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Electricit Solaire Photovoltaque

Bernard Equer, CNRS

Photovoltaque- B.Equer

Journes Optique (3-5 Juin 2009)

Plan
Etat des lieux : les filires industrielles
le march photovoltaque la filire du silicium massif les couches minces industrielles

La recherche :
Cellules solaires organiques Vers les hauts rendements

Conclusions

Etat des lieux: les filires industrielles

Photovoltaque- B.Equer

Journes Optique (3-5 Juin 2009)

Conversion Directe (quantique) de la lumire en lectricit


un matriau convertisseur de photons en lectrons un dispositif (ou structure) collectant les charges
dans le cas d'un semiconducteur cristallin :

d'o des exigences fortes sur le matriau : absorbant


Photovoltaque- B.Equer

haute puret
Journes Optique (3-5 Juin 2009)

haute cristallinit
4

Cellule silicium

La cellule standard :
Silicium cristallin (mono ou multi)
0,15 0,3mm d'paisseur 10 cm x10 cm 15 cm x15 cm les cellules sont interconnectes en srie-parallle dans des modules sous verre.

Rendement :

R = E lec / Esol

Commercial 12 20% (120Wc / m2 200Wc / m2) record R&D 24% max. thorique pour cette filire

Energie produite par an :


Nb de kWh produits = Puissance crte x Nb heures de soleil/an (120 200 kWh/m2 par an Paris)

Production mondiale (d'aprs EPIA)

Parc Mondial (d'aprs EPIA)

Un march aid
croissance trs rapide : la production double tous les deux ans plus de 5 GWc* en 2008 (5000 hectares de modules)
15 GWc installs, > 15 TWh produits par an ( 1,7 Mtep sur 6Gtep mondial) essentiellement connects au rseau. (Pb du stockage!!)

c'est un march aid en vue de dvelopper une industrie comptitive rachat des kWh produits prix >> prix de vente usuel en France, depuis 2005, dispositif rglementaire favorable visant l'intgration au bti (30 c/kWh + 25 c/kWh si intgr bti). aides fiscales
* 1kW-crte = puissance max (ciel clair, soleil au znith

2008

vers la comptitivit
dj comptitif avec prix heures de pointe en Californie comptitif avec prix de base vers 2030? ( si <1/Wc )
mais il faut analyser comment l'lectricit PV s'intgre dans un schma de fourniture d'lectricit.

la filire du silicium massif domine le march


Silicium cristallin 89,6% (95% en 2005)
Monocristallin : driv la filire lectronique multicristallin : matriau coul en lingots. Grains mm cm.

Les handicaps du silicium massif


Le silicium est un mauvais matriau optolectronique :
A cause de son gap indirect, il absorbe peu la lumire ( abs 50 m ) Pour russir collecter les porteurs, il faut : Ldiff > abs 50 m Une haute puret (grand donc ncessaires : d'o une grande paisseur d'un matriau cher... ...dont on commence par jeter la moiti pour scier les plaquettes dans des lingots ( 30% du cot cellule). Conclusion : Les cellules en silicium cristallin resteront chres (> 1/Wc) ce qui impose
rec rec

> 1s

) et une excellente cristallinit (grande ) sont

La solution : les couches minces


Utiliser des couches minces d'un matriau semiconducteur :
gap direct ( abs 1m) avec Eg 1,5eV dpos sur un substrat bon march, micro, nano-cristallis et sans (trop) de dfauts. pas pitaxi (c'est une autre filire, hauts rendements et petites dimensions, adapt la conversion sous concentration) trois matriaux ont t rapidement identifis (annes 1970) dans les chalcognures. Ils prsentent tous une excellente cristallinit, mme par dpt basse temprature : Cu2S dans CdS/Cu2S abandonn (1980) aprs dbut d'industrialisation, car pas stable. CdTe CuInSe2 (CIS ou CIGS) plus le silicium amorphe hydrogn, dcouvert (par hasard) au dbut des annes 70.

