Diodos semiconductores

2.1. INTRODUCCIN Los diodos son de las ms antiguas y ms ampliamente utilizada de dispositivos electrnicos. Un diodo se puede definir como un conductor casi unidireccional cuyo estado de conductividad se determina por la polaridad de sus terminales tensin. El tema de este captulo es el diodo semiconductor, formado por la unin metalrgica de p-tipo y materiales de tipo-n. (Un material de tipo p es un elemento del grupo IV-dopado con una pequea cantidad de un grupo V-material; material tipo n es un grupo-IV elemento base dopado con un material del grupo III). 2.2. El diodo ideal El smbolo de la comn, o rectificador, diodo se muestra en la figura. 2-1 (a). El dispositivo tiene dos terminales,nodo de etiquetado (tipo P) y el ctodo (tipo n), lo que hace comprensible la eleccin de los diodos como su propio nombre. Cuando la tensin en los terminales es no negativo (VD0), el diodo se dice que est polarizado o''en''; la corriente positiva que fluye SABA 0) se llama la corriente directa. Cuando VD <0, el diodo se dice que es Polarizacin inversa o fuera'',''y la correspondiente corriente negativa pequea se conoce como corriente inversa.

El diodo ideal es un ideal de dos estados dispositivo que presenta cero impedancia cuando polarizado y impedancia infinita en polarizacin inversa (Fig. 2-2). Tenga en cuenta que ya sea corriente o de tensin es cero en cualquier instantnea, no hay energa disipada por un diodo ideal. En las aplicaciones de circuito muchos diodo de tensin cadas y corrientes inversas son pequeos en comparacin con otras variables del circuito, y luego, lo suficientemente precisa resultados se obtienen si el diodo real se modela como ideal. El procedimiento de anlisis del diodo ideal es el siguiente: Paso 1: Supongamos que la polarizacin, y sustituir el diodo ideal con un corto circuito. Paso 2: Evaluar la iD corriente del diodo, utilizando cualquier circuito lineal, el anlisis de la tcnica. Paso 3: Si iD 0, el diodo est polarizado en realidad, el anlisis es vlido, y el paso 4 se debe omitir.

Paso 4: Si iD <0, el anlisis hasta la fecha no es vlida. Vuelva a colocar el diodo con un circuito abierto, lo que oblig iD = 0, y resolver respecto de las cantidades de circuito deseado utilizando cualquier mtodo de anlisis de circuitos. Tensin VD Hay que encontrar a tener un valor negativo. Ejemplo 2.1. Buscar de tensin en el circuito de la figura. 2-3 (a), donde D es un diodo ideal. El anlisis se simplifica si el equivalente de Thvenin se encuentra en el circuito a la izquierda de las terminales A, B, el resultado es

Paso 1: Despus de cambiar la red a la izquierda de las terminales A, B, con el equivalente de Thvenin, asumir la polarizacin y sustituir el diodo D, con un corto circuito, como en la fig. 2.3 (b). Paso 2: Por la ley de Ohm,

Paso 3: Si

, entonces

Paso 4: Si entonces y el resultado del paso 3 no es vlida. D diodo debe ser sustituido por un circuito abierto se ilustra en la figura. 2-3 (c), y el anlisis realizado de nuevo. A partir de ahora , . Desde , la polarizacin inversa del diodo se verifica. (Vase el problema 2.4 para una extensin de este procedimiento para un circuito MULTIDIODE.) 2.3. Caractersticas del diodo TERMINAL

El uso de la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac predecir neutralizacin de la carga da la esttica (no-tiempo-variable) la ecuacin de diodo de unin actual: . (2.1) Dnde:

T q

Diodo terminal de tensin, V Dependiente de la temperatura de saturacin de corriente, A Temperatura absoluta de la unin p-n, K Constante Boltzmanns ( ) Carga del electrn ( ) Constante emprica, una de Ge y 2 para el Si

Ejemplo 2.2 Encontrar el valor de -273C, escribimos:

en (2.1) en el 20C. Recordando que el cero absoluto es

Mientras que (2.1) sirve como un modelo til del diodo de unin en la medida en resistencia dinmica se refiere, la figura. 2.4 muestra que tiene las regiones de la inexactitud:

1. El real (medida) hacia la cada de tensin es mayor que la prevista por (2,1) (debido a la

resistencia hmica de los contactos de metal y material semiconductor).

2. A la inversa de corriente real de es mayor de lo previsto (debido a la corriente

de fuga es a lo largo de la superficie del material semiconductor). 3. El actual aumento de la corriente de retorno a los valores significativamente mayores de lo previsto para (debido a una fenmeno complejo denominado avalancha desglose).

