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UJT TRANSISTOR DE UNIJUNO. O UJT., um dispositivo semicondutor que possui uma regio de resistncia negativa em sua caracterstica e pertencente famlia dos tiristores. 1 Construo Como o prprio nome indica, o UJT possui apenas uma juno PN. Sua construo simples e consiste de uma barra de material semicondutor do tipo N (levemente dopada), onde foi incrustado um gro de material semicondutor do tipo P (altamente dopado). As bases B1 e B2 so ligadas na barra N e o emissor E, ao material tipo P, conforme a figura 1a,. A figura 1b mostra o circuito equivalente e a figura 1c o seu smbolo.

Figura 1

2 Funcionamento O UJT polarizado aplicando-se a tenso VBB entre o B2 (+) e B1 (-). A entrada de sinal aplicada entre emissor (E) e a base 1 (B1). Quando VBB aplicado entre B2 e B1, uma corrente flui atravs de RBB e com IE = 0, o UJT apresenta um comportamento resistivo entre as bases (RBB normalmente um valor entre 4k7 e 9k1). A tenso aplicada entre as bases varia gradualmente de B1 at B2, apresentando o valor Vj na juno dos resistores. Portanto, sem tenso aplicada no emissor a juno PN est polarizada inversamente. A tenso de polarizao reversa ou tenso da juno nesse caso dada por Vj, onde:

Vj VBB

RB1 RB1 ouVj VBB RB1 RB2 RBB

1

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Para que o UJT funcione como um tansistor, uma tenso positiva, em relao B1, deve ser aplicada ao emissor. Contudo, para que haja corrente de emissor, a polarizao reversa criada por Vj na juno PN e tambm a tenso de disparo do diodo (VD) devem ser sobrepujadas. Ver figura 2.

Figura 2

Aplicando-se uma tenso positiva no emissor, e aumentando-a gradualmente, a corrente IE aumenta pouco at que a tenso de pico (Vp) seja atingida. Neste ponto temos:

VE

Vp

Vj VD

A juno PN torna-se diretamente polarizada e o UJT dispara. De acordo com a teoria dos semicondutores, as lacunas (ou buracos) do material do tipo P so injetadas na barra de silcio, devido polarizao de VBB atravs da barra de silcio (canal N) os portadores positivos injetados migram em direo ao terminal negativo B1. Este acrscimo de portadores entre emissor e base B1 causa reduo efetiva na resistncia de RB1. medida que RB1 diminui a polarizao reversa Vj diminui e com isso aumenta efetivamente a polarizao direta sobre o diodo D1. Isso permite que mais buracos sejam injetados pelo emissor, no canal provocando decrscimo em RB1. Este processo regenerativo e RB1 decresce at um valor muito baixo, quase curto-circuitando os terminais E e B1. Esse fenmeno d ao UJT a caracterstica de resistncia negativa, que podemos observar na figura 2b entre a corrente de pico (Ip) e a corrente de vale (IV). Nessa regio, enquanto IE aumenta, VE diminui contrariando a lei Ohm. Isso se deve ao decrscimo da tenso atravs de RB1 durante essa fase. Aps o ponto de vale (IV, VV), IE aumenta com a tenso de emissor e a resistncia torna-se novamente positiva. 3 Aplicaes

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Os transistores unijuno no so usados como amplificadores. Eles so usados principalmente em circuitos de tempo, como elementos sensores ou de disparo e em circuitos geradores de formas de ondas. Eles podem controlar retardos de tempo, pulsos temporizadores, transio de ondas dente de serra e quadradas. 3a Osciladores de relaxao a unijuno Considere, na figura 3, o capacitor C1 inicialmente descarregado. Quando o circuito ligado, C1 comea a se carregar como indicado na figura 4a, enquanto o transistor Q1 permanecer sem disparo cortado. Quando C1 atingir a tenso de pico (Vp) do UJT, este dispara descarregando C1, como mostra a figura 4a. Na descarga, quando VE atinge a tenso de vale o UJT entra em corte e C1 comea novamente a ser carregado atravs de R1. O processo repetitivo e temos a forma de onda dente de serra em VE.

