1 DISPOSITIVOS ELECTRNICOS A Curso 2009 Ing. Electrnica - VI Cuat.

Material de estudio complementario Diodo Zener: caractersticas y especificaciones en hojas de datos Cuando la tensin inversa aplicada a un diodo de juntura PN excede cierto valor denominado tensin de ruptura la corriente inversa crece muy rpidamente mientras que la tensin sobre el diodo permanece casi constante. Los diodos denominados genricamente diodos Zener trabajan especficamente en esta zona, como se muestra en la figura 1 a). La figura 1 b) muestra el smbolo esquemtico y los terminales.
Zona de trabajo Diodo Zener

ID

VD

K Figura 1 b)

Figura 1 a)

En todas las junturas PN se produce el fenmeno de ruptura. Fsicamente la ruptura se produce por dos fenmenos diferentes: ruptura Zener y ruptura por avalancha. El factor que determina cual mecanismo de ruptura ocurre en una juntura est determinado por las concentraciones de impurezas en los materiales que forman la juntura. La regin de carga espacial siempre se extiende ms en el material que tiene mayor resistividad. Una juntura que tiene una regin de carga espacial angosta desarrollar un alto campo elctrico y romper por el mecanismo Zener. Una juntura con una regin de carga espacial ms ancha romper por el mecanismo de avalancha. En forma comercial los diodos de ruptura, sin discriminar el mecanismo fsico que la produce, se denominan diodos Zener. Cualitativamente el mecanismo de ruptura Zener se produce debido a que la regin de carga espacial es muy estrecha y con la aplicacin de una relativamente baja polarizacin inversa (del orden de 5 V) el campo elctrico en la regin de carga espacial alcanza un valor aproximado a 3x105 V/cm. Este campo ejerce una gran fuerza sobre los electrones de valencia en los tomos de silicio, de modo que puede romper los enlaces covalentes generando pares electrn-hueco que rpidamente incrementan la corriente inversa. Si en el circuito donde se conecta el diodo no se coloca un resistor que pueda limitar la corriente el dispositivo podra destruirse por autocalentamiento. En general, los dispositivos con tensiones de ruptura menores a 5 V presentan ruptura Zener. Los dispositivos con tensiones de ruptura mayores que 8V presentan ruptura por efecto de avalancha. Entre 5 V y 8 V ambos mecanismos pueden estar involucrados. En el proceso de ruptura por avalancha, denominada tambin ionizacin por impacto, los portadores libres que forman la corriente inversa de saturacin pueden ganar energa del campo elctrico y al chocar con la red cristalina rompen enlaces covalentes. Como cada

2 portador que choca crea dos portadores adicionales, un electrn y un hueco, se produce una rpida multiplicacin de portadores en la regin de carga espacial cuando la polarizacin aplicada tiene el valor suficiente como para desencadenar este proceso. Efecto de la temperatura Los mecanismos de ruptura Zener y avalancha varan de forma diferente con la temperatura. El valor de la tensin necesaria para producir la ruptura Zener decrece al aumentar la temperatura, en tanto que la tensin de ruptura aumenta con el incremento de la temperatura para la ruptura por avalancha. En el caso de la ruptura Zener, el aumento de la temperatura aumenta la energa de los electrones de valencia. Esto debilita la fuerza de enlace y se necesita aplicar menos tensin para mover los electrones de valencia de sus posiciones alrededor del ncleo. La dependencia con la temperatura de la ruptura por avalancha es muy distinta. Como la regin de carga espacial es muy ancha al aumentar la temperatura crece la vibracin de los tomos del cristal y aumenta la probabilidad de choques entre las partculas libres, electrones y huecos, y los tomos de la red. Los portadores libres tienen menos oportunidad de ganar la energa suficiente como para producir el proceso de avalancha y necesitan una mayor tensin para iniciar el proceso. La figura 2 muestra la diferencia del coeficiente trmico entre un diodo de ruptura de 3.3 V (Zener) y de 33 V (avalancha)

Figura 2 Caracterstica corriente-tensin La caracterstica ID-VD del diodo en la figura 1 a) muestra que para un diodo de ruptura se identifican tres zonas o regiones de funcionamiento. En polarizacin directa el dispositivo se comporta como un diodo comn con una tensin umbral V. En polarizacin inversa se distinguen dos zonas bien definidas: la regin inversa para la cual circula la corriente inversa IR, y la regin de ruptura (zona de trabajo para un diodo de tensin de ruptura VBR). La caracterstica corriente-tensin se presenta en detalle en la figura 3. La corriente inversa IR es una funcin del potencial inverso VR, y para aplicaciones prcticas puede ser considerada despreciable. Cuando la tensin inversa VD = VR se aproxima a la tensin de ruptura VBR la corriente inversa aumenta bruscamente. Debido a este comportamiento, se distinguen dos corrientes en la regin inversa: la corriente IR cuando VR < Vz y la corriente IZ cuando VR Vz. La tensin Vz se denomina genricamente tensin de ruptura Zener, sin diferenciar entre el mecanismo fsico que origina la ruptura, efecto Zener o avalancha.

3 Para el funcionamiento en la regin de ruptura la corriente Iz vara entre una Izminima = Izk, denominada comnmente corriente de rodilla, y que se corresponde con el punto de inflexin en la caracterstica inversa, y la corriente Izmxima = IzM, limitada por la disipacin mxima permisible: IzM = Pzmx/Vz. En el rango Izk Iz IzM la tensin se mantiene aproximadamente constante en Vz. La corriente Izk vara dependiendo de las caractersticas o tipo de diodo y es un dato que da el fabricante en las hojas de datos del dispositivo. Algunas veces se especifica la corriente IzT (corriente de prueba) que se define para una potencia disipada igual a Pzmx/4. ID Vz Vzo

Vzk

IR

VD Izk (Corriente de rodilla)

Vz Iz

IzT (Corriente de prueba)

Iz Pendiente 1/rz IzM (Corriente mxima)

rodilla

Figura 3 La inversa de la pendiente de la caracterstica ID-VD se denomina resistencia incremental o dinmica rz, y normalmente es de bajo valor. En algunos casos se especifica la tensin Vzo, que corresponde a la tensin apara la cual la pendiente 1/ rz intersecta al eje de tensin. En la prctica Vzo Vzk. Esta consideracin permite determinar la tensin Vz como: Vz = Vzo + rz Iz Usando la expresin anterior se puede construir el modelo elctrico equivalente para la regin de ruptura, figura 4. K
Vzo

A Figura 4

Vz
rz

La corriente inversa IR en la regin de polarizacin inversa anterior a la ruptura es del orden de los nA a 25 C y presenta una fuerte dependencia con la temperatura, figura 5.

Figura 5 El coeficiente de temperatura se define como:

1 Vz % x 100 [ ] Vz (T 1 - To) C Vz es el cambio en la tensin Zener debido a la variacin de la temperatura y puede ser positivo o negativo. Tambin es un dato graficado en las hojas de datos, figura 6. TC

Figura 6 Hoja de datos Las figuras 7 a) y b) muestran las caractersticas elctricas indicadas en dos hojas de datos tpicas. 1N746A - 1N759A

Figura 7 a)

1N957

Figura 7 b) Encapsulados La figura 8 muestra distintos tipos de encapsulado para diodos de ruptura Zener.

Figura 8

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------Ing. Mnica Gonzlez, Prof. Adj. Dispositivos Electrnicos A y B- Curso 2009 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------