La filire du Tellurure de Cadmium


bonnes caractristiques (Eg, abs, ) pas dopable n mais htrojonction CdS Performances : R&D 16,5% Meilleurs modules 11,5% modules commerciaux 9,5% Procds de Fabrication : Spray Srigraphie (Matsushita) dpt lectrolytique (BP Solar) Sublimation (First Solar) Pulvrisation, CVD, ALS,... Industrie : FirstSolar, capacit . 1GWc (2009) Cot direct 0,75$/Wc, d'o le kWh 22c$

Dveloppement brid par crainte des rglements anti Cadmium (First Solar rachte les modules en fin de vie)

Cu(In1-xGax)Se2
Excellente cristallinit Bande interdite ajustable par alliage In-Ga (optimum 1,2eV) a abs qq m Bonnes mobilits Grande tolrance : aux joints de grain et intragrains aux contraintes mcaniques (d'o produits flexibles) aux dfauts de stoechiomtrie

Cu(In1-xGax)Se2
Rendements R&D 19,3% (NREL) Meilleurs modules 13% Modules commerciaux >10% Fabrication Spray (pulv. ractive) co-vaporation et slnisation lectrolyse (IRDEP) Jet d'encre (Nanosolar) R&D Eviter CdS

indium, faible disponibilit

Le silicium amorphe hydrogn

Dcouvert par hasard la fin des annes 60, le silicium amorphe produit par PECVD de SiH4 est passiv par l'hydrogne. il est transition directe, abs < 1m bande interdite ajustable par alliage Si-Ge (Eg de 1,2 eV 1,9eV) il est dopable p et n structures p-i-n (collecte des porteurs par le champ) peut-tre dpos <150C sur du verre, en gnral par PECVD de silane (vd 1nm/s) le dopage, les alliages, la gravure se font par simple changement des gaz en PECVD (SiH4 , GeH4, PH3 , B2 H5 , NF3 , ....) Prix du dsordre : mobilits faibles e 1cm2V-1s-1 - 8% et matriau mtastable : m (t) diminue 9% 8-6% (rendement stabilis)

Les cellules multijonctions (a-Si:H)

Le dpt roll to roll (a-Si:H)


UniSolar Sanyo

Dpt sur ruban inox ou plastique

La nouvelle filire a-Si:H / -Si:H


la cristallisation partielle (micro-nanograins) matriaux htrognes polymorphes, 10% stable couches a-Si : H/ -Si:H, cellules micromorphes la filire reste attractive :

- Savoir faire acquis considrable des procds PECVD


Usines cls en mains (Oerlikon, Applied Materials, Jusung)

la R&D :
- essaye d'amliorer les vitesses de dpt et le temps de cycle. - optimise les structures

Machine de dpt Applied Materials (substrats 5,6m2)

SunFab (Applied Materials)

Le cas du silicium en couches minces


malgr sa grande longueur d'absorption, le silicium cristallin reste un matriau attrayant : abondant, peu cher, technologie hyper-dveloppe,... on peut amliorer l'absorption par pigeage optique (texturisation l'avant et rflecteur texturis l'arrire) et esprer des rendement 10% avec 5 microns

d'aprs J.Joly

Le cas du silicium en couches minces


depuis les dbuts du PV, plusieurs dizaines de techniques ont t dveloppes : projection par torche plasma, poudre recuite par lectrons, par laser, par lampes, frittage, laminage chaud, dpt HWCVD, LPCVD, ... mais aucune n'a encore dbouch sur un procd viable! l'atome de silicium est un pur sp3 , ses liaisons sont rigides et le dsordre gnre un taux lev de liaisons brises qui sont des tats dans la bande interdite. Il faut : - hydrogner et dposer trs lentement : microcristallin, amorphe - ou dposer en vrac et recristalliser : procd CSG (Crystalline Silicon on Glass) , 10% dmontr, mais passage en production difficile

