NOMBRE DE LA ASIGNATURA: ELECTRNICA II.

PRCTICA No. 03
Tiempo estimado: 2h.

TITULO: CALCULO DE LA DE UN TRANSISTOR EMISOR COMN

UNIDAD TEMTICA I: TRANSISTORES

1. INTRODUCCIN:
El motivo de esta prctica es sentar las bases de los conocimientos sobre los transistores bipolares, la comprobacin de sus relaciones de corrientes y el clculo de la ganancia en emisor comn. Para esto, se revisarn los puntos ms importantes de los transistores bipolares y su anlisis en la configuracin de emisor comn.

2. OBJETIVO
El alumno aprender a manejar los transistores bipolares en su configuracin emisor comn as como a determinar la de un transistor.

3. MARCO TERICO:
OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor bipolar es un dispositivo de doble unin y tres terminales, en la fig. 1a se muestra la estructura simblica de un transistor bipolar NPN. Este contiene tres regiones extrnsecas separadas, presentes en una estructura cristalina. Las dos regiones exteriores estn impurificadas de manera que sean tipo N, y la regin central est impurificada de modo que sea tipo P. Por razones que luego se tratarn, la regin central P se denomina base, la primer regin N recibe el nombre de emisor y la segunda regin N recibe el nombre de colector. Existen dos uniones P-N; la unin P-N formada por las regiones del emisor y la base se denomina unin emisor-base (E-B). La unin P-N constituida por las regiones del colector y la base se llama unin colector-base (C-B). A cada regin se conecta una terminal o punta, lo cual hace que el transistor sea un dispositivo de tres terminales. En la fig. 1b se muestra una estructura similar pero que corresponde a un transistor bipolar PNP. En este tipo de transistor la impurificacin es exactamente lo opuesto que en el caso del tipo NPN. La operacin de cada tipo es esencialmente la misma, salvo por diferencias en las polaridades del voltaje y la corriente. Fig. 1a Emisor N Base P Colector N Emisor P Fig. 1b Base N Colector P

C Unin emisorbase Unin colectorbase B B E E Existen cuatro formas posibles de polarizar las dos uniones del transistor y estas son: Condicin I II III IV Unin E-B Polarizacin directa Polarizacin directa Polarizacin inversa Polarizacin inversa Unin C-B Polarizacin inversa Polarizacin directa Polarizacin inversa Polarizacin directa Regin de operacin Activa Saturacin Corte Invertida C

ANLISIS DE LA CONDICIN I En esta condicin la unin E-B est polarizada en sentido directo y la unin C-B lo est en sentido inverso (o no esta polarizada). Esta condicin de operacin se conoce como operacin activa ver fig. 2. Observe la figura 2, si el interruptor 1 esta cerrado, la unin E-B estar polarizada directamente. Puesto que las regiones del emisor y de la base son en esencia iguales a las de un diodo P-N, puede esperarse entonces que una corriente relativamente grande fluir a travs de la unin E-B. Esta corriente consistir en portadores mayoritarios que se difunden desde el emisor y la base a travs de la unin. El flujo total de corriente a travs de la unin E-B es la suma de las corrientes de difusin de electrones y huecos. En los transistores de unin, la regin de la base deliberadamente se impurifica muy ligeramente, en comparacin con la regin del emisor. Debido a ello, los electrones que se difunden desde el emisor normalmente constituyen ms del 99 % de la corriente total. Otro efecto de la ligera impurificacin de la base es que muchos de los electrones que haban entrado procedente s del emisor se movern a travs de la regin de la base hacia la Terminal positiva de la batera sin encontrar un hueco con el cual recombinarse, es decir I E IB e IC = 0. Consideremos ahora que cerramos solamente el interruptor 2, entonces la unin C-B se polarizar inversamente. Con polarizacin inversa, la nica corriente que fluye a travs de la unin C-B es la corriente inversa de fuga, constituida por portadores minoritarios generados trmicamente, los cuales son acelerados por la barrera de potencial, esta corriente es relativamente baja y depende de la temperatura. La pequea corriente de colector en este caso tiene un smbolo especial,

