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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

E.S.I.M.E. Unidad Profesional Adolfo Lpez Mateo

ALUMNOS: Gutirrez MATERIA: Garduo Luis Manuel. Pnce de Len Zrate Gerardo Arturo. Radiorreceptores PROFESOR: Ral Ruz Meza.

MATERIA: Radiorreceptores.

TRABAJO: Diseo de Radio en la banda de A.M.

RADIORREPTORES

DISEO DE RADIO A.M.

DISEO DEL AMPLIFICADOR DE AUDIO.


La red que se ha seleccionado para la etapa de amplificacin, es el amplificador clase B, debido a las siguientes razones. Cuando un amplificador de potencia opera en clase B, la polarizacin de CD deja al transistor casi apagado, de tal forma que al aplicarle una seal externa, el transistor se enciende; es decir conduce corriente solo medio ciclo de la seal de entrada. Ahora para obtener una seal de ciclo completo ser necesario utilizar dos transistores apareados, conduciendo alternadamente obteniendo la respuesta deseada.

Una vez establecidos los criterios para la seleccin del circuito, se procede a su diseo. En la figura (1) se muestra el circuito del amplificador que utilizaremos.

Q1(C)

R3

R2

C2

LS1

Q1
BC547

SPEAKER

Q4
BC547

C1

R1 Q2
BC557

Q3
BC547

FIGURA 1

Analizando el circuito podemos observar que se tienen los dos transistores necesarios para obtener la seal deseada. es un transistor NPN, el cual se encarga de hacer circular corriente desde la fuente hacia el altavoz, adems de cargar a , el cual es un capacitor de acoplamiento,

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que tiene la funcin de mantener una seal simtrica a la salida con la mayor amplitud posible y con la menor distorsin. Por otro lado que es un transistor PNP, se encarga de hacer circular la corriente desde el altavoz a tierra, descargando a Como ya se mencion, la funcin principal del capacitor es mantener una seal simtrica a la salida, as que la carga y descarga debe variar en un rango muy reducido (mV) an a la frecuencia ms baja que puede reproducir el circuito. Por ello la capacitancia de debe de ser lo suficientemente grande, para poder mantener un potencial estable. La frecuencia mnima es de 20 Hz (rango audible) lo cual da un tiempo igual a:

Es decir que RC = 50 ms, considerando que la impedancia de carga es 8 obtenemos el valor necesario de para satisfacer esta condicin.

ANLISIS EN C.D.
Con el circuito mostrado en la figura (1) se comienza el anlisis en continua. Ahora se necesita mantener tanto a como a en corte manteniendo . El circuito equivalente para continua es el siguiente:

FIGURA (2) Como observamos la polarizacin de ambos transistores Tomando a tenemos que: es a travs de , manteniendo

Considerando que se tiene

calculamos el valor de

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Debido a que no existe ninguna resistencia en colector ni en emisor, la corriente continua de saturacin es infinita. Esto significa que la recta de carga en continua es vertical como se muestra en la figura (3).

FIGURA (3)

Los transistores a utilizar son el BD136 (PNP), y el BD135 (NPN), los cuales tienen una = 250. Lo cual se logra con Y , con lo cual se mantiene al transistor en corte. Ya que segn la condicin necesaria para que el transistor este encendido segn el fabricante es tener

Una vez obtenidos estos datos sustituimos el valor de

para obtener el valor de

Tomando

, asegurando el corte en ambos transistores.

Ahora es el transistor encargado de excitar a , es decir; acta como un driver. As que procedemos a calcular el valor de el cual proporciona la de que a su vez es de para lograr encenderlos cuando el voltaje a la entrada es mnimo. Para ello se debe de tomar las consideraciones de la salida del demodulador, en donde la distorsin de recorte diagonal definido como se muestra en la figura (4)

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FIGURA (4)

Del lmite inferior definimos el valor mnimo de la seal de entrada a nuestro amplificador, donde tenemos y . Lo cual da un ndice de modulacin igual a:

Adems tenemos que:

Considerando ( )

Por lo tanto el valor mnimo de voltaje que entrar en nuestro amplificador ser igual a: ( )( ) V

Los datos de , se tomaron ya que son valores establecidos dentro de los rangos de los demoduladores comerciales. Considerando lo anterior procedemos a calcular el valor de , as tenemos que:

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FIGURA (5)

De las hojas de datos del fabricante tenemos que para lograr que necesitamos y Del circuito de salida tenemos que:

se enciendan

Despejando

, tenemos que:

Ahora calculamos el valor necesario de =500 mA. Sabemos que = 250 as que:

para que

as que:

Ahora del circuito de entrada tenemos que:

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Despejando

tenemos que:

Sin embargo el circuito de la figura (1) tiene un inconveniente. A la salida del amplificador se tiene una distorsin de la seal, debida a que en cierto momento no conduce ni ni , y es en ese momento cuando la seal de entrada pasa por cero. Para dar solucin a esto se conecta un transistor en emisor comn, entre las bases de . La idea es generar una tensin entre colector y emisor con el fin de que apenas deje de conducir un transistor comience a conducir el otro. Otro beneficio que se obtiene es que este circuito est compensado es temperatura por que cuando baja la barrera de los transistores de salida, tambin baja la barrera de conduciendo una mayor corriente en el colector achicando la tensin entre las bases. Slo hay que tener la precaucin de poner a en contacto trmico con el disipador de los transistores de salida, para que todos estn a la misma temperatura. El circuito es el mostrado en la figura (6)

FIGURA (6)

El valor de

lo calculamos sabiendo que:

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Adems

El voltaje entre colector y emisor necesario para que los transistores de salida conduzcan lo establecemos a 0.7 V, del circuito de salida tenemos que: ( )

Ahora tomando obtenemos el valor necesario de por lo tanto se toma de 420 segn la hoja de datos, ya que es el valor mnimo de amplificacin, con esto se asegura que el transistor se active. Ahora:

Adems:
[ ( )]

Por lo tanto se toma

, para asegurar el potencial necesario en el colector.

ANLISIS EN C.A.
Cuando Los transistores estn encendidos su punto de operacin se desplaza a lo largo de la recta de carga en alterna. Esto significa que la salida mxima pico a pico es:

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Como se muestra en la figura el circuito equivalente a seal es:

FIGURA (8) Ignorando la ganancia en tensin es: ; es decir se comporta como un seguidor emisor. Durante cada semi ciclo, la fuente ve una alta impedancia en cualquiera de las bases de la cul est dada por:
( ) ( )

)(

POTENCIA DE ENTRADA.

Donde:

La corriente promedio se consume de la fuente de alimentacin. En la operacin clase B, el consumo de corriente de una sola fuente de alimentacin tiene la forma de seal rectificada de onda completa; donde el valor promedio de la corriente est dado por:

Para poder calcularla partimos de que el voltaje de alimentacin es de 12 V; por lo que el voltaje eficaz a la salida ser:

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Con lo cul obtenemos la potencia de salida (c.a.). ( )

La corriente eficaz en c.d. es:

Con ello calculamos el valor, de la corriente pico de salida Por lo tanto: ( ) ( )( )

Por ltimo calculamos el valor de la potencia promedio en la entrada ( )( )

Con los resultados obtenidos, procedemos a calcular la eficiencia de nuestro amplificador.

Los transistores tienen una resistencia a su salida, la cual disipa potencia y se expresa de la siguiente forma:

Donde:

Por lo tanto la potencia disipada por cada transistor es:

Para un amplificador de operacin clase B, la potencia mxima disipada por los transistores ocurre cuando el voltaje de salida a travs de la carga es:

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( Con una disipacin de potencia del transistor mxima de: ( ( Por lo tanto la potencia mxima de cada transistor es: ) )

Ahora para obtener el mejor rendimiento del amplificador es necesario que se pueda obtener a su salida una tensin pico pico igual al de la fuente con la cual se alimenta, lo cual no es posible con el circuito que hasta ahora tenemos. Debido a que cuando la salida llega a su mximo valor, por la carga se desarrolla una corriente mxima, produciendo una cada de tensin en , la cual es equivalente a la resistencia de saturacin de multipicada por la corriente que circula a travs de l. El potencial de fuente menos esa cada es el mximo valor al cual puede llegar la tensin de salida del amplificador. El problema se soluciona conectando hasta los valores deseados. a un mayor voltaje para que la base de pueda subir

El circuito se completa con un capacitor y un resistor. Apenas se conect el circuito a la fuente, an sin seal, el potencial en la unin de los resistores de colector de se debe generar un voltaje de 9 V (6 V en l parte inferior de R1 y 12 V en la parte superior de R4) Como ya se mencion el potencial en la parte inferior de R4 debe de ser 9 V, as que calculamos el valor de R4 para cumplir con esta condicin.

As que el valor comercial que elegimos para entre .

es de 27 k para asegurar el potencial de 9 V

Ahora el capacitor se debe de cargar a 3 V por que la salida tiene 6 V y el punto de unin de de 9 V. La ecuacin de descarga de un capacitor es:

Para la frecuencia ms baja con t=50 ms y

calculamos el valor de C.

