NANOTECNOLOGA

Profesor: Snchez
- 1era Cohorte -

TRABAJO PRCTICO: Nano Electrnica

ALUMNO: PRADO, Walter

Fecha de entrega: 06 de Julio de 2012

Nanoelectrnica
La nanolectrnica estudia los fenmenos de transporte y distribucin de carga y espn en la escala del nanmetro. Avances instrumentales en las ltimas dcadas han permitido la visualizacin en el espacio real y la manipulacin controlada de los tomos. En paralelo las tcnicas de litografa han ido reduciendo el tamao de los motivos que se pueden fabricar, llegando en la actualidad la industria semiconductora a pistas de 90 nm en obleas de 300 mm de dimetro. Las dos aproximaciones cientficas al mundo que separa lo atmico de lo macroscpico se conocen como bottom-up y top-down. ste es un mundo mesoscpico, donde las propiedades fsicas no escalan con el tamao y los efectos cunticos como el confinamiento y la coherencia propician que aadir o quitar un tomo, haga que cambien drsticamente las cosas; es decir, un mundo donde el tamao realmente importa. La implementacin de la nanolectrnica en la tecnologa actual ser un proceso gradual, sustituyendo componentes individuales y eventualmente sistemas complejos. La microelectrnica, incluso con tamaos de puerta de transistor por debajo de los 50 nm, no es estrictamente una implementacin de la nanolectrnica, ya que no hay una propiedad fsica relacionada con la reduccin de tamao que est siendo utilizada. Aun as, la necesidad de la nanotecnologa, y de la nanoelectrnica en particular, se justifica a menudo por el hecho de que la ley de Moore relacionando la mejora de prestaciones con el tamao ms pequeo de los dispositivos llega a su fin. Las razones son tanto econmicas como fsicas. Sin embargo este es un argumento debatible. La tecnologa del Silicio avanzar con dificultad por este camino durante una dcada o ms. Se espera mantener la tendencia integradora usando dielctricos de alta K basados en Hafnio y puertas metlicas. Se prev tambin que las prestaciones continuarn mejorndose durante 15 aos optimizando el diseo del chip, haciendo un uso ms eficiente del rea de la oblea de Silicio. En el futuro se desplazar la tecnologa de dispositivos actuales a dispositivos de superficie, como en los dispositivos tipo trigate. Una nueva tecnologa slo remplaza una existente con xito si mejora las prestaciones (incluyendo el coste efectivo) rdenes de magnitud, o si suministra caractersticas que la tecnologa existente es fsicamente incapaz de suministrar. Este es el reto, la bsqueda de nuevas propiedades, paradigmas y arquitecturas para crear la nueva nanoelectrnica. Estado del arte La nanolectrnica es el punto de reunin donde la fsica, la ciencia de materiales, la qumica, la biologa y la ingeniera electrnica se topan irremediablemente. Los circuitos integrados tradicionales consisten en una serie de interruptores elctricos y cables tan pequeos y econmicos como sea posible, idnticos y reproducibles

en serie. Parece muy difcil -si no imposible- para la fabricacin tradicional de semiconductores, producir circuitos con la exactitud necesaria a escalas atmicas. Es en la bsqueda de soluciones a estos problemas donde los investigadores intentan remplazar algunos conceptos bsicos acerca de los dispositivos y sus interconexiones. En paralelo, los cientficos intentan descifrar cmo la naturaleza se las arregla para almacenar y transmitir un conjunto de instrucciones que permiten desarrollar nano mquinas que cumplen tareas de construccin avanzadas en el mbito celular.

Electrnica Molecular Es el estudio de propiedades moleculares que pueden llevar al procesado de la informacin. Desde principios de los aos noventa, se est dedicando un gran esfuerzo cientfico al desarrollo de una nueva electrnica basada en la utilizacin de materiales moleculares electro activos. Estos materiales son de naturaleza orgnica, incluyendo desde molculas de pequeo tamao (10 tomos) hasta polmeros (macromolculas), y son capaces de responder a estmulos elctricos y luminosos de forma similar a los conductores y semiconductores inorgnicos. Sin lugar a dudas, el acontecimiento que ms ha contribuido al desarrollo de los materiales moleculares electro activos fue el descubrimiento de los polmeros conductores (plsticos que conducen la electricidad), merecedor del premio Nobel de Qumica del ao 2000. Nos encontramos, por tanto, ante nuevos materiales que nos ofrecen las propiedades elctricas y pticas de los metales y semiconductores, junto con las atractivas propiedades mecnicas, las ventajas de procesado y el bajo coste econmico de los polmeros. A estas ventajas hay que aadir el gran potencial de la sntesis qumica para modificar las propiedades del material mediante cambios en la estructura qumica de los sistemas componentes. Los materiales moleculares electro activos estn siendo desarrollados industrialmente para su utilizacin en aplicaciones tan diversas como bateras orgnicas, msculos artificiales, pantallas de telfonos mviles, clulas solares, narices electrnicas, etc. En el ao 2001 se construyeron los primeros circuitos moleculares, utilizando unas molculas llamadas rotaxanos, capaces de funcionar como un transistor. An se est muy lejos de poder ensamblar un chip utilizando estos materiales, pero las posibilidades son asombrosas. Nanotubos de Carbono Los nanotubos de carbono son molculas tubulares de carbono, con propiedades que los hacen muy atractivos y potencialmente tiles para aplicaciones como componentes elctricos y mecnicos extremadamente pequeos. Exhiben una dureza inusual, propiedades electrnicas nicas y son unos conductores de calor extremadamente eficientes. Las buenas propiedades elctricas, mecnicas, y qumicas de los nanotubos de carbono les hacen candidatos para fabricar dispositivos tales como transistores a escala nanomtrica, pantallas de emisin de campo, actuadores, etc.

