-
e
e
e
e
e

Fig. 3.24. Modelo de dos electrodos y un dielctrico.
De acuerdo con la teora del campo elctrico, la fuerza elctrica ejercida sobre la
superficie de un electrodo est en una direccin que incrementa la energa almacenada
en el campo elctrico. Esto significa que la fuerza elctrica siempre tiende a expandir el
electrodo. Por lo tanto, el vector correccin definido por la ecuacin (3.124) tiende
siempre a reducir la intensidad de campo elctrico sobre la superficie conductora. El
esfuerzo f
i
viene dado por:
2
2
i i i
n E f =
(3.125)
donde
i
n la componente normal unitaria en el punto i, E
i
es la intensidad de campo
elctrico en el nodo i y es la constante dielctrica, del medio circundante.
Sustituyendo la ecuacin (3.125) en (3.124) queda:
2
2
0 i i i
n E k C =
(3.126)
Que indica que la magnitud del vector correccin es proporcional al cuadrado de la
intensidad de campo elctrico. Por lo tanto la velocidad de convergencia del mtodo
propuesto es ms rpida que la del mtodo de proporcin lineal que proponen Kato [64]
y Okubo [95], en el que la magnitud de
0 i
C es proporcional a E
i
, ya que la velocidad de
convergencia del mtodo de correccin cuadrtica es ms rpida que la del mtodo de
correccin lineal si el parmetro de correccin k se escoge apropiadamente [37]. El
mtodo de Singer [119] utiliza el radio de curvatura de la superficie del electrodo y por
lo tanto su aplicacin a un problema tridimensional no es fcil. El mtodo propuesto se
puede aplicar muy fcilmente a un problema tridimensional.
Utilizando la ecuacin (3.126), se reescribe la ecuacin (3.123) del siguiente modo:

{ } k G k
k E
k E
k E
E
E
E
n n
=
(
(
(
(
(
(

=
(
(
(
(
(
(
.
.
.
.
2
1
2
1

(3.127)
Donde {G} es el vector gradiente.
Intensidad de campo elctrico E
k1 kmin 0
Eminmax
k2
E2max
a) Aproximacin Lineal b) Aproximacin cuadrtica
Intensidad de campo elctrico E
Correccin del parmetro k Correccin del parmetro k
k1 kmin 0
E0max
E1max
Eb
Ea
Eb
Ea
E0max
E1max
Eminmax

Fig. 3.25. Determinacin del parmetro de correcin.
Como el valor objetivo de E en realidad no se conoce a priori, si se fijase uno
arbitrariamente para calcular los valores de E
i
, y se utilizase la frmula (3.127) para
calcular k, se obtendra un valor de k distinto para cada punto. En su lugar se pueden
utilizar las funciones E
i
(k) aproximadas de forma lineal o cuadrtica para determinar,
dentro de un rango de valores de k en el que se supone que la aproximacin es
admisible, el valor de k que hace mnimo el mximo de E
i
sobre los nodos considerados.
Esto se realiza del siguiente modo:
El valor de E se conoce para k = 0. Se supone que E presenta una variacin lineal o
cuadrtica con k. Si dicha variacin es lineal se utiliza un valor de k (k
1
)

para obtener
E
i
(k) en cada punto (ver Fig. 3.25 a). Si la variacin fuese cuadrtica se precisaran 2
valores de k, (k
1
y k
2
) para determinar E
i
(k) en cada punto (ver Fig. 3.25 b).
Una vez obtenidas las funciones E
i
(k) para los n nodos, se escoge el valor de k que
minimiza la mxima intensidad de campo sobre los nodos (k
min
en la Fig. 3.25).
El procedimiento se representa grficamente en Fig. 3.25 para determinar el valor del
parmetro de correccin k en caso de n = 2 nodos. En la Fig. 3.25 (a) se asume que el

campo elctrico E
a
y E
b
en los nodos a y b vara de modo lineal con k y se conoce el
campo elctrico para k = 0 (campo elctrico para la forma inicial del electrodo). Con
estas consideraciones, primero se hace k = k
1
y se corrige la forma del electrodo para
calcular el campo elctrico. Usando las intensidades de campo elctrico en los nodos a y
b para k = 0 y k = 1, se expresa el campo elctrico en los nodos a y b como funciones
lineales de k. A continuacin se determina el valor de k
min
para minimizar la intensidad
de campo mxima, es decir, hallar el mnimo de los mximos de intensidad de campo.
Si fuese difcil aproximar la intensidad de campo por una funcin lineal de k, entonces
se aproxima por una funcin cuadrtica utilizando intensidades de campo para tres
parmetros de correccin k = 0, k = k
1
, k = k
2
. Desde luego, es posible aproximar por
una funcin cbica o de mayor orden (proporcionara una mayor exactitud) pero la
aproximacin cuadrtica es satisfactoria desde un punto de vista prctico.
Puesto que el vector gradiente {G} en la (3.127) es una funcin no lineal de k, se repite
el proceso anterior iterativamente.
Generalmente es necesario modificar slo una parte de la superficie del electrodo. Por lo
tanto hay que ser cuidadosos sobre la correccin en los puntos fijos. Normalmente
existe la condicin restrictiva de fijar el desplazamiento de dos o ms puntos del
contorno, por lo cual se deber restar al vector de desplazamiento o correccin un cierto
vector
0
C correspondiente a dicha restriccin. De este modo se aade el vector
restriccin
0
C a
0 i
C en la ecuacin (3.126). obtenindose el vector correccin
i
C que
tiene que ser igual a cero en los puntos fijados. El desplazamiento a aplicar en cada
punto est definido, por tanto, por la expresin:
0 0 0
C f k C C C
i i i
+ = + =
(3.128)
Si se fijan dos puntos, el vector de restriccin 0 C se expresa por la ecuacin:
1 1 2 2 0 p p p p
C C C + = (3.129)
donde
2 p
C y
1 p
C son los vectores de desplazamiento en los puntos P
2
y P
1

respectivamente,
p2
es una funcin de peso que adquiere el valor unidad en el punto P
2

y se anula en P
1
, y, anlogamente,
p1
es otra funcin de peso que toma valor unidad en
P
1
, y se anula en P
2
, Si se fijan ms puntos el vector de restriccin
0
C se expresar de
forma general por la ecuacin:
=
=
m
j
j ij
C C
1
0 0

(3.130)

donde
ij
es la funcin de peso (coeficiente de proporcionalidad) que vale 1 en P
i
y 0
en los dems puntos, m es el nmero total de puntos fijos, y j representa el ndice nodal
de puntos fijos.
El coeficiente de proporcionalidad
ij
se expresa generalmente como:

= =
+
= =
m
j k
k
l
ik
l
ij
l
ij
l
ij
m
k
l
ik
l
ij
ij
r
r
r
r
r
r
1 1
1
1
1

(3.131)
Donde r
ij
es la distancia superficial entre el nodo i y un punto fijo j, l un nmero mayor
o igual que 1. Si el nodo i es un punto fijo,
ij
se anula para j i y 1 =
ij
para i = j.
Obviamente
ij
est siempre entre 0 y la unidad. Habitualmente, l toma los valores 1
2.
La Fig. 3.26 ilustra un caso especial donde los coeficientes de proporcionalidad se
determinan por una simple operacin vectorial. Como se muestra en la Fig. 3.26 a, si los
vectores
a
n y
b
n fijos en los puntos a y b en un espacio bidimensional son
perpendiculares entre s, los coeficientes de proporcionalidad vienen dados por:
( ) ( )
l
b i ib
l
a i ia
n n n n = = ,
(3.132)
Si tres vectores normales
e
n ,
f
n ,
g
n en el espacio tridimensional son perpendiculares
como se muestra en la Fig. 3.26 b, los coeficientes de proporcionalidad viene dados por:
( ) ( ) ( )
l
g i ig
l
f i if
l
e i ie
n n n n n n = = = , ,
(3.133)
Regin de
optimizacin
Regin de
optimizacin
na
nb
a
ne
nf
ng
b
g
e
f
0 =
b a
n n
a) Problema
bidimensional
b) Problema
tridimensional
0
0
0
=
=
=
g f
g e
f e
n n
n n
n n

Fig. 3.26. Vector normal en cada punto fijo.

En algunos casos, cuando la altura del electrodo, y
h
, se encuentra restringida, es preciso
modificar las coordenadas de los puntos de correccin y
1
, y
2
, ..., y
k
. Si el valor mximo
de la coordenada y es y
max
, cada coordenada y se corrige por la siguiente ecuacin:
( )
0
0
y y
y y
y y y y
max
k
max h k k
+ =
(3.134)
Donde y
0
es la coordenada y de los puntos fijos.
y2
Puntos Fijos
Electrodo
yh
y0
y1
y2
yk
yk
y1

Fig. 3.27. Electrodo con altura restringida.
Para realizar el clculo del campo la superficie del electrodo se divide en muchos
elementos de superficie curvados usando un mtodo de carga superficial mejorado.
q2
(x1, y1,z1)
(x2, y2,z2)
(x3, y3,z3)
q1
q3
qe
(x6, y6,z6)
(x4, y4,z4)
(x5, y5,z5)
1
2
3
4
5
6

Fig. 3.28. Elemento triangular de superficie curvada.
La forma de la superficie de cada elemento se aproxima por una ecuacin cuadrtica y
se define por las coordenadas de seis nodos, 1, 2, ... 5 y 6 (Fig. 3.28). Las coordenadas
rectangulares x
e
, y
e
, z
e
de cualquier punto sobre un elemento, y su vector de posicin,
e
h
r
, sobre el elemento se escriben como:

=
=
=
=
=
=
6
1
6
1
6
1
i
i i e
i
i i e
i
i i e
z N z
y N y
x N x

(3.135)
k z j y i x h
e e e e
r r r
+ + = (3.136)
donde N
i
es una funcin de interpolacin cuadrtica. La densidad de carga sobre cada
elemento se aproxima por una ecuacin lineal y se define por una densidad de carga
sobre los tres nodos, 1, 2 y 3. La densidad de carga, q
ek
, sobre un elemento viene dada
por:

=
=
3
1 j
j j ek
q L q
(3.137)
Donde L
j
es la coordenada superficial.
Por otra parte, el potencial, V
I
, en cualquier punto, se puede expresar como:
( ) ( )ds J I G J q V
N
k
ek
ek I
,
1
=
=
(3.138)
Donde q
ek
(J) es la densidad de carga en un punto fuente, J, sobre el elemento e
k
, G(I,J)
es la funcin de Green, y N es el nmero de elementos.
Cuando se aplica la ecuacin (3.138) a todos los puntos de clculo en la superficie del
electrodo se establecen ecuaciones simultneas con respecto con respecto a la densidad
de carga en cada punto de clculo. Resolviendo estas ecuaciones, se obtiene la
distribucin de la densidad de carga sobre la superficie del electrodo.
El campo elctrico
K
E , y la fuerza electrosttica,
K
f , en cualquier punto, sobre la
superficie del electrodo vienen dados respectivamente por:
( )
K ek K
n K q E =
1

(3.139)
Y
K k K
n E f =
2
2

(3.140)
Substituyendo la ecuacin (3.140) en la ecuacin (3.128), se obtiene la correccin del
vector
i
C , en cada nodo como se muestra en la Fig. 3.29.

q2
(x1, y1,z1)
(x2, y2,z2)
(x3, y3,z3)
q1
q3
i
C
(x6, y6,z6)
(x4, y4,z4)
(x5, y5,z5)
1
2
3
4
5
6

Fig. 3.29. Correccin del vector en cada nodo.
El diagrama de flujo de la optimizacin se muestra en la Fig. 3.30. El programa consiste
en tres partes, denominadas programa de anlisis de campo basado en el mtodo de
carga superficial, programa de correccin de la forma basado en el vector de correccin
y programa de determinacin del parmetro de correccin. El clculo iterativo finaliza
cuando se obtiene la distribucin de campo deseada o cuando la intensidad de campo
mxima no puede ser reducida ms. Este ltimo caso ocurre cuando no se puede
encontrar el valor del parmetro k que reduce la intensidad de campo mxima incluso
despus de tres correcciones de la forma del electrodo (N > 2) en la Fig. 3.30. Aunque
no se muestra en la Fig. 3.30, el procedimiento genera elementos de una nueva
superficie o combina mltiples elementos en uno sencillo cuando un elemento de
superficie llega a ser demasiado grande o demasiado pequeo.
El parmetro inicial k
1
se escoge para que iguale al 30% - 100% de la longitud del
elemento mnima (longitud del lado mnima para el elemento triangular). Si k
1
es
demasiado grande llega a ser difcil encontrar un punto cuando se minimiza la
intensidad de campo mxima (debido a la no linealidad del vector gradiente en la
ecuacin (3.127)). El valor de k
1
tampoco debe ser demasiado grande para prevenir que
la superficie se divida irregularmente.

NO
NO
S
Inicio
Entrada de los datos para divisin
superficie del electrodo
Fin
Clculo de la distribucin de campo
N = 0
Forma del electrodo corregido usando
parmetro de correccin inicial k1
Clculo de la distribucin de campo
N = N+1
N > 2
Forma del electrodo corregido usando
parmetro de correccin kN+1
Aproximacin de la intensidad de campo
en cada nodo por la ecuacin algebraica de
orden N-simo de k y determinacin de la
correccin del parmetro kN+1 que
minimiza la intensidad de campo mxima.
Distribucin de campo de salida y
forma del electrodo
Se ha obtenido la intensidad de
campo deseada?
Se ha reducido la intensidad de
campo mxima?
NO
S
S

Fig. 3.30. Procedimiento de optimizacin mtodo de Tsuboi.

3.7 Optimizacin de contornos de electrodos utilizando
elementos de contorno. Mtodo de Welly
3.7.1 Introduccin
En 1987, Welly [147] present un mtodo para optimizacin de electrodos para
configuraciones planas (bidimensionales) o disposiciones de electrodos con simetra
axial. La superficie del contorno del electrodo se divide en elementos circulares. Se
determinan los radios de dichos elementos para que la distribucin de superficie del
campo elctrico relacionados con el nivel de comienzo del efecto corona llegue a ser
uniforme. El objetivo de la optimizacin de electrodo en alta tensin es la mejora de las
condiciones de trabajo del dielctrico. La optimizacin se basa en la existencia de una
intensidad de campo elctrica mnima E
i
requerida para iniciar una descarga. El nivel de
inicio del efecto corona E
i
depende principalmente del material aislante y en un menor
grado de la curvatura de la superficie [51]. Las descargas no ocurren si E
i
en cualquier
parte excede el campo elctrico presente E. De acuerdo con esto, se dice que un
electrodo est optimizado, si a una tensin dada, el valor mximo de E/E
i
en su
superficie es tan pequeo como sea posible.
Puesto que (E/E
i
)
max
depende de la posicin, la extensin espacial y la forma de la
configuracin electrdica, existen tres tipos diferentes de optimizacin. Para llevar a
cabo la optimizacin de la forma del electrodo, se escoge como condicin de
optimizacin:
( )
max
.
i i
E E const E E = = (3.141)
Como ya se ha visto existe una relacin entre la intensidad de campo y la curvatura
superficial. En vez de utilizar una tcnica de desplazamiento de los puntos de contorno,
Welly propone una modificacin de los elementos de contorno en el clculo. De
acuerdo con esto, los radios de los elementos de contorno tienen que ser aumentados en
aquellas regiones donde E/E
i
es grande y reducirlos donde E/E
i
es pequeo.
3.7.2 Descripcin del mtodo
Los fundamentos del procedimiento de optimizacin se describen con un ejemplo
simple. La configuracin consiste en un electrodo cilndrico con forma de varilla
perpendicular a un plano de tierra (Fig. 3.31). El radio r de la varilla y distancia d al
plano de tierra son datos.

Se optimiza el contorno final de la varilla. Se utiliza como una aproximacin inicial una
semiesfera. Como se muestra en la Fig. 3.32, el semicrculo correspondiente se divide
en sectores. El nmero de estos sectores depende de la exactitud requerida. Los arcos
resultantes de la periferia se denominan elementos de contorno.
d
r

Fig. 3.31. Configuracin electrodo plano de tierra.
1
2
3
4
5
6

Fig. 3.32. Subdivisin del final de la varilla.
Como una primera etapa, se calcula la intensidad de campo media sobre cada elemento
de contorno. Esto se puede hacer por simulacin de carga, elementos finitos, o por otros
mtodos.
Los sectores separados y los correspondientes valores E/E
i
se muestran en la Fig. 3.33.
El siguiente paso es multiplicar los radios de cada sector por (E/E
i
)
n
, mientras que los
ngulos permanecen sin cambiar. El resultado se muestra en la Fig. 3.34. La
recomposicin de los nuevos elementos segn la Fig. 3.35 presenta un nuevo contorno
que tiene que ser multiplicado por un factor de escala para obtener el radio r de la
varilla dado. Finalmente se coloca el nuevo contorno a la distancia requerida d del
plano. El resultado se muestra en la Fig. 3.36. Se repite el procedimiento total hasta que
las fluctuaciones remanentes son suficientemente pequeas.

1 2 3 4 5 6
i
E
E

Fig. 3.33. Sectores separados (E intensidad de campo media, E
i
= const.).
1 2 3 4
5 6

Fig. 3.34. Sectores multiplicados por (E/E
i
)
4
.
6
1 2
3
4
5

Fig. 3.35. Sectores recompuestos, nuevo contorno.

d
r
Contorno
original
Contorno
optimizado

Fig. 3.36. Nuevo contorno, escalado y recalculada la distancia d desde el plano de tierra.
Obviamente cada paso de iteracin allana aquellas regiones de superficie en las que E/E
i

excede su valor medio mientras las restantes llegan a ser ms curvadas. De este modo la
distribucin de E/E
i
llega a ser ms y ms uniforme. No es importante si los radios del
sector o los recprocos de las curvaturas totales C se multiplican por (E/E
i
)
n
. Por lo tanto
C es necesaria slo si E
i
depende de ello. Se asume por simplicidad E
i
= const.
Una caracterstica importante del mtodo es la invarianza de las direcciones tangentes al
contorno durante el proceso de optimizacin. Si el contorno inicial es suave, garantiza
que la suavidad del contorno mejorado total incluyendo las regiones de transicin a las
partes adjuntas.
Otra ventaja es la ausencia de cualquier lmite a las variaciones del contorno dentro de
los pasos de iteracin. En otras palabras, los valores de E/E
i
en s mismos, as como sus
fluctuaciones, pueden ser arbitrariamente pequeos o grandes.
3.8 Modificacin del contorno de electrodos basada en los
efectos de rea/volumen sobre la intensidad de campo de
ruptura. Mtodo de Kato
3.8.1 Introduccin
En 2001 Kato et al. [65] presentaron un mtodo de optimizacin basado en los efectos
de rea/volumen sobre la intensidad de campo de ruptura [67][68][66].
Segn Kato para un diseo del aislamiento ms exacto, se necesita desarrollar una
tcnica de optimizacin que involucre no slo la distribucin de campo elctrico sino
tambin la realizacin del aislamiento mediante el medio dielctrico y otros efectos, tal
como el efecto del tamao del electrodo, el efecto del volumen sobre la intensidad de
campo de ruptura o la forma de onda de la tensin aplicada. Por ejemplo, cuando se

utiliza el aceite de transformador como medio de aislamiento para aparatos de alta
tensin, el efecto del volumen sobre la intensidad de campo de ruptura es tan grande que
se debe tomar en cuenta el volumen de aceite sometido a esfuerzo.
Con estos precedentes, en este trabajo en primer lugar se destaca el efecto del rea del
electrodo y el efecto del volumen en las caractersticas de ruptura del dielctrico. En
segundo lugar se describe el principio del algoritmo de optimizacin desarrollado,
teniendo en cuenta estos efectos. Finalmente se aplica el algoritmo de optimizacin a la
parte final de un conductor de alta tensin de un electrodo cilndrico sobre tierra. De
estos resultados, se confirma que la tcnica de optimizacin es efectiva en el diseo del
aislamiento de aparatos elctricos de potencia, permitiendo un incremento de la tensin
de servicio o una reduccin en tamao.
3.8.2 Caractersticas del aislamiento elctrico
3.8.2.1 Condiciones que afectan a las caractersticas de ruptura del
dielctrico
Para obtener las mejores prestaciones del sistema de aislamiento, se ha observado que
no siempre es suficiente la reduccin de la intensidad de campo mxima. Se deberan de
considerar las condiciones que afectan a las caractersticas de ruptura del dielctrico,
incluyendo los tipos del medio aislante, la forma de onda de la tensin aplicada, las
caractersticas de comienzo de la descarga de los dielctricos, el efecto rea de la
ruptura sobre el electrodo, el efecto del volumen sobre la ruptura, las caractersticas
tensin-tiempo (V-t), las condiciones de la superficie de los electrodos, y otros. Se
desarrolla una tcnica de optimizacin que considera la influencia de todas estas
condiciones.
3.8.2.2 Efectos de rea y volumen de los electrodos
Para el diseo de aislamiento en la escala de los aparatos prcticos, en general los
efectos de rea/volumen del electrodo y las caractersticas de duracin tensin-tiempo
de ruptura (V-t) son los factores ms importantes. Como un primer paso, se desarrolla
un algoritmo de optimizacin que tiene en cuenta el efecto de rea del electrodo y el
efecto de volumen en la intensidad de campo de ruptura. Es bien conocido que en
medios dielctricos tales como gas SF
6
presurizado, aceite de transformador y vaco, la
intensidad de campo de ruptura decrece estadsticamente con el incremento del rea o
del volumen del electrodo sometidos a esfuerzo. Estos efectos son principalmente
causados por los siguientes factores: impurezas, protuberancias o asperezas en la

superficie del electrodo para el efecto de rea; o impurezas o burbujas en un medio de
aislamiento lquido para el efecto de volumen.
Intensidad de campo de ruptura
(efecto volumen)
(efecto rea)
( )
s
m
e S bd
S K E
1
=
( )
v
m
e V bd
V K E
1
=
Area/Volumen sometido a esfuerzo de campo

Fig. 3.37. Ilustracin esquemtica del efecto rea/volumen de la intensidad de campo de ruptura en un
medio aislante.
La Fig. 3.37. muestra una ilustracin esquemtica del efecto de rea y el efecto de
volumen. Para cada medio aislante, la curva especfica est aproximada
sistemticamente a partir de muchas grficas obtenidas experimentalmente con varios
tipos de configuraciones de electrodos. La relacin entre el rea del electrodo sometida
a esfuerzo S
e
o el volumen sometido a esfuerzo V
e
y la intensidad de campo de ruptura
E
bd
se formulan como sigue [55][94][69][49]:
Efecto de Area:
( )
s
m
e S bd
S K E
1
=
(3.142)
Efecto de Volumen:
( )
v
m
e v bd
V K E
1
=
(3.143)
donde K
s
y K
v
son constantes, y m
s
y m
v
son parmetros que llegan a ser pequeos con el
aumento de la dependencia de la intensidad del campo de ruptura con el rea del
electrodo y el volumen sometido a esfuerzo. Se utilizan valores de rea o volumen de la
regin cuya intensidad de campo es > 90% de la intensidad de campo mxima
[55][94][69]. Para gas SF
6
, aceite de transformador y vaco, los parmetros y m
s
y m
v
y
la intensidad de campo de ruptura bajo la aplicacin de tensin de un impulso tipo rayo
vienen dados en la Tabla 3.1 [55][94][69]. Estos datos indican que el incremento del
rea del electrodo sometida a esfuerzo y el volumen pueden contribuir a una reduccin
de la solicitacin del dielctrico.

Medio Aislante m
s
m
v
E
b
[kV/mm]
Gas SF
6
, 0.4 MPa 30
( )
s
m
e
S
1
36

Vacio, 10
-4
Pa 4.4
( )
s
m
e
S
1
106

Transformador de
aceite
11.3
( )
V
m
e
V
1
105

Tabla 3.1. Parmetros m
s
, m
v
y intensidad de campo de ruptura E
b
de los efectos de rea/volumen en
varios medios la aplicacin de una tensin de impuso de rayo.
3.8.3 Algoritmo de optimizacin para los efectos de rea y volumen
Para obtener un contorno de electrodo con mejor comportamiento del aislamiento, se
desarroll un algoritmo que incluye el efecto del rea o volumen en la intensidad de
ruptura. La idea del algoritmo se muestra en la Fig. 3.38. En el proceso de optimizacin
mostrado en la Fig. 3.38 (a), se supuso que se modificaba el contorno del electrodo de
alta tensin desde A a D. Aqu, la intensidad de campo elctrico mxima se reduce, pero
el rea del electrodo sometida a esfuerzo y el volumen sometido a esfuerzo se cambian
simultneamente. Las grficas en la Fig. 3.38 (b) muestran la relacin entre el rea del
electrodo/el volumen sometido a esfuerzo y la intensidad de campo mxima en el
proceso de optimizacin, junto con la curva caracterstica tpica del efecto
rea/volumen. Si se aplica la optimizacin de campo elctrico, se obtiene finalmente el
contorno D como el optimizado debido a que la intensidad de campo mxima presenta
el valor mnimo. Sin embargo, como se muestra en la Fig. 3.38, la optimizacin del
campo elctrico puede causar un incremento en el rea del electrodo y el volumen
sometido a esfuerzo que resulta en una reduccin de la intensidad de campo de ruptura.
De ah, que desde el punto de vista del mejor aislamiento, se defina el parmetro P
como:
( )
( )
( )
( )
volumen efecto
V V
E E
rea efecto
S S
E E
E
E
P
v
s
m
ei e
mi m
m
ei e
mi m
bd
m
1
1

(3.144)
Donde la mxima variacin del campo elctrico es E
m
, la variacin del campo de
ruptura es E
bd
, E
m
el campo elctrico mximo, E
mi
el campo elctrico mximo en el
contorno inicial, S
e
el rea del electrodo, S
ei
el rea del electrodo en el contorno inicial,
V
e
el volumen sometido a esfuerzo, y V
ei
el volumen sometido a esfuerzo en el contorno
inicial. De la ecuacin (3.144), se puede comprender fcilmente que la optimizacin del
comportamiento del aislamiento consiste en encontrar el valor ms pequeo del

parmetro P bajo el proceso del cambio del contorno del electrodo. Utilizando este
parmetro, y tal y como se muestra en la Fig. 3.38, el contorno que debe considerarse
como ptimo es el C y no el D, pues en ese punto presenta este parmetro su valor
mnimo.
A
Campo elctrico
Area sometida a esfuerzo S
e
/Volumen sometido a esfuerzo V
e
B
C
D
(b)
(a)
A B
Campo elctrico
mximo E
m
C D
Electrodos de
Alta Tensin.
Dependencia del rea o volumen de
la intensidad de campo de ruptura E
bd
Intensidad de
campo mxima E
m
Parmetro P

Fig. 3.38. Concepto de comportamiento de la optimizacin del aislamiento considerando efecto del rea o
efecto de volumen de la intensididad de ruptura: (a) proceso de modificacin del contorno del electrodo;
(b) relacin entre el rea sometida a esfuerzo o el volumen sometido a esfuerzo, intensidad de campo
mxima e intensidad de campo de ruptura en el proceso de optimizacin.
Basado en el algoritmo de arriba, se muestra el diagrama de flujo del proceso de
optimizacin bajo los efectos de rea o volumen en la Fig. 3.39. En este proceso de
optimizacin, se modifica el contorno del electrodo en concordancia con la distribucin
de campo elctrico, es decir, la diferencia entre el valor objetivo o intensidad de
campo E
t
y la distribucin de campo elctrico presente E en el contorno del electrodo
determina la cantidad de modificacin del contorno [68]. Si el valor del parmetro P se
reduce por modificacin del contorno del electrodo, el clculo contina. De otro modo,
cuando el valor del parmetro P se incrementa por modificacin del contorno del
electrodo, se reduce la cantidad de la modificacin. Este proceso de clculo se realiza
repetidamente hasta que la cantidad de modificacin llega a ser ms pequea que el
error de truncamiento.

Inicio
Datos iniciales de la entrada
Clculo del campo elctrico
en el contorno inicial
Resolucin del contorno del
electrodo
Clculo del campo elctrico
mximo y rea sometida a
esfuerzo o volumen sometido
a esfuerzo.
Clculo del parmetro P
Decrece P?
Se satisface la condicin de
optimizacin?
SI
Determinacin del campo
objetivo Eobjetivo
=Eobjetivo-E
(Intensidad de campo elctrico)
Salida de resultados de clculo
Stop
Modificacin del
contorno del electrodo
Eobjetivo/2
Eobjetivo
SI
NO
NO

Fig. 3.39. Diagrama de flujo del proceso de optimizacin teniendo en cuenta los efectos de rea o
volumen.
En el clculo de optimizacin, se debera de poner atencin en el hecho de que la
intensidad de campo de ruptura presenta una desviacin standard que es tpicamente
de 3 a 10% mayor que su valor medio E
m
. Adems, el valor de depende ligeramente
de la forma geomtrica y del tamao del electrodo y otros parmetros, resultando en un
clculo complicado de en la optimizacin de la geometra del electrodo. Se considera
por simplicidad E
m
como el criterio, aunque se debera de considerar su valor menor
(normalmente E
m
- 3).

3.9 Optimizacin de aisladores en funcin de la
componente tangencial de la intensidad de campo
Como ya se haba anticipado en el captulo 1 en la modificacin del contorno de
aisladores de alta tensin para mejorar su comportamiento frente a las descargas
superficiales existen diversas forma de proceder que se pueden agrupar en dos criterios
diferentes para la obtencin de una distribucin de campo pretendida:
1.- Modificacin del contorno de los aisladores en funcin de la componente
tangencial de la intensidad de campo.
2.- Modificacin del contorno de aisladores en funcin de la intensidad de campo
total en la superficie del aislador.
3.9.1 Determinacin de las geometras de contorno con ayuda del
mtodo de las diferencias finitas. Mtodo de Antolic
3.9.1.1 Introduccin
Los primeros trabajos que se ocupan con problemas concernientes a la forma ptima de
las componentes de las instalaciones de alta tensin datan de los aos setenta. Existe
una falta de acuerdo en cual debe de ser el objetivo ms apropiado como meta de la
optimizacin de aisladores. Esta ausencia de criterios tericos bien definidos se ve
reflejada tambin en el desacuerdo sobre la determinacin de la forma ptima de los
aisladores.
La primera aportacin al primero de los criterios arriba mencionados la realiza Antolic
en 1972 [15]. Antolic present la tarea como un problema de valores de contorno
generalizado en el que se trata de obtener una distribucin predefinida de la componente
tangencial del campo elctrico a lo largo de un contorno que ha de ser determinado en el
transcurso de los clculos.
3.9.1.2 Clculo de control y clculo de diseo en construcciones de
alta tensin
Los diseos de construccin en el campo de la tcnica de alta tensin necesitan, junto a
otras bases, el conocimiento de la autntica solicitacin de los materiales utilizados, ya
sean slidos, lquidos o aisladores gaseosos incluyendo los medios que engloban a la
configuracin. Esta solicitacin debe, mientras no se encuentren otras razones que
hablen en contra de ello, acercarse a los lmites de solicitacin de los materiales que se
usan sin llegar a sobrepasarlos. En la mayora de los casos se cuenta con distribuciones

de campo estacionarias o bien distribuciones en equilibrio o que en valor medio estn en
equilibrio que cumplen la ecuacin de Laplace o la ecuacin de Poisson. Hay que
resolver por lo tanto problemas de valores de contorno que parten de las siguientes
premisas:
- 1. La superficie de integracin es cerrada, est simple o mltiplemente
conexa y puede alcanzar el infinito.
- 2. Puede dividirse en intervalos de integracin S
i
que estn compuestos por
medios distintos donde aqu, por simplicidad, se supondr que estos medios
parciales son homogneos e istropos y se diferencian nicamente en lo que
respecta a un valor escalar, por ejemplo la constante dielctrica.
- 3. Las superficies de toda la zona en estudio y las superficies de separacin
entre ambas partes se resumen en un conjunto de fronteras que se denomina
G y cuya descripcin geomtrica se conoce completamente. A lo largo de
todas estas fronteras G se dan una serie de condiciones de contorno B que
son tanto de primera clase como de clase superior, ya sean simetras de
campo, saltos de la constantes dielctrica, etc.
Este planteamiento clsico del problema parte de un conocimiento total del problema de
valores de contorno G y debe prescindir por lo tanto de otro tipo de condiciones de
contorno, que se llamarn B, cuya satisfaccin sin embargo es imprescindible para
alcanzar los fines de un diseo constructivo. Slo mediante rodeos, mediante una
modificacin parcial de la geometra partiendo de clculos de campo ya realizados se
consigue una satisfaccin simultnea de las condiciones B y B, en este proceso el
clculo de campo sirve nicamente como control y slo de forma indirecta al diseo.
Para acercarse al objetivo de diseo, utilizando al mismo tiempo las dos condiciones B y
B, se llega de una forma mucho ms rpida si desde el principio se separan las fronteras
y las superficies de separacin entre un conjunto G
1
de fronteras fijas y otro conjunto G
2

de fronteras que es preciso determinar. A las primeras se les asigna las condiciones B
1
y
a las segundas las condiciones B
2
adems unas ciertas condiciones de diseo
2
B , las
fronteras G
2
se determinan entonces por estas condiciones de diseo.
Mientras que se dispone de amplia bibliografa para problemas de contorno de
ecuaciones diferenciales elpticas, para la realizacin de clculos de control en el
sentido explicado anteriormente, se dispone de muy poca bibliografa para el clculo de
geometras de contorno. En termodinmica sin embargo se puede encontrar el problema
de Stefan que es un problema dependiente del tiempo de contornos mviles para un
material en proceso de fusin. En Mecnica se encuentran problemas de teora de
funciones como los de perfiles de Joukowsky, Karman y Trefftz, y en electrotecnia las

geometras de Rogowsky y Borda y algunos otros problemas cuya solucin puede ser
dada analticamente, como por ejemplo el citado en la bibliografa [34].
Antolic plantea un mtodo de clculo para el diseo de aislamiento basado en la
utilizacin de contornos de deslizamiento sobre redes de coordenadas del mtodo de las
diferencias finitas.
3.9.1.3 Planteamiento del problema
3.9.1.3.1 Datos
Una configuracin de electrodos con simetra rotacional formada por un manto
cilndrico y un conductor concntrico (esto es una conduccin de SF
6
, Fig. 3.40) y el
espesor en el lado del manto del cilindro de un aislador de apoyo plano radial y
simtrico. A lo largo de estas geometras fijas G
1
el potencial u y sus derivadas cumplen
las siguientes condiciones B
1
:
1. En la superficie del manto: u=0.
2. En la superficie del conductor interno: u=U (tensin dada).
3. En el contorno izquierdo: 0 =
z
u
(simetra de campo en el plano central del
cuerpo).
4. En el borde derecho: distribucin cilndrica de campo u otra condicin de
finalizacin.
3.9.1.3.2 Anlisis del problema
Se busca la geometra G
2
del aislador en la que se cumpla la condicin de contorno de la
superficie de separacin de aisladores (el salto de la constante dielctrica, condicin de
contorno B
2
) a esta condicin de contorno se le aaden las siguientes condiciones
2
B :
1.- La componente tangencial de la intensidad de campo E
t
a lo largo de G
2
puede ser
constante y dada.
t
obedece a una distribucin
dada como una funcin de la longitud de arco normalizada de G
2
.
t
es constante o bien se
conoce su distribucin pero no se conocen los valores correspondientes. Adems se
conoce una condicin de determinacin geomtrica ms para las superficies de frontera
G
2
, por ejemplo la tangente en el punto P
1
(ver Fig. 3.40) o la tangente en el punto P
2
en
el pie del aislador.

G1
G2
G1
G1
G1
P1
P2
ra
ri
Geometrias:
G1 Conjunto frontera fija
G2 Conjunto frontera aislador
St
Eje de rotacin
z

Fig. 3.40. Superficies de frontera S
t
en un conductor concntrico interior.
La ecuacin diferencial de Laplace en coordenadas cilndricas para un campo simtrico:
0
1
2
2
2
2
=
z
u
r
u
r r
u

(3.145)
lleva mediante la discretizacin de la zona de integracin y la utilizacin de una red de
puntos apropiada a un sistema de ecuaciones lineales respecto a los puntos de la red
(mtodo de diferencias finitas):
b Au = (3.146)
Mientras en un puro clculo de control los elementos a
ij
de la matriz de la red slo se
calculan una nica vez, el clculo de diseo exige un clculo repetido de los elementos
de esta matriz. Se utiliza una red de puntos fija en la que partiendo de una posicin
inicial se va desplazando la geometra G
2
. El nmero de veces en los que es necesario
calcular de nuevo los elementos de la matriz a
ij
resulta pequeo. Los clculos nuevos se
limitaran a aquellos operadores de la red de puntos en los que tienen su apoyo las
superficies de separacin de las geometras de las fronteras G
2
o aquellos puntos que
son abandonados por puntos de esta geometra G
2
.
En el caso que se presenta se encontraron dificultades en la determinacin de las
operaciones de clculo comunes a distintas partes de la geometra en la zona donde se
desplazan los contornos y por eso se decidi acometer otro camino que seguramente no
siempre es posible utilizar. Para ello uno de los dos pares de haces de lneas
coordenadas se escogi no fijo, sino mvil y acompaando al contorno y justamente una
de las lneas de este haz de coordenadas se obliga a que coincida con la geometra G
2

que se quiere determinar. El resto de las lneas del haz se distribuyen mediante una ley

de distribucin transversalmente a las lneas del otro haz de coordenadas como se
muestra en la Fig. 3.41.
xm
xn
xm
y1
P1 ym yn
ra
G2
xn
y1 ym
ym
( )
( )
. , const y x
r
y
y
r
x
x
i i
i
i
i
i
=
=
z

Fig. 3.41. Lneas del haz de coordenadas del contorno de la misma forma (r:const.).
De la misma forma que el contorno buscado, todo el resto de las lneas del haz que
acompaa al contorno tienen un punto fijo en el electrodo del manto del cilindro. La
distancia entre estos puntos fijos se puede escoger de forma arbitrara. Lo mismo puede
decirse de la distancia entre los puntos del otro haz de lneas de coordenadas. Tambin
se podra hacer este segundo haz mvil y ortogonal a la trayectoria del primero pero
esto requerira mucho mayor espacio de almacenamiento en el ordenador. Se han
utilizado sistemas de coordenadas mviles de esta clase para la resolucin de problemas
de dinmica de gases y fluidos [60].
Se parte de una posicin inicial del contorno que se quiere determinar, en el caso del
aislador de apoyo sera una posicin radial y de una distribucin inicial de potencial, en
este caso una distribucin de potencial cilndrica. A continuacin se determina la
distribucin de la intensidad de campo a lo largo de la geometra que se pretende
determinar (la geometra mvil), y se compara con la distribucin de campo que se
pretende alcanzar y se determinan a partir de all los desplazamientos G
2
. A la vez se
desplazan todo el resto de lneas del haz de lneas coordenadas solidarias con la
superficie que se est desplazando. A partir de aqu se calculan los nuevos elementos de
la matriz y se hace un nuevo clculo de campos para la geometra modificada. Este
proceso se contina hasta que se alcanza una condicin de interrupcin.

3.9.2 Mtodo de Singer y Grafoner
3.9.2.1 Introduccin
Uno de los primeros mtodos desarrollados para disear electrodos y aisladores de
revolucin fue publicado por Singer y Grafoner [119]. Como ya se ha visto en el
apartado 3.2.2 los contornos de los electrodos se optimizan de acuerdo a la componente
normal de la intensidad de campo, que en la superficie de un electrodo coincide con la
intensidad total de campo. Los aisladores se optimizan respecto a la componente
tangencial. Se utiliza el mtodo de simulacin de carga para el clculo de campo
elctrico. En el caso de aisladores se utilizan cargas superficiales.
Los contornos de aisladores se optimizan respecto a la componente tangencial de
campo. Para dos puntos de contorno A y B con una distancia pequea l (Fig. 3.42) se
puede escribir:
l
E
B A
t

(3.147)
Si E
t
es demasiado grande, entonces o se reduce la diferencia de potencial o bien se
aumenta la distancia. Para este propsito se fija A y se vara B. El modo ms fcil de
proceder parece ser llevar B perpendicularmente al contorno (BB en la Fig. 3.42 a).
Si se usa este procedimiento vara la diferencia de potencial
A
-
B
y la distancia l (l
l). Si se hace de esta forma resulta para B una ecuacin cuadrtica de
formulacin complicada segn los casos.

