El diodo de juntura

El efecto descrito en el tutorial anterior se logra sin ningn voltaje externo se aplica a la unin PN real que resulta en la unin de estar en un estado de equilibrio. Sin embargo, si tuviramos que hacer conexiones elctricas en los extremos tanto del tipo N y el material tipo P y luego conectarlos a una fuente de batera, una fuente de energa adicional existe ahora para superar la barrera que resulta en cargas libres que son capaces de cruzar la regin de agotamiento de un lado al otro. El comportamiento de la unin PN con respecto a la anchura de barrera de potencial produce un asimtrica llevando a cabo dos dispositivo terminal, mejor conocido como el diodo de juntura.

Un diodo es uno de los dispositivos ms simples de semiconductores, que tiene la caracterstica de paso de corriente en un solo sentido. Sin embargo, a diferencia de una resistencia, un diodo no se comporta linealmente con respecto a la tensin aplicada como el diodo tiene una relacin exponencial IV y por lo tanto no se puede describir su funcionamiento por el simple uso de una ecuacin tal como la ley de Ohm.

Si un voltaje adecuado positivo (polarizacin) se aplica entre los dos extremos de la unin pn, que puede suministrar electrones libres y huecos con la energa extra que necesitan para cruzar la unin como la anchura de la capa de agotamiento alrededor de la unin PN se disminuye . Mediante la aplicacin de un voltaje negativo (polarizacin inversa) en los resultados de cargas libres se alejen de la unin resultante en la anchura de la capa se aumenta el agotamiento. Esto tiene el efecto de aumentar o disminuir la resistencia efectiva de la propia unin permitir o bloquear el flujo de corriente a travs del diodo.

A continuacin, la capa de agotamiento se ensancha con un aumento en la aplicacin de un voltaje inverso y se estrecha con un aumento en la aplicacin de una tensin directa. Esto es debido a las diferencias en las propiedades elctricas de los dos lados de la unin PN que resulta en cambios fsicos que tienen lugar. Uno de los resultados produce rectificacin como se ve en los diodos de unin PN estticas IV (corriente-voltaje) caractersticas. Rectificacin se muestra mediante un flujo de corriente asimtrica cuando la polaridad del voltaje de polarizacin es alterada como se muestra a continuacin.

Junction Smbolo del diodo y estticos Caractersticas IV.

Pero antes de poder utilizar la unin PN como un dispositivo prctico o como un dispositivo rectificador que necesitamos en primer lugar sesgo de la unin, es decir, conectar un potencial de voltaje a travs de ella. En el eje de tensin por encima, "polarizacin inversa" se refiere a un potencial de voltaje externo que aumenta la barrera de potencial. Un voltaje externo que disminuye la barrera de potencial se dice que acta en el "sesgo hacia adelante".

Hay dos regiones operativas y tres posibles "polarizacin" condiciones para el diodo de juntura estndar y son los siguientes:

1. Cero Bias - No hay potencial de tensin externa se aplica a la unin PN.

2. De polarizacin inversa - El potencial de voltaje negativo est conectado, (-ve) para el material de tipo p y positivo, (+ ve) al material de tipo N en el diodo que tiene el efecto de El aumento de la anchura de unin PN.

3. Forward Bias - El potencial de voltaje est conectado positivo, (+ ve) al material de tipo P y negativo, (-ve) para el material tipo n a travs del diodo que tiene el efecto de disminuir la Unin PN anchura. Zero Junction Biased Diode

Cuando un diodo est conectado en una condicin de polarizacin cero, no hay energa potencial externo se aplica a la unin PN. Sin embargo, si los terminales de diodos estn en cortocircuito, algunos agujeros (portadores mayoritarios) en el material tipo P con la energa suficiente para superar la barrera de potencial se mover a travs de la unin contra esta barrera de potencial. Esto se conoce como la "corriente delantera" y se hace referencia como SI

Del mismo modo, los agujeros generados en el material de tipo N (portadores minoritarios), encontrar esta situacin favorable y moverse a travs de la unin en la direccin opuesta. Esto se conoce como la

"corriente inversa" y se hace referencia como IR. Esta transferencia de electrones y huecos lado a otro de la unin PN se conoce como difusin, como se muestra a continuacin.

Zero Junction Biased Diode

La barrera de potencial que existe ahora desalienta la difusin de portadores mayoritarios como tampoco a travs de la unin. Sin embargo, la barrera de potencial ayuda a los portadores minoritarios (pocos electrones libres en el P-regin y algunos agujeros en la regin N) para desplazarse a travs de la unin. Entonces un "equilibrio" o equilibrio se establece cuando los portadores mayoritarios son iguales y ambos se mueven en direcciones opuestas, de modo que el resultado neto es cero de la corriente que fluye en el circuito. Cuando esto ocurre la unin se dice que est en un estado de "equilibrio dinmico".

Los portadores minoritarios se generan constantemente debido a la energa trmica por lo que este estado de equilibrio se puede romper por elevacin de la temperatura de la unin PN causando un aumento en la generacin de portadores minoritarios, lo que resulta en un aumento de la corriente de fuga, pero una corriente elctrica no puede fluir ya que ninguna circuito se ha conectado a la unin PN.

Reverse Junction Biased Diode

Cuando un diodo est conectado en una condicin de polarizacin inversa, una tensin positiva se aplica al material de tipo N y un voltaje negativo se aplica al material de tipo p. El voltaje positivo aplicado al material de tipo N atrae electrones hacia el electrodo positivo y alejndose de la unin, mientras que los agujeros en el extremo de tipo P tambin son atrados lejos de la unin hacia el electrodo negativo.

