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DESARROLLO - UNION P-N

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equilib rio_y_polarizada/Applet3.html

Si aplicamos a dicha unin una tensin exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.

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A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral. Se la representa por Vu y sus valores prcticos son: Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atrados por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqu, cualquier aumento de tensin provoca un aumento de la corriente. Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarizacin directa o de funcionamiento. Sus valores tpicos son: Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios ELVIS MELITON SALINAS OLORTEGUI TELESUP

Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Parece lgico pensar que llegar un momento en que el proceso, aumento de tensin exterior, aumento de corriente en la unin, tendr que parar. Y esto es as, porque a partir de un determinado valor de la tensin exterior aplicada, los electrones se neutralizan en mayor nmero con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensin a partir de la cual la corriente a travs del diodo se mantiene constante, (en la prctica aumenta ligeramente) se le denomina tensin de saturacin. Sus valore tpicos son: Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destruccin del diodo.

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/ Applet4.html

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo, como se observa en la Figura

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En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

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Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmut aApplet.html

El interruptor electrnico ms simple es el diodo (conmutacin del diodo), cuando se aprovecha su pequea resistencia directa RF y su amplia resistencia inversa RR para funciones de interrupcin. El estado de interrupcin del diodo, y en consecuencia tambin del interruptor del diodo, depende de la polaridad de la tensin de operacin aplicada.

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En un interruptor de diodo, el diodo D y la resistencia de carga RL estn conectados en serie. Por ambos componentes fluye la misma corriente y se aplica la ecuacin:

Si en un interruptor de diodo, la tensin de operacin aplicada es positiva en relacin a la masa, el diodo D conduce. Su resistencia directa RF es baja, en ELVIS MELITON SALINAS OLORTEGUI TELESUP

consecuencia el flujo de corriente directa IF la cada de la tensin en RL es alta. Con una tensin de operacin negativa el diodo no conduce, por esto, fluye solamente una corriente inversa IR muy pequea. La cada de tensin en RL es por esto muy pequea y casi toda la tensin de operacin esta aplicada al diodo.

Para interruptores de diodo se utilizan diodos universales o diodos de conmutacin especiales. Si la relativamente alta tensin umbral causa dificultades en los diodos de silicio, se puede utilizar tambin diodo de punto de contacto de germanio si es que las pequeas corrientes directas son suficientes. Adems, en la seleccin de diodos para operacin en conmutacin hay que tener cuidado que los siguientes valores limites no sean excedidos:

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