Investigadores del Rensselaer Polytechnic Institute, junto a un equipo internacional de colaboradores, han descubierto cmo soldar entre s nanotubos de carbono. Tambin se ha descubierto recientemente que las propiedades semiconductoras de los nanotubos de carbono cambian en presencia de campos magnticos, un fenmeno nico, y que podra causar su transformacin en metales a incluso mayores valores de campo magntico. En el 2004 se crecieron nanotubos de carbono de unos 4 cm. de longitud, y recientemente se han visualizado por TEM los tomos de Carbono individuales de SWT, demostrado la capacidad de soldarlos uno a continuacin de otro y tambin de crecerlos sobre sustratos metlicos. Nano estructuras Semiconductoras Existen dispositivos tipo diodo y transistor que tienen el potencial de operar en la escala de los nanmetros, a velocidades ultra altas y con una densidad ultra alta de circuitos. Algunos de estos dispositivos pueden ser especialmente tiles debido a sus inditas caractersticas de output, permitiendo realizar operaciones con menos componentes de los usuales. Esta clasificacin englobara: Resonant Tunneling Hot Electron Transistor RHET, Resonant Tunneling Bipolar Transistor RTBT, Quantum Effect Devices QED, ElectronWaveguide Devices, Quantum Well Modulation Base Transistors, Lateral Quantum Devices, Coulomb Blockade Devices, etc. Estructuras de dimensiones nanoscpicas capaces de confinar electrones (incluso uno slo) en niveles de energa discretos. Nanocristales de semiconductores muestran propiedades pticas y electrnicas que dependen de su tamao. Esto los hace extremadamente atractivos en aplicaciones como catlisis, celdas fotovoltaicas, lseres, transistores, etc. NEMS y MEMS Una derivacin actual de la tecnologa microelectrnica es el desarrollo de MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems) chips de silicio y otros materiales en los que se integran no slo funciones de tipo electrnico convencional (microprocesadores) sino tambin nuevos elementos funcionales de todo tipo (microsensores, microactuadores, microfludica, micromotores, microcomponentes pticos) fabricados mediante tcnicas litogrficas y de micromecanizacin por ataque qumico anistropo, similares a las ya conocidas en microelectrnica. Este campo no ha hecho ms que nacer y ya se prev su evolucin inmediata, a partir de un desarrollo natural de ingeniera (top-down) no slo reduciendo an ms su escala sino introduciendo aspectos y procesos tpicos de la nanotecnologa para dar lugar a los denominados NEMS. En algunos de ellos, por ejemplo, se integran dispositivos nanomecnicos, en otros, utilizando tcnicas litogrficas o de autoensamblado de molculas orgnicas complejas como protenas o fragmentos de ADN se integran funciones de reconocimiento bioqumico o biosensores. Importantsimo y relacionado con este, es el campo de los Biochips o DNA Microarrays que se ha desarrollado ya enormemente, permitiendo la identificacin rpida y econmica de grandes sectores del genoma. Actualmente existen ya unas 30 empresas fabricando y comercializando estos Genome arrays capaces de identificar del orden de 10.000 fragmentos en un

solo chip. Se cree que no est lejos el momento en que se pueda comercializar un chip personal que analice todo el genoma y permita obtener un informe detallado de los condicionantes genticos ms relevantes de cada persona. Existen muchas otras aplicaciones de los biochips. Por ejemplo, los microarrays de protenas que se estn introduciendo en el campo de la investigacin en protemica, permiten cuantificar todas las protenas expresadas en una clula. El marcado de los fragmentos que hasta hace poco tiempo se haca mediante sustancias fluorescentes ha progresado enormemente mediante la adopcin de una tcnica procedente del campo de los semiconductores y la optoelectrnica: el marcado, casi un cdigo de barras ptico, mediante nanopartculas de semiconductores, los llamados puntos cunticos. Es un caso paradigmtico de interaccin interdisciplinar entre la bioqumica y la fsica cuntica que ha resultado extraordinariamente fructfero, pues estos nuevos marcadores son muy selectivos, estables y no interaccionan ni modifican qumicamente las protenas marcadas.