En los diodos disponibles en el mercado, el dopaje adecuada (adicin de impurezas) de los resultados de la base material en distintos esttica caractersticas del terminal. Una comparacin de la Ge-y las caractersticas del diodo Si-base se muestra en la figura. 2.5. si VR <VD <0:1 V, ambos tipos de diodos presentan una casi constante IRcorriente inversa. Por lo general, 1 A <IR <500 A

Para Ge, mientras que para el Si, para los diodos nivel de la seal (calificaciones de corriente directa de menos de 1 A). Para una polarizacin, la aparicin de la baja resistencia de conduccin es de entre 0,2 y 0,3 V para el Ge, y entre 0,6 y 0,7 V para el Si. Si para los dos y los diodos de Ge, el de saturacin se duplica por un aumento de la temperatura de 10C, y en otros es decir, la razn de saturacin a la temperatura a la la temperatura

(2.2) Ejemplo 2.3. Encontrar el porcentaje de aumento en la corriente inversa de saturacin de un diodo si la temperatura es aument de 25C a 50C. Por (2,2),

Caractersticas estticas de terminales son generalmente adecuados para describir el funcionamiento del diodo en baja de frecuencia. Sin embargo, si el anlisis de alta frecuencia (por encima de 100 kHz) o el anlisis ha de llevarse a cabo, puede que sea necesario para tener en cuenta el agotamiento de la capacidad (tpicamente varios picofaradios) asociado a una unin p-n con polarizacin inversa, para una polarizacin unin p-n, un poco ms grande capacidad de difusin (por lo general varios cientos de pF) que es directamente proporcional al delantero actual debe incluirse en el modelo. (Vase el problema 2.25.) 2.4. EL MODELO DE SPICE DIODE La declaracin de la especificacin de elementos para un diodo explcitamente el nombre de un modelo, incluso si el valor por defecto los parmetros del modelo estn destinados para su uso. La forma general de la declaracin de la especificacin de diodo es como siguiente, donde de manera arbitraria el nombre del modelo elegido: D. Nombre del modelo

Nodo es el nodo y el nodo es el ctodo del diodo. Direcciones positivas de corriente y tensin son aclaradas por la figura. 2-1 (b). Adems, la sentencia MODEL. Control se debe agregar a la lista de red de cdigo, incluso si el valor por defecto los parmetros son aceptables. Esta sentencia de control es . MODELO nombre del modelo D (parmetros) Si el campo se deja en blanco los parmetros, los valores por defecto son asignados. De lo contrario, el campo de parmetros contiene el nmero de especificaciones que desee en el

nombre del parmetro formato = valor. Parmetros especficos que son de inters en este libro se documentan en la Tabla 2.1.

Ejemplo 2.4. El circuito de la figura. 2-6 (a) puede ser usado para determinar la caracterstica esttica del diodo D, siempre que la rampa de la fuente frente a perodos de tiempo suficiente para que los efectos dinmicos sean insignificantes. Vamos rampa fuente de -5V a 5V en un lapso de 2 s. Utilizar mtodos de SPICE para trazar la caracterstica del diodo de silicio esttica (a) si el diodo es no ideal con una tensin nominal de y (b) si el diodo es ideal.

(a) El cdigo de netlist SPICE describe los diodos no ideales para una corriente de saturacin tpica es un 15 A. Un coeficiente de emisin n 4> 2 ha sido utilizada para producir una cada tpica tensin directa de un diodo de silicio.

Despus de ejecutar <Ex2_4.CIR>, se representa con la variable del eje x cambia de vez en da la caracterstica del diodo de la figura esttica. 6.2 (b). Editar <Ex2_4.CIR> para mover el asterisco antes de la segunda .MODEL para el primer modelo. Declaracin, con lo que la preparacin para el anlisis del diodo ideal. Al establecer el parmetro coeficiente de emisin a un pequeo valor asegura una cada de tensin despreciable. Ejecutar <Ex2_5.CIR> y represente el resultado de la parte (a) dar la caracterstica esttica de la figura. 2-6 (c). La inspeccin de los puntos marcados en la curva muestra que el diodo es abordar el caso ideal de la corriente inversa insignificante y despreciable La cada de tensin hacia adelante. 2.5. Anlisis grfico

