Le transistor bipolaire

Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2008-2009

Pascal MASSON

cole Polytechnique Universitaire de Nice SophiaSophia-Antipolis Cycle Initial Polytechnique -Cycle PolytechniqueLe transistor bipolaire 1645 Initial route des Lucioles, 06410 BIOT

Sommaire I. II. III. IV. V. VI. VII.

Pascal MASSON

Historique Caractristiques du transistor Les fonctions logiques Amplification en classe A Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH Amplification en classe B Amplificateur oprationnel
-Cycle Initial PolytechniqueLe transistor bipolaire

I. Historique
I.1. Dfinition
Le transistor bipolaire est un composant lectronique utilis comme : interrupteur command, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur de signal

Pascal MASSON

-Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire

I. Historique
I.2. Histoire du transistor
1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le transistor contact (transistor) au laboratoire de physique de la socit BELL (USA). Cette dcouverte est annonce en juillet 1948.
Transistor contact 1948

1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent (indpendamment de BELL) aussi le transistor contact en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appel le
Transistron 1948

Transistron pour le distinguer de celui de BELL.

1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le transistor jonction (bipolaire) mais la technique de fabrication ne sera maitrise quen 1951
Transistor jonction 1948
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I. Historique
I.2. Histoire du transistor
Les transistors replacent les contacteurs lectromcaniques des centraux tlphoniques et les tubes dans les calculateurs.
1953 calculateur (93 transistors + 550 diodes) Sonotone 1010

1953

premire

application

portative

du

transistor entant que sonotone.

1954 : premire radio transistors.

Rgency TR-1 (4 transistors)

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Le transistor bipolaire

I. Historique
I.3. Histoire des premiers circuits intgrs
1958 : Jack KILBY de Texas Instrument prsente le premier circuit (oscillateur) entirement intgr sur une plaque de semiconducteur.
1958 premier circuit intgr

1960 : production de la premire mmoire

1960 Flip Flop en circuit intgr

Flip

Flop

par

la

socit

Fairchild Semiconductor. 1965 : partir du nombre de composants par circuit intgr fabriqu depuis 1965, Gordon MOORE (Fairchild Semiconductor) prdit que le nombre de composants intgrs (par unit de surface) doublera tous les 12 mois. Cette loi est toujours vraie !
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II. Caractristiques du transistor

II.1. Dfinition dun transistor bipolaire
Le transistor bipolaire est cr en juxtaposant trois couches de semiconducteur dops N+, P puis N pour le transistor NPN (courant d un flux dlectrons) ou dops P+, N puis P pour le transistor PNP (courant d un flux de trous). Le niveau de dopage dcroit dun bout lautre de la structure. Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de collecteur, IC, bien plus important.

II.2. Reprsentation
collecteur collecteur

IC
collecteur metteur base

IC
base

VCE VBE
metteur

IB N P N+ IE

VCE VBE
metteur

IB P N P+ IE

base
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Transistor NPN
-Cycle Initial Polytechnique-

Transistor PNP
Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor

II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBE est suffisante, la diode BE (base metteur) est passante : Courant de trous de B vers E. Courant dlectrons de E vers B
qV qV I = IS . exp BE = (ISt + ISe ). exp BE kT kT

IC IB N P N+ VBE IE VCE

Si la tension VCE est suffisante, les lectrons qui arrivent dans la base sont envoys dans le collecteur. La diode CB est polarise en inverse.