INTERRUPTORES MOLECULARES PARA APLICACIONES EN NANOELECTRONICA

Descripcin de la tecnologa En los ltimos aos ha adquirido una importancia el diseo y el sntesis macromolculas hiperramificadas (dendrimeros), que incorporan metales a su estructura denominada metalodendrimero. El inters en su desarrollo de estos materiales se basa en la capacidad de obtener materiales altamente ordenados con propiedades magnticas, electrnicas y pticas de inters tecnolgico. La obtencin de metalodendrimeros moleculares cuyas caractersticas fsicoqumicas permiten que sean fcilmente empleadas como interruptores moleculares. Conceptualmente, el trmino interruptor molecular se puede definir como el conjunto de sistemas moleculares discretos que permiten realizar movimientos mecnicos (output) cuando son sometidos a un estimulo externo (input). En nuestro caso, el estimulo externo es doble (un proceso red-ox o la absorcin de luz) y como resultado del mismo se produce un cambio conformacional que se traduce en la drstica modificacin de las dimensiones moleculares. Esta nueva familia de molculas abre un amplio campo de posibilidades en la investigacin y diseo de maquinas a escala molecular, diseo de interruptores qumicamente controlados, modulacin electroptica, almacenamiento de informacin, etc. En la actualidad se cuenta con tres compuestos metalodendrimeros de ferroceno cuya patente ya ha sido solicitada a nivel nacional. Compuesto 1 La estructura hiperramificada del metalodendrimero consta de tres ramificaciones biferroceniticas conjugadas que parten de un anillo bencnico central.

Esta estructura dendrimera puede experimentar cambios notables en su conformacin dependiendo de estmulos externos controlables como la oxidacin de los tomos de Fe (paso de ferroceno a ferricinio). Cuando los anillos de ciclopentadienilo alojan en su interior tomos de Fe+2 (ferroceno) la estructura se encuentra plegada. En esta conformacin plegada los dobles enlaces siguen siendo todos ellos trans y el plegamiento se debe a que en cada uno de los ferrocenilos los anillos de ciclopentadieno estn girados a uno sobre el otro. En el proceso de oxidacin de las unidades de ferroceno a ferrocinio se produce una reestructuracin molecular dando lugar a una elongacin de las ramificaciones del dendrimero, en una conformacin completamente anti. Este cambio conformacional se debe a la necesidad de reducir las repulsiones colombianas que se han incrementado notablemente tras la oxidacin a ferricinio. Este proceso es completamente reversible por reduccin de ferricinio a ferroceno. La reversibilidad del proceso se ha comprobado mediante estudios de voltametria cclica. La presencia de ferroceno es fundamental, ya que la rotacin de sus anillos lo convierte en una bisagra molecular.

Compuesto 2 La base molecular del compuesto 2 se caracteriza por la presencia de dos tipos diferentes de ferrocenilos. Uno de estos grupos acta como bisagra molecular, mientras que los otros se sitan en la periferia del metalodendrimero. Como sucede con el compuesto 1, este compuesto es capaz de experimentar notables cambios durante un proceso redox. As, el proceso de oxidacin de ferroceno a ferricinio da como resultado una molcula con carga +5. Este exceso de carga genera importantes interacciones culombinas repulsivas que conducen a una reestructuracin molecular. Cuando se produce la oxidacin, los anillos de ciclopentadienilo del ferroceno bisagra experimentan una rotacin uno sobre el otro dando como resultado una molcula con una conformacin anti completamente expandida. Como sucede en el compuesto 1, el proceso de oxidacin es completamente reversible y, cuando los grupos ferricinio se reducen a ferroceno, la conformacin vuelve a su estado inicial con una conformacin plegada debida al grupo ferroceno bisagra.