B

B
2
1
A
B
B
l
a)
B B
perpendicular al contorno
2
Lneas de flujo
1
A
B
C
C
l

l
Lneas equipotenciales
b) Sobre la lnea equipotencial

Fig. 3.42. Contorno dielctrico.
En lugar de este procedimiento es mejor mover desde B a lo largo de la lnea
equipotencial que pasa por B a la derecha o a la izquierda (Fig. 3.42 b). De este modo l
se puede aumentar o disminuir mientras la diferencia de potencial permanece constante.
Si E
t
es demasiado grande, entonces B se sita en el lado derecho de B y sino en el
izquierdo. l se determina por:
0 t
t
E
E
l
l
=

(3.148)
Donde E
t0
denota el valor postulado de la componente tangencial de la intensidad de
campo. Para determinar las coordenadas de B se necesita calcular:

2 2 2
sen cos = l l l B
(3.149)
El siguiente punto por debajo de B, C, se calcula de modo anlogo desde B y C y
entonces se desplaza adicionalmente paralelo a B B (Fig. 3.42 b).
Aqu tambin se usa un factor de relajacin que en muchos casos tiene que ser escogido
< 1.
Para aquellas partes del contorno del aislador que estn prximas al electrodo y para que
sea vlido el efecto de empotramiento [144], no se necesita ninguna optimizacin del
contorno, porque se sabe de este efecto que estas partes de un contorno de aislador
deben ser perpendiculares al electrodo.

3.9.3 Mtodo de Grnewald
Grnewald [52] propuso en 1983 un algoritmo para optimizar contornos de aislador de
acuerdo a una distribucin dada de la componente tangencial de campo en la superficie
del contorno. La relacin entre el campo elctrico y la geometra del contorno
dielctrico, necesaria para la correccin del contorno del aislador, se deriva a partir de la
intensidad de campo tangencial.
3.9.3.1 Introduccin
Los aisladores sirven en general como soporte mecnico para los electrodos de alta
tensin en entornos gaseosos, permaneciendo en contacto tanto con el electrodo de alta
tensin como con el plano de tierra. En este caso se habla de dielctricos en paralelo,
debido a que ambos dielctricos, el slido del aislador y el del gas circundante
permanecen en contacto con los electrodos. Las descargas con esta clase de aisladores
son normalmente superficiales a lo largo del contorno dielctrico [48][58][148], aunque
la descarga pueda iniciarse en un punto con una intensidad de campo elevada normal al
electrodo. Para caracterizar las disposiciones de esta clase Schwaiger [116] define un
cociente de descarga superficial:
F t
F
F
E l
V
,
=
(3.150)
siendo V
F
la tensin de descarga superficial, l el camino de corriente de fuga mnimo, y
E
t,F
la componente tangencial mxima de la intensidad de campo en el contorno. Desde
un punto de vista terico este cociente de descarga superficial debera ser igual a la
unidad cuando el esfuerzo elctrico llega a ser isodinmico con una cada constante de
potencial.
3.9.3.2 Principio de correccin de los contornos
Para la correccin de los contornos del dielctrico es necesario deducir a partir del
cambio deseado en el campo, el cambio necesario de la geometra. Una relacin entre
los valores dichos la proporciona la ecuacin que determina la intensidad de campo
tangencial:
l l l
E
t
=
2 1

(3.151)
Donde
1
y
2
son los potenciales de dos puntos sobre el contorno dielctrico separados
una distancia l. Si la intensidad de campo tangencial est por encima del valor

demandado, entonces se pueden alterar la diferencia de potencial o la distancia entre los
puntos de apoyo. Para este propsito se fija P
1
y se vara la localizacin de P
2
.
1
s
1 = const
2 = const
2
lact
P2
t2
ldes
a) Desplazamiento con
= const.
l=const
= const
P2
t2
P1
1
b) Desplazamiento con
l = const.
E
2
2 2
, P
P1

Fig. 3.43. Geometra de desplazamiento.
Singer y Grafoner [119] proponen un desplazamiento del punto P
2
a lo largo de la lnea
equipotencial perteneciente a
2
a la derecha o a la izquierda de la curva del contorno
(Fig. 3.43 a). De este modo l se puede alargar o acortar. Si E
t
es demasiado grande, P
2

se sita sobre el lado derecho del contorno, sino sobre el lado izquierdo. l
des
se
determina por:
act
des t
act t
des
l
E
E
l =
,
,

(3.152)
E
t, des
es la intensidad de campo tangencial deseada y E
t,act
es la intensidad de campo
tangencial actual. A partir de la ecuac. (3.152) se puede deducir el desplazamiento t
2
del
punto P
2
, y el cambio de la intensidad de campo define el signo del desplazamiento, es
decir, el lado del contorno, hacia el cual los puntos son empujados.
Basndose en este algoritmo se elabor una versin con desplazamientos simultneos de
los puntos de contorno. Para este propsito la distancia de los puntos desplazados l
des

se calcul en funcin de la distancia actual l
act
y el desplazamiento t
2
(Fig. 3.43 a):
2 2
t f l l
act des
+ (3.153)
O en notacin de matriz para todos los puntos,
| | | | T F L L
act des
+ =
(3.154)

dnde | | F representa un factor de proporcionalidad.
Combinando esta relacin geomtrica con la condicin elctrica ecuac. (3.152) se
consigue establecer un conjunto de ecuaciones que definen los desplazamientos
necesarios:
| | | |
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= 1
,
,
des t
act t
act
E
E
l T F
(3.155)
Otro mtodo de optimizacin se puede desarrollar a partir de la ecuacin (3.151)
manteniendo constante la distancia entre los puntos de contorno. El potencial del punto
desplazado se escoge de tal manera que se obtenga la intensidad de campo buscada.
Las caractersticas geomtricas del mtodo se pueden observar en la Fig. 3.43 b. La
diferencia de potencial en la ecuacin (3.151) es:
l E
act t
= =
, 2 1
(3.156)
El correspondiente al punto desplazado ser:
l E
des t
= =
, 2 1
(3.157)
Por simplicidad se ha fijado el punto P
1
. De este modo el cambio en la diferencia de
potencial viene dado nicamente por
2 2 2
= = . Entonces el potencial del nuevo
punto
2
P se puede expresar por:

2 , 1 , 1 2 2 2
+ = = + = l E l E
act t des t

(3.158)
De donde:

( )
des t act t
E E l
, , 2
=

(3.159)
Por otra parte la Fig. 3.43 b muestra (asumiendo un campo homogneo en el entorno del
punto P
2
), que el potencial
2
se puede escribir como:

s E =
2 2

(3.160)
La combinacin de la ecuacin (3.159) con la ecuacin (3.160) conduce a una expresin
para el desplazamiento necesario de P
2
:

l
E
E E
s
act t des t

=
, ,

(3.161)

La suposicin de que este desplazamiento es pequeo comparado con la distancia l ,
simplifica las relaciones geomtricas debido a que t
2
es normal al contorno:

l
E
E E
s
t
act t des t

sin sin
, ,
2

(3.162)
El signo del trmino
act t des t
E E
, ,
define la direccin del desplazamiento.

El contorno se representa por 15 a 20 puntos de contorno, en los que se toman los
desplazamientos t
i
normales al contorno (Fig. 3.43 b). Sus mdulos y sus sentidos se
determinan por la ecuacin (3.162) que formulada en notacin matricial ser:
| | | | | | | | 0 = +
t
E T F

(3.163)
con
| | | | | |
des t act t t
E E E =

(3.164)
3.9.4 Mtodo de Abdel-Salam
3.9.4.1 Introduccin
En 1986 Abdel-Salam [2][3] present un mtodo para optimizar la intensidad de campo
en aisladores de alta tensin en el que se modifica un perfil de un aislador de apoyo,
buscando una distribucin uniforme de la intensidad de campo tangencial a lo largo de
la superficie del aislador.
El algoritmo utiliza una tcnica de simulacin de carga modificada para conseguir un
mejor ajuste de las condiciones de contorno.
La configuracin utilizada se muestra en la Fig. 3.44.
Abdel Salam asume que el perfil del aislador se puede representar por una funcin
exponencial que depende de un parmeto R segn la frmula:
( ) ( )
{ }
2
2
9 . 0 05 . 0 2 ln
2
2
95 . 0 ,
95 . 0 05 . 0 1
05 . 0 0 ,
R R R
H z H para R R r
H z H para e R R r
H z para R r
H H z
=
+ =
+ =
=

(3.165)
donde R es el ltimo valor del radio del perfil (debido al incremento exponencial del
radio a lo largo de la direccin z desde z = 0.05H a z = 0.95H) segn se desprende de la

Fig. 3.44. Para encontrar el parmetro R que cumpla la condicin de diseo utiliza un
procedimiento muy simple. Se trata de determinar para la distribucin de campo
correspondiente a un valor de R, si es necesario aumentar o disminuir ese valor. El
criterio utilizado es que si al moverse hacia arriba en direccin del eje del aislador,
aumenta el campo, entonces es preciso aumentar R y en caso contrario disminuirlo.
En la formulacin de estas expresiones, se tienen que considerar algunas restricciones
en los puntos de contacto del aislador con los electrodos involucrados (es decir, el
electrodo de alta tensin y el plano de tierra en la configuracin mostrada en la
Fig. 3.44). Por ello en las expresiones (3.165) se ha tenido en cuenta [146][93] que un
dielctrico tiene que contactar con un electrodo con ngulos rectos para evitar la
excesiva intensificacin de campo, el llamado efecto de empotramiento.
R
0.05H
0.95H
H
Plano de tierra
Perfil no optimizado
Exponencial creciente
en el radio del perfil
Z
R
L
R1
R
R2
R
R

Fig. 3.44. Aproximacin propuesta para perfil de optimizacin.
3.9.5 Mtodo de Stih para optimizacin de electrodos y aisladores
3.9.5.1 Introduccin
En 1986 Stih [133] present un trabajo que describe un procedimiento para el diseo de
sistemas de aislamiento de alta tensin que combina la aproximacin clsica del cambio

de las distancias entre elementos del sistema con optimizacin de sus contornos
mediante arcos circulares. Se aplica en este procedimiento una tcnica de ecuacin
integral para calcular campos elctricos con simetra axial, basado en una expansin de
las densidades de carga sobre electrodos y fronteras dielctricas mediante splines
cbicos. En esta tcnica de optimizacin del contorno se introduce un nuevo paso:
suavizado de un contorno corregido por arcos circulares. Este paso permite una
descripcin geomtrica relativamente simple de un contorno corregido.
El objetivo del procedimiento de optimizacin es obtener una componente de intensidad
de campo normal distribuida uniformemente sobre la superficie del electrodo y una
intensidad de campo tangencial uniforme a lo largo de la superficie de un aislador.
3.9.5.2 Optimizacin del contorno del electrodo y del aislador
3.9.5.2.1 Descripcin del mtodo
Si el punto A en el contorno de un electrodo se mueve hacia A en la direccin normal
mientras el potencial V
E
del electrodo se mantiene constante (Fig. 3.45 a), la intensidad
de campo
A
E se incrementa a
A
E :
B A
V V
E
AB
V V
E
B E
A
B E
A
= <
=

(3.166)
Si el punto D en la superficie del aislador se mueve hacia D (Fig. 3.45 b) a lo largo de
la lnea equipotencial (normal a la direccin de la intensidad de campo), la componente
tangencial
DT
E decrece hacia
DT
E :
D C
V V
E
CD
V V
E
D C
DT
D C
DT
= <
=

(3.167)
a
b
VB
B
Electrodo
EA
VE
Aislador
C
A
A
n
D
D
VD
ED

Fig. 3.45. Campo elctrico en la superficie del electrodo y del aislador.

De este modo, moviendo el contorno del electrodo en la direccin normal (o contraria)
se puede influir en la intensidad de campo del electrodo. De modo similar, moviendo el
contorno del aislador a lo largo de la lnea equipotencial se pude influir la componente
tangencial de la intensidad de campo en la superficie del aislador.
La correccin del contorno del electrodo y del aislador se representa moviendo sus
puntos de contorno proporcionalmente a la diferencia entre los valores calculados y
deseados de los componentes de la intensidad de campo. Las coordenadas de los puntos
sobre los contornos corregidos se calculan segn la siguiente ecuacin:
|
|
.
|
\
|
+ = i
i
i
i ci b
E
E
r r 1

(3.168)
Donde:
>
<
=
d m
m
i d
d m i d
i
E k E si k
E
E E
E k E si E E
E
1 1
1

(3.169)
{ } NI i E E max E
i d m
,... 1 = =

(3.170)
i r es el vector que define el punto i-simo sobre el contorno inicial, ci r es el vector que
define el punto i-simo en el contorno corregido, i b es el vector unitario normal al
electrodo o a la direccin de intensidad de campo en el punto i-simo del contorno
inicial en el caso de la correccin del contorno del electrodo o del aislador,
respectivamente. E
d
es el valor deseado de la componente de campo elctrico, E
i
es el
valor del componente de campo elctrico en el i-simo punto del contorno inicial, NI es
el nmero de puntos en que se realiza la correccin, y k
1
es un factor que limita el
movimiento de los puntos debido a que las expresiones (3.166) y (3.167) son slo
vlidas para pequeos movimientos.
3.9.5.2.2 Tcnica de optimizacin
El siguiente paso en el proceso de optimizacin es una aproximacin de suavizado del
electrodo complejo y del contorno del aislador por arcos circulares. La aproximacin se
basa en el hecho de que dos arcos circulares se acoplan suavemente en el punto P si sus
centros se encuentran en una lnea que pasa a travs de P (Fig. 3.46).

C1
C2
P

Fig. 3.46. Dos arcos circulares suavemente acoplados.
La mejor aproximacin para un contorno corregido se determinan por el ajuste de la
curva mediante mnimos cuadrados.
La aplicacin de la correccin del contorno y la aproximacin del contorno corregido
por arcos circulares desemboca en un procedimiento iterativo para la optimizacin del
contorno de electrodos y aisladores. En un primer paso se escoge un contorno inicial y
se calcula la distribucin de intensidad de campo sobre el contorno. Si la distribucin no
es bastante prxima a una uniforme, se realizan los pasos de optimizacin del contorno
(correccin y aproximacin); este proceso se repite sucesivamente. El procedimiento
termina cuando la distribucin de intensidad de campo se aproxima de modo
satisfactorio a una distribucin uniforme. Si los movimientos del contorno son
demasiado grandes (k
1
en (3.168) es demasiado grande) el procedimiento llega a ser
inestable.
3.9.5.2.3 Suavizado de un contorno mediante arcos circulares
Para la aproximacin de suavizado de un conjunto de puntos dado G={P
i
(x
i
,y
i
)}
i=1,...NG es necesario encontrar el crculo que satisface las siguientes condiciones:
1.- El centro del crculo se encuentra sobre la lnea: y=k
g
x+l
g
.
2.- El crculo pasa a travs del punto dado P
0
(x
0
,y
0
), y
3.- El crculo es la mejor aproximacin a los puntos dados.
El problema se ilustra en la Fig. 3.47.

R
C(xc,yc)
PNG
P2
P1
P0

Fig. 3.47. Aproximacin del conjunto de puntos con un circulo.
Se requiere:
g c g c
l x k y + =

(3.171)
( ) ( ) 0
2 2
0
2
0
= + R y y x x
c c

(3.172)
donde R es el radio del crculo y x
c
, y
c
son las coordenadas de su centro. Por definicin
el crculo que es la mejor aproximacin a los puntos dados es necesario encontrar el
mnimo de la funcin F:
( ) ( )
=
|
.
|
\
|
+ =
NG
i
c i c i
R y y x x F
1
2 2 2

(3.173)
teniendo en cuenta las condiciones (3.171) y (3.172). Para este propsito se minimiza la
siguiente funcin G (multiplicadores de Lagrange):
( ) ( ) ( ) ( )
2 2
0
2
0
R y y x x b l x k y a F G
c c g c g c
+ + + =

(3.174)
Las condiciones para el mnimo de G son:
0
0 0 0 0
=
b
G
a
G
R
G
y
G
x
G
c c

(3.175)
De estas condiciones resulta un sistema de ecuaciones para las incgnitas x
c
, y
c
, R, a, b
que se puede reducir a una ecuacin no lineal para x
c
. Esa ecuacin se resuelve
numricamente. El mximo error de aproximacin (d
max
) se define por:
( ) ( ) NG i R y y x x max d
c i c i max
,.. 1
2 2
=
)
`
+ =

(3.176)

Si un conjunto de puntos dado T= P
i
(x
i
,y
i
) i=1,...NTU se va a suavizar por medio de
arcos circulares con una aproximacin de error permitido dado d
all
, y si K subconjuntos
de T :
( )
0 , ... 1
,... 1 ,... 1 ,
0 2 1
1
= < < < <
= + = =

N NTU NT NT NT
k j NT NT i y x P S
k
j j i i i j

(3.177)
han sido aproximados por k arcos circulares que satisfacen la condicin:
k j d d
all jmax
,.. 1 = <

(3.178)
Entonces el subconjunto (k+1) de puntos y los parmetros del arco (k+1) se determinan
a partir de la condicin:
all max k
d d <
+1

(3.179)
Para el subconjunto (k+1), S
k+1
= P
i
(x
i
,y
i
) i=NT
k
+1,...NT
k+1
se escoge el valor inicial
NT
k+1
=NTU. Si se satisface la ecuac. (3.179) el procedimiento de aproximacin finaliza.
Si no entonces NT
k+1
se reduce en 1 hasta que se satisface la expresin (3.179).
3.9.5.3 Aplicacin al diseo del sistema aislador
Durante la aplicacin del procedimiento descrito en el apartado anterior, la distribucin
de campo elctrico es ms prxima a la distribucin de campo uniforme deseada de un
paso al siguiente. De acuerdo con esto, si la intensidad de campo sobre el elemento del
sistema de aislamiento no ha excedido el valor permitido no hay ninguna razn para
optimizar el contorno, de este modo es necesario encontrar una geometra de sistema de
aislamiento en el que la intensidad de campo mxima sobre algunos elementos del
sistema excede al valor permitido, mientras que la intensidad de campo mnima est por
debajo de ella. En el procedimiento aqu descrito este paso se representa por el cambio
de distancias entre los elementos del sistema. En el primer paso del procedimiento se
escoge una geometra de sistema de aislamiento inicial. Puesto que el diseo del sistema
de aislamiento tiene que considerar no slo las condiciones elctricas, sino tambin las
restricciones de otros tipos (mecnica, tecnolgica, etc.) se escoge inicialmente una
geometra que satisface las ltimas restricciones. Despus del clculo de campo
elctrico y de la distribucin de componente de intensidad de campo, se evala la
relacin entre el mximo, mnimo y valores permitidos de la componente de intensidad
de campo. La continuacin del procedimiento depende de esta relacin. Existen dos
posibles modos de continuar con el proceso:
A) Cambiar la distancia entre los elementos del sistema. Si el valor mximo de
campo es ms pequeo que el valor permitido, se reducen las distancias. Si el

valor de campo mnimo es ms grande que el permitido, las distancias se
incrementan.
B) Realizar los pasos de optimizacin del contorno.
El proceso termina cuando:
u
min
max
k
E
E
<

(3.180)
all max all e
E E E k < <

(3.181)
donde E
max
y E
min
son valores mximos y mnimos de la intensidad de campo, E
all
es el
valor permitido de la intensidad de campo, k
u
es el lmite escogido del factor
uniformidad (1 < k
u
< 1.1) y k
e
es el lmite escogido de la relacin de campo mxima y
permitida (0.9 < k
e
< 1).
3.9.6 Optimizacin del contorno de aislador mediante una red
neuronal. Mtodo de Bhattacharya
Hasta ahora se han visto diversos mtodos para la optimizacin de contornos de
electrodos y aisladores que pueden ser considerados como tcnicas clsicas. Con la
ampliacin en el conocimiento sobre Redes Neuronales (NN), stas se han convertido
en una herramienta para la optimizacin del diseo.
Mediante el uso de redes neuronales se han optimizado contornos de los electrodos en
discos paralelos [25] y tambin en un par de configuraciones [16] electrdicas
toroidales.
Mukherjee et al [92] investigaron la optimizacin de la terminacin de un bus de un
sistema con aislamiento de gas (GIS) de una fase del anillo de proteccin de un
transformador, donde se ha considerado la forma de los electrodos como cuartas partes
de segmentos elpticos. En [92], se han utilizado redes neuronales para la optimizacin
de contorno de aisladores en sistemas de dielctrico mltiple, donde el grado de no
linealidad de la distribucin de campo elctrico es mucho ms alto que en el caso de
configuraciones dielctricas sencillas. Se ha experimentado en la prctica que en
muchos casos es extremadamente difcil alcanzar una distribucin de campo uniforme a
lo largo de la superficie del aislador. Por esta razn, el objetivo que fijaron Bhattacharya
et al. [17] en su trabajo no slo era alcanzar una distribucin de esfuerzo uniforme a lo
largo de la superficie del aislador, sino tambin alcanzar una distribucin de esfuerzo
predefinida a lo largo de la superficie del aislador. Este objetivo se consigui mediante
entrenamiento de redes neuronales. Se estudian tres casos diferentes de optimizacin de

contornos de aisladores. En los tres casos, los sistemas bajo consideracin son
asimtricos, comprendiendo dos dielctricos, es decir, un dielctrico slido y un gas.
Para la optimizacin de estos contornos de aisladores de soporte asimtricos se han
empleado redes de realimentacin multicapa y algoritmos de aprendizaje de
retropropagacin. En relacin a la implementacin de redes neuronales, las geometras
de contorno y los esfuerzos elctricos a lo largo de la superficie de estos aisladores se
toman como patrones de entrada y salida. Los patrones de entrenamiento se obtienen a
travs de los clculos de campo elctrico para contornos de aisladores predefinidos
Puesto que dichos patrones de entrenamiento de la entrada/salida son conocidos para la
optimizacin de contornos de aisladores, se usa el aprendizaje [8] supervisado para
entrenamiento de redes de realimentacin multicapa. Las redes de realimentacin
multicapa se entrenan usando dos algoritmos de aprendizaje diferentes, a saber
retropropagacin (BACKPROP) [110] y propagacin flexible [21]. En ambos
algoritmos de aprendizaje, se toma una funcin sigmoidal que es la funcin de
activacin de todas las neuronas excepto las de la capa de entrada. La propiedad de
convergencia y la exactitud del entrenamiento es fuertemente dependiente del escalado
de los datos de entrada/salida. Los datos de entrada son normalizados usando sus
valores medios y desviacin estndar, mientras que los datos de salida se normalizan
usando sus valores mximos, como se describe en [122][106]. Se procede a la
comparacin de la distribucin de esfuerzo deseado y la distribucin de esfuerzo actual
a lo largo del perfil del aislador optimizado, obtenido a partir de la salida de las redes
neuronales.
Como prueba del mtodo se tom la misma configuracin de Abdel-Salam. El mtodo
se aplic a tres variantes de contorno de aislador, uno con forma elptica, otro con forma
rectilnea y otro con la misma funcin exponencial de Abdel-Salam.

3.10 Optimizacin de aisladores en funcin de la intensidad
de campo total en la superficie del aislador
3.10.1 Diseo ptimo y comprobacin de laboratorio de separadores
de tipo poste para tres fases en cables aislados de SF
6
. Mtodo de
Mashikian
3.10.1.1 Introduccin
Mashikian et al. [79] en 1978 desarrollaron un mtodo para el diseo optimizado de
separadores de tipo poste para cables trifsicos con aislamiento de hexafluoruro de
azufre.
El diseo de aisladores slidos (separadores) requeridos para el soporte de conductores
de cables trifsicos aislados con gas de hexafluoruro de azufre presenta problemas
elctricos y estructurales. Elctricamente la principal dificultad reside en presentar una
configuracin de separador que minimice el fenmeno de aumento de campo que tiende
a ocurrir en el gas, en el contorno del separador. Estructuralmente, el problema se
refiere a la determinacin de las fuerzas electrodinmicas que actan sobre los
conductores y la seleccin de separadores diseados para resistir el resultado de los
esfuerzos mecnicos.
El fenmeno del aumento de campo elctrico en el contorno separador/gas ha sido
estudiado y existen mtodos que sugieren reducir su magnitud [29][27] o evaluar
experimentalmente su efecto [134]. No se ha presentado una aproximacin sistemtica
al diseo del mnimo tamao (ptimo) del separador capaz de satisfacer requerimientos
de fabricacin elctricos y estructurales. El objeto de este trabajo fue describir un
mtodo aplicado al diseo de separadores de tipo poste.
3.10.1.2 Suposiciones de la filosofa de optimizacin
El cable trifsico bajo consideracin se ilustra en la Fig. 3.48. Consiste en tres
conductores equidistantes encerrados en una cubierta conductora y soportados, en
intervalos regulares, por separadores slidos de tipo poste. Estos pueden ser moldeados
alrededor de los conductores o sujetos por medio de piezas metlicas. El tamao relativo
y la posicin de los conductores que producen el esfuerzo elctrico mximo ms bajo se
ha especificado previamente [136].

WA
CONDUCTOR
GAS SF6
SEPARADOR
C B
A
WC
WB CUBIERTA
EXTERIOR

Fig. 3.48. Separadores De tipo poste usados cable aislado SF
6
de 3 fases.
Aqu se define un separador ptimo como el que tiene el volumen mnimo de material,
que posibilita cumplir con su funcin estructural sin afectar la integridad elctrica del
sistema del cable. Se realizan las siguientes suposiciones:
a.- El procedimiento de optimizacin se realiza en un plano radial, lo que implica una
invarianza axial. Para un sistema que vara a lo largo del eje, el mismo procedimiento se
puede aplicar a cualquier plano en el que la intensidad de campo elctrico se determina
por anlisis tridimensional [89].
b.- El cable est libre de partculas que pueden alterar drsticamente el mecanismo de
ruptura del dielctrico en el gas.
c.- El diseo del sistema del cable es tal que no se induce en los separadores ningn
esfuerzo mecnico significativo como resultado de la expansin trmica del conductor.
3.10.1.3 Restricciones estructurales
Un separador debera de ser diseado estructuralmente para resistir el esfuerzo
mecnico inducido en l durante todas las condiciones de operacin. Adems del peso
del conductor W (Fig. 3.48), cada separador est sujeto a fuerzas electrodinmicas
causadas por el conductor y las corrientes de la cubierta exterior.
En operacin normal, los esfuerzos alternos (100-120 Hz) en un separador pueden ser
causa de un fallo inducido por la fatiga.
Durante los cortocircuitos, se preveen esfuerzos mayores. Se examinaron las siguientes
4 condiciones de fallo: tres fases simtricas, dos fases, dos fases a tierra, una nica fase
a tierra.
Con estas consideraciones, los perfiles mnimos de un separador, diseado
estructuralmente para una de las condiciones de fallo, se muestran en la Fig. 3.49. Estos

son seleccionados para que el esfuerzo mximo en cualquier seccin sea igual. Para los
casos considerados, las fuerzas electrodinmicas producidas en un fallo trifsico
dictaran las dimensiones del corte transversal mnimas de un separador.
FALLO 2 FASES
FALLO 3 FASES
FALLO 2 FASES A TIERRA
FALLO 1 FASES A TIERRA

Fig. 3.49. Perfiles de separador mnimo requerido estructuralmente correspondientes a diferentes
condiciones de fallo.
3.10.1.4 Consideraciones elctricas
Son posibles dos modos de fallos elctricos:
a. Ruptura del material separador, normalmente iniciado por descargas parciales.
b. Ruptura del gas en el contorno del separador por ionizacin y formacin de
serpentina.
Para excluir la ruptura elctrica a travs de un separador, tal como el realizado con
relleno de epoxy, la tensin de descarga parcial debera ser ms alta que la mxima
tensin de operacin en todas las condiciones de servicio. Esta se escoge por exclusin
de huecos e impurezas del separador controlando su diseo para que el esfuerzo
elctrico mximo no exceda de 4.5 kV/mm. Este esfuerzo es significativamente ms
bajo que el campo de ruptura de los compuestos de epoxy usados (20 kV/mm) y est en
el rango de los esfuerzos encontrados en sistemas de conductores aislados SF
6
. Sin
embargo este nivel de esfuerzo de ningn modo representa una figura de diseo mxima
firme, y se puede exceder si los separadores epoxy moldeados se pueden producir de
modo consistente libres de huecos e impurezas. La optimizacin del separador
(reduccin al mnimo valor) ayudar a alcanzar esta condicin.
La ruptura del dielctrico que ocurre en el gas, en el contorno del separador, es
generalmente la ms difcil de prevenir, y tambin de encontrar el criterio de
optimizacin. Cuando la intensidad del campo elctrico en el gas SF
6
excede un valor

crtico E
c
, ocurren dos fenmenos: un fenmeno de ionizacin, caracterizado por un
coeficiente , que tiende a multiplicar el nmero de electrones; y un fenmeno de
rejuntamiento de electrones, caracterizado por un coeficiente , que tiende a impedir el
progreso de la ionizacin. El nmero neto de electrones libres se obtiene a partir de la
siguiente expresin [20][70]:
( ) ( ) dS E E dS N
C C
S
C
S

= =
0 0
27 ln

(3.182)
donde s es la trayectoria lineal de los electrones en cm y S
c
es la distancia por encima de
la cual la intensidad de campo elctrico E es menor que el valor crtico E
c
(89 kV/cm en
1 atmsfera absoluta). Se forma una serpentina si N = N
c
= 10
8
electrones. Los clculos
para una presin de gas de 2 atmsferas muestran que, cuando E > E
c
, se formara una
serpentina dentro de una distancia s menor que 0.1 cm. Esto equivale a asumir que la
ruptura de un dielctrico ocurrira en cualquier parte del gas donde la intensidad de
campo excede a E
c
. En el diseo de un separador de cable, la intensidad de campo
elctrico en la interfaz separador/gas estara controlada para que sea igual o menor que
la que prevalece en cualquier punto fuera del separador. Puesto que la intensidad de
campo mxima en un cable ocurre en la superficie de un conductor, la intensidad en la
interfaz separador/gas estara por debajo de este valor.
La magnitud de la intensidad de campo elctrico E
2
en el lado del gas del contorno del
separador (Fig. 3.50) est relacionada con la del lado del dielctrico del slido E
1
por las
siguientes relaciones:
1 2
ME E =

(3.183)
( )
2 2 2
cos 1 = k k M

(3.184)
Donde k es la permitividad relativa del material separador y es el ngulo que el vector
campo elctrico E
1
forma con el contorno separador. El factor M es el factor de aumento
del campo elctrico. Si E
1
es conocido, se puede determinar el valor de M de modo que
E
2
E
c
. M es uno para = 0
0
y mximo (igual a k) para = 90
0
. De ah, que el mayor
valor permisible del ngulo se puede obtener de la ecuacin (3.184). As, se puede
determinar el perfil del separador que cumple las restricciones elctricas, es decir, E
2

E
c
.

SLIDO
DIELCTRICO
2 E
E
1
cos = E
2
cos
E
1
k sen = E
2
sen

GAS SF
6

1 E

Fig. 3.50. Aumento del esfuerzo elctrico en el gas en el contorno del separador.
3.10.1.5 Algoritmo de optimizacin
Las restricciones elctricas requieren la determinacin del campo elctrico dentro del
cable. Bajo las condiciones de tres fases equilibradas, cuando la tensin de un conductor
es +1.0 p.u., las tensiones de los otros dos conductores son 0.5 p.u. y el soporte del
separador del primer conductor est sometido al gradiente elctrico ms alto [143]. A
continuacin se explica el algoritmo de optimizacin utilizado para este separador en
particular.
Se determina la intensidad de campo elctrico para un sistema de cable sin separadores,
y el mximo valor que ocurre en la superficie del conductor se denota como E
m
. A
continuacin se dibuja el perfil de separador mnimo obtenido de las consideraciones
estructurales (Fig. 3.51 a) y su interseccin A con el conductor se selecciona como
punto de inicio para el perfil de optimizacin. El gradiente crtico E
c
se fija como f E
m

donde f es un coeficiente positivo arbitrario igual o menor que la unidad. Se empieza en
el punto A, dndole al coeficiente f su valor ms bajo (0.7), y se determina el ngulo
mximo disponible entre la lnea de flujo elctrico y el contorno del separador de la
siguiente manera:
Sea E
g
la magnitud del campo elctrico en el lado del gas del contorno del separador y
E
S
el correspondiente valor dentro del material dielctrico separador. Estos estn
relacionados por:
S g
ME E =

(3.185)
donde M es un factor de multiplicacin de esfuerzo dado por:
2
2 2
cos 1
(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
g
S
g
S
M

(3.186)

En esta expresin,
S
y
g
son las permitividades del separador y gas, respectivamente.
Para el valor calculado del campo en el separador E
S
y el mximo valor del campo
elctrico admisible en el gas E
c
el valor del coeficiente M es:
S
c
E
E
M =

(3.187)
Y se despeja el valor correspondiente de en la ecuacin (3.186):
2
1
1
arccos
2
2
2
(
(
(
(
(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
g
S
g
S
M
a

(3.188)
La direccin del contorno se escoge entonces de manera que forme un ngulo con la
direccin de la intensidad de campo calculada. Si el campo en A es demasiado alto
(mayor que E
c
), se utiliza como punto de inicio el punto siguiente A
1
sobre el contorno
del conductor. El proceso descrito se contina hasta que el perfil modificado se junta
con el perfil mnimo. El rea bajo el perfil seleccionado se considera ahora rellenada
con el material del separador, la distribucin de campo elctrico se recalcula y se repite
el mismo procedimiento.
Puede ser necesario repetir este proceso varias veces, dando al factor f valores cada vez
mayores de forma gradual, hasta que se alcance el valor ms grande deseado. Los
perfiles obtenidos por sucesivos valores se ilustran en la Fig. 3.51 b. La seleccin de
valores crecientes gradualmente para f permite que el perfil de cada iteracin se
encuentre en el interior del perfil determinado por la iteracin anterior.

PERFIL MNIMO
D
CONDUCTOR
PERFIL MNIMO
S
4
S
1
S
3
S
2
b).- Perfiles correspondientes a las sucesivas iteraciones.
CONDUCTOR
j=1
2
3
4
5
k=1
3
5
4
2
E
C
B
A
1
A
a).- Determinacin del perfil mnimo.

Fig. 3.51. Algoritmo de optimizacin del separador.
3.10.2 Mtodo de T. Misaki y H. Tsuboi
En 1982 Misaki present un mtodo para optimizar aisladores basado en un mtodo de
cargas superficiales mejorado para el clculo de distribuciones de campo elctricas
tridimensionales [87].
3.10.2.1.1 Descripcin del mtodo
El objetivo de la optimizacin es la reduccin del mximo del mdulo de la intensidad
de campo. La modificacin del contorno se lleva a cabo para actuar, bien sobre la
componente tangencial, bien sobre la componente normal de la intensidad de campo. En
la Fig. 3.52 (a) si el punto B se mueve hacia B mientras el potencial de la superficie del
aislador se mantiene constante, la intensidad de campo tangencial,
t
E , decrece a
t
E , y
entonces:

t
a b a b
t
E
AB
V V
B A
V V
E =
<
=
(3.189)
fn
Vc
C
En
D
En
D
Vd
b)
B
Vb
n
A Et
ft
Va
a)
t
E
B
n

Fig. 3.52. Campo elctrico y esfuerzo de Maxwell en la superficie del aislador.
En la Fig. 3.52 (b) cuando se mueve el punto D al punto D mientras el potencial de la
superficie del aislador se mantiene constante, la intensidad de campo normal,
n
E ,
decrece a
n
E , y entonces:
n
c d c d
n
E
DC
V V
D C
V V
E =
<
=
(3.190)
Segn esto, al mover el contorno del aislador en la direccin del vector normal, la
componente tangencial disminuye si las lneas equipotenciales son perpendiculares al
contorno del aislador, mientras que movindolo en direccin contraria es la componente
normal la que disminuye cuando las lneas equipotenciales son paralelas al contorno del
aislador. A travs de la componente normal y tangencial se influye en el mdulo de la
intensidad de campo. Para reducir el mdulo de la intensidad de campo sera necesario
un desplazamiento positivo cuando la intensidad de campo en la superficie del aislador
es tangencial y negativo cuando la intensidad de campo en la superficie del aislador es
normal. Esto se puede conseguir automticamente haciendo el desplazamiento
proporcional al esfuerzo de Maxwell normal a la superficie, considerando uno de los
lados, que viene dado por:
2 2
2
1
2
1
t n
E E f =
(3.191)
El vector de correccin
i
C
r
en cualquier punto de la superficie del aislador es:
n n kf C
i
v r
r
= (3.192)
Donde n
r
es el vector normal en la superficie del aislador y k es un parmetro de
correccin.

