TEORIA ATMICA DA MATRIA

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I TEORIA ATMICA DA MATRIA
Todos os corpos se compem de matrias-primas bsicas, designadas por elementos qumicos. Sua menor poro qumica
o tomo. Este possui um ncleo contido de prtons e nutrons, em torno do qual giram eltrons a velocidades elevadas,
em camadas energticas concntricas. Cada elemento possui um nmero diferente de eltrons, influindo este nmero nas
suas caractersticas eltricas. O tomo equilibrado (no-ionizado) possui igual nmero de prtons como de eltrons; porm
o tomo desequilibrado (ionizado), tem a denominao de on possui um nmero de eltrons maior ou menor que o
nmero de prtons. Se o nmero eltrons maior que o nmero de prtons, o on esta ionizado negativamente (anies),
nmero de eltrons menor que o nmero de prtons, o on esta ionizado positivamente (ctions).


1.1 CONSTITUIO DA MATRIA

Matria tudo que tem massa e que ocupa lugar no espao (Madeira, Vidro, Sal, Ferro, etc.). A matria se relaciona com
uma variedade de coisas, sendo cada tipo de matria uma substncia.

Molcula:

a menor partcula de uma substncia, que apresenta todas as caractersticas da mesma.

tomo:
o que constitui as molculas, o nmero de tomos que compreendem uma molcula varia de
acordo com as substncias. a menor partcula de um elemento.
tomo - palavra de origem grega, a - no, tomo - diviso, (no divisvel).
H2O - 2 tomos de Hidrognio e 1 tomo de oxignio (molcula de gua)
Em 1803 foi promovida a teoria atmica de Dalton que diz: Qualquer matria formada por tomos indivisveis.
Em 1911, com as experincias de Rutherford, ficou provado que o tomo divisvel, formado por partculas ainda
menores: prtons, eltrons e nutrons.

Substncias simples:
So substncias que possuem suas molculas com tomos iguais.
Ferro - FE Cobre - CU Zinco ZN

Substncias compostas:
So substncias que possuem suas molculas com tomos diferentes.
gua - H2O Acido - SO4 Gs Carbnico - CO2

Elemento:

a combinao de eltrons, prtons e neutros, para constituir um tomo.
Atualmente so conhecidos 109 tipos de tomos.
Hidrognio - H Sdio - Na Silcio - Si
Oxignio - O Cobre - Cu Germnio Ge


hidrognio (H2) oxignio (O2) gua (H2O) gs carbnico (CO2)
SUBSTNCIAS SIMPLES SUBSTNCIAS COMPOSTAS

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1.2 NATUREZA DA ELETRICIDADE

A fora de atrao entre prtons e eltrons se compem com a ao da fora centrifuga dos eltrons em movimento,
estabelecendo assim o equilbrio das foras internas do tomo.
O elemento mais simples o Hidrognio. Como se pode ver na figura, seu tomo tem um nico eltron em rbita ao redor
do ncleo com um prton .
Um dos mais complexos elementos o urnio, que tem 92 eltrons em rbita ao redor de um ncleo com 92 prtons.
Cada elemento tem a sua prpria estrutura atmica, porm cada tomo de um mesmo elemento tem igual nmero de
prtons e eltrons ( elemento balanceado ).

Eltrons : uma partcula de tomo carregado de eletricidade negativa e so considerados indivisveis.
MASSA 9,11 x !0
-28
Gramas
Dimetro 56 x 10
-12
mm
Carga -1,6 x 10
-19
Coulombs


Estrutura Atmica de um Elemento

Prtons: uma das dezenas de partculas contidas no ncleo. Possui carga eltrica positiva. O nmero de prtons no
ncleo, define o nmero atmico e o tipo de tomo.

Nutrons: Partculas no interior do ncleo de um tomo, que no possui cargas eltricas. Prtons e Nutrons tem
apenas 1/3 do dimetro do eltron (18 x 10
-12
mm), porm mais pesado, a massa de um prton
aproximadamente 1840 vezes maior que a massa do eltron.

1.2.1 Camadas Energticas de um tomo

Formada de uma at sete camadas



camadas 1
0
2
0
3
0
4
0
5
0
6
0
7
0

nome K L M N O P Q
n
o
Mximo de Eltrons 2 8 18 32 32 18 8
Tabela 1

Podemos notar que somente a camada perifrica de um tomo pode apresentar-se incompleta; as demais esto completas.
Existem 6 substncias com a camada perifrica completa (gases nobres ou inertes), no se combinam com nenhum outro
elemento (hlio,nenio, argnio,criptnio, xennio e radnio).



Os eltrons que se encontram na camada perifrica so chamados de eltrons de valncia (valncia = elo, unio ). Eltrons
de valncia so os que possuem liberdade para participar de fenmenos qumicos ou eltricos.


Cadeia de Valncia:

Ocorre: quando um eltron gira em torno de dois ncleos, efetuando uma unio dos tomos entre si. Em uma substncia,
depois de se terem sido formados as cadeias de valncia, os eltrons que no participam das cadeias de valncia, no
possuem unio firme e so denominados eltrons livres.
Quanto maior o nmero de eltrons livres na substncia, tanto maior o fluxo de corrente de eltrons; para uma dada
tenso ou seja, maior ser a condutividade no material.







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Regra de Distribuio das Camadas Energticas:

1
0
- Existem sete camadas energticas, sendo que cada camada permite uma quantidade de eltrons. (ver tabela 1).

2
0
- Quando se tem mais de 8 eltrons, na ltima camada, cancela-se o nmero escrito e coloca-se em seu lugar o n
o
8
ou 18; dos dois, aquele que for imediatamente inferior ao nmero cancelado.

3
0
- A diferena colocada na camada seguinte.

A - tomo de antimnio (Sb), nmero atmico 51: B - tomo de Sdio (Na), nmero atmico 11.
K - L - M - N - O K - L - M
2 - 8 - 18 - 23 2 - 9
2 - 8 - 18 - 18 - 5 2 - 8 - 1

Observao: A regra de distribuio eletrnica, no vlida para a maioria dos elementos de transio.