Una solucin grfica necesariamente supone que el diodo es resistivo y de forma instantnea por lo tanto, caracteriza por su esttica curva. El saldo de la red objeto de estudio debe ser lineal, de modo que un equivalente de Thvenin existe para ella (Fig. 2-7). Entonces, los dos sistemas de ecuaciones a resolver grficamente para y VD son la caracterstica del diodo

(2.3) Y la lnea de carga

Ejemplo 2.5. En el circuito de la figura. 2-3 (a), frente a un y . Determinar la y grficamente, con la caracterstica del diodo de la figura. 8.2. El circuito se puede reducir al de la figura. 2-7, con

Entonces, con estos valores de la lnea de carga (2,4), debern superponerse la caracterstica del diodo, como en la fig. 8.2. La solucin deseada, y , est dada por el punto de interseccin de las dos parcelas. Ejemplo 2.6. Si todas las fuentes en la parte inicial de una red lineal varan con el tiempo, entonces es tambin una variable en el tiempo en la fuente. En forma reducida [fig. 2-9 (a)], una de esas redes tiene un voltaje de Thvenin que es una onda triangular con un pico de 2-V. Buscar y de esta red.

En este caso no existe un valor nico de que satisface las ecuaciones (2.3) y (2,4), sino que hay existe un valor de correspondiente a cada valor que toma. Una solucin aceptable para se pueden encontrar por considerando un nmero finito de valores de . Dado que es repetitivo, ser repetitivo (con el mismo perodo), por lo que slo un ciclo es necesario considerar. Al igual que en la figura. 2-9 (b), se empieza por trazar un plan a escala de V en funcin del tiempo, con el eje paralelo al eje de la caracterstica del diodo. A continuacin, seleccione un punto de la grfica , como el en t = t1. Teniendo en cuenta el tiempo de se detuvo en t = t1, se construye una lnea de carga para este valor en la trama de diodos caracterstica, sino que corta el eje en el , y el eje de identidad en ; y el eje en el eje . Nosotros determinamos el valor de la en los que esta lnea de carga interseccin con la caracterstica, y trazar el punto (t1; ) en un tiempo-contra- sistema de coordenadas construido a la izquierda de la curva caracterstica del diodo. A continuacin, dejar que avance el tiempo a un valor nuevo, t = t2, y repetir todo el proceso. Y seguimos hasta un ciclo de se ha completado. Desde la lnea de carga cambia continuamente, lo que se conoce como un lnea de carga dinmica. La solucin, una parcela de , difiere radicalmente de forma de la parcela de la a causa de la la no linealidad del diodo. Ejemplo 2.7. Si los dos DC y fuentes variables en el tiempo estn presentes en la parte original de una red lineal, entonces es una combinacin en serie de un CC y una fuente variable en el tiempo. Supongamos que la fuente de Thvenin para un determinado red combina una batera de 0,7 V y una fuente sinusoidal de 0,1 V de pico, como en la figura. 2.10 (a). Buscar y para de la red.

Trazamos un plan a escala de , con el eje paralelo al eje de la curva caracterstica del diodo. Nosotros entonces considere , el componente de CA de , para ser momentneamente en cero (t=0), y trazamos una lnea de carga en ese instante

En este caso no existe un valor nico de que satisface las ecuaciones (2.3) y (2,4), sino que hay existe un valor de correspondientes a cada valor que toma. Una solucin aceptable para se pueden encontrar por considerando un nmero finito de valores de . Dado que es repetitivo, ser repetitivo (con el mismo perodo), por lo que slo un ciclo es necesario considerar. Al igual que en la figura. 2-9 (b), se empieza por trazar un plan a escala de en funcin del tiempo, con el eje paralelo al eje de la caracterstica del diodo. A continuacin, seleccione un punto de la grfica , como el en t = t1. Teniendo en cuenta el tiempo de se detuvo en t = t1, se construye una lnea de carga para este valor en la trama de diodos caracterstica, sino que corta el eje en el V 0:5 V, y el eje Corriente del diodo a V = CRT 0:5 = 50 = 10 mA. Nosotros determinamos el valor de la identificacin en los que esta lnea de carga interseccin con la caracterstica, y trazar el punto (t1; iD) en un tiempo-contraiD sistema de coordenadas construido a la izquierda de la curva caracterstica del diodo. A continuacin, dejar que avance el tiempo a un valor nuevo, t = t2, y repetir todo el proceso. Y seguimos hasta un ciclo de V se ha completado. Desde la lnea de carga cambia continuamente, lo que se conoce como un lnea de carga dinmica. La solucin, una parcela de iD, difiere radicalmente de forma de la parcela de la V a causa de la no linealidad del diodo.