Transistores de:[ www.radioamadores.net/transistores.htm ].

O avano da tecnologia do estado slido teve incio com o desenvolvimento do TRANSSTOR, em 1948, por trs cientistas (Shockley, Bardeen e Brattain) do Laboratrio de Pesquisas da "Bell Telefone", nos Estados Unidos. O nome TRANSSTOR uma contrao de duas palavras da lngua inglesa: TRANSfer-resISTOR (resistncia de transferncia). Ele realiza praticamente todas as funes confiadas vlvula eletrnica (deteco, amplificao, oscilao, etc.) porm com inmeras vantagens: menor peso e tamanho, permitindo montagens mais compactas; ausncia de filamentos, dispensando o aquecimento prvio para entrar em funcionamento; menor consumo de potncia; operao com tenses bem reduzidas, etc. Talvez a nica desvantagem que o transstor tem, em comparao com a vlvula termo-inica, a sua enorme sensibilidade s variaes de temperatura.

Smbolos utilizados para representar os transstores A ESTRUTURA DO TRANSSTOR BIPOLAR

BIPOLARES

O transstor bipolar, cuja estrutura analisaremos a seguir, o tipo mais comum. Ele recebe esta denominao de BIPOLAR porque em seu funcionamento participam dois tipos de portadores com cargas opostas: electres e lacunas livres. Este transstor constitudo por trs cristais de material semicondutor dopado (cristais extrnsecos), de modo a formar duas junes "P-N". Desta forma, podemos ter dois tipos de TRANSISTORES DE JUNO BIPOLARES, dependendo do cristal semicondutor intermdio ser P ou N (figura 1).

Figura 1: Os dois tipos de transistores de junes bipolares O transstor "N-P-N" formado por dois cristais do tipo N e por um cristal intermdio do tipo P (figura 13A), enquanto o tipo "P-N-P" formado por dois cristais do tipo P e um cristal intermdio tipo N (figura 13B). Tanto no transstor "N-P-N" como no transstor "P-N-P", a espessura do cristal do centro bem menor do que a dos cristais dos extremos; ela da ordem de alguns centsimos de milmetro. O cristal do centro recebe o nome de BASE (B) e os outros dois cristais so chamados de EMISSOR (E) e de COLETOR (C). Assim, todo transstor bipolar, seja ele "N-P-N" ou "P-N-P", possui trs terminais: EMISSOR, BASE e COLETOR (figura 2), e cada um deles tem um significado especial, de acordo com a funo desempenhada pelo correspondente terminal.

Figura 2: Os trs terminais de um transistor bipolar: E = emissor; B = base; C = Colector As duas junes do transstor bipolar recebem nomes especiais: JUNAO BASE-EMISSOR, formada pelos cristais que constituem a base e o emissor, e JUNO BASE-COLETOR, formada pelos cristais que constituem a base e o colector. A figura 3 mostra as duas junes, tanto nos transstores "N-P-N" como nos "P-N-P".

Figura 3: As duas junes de um transstor bipolar PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSSTOR BIPOLAR Todo transstor bipolar, na situao de funcionamento normal, deve ter as duas junes polarizadas adequadamente. Primeiramente, vamos supor que a juno base-emissor seja polarizada no sentido directo, de acordo com a figura 4 (a figura 4A mostra um transstor "N-P-N" e a 4B um "P-N-P"). Em ambos os casos, temos uma juno "P-N polarizada no sentido directo e, quando isto ocorre, a corrente que atravessa a juno e relativamente alta (10 mA).

Figura 4: Juno

BASE-EMISSOR com polarizao directa

Em seguida, imaginemos que a juno base-coletor seja polarizada no sentido inverso, conforme ilustra a figura 5 (a figura 5A mostra um transstor "N-P-N e a figura 5B um "P-W-P"). Neste caso, temos uma juno "P-N" polarizada no sentido inverso, e a corrente que a atravessa extremamente reduzida, cerca de l0 uA (1.000 vezes menor que a corrente directa).

Figura 5: Juno

BASE-COLECTOR com polarizao inversa

Se polarizarmos as duas junes simultaneamente, como geralmente se faz na prtica, notaremos que haver um aumento considervel na intensidade da corrente que atravessa a juno base-coletor, apesar dessa juno estar polariza da no sentido inverso, segundo se pode observar na figura 6 (a figura 6A mostra um transstor "N-P-N" e a figura 6B um "P-N-P". Em ambos os casos, a corrente atravs da juno basecolector aumentou, passando de 0,0l mA (ou 10 A, como na figura 17) para 9,5 mA. Alm disso, pelo terminal da base circula uma pequena corrente (0,5 mA) e pelo terminal do emissor passa uma corrente cuja intensidade (l0 mA) igual soma das anteriores: 9,5 mA + 0,5 mA = l0 mA (I3 + I2 = I1).