Exemplo: K - L - M - N - O - P

Ferro (Fe) - Nmero Atmico 26 2 - 8 - 14 - 2 - - - -
Tungstnio (W) - Nmero Atmico 74 2 - 8 - 18 - 32 - 12 - 2

1.3 MATERIAL ISOLANTE

Possui pouco ou nenhuma quantidade de eltrons livres; os eltrons de valncia esto todos em cadeias de valncia e
existem pouqussimos eltrons livres para constituir um fluxo de corrente de eltrons (vidro, mica, madeira). Nos materiais
isolantes os seus tomos possuem 5 ou mais eltrons em sua camada externa; ele tenta preencher sua camada de modo a
alcanar uma situao estvel; seus tomos tentam adquirir eltrons, ao invs de fornec-los, assim, o movimento de
eltrons de um tomo a outro inibido.

Exemplo:
Enxofre (S) - nmero atmico 16
K - L - M
2 8 6

Camada perifrica (valncia) M com 6 eltrons de valncia, apresenta uma
condio maior de alcanar uma situao estvel (receber eltrons).



1.3.1 ISOLANTES ELTRICOS

So materiais que oferecem elevada resistncia corrente eltrica. Suas caractersticas eltricas (resistividade, rigidez
dieltrica, estabilidade perante descargas e constante dieltrica)devem estar de acordo com a Associao Brasileira de
Normas Tcnicas (ABNT).
Alm das mencionadas, ainda so importantes as seguintes propriedades:
A) No podem ser higroscpicos, isto , no devem absorver gua ou umidade:
B) No devem ser comburentes, ou seja, no devem queimar sob ao de uma chama nem continuar queimando aps
afastado da chama;
C) Precisam ter elevada estabilidade trmica, o que significa que no deve perder sua forma at determinados e elevados
limites de temperatura;
D) As propriedades mecnicas devem satisfazer s condies de uso (dureza, elasticidade, deformabilidade).
Segundo sua origem, destacam-se isolantes naturais e artificiais.

ISOLANTES NATURAIS: ar (quando seco), leo mineral (livre de gua e de cidos), algodo, cera, goma laca (para altas
tenses), papel, mica (slido de escamas), amianto (pedra fibrosa), quartzo, betume, asfalto, micanite (mica impregnada
com goma laca), vidro, fibra de vidro, porcelana, esteatita (talco e areia de quartzo) e argila refratria.

ISOLANTES ARTIFICIAIS: So constitudos sobretudo de carvo (carbono), gua, ar e clcio, por polimerizao ou poli
condensao. Podemos citar como exemplos, o baquelite, o cloreto de polivinila (PVC e borracha sinttica), Polistirol
(fitas plsticas) , Polietileno (cobertura de condutores), Polister (blindagem de chaves).


1.4 MATERIAL CONDUTOR
So materiais que possuem grande quantidade de eltrons livres. Seus tomos tem menos de 4 eltrons em sua camada
exterior, ele apresenta tendncia em fornec-los com facilidade; seus eltrons da camada exterior podem se movimentar
aleatoriamente de um a outro tomo.

Exemplos:
A) Cobre (Cu) nmero atmico 29
K- L - M - N
2 - 8 - 18 - 1


Camada perifrica (N), apresenta uma tendncia em fornecer. um eltron com facilidade.


B) Prata (Ag) nmero atmico 47
K - L - M - N - O
2 - 8 - 18 - 18 - 1

Camada perifrica (O)com um eltron de valncia, apresenta uma tendncia em fornecer.









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C) Ouro (Au) nmero atmico 79
K - L - M - N - 0 - P
2 - 8 - 18 - 32 - 18 - 1

Camada perifrica (P) com um eltron de valncia, apresenta uma tendncia em fornecer.


Para os exemplo B e C, ambos apresentam 1 eltron de valncia na camada perifrica; porm, podemos afirmar que o
ouro e melhor condutor de eletricidade que a prata, devido a sua camada perifrica estar mais distante do ncleo. Esta
afirmao somente vlida, considerando uma anlise atmica de um elemento e para que possamos definir um bom
condutor, temos que conhecer sua resistividade eltrica. Os materiais condutores e isolantes so caracterizados por
diversas grandezas. Representamos no sub-item 1.6 - Tabela de Elementos Qumicos e suas respectivas distribuies
inicas.
Muitos metais so bons condutores, sendo o cobre o mais utilizado. Os materiais condutores so caracterizados por
diversas grandezas, entre as quais se destacam:
condutividade ou resistividade eltrica;
coeficiente de temperatura;
condutividade trmica;
potencial de contato e fora termoeltrica;
comportamento mecnico.

Condutividade Ou Resistividade Eltricas: ()
Termo usado para comparar os nveis de resistncia dos materiais.
= R x A R = x l
l A
= Resistividade eltrica do material (O .cm ) R = Resistncia eltrica (O )
A = Seo transversal ( cm
2
) l = Comprimento do corpo condutor (cm)
= R x 1 cm
2

1 cm = R . cm


Coeficiente De Temperatura ()

A resistncia eltrica, correlacionando correntes que circulam sob um potencial aplicado, serve indiretamente de medida da
quantidade de energia absorvida por imperfeies cristalinas e outros fatores. Como a Zero Grau Absoluto a estrutura
perfeitamente simtrica, sem que seus tomos vibrem, a resistncia teoricamente igual a Zero e praticamente possui o
menor valor que pode adquirir.
Aumentando-se lentamente a temperatura, as partculas vibram interferindo nos movimentos dos eltrons. Uma certa
influncia causa perdas nos deslocamentos dos eltrons e consequentemente aquecimento do corpo condutor. Traando-
se a Curva caracterstica (resistncia ] temperatura), nota-se que ela no obedece em toda sua extenso a uma relao
constante entre ordenadas e abscissas. O setor reto da caracterstica, cujo declive da ordem de 5: 1 trecho AB, de
maior interesse prtico, aps esse trecho, a curva tende horizontal.





