Individual I

INSTITUTO TECNOLGICO DE CHIHUAHUA
BJT y FET
Investigacin individual
Electrnica Analgica II
Ricardo Hernndez Zuba 10060204

Noviembre del 2012
Profesor:
ING: JOSE MANUEL LOPEZ RODRIGUEZ
Indice:
1. Parmetros r y cul es el circuito equivalente de un BJT con estos parmetros ....... 3 2. Parmetros h y cul es el circuito equivalente de un BJT con estos parmetros ........... 5 3. Ecuaciones que relacionan parametros r y parametros h ........................................... 7 4. Configuracin de un amplificador BJT de pequea seal en configuracin emisor comn. ................................................................................................................................... 9 a) Anlisis en CD ............................................................................................................... 9 b) Circuito equivalente de CA con parmetros r y parmetros h ........................... 11 c) Ecuaciones para el clculo de la ganancia de voltaje, corriente y potencia .............. 11 d) Ecuaciones para el clculo de la respuesta total en frecuencia del amplificador (frecuencias de corte bajas y altas). .................................................................................. 12 5. Amplificador BJT en colector comn. ........................................................................... 14 a) Analisis en CD . ........................................................................................................... 14 b) Analiss en CA ............................................................................................................ 15 6. Configuracin de un amplificador BJT de pequea seal en configuracin base comn. ................................................................................................................................. 18 a) Anlisis en CD ............................................................................................................ 19 b) Circuito equivalente en CA en parmetros H y re ..................................................... 20 c) Ecuaciones para calculo de Ganancias ....................................................................... 21 7. JFET en pequea seal en Configuracin de Fuente Comn ................................. 22 a) Anlisis en Corriente Directa ...................................................................................... 22 b) Circuito equivalente en parmetros re........................................................................ 23 c) Ecuacin de Ganancia Av ........................................................................................... 23 8. Configuracin Fuente-seguidor (Drenaje Comn) para el JFET en pequea seal .... 24 a) Anlisis en CD ............................................................................................................. 24 b) Ganacia de Voltaje....................................................................................................... 25 9. Configuracin de compuerta comn para el JFET en pequea seal. ......................... 27 a) Anlisis en CD ............................................................................................................. 27 b) Analisis en CA ............................................................................................................. 28
1. Investigar qu y cules son los parmetros r y cul es el circuito equivalente de un BJT con estos parmetros
La clave para el anlisis en pequea seal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (modelos).Un modelo es la combinacin de elementos del circuito, que permiten describir el comportamiento real de un dispositivo bajo ciertas condiciones de operacin. Modelo re El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la regin de inters. Configuracin de emisor comn Para la configuracin de emisor comn
En la figura a), las terminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Adems, la terminal de emisor es ahora comn entre los puertos de entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn dar por resultado la configuracin de la figura b). Advirtase que la fuente controlada por corriente an est conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aun es Ic. Las corrientes de base y de colector estn relacionadas por la ecuacin:
Por su parte la corriente a travs del diodo es:
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin:
Electrnica Analgica II Zi: Impedancia de entrada Vi: Voltaje de entrada Ii: Corriente de entrada Vbe: Voltaje base-emisor Ib: Corriente de base Reemplazando el diodo por una resistencia se obtiene el circuito siguiente:
Por la ley de Ohm se deduce que
Como conclusin de lo anterior se puede deducir que la impedancia de entrada es:
Por su parte re se obtiene de la siguiente formula ( )
2. Investigar qu y cules son los parmetros h y cul es el circuito equivalente de un BJT con estos parmetros
El modelo de parmetros h considera una red de dos puertas tomando como variables independientes la corriente de entrada y el voltaje de salida (Fig. 1)
Los parmetros se resumen en la siguiente taba:
Para un transistor BJT con configuracin Emisor Comn
Los parmetros hbridos resultantes para el circuito mostrado son:
Luego el modelo completo basado en parmetros h ser una red de dos puertos como la indicada en la figura:
hie: es la resistencia en la juntura BE y corresponde al inverso de la pendiente de la cuerva de iB-VBE del transistor, es un valor que depende del punto de operacin y por ende varia. hre: ser la ganancia inversa de voltaje, por lo general su valor no es medible por lo que se considera cero. hfe: ser la ganancia directa de corriente para seal, es equivalente al parmetro de cc. hoe: es la conductancia de salida del BJT y corresponde a la pendiente de la curva iCVce.
3. Ecuaciones que relacionan parametros r y parametros h