Figura 6: Junes BASE-EMISSOR e BASE-COLECTOR com polarizadas simultaneamente O fato da corrente medida no terminal do colector (I3 = 9,5 mA) ser praticamente igual corrente medida no terminal do emissor (I1 = lOmA), apesar da juno base-colector estar polarizada no sentido inverso, constitui o chamado EFEITO TRANSSTOR.

EXPLICAO DO EFEITO TRANSSTOR Para que se possa entender como ocorre o efeito transstor, convm mencionar duas caractersticas muito importantes do transstor bipolar: 1) A regio do emissor (cristal N no transstor N-P-N" e cristal P no transstor "P-N-P") fortemente dopada. Desta forma, o nmero de portadores majoritrios existentes no emissor ser bem maior do que o numero de portadores majoritrios da base. 2) A regio da base (cristal P no transstor "N-P-N" e cristal N no transstor "P-N-P") feita com uma espessura bem pequena, em comparao com a espessura do emissor e do colector. Agora, vamos imaginar que um transstor "N-P-N" seja polarizado adequadamente, isto , juno baseemissor com polarizao directa e juno base-coletor com polarizao inversa, conforme vemos na figura 7. Os electres livres, presentes em grande quantidade no emissor (cristal N) e repelidos pelo terminal negativo da bateria V1, deslocam-se em direco base (cristal P). Ao atingirem esta base, alguns desses electres (cerca de 5%) recombinam-se com as lacunas ai existentes. Contudo, corno a regio da base bastante estreita (sua espessura da ordem de alguns centsimos de milmetro), a maior parte dos electres livres provenientes do emissor (cerca de 95%) conseguem atingir a regio do colector (cristal N), sem se recombinarem com as lacunas da base. Ao atingirem o colector, aqueles electres livres so rapidamente atrados pelo terminal positivo da bateria V2.

Figura 7: Movimento dos electres livres num transstor "N-P-N"

medida que os electres livres do emissor penetram na base, novos electres so fornecidos ao emissor pelo terminal negativo da bateria V1. Como apenas 5% desses electres do emissor se recombinam com as lacunas da base, verifica-se a passagem de urna corrente bastante reduzida atravs da base. fcil concluir, por tanto, que os principais responsveis pelas correntes que se estabelecem num transstor "N-P-N" so electres livres (figura 7), pois estes portadores esto em maioria, tanto no emissor como no colector (cristal tipo N). Na pratica, sempre estaremos interessados em fazer com que a corrente que circula pelo terminal do colector seja a maior possvel, o que conseguido com a alta dopagem do cristal que constitui o emissor e com a espessura bem reduzida do cristal que forma a base. Como o emissor fortemente dopado, ele "emitir" um nmero bem grande de portadores. Por outro lado, como a base bastante estreita, a maior parte daqueles portadores atravessar sua regio, atingindo o colector. Desta forma, a corrente que passa pelo terminal do colector ser elevada, pois ela praticamente igual corrente que passa pelo terminal do emissor. Para o tipo "P-N-P", a explicao do efeito transstor praticamente a mesma. A nica diferena que, neste caso, os principais portadores das cor rentes que se estabelecem no transstor so as lacunas, porque estas esto em maioria, tanto no emissor como no colector (cristais tipo P). A figura 8 ilustra, resumidamente, todo este processo.

Figura 8: Movimento das lacunas num transistor "P-N-P" As lacunas do emissor repelidas pelo terminal positivo da bateria V1 deslocam-se em direco a base. Como a regio desta bastante estreita, apenas 5% dessas lacunas se recombinam com os electres livres a existentes, e as restantes (95%) penetram no colector, sendo, ento, atradas pelo terminal negativo da bateria V2. As lacunas que se recombinam provocam uma corrente de intensidade bastante reduzida, a qual passa pelo terminal da base. Nesta altura, j podemos justificar os nomes dados aos trs terminais de um transstor bipolar: EMISSOR (E) o terminal de onde partem (ou so "emitidos") os portadores de corrente (electres livres no tipo "N-P-N" e lacunas no tipo "P-N-P"); COLETOR (C) o terminal onde chegam ou so "colectados" aqueles portadores de corrente; BASE (B), assim chamada porque nos tipos mais antigos de transstores servia de apoio ou de "base" aos cristais do emissor e do colector.