O coeficiente de temperatura a relao Tangente o da reta AB/Resistncia.


A inclinao da reta AB dado por Tg
T
Onde: Tg o o = =

A
A
R R R
T2 T
2 1
1

R1
o
o
o = =

Tg R R
T2 T R
2 1
1
1
1





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NOME DO METAL
RESISTIVIDADE
. mm
2
/ m
COEFICIENTE TEMP.
= 20C
Ferro 0,098 0,0057
Alumnio 0,0262 0,0042
Ouro 0,0240 0,0037
Cobre 0,0169 0,0040
Prata 0,0162 0,0036
Nota: 1. mm
2
/ m = 10
4
. cm

1.5 MATERIAL SEMICONDUTOR

So elementos que tem seus tomos contendo exatamente 4 eltrons em sua camada perifrica, ele hesita em fornecer ou
aceitar eltrons prontamente. Os elementos que possuem tais tomos no so bons condutores nem bons isolantes,
portanto, so classificados como semicondutor.

1.5.1 Estrutura Atmica de um Semicondutor:




1.5.2 Nveis de Energia

Os eltrons podem se encontrar na 1
a
, 2
a
ou 3
a
rbitas, mas no podem ser encontrados em rbitas intermedirias. Os
raios entre r1 e r2, r2 e r3 so proibidos (VER MECNICA QUNTICA).
Quanto maior a rbita de um eltron, mais alto o seu nvel de energia ou sua energia potencial com relao ao ncleo.
Podemos observar nos grficos de ENERGIA dos materiais condutores, isolantes e semicondutores, mostrados a uma
temperatura ambiente (300
o
K), que h nveis de fronteira e estado de energia mximo nos quais qualquer eltron da
estrutura atmica pode-se situar, continuando proibido a regio entre a banda de valncia e o nvel de ionizao


Devemos nos lembrar que a ionizao o mecanismo pelo qual um eltron pode absorver energia suficiente para quebrar
ligao com a estrutura atmica e se juntar aos portadores livres na banda de conduo.

Note que a unidade de medida apropriada para energia o ELTRON-VOLT (eV), pois:

W (energia) = P (potncia) x t(tempo)

P = VI W =VIt I = Q/t ou Q = It Logo : W joules = QV


Como a energia tambm medida em joules e a carga de um eltron 1,6 x 10
-19
coulomb:

eV = 1,6 x 10
-19
Joules











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1.5.3 Estrutura Cristalina ou Rede Cristalina













Banda de Energia :

Ocorre na estrutura cristalina, porque a rbita de um eltron sofre influncia das cargas de vrios tomos adjacentes. Todos
os eltrons que se encontram nas 1
as
rbitas tm nveis de energia ligeiramente diferentes, porque nenhum v exatamente
a mesma carga nas proximidades.
Como h bilhes de eltrons nas camadas de energia, os nveis de energia ligeiramente diferentes formam uma nuvem ou
uma banda (1
a
banda). O mesmo ocorre na 2
a
e 3
a
rbitas, dando origem a 2
a
e 3
a
banda.
As bandas de energia saturadas ou preenchidas, so representadas escuras; isto porque as rbitas disponveis j esto
ocupadas por eltrons. A banda de valncia na estrutura cristalina, est preenchida porque a rbita de valncia de
cada tomo possui 8 eltrons.








































1.5.3 Conduo nos Cristais

Zero Absoluto
Em um cristal, em temperatura de zero absoluto Zero Kelvin ( 0 K ) ou -273,15 graus Celsius ( -273,15
0
C) , os
eltrons no podem mover dentro do cristal.
Podemos observar no grfico banda de energia que as trs primeiras faixas esto preenchidas, os eltrons dessas bandas
no podem deslocar-se com facilidade porque no h rbitas vazias.
Nesta temperatura no h quebra de ligaes covalentes, mantendo a banda de conduo vazia; isto quer dizer que no
pode haver nenhuma corrente no cristal de silcio.
Os materiais semicondutores de aplicao prtica na eletrnica, possuem caractersticas de nomenclatura e, alm disso, a
periodicidade da estrutura no muda significativamente com adio de impurezas no processo de dopagem. Os dois
elementos qumicos de maior aplicao na eletrnica so o germnio (Ge) e o silcio (Si), devido s suas caractersticas
atmicas. Nos ltimos anos, as pesquisas tm-se intensificado cada vez mais em relao ao silcio diminuindo em
relao ao germnio, embora, haja uma pequena produo de componentes de germnio.




Os tomos de substncia semicondutora possuem
uma particularidade, que a de se combinarem entre
si, para formar uma estrutura cristalina. Esta estrutura
cristalina uma unio de vrios tomos
semicondutores, cuja forma no espao de um
cubo com um tomo em cada vrtice. Cada tomo
da estrutura est unido por uma ligao covalente aos
quatro tomos vizinhos, tomados mesma distncia.
A ligao covalente caracterizada pelo
compartilhamento de um ou mais pares de eltrons
entre tomos, causando uma atrao mtua entre
eles, que mantm a molcula resultante unida.





