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Practica 7 Aplicacin del Transistor Bipolar

OBJETIVO: Disear, analizar y comprobar los distintos circuitos de la prctica. DESARROLLO: 1. Calcular los valores de las resistencias de acuerdo a los datos de cada circuito de aplicacin, que se tienen en la prctica. Armar el circuito como se indica en la figura, realizar las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla. Datos de diseo: VBE= 0.7 V VCE = 5V IC= 12 mA T1=BC548B

+ Vcc = 12V

RC

RB

BC548B

Circuito de polarizacin.

Valores Tericos Valores Prcticos 1.3


R1

IRC 12.066m 25m

IE IB IC 12.066mA 66.666 12mA 8.5m


+ Vcc = 12V

VBE 0.7

VCE 5v 5.6

VCB 0.7 1.48

60

RC

la
BC548B

Datos de diseo: 12mA 0.68 VBE= 0.7 V VCE = 5V IC= 12 mA T1=BC548B

R2

RE

Armar el circuito como se indica en figura, realizar las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla.

Circuito de polarizacin por divisor de voltaje.

Practica 7 Aplicacin del Transistor Bipolar

IR1 Valores Terico s Valores Prctic os 121.9 A 119

IR2 55.23 A 47.8

IE

IB

IC 12m A 9m

VBE 0.7 V 0.6 3

VC
E

VCB 0.7 v 0.6

VC 5V

VB 0V

VE 2V

12.066m 66.66 A A 9.11m 137

5v

6. 9

8.6 1

2.2 4

1.6 5

1.4 Armar el circuito como se indica en la figura, realizar las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla. VI VO 0V 4.06 5V 0.07 Datos de diseo: VBEsat= 0.7 V VCE sat = 0.2 V VLED = 1.7 V IC= 12 mA T=BC547A

Vcc = + 5 V

RC LED

RB Vi BC547A Vo

Compuerta NOT (RTL)

VI 0V 5V

IB 0 845

IC VBE 0 0 13.5m 0.65

VCE 4.07 0.6

VCB 0 0.72

1.5 Armar el circuito como se indica en la figura, realizar las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla.

Practica 7 Aplicacin del Transistor Bipolar


Vcc = + 5 V

RC DA VA DB VB 470 RB BC547A Vo LED

Compuerta NOR (DTL)

VB VA VO 0 0 3.4 V V 0 5 73.72m V V 5 0 73.72m V V 5 5 73.72m V V Datos de diseo: VBEsat= 0.7 V VCE sat = 0.1 V VLED = 1.7 V IC= 12 mA T=BC547A

Condicin IB IC VBE del transistor Corte 0.033 0.10 0.18 Saturacin 719 14.848m 0.71

VCE

VCB

3.34 3.34 73.72m 0.63

1.6 Armar el circuito como se indica en la figura, realizar las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla.
Vcc = + 5 V

DA VA DB VB 470 5V RB

RC LED

BC547A

Vo

Compuerta NAND (DTL)

VB VA VO 0 0 3.34 V V 0 5 72.4m V V 5 0 72.4m V V 5 5 72.11m V V Datos de diseo: VBE= 0.7 V VCE = 0.1 V VLED = 1.7 V IC= 12 mA T=BC547A

Condicin IB IC VBE VCE VCB del transistor Corte 0.054 443 27.32 3.4 3.33 Saturacin 745 14.854m 0.712v 0.072 0.712v

Practica 7 Aplicacin del Transistor Bipolar


1.7 Armar el circuito como se indica en la figura para obtener la funcin de transferencia y los voltajes de entrada y de salida. Dibujar la grfica y realizar las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla. Datos de diseo: VBE= 0.7 V VCE = 0.1V VR2 = 5V IC= 15 mA T=BC547A
Vcc = 5 V

RC LED ROJO IN4004


N2 N1 N3

R1

RB

+ VR2=5V CHX R2 _

+ BC547A CHY _

12 Vca

Circuito para obtener la funcin de transferencia de la compuerta discreta NOT RTL.

Valores medidos

VILmn. 42.8m

VILmx. 4.86

VIHmn

VIHmx

VOLmn. VOLmx. VOHmn 4.38 69.8m

VOHmx

1.8 Armar el circuito como se indica en la figura para obtener la funcin de transferencia y los voltajes de entrada y de salida. Dibuja la grfica, realiza las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla. Datos de diseo: VBE= 0.7 V VCE = 0.1V VR2 = 5V IC= 15 mA T1=BC547A

RC D1 LED ROJO

IN4004
N2 N1 N3

R1 + CHX _ D2 VR2=5V R2 5V _ 470

RB

+ BC547A CHY _

Vcc = 5 V

12 Vca

Circuito para obtener la funcin de transferencia de la compuerta discreta NAND DTL.

Practica 7 Aplicacin del Transistor Bipolar

Valores medidos

VILmn. 42.8m

VILmx. 4.86

VIHmn

VIHmx

VOLmn. VOLmx. VOHmn 2.8 4.9

VOHmx

1.9 Armar el circuito como se indica en la figura para obtener la funcin de transferencia y los voltajes de entrada y de salida. Dibuja la grfica, realiza las mediciones del circuito, y reportarlas en la tabla. Datos de diseo: VBE= 0.7 V VCE = 0.1V VR2 = 5V IC= 15 mA T1=BC547A

RC D1 IN4004
N2 N1 N3

LED ROJO

R1 + CHX VR2=5V R2 D2 470

RB

+ BC547A CHY _ Vcc = 5 V

12 Vca

Circuito para obtener la funcin de transferencia de la compuerta discreta NOR DTL

Valores medidos

VILmn. 39.28m

VILmx. 5.33

VIHmn

VIHmx

VOLmn. VOLmx. 609.37m 5.1

VOHmn

VOHmx

Conclusiones Gmez Chvez Daniel Michael Como se puede observar, cada configuracin depende de los valores comerciales que sean utilizados en cada configuracin, modificndose as los valores tericos obtenidos con los valores obtenidos durante la prctica, se pudo apreciar como se le pueden dar diversas aplicaciones al transistor bipolar solo dependiendo de su configuracin, ya que en las diversas configuraciones usadas casi eran los mismos elementos utilizados para la realizacin del circuito.

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