3.10.2.1.2 Aplicaciones de tcnicas de optimizacin de funciones no lineales
Para la determinacin de los parmetros de modificacin de los contornos H. Tsuboi y
T. Misaki aplicaron posteriormente [138] tcnicas de optimizacin no lineales segn se
describe a continuacin.
Se define una funcin objetivo W como:
( ) | | | |
0
1
2
1
2
0 i i i
L
i
T
i
L
i
i i
E E w donde w w w E E W = = = =

= =

(3.193)
Donde E
i
y E
io
son las intensidades de campo elctrico deseado y la intensidad de
campo elctrico calculado en el nodo i, respectivamente, y L es el nmero de nodos en
los que se desea fijar la intensidad de campo elctrico.
Los nodos sobre el electrodo o aislador que va a ser optimizado se mueven slo en la
direccin del vector normal para reducir el nmero de variables de diseo. El vector de
variables de diseo consiste en el desplazamiento de los nodos y viene dado por:
| | | |
T
M j
x x x x x =
2 1

(3.194)
donde x
j
es el desplazamiento del nodo j en la direccin normal y M es el nmero de los
nodos que van a ser modificados.
El vector de variables de diseo, [x], se determina para que la funcin objetivo se
minimice. La solucin aproximada de [x] en el k-simo paso del proceso iterativo viene
dada por:
| | | | | |
k k k k
d x x + =
+1

(3.195)
donde [d]
k
es el vector de la direccin de bsqueda en el espacio de las variables [x] y
k
es el coeficiente que va a ser determinado por el mtodo de bsqueda lineal.
[d]
k
viene dado del siguiente modo:
| | | | ( ) ( ) Newton Gauss de Mtodo w G d
k k k
=
1

(3.196)
| | | | ( ) Newton Cuasi de Mtodo w H d
k k k
=

(3.197)
| | | |
( )
( )
( ) Conjugado Gradiente del Mtodo
w w
w w
d w d
k
T
k
k
T
k
k k k
(

+ =

1 1
1

(3.198)
| | ( ) Pendiente Mxima la de Mtodo w d
k k
=

(3.199)

Donde
| | | | w J w
T
2 =

| | | | | | J J G
T
2 =

[H] es la matriz Hessiana y [J] la matriz Jacobiana.
Usando la ecuacin (3.194), [J] se puede escribir como:
| |
| | | | | | | | | | | |
(
=
(
=
M M
x
E
x
E
x
E
x
w
x
w
x
w
J
2 1 2 1

(3.200)
El vector campo elctrico [E] viene dado por:
| | | || | F E =

(3.201)
Donde [F] es una matriz de coeficientes. La ecuacin resultante de aplicar el mtodo de
cargas superficiales se puede escribir como:
| || | | | v C =

(3.202)
Utilizando las ecuaciones (3.202) y (3.201), se puede obtener:
| | | |
| | | |
| |
| |
|
|
.
|
\
|

j j j
x
C
C F
x
F
x
E
1

(3.203)
La optimizacin se realiza automticamente por medio de un programa que tiene dos
partes. Una se utiliza para determinar la direccin de bsqueda, y otra se usa para
determinar el vector de variable de diseo y modificar los contornos del electrodo y
aislador. Se realizan iteraciones hasta que la funcin objetivo alcanza un valor mnimo.
3.10.3 Estructura mejorada para evitar intensificacin de campo
local en separadores de gas SF
6
. Mtodo de Itaka
En 1983 K. Itaka et al. [59] presentaron un trabajo de investigacin sobre los problemas
concernientes a la intensificacin de campo elctrico local en un separador cnico
ajustado entre bridas en aparatos aislados con gas SF
6
. Las estructuras convencionales,
en las que superficies planas del separador estn en contacto con esquinas redondeadas
de la brida, algunas veces causan descargas superficiales en tensiones
considerablemente bajas a causa de intensificacin de campo local. Estas descargas
superficiales son debidas a dos causas. El separador hace contacto con la brida en la
interfaz entre una superficie redondeada y una superficie plana en la que se ha
incrementado el esfuerzo elctrico. Adems la regin del gas en la vecindad de la
interfaz brida-separador llega a ser como una cua a causa de la esquina redondeada de

la brida. Se realizaron algunos intentos de reducir la intensidad de campo local como la
reduccin de la constante dielctrica, la reduccin del dimetro del electrodo interior y
la reduccin de la anchura o profundidad del separador entre bridas, no produciendo
ninguna de estas tentativas reducciones sustanciales.
A pesar de que este trabajo no representa un proceso de optimizacin de contornos
propiamente dicho su inters radica en que se propuso una estructura mejorada. El
tamao de la superficie del separador y la posicin del contacto se cambian ligeramente
para evitar la intensificacin de campo local cerca de la interfaz separador-brida sin usar
piezas metlicas. La estructura mejorada es la siguiente:
1. El separador hace contacto con la brida en el punto Q donde el esfuerzo elctrico se
reduce comparndolo con el esfuerzo en el punto P (M: mximo esfuerzo elctrico).
2. El ngulo recto entre el separador y la brida evita la singularidad del campo.
s
r
w
Q
M
d
a
P
l
g
SEPARADOR
CUBIERTA

Fig. 3.53. Estructura mejorada para la reduccin de intensificacin da campo local.
Los resultados del esfuerzo elctrico en funcin de las diferentes formas de la brida se
presentan en la siguiente figura.

a
g = 0 mm
r = 3 mm.
g = 2.5 mm
r = 2.5 mm.
s = 3 mm
a
ESFUERZO ELCTRICO RELATIVO.
w = 25 mm.
d = 20 mm.
a [mm]
5 10 20 15
25
0.5
1.5
1.0
g = 0 mm
r = 8 mm.
a
INTERFAZ SEPARADOR-
ELECTRODO

Fig. 3.54. Diseo de la interfaz separador-brida y distribuciones de campo.
3.10.4 Mtodo de Tokumasu
En 1984 Tokumasu [137] present un mtodo para el diseo de optimizacin de
electrodos y aisladores. El clculo de campo se realiza mediante el mtodo de elementos
de contorno. Se plantean dos posibles objetivos de optimizacin. El primero es reducir
la intensidad de campo por debajo de un valor mximo permitido. El segundo, obtener
una distribucin de campo uniforme.
3.10.4.2 Mtodo de optimizacin
Se plantea un problema de mnimos cuadrados, en el que se minimiza la funcin W dada
por:
( ) ( ) { } min W
N
j
i j i
=
=
2
1

(3.204)
donde
i
son parmetros que especifican la geometra y
j
son funciones que miden la
desviacin entre los campos calculados y los pretendidos.

La geometra de electrodos y aisladores se caracteriza por puntos nodales en los
contornos. Los parmetros
i
se pueden elegir como desplazamientos de los puntos
nodales respecto de las posiciones de ensayo.
3.10.4.2.1 Reduccin de la intensidad de campo por debajo de un valor
mximo
La geometra inicial viene dada como la aproximacin 0-sima y para ella se calculan
las intensidades de campo en los puntos nodales de los contornos. Se definen dos
regiones: una regin de estimacin de campo con M puntos nodales y una regin de
modificacin de la geometra, incluida en la anterior, con N puntos nodales (Fig. 3.55).
Dentro de la regin de modificacin de la geometra, y una vez realizado el clculo del
campo, se determinan L puntos (de m
1
...a m
L
) en el que el campo calculado es mayor
que el permitido:
( )
L j i j
m j m para E E >
1
0 0

(3.205)
donde
0
i
son los parmetros correspondientes a la geometra inicial, (son iguales a cero
al comenzar el problema), y
0
j
E y
j
E
son las intensidades de campo calculadas y

permitidas respectivamente.
mL
Regin de estimacin de campo
Regin de modificacin
de geometra.
E: campo elctrico.
E
: campo elctrico permitido.

m1

Fig. 3.55. Regin sujeta a la optimizacin y regin para monitorizacin.
En una primera iteracin se modifican los
i
segn:
i i i
+ =
0 1

(3.206)
Las funciones de error para las desviaciones de las intensidades de campo respecto de
las permitividades se definen para el contorno modificado como:


j j j
j j j j j
E E si
E E si E E
0

1
1 1
=
> =

(3.207)
Pero, como an no estn calculadas las
1
j
E , se utiliza como valor de referencia para las
funciones de error, el valor previo de las intensidades de campo segn:
j j j
j j j j j
E E si
E E si E E
0

0
0 1
=
> =

(3.208)
Y la funcin objetivo W se define como:
( ) ( )

= =
= =
L
m
m j
j
M
j
j
W
1
2
1
2

(3.209)
Sustituyendo la (3.208) en la (3.209) resulta:
( ) ( )
=
=
L
m
m j
j j i
E E W
1
2
1

(3.210)
1
j
E se expresa entonces como funcin de los parmetros de optimizacin:
=
+ = + =
N
i
i ji j j j j
H E E E E
1
0 0 1

(3.211)
La ecuacin (3.210) se transforma entonces en:
( )

= =
|
|
.
|
\
|
+ =
L
m
m j
N
i
i ji j j i
H E E W
1
2
1
0

(3.212)
Derivando respecto a los
i
e igualando a cero se obtienen las condiciones de mnimo:
( )
N k
N i
con H E E H
L
m
m j
N
k
k jk j j ji

=
+

= =
1
1
0
1
1
0

(3.213)
Esta ecuacin tiene el inconveniente de que no se impone ninguna restriccin en la
intensidad de campo en los puntos en que esta se encuentra por debajo del lmite
marcado antes de modificar el contorno. Esto podra llevar a que, en el contorno
modificado, la intensidad de campo en esos puntos se elevara por encima del valor
permitido. Para evitar esto se pueden definir las funciones error como:
j j j j j
E E si E E

0 1
> =

(3.214)
j j j j j
E E si E E

0 0 1
=

(3.215)

Lo que equivale a mantener constante la intensidad de campo en los puntos comentados.
Pero esta condicin puede ser demasiado restrictiva, pues en puntos donde la intensidad
de campo est muy por debajo del valor mximo admisible, bien se podra permitir un
aumento de la intensidad de campo. Esto se puede conseguir definiendo unos pesos en
las funciones de error dados por:
j j
j
j
j
j j j
E E si
E
E
E E si
1
0
4
0
0
|
|
.
|
\
|
=
> =

(3.216)
Redefiniendo la funcin de error como:
( )

= =
|
|
.
|
\
|
+ =
M
j
N
i
i ji j j i
H P W
1
2
1
2

(3.217)
donde:
j j j
j j j j j
E E si P
E E si E E P
0

0
0 0
=
> =

(3.218)
Y las nuevas ecuaciones de minimizacin resultan:
N k
N i
H P H
M
j
N
k
k jk j ji j

=
+

= =
1
1
0
1 1
2

(3.219)
Este proceso se repite iterativamente hasta que se cumplan las condiciones de
optimizacin. Si el proceso no converge es preciso determinar de nuevo los H
ji
en
funcin de la solucin final.
3.10.4.2.2 Obtencin de una distribucin uniforme de intensidad de campo
Como la intensidad de campo objetivo es desconocida se define como intensidad de
campo objetivo el valor medio en la regin de estimacin de campo.
M E E
M
j
j m
|
|
.
|
\
|
=

=1
0

(3.220)
Las funciones de error se definen como:
m j j
E E =
1

(3.221)
Y la funcin objetivo es ahora:
( )

= =
|
.
|
\
|
+ =
M
j
N
i
i ji m j i
H E E W
1
2
1
0

(3.222)

Y las condiciones de minimizacin son:
N k
N i
H E E H
M
j
N
k
k jk m j ji

=
)
`
+

= =
1
1
0
1 1
0

(3.223)
Esta ecuacin se resuelve para
i
. Por iteracin de este proceso se alcanza la
distribucin de campo optimizado.
3.10.5 Mtodo de Andjelic
En 1988, Z. Andjelic, B. Krastajic y S. Milojkovic [11] presentaron un procedimiento
para el clculo de la forma ptima de electrodos y dielctricos basado en el concepto de
superficies virtuales. El clculo del campo se realiza con el mtodo de los elementos de
contorno.
El objetivo de la optimizacin es obtener una distribucin dada de presin electrosttica,
sobre una superficie, segn [12]:
( )
|
|
.
|
\
|
+ =
2
2
2 1
2
2 2 1
1
2
1
n t
D E p

(3.224)
2
2 2
2
2 2
2
2
2
2
1
2
1
2
1
E E
D
p
n
n

= = =
(3.225)
La primera expresin se utiliza para las interfaces de contorno entre 2 dielctricos,
mientras la segunda se usa para las interfaces de los contornos entre conductores y
dielctricos.
3.10.5.2 Utilizacin de las superficies virtuales
Para simplificar los clculos y reducir el tiempo de clculo se sustituyen las partes no
sometidas a optimizacin por una superficie virtual.
El procedimiento donde la influencia de una parte del sistema complejo se reemplaza
por la influencia de una superficie virtual, se ilustra en el siguiente ejemplo.
Se considera un sistema complejo como el mostrado en la siguiente Fig. 3.56. Sea la
superficie S
0
, cuya forma ptima se quiere encontrar, y N
0
nodos principales. Se sealan
las otras superficies S
a
, S
b
, S
c
,..,S
n
como S
1
, y con N
1
nodos principales en ellas. Esto
significa que cuando se resuelva el sistema completo, se debera formar una matriz [A],
con las dimensiones (N
0
+N
1
, N
0
+ N
1
).

S0
S2 Sa
Sb
Sn
S1
Q0
Q20
Q21
V0
Q1
Fig. 3.56. Superficies arbitrarias S
2
alrededor de la superficie S
0
que va a ser optimizada.
Alrededor de la superficie S
0
, se cierra dicha superficie con una superficie arbitraria S
2

en la que se toman N
2
nudos. Las matrices [V
0
] y [V
1
] son los potenciales conocidos de
las superficies S
0
y S
1
, respectivamente. Se toman los potenciales en los nodos
principales N
2
de la superficie virtual S
2
para que sean los valores de la matriz [V
2
].
Entonces para el espacio entre S
1
y S
2
se puede escribir:
| | | | | | | | | |
1 21 12 1 11
V Q A Q A = +
(3.226)
| || | | || | | |
2 21 22 1 21
V Q A Q A = +
(3.227)
Mientras para el espacio entre S
0
y S
2
se pueden usar las siguientes ecuaciones:
| | | | | | | | | |
0 20 02 0 00
V Q A Q A = +
(3.228)
| || | | || | | |
2 20 22 0 20
V Q A Q A = +
(3.229)
En las ecuaciones previas, las matrices [A
11
] y [A
22
] y [A
00
] representan las partes de la
matriz de coeficientes [A] del sistema global completo que se refieren a los nodos N
1
,
N
2
y N
0
de las superficies S
1
, S
2
y S
0
respectivamente, y son el resultado de las cargas
de los elementos de contorno de estas superficies. De este modo, [A
11
] representa las
influencias de las cargas superficiales de la superficie S
1
sobre sus propios nodos N
1
.
Por otra parte, los potenciales desconocidos de los nodos N
2
de la superficie virtual S
2

se determinan a partir de la ecuacin:

| || | | || | | |
2 0 20 1 21
V Q A Q A = +
(3.230)
Las ecuaciones (3.226) a (3.230) representan un sistema de ecuaciones bien definido
con las incgnitas [Q
21
], [Q
20
], [Q
1
], [Q
0
] y [V
2
]. El objetivo es reducir este sistema de 5
ecuaciones a un sistema de 2 ecuaciones matriciales con las incgnitas [Q
0
] y [Q
20
]. Por
eliminacin de la [Q
21
], [Q
1
] y [V
2
], se obtiene el siguiente sistema de ecuaciones:
| | | | | | | | | |
| | | | | | | | ( ) | | | | | | | | | | | | | |
1
1
11 21 20 22 0 20
1
22 12
1
11 21
0 20 02 0 00
V A A Q A Q A A A A A
V Q A Q A

= +
= +

(3.231)
Es decir:
| | | | | | | | | |
| | | | | | | | | |
2 20 22 0 20
0 20 02 0 00
V Q A Q A
V Q A Q A
= +
= +

(3.232)
donde:
| | | | | | | | | | ( )| | | | | |
20 20
1
22 12
1
11 21 20
A B A A A A A A = =

(3.233)
| | | | | | | |
1
1
11 21 2
V A A V

=
(3.234)
Este sistema de ecuaciones tiene una matriz de dimensin (N
0
+ N
2
, N
0
+ N
2
), que es
mucho menor que la dimensin matricial del sistema inicial.
Las cargas reducidas [Q
20
] y [Q
21
] de las fuentes secundarias de la superficie virtual se
pueden tratar como una capa de cargas simple, teniendo en cuenta la continuidad del
potencial sobre la superficie S
2
, es decir de las ecuaciones (3.227) y (3.230):
| || | | || | | |
| || | | || | | |
2 0 20 1 21
2 21 22 1 21
V Q A Q A
V Q A Q A
= +
= +

(3.235)
De donde:
| || | | || |
0 20 21 22
Q A Q A =
(3.236)
3.10.5.3 Optimizacin de los contornos
Se asume que se quiere optimizar la interfaz de contorno entre 2 superficies dielctricas
con las constantes dielctricas
1
y
2
. (Fig. 3.57). Despus de realizar el clculo del
esfuerzo elctrico en todos los puntos (de acuerdo a la relacin (3.224)) sobre la
superficie de contorno que es objeto de la optimizacin, se define el valor referente de
la presin de Maxwell. El principal objetivo de la optimizacin es reducir el valor ms
alto del esfuerzo elctrico por debajo del valor de referencia. El criterio establecido de
este modo, se denomina criterio de optimizacin local.

n
r
n
r
i
p
r
n
r
1
p
r
2
p
r
3
p
r
n
r
i
c
r
i
p
r
i
p
r
n
r
1
2
3 i
2
!
1
1
I(x2, y2, z2)
I(x1, y1, z1)
i
a) b)
2

Fig. 3.57. a) La direccin del vector presin y el vector normal n
r
a lo largo de la interfaz de contorno
entre los diferentes medios b) Movimiento virtual de la superficie.
Asumiendo que
2
>
1
. Entonces:
ref i i
p p p =
(3.237)
El vector
i
p
r
est en la direccin del vector normal
i
n
r
(Fig. 3.57 b), lo que significa
que se reduce el valor absoluto del vector
i
p
r
.
( ) k p j p i p I n p p
z y x i i i
r r r
r r
+ + = =
0
(3.238)
El vector de correccin
i
c
r
es entonces:
k c p j c p i c p c
i z i y i x i
r r r
r
+ + =
(3.239)
donde c
i
es un factor de correccin.
Teniendo en consideracin que el vector
i
c
r
se define como:
( ) ( ) ( )k z z j y y i x x c
i
r r r
r
1 2 1 2 1 2
+ + =
(3.240)
Las relaciones (3.239) y (3.240) nos dan:
i z i y i x
c p z z c p y y c p x x = = =
1 2 1 2 1 2
(3.241)
donde (x
2
, y
2
, z
2
) son las nuevas coordenadas.

Para
2
<
1
, en un modo similar se obtiene:
i z i y i x
c p z z c p y y c p x x + = + = + =
1 2 1 2 1 2
(3.242)
Moviendo la superficie de contorno de este modo, paso a paso, se disminuye el esfuerzo
elctrico mayor hasta que su valor se site por debajo del valor permitido (valor de
referencia ).

ref
ref i
p
p p

(3.243)
Este criterio local de movimiento de los puntos, a menudo da un efecto de oscilacin
no deseado. En estos caso, es beneficioso introducir un criterio ms estricto que permite
el incremento del esfuerzo elctrico en los puntos que no son crticos, para la reduccin
del esfuerzo elctrico en los puntos crticos.
El criterio de optimizacin local es aplicable cuando se optimiza un sistema de una
estructura simtrica o de modo separado un cuerpo distinguido, donde se asume una
disminucin de la presin electrosttica en cada punto. En estructuras asimtricas, el uso
del criterio local conduce a la oscilacin del procedimiento de optimizacin.
Para superar esta dificultad, se introduce un criterio ms fuerte, denominado criterio
maestro. Este criterio fuerza al movimiento de la superficie en una direccin que
permite un incremento en la presin electrosttica en algunos puntos de la superficie,
para disminuir la presin en los puntos crticos. Para explicar esto, se asume que se
dispone una distribucin de la presin como se muestra en la Fig. 3.58, lnea a.
Presin Valor medio
c
b
a
Puntos crticos
7 10 12 1 2 3 4 5 6 8 9 11 13 14 Indice de Punto
Fig. 3.58. La distribucin de los valores de presin durante las iteraciones de optimizacin.

La primera etapa en este procedimiento es el ensayo del salto por medio de la cual la
decisin se toma sobre la direccin donde se mueve la superficie para reducir la presin
en el punto crtico ( o puntos crticos). Se examinan tres casos:
El siguiente salto de ensayo, las presiones en todos los puntos disminuyen,
El siguiente paso, las presiones en todos los puntos aumentan,
En algunos puntos la presin disminuye, mientras en otros aumenta.
Est claro que la aplicacin del criterio local es posible solamente en el primer caso,
mientras en los otros dos pueden aparecer las oscilaciones.
Aplicando el criterio maestro, se contina moviendo la superficie en algunos puntos en
la direccin que proporciona el incremento de la presin en aquellos puntos para
disminuir la presin en puntos crticos.
El procedimiento se repite hasta que las presiones en los puntos crticos toman valores
ms pequeos que aquellos asignados previamente, lnea b de la Fig. 3.58, o hasta que
la presin en otros puntos alcanza valores crticos, lnea c en la misma figura.
3.10.6 Mtodo de Dumling
En 1988-1989 Dumling y Singer [120][32] presentaron un mtodo para optimizacin
de contornos de aisladores de acuerdo con una distribucin de campo dada a lo largo de
sus superficies. El clculo de campo se realiza por medio del mtodo de cargas
superficiales. En el trabajo se estudia la influencia del material aislante en los contornos
calculados.
Desde el punto de vista de criterios de optimizacin, Dumling investig tres criterios:
- Optimizacin respecto a la intensidad de campo tangencial E
tan
.
- Optimizacin respecto al mdulo de la intensidad de campo E
tot
[31] con:
2 2
nor tan tot
E E E + =

(3.244)
- Optimizacin respecto a la presin electrosttica.
Dumling investig tambin hasta qu punto una capa superficial conductora, es decir,
una capa de polvo o un bao de agua, como la que existe en muchos casos en la
realidad, cambia la distribucin de campo y tiene que ser considerada para el proceso de
optimizacin.

3.10.6.2 Descripcin del Mtodo
El proceso de optimizacin se representa en el diagrama de flujo en la Fig. 3.59.
Clculo de la distribucin de
campo E en la zona a
optimizar
Solucin del sistema de
ecuaciones
Comienzo
Entrada de datos
Definicin de contornos.
Composicin de la matriz.
Correccin del contorno del
aislador.
Fin
S
Se ha obtenido la distribucin de
campo deseada?
NO

Fig. 3.59. Diagrama de flujo del proceso de optimizacin.
Los puntos triples electrodo/dielctrico/aire (Fig. 3.60) son tratados especialmente, en
ellos el ngulo entre el electrodo y el contorno del aislador tiene que ser 90 [146] si se
quiere evitar una singularidad de la intensidad de campo. De ah que este ngulo no se
pueda cambiar en el proceso de optimizacin. Todos los dems puntos de contorno
pueden ser desplazados de acuerdo con los criterios de optimizacin.

=0
r
Electrodo
= U
l
t
Punto
triple
Material
dielctrico
(
0
.
r
)
Aire (
0
)
z

Fig. 3.60. Disposicin del aislador fundamental.
3.10.6.2.1 Optimizacin respecto de la intensidad de campo tangencial
Dumling parte de los mtodos de Singer y Grnewald [119][52]. En el caso del mtodo
de Gronewld el objetivo era conseguir un contorno isodinmico en el que el factor de
campo fuese igual a la unidad, para obtener una distribucin uniforme de la intensidad
de campo tangencial:
l
U
E
tan
=

(3.245)
Para conseguir esta condicin Dumling utiliz un mtodo alternativo. Asume que al
desplazar el contorno, el mdulo de la intensidad de campo permanece constante. El
cambio en la intensidad de campo tangencial E
tan
se obtiene modificando el ngulo de
la tangente al contorno con la intensidad de campo:
, cos =
tot tan
E E

(3.246)
Para ello se supone el contorno definido por arcos circulares. Cada arco est
determinado por la posicin de tres puntos consecutivos del contorno. Para modificar el
ngulo en el punto i,
i
, se desplaza el punto i+1 (Fig. 3.61)

i
Pi
Pi+1
i
Pi-1
i
E
r
Pi+1
Etan
direccin de
i
tan
E
i
tan
E R =

Fig. 3.61. Variacin del ngulo de contorno
i
por desplazamiento del punto de contorno i+1.
La intensidad de campo objetivo
i
tan
E y la intensidad de campo E
r
determinan un nuevo
valor para el ngulo del contorno con E
r
,
i
.
i
tot
tan
i
tot
tan
i i i
E
E
E
E
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= = arccos arccos

(3.247)
Se puede obtener un nuevo ngulo
i
en un punto de contorno i considerando la nueva
posicin del siguiente punto de contorno i+1 (Fig. 3.61), debido a que el contorno se
simula por un arco circular determinado por tres puntos de contorno sucesivos. Este
procedimiento se denomina mtodo de campo.
Dumling considera tambin otro modo de optimizar contornos mediante un mtodo de
ensayo y error que se basa en la variacin de los ngulos de los puntos de contorno
(Fig. 3.62). En este algoritmo se desplaza el punto de contorno i + 1 en cada paso de
iteracin una distancia predeterminada n
i+1
que viene dada por:
( )
i i i
tan l n =
+1

(3.248)
donde l
i
es la distancia de P
i
a P
i+1
, e
i
es ahora un valor fijado de antemano.
(Dumling considera un valor
i
= 1 como adecuado).

i
ni+1
Pi
Pi+1
i
Pi-1
Pi+1
i

Fig. 3.62. Mtodo de ensayo y error.
Dumling realiza una comparacin de ambos mtodos y obtiene que el mtodo de
campo es superior al mtodo de ensayo y error, en lo que concierne al nmero de
iteraciones necesarias para conseguir una desviacin mnima (por ejemplo del 2%)
respecto de la distribucin de campo deseada de E
tan
a lo largo del contorno del aislador.
Para la optimizacin de una configuracin como la de la Fig. 3.60 el mtodo de campo
necesita de 5 a 10 iteraciones, y el mtodo de ensayo y error como mnimo el doble.
3.10.6.2.2 Optimizacin respecto a la intensidad de campo total
Para la optimizacin con respecto a E
tot
, Damling trato de desarrollar un mtodo
basado igualmente en la modificacin de los ngulos de los contornos as como de la
curvatura de contorno. Pero en ningn caso obtuvo mejores resultados que con el
mtodo de ensayo y error.
3.10.6.2.3 Optimizacin respecto a la presin electrosttica
En este caso se consigui la convergencia nicamente utilizando un mtodo de ensayo y
error.
3.10.6.3 Estudios experimentales
Tomando como referencia la configuracin bsica de la Fig. 3.60, Dumling estudi
experimentalmente [30] cual de los tres criterios de optimizacin comentados daban
como resultado un aislador con un mejor comportamiento frente a la aparicin de
descargas superficiales obteniendo que la mayor tensin de inicio de descargas
superficiales se consegua siempre con el aislador optimizado con respecto al mdulo de
la intensidad de campo, independientemente del material usado para el aislador. Los

mismos resultados se obtuvieron cuando se realiz el estudio en condiciones de alta
humedad ambiental.
3.10.7 Optimizacin mediante B-Splines. Mtodo de Lee
En 1998 B.J. Lee et al. [74] presenta un mtodo de optimizacin mixto. Para aisladores
utiliza una tcnica de ensayo y error, mientras que para los electrodos aplica una
funcin objetivo definida del mismo modo que H. Tsuboi y M. Misaki [138] mediante
el algoritmo de Gauss-Newton.
La novedad del trabajo de Lee consiste en que el control de la forma de las superficies
no se realiza a partir del desplazamiento de los conjuntos de nodos sino, mediante la
variacin de un conjunto reducido de parmetros que determina la forma de las
superficies B-Spines con las que representa los elementos de la configuracin.

Captulo 4 Optimizacin de Aisladores mediante
Splines Cbicos de Ajuste
4.1 Introduccin
El objetivo de este captulo es mostrar el mtodo de optimizacin de aisladores de alta
tensin propuesto por Gomolln [43]. Este mtodo est basado en trabajos previos
realizados por Dumling [30] y pretende superar las principales dificultades del proceso
de optimizacin a travs del uso de splines cbicas de ajuste.
4.2 Objetivo de la optimizacin
Dumling (1987) [30] mostr que una optimizacin con respecto a la intensidad total de
campo mejora el comportamiento frente a la aparicin de descargas superficiales en el
aislador. Para estas investigaciones Dumling utilizaba contornos de aisladores con una
distribucin uniforme de la intensidad de campo elctrico. Sin embargo el punto crucial
no es la uniformidad de la intensidad de campo en s misma, sino el hecho de que los
contornos, que han sido optimizados con respecto a la intensidad de campo total,
muestran simultneamente el valor ms bajo de la intensidad de campo mxima a lo
largo de la superficie.
Dumling utiliz para sus investigaciones el mtodo de ensayo y error para llevar a
cabo la optimizacin de una configuracin de prueba con respecto a la intensidad total
de campo. El mtodo de Dumling presenta algunas dificultades cuando se intenta
aplicar a otras configuraciones. Se descubri que estas dificultades son debidas a
diversos problemas concretos, que se pueden considerar de naturaleza general respecto
de una tarea de optimizacin de aisladores de alta tensin. Estos problemas se pueden
resumir en los siguientes puntos:
1.- La intensidad de campo en los puntos de contacto del aislador que va a ser
optimizado con los electrodos situados en sus lmites desempea un papel importante en
el proceso de optimizacin, por esta razn es muy importante garantizar que los
contornos del aislador propuesto sean perpendiculares a los electrodos que lo limitan.
2.- Se debe de evitar que durante el proceso de optimizacin puedan aparecer
cantos en el contorno del aislador. Esto podra conducir en uno de los lados del aislador
a singularidades de campo que obviamente no son deseables.
3.- Para asegurar la convergencia del proceso, no se debe permitir que las
relaciones de campo de la configuracin empeoren en cualquier paso de la iteracin.

Pueden existir casos individuales donde esto conducira a una optimizacin ms rpida,
pero el principal objetivo de un programa de optimizacin debera ser garantizar la
convergencia para el mayor nmero de casos posible.
Teniendo esto en cuenta Gomolln desarroll un mtodo para la optimizacin del
contorno de aisladores de alta tensin bajo las siguientes restricciones:
1.- La configuracin debe tener una simetra axial.
2.- La superficie del aislador a optimizar se supone que debe estar limpia y no
poseer ninguna conductividad.
El objetivo propuesto para la optimizacin, de acuerdo con las investigaciones de
Dumling, es reducir la mxima intensidad de campo elctrico a lo largo del contorno
considerado, al valor ms bajo posible.
4.3 Formulacin matemtica del problema de
optimizacin
Al hilo de lo comentado por Antolic (1972) [15] es posible dar una formulacin
matemtica de la tarea de optimizacin, que resulta adecuada para derivar algunas
relaciones tiles concernientes a la derivada global de la intensidad de campo sobre una
superficie de contorno para un problema de valor de contorno.
El clculo del campo electrosttico para una configuracin de alta tensin puede ser casi
siempre establecido como un problema de valores de contorno (BVP) para la ecuacin
de Laplace. Para tal problema se pueden realizar las siguientes suposiciones:
La regin de integracin G es cerrada. Es simple o mltiplemente conexa y
se puede extender en algunas partes al infinito.
G se puede dividir en regiones parciales G
i
que estn ocupadas por diferentes
materiales. En el caso ms simple, estos materiales son homogneos e
istropos y difieren slo por un valor escalar, por ejemplo la constante
dielctrica.
Las superficies de contorno de la regin global y las interfaces entre las
regiones parciales, consideradas todas bajo la denominacin de , se pueden
describir geomtricamente de modo completo.
Se fijan determinadas condiciones de contorno para que se cumplan a lo
largo las distintas partes de todos los contornos . Estas condiciones de
contorno no tienen por qu ser slo de primer orden, sino que tambin
Capitulo 4: Optimizacin de Aisladores mediante Splines Cbicos de Ajuste 197

pueden ser de orden superior (tales como discontinuidades de la constante
dielctrica o simetras de campo).
En el caso de una tarea de optimizacin, estas suposiciones se deben cambiar. Las
superficies de contorno y las interfaces entre regiones parciales se pueden dividir en dos
conjuntos. Un conjunto
1
con geometras dadas fijas y las correspondientes
condiciones de contorno B
1
,
y un conjunto
2
con geometras que estn de algn modo
indefinidas. Para el conjunto
2
se selecciona un conjunto adicional de condiciones de
diseo
2
B . Estas condiciones adicionales deberan servir para determinar las geometras
2
.
Para solucionar un problema de valores de contorno clsico, lo que corresponde en
nuestro caso al clculo del campo electrosttico, es preciso, como ya se ha visto, recurrir
a mtodos numricos para la mayora de las configuraciones tcnicas. Cada mtodo se
basa en un modelo terico de solucin del problema de valores de contorno, en el que
mediante la discretizacin del espacio considerado y la introduccin de determinadas
simplificaciones, se transforma el problema en la solucin de un sistema de ecuaciones
lineales.
Hasta ahora no se ha llevado a cabo ningn trabajo para extender estos modelos para
resolver la tarea de optimizacin. Todos los modelos desarrollados son iterativos y
dividen el problema terico propuesto en dos tareas diferentes. En primer lugar se toma
un conjunto dado de geometras incgnitas
2
0
y para este conjunto, se lleva a cabo un
clculo de campo. A partir de los valores calculados, las condiciones adicionales
2
B , y
un mtodo definido para la variacin de las geometras originales
2
0
, se calcula un
nuevo conjunto de geometras
2
1
para el cual se realiza un nuevo clculo de campo. En
este punto, se comprueba si se cumplen las condiciones del diseo propuesto
2
B .
Las diferencias entre los mtodos individuales son, primero la eleccin de las
condiciones de diseo
2
B y segundo la forma en la que se calculan las geometras
2
i
a
partir de las previas
2
1 i
y las condiciones
2
B .
El xito de los mtodos iterativos depende de la calidad de las suposiciones que son
utilizadas para calcular las geometras modificadas. En el caso de la optimizacin de
aisladores de alta tensin con respecto a la intensidad de campo total sobre su superficie
se debe observar que no ha sido efectuado ningn esfuerzo en derivar relaciones
tericas entre las propiedades geomtricas de la superficie del aislador y las cantidades
de campo. En el siguiente prrafo se presentar las relaciones obtenidas por Gomolln
[45] en su trabajo acerca de la optimizacin de los aisladores.

4.4 Relaciones entre campo elctrico y magnitudes
geomtricas
Para el establecer las relaciones entre las magnitudes de un BVP y las propiedades
geomtricas de las superficies se introducen aqu algunas notaciones sobre los
parmetros geomtricos de superficies. a es un vector unidad en un espacio eucldeo
tridimensional, en este caso la derivada de un escalar o funcin vectorial con respecto a
la direccin determinada por a se escribe como:
=
r
r
r
a
a

(4.1)
Sea S una superficie equipotencial de una funcin potencial armnica . Cada punto
sobre S se trata como perteneciente a una lnea de campo, con
r r
E = como el
campo bajo consideracin. Los vectores unidad del trpode de la lnea de campo en un
punto P se referirn como
r
t (vector tangente),
r
n (vector normal) y
r
b (vector binormal).
Con su ayuda es posible definir un sistema de coordenadas cartesiano local (sistema C)
con el origen en cada punto considerado y los ejes definidos por las direcciones de los
vectores arriba mencionados. El vector tangente
r
t a las lneas de campo coincide con el
vector N
r
normal a la superficie S en el punto P. Este sistema de coordenadas se puede
usar para escribir las ecuaciones de campo por medio del operador nabla del siguiente
modo:
b
b
n
n
t
t r
r
r
r
r
r
r
+ + =
(4.2)
y definiendo el campo
r
E como:
t E E
r r
= (4.3)
la divergencia y el rotacional de
r
E se pueden escribir de la forma:
t E t E E
t E t E E
r r r r r r
r r r r r r
+ =
+ =

(4.4)
Con esta notacin las frmulas de Frenet para el punto P se pueden escribir como:
, n w
t
b
b w t c
t
n
n c
t
t
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
=
+ =
=

(4.5)
donde c es la curvatura y w la torsin de la lnea de campo en el punto P.

Las frmulas de Frenet se pueden completar considerando las derivadas direccionales
de los tres vectores del trpode en las tres direcciones dando:
n c
t
t r
r
r
=
b w t c
t
n
r
r
r
r
+ =

n w
t
b r
r
r
=

b n C
n
t
n
r
r
r
r
+ =
b t
n
n
b t
r
r
r
r

+ =
n t
n
b
n t
r
r
r
r

+ =
b C n
b
t
b
r
r
r
r
+ =

b t
b
n
b t
r
r
r
r

+ =
n t
b
b
n t
r
r
r
r

+ =
(4.6)
Por sustitucin de (4.5) y (4.6) en (4.4) se obtiene:
( )
( )
( ) . n
b
E
b
n
E
Ec t E
t t b c E
n
b
E
b
n
E
b
t
b
n
t
n
t
t
t E
b
E
b
n
E
n
t
E
t t E
E C C
t
E
t E t E E
n b
r
r
r
r
r
r r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r r r r
r
r
r
r
r r r
+ |
.
|
\
|
+ =
+
+ + =
|
|
.
|
\
|
+ +
+ |
.
|
\
|
+ + =
+ + =
= + =

(4.7)
Puesto que el campo electrosttico es conservativo se cumplen:
, 0
0
=
=
E
E
r r
r r

(4.8)
Se puede igualar (4.7) con (4.8), y obtener finalmente:
( )
( ) . 0
0
=
=
=
+ =

E
b
E
cE
n
E
E C C
t
E
n b
r
r
r

(4.9)
Los parmetros de la frmula previa deberan ser interpretados del siguiente modo:
(Gomolln [45]):
c es la curvatura de la lnea de campo en el punto P.

C
b
es la curvatura de una seccin normal a la superficie S, que es definida por el vector
normal a la superficie
r
N y el vector binormal
r
b de la lnea de campo en P (este vector
se mantiene sobre el plano tangente a la superficie S en el punto P).
C
n
es la curvatura de la seccin normal a la superficie S, que est definida por el vector
r
N y el vector
r
n normal a la lnea de campo en P (este vector se
mantiene en el plano tangente a la superficie S en el punto P).
(= para campos perpendiculares a la superficie) es una funcin del ngulo entre
las direcciones principales de curvatura y las direcciones determinadas por los vectores
r
b y
r
n , y de los valores de las curvaturas principales
2 1
y C C de S en P:
( ) 2
2
2 1
sin
C C
=
(4.10)
C H C C
n b
= = + 2 es la curvatura total de la superficie S en el punto P (la suma de las
curvaturas normales de dos direcciones arbitrarias que son ortogonales entre s es una
constante para cada punto de la superficie y es igual a dos veces el valor de la curvatura
media H de la superficie en este punto), segn esto la primera de las ecuaciones (4.9) no
es sino la frmula de Spielrein [129].
4.5 Derivada global de la intensidad de campo
Sea el Problema de Valor de Contorno considerado que corresponde a la geometra
inicial de una tarea de optimizacin, donde se dispone de un contorno dielctrico inicial
0
para ser optimizado. Para este problema, se consideran las distribuciones iniciales de
potencial y campo. Se asumir que la superficie
1
j
(j 1) es una funcin conocida de
las coordenadas de N puntos
1
N
1
2
1
1
, ,
j j j
P P P K y del par de parmetros (u,v). El vector de
posicin de uno de estos puntos se denotar con ) , , (
1 1 1 1
=
j
i
j
i
j
i
j
i
z y x P

r
para el punto
1 j
i
P , donde el ndice indica que este punto pertenece a la superficie . Se considera
que el vector
1 j
i
n
r
j-1
est bien definido en cada punto
1 j
i
P
r
.
La superficie
j
ser definida como una funcin de las coordenadas de los N puntos
P P P
j j j
1 2
, ,K
N
y del par de parmetros mencionados previamente (u,v). Las coordenadas
de los puntos P
i
j
se pueden calcular a partir de las coordenadas de los puntos
1 j
i
P y el
vector de parmetros ) , , , (
1
N
1
2
1
1
1
=
j j j j
T T T T K
r
por medio de:
1 1 1
+ =
i
i
j
i
j
i
j
i
n T P P
r
r r
(4.11)

Sea E
i
j
obj
el objetivo de la intensidad de campo elctrico en el Punto P
i
j
que debe
alcanzarse en la superficie
j
, y
1 j
i
E el campo elctrico presente en el punto
1 j
i
P sobre
la superficie inicial
1
j
. E
i
j
obj
se puede aproximar linealmente por:
1
1
1
1
1
=

+ =
j
k
n
k
j
k
j
i j
i
j
obji
T
DT
DE
E E
(4.12)
dnde el smbolo
k
DT
D
representa una derivada global, en la cual no slo se considera la
dependencia explcita de la intensidad de campo sobre los parmetros T
k
j
sino que
tambin se considera la dependencia implcita a travs de las coordenadas de la
superficie desplazada. En lo que sigue, para simplificar, se prescinde del ndice j que se
refiere a la superficie
j
.
Si se considera el conjunto de BVPs, que se puede obtener por variacin del valor del
vector paramtrico
r
T , es posible escribir lo siguiente:
) , , , ( z y x T E E
r r r
= (4.13)
Si en (4.12) i k entonces:
k
i
k
i
T
E
DT
DE
=
(4.14)
Para calcular la derivada, se debe de asumir que es conocida la solucin del BVP como
una funcin del vector de parmetros
r
T . Esto nunca ocurre en la prctica, por lo tanto
no es posible calcular los desplazamientos
r
T por resolucin del sistema de ecuaciones
derivado de la ecuacin (4.12). Esto significa tambin que no se puede encontrar
ninguna expresin para considerar la influencia del desplazamiento de un punto sobre la
intensidad de campo en otro punto de la superficie.
Queda por considerar lo que sucede si se quiere determinar la influencia del movimiento
de un punto sobre la intensidad de campo en el punto en s mismo. Esto corresponde al
caso i=k en la ecuacin (4.12).
Se requiere una expresin para
i
i
DT
DE
. Sobre la superficie se puede establecer:
) , , , (

z y x T E E
r
= (4.15)
La deriva global de E considerando las dependencias explcitas e implcitas se puede
escribir como.

i i i i i
T
E
T
z
z
E
T
y
y
E
T
x
x
E
DT
DE
+ + + =
(4.16)
Si esta derivada se evala en un punto ) , , (
i i i i
z y x P

sobre la superficie , entonces se
puede escribir:
i
i
i
i
i
i
i
n
T
z
T
y
T
x
r
=
|
|
.
|
\
|

, ,
(4.17)
Y substituyendo en (4.16) nos da:
( )
i
i
i
i
i
i i
i
T
E
n
E
T
E
E n
DT
DE
+ = + =
r
r

(4.18)
Slo el primer trmino en la ecuacin (4.18),
i
i
n
E
r
, la derivada direccional de la
intensidad de campo en una direccin normal a la superficie inicial, se puede calcular en
los casos prcticos. Para el segundo trmino, se pueden establecer observaciones
similares a las realizadas arriba para el caso de i k en la ecuacin (4.12).
De aqu que la derivada normal de la intensidad de campo sea la nica referencia que
uno puede usar para calcular los desplazamientos de los puntos de una superficie
aisladora, que son necesarios para modificar la superficie para lograr una distribucin
dada de la intensidad de campo sobre la superficie. No debe olvidarse en este punto, que
la intensidad de campo muestra una discontinuidad cuando se cruza una frontera
dielctrica. Por lo tanto las ecuaciones anteriores deben entenderse como resultado del
clculo de los lmites correspondientes a ambos lados de la frontera dielctrica. Este
hecho representa una dificultad adicional para la optimizacin de los aisladores de alta
tensin.
La ecuacin (4.18) puede ser calculada explcitamente para algunas configuraciones
simples tales como un condensador plano, cilndrico o esfrico. El significado de los
diferentes parmetros se puede observar en la Fig. 4.1 y la Fig. 4.2. Las frmulas
correspondientes se resumen en la Tabla 4.1.
x
z
D
1
n
0
n
t
d
d
0
U
1
2

Fig. 4.1. Condensador Plano: Parmetros para el clculo de la derivada de campo global.

r
R
i
R
a
T

2

1
d
0
U
d
1
2

Fig. 4.2. Condensador cilndrico/esfrico:
Parmetros para el clculo de la derivada de Campo Global.