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Acima do Zero Absoluto

Com o aumento de temperatura, a energia trmica quebra algumas ligaes covalentes; alguns eltrons de valncia so
deslocados para a banda de conduo. Sob a ao de um campo eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda,
em direo ao terminal positivo da fonte (diferena de eltrons). Cada vez que um eltron bombeado para a banda de
conduo, cria-se uma lacuna na banda de valncia. Portanto, a banda de valncia j no est mais saturada ou
preenchida e a banda de conduo dispe de alguns eltrons livres, capaz de estabelecer uma corrente eltrica.
temperatura ambiente (aproximadamente 25
o
C), um pedao de silcio puro, no nem bom isolante, nem bom condutor;
a esta temperatura chamado de semicondutor. A faixa de temperatura que o silcio ou o germnio considerado
semicondutor est entre -273,15C a 150C; para temperaturas superiores 150C, os mesmos so considerados
condutores de energia eltrica.
Para uma temperatura ambiente uns grandes nmeros de eltrons adquirem energia suficiente para entrar na banda de
conduo, isto , para pular o intervalo de 1,1 eV do silcio ou 0,67 eV do germnio. O nvel de energia, mais baixo no
germnio devido ao nmero maior de portadores em relao ao silcio, temperatura ambiente. O rompimento de uma
ligao covalente por efeito trmico, cria um par eltron-lacuna, que fica no interior do cristal. Este fenmeno chamado
gerao trmica. A presena destas partculas faz com que o cristal passe a conduzir eletricidade, chamado de
condutividade intrnseca.













1.5.5 Fluxo de Corrente

Em um semicondutor as lacunas tambm produzem uma corrente (banda de valncia); isto o que faz os
semicondutores serem sensivelmente diferentes de um material condutor. O semicondutor oferece dois trajetos
para a corrente eltrica, um atravs da banda de conduo (eltrons) e outro atravs da banda de valncia
(lacunas); enquanto os materiais condutores (Cu) oferecem apenas um trajeto para a corrente eltrica, que
atravs dos eltrons da camada de valncia, que resulta na banda de valncia ou banda de conduo.











1.5.6 Recombinao

quando um eltron livre encontra e ocupa uma lacuna, restabelecendo uma ligao covalente. A recombinao acontece
constantemente num semicondutor, devido ao desprendimento de energia trmica. Ocasionalmente, a rbita da banda de
conduo (eltron) de um tomo pode interceptar a rbita de lacunas da banda de Valncia de outro tomo. Ocorrendo a
recombinao, a lacuna no se desloca mais para lugar algum, ela desaparece, mas o desprendimento de energia trmica
do semicondutor evita o preenchimento de todas as lacunas.










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1.5.7 Dopagem

Para se dopar um semicondutor INTRNSECO (cristal puro), necessrio injetarmos uma certa quantidade de impureza
ou de contaminao, feito a dopagem o semicondutor passa a ser EXTRNSECO. O semicondutor extrnseco pode ser
classificado como sendo do tipo P ou N.



1.5.7.1 Tipos de Impureza

a) DOADORA : Os seus tomos so pentavalentes ( 5 eltrons na camada de valncia).

So impurezas que dispem de cinco eltrons na ultima camada, sendo assim quando misturado (dopado) com elementos
semicondutores, que tem quatro eltrons na ultima camada, cria-se um estrutura cristalina feita de ligaes covalentes com
um eltron livre da rede para ser doado. Isto ocorre devido caracterstica negativa da estrutura inica da impureza.


ELEMENTO SMBOLO N
O
ATMICO K L M N O
FSFORO P 15 2 8 5 - -
ARSNIO As 33 2 8 18 5 -
ANTIMNIO Sb 51 2 8 18 18 5


b) ACEITADORA: Os seus tomos so trivalentes ( 3 eltrons na camada de valncia).

So impurezas que dispem de trs eltrons na ultima camada, sendo assim quando misturado (dopado) com elementos
semicondutores, que tem quatro eltrons na ultima camada, cria-se um estrutura cristalina feita de ligaes covalentes com
um eltron ausente da rede, neste caso a estrutura est pronta para aceitar um eltron de outro tomo. Isto ocorre devido
caracterstica positiva da estrutura inica da impureza.


ELEMENTO SMBOLO N
O
ATMICO K L M N O
BORO B 5 2 3 - - -
GLIO Ga 31 2 8 18 3 -
NDIO In 49 2 8 18 18 3



1.5.7.2 Semicondutor Tipo N






um semicondutor puro (Si) ou (Ge), dopado com um material pentavalente (Fsforo impureza doadora).Ao aplicarmos
uma tenso a um semicondutor tipo N, os eltrons livres (portadores majoritrios) fornecidos pelos tomos doadores, vo
fluir em direo ao terminal positivo da fonte. Entretanto, alm desses, mais alguns eltrons vo se dirigir tambm ao
terminal positivo; esses eltrons adicionais so produzidos pela quebra de ligaes covalentes; dando origem a pares de
eltrons-lacuna. As lacunas dirigem-se para o terminal negativo.



1.5.7.3 Semicondutor Tipo P

um semicondutor puro (Si) ou (Ge), dopado com um material trivalente ( Boro impureza receptora). Ao aplicarmos uma
tenso em um semicondutor tipo P, as lacunas (portadores majoritrios), fornecidas pelos tomos receptores se movem em
direo ao terminal negativo da fonte. Alm das lacunas fornecidas pelos tomos receptores, muitas outras podem ser
encontradas no semicondutor tipo P. Essas lacunas so produzidas pela quebra das ligaes covalentes, dando origem a
pares de eltron-lacuna; onde as lacunas so atradas pelo terminal P e os eltrons pelo terminal N da fonte.










TEORIA ATMICA DA MATRIA

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1.5.7.4 Juno PN
um cristal , ao qual, por meio de um processo tecnolgico, so adicionados, de um lado impurezas do tipo P, e
de outro lado, impurezas tipo N; a este processo denomina-se juno (unio de duas regies). Um cristal PN
comumente conhecido como DIODO


1.5.7.5 Juno PNP

um cristal puro, ao qual, por meio de um processo tecnolgico, so adicionadas impurezas doadoras e receptoras,
ficando o cristal dividido em trs partes ou regies, cada uma devidamente dopadas, sendo que, a juno PNP formada
por duas regies P separadas por uma regio N e a juno NPN formada por duas regies N separadas por uma regio
P. Um cristal com duas junes, comumente conhecido como TRANSISTOR.


P N P N P N
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
-
-
-
-
-
-
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
+
+
+
+
+
+
- - - -
- - - -
- - - -
- - - -
- - - -
- - - -



1.6 TABELA DE ELEMENTOS QUMICOS

Representamos na tabela abaixo, alguns elementos qumicos de maior aplicao na eletrnica e suas respectivas
distribuies inicas.