POLARIZAES DO TRANSSTOR BIPOLAR

O funcionamento normal de um transstor bipolar ("N-P-N" ou "P-N-P") baseia-se no facto de que as duas junes so polarizadas ao mesmo tempo, da seguinte maneira: 1) A juno base-emissor polarizada no sentido directo e, como ela apresenta uma resistncia ohmica muito baixa, tambm podemos dizer que ela polarizada no sentido de baixa resistncia (resistncia de cerca de 1K.) 2) A juno base-coletor polarizada no sentido inverso e, neste caso, como ela apresenta uma resistncia ohmica muito elevada, tambm podemos dizer que ela polarizada no sentido de alta resistncia. (esta da ordem de l M ). Tendo em vista estes dois fatos, podemos dizer que o transstor "transfere" a corrente de uma regio de baixa resistncia (juno base-emissor) para uma regio de alta resistncia (juno base-colector), recebendo, ento, denominado de RESISTNCIA DE TRANSFERNCIA. Na figura 9 temos um resumo das polarizaes de um transstor bipolar.

Figura 9: Resumo das polarizaes de um transstor bipolar Existem algumas regras para que se lembre facilmente como se realizam as polarizaes de um transstor bipolar. 1) Na polarizao directa da juno base-emissor, os plos da bateria, lia ao emissor e base, tem por iniciais, respectivamente, as mesmas letras que indicam o tipo de cristal: a) No tipo "N-P-N", o pelo negativo (N) da bateria ligado ao emissor (cristal N) e o plo positivo (P) ligado base (cristal P), como indicado na figura 2l A. b) No tipo "P-N-P", o plo positivo (P) da bateria ligado ao emissor (cristal P) e o plo negativo (N) ligado base (cristal N), conforme ilustra a figura 21B. 2) Na polarizao inversa da juno base-colector, o plo da bateria, ligado ao colector, tem por inicial uma letra contrria que designa o tipo de cristal que constitui o colector: a) No tipo "N-P-N", o colector (cristal N) ligado ao plo positivo (P) da bateria (figura 21A). b) No tipo "P-N -P", o colector (cristal P) ligado ao plo negativo (N) da bateria (figura 21B).

CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM

Na figura 10 temos o circuito tpico de um amplificador em emissor comum, com as seguintes caractersticas: Vbb

a bateria que alimenta a base e, juntamente com R1, polariza a juno base-emissor no sentido directo; Vcc a bateria que alimenta o colector e, juntamente com R2, que a resistncia de carga, proporciona a polarizao inversa da juno base-coletor. O sinal a ser amplificado acoplado pelo condensador C1, entrada do amplificador, e o sinal de sada (sinal amplificado) recolhido por intermdio do condensador C2. O circuito com transstor "P-N-P" (parte superior da figura 10) praticamente igual ao circuito com transstor "NP-N" (parte inferior da figura 10); a diferena entre eles a polaridade das baterias Vbb e Vcc.

Figura 10 Amplificador em emissor comum

CARACTERSTICAS DE UM AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM: a) IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): por definio, ela igual ao quociente entre a tenso de entrada (Ee = tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada): Ze=Ee / Ie
Para o amplificador em emissor comum, a impedncia de entrada est compreendida entre 10 e 10K. b) IMPEDNCIA

DE SADA (Zs): por definio, ela igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de sada (Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal de sada (Is), quando a sada est em curto-circuito (Es =0): Zs= Es (sada em vazio)

/ Is (sada em curto)

Para o amplificador em emissor comum, a impedncia de sada esta situada entre 10K e 100K .

c) AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal de sada e a corrente CA do sinal de entrada: Ai = Is / Ie
Para o amplificador em emissor comum, a amplificao de corrente est compreendida entre 10 e 100 vezes.

d) AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de sada e a tenso CA do sinal de entrada:

Av = Es / Ee
* - Para o amplificador em emissor comum, a amp1ificao de tenso est situada entre 100 e 1000 vezes.

e) AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de corrente e a amplificao de tenso: Ap = Ai x Av Para o amplificador em emissor comum, a amplificao de potncia est compreendida entre 1.000 e 100.000 vezes. f) RELAO DE FASE: Num circuito amplificador em emissor comum, ocorre uma defasagem de 18O entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada (180 = 180 graus).

CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM BASE COMUM No circuito tpico de um amplificador em base comum (figura 12), Vee a bateria que alimenta o emissor e, juntamente com R1, polariza a juno base-emissor no sentido direto enquanto que R2 e Vcc polarizam a juno base-colector no sentido inverso. O sinal de entrada aplicado entre o emissor e a base do transstor, por intermdio do condensador C1. O sinal de sada obtido entre o colector e a base do transstor atravs do condensador de acoplamento C2.

