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COMPTEURS SEMI-CONDUCTEURS
Comme leurs noms l'indiquent, les dtecteurs semi-conducteurs sont bass sur des matriaux cristallin semi-conducteur, la plus part du temps il s'agira de silicium ou de germanium. On les appelle aussi les dtecteurs solides. Le principe de fonctionnement est analogue celui des chambres ionisations. Dans le solide, on cre des paires lectrons-trous par le passage d'une radiation qui seront ensuite collecte par un champ lectrique. L'avantage de ce type de dtecteur est que l'nergie moyenne requise pour crer une paire lectron-trou est 10 fois plus petite que celle requise pour l'ionisation d'un gaz. De ce fait, la quantit d'ionisation est un ordre de grandeur plus grand pour une mme nergie incidente et cela aura comme consquence une meilleure rsolution en nergie. De plus, part leur grande densit, ces lments ont un plus grand pouvoir de freinage des particules qu'un gaz.

Proprits de base
Les semi-conducteurs sont des matriaux structure cristalline pour lesquels la couche atomique extrieure possde un structure en bande d'nergie, comme le montre la Fig1. Il y a la bande de valence, la bande de conduction et entre eux deux, un saut en nergie (nergie gap). On y voit aussi le cas des isolants et des conducteurs pour une meilleure comparaison.
Bande de conduction Eg = 6 eV Gap Dnergie Bande de Valence Isolant lectrons libres Eg = 1 eV Bande de Valence trous Semi-conducteur Conducteur Bande de conduction

Figure1: Structure en bandes d'nergie pour un isolant, un semi-conducteur et un conducteur La bande du trou d'nergie est une rgion o il n'y a pas de niveaux d'nergie pour l'atome. Elle provient de l'arrangement priodique des atomes dans le cristal. La bande de conduction contient des lectrons qui sont dtachs et bougent librement dans le cristal. Les lectrons de la bande de valence sont plus lis et restent associs leurs atomes. Les largeurs des diffrentes bandes sont dtermines par l'espace entre les atomes du rseau cristallin. Dans un conducteur, le saut d'nergie n'existe pas, tandis que dans un isolant, ce saut est grand. Dans un semi-conducteur, le saut en nergie a une dimension intermdiaire, de telle sorte que quelques lectrons de la bande de valence sont excits vers la bande de conduction d l'nergie thermique. Lorsqu'on applique un champ lectrique, on verra un petit courant. Si on baisse la temprature, presque tous les lectrons vont tombs dans la bande de valence et la conductivit du semi-conducteur sera plus faible. Les lectrons qui ont saut de la bande de valence la bande de conduction laissent un trou dans la bande de valence. Ici, un des autres lectrons peut saut dans ce trou et crer un nouveau trou plus loin, et ainsi de suite avec d'autres lectrons. De par le fait qu'un trou paraisse positif par rapport aux lectrons, un autre courant aura donc lieu dans le semiTravaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun 1

Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun conducteur d au dplacement de ces charges positives. Les proprits physiques du germanium et silicium sont donnes dans le tableau. On y voit que les vitesses de dplacements des lectrons et des trous sont fortement diffrentes. Proprits Nombre atomique Z Masse atomique A Densit [g/cm2] Constante dilectrique relative Rsistivit intrinsque (300 K) [ Saut en nergie(300 K) [eV] Saut en nergie(0 K) [eV] Mobilit des lectrons (300 K) [cm2/Vs] Mobilit des trous (300 K) [cm2/Vs] Si 14 28.1 2.33 12 230'000 1.1 1.21 1'350 480 Ge 32 72.6 5.22 16 45 0.7 0.785 3'900 1'900

Semi-conducteurs dops
Dans un cristal semi-conducteur pur, le nombre de trous (p) est gale au nombre d'lectrons (n) dans la bande de conduction. Cet quilibre peut tre chang par l'introduction d'une faible quantit d'impuret sous forme d'atomes qui ont un lectron en plus ou en moins dans leur couche lectronique externe. Ces impurets s'intgrent d'elles-mmes dans le rseau cristallin et crer un semi-conducteur dop.