Condensador Plano:
D 1 d
U
1
2
2
+
|
|
.
|
\
|
E
DE
DT
E
E
T
2 2
2
2
1
1
2
=
|
\
|
.
|
U

1 2 44 3 44

Condensador Cilndrico:
r
E
1
d ln 1 R ln R ln
U
1
2
i
1
2
a
2

|
|
.
|
\
|
+
=

{
r
E
n
E
T
E
E E
DT
DE
2
0
2 2
d
1
U
2
1
2
2
2 2
=
|
|
.
|
\
|
=
r
4 43 4 42 1

Condensador Esfrico:
2
1
2
a i 1
2
2
1
d
1
1
R
1
R
1
U
r
E
|
|
.
|
\
|
+
=

{
r
E
n
E
T
E
E E
DT
DE
2
0
2 2
d
2
1
U
2
1
2
2
2 2
=
|
|
.
|
\
|
=
r
4 43 4 42 1

Tabla 4.1. Derivada Global de Campo para configuraciones de condensadores diferentes ( d d T)
0
= +

4.6 Mtodo de Gomolln
4.6.1 Introduccin
De acuerdo con Dumling [30] la optimizacin de aisladores de alta tensin con
respecto a la intensidad total de campo (E
tot
) produce un mejor comportamiento frente a
la aparicin de descargas superficiales de la correspondiente configuracin de alta
tensin que una optimizacin con respecto a cualquier otra cantidad, como las
componentes tangencial o normal de la intensidad de campo o de la presin
electrosttica. Gomolln [43] desarroll un mtodo que poda superar las principales
dificultades del mtodo de Dumling a travs del uso de splines cbicas de ajuste.
El mtodo se basa en un procedimiento iterativo de dos pasos. En un primer paso, se
toman las derivadas direccionales del campo a lo largo de la superficie que va a ser
optimizada para calcular una posible modificacin de la superficie para lograr una mejor
distribucin de campo. Acto seguido se recalcula la distribucin de campo con las
superficies modificadas. Si se logra una mejor distribucin de campo, se continua con el
proceso iterativo sin proceder con la segunda etapa. De otro modo se inicia un proceso
subiterativo (segunda etapa). Aqu la distribucin de campo real de la configuracin
modificada se compara a la distribucin de campo original para calcular las
denominadas derivadas empricas que se usan para determinar un nuevo contorno
modificado para la parte que est siendo optimizada. Este procedimiento se repite hasta
que se encuentra una superficie con una mejor distribucin de campo y el proceso
continua con el primer paso de la siguiente iteracin en el lazo principal (ver Fig. 4.3).

Contorno entrada = Contorno inicial
Clculo de Campo con
Contorno de Entrada
Clculo de Contorno de
Salida usando Derivadas
de Campo
Clculo de Campo con
Contorno de Salida
Distribucin de Campo
mejor ?
Contorno Inicial = Contorno de Salida
Clculo del nuevo Contorno de
Salida usando Derivadas de
Campo Empricas
Clculo de Campo con
Contorno de Salida
Contorno Inicial = Contorno de Salida
Iteracin Principal
(Primer Paso)
Subiteraciones
(Segundo Paso)
FIN DEL PROCESO
Condicin final
alcanzada?
Si
Si
No
Si
No
Distribucin de Campo
mejor ?

Fig. 4.3. Diagrama de flujo simplificado de la tcnica de optimizacin de dos etapas.

La Fig. 4.4 muestra un ejemplo de un contorno dielctrico cilndrico situado entre un
electrodo a potencial U y el plano de tierra. El aislador se discretiza por medio de los
puntos P
1
, P
2
, ..,P
N
. Para calcular un nuevo contorno del aislador los puntos P
1
, P
2
, ..,P
N

se desplazan en la direccin normal. Se obtiene

N
P P P .... , ,
2 1
en un primer contorno
abrupto, que obviamente no se puede aceptar como un contorno mejor que el original.
Se puede definir un nuevo contorno con mejor aspecto haciendo que se verifiquen
algunas condiciones geomtricas, como la perpendicularidad a los electrodos lmites y
el suavizado de la curva generadora. El nuevo contorno se representa en la Fig. 4.4 por
los puntos

N
P P P .... , ,
2 1
.
r
z
P
1
P
2
P
2
P
2
P
3
P
3
P
N
P
N
P
N
P
1
P
1
P
3
P
i
P
i
P
i
original points
displaced points
corrected points
T
i
displacements
T
1
T
2
T
3
T
N
U

Puntos originales
Puntos desplazados
Puntos corregidos
Desplazamientos

Fig. 4.4. Parmetros de Optimizacin.
E
E
E
E
s (arc of length)
actual
objective
mean
E
real
E
objetivo
E
medio
s (arco de longitud)

Fig. 4.5. Definicin de la funcin objetivo para E.

4.6.2 Clculo de los desplazamientos.
Para calcular los desplazamientos T
1
,T
2
,...,T
N
de los puntos P
1
, P
2
, ..,P
N
se establece un
objetivo de distribucin de campo como se muestra en la Fig. 4.5. En el caso ms
simple esta distribucin se obtiene aadiendo a la distribucin original la diferencia
entre los valores medios y locales de las intensidades de campo multiplicadas por una
constante definida por el usuario. Slo se obtiene buena convergencia para valores
pequeos de esta constante (<0.2).
Como se coment anteriormente la derivada parcial del mdulo del vector intensidad de
campo es el nico punto prctico de referencia para estimar cmo cambia la intensidad
de campo elctrico en un punto de una frontera dielctrica cuando la forma del contorno
se modifica. Esta es una aproximacin poco exacta, y de aqu que puedan ser necesarias
algunas correcciones si el primer intento no resulta satisfactorio. As es posible primero
calcular los desplazamientos requeridos por medio de:
( )
n
E
E E
T
i
i obji
i

=
(4.19)
Los desplazamientos determinados por medio de esta aproximacin conducen a un
contorno algo abrupto que debe ser corregido para los propsitos de optimizacin como
ya se explic.
Para el contorno desplazado corregido, se realiza un nuevo clculo de campo y las
relaciones de campo son comparadas con las originales. Si se puede detectar una mejora
el nuevo contorno se acepta como uno vlido y se continua la optimizacin. Si no es el
caso, los cambios reales en las relaciones de campo con respecto al contorno original se
usan para definir una derivada de campo emprica, del siguiente modo:
( )
i
original contorno
i
valido no desplazado contorno
i
i
T
E E
Dn
DE

=
(4.20)
El contorno frustrado se rechaza y el original se toma otra vez para calcular un nuevo
contorno desplazado, donde para calcular los desplazamientos las derivadas empricas
de la ecuacin (4.20) se introducen en la ecuacin (4.19) en lugar de las derivadas
direccionales. Despus de determinar el contorno desplazado se debe de corregir otra
vez.
En la mayor parte de los casos esto es suficiente para obtener un contorno donde el
mximo de la intensidad de campo se reduce. Si no es as, algunas tcnicas ms
complicadas se usan para llevar el proceso a la convergencia [45].

4.6.3 Uso de suavizado de splines cbicos de ajuste para
optimizacin dentro de distribuciones de campo axialmente
simtricas
La primera dificultad que se debe superar cuando se lleva a cabo la optimizacin con el
mtodo descrito arriba, es que las superficies modificadas calculadas de las
distribuciones de campo son demasiado abruptas y los ngulos entre las esquinas y los
electrdos lmites no satisfacen las condiciones de ortogonalidad habitualmente
requeridas para evitar el efecto de empotramiento. El suavizado mediante splines
cbicas de ajuste se utiliza para garantizar que las superficies obtenidas a travs del
proceso de optimizacin cumplan las condiciones requeridas de suavidad y ngulo de
corte con los electrodos lmites [43]. El efecto alcanzado con estos splines se muestra en
la Fig. 4.6. All, se muestra la distribucin de puntos de contorno de un posible contorno
de entrada como se muestra en (a). Un contorno de salida con los puntos de contorno
desplazados se calcula en (b), pero como se muestra, ni el contorno est suavizado ni es
perpendicular a los electrodos lmite. Estas condiciones se pueden forzar por el uso de
suavizado de splines cbicas de ajuste(c).
(a) Contorno Inicial (b) Contorno Final, no
suavizado
(c) Contorno de Salida,
suavizado
Electrodo
Contorno
del aislador
Tierra

Fig. 4.6. Efecto de suavizado de splines cbicas en el proceso de optimizacin.

Captulo 5 Ampliacin a Campos Tridimensionales del
Mtodo de Gomolln
5.1 Introduccin
En el captulo anterior se present el mtodo de Gomolln [43][44], que estaba
restringido a la condicin de que ambos, el aislador y la distribucin de campo fuesen
ser axialmente simtricos. En este captulo se presenta la ampliacin del mtodo para su
utilizacin dentro de distribuciones tridimensionales de campo elctrico, manteniendo la
restriccin de simetra axial de los aisladores.
5.2 Calculo de distribuciones de campo tridimensionales
con cargas superficiales
El mtodo de optimizacin descrito en [43] estaba limitado a las configuraciones con
simetra axial completa. Los clculos de campo necesarios en el proceso de
optimizacin fueron llevados a cabo combinando el Mtodo de Simulacin de Cargas y
el Mtodo de Cargas Superficiales. Para expandir el mtodo de modo que puedan ser
consideradas las distribuciones de campo tridimensionales, el programa de clculo de
campo tiene que ser capaz de calcular las distribuciones de campo 3D. Esta capacidad
ya fue incorporada en los mtodos arriba mencionados considerando una distribucin de
Fourier de las densidades de carga para cargas discretas y cargas superficiales. En esta
tcnica, cada densidad de carga lineal o superficial se asocia con tantos puntos de
contorno alrededor del eje de simetra de las superficies como coeficientes son
necesarios en las series de Fourier elegidas para representar la densidad de carga. Por
ejemplo en la Fig. 5.1 un anillo de carga con densidad de carga lineal dada por:
( ) cos cos 2 cos 3
0 1 2 3
= + + + (5.1)
se representa junto con cuatro puntos de contorno asociados, necesarios para determinar
las cuatro incgnitas
i


Carga anular
Puntos de contorno

Fig. 5.1. Asignacin de puntos de contorno para clculos de campos tridimensionales.
5.3 Posibilidades y lmites de control de distribuciones de
campo electrosttico dentro de superficies aisladoras
5.3.1 Introduccin
A travs de las tcnicas de optimizacin es posible influir en la distribucin de campo
de una configuracin dada de alta tensin por medio de la modificacin de la forma de
los electrodos y aisladores. Cuando la modificacin de la forma de los aisladores se usa
para controlar los valores de la intensidad de campo total en sus superficies, la
reduccin en los valores de campo que se puede alcanzar no es la misma para cada
configuracin de alta tensin. En este apartado se investigan los lmites tericos de tales
tcnicas.
5.3.2 Influencia en la distribucin de campo de la posicin de las
superficies del aislador con respecto a las lneas de campo y
equipotenciales
En general, no es posible calcular cmo cambia la intensidad de campo sobre la
superficie de un aislador para un problema de valor de contorno cuando la superficie del
aislador se modifica. Se sabe que las derivadas espaciales del campo estn relacionadas
con la variacin final de la intensidad de campo. Pero no son el nico factor. El relleno
de una regin espacial con un material dielctrico de permitividad
1,
su vaciado,
tambin afecta a los cambios en la intensidad de campo, dependiendo de la posicin de
la superficie dielctrica en relacin al campo y lneas equipotenciales.
Capitulo 5: Ampliacin a Campos Tridimensionales del Mtodo de Gomolln 211

5.3.2.1 Aislador paralelo a las lneas de campo
Se considera el problema de valores de contorno de la Fig. 5.2, con dos superficies de
electrodos
0
y
2
con potenciales dados
0
y
2
respectivamente y sea la solucin de
la ecuacin de Laplace en el espacio entre los electrodos.
Lneas de
Campo
2
=
0
=
2
=
2

Fig. 5.2. Tubo de campo entre dos superficies de electrodos.
En este problema =
2
es la permitividad del espacio total entre los electrodos. Se toma
un tubo de campo , delimitado en la Fig. 5.2 por dos lneas de campo. Su volumen es
rellenado con un material dielctrico de permitividad =
1
. En este caso la solucin del
nuevo BVP es la misma que para el caso original, puesto que ambos problemas pueden
ser divididos en dos regiones, una regin con un hueco, correspondiente al tubo de
campo , y otra regin que es el tubo mismo. En ambos problemas las condiciones
de contorno son las mismas para las dos regiones, es decir, =
0
en
0
, =
2
en
2
y
0 = n en . No estn influidas por el cambio de la permitividad en . La nica
diferencia entre estos dos casos sera que en el primero la densidad de carga se extiende
sobre la superficie de los electrodos como carga libre nicamente, y en el segundo caso
se mantiene parcialmente como carga libre sobre los electrodos y parcialmente como
carga de polarizacin, sobre el aislador, resultando en la misma cantidad total de carga
que en el primer caso.
5.3.2.2 Aislador paralelo a las lneas equipotenciales
5.3.2.2.1 Estudio terico del caso general
Se considera ahora lo que se podra denominar el caso contrario al presentado en
5.3.2.1, representado en la Fig. 5.3. donde se muestra una seccin de un problema de
campo cerrado.

1
2
=
m
=
n
d
EmB
P
P
m
n
EmA
EnC
EnB
=
1
=
2
=
C
=
A
=
B
C
1
2
=
1
=
2

Fig. 5.3. Espacio entre dos electrodos rellenado con dos materiales dielctricos diferentes. La interfaz
coincide con una superficie equipotencial.
La frontera dielctrica entre materiales
1
y
2
,
m
, coincide con la superficie
equipotencial =
m
. Sea la solucin del BVP dada por las funciones
1
para el espacio
, con
1
, y
2
para el espacio
+
C
, con
2
. La frontera dielctrica
m
se desplaza
ahora a la lnea equipotencial =
n
(
n
). Las nuevas relaciones se muestran en la
Fig. 5.4.
EnB
1
2
=
m
=
n
d
EmB
P
P
n
EnC
m
EmA
=1
=
1
=
2
=
C
=
A
C
2
=
B
=
2

Fig. 5.4. Desplazamiento de un contorno dielctrico coincidente con una superficie equipotencial.
Una solucin para el nuevo Problema de Valores de Contorno se puede construir usando
las siguientes funciones:

( )
( ) ( )
( )
C 2 2
B 1 2
A 1 1
en 1
en - 1
en - 1
+ =
+ + =
+ =

C C C
m B A A B B
A A A
k k
k k k k
k k

(5.2)
En las que claramente se cumple
A
(
1
) =
1
,
C
(
2
) =
2
, es decir, las funciones as
construidas mantienen por una parte los valores del potencial en las superficies
1
y
2
.
Por otra parte queda garantizada la continuidad del potencial en la superficie
m,
como
se puede comprobar en las siguientes ecuaciones:
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
1 1 1 2
1 1 1 1
1
1

A m A m B A A m B m B
A m A A m A m A
k k k k k k
k k k k
+ = + + =
+ = + =

(5.3)
donde,
1
(
m
) =
2
(
m
) =
m
.
En el problema original se cumplan las siguientes condiciones:
a) Sobre la superficie
m
:
( ) ( )
m m m
= =
2 1

(5.4)
que es la condicin de continuidad del potencial en
m
.
b) La condicin de salto de intensidad de campo en la interfaz dielctrica
m

m m m m
n n n n

2
1
2 1 2
2
1
1

(5.5)
c) Donde se verificaba que:
2 2
1 1

= = = =
= =
C B C B
A A

(5.6)
En el problema del contorno desplazado debe cumplirse:
a) Sobre las superficies
m
y
n
:
( ) ( )
( ) ( )
n n C n B
m m B m A

= =
= =

(5.7)
que es la continuidad del potencial sobre dichas superficies.
b) Sobre la superficie
m
se debe cumplir:
m m
n n
B A

=

(5.8)
Pues la superficie
m
ya no representa una interfaz dielctrica y no debe haber
ningn salto en la intensidad de campo.

c) Sobre la superficie desplazada
n

n
n
2 1

n n
C B

(5.9)
pues la superficie
n
debe presentar una salto de la interfaz dielctrica.
d) Adems se verifica que:
2 2
1 1

= =
= = = =
C C
B A B A

(5.10)
La condicin (5.4) se cumple automticamente con las funciones en (5.2) como se ha
comprobado en (5.3).
Las k
A
, k
B
y k
C
pueden determinarse para garantizar el cumplimiento de estas
condiciones, como se explica a continuacin.
De las ecuaciones (5.8), (5.2), y (5.10) se obtiene:
m m
n
k
n
k
B A

2 1

(5.11)
Y sustituyendo (5.5) resulta:
2
1 2 2
1
2

B A B A
k k
n
k
n
k
m m

(5.12)
Por otra parte de la expresin (5.9) se deduce:
2
1
2
2
2
1

B C
C B
k k
n
k
n
k
n n

(5.13)
As pues
2
1
= =
B C A
k k k . Para determinar k
B
se puede utilizar ahora la ecuacin (5.7)
de continuidad del potencial en
n
que puede reescribirse del siguiente modo:
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) 0 1 1
1 1
2 1
2 2 1 2
= + +
+ = + +

C m B A A n C B
C n C m B A A n B
k k k k k k
k k k k k k

(5.14)
donde ( )
n n
=
2
. Esta expresin teniendo en cuenta (5.12) y (5.13) queda:

( ) ( ) = +
|
|
.
|
\
|

= +
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

0 1
0 1 1 1
2 1 2 1
2
1
2
1
2 2
2
1
2
1
1
2
1
2
1

B n m B
B m B B n B
k k
k k k k

(5.15)
De aqu despejando k
B
se obtiene:
( ) ( )
( )
( ) ( )
|
|
.
|
\
|
=
+
=
=
+ +
=

|
|
.
|
\
|

=
2 1 2
1
2 1
2 1
2
1
2 1
2 1
2
1
2 1
2
1
2 1
2
1
2 1
1
1
1

n m n m
n m n m
n m m n
n m
B
k

(5.16)
En la expresin anterior si se denomina:
2
1
1
2
2
1
2 1
1 ; 1 ; ;

= = =
= c b c b a
n m

(5.17)
entonces la constante k
B
se puede expresar del modo siguiente:
( ) 1
1 1
1
1
1
1
2
1
2
1
2 1 2 1 2
1
2 1
+
=
+
=
+
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
=
c a b b c b a
k
n m n m n m
B

(5.18)
Y de este modo las constantes k
A
y k
C
adoptan la forma:
c a
k b k k
B C A
+
= = =
1
1

(5.19)
Para la tarea de optimizacin sera de inters comparar la intensidad de campo E
mB
sobre
m
, en la configuracin original, con E
nC
, en la modificada (se asume
1
>
2
, y
1
>
m
>
n
>
2
).
n n n
m m
n
k
n n
E
n n
E
C
C
nC
B
mB

=
2 2
2

(5.20)
Si las superficies
m
y
n
estn suficientemente prximas se puede realizar la siguiente
aproximacin:
m n
n n

2 2

(5.21)
Con lo cual la relacin entre la intensidad de campo del contorno desplazado y el
original ser:

mB C nC
E k E =
(5.22)
Si se considera, por ejemplo,
1
=4
2
, entonces E
nC
puede alcanzar valores de
1.0076E
mB
para
m
n
=(
1
2
)/100 a 1.2308E
mB
para
m
1
=(
1
2
)/4.
Estos dos casos muestran que la influencia sobre la distribucin de campo de la
modificacin de la superficie del aislador depende, no slo de los valores locales del
campo sobre la superficie del aislador, sino tambin de la posicin de la superficie con
respecto al campo. La influencia de cada uno de estos factores es diferente de una
disposicin a otra, y dentro de una disposicin dada puede tambin variar de un punto a
otro de la superficie.
Se podra plantear el BVP complementario al anterior, es decir, realizar en el problema
genrico planteado el desplazamiento de un contorno dielctrico en la misma direccin
que en el primer caso pero en sentido contrario. Al igual que en el primer caso la
frontera dielctrica entre materiales
1
y
2
,
m
, coincide con la superficie equipotencial
=
m
. Sea la solucin del BVP dada por las funciones
1
para el espacio
, con
1
,
y
2
para el espacio
C
, con
2
. La frontera dielctrica
m
se desplaza ahora a la lnea
equipotencial =
n
(
n
). Las relaciones son las mostradas en la Fig. 5.5.
=
1
=
2
2
=
C
=
A
=
m
=
n
C
d
E
nB
P
P
m
=
B
2
E
nA
E
mC
E
mB
=
1
=
2

Fig. 5.5. Espacio entre dos electrodos rellenado con dos materiales dielctricos diferentes. La interfaz
coincide con una superficie equipotencial.
El contorno se desplaza ahora en sentido hacia
1
como se muestra en la Fig. 5.6.

E
mB
=
1
=
2
2
=
C
=
A
=
n
=
m
C
d
E
nB
P
P
m
E
mC
n
=
B
E
nA
=
1
=
2

Fig. 5.6. Desplazamiento de un contorno dielctrico coincidente con una superficie equipotencial en
sentido contrario al primer BVP.
Siguiendo un tratamiento paralelo al primer caso se tiene que una solucin para este
nuevo Problema de valor de Contorno se puede construir usando las siguientes
funciones:
( )
( ) ( )
( )
C 2 2
B 2 1
A 1 1
en 1
en - 1
en - 1
+ =
+ + =
+ =

C C C
m B C C B B
A A A
k k
k k k k
k k

(5.23)
En las que claramente se cumple
A
(
1
) =
1
,
C
(
2
) =
2
, es decir, las funciones as
construidas mantienen por una parte los valores del potencial en las superficies
1
y
2
,
Por otra parte queda garantizada la continuidad del potencial en la superficie
m,
como
se puede comprobar en las siguientes ecuaciones:
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
2 2 2 2
2 2 2 1
1
1

C m C C m C m C
C m C m B C C m B m B
k k k k
k k k k k k
+ = + =
+ = + + =

(5.24)
es decir,
1
(
m
) =
2
(
m
) =
m
.
En el problema original se cumplen las siguientes condiciones:
a) Sobre la superficie
m
:
( ) ( )
m m m
= =
2 1

(5.25)
que es la condicin de continuidad del potencial en
m
.
b) La condicin de salto de intensidad de campo en la interfaz dielctrica
m


m m m m
n n n n

1
2
1 2 2
2
1
1

(5.26)
c) Donde se verificaba que:
2 2
1 1

= =
= = = =
C C
B A B A

(5.27)
En el problema del contorno desplazado debe cumplirse:
a) Sobre las superficies
m
y
n
:
( ) ( )
( ) ( )
n n B n A
m m C m B

= =
= =

(5.28)
que es la continuidad del potencial sobre dichas superficies.
b) Sobre la superficie
m
se debe cumplir:
m m
n n
C B

=

(5.29)
Pues la superficie
m
ya no representa una interfaz dielctrica y no debe haber
ningn salto en la intensidad de campo.
c) Sobre la superficie desplazada
n

n
n
2 1

n n
B A

(5.30)
donde la superficie
n
debe presentar una salto de la interfaz dielctrica.
d) Adems se verifica que:
2 2
1 1

= = = =
= =
C B C B
A A

(5.31)
La condicin (5.25) se cumple automticamente con las funciones en (5.23)
como se ha comprobado en (5.24).
Las k
A
, k
B
y k
C
pueden determinarse para garantizar el cumplimiento de estas
condiciones, como se explica a continuacin.
De las ecuaciones (5.29), (5.23), y (5.27), se obtiene:
m m
n
k
n
k
C B

2 1

(5.32)
Y sustituyendo (5.26) resulta:

2
1 2 2
1
2

C B C B
k k
n
k
n
k
m m

(5.33)
Por otra parte de la expresin (5.30) se deduce:
2
1 1
2
1
1

A B B A
k k
n
k
n
k
n n

(5.34)
As pues
1
2
= =
B C A
k k k . Para determinar k
B
se puede utilizar ahora la ecuacin (5.28)
de continuidad del potencial en
n
que puede reescribirse del siguiente modo:
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) 0 1 1
1 1
2 1
2 1 1 1
= + +
+ + = +

C m C B A n B A
m B C C n B A n A
k k k k k k
k k k k k k

(5.35)
donde ( )
n n
=
1
. Esta expresin, teniendo en cuenta (5.33) y (5.34) queda:
( ) ( ) = + +
|
|
.
|
\
|

= +
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

0 1
0 1 1 1
2 1 1 2
1
2
1
2
2 2
1
2
1
2
1
1
2
1
2

B m n B
B m B B n B
k k
k k k k

(5.36)
De aqu despejando k
B
se obtiene:
( ) ( )
( ) ( ) | | ( )
1
2
1
2
2 1 2 1 2 1 1
2
2 1
1
2
2 1
2 1
1
2
1
2
2 1
1
1
1
1
1

+
|
|
.
|
\
|
+
(
=
=
+
=
+
|
|
.
|
\
|
=
m n m n m n
m n m n
m n
B
k

(5.37)
En la expresin anterior si se denomina:
1
2
2
1
1
2
2 1
1 ; 1 ; ;

= = =
= c b c b a
m n

(5.38)
entonces la constante k
B
se puede expresar del modo siguiente:
( ) c a b b c b a
k
m n
B
+
=
+
=
+
|
|
.
|
\
|
=
1
1 1
1
1
1
2
1
2
2 1

(5.39)
Y de este modo las constantes k
A
y k
C
adoptan la forma:
c a
k b k k
B C A
+
= = =
1
1

(5.40)
Al igual que en el primer BVP para la tarea de optimizacin sera de inters comparar la
intensidad de campo E
mC
sobre
m
, en la configuracin original, con E
nB
, en la
modificada (se asume
1
>
2
, y
1
>
n
>
m
>
2
).

n n n
m m m
n
k
n n
E
n k
k
n n
E
B
B
nB
C
B C
mC

=
1 2
1 2

(5.41)
Donde se ha tenido en cuenta la expresin (5.32) para el clculo de E
mc
. Si las
superficies
m
y
n
estn suficientemente prximas, como ocurre en la mayora de los
casos, se puede realizar la siguiente aproximacin:
m n
n n

1 1

(5.42)
Con lo cual la relacin entre la intensidad de campo del contorno desplazado y el
original ser:
mC C nB
E k E =
(5.43)
Si se considera , por ejemplo,
1
=4
2
, entonces E
nB
puede alcanzar valores de
0.9709E
mC
para
n
m
=(
1
2
)/100 a 0.5714E
mC
para
n
m
=(
1
2
)/4.
5.3.2.2.2 Comprobacin de los resultados para configuraciones simples
Se van a comprobar ahora la validez de los resultados obtenidos particularizando el
estudio para configuraciones sencillas en las que es posible resolver el problema de
valores de contorno analticamente.
CASO 1: Estudio del condensador plano (Fig. 5.7).

d
d
x
z
D
1
2
2

Fig. 5.7. Condensador plano con dos medios dielctricos separados por una superficie equipotencial.

La diferencia de potencial existente en bornes del condensador antes del desplazamiento
(Fig. 5.7) viene dada por:
( ) d D E d E + =
2 1 2 1

(5.44)
Sobre la frontera entre los dos medios dielctricos se debe de cumplir:
2
1
2
1 2 2 1 1
E E E E = =

(5.45)
Teniendo en cuenta esta ltima condicin la diferencia de potencial entre las placas del
condensador plano es:
( )
|
|
.
|
\
|
+ = + = d D d E d D E d E
1
2
2 2 2
1
2
2 1

(5.46)
Haciendo uso de la nomenclatura empleada en (5.17) se tiene que los campos elctricos
en los medios 2 y 1, E
2
y E
1
, son respectivamente:
D d c
D d
E
+

=
+
|
|
.
|
\
|
=
2 1
1
2
2 1
2
1

(5.47)
( )
( ) ( ) D b b d d D b d
d D d
E
+

=
+

=
+
=
1
2 1 2 1
2
1
2 1
1

(5.48)
Donde se debe de tener en cuenta que:
( ) x D E
x E
C B
A
+ = = =
= =
2 2 2
1 1 1

(5.49)
De modo similar puede calcularse la solucin para el problema desplazado (Fig. 5.8)

d
d
x
z
D
1
2
m

n
1

2
1

2

Fig. 5.8. Desplazamiento del contorno dielctrico coincidente con una superficie equipotencial en el
condensador plano.
En este caso se verifica que:
( ) x D E
x E
C
B A
+ = =
= = =
2 2 2
1 1 1

(5.50)
Donde:
( ) D d d c
E
+ +

=
2 1
2

(5.51)
( ) | | ( ) ( ) D b b d d d d D b d d
E
+ +

=
+ + +

=
1
2 1 2 1
1

(5.52)
Se trata ahora de comparar estas soluciones con las construidas segn el teorema (5.2)
donde:
( ) c a b
k
c a
k b k k
B
B C A
+
=
+
= = =
1
1
1
1

(5.53)
Se realiza el clculo de las constantes teniendo en cuenta que:
d E
d E
d E
n m
m n
m
=
)
`
=
=
2
2
1 1

(5.54)
Luego la constante a valdr:
D d c
d d E
a
n m
+

=
=
2 1
2
2 1

(5.55)

El potencial en la regin A despus del desplazamiento, teniendo en cuenta (5.49), ser:
( ) ( ) x E k k x E k
A A A A
= + =
1 1 1 1 1
- - 1
(5.56)
Para que sea igual a la funcin calculada (5.50) se debe de cumplir que:
1 1
E k E
A
=
(5.57)
Pero como
2
1
2
1
E E =
y
2
1
2
1
E E =
esta condicin es equivalente a:

( ) D d d c
D d c
d c D d c D d c
D d c
d
c
D d c c a
E
E k E
A
+ +

=
+
+ +
+

=
=
+

+
+

=
+
= =
2 1 2 1
2 1 2
2 2
1
1
1
1

(5.58)
que coincide con la solucin expresada en (5.51), dnde se ha tenido en cuenta (5.55).
El potencial en la regin B despus del desplazamiento, teniendo en cuenta (5.49) ser:
( ) ( ) ( ) | | ( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) x E k k E D k
x E b k k E D k
x E k k k k E D k k
k k k x D E k k k k k
A m A m B
B m A m B
B m B A A B B
m B A A B m B A A B B
+ + +
= + + + =
= + + + =
+ + + = + + =
1 1 1 2 2
1 1 1 2 2
2 1 2 2
1 2 2 1 2
1
1 - 1

(5.59)
donde se ha empleado
1 2
E b E = y (5.53). Esta expresin debe ser igual a (5.50) lo que
se cumplir si
1 1
E k E
A
= , que ya se ha visto y
( ) ( ) 0
1 2 2
= + +
m A m B
k E D k
(5.60)
Se comprueba este ltimo extremo partiendo de la ltima expresin teniendo en cuenta
que
B A
k b k = , queda:
( ) | | ( ) 0 0
1 2 2 1 2 2
= + + = + +
m m m m B
b E D b E D k
(5.61)
Teniendo en cuenta que:
d
b
E
d E d E
m m
= = =
2
1 1 1 1

(5.62)
donde se ha considerado (5.45), entonces la expresin (5.61) queda:
( ) ( ) d D E d D E d E E D
m m m
= = + = +
2 2 2 2 2 2 2
0
(5.63)
Expresin que se verifica de forma inequvoca.

Por ltimo queda por comprobar el potencial en la regin C despus del
desplazamiento:
( ) ( ) | | ( )
( ) ( ) x D E k x D E k
k x D E k k k
A C
C C C C C
+ = + =
= + + = + =
2 2 2 2
2 2 2 2 2
1 1

(5.64)
Que debe ser igual a la expresin (5.50) y sern iguales si:
2 2
E k E
A
=
(5.65)
Lo que cual ya se haba probado en (5.58).
CASO 2: Estudio del condensador cilndrico.
Considrese una seccin de un condensador cilndrico infinito en direccin axial, con
dos medios dielctricos en su interior como se muestra en la Fig. 5.9.

r
n
r
m

r
1
z
r
2
m

n
1
2

Fig. 5.9. Corte transversal del condensador cilndrico.
Para obtener el campo elctrico se puede aplicar el teorema de Gauss a una seccin
cilndrica de altura L, considerando una densidad de carga constante
1
sobre la
superficie del cilindro interior:
r
r
E L r rL E
r
r
E L r rL E
= =

= =
2
1 1
2 1 1 2 2
1
1 1
1 1 1 1 1
2 2
2 2

(5.66)
con estas expresiones se cumple automticamente la condicin de frontera en la
superficie dielctrica:

2 2 1 1
E E =
(5.67)
Antes del desplazamiento la diferencia de potencial entre las placas del condensador es:
m
m
m
m
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r r
r
r r
dr E dr E
m
m
2
2 1 1
2 1
1 1
2
2
1 1
1 1
1 1
2 1 2 1
ln
1
ln
1
ln ln
2
1
+
= + =

(5.68)
Llamando:
m
m
r
r
e
r
r
d
2
2
1 1
ln
1
ln
1
=
=

(5.69)
Y sustituyendo en las expresiones del campo (5.66) queda:
r e d
E
r e d
E
=
2
2 1
2
1
2 1
1
1
1

(5.70)
De ah que los potenciales en las regiones A y B sean respectivamente:
1 1
2 1
1 1 1 1
ln
1
1
r
r
e d
dr E
r
r
A

+
= = =

(5.71)
r
r
e d
dr E
r
r
C B
2
2
2 1
2 2 2 2
ln
1 2

+
+ = + = = =

(5.72)
De modo similar la solucin para el contorno desplazado (Fig. 5.10) viene dado por las
expresiones:

r
n
r
m

r
1
z
r
2
m

n

C
'
1
1
2
r

Fig. 5.10. BVP para el caso del condensador cilndrico con el contorno desplazado.
1 1
2 1
1 1 1 1
ln
1
1
r
r
e d
dr E
r
r
B A

+
= = = =

(5.73)
r
r
e d
dr E
r
r
C
2
2
2 1
2 2 2 2
ln
1 2

+
+ = + = =

(5.74)
donde:
n
n
r
r
e
r
r
d
2
2
1 1
ln
1
ln
1
=
=

(5.75)
Se comprueban ahora estas soluciones con las construidas segn el teorema descrito por
las ecuaciones (5.2) donde:
2
1
1
2
2
1
2 1
1 ; 1 ; ;

= = =
= c b c b a
n m

(5.76)
y
( )
A B
B C A
k
c a b
k
c a
k b k k
=
+
=
+
= = =
1
2
1
1
1
1

(5.77)
El potencial de
A
segn (5.2) debe ser igual a:
( )
1 1
2 1
1 1
1 1
2 1
1
ln
1
- 1 ln
1
r
r
e d
k k
r
r
e d
k
A A A A

+
= +
|
|
.
|
\
|

+

(5.78)

Para que esta expresin se igual a (5.73) de
A
se debe cumplir que:
e d e d
k
A
+
=
+
2 1 2 1

(5.79)
O lo que es igual:
ac e d
e d
e d
e d
k
A
+
=
+
+
+
+
=
1
1

(5.80)
Para comprobar esta expresin se empieza calculando la diferencia de potencial entre
las dos superficies equipotenciales
m
y
n
:
m
n n m
m
n
m
n
m
m
r r
r
n m
r
r
e d
a
r
r
e d r
r r
r
r r r
dr
r
r m
m
ln
1 1
ln
1
ln ln
2 2 1
2
2 1
2
1 1
2
1 1
2
1 1

+
= =
=
+
=
=

+

(5.81)
Una vez obtenida la expresin de a se comprueba que se verifica la segunda parte de la
expresin de k
A
(5.80) en la que se tiene en cuenta el valor de c dado por (5.76):
n
m
m
n
m
m
n
m
m m
n m
m
n
m
m
n
n
m
n
m
n
n
n
m
m
A
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r c
e d
e d
r
r
e d
c
r
r
r
r
r
r
r
r
e d
e d
k
ln
1
ln
1
ln
1
ln
1
1
ln
1
ln
1
1
ln
1 1
ln
1
ln
1
1
ln
1
ln
1
1
ln ln
1 1
1
1
ln
1
ln
1
ln
1
ln
1
2 1
2
2 1 1
2
2 1 1
2 1
2
2 1 1
2
2 1 1
2 2
2
2 1 1
2
2 1 1
+ + +
=
+
|
|
.
|
\
|
+ +
=
+
+ +
+
=

+
+
=
+
+
=
+
+
=

(5.82)
donde se ha tenido en cuenta los valores de d y e dados por (5.69), con lo que queda
demostrada la validez de la expresin (5.80) y por lo tanto la igualdad de las
expresiones del potencial.
Se calcula ahora el potencial en la regin B despus del desplazamiento sustituyendo
(5.72) en (5.2):
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
1 1
2 1
1
2
1
2 1
1 1 2
2
1
1 1
2 1
1 1 2
2
1
2 1
1 1 2
2
2
2 1
1 1 2
1
2
2
2 1
2
ln
1
ln
1
ln
1
ln
1
ln
1
- 1 ln
1
r
r
e d
k
r
r
e d
k k k
r
r
r
r
e d
k k k
r
r
e d
k k k
r
r
e d
k k k
k k k
r
r
e d
k
A A m A m B
A m A m B
A m A m B
B m A m B
m B A A B B

+
+ + +

+
+ +
=
+
+ + + =
=
+
+ + +
= + +
|
|
.
|
\
|

+
+ =

(5.83)

expresin en la que se ha tenido en cuenta (5.77). Para que esta expresin se igual a
(5.73) de
B
e d e d
k
A
+
=
+
2 1 2 1

(5.84)
lo que ya se ha comprobado. Adems se debe de cumplir, de la comparacin de ambas
expresiones, que:
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
0 ln
1
0 ln
1 1
0 ln
1
ln
1
1
2
1
2 1
1
2
1
2
1
2 1
1 2
1
2
1
2 1
1 2
1
1
2
1
2 1
1 2 1
=
+
+ +
=
+
+ +
=
+
+ +
=
+
+ + +
r
r
e d b
r
r
e d
k k k
b
r
r
e d
k k k
r
r
e d
k k k
m
m
A m A m A
A m A m B
A m A m B