Les rubans : des couches semi-minces

Acquis technologiques communs toutes les filires en couches minces


l'interconnexion monolithique. La surface est dcoupe en bandes par des gravures (laser, mcanique,...) aprs chaque dpt, Les bandes sont interconnectes en srie moins de pertes ohmiques dans les couches lectrodes et tension adapte aux usagers. les cellules multispectrales qui ouvrent la voie vers des rendements levs. empilement de cellules avec :

g1

> Eg2 > Eg3


Empilement mcanique ou monolithique

haque cellule convertit une bande spectrale et transmet le reste)

Un dmarrage tardif?
Les trois filires ont connu une industrialisation lente jusque vers 2005. Raisons spcifiques :
crainte d'une rglementation excluant le Cd pour la filire CdTe apparente complexit pour CIGS difficult pour atteindre un rendement >6% stabilis pour a-Si:H

Raisons gnrales :
Concurrence du cristallin Doutes sur un march pour des produits < 10% investissements importants au dmarrage, en particulier : pour les techniques sous vide, pour les procds roll-to roll (Firstsolar et Appl. Materials utilisent des procds batch) : dmarrage prcipit et difficults optimiser un procd avec une chane dj en production.

Modules en couches minces, quelques produits industriels (parmi 60 industries) :


Record Labo CIGS Meilleur module 12,90% 13,00% 14,6% (cellule) 10,20% 7,30% 9,00% 6,90% 6-10% 7,90% 6,30% 6,30% 300 Mwc 70 Mwc Capacit de Module production commercial 2010 9,40% 11,00% 100 Mwc 18 Mwc 430 Mwc 1000 Mwc

Industrie ex-Shell Solar (Avancis)

19,5% (NREL) Wrth Solar Nanosolar 16,5% First Solar (NREL) Antec

CdTe

Applied Materials SunFab a-Si:H 13,50% UniSolar (triple jonction) 12,7% Sanyo Kaneka (simple jonction)

Prvisions : 20 % en 2010, puis ??

La recherche Matriaux organiques (bas cots)

Semiconducteurs organiques
Des cellules organiques mimtiques des inorganiques?? des semiconducteurs organiques sont connus depuis les annes 70 : - polymres comme le polyactylne, - cristaux molculaires comme les phtalocyanines
Forte absorption optique, ajustable en Bon march Faciles dposer substrats souples adapts Faibles mobilits Forte sensibilit l'hygromtrie, aux UV Dure de vie ??

avant 1990, rendements <1%, peu stables

Bi-couches donneur-accepteur
Cration d'excitons trs lis (0,1-1eV) Diffusion des excitons sur qq nm Faible paisseur utile et faible absorption Dissociation des excitons sur l'interface donneur-accepteur Mobilits faibles Forte rsistance srie Rendements 5% Il faut chercher une absorption en volume Ou amliorer les proprits

Un des meilleurs couples donneur-accepteur :

Cellules Colorants : hybrides organiquesinorganiques


En 1991, les cellules colorants de Graetzel introduisent un nouveau concept : la conversion photon-lectron et la sparation lectron-trou par des molcules de colorant greffes sur TiO2 nanocristallin. Pas de recombinaison!

Rendements 11% Plusieurs licenses vendues, pas d'industrialisation (?) Le remplacement de l'lectrolyte liquide par elec. solide s'avre difficile.
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Rseaux interpntrs
Absorption volumique par un mlange de donneur-accepteur plusieurs couples D-A avec driv des fullrnes (PCBM) comme accepteur = 5,3% avec P3HT au lieu de MDMO-PPV prvisions 10% Konarka : produits flexibles, roll-to-roll, dpt par ink-jet 1/2Wc 30Wc
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Rseaux interpntrs rel et idal


collecte par percolation modle idalis : des colonnes (fils) avec un contact redresseur et un contact ohmique

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La Recherche : Vers les hauts rendements

Hauts rendements?? Combien?


le rendement thorique maximum de la conversion photon-lectron est de l'ordre de 85% (le rendement de Carnot est 95%)
augmenter le rendement permet aussi d'abaisser le cot par Wc