Figure2: a) addition d'une impuret avec un excs d'lectrons formant un semi-conducteur de type n. b) addition d'une impuret avec un manque d'lectrons formant un semi-conducteur de type p. La Fig.2 reprsente les deux cas possible d'impuret. Si le dopant a un lectron de plus que le Si ou Ge, il aura un lectron non li dans le rseau, (voir Fig. 2a)). Cet lectron se trouve dans un niveau d'nergie discret cr dans le trou d'nergie par la prsence d'impuret. Ce niveau est trs proche de la bande de conduction, de l'ordre de 0.01-0.05 eV. Cet lectron supplmentaire est trs facilement excitable et cela amliorera la conductivit du semi-

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Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun conducteur. D'autre part, il pourra remplir un des trou et donc diminuera la concentration de ceux-ci. Dans ce type de semi-conducteur, le courant sera donc essentiellement d au dplacement des lectrons. On dit que ces semi-conducteurs sont de type n. Si l'impuret a un lectron en moins que le Si ou Ge, il n'y aura pas assez d'lectrons pour crer le lien, comme montr dans la Fig.2b). Il y aura un excs de trous dans le cristal. Il y aura une perturbation du saut d'nergie, mais cette fois proche de la bande de valence. Les lectrons de cette dernire pourront facilement tre excit vers ces nouveaux tats, en laissant des trous derrire eux. Cet excs de trou va faire dcrotre la concentration d'lectrons libres, de telle sorte que le dplacement des trous sera la cause principale du courant. On dit que ces semi-conducteur sont de type p. En pratique, les lments donneurs sont l'arsenic, le phosphore et l'antimoine, tandis que le gallium, le bore et l'indium sont les lments rcepteurs. La quantit de dopant est faible, avec des concentrations de l'ordre de 1013 atomes/cm3, comparer avec la densit normale de 1022 atomes /cm3.

La jonction np de semi-conducteurs
Le fonctionnement d'un dtecteur semi-conducteur dpend de la formation de jonction de semi-conducteur. La formation d'une jonction pn, qui est la juxtaposition d'un semiconducteur de type p avec un semi-conducteur de type n, montre dans la Fig3. cre une zone spciale l'interface des deux matriaux. De part la diffrence de concentration d'lectrons et de trous dans les deux matriaux il y a une diffusion des trous vers la rgion n et une diffusion des lectrons vers la rgion p. En se rappelant qu'initialement les zone n et p sont neutres, la recombinaison des lectrons et trous va crer une accumulation de charges de chaque ct de la jonction, ce qui va donner naissance un champ lectrique. Ce champ lectrique va crer une diffrence de potentiel le long de la jonction, qui est connue sous le nom de potentiel de contact. La structure de la bande d'nergie est alors dforme et le potentiel de contact est de l'ordre de 1 V.

n a)

lectrons

trous c)

Densit de charge

Donneur dions

Accepteur dions

nergie lectron

Champ lectrique d)

b)

Niveau de Fermi

Figure3: a) Diagramme d'une jonction np. b) niveaux d'nergie des lectrons montrant la cration d'un potentiel de contact V0. c) densit de charge. d) intensit du champ lectrique La rgion o le potentiel varie est connue sous le nom de zone de dpltion et a la particularit de ne pas avoir de charges en dplacement. Tout lectron ou trou pntrant dans cette zone sera immdiatement pouss au loin par le champ lectrique. Une radiation ionisante qui pntre dans cette zone va librer des paires lectron-trou qui seront pousses dehors par Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun 3

Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun le champ lectrique. Si on installe des contacts lectriques de chaque ct de la jonction, on aura un courant proportionnel l'ionisation qui sera dtect. La largeur de la zone de dpltion est en gnral relativement petite et dpend de la concentration des impurets n et p. L'ordre de grandeur est d'environ 100 m.
Zone de dpltion sans tension

Zone de dpltion avec tension

Figure4: Jonction voltage inverse. Bien que ce modle fonctionne, le champ lectrique intrinsque n'est pas assez intense pour donner une collection de charge efficace. De plus, une telle largeur de zone de dpltion ne peut que stopper des particules de basse nergie. Un bien meilleur rsultat sera obtenu en appliquant une tension inverse sur la jonction, c'--d une tension ngative du ct p, comme montr dans la Fig.3. Cette tension a pour effet d'attirer les trous dans la rgion p, loin de la jonction et de mme pour les lectrons dans la rgion n. L'effet total est d'largir la zone de dpltion et donc le volume sensible du dtecteur. Plus la tension sera grande, plus la zone sera grande elle-aussi. De plus, une haute tension permettra une meilleure collection de charges. La tension maximale est limite par la rsistance du semi-conducteur. Bien qu'un semi-conducteur voltage inverse soit idalement non conducteur, un petit courant fluctuant passe nanmoins travers la jonction lorsqu'il y a une tension. Ce courant est un bruit pour la sortie du dtecteur et posera une limite pour les petits signaux. On appelle ce courant le courant de fuite (leakage current). Il provient du volume du dtecteur par la cration spontane de charges sous l'effet de la temprature. De ce fait, il est souvent recommand de travailler des tempratures relativement basses, de l'ordre de 100C. Il est aussi d la surface du dtecteur, o le champ lectrique est fort.