CAMADAS 1 2 3 4 5 6 7
NOME K L M N O P Q
N MAX.ELTR. 2 8 18 32 32 18 8
ELEMENTOS DISTRIBUIO
OURO Au
79
2 8 18 32 18 1 Condutor
PRATA Ag
47
2 8 18 18 1 Condutor
COBRE Cu
29
2 8 18 1 Condutor
FERRO Fe
26
2 8 14 2 Condutor
Alumnio Al
13
2 8 3 Condutor
CARBONO C
6
2 4 semicondutor
SLICIO Si
14
2 8 4 semicondutor
GERMNIO Ge
32
2 8 18 4 semicondutor
CLORO Cl
17
2 8 7 isolante
ENXOFRE S
16
2 8 6 isolante
FSFORO P
15
2 8 5 isolante








TEORIA ATMICA DA MATRIA

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1.7 EXERCCIOS TERICOS CAP. I

1) Corresponde definio de matria, exceto:
( ) tudo que tem massa e que ocupa lugar no espao;
( ) Matria aquilo que no tem massa, mas ocupa lugar no espao;
( ) qualquer coisa que possui massa, ocupa espao e est sujeita a inrcia;
( ) A matria aquilo que existe, aquilo que forma as coisas e que pode ser observado como tal.

2) Em que ano foi promovida e como se define a teoria de Dalton ?
( ) 1911, qualquer matria formada por tomos indivisveis;
( ) 1803, ficou provado que o tomo divisvel;
( ) 1911, o tomo formado por partculas ainda menores, como prtons e eltrons;
( ) 1803, qualquer matria formada por tomos indivisveis.

3) D a origem e o significado da palavra tomo .
( ) Australiana, a no e tomo diviso;
( ) Grega, divisvel;
( ) Grega, a no e tomo diviso;
( ) Portuguesa, no divisvel.

4) O que ficou provado com as experincias de Rutherford e em que ano ocorreu ?
( ) Que o tomo divisvel, em 1911;
( ) Que o tomo indivisvel, em 1803;
( ) Que o tomo indivisvel, em 1911;
( ) Que o tomo divisvel, 1803.

5) O que so substncias simples e compostas ? D respectivamente um exemplo de cada substncia. .
( ) Substncias que possuem suas molculas com tomos iguais e Substncias que possuem suas molculas com tomos
diferentes, so exemplos hidrognio e oxignio;
( ) Substncias que possuem suas molculas com tomos indiferentes e Substncias que possuem suas molculas
com tomos iguais, so exemplos hidrognio e gua;
( ) Substncias que possuem suas molculas com tomos iguais e Substncias que possuem suas molculas com tomos
diferentes, so exemplos oxignio e gs carbnico;
( ) Substncias que possuem suas molculas com tomos diferentes e Substncias que possuem suas molculas com
tomos iguais, so exemplos gs carbnico e oxignio.

6) Corresponde a uma definio de elemento qumico, exceto:
( ) So todos os tomos que possuem o mesmo nmero atmico, ou seja, o mesmo nmero de prtons;
( ) a combinao de eltrons, prtons e nutrons, para constituir uma molcula;
( ) Um elemento qumico qualquer substncia que no pode ser decomposta em outras substncias mais simples
atravs de processos qumicos ordinrios;
( ) a combinao de eltrons, prtons e nutrons, para constituir um tomo.

7) Corresponde ao significado de nmero atmico de um elemento, exceto:
( ) um termo usado na fsica e na qumica para designar o nmero de eltrons encontrados no ncleo de um tomo;
( ) O nmero atmico de um elemento igual ao nmero de protes que os tomos desse elemento contm no ncleo;
( ) O nmero atmico define o nmero de prtons do ncleo de um tomo e representado pelo smbolo Z;
( ) um termo usado na fsica e na qumica para designar o nmero de prtons encontrados no ncleo de um tomo.

8) Corresponde aos valores da massa, dimetro e carga de um eltron.
( ) 9,11 x 10
-28
g , 56 x 10
-12
cm e -1,6 x 10
19
C;
( ) 9,11 x 10
28
g , 56 x 10
-12
mm e -1,6 x 10
-19
C;
( ) 9,11 x 10
-28
g , 56 x 10
-12
cm e -1,6 x 10
-19
C;
( ) 9,11 x 10
-28
g , 56 x 10
-12
mm e -1,6 x 10
-19
C.

9) Quais so os valores da massa, dimetro e carga de um prton ?
( ) 1,6 x 10
-24
g , 18 x 10
-12
mm e +1,6 x 10
19
C;
( ) 1,6 x 10
-24
g , 18 x 10
-12
cm e 1,6 x 10
19
C;
( ) 1,6 x 10
-28
g , 18 x 10
-12
mm e +1,6 x 10
19
C;
( ) 1,6 x 10
-24
g , 18 x 10
-12
mm e -1,6 x 10
19
C;

10) O que camada energtica de um tomo e qual o nmero mximo de camadas energticas permitidas num
elemento ?
( ) um espao de tamanho reduzido em forma orbital do ncleo, contido de eltrons e com um potencial inato para
realizar uma ao. Um elemento pode ter at 8 camadas energticas;
( ) um espao de tamanho reduzido em forma orbital do prton, contido de eltrons e com um potencial inato para
realizar uma ao. Um elemento pode ter at 7 camadas energticas;
( ) um espao de tamanho reduzido em forma orbital do ncleo, contido de eltrons e com um potencial inato para
realizar uma ao. Um elemento pode ter at 7 camadas energticas;
( ) um espao de tamanho reduzido em forma orbital do ncleo, contido de prtons e com um potencial inato para
realizar uma ao. Um elemento pode ter at 7 camadas energticas;








TEORIA ATMICA DA MATRIA

15

11) So corretas as afirmativas sobre camada de valncia, exceto:
( ) a camada energtica de um tomo, que, dispem de maior quantidade de eltrons livres;
( ) Pertence s camadas energticas de um tomo;
( ) a camada energtica mais distante do ncleo de um tomo;
( ) a ultima camada energtica de um tomo.