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-Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor

II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Par convenance on pose : VT =
q ( = 25.6 mV 300K ) kT

IC IB N P N+ VBE IE VCE

Les trois courants du transistors bipolaire sont donc les suivants : IB : courant de trous de B vers E. VBE I B = ISt . exp V T IC : courant dlectrons de E vers C VBE I C = ISe . exp V T

IE : courant de trous de B vers E + courant dlectrons de E vers C VBE I = IS . exp V T Le rapport, , entre les courants IC et IB dpend entre autres des niveaux de dopage de lmetteur et de la base ainsi que de lpaisseur de la base : IC = .IB
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II. Caractristiques du transistor

II.3. Caractristiques IB(VBE) du transistor NPN
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure la tension de seuil, VS, de cette diode : VBE > VS. La caractristique IB(VBE) est celle de la diode base-metteur en ne considrant que le courant de trou. Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant dlectrons.

collecteur

IC
base

IB (A)
inverse directe

VCE VBE
metteur

IB N P N+ IE

0
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VS

VBE (V)

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Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor

II.3. Caractristiques IB(VBE) du transistor PNP
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure (en valeur absolue) la tension de seuil, VS, de cette diode soit : VBE < VS. La caractristique IB(VBE) est celle de la diode base-metteur en ne considrant que le courant des lectrons. Ici le courant des lectrons est bien plus faible que le courant des trous.

collecteur

IC
base

IB (A)
directe inverse

VCE VBE
metteur

IB P N P+ IE

VS
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VBE (V)

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II. Caractristiques du transistor

II.3. Caractristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarise en inverse, alors le courant dlectrons peut traverser cette jonction. Dans ce cas le courant IC est indpendant de VCE : rgime linaire (IC = .IB) Si VCE = 0 alors aucun courant ne circule entre lmetteur et le collecteur Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit la tension VCEsat (sat pour saturation) : le courant IC nest pas proportionnel IB.
satur collecteur Linaire

IC
base

IC (A)

IB4 IB3 IB2 > IB1

VCE VBE
metteur

IB

N P N+ IE 0
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IB1 VCEsat VCE (V)

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Le transistor bipolaire

III. Les fonctions logiques

III.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 R.I C On obtient alors la droite de charge : Si VE = 0 V : VBE Si VE = 24 V : VBE IC (A)

24 V 6V R E VE 0V
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IC

IB4

R1

RB IB VBE

S VCE = VS 0 A VCE (V)

Le transistor bipolaire

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III. Les fonctions logiques

III.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 R.I C On obtient alors la droite de charge : On trace maintenant la caractristique VS(VE) de linverseur.

VS (V) A 24

IC (A)

IB4 IB3 IB2 > IB1

VCEsat

B 24 VE (V) 0

IB1 A VCE (V)

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III. Les fonctions logiques

III.1. Linverseur
Table de vrit et symbole logique : E 0 1 S 1 0 E S=E

En pratique on dfinit un gabarie pour linverseur VS (V) 24

VCEsat 24 VE (V)
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III. Les fonctions logiques

III.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)
24 V 6V R2 R1 E1 0V Table de vrit et symbole logique : E2 0 E1 E2 S = E1+E2 0 1 1
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IC

RB

R S VCE = VS

Schma lectrique dune porte NI :

E2

IB VBE

E1 0 1 0 1

S 1 0 0 0

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III. Les fonctions logiques

III.3. La fonction mmoire deux portes NI
Le but est de stocker linformation 1 ou 0. Schmas logique le la mmoire : 0 Set 0 Reset 1 Q Q 0 Table de vrit : Set Reset 0 0 Q 0 Q 1

Chronogramme : Set 1 0 Reset 1 0 Q 1 0 Q 1 0

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t t t t

III. Les fonctions logiques

III.3. La fonction mmoire deux portes NI
Symbole logique de la mmoire RS (bascule RS) : Schmas lectrique de cette mmoire : 24 V 6V R2 R1 0V Mmoire de type RAM (Random Acces Memory) qui sapparente la SRAM (Static) : linformation disparat si on teint lalimentation. Si le pont de base consomme 1 A (sous 30 V) et que lon stocke 106 bits alors la mmoire disperse au moins 30 W !
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Set Reset

Q Q

RB

R Reset Q R2 R1

RB

R Q

Set

III. Les fonctions logiques

III.3. La fonction mmoire deux portes NI

1971 : 256-bit TTL RAM (Fairchild)