(5.85)
Por otra parte se sabe que:
1 1
1 1
1
2
1
1 1 2 2
2
1 1
2
ln
ln ln
r
r r
r
r r
b r
r r
m
m
m
m
m
m
=

(5.86)
expresin en la que se ha tenido en cuenta (5.76). Si sumamos las expresiones anteriores
queda:
1
2
1
1 1 2
1 1
1 1 2
1
ln ln ln
r
r r
r
r
r
r r
b
m
m m
m

=
|
|
.
|
\
|
+
+
(5.87)
Y teniendo en cuenta de la expresin (5.68) que:
( ) e d r + =
1 1 2 1

(5.88)
Sustituyendo (5.87) y (5.88) en (5.85) queda:
( )
( )
0 ln
1
ln
1
2
1
1 1
1
2
1
1 1
=
+
+
+
r
r
e d
e d r
r
r r

(5.89)
Expresin que se verifica de manera inequvoca.
Por ltimo queda por comprobar el potencial en la regin C tras el desplazamiento.
Sustituyendo (5.72) en (5.2) queda:
( ) ( )
r
r
e d
k
r
r
e d
k
k
r
r
e d
k k k
A C
C C C C C
2
2
2 1
2
2
2
2 1
2
2
2
2
2 1
2 2 2
ln
1
ln
1
1 ln
1
1

+
+ =
+
+ =
= +
|
|
.
|
\
|

+
+ = + =

(5.90)

Donde se ha empleado la expresin (5.77) (k
A
=k
C
) y se comprueba que es igual a la
expresin (5.74) pues ya se ha demostrado que:
e d e d
k
A
+
=
+
2 1 2 1

(5.91)
CASO 3: Estudio del condensador esfrico.
Considrese el condensador esfrico de la Fig. 5.11 con dos medios dielctricos.

r
n
r
m

z
r
2
2
r
1
1

Fig. 5.11. Corte transversal del condensador esfrico.
El campo elctrico en los medios 1 y 2 se puede calcular aplicando de nuevo el teorema
de Gauss, obtenindose:
2
2
2
2
1
1
4
4
r
Q
E
r
Q
E
=

=

(5.92)
Se observa que se cumple que:
2 2 1 1
E E =
(5.93)
Antes del desplazamiento la diferencia de potencial entre las placas del condensador es:
dr E dr E
r
r
r
r
m
m
+ =

2
1
2 1 2 1

(5.94)
(
(
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
(
+ =

2 2 1 1
2
2
2
1
2 1
1 1 1 1 1 1
4
1 1 1 1
4
2
1
r r r r
Q
dr
r
dr
r
Q
m m
r
r
r
r
m
m

(5.95)
De donde se deduce que la carga total en el interior del condensador es:

| |
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

=
2 2 1 1
2 1
1 1 1 1 1 1
4
r r r r
Q
m m

(5.96)
De este modo teniendo en cuenta (5.92) y (5.96) se pueden obtener los valores del
campo elctrico en los medios 1 y 2 sobre la frontera dielctrica. As el campo elctrico
correspondiente al medio 1 ser:
2
2 2
1
1
2 1
1
1
1 1 1 1
m
m m
r r
r
r r r r
E
m

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
=

(5.97)
Y el campo elctrico correspondiente al medio 2 ser:
2
2 1 1
2
2 1
2
1
1 1 1 1
m
m m
r r
r
r r r r
E
m

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
=

(5.98)
Para simplificar las expresiones anteriores si se denomina:
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
2 2
1 1
1 1 1
1 1 1
r r
e
r r
d
m
m

(5.99)
Entonces el campo elctrico en los medios 1 y 2 ser:
( )
( )
2
2
2 1
2
2
1
2 1
1
1
1
r
e d
E
r
e d
E
+

=
+

=

(5.100)
Antes del desplazamiento de la superficie equipotencial se verifica entonces:
( )
( )
( )
( )
(

+

=
+

= = =

r r e d
dr
r e d
dr E
r
r
r
r
A
1 1 1
1 1
2 1
1
2
1
2 1
1 1 1 1
1 1

(5.101)
De modo similar el potencial en la regin 2 ser:
( )
( )
( )
( )
(

+

+ =
+

+ = + = = =

2 2
2 1
2
2
2
2 1
2 2 2 2
1 1 1 2 2
r r e d
dr
r
e d
dr E
r
r
r
r
C B

(5.102)
La solucin para el contorno desplazado (Fig. 5.12) viene dada por las expresiones:

r
n
r
m

z
r
2
2
r
1
1
r

Fig. 5.12. Corte transversal del condensador esfrico.
( )
( )
(

+

= = = =

r r e d
dr E
r
r
B A
1 1
1 1
2 1
1 1 1 1
1

(5.103)
( )
( )
(

+

+ = + = =

2 2
2 1
2 2 2 2
1 1 2
r r e d
dr E
r
r
C

(5.104)
siendo:
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
2 2
1 1
1 1 1
1 1 1
r r
e
r r
d
n
n

(5.105)
Se comprueban ahora estas soluciones con las construidas segn el teorema descrito por
las ecuaciones (5.2) donde:
2
1
1
2
2
1
2 1
1 ; 1 ; ;

= = =
= c b c b a
n m

(5.106)
y
( )
A B
B C A
k
c a b
k
c a
k b k k
=
+
=
+
= = =
1
2
1
1
1
1

(5.107)
El potencial
A
segn (5.2) debe ser igual a:

( )
|
|
.
|
\
|

+
= +
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

+
=
r r e d
k k
r r e d
k
A A A A
1 1 1
- 1
1 1 1
1 1
2 1
1 1
1 1
2 1
1

(5.108)
Para que esta expresin sea igual a (5.103) de
A
e d e d
k
A
+
=
+
2 1 2 1

(5.109)
O lo que es igual:
ac e d
e d
e d
e d
k
A
+
=
+
+
+
+
=
1
1

(5.110)
Para comprobar esta expresin se empieza calculando la diferencia de potencial entre
las dos superficies equipotenciales
m
y
n
:
|
|
.
|
\
|

+
= =
|
|
.
|
\
|

+
=
+
=

n m
n m
n m
r
r
n m
r r e d
a
r r e d
dr
r
e d
n
m
1 1 1 1
1 1 1 1 1
2 2 1
2
2 1
2
2
2 1

(5.111)
Una vez obtenida la expresin de a se comprueba que se verifica la ecuacin (5.110) en
la que se tiene en cuenta el valor de c dado por (5.106):
|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
+
=
=
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

=
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
+ +
+
=
=
|
|
.
|
\
|

+
+
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|

=
+
+
=
n m m n m m
n m m m
n n n m
m n n
m m
A
r r r r r r r r
r r r r r r
r r r r r r
e d
e d
r r e d
c
r r r r
r r r r
e d
e d
k
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1
1 1 1 1 1 1
1
1 1 1 1
1 1 1
1
1
1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1
2 2 1 1
2 1 2 2 1 1
2 2 1 1 2 1
1 2 2 2 1 1
2 2 1 1

(5.112)
Con lo que queda demostrada la validez de la expresin de (5.110) y por lo tanto la
igualdad de las expresiones del potencial.
Se calcula ahora el potencial en la regin B despus del desplazamiento sustituyendo
(5.102) en (5.2):

( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
|
|
.
|
\
|

+
+
|
|
.
|
\
|

+
+ + =
=
|
|
.
|
\
|

+
+ + +
= + +
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

+

+ =
2 1
2 1
1 1
2 1
1
1 1 2
2 2
2 1
1 1 2
1
2 2
2 1
2
1 1 1 1
1 1 1
- 1
1 1
r r e d
k
r r e d
k
k k
r r e d
k k k
k k k
r r e d
k
A A
m A m B
B m A m B
m B A A B B

(5.113)
expresin en la que se ha tenido en cuenta (5.107). Para que esta expresin se igual a
(5.103) de
B
e d e d
k
A
+
=
+
2 1 2 1

(5.114)
lo que se acaba de comprobar. Adems se debe de cumplir, de la comparacin de ambas
expresiones, que:
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
0
1 1 1
0
1 1 1
0
1 1
1 1
2 1 1
2 1
1
2
2 1
2 1
1
1 2
2 1
2 1
1
1 2
1
2 1
2 1
1
1 2 1
=
|
|
.
|
\
|

+
+ +
=
|
|
.
|
\
|

+
+ +
=
|
|
.
|
\
|

+
+ +
=
|
|
.
|
\
|

+
+ + +
r r e d b
r r e d
k
k k
b
r r e d
k
k k
r r e d
k
k k
m
m
A
m A m A
A
m A m B
A
m A m B

(5.115)
Por otra parte se sabe que:
( )
( )
|
|
.
|
\
|

+
= =
|
|
.
|
\
|

+
|
|
.
|
\
|

+
= =
m
r
r
m
m
m
m
r
r
m
r r e d
dr E
r r e d b r r e d
dr E
m
m
1 1
1 1 1 1 1
1 1
2 1
1 1
2 1
2 1 2
2 2
2 1
2 2
1
2

(5.116)
expresin en la que se ha tenido en cuenta (5.106). Si sumamos las expresiones
anteriores queda:
( ) ( )
|
|
.
|
\
|

+
=
|
|
.
|
\
|
+
+
+
2 1 1
2 1
1 2 1
2 1 2
1
1 1 1 1 1 1
r r e d r r r r e d b
m m
m
m

(5.117)
Con lo que se verifica la ecuacin (5.115).
Por ltimo queda por comprobar el potencial en la regin C tras el desplazamiento.
Sustituyendo (5.102) en (5.2) queda:
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
|
|
.
|
\
|

+

+ =
|
|
.
|
\
|

+

+ =
= +
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

+

+ = + =
2 2
2 1
2
2 2
2 1
2
2
2 2
2 1
2 2 2
1 1 1 1
1
1 1
1
r r e d
k
r r e d
k
k
r r e d
k k k
A C
C C C C C

(5.118)

Donde se ha empleado la expresin (5.107) (k
A
=k
C
) y se comprueba que es igual a la
expresin (5.104) pues ya se ha demostrado que:
e d e d
k
A
+
=
+
2 1 2 1

(5.119)
5.4 Ampliacin del mtodo de optimizacin campos
tridimensionales
Se parte de una configuracin en la que, teniendo simetra axial cada una de las partes
correspondientes individualmente, el campo resultante es un campo tridimensional
general sin simetra axial (ver Fig. 5.13).
Y
X
Z

Fig. 5.13. Partes individuales simtricas respecto al eje axial situadas en cualquier lugar del espacio.
Se selecciona la parte a optimizar (una interfaz dielctrica), que por tener simetra axial,
puede cortarse por un conjunto de planos axiales, resultando en cada uno de ellos la
misma curva generatriz. La mejor forma de seleccionar estos planos es hacer que su
ngulo acimutal alrededor del eje coincida con el de los puntos de contorno utilizados
para el clculo de campos, tal y como se explic en 5.2 (Fig. 5.14).
Sobre cada uno de los planos de corte se cuenta ahora con un contorno susceptible de
ser optimizado. Para cada uno de estos contornos se calcula un contorno desplazado del
mismo modo que se haca en el caso de un campo elctrico con simetra axial.
Ciertamente, ahora el vector intensidad de campo ya no se encuentra contenido en cada
uno de los planos sobre los que se desplazan los contornos (si se exceptan los posibles
planos de simetra de la configuracin). Como los desplazamientos en el primer intento
se calculan en funcin de la derivada direccional del campo en la direccin normal

nicamente, la aproximacin resulta ahora ms inexacta que en el caso de campos con
simetra axial.
En cada uno de los contornos de corte se presenta una distribucin de campo diferente
y, de acuerdo con esto, se obtienen contornos desplazados diferentes. Sera posible, pero
verdaderamente bastante difcil, definir una nueva superficie tridimensional que
contuviera todos los contornos desplazados, por ejemplo, usando superficies spline.
Pero tal superficie sera demasiado complicada de fabricar y su inters tcnico no sera
muy alto, aunque resultase interesante desde el punto de vista terico. Pero en nuestro
caso no sera posible continuar con el proceso de optimizacin, porque el programa de
clculo no permite superficies individuales que no presenten simetra axial.
Planos de Corte
Desplazamiento de Contornos

Fig. 5.14. Divisin de una superficie con planos de corte para determinar el desplazamiento de contornos.
Por esta razn es necesario definir un mtodo para generar un contorno nico con una
curva generatriz para la superficie modificada a partir de todos los diferentes contornos
desplazados obtenidos. El mtodo utilizado se explica a continuacin.
Sea M el nmero de planos axiales de corte (cuatro en el caso de la Fig. 5.14), entonces
en cada nivel de la superficie a optimizar habr igualmente M puntos de contorno. Para
un plano de corte j las coordenadas locales sobre ese plano del punto de contorno i
despus de haber sido desplazado se denotan por (r
ij
, z
ij
). A partir de estas coordenadas,
y usando la intensidad de campo total como factor de peso, se definen las coordenadas
de una nueva generatriz segn:
1 1
1 1
M M
ij tot ij ij tot ij
j j
i i M M
tot ij tot ij
j j
r E z E
r z
E E
= =
= =
= =

(5.120)

Este contorno resultante se somete a los mismos procesos de ajuste geomtrico que en
el caso de la optimizacin en campos con simetra axial, es decir, se le da una forma
suave y se obliga a que los ngulos de corte con los electrodos limtrofes [30] sean de
90, mediante el empleo de splines cbicas de ajuste.
5.5 Criterios de evaluacin
El objetivo seleccionado para la optimizacin, como se coment en los captulos
anteriores, es la minimizacin de la intensidad de campo mxima sobre la superficie de
un aislador (E
max
). En cada iteracin se plantea para cada punto de contorno una
intensidad de campo objetivo situada entre la existente en el punto y el valor medio de
la intensidad de campo a lo largo del contorno (E
m
) (Fig. 5.15). Si despus de una
iteracin se consigue el objetivo en todos los puntos del contorno, el valor del cociente,
E
minmax
, entre las intensidades de campo mnima y la mxima a lo largo del contorno,
aumentar, pudiendo alcanzar como valor mximo la unidad. Este cociente representa
por tanto una medida cuantitativa de hasta qu punto se han alcanzado localmente los
objetivos propuestos en cada iteracin. Sin embargo, teniendo en cuenta el objetivo
final de la iteracin, una iteracin se considera vlida no por el hecho de que E
minmax

aumente, sino simplemente si E
max
disminuye.

a) longitud del arco
Eobj1
E1
Em
Etot (kV/cm)
s

b)
longitud del arco
E2
E1
Em
Etot (kV/cm)
s

c)
longitud del arco
E1
E3
Em
Etot (kV/cm)
s

Fig. 5.15. Criterios de evaluacin de la funcin objetivo.

As por ejemplo, para una distribucin de campo E
1
a lo largo de un contorno como la
mostrada en la Fig. 5.15 (a) con una distribucin de campo objetivo E
obj1
, podran
obtenerse distribuciones de campo en el contorno iterado como las mostradas en las
Fig. 5.15 (b) y (c).
Para la distribucin E
2
de la figura Fig. 5.15 (b) E
minmax2
es menor que E
minmax1
, lo que
quiere decir que globalmente no se han alcanzado los objetivos locales planteados. Sin
embargo E
max2
< E
max1
, y el nuevo contorno s cumple el objetivo final de la
optimizacin por lo que se aceptara como vlido.
En cambio para la distribucin E
3
de la Fig. 5.15 (c) aunque E
minmax3
> E
minmax1
y podra
decirse que globalmente se han alcanzado los objetivos locales propuestos, sin embargo
E
max3
> E
max2
lo que contradice el objetivo final de la optimizacin por lo que este
contorno quedara rechazado.
5.6 Descripcin detallada del proceso de optimizacin
para cada curva generatriz
5.6.1 Consideraciones globales
Despus de seleccionar un conjunto de M secciones axiales de la superficie con simetra
rotacional, tal y como se ha indicado anteriormente, se obtiene, en cada una de estas
secciones, la curva generatriz de la superficie de revolucin. Para cada una de estas
curvas generatrices, originalmente iguales, se lleva a cabo el siguiente proceso de
modificacin del contorno separadamente.
Se considera que la curva puede calcularse a partir de las coordenadas de n puntos de
contorno P P P
n 1 2
, , , K . En la descripcin que sigue se har referencia a esta curva
como contorno por optimizar A, o, cuando no haya lugar a confusin, simplemente
como contorno A.
La forma de este contorno debe ser modificada de tal manera que la distribucin del
mdulo de la intensidad de campo elctrico entre los puntos
n
P P y
1
, satisfaga los
criterios de diseo establecidos.
Para ello en primer lugar se calcula la distribucin del mdulo de la intensidad de
campo elctrico para el contorno considerado. Si no se satisfacen las condiciones de
diseo establecidas, entonces se procede a la modificacin del contorno. Para
modificarlo, se toman los puntos de contorno P P P
n 1 2
, , , K como puntos de apoyo.
A partir del contorno inicial A, se determina un nuevo contorno, que se va a denominar
contorno modificado
&&&
A . Si se produce para este contorno modificado una mejora de las

relaciones de campo elctrico, segn los criterios de diseo establecidos, en
comparacin con las que se tenan para el contorno inicial, el contorno modificado se
marca como contorno vlido. Este contorno vlido se toma entonces como contorno
inicial para la determinacin de un nuevo contorno. Este proceso de clculo de
contornos vlidos se contina hasta que se satisfagan las condiciones de diseo
establecidas.
Si en el contorno modificado no se produce la mencionada mejora de las relaciones de
campo elctrico, entonces se determina a partir del mismo contorno inicial un nuevo
contorno modificado. Este proceso se repite hasta que se encuentra un contorno vlido o
se produce alguna condicin previa de interrupcin del proceso. En cada nuevo intento
de determinacin de un contorno vlido, se hace uso de la experiencia obtenida en los
intentos anteriores, en cuanto a la modificacin de las relaciones de campo se refiere.
El clculo de un contorno modificado se lleva a cabo en tres pasos.
El primer paso produce un contorno que se denomina contorno desplazado
&
A. El
contorno desplazado se calcula asignando a cada punto de apoyo, P
i
, un
desplazamiento, T
i
, en direccin de la normal al contorno. A partir de los puntos del
contorno inicial y de los desplazamientos se determinan n puntos desplazados
&
,
&
, ,
&
P P P
n 1 2
K .
El contorno que se deduce de los puntos desplazados no satisface por lo general las
condiciones geomtricas de diseo. Para asegurar el cumplimiento de estas condiciones
es preciso corregir, en un segundo paso, el contorno desplazado. De esta manera se
obtiene el contorno corregido
&&
A (Puntos
&&
,
&&
, ,
&&
P P P
n 1 2
K ).
Debido a las correcciones geomtricas, las distancias entre puntos de contorno
consecutivos pueden verse alteradas, lo que a lo largo de una serie de iteraciones puede
conducir a concentraciones o acumulaciones de los puntos de contorno, lo que conlleva
una influencia negativa sobre el clculo del campo elctrico. Puede, por ello, ser
necesario redistribuir los puntos de apoyo sobre el contorno corregido, para obtener
finalmente, a partir de los nuevos puntos, lo que se denominar el contorno modificado
&&&
A (Puntos
&&&
,
&&&
, ,
&&&
P P P
n 1 2
K ).
5.6.2 La optimizacin como proceso iterativo
Los distintos contornos (A A A A
0 1 2 3
, , , ,K), que se generan a lo largo de la
optimizacin para el aislador por optimizar, pueden considerarse como miembros de
una sucesin (sucesin de optimizacin), para la que se han establecido un conjunto de
reglas y definiciones que pasan a explicarse a continuacin.

A cada trmino A
i
de la sucesin de optimizacin, se le asigna un conjunto de
parmetros s
i
.
Se define como iteracin i (i > 0) el par ordenado ( )
i i i
A A I ,
1
= . A
i 1
es el
contorno inicial o de partida y A
i
es el contorno iterado. La iteracin nula I
0
, se define
como el par ordenado ( )
0 0
, A A .
Los diferentes trminos A
i
de la sucesin de optimizacin se determinan como
se explica a continuacin:
A
0
es un dato y se considera como contorno vlido.
A
1
se obtiene como contorno modificado
&&&
A
0
a partir A
0
.
En funcin de los conjuntos de parmetros s
0
y s
1
se clasifica
A
1
como contorno vlido o como contorno no vlido.
Para i > 1 se cumple:
Si A
i 1
es un contorno vlido, entonces A
i
se calcula
como contorno modificado
&&&
A
i 1
a partir de A
i 1
. En funcin de los
conjuntos de parmetros s
i 1
y s
i
se clasifica A
i
como contorno vlido
o como contorno no vlido.
Si A
i 1
no es un contorno vlido, entonces se hace A
i

igual a A
i 2
. El que A
i 1
sea un contorno no vlido, implica que las
relaciones de campo elctrico en A
i 2
, y como consecuencia tambin
en
2
=
i i
A A , son mejores que las de A
i 1
. Por lo tanto, segn la
definicin, A
i
es de nuevo un contorno vlido.
(5.121)

Para la caracterizacin de los contornos vlidos y los no vlidos se define la
funcin , que asigna a una iteracin I
i
el valor 1, si la iteracin ha supuesto una mejora
de las caractersticas elctricas del contorno (representadas por el conjunto de
parmetros s
i
) o 0 en caso contrario. Es decir, si ( ) 1 =
i
I , entonces A
i
es un contorno
vlido segn la nomenclatura explicada.
De (5.121) se deduce que puede haber tres tipos diferentes de iteraciones:
I ) A partir de un contorno vlido se obtiene un nuevo contorno vlido. Una
iteracin tal se denomina iteracin efectiva.
II ) A partir de un contorno vlido se obtiene un contorno no vlido.

III ) A un contorno no vlido le sigue siempre un contorno vlido, que es el
mismo contorno del que se deriva el contorno no vlido considerado.
Para diferenciar estos tres tipos de iteraciones se introduce la funcin . Esta
funcin asigna a cada iteracin I
i
un valor ( ) { } 1 , 0 , 1
i
I . Se dice que la iteracin I
i

tiene el valor ( )
i
I . Se cumple:
( )
( ) ( ) | |
( ) ( ) | |
( ) ( ) | |
=
=
= =
=
II Tipo 0 = I si 0 I
I Tipo 1 = I si 1 I
no si
III Tipo 1 I entonces , 0 I si
; 1 I
i i
i i
i 1 i
0

(5.122)

Del mismo modo, se asigna a cada trmino de la sucesin de optimizacin, es decir, a
cada contorno, un valor segn:
( ) ( )
i i i
I A = = . (5.123)
As pues, los contornos vlidos pueden caracterizarse mediante la expresin
i
= 1.
Todas las iteraciones que presentan el mismo contorno vlido como contorno de
partida se denominan intentos. Entre dos contornos vlidos distintos A
i
y A
j
se define
una subsucesin de la sucesin de optimizacin, que se denomina subsucesin de
intentos del contorno, como el conjunto
{ }
{ }, , 2 , 1 , 0 k y
j 1 k 2 i con A , A , , A , A , A
1 k 2 i k 2 i 2 i 1 i i
K
K
= + +
+ + + + +

(5.124)
Para el que se cumple:
k v 0 para A A
i v 2 i
=
+
. (5.125)
v se denomina contador de intentos. El intento v para el contorno A
i
es la
iteracin ( )
1 2 2 1 2
,
+ + + + +
=
v i v i v i
A A I .
Se llama contorno actual al ltimo contorno calculado. El ndice del contorno
actual se denomina igualmente como ndice actual, . Como iteracin actual se
denomina la iteracin que tiene el mismo ndice que el contorno actual.
Se denomina subiteracin de optimizacin efectiva a la subsucesin de todos los
contornos con valor 1 sin considerar las repeticiones de los intentos. Estos contornos se
denominan tambin contornos efectivos.
El nmero de iteraciones efectivas es igual al nmero de contornos efectivos
menos uno.

5.6.2.1 El conjunto de parmetros de un contorno
Para cada punto ( )
i i i
z r P , de un contorno A
i
se calculan las siguientes magnitudes:
Potencial
i
.
Intensidad de campo elctrico en el sistema global de coordenadas
( )
iz iy ix i
E E E E , ,
r
y en el sistema local de coordenadas ( )
i i in i
E E E E , ,
r
.
Derivadas del mdulo de la intensidad de campo en direccin
normal a ambos lados de la superficie dielctrica
2
i
1
i
n
E
y
n
E
.

(5.126)

Para calcular estas magnitudes, primero se resuelve el problema de clculo de campos
de la configuracin actual. Entonces, partiendo de las magnitudes citadas y de las
constantes
objmf objme memf
E y E , E , que define el usuario, y cuyo significado puede
deducirse de las explicaciones que siguen, se calculan las magnitudes siguientes:
Intensidad de campo media E
med

( )

1

no si
E

entonces , 10 > intentos de contador el 0 0 E Si
1
med
1
memf
med
objme
=
=
=
=
= =
n
i
i
n
i
i
E
n
E
E
n
E
v

(5.127)

Intensidades de campo mnima y mxima
max min
E E y , cociente entre las intensidades de
campo mnima y mxima
min/max
E y diferencia entre las intensidad de campo mxima y
la intensidad de campo media
med max
E :
{ } { }
{ } { }
med max med max
max
min
minmax
min
max
, , 1 , Min
, , 1 , Max
E E E
E
E
E
n i E E
n i E E
i
i
=
=
=
=
K
K

(5.128)

Incremento de intensidad de campo E
i
:

( )
( )

10
>
y 3 E si E
10

y 3 E si 0
2 E si E
1 E si E

med max
mi
objme
mi
mi
objmf
med
objme
objme
med max
mi
mi objmf
objme mi objmf
mi
med mi
mi

=
=

=
=
=
=
E
E
E
E
E
E
E
E
E
E
E f
E E E
E f E
max
mi
i
i

(5.129)

Intensidad de campo objetivo E
i obj
:

obj i i i
E E E + =
(5.130)

Todas estas magnitudes se calculan a ambos lados de la frontera dielctrica.
El conjunto de todas las magnitudes desde (5.126) hasta (5.130) determina el conjunto
de parmetros s
i
para cada contorno A
i
.
5.6.2.2 La funcin de caracterizacin de las iteraciones
Se describe ahora la funcin , que sirve para discriminar si una iteracin I
i
ha dado
lugar a un contorno mejor o no.
El usuario debe suministrar las siguientes constantes:
ISCRI : Seala a qu lado de la frontera dielctrica deben compararse los
conjuntos de parmetros de los dos contornos que forman la iteracin. Puede adoptar los
siguientes valores:
1: Comparacin slo en el lado izquierdo
2: Comparacin slo en el lado derecho
3: Comparacin en ambos lados
VALCRIT : Indica que criterios de comparacin deben emplearse. Puede
adoptar los siguientes valores:
1: Criterio de comparacin 1
2: Criterio de comparacin 2

3: Criterios de comparacin 1 y 2.
Con estas constantes, la funcin se define as:
( )
{ }
( )

0 I entonces 0, > CRI Si
CRI2 + CRI1 = CRI entonces 3, = VALCRIT Si
CRI2 = CRI entonces 2, = VALCRIT Si
CRI1 = CRI entonces 1, = VALCRIT Si
1 = CRI2 entonces , E E Si
1 = CRI1 entonces , E E Si
0 = 2 CRI
0 = 1 CRI
k , k lado Para
. 2 k ; 1 k
entonces 3, = ISCRI si
2 k ; 2 k
1 k ; 1 k
1 I
i
lado
min/max
lado
min/max
lado
max
lado
max
2 1
2 1
2 1
2 1
i
=
= =
= =
= =
=
1 i i
1 i i

(5.131)
5.6.2.3 El clculo de un contorno modificado
Se considera ahora una subsucesin de intentos entre dos contornos vlidos A
i
y A
j
,
como se defini en (5.124) y (5.125). En cada intento de esta subsucesin se calcula a
partir del mismo contorno de partida A A
i v i +
=
2
, un contorno modificado diferente
A A
i v i v + + +
=
2 1 2
&&&
. Como ya se ha comentado, en cada intento, se hace uso de la
experiencia adquirida en los intentos anteriores. Para ello, en funcin del valor del
contador de intentos v se utiliza un algoritmo distinto para la determinacin de los
contornos desplazados
&
A
i v +2
.
Para la determinacin de los contornos corregidos y de los contornos modificados a
partir de los contornos desplazados, se utilizan siempre los mismos algoritmos, pero
tambin se hacen depender los valores de un conjunto de parmetros, que se llamarn S,
del valor del contador de iteraciones: S=S(v).


5.6.2.3.1 El clculo de los contornos desplazados
I ) Contador de intentos v = 0
Para determinar los desplazamientos T
i
, se define para cada punto una intensidad de
campo objetivo E
i obj
. Como ya se ha apuntado en epgrafes anteriores, resulta
apropiado definir una intensidad de campo objetivo en cada punto que se encuentre
entre los valores de la intensidad de campo presente en el punto en consideracin y el
valor medio de la intensidad de campo a lo largo del contorno. Con esta intencin se
han formulado las ecuaciones (5.129) y (5.130).
La intensidad de campo elctrico sobre una superficie de separacin dielctrica no posee
un valor determinado sino dos valores lmite distintos, segn qu lado de la frontera se
considere. Correspondientemente resulta posible calcular dos distribuciones de campo
distintas con sus correspondientes valores medios. As pues, es posible asignar a cada
punto dos valores distintos de intensidad de campo objetivo, pues no se sabe a priori, en
qu direccin va a desplazarse cada punto.
Se introduce como convenio asignar a los desplazamientos en direccin 2 (derecha de la
frontera en el sentido de recorrido del contorno) un signo positivo y a los
desplazamientos en direccin 1 (izquierda de la frontera en el sentido de recorrido del
contorno) un signo negativo
Se utiliza entonces la siguiente estimacin:

( ) ( )
( ) ( )
. 0 cuando decir, es
1, direccin en entos desplazami para
0 cuando decir, es
2, direccin en entos desplazami para
1
1 1
2
2 2
<
+
>
+
i
i
i
i i
i
i
i
i i
T
T
n
E
P E P E
T
T
n
E
P E P E
&
&

(5.132)
Del mismo modo se calculan las derivadas direccionales a los lados 1 y 2 segn:
( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
. 0 h con
h
n h P E P E
lim
h
P E n h P E
lim
n
E
h
P E n h P E
lim
n
E
i 1 i i
0 h
i i 1 i
0 h
1
i
i i 2 i
0 h
2
i
>
+
=
+
=
+
=
r
r r r
r
r
r
r
r

(5.133)

Para calcular los desplazamientos T
i
se calculan en todos los puntos del contorno las
derivadas del mdulo de la intensidad de campo en direccin normal a ambos lados de

la frontera dielctrica, y por lo tanto se determinan dos desplazamientos posibles, uno
para cada sentido.
( )
( )
.
1
1 1 obj
1
2
2 2 obj
2
n
E
E E
T
n
E
E E
T
i
i i
i
i
i i
i
=

(5.134)
Dado que la frmula para
E
n
i
2
supone desplazamientos positivos y la frmula para
E
n
i
1
los supone negativos, en (5.134) hay que considerar T
i 2
como desplazamiento
posible cuando 0
2
>
i
T , y
1 i
T cuando 0
1
<
i
T .
En teora es posible imaginar toda combinacin posible de signos para T
i 2
y T
i 1
en
(5.134). Para fijar la direccin de desplazamiento se utiliza el siguiente esquema de
decisiones.
<

<
. 2 direccin en to splazamien De
no si
desplaza, se no punto El posible. es
2 o 1 ento desplazami de s direccione dos las de Ninguna
o. conflictiv nto Pu
entonces , 0 si

no si
ento, desplazami de r menor valo
el con direccin la toma Se posibles. son
2 y 1 ento desplazami de s direccione Ambas
o. conflictiv nto Pu
no si
1, direccin en to splazamien De
entonces , 0 si

entonces , 0 si
2
2
1
i
i
i
T
T
T

(5.135)

Para reducir el nmero de puntos en que pueda aparecer un conflicto al determinar la
direccin de desplazamiento, se comparan los valores de las derivadas direccionales a
ambos lados de la frontera dielctrica. En aquellos puntos, en los que los signos de
ambas derivadas son distintos, y puede esperarse que se presente el conflicto
mencionado, se sustituyen los valores calculados por los que se deduciran de una
interpolacin lineal entre los valores de los puntos adyacentes.
II) Contador de intentos v = 1

Cuanto tras el clculo del contorno modificado para v = 0 no se llega a un contorno
vlido, se utiliza para v = 1 el mismo procedimiento que para v = 0 , excepto que las
derivadas direccionales (5.133) se sustituyen por las ya comentadas derivadas globlales
empricas, que se pueden calcularse a partir de los valores de campo de la iteracin
fracasada. Estas derivadas empricas se calculan segn el esquema siguiente:
1 i
vlido partida de contorno
1 i
vlido no iterado contorno
1 i
1
i
2 i
vlido partida de contorno
2 i
vlido no iterado contorno
2 i
2
i
T
E E
Dn
DE
T
E E
Dn
DE

(5.136)
III) contador de intentos v > 1
Para el caso de que ninguno de los dos primeros intentos tenga xito, se han
implementado distintos procedimientos para tratar de llevar el proceso de optimizacin
a la convergencia:
1) Mtodo de convergencia 1: Interpolacin entre los dos ltimos contornos
vlidos.
2) Mtodo de convergencia 2: Extrapolacin a partir de los dos ltimos
contornos vlidos mediante la introduccin de una funcin de xito.
3) Mtodo de convergencia 3: Reduccin constante de los desplazamientos
de la ltima iteracin no vlida.
4) Mtodo de convergencia 4: Modificacin de los parmetros S para el
clculo de los contornos desplazados y de los contornos corregidos.
IV) Correcciones a posteriori para todos los valores del contador de intentos v
Tras haber calculado los desplazamientos, se observ la conveniencia,
independientemente del valor del contador de intentos v, de corregir el vector de
desplazamientos | | ( )
n
T T T T , , ,
2 1
K = mediante una serie de medidas adicionales para lo
cual se introdujeron los siguientes parmetros:
DIAME : representa la mxima distancia entre dos puntos de contorno del
contorno por optimizar. Es una medida del tamao del contorno.
MAXDF: El producto DIAME * MAXDF se toma como valor lmite del
desplazamiento admisible para un punto de contorno.
COMPDES: En (5.135) se forz un desplazamiento nulo de los puntos
conflictivos. Cuando el parmetro COMPDES tiene el valor 1, el desplazamiento de
estos puntos, antes de calcular el contorno corregido, se interpola entre los
desplazamientos de los puntos adyacentes.

FORMFAC: Para FORMFAC = 0 se fijan los desplazamientos que sobrepasan
el desplazamiento mximo admisible, iguales a este valor mximo. Para FORMFAC =1,
se fija nicamente el mximo de todos ellos igual al desplazamiento mximo admisible,
el resto de desplazamientos se reducen de tal manera que se mantenga la forma del
vector de desplazamientos.
TRUNCATE: La presencia de mximos o mnimos locales en el vector de
desplazamientos lleva a veces a la aparicin de cavidades o salientes no deseados en los
contornos. Cuando se fija TRUNCATE = 1, se eliminan estos mximos o mnimos
forzando que el desplazamiento de los puntos siguientes sea igual al del punto en que se
ha producido el mximo o el mnimo.
5.6.2.3.2 Clculo de los contornos corregidos
Para conseguir la mxima reduccin posible en el campo, parece lgico permitir
grandes variaciones en la forma del contorno. Para conseguir esto y, al mismo tiempo,
no aumentar demasiado el nmero de iteraciones, resulta imprescindible permitir en
cada iteracin desplazamientos tan grandes como permita la convergencia del mtodo.
Debido a esto aparecen en cada iteracin, como contornos desplazados, contornos de
forma abrupta y cuyas tangentes en los puntos extremos pueden diferir notablemente de
los valores deseados. Adems, para los puntos extremos, se pueden determinar siempre
desplazamientos tericos, independientemente de que se consideren como puntos fijos o
no en la configuracin por optimizar.
Es preciso pues acometer la tarea de definir, a partir de las coordenadas de los puntos
del contorno desplazado, un contorno con forma suave y cuyas tangentes en los puntos
extremos puedan fijarse arbitrariamente. Adems debe ser posible para tal contorno,
fijar uno o ambos puntos extremos.
La solucin de Stih [133], que representa el contorno como una serie de arcos
circulares, conectados entre s con tangentes comunes, no resulta suficiente para poder
considerar todas las condiciones posibles citadas en los puntos extremos. Por esta razn
se utilizan como alternativa las splines cbicas paramtricas de ajuste [127] que se
describen a continuacin.
Se consideran dados los n puntos desplazados
&
,
&
, ,
&
P P P
n 1 2
K . A cada punto se asigna un
valor del parmetor u. Los valores u u u
n 1 2
, , , K del parmetro u forman una sucesin
montona creciente. (Si se utiliza para la descripcin del contorno de partida una spline
cbica paramtrica, puede utilizarse como parmetro u el parmetro de la spline, si no,
se toma como parmetro la primera vez la distancia acumulada de los segmentos
rectilneos
&
,
&
P P
i i +1
). Se consideran tambin dadas las derivadas primeras de una
funcin, ( ) r z & & o de dos funciones ( ) ( ) u z y u r & & en el primero y en el ltimo puntos.

Con estos datos se determina una curva que presenta las siguientes propiedades:
La curva es continua y se compone de n-1 tramos que unen los n puntos
n
P P P
& &
K
& & & &
, , ,
2 1
unos con otros (El punto
&&
P
i
tiene las coordenadas ( )
i i
z r & & & & , ). La tangente a
la curva tambin es continua.
Los tramos de curva se describen mediante ecuaciones paramtricas del
parmetro dado u:
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
=
=
=
=
=
=
=
=
+
1 1 1 1 1
1 1 1 1 1
1 1
1 1
1 1 1
1 1 1
1
dadas estn 1 para
: adems y parmetro del cbicos polinomios son y donde
cumple se 1, - 1,2,...., con tramo el Para
u z f z z p
u r f r r p
u z f
u r f
u fz z
u fr r
i
u u fz u fr
u fz z
u fr r
n i P P
z
r
i i
i
i
i i
& & &
& & &
& &
& &
& &
& &
& & & &

( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
=
=
=
=
= =
= =
=
i i i i i i zi
i i i i ri
i i i i
i i i i
i i i i i
i i i i i
u z f u z f z z p
u r f u r f r r p
u z f u z f
u r f u r f
u fz u fz z
u fr u fr r
n i
1
1
1
1
1
1
1 - 2,...., para
& & &
& & &
& &
& &
(5.137)

( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
=
=

)
=
=
=
n n n n zn
n n n n rn
n n
n n
n n n
n n n
u z f z z p
u r f r r p
u z f
u r f
u fz z
u fr r
n i
1
1
1
1
1
1
dadas estn para
& & &
& & &
& &
& &


Los parmetros p p
ri zi
, son factores de proporcionalidad. Para no obtener distorsiones
entre las direcciones geomtricas r y z deben escogerse p p p
ri zi i
= = . Para p
i

se obtiene
&& &
P P
i i
= . Cuando todos los p
i
0, se obtiene como curva resultante la recta
de ajuste en el sentido de mnimos cuadrados [127].
Esta curva es la spline cbica paramtrica de ajuste para los datos dados. Por medio de
esta curva resulta posible forzar las tangentes en los puntos extremos y controlar el
grado de suavidad de la curva mediante una seleccin adecuada de los pesos p
i
, a la vez
que puede decidirse si fijar o no los puntos extremos.
Por medio de la spline cbica paramtrica de ajuste se define el contorno corregido.
5.6.2.3.3 Clculo del contorno modificado
Despus de que se ha fijado la forma del contorno mediante el clculo de la spline
cbica paramtrica de ajuste puede ser recomendable si se va a llevar a cabo a
continuacin un clculo del campo elctrico usando los puntos de apoyo de la curva
como puntos de contorno, redistribuir los puntos de apoyo sobre el contorno. Con este
objetivo se introdujo el parmetro ALLOCF, con el que se controla la nueva
redistribucin de los puntos de contorno. Se han previsto las siguientes posibilidades:
ALLOCF = 0 : Los tramos del contorno tienen las mismas relaciones respecto a
la longitud total que en el contorno original.
ALLOCF 0 : Los puntos se redistribuyen sobre el contorno de forma que las
longitudes de los tramos son una funcin de la curvatura de la curva en el punto medio
del tramo. Para ALLOCF=1 se utiliza una funcin racional y para ALLOCF=2 se utiliza
una funcin exponencial.
Tras la redistribucin de los puntos de contorno se obtiene finalmente el contorno
modificado con los puntos
&&&
,
&&&
, ,
&&&
P P P
n 1 2
K . A partir de las coordenadas de estos puntos
pueden determinarse ahora los desplazamientos reales realizados. Se calcula primero el
mdulo y posteriormente se le afecta del signo correspondiente segn la direccin de
desplazamiento con la convencin introducida anteriormente. Despus de las
correcciones del contorno los puntos ya no se encuentran sobre las rectas normales al
contorno original. Cuando se utilizan estos desplazamientos ms adelante, en el clculo
de las derivadas empricas, se aproximan como si hubiesen sido desplazados realmente
en direccin normal. Esta aproximacin se admite porque si no, la definicin de nuevas
direcciones de desplazamiento, distintas de la normal, complicara excesivamente el
procedimiento geomtrico.

