Materiales Semiconductores

Los materiales L i l en estado d slido lid se agrupan en tres clases l d debido bid a su conductividad elctrica , o en caso contrario, su resistividad : Conductores Semiconductores Aislantes

Semiconductores

Figura 1. Rangos tpicos de conductividades de aisladores, semiconductores y conductores.

Materiales Semiconductores
Tabla 1. Parte de la tabla peridica relacionada con semiconductores.

Slidos
Los slidos estn formados por estructuras:
Amorfos Policristalino

El silicio Tiene mejores propiedades que el Germanio a temperatura de cuarto. Alta calidad del dixido de silicio (SiO2). Excelentes condiciones econmicas. Es ms barato que algn otro tipo de semiconductor. 25% de la superficie de la tierra es Silicio. Es el elemento ms estudiado de la tabla peridica.

Cristal simple

Representation de un cristal simple

Un cristal puede ser representado como una combinacin de dos partes: una base (base) y una red (lattice). La base consta de un tomo, o una molcula, que es repetida en cada punto de la red. La red es un arreglo de puntos en el espacio.

Estructuras del Si y GaAs

Si

GaAs

+
base

=
lattice

Las redes que forman los cristales de silicio y de arsenurio de galio reciben el nombre de Diamante y Zincblende respectivamente.

crystal
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Enlaces de valencia

tomo de silicio
Para un tomo aislado, , los

A T=0K todos los enlaces estn intactos. No disponible para conduccin. Enlace covalente del silicio (a) tetraedro, (b) en dos dimensiones (pares de electrones realizan el enlace)

A T>0K excitaciones trmicas pueden causar el rompimiento de enlaces. La consecuencia son electrones y huecos libres en conduccin. d i
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electrones tienen niveles discretos de energa. eV V (electrn-volt) ( l l ) es l la unidad id d d de energa correspondiente a la energa ganada por un electrn cuando su potencial es incrementado por un volt.
Representacin de un tomo asilado de silicio

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Representacin esquemtica g de bandas de energa

Bandas de energa en silicio

Si los electrones se encuentran sin excitacin

Eg = 0.67eV para Ge Eg = 1.12eV para Si Eg = 1.12 1 12eV V para GaAs G A

Conductor D posibilidades: Dos ibilid d la l banda de conduccin est parcialmente llena, o las bandas se traslapan. No existe la banda prohibida Eg

Semiconductor

Aislante

(trmica, campo elctrico, luz), se dice que estn en la banda de valencia Ev. Al llegar al potencial de ionizacin, el electrn queda libre, se dice que pasa a la banda de conduccin Ec. La diferencia entre la banda de valencia y la de conduccin se d denomina b d prohibida banda hibid Eg=Ec-Ev. E E E Eg es la energa requerida para romper el enlace en el semiconductor y colocar un electrn libre en la banda de conduccin y dejar un hueco en la banda de valencia. En esta regin ningn portador (electrn o hueco) puede permanecer. El potencial (potencial de ionizacin) requerido para sacar a uno de estos electrones de su banda de valencia es menor que en cualquiera de las otras rbitas.

Semiconductor intrnseco y extrnseco

Intrnseco
Un semiconductor

Materiales tipo-n y tipo-p

Un material tipo-n se forma cuando se

Extrnseco
Las caractersticas de los

intrnseco es aquel q que q contiene relativamente pequeas cantidades de impurezas p comparada p con los electrones y huecos generados trmicamente. Los electrones libres generados por causas naturales se denominan portadores intrnsecos.

semiconductores intrnsecos puede ser alterada mediante la adicin de ciertos tomos de impureza p (dopado). p Cuando el semiconductor intrnseco es dopado, se convierte en semiconductor extrnseco y otros niveles de energa son introducidos.

introducen elementos impuros con cinco electrones en su banda de valencia alencia, como el l arsnico i (A (As), ) antimonio ti i (Sb) y fsforo (P). El quinto electrn est en conduccin (ionizado) a temperatura moderada, moderada se dice que el electrn ha sido donado, por lo tanto el elemento (As, Sb, P) se llama donador.
Un material tipo-p i se forma cuando se

introducen elementos impuros con tres electrones en su banda de valencia, tales como el boro (B), galio (Ga) e indio (In). El tercer electrn genera un hueco en la banda d valencia, de l i se dice di que un electrn l t h ha sido id aceptado, por lo tanto el elemento (B, Ga, In) se llama aceptor.