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Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.1. Principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe A amplifie tout le signal dentre. On travaille dans la partie linaire du transistor qui est polaris en statique IB0 et IC0. Le courant IB oscille autour de IB0 et donc IC oscille autour de IC0 avec IC = .IB. Sans signal dentre, lampli consomme IC0 : mauvais rendement (au mieux 50 %). IC (A) ICmax IC0 ICmin 0
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VDD IC = .IB RC IC VS VCE = VS

IB VE = VBE

IC (A) IBmax IB0 IBmin VCE (V)

-Cycle Initial PolytechniqueLe transistor bipolaire

ICmax IC0 ICmin

IC = .IB t

IV. Amplification classe A

IV.2. Elments du montage
Les rsistances R1 et R2 constituent le pont de base : polarisation de la base Le condensateur C ne laisse passer que la variation de Ve et non la composante continue : vite de modifier la polarisation de la base. CL est aussi un condensateur de liaison qui permet la charge RL (rsistance dentre du bloc R1 C IP VBE Ve R2 Vs RL RC CL suivant) de ne pas modifier la polarisation du transistor. VDD

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IV. Amplification classe A

IV.3. Point de repos du montage
Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants lorsquon ne considre que le rgime statique (ne dpend pas du temps). C et CL se comportent comme des interrupteurs ouverts. En rgle gnrale on impose IP >> IB : On peut aussi faire le calcul de IB avec : V I P = BE R1.(I P + I B ) = VDD VBE et R2 do IP VBE R2 VCE VDD R1 RC

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IV. Amplification classe A

IV.4. Rgime petit signal : paramtres h
VCE0 IC (A) IC (A) ICmax IC0 IC0 ICmin IB (A) IBmax IB0 0 VBE0 VBE (V) IB (A) t VCE0 VCE (V) t

Composantes statique + dynamique

I C ( t ) = I C0 + i c (t ) VBE ( t ) = VBE0 + v be (t ) I B ( t ) = I B0 + i b (t ) VCE ( t ) = VCE0 + v ce (t )

Dfinition des paramtres hybrides ib v be = h ie .i b + h re .v ce bipolaire vbe i c = h fe .i b + h oe .v ce

-Cycle Initial PolytechniqueLe transistor bipolaire

ic vce

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IV. Amplification classe A

IV.4. Rgime petit signal : paramtres h
VCE0 IC (A) Dtermination de hie hoe
h ie = v be V = BE i b v = 0 I B V = V CE CE 0 ce

hfe

IC0

Dtermination de hfe IB (A) IB0 0 VBE0 VBE (V) VCE0 VCE (V)
h fe = i c = i b v = 0 ce

hie

hre

Dtermination de hoe
h oe = i c v ce i = 0 b

Les paramtres h dpendent du point de repos

Dtermination de hoe
h re = v be v ce i = 0 b
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IV. Amplification classe A

IV.5. Schma lectrique petit signal
VDD R1 Rg C IP VBE eg R2 Vs RL RC CL Pour varient. ce schma, on ne sont considre que les signaux qui Les autres quivalents la masse. Aux frquences considres, les capacits de liaison sont des court-circuits.

Rg

ib

B hie hre.vce

C hfe.ib E 1/hoe

ic

eg

RB

vbe

vce

RC

RL

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IV. Amplification classe A

IV.6. Caractristiques de lamplificateur
Impdance dentre : Impdance de sortie : Gain en tension :
R e = R B // h ie = R B.h ie R B + h ie

Rs = RC (R // R L )ic = h fe . R C .R L v A V = ce = C v be h ie .i b h ie R C + R L h11 h ie RC R L
h 22 h oe = 1 RC

Ou en utilisant le cours sur les quadriples :

R C .h 21 h11 + h11.h 22 .R C h12 .h 21.R C
h12 h fe = h 21 h re = 0

AV =

avec

Rg

ib

C hie hfe.ib E

ic

eg

RB

vbe

vce

RC

RL

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IV. Amplification classe A

IV.6. Caractristiques de lamplificateur
Gain en tension vide: Gain composite :
h A V0 = A V R = fe .R C L h ie

v Re A vg = ce = A V eg Rg + Re R B.h ie R B + h ie

Quadriple quivalent :