Compuesto 3 El compuesto 3 correspondiente a una nueva molcula que comprende un doble enlace carbono-carbono, que presenta al menos un sustituyendo ciclopentadienometalciclopentadieno sobre uno de los carbonos de dicho doble enlace, y donde el metal se encuentra como catin formando un complejo con los dos ciclopentadienilos. Dicho metal se selecciona entre Fe, Ni, Co, Zr, Ru, Cr, Zr, Hf, Ti, Mo, Nb, W y V. En una realizacin particular el metal es el cation Fe2+. El doble enlace de la molcula puede isomerizarse de cis a trans en repuesta a una absorcin de radiacin. Dicho proceso que comprende la absorcin de radiacin UV es reversible e intramolecular. Cuando el doble enlace carece de sustituyentes el rendimiento de la isomerizacin es aproximadamente del 40% en condiciones normales (cuando la longitud de onda empleada es la optima (280nm), y con tiempos de exposicin mximos y de intensidad optima), sin llegar a producir la degradacin de la molcula que contiene al doble enlace. En el nuevo compuesto (compuesto 3) la incorporacin de uno o ms sustituyentes ciclopentadieno-metal-ciclopentadieno al doble enlace hace variar la longitud de onda de la radiacin ptima para producir la isomerizacin cis-trans y aumenta, asimismo, el rendimiento de la misma. Dicha variacin en general consiste en un desplazamiento de la longitud de onda ptima de isomerizacin cis-trans hacia el rojo. La magnitud de la variacin de la longitud de onda por la presencia de uno o ms sustituyentes ciclopentadieno-metal-ciclopentadieno sobre el doble enlace esta tpicamente comprendida entre 10 y 50 nm (aunque este rango se podra ampliar introduciendo sustituyentes adicionales.

Entre las ventajas de esta nueva molcula cabe destacar que el porcentaje de isomerizacin cis-trans del doble enlace que experimenta esta molcula es superior al 80 o 90 %, y por tanto, mucho ms elevado que en los procesos convencionales, en los cuales la isomerizacin de un doble enlace es tpicamente del 40% en condiciones normales. Asimismo, y a diferencia de los dobles enlaces convencionales, independientemente del tiempo de exposicin y de la intensidad de la radiacin, esta molcula no se degrada. Otra ventaja adicional muy importante es la capacidad de poder modificarla o disearla fcil y convenientemente en cada caso particular, para que absorba una longitud de onda concreta del espectro de radiacin deseada. Por tanto, es posible variar el numero, posicin y naturaleza de los sustituyentes ciclopentadieno-metalciclopentadieno, y conseguir que esta se isomerice frente a una determinada longitud de onda del rango del UV, rindiendo un determinado porcentaje de isomerizacin cis-trans. La radiacin UV, invisible para el ojo humano, es nociva para la salud del cuerpo humano, y la detencin de su presencia o de una filtracin es de suma importancia en lugares donde un mnimo de radiacin pueda ocasionar daos graves a personas, procesos o instalaciones. Conclusiones La nanoelectrnica ser, sin lugar a duda, la tecnologa del futuro. Su implementacin ser un proceso gradual, sustituyendo componentes individuales y eventualmente sistemas complejos de forma ntegra. Las expectativas son grandes, aunque an est por definir el heredero del transistor. se es actualmente el campo de investigacin ms activo, la fabricacin y caracterizacin de componentes individuales que remplacen a los de Si. Ejemplos son los diodos moleculares, interruptores monoatmicos y el control del transporte en estructuras de punto cuntico. Un segundo campo, con bastante actividad, es la investigacin en los posibles interconectores. Aqu, principalmente los nanotubos de carbono y estructuras metlicas u orgnicas auto-ensambladas, estn siendo investigados.

Muy poco trabajo se est haciendo en las arquitecturas, y el modelado con poder predictivo est en etapas incipientes. Esto es necesario para desarrollar reglas bsicas ingenieriles para disear sistemas complejos. La situacin de la computacin cuntica es diferente. Hay mucha actividad en el desarrollo conceptual y de algoritmos. Las implementaciones experimentales de los qubits y del transporte de informacin entre qubits estn comenzando. Quiz una excepcin notable es el campo de la criptografa (transporte de informacin), donde la existencia de estados entrelazados de fotones viajando por guas convencionales ha sido demostrada experimentalmente. A nivel ms general, no est claro con toda certeza que sean los electrones el mtodo elegido para procesar informacin a largo plazo. La nanoelectrnica debe ser entendida como un campo de investigacin general, dirigido a desarrollar el entendimiento de los fenmenos caractersticos de los objetos manomtricos con la meta de explotarlos en el procesado de la informacin.

Bibliografa: Maynadie, J; Delavaux Nicot, B. Inorganic Chem 41 (2002) Valerio, C; Fillaut, JL; Ruiz, J. Chem Soc. 119 (1997) http://www.uji.es/bin/ocit/grups/13806002 http://www.sinewton.org/numeros/numeros/43-44/Articulo68 http://www.phantomsnet.net/Resources/files/Nanoeletronica_alta Escuela Superior de Tecnologa Ciencias Experimental Universidad Jaime I Espaa