Equilibrio elctrico en materiales tipo-n y tipo-p

El equilibrio elctrico del material permanece neutral, ya que la cantidad de

Portadores de carga
Material tipo-n
El nmero de electrones libres en

protones es igual que la de los electrones, idealmente. El resultado lt d d de d dopar el l semiconductor i d t i intrnseco t con i impurezas d donadoras d es en las bandas de energa. El nivel intrnseco Ei se encuentra a la mitad entre Ec y Ev Un nivel nuevo es introducido en la Un nivel nuevo es introducido en la banda prohibida (Eg), cercana a Ec, banda prohibida (Eg), cercana a Ev, ll d nivel llamado i ld donador d E D. ll d nivel llamado i l aceptor EA.

Material tipo-p
El nmero de huecos libres en un

un material t i li intrnseco t se d debe b nicamente a los pocos que adquirieron energa de fuentes trmicas o luminosas o escasas impurezas. En un material tipo-n el nmero de huecos no ha cambiado notablemente, el nmero de electrones excede al de huecos, por lo que en un material tipo-n el l electrn l es el l portador d mayoritario y el hueco portador minoritario.

a) b) Representacin esquemtica de las bandas de energa de un semiconductor extrnseco con: (a) iones donadores, (b) iones aceptores

material l intrnseco se d debe b nicamente a los pocos que dejaron los electrones que d energa d de f fuentes adquirieron trmicas o luminosas o escasas impurezas. En un material tipo-p el nmero de electrones no ha cambiado notablemente, , el nmero de huecos excede al de electrones, por lo que en un material tipo-p el hueco es el portador p mayoritario y el electrn el portador minoritario.

Portadores de carga Mecanismos de Transporte

Materiales semiconductores y portadores p de carga: g ( (a) ) tipo-n p , (b) ( ) tipo-p. p p Portadores mayoritarios debido al dopaje del silicio, portadores minoritarios por defectos en el material, iones donadores y aceptores cuando algunos huecos o electrones abandonan su tomo.

Corriente de difusin Corriente Co e te de e arrastre a ast e

Boylestad Robert L., Nashelsky Louis, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Octava edicin, Pearson Educacin, Copyright 2003.

Corriente de difusin
En los materiales

Corriente de arrastre
A temperatura

semiconductores existe una variacin espacial de concentracin de portadores portadores. Los portadores tienden a moverse de una regin de alta concentracin a una regin de baja concentracin (gradiente). El componente de corriente resultante se le ll llama corriente i t de d difusin.

Concentracin de electrones en funcin de l distancia. la di t i L Los electrones l t se mueven en direccin de n(l) hacia n(-l), la corriente es en sentido contrario.
Dens sidad de e electrones n(x)

Corriente Electrones

ambiente, 300 K, los electrones se mueven de manera aleatoria con un desplazamiento p neto cercano a cero. Cuando un pequeo campo elctrico l t i es aplicado al semiconductor, cada electrn experimenta un fuerza q, que lo g de acelera a lo largo dicho campo.

=0

a)

b)

Trayectoria de un electrn en un semiconductor: a) movimiento aleatorio trmico, combinacin de movimiento aleatorio trmico y la aplicacin de un campo elctrico

Distancia (x)

Corriente de arrastre
El transporte de portadores bajo la influencia de un campo elctrico aplicado produce un corriente llamada corriente de arrastre.

Referencias
S. M. Sze, Semiconductor Devices, Second edition di i , John J h Wiley Wil & Sons. S Inc. I 2002 Boylestad Robert L., Nashelsky Louis, Electrnica:Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos l i , Dcima D edicin, d P Pearson Educacin, 2003.

a)

b)

Proceso de conduccin en un material semiconductor tipo-n (a) en equilibrio trmico, (b) bajo polarizacin