R e = R B // h ie =
R gs = R s = R C e gs = A vg .e g

Rg

i1 Rgs

i2

eg

v1

Re

egs

v2

RL

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IV. Amplification classe A

IV.7. Frquences de coupure hautes
Nous considrons la capacit entre la base et le collecteur : CBE Elle peut tre ramene en entre et en sortie du transistor avec le thorme de MILLER :
Z1 = Z2 = 1 j.C BC1. 1 j.C BC2 . = 1 j.C BC . 1 A V . AV j.C BC . 1 A V . 1 1 C BC1 = C BC (1 A V ) >> C BC C BC2 = C BC 1 AV C BC AV

Rg

eg

RB

hie CBC1

hfe.ib CBC2

RC

RL

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IV. Amplification classe A

IV.7. Frquences de coupure hautes

( v ce h fe R e // C BC1 ) = . R eq // C BC2 Gain composite : A vg = eg h ie R g + (R e // C BC1 ) Am v ce h fe R eq .R e 1 1 soit A vg = = . . . eg h ie R g + R e 1 + jC BC1 R g // R e 1 + jC BC2 R eq

Gain aux frquences moyennes Il existe deux frquences de coupure hautes avec FHF1 << FHF2 : Frquence de 1 1 = FHF FHF2 = coupure haute FHF1 = 2C BE1 R g // R e 2C BE2 R eq de lampli Rg

Req RL

eg

RB

hie CBC1

hfe.ib CBC2

RC

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IV. Amplification classe A

IV.7. Frquences de coupure hautes
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) : Avg(db) 20 Am 0
h R eq .R e fe 20 log . h ie R g + R e

20 db/dec

20

40

40 db/dec

1
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103

FHF1 106

FHF2

109 F (Hz)

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Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.7. Frquences de coupure hautes
Diagramme de bode en phase (chelle semi-log) : ()

90

180

gain Am ngatif

270

360 1
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103

FHF1 106

FHF2

109 F (Hz)

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Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.8. Frquence de transition FT
Le paramtre h21 nest pas constant avec la frquence. A partir de la frquence de coupure F, ce paramtre dcroit de 20 db/dec.

FT est inversement proportionnel au temps de transit des porteurs entre les contacts metteur et collecteur (temps ncessaire au transistor pour rpondre une variation de tension de petite amplitude). 0 FT est obtenue lorsque =1 (0 db). F FT F (Hz) h21(db)
h 21 = 1+ j F F

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IV. Amplification classe A

IV.9. Produit gain-bande
Le produit gain bande correspond au produit du gain (en moyenne frquence) par la frquence de coupure haute :
R eq h fe R eq .R e 1 1 1 A m .FHF = . . = . . h ie R g + R e 2C BC1 R g // R e R g 2C BC h ie + R eq h fe

Comme

h ie << R eq h fe

alors

A m .FHF =

1 2C BC R g

R eq Rg

.FHF2

Le produit gain bande est donc une constante : si on augmente Am alors on diminue FHF !

AVg(db) Am Am

0
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FFH

FFH
Le transistor bipolaire

F (Hz)

IV. Amplification classe A

IV.10. Frquences de coupure basses
On prend en considration les capacits de liaison C et CL. Re v v v RL .A V 0 . Gain composite : A vg = 1 = 1 . be = 1 1 e g v be e g R L + RS + Re + Rg + Am jC L jC h fe R eq .R e 1 1 A vg = . . . j j h ie R e + R g 1 1 C L (R L + R C ) C R e + R g

Il existe deux frquences de coupure basses : 1 1 FBF1 = FBF2 = 2C R g + R e 2 C L (R L + R C ) CL C R