Las cantidades y se denominan parmetros hbridos y son los componentes de un circuito equivalente de pequea seal. El modelo hbrido junto con todos sus parmetros era el modelo elegido sin embargo, en la actualidad el modelo se aplica de forma ms frecuente, pero por lo general junto con el parmetro del modelo equivalente hbrido para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida.
A partir de las figuras anteriores queda claro que:
CONFIGURACION EMISOR COMUN
CONFIGURACION BASE COMUN
CONFIGURACION COLECTOR COMUN
4. Investigar la configuracin de un amplificador BJT de pequea seal en configuracin emisor comn.

a) incluir el procedimiento para el anlisis en CD
El siguiente circuito, es un amplificador BJT, con configuracin emisor comn
Para el anlisis en CD, los capacitores as como las fuentes de CA se toman como circuito abierto
Luego se obtiene el voltaje de polarizacin en la base, as como su resistencia mediante su equivalente de thevenin.
Luego mediante leyes de voltaje de Kircchoff
Ya que Ic es aproximadamente igual a IE
Con esto es posible obtener ( Y ( ) )
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b) incluir el circuito equivalente de CA con parmetros r y parmetros h Para el anlisis en CA, primero se reemplazan los capacitores por cortocircuitos y las fuentes de CD se envan a tierra (figura a), luego se reemplaza el circuito resultante por su modelo hibrido equivalente (figura b)
Por las leyes de voltaje de Kircchoff obtenemos las siguientes ecuaciones:

( )
Despejando la corriente IB de una de las ecuaciones y sustituyndola en otra:

( ( ) )
c) Incluir las ecuaciones para el clculo de la ganancia de voltaje (Av), ganancia de corriente (Ai) y ganancia de potencia (Ap), i.e. el procedimiento para el anlisis de CA Para el clculo de la ganancia de voltaje, es necesario obtener primero Rin y Rout, que representa las resistencias de entrada y salida respectivamente.
11
Por lo tanto
| |
Por su parte Conociendo las resistencias de entrada y salida, as como los voltajes de entrada y salida, es fcil obtener la ganancia de corriente Ai
| | ( ( | | ) )
)(
Una vez obtenidas las ganancias de corriente y de voltaje, podemos obtener la ganancia de potencia como el producto de estas, es decir:
d) Incluir las ecuaciones para el clculo de la respuesta total en frecuencia del amplificador (frecuencias de corte bajas y altas). Para el anlisis en frecuencia se buscan las frecuencias de corte.
12
Como se muestra en la imagen existirn dos frecuencias de corte f ci y fcs que representan las frecuencias de corte baja y alta. Cuando el amplificador opera a estas frecuencias presenta una ganancia del 70% de la ganancia total. Las formulas para obtener estas frecuencias son:
( )
Donde Rs es la resistencia interna de la fuente que alimenta la seal, Ri es la resistencia de entrada del circuito, y Cs es el capacitor de acoplamiento de entrada.
Cwo capacitancia de alambrado de salida. Cce capacitancia parasita de cableado. Cmo capacitancia de miller de salida.
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5. Amplificador BJT en colector comn.

a) Analisis en CD Este amplificador se caracteriza por tener una muy alta impedancia de entrada, una muy baja impedancia de salida, una ganancia de voltaje ligeramente menor a la unidad, y ganancia de corriente alta. Todas estas caractersticas lo hacen til como acoplador de impedancias.
Siguiendo los pasos y procedimientos anteriores, el siguiente paso ser el de representar al transistor por el modelo de seal pequea de parmetros h para la configuracin de colector comn, sin embargo el circuito resultante es un circuito que no suele utilizarse en la prctica. En la prctica, su anlisis es desarrollado mediante representacin de parmetros h correspondientes a la configuracin de emisor comn.
14
b) ANALISIS DE CA El voltaje viene dado por Estos voltajes en trminos de las corrientes del transistor quedan expresados como:
( )( ) ( )( )
Expresando la corriente de emisor en trminos de la corriente de base:

( )( ) ( ) ( ( )( )( )( ) )
Esta ecuacin puede ser representada mediante el siguiente circuito:
Con este circuito, podemos obtener el valor de la impedancia de entrada

( ) ( )( )
La ganancia de voltaje puede encontrarse a partir de la multiplicacin de diversos factores

( ( ( ( ( ( ) ) ( ( )( * )( )( )( ) ) ) ) *( *( *
Haciendo
)(
) con la intencin de simplificar

( ) 15
Electrnica Analgica II ( ( ( )( ) )( ) *
*(
) )( )
*(
* )
Multiplicando los factores: (
)(
) obtenemos:
c) Formulas de Ganacia de Voltaje, Potencia y Corriente

( ( ( )( )( ) )( ) *( ( ( ) ( ) ) ( )( )( ) ) ( ) )
Dividiendo numerador y denominador por (
)(
*( (
)(
) )
Generalmente: (
)(
Adems casi siempre
Para obtener la ganancia de corriente se utiliza el siguiente circuito:
16
( *( *( *
( ( )( *(
)(
) )
)(
Por lo que respecta al clculo de la impedancia de salida se observa que esta impedancia corresponde a la resistencia de Thevenin vista por el capacitor en el amplificador de emisor comn.
( ( ) )
17
6.- Configuracin de un amplificador BJT de pequea seal en configuracin base comn.

Este amplificador se caracteriza por tener baja impedancia de entrada y una impedancia de salida alta y una ganancia de corriente menor a 1. no representa ganancia de corriente pero si de voltaje. En sus regiones de operacin: En la regin Activa acuta como amplificador En la regin de Corte est apagado (Poca corriente pero alto voltaje) En la regin de Saturacin Encendido (Bajo voltaje y corriente alta)
18
A) Anlisis en CD Equivalente en CD
( ( )
19
B) Circuito equivalente en CA en parmetros H y re:

Los parmetros H se emplean para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida, debido a que las especificaciones de los componentes se proporcionan en parmetros h es importante saber cmo utilizarlos, regularmente las especificaciones se dan en emisor comn.
Circuito equivalente en parmetros H
El modelo re es sensible al nivel de operacin de DC, son los ms utilizados comnmente anteriormente los principales utilizados eran lo parmetros hbridos pero en la actualidad han pasado a segundo trmino.
Transistor BJT
Modelo re
20
C) Ecuaciones para calculo de Ganancias
( ( *
21
7.- JFET en pequea seal en Configuracin de Fuente Comn
a) Anlisis en Corriente Directa:
Vg=R2R1+R2*VDD Rg R R
Vgs Vg-Rs*id
22
b) Circuito equivalente en parmetros re
Redibujado
c) Ecuacin de Ganancia Av
( ( ( ) )
23
8. Configuracin Fuente-seguidor (Drenaje Comn) para el JFET en pequea seal