Dtecteurs barrire de surface

Pour dtecter les particules charges, le silicium est le matriau semi-conducteur le plus utilis. Un des types de dtecteur les plus courant s'appelle le dtecteur barrire de surface (surface barrrier detector, SSB). La jonction est forme entre un semi-conducteur et certains mtaux, comme par exemple un silicium de type n avec de l'or ou un silicium de type p avec de l'aluminium. Les niveaux des bandes du semi-conducteur sont baisss, comme
Mtal anneau isolant surface mtallique Plaque de silicium Cache en mtal Mtal Jonction Semi-conducteur Semi-conducteur Bande de conduction Bande de valence

connecteur Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun

Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun montr dans la Fig.5 . La zone de dpltion s'tend entirement dans le semi-conducteur et peut atteindre une grandeur de l'ordre de 5 mm. Une telle jonction est appel barrire de Schottky et possde beaucoup de caractristiques similaires celles d'une jonction np. Figure5: A gauche, un schma d'un dtecteur barrire de surface. A droite, formation d'une barrire de Schottky. Les SSB sont relativement facile fabriquer et peuvent avoir de nombreuses paisseurs. Si le dtecteur n'est pas trop pais, on peut avoir une zone de dpltion qui recouvre entirement sa dimension.. Ainsi on pourra utiliser ce dtecteur pour mesurer l'nergie dpose par une particule charge qui le traverse et continue son chemin plus loin. On obtiendra l'information dE/dx. Un de leur dsavantages est leur sensibilit la lumire. Un exemple d'utilisation d'un SSB pour la mesure de la dsintgration de 241Am avec mission de particule , est donn dans la Fig. 6 ci-contre

Figure6: Mesure de la dsintgration de 241Am

Dtecteur au germanium
Pour la dtection de rayon , le germanium est prfr au silicium cause de son nombre atomique beaucoup plus grand (32 au lieu de 14). La section efficace de l'effet photolectrique est ainsi plus de 60 fois plus grande. Cependant, de part son plus petit saut en nergie, le dtecteur au germanium doit tre utilis de relativement basse temprature, en gnral de l'ordre de celle de l'azote liquide. Ce qui explique le fait que ces dtecteurs soient toujours attachs un rservoir du type thermos, comme montr dans la Fig.7 . On utilise deux types de dtecteur au germanium. Le premier, appel le Ge(Li) est dop au lithium. Le lithium drive depuis la surface extrieure d'un cristal cylindrique d'un germanium de type p et formera une couche cylindrique autour du germanium. La sensibilit de ce dtecteur est limite par l'paisseur de la couche morte du cristal. Plus rcemment, on a dvelopp des germanium dits intrinsques, o la quantit d'impuret est trs faible, de l'ordre de 1010 atomes/cm3. Ces dtecteurs sont des germanium de type n, plus facile fabriquer et utiliser.

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Figure7: Schma d'un dtecteur au germanium

Figure8 : Comparaison entre un spectre de 60Co pris avec un NaI et un germanium La Fig.8 compare un spectre de 60Co pris avec un dtecteur NaI et avec un germanium. La diffrence est importante. A 1.33 MeV, la rsolution du germanium est d'environ 0.15%, tandis qu'elle de de l'ordre de 8% pour le NaI. De plus, le rapport pic sur bruit de fond (d l'effet Compton) est bien meilleur pour le germanium, car la section efficace de l'effet photolectrique est plus grande.

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Manipulation 1 - Etude d'un dtecteur jonction