Rs eg vbe Re AV0.vbe vl RL

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IV. Amplification classe A

IV.10. Frquences de coupure basses
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) : Avg(db) 20 Am 0 20 db/dec
h R eq .R e fe 20 log . h ie R g + R e

20

40 40 db/dec 1 FBF1
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FBF2 103

FHF1 106

FHF2

109 F (Hz)

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Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.10. Frquences de coupure basses
Diagramme de bode en phase (chelle semi-log) : ()

90

180

gain Am ngatif

270

360 1 FBF1
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FBF2 103

FHF1 106

FHF2

109 F (Hz)

-Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.11. Rsistance dmetteur
Si le transistor chauffe il risque de semballer et dtre dtruit. La rsistance RE vite lemballement thermique du transistor : T IB VE VBE IB VDD R1 IC (A) C IP VBE Ve 0
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On obtient alors la droite de charge :

VDD VCE IC = RC + R E RC + R E

RC

CL

Vs RL

R2

RE

VCE0

VDD VCE (V)

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IV. Amplification classe A

IV.11. Rsistance dmetteur
Gain en tension vide :
v h fe A V0 = l == .R C ve h ie + R E (1 + h fe )

Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de la rsistance RE.

Rg

ib

C hie hfe.ib E RE

ic

eg

RB ve

RC vl

RL

Pascal MASSON

-Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.11. Rsistance dmetteur
Gain en tension vide :
v h fe A V0 = l == .R C ve h ie + R E (1 + h fe )

Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de la rsistance RE. On permet ajoute la la capacit de de la R1 C IP VBE Ve R2 RE CE Vs RL VDD RC CL dcouplage CE (passe bas) qui suppression rsistance RE en rgime alternatif : augmentation du gain.

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Le transistor bipolaire

IV. Amplification classe A

IV.11. Rsistance dmetteur
Gain en tension vide :
v h fe A V0 = l == .R C ve h ie + R E (1 + h fe )

Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de la rsistance RE. On permet ajoute la la capacit de de la IC (A) statique dynamique dcouplage CE (passe bas) qui suppression rsistance RE en rgime alternatif : augmentation du gain. Droite de charge statique 1 pente = RC + R E Droite de charge dynamique 1 pente = RC
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VCE0

VDD VCE (V)

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Le transistor bipolaire

V. Multivibrateur astable Abraham BLOCH

V.2. Fonctionnement
Circuit dont le schma sapparent celui de la mmoire RS et qui fournit un signal carr. t0 t1 V
CE1

VDD RC1 0 0.6 V T1 0.6 V VC2 T2 C1 R2 R1 C2 RC2 VDD

t2

VDD t 0.6 V t

VBE1

On considre ici que VCEsat 0 Instant t = t0

VCE2

VBE2

VC2 = VDD 0.6 V VBE2 dvient gal 0.6 V

t
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V. Multivibrateur astable Abraham BLOCH

V.2. Fonctionnement
Circuit dont le schma sapparent celui de la mmoire RS et qui fournit un signal carr. t0 t1 V
CE1

VDD RC1 VDD T1 V C1 R2 R1 C2 0.6 V + 0.6 V T2 RC2 0

t2

VDD t 0.6 V t

DD

VBE1

VCE2

Instant t > t0+ VBE1 devient gal 0.6 V C1 se charge via RC1 VBE1 devient gal 0 (VDD 0.6) ce qui bloque le transistor T1 La capacit C2 doit se charger pour

VBE2

t
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assurer VC2 = VDD en fin de charge.