Figura 12: Amplificador em base comum

CARACTERSTICAS DE UM AMPLIFICADOR EM BASE COMUM:

a) IMPEDNCIA DE ENTRADA: entre l0 e 100 . b) IMPEDNCIA DE SADA: entre 100 K e 1M . c) AMPLIFICAO DE CORRENTE: quase igual unidade (entre O,95 eO,99). Portanto, neste tipo de circuito no h amplificao de corrente. d) AMPLIFICAO DE TENSO: entre 500 e 5.000 vezes. e) AMPLIFICAO DE POTNCIA: entre 100 e 1.000 vezes.

f) RELAO DE FASE: no h defasagem entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada.

CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM COLECTOR COMUM

Temos na figura 13 o circuito tpico de um amplificador em colector comum, tambm denominado SEGUIDOR DE EMISSOR. O sinal de entrada aplicado entre a base do transstor e a massa, por Intermdio do condensador de acoplamento C1. Entretanto, devido existncia do condensador C3 (ligado entre o colector e a massa), o colector est ao mesmo potencial da massa, no que se refere a CA (lembre-se de que a reatncia capacitiva diminui, medida que a frequncia de CA aumenta). Desta forma, para os sinais de entrada (sinais de CA), C3 coloca o colector em curto com a massa e, consequentemente, o sinal de entrada est efetivamente sendo aplicado entre a base e o colector. Quanto ao sinal de sada, ele retirado por intermdio de C2, entre o emissor e a massa, ou seja, entre o emissor e o colector.

Figura 3: Amplificador em colector comum (seguidor de emissor)

CARACTERSTICAS DE UM CIRCUITO AMPLIFICADOR EM COLECTOR COMUM: a) IMPEDNCIA DE ENTRADA: de 100K a 1M . b) IMPEDNCIA DE SADA: de 50 a 5000. c) AMPLIFICAO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes. d) AMPLIFICAO DE TENSO: menor do que 1. Neste tipo de amplificador no h amplificao de tenso. e) AMPLIFICAO DE POTNCIA: de 10 a 100 vezes. f) RELAO DE FASE: no h desfasagem entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada. COMPARAO ENTRE AS TRS LIGAES
A seguir, faremos um resumo sobre as trs montagens do transstor bipolar como amplificador, comparandoas entre si. A ligao em emissor comum a mais utilizada na prtica por possuir melhores caractersticas. Ela fornece

uma amplificao de corrente e de tenso que resulta numa amplificao de potncia mais elevada. A ligao em base comum fornece uma amplificao de tenso mas no de corrente, enquanto que a ligao em colector comum fornece uma amplificao de corrente mas no de tenso. E fcil concluir, portanto, que essas duas ligaes tem uma amplificao de potncia reduzida. A ligao em base comum encontra alguma aplicao nos amplificadores de frequncias elevadas (RF, por exemplo). A aplicao da montagem em colector comum restrita aos casos em que se necessita interligar dois circuitos com impedncias diferentes. Esse tipo de circuito uma espcie de "adaptador de impedncias". Na Tabela 1 esto resumidas as caractersticas de cada uma das montagens estudadas. Os valores nela indicados servem apenas para dar uma ideia da ordem de grandeza, podendo variar de um circuito para outro do mesmo tipo, dependendo das caractersticas do transstor e dos componentes a ele ligados (condensadores, resistncias, etc.).

Os parmetros (Alfa) E (Beta) de um transstor bipolar

Quando um transstor bipolar ligado em base comum, o quociente entre a corrente de colector (Ic) e a corrente de emissor (Ie) recebe o nome de GANHO DE CORRENTE ESTTICO DA MONTAGEM BASE COMUM, e indicado pela letra grega (ALFA).

=Ic/Ie
Caractersticas Emissor Comum Base Comum Colector Comum

Impedncia de Entrada (Ze) Impedncia de Sada (Zs) Amplificao de Corrente (Ai) Amplificao de Tenso (Av)

Baixa (2k) Mdia (30K) Alta (100) Alta (1000)

Muito Baixa (50) Muito Alta (200K) Menor do que 1 (0.98) Alta (1000) Mdia (1000) No H

Muito Alta (300K) Muito Baixa (50) Alta (100) Muito Baixa (1) Baixa (100) No H

Amplificao de Potncia (Ap) Muito Alta (100000) Relao de Fase 180