12) Corresponde regra de distribuio das camadas energticas e tem como classificao os elementos Alumnio (Al),
Chumbo (Pb), Bismuto (Bi).
( ) 2 8 3 (isolante) , 2 8 18 32 18 4 (semicondutor), 2 8 18 32 18 5 (condutor);
( ) 2 8 18 32 18 4 (semicondutor), 2 8 3 (condutor), 2 8 18 32 18 5 (isolante);
( ) 2 8 2 (condutor), 2 8 18 32 18 5 (semicondutor), 2 8 18 32 18 4 (isolante);
( ) 2 8 3 (condutor), 2 8 18 32 18 4 (semicondutor), 2 8 18 32 18 5 (isolante);

13) So corretas as definies, exceto:
( ) Os materiais isolantes so aqueles que, possui pouco ou nenhuma quantidade de eltrons livres e necessita de uma
quantidade de energia maior que 0,5 eV para promover um eltron da banda de valncia para a banda de conduo, sendo
assim, para conduzir corrente eltrica necessrio vencer a barreira existente entre a banda de valncia e banda de
conduo;
( ) Os materiais condutores so aqueles que, possuem grande quantidade de eltrons livres, sendo assim, para
conduzir uma corrente eltrica, basta uma pequena diferena de potencial aplicado nos terminais do material;
( ) Os materiais isolantes so aqueles que, possui pouco ou nenhuma quantidade de eltrons livres e necessita de uma
quantidade de energia maior que 1,1 eV para transmitir um eltron da banda de valncia para a banda de conduo, sendo
assim, para conduzir corrente eltrica necessrio vencer a barreira existente entre a banda de valncia e banda de
conduo;
( ) Os materiais condutores so aqueles que, possuem sua banda de valncia totalmente preenchida e sua banda de
conduo com grande quantidade de eltrons livres, sendo assim, para conduzir uma corrente eltrica, basta uma pequena
diferena de potencial nos terminais do material;

14) So corretas s propriedades do isolante eltrico, exceto:
( ) Boas propriedades mecnicas, no perdem sua forma com facilidade, no queimam com facilidade e no
so higroscpicos;
( ) No absorve umidade, elevada estabilidade trmica, boa elasticidade e no comburentes;
( ) Boa estabilidade trmica, mdio comburentes, dureza do material e no absorve umidade;
( ) No comburentes, dureza do material, elevada estabilidade trmica e no absorve gua.

15) A resistncia eltrica de um material condutor aumenta, toda vez que a temperatura do corpo condutor aumenta; so
corretas as alternativas, exceto:
( ) Com o aumento da temperatura, os tomo vibram mais vigorosamente e assim aumentam a resistncia passagem
dos eltrons;
( ) Por que ocorre um aumento dos eltrons de valncia e quanto maior o nmero de eltrons de valncia, maior a
dificuldade de se obter portadores de carga (eltrons livres) e portanto maior a resistncia (menor a conduo de corrente);
( ) Por que um nmero maior de eltrons livres do material escapa de seus tomos e passam a fazer parte da nuvem
eletrnica. Com esse aumento de eltrons livres, a corrente torna-se menos intensa, o que equivale a um aumento na
resistncia eltrica.
( ) Por que as partculas do meio condutor vibram mais intensamente e, portanto, aumentam os choques com as
partculas que constituem a corrente eltrica; conseqentemente, aumenta a resistncia passagem da corrente;

16) O que um cristal semicondutor intrnseco ?
( ) um semicondutor impuro;
( ) um semicondutor contido de impurezas doadoras;
( ) um semicondutor contido de impurezas receptoras;
( ) um semicondutor puro;

17) Qual a classificao de um material semicondutor, quanto variao de temperatura ( s 273,15C ), ( > 273,15C e <
150C ) e ( >150C ).
( ) Condutor, semicondutor e isolante;
( ) Semicondutor, condutor e isolante;
( ) Isolante, semicondutor e condutor;
( ) Semicondutor, isolante e condutor.

18) O que um elemento ionizado ?
( ) um elemento que ganhou um eltron em sua estrutura atmica;
( ) um elemento que ganhou uma lacuna em sua estrutura atmica;
( ) um elemento que ganhou um eltron ou perdeu uma lacuna em sua estrutura atmica;
( ) um elemento que tem sua camada perifrica completa.

19) So corretas as definies de uma rede cristalina, exceto:
( ) uma unio de vrios tomos semicondutores, cuja forma no espao de um cubo com um tomo em cada vrtice;
( ) Conjunto de propriedades que resultam da forma como esto espacialmente ordenados os tomos ou molculas que o
constituem;
( ) um conjunto de pontos geometricamente distribudos no espao, os quais representam a posio de equilbrio dos
tomos constituintes da matria no seu estado slido;
( ) um conjunto de propriedades geomtricas, formando uma estrutura ordenada de tomos e molculas no espao.






TEORIA ATMICA DA MATRIA

16

20) So corretas as afirmativas, que, define uma ligao covalente, exceto:
( ) uma ligao caracterizada pelo compartilhamento de um ou mais pares de eltrons entre tomos, causando uma
atrao mtua entre eles, que mantm a molcula resultante unida;
( ) um tipo de ligao que ocorre sempre entre tomos ametlicos, pois eles so muito eletronegativos e quase nunca
doam seus eltrons.
( ) uma ligao que ocorre quando um par de eltrons compartilhado por dois tomos;
( ) um tipo de ligao que ocorre sempre entre tomos metlicos, pois eles so muito eletro positivos e quase
nunca doam seus eltrons.