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( ( ) (

)( )(

) )

DISEO DEL DEMODULADOR.


El circuito que se utilizar para la demodulacin, es un demodulador de ley cuadrtica Par elegir a R sabemos que la impedancia de entrada de nuestro amplificador es de 2K, por lo tanto para que haya un buen acoplamiento, el valor de R debe de ser grande, lo proponemos de 100 k, el cual es un potencimetro que cumple con la funcin de variar el control de volumen del receptor Proponemos una eficiencia de deteccin Por lo tanto Como R = 100 k tenemos que:

Ahora el valor de RC prctico que se recomienda es 250 s, ya que es un valor mucho mayor con respecto al periodo de la frecuencia intermedia, por lo tanto el valor del capacitor es: ( ) ( )( ) ( )

Ahora calculamos el valor de la resistencia de entrada de nuestro demodulador. Para ello partimos de que:

Por lo tanto: ( ( ) )

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DISEO DEL TREN DE F.I.


El primer paso, consiste en seleccionar la red de polarizacin para nuestro amplificador. Un criterio que debe considerarse es la variacin de potencial que se tiene en la unin base emisor ( ) y el incremento en , con el cambio en temperatura. Para un transistor de Silicio, sabemos que el potencial existente entre el emisor y su base ( disminuye con el aumento de la temperatura, con una relacin de 2.5 mV/C. ),

Por lo tanto al disminuir el potencial en la unin base emisor, hay un mayor flujo de corriente en la base, teniendo como resultado un aumento en la corriente de colector por un factor de amplificacin . Por ello se necesita conectar una red que no dependa de . Para resolver este problema, se tienen dos opciones: La configuracin por medio del divisor de voltaje y el circuito de configuracin de polarizacin de emisor; los cuales se muestran a continuacin.
Vcc

En la configuracin de divisor de voltaje, para disminuir la influencia de se debe mantener la cual debe de ser menor de 10. Otra ventaja que se obtiene es el pequea la relacin voltaje del emisor. El descenso en con la temperatura causara un aumento en la corriente de emisor, y as un aumento en . Este aumento de voltaje en el emisor constituye una retroalimentacin negativa que tiende a polarizar inversamente la unin base emisor, logrando un descenso en la corriente de colector. La ltima consideracin que se debe de tomar en cuenta es que un demasiado alto no es deseable, ya que puede causar prdida de potencia y por ende una seal menor en la salida. Para dar solucin a este problema se puede agregar un capacitor en paralelo con , para anular su comportamiento en RF, y as mejorar la ganancia en seal. Como norma general se puede elegir entre 2 y 4 volts.

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Por otro lado, la red de polarizacin de emisor cumple con la especificacin de que no depende de y para la retroalimentacin negativa se utilizar un condensador desde la base de la etapa siguiente, a la base de la etapa anterior. La cul es necesaria ya que como se ver ms adelante, la capacitancia entre la unin base colector puede ser suficiente para que se produzca oscilacin.

Una vez que se eligi la red de polarizacin y tomando en cuenta todas las consideraciones necesarias, se procede a realizar el diseo del amplificador, tomando en cuenta las recomendaciones del fabricante. Se eligi un transistor bipolar NPN (BC547), en donde se fijo el punto de operacin. De la figura 2, se puede observar se tiene un = 10 V y una = 10 mA. Como se mencion antes se requiere un criterio de diseo con respecto al en funcin de . El resistor en el emisor es para estabilizar la polarizacin de CD, de modo que el cambio en la corriente del colector provocado por las corrientes de fuga y la del transistor, no provoquen un desplazamiento en el punto de operacin. El resistor en el emisor no puede ser demasiado grande, debido a que el voltaje a travs de l, limita el intervalo de variacin del voltaje de colector al emisor, lo cul se ver cuando se analice la respuesta en ca.

Como criterio de diseo tenemos que: Sustituyendo valores en (1) tenemos que:

---------- (1)

Lo cul est prximo a la norma general que se especifico anteriormente. Con los resultados obtenidos procedemos a calcular para satisfacer el punto de operacin. Del circuito obtenemos que:

---------- (2)

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Sustituyendo datos en (2):

Lo anterior se hace considerando que: De la malla de salida se tiene que:

---------- (3) Sustituyendo valores obtenemos el valor del resistor en el colector.