Captulo 6 Clculo de Ejemplos de Aplicacin
6.1 Introduccin
En este captulo se muestra la funcionalidad del mtodo propuesto y del programa de
clculo desarrollados mediante su aplicacin a un conjunto de configuraciones
seleccionadas. Se parte de una configuracin similar (ver Fig. 6.1) a las usadas por
Grnewald [50], Dumling [30] y Abdel-Salam [3]. Estas configuraciones presentan
simetra axial, por lo que se procedi a modificarlas de modo que el campo ya no
presentase dicha simetra. Con las configuraciones escogidas se procedi a analizar la
influencia de distintos factores geomtricos en el proceso de optimizacin.
Altura
dielctrico
Electrodo
Plano de tierra
100 kV
=
r
0
0
Radio
dielctrico
Radio
Electrodo
z
r
Distancia al eje

Fig. 6.1. Configuracin de partida para la optimizacin.
6.2 Configuracin asimtrica con un electrodo paralelo al
aislador de apoyo
Para generar una asimetra en la distribucin de campo de la configuracin mostrada en
la Fig. 6.1 se dispuso en este primer caso de un cilindro conductor al potencial de
referencia en direccin del eje x (ver Fig. 6.2). Como el nico objetivo de este cilindro

es crear una perturbacin en el campo, se utiliz un cilindro hueco, lo que permite
reducir el nmero de puntos de contorno necesarios. Para el clculo del campo este
cilindro se simula con cargas discretas.
7,5 cm
Electrodo
Plano de tierra
1
100 kV
=3
0 0
2 cm
3 cm
z
x
electrodo
cilndrico
d
0 kV
5 cm
2 cm
3,5 cm

Fig. 6.2. Configuracin de test con cilindro electrdico.
Sometida la configuracin al proceso de optimizacin se obtuvo como resultado el
contorno de la Fig. 6.3 para un valor de la distancia d = 9 cm. Para este clculo se
impuso como restriccin que el punto de apoyo de la base del aislador permaneciese
fijo. En la Fig. 6.3 puede verse tambin que los ngulos que forma el aislador con el
electrodo de alta tensin y con el plano de tierra, se mantienen en el valor de 90 para
evitar las singularidades de campo.
Capitulo 6: Clculo de Ejemplos de Aplicacin 253

7,5 cm
Contorno
Original
Plano de tierra
1
100 kV
2 cm
3 cm
Z
r
electrodo
cilndrico
d
0 kV
5 cm
2 cm
3,5 cm
Contorno
Optimizado
X

Fig. 6.3. Contornos Optimizados para la configuracin de test cuando la distancia d = 9 cm.
A continuacin se presentan los diagramas de campo de la configuracin bsica con
simetra axial (ver Fig. 6.4), la configuracin de partida para la optimizacin con el
aislador cilndrico circular y el electrodo cilndrico perturbador, (Fig. 6.5) y la
configuracin con el aislador optimizado (Fig. 6.6).
Comparando la configuracin bsica (Fig. 6.4) con la configuracin de partida de la
optimizacin (Fig. 6.6) puede verse claramente el aumento de campo debido a la
presencia del electrodo cilndrico.
La intensidad de campo mxima a lo largo del aislador cambia de un valor de 16,73
kV/cm para el contorno original a un valor de 16,11 kV/cm para el contorno
optimizado. Por lo que se refiere a E
minmax
aument de 0,6466 a 0,6547.

Fig. 6.4. Caso simtrico.

Fig. 6.5. Distribuciones de campo y lneas equipotenciales antes de optimizar: d = 9 cm.

Fig. 6.6. Distribuciones de campo y lneas equipotenciales despus de optimizar: d = 9 cm.
6.3 Configuracin asimtrica con un cable perpendicular
al plano xz
En este segundo caso se cre la asimetra en la distribucin de campo mediante la
colocacin de un cable puesto a tierra perpendicular al plano XZ a una cierta distancia
del aislador a optimizar (Fig. 6.7). Para simular este cable se utiliz un electrodo
cilndrico hueco perpendicular al plano XZ con una longitud 4 veces la altura del
aislador. En el clculo del campo se simul con cargas discretas al igual que el cilindro
de la primera configuracin. Los diagramas de campo para la configuracin de partida y
la optimizada se muestran en las figuras 6.9 y 6.10.

7,5 cm
Contorno
Original
Plano de tierra
100 kV
2 cm
3 cm
Z
r
Conductor
puesto a
tierra
0 kV
4 cm
3,5 cm
Contorno
Optimizado
4 cm
X

Fig. 6.7. Contorno optimizado para la segunda configuracin con d = 4 cm.

Fig. 6.8. Lneas de campo y equipotenciales antes de optimizar con un conductor puesto a tierra. d = 4
cm.

Fig. 6.9. Lneas de campo y equipotenciales despus de optimizar con un conductor puesto a tierra. d = 4
cm.
La intensidad de campo mxima a lo largo del contorno del aislador se redujo de 18,51
kV/cm para el contorno original 15,2 kV/cm. para el contorno optimizado. En cuanto a
E
minmax
aument de 0,51 a 0,75.
6.4 Influencia de la distancia del electrodo perturbador en
la optimizacin
Para estudiar la influencia de la distancia del electrodo perturbador en los resultados de
la optimizacin se seleccion la configuracin presentada en el apartado 6.2 (Fig. 6.2).
Se llev a cabo la optimizacin para los siguientes valores de la distancia d: 15 cm,
13 cm, 11 cm, 9 cm y 8 cm.
A continuacin se presentan los diagramas de campo de las distintas configuraciones
para los contornos de partida y los contornos optimizados.

Fig. 6.10. Lneas de campo y equipotenciales antes de optimizar. d = 15cm.

Fig. 6.11. Lneas de campo y equipotenciales despus de optimizar. d = 15cm.

Fig. 6.12. Lneas de campo y equipotenciales antes de optimizar. d = 13 cm.

Fig. 6.13. Lneas de campo y equipotenciales despus de optimizar. d = 13 cm.



Fig. 6.16. Distribuciones de campo y lneas equipotenciales antes de optimizar: d = 9 cm.

Fig. 6.17. Distribuciones de campo y lneas equipotenciales despus de optimizar: d = 9 cm.


En la Tabla 6.1 se presentan los resultados de la optimizacin en funcin de los
parmetros E
max
, y E
minmax
. En ella se pueden comparar los valores iniciales y los valores
finales para las diferentes distancias d . Los valores de E
max
y E
minmax
escritos en la tabla
corresponden al plano XZ.

E
max
(kV/cm)
E
minmax
(kV/cm)
d (cm) Valores
Iniciales
Valores
Finales

%
reduccin
Valores
Iniciales
Valores
Finales
%
incremento
Sin
Cilindro
16,12 15,2 5,70 0,7043 0,8625 18,34
15 16,17 15,2 6 0,6997 0,7313 4,32
13 16,23 15,26 5,98 0,6948 0,7383 6,14
11 16,36 15,5 5,26 0,6819 0,7082 3,71
9 16,73 16,11 3,71 0,6466 0,6547 1,24
8 17,16 16,81 2,08 0,6097 0,6095 -0,033
Tabla 6.1. Resultados de optimizacin para la configuracin de test.
6.5 Influencia en la optimizacin de fijar los extremos del
aislador
Se realizaron tambin clculos para estudiar la influencia en el resultado final de la
optimizacin de fijar el punto inicial del contorno aislador (punto situado sobre el plano
de tierra).
Por ello se repitieron los clculos presentados en el apartado 6.4 pero manteniendo esta
vez el punto inicial del aislador fijo.
Las figuras Fig. 6.20 y Fig. 6.21 muestran los conjuntos de contornos obtenidos en
ambos casos para los distintos valores seleccionados de la distancia del cilindro
perturbador al aislador.

Sin
cilindro
d=15 cm
d=13 cm
d=8 cm
d=9 cm
d=11 cm
Contorno
original
d=8 cm
d=9 cm
d=11 cm

Fig. 6.20. Contornos optimizados para la configuracin de test considerando diferentes distancias d, con
un punto inferior libre.
sin
cilindro
d=15 cm
d=13 cm
d=8 cm
d=9 cm
d=11 cm
Contorno
inicial

Fig. 6.21. Comparacin de los contornos optimizados para la disposicin de test considerando diferentes
distancias d.
La Tabla 6.2 presenta las intensidades de campo mximas iniciales y las de los
contornos optimizados para las dos posibilidades comentadas.

Contornos optimizados Contornos de
partida
Pto. Inicial libre Punto Inicial fijo

d (cm)
E
MAX
(kV/cm) E
MAX
(kV/cm)

E
MAX
(kV/cm)
Sin cilindro 16,12 14,7 15,2
15 16,17 14,9 15,2
13 16,23 14,9 15,3
11 16,36 15,3 15,5
9 16,73 15,9 16,1
8 17,16 16,7 16,8
Tabla 6.2. Resultados de la optimizacin para la disposicin de test permitiendo que el punto inferior del
aislador se encuentre libre.
6.6 Anlisis de resultados
A tenor de los resultados presentados en los apartados anteriores puede afirmarse que el
mtodo desarrollado es capaz de llevar a cabo la optimizacin de contornos de
aisladores con simetra axial situados en el seno de campos electrostticos
tridimensionales generales.
En las configuraciones estudiadas las reducciones alcanzadas en la intensidad de campo
mxima sobre la superficie del aislador no son elevadas. Esto es debido a la distribucin
de campo presente en el contorno original. Al observar los diagramas de campo de las
configuraciones antes de ser optimizadas, puede apreciarse que el contorno del aislador
se encuentra prximo a las lneas de campo. Como se coment en 5.3.2, el cambio en
estas condiciones al modificar el contorno del aislador es muy limitado.
La comparacin de los resultados obtenidos al cambiar la distancia al aislador del
electrodo utilizado para crear la perturbacin en el campo con simetra axial, nos hace
ver que existe un lmite en las posibilidades de aplicacin del programa, pues al acercar
el electrodo al aislador se llega a un punto en que la optimizacin apenas si es capaz de
reducir el mximo de la intensidad de campo.
Esta limitacin no es sin embargo de carcter general, pues el clculo realizado con la
segunda configuracin, en donde el cable de tierra se ha situado an ms prximo al
aislador, proporcionara mejores resultados que la optimizacin con el cilindro situado
ms alejado del aislador.

Por lo tanto, las posibilidades de optimizacin dependen en gran medida de la
distribucin de campo presente, sin que pueda hacerse una estimacin a priori de las
posibilidades presentes en cada caso concreto.
Tambin se puede constatar que cuanto mayores son los grados de libertad de la
optimizacin, se pueden alcanzar mejores resultados, como puede verse en la Tabla 6.2
donde se comparan los resultados de la optimizacin cuando se deja libre o no el punto
extremo de la base del aislador. Sin embargo, no hay que olvidar que a veces los
resultados obtenidos de la optimizacin con criterios elctricos como la que aqu se
realiza puede producir resultados cuestionables por su estabilidad mecnica.

Captulo 7 Consideraciones Finales
En este captulo se presenta en primer lugar un resumen del trabajo realizado
resaltndose las conclusiones que de l se derivan. Se realiza una pequea comparacin
con otros mtodos comentados en los captulos anteriores y por ltimo se exponen
posibilidades de continuacin del trabajo desarrollado.
7.1 Resumen
El presente trabajo presenta un mtodo de optimizacin respecto de criterios de campo
elctrico de aisladores de alta tensin en el seno de distribuciones de campo
tridimensionales. En cualquier trabajo de este tipo se pueden distinguir dos partes
fundamentales. Una se refiere al clculo del campo elctrico en s y la otra es la que
trata del procedimiento de modificacin de la geometra de los aisladores para que se
satisfagan las condiciones de diseo planteadas.
En el captulo primero se plantearon los objetivos del trabajo a realizar que eran:
1. Desarrollar un mtodo de optimizacin de aisladores con simetra rotacional en
el seno de campos elctricos con distribucin espacial tridimensional e
implementarlo en un programa de ordenador.
2. Aplicar el programa realizado para su utilizacin en configuraciones
seleccionadas.
Teniendo en cuenta la divisin temtica comentada ms arriba el captulo 2 se dedic a
un estudio de los mtodos numricos de clculo de campo y el captulo 3 al estudio de
los mtodos de optimizacin de configuraciones de alta tensin. En este captulo se
distingui entre la optimizacin de electrodos y la de aisladores pues, aun siendo esta
ltima la que se planteaba como objetivo en la presente obra, y a pesar de las diferencias
que se presentan entre uno y otro problema, no dejan de estar intrnsecamente
relacionados entre s, de modo que el conocimiento de la problemtica de la
optimizacin de electrodos resulta de gran importancia a la hora de abordar la
optimizacin de los aisladores.
En el captulo 4 se present el mtodo de optimizacin de Gomolln [43] que ha servido
de base al trabajo realizado. Se explican all las razones de la eleccin del objetivo de la
optimizacin y se da una formulacin matemtica del problema a la vez que se formulan
las relaciones geomtrico diferenciales entre las magnitudes elctricas y las propiedades
geomtricas de las superficies de contorno de un problema de campo elctrico.

El mtodo de Gomolln presentaba la limitacin de poder utilizarse nicamente en el
seno de distribuciones de campo con simetra axial. Por lo que el trabajo a desarrollar, y
que constituye la aportacin original del trabajo de investigacin que aqu se presenta,
consista en la generalizacin del mtodo para que pudiese ser aplicado en el seno de
distribuciones de campo tridimensionales de carcter general.
En el captulo 5 se presentan por una parte unas consideraciones tericas relativas al
problema de la optimizacin de aisladores, incluyendo un nuevo teorema sobre la
solucin de problemas de campo con superficies dielctricas coincidentes con
superficies equipotenciales, y por otra la solucin adoptada para la generalizacin del
mtodo de optimizacin de Gomolln al caso de distribuciones tridimensionales
generales de campo elctrico.
La funcionalidad y aplicacin del mtodo y del programa de ordenador desarrollado se
muestran en los ejemplos de aplicacin presentados en el captulo 6.
7.2 Conclusiones
A tenor de lo expuesto a lo largo del presente trabajo puede afirmarse que el mtodo de
optimizacin desarrollado por Gomolln y basado en la utilizacin de la derivada
emprica del mdulo del campo elctrico y el suavizado de contornos teniendo en
cuenta restricciones geomtricas mediante splines cbicas de ajuste para la modificacin
de las geometras, y que utiliza el mtodo de simulacin de cargas y el mtodo de cargas
superficiales para el clculo del campo elctrico, puede generalizarse para su utilizacin
en el seno de distribuciones de campo tridimensionales.
Sin embargo tanto los estudios tericos como los ejemplos de aplicacin considerados
muestran que las posibilidades de optimizacin de una geometra de aislador dada
dependen en gran medida de la orientacin de la superficie del aislador con respecto a
las superficies equipotenciales y lneas de campo. En comparacin con distribuciones de
campo axialmente simtricas se obtienen menores reducciones de la mxima intensidad
de campo superficial, que es el criterio de optimizacin seleccionado basndose en los
resultados de los experimentos de Dumling [30].
Resulta difcil realizar una comparacin con otros mtodos de optimizacin. Para
realizar una comparacin es preciso utilizar la misma configuracin en los dos mtodos
que se quieran comparar. Adems es preciso que los dos mtodos estn diseados para
utilizar el mismo criterio de optimizacin. Los datos que aporta la bibliografa no
proporcionan en la mayora de las veces datos suficientes como para reconstruir
exactamente la configuracin calculada. An en el caso de que se contase con datos
suficientes los cdigos no estn disponibles y una programacin ex profeso a efectos de
comparacin resulta por un lado inviable temporalmente, por la complejidad de la
Captulo 7: Consideraciones Finales 269

mayora de los mtodos y su vinculacin a un mtodo dado de clculo de campo, y por
otro lado los datos aportados en los artculos cientficos no son lo suficientemente
exhaustivos como para permitir la escritura de un cdigo que reproduzca los clculos
que en ellos se presentan.
Para posibilitar una mnima evaluacin en este sentido se escogi una configuracin de
prueba que ya haba sido utilizada por varios autores (Abdel Salam [3] , Grnewald
[50], Daumling [32]). Sin embargo, dado que estos autores utilizan criterios distintos de
optimizacin es obvio que los resultados obtenidos son distintos y que los que
proporciona cada uno de los mtodos satisfacen mejor las condiciones de diseo para
las que el mtodo fue diseado. Una comparacin real de cul de los resultados presenta
un mejor comportamiento elctrico slo podra llevarse a cabo experimentalmente. Aun
as, en el caso que nos ocupa, esto slo sera posible para las configuraciones de partida
con simetra axial, y no para el resto de configuraciones, pues ninguno de los autores
que usaron una configuracin similar realizaron optimizaciones en el seno de
distribuciones de campo tridimensionales.
7.3 Posibilidades para futuras investigaciones
7.3.1 Ampliacin del mtodo de optimizacin que permita
superficies tridimensionales
El programa de clculo del mtodo de optimizacin presentado no permite
configuraciones en las que aparezcan superficies individuales que no sean simtricas
axialmente. El mismo principio de la asignacin de puntos de contorno para el clculo
de los campos 3D se us para disear el proceso de optimizacin dentro de este campo.
Por ello se aplic la misma restriccin al mtodo de optimizacin, definindose un
contorno con simetra axial a partir de los distintos contornos desplazados individuales
en cada uno de los planos de corte del aislador seleccionados.
Como ya se coment en 5.4 sera posible definir una superficie tridimensional que
contuviese todos los contornos desplazados. Dicha superficie se podra realizar, por
ejemplo usando superficies spline. Esto podra tener inters terico si bien desde el
punto de vista tcnico sera escaso debido a que la mayor parte de las partes
individuales que configuran una configuracin de alta tensin presentan simetra axial y
difcilmente se justificara el complicado tratamiento matemtico necesario, en especial
si se quieren tener en cuenta las restricciones de ortogonalidad de las superficies
generadas con los electrodos limtrofes.

7.3.2 Desarrollo de un mtodo global de optimizacin
El mtodo desarrollado muestra dificultades de convergencia cuando se alcanza un
determinado valor del cociente entre las intensidades de campo superficiales mnima y
mxima del contorno por optimizar (E
minmax
) que depende de la configuracin de que se
trate. Se implementaron distintos mtodos de asegurar la convergencia, pero ninguno de
ellos mostr una efectividad del cien por cien, si bien an queda por investigar el efecto
de la precisin alcanzada en el clculo del campo elctrico cuando se presentan estas
situaciones. Con seguridad es posible realizar todava bastantes mejoras a este respecto.
Una alternativa al planteamiento usual de la optimizacin dividida en dos tareas, clculo
de campos y correccin de contornos, viene representada por lo que podra llamarse un
mtodo global de optimizacin. En un mtodo tal, se asume simultneamente el
tratamiento de los problemas del clculo de campo y de la optimizacin mediante el
planteamiento de un sistema lineal de ecuaciones. En este sistema, se aaden a las
incgnitas habituales, de un problema de clculo de campos, las densidades de carga
superficial y los desplazamientos de los puntos de apoyo que sirven para definir la
modificacin del contorno del aislador. Como ecuaciones adicionales del sistema para
estas incgnitas, se imponen las intensidades de campo deseadas en los puntos de apoyo
por desplazar. Estas ecuaciones pueden formularse nicamente mediante la linealizacin
de las ecuaciones integrales del campo elctrico. Esta linealizacin resulta posible si las
generatrices del contorno original y del contorno modificado se describen
matemticamente como funciones del mismo parmetro. De esta manera es posible
realizar las derivadas de las integrales de campo, necesarias para la linealizacin, dentro
del smbolo integral. Esta forma de proceder resulta posible mediante el uso de splines
cbicas para la definicin de los contornos, que fue incorporado en el programa de
clculo de campos.
Para limitar el esfuerzo computacional que requiere un mtodo con las caractersticas
propuestas puede ser conveniente dar paso a su utilizacin despus de que, con el uso de
un mtodo ms convencional, como el que se presenta en esta tesis, se ha conseguido ya
un cierto acercamiento al ptimo deseado. De esta manera cabe contar con que los
desplazamientos necesarios de los puntos de apoyo sern menores, y la linealizacin del
problema comentada anteriormente, se encuentra con mayor probabilidad dentro de una
zona mejor de aplicacin.
7.3.3 Optimizacin de aisladores mediante el uso de procesamiento
paralelo en el mtodo de clculo de campos
Uno de los problemas que se presentan al intentar aplicar los mtodos de optimizacin a
configuraciones ms complicadas es el gran nmero de problemas de clculo de campo

elctrico que es necesario resolver y el tiempo de clculo que ello involucra. Una forma
de resolver este problema se encuentra en la utilizacin de la computacin paralela.
El paralelismo en computacin se puede dar a nivel hardware o software o una
combinacin de ambos a la vez segn quin sea el encargado de realizar la distribucin
de la ejecucin del cdigo entre los distintos procesadores. Uno de los modelos de
utilizacin del paralelismo a nivel de software es lo que se conoce como Mquina
Virtual Paralela (PVM: Parallel Virtual Machine).
La PVM la constituyen un conjunto de libreras de intercambio de mensajes que se
utilizan para comunicar a travs de una red de interconexin diferentes estaciones de
trabajo con sus sistemas operativos de modo que estas estaciones puedan trabajar juntas.
La red de interconexin puede ser heterognea y la forma en que trabajan las diferentes
rutinas de interconexin hace que sea un sistema de memoria distribuida. La topologa
de comunicacin entre los procesos es que cada uno se puede comunicar con todos
(todos con todos). Cuando se arranca un proceso, PVM lo distribuye entre las diferentes
estaciones de trabajo.
El modo de proceder en un entorno de clculo con PVM segn se muestra
esquemticamente en la Fig. 7.1 es el siguiente::
La paralelizacin se basa en una aproximacin maestro-esclavo. En el comienzo
de cada trabajo, el maestro enva todos los datos de entrada, que incluyen los
datos geomtricos, las condiciones de contorno y propiedades de los materiales a
cada esclavo. Despus de la replicacin de los datos de entrada (lo que en los
mtodos de ecuaciones integrales como son el CSM, SCM y BEM resulta en una
necesidad de almacenamiento relativamente pequea) cada procesador es capaz
de calcular independientemente una fila arbitraria de la matriz A.
El maestro determina el nmero de filas que deben ser calculadas por cada
procesador (incluido l mismo) basndose en el algoritmo de Mandelbrot que
implcitamente tiene en cuenta la velocidad y la carga actual de los procesadores
[18]. Las partes de la matriz se almacenan localmente antes de ser transferidas a
toda la red.

Esclavo 3
Esclavo 2
Esclavo 1
x =
= x A
V
Maestro

Fig. 7.1. Esquema del proceso de paralelizacin para la creacin del sistema de ecuaciones de un
problema de clculo de campo.
La solucin del sistema de ecuaciones se puede basar en el mtodo GMRES
[111] o cualquier otro que sea capaz de resolver el sistema de modo iterativo. En
el primer caso el proceso de clculo de residuos y monitorizacin de la
convergencia se asume por el ordenador maestro. La paralelizacin se limita a la
multiplicacin de matrices que se tiene que realizar en cada iteracin y es la
parte que ms tiempo consume de GMRES (ms del 99% del tiempo de
computacin). El maestro enva el vector que va a ser multiplicado por la matriz
a todos los esclavos y recibe de cada esclavo la correspondiente parte del vector
resultante. Durante un tpico trabajo de resolucin, la multiplicacin de la matriz
vectorial tiene que ser realizada entre 50 y 100 veces.
Despus del procedimiento GMRES, el maestro enva la solucin (vector de
densidad de carga) a todos los esclavos. Basndose en las densidades de carga y
las matrices de descripcin geomtrica y fsica del problema (recibidas al
principio), cada esclavo es capaz de calcular el campo y el potencial en cualquier
punto arbitrario..
La comunicacin entre ordenadores est basada en la Mquina Virtual Paralela
(PVM) [40].
El software PVM se puede obtener gratuitamente desde la direccin de Internet
(http://www.csm.ornl.gov/pvm/pvm_home.html). Se puede utilizar para
comunicaciones en clusters (grupos) de estaciones de trabajo heterogneas tambin en
ordenadores multiprocesador [19].

De lo comentado anteriormente se deduce que cuantos ms ordenadores se incluyan en
el grupo, mayor ser la reduccin de tiempo de clculo. Sin embargo, aadir
ordenadores lentos al grupo no contribuye a un aumento significativo de la velocidad.
En un proceso como el tratado, es decir con tres tareas fundamentales, formulacin
matricial, solucin del sistema de ecuaciones utilizando el mtodo iterativo GMRES, y
clculo de campos, la primera y la tercera tarea son muy eficientes y estables en
clculos paralelos. La segunda tarea GMRES depende de manera notable del hardware
dispuesto (memoria RAM instalada, velocidad de acceso a los datos en los discos duros,
velocidad de entrada/salida de los perifricos) y es menos sensible a cambios de carga
temporales que ocurran en la red y en los esclavos participantes. Sin embargo, los
clculos paralelos conducen tambin a un significativo aumento de la velocidad durante
el GMRES, particularmente para problemas muy grandes. Resulta crucial para el
proceso la divisin de una matriz grande en partes ms pequeas que pueden ser
tratadas por estaciones de trabajo estndar.
Se puede concluir que los clculos paralelos basados en PVM posibilitan la solucin
eficiente de modelos reales complicados sin necesidad de mejoras de hardware
adicionales, abriendo posibilidades a una completa clase de nuevos problemas y
configuraciones ms complicadas.

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En el presente trabajo se ha hecho referencia a los siguientes autores y sus
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Lista de Smbolos.
Alfabeto latino

1 A

Dominio dividido en elementos en el mtodo FEM.
2 A

Contorno inicial sin optimizar.
A
&

Contorno desplazado.
A
& &

Contorno corregido.
A
& & &

Contorno modificado.
| | A Matriz que representa los coeficientes de potencial o de campo en
una configuracn electrdica.

A

Plano.

e
A

Area del elemento e.
| |
ii
A Matriz que representa las partes de la matriz de coeficientes | | A
que se refieren a los nodos
i
N . De las superfices
i
S
respectivamente en el mtodo BEM.
| | j i A
ij
Matriz que representa la influencia de las cargas discretas de la
superficie
0
S en el mtodo BEM.

a

Vector unidad en un espacio eucldeo tridimensional.

1
a Distancia entre dos puntos de contorno consecutivos en el factor de
asignacin
a
f del mtodo CSM.

2
a Distancia entre un punto de contorno y la correspondiente carga en
el factor de asignacin
a
f del mtodo CSM.

r
r
r
a
a =
Derivada de un escalar o funcin vectorial con respecto a la
direccin determinada por
a

Ii
a Elementos fila de la matriz de discretizacin | | A en el mtodo
BEM
.

Ii
a Subelementos singulares en el mtodo BEM.

1
B condiciones de contorno correspondientes al conjunto de
geometras fjas
1


2
B Conjunto adicional de condiciones de diseo para el conjunto
2
.
1 | | B Matriz que representa las condiciones de contorno en una
configuracin con electrodos a potencial fijo.
2 | | B Vector de constantes.

r
b

Vector binormal.
1 C

Curvatura total.
2 C

Curva.

i
C Curvatura en el punto P
i

i
C Curvatura total para el contorno desplazado.
( )
Q Q Q
z r f C , = Contorno en el mtodo SCSM.

i
C Incremento de la curvatura necesario en cada uno de los puntos de
la curva a optimizar.
c

Curvatura de la lnea de campo en el punto P.

b
C
Curvatura de una seccin normal a la superficie S, que es definida
por el vector normal a la superficie
r
N
y el vector binormal
r
b
de la
lnea de campo en P

i
c Factor de correcin.

i c

Vector de correccin.

n
C
Curvatura de la seccin normal a la superficie S, que est definida
por el vector normal a la superficie
r
N
y el vector
r
n
normal a la
lnea de campo en P (este vector se mantiene en le plano tangencial
a la superficie S en el punto P)

D

Vector de Desplazamiento Elctrico.

ni
D Componente normal del vector desplazamiento elctrico en el
medio i.

p
D Nmero de superfcies del conductor P en el mtodo BEM.
d

Nmero de dielctricos que rodean al electrodo.

Q
dA Elemento de la fuente en el mtodo SCSM.
Bibliografa 289

e
dE Intensidad de campo elctrico en el punto J causada po la parte
diferencial del elemento parcial en el mtodo BEM.

dS

Vector diferencial de superficie.

i
S d
r
Elemento de superficie en un electrodo.
S d

Elemento diferencial de superficie envolvente a un dominio.
D
DT
k

derivada global respecto a los parmetros T
k
j

1 ds

Elemento de lnea de contorno en el mtodo BEM.
2 ds

Elemento diferencial de longitud.
1 E

Intensidad de campo elctrico.
2 E

Nmero total de elementos de contorno en el mtodo BEM.
3 E

Esfuerzo en el espacio de la serie de gas en el Mtodo de Cronin.

( ) z r E , ,
Vector de campo elctrico en cualquier punto del espacio en
coordenadas cilndricas.

1
E Intensidad de campo en el contorno dielctrico
1
en la
configuracin original de un BVP.

bd
E Intensidad del campo de ruptura en el Mtodo de Kato.

in
E
Campo elctrico de iniciacin de la descarga disruptiva.
( ) m E Integral elptica completa de segunda especie de parmetro m.

g
E Intensidad de campo elctrica normal deseada.

c
E Intensidad de campo elctrica normal del contorno inicial.

med
E
Intensiadad de campo media

nor
E Intensidad de campo elctrico normal.

tan
E Intensidad de campo elctrico tangencial.

tot
E Intensidad de campo elctrico total.

c Etg
Campo elctrico tangencial a un contorno determinado por el
mtodo de cargas equivalentes discretas.

i Etg
Campo elctrico tangencial a un contorno en el punto P
i.


F t
E
,

Componente tangencial mxima de la intensidad de campo en el
contorno en el Mtodo de Optimizacin de Aisladores de
Grnewald.

max
E Intensidad de campo elctrico mxima a lo largo de un contorno.

min
E Intensidad de campo elctrico mnima a lo largo de un contorno.

minmax
E
Cociente entre
mim
E y
max
E .

ni
E Componente normal de campo en el medio dielctrico i.

i n
E
1
Componente normal de campo en el medio dielctrico 1, debido a
las cargas discretas del electrodo y del medio dielctrico 2, en un
punto P
i
de la superficie dielctrica.

i n
E
2
Componente normal de campo en el medio dielctrico 2, debido a
las cargas discretas del electrodo y del medio dielctrico 1, en un
punto P
i
de la superficie dielctrica.

0
E Esfuerzo en la superficie del conductor entre aisladores en el
Mtodo de Cronin.

i
E
Intensidad de campo elctrico en la direccin en cada punto de

contorno P
i

2
i
E

contorno P
i
debido a las cargas discretas del electrodo y del medio
dielctrico 2 {1,..., r, r+m+1,..., r+2m}.

1
i
E

contorno P
i
debido a las cargas discretas del electrodo y del medio
dielctrico 1 {1,...., r, r+1....r+m}.

rij
E Componente radial de intensidad de campo de un segmento Q
j
en el
punto P
i
(r
i
,
i
,z
i
) en distribuciones de campo tridimensionales sin
simetra axial en el mtodo CSM.

ij
E
Componente acimutal de intensidad de campo de un segmento Q

j

en el punto P
i
(r
i
,
i
,z
i
) en distribuciones de campo tridimensionales
sin simetra axial en el mtodo CSM.

zij
E Componente axial de intensidad de campo de un segmento Q
j
en el
punto P
i
(r
i
,
i
,z
i
) en distribuciones de campo tridimensionales sin
simetra axial en el mtodo CSM.
Bibliografa 291

r
E
Componente radial de la intensidad de campo elctrico en una

distribucin de campo tridimensional sin simetra axial..

E Componente acimutal de la intensidad de campo elctrico en una

distribucin de campo tridimensional sin simetra axial.

z
E
Componente axial de la intensidad de campo elctrico en una

distribucin de campo tridimensional sin simetra axial.

er
E

Componente radial de campo elctrico producida por el elemento e
de contorno en el mtodo BEM.

ez
E

Componente axial de campo elctrico producida por el elemento e
de contorno en el mtodo BEM.

enJ
E

Componente normal del campo elctrico en el punto J producida
por el elemento e de contorno en el mtodo BEM.

E
i
0
Campo elctrico presente en el punto P
i
0
sobre la superficie inicial
0
.

E
i
j
obj
Objetivo de la intensidad de campo elctrico en el Punto P
i
j
que se
alcanza en la superficie
j
.

( ) 0
nJ
E
Componente normal de la intensidad del campo elctrico de todas
las fuentes, excepto las fuentes de la superficie frontera donde se
encuentra el punto J en el mtodo BEM.

( ) J
nJ
E
Componente normal de la intensidad de campo elctrico de todas
las fuentes a lo largo de la superficie frontera dnde se encuentra el
punto J en el mtodo BEM.

Dn
DE
i Derivada global del campo elctrico con fronteras mviles.

E
n
i
i
r
0

Derivada direccional de la intensidad de campo en una direccin
normal a la superficie inicial en un BVP.

r
e
r

vector unitario en direccin y sentido de la recta que une la carga
j

con el punto P
i
.

s
e
Error en la condicin de Cauchy producido por la discretizacin.
1 | | F Matriz de coeficientes de intensidad de campo.
2 | | F Matriz de coeficientes de linealizacin.
3 | | F Matriz de coeficientes de desplazamiento en el Mtodo de

Optimizacin de Aisladores de Grnewald.

2 1
, F F Factor de correccin en la primera y segunda zona de Neumann.

Aij
F Fuerza electrodinmica ejercida por j sobre i.
) ( F Funcional asociado a la ecuacin de Poisson.
) (
e
F Funcional asociado a la ecuacin de Poisson para un elemento.
) (
j
F Funcional asociado a un elemento del dominio en el mtodo FEM.
1 f Funcin error.
2 f Funcin escalar del potencial en el modelo discreto del mtodo
BEM.
3 f Esfuerzo elctrico de Maxwell.
4 f Factor de correccin.

3 2 1
, , f f f Valores de la funcin f en los vrtices del tringulo simple del
modelo discreto del mtodo BEM.

a
f Factor de asignacin.
| |
e
f Vector de trminos independientes del sistema de ecuaciones
resultante de aplicar el mtodo de los elementos finitos.

f
Coeficiente de campo elctrico.

i
f
Fuerza elctrica en el punto P
i.

e
f

Vector de trminos independientes en el elemento e resultante de
aplicar el mtodo de elementos finitos producido por la densidad
volumtrica de carga .

e
Q
f Vector de trminos independientes en el elemento e resultante de
aplicar el mtodo de elementos finitos producido por la carga Q.

ij
f

Coeficiente de campo elctrico en el punto P
i
producido por la
carga Q
j
.en la direccin .

xij
f
Componente x del coeficiente de campo elctrico en el punto i
producido por la carga Q
j
.

yij
f
Componente y del coeficiente de campo elctrico en el punto i
j
.
Bibliografa 293

zij
f
Componente z del coeficiente de campo elctrico en el punto i
j
.

rij
f
Componente radial del coeficiente de campo elctrico en el punto
P
i
j
en coordenadas cilndricas.

ij
f

Componente acimutal del coeficiente de campo elctrico en el
punto P
i
j

zij
f
Componente axial del coeficiente de campo elctrico en el punto P
i

j

nij
f
Coeficiente de la componente normal de campo elctrico debido a
la carga Q
j
en el punto P
i.

( )
| |
e
f Matriz columna de los valores de la funcin en los puntos
especialmente seleccionados en el modelo matemtico discreto del
mtodo BEM.
G

Regin de integracin de la ecuacin de Laplace en un problema de
valor de contorno (BVP)

i
G Regiones parciales en las que se divide la regin G para integrar la
ecuacin de Laplace en un problema de valor de contorno (BVP).
| | G Matriz de coeficientes de condicin.

| |
T
G
Matriz (m x n) en la que m representa el nmero de restricciones
lineales que deben satisfacer los desplazamientos t
i
.
( )
1
G Operador lineal autoadjunto.
| |
0
G Matriz de sensibilidad que muestra como vara la intensidad de
campo con el movimiento de cada nodo en el Mtodo de Tsuboi.
{ } G Vector gradiente en el Mtodo de Tsuboi.

1
g Funcin generica.

ij
g Coeficientes de potencial de los electrodos a potencial flotante en el
mtodo SCSM.

mn
g Factor de peso en la ecuacin integral I de Fredholm del Mtodo
BEM.
H

Curvatura media de la superficie.
1 h

Pasos de integracin de la Regla de Simpson en el mtodo SCSM.
2 h

Distancia configuracin electrdica-plano de tierra.

I

ndice de un punto arbitrario que se encuentra sobre la superficie
del conductor en el mtodo BEM.

i
I Intervalo de integracin de la Regla de Simpson en el mtodo
SCSM.

( )
i i i
A A I ,
1

Iteracin i(i>0) del proceso de optimizacin donde A
i-1
es
elcontorno de partida y A
i
el contorno iterado.

j
I Corriente superficial que fluye en el punto j-simo en el Mtodo de
Abdel-Salam.

i

Vector unitario en direccin al eje x.
1 J

Matriz Jacobiana.
2 J

Densidades de corriente en los aislamientos.
3 J

ndice de un punto arbitrario que se encuentra sobre la frontera
dielctrico-dielctrico en el mtodo BEM.

j
Vector unitario en direccin al eje y.
( ) E j J + =

Densidades de corriente complejas.
( ) m K Integral elptica completa de primera especie de parmetro m.
| | K Matriz de rigidez.

s
K Parmetro del efecto rea del Mtodo de Kato.

v
K Parmetro del efecto volumen del Mtodo de Kato.
1 k

Subndice correspondiente al nmero del electrodo dentro de la
configuracin (con los electrodos numerados de 1..M
F
).
2 k

Factor de correccin en el mtodo de optimizacin de electrodos
basado en el SCSM.

2 1
, k k Coeficientes a determinar de la solucin del potencial y en el
espacio
1
y
2
respectivamente en un BVP.

k

Vector unitario en direccin al eje z.

e
k
1

Matriz de rigidez del elemento e resultante de aplicar el metodo de
elementos finitos para resolver la ecuacin de Poisson.
1 L

Sistema de coordenadas local en el mtodo BEM.
Bibliografa 295

2 L

Longitud de la generatriz de la varilla.
3 L

Longitud intervalo de integracin de la regla de Simpson en el
Mtodo SCSM.
4 L

Longitud de arco entre dos puntos de contorno
1
P y
2
P en el
mtodo SCSM.
5 L

Funcin Lagrangiana.
( ) L Operador Lineal autoadjunto en el dominio A.

x
L Coseno formado entre la normal exterior del contorno y el eje x.

y
L Coseno formado entre la normal exterior del contorno y el eje y.