21) Corresponde aos dois elementos semicondutores mais utilizados na confeco de componentes eletrnicos e um deles
tem maior aplicao.
( ) Germnio e Carbono, o mais aplicado o germnio;
( ) Germnio e silcio, o mais aplicado o silcio;
( ) Silcio e chumbo, o mais aplicado o silcio;
( ) Estanho e germnio, o mais aplicado o germnio;

22) O elemento semicondutor de silcio, tem maior aplicao na confeco de componentes eletrnicos que o elemento de
germnio. So corretas as afirmativas, exceto:
( ) porque o silcio tem nmero atmico 14 e o germnio 32, sendo assim a camada de valncia do silcio tem os seus
eltrons submetidos a uma fora nuclear maior que os eltrons da camada de valncia do germnio;
( ) porque e o germnio tem nmero atmico 32 e o silcio 14, sendo assim os eltrons de valncia do germnio
submetido a uma menor fora nuclear, possibilitando assim uma maior corrente de fuga no semicondutor;
( ) porque o germnio tem nmero atmico 32 e o silcio 14, sendo assim a camada de valncia do silcio tem os seus
eltrons submetidos a uma fora nuclear menor que os eltrons da camada de valncia do germnio;
( ) porque o silcio tem nmero atmico 14 e o germnio 32, sendo assim os eltrons de valncia do slicio submetido
a uma maior fora nuclear; possibilitando assim uma menor corrente de fuga no semicondutor;

23) Quanto ao fluxo de corrente nos materiais condutores e semicondutores, so corretas as afirmativas, exceto:
( ) O semicondutor oferece dois trajetos para a corrente eltrica, um atravs da banda de conduo (eltrons) e outro
atravs da banda de valncia (lacunas); enquanto os materiais condutores oferecem apenas um trajeto para a corrente
eltrica, que atravs dos eltrons da camada de valncia, que resulta na banda de valncia ou banda de conduo.
( ) O semicondutor oferece dois trajetos para a corrente eltrica, um atravs da banda de conduo (eltrons) e outro
atravs da banda de valncia (lacunas); enquanto os materiais condutores oferecem apenas um trajeto para a corrente
eltrica, que atravs dos eltrons da camada de valncia;
( ) O semicondutor oferece dois trajetos para a corrente eltrica, enquanto os materiais condutores oferecem apenas um
trajeto para a corrente eltrica;
( ) O semicondutor oferece dois trajetos para a corrente eltrica, um atravs da banda de conduo (lacunas) e outro
atravs da banda de valncia (eltrons); enquanto os materiais condutores oferecem apenas um trajeto para a corrente
eltrica, que atravs dos eltrons da camada de valncia;

24) O que significa recombinao num elemento semicondutor ?
( ) quando um eltron livre encontra e ocupa uma lacuna da banda de valncia, restabelecendo uma ligao na
estrutura de seu prprio tomo;
( ) quando um eltron livre encontra e ocupa uma lacuna, restabelecendo uma ligao covalente;
( ) quando um eltron de valncia encontra e ocupa uma lacuna, restabelecendo uma ligao covalente;
( ) quando um eltron livre encontra e ocupa uma lacuna da banda de conduo, restabelecendo uma ligao
na estrutura de seu prprio tomo;

25) So corretas as afirmativas sobre dopagem de um semicondutor, exceto:
( ) Processo de adicionar-se a impureza a um cristal intrnseco;
( ) Introduo de elementos tetravalentes e/ou pentavalentes, no interior de um cristal semicondutor;
( ) um processo de adicionar-se impurezas receptoras ou aceitadoras, no interior de um semicondutor extrnseco;
( ) A dopagem consiste no acrscimo de quantidades infinitesimais de um elemento em outro, geralmente o silcio ou
germnio;

26) So corretas as afirmativas sobre impurezas doadoras, exceto:
( ) So elementos que dispem na camada de valncia 5 eltrons;
( ) So elementos que dispem na camada perifrica 5 eltrons;
( ) So elementos que dispem na ultima camada 5 eltrons;
( ) So elementos que dispem na banda de conduo 5 eltrons.

27) So corretas as afirmativas sobre impurezas receptoras, exceto:
( ) So tomos trivalentes que dispem de um eltron na rbita de valncia, quando dopados com elementos
tetravalentes;
( ) So elementos que dispem na camada perifrica 3 eltrons;
( ) So elementos que dispem na ultima camada 3 eltrons;
( ) So tomos trivalentes que dispem de uma lacuna na rbita de valncia, quando dopados com elementos
tetravalentes;

28) O que um semicondutor tipo P e tipo N ?
( ) So os semicondutores extrnsecos, que, recebem impurezas trivalentes e impurezas pentavalentes;
( ) So os semicondutores intrnsecos, que, recebem impurezas pentavalentes e impurezas trivalentes;
( ) So os semicondutores intrnsecos, que, recebem impurezas doadoras e impurezas aceitadoras;
( ) So os semicondutores intrnsecos, que, recebem impurezas trivalentes e impurezas pentavalentes;





TEORIA ATMICA DA MATRIA

17


29) Num semicondutor tipo P e tipo N, quem so os portadores majoritrios e minoritrios, e em que banda esto
localizados, respectivamente ?
( ) P maj. Eltrons banda de valncia e min. Lacunas banda de conduo, N maj. Lacunas banda de
conduo e min. Eltrons banda de valncia;
( ) P maj. Lacunas banda de valncia e min. Eltrons banda de conduo, N maj. eltrons banda de
conduo e min. Lacunas banda de valncia;
( ) P maj. Lacunas banda de conduo e min. Eltrons banda de valncia, N maj. eltrons banda de valncia
e min. Lacunas banda de conduo;
( ) P maj. Prtons banda de valncia e min. Nutrons banda de conduo, N maj. Prtons banda de conduo
e min. Nutrons banda de valncia;

