3 Nivel o energa de Fermi 3.

1 Niveles de energa respecto al vaco Para el tomo de hidrgeno libre en el modelo Bohr, en la energa (E) esta cuantizada de acuerdo al nmero de la orbita (n):

En = -

ke e 2 1 2 a0 n 2

=-

13.606 eV n2

para n = 1, 2 , 3 , 4 , ..

La energa mnima requerida para ionizar el tomo (esto es para liberar completamente un electrn en el estado base de la influencia del protn) recibe el nombre de energa de ionizacin. La energa de ionizacin para el hidrogeno en el estado base, de acuerdo con el calculo de Bohr es de -13.6 eV respecto al un nivel de vaco.

Para un cristal de semiconductor como hemos visto tenemos bandas de energa (banda de valencia banda de conduccin, banda prohibida o gap), estos niveles de energa con respecto a nivel de vaco muestran la afinidad electrnica y funcin de trabajo y nivel de Fermi.

Figura 3.1 Diagrama de energa respecto al nivel de vaco. - Nivel de vaco: Nivel de referencia, nivel de energa a la cual un electrn se ha liberado del material, es decir, no ligado a la estructura cristalina. - Afinidad electrnica: Energa que un electrn en la banda de conduccin debe ganar para convertirse en un electrn libre. Parmetro constante para cada semiconductor. - Funcin de trabajo: Energa mnima con la que el electrn se enlaza al cristal. Variable con la concentracin de impurezas. - Nivel de Fermi: Nivel de energa con probabilidad . Para semiconductores intrnsecos el nivel de Fermi esta ubicado aproximadamente a la mitad de la banda prohibida. Para semiconductores intrnsecos cambia de posicin segn el tipo de impureza.

Nivel de Fermi

JCQS

1/4

Elemento semiconductor Afinidad electrnica (V)

Si 4.05

Ge 4

GaAs 4.07

Tabla 3.1 Afinidad electrnica de algunos semiconductores.

Para un cristal de silicio intrnseco se tienen los siguientes valores: - Afinidad electrnica: = 4.05 V La energa correspondiente es U = q = (1.602 x 10 U = 6.4881 x 10
- 19 - 19

C) (4.05 V)

J = 4.05 eV

- Band gap a 300 K , Eg = 1.12 eV - Nivel Fermi respecto a la banda de conduccin o de valencia: EFC = EFV = (EC EV) / 2 = Eg / 2 = 0.56 eV. - Funcin de trabajo q: Afinidad electrnica ms nivel de Fermi respecto a la banda de conduccin.

U = U + EFC = 4.05 eV + 0.56 eV = 4.61 eV

(En la grafica U = Energa de la Afinidad Electrnica, U = Energa de la Funcin de Trabajo) Ejemplo 3 -1 Se tiene una muestra de silicio intrnseco a 300 K, a) Cul es la longitud de onda incidente sobre la muestra que permita a los electrones que estn en la banda de valencia ir al estado de conduccin? La energa del estado de valencia al de conduccin es Eg = 1.12 eV La energa esta relacionada con la frecuencia E = h f , y la frecuencia con la longitud de onda =

c f

, siendo h = 4.135 x 10

-15

eV s , constante de Planck , c = 3 x 10 m/s velocidad de la luz.

Obtenemos C =
-6

hc Eg

(4.135 x 10 15 eV s ) (3 x 108 m / s ) (1.12 eV )

C = 1.107 x 10 m = 1107 nm , esto corresponde a una luz infrarroja. b) Cul es lo longitud de onda para separar un electrn del cristal? Usando el procedimiento anterior con la energa de la funcin de trabajo del silicio, U = 4.61 eV

Nivel de Fermi

JCQS

2/4

Obtenemos =
-6

hc

(4.135 x 10 15 eV s ) (3 x 108 m / s) (4.61 eV )

= 0.269 x 10 m = 269 nm , esto corresponde a una luz ultravioleta.

Nivel de Fermi para materiales dopados. Para un semiconductor de tipo N, el nivel de Fermi se sita cada vez ms cerca del nivel mnimo Ec de la banda de conduccin a medida que la concentracin de impurezas dadoras aumente, es decir el nivel de Fermi dopado se sita por encima del nivel de Fermi intrnseco (Ei), tenemos:

EFi = kB T ln ( ND / ni )
Para un semiconductor de tipo P, el nivel de Fermi se aproxima al nivel superior Ev de la banda de valencia conforme la concentracin de impurezas aceptoras aumenta, es decir el nivel de Fermi dopado se sita por debajo del nivel de Fermi intrnseco (Ei), tenemos:

EFi = kBT ln ( NA / ni )
Ejemplo. 3 - 2 Se tiene que la concentracin intrnseca del silicio a 300 K es de 3.606 x 10 9 cm -3 y un gap de 1.12 eV, la afinidad electrnica del silicio es 4.05 V. Determinar el nivel de Fermi al dopar el silicio 16 -3 con arsnico con una concentracin 1 x 10 cm y la funcin de trabajo para esta situacin, hacer un diagrama de bandas respecto al nivel de vaci mostrando ED, EC, EV, Ei, EFi, U, U

ni = 3.606 x 10 9 cm -3
Eg = 1.12 eV = 4.05 V

Nivel de Fermi

JCQS

3/4

ND = 1 x 10

16

cm , por ser el boro pentavalente

-3

La afinidad electrnica se mide en volts, = 4.05 V, para convertir a energa: U = q = (1.602 x 10

- 19

C) (4.05 V) = 6.488 x 10

-19

J = 4.05 eV

Primeramente el la energa de ionizacin del arsnico (As) es ED = 0.054 eV por debajo del nivel de conduccin (figura 2.12, ), el nivel de Fermi intrnseco esta a la mitad de band gap Ei.= Eg / 2 = (1.12 eV) / 2 = 0.56 eV respecto a la banda de conduccin o de valencia. El nivel de Fermi EF se acerca a la banda de conduccin y est por encima del nivel de Fermi intrnseco Ei. Usando EFi = kB T ln ( ND / ni )

EFi = (8.6173324 10 - 5 eV/K) (300 K) ln ( 1 x 10 EFi = ( 0.0258 eV ) ( 14.835 ) = 0.383 eV U = U + EFi = 4.228 eV

16

cm

-3

/ 3.606 x 10 9 cm -3 )

Nivel de Fermi

JCQS

4/4