3 2 1
, , L L L Coordenadas adimensionales de un elemento e.
1 l

Subndice que indica el punto de contorno dentro del electrodo k (l
= 1,..,N
k
)
2 l

Camino de corrientes de fugas mnimo en el Mtodo de
Optimizacin de Grnewald.
l

Distancia de separacin entre dos puntos de un contorno en el
Mtodo de Optimizacin de Grnewald.

i
l Distancia entre el punto del contorno P
i
y su contiguo
1 M

ndice del punto de la fuente del campo que se encuentra sobre la
superficie del conductor en el mtodo BEM.
2 M

Nmero de planos de corte axial en el Mtodo de Optimizacin
Ampliado.

D
M Nmero de superficies dielctricas.

F
M Nmero de electrodos a potencial fijo.

I
M Nmero de electrodos a potencial indeterminado.

i
M Centro de curvatura en un punto P
i
de una curva.

n
M Centro del arco del contorno desplazado en el mtodo de
optimizacin de electrodos de Grnewald.

1 , + i i
M Centro del arco de crculo de radio
1 , + i i
cuyos extremos son los
puntos P
i
y P
i+
1.

1 , +
i i
M Centro del arco de crculo de radio
1 , +
i i
cuyos extremos son los
puntos P
i
y P
i+
1 del nuevo contorno modificado.
m

Nmero de cargas situadas a cada lado de la superficie de
separacin de los dielctricos.
1 N

Nmero total de puntos de contorno P
i
.
2 N

Nmero de elementos en el mtodo FEM.
3 N

ndice del punto de la fuente del campo que se encuentra sobre la
superficie frontera de un dielctrico-dielctrico en el mtodo BEM.

N
r

Vector normal a la superficie S en el punto P.

( )
| |
e
N
Matriz de transformacin, donde la matriz fila contiene las
funciones bsicas de los elementos en el mtodo BEM.
1
i
N

Nodos en el mtodo BEM.
2
i
N Nmero de neuronas de la capa de entrada en el Mtodo de
Mukherjee.
3
i
N

Funcin de forma.
NN

Neural Network: Red Neuronal.

k
N Nmero de puntos de contorno dentro del electrodo o dielctrico k.

0
N Nmero de nodos principales en la superficie
0
S en el mtodo de
Andjelic.
1 n

Nmero total de cargas que contribuyen al potencial
i
en el punto
P
i
en una configuracin electrdica.
2 n

Nmero de nudos en el mtodo FEM.
n Nmero de cargas de optimizacin en el mtodo de las cargas
equivalentes.
n
r

Vector unitario en la direccin normal a un contorno un punto.

d
n

Nmero de cargas de la zona de Dirichlet en el Mtodo de
Garnacho.
1 i n

Recta normal contorno en el punto P
i
.
2 i n

Componente normal unitaria en el punto i en el mtodo de
optimizacin de electrodos tridimensionales basado en el SCSM.
Bibliografa 297

3
i n

Recta normal al nuevo contorno en el punto P
i
.
( )
2 1
, L L n

Transformacin Jacobiana en el modelo matemtico discreto del
mtodo BEM.

H
n
Nmero de armnicos.

n
n

Nmero de cargas de la zona de Neumann en el Mtodo de
Garnacho.
0

Origen de coordenadas.
1
P

Punto P sobre superficie equipotencial en un BVP.
2
P

Presin electrosttica en la superfice del contorno.

| | P
Matriz de coeficientes de potencial p
ij
.

| | P
Matriz de coeficientes de potencial p
ij
correspondientes a las
cargas de optimizacin Q en el CSM.

k
EN El
P P ,....,

Puntos de contorno asignados a un electrodo a potencial fijo dado
Ek
.

i
P

Puntos del contorno en los que se formulan las condiciones de
contorno.

i
P
Punto del nuevo contorno corregido.

N
P P P .... , ,
2 1

Puntos originales situados sobre el contorno a optimizar.

N
P P P .... , ,
2 1

Puntos desplazados obtenidos del primer contorno abrupto en el
mtodo de optimizacin de aisladores.

N
P P P .... , ,
2 1

Puntos corregidos del suavizado del primer contorno abrupto en el
mtodo de optimizacin de aisladores.

N
P P P
& & & & & & & & &
,.... ,
2 1
Puntos del contorno modificado.
P P P
1
0
2
0 0
, ,K
N
N puntos en una superfice
0
de BVP.

r
P x y z
i i i i
0 0 0 0
= ( , , )

Vectores de N puntos en una superficie de BVP
P P P
j j j
1 2
, ,K
N
N puntos en una superfice
j
de BVP

ij
p

Coeficiente de potencial de una carga o distribucin de carga Q
j
de
densidad constante en un punto P
i
.

kj
p

Coeficiente de potencial de una carga o distribucin de carga de
optimizacin
j
Q de densidad constante en un punto P
i
.

j
p

Coeficiente de potencial de una carga de anillo variable debido al
-simo armnico.

Q
Carga Elctrica.

j
Q

Magnitud de carga o distribucin de carga en la posicin j.

j
Q
Carga simtrica en configuracin con plano de tierra.

| | Q
Matriz incgnita de cargas ficticias Q
j
utilizada para el clculo del
potencial o el campo en cualquier punto del espacio.
| | Q Matriz correspondiente a las cargas de optimizacin en el Mtodo
de Cargas Equivalentes MCE.

d
Q

Carga correspondiente a la zona de Dirichlet en el Mtodo de
Garnacho.

j
Q

Carga de optimizacin j-sima.

n
Q

Carga correspondiente a la zona de Neumann en el Mtodo de
Garnacho.

bj
Q

Carga j-sima del conjunto de m cargas equivalentes que simulan la
distribucin de carga superficial del conductor a potencial
indeterminado.

2
1

Q

Funcin de Legendre de 2 clase de orden
2
1
.

q
Densidad de carga superficial en el contorno S.

k
RS

Termino independiente k-simo del mtodo de optimizacin basado
en la seleccin de cargas equivalentes.

axi
R

Radio de curvatura de la seccin normal perpendicular plano del
papel.
1
r

Coordenada radial.
2
r

Vector de posicin del punto donde se calcula el potencial.
3 r

Nmero de cargas correspondientes a los electrodos (ya sean a
potencial fijo o indeterminado) en los mtodos CSM y SCSM.
1
r

Vector de posicin de la distribucin de carga respecto al origen de
coordenadas.
2
r

Coordenada radial de un punto de un nuevo contorno.
Bibliografa 299

i
r

Cooordenada radial del punto de contorno i.

ij
r

Cooordenada radial del punto de contorno i en el plano de corte j.

GI
r

Distancia de un nodo principal de un elmento de contorno al punto
de observacin I en el mtodo BEM.
1 S

Superficie equipotencial de una funcin potencial armnica .
2 S

Superficie del contorno.
3 S

Contorno del dominio en estudio en el mtodo FEM.

0
S Superficie a optimizar en el Mtodo de Andjelic.

A
S
SA Superficie del contorno sometida a la condicin de Dirichlet.

B
S
SB Superficie del contorno sometida a la condicin de Neumann.

d
S

Superficie de separacin dielctrico-dielctrico, d = 1,..D; en el
mtodo BEM.

Di
S

Superficie separadora del medio dielctrico i.

Ei
S

Superficie separadora del electrodo i.

e
S Superficie del electrodo sometida a esfuerzo del mtodo de Kato.

p
S

Superficie de separacin conductor-dielctrico, p = 1,..P; en el
Mtodo BEM.

i
S Intervalos de integracin en el Mtodo de Antolic.

j
S rea de la superficie del aislador correspondiente al punto j-simo
en el Mtodo de Abdel-Salam

AB
S
rea pequea alrededor de un punto singular J en el Mtodo BEM.

( ) v S S =
Conjunto de oarametros que depneden del contador de iteraciones v
en la determinacin de contornos corregidos
1 s Distancia entre el elemento de la fuente dA
Q
y el punto de clculo
en el mtodo SCSM.
2 s

Nmero de cargas correspondientes a los electrodos a potencial fijo
en una configuracin con M
F
electrodos a potencia fijo y M
I

electrodos a potencial indeterminado en los mtodos CSM y SCSM.
3 s

Longitud genrica.
i
s
Representan caractersticas elctricas en el proceso de

optimizacin.

) , , , (
N 2 1
j j j j
T T T T K
r
=

Vector de n parmetros en un BVP.

r
T

Vector paramtrico en un BVP.

N
T T T .... , ,
2 1
Desplazamientos de los
N
P P P .... , ,
2 1
en un contorno que se
optimiza.

| | T
Vector de desplazamientos de los puntos del contorno.

r
t

Vector unidad del trpode de la lnea de campo en el punto en el
punto P (vector tangente).

i
t

Distancia entre el punto P
i
y su carga asociada.
i t

Vector de desplazamiento de un punto del contorno.

0
U

Potencial conocido de un electrodo.

x
U

Potencial de un electrodo a potencial indeterminado.

in
U

Potencial correspondiente al inicio de la descarga disruptiva en el
punto P
i
.
1 u

Variable genrica de integracin en el mtodo FEM.
2
{ }
n
u u u u ... ,
2 1
=
Valores del Parmetro u de los n puntos desplazados

N
P P P .... , ,
2 1

( ) v u,
Par de parmetros en un BVP.
1 v

Contador de intentos del proceso de optimizacin
2 v

Variable genrica.
V

Volumen de un dominio.

F
V
Tensin de descarga superficial en el Mtodo de Optimizacin de
Aisladores de Grnewald.

e
V Volumen del electrodo sometido a esfuerzo en el Mtodo de Kato.

| | V
Vector de errores.

| |
i
V

Matrices de potenciales conocidos de las superficies
i
S
en el
mtodo BEM.
w

Torsin de la lnea de campo en el punto P.

2 1
, ,
p p j
w w w

Funcin de peso para satisfacer las condiciones de tangencia.
Bibliografa 301

S A
w w ,

Funcin de peso.
x

Coordenada, abscisa.

i
x

Coordenada, abscisa en el punto de contorno
i
P

j
x

Coordenada, abscisa de la carga
j
Q

y
Coordenada, ordenada.

i
y

Coordenada, ordenada en el punto de contorno
i
P

j
y

Coordenada, ordenada de la carga
j
Q

( ) x y
Funcin de la variable x.

( ) x y
Primera derivada de la funcin y(x).

( ) x y
Segunda derivada de la funcin y(x).

z

Coordenada axial.

i
z

Coordenada axial en el punto contorno i.

j
z

Coordenada axial de la carga
j
Q

ij
z

Cooordenada axial. Del punto de contorno i en el plano de corte j.

z

Coordenada axial de un punto de un nuevo contorno.

Alfabeto griego
ngulo de rotacin de la densidad de carga en distribuciones de
campo tridimensionales sin simetra axial.
d

Elemento de ngulo de rotacin en el mtodo BEM.
ngulo de la direccin normal al contorno en el punto P
i
en el
mtodo de Garnacho.

i
Incremento del ngulo
producido por la componente tangencial

E
tgi
en el mtodo de Garnacho.

i
ngulo que define la nueva direccin
i
n del campo elctrico en un
punto genrico P
i
en el mtodo de Garnacho.
1

Distancia entre dos puntos de contorno muy prximos en el mtodo
SCSM.

2

Dos veces el area de un elemento.

Desviacin del potencial real al potencial calculado.

Constante dielctrica.

0

Constante dielctrica del vaco.

i

Constante dielctrica del medio i-simo.

r

Constante dielctrica relativa.

Funcin potencial armnica.

( ) z r , ,
Potencial genrico en un punto cualquiera del espacio.

Gradiente del potencial
( ) y x
e
,
Funcin de interpolacin de potencial en el elemento e.

Ei

Electrodo a potencial indeterminado.

Ek

Electrodo a potencial fijo.

i

Potencial en el punto de contorno P
i
.

0

Potencial conocido.

ij

Potencial en el nudo i producido por la carga j.

A

Solucin del BVP para el espacio
A
.

c

Potencial en un contorno.

d

Potencial correspondiente a los puntos de la zona de Dirichlet.

n

Potencial correspondiente a los puntos de la zona de Neumann.

Superficies de Contorno de la regin global y las interfaces entre
las regiones parciales en un BVP.

1

Conjunto de geometras dadas fijas.

2

Conjunto de geometras que estn de algn modo indefinidas.
2 1
,
Superficies electrdicas a potenciales
1
y
2
.
n m
,
Contornos dielctricos a potenciales
m
y
n
.

i

Superficie electrdica a potencial
i
.

1

Contorno dielctrico entre materiales
1
y
2
desplazado a la lnea
equipotencial =
m
.
Bibliografa 303

0
2

Conjunto dado de geometras incognitas originales en un BVP.

0

Contorno dielctrico inicial para ser optimizado en un BVP.

j

Superficie funcin de las coordenadas de los N puntos
P P P
j j j
1 2
, ,K
N
y del par de parmetros (u,v) en un BVP, en la
iteracin j.

ndice que indica que un punto pertenece a la superficie

Tubo de campo en un BVP.

C B A
, ,
Espacios de campo elctrico con potenciales
A
,
B
,
C
y
constantes dielctricas
A
,
B
,
C
.

F

Cociente de descarga superficial en el Mtodo de Optimizacin de
Aisladores de Grnewald.

Densidad de carga por unidad de longitud.
j

Carga discreta situada en la posicin j.

Valor de pico de la distribucin de carga en campos
tridimensionales sin simetra axial.

( )
i
I
Funcin que asigna a cada iteracin un valor (I
i
) {-1,0,1}

Contorno envolvente del dominio.

( )
i
I
Funcin que caracteriza contornos vlidos (=1) o no vlidos (=0).

Densidad volumtrica de carga elctrica.

i

Radio de curvatura en el punto P
i
.

ij

Radio del arco de circulo cuyos extremos son los puntos P
i
y P
j.

i

Radio de curvatura modificado en el punto P
i
.

ij

Radio modificado del arco de circulo cuyos extremos son los
puntos P
i
y P
j
.

( ) ( ) r z y x = , ,
Densidad superficial de carga.
1

Funcin de distribucin de las cargas superficiales equivalentes en
el Mtodo BEM.
2

Factor de subrelajacin en el mtodo de Girdinio.

eI

Contribucin de la carga de un elemento observado e en el punto I
en el mtodo BEM.

| |
Matriz de las densidades superficiales de carga.

Permeabilidad.

i i i
, , Cosenos directores de la normal de la superficie dielctrica en el
punto P
i
sobre el sistema de coordenadas en el que se est
trabajando, es decir, , , .

i
Parmetro: longitud de la curva desde P
1
hasta el punto P
i

1 Dominio.
2

Coordenada tangencial al electrodo.

Factor de relajacin.

ij

Coeficiente de peso en el Mtodo de Tsuboi.

Funcin del ngulo entre las principales direcciones de la
curvatura y las direcciones determinadas por los vectores
r
b
y
r
n
, y
de las principales curvaturas de S y P ( )
2 1
c y c

ngulo acimutal.

Abreviaturas
BEM

Boundary Element Method: Mtodo de Elementos de Contorno
BVP

Boundary Value Problem: Problema de valores de contorno.
CSM

Charge Simulation Method: Mtodo de Simulacin de Cargas o
Mtodo de Cargas equivalentes.
FDM

Finite Difference Method. Mtodo de Diferencias Finitas.
FEM

Finite Element Method: Mtodo de los Elementos Finitos
PEM

Partial Element Method. Mtodo de Elementos Parciales.
PVM Parallel Virtual Machine. Mquina Virtual Paralela.
SCSM Surface Charge Simulation Method: Mtodo de Simulacin de
Cargas Superficiales.
Main Frame Estacin de trabajo.

Apndice A Coeficientes de Potencial y de Campo
para Configuraciones de Cargas Discretas y
Superficiales
A.1 Cargas discretas [39]
A.1.1 Sistemas bidimensionales
A.1.1.1 Carga lineal de longitud infinita y paralela al plano de tierra
Supngase una carga de longitud infinita [7][121] con una densidad de carga lineal de
valor
j
, situada en el espacio y paralela al plano de tierra (Fig. A.1).
Al aplicar el teorema de Gauss (A.1) sobre una superficie cilndrica de eje coincidente
con la carga, de un radio genrico r y de longitud arbitraria 1 resulta la expresin:

=
S l
dl S d
1
r r

(A.1)
Debido a la simetra de la configuracin el campo elctrico tiene componente
nicamente en direccin radial tomando como origen la coordenada de la carga, por lo
que puede escribirse:
l l r E
j r

1
2 =
(A.2)
es decir:
r
j
r
e
r
E
r
r

=
1
2

(A.3)
donde: r es la distancia entre la carga
j
y el punto P
i
.
r
e
r
es el vector unitario en direccin y sentido de la recta que une la carga
j
con
el punto P
i
.
A partir de la expresin (A.3) puede obtenerse la componente del campo en las
direcciones de los ejes x e y sin ms que proyectar sobre los mismos:
sen cos
r y r x
E E E E
r r
= =
(A.4)
Donde:
A-2 Optimizacin de Aisladores de Alta Tensin...

2 2
2 2 2 2
) ( ) (
) ( ) (
sen
) ( ) (
cos
j i j i
j i j i
j i
j i j i
j i
y y x x r
y y x x
y y
y y x x
x x
+ =
+
=
+
=

(A.5)
Sustituyendo en las expresiones (A.4) las ecuaciones (A.3) y
(A.5), resulta:
j yij j
j i j i
j i
yij
j xij j
j i j i
j i
xij
f
y y x x
y y
E
f
y y x x
x x
E

=
+
=
=
+
=
2 2
2 2
) ( ) (
2
1
) ( ) (
2
1

(A.6)
donde f
xij
y f
yij
son los coeficientes de campo elctrico en las direcciones del eje "x e
y respectivamente producidas por la carga
j
en el punto P
i
.
Pi r2
r2
r1
r1

Fig. A.1. Carga lineal de longitud infinita paralela al plano de tierra.
Apndice A: Coeficientes de potencial y de Campo para configuraciones ... A-3

Si se desea considerar la presencia del plano de tierra debe incorporarse la carga
imagen, es decir una carga situada en el punto (x
j
,-y
j
) y de magnitud -
j
. Al superponer
los efectos producidos por ambas cargas resulta:
j yij
j i j i
j i
j i j i
j i j
yij
j xij
j i j i
j i
j i j i
j i j
xij
f
y y x x
y y
y y x x
y y
E
f
y y x x
x x
y y x x
x x
E
=
|
|
|
\
|
+ +
+
=
=
|
|
|
\
|
+ +
=
2 2 2 2
2 2 2 2
) ( ) ( ) ( ) (
2
) ( ) ( ) ( ) (
2

(A.7)
A partir de la expresin (A.3) y teniendo en cuenta que el campo elctrico es el menos
el gradiente del potencial puede determinarse fcilmente el coeficiente de potencial por
integracin analtica:
r r
E
j
r
1
2

=
r

(A.8)
2
1
1 2
ln
2 2
2
1
r
r
r
dr j
r
r
j

=

=

(A.9)
y para la carga imagen se tendr anlogamente:
2
1
1 2
ln
2 2
2
1
r
r
r
dr j
r
r
j

=

=

(A.10)
donde:
r
2
:
es la distancia entre la carga
j
y el punto P
i
.
r
2
: es la distancia entre la carga imagen
j
y el punto P
i
.
r
1

y r'
1
:
son las distancias entre las cargas
j
y -
j
y el punto de referencia del
potencial respectivamente.
Si se considera el punto de referencia 1 en el infinito (
1
=
1
=0) y si se suman las dos
contribuciones de la carga real y la de su imagen se obtiene el potencial global en el
punto P
i
producido por las cargas
j
y -
j
.
j ij
j i j i
j i j i j
i
p
x x y y
x x y y
=
+
+ +
=
2 2
2 2
) ( ) (
) ( ) (
ln
2

(A.11)

A.1.2 Sistemas tridimensionales de revolucin
A.1.2.1 Segmento rectilneo vertical
En la Fig. A.2 se representa un segmento rectilneo vertical de carga [77][121][130][4]
coincidente con el eje de ordenadas z, sus extremos inferior y superior estn definidos
por las ordenadas z
j1
y z
j2

respectivamente.

P
i
(r
i
,z
i
)
z
j1

z
j2

-z
j1

-z
j2

d

Fig. A.2. Segmento rectilneo vertical.
A continuacin se determina el potencial producido por esta carga en un punto genrico
P
i
contenido en el plano de coordenadas r, z.
Supngase que la carga est repartida uniformemente a lo largo del segmento, con una
densidad de carga lineal de valor .
El potencial creado por un elemento diferencial de carga ( ) dz en el punto P
i
es:
d
dz
d
i
4
1

(A.12)

donde d es la distancia entre el punto P
1
y el elemento diferencial de carga ( ) dz es
decir:
( )
2 2
z z r d
i i
+ =
(A.13)
Al integrar la expresin (A.12) entre los lmites z
j1
y z
j
2

se obtiene el potencial total
i
en
el punto P
i.

( ) ( )

+

=
+

=
2
1
2
1
2
2 2 2
1
4 4
j
j
j
j
z
z
i
i
i
z
z
i i
i
r
z z
r
dz
z z r
dz

(A.14)
con el cambio de variable:
i
i
r
z z
t

=
(A.15)
la integral se transforma en:

=
2
1
2
1
4
t
t
i
t
dt

(A.16)
cuyos lmites de integracin resultan:
i
j i
i
j i
r
z z
t y
r
z z
t
2
2
1
1
=
(A.17)
y cuya primitiva es:
[ ]
2
1
4
t
t
i
argsht

=
(A.18)
donde:
|
\
|
+ = 1 ln
2
t t argsht
(A.19)
nicamente se considera el signo positivo de la raz, ya que carece de sentido fsico el
neperiano de una magnitud negativa, es decir:
|
\
|
+ +
|
\
|
+ +

=
1
1
ln
4
2
1 1
2
2 2
t t
t t
i

(A.20)
Al deshacer el cambio de variable (A.17) y considerar que el valor total de la carga del
segmento q
j
est definido por ( )
1 2 j j
z z resulta:

( )
( )
1 1
1 2
1 2
ln
) ( 4
+
+
=
j i
j i
j j
j
i
z z
z z
z z
q

(A.21)
donde:
2
1
2
1
2
2
2
1
) (
) (
j i i
j i i
z z r
z z r
+ =
+ =

(A.22)
es decir:
1 2
1 1
1 2
) (
) (
ln
) ( 4
1
+
+
=
j i
j i
j j
ij
z z
z z
z z
p
(A.23)
Obsrvese que la expresin (A.23) presenta singularidad para los puntos situados por
debajo de la ordenada z
j1
con abscisa r
i
nula, ya que el numerador y el denominador del
quebrado afectado por el logaritmo neperiano se anulan. Para resolverlo se puede
transformar matemticamente la ecuacin (A.23) en la siguiente:
1 1
1 2
1 2
) (
) (
ln
) ( 4
1
+
+
=
i j
i j
j j
ij
z z
z z
z z
p
(A.24)
(vlida para puntos con z
i
< z
j1
).
Para puntos situados entre las ordenadas z
j1
y z
j2
con un valor de abscisa r
i

prxima a
cero tiende a infinito el cociente citado de las ecuaciones (A.24) y (A.23). Para soslayar
esta singularidad, la ecuacin (A.23) se puede transformar en la siguiente:
( ) ( )
2
1 2 1 1
1 2
) ( ) (
ln
) ( 4
1
i
i j j i
j j
ij
r
z z z z
z z
p

+ +
=
(A.25)
(vlida para puntos con z
i

> z
j1
y z
i
< z
j2
).
Si se desea simular el plano de tierra debe aadirse al coeficiente de potencial el trmino
debido a la carga imagen de valor -q
j
colocada simtricamente con respecto a dicho
plano y cuya expresin (A.26) se obtiene al sustituir en las ecuaciones (A.22) y (A.23)
z
jl
por -z
j2
y z
j2
por -z
j1
e incorporar el signo negativo debido al valor opuesto de la carga
imagen.
( )
( )
2 1
2 2
1 2
) (
) (
ln
) ( 4
1
+ +
+ +
=
i j
i j
j j
ij
z z
z z
z z
p
(A.26)
donde:
2
2
2
2
2
1
2
2
) (
) (
i j i
i j i
z z r
z z r
+ + =
+ + =

(A.27)
con lo que el coeficiente de potencial global resulta:

( ) ( )
( ) ( )
2 2 1 2
2 1 1 1
1 2
) ( ) (
) ( ) (
ln
) ( 4
1

+ + +
+ + +
=
i j j i
i j j i
j j
ij
z z z z
z z z z
z z
p
(A.28)
vlida para los puntos cuya ordenada z
i
> z
j2
.
( ) ( )
( ) ( )
2 2 1 1
2 1 1 2
1 2
) ( ) (
) ( ) (
ln
) ( 4
1

+ + +
+ + +
=
i j i j
i j i j
j j
ij
z z z z
z z z z
z z
p
(A.29)
i
< z
j1.
( ) ( ) ( )
( )
2 2
2
2 1 1 2 1 1
1 2
) (
) ( ) (
ln
) ( 4
1

+ +
+ + + +
=
i j i
i j i j j i
j j
ij
z z r
z z z z z z
z z
p
(A.30)
i
est comprendida entre z
jl
y z
j2.

Las componentes axial y radial del campo elctrico para un segmento de carga vertical
aislado sin tener en cuenta el plano de tierra se obtienen por derivacin de la ecuacin
(A.18):
|
\
|
= z
z
r
r
E
r r
v

(A.31)
Componente axial del campo:
|
|
|
\
|
+
=
i i
i
i
z
r t r t
z
E
2
1
2
2
1
1
1
1
4

(A.32)
teniendo en cuenta (A.17), (A.22) y operando resulta:
(
=
1 1 1 2
1 1
) ( 4
j j
j
z
z z
Q
E
(A.33)
Para tener en cuenta el efecto del plano de tierra debe de aadirse al campo global la
componente axial producido por la carga imagen de valor -q
j
obtenida de la expresin
(A.33) en la que z
j2
es -z
j1
y z
j1
es z
j2
resultando:
(
=
2 2 1 1 1 2
1 1 1 1
) ( 4
j j
j
z
z z
Q
E
(A.34)
Anlogamente se tiene la componente radial del campo:
( ) ( )
|
|
|
\
|

+
+
=
2
1
2
1
2
2
2
2
1
1
1
1
4
i
j i
i
j i
i
i
r
r
z z
t
r
z z
t
r
E

(A.35)
teniendo en cuenta (A.17), (A.22) y operando resulta:

(

=
1
1
1
2
1 2
) ( ) (
) ( 4
i j i j
i j j
j
r
z z z z
r z z
Q
E
(A.36)
Del mismo modo que para la componente axial, si se considera el efecto del plano de
tierra se obtiene
(
+
+
=
2
2
2
1
1
1
1
2
1 2
) ( ) ( ) ( ) (
) ( 4
i j i j i j i j
i j j
j
r
z z z z z z z z
r z z
Q
E
(A.37)
A.1.2.2 Carga anular paralela al plano de tierra [77][7]
En la Fig. A.3 se representa una carga anular de radio r
j
centrada en el eje de
coordenadas z y contenida un plano perpendicular a ste.
La distancia del centro geomtrico de la carga al origen de coordenadas es z
j
.
Asimismo considrese un punto genrico de coordenadas r
i
, z
i
contenido en el plano r,z.

r
j

z
j
-z
j
( )
i i i
z r P ,

Fig. A.3. Cargas anulares de radio r
j
en un sistema tridimensional.

Si se supone que la densidad de carga lineal est uniformemente repartida, puede
expresarse la influencia del potencial en el punto P
i
producido por un elemento
diferencial de arco de carga ( ) ds por la ecuacin:
d
ds
d
i
4
1

(A.38)
donde d es la distancia entre el punto P
i
y el elemento diferencial de carga ( ) ds , es
decir:
( ) ( )
2 2 2
sen cos ) (
j j i j i
r r r z z d + + =
(A.39)
donde es el ngulo formado entre el plano r, z y la recta definida por el centro de la
carga y el elemento diferencial de carga ( ) ds genrico.
Teniendo en cuenta la ecuacin (A.39) y la relacin geomtrica.
d r ds
j
= (A.40)
la expresin (A.38) se transforma en:
( ) ( )
2 2 2
cos ) (
4

sen r r r z z
d r
d
j j i j i
j
i
+ +
=
(A.41)
Al integrar, el ngulo vara entre 0 y 2, pero debido a la simetra con respecto al
plano r, z el valor de la integral resulta el doble del correspondiente al calculado entre 0
y , es decir:
( ) ( )
+ +
0 2 2 2
sen cos ) (
4
2
j j i j i
j
i
r r r z z
d r

(A.42)
La expresin contenida en la raz, se puede transformar al operar en la siguiente:
cos 2 ) (
2 2 2
j i j i j i
r r r r z z + +
(A.43)
y efectuando el cambio de variable:
2

=
(A.44)
se transforma en:
( )
2 2 2
4 ) ( sen r r r r z z
j i j i j i
+ +
(A.45)
o bien:

( )
2 2
1
2
1
1 sen k
(A.46)
donde:
1
1
2 2
1
2
) ( ) (
j i
j i j i
r r
k
z z r r
=
+ + =

(A.47)
Al aplicar en la integral (A.42) el cambio de variable definido por la ecuacin (A.44) y
sustituyendo la expresin (A.46) se convierte en:
( )

=
0
2
1 1
2
1
2
4
2
sen k
d
r
j i

(A.48)
Considerando que el valor total de la carga anular q
j
esta definido por ( )
j
r 2 la
expresin (A.48) resulta:
( )
1
1
1
4
k K
q
j
i
=
(A.49)
donde K(k
1
) es la integral elptica completa de primera especie, es decir:
( )
1
1
1
4
1

k K
p
ij
=
(A.50)
Si se cuenta con un plano de tierra el coeficiente de potencial global debe incluir al
coeficiente de potencial producido por la carga anular imagen, es decir situada por
debajo del plano de tierra a una distancia z
j
y de valor -q
j
.
El coeficiente de potencial debido a esta carga imagen -q
j
se determinar simplemente
al sustituir en las expresiones (A.50) y (A.47) el trmino z
j
por z
j
y cambiando de signo
la expresin (A.50) (la carga imagen es de igual valor absoluto pero de signo opuesto),
es decir:
( )
2
2
1
4
1

k K
p
ij

=
(A.51)
donde
2
2
2 2
2
2
) ( ) (
j i
j i j i
r r
k
z z r r
=
+ + + =

(A.52)
con lo que el coeficiente global resulta:

( )
|
|
\
|
=
2
2
1
1
) ( 2
4
1

k K k K
p
ij

(A.53)
Para determinar las componentes axial y radial del campo elctrico se calcularn
previamente las derivadas parciales siguientes:
( ) ( )
( ) ( )
|
|
\
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
|
\
|
2
2 1 2
2
1
2
2 1 2
2
1
, , ,
1
, ,
1
, , ,
1
, ,
1

k k
z
k k
z z
k
z z
k
z
k k
r
k k
r r
k
r r
k
r
i i i i i i i i
i i i i i i i i

(A.54)
derivadas respecto a r
i
:
( )
( ) ( )
|
|
\
|

+
=
|
|
\
| +
=
=
+
=
|
|
\
|
|
|
\
| +
=
=
|
|
\
|
2
1
2 2 2
1
2
1
1
2
1
1
1
1
1
3
1
1
2
1
2 2
1
2
1
2
1
2
2
1 1

i
j i i j j i
i
j i
i i i
j i
j i
j
i
j i
i i i
r
z z r r
k
r r
r
k
r r k
r
k
r
r r
r r
r
r
k
r r
r r

(A.55)
respectivamente:
( )
( ) ( )
|
|
\
|

+
=
|
|
\
| +
=
=
+
=
|
|
\
|
|
|
\
| +
=
=
|
|
\
|
2
2
2 2 2
2
2
2
2
2
2
2
2
2 2
2
3
2
21
2
2 2
2 2
1
2
1
2
1
2
2
1 1

i
j i i j j i
i
j i
i i
j i
j i
j
i
j i
i i
r
z z r r
k
r r
r
k
r r k
r
k
r
r r
r r
r
r
k
r r
r r

(A.56)
derivadas respecto a z:
( )
2
1
1
1
3
1
1
2
1 1
1
2
1 1

j i
i i
j i
i
j i
i i
z z k
z
r r
z
k
z z
r z
=
|
|
\
|
|
|
\
|
=
=
|
|
\
|

(A.57)
respectivamente:
( )
2
2
1
2
2
3
2
2
2
2
2
1
2
1 1
j i
i
j i
i
j i
i i
z z k
z
r r
z
k
z z
r z
+
=
|
|
\
|
|
|
\
| +
=
=
|
|
\
|

(A.58)
Para determinar la
|
|
\
|
1
1
) (
k K
r
i
ser preciso partir de las ecuaciones (A.55) y de la
propiedad siguiente:

|
|
\
|

=
2
1
1
2
1 1
2
1
1 1
1
) ( ) ( 1 ) (
k K k E
k k
k K

(A.59)
donde:
2 2
1
) ( ) (
j i j i
z z r r + =
(A.60)
(cuya demostracin se realiza al final del apndice)
( )
( )
|
|
\
|
+

+

|
|
\
|

=
=
|
|
\
|
=
|
|
\
|
3
1
1
2
1
2 2 2
1
2
1
1
2
1 1
2
1
1 1
1
1
1
1
1
1 1
1
) (
2
) ( ) ( 1 1
1
) (
) ( 1 ) (

k i
i
j i i j
i i i
r r
k K
r
z z r r
k
k K k E
k
r
k K
r
k
K
k K k K
r

(A.61)
operando resulta:
( )
|
|
\
|
+
=
|
|
\
|
2
1 1
1
2
1 1
2 2 2
1
1
) ( ) (
2
1 ) (

k K k E z z r r
r
k K
r
j i i j
i i

(A.62)
y de aqu:
( ) ( )
(
(
+
=
2
1 1
1
2
1 1
2 2 2
0
.
) ( ) (
1
4
1

k K k E z z r r
r
f
j i i j
i
rij

(A.63)
Y teniendo en cuenta la carga imagen (ecuacin (A.56)), resulta:
( ) ( )
( ) ( )
(
(
(
+ +
+
=
2
2 2
2
2
2 2
2 2 2
2
1 1
1
2
1 1
2 2 2
0
) ( ) (
.
) ( ) (
1
4
1

k K k E z z r r
k K k E z z r r
r
f
j i i j
j i i j
i
rij

(A.64)
Para determinar la componente axial se procede de forma anloga: (A.57).
( ) ( )
|
|
\
|
+

|
|
\
|
==
=
|
|
\
|
=
|
|
\
|
3
1
1
2
1
1
1
2
1
1
2
1
1 1
1
1
1
1
1
1 1
1
) ( ) (
) ( 1 1
1
) (
) ( 1 ) (

j i j i
i i i
z z
k K
z z k
k K
k E
k
z
k k
r
k
k
k K k K
z

(A.65)
y operando resulta:
( )
|
|
\
|

=
|
|
\
|
j i
i
z z
k E k K
z
2
1 1
1
1
1
) ( ) (

(A.66)
y de aqu:

( ) ( )
(
(

=
2
1 1
1
0
.
2
4
1

k E z z
f
i j
zij

(A.67)
y teniendo en cuenta la carga imagen (A.58) resulta:
( ) ( ) ( ) ( )
(
(
+
+

=
2
2 2
2
2
1 1
1
0
2
4
1

k E z z k E z z
f
i j i j
zij

(A.68)
A.1.2.2.1 Propiedades de 1as derivadas de las integrales elpticas completas de primera y
segunda especie respecto al parmetro K:
Se demuestran aqu las propiedades utilizadas anteriormente en la derivacin de los
coeficientes de campo.
1.-
|
\
|

) ( ) (
1
1 1 ) (
2
k K k E
k
k k
k K

(A.69)
O lo que es lo mismo si
2
4
j i
r r
k

=
|
|
\
|
=
) ( ) (
1 ) (
2
2
k K k E
k k
k K

(A.70)
Donde y estn definidas por (A.47) y (A.60)
2.-
( ) ) ( ) (
1 ) (
k K k E
k K
k E
=

(A.71)
A continuacin vamos a demostrar ambas propiedades:
Demostracin de las propiedades:
1.-
|
\
|

) ( ) (
1
1 1 ) (
2
k k k E
k
k k
k K

(A.72)
Se parte previamente de la relacin:
|
|
\
|
=
|
|
\
|
3
2 2
1 cos k sen k

(A.73)
donde:
2 2
1 sen k =
(A.74)

cuya demostracin es la siguiente:
( )
( )
( )
3
2
2 2
3
2
2 2
3
2
3
2 2 2
3
2 2 2
2 2
3
2 2 2 2
2
2 2
2 2
2
2 2
2
2 2 2 2
2 2
2
2 2 2 2
3
2 2 2
2
2 2
2
3
2
3
2
2
2 2
2
2
1
1
1 1
1 1 1
1 1 cos
1 cos
1
cos cos
cos 1 cos
cos
cos cos
=
=
+
=
=
\
|
=
=
|
|
\
|
=
=
|
|
\
|
+
+
=
|
|
\
|
=
|
|
\
|

+
+
=
|
|
\
|
k
sen k
k
sen k k sen k sen k k
sen k sen k sen k k
sen k sen k sen k k
sen k sen k k sen k
k
sen
k
k sen k
sen k
sen
k
sen k

(A.75)
es decir:
( )
|
|
|
\
|

=
|
|
|
\
|

3
2 2
2
2 2
2 2
2
1
1
1
1
cos
sen k
k
sen k
sen k
sen k

si se integra entre 0 y p/2 se obtiene:
( )

d
sen k
k
d sen k
sen k
sen k
d
|
|
|
\
|

=
|
|
|
\
|

2 2 2
0 3
2 2
2
0
2 2
0 2 2
2
1
1
1
1
cos

(A.76)
como la integral del primer miembro es nula se puede poner:
( )
2
0
2 2
2
0 3
2 2 1
) (
1
1
1
1
2 2
k
k E
d sen k
k
sen k
d

(A.77)
con lo que:
( )
( )
( )
( )

+

=
=

2 2
2
2
3
0 3
2 2
0 2 2
0 2 2
2
1
1
1
1
1

sen k
d
k
sen k
d
k
d
sen k
sen k
k
k K

(A.78)
Aplicando la expresin (A.76) resulta:
( )
|
\
|

) ( ) (
1
1 1
2
k K k E
k
k k
k K

(A.79)


2.-
( ) ) ( ) (
1 ) (
k k k E
k k
k E
=

(A.80)
( )
( )
( ) ( )
(
(

=
=

=
2
2
0 2 2 2 2
2
0 2 2
2
1
1
1
1 1
1
d
sen k sen k
sen k
k
d
sen k
sen k
k
k E

(A.81)
con lo que:
( )
( ) ( ) [ ] k K k E
k k
k E
=
1

(A.82)
A.2 Cargas superficiales
Para el clculo de las componentes de potencial y de intensidad de campo en el mtodo
de cargas superficiales se han empleado los siguientes desarrollos en serie de K(k) y
E(k) integrales elpticas de primera y segunda especie respectivamente para campos
tridimensionales con simetra rotacional, y desarrollos en serie de Q
n-1/2
(x
i
) y Q
n+1/2
(x
i
)
(funciones de Legendre de orden n-1/2 y n+1/2 respectivamente tambin llamadas
funciones toroidales) para el clculo de campos sin simetra rotacional.
A.2.1 Desarrollos en serie de las integrales elpticas de primera y
segunda especie y de las funciones toroidales [118]
A continuacin se muestran los desarrollos para K(k), E(k) y Q
n-1/2
(x
i
) cuando r
Q
, z
Q

r, z.
Sean:
( ) ( )
2 2 2 2 2

= + = +
)
`
=
=
z r Q Q
z Q
r Q
z z r r
z z
r r

(A.83)
Entonces:
( ) ( )
|
|
\
|
+ + + =
+ +
=
2
2
2
2
2 2
8
1
4
1
2
1
2
1 1 1
r r r r
z z r r
a
z r r
Q Q

(A.84)
( ) ( )
+ = =
+ +
=
2
2
2
2
2 2
8
1
8
1
1
2
1
2
4
r r r r a
r
z z r r
rr
k
r r
Q Q
Q

(A.85)

( ) + +
(
\
|
+ +
|
|
\
|
=
2
2
2
2
2
2
2
2
16
1
16
3
2 2
1
2
1
16
1
64
ln
2
1
r r r r r
r
k K
z r r r

(A.86)
( )
|
|
\
|
+ + + + =

+
+ =
2
2
2
2 2 2
1
2
1
2
1
r r r r r
r r
r
z r

(A.87)
( )

=
+

(
(
(
+

\
|
+ |
\
|
+ +
(
(
\
|
+ +
(
\
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=
1
0
1
0
2 2
2
2
2
2
2
2
3
2
2
2
2
2
2
2
2 1
1 2
1
2
1 2
1
2
4
1
4
1
1
4 4
1
4 8 6 4 2
4
1
1
4
1
64
ln
2
1
n
k
n
k
r r r r r
r
n
k k
n n
r r
n
r r r r r
n
r r r
Q

(A.88)
( )
2
2
2
2
2
2
2
2
16 8
1
2
1
8
64
ln
2
1
1
r r r r r
r
k E
r r

\
|
+
|
|
\
|
+ =
(A.89)
( ) ( ) ( )
2
1
1
1 2
1
1
2
8 64
ln
2
1
1
4
2 1
1
0
2
2
2
2
2
2
2
2
2 1 2 1
+
(
(
(
+
|
\
|
+ +
|
|
\
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=
=
+
n
k r r
r r
r
r
n Q Q
n
k
r
r
n n

(A.90)
Apndice B Propiedades Geomtricas del Campo
Elctrico
B.1 Definiciones geomtricas. Curvatura total
Dada una superficie S y un punto P de sta, en el que se ha definido el vector normal a
la superficie en un sentido determinado, se calculan para este punto las dos curvaturas
normales principales, as como el vector curvatura de las lneas de curvatura
correspondientes.
A continuacin se le asigna a cada curvatura normal un signo segn el siguiente criterio:
si el vector curvatura (vector con la direccin de la normal a la lnea y mdulo igual a la
curvatura) de una lnea de curvatura se proyecta sobre la normal superficie en el punto,
en el lado de sta que cae en sentido opuesto a aqul en que se defini el vector normal
a la superficie, a la curvatura normal correspondiente se le da signo positivo; si por el
contrario se proyectase sobre el lado situado a favor del sentido definido para el vector
normal, se le dar signo negativo a esa curvatura normal (Fig. B.1).
P
S
1
C
n2
C
n1
P
1
P
2
2 C 1 C
Signo de C
n1
> 0
Signo de C
n2
< 0
Recta normal
a la superficie
N
Lnea de curvatura 2
Lnea de curvatura 1

Fig. B.1. Curvatura total.
Se cumplen las siguientes relaciones, que pueden deducirse fcilmente de la Fig. B.1:
2 2 2
1 1 1
cos
cos
C C
C C
n
n
=
=

(B.1)
y como
1 1
1 R C = y
2 2
1 R C = se tiene finalmente:
B-2 Optimizacin de Aisladores de Alta Tensin...