Deux solutions prouves :


1- le concept multispectral : on empile des cellules Eg1> Eg2 > Eg3 ... > Egn (sous empilements monolithique ou non-monolithique : sparation par filtres et miroirs concentration) Thorie : T > 40% pour quatre cellules N'est optimum que pour une distribution spectrale donne 2- Concentration par lentilles ou miroirs (mme courant, mais V crot comme Log C) Exprimental : E 40,7% avec triple cellule sous 256 soleils mais exige hliostats pour suivre le soleil
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Modules concentration
Voc augmente sous concentration C du flux solaire,
Voc = Voc AM1.5 + (kT/q) Log (C) Icc inchang, donc le rendement augmente Concentration par lentilles, miroirs, guides de lumire,... - Exprimental : 40,7% avec triple cellule III-V sous 256 soleils (Spectrolab, qui quippe 60% des satellites en vol)) - exige un hliostat pour suivre le soleil et un refroidissement actif - vite le facteur en cos, d'o : gain sur le productible (35-45%) meilleur facteur de forme de la production Perd le diffus : efficace en climat dsertique

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PARC

Neffiz (Isral)
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Pertes dans un convertisseur PV p-n ou p-i-n

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Conversion optique
Optimiser le spectre de photons solaires, en ramenant le spectre vers h s Eg.
down conversion : 1 photon UV produit 2 photons Eg (multi-photon
emission, cascade emission) - Emetteurs ioniques terres rares (Er3+, Eu3+,...), ... - La simple fluorescence : 1 photon UV produit 1 photon Eg , permettrait d'viter la perte technique due aux photons absorbs en surface. Up-Conversion : 2 photons Eg/2 produisent 1 photons Eg (Multi-photon excitation). Peu de matriaux candidats faible intensit (<100mW/cm2) Difficult : Faible efficacit, diminue la transparence pour le reste du spectre.
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Rcuprer les photons IR


Grce des niveaux quantiques intermdiaires.
Matriaux trois bandes (bande de dfauts) Multi-puits quantiques, nano grains. Pas de rsultats, ni de calcul dcisifs aujourd'hui!

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Rcuprer l'nergie des photons UV


1- Avec des quantum dots - Moins de relaxation (et de recombinaison) - Production d'excitons multiples

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Rcuprer l'nergie des photons UV


2- avec des lectrodes slectives en nergie

Conclusions

Croissance long terme : de 200GW 2020 et 1200 en 2030 ...

.... 5000GW en 2030??

Conclusions
Le photovoltaque :
une industrie en croissance rapide, cratrice d'emplois Un march aid Au seuil de la comptitivit conomique

Il faut baisser les cots, non seulement des modules, mais des systmes. L'intgration au bti est une voie banaliser. L'intgration grande chelle du PV dans le rseau reste tudier. Les technologies en couches minces et en silicium massif vont coexister pendant au moins une dizaine d'annes, avec une spciation possible des marchs (centrales btiments privs btiments commerciaux) La recherche sur les organiques est foisonnante. Il faut dmontrer des rendements de 10% et une dure de vie de 20 ans. Le PV dans les pays en dveloppement est bloqu par l'absence d'un stockage efficace.

Applications (sur rseau)

Complments

L'industrie en France :
cristallin Un producteur de cellules et modules : Photowatt (60MW/an en 2007) Plusieurs producteurs de systmes dont Tenesol EMIX : produit des lingots de Si en coule continue SILPRO : silicium solaire Photosil Industrie : pilote de production de silicium solaire Alliance PV est au centre d'un grand programme mobilisateur : Solar Nano Crystal, qui runit tous les acteurs de la filire du silicium cristallin. TOTAL est actionnaire de Photovoltech (Belgique) Couches minces EDF EN : producteur d'lectricit et actionnaire des industriels (First Solar, Konarka,...) SOLEMS: Petits systmes en a-Si:H, modules 1m2 avec SOLSIA . Saint-Gobain est actionnaire de Avancis (100MWc en 2010?)
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