ICBO. Que representa la corriente de fuga del colector, la cual fluye cuando I E = 0 y la unin C-B tiene polarizacin inversa. Fig. 2 Emisor E N + + + + ----Carga Espacial

Base P E -----

Colector + + N + + C IC

IE

Carga Espacial

B -- VBE + Sw1

IB

Sw2 --

VCB

Cuando ambos interruptores estn cerrados los resultados son casi inesperados, ya que I E es una corriente de gran magnitud, como se esperaba, pero IB es una corriente muy pequea e IC resulta ser una corriente alta. La razn de tal resultado se debe a la pobre impurificacin de la base ya que muy pocos electrones de la gran cantidad que llegan del emisor se recombinan con un hueco en la base y esto permite que entren profundamente en la base hasta la regin de la carga espacial de la unin colector base en donde son acelerados como si fueran portadores minoritarios hacia el colector debido a la fuerza las cargas de los iones de la regin espacial que al estar en inversa es an mayor. Estos electrones adicionales que cruzan la unin C-B se agregan a la corriente normal inversa de fuga I CBO para proporcionar una mayor corriente del colector. En general, es deseable que la mayor parte de los electrones que provengan del emisor alcancen el colector. Por este motivo la regin de la base se hace deliberadamente muy angosta (0.001 pulg) , de manera que los electrones de difusin alcancen el colector antes de que encuentren un hueco con el cual recombinarse. En un buen transistor slo un pequeo porcentaje de los electrones inyectados se recombinan en la base. Por cada electrn que alcanza la regin del colector, un electrn deja el otro extremo del colector y va a la terminal positiva de la fuente VCB. Puesto que la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor alcanzan el colector, la corriente de colector ser grande y aproximadamente de la misma magnitud que la corriente del emisor. Entonces, la corriente de la base ser muy pequea. La intensidad de corriente del emisor que fluir en el transistor depende de la magnitud de la polarizacin directa, V BE . El espesor de la base y su grado de impurificacin determina efectivamente la intensidad de corriente del emisor que alcanzar el colector y se convertir en corriente de colector. El valor de la polarizacin inversa, V CB, aplicada a la unin C-B tiene un ligero efecto en la corriente de colector. Debe haber una regin de carga espacial alrededor de la unin C-B para atraer y acelerar los electrones de difusin hacia la regin del colector. Si la regin de carga espacial aumenta, el efecto resultante ser que ms electrones del emisor alcanzarn el colector, puesto que los electrones de difusin no tendrn que ir tan lejos. Al incrementarse VCB esencialmente disminuye el espesor efectivo de la base por el cual deben cruzar los electrones antes de alcanzar la regin de carga espacial. Por consiguiente, puede esperarse para un valor dado de IE que IC aumentar ligeramente y que IB decrecer tambin ligeramente al aumentar VCB.

RELACIONES BSICAS DEL TRANSISTOR Con base en la ley de las corrientes de Kirchhoff puede establecerse que IE = IC + IB En segundo lugar, a partir de las conclusiones antes obtenidas puede afirmarse que la corriente del colector est constituida de dos partes: aquella porcin de la corriente del emisor que alcanza el colector, y la corriente inversa de fuga en la unin C-B, ICBO. En forma de ecuacin, IC = Donde

CD IE +

ICBO

CD es la fraccin de la corriente del emisor, que alcanza el colector. En la mayor parte de los transistores modernos de silicio ICBO es muy pequea comparada con la componente CD IE de la corriente del colector, salvo a
temperaturas muy altas y valores muy bajos de IE. En la mayora de las situaciones se puede despreciar ICBO y utilizar IC Puede despejarse para obtener