Le transistor bipolaire

-Cycle Initial Polytechnique-

V. Multivibrateur astable Abraham BLOCH

V.2. fonctionnement
Circuit dont le schma sapparent celui de la mmoire RS et qui fournit un signal carr. t0 t1 V
CE1

VDD RC1 0 C1 0.6 V T1 V + 0.6 V T2 R2 R1 C2 RC2 VDD

t2

VDD t 0.6 V t

DD

VBE1

Instant t = t1 VCE2 devient gal 0

VCE2

VBE2

VBE1 devient gal 0 (VDD 0.6) ce qui bloque le transistor T1 La capacit C2 doit se charger pour assurer VC2 = VDD en fin de charge.
Le transistor bipolaire

t
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-Cycle Initial Polytechnique-

V. Multivibrateur astable
V.2. Fonctionnement
Circuit dont le schma sapparent celui de la mmoire RS et qui fournit un signal carr. t0 t1 V
CE1

VDD RC1 C1 R2 R1 C2 RC2

t2

VDD t 0.6 V t T1 T2

VBE1

La priode du signal carr dpend des valeurs de R1, R2, C1 et C2 Il faut aussi RC1 << R1 et RC2 << R2

VCE2

VBE2

t
Pascal MASSON -Cycle Initial PolytechniqueLe transistor bipolaire

VI. Amplification classe B

VI.1. Dfinition et principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe B namplifie que la moiti du signal dentre. Il cre beaucoup de distorsion mais a un rendement bien meilleur que le classe A avec en thorie 78.5 %. Le point de repos se situe la limite du blocage du transistor IC (A) IC (A) VE = VBE IB IC RC VS VCE = VS VDD

ICmax IC0 0
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IBmax IB0

ICmax IC0
Le transistor bipolaire

VCE (V)

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VI. Amplification classe B

VI.2. Amplificateur push-pull
Les deux transistors ont le mme gain . Amplificateur de puissance et non de tension Si VE = 0, les deux transistors sont bloqus et VS = 0. Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en rgime linaire et le PNP est bloqu : VS = VE 0.6. Si VE < 0.6 V, le transistor PNP est en rgime linaire et le NPN est bloqu. 0.6 VS = VE + 0.6. Distorsion pour les faibles valeurs de VE. Saturation de VS si |VE| > VDD.
Pascal MASSON -Cycle Initial PolytechniqueLe transistor bipolaire

VDD

NPN IL VE PNP VDD

VS (V) VE (V)

RL VS

0 0.6

VI. Amplification classe B

VI.2. Amplificateur push-pull
Les deux transistors ont le mme gain . Amplificateur de puissance et non de tension Si VE = 0, les deux transistors sont bloqus et VS = 0. Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en rgime linaire et le PNP est bloqu : VS = VE 0.6. Si VE < 0.6 V, le transistor PNP est en rgime linaire et le NPN est bloqu. VS = VE + 0.6. Distorsion pour les faibles valeurs de VE. Saturation de VS si |VE| > VDD.
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VDD

NPN IL VE PNP VDD

VS (V)

RL VS

VDD VDD 0.6 0.6 VDD VE (V)

VI. Amplification classe B

VI.2. Amplificateur push-pull
Afin dviter la distorsion du signal, on place un pont de base avec deux diodes polarises en directe (et passantes). Lamplificateur push-pull est utilis comme tage de sortie des gnrateurs de fonction et les amplificateurs audio. VDD VE PNP RL VS 0.6 V NPN IL VDD

VS (V)

VDD VDD 0.6 0.6 VDD VE (V)

Pascal MASSON

-Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire

VII. Amplificateur oprationnel

VII.1. Dfinition
Les premiers amplis oprationnels (ralis laide de tubes vide) taient destins aux calculatrices analogiques, do leur nom. Il se caractrise par deux entres (une inverseuse, note , une non inverseuse, note +), une sortie et un gain A lis par la relation : VS = A.(V1 V2) = A.Vd Limpdance dentre trs grande ( 500 k), limpdance de sortie est presque nulle et la bande passante part du continu. Le gain est trs grand ( 50000) ce qui signifie quun amplificateur oprationnel aliment sous 15 V sature pour Vd = 300 V ! Il est constitu de plusieurs montages de base : paire diffrentielle, miroirs de courant, amplificateur push-pull
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VDD Vd V1 V2 VDD VS