Lors de la dsintgration alpha, un noyau dhlium ( particule alpha ) est ject du noyau. Lnergie cintique bien dtermine est une caractristique de la dsintgration. Cette nergie peut tre utilise afin didentifier la nature du nuclide. Souvent le noyau pre se dsintgre en crant le noyau fils soit dans ltat fondamental soit dans un tat excit. La dernire dsintgration est accompagne dune dsexcitation par mission dun photon gamma, dont lnergie constitue la diffrence dnergie entre ltat excit et ltat fondamental. Lorsque les particules alpha (noyaux dhlium) se dplacent, elles sont freines par le milieu dans lequel elles se trouvent. Elles perdent donc de lnergie, ce qui provoque un largissement des spectres en faveur de valeurs dnergie plus petites. La perte dnergie des particules dpend fortement de la densit des milieux dans lesquels elles se dplacent ainsi que de la distance quelles effectuent entre leur lieu de cration et la zone de dtection. Dans lair, pression normale, la perte dnergie vaut environ 1 MeV/cm. Afin de rduire cette perte dnergie un niveau minimal, il faut travailler dans le vide. Les pressions dans les chambres de dtection sont sensiblement infrieures 10 mbar; le vide est facilement ralisable laide dune pompe palette. Or, llargissement nest pas totalement vitable, vu quil existe toujours des molcules dair prsentes dans la chambre qui entrent en collision avec les particules alpha et qui changent leur nergie. De mme, il est ncessaire de se rendre compte quavant darriver dans la zone dinteraction dans le dtecteur, les particules alpha doivent traverser la couche de protection du semiconducteur, do une deuxime source de perte dnergie. Bien que les distances dentre dans le matriel semi-conducteur soient extrmement courtes, leffet dlargissement du spectre nest pas ngligeable. Un fonctionnement sous vide et un dtecteur semi-conducteur de bonne qualit peuvent rduire les effets dlargissement de spectre dune manire importante. Llargissement des spectres dpend en troisime lieu de la source mettrice. Les metteurs alpha (principalement le radium 226, le polonium 218 et le polonium 214 ) ne sont pas intgralement situs en surface de la plaquette. Une perte dnergie lors du passage de la particule alpha travers le polyamide et la couche de MnO2 provoque de nouveau un largissement du spectre. Cet largissement est observable, mme en travaillant dans un vide de 10 mbar et en utilisant des dtecteurs de bonne qualit.

Dispositif exprimental

Les particules incidentes, cest--dire les particules alpha provenant de la dsintgration dun noyau situ sur la plaquette, sont arrtes dans la rgion de dpltion du dtecteur o elles crent des paires dlectron - trou. Lnergie ncessaire la formation dune paire dpend du matriau du dtecteur, par contre elle ne dpend pas de lnergie de la particule incidente. Le nombre de paires lectron - trou formes est directement proportionnel lnergie de la particule incidente. Le champ lectrique qui rgne dans la rgion de dpltion attire les lectrons sur lune des lectrodes et les trous sur lautre. Les charges sont intgres dans un pramplificateur qui produit une impulsion de tension qui est amplifie par lamplificateur. A laide dun amplificateur et dun convertisseur analogue - digital, le signal lectrique est trait et stock dans un analyseur multi-canal qui attribue des impulsions de tension diffrentes des canaux diffrents, les impulsions de mme intensit de tension sont stockes dans le mme canal. A chaque canal est associ un intervalle dnergie des particules alpha incidentes. Plus cet intervalle est petit, plus la rsolution du spectromtre est importante.

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La position des canaux donne une mesure de lnergie des particules alpha en units arbitraires. Le taux de comptage dans les canaux correspondant lnergie dun certain isotope, reprsente les vnements dtects, provenant de la dsintgration de cet isotope. Il est ainsi une mesure de lactivit de cet isotope en units arbitraires, et par consquent aussi une mesure de la concentration de lisotope dans lchantillon.

Banc de mesure
Il comprend : une source d'amricium 241. une source de radium 226. une jonction Si(Li) barrire de surface une chambre vide primaire opaque, destine recevoir la source et le dtecteur. Celui-ci tant sensible aux photons, il ne faudra pas oublier de dpolariser avant de retirer le couvercle une source de tension pour la polarisation du dtecteur un pramplificateur de charge qui fournit une impulsion d'amplitude proportionnelle la charge Q collecte dans la jonction, indpendamment de la capacit du dtecteur (et des capacits de liaison). La jonction est en effet assimilable un condensateur plan dont la distance inter-armatures, gale la largeur de la zone dserte, dpend de la polarisation. Il en est alors de mme de l'amplitude de l'impulsion de tension qui apparat aux bornes de la rsistance Rc. L'introduction du pramplificateur de charge supprime cet inconvnient. un amplificateur spectroscopique un gnrateur d'impulsions un analyseur d'amplitude
Particules mises en jeu

A l'aide de la table des isotopes (Lederer) tablir la srie correspondante 241Am. Pour chaque noyau de cette famille prciser le mode de dsintgration, ainsi que l'nergie des particules et le rapport d'embranchement. On rsumera les donnes dans un tableau.