CD IE
IC IE

CD
Aqu

CD representa simplemente la relacin entre la corriente de CD del colector y la corriente CD del emisor en el transistor. Para los transistores tpicamente buenos, CD est normalmente en el intervalo de entre 0.95 y 0.999 lo cual
indica que la mayor parte de la corriente del emisor se convierte en corriente del colector. Otra ecuacin til que se puede deducir de las anteriores es la siguiente: IB (1 - CD ) IE Todo lo dicho hasta aqu es tambin aplicable a la operacin del transistor PNP. Las nicas diferencias para este ltimo tipo son: 1. 2. 3. El emisor inyecta huecos hacia la regin de la base, puesto que el emisor es tipo P. Los voltajes de polarizacin son opuestos en polaridad a los correspondientes al transistor NPN. Los sentidos de las corrientes para IB , IC e IE tambin son opuestos a los correspondientes para el transistor tipo NPN.

OTRAS REGIONES DE OPERACIN Con respecto a la tabla anterior la condicin dos y tres son muy importantes y se puede observar que la regin de saturacin ocurre cuando las dos uniones del transistor estn directamente polarizadas. En esta condicin, la regin de carga espacial de la unin C-B se ha desvanecido casi completamente y la capacidad del colector para captar los portadores inyectados por el emisor se reduce notablemente. De hecho, si la polarizacin directa en la unin C-B es suficiente, el colector detendr la captacin de portadores y comenzar a emitir portadores dentro de la base, exactamente en la misma forma en que lo hace el emisor. La operacin en la regin de corte ocurre cuando ambas uniones del transistor se polarizan inversamente. En esta condicin, el emisor no inyectar portadores mayoritarios en la regin de la base. La nica corriente del emisor que fluya ser una corriente de fuga inversa. La regin de corte tambin incluye el caso en que el circuito emisor, esto es I E = 0. En cualquier caso, cuando no se inyecta corriente del emisor, se dice que el transistor est en corte y slo fluyen pequeas intensidades de corriente de fuga.

LA CONFIGURACIN DE EMISOR COMN En la Fig. 3 se muestra una configuracin de transistor NPN de emisor comn con los voltajes de polarizacin aplicados para el funcionamiento en la regin activa. En este tipo de configuracin (abreviada E-com o EC), los voltajes de polarizacin se aplican entre el colector y el emisor (VCE) y entre la base y el emisor (VBE). La unin E-B est polarizada directamente, ya que la base se ha hecho ms positiva que el emisor en V BE. El colector es ms positivo que el emisor en VCE. El potencial del colector respecto a la base est dado entonces por VCB = VCE - VBE Para polarizar en sentido inverso la unin C-B, VCB debe ser positiva. El valor de VCE debe entonces ser mayor que el de VBE. Cuando VCE es menor que VBE, VCB es negativo, la unin C-B se polariza directamente y el transistor est en saturacin. En la configuracin E-Com, la Terminal de la base es la Terminal de entrada y la Terminal del colector es la Terminal de salida. Para una entrada particular IB habr una correspondiente salida IC. Es por ello conveniente expresar I C en funsin de IB de las ecuaciones ya obtenidas. IB (1 - CD ) IE De donde IE puede despejarse: IE = ____IB______ (1 - CD )

Puesto que IE = IC + IB , puede volver a escribirse como IE = IC + IB ____IB______ (1 - CD )

Despejando IC se tiene

IC ____ CD IB___ (1 - CD )

Ahora bien si definimos el termino de las alfas como CD la ecuacin se convierte en IC CD x IB Siendo esta la relacin ms importante para la configuracin de E Com. Establece que IC es igual a CD multiplicada por la entrada IB. CD se denomina la ganancia de corriente en CD de emisor comn, ya que relaciona la corriente de salida con la de entrada. Esta ecuacin obtenida indica que CD puede ser muy grande del orden de entre 10 y 500, aunque en arreglos especiales como el darlington se pueden obtener ganancias por arriba de 1000.