Para el transistor utilizado se midi una = 176, por lo tanto, la corriente que circula por la base es la siguiente:

Ahora del circuito de entrada tenemos que:

---------- (4) Con lo cual el resistor en la base ser igual a:

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Para el rango de frecuencia en el que se trabajar el transistor, debemos considerar un modelo pertinente para poder realizar nuestro diseo, para ello partimos del equivalente hbrido y junto con ello calcularemos los parmetros Y. De la teora de circuitos sabemos que: A temperatura ambiente tenemos que:

( Adems sabemos que:

El problema que ahora se nos presenta es el clculo de base. Por interrelacin de parmetros tenemos que:

; es decir la resistencia distribuida de la

---------- (6) La determinacin de transistor. se realiza por un mtodo grfico auxilindonos de las curvas de salida del

Como se puede observar en la figura 3, del punto de operacin se proyecta una recta hacia el eje de las ordenadas obteniendo el valor de la corriente en el colector, ahora si consideramos que tenemos que: ---------- (7) El valor de se toma del manual del fabricante, el cul es de 170. Sustituyendo valores en (7), se tiene que: ( )( )

Sustituyendo valores en (6), tenemos que:

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= 475 - 440

= 35

Ahora procedemos a calcular el valor de la admitancia de entrada siguiente forma: ---------- (8) En donde la parte real de la admitancia de entrada se define como:

el cual est definido de la

[
( )

] ---------- (9)

Donde:

((

)( )

)(

) ---------- (10)

Los valores de las capacitancias de entrada y salida, se tomaron de la hoja de especificaciones del fabricante las cuales son: y Ahora esta definida como la frecuencia mxima para la cul la ganancia en potencia es la unidad, de la hoja de datos se toma

rad/s

Sustituyendo valores en (10), tenemos que: ((


)( )

)(

Ahora

est dada por:

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Adems

La frecuencia de resonancia del tren de F.I. es de 450 kHz. Expresada en radianes queda como: ( )

Sustituyendo valores en (9), tenemos lo siguiente: ( ( ) ) ) )

)(

Ahora calcularemos la parte imaginaria de la admitancia de entrada, la cual esta dada por:

) (

) ---------- (11)

Sustituyendo datos tenemos que: Por lo tanto:

Ahora procedemos a calcular la admitancia de transferencia

partiendo de que:

---------- (12)

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Despejando

y sustituyendo resultados se tiene: ( se determina -j )

Partiendo de que

Por ltimo calculamos la admitancia de salida ---------- (13)

la cul esta dada por:

La transconductancia de salida se determina de la siguiente forma:


( )

---------- (14)

Para encontrar el valor de lo hacemos mediante un mtodo grfico de las curvas de salida del transistor, tomndolos del punto de operacin, como se muestra en la figura. ( ( ) )

Sustituyendo datos en (14) se obtiene el valor de la parte real de la admitancia de salida. ( ( Ahora es igual a: [
( ) ( )

) ( ) (

) )

Por lo que: ( ( ) ( ) )( )

)(

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Una vez obtenidos nuestros parmetros, establecemos la estabilidad de nuestro transistor. Para ello se debe cumplir la siguiente la siguiente condicin: ( Donde: P = Re ( Q = Im ( Por lo que ( )( ) ) ) )

Por lo tanto ( As que 1.05 ) ( ( ) ( ) )

Lo cual implica que el transistor es potencialmente inestable. Por ello utilizaremos el mtodo de neutralizacin; llegando a este punto definimos el ancho de banda por cada circuito el cul es de 10 KHz. Para encontrar la admitancia de neutralizacin necesitamos el valor de relacin de vueltas cuando estamos a resonancia, obteniendo los siguientes valores: ( )

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As que n = 0.4873 La admitancia de neutralizacin ser: ( )

Calculamos nuestros parmetros Y transformados.

De

tenemos que:

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Nuestra siguiente etapa esta acoplada con una bobina de AFT negra, la cul muestra las siguientes caractersticas: L 930 Hy ( 110 ) Capacitor interno 180 pFd n 0.66

Reflejando los valores de la admitancia de entrada del transistor de la siguiente etapa hacia la salida del primer transistor se tiene que: ( ) ( )

Por lo tanto la resistencia total, es el paralelo de la resistencia reflejada en paralelo con


( )( )

El factor de calidad del circuito resonante ser: ( ( Adems ( )( )( ) ) )

Con los datos anteriores obtenemos el valor del circuito entonado de carga ( Por lo tanto: C = 110.5 nFd (5.93 pFd + 34.43 pFd) = 110.48 nFd Dela expresin de resonancia se tiene que: [( )( )] ( ) )

Ahora nos interesa la ganancia de nuestro circuito. Para ello utilizamos el mtodo de desacople. Hay que analizar si nuestro transistor es inestable, lo cual ya se hizo. Procedemos a calcular el factor de sintonibilidad; considerando | | | |

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)(

| | Por lo tanto: |

Como podemos observar si cumple la condicin, lo que implica que la admitancia de entrada no va a depender de la carga es decir:

El siguiente paso es calcular la ganancia unilateral que proporciona una etapa. | |

)(

Esta ganancia no es realmente la que la que obtendremos a la salida, ya que hay prdidas debido al desacoplamiento. Para calcular , primero calculamos el valor de las prdidas por desacople. ( Donde: )

Por lo tanto:

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( As que:

DISEO DE LA LTIMA ETAPA DE F.I.