30) Para uma juno PN, so corretas as afirmativas, exceto:
( ) um cristal adicionado de um lado impurezas pentavalentes e de outro lado impurezas trivalentes, a esta juno de
duas regies comumente conhecido como diodo trivial;
( ) um cristal adicionado de um lado impurezas doadoras e de outro lado impurezas aceitadoras, a esta juno de duas
regies comumente conhecido como diodo zener;
( ) um cristal adicionado de um lado impurezas tipo N e de outro lado impurezas tipo P, a esta juno de duas
regies comumente conhecido como diodo de juno;
( ) um cristal adicionado de um lado impurezas pentavalentes e de outro lado impurezas tetravalentes, a esta juno de
duas regies comumente conhecido como diodo LED;

31) Um elemento semicondutor, tem em sua camada energtica P eltrons de valncias. Determinar o nome e o nmero
atmico do elemento ?
( ) Germnio ( Ge ) 32
( ) Chumbo ( Pb ) - 82
( ) Silcio ( Si ) 14
( ) Estanho ( Sn ) 50

32) Um elemento qumico definido como pentavalente na camada energtica L . Determinar o nome e o nmero
atmico do elemento ?
( ) Fsforo ( P ) 15
( ) Arsnio ( As ) 33
( ) Nitrognio ( N ) 7
( ) Oxignio ( O ) 8

33) Determinar o tipo do material semicondutor, sabendo que, para movimentar um eltron da banda de valncia para a
banda de conduo foi necessrio 1,76 x 10
-19
joules.
( ) Germnio;
( ) Estanho;
( ) Chumbo;
( ) Silcio.

34) Um elemento qumico definido como impureza receptora no processo de dopagem de semicondutores, apresentando
seus eltrons de valncia na camada energtica N . Qual o nome e o nmero atmico do elemento ?
( ) Estanho (Sn) 50;
( ) Alumnio (Al) 13;
( ) Bismuto (Bi) 83;
( ) Glio (Ga) 31.

35) Um elemento qumico definido como impureza doadora no processo de dopagem de semicondutores, apresentando
seus eltrons de valncia na camada energtica N . Qual o nome e o nmero atmico do elemento ?
( ) Silcio (Si) 14;
( ) Arsnio (As) 33;
( ) Fsforo (P) 15;
( ) Alumnio (Al) 13.

36) Um elemento qumico que no definido como impureza no processo de dopagem de semicondutores, apresenta oito
eltrons de valncia na camada energtica M . Qual o nome e o nmero atmico do elemento ?
( ) Cobre (Cu) 29;
( ) Argnio (18) 18;
( ) Nenio ( Ne) 10;
( ) Germnio (Ge) 32

37) Classifique em ordem decrescente os melhores condutores de energia eltrica, quanto sua caracterstica qumica.
( ) Cobre Prata Ouro Ferro e Alumnio;
( ) Prata Ouro Cobre Alumnio e Ferro;
( ) Ouro Prata Cobre Alumnio e Ferro;
( ) Ouro Prata Cobre Ferro e Alumnio;













TEORIA ATMICA DA MATRIA

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1.8 EXERCCIOS CLCULOS CAP. I

1) Um elemento semicondutor, tem em sua camada energtica P eltrons de valncias. Determinar o nome e o nmero
atmico do elemento ?

2) Um elemento qumico definido como pentavalente na camada energtica L . Determinar o nome e o nmero
atmico do elemento ?

3) Um elemento tem em suas camadas energticas um massa de eltrons de 4,555 x 10
-22
gramas. Determinar o nome e
o nmero atmico do elemento ?

4) Um condutor de energia de alumnio, apresenta em sua curva caracterstica inicial uma resistncia de 4,556O 26.
Determinar sua resistncia a uma temperatura final de 44 ?

5) A reta tangente a dois pontos da curva caracterstica de um material, apresenta uma declividade de 0,65. Determinar
o valor da resistncia inicial, sabendo que a resistncia no trmino de uma variao de temperatura de 23, foi de
7,32O ?

6) Um material condutor apresentou uma variao de resistncia de 1,22O, para uma variao de temperatura de
42.Determinar o angulo de declividade da reta tangente formado pelo material?

7) Um condutor de energia de cobre, apresenta em sua curva caracterstica final uma resistncia de 12,346O 62.
Determinar sua resistncia a uma temperatura inicial de 25 ?

8) Qual a variao de temperatura necessria, para fazer um condutor de prata que apresenta uma resistncia de 0,32
O atingir uma resistncia final de 0,39O ?

9) Determinar a quantidade de energia em joules, existente na camada perifrica do arsnio ?

10) Um elemento tem em sua camada de valncia uma energia de 4,8 x 10
-18
joules, determinar o nome e o nmero
atmico do elemento, sabendo que esta energia esta localizada na camada energtica N ?

11) Circula por um material condutor 2A , num intervalo de tempo de 20 segundos. Qual a quantidade de cargas
eltricas (coulomb) que circula pelo material ?

12) Sabendo que circula pelo filamento de uma lmpada incandescente 1,2A em 15 minutos, determinar a quantidade de
eltrons que circulou pelo filamento ?

13) Um semicondutor apresenta em seu corpo uma temperatura de 28C, determinar a temperatura em graus Kelvin, que o
mesmo esta operando ?

14) Circula por um material semicondutor 1 coulomb, no intervalo de 10 segundos. Determinar a intensidade de corrente
em ampres, que circula pelo material ?

15) Um Waffers de germnio, dissipa uma energia trmica de 8 x 10
-17
joules. Determinar sua energia gasta em eV ?

16) Para o grfico representado abaixo, determinar o tipo de material condutor.



17) Determinar a quantidade de energia em joules, existente na camada perifrica do arsnio ?

18) Circula por um material condutor 2A , num intervalo de tempo de 20 segundos. Qual a quantidade de cargas
eltricas (coulomb) que circula pelo material ?

19) Circula por uma lmpada incandescente 2

A, ligada em 130V. Determinar a potencia eltrica de consumo da lmpada?

20) Determinar a corrente que circula por uma carga de 60 Coulomb, num intervalo de tempo de 2 minutos.