2
2
2
1
1
1
cos
cos
R
C
R
C
n
n
=
=

(B.2)
Frmulas a partir de las cuales se pueden definir los siguientes radios de curvatura
normales:
2
2
2
2
1
1
1
1
cos
1
cos
1
R
C
R
R
C
R
n
n
n
n
= =
= =

(B.3)
Una vez asignado un signo a cada una de las curvaturas normales, se define la
Curvatura Total de la superficie en un punto P como la suma de las curvaturas
normales principales con su signo correspondiente:
2 1 n n tot
C C C = (B.4)
Para una superficie S dada y para una curva cualquiera L, contenida en S y que pase por
un punto P de S fijo, se puede descomponer el vector curvatura segn:
g n
C C n C
r r
r
+ =
(B.5)
en donde
( )
( ) geodsica Curvatura C n C C
normal Curvatura N N n C C
n g
n
r
r
r
r r
r
r
=
=

(B.6)
Siendo: n
r
normal a la lnea.
N
r
normal a la superficie.
Se sabe adems que se cumple:
Todas las curvas de una superficie que pasan por un punto P de sta y poseen la misma
tangente en P, tienen tambin la misma curvatura normal en P; por ello C
n
se
denominar curvatura normal en P segn la direccin du/dv ( dv/du).
Se considera, a merced de todo lo dicho, una superficie S, con un punto P en ella donde
se tienen definidas la normal y las direcciones principales de curvatura, as como las
lneas de curvatura. Considrense las secciones normales que producen dos planos que,
conteniendo a la normal en P, contienen adems cada uno de ellos una de las rectas
tangentes a S en P segn las direcciones principales de curvatura, que consideraremos
definidas por los vectores
1
v y
2
v . Llmese
1
y
2
a estos planos respectivamente, y
al plano tangente a S en P tal y como muestra la Fig. B.2 y L
n1
y L
n2
a las secciones
Apndice B: Propiedades geomtricas del campo elctrico B-3

normales que producen
1
y
2
en S, los vectores curvatura de
1 1
n C
r
y
2 2
n C
r
debern
cumplir en P:
1. Deben partir de P.
2. Deben estar contenidos en
1
(
2
) puesto que L
n1
y L
n2
son curvas planas.
3. Deben ser perpendiculares a
1
v (
2
v ), que son los vectores tangentes a L
nl
(L
n2
)
en P, y por lo tanto estarn contenidos en planos perpendiculares en P a
1
v (
2
v ),
estos planos son
2
(
1
) respectivamente.
4. De 2) y 3) se deduce que deben estar sobre las rectas de interseccin de los
planos
1
(
2
) y
2
(
1
) es decir, ambos se encuentran sobre la normal N
r
a S en
P.
S
P
Recta normal
N
r
1
v
2
v
Ln1
Ln2

Fig. B.2. Secciones normales principales.
Al estar los centros de curvatura de L
n1
y L
n2
sobre la normal, la curvatura normal de
estas curvas coincide con su curvatura total (es decir, tienen curvatura geodsica nula) y
adems, por tener estas curvas las mismas tangentes en P que las lneas de curvatura, la
curvatura de aqullas coincide con la curvatura normal de las lneas de curvatura
principales, por la propiedad antedicha.

Estas secciones normales as definidas L
n1
y L
n2
se llaman secciones normales
principales.
B.2 Clculo de la curvatura total para superficies de
revolucin
Considrese una superficie de revolucin S con sus coordenadas cilndricas y
cartesianas, segn se muestra en la Fig. B.3.

x
r = v = u
z
y
v
P
u
0
2
S
L
n1
=
u
L
n2

v
0
1
v
r
2
v
r
N
r

Fig. B.3. Superficie de revolucin.
Para realizar el estudio geomtrico diferencial de esta superficie se escoge una
parametrizacin (u, v) en la que u = y v = r. La ecuacin de la superficie en
coordenadas cartesianas con un vector de posicin r
r
es entonces:
( ) ( ) ( ) v h senu v u v v u r , , cos , =
r
(B.7)
donde la funcin z = h(v) es la ecuacin en dos dimensiones de la curva generatriz de la
superficie de revolucin.
Se calcula en primer lugar la normal a la superficie, definida por:

v u
v u
r r
r r
N
r r
r r
r
=
(B.8)
donde
u
r
r
y
v
r
r
representan las derivadas parciales del vector de posicin r
r
respecto a los
parmetros u y v respectivamente. Se tiene:
( )
( ) ( ) v h senu u r
u v senu v r
v
u
=
=
, , cos
0 , cos ,
r
r

(B.9)
( )
( ) ( ) ( ) v senu v v h u v v h
v h senu u
u v senu v
k j i
r r
v u
=
= , , cos
cos
0 cos
r r r
r r

(B.10)
( ) ( ) ( ) v h v v u sen v h v u v h v r r
v u
2 2 2 2 2 2 2 2
1 cos + + = + + =
r r

(B.11)
( ) ( ) ( )
( ) v h
u v h u v h
N
2
1
1 , sen , cos
+

=
r

(B.12)
Se calculan ahora los coeficientes de la primera y segunda formas fundamentales de la
superficie.
Los coeficientes de la primera forma fundamental son:
( )
( )
( ) ( ) v h v h u u r r G
u u v u u v r r F
v u v u v r r E
v v
v u
u u
2 2 2 2
2 2 2 2 2
1 sen cos
0 0 sen cos cos sen
0 , cos sen
+ = + + == =
= + + = =
= + + = =
r r
r r
r r

(B.13)
Adems como se sabe ( ) ( ) ( ) v h v v h v F G E r r
v u
2 2 2 2
1 1 + = + = =
r r
lo cual es acorde
con el resultado arriba expuesto.
Los coeficientes de la segunda forma fundamental se pueden escribir como:
[ ]
[ ]
[ ]
2
2
2
, ,
, ,
, ,
F EG
r r r
g
F EG
r r r
f
F EG
r r r
e
v u uv
v u uv
v u uu
=
r r r
r r r
r r r

(B.14)
donde:

( ) ( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) v h r
u u r v h u u r
u u r u v u v r
u v u v r v h u v u v r
vv
vu v
uv u
uu
=
= =
= =
= =
, 0 , 0
0 , cos , sen , sen , cos
0 , cos , sen 0 , cos , sen
0 , sen , cos , sen , cos
r
r r
r r
r r

(B.15)
[ ]
( )
( )
( ) ( ) ( ) v h v u v u v v h
u v u v
u v u v
v h
v h u u
u v u v
u v u v
r r r
v u uu
= =
=

=
+

=
2 2 2 2 2
,
sen cos
cos sen
sen cos
sen cos
0 cos sen
0 sen cos
,
r r r

(B.16)
[ ]
( )
( )
( ) ( ) u u v u u v v h
u v u v
u u
v h
v h u u
u v u v
u u
r r r
v u uv
cos sen cos sen
cos sen
cos sen
sen cos
0 cos sen
0 cos sen
,
,
+ =
=

=
=
r r r

(B.17)
[ ]
( )
( )
( )
( ) ( ) ( ) v h v u v u v v h
u u
u v u v
v h
v h u u
u v u v
v h
r r r
v u vv
= =
=

=
+

=
2 2
,
cos cos
sen cos
cos sen
sen cos
0 cos sen
0 0
,
r r r

(B.18)
Con lo cual se dispone ya de los coeficientes de las dos formas fundamentales:
( )
( )
2 2
2
2
1
1
0 v h v F EG
v h G
F
v E
+ =
+ =
=
=

(B.19)
para la primera forma fundamental y:
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
+

=
+

=
=
+
=
+

=
2 2
2 2
2
1 1
0
1 1
v h
v h
v h v
v h v
g
f
v h
v h
v
v h v
v h v
e

(B.20)
para la segunda forma fundamental.
Las curvaturas principales son la solucin de la ecuacin:
( ) ( ) ( ) 0 2
2 2 2
= + + f eg C Ff Ge Eg C F EG
n n

(B.21)
Y como F=f=0 queda:
( ) 0
2
= + + eg C Ge Eg EGC
n n

(B.22)

en donde:
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( )
2 2
2
2
2 2 2
1 1
1
1 1
v h
v h v h
v eg
v h
v h
v Eg
v h
v h
v v f Ge v v h EG
+

=
+

=
+
+ = + =

(B.23)
Las soluciones de esta ecuacin de segundo grado son:
( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) ( ) [ ] Ge EG Ge Eg
EG EG
Ge EG
EG
Ge Eg
EG
EGeg EGge e G g E
EG
Ge Eg
EG
EGeg Ge Eg Ge Eg
C
n
+ =
+
=
=
+ +
+
=
+ +
=
2
1
2 2
2
4 2
2 2
4
2
2 2 2 2 2

(B.24)
Donde sustituyendo las relaciones (B.23) quedan las dos soluciones finales:
( )
( )
( )
( )
2
2
3
2
1
1
2
2
1
1
2
2
1
v h v
v h
E
e
Ge
EG
C
v h
v h
G
g
Eg
EG
C
n
n
+

= = =
|
\
|
+

= = =

(B.25)
Lo cual se poda haber deducido del teorema de Euler que dice:
El hecho de que f=F=0 es condicin necesaria y suficiente para que las lneas
coordenadas sean lneas de curvatura y en este caso se cumple que
G
g
C
n
=
1
y
E
e
C
n
=
2

As pues las lneas de curvatura de la superficie S con la parametrizacin escogida
coinciden con las lneas coordenadas. Por lo tanto resulta posible usar las curvas
coordenadas para calcular los valores de las curvaturas normales principales. An as,
en lugar de ello, se van a calcular aqu a partir de las secciones normales principales
para dar una visin geomtrica ms completa del problema, para ello las lneas
coordenadas, como las lneas de curvatura, sirven para determinar las direcciones de los
vectores tangentes a la superficie, que junto con el vector normal a la superficie,
determinan las secciones normales principales.
Las lneas coordenadas de parmetros u constante (u-curvas) no son sino la interseccin
de planos verticales que contienen al eje z con la superficie S, es decir, representan la
curva generatriz de la superficie para distintas posiciones acimutales.
Las lneas coordenadas de parmetros v constante (v-curvas) son circunferencias
perpendicularmente al eje z y con centro sobre l.
En la Fig. B.3 se han representado las lneas coordenadas correspondientes a un punto
P(u
0
,v
0
) sobre la superficie S. La u-curva, curva generatriz, se ha denotado como
u
y la
v-curva, circunferencia, como
v
. Los vectores tangentes en P a las curvas coordenadas

u
y
v
,
1
v
r
y
2
v
r
respectivamente, junto con el vector normal N
r
definen los planos
1
y
2
y las secciones normales L
n1
y L
n2
(comparar con la Fig. B.2).
En este caso L
n1
y
u
coinciden, por lo que la curvatura C
1
de
u
representar ya una de
las curvaturas normales principales. Se calcula a continuacin la curvatura de las curvas
u
y
v
. Considrese en primer lugar la curva
u
. Su ecuacin en coordenadas
cartesianas es:
( ) ( ) v h u v u v r , sen , cos
0 0
=
r
(B.26)
Se denotan con r
r
las derivadas respecto al parmetro natural (longitud de arco) de la
curva y con r
&
r
las derivadas respecto a los parmetros usados en la ecuacin de la curva.
Sea
u
t
r
el vector tangente y
u
n
r
el vector normal de la curva
u
. Se tiene:
( )
dl
dv
r
dl
dv
dv
r d
dl
r d
l r t
u
= = = =
&
r
r r
r
r

(B.27)
De la definicin de parmetro natural en geometra diferencia se sabe que:
r
dl
dv
&
r
1
=
(B.28)
Por lo que:
r
r
t
u
&
r
&
r
r
=
(B.29)
Y siendo:
( ) ( ) v h u u r = , sen , cos
0 0
&
r

(B.30)
y
( )
2
1 v h r + =
&
r

(B.31)
resulta:
( )
( ) ( ) v h u u
v h
t
u

+
= , sen , cos
1
1
0 0
2
r

(B.32)
En cuanto al vector normal, se define en geometra diferencial como:
u
u
u
t
t
n
= r
r
r

(B.33)
Siendo
u u
C t =
r
la curvatura de la curva
u
.

donde:
( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( ) ( )
( )
( )
( )
N
v h
v h
v h
senu v h u v h
v h
v h
v h
v h
v h
v h
senu v h
u
v h
v h
v h
v h
v h senu u
v h
v h
v h
v h
v h
v h
v h v h
v h senu u
r
v h
r
r
dv
d
v h senu u
r
v h senu u
dv
d
r
v h senu u
r
dv
d
r
dl
dv
dv
t d
dl
t d
t
u u
u
r
&
r
&
r
&
r
&
r
&
r
&
r
&
r
r r
r
\
|
+

=
+

\
|
+

=
=
(
(
+

+
+
+

|
\
|
+

=
=
(
(
+
|
\
|
+

=
=
|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+

+ =
=
|
|
|
\
|
+ =
=
= = =
3
2
2
0 0
3
2
2
2
2
2
0
0
2
3
2
0 0
2
2
3
2
3
2
0 0
2
0 0 0 0
2
0 0
1
1
1 , , cos
1
1
1 ,
1
, cos
1
1
, , cos
1
1 , 0 , 0 1
1
1
, , cos
1
, 0 , 0
1
1
, , cos
1
, , cos
1
, , cos
1 1

(B.34)
Como
u u u
n C t
r
r
= entonces:
( )
( )
N n y
v h
v h
C
u u
r
r
=
+

=
3
2
1

(B.35)
Pues la curvatura de una curva se define como un valor positivo. Como la curva
u

coincide con la seccin normal L
n1
, la curvatura C
u
es igual en mdulo a C
n1
(vase la
frmula (B.25)). En cuanto al signo de C
n1
, tal y como se explic al principio del
captulo, depender de los sentidos relativos de
u
n
r
y N
r
.
Considrense ahora los vectores tangente y normal a la curva
v
(una circunferencia)
cuya ecuacin puede escribirse:
( ) ( )
0 0 0
, , cos v h senu v u v r =
r
(B.36)
Si se repiten los clculos realizados para r
u
se tiene:
( )
( ) 0 , cos ,
0 , cos ,
0
0 0
u senu
v
u v senu v
r
r
t
v
=
= =
&
r
&
r
r

(B.37)

( )
( ) ( )
v v
v
v
n C senu u
v
senu u
r
u senu
du
d
r dl
du
du
t d
t
r
&
&
r
&
r
= = =
= = =
0 , , cos
1
0 , , cos
1
0 , cos ,
1
0

(B.38)
donde
0
1
v
C
v
= y ( ) 0 , , cos senu u n
v
=
r
.
Si se llama al radio de curvatura de la curva generatriz, y R al radio de las
circunferencias transversales del cuerpo de revolucin, se tiene claramente:
v
u
C
R
C
1
1
=
=

(B.39)
En cuanto a las curvaturas normales, como
u
coincide con la seccin normal L
n1
se
tiene:
( )
( )
3
2
1
1 v h
v h
C C
u n
+

= =
(B.40)
Pero no ocurre lo mismo con
v
, por lo que para hallar la curvatura normal
correspondiente a C
v
es preciso proyectar n C
v
r
sobre la normal a la superficie, N
r
.
Adems ( ) 0 , , cos senu u n
v
=
r
es un vector radial de la circunferencia que representa
v

con direccin siempre hacia el centro de la circunferencia. Para proyectar sobre N
r

puede efectuarse el producto escalar:
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
2
0 0
0
2
2
0 0
0
2
0
0 0
0
1 1
1
1 , sen , cos
0 , sen , cos
1
v h v
v h
C N
v h v
v h
N
v h
u v h u v h
u u
v
N N n C
n
v
+

=
+

=
=
(
(
+

=
r
r r r
r

(B.41)
Como puede observarse coinciden con los valores calculados anteriormente:
E
e
C
G
g
C
n
n
=
=
2
1

(B.42)
C
n1
presenta una interpretacin geomtrica sencilla pues
1
1
= =
u n
C C es el inverso del
radio de curvatura de S. En cuanto a C
n2
, su interpretacin geomtrica puede deducirse
de la Fig. B.4 donde se representa una seccin axial de S.

0
P
0
R
ax0
z h(v)
R
0
= v
0
v
0

Fig. B.4. Interpretacin geomtrica de C
n2
.
Se sabe que
( )
( )
2
0 0
0
2
1 v h v
v h
C
n
+
= siendo ( ) tan v h =
0
, entonces ( )
0
2
0
cos
1
1
= + v h ,
luego
ax
n
R R
sen
R
C
1 cos tan
0 0
2
= = =

, es decir es el inverso de la distancia del punto de
la superficie al eje de revolucin medida sobre la normal a la curva en el punto.
Los signos aplicables a C
n1
y C
n2
se pueden deducir de la Fig. B.5 donde se representan
los posibles sentidos de
u
n
r
y
v
n
r
respecto de N
r
y la regla enunciada al principio del
apndice.
z z z z
v v v v
h(v) h(v) h(v)
h(v)
u
n
r
u
n
r
u
n
r
u
n
r
v
n
r
v
n
r
v
n
r
v
n
r
N
r
N
r
N
r
N
r
0
1
0
1
2
1
> =
> =
ax
n
n
R
C
C
0
1
0
1
2
1
<
=
> =
ax
n
n
R
C
C
0
1
0
1
2
1
<
=
<
=
ax
n
n
R
C
C
0
1
0
1
2
1
> =
>
=
ax
n
n
R
C
C
( )
( ) 0
0
>
>
v h
v h
a) b) c) d)
( )
( ) 0
0
<
>
v h
v h ( )
( ) 0
0
<
>
v h
v h ( )
( ) 0
0
<
>
v h
v h

Fig. B.5. Signos de la curvatura.

La normal a la superficial tiene siempre con la parametrizacin escogida, tal y como se
deduce de la frmula (B.8), el sentido de las z negativas hacia abajo.
En este caso y segn reflejan las formulas de la Fig. B.5 a) b) c) d) el signo de C
n1

coincide con el de la derivada segunda de la funcin h(v) y el de C
n2
con el de la
derivada primera de esa funcin, lo que est de acuerdo con el convenio establecido al
principio del apndice segn se puede apreciar en la Fig. B.1.
Apndice C Procedimientos Numricos en el Mtodo
BEM [13]
C.1 Campos 3D
C.1.1 Superficies aproximadas por tringulos curvilneos
Se escoge un elemento de contorno triangular [87][12], (Fig. C.1 a) y su transformacin
en un sistema de coordenadas L (tringulo maestro), (Fig. C.1 b). Los nodos
principales son N1, N2, N3, mientras que los auxiliares estn sealados como N4, N5,
N6. Las coordenadas espaciales (x,y,z) de un punto arbitrario G con coordenadas
L1,L2,L3 (L3=1-L1-L2) en el sistema transformado, se calculan, cuando se usa una
aproximacin de segundo orden, mediante las expresiones:
( )
( )
( )
=
=
=
=
=
=
6
1
2
6
1
2
6
1
2
j
j j
j
j j
j
j j
z N z
y N y
x N x

(C.1)
donde:
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( ) ( )
1 3
2
6 3 2
2
5 2 1
2
4
3 3
2
3 2 2
2
2 1 1
2
1
4 4 4
1 2 1 2 1 2
L L N L L N L L N
L L N L L N L L N
= = =
= = =

(C.2)
C
a) b)
Subelemento en {(x,y,z)}
Subelemento en {L
1
,L
2
}
Transformacin-L
N
3
L
1
L
2
B
C
B
A
S
N
1
N
1
N
2
G

Fig. C.1. Transformacin L de los elementos de contorno.
La funcin de la carga superficial sobre un elemento se calcula usando la aproximacin
lineal:
C-2 Optimizacin de Aisladores de Alta Tensin...

( )
3 3 2 2 1 1 2 1
, L L L L L
e
+ + = (C.3)
La contribucin del elemento considerado al potencial en el punto I es:
( )
( )
( )

+ +
=
1
0
1
0
2 1 2 1
2 1
3 2 1 2 2 1 1
0
1
,
,
1
4
1
L
GI
eI
L dL L L n
L L r
L L L L

(C.4)
donde |n(L
1
,L
2
)| es el Jacobiano de la transformacin. La relacin (C.4) determina los
elementos fila de la matriz de discretizacin [A] que corresponde a la ecuacin Integral
de Fredholm de primera especie:
3 3 2 2 1 1

I I I eI
a a a + + = (C.5)
dnde:
( )
( ) [ ]
( )
( ) [ ]
( ) ( )
( ) [ ]

=
=
=
1
0
1
0
2 1
2 1 2 1 2 1
0
3
1
0
1
0
2 1
2 1 2 1 2
0
2
1
0
1
0
2 1
2 1 2 1 1
0
1
1
1
1
, ,
, 1
4
1
, ,
,
4
1
, ,
,
4
1
L
GI
I
L
GI
I
L
GI
I
I L L G r
L dL L L n L L
a
I L L G r
L dL L L n L
a
I L L G r
L dL L L n L
a

(C.6)
Las integrales de esta ecuacin se pueden resolver por el mtodo de Gauss Radau. Si
cada lado del tringulo maestro se divide en N partes, se obtienen N
2
subelementos
cuyas longitudes de los lados verticales son L
1
= 1/N, L
2
= 1/N. Sobre cada
elemento se forman 0,5(N + 1)(N + 2) puntos de corte, incluyendo tambin los nodos
principales. En el sistema de coordenadas L, las coordenadas de los nodos locales se
determinan del siguiente modo:
( ) ( ) [ ] 1 , 1 ;
1
,
1
,
2 1
+
(

= N n m
N
n
N
m
n L m L
(C.7)
Integrando a travs de los subelementos, las relaciones (C.6) adquieren la siguiente
forma:
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ] ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) [ ]

+
=
+
=
+
=
+
=
+
=
+
=

=
=
=
1
1
2
1 2 1
2
2 1 2 1
0
3
1
1
2
1 2 1
2
2 1 2
0
2
1
1
2
1 2 1
2
2 1 1
0
1
, ,
, 1
4
1
, ,
,
4
1
, ,
,
4
1
N
m
m N
n GI
mn I
N
m
m N
n GI
mn I
N
m
m N
n GI
mn I
I n L m L G r N
n L m L n n L m L
g a
I n L m L G r N
n L m L n m L
g a
I n L m L G r N
n L m L n m L
g a

(C.8)
g
mn

= 1/6, para los puntos en los vrtices del tringulo;
g
mn
= 1/2, para los puntos sobre los lados de un tringulo;
Apndice C: Procedimientos numricos en el mtodo BEM. C-3

g
mn
= 1, para los puntos dentro del tringulo.
Las relaciones anteriores (C.8) son aplicables en el caso en que el punto de clculo I no
coincida con cualquiera de los nodos principales de los elementos de contorno. En la
situacin contraria es decir, r
GI
= 0, las integrales en la expresin (C.6) son singulares.
El caso singular se puede resolver usando la relacin (C.8) si se excluyen los
subelementos cuyo punto es el nodo singular examinado (Fig. C.2). Usando la
numeracin apropiada, el nodo singular poda ser sealado como el nodo N
3
. En ese
caso, en las relaciones (C.8) el nodo (1,1) del subelemento debera ser excluido y los
factores de peso g
12
y g
21
corregidos. De este modo, para un caso singular se puede
escribir:
3 3 2 1
3 2 2 1 1
I I I I
a a a a a a a a a
I I I I I
+ = + = + = (C.9)
a) b) c)
2
1
Fig. C.2. a) Discretizacin de los elementos de contorno. b) Discretizacin de los elementos maestro. c)
Subelemento singular.
Las partes a'
I1
, a'
I2
, a'
I3
se calculan mediante las relaciones (C.8) excluyendo los puntos
en que (m, n) = (1,1) y haciendo g
12
= g
21
=1/3.
Las partes a'
I1
, a'
I2
, a'
I3
se calculan analticamente mediante las relaciones siguientes
(ver Fig. C.2 c):
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
3 2 1
3 2 1
3
3 0
3
2 3
2 1
2
3
3 2 1
3 2 1 2
2
2
3
2
1 3
4 4
3 0
2
2 1
2
3
3 2 1
3 2 1 2
2
2
3
2
1 3
4 4
3 0
1
ln
16
5 , 0
1 1
2 ln
16
1
2 ln
16
1
d d d
d d d
N d
N h
a N a N a
d d d
d d d
d d d
d d d h
N d
a
d d d
d d d
d d d
d d d h
N d
a
I II I
I
I
+
+ +
+ + =
(

+
+ +
+ =
(

+
+ +
+ =

(C.10)
En un modo similar una forma discreta de la ecuacin Integral de Fredholm de 2
especie se puede escribir del siguiente modo:

( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) [ ] ( ) ( ) [ ]
2 1
2 1
0
2 1
1
1
1
2 1
2
1 2 1
3 2
0
2 1
0
2
, , .
, ,
, ,
4

=
=

=
+
=
+
=
n L m L n L m L n g
n L m L G J r N
n n L m L G J r
e
E
e
N
m
mn
m N
n GJ
J GJ
J
r r

(C.11)
Para el caso de un elemento singular en la relacin (C.11), la parte que corresponde al
subelemento con el nodo singular, es decir, la parte (m, n) = (1, 1), sera omitida. Si el
nmero de elementos es relativamente pequeo, la anulacin del conjunto de
subelementos puede conducir a una prdida de la exactitud del clculo. En este caso, se
introduce un procedimiento separado donde el nodo singular del subelemento es aislado
con una superficie circular suficientemente pequea. La contribucin del resto de los
subelementos a la ecuacin (C.11) se puede determinar entonces analticamente.
C.1.2 Superficies definidas por elementos parciales
Los elementos parciales se introducen para las superficies de las siguientes formas:
- Superficie esfrica,
- Superficie Cnica,
- Superficie Cilndrica,
- Superficie de un Paraboloide,
- Superficie de un Hiperboloide,
- Superficie de un Toro,
- Superficie circular plana.
Las coordenadas de un punto sobre cada una de las superficies dadas arriba, se pueden
definir en un sistema de coordenadas local adecuado. Sobre estas superficies se pueden
colocar elementos cuadrados o triangulares. En ambos casos, la densidad de carga
superficial a lo largo del elemento se aproxima usando funciones base lineales.
Para un elemento cuadrado, como el de la Fig. C.3.

n
u
v
m

Fig. C.3. Elementos de contorno parciales cuadrados.
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
4 3
2 1
1 1 25 , 0 1 1 25 , 0
1 1 25 , 0 1 1 25 , 0 ,

+ + + + +
+ + + =
m n m n
m n m n e
v u v u
v u v u n m

(C.12)
Para un elemento triangular, Fig. C.4:
( )
3 2 1
1 1
1
1 1
, |
\
|
=
N
n
N
m
N
n
N
m
n m
e

(C.13)
Usando el procedimiento de integracin a travs de subelementos, como se ha explicado
en la parte relativa a la aproximacin de la superficie de contorno con la ayuda de
tringulos curvilneos, se derivan las siguientes relaciones:

Fig. C.4. Elemento de contorno de tringulo Parcial.
Contribucin del elemento cuadrado al potencial en un punto I:

( )( )
( ) [ ]
( )( )
( ) [ ]
( )( )
( ) [ ]
( )( )
( ) [ ] I v u G r
v u
g a
I v u G r
v u
g a
I v u G r
v u
g a
I v u G r
v u
g a
a a a a
m n GI
m n
N
m
M
n
mn I
m n GI
m n
N
m
M
n
mn I
m n GI
m n
N
m
M
n
mn I
m n GI
m n
N
m
M
n
mn I
I I I I eI
, ,
1 1 25 , 0
4
1
, ,
1 1 25 , 0
4
1
, ,
1 1 25 , 0
4
1
, ,
1 1 25 , 0
4
1
1
1
1
1
0
4
1
1
1
1
0
3
1
1
1
1
0
2
1
1
1
1
0
1
4 4 3 3 2 2 1 1
+ +
=
+
=
+
=
+
=
+ + + =
+
=
+
=
+
=
+
=
+
=
+
=
+
=
+
=

(C.14)
donde:
g
mn
= 0,25S
1
(n = 1) (m = 1 m = M+1)
g
mn
= 0,50S
1
(n = 1) (m 1 m M+1)
g
mn
= 0,25S
N
(n = N+1) (m =1 m = M+1)
g
mn
= 0,50S
N
(n = N+1) (m 1 m M+1)
g
mn
= 0,25(S
n
+ S
n-1
)

(m = 1 m = M +1) (n 1 n N+1)
g
mn
= 0,50(S
n
+ S
n-1
)

(m 1 m M+1) (n 1 n N+1)
Contribucin del elemento triangular al potencial en el punto I.
( ) [ ]
( ) [ ]
( ) [ ] I n m G r N
n m N
g a
I n m G r N
n
g a
I n m G r N
m
g a
a a a a
GI
N
m
m N
n
mn I
GI
N
m
m N
n
mn I
GI
N
m
m N
n
mn I
I I I I eI
, ,
1 2
4
1
, ,
1
4
1
, ,
1
4
1
1
1
2
1
0
3
1
1
2
1
0
2
1
1
2
1
0
1
4 4 3 3 2 2 1 1
+
=
=
+ + + =

+
=
+
=
+
=
+
=
+
=
+
=

(C.15)
donde:
g
mn
= S
1
(m 1 m N+1) (n = 1)
g
mn
= (1/3)S
1
(m = 1 m = N + 1) (n =1)
g
mn
= (1/3)S
N
(m = 1) (n = N + 1)
g
mn
= (1/3)S
n
+ (2/3)S
n-1
[m = 1 (n N+1) (n 1] [m = N +1 n 1
n N+1]

g
mn
= S
n
+ S
n-1
(m 1 m N+1) (n 1 n N+2 - m)
Las relaciones (C.14) y (C.15) son slo aplicables para casos regulares, es decir, en un
caso en el que el punto observado I no pertenezca a cualquiera de los nodos principales
del elemento. Un caso singular r
GI
= 0 se puede examinar del mismo modo que antes
(explicaciones y relaciones (C.10)). En el caso de un elemento singular, este es
examinado como si consistiese en dos elementos resultantes de una divisin diagonal.
De un modo similar, se deriva la forma discreta de la ecuacin Integral de Fredholm de
segunda especie:
Para un elemento cuadrado:
( ) [ ]
( ) [ ]
( ) n m g
J v u G r
n J v u G r
e
E
e
M
m
mn
N
n m n GJ
J m n GJ
J
,
, ,
, ,
4
1
1
1
1
1
3
0
0

=
+
=
+
=
=
r r

(C.16)
Para un elemento triangular:
( ) [ ]
( ) [ ]
( ) n m g
J v u G r
n J v u G r
e
E
e
M
m
mn
m N
n m n GJ
J m n GJ
J
,
, ,
, ,
4
1
1
1
2
1
3
0
0
=

=
+
=
+
=
r r

(C.17)
La ocurrencia de la singularidad en las relaciones (C.16) y (C.17) se resuelve de un
modo similar a la explicada para los tringulos curvilneos.
Apndice D Clculo del mnimo de la Suma de los
Cuadrados de las Diferencias en Forma Matricial
Considrese el sistema de ecuaciones (D.1):
[ ] [ ] [ ] 0 = C T F (D.1)
donde la matriz [F] es cuadrada de orden (n x n) elementos, [T] es el vector de
incgnitas e [DC] el vector de trminos independientes, ambos de orden n.
Considrese adicionalmente un conjunto de restricciones lineales expresadas por la
ecuacin matricial siguiente:
[ ] [ ] [ ] 0 = + B T G
T

(D.2)
donde la matriz [G] es una matriz de orden n x m, siendo m el nmero de restricciones
del problema.
Este problema puede resolverse mediante el mtodo de los mnimos cuadrados con
ayuda de los multiplicadores de Lagrange [50]. Para ello la ecuacin (D.1) se iguala a
un vector de errores (D.3), el cual deber cumplir la condicin de que su cuadrado, sea
mnimo, a la vez que se satisfacen las restricciones (D.2):
[ ] [ ] [ ] [ ] V C T F = (D.3)
Es decir, se trata del vector [V] que haga mnima la ecuacin (D.4).
[ ] [ ] V V Q
T
=
(D.4)
con las restricciones de la expresin (D.2).
Si los multiplicadores se designan por
i
( i = 1,2,...m), la funcin Lagrangiana puede
ponerse de la forma:
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ( ) B T G V V L
T T T
+ = 2
(D.5)
Obsrvese que los trminos
i
han sido multiplicados por la constante (-2) para
simplificar las expresiones posteriores.
Sustituyendo en la expresin (D.5) la ecuacin (D.3) resulta:
D-2 Optimizacin de Aisladores de Alta Tensin...

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
[ ] [ ] [ ] ( ) [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ( ) B T G C C
T F C C F T T F F T
B T G C T F C F T
B T G C T F C T F L
T T T
T T T T T
T T T T T
T T T
+ +
+ =
= + =
= + =
2
2
2

(D.6)
teniendo en cuenta las simplificaciones siguientes:
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
T
T T
T
T T
C F T C T F T F C = =
(D.7)
y como el transpuesto de un escalar (matriz de 1x1) es l mismo:
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] C F T T F C
T T T
=
(D.8)
la ecuacin (D.6) resulta entonces:
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] B T G C C C F T T F F T L
T T T T T T T
+ + = 2 2
(D.9)
Por otro lado la componente t
j
del vector [T] puede expresarse por:
[ ] [ ] T e t
T
j j
=
(D.10)
donde:
[ ]
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
0
.
0
1
0
.
0
j
e

(D.11)
Para determinar la derivada total de la funcin Lagrangiana se deducen primeramente
las derivadas parciales con respecto a cada t
j
:
( ) ( )
m n
t t t f t f L ..... , ..... , ,
1 2 1
= = (D.12)
con lo que
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] {
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ]} B T G
C C C F T T F F T
t t
L
T T
T T T T T
j j
+
+
2
2

(D.13)
donde:
Apndice D: Clculo del mnimo de la suma de los cuadrados de las diferencias en forma matricial D-3

[ ] [ ] [ ] [ ] { } [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
[ ] [ ] [ ] [ ] { } [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
j
T T T T
j
j
T T
T T
j
T T
j
e F F T T F F e T F
t
F T
T F F T
t
T F F T
t
+ =
+
+

(D.14)
Obsrvese que un sumando es el transpuesto del otro y ambos son escalares, con lo
cual:
[ ] [ ] [ ] [ ] { } [ ] [ ] [ ] [ ] T F F e T F F T
t
T T
j
T T
j
=
2
(D.15)
[ ] [ ] [ ] { } [ ] [ ] [ ] C F e C F T
t
T T
j
T T
j
=
2 2
(D.16)
[ ] [ ] { } 0 =
C C
t
T
j

(D.17)
[ ] [ ] [ ] [ ] ( ) { }
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
= =
+
G e e G
t
B T G
T
j j
T T
j
T T
2 2
2

(D.18)
agrupando los sumandos (D.15), (D.16), (D.17) y (D.18), resulta como expresin de la
derivada total la siguiente ecuacin:
( ) [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] { } = =
G C F T F F L
T
L
T T
2 grad
(D.19)
La condicin de mnimo debe satisfacer que la ecuacin matricial (D.19) sea nula
conjuntamente con la ecuacin matricial de las restricciones (D.2):
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] 0 = G C F T F F
T T

(D.20)
[ ] [ ] [ ] 0 = + B T G
T

(D.2)
a partir de la ecuacin (D.20) se despeja el vector (T):
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] 0
1
= + =

G C F F F T
T T

(D.21)
que sustituido en la ecuacin (D.2) resulta:
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] 0
1
= + +

B G C F F F G
T T T

(D.22)
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] C F F F G B G F F G
T T T T T
=
1 1

(D.23)
La solucin del sistema de ecuaciones lineales (D.23) permite determinar el vector de
multiplicadores . Conocido ste, la ecuacin (D.21) proporciona el vector de
desplazamientos [T] que hace mnima la suma de los cuadrados de las diferencias.

2004 UDC TD GonzalezGerardo

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UNIVERSIDADE DA CORUA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA Y SISTEMAS

desconocidos, similares a los que aparecen

no se calcula por cumplimiento de una condicin de ortogonalidad como

< < ). Esta singularidad puede removerse

y C (campo elctrico y curvatura superficial) es

producido por la componente tangencial E

= y se aplica el mismo procedimiento que en el

son las intensidades de campo calculadas y

: campo elctrico permitido.

esta condicin es equivalente a:

Intensidad de campo elctrico en la direccin en cada punto de

Componente acimutal de intensidad de campo de un segmento Q

Componente radial de la intensidad de campo elctrico en una

E Componente acimutal de la intensidad de campo elctrico en una

Componente axial de la intensidad de campo elctrico en una

producido por la componente tangencial

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