VII. Amplificateur oprationnel

VII.2. La paire diffrentielle
Prsentation Cest ltage dentre de lamplificateur. Elle est constitue de : Deux transistors identiques monts en metteur commun. Une source de courant I0 (miroir de courant) La somme des courants IE1 et IE2 est toujours gale I0. Donc si IE1 augmente alors IE2 diminue. Variation de VC1 et VC2 avec VB1 : VB1 IE1 VRC1 IE2 VC1 VRC2 VC2 VDD I0 C1 B1 T1 T2 C2 B2 RC VDD RC

B1 : entre inverseuse pour C1 et non inverseuse pour C2

Pascal MASSON -Cycle Initial PolytechniqueLe transistor bipolaire

VII. Amplificateur oprationnel

VII.2. La paire diffrentielle
Expressions des courants IE1 et IE2 Tensions de base : C1 B1 T1 T2 C2 B2 RC VDD RC

I0 IE VDD

IE0

0
Pascal MASSON

VBE0

VBE
Le transistor bipolaire

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VII. Amplificateur oprationnel

VII.2. La paire diffrentielle
Expressions des courants IE1 et IE2 Courant IE1 :
VBE1 I 0 Vd I E1 = IS . exp = . exp V 2 2V T T

VDD RC C1 B1 T1 T2 RC C2 B2

Courant IE2 :

VBE2 I 0 Vd I E 2 = IS . exp V = 2 . exp 2V T T

I0 IE/I0 1 VDD IE1/I0 0.5

Courants normaliss en posant :

I E1 I E1 1 = = I0 I E1 + I E 2 Vd 1 + exp V T
I E1 I E2 1 = = I0 I E1 + I E 2 Vd 1 + exp V T
Pascal MASSON

IE2/I0

Vd 4VT VT VT 4VT
Le transistor bipolaire

-Cycle Initial Polytechnique-

VII. Amplificateur oprationnel

VII.2. La paire diffrentielle
Expressions des tensions VC1 et VC2 Tension VC1 : VC1 = VDD R C .I C1 VDD R C .I E1
Vd R C .I 0 VC1 = VDD . exp 2V 2 T

VDD RC C1 B1 T1 T2 RC C2 B2

Tension VC2 :
VC2 = VDD Vd R C .I 0 . exp 2 2VT

I0 VC E0 VC1 E0 RC.I0 / 2 VDD VC2

E0 RC.I0
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Vd 4VT VT VT 4VT
Le transistor bipolaire

-Cycle Initial Polytechnique-

VII. Amplificateur oprationnel

VII.2. La paire diffrentielle
Expressions du gain en tension Si |Vd| << VT
VC2 VDD R C .I 0 2 Vd 1 2V T

VDD RC C1 B1 T1 T2 RC C2 B2

Si on sintresse aux variations :

V R .I Av = C2 = C 0 Vd 4 VT

I0 VC E0 VC1 E0 RC.I0 / 2 E0 RC.I0 Vd 4VT VT VT 4VT

Le transistor bipolaire

VDD VC2

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-Cycle Initial Polytechnique-

VII. Amplificateur oprationnel

VII.2. La paire diffrentielle
Rgime dynamique Expression de hie
I V V h ie = BE = T = C0 VT I B V = V I B0 h fe CE CE 0

B1 hie vd hie ib2 B2

C1 hfe.ib1 E1 = E2 hfe.ib2 C2 RC vc2 RC vc1

Expression de ib2
1 vd i b2 = h ie 2

Expression de vc2
v c2 = R C .h fe .i b2 = R C .h fe R .I vd = C 0 vd 2.h ie 4.VT

Expression du gain en tension

v R .I Av = c2 = C 0 vd 4.VT
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VII. Amplificateur oprationnel

VII.3. Le miroir de courant
Principe La tension VBE dun transistor est impose par une diode En rgime linaire, le courant de collecteur est indpendant de VCE et donc de la valeur de la charge de collecteur Amlioration du montage IC La diode est remplace par un transistor bipolaire identique T3 mais mont en diode. I0 VCE 0
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VDD R4 I0 T4 VBE VDD