a) Anlisis en CD El equivalente a JFET de la configuracin emisor -seguidor BJT es configuracin fuente-seguidor de la figura 9.24. Obsrvese que la salida toma de la terminal de la fuente y cuando se reemplaza la fuente DC por corto circuito equivalente el drenaje se conecta a tierra (de ah terminologa de drenaje comn). la se su la
F i g u r a 9.24 Configuracin JFET fuente-seguidor
Al sustituir el circuito equivalente del JFET se tiene la c o n f i g u r a c i n d e l a f i g u r a 9 . 2 5 . La f u e n t e c o n t r o l a d a y la i m p e d a n c i a interna de salida del JFET se encuentran en tierra en una terminal ya e n l a o t r a j u n t o con a travs de . D e b i d o a q u e , y e s t n conectados a la misma terminal y tierra, se pueden r e e m p l a z a r p o r e l c i r c u i t o e n p a r a l e l o q u e se m u e s t r a e n l a f i g u r a 9 . 2 6 . La f u e n t e d e c o r r i e n t e i n v i r t i s u d i r e c c i n , p e r o an e s t d e f i n i da e n t r e l a s t e r m i n a l e s d e l a Compuerta y la fuente.
F i g u r a 9.25 Red de la figura 9.24 d e s p u s de la s u s t i t u c i n del modelo e q u i v a l e n t e de AC p a r a el JFET.
24
Figura 9.26 Redibujo de la red de la figura 9.25. est definida por (9.33) : A l h a c e r = O V da por r e s u l t a d o q u e la t e r m i n a l d e l a c o m p u e r t a s e c o n e c t e d i r e c t a m e n t e a la t i e r r a c o m o s e m u e s t r a en la figura 9.27. : L a f i g u r a 9 . 2 6 i n d i c a con claridad que
Figura 9.27 D e t e r m i n a c i n de Zo p a r a la red de la figura 9.24
El hecho de que tanto como se e n c u e n t r e n a t r a v s d e l a m i s m a r e d e n p a r a l e l o d a p o r r e s u l t a d o que . b) Ganacia de Voltaje Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo S,
El resultado es
[
* ]
25
[ Y
Lo cual tiene el mismo formato que la resistencia total de los tres resistores en paralelo. Por tanto,
Para , El voltaje de salida est determinado por ( ) (9.34) (9.35)
Y al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del permetro de la red de la figura 9.26 se obtendr Y De forma que o y Por lo que [ ( ( ( )( ) )]
( ( ) )
) ( ( ) ) (9.36)
En ausencia de
o si
, (9.37)
Debido a que el denominador de la ecuacin 9.36 es mayor que el numerador por un factor de uno, la ganancia nunca puede ser igual o mayor que uno (como sucede para el caso de la red BJT emisor-seguidor). Relacin de la fase: Debido a que , en la ecuacin 9.36 es una cantidad positiva, tanto como se encuentran en fase para la configuracin fuente-seguidor del JFET.
26
9. Configuracin de compuerta comn para el JFET en pequea seal.

A) Anlisis en CD
La ltima configuracin JFET que se analizar con detalle es la configuracin de compuerta comn de la figura 9.29, la cual es paralela a la configuracin de base comn utilizada con los transistores BJT. Al sustituir el circuito equivalente J F E T se obtendr la figura 9.30. Obsrvese la necesidad constante de que la fuente controlada est conectada del d r e n a j e a la fuente con en paralelo. La aislacin entre los circuitos de entrada y de salida obviamente se ha perdido debido a que la terminal de la compuerta ahora se encuentra conectada a la tierra comn de la red. Adems, el resistor conectado entre las terminales de entrada ya no es sino el resistor conectado de la fuente a la tierra. Tambin se puede ver la localizacin del voltaje controlador y el hecho de que aparece directamente a travs del resistor .
Figura 9.29 Configuracion JFET de compuerta comn.
Figura 9.30 Red de la figura 9.29 despus de la sustitucin del modelo equivalen t e de AC p a r a el JFET.
27
El resistor .
se encuentra directamente a travs de las terminales que definen a
B) Analisis en CA Por tanto, se encuentra la impedancia en paralelo con cuando se defina .
de la figura 9.29, la cual simplemente estar
La red de inters se redibuja en la figura 9.31. El voltaje . Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del permetro exterior de la red se obtendr
Figura 9.31 Determinacin de Z', p a r a l a r e d de la figura 9.29.
Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a se obtiene
E O Por lo que
[ ]
*
] ]
(9.38)
O Y
28
Resultados en
(9.39)
Si
, la ecuacin 9.36 permite la siguiente aproximacin a partir de y