En nuestro circuito utilizaremos sintona sincronizada, por ello se debe establecer el ancho de banda de cada etapa. Como nuestro tren de F.I. es de tres etapas, tenemos 4 circuitos entonados es decir n=4

rad/s

Sabemos que:

Debido a que

Pero:

Adems

( Por lo tanto:

Mediante el empleo con autotransformador con n = 10 se obtienen los nuevos valores de L y C ( )

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Por lo tanto C es igual a: ( ) ( )

DISEO DE LA SEGUNDA ETAPA Y SU CIRCUITO DE CARGA

||

||

( (

)( )(

) )

Ahora reflejamos los valores de

del transistor de salida para calcular el valor de C

)(

) (

DISEO DEL CIRCUITO RESONANTE DE ENTRADA.

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DISEO DEL CONVERSOR


Para tener mxima estabilidad en el diseo de nuestro conversor, el circuito de entrada en la frecuencia de RF, la salida se considera que esta en corto circuito, as mismo para el circuito de salida en la frecuencia de F.I. el circuito de entrada debe de estar en corto. Como se recordar en la etapa de diseo del tren de F.I., nuestro transistor a la frecuencia de455 KHz se comportaba potencialmente inestable, por ello se agreg la red RC para neutralizarlo. Tomando esto calculamos el valor de la admitancia de entrada y de salida de nuestro transistor.

( (

)( )( )

( (

) )( ( )( ) )

Ahora definimos el valor mximo y mnimo de nuestro capacitor variable, para poder recibir el extremo superior e inferior en la banda de A.M. Para el lmite superior, tenemos una f = 1600 kHz, por lo tanto el valor de nuestro capacitor el cual es el valor mnimo requerido.

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)(

Para el lmite superior tenemos una f = 530 kHz, por lo tanto el valor de nuestro capacitor es mximo. ( )( )

Ahora tenemos que encontrar una condicin de oscilacin ptima, es decir; que nuestro oscilador responda dentro del rango de la banda de A.M. Para ello procedemos a calcular la relacin de vueltas en nuestro primer transformador para que nuestro oscilador responda.

Para nuestro AFT rojo que es nuestro primer transformador tenemos n = 0.4873 con , por lo tanto:

Ahora:

As que el potencial a la salida de nuestro oscilador es: ( ) ( ( )( ) )( ) ( )( )

Ahora debemos de optimizar el arrastre de nuestro circuito, para ello agregamos un trimer y un padder. La inductancia de nuestra antena es 220 Hy, por lo tanto la frecuencia de antena superior es: ( Para el punto inferior de la banda: ( ) ( )( ) )( )

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BIBLIOGRAFA:
Teora y diseo de Radiorreceptores Ral Ruz Meza. Electrnica Transistorizada e Integrada Milton S. Kiver Electrnica: Teora de Circuitos Y Dispositivos Electrnicos Boylestad Nashelsky

http://electronicacompleta.com/lecciones/amplificador-push-pull/ http://electronicacompleta.com/lecciones/amplificador-de-potencia-de-audio/

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Contenido
DISEO DEL AMPLIFICADOR DE AUDIO. ............................................................................................. 0 ANLISIS EN C.D. ............................................................................................................................. 2 ANLISIS EN C.A. ............................................................................................................................. 7 POTENCIA DE ENTRADA. ................................................................................................................. 8 DISEO DEL DEMODULADOR. ........................................................................................................... 11 DISEO DEL TREN DE F.I. ................................................................................................................... 12 DISEO DE LA LTIMA ETAPA DE F.I. ............................................................................................ 23 DISEO DE LA SEGUNDA ETAPA Y SU CIRCUITO DE CARGA ......................................................... 24 DISEO DEL CIRCUITO RESONANTE DE ENTRADA. ....................................................................... 24 DISEO DEL CONVERSOR .................................................................................................................. 25 BIBLIOGRAFA: ................................................................................................................................... 27

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