El resultado neto es que la capa de agotamiento se ensancha debido a la falta de electrones y huecos y presenta una ruta de impedancia alta, casi un aislante. El resultado es que una barrera de potencial alto se crea lo que impide el flujo de corriente a travs del material semiconductor.

Reverse Junction diodo sesgada con un aumento de la capa de agotamiento

Esta condicin representa un valor de resistencia mayor a la unin PN y prcticamente de cero corriente fluye a travs del diodo de unin con un aumento de la tensin de polarizacin. Sin embargo, una corriente de fuga muy pequea fluye a travs de la unin que se puede medir en microamperios, (mu A). Un punto final, si el voltaje de polarizacin inversa Vr aplicada al diodo se incrementa a un valor lo suficientemente suficientemente alta, se producir la unin PN se recaliente y falle debido al efecto avalancha alrededor de la unin. Esto puede provocar que el diodo se pongan en cortocircuito y se traducir en el circuito de flujo de corriente mxima, y esto se muestra como un paso pendiente descendente en la curva inversa caractersticas estticas a continuacin.

Caractersticas de la curva inversa de un diodo de unin

A veces este efecto avalancha tiene aplicaciones prcticas en circuitos estabilizadores de voltaje que se utiliza una resistencia de limitacin de serie con el diodo para limitar esta ruptura inversa corriente a un valor mximo prefijado produciendo de este modo una salida de tensin fija a travs del diodo. Estos tipos de diodos son comnmente conocidos como diodos Zener y se analizan en un tutorial posterior.

Junction polarizacin directa del diodo

Cuando un diodo est conectado en una condicin de polarizacin directa, un voltaje negativo se aplica al material de tipo N y una tensin positiva se aplica al material de tipo p. Si esta tensin externa se hace mayor que el valor de la barrera de potencial, aprox. 0,7 voltios para el silicio y el germanio de 0,3 voltios, la oposicin potencial obstculos sern superados y la corriente empieza a fluir.

Esto es porque la tensin negativa empuja o repele electrones hacia la unin dndoles la energa para cruzar y se combinan con los orificios siendo empujados en la direccin opuesta hacia la unin por la

tensin positiva. Esto resulta en una curva de caractersticas de corriente que fluye a cero hasta este punto de tensin, llamada el "codo" en las curvas estticas y luego un alto flujo de corriente a travs del diodo con un pequeo aumento en la tensin externa, como se muestra a continuacin.

Caractersticas Curva Forward de un diodo de unin

La aplicacin de un voltaje de polarizacin directa de los resultados de unin de diodos en la capa de agotamiento llegando a ser muy delgada y estrecha que representa una trayectoria de baja impedancia a travs de la unin permitiendo as que las altas corrientes de flujo. El punto en el que este aumento repentino de la corriente tiene lugar est representado en la curva esttica IV caractersticas anteriormente como la "rodilla" punto.

Junction diodo polarizado en sentido directo que muestra una reduccin de la capa de empobrecimiento

Esta condicin representa la va de baja resistencia a travs de la unin PN permitiendo corrientes muy grandes para fluir a travs del diodo con slo un pequeo aumento de la tensin de polarizacin. La diferencia real potencial a travs de la unin o diodo se mantiene constante por la accin de la capa de empobrecimiento en aproximadamente 0,3 V para el germanio y aproximadamente 0.7 V para diodos de unin de silicio.

Puesto que el diodo puede realizar "infinito" corriente arriba de este punto de inflexin, ya que efectivamente se convierte en un cortocircuito, por lo tanto, se utilizan resistencias en serie con el diodo para limitar su flujo de corriente. Superior a su especificacin mxima corriente directa hace que el dispositivo para disipar ms energa en forma de calor que el que fue diseado para ocasionar un fallo muy rpida del dispositivo.

Junction Resumen Diode

La regin de la unin PN de un diodo de unin tiene las siguientes caractersticas importantes:

1). Semiconductores contienen dos tipos de portadores de carga libres, huecos y electrones.

2). Los agujeros son de carga positiva, mientras que los electrones cargados negativamente.

3). Un semiconductor puede ser dopado con impurezas donantes, tales como antimonio (N-dopaje de tipo), de manera que contiene cargas mviles que son principalmente de electrones.

4). Un semiconductor puede ser dopado con impurezas aceptoras, tales como boro (P-dopaje de tipo), de manera que contiene cargas mviles que son principalmente los agujeros.

5). La regin de unin en s no tiene portadores de carga y que se conoce como la regin de agotamiento.

6). La unin (agotamiento) regin tiene un espesor fsico que vara con la tensin aplicada.

7). Cuando un diodo es cero Biased ninguna fuente de energa externa aplicada y es una barrera de potencial natural se desarrolla a travs de una capa de agotamiento, que es aproximadamente de 0,5 a 0,7 V para diodos de silicio y aproximadamente 0,3 de un voltio para diodos de germanio.

8). Cuando un diodo de unin se polariza directamente el espesor de la regin de agotamiento reduce y el diodo acta como un corto circuito permitiendo que la corriente completa de flujo.

9). Cuando un diodo de unin se polariza inversamente el espesor de los aumentos de agotamiento de la regin y de los actos de diodo como un circuito abierto bloqueando cualquier flujo de corriente, (slo una corriente de fuga muy pequea).

En el siguiente tutorial sobre diodos, vamos a ver en el diodo de pequea seal a veces llamado un diodo de conmutacin que se utilizan en general los circuitos electrnicos. Un diodo de seal est diseado para aplicaciones de seales de baja tensin o de alta frecuencia, tales como en la radio o circuitos de conmutacin digitales en lugar de los diodos de alta corriente de red de rectificacin en el que los diodos de silicio se utilizan generalmente, y examinar la seal de diodo estticos corrientevoltaje caractersticas curva y los parmetros.