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Branchement et rglages

1. Assurez-vous que toute les hautes tensions sont ZERO volt. Raliser la chane de mesure selon la figure , placez la source de 241Am et faites le vide dans la chambre. Avant de mettre sous tension, l'encadrant doit vrifier le montage. 2. Branchez l'lectronique d'acquisition et , montez progressivement la tension de polarisation 20 volts. 3. Observez l'oscilloscope le signal le signal en sortie de l'amplificateur. S'il est trop faible rgler le gain de telle faon que le signal amplifi ne soit pas crt. 4. Allumez le PC et l'invite du DOS tapez PCA (pour les instructions voir Annexe) 5. Effacer le spectre en appuyant en mme temps sur Ctrl + F2 6. Choisissez le gain de conversion sur 2048 et le groupe mmoire sur "moiti" 7. Lancer l'acquisition en appuyant sur F1 8. Rgler le gain de l'amplificateur pour que le pic de 241Am soit au canal 600 et lancer l'acquisition pendant 1 minute. 9. Arrter l'acquisition en appuyant sur F1 10. Enregistrer le spectre.
Etude de la rponse du dtecteur en fonction de la tension de polarisation

11. Baissez la tension de polarisation 0 volt. 12. Fixer le temps de mesure de 1 min (en appuyant sur F3). 13. Lancer l'acquisition 14. Une fois l'acquisition termine, faites une recherche du pic , et notez le nombre de particules dtectes (intgrale du pic), leur nergie (position du pic) et la rsolution sur la mesure de l'nergie (largeur mi-hauteur FWHM). 15. Reprendre les tapes 2 4 en faisant varier la tension de dpolarisation de 0 30 volts. Vous prendrez des mesures compltes par pas de 4 volts. 16. Tracer la position du pic en fonction de la tension de polarisation 17. Tracer l'aire du pic en fonction de la tension de polarisation 18. Tracer largeur mi-hauteur FWHM du pic en fonction de la tension de polarisation 19. Concluez sur la prcision de la mesure en fonction de la tension et des rglages utiliser pour que le dtecteur fonctionne au mieux. Vous conserverez ces rglages pour la suite.
Etalonnage

Avant toute acquisition, il convient dtalonner lanalyseur multicanaux. Pour cela, on utilise le gnrateur d'impulsions qui simule des nergies prcises. Nous prenons comme rfrence le signal reu par le dtecteur avec la source 241 Am. 1. Vrifier le vide dans la chambre. 2. Montez progressivement la tension de polarisation 20 volts 3. Mettre le gnrateur d'impulsion sur "marche", et rgler la hauteur de l'impulsion, en vous aidant de l'oscilloscope, pour quelle soit voisine de celle provenant du dtecteur. 4. Mettre le gnrateur sur "arrt", et lancer une acquisition, et reprer la position du pic 5. Orienter la source 90 par rapport au dtecteur. 6. Effacer le spectre. Mettre le gnrateur sur "marche", et lancer une acquisition.

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Travaux Pratiques de Physique Nuclaire UCD Module S6 M. Benjelloun 7. Ajuster la position du centrode en agissant sur le rglage fin du gnrateur, pour qu'il concide avec celui de la source. Noter la valeur lue sur le gnrateur, et la amplitude du signal observ l'oscilloscope. 8. En prenant comme rfrence (Cref) le canal obtenu en 4 (signal reu par le dtecteur avec la source pour lequel E = 5.485 MeV, faites varier la hauteur de l'impulsion dlivre par le gnrateur pour avoir plusieurs nergies simules. On dressera un tableau comme suit : Canal Rapport Energie (MeV) V ( Gnrateur) 1 5.482

9. Tracer le rapport R en fonction du canal, et dterminer la droite d'talonnage E(MeV) = a C + b .

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Manipulation 2 - Spectroscopie alpha du 226Ra

Dispositif exprimental et Banc de mesure

Identique la manipulation 1
Manipulation

Placez la source de 226Ra Faites le vide dans la chambre Lancer l'acquisition pendant 30 minutes en appuyant sur F1 Pendant ce temps, l'aide de la table des isotopes (Lederer) tablir la srie correspondante suite la dsintgration du 226Ra. Pour chaque noyau de cette famille prciser le mode de dsintgration, ainsi que l'nergie des particules et le rapport d'embranchement. On rsumera les donnes dans un tableau. 5. Expliquer l'allure du spectre observ sur l'analyseur 1. 2. 3. 4.