I0 T3

IB0

VCE

VII. Amplificateur oprationnel

VII.4. Le suiveur de tension
Prsentation Lentre du montage se trouve sur la base du transistor et la sortie sur la rsistance dmetteur. En rgime de petit signal, le collecteur est la masse. Ce montage ralise une adaptation dimpdance avec une rsistance dentre leve, une rsistance de sortie faible et un gain gal 1. VE T5 VDD

R5 VS VDD

RL

ib5

B1 hie

E1

ve

hfe.ib5

R5

vs

RL

C1
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VII. Amplificateur oprationnel

VII.4. Le suiveur de tension
Calcul des grandeurs fondamentales Rsistance dentre :
Re = Ve h ie .i b5 + (R 5 // R L )( . 1 + h fe )i b5 = h ie + h fe (R 5 // R L ) i b5 i b5

VDD

T5 VE

R5 VS Rsistance de sortie : R 5 h ie + R g vs vs vs Rs = = = ( ) v v 1 + h is h ie + R g + h fe R 5 s (1 + h )i s + fe v VDD fe b5 s R5 R 5 h ie + R g Gain en tension :

RL

ib5

B1 hie

E1

(1 + h fe )(R 5 // R L )i b5 v Av = s = Ve h ie .i b5 + (1 + h fe )(R 5 // R L )i b5
R5 vs RL Comme hie << hfe(R5 // RL), alors
Av 1

ve

hfe.ib5

C1
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VII. Amplificateur oprationnel

VII.5. Schma lectrique globale
VDD R4 Entre + Entre I0 T4 T3 T5 T6 R5 VDD
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RC

RC

R6

R7 T7

T1

T2 Sortie

T8 R8

VII. Amplificateur oprationnel

VII.6. Application : amplificateur inverseur
Les entres ne consomment pas de courant. Loi des mailles applique au montage :
VE = R1.I Vd Vd = R 2 .I + VS

R2 R1 I Vd VE A VS

avec

VS = A.Vd

On limine I en divisant ces deux quations. VS VS + A VE + R1 A+G VE A = = = VS 1 R2 (A + 1) G (A + 1) VS 1 + VE A On obtient alors lexpression du gain G : G =

avec

G=

VS VE

A R 2 R R1 1 + 1 (A + 1) R2

Hors saturation de la sortie, Vd reste trs faible et ngligeable devant les autres tensions. On remplace habituellement Vdpar .
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VII. Amplificateur oprationnel

VII.6. Application : amplificateur suiveur
Le courant I est trs faible (base du bipolaire) et la valeur de est ngligeable ce qui donne :
VS = R.I + + VE VE

R I Circuit VE A VS

Limpdance dentre est trs grande et celle de sortie trs faible. On peut donc prlever la tension VE sans modifier le circuit.

En pratique R est gal limpdance de sortie du circuit.

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-Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire

VII. Amplificateur oprationnel

VII.6. Application : additionneur
Somme des courants :
I = I1 + I 2

V2 V1

I2 I1

R2 R1

A VS

Application de la loi des nuds lentre :

V2 V1 VS + = R2 R1 R

soit

V2 V1 V + = S R 2 R1 R

Tension de sortie :

R R VS = V + V 2 R 1 R 2 1
VS = R (V1 + V2 ) R1

Si R1 = R2 : Si R1 = R2 = R :
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VS = (V1 + V2 )
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VII. Amplificateur oprationnel

VII.7. Application : intgrateur
Rappels :
Q = C.V dQ dV I= =C dt dt

VC C R I VE A VS

et

Loi des mailles :

VE = R.I

et

VS = VC

Expression de VS :
VE = R.C. dVS dt
VS = VC0

VE VS
dVS =
1 R.C

1 VE dt R.C

VE dt

IB0

VC0 est la tension initiale aux bornes du condensateur

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