De similar manera que se obtuvo IC en funcin de IB, se puede obtener IE en trminos de IB, llegando a la siguiente relacin: IE = (CD + 1)IB FIG . C C N B B P + VBE -N E -+ VCE VBE -+ E -+ VCE
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ANLISIS DE DE CIRCUITOS DE EMISOR COMN: METODO APROXIMADO El mtodo aproximado, aunque menos exacto que el de la lnea de carga, es ms conveniente en su uso y no requiere las curvas del transistor. Se requiere conocer un valor aproximado para CD en la regin activa cerca del punto de operacin. En algunos casos, este valor de CD se mide experimentalmente; en otros, se toma un valor promedio a partir de la hoja de especificaciones del transistor. CORTE La corriente de base es la corriente de entrada en la configuracin E Com, y el corte ocurre tan pronto como I B = 0. Si la unin E B tiene polarizacin inversa, no tiene polarizacin o est en circuito abierto, entonces I B = 0. con IB = 0 no habr IC (excepto la corriente de fuga, ICEO, que normalmente puede despreciarse). Con IC = 0, la cada de voltaje a travs de RC esencialmente ser cero, de manera que VCE igualar al voltaje de la fuente del colector. Para resumir, en lo que se refiere a la porcin del colector el circuito en corte es una condicin de corriente nula y voltaje mximo. El transistor prcticamente acta como un circuito abierto entre el colector y el emisor.

EL TRANSISTOR EN LA REGIN ACTIVA O DE SATURACIN Cuando la unin E B est suficientemente polarizada en forma directa, fluir corriente de base. Si el transistor est en la regin activa, la corriente resultante del colector es CD x IB. A medida que IB aumenta, el valor de IC aumenta hasta que iguala su valor de saturacin IC(sat). Incrementos adicionales en IB no producen incremento en IC. Puede utilizarse el hecho de que VCE 0 en la regin de saturacin, para encontrar el valor de IC(sat). Puesto que VCE 0, el voltaje completo de la fuente VCC producir una cada a travs de RC, de manera que IC(sat) VCC RC

Observe que en saturacin IC est en su valor mximo, y VCE est en su valor mnimo. Para un transistor dado, habr un valor mnimo de la corriente de base requerido para saturar la corriente de colector. Este valor se llama I B(sat), y puesto que IC CD x IB aumenta hasta que se alcanza la saturacin, se tiene IB(sat) IC(sat) CD Cuando la corriente de base es mayor a esta corriente el transistor estar saturado, de otra manera, el transistor est en la regin activa. As pues los pasos para analizar un circuito de emisor comn cuando I B fluye son:

Principio

Calcular la IB real que fluye

Calcular IC(sat) e IB(sat) fluye

IS IB < IB(sat)

