CIRCUITOS DE DISPARO SIN AISLAMIENTO

INTRODUCCIN

En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers) con las siguientes caractersticas: Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de potencia. Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser de baja o media potencia. Deben generar seales adecuadas para garantizar: o La conmutacin rpida con prdidas mnimas. o La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en conduccin mnimas. o El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente. o Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin del dispositivo que controlan: Sobrecorriente. Tiempos muertos en ramas de puentes.

El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en dispositivos semiconductores de potencia. Las salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutacin es una funcin directa de la conmutacin por consiguiente, las caractersticas del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El diseo de un circuito excitador requiere conocer las caractersticas de compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unin (BJT), transistores de efecto de campo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequea, del orden de los nanoamperes. El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir conectando un circuito RC, para cargar con mayor rapidez la capacitancia de compuerta. Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la capacitancia es: IG = VG / RS y el valor de estado permanente de voltaje de compuerta es VGS = RGVG / (RS + R1 + RG) donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta. EXCITADOR DE BASE PARA BJT La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin, encendido, y el tiempo de desactivacin, apagado. Se puede reducir el tiempo de encendido permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin, dando como resultado una B forzada baja al principio. Despus de la activacin puede aumentar la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para mantener el transistor en la regin de casi saturacin. El tiempo de desactivacin se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin. Al aumentar el valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo de almacenamiento.

Las tcnicas de uso comn para optimizar la activacin de la base de un transistor son: 1) 2) 3) 4) Control de encendido Control de apagado Control proporcional en base Control por antisaturacin

Diseo del circuito disparo: 1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1).

2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con el BJT en estado de conduccin, se determina de la ecuacin 9-2. 3. Se calcula de la ecuacin 9-3, suponiendo que vale unos 8 Volt. Un valor pequeo de disminuye las prdidas (del orden de . ) en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de aumenta la influencia de en el circuito de base (ecuacin 9-3).

En el circuito a)

: =(

Problemas: o Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas resistencias de valor pequeo. o Aparece una disipacin de potencia importante durante debido al pequeo valor de : ( /T) ( / ). En el circuito b): = = .

o No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los dos transistores a la vez. o Puede hacerse muy pequea (incluso cero). La carga y descarga de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT). En el mercado existen numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1 Amp.

Para acelerar la conmutacin al corte de transistores con puerta tipo Bipolar MOS puede aplicarse una tensin negativa en la puerta, as: En los BJT, aparece una corriente de base negativa que disminuye drsticamente el tiempo de almacenamiento. En los MOS e IGBT se acelera la descarga de la capacidad de puerta como se observa en la siguiente figura:

La tensin vale 55 Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la tensin vale inicialmente +20 Volt, cambiando a 0 Volt, en el caso Unipolar y a 20 Volt, en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre ambos casos es de unos 35 nS.

Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su entrada (al saturar el transistor cuando se corta el transistor ).

CIRCUITOS DE DISPARO CON AISLAMIENTO

Figura: Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control.

Tensiones elevadas (lneas rojas). Necesidad de proteccin del personal que maneja los equipos de control. Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes niveles de tensin. El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores, transformadores de pulsos.

 Acoplados pticamente

Figura: Seal de Control Optoacoplada. El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito de control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura. Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas, (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia de los cables largos). No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.

Figura: Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control.

El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y as acelerar su conmutacin.

Figura: Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control. Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta). Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y +/15v.

Acoplados magnticamente

Figura: Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso.

El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar. El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores.

Figura: Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso.

La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.

Figura: Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo aproximadamente Constante. Evita Fuente de alimentacin. de Trabajo

Si T1 est conduciendo, ib sera negativo y por tanto, T2 se cortar. La corriente de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: Adems, durante el tiempo que est cortado T 1 Cp se descargar por Rp. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T 1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que:

Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.

Figura: Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo.

Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1, haciendo que el MOS de potencia conduzca. Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se descargue), luego Vo=0. Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener cargado C1 hasta el prximo disparo.

CIRCUITOS DE DISPARO CON DISPOSITIVOS DIGITALES

Cuando la seal de entrada se encuentra contaminada con ruido, la conmutacin de un circuito digital o analgico ya no se efecta en el tiempo preciso para el cual se dise el circuito y, en consecuencia, se produce una indecisin o indeterminacin en el umbral o momento de la comunicacin, esto se puede apreciar en la figura, esta indeterminacin tambin puede llamarse parpadeo.

En la figura se observan cambios falsos en la salida; para evitarlos, una solucin es aplicar el concepto de histresis de circuitos magnticos.

Circuito digital Schmitt

Un circuito de disparo tipo SCHMITT no entra en la clasificacin como flip-flop, sin embargo presenta una caracterstica de memoria que lo hace muy til en algunas situaciones, como por ejemplo, la eliminacin de ruido que se puede presentar en un circuito productor de una interferencia, una incorrecta eliminacin del rizado de la fuente de alimentacin o un rebote producido por un contracto electrnico como puede ser de un interruptor, un relevador, entre otros.

Este tipo de circuitos se encuentra diseado para una seal que cambia con lentitud y produce una seal libre de oscilaciones, en general, la salida tendr tiempos de transicin breves que son independientes de la caracterstica de la seal de entrada En la figura se muestra un circuito inversor con disparo tipo Schmitt y una grfica que muestra la transicin en su respuesta.

En la figura de arriba se puede notar que la forma de onda de salida cambia de bajo a alto hasta que la entrada rebasa el umbral de voltaje de ascenso, V T+. Una vez que la salida cambia permanecer en ese estado aunque la entrada caiga por debajo de VT+ (esta es la caracterstica de memoria), hasta que esta se encuentre por debajo del umbral de voltaje de descenso, V T- los valores de los dos umbrales de voltaje varan de una familia lgica a otra, sin embargo VT-, siempre ser menor que VT+. Las compuertas tipo Schmitt emplean el smbolo mostrado en la figura para indicar que pueden responder de manera confiable ante seales que cambian con lentitud, este tipo de circuitos son empleados para convertir seales lentas en seales rpidas y libre de oscilaciones que puedan controlar las entradas de CI estndar. Existen en el mercado distintos circuitos con este tipo de entradas, se pueden mencionar los circuitos 7414, 74LS14 y 74HC14, estos circuitos estn compuestos por seis inversores con este tipo de entradas. Los circuitos 7413, 74LS13 y 74HC13 contienen dos compuertas NAND con cuatro entradas de tipo Schmitt.

Otra aplicacin de estos circuitos es como oscilados astable, El circuito es til para generar seales de reloj para circuitos digitales sncronos, En la figura siguiente se muestra un oscilador astable formado por un inversor con disparo Schmitt.

La seal de salida es aproximadamente una onda cuadrada la cual depende de los valores de R y C. en la figura se muestra la relacin entre la frecuencia y los valores de RC para tres diferentes inversores con disparo Schmitt. Se puede apreciar los lmites mximos de las resistencias para cada dispositivo ya que el circuito no oscilara si no se encuentra por debajo de esos lmites. A pesar de que en la figura no se muestra, el circuito integrado deber ser alimentado con la tensin adecuada de acuerdo a la hoja de daos especificada por el fabricante. Un disparador Schmitt es tambin conocido como comparador con histresis. Al igual que en circuitos digitales, el comportamiento de histresis se encuentra en aplicaciones de circuitos analgicos, diseados a partir de amplificadores operacionales. Detector de cruce por cero con histresis como un elemento de memoria Existe una tcnica estndar para mostrar el comportamiento de un comparador en una sola grfica. Al graficar Ei (voltaje de entrada) en el eje horizontal y Vo(voltaje de salida) en el eje vertical, se obtiene la caracterstica de voltaje de entradasalida, como en la figura siguiente.

Para Ei menor que VLT, Vo = + VSAT. La lnea vertical (a) muestra que V0 va desde *VSAT hasta VSAT con forme Ei se vuelve mayor que VUT. La lnea vertical (b) muestra V0 cambiando desde VSAT hasta + VSAT cuando Ei se vuelve mayor que VLT. La diferencia de voltaje entre VUT y VLT se vuelve mayor que VUT, La lnea vertical (b) muestra V0 cambiando desde VSAT hasta + VSAT cuando Ei se vuelve mayor que VLT. La diferencia de voltaje entre VUT y VLT se denomina voltaje de histresis, VH.

Siempre que un circuito cambia de estado a un segundo estado con cierta seal y despus regresa del segundo al primer estado con otra seal de entrada diferente, se dice que el circuito exhibe histresis. Para el comparador de retroalimentacin positiva, la diferencia en las seales de entrada es VH = VUT VLT.

Si el volteje de histresis est diseado para que sea mayor que el voltaje de ruido pico a pico, no habr cruces falsos de salida. Por tanto, VH indica que tanto ruido pico a pico puede soportar el circuito. Detector no inversor de nivel de voltaje con histresis. Los voltajes de umbral superior e inferior se pueden encontrar a partir de las siguientes ecuaciones: VUT = Vref (1 + (1/n)) (-VSAT / n) VLT = Vref (1 + (1/n)) (+VSAT/N) El voltaje de histresis VH queda expresado por: VH = VUT VLT = (+VSAT (-VSAT))/n