:
* *
+ + (9.40)
al sustituir en la figura 9.30 se realizar un corto circuito en el efecto de y colocar a en 0V. El resultado es , y estar en paralelo con . Por lo tanto, (9.41) Para , (9.42)
La figura 9.30 muestra que Y El voltaje a travs de es
Y Aplicando la ley de Kirchhoff al nodo b en la figura 9.30 el resultado es
Y * +
De manera que
29
[ ] [ ]
Con
(9.43)
Para aproximacin y
, el factor
de la ecuacin 9.43 se puede considerar una buena
(9.44) Relacin de la fase: El hecho de que sea un nmero positivo provoca que exista una relacin en fase entre y para la configuracin de compuerta comn.
Referencias:
Electrnica integrada Jacob Millam Mc-Graw Hill Diseo Electrnico Saumot Prenta Hill Teora de Circuitos y dispositivos Boylestad Nashelsky Pearson Microelectrnica Adel S. Sedra Mc-Graw Hill http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDAD1/ 1.2.6.pdf http://es.scribd.com/doc/13931045/Modelaje-Transistores-BJT http://es.scribd.com/doc/44851226/86/EL-MODELO-DE-TRANSISTOR-re
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INSTITUTO TECNOLGICO DE CHIHUAHUA

Ricardo Hernndez Zuba 10060204

ING: JOSE MANUEL LOPEZ RODRIGUEZ

Por su parte la corriente a travs del diodo es:

La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin:

Por la ley de Ohm se deduce que

Como conclusin de lo anterior se puede deducir que la impedancia de entrada es:

Por su parte re se obtiene de la siguiente formula ( )

Los parmetros se resumen en la siguiente taba:

Para un transistor BJT con configuracin Emisor Comn

Los parmetros hbridos resultantes para el circuito mostrado son:

3. Ecuaciones que relacionan parametros r y parametros h

A partir de las figuras anteriores queda claro que:

CONFIGURACION EMISOR COMUN

CONFIGURACION BASE COMUN

CONFIGURACION COLECTOR COMUN

4. Investigar la configuracin de un amplificador BJT de pequea seal en configuracin emisor comn.

Luego mediante leyes de voltaje de Kircchoff

Ya que Ic es aproximadamente igual a IE

Con esto es posible obtener ( Y ( ) )

Por las leyes de voltaje de Kircchoff obtenemos las siguientes ecuaciones:

Despejando la corriente IB de una de las ecuaciones y sustituyndola en otra:

5. Amplificador BJT en colector comn.

Expresando la corriente de emisor en trminos de la corriente de base:

Esta ecuacin puede ser representada mediante el siguiente circuito:

Con este circuito, podemos obtener el valor de la impedancia de entrada

La ganancia de voltaje puede encontrarse a partir de la multiplicacin de diversos factores

) con la intencin de simplificar

Multiplicando los factores: (

c) Formulas de Ganacia de Voltaje, Potencia y Corriente

Dividiendo numerador y denominador por (

Adems casi siempre

Para obtener la ganancia de corriente se utiliza el siguiente circuito:

6.- Configuracin de un amplificador BJT de pequea seal en configuracin base comn.

B) Circuito equivalente en CA en parmetros H y re:

Circuito equivalente en parmetros H

C) Ecuaciones para calculo de Ganancias

7.- JFET en pequea seal en Configuracin de Fuente Comn

a) Anlisis en Corriente Directa:

b) Circuito equivalente en parmetros re

8. Configuracin Fuente-seguidor (Drenaje Comn) para el JFET en pequea seal

F i g u r a 9.24 Configuracin JFET fuente-seguidor

F i g u r a 9.25 Red de la figura 9.24 d e s p u s de la s u s t i t u c i n del modelo e q u i v a l e n t e de AC p a r a el JFET.

Figura 9.27 D e t e r m i n a c i n de Zo p a r a la red de la figura 9.24

9. Configuracin de compuerta comn para el JFET en pequea seal.

Figura 9.29 Configuracion JFET de compuerta comn.

se encuentra directamente a travs de las terminales que definen a

B) Analisis en CA Por tanto, se encuentra la impedancia en paralelo con cuando se defina .

de la figura 9.29, la cual simplemente estar

Figura 9.31 Determinacin de Z', p a r a l a r e d de la figura 9.29.

Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a se obtiene

, la ecuacin 9.36 permite la siguiente aproximacin a partir de y

La figura 9.30 muestra que Y El voltaje a travs de es

Y Aplicando la ley de Kirchhoff al nodo b en la figura 9.30 el resultado es

de la ecuacin 9.43 se puede considerar una buena

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