6. Dterminer l'nergie des pics 7. Pourquoi il y a un dsaccord entre les valeurs de la littrature et les valeurs mesures ? 8. Placez la source de 238Pu 9. Lancer l'acquisition pendant 10 minutes. 10. Dterminer l'nergie des observes, et comparer vos mesures celles fournies par les tables.

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Manipulation 3 Perte d'nergie des particules

re

Le mcanisme principal de la perte d'nergie des particules charges est d leur interaction avec les lectrons atomiques du milieu travers. Ainsi, si une particule de vitesse v p traverse une tranche, d'paisseur dx, d'un matriau de numro atomique z et contenant N atomes par unit de volume, alors (voir cours S5) le transfert d'nergie dE par ionisation et excitation atomique peut tre reprsent par la relation :
2 2 4 dE 4 N Zp e z 2m0c ln = - ln (1-2)- 2 dx m0c2 I

(MeV/cm)

o correspond au rapport vp/c et I est gnralement appel nergie d'ionisation moyenne et a pour valeur I (eV) = 9.1 z (1 + 1.9 z-2/3) Gnralement on utilise l'expression du pouvoir d'arrt massique Zp 1 2m0c22 dE = 0.307 2 z ln - ln (1-2)- 2 (MeV/g/cm2) I d(x) A
Dispositif exprimental et Banc de mesure
2

Identique la manipulation 1
Mesure de l'paisseur d'un cran d'aluminium

Maintenant que le dtecteur est oprationnel, nous allons mesurer la distance source-dtecteur par l'intermdiaire de la matire (air) parcourue par les avant de rencontrer le dtecteur. 1. 2. 3. 4. 5. Placez l'cran Al N1 sur le support Faites le vide dans la chambre. Montez progressivement la tension de polarisation 20 volts Faire une acquisition de 1 minute en absence d'cran. Mesurez le nombre de particules dtectes (intgrale du pic), leur nergie (position du pic) et la rsolution sur la mesure de l'nergie (largeur de la distribution) 6. Placer l'cran en face du dtecteur, et faites une acquisition de 1 minutes sans effacer le spectre prcdent. 7. Dterminer la perte d'nergie des particules . 8. Augmenter ensuite la pression jusqu' atteindre la pression atmosphrique, et descendre la polarisation 0V. Placez l'cran N2 9. En utilisant le logiciel Srim, calculer le pouvoir d'arrt des dans l'aluminium 10. Dterminer l'paisseur des diffrents crans. 11. En utilisant le logiciel " Alpha " comparer l'paisseur des diffrents crans. 12. Conclusion

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Manipulation 4 Mesure de la distance Source-Dtecteur

Ainsi pour une pression nulle ne nous avons une paisseur de matire traverse nulle, alors que pour une pression gale la pression atmosphrique la longueur est gale la distance source-dtecteur 1. Faites le vide dans la chambre. 2. Montez progressivement la tension de polarisation 20 volts 3. Faire une acquisition de 1 minute et noter le nombre de particules dtectes (intgrale du pic), leur nergie (position du pic) et la rsolution sur la mesure de l'nergie (largeur de la distribution) 4. Augmenter ensuite la pression en faisant rentrer de l'air et faites une acquisition de 1 minutes sans effacer le spectre prcdent. (Interprter). 5. Augmenter ensuite la pression jusqu' atteindre la pression atmosphrique et faites une acquisition de 1 minutes sans effacer le spectre prcdent. 6. Dterminer la perte d'nergie des particules . 7. Descendre la polarisation 0V et mesurer la rgle la distance source-dtecteur. 8. En utilisant le logiciel Srim, calculer le pouvoir d'arrt des dans l'air 9. Dterminer la distance source dtectrice. 10. En utilisant le logiciel "Alpha " dterminer la distance source dtecteur 11. Conclusion

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2.5

= 1.25 mg/cm
2.0

dE/d(x) (MeV cm /mg)

Air
1.5

1.0

0.5

Pouvoir d'arrt de l'air pour les particule

0.1 1 10

0.0 0.01

E (MeV)

10

Parcours dans l'air pour les particule

Parcours (mg / cm )

= 1.25 mg/cm
0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

10

E (MeV)

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1.5

= 2700 mg/cm

dE/d(x) (MeV cm /mg)

Al
1.0

0.5

Pouvoir d'arrt de l'aluminium pour les particule

0.0 0.01 0.1 1 10

E (MeV)

12

10

Parcours dans l'aluminium pour les particule

Parcours (mg / cm )

= 2700 mg/cm
0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

10

E (MeV)

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