Figura 3

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Figura 4

As formas de onda na base 1 e 2 esto mostradas nas figuras 4b e 4c e como vemos so picos de tenso que podem ser usados, por exemplo, para disparar um SCR ou um TRIAC. Os nveis contnuos que aparecem nessas formas de onda so devido corrente quiescentes entre B1 e B2. PUT UJT PROGRAMVEL Vimos que o UJT disparado quando VE atinge o valor Vp = VD + V BB. Assim, fixando VBB o UJT dispara a uma tenso fixa de Vp. O PUT permite ajustar essa tenso de disparo sem alterar o valor de VBB, graas variao da relao intrnseca de equilbrio (), realizada externamente ao transistor, atravs de um divisor de tenso.
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1 Construo O PUT formado por quatro camadas conforme figura 5a. Na mesma figura inclumos os resistores responsveis pela programao, R1 e R2. Esses resistores equivalem aos resistores RB1 e RB2 do PUT. Na figura 5b mostramos a curva caracterstica de emissor do PUT.

Figura 5

2 Funcionamento Como vemos na figura 5a os terminais G e K esto polarizados. O terminal K est ligado massa e o terminal G na juno dos dois resistores. Portanto,

Vj VBB

R1 R1 R2

Para que haja corrente pela juno PN superior necessrio que a tenso aplicada ao anodo supere Vj acrescido da tenso de disparo da juno PN, VD. Assim, a tenso de pico provocara o disparo do transistor ser VA = Vp = Vj + VD e chamando = R1/(R1 + R2), teremos Vj = VBB e ento:

Vp

VBB VD

A equao acima igual aquela encontrada para o UJT. Contudo, nesse caso depende de parmetros externos ao transistor. Dissemos acima que o PUT dispara quando VA = Vp. Isso ocorre porque, de acordo com a teoria de semicondutores os buracos do material P (ligado a A) so
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injetados no material N. Devido s propriedades inerente estrutura PNPN e a polaridade de VBB atravs de R1 e R2, os portadores positivos migram em direo ao catodo (mais negativo). Isto acarreta um aumento de portadores livres entre anodo e catodo e esse processo regenerativo pois esses eltrons livres diminuem a resistncia entre a porta e catodo e em consequncia diminuem Vj aumentando a polarizao direta entre A e G e provocando aumento de corrente. A resistncia entre porta e catodo ao final do processo chega a aproximadamente 10 , levando-se em conta o paralelismo com R1. Esse fenmeno da ao anodo uma caracterstica de resistncia negativa conforme ilustrado na figura 5b. Se IA tornar-se menor que IV (corrente de vale) o PUT ser cortado. 3 Aplicaes O PUT tem a mesma aplicao do UJT com a vantagem de possuir programao da tenso de disparo. 3a Oscilador de relaxao usando PUT O funcionamento do circuito da figura 6 semelhante ao da figura 3.

Figura 6

Supondo C1 descarregado, quando se aplica a tenso ao circuito. C1 comea a se carregar atravs de R4 at atingir Vp, disparando o PUT que descarrega C1 e assim repetindo-se o ciclo enquanto o circuito estiver ligado. As formas de onda podem ser vistas na figura 7.

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Figura 7

No caso do PUT, Vp = VBB + VD, onde = R1/(R1+R2). Portanto, alterando-se R1 ou R2 estaremos alterando a tenso de disparo do transistor. Por exemplo, se R1 for aumentado, com R2 constante, Vp ser maior, aumentado a constante de tempo de carga, diminuindo a frequncia de oscilao do circuito. A frequncia de oscilao pode ser ajustada atravs de R4. Alterando R1 e R2 podemos alterar a tenso de disparo do put. O tempo T necessrio para atingir o potencial de disparo Vp dado aproximadamente por:

T RC
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CONCLUSO O PUT, como o UJT so dispositivos de chaveamento. Quando o PUT, por exemplo, dispara, um grande pulso de corrente produzido no circuito devido ao decrscimo rpido da resistncia entre o anodo e catodo. Os picos de tenso que se desenvolvem no resistor de catodo podem ser usados como disparos para outros circuitos. Um PUT pode ser usado em qualquer aplicao onde se possa usar o UJT. A diferena que o PUT mais rpido e possui um ponto de disparo mais estvel, alm de ser programvel.

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