no

El transistor esta saturado IC IC(sat) VCE 0

s El transistor esta en la regin activa IC = CD x IB VCE = VCC - ICRC

REGLAS PARA TRABAJAR CON CIRCUITOS QUE TIENEN TRANSISTORES Y PARA REALIZAR MEDICIONES EN ELLOS. Herramientas especiales Se requieren herramientas especiales para usarlas en circuitos que tienen transistores debido al tamao reducido de stos y de sus componentes asociadas. Adems, por lo general, el equipo transistorizado est miniaturizado y resulta imposible utilizar las herramientas normales. La lista de herramientas especiales incluye: Cortadores miniatura Pinzas miniatura con punta de aguja Varilla para soldar Cautn Lupa de joyero o lupa con base Precauciones para no daar a los transistores Si bien los transistores son dispositivos de construccin slida, es fcil daarlos si su manejo no es adecuado. Cuando trabaje con transistores de baja potencia con conexiones flexibles, debe hacerlo con mucho cuidado ya que estas conexiones son frgiles y se rompen con facilidad. Los transistores pueden destruirse casi instantneamente, a diferencia de los bulbos que toleran sobrecargas de voltaje moderadas durante periodos largos. Un corto circuito entre la base y el colector producido en un circuito en operacin, casi siempre destruir un transistor. Entonces, la punta de prueba de un medidor o de una herramienta que pone en corto un par de terminales puede destruir un transistor. Se evitarn muchas averas en los circuitos de estado slido si se observan los siguientes lineamientos al trabajar con ellos: Insercin de transistores en un circuito. No instale ni retire un transistor de un circuito con la alimentacin en encendido. De lo contrario, puede daar en forma permanente un transistor debido a las elevadas corrientes transitorias que se llegan a generar. Valores de polarizacin y de voltaje de colector. Cercirese de que la polaridad del voltaje de polarizacin del colector sea correcta antes de conectar la alimentacin. La polarizacin del colector debe ser inversa. Adems, el voltaje entre el colector y el emisor no deber exceder los valores especificados. Por tanto, se debe medir estos voltajes y ajustarlos al valor adecuado antes de conectar la alimentacin al circuito. Revisin de las conexiones del circuito. Es necesario verificar todas las conexiones segn el diagrama del circuito antes de conectar la alimentacin. No debe conectarse un transistor a una fuente de voltaje sin una resistencia limitadora en el circuito. Soldado del transistor. Cuando sea necesario el soldado de transistores debe hacerse con rapidez. Se recomienda usar varillas de pocos watts (25 W). Las extremidades del transistor debern ser lo ms largas posibles, de acuerdo con el diseo del circuito para reducir la transferencia de calor. Se debe usar algn tipo de disipador calorfico como unas puntas de caimn o pinzas de punta. Mediciones de voltaje. Todo el equipo debe estar aislado de la lnea de alimentacin elctrica. De no ser as, es necesario usar un transformador de aislamiento. Al medir el voltaje en los circuitos de transistores, hay que tener cuidado de minimizar la posibilidad de corto circuitos accidentales entre terminales con espaciamiento muy cercano. Mediciones de resistencia. Existe la posibilidad de daar un transistor durante una medicin de resistencia, debido a los voltajes que aplica el multimetro, es por recomendable usar la funcin LP, si el multimetro cuenta con ella, para no daarlo. Empleo de generadores de seales como fuente de seales en circuitos que tienen transistores . Una salida excesiva producida por un generador de seal podra destruir un transistor. As la salida del generador debe calibrarse al mnimo

al inicio de la inyeccin de la seal. Como medida de seguridad adicional, el generador no debe acoplarse directo al circuito. Siempre que sea posible, se recomienda un acoplamiento capacitivo. MATERIAL NECESARIO: Fuente de alimentacin: dos fuentes de voltaje de cd bajo. (fuente bipolar) Equipo: dos multimetros que midan microamperes multirango. Resistores: 100 y 4,700 a W Semiconductores: 2N3904 Otros: potencimetros de 2,500 y 5000 a 2 W; dos interruptores para encendido apagado. DESARROLLO: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Arme el circuito de la figura 4, M1 y M2 son micro miliampermetros multirango. El valor de R4 se fija para que produzca una resistencia mxima, antes de conectar la alimentacin. Cierre S1 y S2. Ajuste el valor de R2 a la corriente de base de 10 A (IB). Ajuste el valor de R4 para VCE = 6V. Mida el valor de IC y antelo en la tabla 1. Ajuste R2 para que IB = 30 A. Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V. Mida y anote el valor de IC. Ajuste R2 para que IB = 40 A. Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V. Mida y anote el valor de IC. Ajuste R2 para que IB = 50 A. Ajuste R4 para mantener VCE en 6 V. Mida y anote el valor de IC. Abra S1 y S2. Calcule con los valores medidos de la tabla 1; anote el valor. Determine y compruebe experimentalmente con este circuito la corriente de saturacin de colector y de base, para la beta que usted determino, considere una resistencia RC ( R3 + R4) de 500 .

Formulas: IC = CD x IB IC(sat) VCC RC IB(sat) IC(sat) CD CD = IC IB Fig. 4

PASO 1 2 3 4 5

IB A 10 30 40 50

IC mA

Corriente Delta

Beta

Paso2 y 3 Paso2 y 4 Paso3 y 4 Paso2 y 5 Paso3 y 5 Paso4 y 5

6. CONCLUSIONES:

7. BIBLIOGRAFIA: